TW200952539A - Substrate for electronic device, layered body for organic led element, method for manufacturing the same, organic led element, and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

200952539 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光元件等之啻革駐罢 ^ ^ ♦您電子裝置，特別係關於 一種有機LED(Organic Light η.』 S tmittlng Dl〇de，有機發光二 極體）元件。 【先前技術】

先前，認為有機LED元件之外部取出效率為發光光之 20%左右。因此，要求提高外部取出效率。 專利文獻1〜3中有如下揭示：為提高外部取出效率，於 透光性基板與透光性電極之間設置有散射層。專利文獻; 中有如下揭示：如說明書第8頁第25〜29行所示，為了不讓 粒子自散射層之表面突出，對散射層之表面進行研磨而使 之平滑化。專利文獻2及3中有如下揭示：如上述公報中圖 %所示’由具有凹凸形狀之薄膜與覆蓋薄膜之接著劑該兩 層而構成散射層。 專利文獻1 :國際公開^¥〇 2003/026357號小冊子 專利文獻2:日本專利特表2〇〇4_513483號公報 專利文獻3:曰本專利特表2〇〇4_513484號公報 【發明内容】 發明所欲解決之問題 二而’：利文獻!之表面研磨並不實用，取得取出效率 k而之可純較低。其理由之—在於，在對較薄 面進行研料必_整研料率及具有特殊之夾具。又表 其另一理由為，在對散射層表面之研磨中假定僅去除粒 139289.doc 200952539 子。因此，散射層之表面上會存在因已去除之粒子而引起 的複數個凹坑（crater)，假定因該凹坑而使發光光無法進入 至散射層中。又，專利文獻2及3存在可靠性之問題。其理 由為，專利文獻2及3之任一者之散射層均使用有接著劑。 一般而έ接著劑係以樹脂為主成分，此在任一專利文獻中 均未明確揭示。然而，樹脂存在因長時間的使用而吸收水 分、引起變色之問題。因此，存在因長時間使用而使光取 出效率降低之問題。又，為了應對長時間的使用，需要對 設有樹脂之有機LED元件進行脫水之步驟。該步驟會耗費 數小時，故而生產性差。此外，成為接著劑之樹脂之折射 率較低。例如，於專利文獻中，使用Minnes〇ta Mining and Manufacturing製之商品名3M積層用接著劑8141，其折 射率為1.475。由此存在如下問題：接著劑之折射率遠遠 低於透光性電極之折射率（對於ΙΤΟ(ίηίΗμιη tin 〇xide，氧 化銦錫）’為1.9) ’從而無法期待取出效率之提高。 解決問題之技術手段 本發明之電子裝置用基板具備：透光性基板；散射層， 其設置於上述透光性基板上，且包含玻璃；被覆層，其設 置於上述散射層上；及散射物質’其存在於上述散射層及 上述被覆層之内部，且不存在於上述被覆層之表面。 又本發明之有機LED元件用積層體具備：透光性基板； 散射層，其設置於上述透光性基板上，且包含玻璃；被覆 層’其設置於上述散射層上；及複數個散射物質，該等散 射物質以橫跨上述散射層與上述被覆層之界面之方式存 139289.doc 200952539 在，且未自上述被覆層之主表面突出。 又，本發明之有機LED元件用積層體之製造方法包括如 下步驟：準備透光性基板；於上述透光性基板上，形成含 有散射物質且包含玻璃之散射層；及於上述散射層上形成 不含有上述散射物質之被覆層。 k 又’本發明之電子裝置具備：透光性基板；散射層，其 设置於上述透光性基板上’且包含玻璃；被覆層，其設置 於上述散射層上；透光性電極層，其設置於上述被覆層 攀 上’複數個散射物質，該等散射物質以橫跨上述散射層與 上述被覆層之界面之方式存在，且不存在於橫跨上述透光 性電極與上述玻璃層之界面；及功能層，其設置於上述透 光性電極層上。 又’本發明之有機LED元件具備：透光性基板；散射 層，其設置於上述透光性基板上，且包含玻璃；被覆層， 其设置於上述散射層上；透光性電極層，其設置於上述被 e 覆層上；複數個散射物質，該等散射物質以橫跨上述散射 層與上述被覆層之界面之方式存在，且不存在於橫跨上述 透光性電極與上述玻璃層之界面；有機層，其設置於上述 透光性電極層上；及反射電極，其設置於上述有機層上。 •又，本發明之有機LED元件之製造方法包括如下步驟·· 準備透光性基板；於上述透光性基板上，設置含有散射物 質且包含玻璃之散射層；於上述散射層上設置不含有上述 散射物質之被覆層；於上述被覆層上設置透光性電極層； 於上述透光性電極層上設置有機層；及於上述有機層上設 139289.doc 200952539 置反射電極。 又’本發明之有機LED元件用積層體具備：透光性基 板；第1層，其設置於上述透光性基板上；玻璃層，其設 置於上述第1層上；及複數個散射物質，該等散射物質以 橫跨上述第1層與上述玻璃層之界面之方式存在，且未自 上述玻璃層之主表面突出。 發明之效果 根據本發明，可提供一種能提高長期使用之可靠性、且 能將外部取出效率最大提高至發光光之8〇%的有機led元 件。 【實施方式】 以下，使用圖式，對作為本發明之電子裝置用基板之有 機LED元件用積層體、及具備該有機LED元件用積層體之 有機LED元件進行說明。圖丨係表示有機LED元件用積層體 及具備該有機LED元件用積層體之有機led元件之構造的 剖面圖。 如圖1所示’本發明之有機LED元件係由有機LED元件用 積層體100、透光性電極層（透光性電極）110、有機層120及 反射性電極13 0所構成。有機LED元件用積層體1 00係由透 光性基板101、散射層102及被覆層103所構成。散射層102 係於基材中含有散射物質丨04。有機層120係由電洞注入層 121、電洞傳輸層122、發光層123、電子傳輸層124及電子 注入層125所構成。 以下，對本發明進行詳細說明。 139289.doc 200952539 <透光性基板>

透光性基板使用有對可見光之透射率較高之材料。具體 而言，透射率高的材料可使用玻璃基板或塑膠基板。作為 玻璃基板之材料’有驗破璃、無驗玻璃或石英玻璃等無機 玻璃。又’作為塑膠基板之材料’有聚酯、聚碳酸酯、聚 醚、聚砜、聚醚砜、聚乙烯醇、及聚偏二氟乙烯與聚氟乙 烯等之含氟聚合物。再者，為解決水分滲透基板之問題， 亦可構成為使塑膠基板具有對水分之阻隔性。 就透光性基板之厚度而言，當為玻璃時，較好的是n mm〜2.0 mm。其中，由於厚度太薄而會導致強度降低，故 而特別好的是〇.5 mm〜1.〇 mm。 再者，在以玻璃粉製作散射層時’會產生應變之問題 等°㈣㈣想的是’透光性基板之熱膨脹係、數為5〇x1〇-Vc 以上，較好的是70χ10·7Γ(：以上，更好的是8〇xi〇_Vc& 上。作為此時之散射層，較好的是100〜40(TC時之平均埶 膨脹係數為7〇〜95xl〇-7/t …、 55()。€。 /C ，且破璃轉移溫度為450〜 <散射層> 以下，對散射層之構成、製 定方法進行詳細說明。再者， 實現光取出效率之提高，較好 透光性電極材料之折射率相同 料之折射率。 (構成） 作方法、特性及折射率之測 詳細情況將於以下描述，為 的疋散射層之折射率等同於 、或者高於該透光性電極材 1392S9.doc 200952539 散射層使用有以具有主表面且透光率高之材料作為基 材、特別於該基材中含有散射物質者。作為基材，可使用 玻璃、結晶化玻璃。作為玻璃之材料，有鹼石灰玻璃、硼 矽玻璃、無鹼玻璃、石英玻璃等無機玻璃。再者，於基材 之内部形成有複數個散射物質。作為該散射物質，例如有 氣泡、析出結晶、與基材不同之材料之粒子及分相玻璃。 於此，粒子係指較小固體之物質，例如有填料或陶瓷。 又，所謂氣泡，係指空氣或氣體物體。又，所謂分相玻 璃係扣由2種以上之玻璃相所構成之玻璃。再者，當散 射物質為氣泡時，散射物質之直徑係指空隙之長度。 於此，散射層較好的是直接形成於透光性基板上。然 2，當使用玻璃基板作為透光性基板時，有時玻璃基板中 3有之鹼性成分會擴散，從而對散射層内之散射物質之特 性造成影響。 特別當散射物質為螢光體時，由於螢光體對鹼性成分之 耐爻性較弱，因而有時無法發揮其特性。 口此，當使用玻璃基板作為透光性基板時，亦可於玻璃 基板與散射層之間形成包含一層以上之阻隔膜。作為阻隔 膜，較好的是含有氧、矽之至少任一方之薄膜。 1為3有矽或氧之薄膜，可使用氧化矽膜、氮化矽膜、 氧=化石夕膜、氧氮化石夕膜、氧化銦膜、氧化鋅膜、氧化錯 膜等*中，以氧化硬為主成分之膜因其透光性高而更 佳。 進而虽使用塑膠基板作為透光性基板時，亦可於塑膠 139289.doc 200952539 必双兴敢射層之間形成包含一展 + x ^ 3層以上之水4氣阻隔層。作 二水蒸氣阻隔層，較好的是使用含有矽、氧之至少一方之 薄膜。作為含有氧或⑦之薄膜，可使用氧切、氮化石夕、 氧氮化矽、氧碳化矽、氧化鋁、氧化鋅、氧化銦、氧化鍺 等。其中，以氮化矽為主成分之膜因其緻密且阻隔性高而 更佳。鹼阻隔膜、水蒸氣阻隔膜具有折射率各不相同之薄 膜之積層構造，因此可使光取出效率進一步提高。

再者’作為散射物質，亦可使用無機螢光體粉末。於 此，無機螢光體粉末例如有氧化物、氮化物、氧氮化物、 硫化物 '氧硫化物、鹵化物、鋁酸氯化物、鹵磷酸氣化物 等。 於上述無機螢光體中，特別好的是使用於波長3〇〇〜5〇〇 nm中具有激發帶、且於波長38〇~780 nm中具有發光峰值 者’尤其係使用發出藍色、綠色及紅色光者。 作為在照射波長為300〜440 nm之紫外區域之激發光時發 出藍色螢光之螢光體，有Sr5(P04)3Cl : Eu2+、 (Sr，Ba)MgAl10O17 : Eu2+、（Sr，Ba)3MgSi208 : Eu2+。 作為在照射波長為300〜440 nm之紫外區域之激發光時發 出綠色螢光的螢光體，有SrAl204 : Eu2+、SrGa2S4 : Eu2+、 SrBaSi04 : Eu2+、CdS : In、CaS : Ce3+、Y3(Al，Gd)5012 : Ce2+、Ca3Sc2Si3012 : Ce3+、SrSiOn : Eu2+、ZnS : Al3+，Cu+、CaS : Sn2+、CaS : Sn2+,F、CaS04 : Ce3 + ,Mn2+、 LiAlO2:Mn2+、BaMgAl10O17:Eu2+，Mn2+、ZnS:Cu+，Cr 、Ca3W06 : U、Ca3Si04Cl2 : Eu2+、SrxBayClzAl2〇4-z/2 : 139289.doc 9· 200952539

Ce3 +，Mn2+(X : 0.2，Υ : 0.7，Z : 1.1)、Ba2MgSi207 : Eu2+、Ba2Si04 : Eu2+、Ba2Li2Si207 : Eu2+、ZnO : S、 ZnO : Zn、Ca2Ba3(P04)3Cl : Eu2+、及BaAl204 : Eu2+。 作為在照射波長為440〜480 nm之藍色激發光時發出綠色 螢光之螢光體，有 SrAl204 : Eu2+、SrGa2S4 : Eu2+、 SrBaSi04 : Eu2+、CdS : In、CaS : Ce3+、Y3(Al，Gd)5012 : Ce2+、Ca3Sc2Si3012 : Ce3+、及 SrSiON : Eu2+。 作為在照射波長為300〜440 nm之紫外區域之激發光時發 出黃色螢光之螢光體，有ZnS : Eu2+、Ba5(P04)3Cl : U、 Sr3W06 : U、CaGa2S4 : Eu2+、SrS04 : Eu2+，Mn2+、ZnS : P、ZnS : P3-、及 CTZnS : Mn2+。 作為當照射波長為440〜480 nm之藍色激發光時會發出黃 色螢光之螢光體，有 Y3(Al,Gd)5012:Ce2+、Ba5(P04)3Cl: U、CaGa2S4 : Eu2、 作為在照射波長為300〜440 nm之紫外區域之激發光時發 出紅色螢光之螢光體，有CaS : Yb2+，C1、Gd3Ga4012 : Cr3+、CaGa2S4 : Mn2+、Na(Mg，Mn)2LiSi4O10F2 : Μη、 ZnS : Sn2+、Y3A15012 : Cr3+、SrB8013 : Sm2+、 MgSr3Si208 : Eu2+,Mn2+、a-Sr0.3B203 : Sm2+、ZnS-CdS、 ZnSe : Cu+，C1、ZnGa2S4 : Mn2+、ZnO : Bi3+、BaS : Au，K、ZnS : Pb2+、ZnS : Sn2+，Li+、ZnS : Pb,Cu、 CaTi03 : Pr3+、CaTi03 : Eu3+、Y203 : Eu3+、（Y，Gd)203 : Eu3+、CaS : Pb2+，Mn2+、YP04 : Eu3+、Ca2MgSi207 : Eu2+，Mn2+、Y(P、V)〇4 : Eu3+、Y202S : Eu3+、SrAl407 : 139289.doc •10· 200952539

