TW201006777A - Method for etching alkali-free glass substrate and display device - Google Patents
Method for etching alkali-free glass substrate and display device Download PDFInfo
- Publication number
- TW201006777A TW201006777A TW098121451A TW98121451A TW201006777A TW 201006777 A TW201006777 A TW 201006777A TW 098121451 A TW098121451 A TW 098121451A TW 98121451 A TW98121451 A TW 98121451A TW 201006777 A TW201006777 A TW 201006777A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- mass
- glass substrate
- etching
- alkali
- etching method
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
Description
201006777 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種無鹼玻璃基板之蝕刻方法。更具體而 言,本發明係關於一種將用於液晶顯示元件(LCD,Liquid Crystal Display)、有機電激發光顯示元件(OELD,Organic Electro-Luminescence Display)等顯示元件之基板的無驗玻 璃基板加以薄板化之蝕刻方法。 【先前技術】 # 於畫面尺寸為中小型之LCD或OLED、尤其是行動裝 置、數位相機、行動電話等可攜式顯示元件之領域中,顯 示元件之輕量化、薄型化成為重要課題。為了實現構成顯 示元件之玻璃基板之薄板化,廣泛採用有如下方法:於陣 列基板與彩色濾光片基板之黏合步驟之後,對各個玻璃基 板之外表面進行蝕刻而使板厚變薄。例如,對原板厚為 0.4〜0·7 mm之玻璃基板進行蝕刻,而形成為板厚為0.1〜0.4 mm之玻璃基板。 胃 目前,於平板型顯示器(FPD,Flat Panel Display)用途 中,多採用無鹼玻璃基板。蝕刻該無鹼玻璃基板時,通常 -係使用含氫氟酸(HF)之蝕刻液,原因在於其對玻璃之蝕刻 ,作用優異(參照專利文獻1)。又,於為了使硬碟驅動器之見 的資訊記錄媒體用玻璃碟之表面形成為具有微小突起之所 期望之表面而進行的蝕刻處理中,亦係使用含氫氟酸之蝕 刻液(參照專利文獻2)。 又,作為對玻璃物質進行蝕刻之蝕刻液,已知道可使用 141270.doc 201006777 氫氟酸與鹽酸之混合液,且藉由改變兩者之組成來控制蝕 刻狀態(非專利文獻〗)。非專利文獻1中係以石英玻璃(非晶 質Si〇2)及石英(晶質Si〇2)作為對象,從而與本發明中之對 象(無鹼玻璃)不同。又,非專利文獻丨主要係關於試料在蝕 刻液中之溶解速度(與蝕刻速率之含義大致相同)之詳細考 查’並不具有使板狀玻璃薄板化之目的。故而有如下記 載·對蝕刻後之表面形狀並未予以重視,反而於表面上生 成多個直徑50 μιη左右之凹陷(圖8)。顯然,此情況使得玻 璃表面上產生微細之凹凸,導致玻璃白濁之霧度產生,從 而造成問題。此外,於非專利文獻〗中完全沒有關注蝕刻 時所生成之殘渣。可認為其原因在於,利用HF對石英玻璃 (非晶質Si〇2)及石英(晶質Si〇2)所進行之蝕刻係如下式所 示來進行的,即
Si02+6HF —H2SiF6+2H2〇, 此處所生成之H;jSiF6於酸性溶液中電離後,以如下之離子 形式穩定地存在,即 H2SiF6 —2H++SiF62-, 從而不會生成殘渣。因而可知,其屬於與可知會產生殘渣 (以下亦稱作懸濁物質或者多餘產物)之無鹼玻璃之蝕刻完 全不同之系列。 又,先前已知,於使FPD中所使用之大型玻璃基板薄板 化之蝕刻步驟中,玻璃與蝕刻液會發生反應而產生懸濁物 質,從而導致蝕刻液性能下降。因此,於蝕刻步驟中係 採用如下方法:將懸濁物質過濾,使淨化後之蝕刻液循 141270.doc 201006777 環’藉此保持蝕刻槽内之蝕刻液之性能,從而可長期連續 地使用姓刻液(參照專利文獻3)。 又,於FPD用之玻璃基板中,於顯示圖像之特性方面而 言,要求較高之平坦性。尤其是於玻璃表面產生微細之凹 凸,從而產生玻璃白濁之霧度,成為最大問題。為了確保 玻璃基板表面之平坦性’已知有如下方法:利用例如 10〜30質量%之HF、20〜50質量%之hjO4等強酸進行前研 磨之後,實施後研磨步驟(參照專利文獻4)。 又,已知有如下方法:利用4〇〜9〇質量%之H:s〇4、 〇·4〜4質量%iHF進行表面研磨之後,利用2〜3〇質量%之 HF實施後研磨(參照專利文獻5)。 上述使用前研磨及後研磨之兩個階段之步驟之方法中, 由於前研磨步驟中僅以極短之時間與玻璃接觸,故而無法 對玻璃進行均勻之深度蝕刻。此外,必需經過多個步驟。 由於以上原因,整體生產率差,且亦需要更新設備,故而 於成本方面極為不利。 又,亦知有如下方法:使用以氫氟酸、氟化銨及鹽酸為 主成分之蝕刻液,對多成分系之FPD用之玻璃基板進行蝕 刻(參照專利文獻6)。含氟化銨之蝕刻液係作為緩衝氫氟酸 溶液而廣為人知,常用於半導體製造工藝中。再者,關於 使玻璃基板薄板化之技術自先前即開始嘗試,作為其一方 法’已知有化學研磨,亦即,使用規定之組成條件之钱刻 液對玻璃基板表面進行蝕刻(參照專利文獻7)。又,於lcd 等之製造步财,作為塗佈纽劑之前的表面處理,亦知 141270.doc 201006777 有利用特定組成之蝕刻液對玻璃基板進行蝕刻之方法(參 照專利文獻8之表1)。 然而’先前卻不知有如下之蝕刻方法:其係用以使含有 規定量以上之鹼土金屬、亦即Ca、Sr、Ba或者Mg的多成 分系之無驗玻璃基板薄板化者,可抑制多餘之懸濁物質產 生’又可有效利用現有之蝕刻裝置,且可利用一個蝕刻步 驟完成用以薄板化之蝕刻。 [先行技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]曰本專利特開2003-313049號公報 [專利文獻2]日本專利特開2002-237030號公報 [專利文獻3]日本專利特開2008-127585號公報 [專利文獻4]日本專利特開2005-343742號公報 [專利文獻5]日本專利特開2007-297228號公報 [專利文獻6]日本專利特開2003-63842號公報 [專利文獻7]日本專利特開昭5〇·29620號公報 [專利文獻8]曰本專利特開昭52-144020號公報 [非專利文獻] [非專利文獻 1] J· Am. Ceramics Soc.,70[8]570-77(1987) 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 為了解決上述先前技術之問題,本發明之目的在於提供 一種姓刻方法,其係用以使無鹼玻璃基板薄板化者,蝕刻 液中無多餘產物懸濁,亦即沈澱物之體積比例小(以下定 141270.doc -6 - 201006777 義為體積沈殿率),#刻速率快,且可抑制於玻璃基板之 表面產生霧度。 自先前以來,係使用氫氟酸(HF)與鹽酸或其他酸之混合 酸作為㈣液來進行玻璃基板之㈣^然而,如用以使無 鹼玻璃基板薄板化之蝕刻般,於蝕刻量大至丨〜⑺卯 且玻璃基板表面容易產生霧度之條件下,並未具髋表現出 良好之蝕刻條件。 又,目前需要獲得適用於FPD之量產的姓刻特性。並 且’尚未獲知可使用通常容易獲得之材料'以高餘刻速 率、且於面内穩定地進行均勻之蝕刻處理的方法。 於專利文獻1中記載有,使用含有氫氟酸與例如鹽酸、 硫酸、鱗酸等其他酸之混合酸的㈣液來作為㈣液。然 而,並未記載使用含有氫氟酸之钱刻液對玻璃基板表面進 行有蝕刻處理時,於玻璃基板表面會產生霧度。又,完全 未認識到,為了抑制霧度之產生,必需將㈣液設為特定 組成。 進而D之專利文獻1主要係揭示钮刻液之再生方法, 故而並未記載㈣處理後之玻璃表面性狀,亦無㈣處理 時钱刻速率之相關記載。 又,專利文獻3係藉由對蝕刻液進行過濾,使其相對於 钮刻槽而循環來提高姓刻之效率者。然而,並未記載玻璃 基板霧度產生之有無、利用姓刻液之钮刻速率等。又關 於因蝕刻液之組成而引起的體積沈澱率之變化等並無任何 記載。 141270.doc 201006777 於專利文獻4、5之情形時’則需要經過多階段步驟,雖 有蝕刻液之循環之相關記載’但並無針對蝕刻時所產生之 沈澱物之對策的記載,且無針對後步驟中霧度產生之對策 的記載。又’於專利文獻6中’並無具有特定組成之無驗 玻璃基板之蚀刻之相關揭示。 本案發明者等人經過潛心研究後發現了蝕刻液之新組 成’確認了當對無鹼玻璃基板之表面進行蝕刻時,可降低 多餘產物之體積沈澱率,進而可於不會在玻璃基板表面產 生霧度之情況下以較高之蝕刻速率進行蝕刻。 [解決問題之技術手段] 亦即’本發明之態樣1提供一種姓刻方法,其係對含有 選自由Ca、Sr、Ba及Mg所組成之群組中之至少一種以上 金屬之無鹼玻璃基板的表面進行蝕刻者, 使用HF及HC1滿足式(A)、式(B)或者式(〇之條件、且不 含NHJ之蝕刻液,對上述無鹼玻璃基板之表面進行蝕 刻; HF : 5質量%以上〜未滿20質量%、且HC1 : 9質量%以 上…(A) HF . 20質量〇/〇以上〜未滿3 〇質量%、且HCi : $質量%以 上…(B) HF : 30質量%以上、且HC1 : 2質量%以上…(c)。 於上述方法中,將HF水溶液與HC1水溶液加以混合並 根據需要以水稀釋後使用。HF雖於沸點(19 54。〇以下與 水任意混和,但亦有販賣或使用45〜1〇〇質量%左右之水溶 141270.doc 201006777 液作為試劑。此處係使用原子吸光用HF(濃度:49 5〜5〇 5 質量/〇)。HC1通常係以飽和水溶液作為試劑而銷售或使 用,其濃度為35〜37質量%。此處係使用原子吸光用HC1 (濃度· 35·5〜36·5質量%)。 態樣2提供如態樣丨之蝕刻方法,其中上述無鹼玻璃基板 係於玻璃基板之單面上包含透明電極、彩色濾光片之彩色 遽光片基板。 態樣3提供如態樣i之蝕刻方法,其中上述無鹼玻璃基板 係於玻璃基板之單面上包含透明電極、主動元件之主動元 件基板。 態樣4提供如態樣1、2或3之蝕刻方法,其中於上述無驗 玻璃基板與其他玻璃基板相對向地組合成内部電路密閉之 顯示單元後進行蝕刻。 態樣5提供如態樣4之蝕刻方法’其中其他玻璃基板亦係 上述無驗玻璃基板。 態樣6提供如態樣4之蝕刻方法,其中顯示單元兩側之玻 璃基板分別為上述無鹼玻璃基板,且對其外表面同時進行 姓刻。 態樣7提供如態樣1、2、3、4、5或6之姓刻方法,其中 上述無鹼玻璃基板以氧化物為基準且以質量百分比表示, 滿足下述組成(1)之條件: 81〇2:50〜66質量%、入12〇3:10.5〜22質量%、82〇3: 1〜12質量%、MgO : 0〜8質量%、CaO : 〇〜14.5質量〇/。、 SrO : 0〜24 質量 %、BaO : 0〜13.5 質量 %、Mg〇+Ca()+ 141270.doc 201006777
SrO+BaO : 9〜29.5 質量 %…(”。 態樣8提供如態樣1、2、3、4、5或6之蝕刻方法,其中 上述無驗玻璃基板以氧化物為基準且以質量百分比表示, 滿足下述組成(2)之條件:
Si02 : 58〜66 質量 %、Al2〇3 ·· 15〜22 質量 %、b2〇3 : 5〜12 質量%、Mg〇 : 〇〜8質量%、Ca〇 : 〜9質量0/〇、Sr〇 · 0·5〜12.5質量 %、Ba〇 : 〇〜2質量%、Mg〇+Ca〇+Sr〇+Ba〇 : 9〜18質量%…(2)。 態樣9提供如態樣】、2、3、4、5或6之蝕刻方法,其中 上述無驗玻璃基板以氧化物為基準且以質量百分比表示, 滿足下述組成(3)之條件:
Si02 : 50〜61.5 質量 %、Al2〇3 : 1〇 5〜18 質量 %、b2〇3 : 7 1〇質量A、Mg〇 : 2〜5質量%、CaO : 〇〜14.5質量%、
SrO · 〇〜24 質量 %、Ba〇 : 〇〜13.5 質量 〇/〇、Mg〇+CaO+SrO+ 63〇:14.5〜29.5質量〇/0一(3)。 態樣1〇提供如態樣1至9中任一項之蝕刻方法,其中一面 將蝕刻液之溫度保持於2〇〜6〇ΐ,一面進行蝕刻。當蝕刻 時之溫度較高時,可提高玻璃基板之蝕刻速率。 態樣11提供如態樣1至10中任-項之蝕刻方法,其中於 蝕刻時,進行選自以下操作所組成之群組中之一種以上操 作.使/X潰有玻璃基板之蝕刻液中起泡對玻璃基板之表 面喷射姓刻液、對浸潰有玻璃基板之姓刻液進行授掉以 及使玻璃基板於所浸潰之蝕刻液中振盪或旋轉。 上述操作中’㈣液之喷射既可於浸潰有玻璃基板之触 141270.doc 201006777 刻液中進行,亦可於空氣中進行,但於浸潰有玻璃基板之 ^液中噴射時’容易均勾地對玻璃基板進行姓刻且容易 控制,故而更好。 態樣12提供如態樣1至11中任-項之蝕刻方法,其中玻 璃基板之蝕刻速率係以1.3 μπι/分鐘以上進行。 態樣13提供如態樣1至12中任-項之㈣方法,其中一 面進行上述無鹼玻璃基板之蝕刻,一面補充用於調整組成 之蝕刻液,以使HF及HC1之含有率大致保持固定。 ’vl樣14 it供一種顯示元件,其包含利用如態樣1至13中 任一項之蝕刻方法處理過之玻璃基板。作為該顯示元件, 可列舉OLED、LCD。 於本發明中,以氧化物為基準且以質量百分比表示,無 鹼玻璃基板中所含之鹼土金屬之總含量至少為9質量%以 上。當對鹼土金屬之總含量為145質量%以上之無鹼玻璃 使用本發明之蝕刻液之情形時,更能發揮本發明之蝕刻液 之效果。 更好的疋對以氧化物為基準且以質量百分比表示,玻璃 中含有15質量%以上之Ca、Sr、Ba或者Mg之無鹼玻璃基板 使用本發明之蝕刻液。 又,較好的是,對以氧化物為基準且以質量百分比表 示,鹼土金屬中之Sr之含量為〇質量%以上、較好的是2質 量0/〇以上、更好的是4質量。/〇以上的無鹼玻璃基板使用本發 明之敍刻液。 [發明之效果] 141270.doc 11 201006777 根據本發明,可降低因蝕刻液與無鹼玻璃基板之反應而 生成之沈澱物的體積沈澱率(35體積%以下進而,可降 低玻璃基板面之霧度(霧度值為1以下),且能以較高之蝕刻 速率對玻璃基板表面進行蝕刻處理(丨3 μη/分鐘以上)。 因此,本發明適用於以玻璃基板之薄板化為目的之蝕刻 處理、例如用於使顯示元件薄板化之玻璃基板的蝕刻處 理。本發明尤其適用於以行動裝置、數位相機、行動電話 等可攜式顯示元件為代表之中小型LCD或〇LED中所使用 的玻璃基板之蝕刻處理。 另外’就為使玻璃基板薄板化而進行有敍刻操作之現有 設備而言,僅藉由更換蝕刻液即可獲得上述效果,故而無 需投資新設備。此外,就蝕刻步驟而言,無需經過多階段 步驟’且蝕刻速率快,故而非常有助於提高生產率。 又’ :¾滿足上述式(A)、(B)或(C)之條件,可實現餘刻速 率為1.3 μιη/分鐘以上,霧度值為i以下,體積沈澱率為^ 體積%以下。 【實施方式】 本發明係以無鹼玻璃基板之薄型化等為目的,以〗〜〗〇〇〇 μιη之餘刻量對玻璃基板之表面進行蝕刻者。本發明可適 用於對玻璃基板之表面之一側以1 〇〜6 5 〇 μ m之蝕刻量進行 蚀刻。進而’適用於以150〜600 μιη之蝕刻量進行蝕刻處 理。 於本發明之蝕刻方法中,係使HF之濃度及HC1之濃度於 規定之條件下進行組合而形成混合酸作為蝕刻液,來對破 141270.doc -12- 201006777 璃基板之表面進行蝕刻。此時,條件為不含氟化銨。其原 因在於,若含有氟化銨,則銨離子(NH4+)會與A1離子 (Al3+)和蝕刻液中之F·鍵結而生成之A1-F離子鍵結,生成多 餘產物,而使蝕刻表現出不穩定之傾向。但是,蝕刻液中 可含有不會生成多餘產物之程度、即極其微量之氟化銨。 作為本發明中之蝕刻液與作為被蝕刻物之無鹼玻璃基板 之接觸方法,可自浸潰法、喷射法、簇射法等公知之方法 中廣泛選擇。因此,對於利用現有之設備並無大障礙,故 而較佳。再者,當藉由浸潰法來對無鹼玻璃基板進行蝕刻 時,自抑制於玻璃基板表面產生霧度、且防止蝕刻液中產 生沈澱物之方面考慮,較好的是一面攪拌蝕刻液一面進行 蝕刻處理。關於攪拌作用,亦可利用起泡、超聲波處理等 具有攪拌能力之其他方法來代替。 於本發明中,作為蝕刻液,以滿足上述式(A)、式(B)或 者式(C)之方式來設定HF濃度及HC1濃度,藉此可減小體積 沈澱率,在不會產生霧度之情況下,以較高之蝕刻速率對 玻璃基板表面進行钱刻,該钱刻速率較好的是1.3 分鐘 以上,更好的是2·5 μιη/分鐘以上,進而更好的是5 μιη/分 鐘以上’特別好的是1〇 μιη/分鐘以上,最好的是15 ^瓜/分 鐘以上。 若蝕刻液中之HF濃度未滿5質量%,則蝕刻速率會降 低’而為了達成所期望之蝕刻量,利用蝕刻液對玻璃基板 進行處理之時間將增長,故而欠佳。例如於使用浸潰法之 情形時,將玻璃基板浸潰於蝕刻液中之時間會增長,故而 141270.doc -13- 201006777 會導致生產率惡化’從而欠佳》再者’通常眾所周知,若 提高HF濃度,則蝕刻速率會提高。 又,若蝕刻時間變長則於玻璃表面會產生析出物,從而 導致霧度產生。進而已知,於本發明中,藉由提高hf之濃 度,可降低體積沈澱率。由於可獲得更高之蝕刻速率,故 而可抑制姓刻後玻璃基板產生霧度。此外,為了降低艘積 沈澱率’ HF濃度較好的是10質量%以上,更好的是2〇質量 %以上,最好的是30質量%以上。 藉由向蝕刻液中添加HC1,可提高蝕刻速率,抑制霧度 之產生進而降低沈殿物之體積沈殿率。當未添加HC1 時’上述二方面均趨於惡化。自餘刻速率、霧度之產生、 沈殿物之體積沈澱率之角度考慮,於本發明中,以向蝕刻 液中添加HC1作為必需條件。 又,本發明之蝕刻液之最佳形態係將任意濃度之HF水 溶液(包含無水HF)與HC1之飽和水溶液以達到所期望iHF 濃度之方式加以混合。此時,HF水溶液之濃度越高越好。 於本發明中,如上所述將Hf與HC1加以組合而用作混合 酸。可認為,HC1適用於對玻璃基板之表面進行均勻蝕 刻’且就多餘產物之溶解性之方面而言,亦較其他酸性物 質更優異。 當使用含HF之蝕刻液對含有鹼土金屬之無鹼玻璃基板 進行蝕刻時,有時於蝕刻液中會產生大量沈澱物。可認為 其原因在於,蝕刻處理時自玻璃基板溶析出之A1離子 (Al3+)與姓刻液中之F-鍵結而生成aif^-離子,該離子進而 -Μ Ι 41270.doc 201006777 與自玻璃基板溶析出之金屬離子(Ca2+、Mg2+、Sr2+、Ba2+) 鍵結,而生成不溶性或難溶性鹽(M3[A1F6]2,M係Ca2+、 Mg2+、Sr2+或者Ba2+)。因此可認為,含有大量Ca、Mg、Sr 或者Ba係進行玻璃基板之蝕刻時產生多餘產物之一個因 素。 