Eu3+、CaYA104 : Eu3+、La02S : Eu3+、LiW208 : Eu3 + ,Sm3+、（Sr，Ca，Ba，Mg)10(P〇4)6Cl2 · Eu2+,Mn2+、

Ba3MgSi02〇8 : Eu2+、及 Mn2+。 作為在照射波長為440〜480 nm之藍色激發光時發出紅色 螢光之螢光體，有 ZnS : Mn2+，Te2+、Mg2Ti04 : Mn4+、 K2SiF6 : Mn4+、SrS : Eu2+、Na^KmEumTiSUO"、

Nai.23K〇.42Eu〇.12TiSi5〇13 : Eu3+ ' CdS ： In,Te ' CaAlSiN3 ： Eu 、CaSlN3 : Eu2+、（Ca，Sr)2Si5N8 : Eu2+、及Eu2W207。 再者亦了按照激發光之波段或欲發光之色來混合使用 複數種無機螢光體粉末。例如，當欲照射紫外區域之激發 光以獲得白色光時，混合使用發出藍色、綠色及紅色螢光 之螢光體即可。

於上述無機螢光體粉末中，亦存在在燒結時之加熱下與 玻璃反應而引起發泡或變色等異常反應之物質，燒結溫度 愈回則其程度愈顯著。然而，即便為如此之盔機螢光體 粉末’亦可使城溫度與玻璃組成最優化而使用。 特別當考慮網版印刷法時，較好的是彻⑽_ rrrrrnet ’ ^石叫系螢光體。樹脂對版印刷 後且塗膜中之玻璃粉末、填料加以支持。作為具體例，可 使用乙基纖維素、硝化維本 丁❹t为化纖維素、丙烯酸樹脂、乙酸乙烯 …㈣曰、三聚氰胺樹脂、醇酸樹 用作主劑者有乙美總祕i 7曰樹月曰等。 脂、三聚氰胺樹脂、 者丁酪树 強度而添加。辞酸樹月曰、松香樹脂係為了提高塗膜 J39289.doc • II - 200952539 又無機螢光材料較好的是使用25°C之導熱率為1〇 W/mK以上（較好的是15 w/mK以上更好的是 、）之材料。藉此，無機材料基材之導熱率變大後，散 熱效果變大。 為了實現本發明之主要目的即提高光取出效率較好的 疋基材之折射率等同於或者高於透光性電極材料之折射 率。其原因在於，當基材之折射率較低時，在基材與透光 性電極材料之界面上有可能產生因全反射而導致之損失。 基材之折射率只要於至少發光層之發光光譜範圍内之一部 分（例如紅、藍、、料）上高於透光性電極材料之折射率即 可，較好岐遍及發光光譜範圍全域⑽細_㈣⑽）而高 =透光性電極材料之折射率，更好的是遍及可見光之波長 範圍全域（360 nm〜830 nm)而高於透光性電極材料之折射 率〇 根據相同之理由，基材之折射率較好的是等同於或者高 於被覆層之折射率。於此，當藉由散射層與被覆層之界面 上所存在之散射物質而改變自被覆層入射至散射層之光的 :向時’具體而言’當散射層中所含之散射物質之折射率 高於被覆層基材之折射率時’即便基材之折射率低於被覆 層之折射率’亦不會出現問題。 散射物質與基材之折射率均較高亦無妨，但較好的是， 二者折射率之差（Δη)於至少發光層之發光光譜範圍内之一 部分上為0.2以上。更好較，上述折射率之差（㈣遍及發 光光譜範圍全域（430 nm〜650 nm)或者可見光之波長範圍 139289.doc -12- 200952539 全域（360 nm〜830 nm)而為〇 2以上。 為獲得最大之折射率差，較理想的是形成如下構成：上 述：透光率材料為高折射率玻璃，且散射物質為氣體物體 即孔泡。：tb時，基材之折射率儘可能高時較為理想，因此 較佳是使基材為高折射率破璃。作為高折射率玻璃之成分 中網狀結構成形劑’可使用ϋ"2〇5、Si〇2、b2〇3、

Ge20、Te〇2中之—種或兩種以上成分。又，作為高折射率 玻璃，可使用含有選自Ti〇2、Nb2〇5、w〇3、Ah、 2〇3 Gd2〇3、γ2〇3、Zr〇2、Zn〇、Ba〇 pb〇、中 之-種或兩種以上之成分的高折射率玻璃。此外，於調整 玻璃特性之意義上，亦可於不損及對折射率所要求之物性 之la圍内使用驗氧化物、驗土類氧化物、I化物等。作為 具體之玻璃系，可列舉B2〇3-Zn〇-La2〇3系、p2〇5_B2〇3_ R’2〇-R’O-Ti〇2-Nb2〇5-W〇3_Bi2〇3 系、Te〇2_Zn〇 系、b2〇3 Bi2〇3 系、Si02-Bi2〇3 系、Si〇2_Zn〇 系、B2〇3_Zn〇 系、 P2〇5-Zn〇系等。於此，R，表示驗金屬元素，R"表示驗土金 屬凡素。再者，以上為示例，只要為滿足上述條件之構 成’則並不限定於該示例。 可藉由使基材具有特定之透射率光譜而改變發光光之色 調。作為著色劑’可單獨使用或者組合使用過渡金屬氧化 物、稀土類金屬氧化物、金屬膠體等周知之物質。 於此’一般而言，於背光或照明用途中必須進行白色發 光。白色化之方法已知如下：於空間上分塗紅、藍、綠之 方法（分塗法），疊層具有不同發光色之發光層之方法（積層 139289.doc •13- 200952539 )及以於工間i分開言史置之色轉換材肖來對進行藍色 發光之光進行色轉換的方法（色轉換法）。於背光或照明用 途中只要獲得均勻之白色即可’因此通常採用積層法。所 積層之發光層採用以加色混合之方式而成為白色之組合， 例如，有積層藍綠層與橙黃層之情形及積層紅、藍、綠之 情形。特別於照明用途中照射面上之色再現性較為重要， 故較理想的是具有可見光區域中必要之發光光错。當積層 藍綠層與橙黃層時’因綠色之發光強度較低，故而若對含 有較多綠色之物體進行照明，則色再現性會變差。積層方 法具有無需對色配置進行空間上改變之優點，但另一方面 存在以下兩個問題。第一個問題為：如上所述因有機層之 膜厚較薄，故而所取出之發光光會受到干涉之影響。因 此，根據觀察之角度而導致色調變化。當為白色時，因人 眼對色調之敏感度較高，故而上述現象有時會成為問題。 第二個問題為：於發光期間’偏離載波平衡，各色之發光 亮度改變，從而導致色調改變。 先前之有機LED元件中，並沒有使螢光體分散於之散射 層中之思想，故而無法解決上述色調改變之問題。因此， 先前之有機LED元件在背光或照明用途方而尚不充分。然 而，本發明之有機LED元件用基板及有機led元件之散射 物質或基材中可使用螢光性物質。因此，藉由來自有機層 之發光而可取得進行波長轉換並使色調變化之效果。於該 情形時，可減少有機LED之發光色，且發光光會散射並出 射，故而可抑制色調之角度依存性或色調之經時變化。 139289.doc •14. 200952539 再者，形成有被覆層103之散射層1〇2之表面亦可具有起 伏。於此，起伏之波長Κλα較好的是5〇 μιη以上。而且，特 別理想的是構成起伏之表面之表面粗糙度以為3〇 下。 . 根據該構成，藉由表面起伏而可抑制鏡面可見性。又， 將起伏之波長與粗糙度規定於上述範圍内，藉此可抑制形 成於表面之電子裝置之電極間短路，從而可提供一種壽命 ❿ 長、有效面積高的電子裝置。 進而，構成起伏之表面之表面粗糙度以相對於表面起伏 之波長IUa之比Ra/iua較好的是超出j 〇χ1〇.4、且為3 〇χΐ〇 2 以下。 於此，在（Ra/IUa)低於l.oxio-4之情況下，當RU較大時 或者起伏之粗糙度Ra較小時，無法充分減輕鏡面反射性。 又，當該比（Ra/IUa)超出3·0χ10·2之情況下，於起伏之粗糙 度較大時，例如於形成有機LED元件時，因有機層無法均 Φ 勻地成膜而難以形成裝置。此處之超出，係指超出該值而 成為更大者。 (散射層之製作方法） 灰散射層之製作方法可使用溶膠凝膠法、蒸鍍怯、濺鍍法 . 等周知之方法。特別根據以大面積、均勻且迅速地形成 〇 1 〇〇 μιη厚膜之觀點而言，較好的是使玻璃得以粉漿化 來進行製作之方法。為了活用粉裝法、且為了抑制基板玻 …變开ν ’較理想的是散射層玻璃之軟化點（Ts)低於基 玻璃之應變點（Sp)，且二者之熱膨脹係數α之差較小。 139289.doc -15- 200952539 軟化點與應變點之差較好的是3(TC以上，更好的是5〇°C以 上。又’散射層與基板玻璃之膨脹率差較好的是±1〇χ1〇-7(1/κ) 以下，更好的是±5χ10·7(1/Κ)以下。於此，玻璃熔料（frit paste)係指將玻璃粉末分散於樹脂、溶劑、填料等中者。 使用網版印刷等之圖案形成技術來使粉漿圖案化並進行煅 燒’藉此可實現玻璃膜被覆。以下表示技術概要。 (粉漿材料） 1·玻璃粉末

玻璃粉末粒徑為1 為了控制已煅燒之膜之熱 膨脹’有日夺會加入填料。填料具體而言，可使用錯英石、 矽土、氧化鋁等，其粒徑為〇」μ]η〜2〇μηι。 以下，對玻璃材料進行說明。 作為形成散射層之玻璃組成，只要可 性且可實現粉裝化並進行锻燒，則並無特別限定。再: =了使取出效率最大化，可列舉例如以⑽為必須成分

3有Nb2〇5、Bi2〇3、Ti〇2、w〇3中之一種成分以上之系 以B2〇3、La2〇3為必須成分且含有、 W〇3中之一種成分以h夕金 2 5 〇 之糸、以Si〇2為必須成分且含

Nb2〇5、Ti〇2 中之— 且入古m ㈣成刀从上之糸、及以Bi2〇3為主成

=02鳴〇3等作為網狀結構形成成分之系等。 冉者’本發明中用作I 自原料之雜料麵系巾，除作為 境造成不良影響之成八“…卜’並不含有會對: Hg〇。 冑之成刀 A 咏、m>、Cd〇、Th〇2\ 139289.doc -16 · 200952539 於此，當散射層之折射率可較低時，亦可為含有R2〇_ R0-Ba0-B203-Si02之系、含有⑽…办斤办之系及含 有R20-B203-Si02之系。於此，r2〇係選自Li2〇、叫〇、 K20。RO係選自 MgO、CaO、SrO。 以下，進行具體說明。 以P2〇5為必須成分且含有Nb2〇5、叫〇3、Ti〇2、w〇3中 之一種成分以上之散射層較好的是，以mol%表記為如下 ❿ 組成範圍之玻璃：P2〇5 : 15〜30%、Si〇2 : 〜15%、b2〇3 : 0〜18%、Nb2〇5 : 5〜40%、Ti〇2 : 〇〜15%、w〇3 : 〇〜5〇%、

Bi203 : 0〜30〇/〇 ’ 其中，Nb2〇5、Ti〇2、w〇3、及叫〇3之總 里.20〜60% , Li20 : 〇〜20〇/〇、Na20 : 〇〜20%、κ20 : 0-20%，其中，Li20、Na20 及 Κ20 之總量：5〜4〇% ; MgO : 0〜1〇% ' Ca〇 : 〇〜1〇%、Sr〇 : 〇〜1〇%、Ba〇 : 0〜20%、ZnO : 〇〜20%、Ta205 : 0〜10%。 各成分之效果以mol%表記如下。 Φ P2〇5為具有形成玻璃系骨架並實現玻璃化之特性的必須 成分。於此，P2〇5之含量較好的是15%以上，更好的是 18%以上。另一方面，P2〇5之含量較好的是30%以下，更 好的是28%以下。 * B2〇3為具有藉由添加到玻璃中而使耐失透性提高且使熱 膨脹率降低之特性的任意成分。於此，ΙΑ之含量較好的 是18%以下’更好的是15%以下。

Si〇2為具有藉由微量添加而使玻璃穩定化且使耐失透性 提高之特性的任意成分。於此，Si〇2之含量較好的是15〇/〇 139289.doc -17- 200952539 以下，更好的是10%以下，特別好的是8%以下。

NbA為具有使折射率提高錢耐侯性提高之特性之必 須成分。於此，Nb2〇5之含量較好的是5%以上，更好的是 8%以上m Nb2〇5之含量較好的是桃以下，2 好的是35%以下。

Ti〇2為具有使折射率提高之特性之任意成分。於此，. Ti〇2之含量較好的是15%以下，更好的是13%以下。 W03為具有使折射率提高、使玻璃轉移溫度降低、且使 锻燒溫度降低之特性的任意成分。於此，wo3之含量較好0 的是50%以下，更好的是45%以下。 Βιζ〇3為具有使折射率提高且使玻璃穩定化之特性之任 意成分。於此，BhO3之含量較好的是3〇%以下，更好的是 2 5 %以下。 再者’為了提高折射率’必須含有Nb2〇5、Ti〇2、 WO3、BuO3中之至少一種成分。具體而言，、

Ti〇2、WO3、及Bi2〇3之總量較好的是2〇%以上，更好的是 25%以上。另一方面，Nb2〇5、Ti〇2、w〇3、及則2〇3之總❹ 量較好的是60%以下，更好的是55%以下。

Ta2〇5為具有使折射率提高之特性之任意成分。於此， τ&2〇5之含量較好的是1〇%以下，更好的是5%以下。 . 於此’ LhO、NaA、κ2〇等鹼金屬氧化物（R2〇)具有使 炼融性提高、使玻璃轉移溫度降低、提高與玻璃基板之親 和性、及提高密著力之特性。因此，較理想的是含有該等 中之1種或2種以上。於此，Li2〇、Ν&2〇及κ2〇之總量較理 139289.do, -18- 200952539 想的是5%以上，更好的是10%以上。另一方面，Li20、 Na20及K20之總量較好的是40%以下，更好的是35%以 下。

Li20具有使玻璃轉移溫度降低且使溶解性提高之特性。 於此，Li20之含量較理想的是20%以下，更好的是15%以 下。

Na20、K20均為具有使溶融性提高之特性之任意成分。 於此，Na20與Κ20之含量較好的是分別為20%以下，更好 的是分別為15%以下。 ΖηΟ具有使折射率提高且使玻璃轉移溫度降低之特性。 於此，ΖηΟ之含量較好的是20%以下，更好的是1 8%以 下。

BaO具有使折射率提高且使溶解性提高之特性。於此， BaO之含量較好的是20%以下，更好的是18%以下。

Mg〇、CaO、SrO為具有使溶融性提高之特性之任意成 分。於此，MgO、CaO、SrO各自之含量較好的是1 0%以 下，更好的是8%以下。 於此，為獲得高折射率且穩定之玻璃，上述所有成分之 總量較好的是90%以上，更好的是93%以上，特別好的是 95%以上。 除以上記載之成分以外，亦可於不損及必要之玻璃特性 之範圍内，添加少量之澄清劑或玻璃化促進成分、折射率 調整成分、波長轉換成分等。具體而言，作為澄清劑，較 好的是Sb2〇3、Sn〇2。作為玻璃化促進成分，較好的是 139289.doc -19· 200952539

Ge〇2、GaA3、Ιπ2〇3。作為折射率調整成分，較好的是 Zr02、Υ2〇3、La203、Gd203、Yb2〇3。作為波長轉換成 分，較好的是Ce02、Eu203、Er203等稀土類成分等。 以B2〇3 ' La203為必須成分且含有Nb2〇5、Zr02、

Ta2〇5、WO3中之一種成分以上之散射層較好的是，以 mol°/〇表記為如下組成範圍之玻璃：b2〇3 : 2〇〜6〇%、

Si02 : 〇〜20〇/〇、Li20 : 〇〜20%、Na20 : 〇〜1〇〇/0、κ2〇 : 〇〜10%、ΖηΟ : 5〜50〇/〇、La2〇3 : 5〜25%、Gd2〇3 : 〇〜25〇/〇、 Y2〇3 : 0〜20〇/〇、Yb203 : 〇〜2〇〇/0，其中，La2〇3、Gd2〇3、 © Y2〇3、Yb203之總量：5%〜30% ; Zr〇2 : 〇〜15%、Ta2〇5 : 0〜20%、Nb205 : 0〜20%、W03 : 〇〜20%、Bi203 : 〇〜2〇〇/0、

BaO : 〇〜20% 〇 各成分之效果以mol%表記如下。 B2〇3為網狀結構形成氧化物，其為該玻璃系中之必須成 分。於此，B2〇3之含量較好的是2〇%以上，更好的是25% 以上。另一方面，B2〇3之含量較好的是6〇%以下，更好的 是5 5 %以下。 ❹

Sl〇2為具有向該系之玻璃中添加後可使玻璃之穩定性提 高之特性的成分。於此，Si02之含量較好的是20%以下， 更好的是18%以下。

LhO為具有使玻璃轉移溫度降低之特性之成分。於此，

LkO之含里較好的是2〇%以下，更好的是18%以下。

Na20、K20為具有使溶解性提高之特性之成分。於此，

NkO與ΚζΟ各自之含量較好的是1〇%以下更好的是8%以 139289.doc •20· 200952539 下。

ZnO為具有使玻璃之折射率提高、且使玻璃轉移溫度降 低之特性之必須成分。於此，Zn〇之含量較好的是5%以 上，更好的是7〇/〇以上。另一方面，Zn〇之含量較好的是 50%以下，更好的是45%以下。

La2〇S為具有達成高折射率、且在導入至心〇3系玻璃後 可使耐侯性提高之特性之必須成分。於此，Lhh之含量 較好的是5。/。以上，更好的是7%以上。另一方面，La2〇3之 含里較好的是25%以下，更好的是22%以下。

Gd2〇3為具有達成高折射率、且在導入至ίο;系玻璃後 可^使耐侯性提高、藉由與La2〇3共存而使麵之穩定性 提高之特性的成分。於此，Gd2〇3之含量較好的是2州以 下，更好的是22%以下。 Y2〇3與Yb2〇3為具有達成高折射率、且在導入至ία系 «後可使耐侯性提高、藉由與LM)3共存而使玻璃之穩 疋性提鬲之特性的成分。於此，丫2〇3與¥1^〇3各自之含量 較好的是20%以下，更好的是18%以下。 例不有La2〇3、Gd2〇3、γ2〇3、Yb2〇3之稀土類氧化物為 八有達成尚折射率、且使玻璃之耐侯性提高之特性的必須 成刀。於此，La2〇3、Gd2〇3、γ2〇3、及Yb2〇3之總量較好 的是5%以上，更好的是8%以上。另一方面，La2〇3、

Gd2〇3 Υ2〇3及Yb2〇3之總量較好的是π%以下更好的是 25%以下。 ΖΓ〇2為具有使折射率提高之特性之成分。於此，Zr02之 139289.doc -21 - 200952539 含量較好的是15%以下，更好的是Η)%以下。

Ta2〇5為具有使折射率提高之特性之成分。於此，Ta2〇5 之3量幸乂好的是2〇%以下’更好的是⑽以下。 灿205為具有使折射率提高之特性之成分。於此，Nb205 之含量較好的是2〇%以下，更好的是i5%以下。 3為具有使折射率提高之特性之成分。於此，w〇3之 含量較好的是观以下，更好的是Μ。以下。 ❹ β 3為/、有使折射率提高之特性之成分。於此，別2〇3 之3量皁又好的是2〇%以下，更好的是15%以下。

BaO為具有使折射率提高之特性之成分。於此，之 含量較好的是20%以下，更好的是15%以下。 於此’為獲得高折射率且穩定之玻璃，上述所有成分之 總量較好的是9G%以上，更好的是抓以上。 除以上a己載之成分以外，& 了提高澄清、溶解性等，於 〇 不損及本發明效果之範圍内亦可添加其他成分。作為此種 成刀可列舉例如 Sb2〇3、Sn〇2、Mg〇、Ca〇、Sr〇、 Ge〇2、Ga2〇3、in2〇3、氣。 以Sl〇2為必須成分且含有Nb205、Ti〇2、Bi203中之一種 成分以上之散射層較好的是，以mol%表記為如下組成範 圍之玻璃.Si〇2 : 20〜50%、ίο; : 〇〜2〇%、Nb2〇5 · 1 20/〇 Ti02 . 1-20% . Bi2〇3 : 〇~15% > Zr02 ： 0-15% »

Nb2〇5 Τΐ〇2、Bl2〇3 及 Zr〇2 之總量：5~40% ; U2〇 : 0~40/〇 Na20 . 0-30% , κ20 : 0-30% > Li20 > Na20^K20 之總量.1〜40%、Mg〇 : 〇〜2〇%、Ca〇 : 〇〜2〇%、&〇 : 139289.doc -22- 200952539 0〜20%、Bail · λ ^Λ 〇 . 0〜20%、及 ΖηΟ : ο〜20〇/〇。 2為具有作為用以形成玻璃之網狀結構成形劑而發揮 作用之特性的必須成分。於此，之含量較好的是2〇% 以上，更好的是22%以上。

Bl2〇3為具有藉由少量添加到含有Si02i玻璃中而有助 ;玻璃形成且使失透性降低之特性的成分。於此，則2〇3 之含ΐ較好的是20%以下，更好的是i8%以下。 φ 5為’、有使折射率提高之特性之必須成分。於此，

Nb205之3量較好的是i %以上，更好的是3%以上。另一方 面Nb2〇5之含量較好的是2〇%以下更好的是以下。 .2為/、有使折射率提高之特性之必須成分。於此， Ti〇2之含量較好的是1%以上，更好的是3%以上。另一方 面，Τι〇2之含量較好的是2〇%以下更好的是a%以下。

BuO3為具有使折射率提高之特性之成分。於此，則2〇3 之含量較好的是15。/。以下，更好的是12%以下。 Φ ΖΓ〇2為具有使折射率提高而不會使著色度惡化之特性的 成分。於此，Zr〇2之含量較好的是15%以下，更好的是 10%以下。 於此，Nb2〇5、Ti〇2、Bi2〇3&Zr〇2之總量較好的是以 • 上’更好的是8%以上。另一方面，Nb205、Ti02、叫〇3及

Zr〇2之總$較好的是4〇%以下，更好的是38%以下。

LkO、NazO、hO為具有使溶解性提高且使玻璃轉移溫 度降低之特性之成分。於此，Li2〇、Na2〇、及Κ2〇之總量 較好的是1%以上，更好的是3%以上。另一方面，。:、 139289.doc -23- 200952539

NasO、及Κ2〇之總量較好的是4〇0/〇以 「 文好的是35%以 下。

BaO為具有使折射率提高同時使溶解性提高之特性的成 分。於此’ BaO之含量較好的是2〇%以下，更好的是15% 以下。 於此，MgO、CaO、Sr〇、Zn〇為具有使玻璃之溶解性提 高之特性的成分。Mg〇、Ca〇、Sr〇及Zn〇各自之含量較好 的是20%以下，更好的是1 5%以下。 為了符合本發明之目的，以上所記載之成分之總量較理 想的是90%以上。又，為了提高澄清、溶解性等，於不損 及本發明之效果之範圍内，亦可添加以上記載之外的成 分。作為此種成分’可列舉例如Sb203、Sn02、Ge〇2、

Ga203、ln2〇3、w〇3、Ta2〇5、La203、Gd203、να〗、及

Yb2〇3 ° 以Bi2〇3為必須成分且含有Si〇2、B2〇3之散射層較好的 是’以mol%表記為如下組成範圍之玻璃：Bi2〇3 : 10〜50%、b203 : 1 〜40%、Si02 : 0-30%，其中，B2〇3 與 Si〇2之總量：10〜40%、P2〇5 : 〇〜20%、Li20 : 0〜15%、 Na20 : 〇〜15〇/〇、K20 : 0〜15% ' Ti02 : 0〜20%、Nb2〇5 : 0〜20%、Te02 : 0〜20%、MgO : 〇〜10%、CaO : 0〜1〇%、 SrO : 〇〜i〇〇/0、BaO : 0〜10%、Ge〇2 : 〇〜1〇%、Ga2〇3 : 0〜10〇/〇。 各成分之效果以mol%表記如下。

Bi2〇3為具有達成南折射率、且即便大量導入時亦會穩 139289.doc -24. 200952539 定地形成玻璃之特性之必須成分。於此，Bi2〇3之含量較 好的是10%以上’更好的是15%以上。另一方面，則2〇3之 含量較好的是50%以下，更好的是45%以下。 B2〇3為具有於含有大量趴2〇3之玻璃中作為網狀結構成 形劑而發揮作用並有助於玻璃形成之特性的必須成分。於 此，BZ〇3之含量較好的是1%以上，更好的是3%以上。另 方面，B2〇3之含罝較好的是4〇%以下更好的是以 下。 S i Ο2為具有使B2 〇3作為網狀結構成形劑而有助於玻璃形 成之特性之成分。於此，Si〇2之含量較好的是3〇%以下， 更好的是25%以下。 B2〇3與Si〇2為經組合而具有促進玻璃形成之特性之成 分。於此，B2〇3與Si〇2之總量較好的是5%以上更好的是 10%以上。另_方面’㈣與叫之總量較好的是僻❶以 下，更好的是38%。 • P2〇5為具有有助於玻璃形成、且抑制著色度惡化之特性 之成分。於此，1>2〇5之含量較好的是2〇%以下更好的是 18%以下。

Ll20、Na2〇、κ20為具有使玻璃溶解性提高、進而使玻 ^轉移溫度降低之特性之成分。於此，㈣、％〇、及 κ2〇各自之含量較好的是15%以下，更好的是⑽以下。 另一方面，U2〇、Na2〇、及Κ2〇各自之含量較好的是3⑽ 以下，更好的是25%以下。

Ti〇2為具有使折射率提高之特性之成分。於此，抓之 I39289.doc -25· 200952539 含1較好的是20%以下，更好的是ί8%以下。

Nb205為具有使折射率提高之特性之成分。於此， 之含量較好的是20%以下，更好的是18%以下。

Te〇2為具有使折射率提高而不會使著色度惡化之特性的 成分。於此，Te〇2之含量較好的是2〇%以下，更好的是 15 %以下。

Ge〇2為具有維持較高之折射率且使玻璃之穩定性提高之 特性的成刀。於此，Ge〇2之含量較好的是丨〇%以下，更好 的是8%以下。再者，Ge〇2為高價之成分。因此，於考慮 價格時，亦有不包含Ge〇2之選擇支。