於不溶性或難溶性鹽(M3[A1F6]2)中,Sr3[AlF6]2不易沈 澱,而以浮游於蝕刻液中之狀態存在,故而當反覆使用蝕 刻液時有時會造成問題。 導致不溶性或難溶性鹽(M3[A1F6]2)產生的A1F63.離子容 易於pH值為1〜6之酸性條件下生成。僅含有hf之蝕刻液成 為pH值為1〜3之酸性條件,容易生成aif63·離子。其結果 為,不溶性或難溶性鹽(M3[A1F6]2)之生成量增加,蝕刻液 中之沈澱物增加。 另一方面,於本發明之蝕刻方法中,由於使用HF濃度 為5質量%以上、HC1濃度為2質量。/◦以上之蝕刻液之混合酸 來作為姓刻液,故而钱刻液成為pH值為1以下之強酸條 件。因此不易生成AlFe3-離子。其結果為,不溶性或難溶 性鹽(MJAIF6]2)之生成量減少,蝕刻處理液中所產生之沈 激物之量大幅減少。 此係反覆使用蝕刻液所需要之較佳特性。此外,於本發 明中,藉由將HF濃度設定得較高,可降低多餘產物之體積 沈澱率。其原理及機制並不清楚,但可認為其原因在於, 大量存在之F離子與自玻璃基板溶析出之金屬離子(匸32十、 Mg2、Sr2+、Ba2+)直接鍵結,而生成晶質且體積沈澱率較 141270.doc •15· 201006777 小之沈澱物》 根據本發明,對於被蝕刻之無鹼玻璃基板之組成並無特 別限定。於滿足無鹼玻璃之條件之情況下,本發明可適用 於廣範圍組成之無驗玻璃。其中,對於玻璃組成中含有 Ca2+ ' Mg2+、Sr2+、Ba2+之無鹼玻璃基板、特別是含有Sr2+ 之無鹼玻璃基板,自能大大減少蝕刻處理時之沈澱物之方 面而言,本發明之蝕刻液較好。再者,A13 +係玻璃組成中 通常含有之成分。 本發明適用於以氧化物為基準且以質量百分比表示而具 有下述組成(1)之無鹼玻璃基板之蝕刻處理· 無檢玻璃(100質量〇/〇)中,Si〇2 : 50〜66質量%、Al2〇3 : 10.5〜22質量%、B2〇3 : 1〜12質量%、Mg〇 : 〇〜8質量%、
CaO : 〇〜14.5 質量。/〇、SrO : 〇〜24 質量 %、Ba〇 : 〇〜13 5 質 量%、]^〇+€3〇+8|*〇+83〇:9〜29.5質量。/0...(1)。 又,本發明特別適用於以氧化物為基準且以質量百分比 表示而具有下述組成(2)、(3)之無驗玻璃基板之蝕刻處 理: 無鹼玻璃(1〇〇質量%)中,Si〇2 · 58〜66質量%、A12〇3 : 15〜22質量%、B2〇3 : 5〜12質量%、MgO : 0〜8質量%、 CaO . 0〜9質量%、SrO : 〇.5〜12 5質量%、Ba〇 : 〇〜2質量 %' MgO+CaO+SrO+BaO: 9〜18f 量%…⑺。 無鹼玻璃(100質量〇/0)中,si〇2 : 5〇〜61 5質量。/〇、
Al2〇3 : 1〇.5〜18質量%、B2〇3 : 7〜_ 量%、峋〇 : 2〜5質 量〇/〇、CaO : 〇〜14.5質量%、㈣:〇〜24質量%、邮: 141270.doc • 16 - 201006777 〇〜13.5 質量 %、MgO+CaO+SrO+BaO : 14.5〜29_5 質量 % — (3)。 本發明適用於為使顯示元件用之玻璃基板、特別是以行 動裝置、數位相機、行動電話等可攜式顯示元件為代表之 中小型LCD用之玻璃基板或〇LED用之玻璃基板、以及筆 記型PC(Personal Compute,個人電腦)專用之LCD用之玻 璃基板薄板化而進行之#刻處理。然而,本發明並不限於 上述用途,亦可適用於為使其他玻璃基板薄板化,例如為 _ 使監視器或電視機專用之大型LCD用之玻璃基板、大型 OLED用之玻璃基板、PDP(Plasma Display Panel,電衆顯 示面板)用之玻璃基板薄板化而進行之蝕刻處理。 [實施例] 以下’藉由實施例而對本發明進行更詳細之說明。於實 施例中,對下述表1中所示之類型1及類型2之玻璃基板進 行如下所述之實驗。表中,NA表示未進行實驗。表中之X 表示,當混合有本實驗中所使用之試劑時為理論上無法獲 得之濃度,故而無法製作蝕刻液。 (蝕刻速率) 於保持在25°C之恆溫槽内裝滿下述表2所示之組成之蝕 刻液,使用夾具將4 x4 cm之玻璃基板浸潰於上述蚀刻液 中。經過規定時間之蝕刻後,取出玻璃基板,洗淨後,測 定玻璃基板之質量。根據各玻璃基板之質量之差異、面 積、比重來估算出蝕刻量。反覆實施上述操作,求出蝕刻 量與餘刻時間之間的關係,將近似直線之斜度設為餘刻速 14l270.doc -17· 201006777 率。再者,適當地更換蝕刻液。 (霧度值) 使用夾具,將2x2 cm之玻璃基板浸潰於下述表3所示之 組成之蝕刻液中。使用藉由上述方法而獲得之蝕刻速率, 僅經過使玻璃基板單面之蝕刻量達到150 μπι之時間,對玻 璃基板之表面進行蝕刻。再者,適當地更換蝕刻液。洗淨 後,利用 SUGA TEST INSTRUMENTS CO.,LTD.製造之觸 控面板式霧度計(haze computer)測定玻璃基板面之霧度 值。再者’可以說若玻璃基板表面之霧度值為1以下,則 _ 實質上不會產生霧度,更好的是霧度值為〇.5以下。再 者’表中之 <係表示在測定精度上小於所比較之數值之 值。 (艎積沈澱率) 於聚乙烯製試管中加入對玻璃基板進行粉碎而獲得之玻 璃0.25 g ’且添加下述表4所示之餘刻液1 〇 ^1。經過1 〇分 鐘之超聲波處理後使其靜置,計算出將24小時後之沈澱量 除以蚀刻液量而得之體積沈澱率。於該等實驗中,可於姓 馨 刻液之溫度為常溫時進行,但較好的是亦可保持在 30〜60°C時進行。體積沈澱率較好的是35體積%以下更 好的是20體積%以下,特別好的是1〇逋積%以下。體積沈 澱率之表中之 <係表示在測定精度上小於所比較之數值之 值。 再者,蝕刻速率、霧度值及體積沈澱率於進行蝕刻時難 以單獨地進行調整,從而成為相互關聯之參數,故亦可考 141270.doc •18· 201006777 量該等三個要素,於注重其中任一個或者任兩個參數之條 件下進行蝕刻。 [表1] 組成(質量%) 類型1 類型2 Si〇2 59 62 AJ203 18 17 B203 8 11 MgO 3 1 CaO 4 8 SrO 8 1 BaO 0 0 [備註] MgO、CaO、SrO、 BaO之總和 15 10
[表2]