Ga2〇3為具有維持較高之折射率且使玻璃之穩定性提高 之特性的成分。於此，Ga2〇3之含量較好的是1〇%以下， 更好的是8。/。以下。再者，Ga2〇3為高價之成分。因此，於 考慮彳貝格時，亦有不包含Ga2〇3之選擇支。 為了獲得充分之散射特性’以上所記載之成分之總量較 理想的是90%以上，更好的是95%以上。為了提高澄清、 溶解性及進行折射率調整等，於不損及本發明之效果之範 圍内，亦可添加以上記載以外之成分。作為此種成分可 列舉例如 Sb203、Sn02、In2〇3、Zr02、WO3、Ta20

La2〇3、Gd203、Y2〇3、Yb2〇3、及 Al2〇3。 2 ·樹脂 樹脂對網版印刷後塗膜中之玻璃粉末、填料進行支持 作為具體例，可使用乙基纖維素、硝化纖維素、丙烯酸樹 脂、乙酸乙烯酯、丁醛樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、 139289.doc •26- 200952539 松香樹脂等。用作主劑者有乙基纖維素與硝化纖維素。再 者’丁链樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、松香樹脂係為 了提面塗膜強度而添加。關於煅燒時之脫黏合劑溫度，對 於乙基纖維素而言，為35〇。(：至4〇0°c，對於硝化纖維素， 為 200°C 至 300°C。 3. 溶劑 將樹脂溶解且調整為印刷所必要之黏度。又，印刷中不 進行乾燥’於乾燥步驟中進行快速乾燥。沸點較理想的是 200°C至230°C。為了調整黏度、固體成分比、乾燥速度而 摻合使用。作為具體例，自適於網版印刷時之漿料乾燥之 角度考慮’有醚系溶劑（丁基卡必醇（BC，Bmyl Carbitol)、丁基卡必醇醋酸酯（BCA，Butyl

Acetate)、二乙二醇二正丁醚、二丙二醇二丁醚、三丙二 醇丁醚、乙酸丁基賽璐蘇）' 醇系溶劑（α_松油醇、松油、 DOWANOL(註冊商標））、酯系溶劑（2,2,4_三甲基— Μ·戊二 ❷ 醇單異丁酸酯）、鄰苯二曱酸酯系溶劑（DBp(鄰笨二甲酸二 丁酯 ’ Dibutyl phthalate)、DMP(鄰苯二甲酸二曱酯， Dimethyl phthalate)、D0P(鄰笨二曱酸二辛酯，以⑻叫 . Phthalate))。主要使用α-松油醇或2,2,4_三甲基j，％戊二醇 . 單異丁酸醋）。再者，DBP(鄰苯二甲酸二丁酿）、DMp(鄰 苯二甲酸二甲酿）、D0P(鄰苯二甲酸二辛醋）亦可作為塑化 劑而發揮功能。 4. 其他 為了進行黏度調整、促進粉料分散，可使用界面活性 139289.doc •27· 200952539 劑為了進行粉料表面改質，可使用石夕烧偶合劑。 (粉漿膜之製作方法） (1)玻璃溶料（frit paste) 準備玻璃粉末與媒劑。於此，媒劑係指將樹脂、溶劑、 界面活性劑加以混合者。具體而言，將樹脂、界面活性劑 等投入至加熱到5〇t：〜8(rc之溶劑中，之後靜置4小時至Η 小時左右後，進行過濾而獲得。 接著，以行星式混合機來混合玻璃粉末與媒劑後，以3 根輥使之均勻分散。然後為了進行黏度調整而以混練機進 打混練。通常，相對於玻璃材料7〇〜8〇 wt%而使媒劑為 20〜3 0 wt%。 (2)印刷 使用網版印刷機來印刷（1)中所製作之玻璃熔料（f咖 paste)。可對根據網版之網眼大小、乳劑之厚度、印刷時 之按壓、刮漿板壓入量等所形成之粉漿膜的膜厚加以控 制。印刷後於锻燒爐中進行乾燥。 (3)煅燒 於煅燒爐中對印刷、乾燥後之基板進行煅燒。煅燒包括 使樹脂分解、消失之脫黏合劑處理、及使玻璃粉燒結軟化 之烺燒處理。關於脫黏合劑溫度，對於乙基纖維素而言為 350°C〜400°C ’對於硝化纖維素而言為2〇(rc〜3〇〇t：，於大 氣環境下加熱30分鐘至丨小時。之後提高溫度’使玻璃燒 結、軟化。煅燒溫度為自軟化溫度至軟化溫度+2〇〇t：，根 據處理溫度而使殘存於内部之氣泡之形狀、大小有所不 139289.doc -28· 200952539 同。其後，進行冷卻，於基板上形成玻璃膜。所獲得之膜 之厚度為5 μιη〜30 μηι，但藉由印刷時積層而可形成更厚之 玻璃膜。 再者’上述印刷步驟中若使用刮刀印刷法、模塗印刷 - 法，則可形成更厚之膜（生胚片材印刷）。於 pET(P〇ly(ethylene，聚對苯二甲酸乙二醋） 薄膜等上形成膜之後，進行乾燥而獲得生胚片材。接著， ❹^由㈣將生胚片材㈣接於基板上，經過與玻璃熔料 (fm paste)相同之煅燒過程而獲得煅燒膜。所獲得之膜之 厚度為50叫〜400 μιη，可藉由疊層使用生胚片材而形成更 厚之玻璃膜。 (散射層内之散射物質之密度與散射物質之直徑） 圖2係表示光取出效率（％)與散射物質之含有率之 關係的圖表。以下，為簡化起見，將有機層及反射性電極 分為電子注人.傳輸層及發光層、電洞注人.傳輸層、以及 Φ 冑光性電極該三個部分來進行計算。於此，上述圖表中分 割為電子注入·傳輸層(厚度：i μιη，折射率：Μ)、被^ . 層(厚度：1吨，基材之折射率：1.9)、發光層(厚度:i 叩，折射率：U)、電洞注入·傳輸層（厚度：i师折射 •率：19)、散射層（厚度：3〇 μιη ’基材之折射率：μ，散 射物質之折射率：1.0)、透光性基板（厚度：1〇〇_，折射 率：1.54)、且將光束1000 lm分割為1〇萬條來進行計算（波 長550 nm)。如圖表所示，散射層中之散射物質之含有率 較好的h V〇1%以上。根據散射物質之大小不同而有不同 139289.doc •29- 200952539 行為，但若散射層中之散射物質之含有率為丨ν〇ι%，則可 使光取出效率為大致4G%以上。x，若散射層中之散射物 質之含有率為5 V〇1%以上，則可使光取出效率為65%以 上，故而更佳。X ’若散射層中之散射物質之含有率為1〇 V〇1%以上，則可將光取出效率提高至70%以上，故而更 佳。又，若散射層中之散射物質之含有率為15 vol%左 右，則可將光取出效率提高至大致8〇%以上，故而特別 佳再者S考慮散射層之產量時，較好的是難以受到製 造不均之影響之10 vol%〜15 vol%。 再者，根據圖表亦可得知散射物質之直徑與光取出效率 之關係。具體而言’若散射物質之直徑為i μιη，則即便於 散射物質之含有率為i νο1%〜2〇 ν〇1%之範圍内亦可使光 取出效率為70%以上，特別是，若散射物質之含有率為2 ν〇1%〜15 Vol%i範圍内，則可使光取出效率為8〇%以上。 又，若散射物質之直徑為2 μιη，則即便散射物質之含有率 為1 vol。/。〜20 νο1%之範圍内，亦可使光取出效率為65%以 上，特別是，若散射物質之含有率為5 ν〇1%以上，則可使 光取出效率為_以上。又，若散射物f之直徑為3㈣， 則即便於散射物質之含有率為} v〇l%〜2〇 v〇1%之範圍内， 亦可使光取出效率為60%以上，特別是，若散射物質之含 有率為5 v〇l%以上，則可使光取出效率為8〇%以上。又， 若散射物質之直徑為5 μηι，則即便散射物質之含有率為】 vol%〜20 vol%i範圍内，亦可使光取出效率為5〇%以上， 特別是，若散射物質之含有率為10 v〇1%以上，則可使光 139289.doc •30- 200952539 取出效率為80%以上。又，若散射物質之直徑為7 μιη，則 即便散射物質之含有率為1 ν〇1%〜20 ν〇1%之範圍内亦可 使光取出效率為45%以上，特別是，若散射物質之含有率 為10 vol%以上，則可使光取出效率為大致8〇%以上。又，

若散射物質之直徑為10 μηι，則即便散射物質之含有率為丄 vol%〜20 ν〇1%之範圍内，亦可使光取出效率為大致4〇%以 上，特別是，若散射物質之含有率為15 v〇1%以上，則可 使光取出效率為大致8〇%以上。根據以上所述可知，當散 射物質之直徑較大時，其含有率愈多，則愈可提高光取出 效率。另一方面，當散射物質之直徑較小時，即便其含有 率較少，亦可提高光取出效率。 ' 政射層之一半之厚度（δ/2)處之散射物質的密度 Ρη χ、距離和透光性基板相對向之散射層之背面 Χ(δ/2<Χ$δ)處之散射物質的密度Pl2滿足Pll$Pl2。進而， :距離和被覆層相對向之散射層之表面x(x^.2，)處之 政射物質的费度Pl3相對於距離Χ=2 μηι處之散射物質的密 度 Ρΐ4滿足 ρ14>ρ13。 (散射物質之折射率） Θ 、表示光取出效率（％)與散射物質之折射率之關係之 圖表。以下，為簡化起見，將有機層及反射性電極分為電 子注入.傳輸層及發光層、電洞注人.傳輸層、以及透光性 電極該三個部分爽 刀來進仃計异。於此，上述圖表中，分割為 電子；主入·傳輪層（ . 曰、序度.1 μπι，折射率：1.9)、發光層（厚 度：1 μιη，批4+亡 斤射率：1.9)、電洞注入.傳輸層（厚度：1 139289.doc •31 · 200952539 ㈣，折射率··丨.9)、被覆層（厚度：l _，基材之折射 率：2.0)、散射層（厚度：3〇 μπι，基材之折射率· 2 〇，散 射物質之直徑.2 μιη，散射物質之數量··約36GG萬個，散 射物貝之3有量.1 5 VQi%)、透光性基板（厚度：⑽㈣， 折射率：1_54)、且將光束麵lm分割為1()萬條來進行計 算（波長550 nm)。如圖表所示，若基材之折射率（2.0)與散 射物質之折射帛之差為〇.2以丨（散射物質之折射帛為1.8以 下），則可使光取出效率為8〇%以上，故而特別佳。再者， 即便基材之折射率與散射物質之折射率之差為0.1(散射物 質之折射率為1_9) ’亦可使光取出效率為65%以上。 (散射層之厚度） 圖4係表示光取出效率（％)與散射物質之含有率之 關係之圖纟。以下’為簡化起見，將有機層及反射性電極 分為電子注人·傳輪層及發光層、電洞注人·傳輸層、以及 透光性電極該三個部分來進行計算。於此，上述圖表中分 割為電子注入.傳輸層（厚度：1 μηι，折射率：19)、發光 層（厚度.1 μιη ’折射率：19)、電洞注入傳輸層（厚度：1 μΠ1 ’折射率· U)、被覆層（厚度：1 μιη，基材之折射 率1.0)、散射層（基材之折射率：2 〇，散射物質之直 钇.2 μηι，散射物質之折射率：1〇)、透光性基板（厚度： 1〇0 μΐΏ ’折射率：i.54)、且將光束1_ lm分割為10萬條 來進行a十算（波長55〇 nm)。如圖表所示若散射層中之散 射物質之含有率為i v〇1%以上則即便散射層之厚度為Η 帅以下，亦可使光取出效率為55%以上故而較佳。又， 139289.doc 200952539 若散射層中之散射物質之含有率為2〇 ν〇ι%以上，則即便 政射層之厚度為60 μηι以上，亦可使光取出效率為观以 上故而較佳。又，若散射層中之散射物質之含有率為5 則即便散射層之厚度為15_以下或6〇叫 、#可使光取出效率為大致8G%以上，故而特別佳。 (散射物質之數目） * 圖5係表示光取出效率（％)與散射物質（粒子）之個數（個/ φ 二)之關係之圖表。以下’為簡化起見，將有機層及反射 电極分為電子注入.傳輸層及發光層、電洞注入傳輸 以及透光性電極該三個部分來進行計算。於此，上述 圖表’ ’分割為電子注入·傳輸層(厚度：i叩，折射率·· ^)、發光層（厚度：1 _，折射率· 19)、電洞注入傳輸 厚度.1 μΐϋ ’折射率：、被覆層（厚度：丨㈣基 斤射率· 2·〇)、散射層（基材之折射率：2.0，散射物 之直徑：2 μιη ’散射物質之折射率：1())、透光性基板 ❹ ，折射率：叫、且將光束1000 1m分割為 條來進行計算（波長550 nm)。如圖表所示可知，無論 ㈣層之厚度如何，均會根據散射物質之數目而改變光取 :效率。如圖表所示’若每i _2散射層中之散射物質之 數目為W04個以上，則可使光取出效率為55%以上，故而 較佳。广’若每1麵2散射層中之散射物質之數目為 土 5”〇5個以上’則可使光取出效率為75%以上，故而更 佳。又，若每1 mm2散射層中之散射物質之數目為 5X105〜2χ1〇6個，則可使光取出效率為8〇%以上故而特別 139289.doc •33- 200952539 f:〇6:此，即便散射物質之直徑為60叫以上、數目為 3X10個，亦可使光取出效率為7〇%以上。 (散射層基材之透射率） 圖6係表示光取出效桌^〇/、& ^ 文羊（/°)與散射層基材於1 mmt%時之 透射率之關係的圖表。以下电妒 乂下’為簡化起見，將有機層及反 射性電極分為電子注入·傳輸層及發光層、電洞注入.傳輸 ^ 透光性m個部分來進行計算。於此，上述 圖表中’分割為電子注入_傳輸層（厚度：ι μιη，折射率； h9)、發光層（厚度：1 _，折射率：1.9)、電洞注入·傳輸 層(厚度μ-折射率：1.9)、被覆層(厚度：1叫，基 材之折射率：2.〇)、散射層(厚度：30 _，基材之折射 率2·〇冑射物質之直徑：2μηι，散射物質之折射率： !.〇散射物資之數目：約36〇〇萬個，散射物質之含有 量15 νο1%)、透光性基板（厚度：100 μη1，折射率： 1.54)、且將光束1〇〇〇 lm分割為1〇萬條來進行計算。如圖 表所不，即便散射層基材之透射率為5〇%，亦可使光取出 放率為55/。以上。又’若散射層基材之透射率為則 可使光取出效率為80%以上。於以玻璃作為基材時因玻 璃之透射率為98%左右，故而光取出效率可超出80%。 (陰極之反射率） 圖7係表示光取出效率（％)與陰極反射率（％)之關係之圖 表。以下，為簡化起見，將有機層及反射性電極分為電子 注入.傳輸層及發光層、電洞注入.傳輸層、以及透光性電 極該三個部分來進行計算。於此，上述圖表中，分割為電 139289.doc -34· 200952539 子注入·傳輸層（厚度：1 μιη，折射率：1.9)、發光層（厚 度：1 μιη，折射率：丨.9)、電洞注入.傳輸層（厚度：ι μιη，折射率··丨.9)、被覆層（厚度：1叫，基材之折射 率：2.0)、散射層（厚度：3〇 μπχ，基材之折射率：2 〇，散 射物質之直徑：2 μιη，散射物質之折射率：丨〇，散射物 質之數目：約3600萬個，散射物質之含有量：15 v〇1%)、 透光性基板（厚度：10〇 μπι，折射率：1.54)、且將光束 φ 1000 ^分割為10萬條來進行計算（波長550 nm)。如圖表所 示，若陰極反射率降低，則光取出效率亦降低。於此，因 藍色LED之陰極反射率為8〇%〜9〇%，由此可知能獲得 40A 50/。之光取出效率。於此，專利文獻【中將反射率設 定為10G% ’且光取出效率約為篇。另__方面，在將本發 明之反射率设為1〇0%從而與專利文獻丨之反射率相同的條 件下，由圖表可知，光取出效率超出8〇%。亦即，可知本 發明之光取出效率與專利文獻i之光取出效率相比提高Μ Φ 倍由此本發明之有機LED可作為代替螢光燈之照明用 光源來使用。 (散射層與陽極之折射率） • 圖8係表示出射至散射層中之光之比例與散射層基材折 ⑽之關係的圖表。以下，為簡化起見，將有機層及反射 ! 生電極77為電子注入.傳輸層及發光層、電洞注入·傳輸 乂及透光性電極该二個部分來進行計算。於此，上述 圖表中，分割為電子注入.傳輸層（厚度：丨，折射率： 1.9)、發光層（厚度：i _，折射率：Μ)、電洞注入.傳輸 139289.doc -35- 200952539 層（厚度：1 μΠ1，折射率：Μ)、被覆層（厚度_· 1 μιη)、散 射層（厚度：30 μηι，散射物冑之直# : 2 _，散射物質之 折射率.1·0，散射物質之數目：約36〇〇萬個散射物質 之含有量：15 ν〇1%)、透光性基板（厚度：1〇〇 μιη，折射 率：1.54)、且將光束1000 lm分割為1〇萬條來進行計算（波 長550 nm)。如圖表所示，當陽極之折射率大於散射層之 折射率時，散射層之表面會產生全反射，導致進入到散射 層中之光量減少。由此可知，光之取出效率降低。因此， 本發明之散射層之折射率較好的是與陽極之折射率相同或 者為其以上。 (散射層基材之折射率與白色發光色調之關係） 圖9係表示波長與散射層基材之折射率之關係的圖表。 圖1〇係表示波長與受光面照度之關係之結果。再者，圖 10(a)係與圖9之例1相對應之光譜圖，圖1〇(b)係與圖9之例 2相對應之光譜圖，圖10(c)係與圖9之例3相對應之光譜 圖’圖10(d)係與圖9之例4相對應之光譜圖。以下，為簡化 起見，將有機層及反射性電極分為電子注入.傳輸層及發 光層、電洞注入.傳輸層、以及透光性電極該三個部分來 進行計算。於此，上述圖表中，分割為電子注入傳輸層 (厚度：1 μιη，折射率：丨.9)、發光層（厚度：！ μιη，折射 率：1.9)、電洞注入.傳輸層（厚度：！ μιη，折射率：i 9)、 被覆層（厚度：1 μιη，基材之折射率·· 2.0)、散射層（厚 度：30 μιη，基材之折射率：2 〇，散射物質之直徑：2 μη’散射物質之折射率：1〇,散射物質之數目：約 139289.doc -36 - 200952539 萬個’散射物質之含有量：15祕）、透光性基板（厚度·· ⑽㈣’折射率：1.54)、且將光束i〇〇〇im分割為1〇萬條 來進行計算。再者，將透光性電極之折射率設為…如 圖ίο所示可知’當散射層基材之折射率低於有機層及透光 性電極之折射率時，相同波長下之取出效率降低，從而導 致色調變化。具體說明如下：由圖1〇⑷可知，當波長為 550 nm以上時，若折射率為！ 9以了，則發光效率會降 ❹

低亦即，有機LED元件於紅色色調下特性會劣化。此 夺作為兀件之構成，必須形成紅色色調得以加強之元 件。 (散射層折射率之測定方法） 對散射層折射率之敎有如下兩種方法。其巾之一方法 為.對放射層之成分進行分析，之後製作相同成分之玻 ”、稜價折射率^其巾另—方法為：將散射層較 溥地研磨至i〜2 ，於益 .、，、也之1 0 μπιΦ左右之區域中以橢 圓儀進行測定’評價折射率。 卞丹f 本發明中，將以採用 ^鏡法來評價折射率作為前提。 <被覆層> 一被覆層係以單層或者複數層而構成，其使用有透光率較 :之材料。用作被覆層之材料與散射層之基材相同，使用 螭、·。曰曰化玻璃，但作為被覆層，除此之外亦可應用 =性樹脂、透光性㈣。作為玻璃之材料，有驗石灰玻 、、蝴石夕玻璃、無驗玻璃、石英玻璃等無機玻璃。再者， 於被覆層之内部’與散射層相同地形成有複數個散射物 139289.doc -37- 200952539 質例如，作為散射物質，有裔、治 v 有氣泡、分相玻璃、結晶析出 物。於此，當被覆層係以單層 早席向構成時，為了防止固形粒 子自被覆層之表面突出’較好的是不將固形粒子用作散射 物質。另-方面，當被覆層係以複數層而構成時，若與透 先性電極相接觸之層中不含有固形粒子，則即便於其他層 中3有’亦不會成為問題。於此，當散射層之至少基材係 由上述破璃而構成時，被覆層不僅可應用玻璃、結晶化玻 璃，亦可應用透光性樹脂、透光性陶瓷。 曰為了實現本發明之主要目的即提高光取出效率，較好的❿ 是被覆層之折射率等同於或者高於透光性電極材料之折射 率。其原因在於’當被覆層之折射率較低時，在被覆層與 透光性電極材料之界面上會產生因全反射而導致之損失。 ^覆層之折射率只要於至少發光層之發Μ譜範圍内之一 4刀（例如紅、藍、綠等）上高於透光性電極材料之折射率 即可，較好的是遍及發光光譜範圍全域（43〇 nm〜65〇 而问於透光性電極材料之折射率，更好的是遍及可見光之 波長範圍全域（360 nm〜83〇 nm)而高於透光性電極材料之〇 折射率。再者，當被覆層為複數層之積層體時，亦可構成 為隨著遠離透光性電極而折射率逐漸變高。根據如此之構 ， 成=可抑制全反射所導致之損失。再者，於該情形時，為 了最大獲得80%以上之取出效率，與透光性電極相接觸之 層之折射率和透光性電極之折射率之差為〇.2以内時較 佳。 被覆層與被覆層内部之散射物質之折射率均較高亦無 139289.doc • 38 - 200952539 妨’但較好的是’二者折射率之差（Δη)於至少發光層之發 光光譜範圍内之-部分上為似上。更好的是，上述折 射率之差（Δη)遍及發光光譜範圍全域（43G nm〜65Gnrn)或者 可見光之波長範圍全域（則nm〜請㈣）而為G 2以上。 ，獲得最大之折射率差，較理想的是形成如下構成：使 用同折射率玻璃作為高透光率材料，且使用氣體物體即氣 泡作為散射物質。較好的是制如下高折射率玻璃，該高 折射率玻璃之成分為，含有選自p2〇5、Si〇2、B2〇3、 Ge20、Te 02中之-種或兩#以上之成分作為網狀結構成 形劑，且含有選自 Ti〇2、Nb2〇5、w〇3、叫〇3、La2〇3、 Gd2〇3、γ2〇3、Zr〇2、Zn〇、Ba〇、pb〇、中之一種 或兩種以上之成分作為高折射率成分。再者，於調整玻璃

❹ 特性之意義上，亦可於不損及對折射率所要求之物性之範 圍内使用鹼氧化物、鹼土類氧化物、氟化物等。作為具體 之玻璃系，可列舉]82〇3_211〇_1^2〇3 系、P2〇5 B2〇3_R,2〇_ R"0-Ti02-Nb205-WCVBi2〇3^、、Te〇2_Zn〇 系、B2〇3 則必 系、Si02-Bi203 系、Si(VZn〇 系、b2〇3 Zn〇 系及 p2〇5_

ZnO系等。於此，R，表示驗金屬元素，R"表示驗土金屬元 素再者以上為示例，只要為滿足上述條件之構成，則 並不限定於該示例。 亦可藉由使被覆層具有特定之透射率光譜而使發光色調 變化。作為著色劑，可單獨使用或者組合使用過渡金屬氧 化物、稀土類金屬氧化物、及金屬膠體等周知者。 又，為防止有機LED電極間之短路，被覆層之表面必須 139289.doc •39· 200952539 平滑。為此’於被覆層之表面上不存在散射物質之情況 下，被覆層表面之由 JIS(Japanese Industrial Standard，日 本工業標準）B0601-1994所規定的算術平均粗糙度（以下， 稱作被覆層之表面粗糙度）Ra較好的是30 nm以下，更好的 是10 nm以下，特別好的是1 nm以下。 於此，被覆層之表面亦可具有起伏。再者，起伏與被覆 層之表面粗糙度係不相同者。所謂起伏，係指被覆層之整 個表面之凹凸。另一方面，所謂被覆層之表面粗糙度，係 指被覆層表面之一部分上之凹凸。以下，使用圖式對起伏 加以說明。圖11係表示具有起伏之被覆層之剖面圖。如圖 11所示，被覆層1100形成於透光性基板1〇1上所形成之散 射層102上。被覆層1100之表面具有起伏11〇1。起伏11〇1 具有由連續之一個峰與一個谷所構成之週期。於此， 將峰與谷之向低差稱作起伏高度Ra。起伏週期較好的 是1〇 μΐη以上，更好的是5〇 μιη以上。又，起伏高度以較好 的是0.01 pm以上且5 μιη以下。又，起伏高度尺3相對於起 伏週期RU之比Ra/lUa較好的是超出丨〇χ1〇-4且為3 〇χΐ〇·2 以下。若該比Ra/IUa超出丨.5><1〇·4,則能較好地抑制形成 於較被覆層更上方之反射性電極的鏡面反射性。又，若該 比Ra/RXa為3.0X10·2以下，則能較好地使形成於被覆層上 之透光性電極均勻地形成。 於此，被覆層之一半之厚度⑽）處的散射物質之密产 P21、與距離和散射層相對向之被覆層之背面X⑽<Χ<Γ) 處的散射物質之密度Ρ22滿足pap。。進而，與起伏之谷 139289.doc 200952539 之距離χ(χ$0.2 μιη)處之散射物質之密度p23相對於距離 x=2 μηι處之散射物質之密度p24滿足p24>p23。 再者’只要不損及本發明之目，則亦可於被覆層與透光 性電極之間設置包含一層以上之阻隔膜。作為阻隔膜，較 好的是含有氧、矽之至少任一方之薄膜。作為含有矽或者 氧之薄膜’可使用氧化矽膜、氮化矽膜、氧碳化矽、氧氮 化矽膜、氧化銦膜、氧化辞膜、氧化鍺膜等。其中，當考 慮透光性時’更好的是以氧化矽為主成分之膜。 <透光性電極> 為了將有機層中所產生之光取出至外部，要求透光性電 極（陽極）有80%以上之透光性。又，為了注入較多之電 洞，要求功函數較高者。具體而言，使用IT〇(Indium Tin