類型1之蝕刻速率 (μιη/分鐘) HC1(質量%) 0 2 5 9 12 18 3 0.4 0.6 0.7 0.8 ΝΑ 1.5 5 0.9 0.9 1.2 1.6 ΝΑ 2.9 HF(質量%) 10 1.7 2.6 ΝΑ 3.7 ΝΑ 4.3 20 6 6.8 ΝΑ 8 ΝΑ 10 30 14 ΝΑ ΝΑ ΝΑ 20 X
[表3] 類型2之蝕刻速率 HC1(質量%) (μπι/分鐘) 0 2 5 9 12 18 3 0.3 0.5 0.7 0.7 ΝΑ 1.2 HF(質量%) 5 0.7 0.8 0.9 1.3 ΝΑ 2.1 10 1.3 1.9 ΝΑ 3.2 ΝΑ 3.2 20 4.5 5.1 ΝΑ 5.7 ΝΑ 7.7 141270.doc -19- 201006777 [表4]
類型1之霧度 HC1(質量%) 0 2 5 9 12 18 HF(質量%) 3 4.4 0.6 <0.5 <0.5 ΝΑ <0.5 5 1.1 <0.5 <0.5 <0.5 ΝΑ <0.5 10 0.5 ΝΑ ΝΑ <0.5 ΝΑ <0.5 20 <0.5 <0.5 ΝΑ <0.5 ΝΑ <0.5 30 <0.5 ΝΑ ΝΑ ΝΑ <0.5 X
[表5] 類型2之霧度 1«:1(質量%) 0 2 5 9 12 18 1^(質量%) 3 12 1.7 <0.5 <0.5 ΝΑ <0.5 5 1.2 <0.5 0.5 <0.5 ΝΑ ΝΑ 10 0.7 0.8 ΝΑ <0.5 ΝΑ <0.5 20 <0.5 <0.5 ΝΑ <0.5 ΝΑ <0.5 [表6]
類型1之體積沈澱率 (體積%) 11(:1(質量%) 0 2 5 9 12 18 5 75 80 45 35 30 30 10 55 65 65 17 25 25 册(質量%) 20 40 40 30 15 10 10 30 20 25 15 <10 <10 X 40 20 <10 <10 X X X
[表7]
類型2之體積沈澱率 11(:1(質量%) (體積%) 0 2 5 9 12 18 5 15 10 10 10 10 10 10 15 15 15 15 15 15 册(質量%) 20 50 40 30 25 20 10 30 25 10 <10 <10 <10 X 40 <10 <10 <10 X X X 根據上述表2〜5可知,當HF及HC1之濃度滿足式(A)、式 (B)或者式(C)之條件時,可於不會產生霧度之情況下,以 1.3 μιη/分鐘以上之蚀刻速率對玻璃基板之表面進行姓刻。 根據上述表6及7可確認,隨著蝕刻液中之HF濃度及HC1 141270.doc -20- 201006777 濃度增加’多餘產物之趙積沈料降低。於本實驗條件 下’自钱刻液之壽命方面考慮,體積沈殿率較好的是35體 積%以下,更好的是2〇體積%以下,最好的是職積%以 下。 因此,以滿足上述式⑷、式W或者式(C)之條件之方式 而進行钱刻。然而’當對特定之顯示元件之玻璃基板進行 蝕刻時,亦可對蝕刻速率為Κ3 μιη/分鐘以上、霧度值為i 以下、或者體積沈激率為35趙積%以下之條件分別進行評 估,並注重一個或者兩個參數,以滿足其基準值之方式選 擇HF及HC1之組成條件而進行蝕刻。其原因在於,根據玻 璃基板之玻璃組成、基板尺寸等而存在容許範圍。 再者得知,當HF為20質量%以上時,即便Ηα濃度為〇質 量,亦會滿足上述特性。尤其是體積沈澱率之值較小, 可認為係起因於大量存在之F-離子與自玻璃基板溶析出之 金屬離子(Ca2+、Mg2.、Sr2、Ba2+)直接鍵合而生成晶質沈 澱之機制。然而可預測,當HC12濃度為〇質量%時,蝕刻 速率之經時性變化較大,實際之步驟管理將變得困難。以 下將揭示其理由^ HF係弱酸,於水溶液中以如下方式產生 弱電離。 HF<=>H++F' 當姓刻液僅為HF時,因蝕刻而消耗之F及游離之F.除了 變為SiF6 、A1F63離子以外,亦變為CaF2、MgF2、SrF2、 BaF2等沈澱,從而以後不再有助於蝕刻。故而蝕刻速率下 降0 141270.doc -21 · 201006777 另-方面’船係強酸’於水溶液中大部分係以如下方 式產生電離。 HC1=>H++Cr ° 當姓刻液為HF與HC丨之混合酸時,藉由Ηα之電離而存 在足量之H+’故而-之平衡將偏向左邊。亦即, 游離之F-量將減少。進而可認為,α•係作為以2+、Mg2+、 Sr2+、Ba2 +之平衡離子而起作用,故而不容易生成加” MgF2、SrF2、BaF2等沈搬。根據以上效應,不再有助於姓 刻之F量將減少,故而蝕刻速率不易降低。因此,對步驟 官理方面而s較好。因此,於本發明中以含有HC1作為必 需條件。 利用上述蝕刻法,可形成TFT(Thin_Film Transist〇r薄 膜電晶體)-LCD或OLED之超薄型顯示元件。圖2中表示液 晶單元12之示意性剖面圖。該液晶單元12中包含分別具有 無鹼玻璃基板之TFT陣列基板21(主動元件基板)及彩色濾 光片(CF ’ color filter)基板 20。TFT 中有 TN(Twisted
Nematic ’扭轉向列)式、VA(Vertical Alignment,垂直配 向)式、IPS(In-Place-Switching,平面轉換)式等類型。 如圖1所示之蝕刻裝置1〇般’於蝕刻槽14内裝滿具有上 述組成之#刻液11 ’將作為被蝕刻物之液晶單元丨2支持於 支持裝置13上,且浸潰於蝕刻液u中。一面利用攪拌裝置 15對姓刻液進行充分攪拌,以使多餘產物不會附著於玻璃 基板面上,一面進行蝕刻。經過與所期望之蝕刻量相對應 之時間後’取出液晶單元,將其全部洗淨後,進行必要之 141270.doc •22· 201006777 檢查。藉此,可穩定地製造出超薄型顯示元件。又,當進 行根據本發明之蝕刻時’較好的是一面監視蝕刻液之狀 態,一面向触刻槽内補充預先準備好之用於調整組成之姓 刻液,以使HF及HC1之含有率大致保持固定。 於本發明中’蚀刻係以浸潰於蝕刻槽内作為基礎。此 時’較好的是使所浸潰之蚀刻液中起泡或對該蝕刻液進行 撲掉。或者’為使多餘產物不會附著於玻璃基板面上,較 好的是對玻璃基板面喷射蝕刻液。或者,較好的是於浸潰 有破璃基板之蝕刻液中,使該玻璃基板振盪或旋轉。 圖2中示意性地表示根據本發明,藉由蝕刻而使玻璃基 板之兩侧表面變薄之刖後狀態。於該圖中,省略了液晶單 元之細微部分構造。玻璃基板之周邊由密封劑所密封,於 液晶單元之内側形成有驅動元件及彩色濾光片且填充有 液晶物質。