Oxide)、Sn02、ZnO、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦 鋅）、AZO(AlUminUm Zinc 〇xide，氧化鋁辞）(Zn〇 Al2〇3 : 摻雜有鋁之氧化鋅）、GZ〇(Gallium Zinc 〇xide，氧化鎵 〇 鋅）(Zn0_Ga203 :摻雜有鎵之氧化鋅）、Nb摻雜Ti〇2、刊摻 雜乃〇2等之材料。陽極之厚度較好的是1〇〇 以上。再 者’陽極之折射率為！·9〜2.2。於此，若增加載子濃度，則 可降低IT〇之折射率。市售之ITO係以1〇 wt%之Sn〇2作為 私準，但可藉由使Sn濃度高於此而降低ιτ〇之折射率。然 而，隨著Sn濃度之增加，雖然載子濃度會增加，但遷移率 及透射率會降低，故而必須維持該等之平衡來蚊^量。 再者’當然：，亦可將透光性電極作為陰極。 作為透光性電極之形成方法，具體說明如下：於基板上 139289.doc -41 200952539 使ITO成膜，且對該IT〇膜實施蝕刻，藉此形成透光性電 極。ΙΤΟ可藉由濺鍍或蒸鍍而於玻璃基板之整個表面上均 勻性良好地成膜。藉纟光微影及姓刻而形成ΙΤΟ圖案。該 ιτο圖案成為透光性電極（陽極）。使用㈣樹脂作為光阻 而進行曝光顯影◊蝕刻可為濕式蝕刻或者乾式蝕刻之任一 者，例如，可使用鹽酸及墙酸之混合水溶液來使汀〇圖案 化。作為光阻剝離材，可使用例如單乙醇胺。 <有機層> 有機層係由電洞注人層、電洞傳輸層、發光層、電子傳 輸層及電子注入層所構成。有機層之折射率為8。 有機層係藉由塗佈法與蒸鍍法之併用而形成。例如，若 有機層之某i層以上係藉由塗佈法而形成，則其他層藉由 蒸鑛法而形成。在以塗佈法所形成之層之後利心鍛法而 形成其上之料’於以蒸鑛法形成有機層之前，進 乾燥硬化。 β <電洞注入層> 為降低來自陽極之電洞注入障壁，電洞注入層 電位之差較小者。來自電洞注入層之带 s炙电極界面之電荷的注 入效率的提高，會降低元件之驅動雷厭 動電壓，且提高電荷之注 入效率。於高分子中，廣泛使用捧 π修雜有聚苯乙烯旖酸 (PSS，P〇ly(卵ene Sulfonate))之聚乙稀二氧嗜吩㈣謝 (polyethylene dioxy thiophene) : pc〇x )，於低分子中，廣泛 使用酞菁系之銅酞菁（CuPc)。 、 <電洞傳輸層> 139289.doc -42- 200952539 電’同傳輸層發揮將自電洞注入層注入之電洞傳輸至發光 層之作用。該電洞傳輸層必須具有適切之游離電位與電洞 遷移率。具體而言，電洞傳輸層可使用三苯基胺衍生物、 N，N’-雙（1_萘基_N，N，·二笨基义丨，聯苯基二胺 (NPD'N^'-bisCl-naphthyO-^N'-di-phenyl-^l'-biphenyl- 4,4’-diamine)、N，N’_ 二苯基 _N，N，_ 雙[N_ 苯基 _队(2 萘基）_ 4'-胺基聯苯基-4-基]-1，ι，_聯苯基 _4,4，_二胺（NpT]E，Ν，Ν,_ ❹ diphenyl_N，N,-bis[N-Phenyl-N-(2-naphthyl)-4，-amin obiphenyl_ 4-yl]-l，l’_biPhenyl-4,4’-diamine)、i，卜雙[(二 甲苯胺基） 苯基]環己烷（HTM2，u — biwdiitobamino)咖㈣] cyclohexane)、以及N，N’-二苯基_N，N，·雙（3_甲基苯基广 二苯基-4,4-二胺（丁1>1)，>^,_叫11叫1_>^，_1^(3_ 瓜以1^11)1^1^1)-1，1’_£141^1^1-4,4’-(141^1^)等。電洞傳輸層 之厚度較好的是10 nm〜150 nm。厚度愈薄，愈可實現低電 壓化，但考慮到電極間短路之問題，特別好的是1〇 nm~150 nm ° <發光層> 發光層提供讓所注入之電子與電洞進行再結合之場所， •且使用發光效率較高之材料。詳細說明如下：用於發光層 .之發光主體材料及發光色素之摻雜材料係作為自陽極與陰 極所注入之電洞及電子之再結合中心而發揮功能，又，向 發光層之主體材料中摻雜發光色素可獲得高發光效率，並 且可轉換發光波長《要求該等材料具有用以進行電荷注入 之適切的能階、化學穩定性及耐熱性優異、能形成均質的 139289.doc •43· 200952539 非曰曰邊薄膜等°又’要求發光色之種類及色純度優異及發 ^率门作為有機材料之發光材料，有低分子系與高分 子系之材料14而，根據發光機構而分類為螢光材料、磷 光材料。具體而言’發光層可列舉三（8-經基噎琳）銘錯合 物（Alq3)、雙（8_經基）喹仙苯氧化物⑷q,2〇ph)、雙（_ 基)喹啉鋁-2,5_二甲基苯氧化物(BAiq)、單(HU•四； 基-3,5-庚。一綱酸）經錯合物（Liq)、單&經基噎琳）鈉錯合物 (Naq)單（2,2,6,6_四甲基_35庚二嗣酸）鐘錯合物、單 (’ ’ ’四甲基-3,5·庚二酮酸）納錯合物以及雙（8_經基啥 啦）㈣合物（Caq2)等料衍生物之金屬錯合物、四苯基丁 二烯、苯基奎叨啉(QD)、蒽、花及謹等螢光性物質。：為 主體材料’較好的是經基料鹽錯合物，特別好的是以8_ 羥基喹啉及其衍生物為配位基之鋁錯合物。 <電子傳輸層> ⑤子傳輸層發揮對自電極所注人之電子進行傳輸之作 用。具體而言，電子傳輸層可使用經基嗜琳紹錯合物 (Alq3)…号二唾衍生物（例如2,5_雙（1_蔡基）^ 3 (BND)及叫第三丁基笨_♦聯苯基⑷M2 (PBD)等）、三唾衍生物、二苯基二氮雜菲衍 生物等。 y羅订 <電子注入層> 要求電子注入層係可提高電子之注入效率者。具體 言’於電子注入層之陰極界面上設置有摻雜有鐘叫、: (Cs)等驗金屬之層。 139289.doc -44 - 200952539 <反射性電極> 反射性電極（陰極）使用功函數較小之金屬或其合金。具 體而言，陰財可列舉驗金屬、驗土金屬以及週期表第^ 族之金屬等。其中，自價格低且化學穩定性良好之材料之 角度考慮，較好的是使用鋁（A〇、鎂（Mg)或者該等之合金 等。又，使用將A1蒸鍍於A〗、MgAg之共蒸鍍膜、[汴:者 於LkO之薄膜蒸鍍膜上而成之積層電極等。又，於高分子 系中，使用鈣（Ca)或鋇（Ba)與鋁（A1)之積層等。再者，當 然’亦可將反射性電極作為陽極。 <第1實施形態> 以下，使用圖式，對本發明之第〗實施形態之有機LED 元件進行說明。 首先，使用圖式，對本發明第丨實施形態之有機led元 件之構造加以說明。圖12係本發明第丨實施形態之有機 LED元件之剖面圖。 本發明第1實施形態之有機LED元件具備：作為電子裝 置用基板之有機LED元件用積層體1200、透光性電極 1210、有機層1220及反射性電極1230。透光性電極121〇形 成於有機LED元件用積層體1200上。有機層丨220形成於透 光性電極1210上。反射性電極1230形成於有機層1220上。 於此，有機LED元件用積層體1200具備透光性基板12〇1、 散射層1202、及被覆層1203。散射層1202含有散射物質 1204 ’且形成於透光性基板1201上。被覆層1203形成於散 射層12 02上，且被覆有自散射層1202之主面突出之散射物 139289.doc -45- 200952539 質1204 。 <第2實施形態> 以下，使用圖式，對本發明之第2實施形態之有機led 元件進行說明。圖13係本發明第2實施形態之有機lEd元 件之剖面圖。再者，以下所記載之實施形態中，對於與上 述實施形態相對應之構成要素，附以相同之符號，省略其 詳細說明。 本發明第2實施形態之有機LED元件具備：作為電子裝 置用基板之有機LED元件用積層體130〇、透光性電極 1210、有機層1220、及反射性電極123〇。透光性電極121〇 形成於有機LED元件用積層體13〇〇上。於此，有機led元 件用積層體1300具備透光性基板12〇1、散射層12〇2、及被 覆層1310。於此’被覆層131〇係由複數個層1311、1312、 1313之積層體所構成。於該情形時，考慮到提高光取出效 率’較好的是構成為滿足如下關係：透光性電極121〇之折 射率S層1313之折射率$層1312之折射率$層1311之折射 率。再者，圖13所記載之被覆層131〇係由三個層民構成， 當然’積層數並不限定於三。此時，如上所述，較好的是 以隨著與透光性電極1210之距離變遠而折射率變高之方式 構成層。 <其他實施形態> 接著’使用圖式’對本發明之有機LED元件用積層體以 及有機LED元件用積層體之其他構成加以說明。再者對 於與上述實施形態相對應之構成要素，附以相同之符號， 139289.doc -46- 200952539 省略其詳細說明。圖14係表示本發明之有機led元件用積 層體及有機LED元件用積層體之其他構造之剖面圖。本發 明之其他有機LED元件係由有機LED元件用積層體1400、 透光性電極1210、有機層1410、及反射性電極1130所構 成。有機LED元件用積層體1400係由透光性基板丨2〇1、散 射層140 1、及被覆層1203所構成。有機層丨41 〇係由電洞 注入·傳輸層Mil、發光層1412、及電子注入.傳輸層1413 所構成。 於此，上述實施形態之有機LED元件之發光層係由兩個 層所構成。兩個層中之任一層個係以發出2色之發光色 (紅、綠）中之任一色之方式形成。然而，本實施形態之有 機LED元件之發光層1412可由一個層構成，該一個層係將 設置於散射層1401内部之複數個散射物質14〇2設為進行紅 色及綠色發光之螢光發光材料（例如填料），藉此僅進行藍 色發光。亦即’根據本發明之有機LED元件之其他構成， 可發揮如下效果：可將發光層設為進行藍.綠·紅色之任一 色之發光的層’且可減小有機lED元件之尺寸。 再者，於上述實施形態中，對以透光性電極與反射性電 極來夾持機層之構成進行了說明，但亦可使兩方之電極為 透光性’從而構成雙面發光型之有機1^0層。 又’本發明之電子裝置用基板（有機led元件用積層 體）並不限定於有機LED元件，在無機仙 (Electf〇luminescence，電致發光）元件液晶等各種發光 裝置、或者光量感測器、太陽電池等受光裝置等的光學裝 139289.doc -47- 200952539 置咼效率化方面有效。 特別對於太陽電池，具有以下效果。當為太陽電池時， 於該電子裝置用基板上形成有透光性電極、光電轉換層及 金屬電極，並且必須配置用於以特定之間隔接觸於透光性 電極之集光電極，由於被覆層之存在而使得表面平滑，故 而可使透光性電極之膜厚儘可能地薄，從而可提高透光性 · 且能提高可靠性。而且，由於該散射層之存在而可將入射 - 至由集光電極所遮光之區域之光高效率地導引至不存在集 光電極之區域’且可於光電轉換層進行光電轉換，故而可 © 大幅提高發光效率。 實施例 <模擬結果> 實把例1為具備本發明之被覆層之有機LED元件，比較 例2為不具備被覆層及散射層之有機LED元件。 (计算方法） 發明者為了獲得散射層之特性而進行光學模擬，調查各 個參數對取出效率造成之影響。所使用之計算軟體係、© OPTIS公司製之軟體SPE()S。本軟體為光線追蹤軟體，同 時，散射層可應用Mie(米氏）散射之理論公式。實際所使 用之有機層之厚度實際上合計為〇】哗至〇 3叫左右但 光線追蹤中，光線之角度即便在厚度改變時亦不會變化， 故而軟體中容許之最小厚度^玻璃之厚度亦根據相 同之理由而設為100㈣。又，為了簡單起見將有機層及 透光性電極分為電子注入.傳輸層及發光層、電洞注入傳 139289.doc -48· 200952539 輸層、以及透錢電極該三個部分來進行計^計算時設 了等之折射率相同，但有機層與透光性電極之折射率為相 5 ,、又之值，不會使计异結果出現較大變換。又，因有機 層較薄，故而經嚴格考慮，因干涉而產生之波導模式成 立’但即便進行幾何光學之處理，亦不會使結果有較大變 因此藉由S十算而推測本次發明之效果已足夠。於有機 層中，自合计之ό個面不具有指向性地出射發光光。將總 光束置設為1〇〇〇 lm，且將光線條數設為10萬條或1〇〇萬條 而進仃計算。自透光性基板出射之光由設置於透光性基板 之上部10 μηι處的受光面所捕獲，根據其照度而計算取出 效率。 以下’將各條件及結果（前表面取出效率）顯示於表i 中。 ~ 139289.doc -49· 200952539 [表i] 實施例1 比較例2 電子注入·傳輸層 厚度(μιη) 1 1 折射率 1.9 1.9 發光層 厚度〇im) 1 1 折射率 1.9 1.9 電洞注入·傳輸層 厚度(μιη) 1 1 折射率 1.9 1.9 被覆層 基材 厚度(μιη) 1 - 折射率 1.9 - 透射率(％) 100 散射物質 - - 散射層 基材 厚度(μιη) 30 30 折射奉 1.9 1.9 透射率(％) 100 100 散射物質 直徑(μιη) 5 - 折射率 1 - 個知@1 mm2) 1527932.516 - 含有率(v〇l%) 10 - 透射率(％) 100 - 透光性基板 - 厚度(μιη) 100 - 折射率 1.54 - 光東 來自前表面之取出條數 811.1/1000 210.4/1000 東自側面之取出條數 47.86/1000 125/1000 前表面取出效率(％) 81.11 21.04 將實施例與比較例之前表面取出效率之結果顯示於圖1 5 中。圖1 5係表示於實施例1與比較例2之條件下自正面觀測 到的結果之示圖。如圖15所示，藉由使用被覆層及散射 層，可將未處理情況下的20%左右之光取出效率提高至 80%左右。 <被覆之確認> 接著，顯示將自散射層之表面突出之固體散射粒子由被 139289.doc -50- 200952539 覆層所覆蓋之情形進行確認後之實驗結果。 首先’準備基板。基板使用旭硝子製PD200。該玻璃之 應變點為570°(：，熱膨脹係數為83><1〇-7(1/。(：）。具有如此高 應變點及高熱膨脹係數之玻璃基板適合於對玻璃玻璃熔料 (frit paste)進行煅燒以形成散射層之情形。接著，準備散 射層用玻璃材料。以使玻璃組成為表2中散射層之組成之 方式將原料進行混合、溶解，並澆碡於報上而獲得薄片。 該玻璃之折射率於d線（5 87.56 nm)處為1.73。接著，將所 獲得之薄片粉碎，以獲得玻璃粉末。將該玻璃粉末、 YAG ·· Ce3+螢光體（化成ορτΟΝΙΧ公司製P46_Y3，重量中 央粒徑6.6 μιη)與有機媒劑（使1 〇 wt°/〇左右之乙基纖維素溶 解於α-松油醇等中而成者）混練，製作出漿墨（玻璃漿料）。 將該玻璃漿料均勻地印刷於上述玻璃基板上，以使煅燒後 之膜厚為30 μηι，以15〇eC使其乾燥30分鐘後，暫時恢復至 室溫’以45分鐘升溫至450°C為止，並保持30分鐘，之後 φ 用17分知使溫度升南至62〇°C為止，然後保持3〇分鐘，隨 後用3小時恢復至室溫。藉此可形成有YAG : Ce3+螢光體 分散層。於該情形時，YAG : Ce3 +之折射率為183，因與 玻璃之折射率不同，故而作為固體散射粒子而舞。豆昭 I Vi ^ > 4 » ' 片顯示於圖16中。如此一來可知，分散於玻璃層中之 YAG : Ce3 +之一部分會露出於玻璃層之表面（參照圖中之 1600)。g於其上已升々成有機LED元件時，有可能會因其之 凹凸而導致電極間產生短路。接著，於該基板上製作成為 表2之被覆層中所示之玻璃組成之玻璃。該玻璃之折射率 139289.doc •51 · 200952539 於d線(587.56 nm)處為U其後以與上述相同之方式製 作玻璃粉末、玻璃漿料，並均勻地印刷於YAG : Ce3+螢光 體分散層上，以使煅燒後膜厚為3〇 μιη，並以15〇β(：使其乾 燥30刀鈿後，暫時恢復至室溫，以45分鐘升溫至它為 止，然後保持30分鐘，隨後用丨7分鐘使溫度升高至 620°C，然後保持30分鐘，之後用3小時恢復至室溫。藉 此’可於YAG: Μ螢光體分散層上形成被覆層。其照片 顯示於圖17中。如此一來，於被覆層之最表面上並未露出 YAG : Ce3+螢光體，從而可獲得平滑之表面。於該情形 時，因不存在上述示例中所見之凸凹，故而即便於其上製 作有機LED元件’亦不會引起電極間之短路。 [表2] 被覆層(mol%) 散射層(mol%) Si〇2 15.2 15 Ba2〇3 30.2 30.5 ZnO 25.3 33 AI2O3 3.6 ~0 Ti03 2.1 ~0 ~ BaO 12.0 11 Bl2〇3 8.6 8.8 L12O 2.8 0 Ce〇2 Γ〇72 0.1 Mn〇2 0 0.1 — Tg(°C) Γ472 493 At(°C) 579 589 ~ 膨脹係數(lO+CT1) *79 卜79 比重 4.5 4.7 ~ 於此，以折射率計（KALNEW光學工業公司製，商品 名：KRP-2)來測定折射率。利用熱分析裝置公司 製，商品名：TD5000SA)藉由熱膨脹法而以升溫速度5<t/ 139289.doc •52· 200952539 分來測定玻璃轉移點（Tg)及屈服點（At)。 <光取出效率提高之確認> 為土板使用上述玻璃基板（旭硝子製pD2〇〇)。 接者’以下述方法製作散射層。以使玻璃組 =成之方式將原料進行&合、溶解，蝴於= 表獲2 :涛片。該玻璃之折射率於樣（587 56㈣處為】7 =，將所獲叙薄片粉碎而獲得玻璃粉末。玻璃粉末之粒

4、D5〇表不，為2 62㈣。將該玻璃粉末、咖e公 司製石夕球S〇-C6(平均粒徑22㈣、與有機媒劑（使W ^ 左右之乙基纖維素溶解於α_松油醇等中者）混練製作出 漿墨（玻璃漿料）。將該玻璃聚料以直徑1〇咖之圓形均句 地印刷於上述玻璃基板上，以錢燒後之膜厚成為％ μηι並以150 c使其乾燥3〇分鐘後，暫時恢復至室溫以 45分鐘升溫至45Gt為止，並保持3()分鐘之後用η分鐘 使溫度升高至62(TC為止’純保持3G分鐘，隨後用3小時 恢復至室溫。藉此’製作出複數個粒子自表面突出之附散 射層之基板。 接著，於一個附散射層之基板上製作被覆層。除所獲得 之玻璃粉末中不含有上述料以外，以與表2之被覆層相 同之玻璃組成及方法而製作被覆層。而且，以與上述相同 之方法，以直徑10 mm之圓形將所獲得之玻璃漿料均勻地 P刷於散射層上，以使膜厚成為2丨，並以15〇它使其乾 燥30分鐘後’暫時恢復至室溫，以扔分鐘升溫至4贼為 止並保持30分鐘，然後用17分鐘使溫度升高至62〇〇c為 139289.doc •53- 200952539 止’其後保持3 0分鐘’之後用3小時恢復至室溫。藉此， 製作出附被覆層之基板’該被覆層被覆有粒子自表面突出 之散射層。 以下，為了便於說明，將不具有被覆層及散射層之基板 稱作「基板」，將粒子自表面突出之散射層未由被覆層所 被覆之基板稱作「無被覆層之基板」，且將具有被覆有粒 子自表面突出之散射層之被覆層的基板稱作「有被覆層之 . 基板」。 於此，測定不具有被覆層之基板及具有被覆層之基板之❹ 表面粗輪度。測定時，使用菱化System公司製三維非接觸 表面形狀測量系統Micromap。測定係於圖18所示之圓形光 月欠射層之二個部位進行，且測定區域為9〇〇 pm2。以圖B 斤示之兩個對角線（42.3 pm)來測定一個區域内之粗糖度。 起伏之截止波長設為1 〇 μιη。將無被覆層之基板之測 疋結果顯示於表3中’將有被覆層之基板之測定結果顯示 於表4中。如此一來，可藉由設置被覆層而使與透光性電 極層之接觸面平滑化。 ❹ [表3] 測定線 ----- Ra(nm) I 13.50 ~ 15.49 20.00 11.84 ' I 12.28 II 33.54 測定位置 139289.doc -54- 200952539 [表4] 測定位置 測定線 Ra(nm) 1 I 0.39 II 0.48 2 I 0.42 II 0.47 3 I 0.75 II 0.76 接著，對光取出效率進行測定。

按以下順序，準備基板、無被覆層之基板、及有被覆層 之基板，製作OLED元件。首先，將ITO(IndiumTinOxide) 作為透光性導電膜，利用DC(Direct current，直流電）磁控 濺鍍而於被覆層、散射層及基板上以150 nm進行遮罩成 膜。成膜後之ITO之寬度為2 mm，長度為23 mm。接著， 進行使用有純水之超音波清洗，其後以準分子UV (ultraviolet，紫外線）裝置來照射紫外線，使表面淨化。接 著，使用真空蒸鍍裝置，蒸鍍100 nm之a-NPD(N,N·-二苯 基-N，N'-雙（α-萘基-1，Γ-聯苯基-4,4’-二胺）、60 nm之 Alq3(三（8-經基喧琳）銘）、0_5 nm之LiF、及80 nm之A1。 此時，α-NPD與Alq3係使用遮罩而形成直徑為12 mm之圓 形圖案，LiF與A1係使用與ITO圖案正交之寬度為2 mm之 遮罩而形成圖案，從而完成元件。之後立即進行特性評 價。 以下，使用圖式對特性評價之結果進行說明。 圖20至圖22表示施加有0.6 mA時之發光情形。圖20係表 示由不具有散射層及被覆層之有機LED元件構成之發光元 件之發光情形的照片。由該圖可明顯確認，不具有散射層 139289.doc -55- 200952539 及被覆層之發光元件僅於IT〇、A1重合之部分（2 _□)發 光。圖21係表示不具有被覆層、具備粒子自表面突出之散 射層之發光元件之發光情形的照片。由該圖可明顯確認， 並未觀察到具備粒子自表面突出之散射層但不具有被覆層 =發光兀件之發光。圖22係表示具備散射層及被覆層之發 光元件之發光情形的照片。由該圖可明顯確認，具備散射 層及被覆層之發光元件除了於ΙΤ〇、Αι重合之部分上 mmci)以外還於整個散射層上發光。 接著，圖23表示電壓與電流之關係。如圖23所示，無散 © 射層之元件與有被覆層及散射層之元件的電流電壓特性大 致致，與此相對，可確認無被覆層之元件於低電壓區域 之漏電以及於高電壓側之高電阻化。冑於無被覆層之元 件，一般認為因散射層中之矽土粒露出於表面上，使得於 低電壓區域產生電極間漏電，之後，於電壓較高之狀態 下，漏電部會因焦耳熱而破損，從而變為高電阻化。另一 方面可知，因於具有被覆層之散射層上所製作之元件與無 散射層之元件的電流·電壓特性大致一致，故而散射層上❹ 具有破覆層之元件之漏電電流被抑制為與無散射層之元件 相等。 接著，測定電流亮度特性。圖24係表示電流與光束之關 係之圖表。如圖24所示，當為具備未由被覆層被覆之散射 層之tl件時，未確認發光。另一方面，當為具備由被覆層 被覆之散射層之元件以及無散射層及被覆層之元件時，亮 度與電流值成比例。有被覆層之元件之電流效率為244 139289.doc -56 - 200952539 cd/A，而無散射層及被覆層之元件之電流效率為185 cd/A。因此，有被覆層之元件之光取出效率較無散射層及 被覆層之元件的光取出效率而改善倍。 再者，本次之實驗中，用於散射層之材料有若干著色。 因此，根據發明者之經驗，一般認為藉由改善著色而可進 一步改善光取出效率。 <鏡面反射之減少之確認> 接著，顯示藉由使用具有起伏之被覆層而使反射性電極 之鏡面反射減少之情形進行確認後的實驗結果。 使用起伏不同之8種試樣對起伏及反射進行評價。起伏 之評價中’使用附散射層之玻璃基板，且藉由東京精密製 SURFCOM1400D而進行測定。於此，長波長截止值設為 2.5 mm。 再者’由於被覆層係形成於散射層之正上方，故而被覆 層之形狀與散射層之形狀大致相同。亦即，若散射層具有 起伏，則被覆層亦具有相同之起伏。因此，於本實驗中， 並不使用具有起伏之被覆層而是使用具有起伏之散射層來 進行判斷。 首先，準備玻璃基板。 接著，準備包含四種不同組成之玻璃來作為散射層。作 為附散射層之玻璃基板A之散射層的玻璃組成，使用有以 表記為 P2〇5 : 23.1%、B2〇3 : 12%、Li20 : 11.6%、 Bi2〇3 : 16.6%、Ti02 : 8.7%、Nb205 : 17.6%、及 W03 : 1〇·4%。附散射層之玻璃基板a之玻璃轉移溫度Tg為 139289.doc -57- 200952539 499°C。作為附散射層之玻璃基板B之散射層的玻璃組成， 使用有以mol%表記為 P2〇5 : 23.1%、B203 : 5.5%、Li20 : 11.6%、Na20 : 4%、K20 : 2.5%、Bi203 : 16.6%、Ti02 : 8.7%、Nb205 : 17.6%、及 W03 : 10.4%。附散射層之玻璃 基板B之玻璃轉移溫度Tg為481°C。作為附散射層之玻璃基 板C之散射層的玻璃組成，使用有以mol%表記為Si02 : " 5.1%、B2〇3 : 24.4%、Pb304 : 52.37%、Ba〇 : 7.81%、 -

Al2〇3 : 6.06%、Ti02 : 2.71%、Ce02 : 0.41%、Co3〇4 : 0.48%、Μη02 : 0.56%、及 CuO : 0.26%。附散射層之玻璃 〇 基板C之玻璃轉移溫度Tg為465°C。作為附散射層之玻璃基 板D之散射層的玻璃組成，使用有以mol%表記為p2〇5 ·· 15.6%、B2〇3 : 3.8%、W03 : 41.8%、Li2〇 : 13.5%、

Na203 : 8.6。/。、K20 : 2.3% ' 及 BaO : 14.4%。附散射層之 玻璃基板A之玻璃轉移溫度Tg為445。(：。 使用上述玻璃而加工成玻璃粉末，進而與樹脂混合來製 作漿料，並印刷於玻璃基板上之後，以53〇〜58〇〇c進行煅 燒。如此調整煅燒條件，從而製作出起伏之粗糙度Ra及起 〇 伏之波長RXa不同的7種附散射層之玻璃基板。再者，亦準 備好用於比較之無散射層之平坦的玻璃基板。 ‘ 於此，作為用於反射評價之試樣，使用有於附散射層之 玻璃基板上進-步以真$蒸鑛而成膜出8〇⑽之姆。作 ' 為原本之有機LED元件之構造，於散射層上積層有透光性 電極並於，亥透光性電極上積層有電洞傳輸層發光層電 子傳輸層等有機層，進而於其上積層有電極之⑽，但此 139289.doc -58- 200952539 處因用於進行目測評價從而省略去透光性電極與有機層。 有機層共計亦不過為數1〇〇 nm左右之厚度，且跟隨於散射 層之凹凸，故而有機層之有無並不會對表面之起伏造成影 響，因此即便省略亦不會有問題。 反射評價之方法如下：將直徑為0.5 mm之自動鉛筆之芯 配置於評價樣品之約5 mm上，判斷可否看到歪斜之反射至 A1表面之芯的像。對a〜f之6個樣品實施該評價。