液晶單元之内部空間被密閉而呈現出與外部隔 離之狀態。 通常而言係採用於大型母玻璃基板上形成多個液晶單元 之多產之方法,故而實施本發明之蝕刻法時,若以將母玻 璃基板或其-部分加以分割而成之多個基板之狀態來進 打,則於生產步驟方面較有利。或者,亦可以一個液晶單 元為單位來進行❹卜進行㈣時,以使液晶單元之周邊 部不會觉到蝕刻液侵蝕之方式來設置保護構件。 於圖2之示例中’將已進行根據本發明之餘刻後之玻璃 表面表示㈣刻完成面3G、31。於包含同類型之無驗玻璃 基板時,若隸刻槽内之姓刻條件設為大致均句而進行敍 141270.doc -23· 201006777 刻,則於兩側之玻璃基板上可獲得相同之蝕刻量。 以上參照特定之實施態樣對本發明進行了詳細說明,但 業者當知,可於不脫離本發明之精神及範圍之條件下加以 各種變更或修正。 本案係基於2008年6月25曰申請之曰本專利申請2008-166537而成者,該申請案之内容以參照之形式併入於本 文。 [產業上之可利用性] 根據本發明,可降低藉由蝕刻液與無鹼玻璃基板之反應 參 而生成之沈澱物的體積沈澱率(35體積%以下)。此外,可 降低玻璃基板面之霧度(霧度值為1以下),以較高之蝕刻速 率對玻璃基板之表面進行蝕刻處理(1 3 pm/分鐘以上)。因 此’本發明適用於以玻璃基板之薄板化為目的之蝕刻處 理 '例如用於使顯示元件薄板化之玻璃基板的蝕刻處理。 本發明尤其適用於以行動裝置、數位相機、行動電話等可 攜式顯示元件為代表之中小型LCD或OLED中所使用之玻 璃基板的蝕刻處理。 ® 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之蝕刻法之說明圖;及 圖2係表示LCD之剖面構造之示意圖。 【主要元件符號說明】
10 蝕刻裝置 11 蝕刻液 12 液晶單7L 141270.doc -24 - 201006777 13 支持裝置 14 蝕刻槽 15 攪拌裝置 20 CF基板 21 TFT陣列基板(主動元件基板) 30 蝕刻完成面 31 蝕刻完成面
141270.doc -25-
Claims (1)
- 201006777 七、申請專利範圍: 1. 一種姓刻方法’其係對含有選自由Ca、Sr、Ba及Mg所組 成之群組中之1種以上金屬之無鹼玻璃基板的表面進行 姓刻之方法, 使用HF及HC1滿足式(A)、式(B)或者式(〇之條件、且 不含NHd之蝕刻液’對上述無鹼玻璃基板之表面進行蝕 刻;HF : 5質量%以上〜未滿20質量%、且HC1 : 9質量❶/〇以 上…(A) HF : 20質量%以上〜未滿3〇質量。/。、且HC1 : 5質量%以 上…(B) HF : 30質量%以上、且HC1 : 2質量%以上…(c)。 2. 如請求項1之姓刻#法,其中上述無驗玻璃基板係於玻 璃基板之單面上包含透明電極及彩色遽光片之彩色遽光 片基板。 3. 如清求項1之姓刻方法,装中*«· 具〒上述無鹼玻璃基板係於玻 璃基板之單面上包含透明電極及主動元件之主動元件基 板。 閉之顯示單元後 4.如請求項!之蝕刻方法’其中於上述無驗玻璃基板與其 他玻璃基板相對向地組合成内部電路密 進行蝕刻。 5.如請求項4之蝕刻方法,其中 兵'中上4其他玻璃基板係無鹼 玻璃基板。 6·如請求項4之蝕刻方法,其中 _ 共T顯不早兀兩側之玻璃基板 141270.doc 201006777 刀別為上述無鹼玻璃基板,且對其外表面同時進行蝕 刻。 7. 如請求項1之蚀刻方法,其中 上述無驗玻璃基板以氧化物為基準且以質量百分比表 示,滿足下述組成(1)之條件: Si02 · 50〜66 質量 〇/0、Al2〇3 : 1〇 5〜22 質量 、b2〇3 : 1〜12質量%、Mg〇 : 〇〜8質量%、Ca〇…4 5質量%、 S 〇 〇 24 質量 %、Ba〇 : 〇〜13.5 質量 〇/0、Mg〇+CaO+ SrO+BaO : 9〜29.5質量%.·.⑴。 8. 如請求項1之蝕刻方法,其中 述·’’、驗玻璃基板以氧化物為基準且以質量百分比表 示,滿足下述組成(2)之條件: &〇2:58~66質詈%、八,^ 貝篁 /〇 Al2〇3 : 15〜22 質量 %、B2〇3 : 5〜12質量%、Mg〇 : 0〜8質量%、Ca〇 : 〇〜9質量%、 SrO : 〇·5〜12 5 習* I 〇/ ^ .貿重 /〇、Bao : 〇〜2 質量 %、Mg〇+Ca〇+ SKD+Ba〇 : 9〜18 質量 9. 如請求項丨之蝕刻方法其中 述無鹼玻璃基板以氧化物為基準且以質量百分比表 不,滿足下述組成(3)之條件: Sl〇2 : 50〜61.5 質眚 0/ Λ, 貝重 /〇、Α12〇3 : 10.5〜18 質量 %、 量 0/3\7〜1〇質量%、Μδ〇··2〜5質量。/〇、Ca〇:0〜14.5質 量乂、Sr〇 : 〇〜24質晋。/ 〇 ^ 0 I /0、BaO : 〇〜13.5 質量 %、Μ 〇+ Q㈣心Ba0:14.5〜29 5 ft% (3)。 g〇+ 請求項1之蝕刻方法,其中一面將蝕刻液之溫度保持 141270.doc 201006777 在20~60°C ’ 一面進行姓刻。 11. 如請求項1之蝕刻方法,其中,蝕刻時,進行選自以下 操作所組成之群組中之丨種以上操作:使浸潰有玻璃基 板之姓刻液中起泡、對玻璃基板之表面喷射蝕刻液、對 浸潰有玻璃基板之蝕刻液進行攪拌、以及使玻璃基板於 所浸潰之蝕刻液中振盪或旋轉。 12. 如請求項1之蝕刻方法’其中玻璃基板之蝕刻速率係以 1.3 μιη/分鐘以上進行。 13. 如請求項1之蝕刻方法,其中一面進行上述無鹼玻璃基 板之姓刻,一面補充用以調整組成之蝕刻液以使hf及 HC1之含有率大致保持固定。 14. 一種顯示元件,其包含經如請求項卜13中任一項之蝕刻 方法處理過之玻璃基板。141270.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008166537 | 2008-06-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201006777A true TW201006777A (en) | 2010-02-16 |
TWI447085B TWI447085B (zh) | 2014-08-01 |
Family