評價結果為，看到歪斜之自動鉛筆之芯的情形記為〇， 看到筆直而未歪斜之芯的情形記為X，難以判斷之情形記 為A。 將結果顯示於表5中。 [表5]

No. 散射層 玻璃 煅燒溫度 起伏評〃 償 反射(鏡面反射性)評價 Ra [μιη] Rla [μιη] Ra/R^a a b C d e f 1 A 550〇C 3.438 152 0.0226 〇 〇 〇 〇 〇 〇 2 A 560〇C 2.571 215 0.0120 〇 〇 〇 〇 〇 〇 3 A 570〇C 2.441 236 0.0103 〇 〇 〇 〇 〇 〇 4 B 550〇C 4.361 457 0.0095 〇 〇 〇 〇 〇 〇 5 A 580〇C 1.663 298 0.0056 〇 〇 〇 〇 〇 〇 6 D 530〇C 0.331 335 0.0010 〇 〇 〇 〇 〇 〇 7 C 550〇C 0.028 140 0.0002 〇 〇 〇 〇 Δ 〇 8 玻拜 1基板 0.001 6 0.0001 X X X X X X 以上，如表5所知，與作為比較例之樣品N 〇. 8相比，可 判斷樣品No.1〜Νο·7中全部觀察到了歪斜之自動鉛筆之 芯。藉此可確認，於起伏高度Ra相對於起伏週期RAa之比 Ra/IUa超出Ι.ΟχΙΟ·4且為3·〇χ10_2以下時，反射減少。亦 即，可知因起伏而可減少反射即鏡面反射性。 139289.doc -59- 200952539 表5中，在起伏高度Ra相對於起伏週期RAa之比Ra/RAa低 於Ι.ΟχΙίΓ4之情況下，當IUa較大時、或者起伏高度Ra較小 時，無法充分地減少反射。同時考慮到人眼之解析度，起 伏週期RAa較理想的是約大於50 μιη。實際上於試樣No.8之 玻璃基板中，雖然該比Ra/RAa之值1·〇χ10_4處於上述範圍 内，但RAa小於6 μιη，人眼無法看到，故而無法減少反 射。 又，在該比Ra/RXa超出3.〇xl0_2之情況下，當起伏之粗 糙度Ra較大時，無法使電極或者有機層均勻地成膜，故而 難以形成裝置。 因此，如上所述，較理想的是RAa>50 μιη且Ra/RAa之值 超出1.0><1〇-4且為3.0><10_2以下。又，即便1^&>1〇4111且 Ra/IUa=l.〇xl(T5〜Ι.ΟχΙΟ·1，亦可大致減少反射即鏡面反射 性。 接著，測定表5中所示之試樣之擴散反射比。 測定中，使用PERKIN ELMER公司製之LANBDA 950。 對樣品No.1〜6進行測定之結果為，樣品No.1之擴散反射 比為98%，樣品No.2之擴散反射比為85%，樣品No.3之擴 散反射比為83%，樣品Νο·4之擴散反射比為72%，樣品 Νο_5之擴散反射比為60%，樣品Νο.6之擴散反射比為 43%。若對任一者之擴散反射比之第1位數進行四捨五 入，則任一樣品之擴散反射比均將超出40%。由此可知， 能減輕反射。因此，就擴散反射比之結果而言，亦可獲得 與鏡面反射性之評價結果大致相同之結果。 139289.doc • 60- 200952539 反射性if說明，當使用反射性電極時，於不發光時，因 情況。^極之鏡面反射而有導致產生反射從而有損美觀之 射。由使用本發明之具有起伏之被覆層而可抑制反 ^根據本發明’可提供—種以抑制表面上所形成之電 丁教置之電極間短路、羞侖 .,b 峪可叩長、有效面積大的有機LEO元 仟马代表的電子裝置。 又可提供—種包含有機咖元件用積層體之電子 ^古基板’其可藉由以玻璃來構成散射層而實現穩定性 :強度性，且與原本之包含玻璃之透光性基板相比厚度 並未增大而散射性優異。 再者，於以上說明中，對有機㈣元件用積層體所說明 之所有的構成可應用於以太陽電池、無機EL元件為代表之 電子裝置用基板。 本案係基於2_年3月18 "請之日本專利中請案（日本 利特願2〇08·069841)以及2008年11月28日申請之日本專 利申請案（日本專利特願2_则丨83)者，其内 而引入於此。 …… 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之有機led元件用積層體及有機LED元 件之構造之剖面圖； 圖2係表示光取出效率（％)與散射物質之含有率之 關係之圖表； 圖3係表示光取出效率（％)與散射物質之折射率之關係之 139289.doc * 61 - 200952539 圖表； 圖4係表示光取 關係之圖表； 放率（％)與散射物質之含有率（vol%)之 圖5係表示光取 關係之圖表； ：：（％)與散射物質之個數（個/mm2)之 圖6係表示光取山丄 mmt%)之關係之圖表效率（％)與散射層基材之透射率 圖7係表示光取屮 出效率（％)與陰極 圖表； 之反射率（％)之關係之 圖8係表示出 射率之關係的圖1至散射層之光之比例與散射層基材之折 圖=長、散射層及基材折射率之_之圖表； 與受光面照度之關係之模擬結果； ，、不具有起伏之被覆層之剖面圖； 圖12係本發明$筮 . 月之弟1實施形態之有機LED元件 圖， 圖13係本發明之第2實施形態之有機LED元件 圖； 之剖面 之剖面 圖14係表示本發明之其他實施形態之有機LED元件 面圖； 圖1 5係於例1與例2之條件下自正面觀測之結果； 之剖 圖16係表示粒子之一部分自 片； 散射層之表面突出之剖面照 圖17係表示自散射層表面突出之—部分粒子由被覆層所 139289.doc •62· 200952539 覆蓋之剖面照片； 圖18係表示測定部位之示圖； 圖19係表示測定範圍之示圖； @ 20係表示不具有散射層及被覆層之有機LED元件（發 光元件）之發光情形之照片； 圖21係表示不具有被覆層而具備粒子自表面突出之散射 層之發光元件之發光情形的照片；

圖22係表示具備散射層及被覆層之發光元件之發光情形 之照片； 圖23係表示電壓與電流之關係之圖表；及 圖24係表示電流與光束之關係之圖表。 【主要元件符號說明】 100 、 1200 、 1300 、 1400 有機LED元件用積層體 101 、 1201 透光性基板 102 、 1202 、 1401 散射層 103 、 1203 、 1310 被覆層 104 、 1204 、 1402 散射物質 110 、 1210 透光性電極層（透光性電 120 、 1220 、 1410 有機層 121 電洞注入層 122 電洞傳輸層 123 ' 1412 發光層 124 電子傳輸層 125 電子注入層 ❹ 139289.doc -63· 200952539 130 、 1130 、 1230 反射性電極 1100 被覆層 1101 起伏 1311 、 1312 、 1313 層 1411 電洞注入·傳輸層 1413 電子注入·傳輸層 139289.doc •64·

Claims (1)

1. 200952539 七、申請專利範圍： 1. 一種電子裝置用基板，其具備： 透光性基板； 散射層’其設置於上述透光性基板上，且包含玻璃； 被覆層，其設置於上述散射層上；及 '散射物質，其存在於上述散射層及上述被覆層之内 .部’且不存在於上述被覆層之表面。 2. 如請求項1之電子裝置用基板，其中 ® 上述被覆層之表面具有起伏，該起伏高度Ra相對於起 伏週期RAa之比Ra/RAa超出1·〇χ1(Γ4、且為3.〇χΗΓ2以下。 3. 如請求項1或2之電子裝置用基板，其中 上述散射物質為氣泡。 4. 一種有機LED元件用積層體，其具備： 透光性基板； 散射層’其設置於上述透光性基板上，且包含玻璃； 被覆層’其設置於上述散射層上；及 參 複數個散射物質，該等散射物質以橫跨上述散射層與 上述被覆層之界面之方式存在，且未自上述被覆層之主 表面突出。 5. 如請求項4之有機LED元件用積層體，其中 上述被覆層之上述主表面之算術平均粗糖度小於上述 散射層之與上述被覆層相對向的主表面之算術平均粗缝 度。 6. 如請求項3或4之有機LED元件用積層體，其中 139289.doc 200952539 上述被覆層之上述主表面之算術平均粗糙度為3〇 nm 以下。 7. —種有機LED元件用積層體，其具備： 透光性基板； 散射層，其設置於上述透光性基板上，具有主表面， 且包含玻璃，該主表面具有第i算術平均粗糙度；及 被覆層’其設置於上述散射層之上述主表面上，且具 有主表面，該主表面具有相較上述第丨算術平均粗糙度 更小之第2算術平均粗糙度。 8-如請求項4之有機LED元件用積層體，其中 於上述有機LED元件用積層體上所搭載之發光裝置之 發光波長中的至少一種波長中，上述被覆層之折射率為 1.7以上。 9. 如請求項4之有機LED元件用積層體，其中 上述散射層之折射率大於上述被覆層之折射率。 10. 如請求項4之有機LED元件用積層體，其令 上述散射層之折射率與上述被覆層之折射率相同。 11. 如請求項4之有機LED元件用積層體，其中 上述散射層係由複數個層所構成之積層體。 12. 如請求項4之有機LED元件用積層體，其中具備有設置於 上述被覆層之上述主表面上之透光性電極層。 13·如請求項12之有機LED元件用積層體，其中 上述被覆層係由複數個層所構成之積層體，該等 個層隨著與上述透光性電極層之間之距離變遠而折 139289.doc 200952539 變高。 14. 一種有機LED元件用積層體之製造方法，其具備如下步 驟： 準備透光性基板； 於上述透光性基板上形成含有散射物質且包含玻璃的 散射層；及 ‘於上述散射層上形成不含有上述散射物質的被覆層。 15. 如請求項14之有機LED元件用積層體之製造方法，其中 m 形成上述散射層之步驟係塗佈含有上述散射物質之玻 璃熔料（frit paste)玻璃熔料（frit paste)並進行煅燒、或者 對含有上述散射物質之生胚片材進行壓接並煅燒之步 驟； 形成上述被覆層之步驟具備塗佈不含有上述散射物質 之玻璃熔料（frit paste)並進行煅燒、或者對不含有上述 散射物質之生胚片材進行壓接並煅燒之步驟。 0 16·如請求項15之有機LED元件用積層體之製造方法，其中 形成上述散射層之步驟中之煅燒步驟與形成上述被覆 層之步驟中之煅燒步驟被同時實施。 17. —種電子裝置，其具備： 透光性基板； 散射層，其設置於上述透光性基板上，且包含玻璃； 被覆層，其設置於上述散射層上； 透光性電極層，其設置於上述被覆層上； 複數個散射物質’該等散射物質以橫跨上述散射層與 139289.doc 200952539 上述被覆層之界面之方式存在，且不存在於橫跨上述透 光性電極層與上述玻璃層之界面；及 功能層，其設置於上述透光性電極層上。 18. —種有機LED元件，其特徵在於具備： 透光性基板； 散射層，其設置於上述透光性基板上，且包含玻璃； 被覆層，其設置於上述散射層上； 透光性電極層’其設置於上述被覆層上； 複數個散射物質，該等散射物質以橫跨上述散射層與 上述被覆層之界面之方式存在，且不存在於橫跨上述透 光性電極層與上述玻璃層之界面； 有機層’其設置於上述透光性電極層上；及 反射電極’其設置於上述有機層上。 19. 如請求項18之有機LED元件，其中 上述被覆層之與上述透光性電極層接觸的主表面之算 術平均粗糙度係小於上述散射層之與上述被覆層接觸的 主表面之算術平均粗糙度。 20. 如請求項18或19之有機LED元件，其中 上述被覆層之上述主表面之算術平均粗链度為3〇 nm 以下。 21· —種有機LED元件’其特徵在於具備： 透光性基板； 散射層’其設置於上述透光性基板上，具有主表面， 且包含玻璃，該主表面具有第1算術平均粗糙度； 139289.doc 200952539 被覆層，其設置於上述散射層之上述主表面上，且具 有主表面，該主表面具有相較上述第丨算術平均粗糙度 更小之第2算術平均粗轎度； 透光性電極層，其設置於上述被覆層之上述主表面 上； 有機層’其設置於上述透光性電極層上；及 反射電極’其設置於上述有機層上。 22. —種有機LED元件之製造方法，其特徵在於具備如下步 驟： 準備透光性基板； 於上述透光性基板上設置含有散射物質且包含玻璃的 散射層； 於上述散射層上設置不含有上述散射物質的被覆層； 於上述被覆層上設置透光性電極層； 於上述透光性電極層上設置有機層；及 於上述有機層上設置反射電極。 23. 種有機LED元件用積層體，其特徵在於具備： 透光性基板； 第1層’其設置於上述透光性基板上； 玻璃層，其設置於上述第1層上；及 複數個散射物質，該等散射物質以橫跨上述第丨層與 上述玻璃層之界面之方式存在，且未自上述玻璃層之主 表面突出。 139289.doc