ID=41444446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098121451A TWI447085B (zh) | 2008-06-25 | 2009-06-25 | Etching method and display element of alkali - free glass substrate |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5423674B2 (zh) |
KR (1) | KR101430290B1 (zh) |
CN (1) | CN102076625A (zh) |
TW (1) | TWI447085B (zh) |
WO (1) | WO2009157378A1 (zh) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5821188B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2015-11-24 | 旭硝子株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
US9315412B2 (en) * | 2011-07-07 | 2016-04-19 | Corning Incorporated | Surface flaw modification for strengthening of glass articles |
KR101302681B1 (ko) * | 2011-08-22 | 2013-09-03 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 에칭 기판 |
JP2013142048A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Sharp Corp | 無アルカリガラスを原料とするゼオライトの製造方法、a型ゼオライトおよびそれを用いた成形体、水浄化剤、土壌改質剤、保肥剤 |
JP2013155057A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-15 | Sanwa Frost Industry Co Ltd | Lcdガラス基板のエッチング方法およびその装置 |
WO2013180220A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | 旭硝子株式会社 | 無アルカリガラス基板、および、無アルカリガラス基板の薄板化方法 |
US9290410B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-03-22 | Corning Incorporated | Method for sludge control in wet acid etching |
KR102249898B1 (ko) * | 2013-11-28 | 2021-05-11 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 무알칼리 유리 기판, 및 무알칼리 유리 기판의 박판화 방법 |
US9488857B2 (en) | 2014-01-10 | 2016-11-08 | Corning Incorporated | Method of strengthening an edge of a glass substrate |
CN104761150B (zh) * | 2015-03-16 | 2017-09-22 | 南昌欧菲光学技术有限公司 | 玻璃蚀刻液、利用该蚀刻液蚀刻玻璃的方法、盖板玻璃及其制备方法 |
JP5910841B1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-04-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ガラス用研磨装置の洗浄液および洗浄方法 |
TWI725112B (zh) * | 2016-01-29 | 2021-04-21 | 美商康寧公司 | 用於薄化玻璃的方法 |
JP6283062B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2018-02-21 | 株式会社Nsc | 表示装置製造方法 |
JP7173018B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2022-11-16 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスのエッチング方法及びエッチング処理装置並びにガラス板 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5851939A (en) * | 1995-09-28 | 1998-12-22 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Alkali-free glass substrate |
US6479395B1 (en) * | 1999-11-02 | 2002-11-12 | Alien Technology Corporation | Methods for forming openings in a substrate and apparatuses with these openings and methods for creating assemblies with openings |
JP2002087844A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Sony Corp | 表示パネルの製造方法 |
JP3523239B2 (ja) * | 2001-04-12 | 2004-04-26 | 西山ステンレスケミカル株式会社 | ガラス基板の化学加工方法及びガラス基板 |
JP2005247687A (ja) * | 2001-04-12 | 2005-09-15 | Nishiyama Stainless Chem Kk | ガラス基板の化学加工方法 |
JP3983019B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2007-09-26 | シャープ株式会社 | 埋め込み構造を有する基板の製造方法および表示装置の製造方法 |
JP3665323B2 (ja) * | 2002-11-22 | 2005-06-29 | 西山ステンレスケミカル株式会社 | フラットパネルディスプレイ用ガラス基板及びその製造方法 |
JP2005187274A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Casio Comput Co Ltd | ガラス基板の表面処理方法 |
KR101037988B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2011-05-30 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | 무알칼리 유리 및 무알칼리 유리 기판 |
CN101868428A (zh) * | 2007-11-19 | 2010-10-20 | 旭硝子株式会社 | 玻璃基板的蚀刻处理方法 |
-
2009
- 2009-06-19 WO PCT/JP2009/061181 patent/WO2009157378A1/ja active Application Filing
- 2009-06-19 JP JP2010517973A patent/JP5423674B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-19 CN CN200980124716XA patent/CN102076625A/zh active Pending
- 2009-06-19 KR KR1020107028804A patent/KR101430290B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-06-25 TW TW098121451A patent/TWI447085B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110027704A (ko) | 2011-03-16 |
KR101430290B1 (ko) | 2014-08-14 |
TWI447085B (zh) | 2014-08-01 |
JPWO2009157378A1 (ja) | 2011-12-15 |
WO2009157378A1 (ja) | 2009-12-30 |
CN102076625A (zh) | 2011-05-25 |
JP5423674B2 (ja) | 2014-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201006777A (en) | Method for etching alkali-free glass substrate and display device | |
TWI377182B (zh) | ||
TWI429606B (zh) | The etching method of glass substrate | |
WO2015163134A1 (ja) | ガラス積層体および電子デバイスの製造方法 | |
US9926225B2 (en) | Media and methods for etching glass | |
KR100868228B1 (ko) | 유리 기판용 식각액 조성물 | |
WO2013035840A1 (ja) | 携帯機器用カバーガラスの製造方法 | |
TW201219331A (en) | Method for increasing strength of glass substrate | |
TW201139303A (en) | Glass plate manufacturing method and glass plate manufacturing apparatus | |
KR20040039292A (ko) | 다성분을 가지는 글라스 기판용 미세가공 표면처리액 | |
CN111902380B (zh) | 用于减少静电带电的纹理化玻璃表面 | |
WO2013169884A1 (en) | Glass etching media and methods | |
CN101054265A (zh) | 平板显示器玻璃蚀刻液 | |
TW202128590A (zh) | 用於利用碳酸鹽減輕離子交換期間所引起的霧度的方法 | |
JP2007053361A (ja) | ガラス基板のエッチング装置 | |
JP3523239B2 (ja) | ガラス基板の化学加工方法及びガラス基板 | |
CN108101378A (zh) | 一种无碱硼铝硅酸盐玻璃的化学减薄方法 | |
KR100773786B1 (ko) | 유리 기판의 식각 장치 | |
JP2004339036A (ja) | 高強度ガラス板及びガラスの強化方法。 | |
TW201228971A (en) | Method for producing chemically strengthened glass substrate for display device | |
WO2018214033A1 (zh) | 一种铝硅酸盐玻璃、化学强化玻璃和应用 | |
JPS6365620B2 (zh) | ||
TW200811314A (en) | Etchant compositions for metal laminated films having titanium and aluminum layer | |
TWI476826B (zh) | 玻璃基板連續結晶式化學蝕刻方法與設備 | |
CN103214030B (zh) | 一种液相沉积二氧化锡的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |