TW200947765A - Method for producing a plurality of radiation-emitting components and radiation-emitting component - Google Patents

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200947765 六、發明說明： [優先權之主張] 本申請案主張德國專利申請案DE 10 2008 010 510.4 和德國專利申請案DE 10 2008 014 927. 6之優先權，該等 專利申請案所揭示之内容併入本案作為參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於生產複數個輻射線發射元件之方法，及 輻射線發射元件。 【先前技術】 ◎ 輻射線發射元件為一種可發射離子化輻射線 (ionizing radiation)之裝置。在先前技術中，已有許多 方法可用來生產複數個輻射線發射元件，然而，這些方法 所生產的複數個輻射線發射元件彼此之間未能具有良好的 分離性（separability)。 【發明内容】 至少一個實施例之目的係詳細說明生產複數個輻射線 ◎ 發射元件之方法。再者，至少一個實施例之目的係詳細說 明輻射線發射元件。 藉由於獨立請求項中之方法和物品之方式，而達成這 些目的。該方法和物品之有利的實施例和發展的特徵描述 於附屬請求項中，而且經由下列之詳細說明該方法和物品 將變得清楚易懂。藉由參照此詳細說明而明確實現了本發 明申請專利範圍所揭示之内容。 依照一個實施例，一種用以生產複數個輻射線發射元 4 94618 200947765 件之方法，該方法包括下列方法步驟： A) 提供具有複數個安裝區之載體層，其中該等安裝區藉 由多個分離區而彼此分離； B) 施加夾層於該等分離區； C) 施加各自的輻射線發射裝置於該複數個安裝區之每一 者； D) 施加連續的封裝層（potting layer)於該輻射線發射 裝置和該等分離區； 〇 E) 於第一分離步驟中，將該載體層之分離區中之封裝層 分割並且將該載體層之分離區中之夾層部分地分割； F) 於第二分離步驟中，將該夾層部分地分割並且將該載 體層分割，其中，該第一分離步驟和該第二分離步驟 將該夾層完全分割。 於此情況，事實上第一層、第一區或第一裝置被配置 或施加“於第二層、第二區或第二裝置上”意味著於此處 ^ 和下文中第一層、第一區或第一裝置直接以直接機械及/ 或電性接觸的方式配置或施加於該第二層、該第二區或該 第二裝置上或者相關於另外二個層、區或裝置。再者，亦 能指定為間接接觸，其中另外之層、區或裝置被配置於第 一層、第一區或第一裝置與第二層、第二區或第二裝置或 者另外二個層、區或裝置之間。 此處和下文中“分離（separating)” 、“分割 (severing)”或“分隔（separation)”意味著層或區形狀 之變更，亦即此層或區的局部並未結合。於分離、分割、 5 94618 或分隔期間，居 沉，分離、分判:&之邵分被分離以改變复 如:分裂(二TTm由非機械方t於此情 達到效果，並1機❹卫移除材料_ 方式（例 I且恩指能夠傕闲、备人 乂瑪蝕移除材料) 除材料或腐U移除材料==用來分裂 '機器加工移 由本文中所說明*、、二離工具而改變層或區之形狀。 由本文令所說明方法:Γ具' ::轄射線發射區，相較於用射線發射元件之 方法而言能約改善録 產射線發射元件的已 〇 (separability)。於”線發射區彼此間的分離性 層上的輻射線發射元二=在兩個位於該載體 改善至少兩個輕射線發射元件:=之夹層可在品以 區，分離軌置從鄰近以介於其間之安裝 罢隋况該等安裳區具有轄射線發射元件之輕射線發 卜、°由㈣料成分之關係’施加於該輕射線發射裝置 上之封裝層於其物理性質上㈣與載朗刊，例如：硬 度、僵硬性（stiffness)、強度、延展性、破裂細度或密度， 因此必須藉由二個分離步驟和二個不同之分離工具使得至 ^二個輻射線發射元件彼此分離。 _於習知方法中，從（例如）該封裝層直接轉換至具有不 同硬度之載體層可能造成適用於該封裝層之分離工具由於 衝撞該載體層而損壞且變得無法使用。能夠藉由於二個輻 射線發射元件之間之分離區中將夾層配置於該載體層與封 裝層之間而防止該分離工具喪失功能，該封裝層能夠藉由 適用於分隔載體層之分離工具以及藉由適用於分隔封裝層 94618 6 200947765 . · 之分分割，並因此作為緩衝或保護層。 '個貫施例中’於各情 該第二分離步驟中能雜…第”離步騾和 步驟Ε)和F)能夠赌H 實施分離。此意味著方法 再者，為了松缺_作為早一分離工具而完全地實施。 不同的性質以分離該層可=層以及該封裝層本身 工移除材料之分離卫具之^ ^使祕子作為關聯於加 Ο ^絲以較低成本以量產複數個輻射線發射元件。 者，依照第-分離步驟可以藉由第—鑛片“ 驟^ ^施分離1此第—分離步驟中，為了依照方法步 層之分ΓΓ中載Π之f離區中之封装層分割並且將該載趙 分割該封驻JS甘+ 兄第一鋸片尤其適用於 分割。該封裝層於第一分離步驟期間被完全 ❿ 佯護之方法中’因為必須保留小部分之封裝層作為 損壞，故於第-分及與此相關片 割該封裳層。然而，於此产冑片不能夠完全分 能沉積在分離邊心清/兄，因為該封裝層之殘餘物可 期間發生脫落，故小部分之保=兀=之進一步加工 離步驟。於已知之生產方法+裝層證實不利於第二分 發射元件的汙半，而f 此情況會導致該等輻射線 發射元件木而需於額外的清理步驟中清理該輕射線 94618 200947765 此外，於已知方法中，該封裝層之殘餘物於第二分離 步驟期間亦能夠沉積於該鑛片上，使得該雜片逐漸變純而 導致該鋸開結果之損害。該鋸片能夠包括嵌入於塑膠基 體、金屬基體、或者陶瓷基體内之金鋼石磨粒（diam〇nd grain)，並且於剛開始實施鋸開時仍具有足夠的銳利度。 於鋸開期間，變鈍之金鋼石磨粒可能弄破該塑膠基體而因 此顯現出新的、銳利的金鋼石磨粒。在已知生產方法中， 由於該封裝層之殘餘物沉積在該新的、銳利的金鋼石磨粒 上可能導致該鋸片逐漸變鈍。 . ❹ 藉由將介於該封裝層和該載體層之間的夹層根據本發 明進行配置，可能製成完全分離之封裝層，使得該第二鋸 片上的封裝層殘餘物大大地減少，而能夠達成改善之分離 結果。 依照另一實施例，能夠藉由不同於該第〆鋸片之第二 鋸片實施第二分離步驟。於此情況，第二鋸片同樣地部分 分割該夾層並且完全分割該載體層。此意味著該第一鋸片 和該第二鋸片二者皆能夠分割該夹層而不會因為例如第一 〇 鋸片衝撞該載體層而損壞。 " 再者，該第一和該第二鋸片能夠具有相同的厚度。於 此情況，該第一和該第二鋸片能夠各具有5〇 #mi35〇 # m之厚度。由於該第一和該第二鋸片之均勻摩度，所以能 夠於該第一或該第二分離步驟後至少實質上或完全地避免 該等分離區之不平坦。 再者，於方法步驟C)之前，於各情況皆有至少—個電 8 94618 200947765 . 性接觸層能夠施加於該载體層之複數個 況，該至少一個電性接餓A 匕亍。於此情 線辦置之二 =層作為與，载體層上之輻射 (例如)導體路押… 載體層上成形作為 ⑼如；㈣H此目的，該等輻射線發 一 者皆能夠（例如）具有電極，該母 料射緣發射裳置之每-者皆能夠施加至1=裝=: 至乂個電性接觸層。為了製作反向接觸 °° ο =—_contact_making)，該等輕射線發 置有（例如）電極’該電極與該載體層她 1此夠权 極能夠（例如）經由接合導線電性連接至 ’、’且該電 觸層之其中一者。作為此情況之替代方：广個電性接 置能夠於各情況藉由已知稱之為製作射線發射敦 (^l'flop~conta^ 區域中之至少二個導電體路徑上。 …#女裝 ο 者由觸層能夠包括相同的材料或 者由，、該夾層相同的材料組成。 括與該至少一個電性接觸層相 ^該夹層月匕夠包 鎢、钥、或金或者以卜替社 十4(例如：銅、錄、銀、 或者上述材料之層序^，該ΓΓ百f比之合金或混合物， 能夠同時施加於方法步驟B)n電性接觸層和該史層 第一 η:體層能夠具有第-硬度，該夾層能夠具有 ^一硬度，而該封裝層能夠具有第三硬度，其中該第一硬 ，能知於，第二硬度而該第二硬度能夠高於該第三硬 度。如此一來，該封裝層能夠具有低於該夾層之硬度，其 94618 9 200947765 中該夾層能夠依次具有低於該載體層之硬度。 於此情況，用於載體層之材料包括例如陶瓷材料、半 導體材料（例如：能約於表面上進行氧化之石夕或金屬），或 者塑膠能夠藉由高硬度來作區別。於此情況，陶竟材料能 夠（例如）包括氮化鋁（A1N)和/或氧化鋁（Ah〇3)或者由此 化合物所組成。 、 〇 依照另一個實施例，至少_個光阻、一個阻焊劑或者 一個金屬能夠使用於夾層，其中該金屬能夠選自銅、金、 銀、鎮、、師錄以及該等金屬之合金和混合物和層序列之 :中至> 者。此等金屬能夠具有低於該載體層之硬度， 並且因此能夠較該載體層為軟。此等材料更同樣可能= 該夾層不僅能夠由最適合用以分割具有最低相對硬度之封 裝層之第-鑛片進行分割’而且亦可由適合用以分右 最高相對硬度之載體層之第二鋸片進行分割。ϋ，、 依照另-個實施例，該封裝層能夠包括石夕氧立 (例如）選自甲基系、苯基系和/或與氟化合之石夕氧烧。-糸 〇 。⑽。用魏絲封裝能夠=:(::··高物 鏡之光學元件’糊 94618 10 200947765 « 層之一部份，較佳係直接配 射線發射裝置上方。 f在該幸時線發射元件中的輻 於封裝層中，優先使用具有肖式回跳硬 hardness)肖A60至肖A90之甲其功又Cbhore 具有肖式回跳硬度肖A70至肖二且二先使用 曱基矽氧烷。 有回材料穩定性之 =文中所說明之方法所生產之輻射線發 Ο ❾ 於包括阻焊劑或光阻之夾芦μ 2说封裝層之石夕氧燒黏著 上為佳。===較黏著於包括金屬之央廣 裝層之殘留物對於分離區之媒黏著能夠減少該封 -另-個實施例，:::層所:=呈染現起 :體:藉由於方法_)中施加該夹層而予起該 θ之起伏㈣藉㈣彳如❹彳枝、祕方法 由光學方法而判定。較佳的情況是 5 s 藉由感測方法於載趙層之5至10個點判載定體層之起伏能夠 於方法步驟β)施加夹層於該载體層之過程 夠渗，平坦處並 於或至小蓉料疋 之厚度較佳係能夠大 伴護或紅最大減。簡絲之央層作為 體層大大有助於避免因為該第一錯片衝撞該戟 所使用之射4 71峰於自賴造紅触。雜該載體層 施加之至5〇⑽而使得所 厚度具有5至50 —之突起（較佳為5至 94618 11 200947765 20 am)，超過該載體層之最大起伏頂峰。於此情況，可以 光化學方法施加該夾層。 為了藉由上面已經提及的方法判定該載體層之起伏， 依照另一個實施例，於方法步驟A)該載體層能夠以配置於 薄膜上之方式設置。為此目的，該載體層可黏接及於此情 況（例如）層疊於該薄膜上。該薄膜能夠有利地使得該載體 層可能承壓在近乎完全平坦的區域上，並且能夠包括多種 材料（例如：氯化聚乙烯（PVC、（PET)、或聚烯烴（P0))。該 夾層、該複數個輻射線發射裝置及該封裝層能夠接著於方 〇 法步驟B)、C)及D)中實施於相關於該薄膜之載體層之相對 表面上。 再者，該薄膜能夠於方法F)中的第二分離步驟中至少 部分被分割，其促使所生產之平面能夠維持於進一步生產 方法。 依照一個實施例之輻射線發射元件尤其包括： -具有安裝區之載體層， 0 -配置在該安裝區中的輻射線發射裝置，以及 -於該輻射線發射裝置上的封裝層， -其中，夾層配置鄰近介於該載體層與該封裝層之間之安裝 區。 於此情況，該封裝層被配置或施加“於輻射線發射裝 置上”意味著於此處或下文中該封裝層係以直接機械接觸 直接地配置或施加在該輻射線發射裝置上。再者，亦能指 定間接接觸，將另外的層配置於該封裝層和該輻射線發射 12 94618 200947765 裝置之間。 與介於該載體層與該封裝層之間之安裝區相關之夾層 的鄰近配置意味著於此處或下文中該夾層可配置成與 該安裝區直接接觸，而使得該夾層和該安裝區直接靠近彼 此。再者，亦能指定間接接觸，將另外的層或區配置於該 安裝區和該失層之間。 此種輻射線發射元件能夠具體實施為半導體元件，較 佳係如同發光二極體晶片或者雷射二極體晶片。 〇 再者，此種輻射線發射元件能夠藉甴（例如）表面安裝 技術女裝於如印刷電路板之表面。由此，該印刷電路板可 能具有非常密集之元件數（該印刷電路板兩側之主要元件 數）。 此種辕射線發射元件能夠進一步達成JEDEC-1( Joint

Electron Device Engineering Council)標準，意味著此 種輕射線發射元件為了免於受到進入之濕氣和氧化作用之 ❹杈害，不能包裝和儲存於所謂的“乾包裝（dry pack)，， 中而月匕夠儲存於本生產方法之環境中。舉例來說，於回 焊方法（ref low meth〇d)中將該等輻射線發射元件之銲點 配置於導體路徑上不會導致該輻射線發射元件破裂和該韓 射線發射7L件之諸層之分解（稱之為“爆玉米花效應 (popcorning effect)”），因此能夠大大地避免該輻射線 發射元件中濕氣的累積。 依照另一個實施例，該失層可環繞該安裝區。此意味 著該安裝區由至少二個表面之夾層所界限。再者，此意味 13 94618 200947765 著配置於該安裝區中之輻射線發射裝置由至少二個表面之 夾層所環繞。該夾層環繞該輻射線發射裝置之區域亦可指 _ 定為分離區。 依照另一個實施例，至少一個電性接觸層能夠至少施 加於該載體層之安裝區。於此情況，該至少一個電性接觸 層係用以自下方與該輻射線發射裝置電性接觸，並且能夠 成形為底部電極（例如：導體路徑）。為了產生反向接觸， 該輻射線發射裝置可設置有頂部電極，該頂部電極能夠包 括（例如）接合線。 ® 因此，該輻射線發射元件能夠另外具有如更先前所述 之一個或更多個特徵，例如：該電性接觸層之材料、該等 層之不同硬度和/或用以個別成形該等層之材料。 以下所述之範例實施例結合圖式，將使得用以產生複 數個輻射線發射元件之生產方法及輻射線發射元件之其他 優點、較佳實施例及發展變得清楚易懂。 【實施方式】 ^ 第1A圖至第1F圖顯示依照一個範例實施例的方法之 方法步驟。第1A圖顯示方法步驟A)之剖面示意圖，該方 法步驟A)有關提供具有複數個安裝區2之載體層1。於此 情況，該等安裝區2藉由多個分離區3而彼此分離。該等 分離區3和該等安裝區2能夠配置成例如彼此分離之行和 列。較理想的情況是，該等具有多個分離區3配置於其間 '之安裝區2以矩陣行和列形式配置於載體層1上。該載體 層1之材料較佳為陶瓷材料、半導體材料（例如：其表面亦 14 94618 200947765 能被氧化之石々七人 低）。於此材料（因為其硬度材科成本較 如微米該載體層具有5至 第圖顯示另一方法 步㈣有關施加夹層 之材料較佳係光阻、該夹層 ❹ 有上述材料之trr比^合物或合金或者具 區，導致載體^之Μ 該失層施加於载體層之分離 导致載體層之起伏平坦化。大體上，於 4之厚度較佳係至少等於且更 、/心央層 載體層1之最大起伏。為了此日二道等/刀離區3中之 該等分離區3中之载體層; 最大起伏。 個點預先判定 ❹ 第ic圖顯示方法步驟〇之剖面示音圖 _關施加各自的輻射線發射裝置5至該複數個^驟 之母一者。於此情況，該等輻射線發射裝置^之=區2 能夠直接靠近該等鄰近之分離區3或者，=每一者皆 置於载體層！上的安裝區2中距該等分離區=所示，配 位置。如第2A圖和第2β圖中所述，對於某二又距離之 裝置5之電性鏈接，在方法步驟c)之前，3線發射 可至少於該複數個安裝區2中施加至少一個況皆 1〇。於此情況’該接觸層1G和該失層4之=觸層 相同的材料或者由相同的材科成分。於 4可包括 接·一步樣 I: 94618 15 200947765 施加於該等讀區2和料分離區3 第㈣顯示方法步驟D)之剖面示意圖，該方法步驟 積之方式施加連續的封裝層6於該等輻射 線 和該失層4。該封裝層6較佳係能夠包含甲 基系或祕系切纽，該魏燒能_成透鏡。因此， 該封裝層6較佳係配置於該等輻射線發射裝置5上，而使 得該封裝層6之透鏡直接承壓在該輻射線發職置5上。 第1E圖顯示方法步驟E)之剖面示意圖，該方法步驟 E)有關於第-分離步驟7巾完全分割該封裝層6並部分分 割該夾層4。於此情況，第一分離步驟7之過程由虛線箭

號7所表示。由於事實上該封裝層6於此第一分離步驟7 中被完全分割’因此能夠得到平滑的鋸開邊緣而沒有該封 裝層6之突出物（overhang)。

第1F圖顯示方法步驟F)之剖面示意圖，該方法步驟 F)有關於在第二分離步驟8中將該夾層4部分分割且將該 載體層1完全分割（虛線箭號）。於此情況，該夾層4藉由 例示於第1E圖之第一分離步驟7並且藉由例示於第π圖 之第二分離步驟8被完全分割。結果，複數個輻射線發射 元件最後進行方法步驟F)’該方法步驟f)能夠藉由例如鋸 子之方式將組件分離。能夠使用二個不同的鑛片來分離該 等輻射線發射元件，其中用於該第一分離步驟7之鋸片於 此情況係最適合用來完全分離該封裝層6，同時用於該第 二分離步驟8之第二鋸片適用於分離該載體層1。於此情 況，該夾層4較佳係包括例如光阻、阻焊劑之材料，或者 16 94618 ‘ 200947765 層庠列銀、鑛、㈣金或者㈣的私物或合金或者 材料’而使得該央層4不僅能藉由最適合用於分 =封裝層6(具有相對最低的硬度）之錯片進行分巧，亦 σ藉由適用於分雜顏们（具#相料高 片進行分割。 、、’、°果’複數傭輻射線發射元件呈現於第1F圖中所述方 法步驟F)之目的。 Ο Ο 第2Α和2β圖顯示依照另一個範例實施例用於生產輻 射線發射元件之方法的個财法步驟。 〜=此情況下’相較於依照第1Α圖至第1F圖的方法之 =貫施例’為了將例示於第1E圖和第ιρ圖中之分離步 置於t 8實施於盡可能平垣之區域上，該載體層1係以配 置於薄膜9上之方式裝畤。^ ^ Ψ ^為了獲得用於進行該等輻射線 發射το件之進一步加工製 夕w t 之平坦區域，如例示於第2A圖 <剖面示忍圖’依照方法 僅部分分職薄臈9。㈣^ )第1離步驟8期間 _層Η)上，其中^^射線發射裝置5配置於電性 、述方法步驟C)中，在施加該輻射 緣發射裝置5之刖，將該拯 #(gAS , ^接觸層1〇施加於該安裝區2中之 :體層卜於所:則列實施例中，係以覆晶安裝之方式於 此情況下施加該輻射線發射骏置5。 最後，如第2Β圖中所一 邊緣實現了從薄膜9彼此於進—步方法步驟中於分離 離，由此達成，數個;射全分 ^singulation) ° 94618 17 200947765 例。反之於根據該範例實施騎說明之範例實施 合，尤其是包括於的特徵以及任何新特徵之結 使該些特散其本身或：特徵:：中各特徵之任何結合，即 申請專利範園或範例實施例t。之結合未明確詳細說明於 【圖式簡單說明】 第1A圖至第1F圖顯示佑 方法步驟之剖面示意圖：以及、卜個範例實施例之方法之 第2A*2B圖顯示依昭 別方法步驟。 〜另1範例實施例之方法之個 於乾例實施例和圖式， 各情況中皆提供以相同的參考；：或相同動作構成部分於 及各組構部分彼此間之尺 U Μ<構成部分以 々，玆魅^ 一…寸關係不應視為真實之尺寸。反 之 …一— 供較佳之了解。 【主要元件符號說明】 1 載體層 3 分離區 5 輻射線發射裝置 7 第一分離步驟 9 薄膜 以誇大尺寸之方式例 2 安裝區 4 失層 6 封裝層 8 第二分離步驟 10 電牲接觸層 94618 18

Claims (1)

1. 200947765 七、申請專利範圍： - L 一種用來生產複數個輻射線發射元件之方法，該方法包 括下列方法步驟： /匕 A) 設置具有複數個安裝區（2)之載體層（丨），其中該等 安裝區（2)藉由多個分離區（3)而彼此分離； B) 施加夾層（4)於該等分離區（3); C) 施加各自的輻射線發射裝置（5)於該複數個安裝區 (2)之每一者； W © D)施加連續的封|層⑹於該輻射線發射裝置⑸及 該等分離區（3) ; ^ E) 於第-分離步驟⑺中，將該載 區⑶_之該封裝層⑹分割μ 該等分離區（3)中之該炎層⑷部分地分割；以及 F) 於第二分離步_)中，將該失層⑷部分地分割並 且將該載體層⑴分割，其中，該第—分離步驟⑺ ❹ 和該第二分離步驟（8)將該夾層（4)完全分判。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中， 。 籬牛匱況下皆可藉由鋸子之方式來實施該第-分 離步驟⑺和該第二分離步驟⑻巾之該分離。 3. 如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中， 藉由第鑛片之方式來實施該第-分離步驟⑺中 之分離。 4. 如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中， 藉由第一!§>；之方式來實施該第二分離步驟⑻中 94618 19 200947765 之分離；以及 該第二鋸片不同於該第一鋸片。 5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中， 該第一鋸片和該第二鋸片具有相同的厚度。 6. 如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中， 於方法步驟C)之前，於各情況下，施加至少一個 電性接觸層（10)於該載體層（1)之至少複數個安裝區 (2)。 7. 如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中， 該夾層（4)和該至少一個電性接觸層（10)包括相同 的材料。 8. 如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中， 於方法步驟B)同時施加該夾層（4)和該電性接觸層 (10)。 9. 如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中， 該載體層（1)具有第一硬度，該夾層（4)具有第二硬 度及該封裝層（6)具有第三硬度； 該第一硬度高於該第二硬度；以及 該第二硬度高於該第三硬度。 10. 如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中， 該載體層（1)包括陶瓷材料。 11. 如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中， " 該夹層（4)包括至少一個光阻、一個阻焊劑或者一 個金屬， 20 94618 200947765 .. 該金屬選自銅、鎳、銀、鎢、錮及金或選自該等金 屬之合金或混合物或層序列之至少一者。 12.如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中， 該封裝層(6)包括矽氧烷， 該矽氧烷選自甲基系、苯基系、與氟化合之矽氧烷 及/或選自 矽氧烷和環氧樹脂，或者 曱基系、苯基系及/或氟化合之矽氧烷。 〇 13.如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中， 至少該載體層（1)之該分離區（3)呈現起伏， 該起伏係藉由於方法步驟B)中施加該夾層（4)而予 以平坦化。 14.如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中， 該夾層（4)具有層厚度， 該厚度大於或等於該載體層（1)之起伏。 a 15.如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中， Ό 於方法步驟A)中，以配置於薄膜（9)上之方式設置 該載體層（1);以及 施加夾層（4)、複數個輻射線發射裝置（5)、和封裝 層（6)於方法步驟B)、C)、和D)中實施於相關於該薄膜 (9)之該載體層（1)之相對表面上。 16.如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中， . 於讀方法步驟F)中之該第二分離步驟（8)中將該薄 膜（9)至少部分分割。 21 94618 200947765 17. —種輻射線發射元件，包括： 具有安裝區（2)之載體層（1)， 配置於該安裝區（2)中的輻射線發射裝置（5); 於該輻射線發射裝置（5)上的封裝層（6);以及 其中，夾層（4)係配置鄰近介於該載體層（1)和該封 裝層（6)之間之該安裝區（2)。 18. 如申請專利範圍第17項之輻射線發射元件，其中， 該夾層（4)環繞該安裝區（2)。 19. 如申請專利範圍第17項或第18項之輻射線發射元件， ® 其中， 於該載體層（1)之該安裝區（2)中施加至少一個電 性接觸層（10)。 20. 如申請專利範圍第19項之輻射線發射元件，其中， 該夾層（4)和該至少一個電性接觸層（10)包括相同 的材料。 21. 如申請專利範圍第17項至第21項中任一項之輻射線發 q 射元件，其中， 該載體層（1)具有第一硬度，該夾層（4)具有第二硬 度，和該封裝層（6)具有第三硬度； 該第一硬度高於該第二硬度，以及 該第二硬度高於該第三硬度。 22. 如申請專利範圍第17項至第21項中任一項之輻射線發 射元件，其中， 該載體層（1)包括陶瓷材料。 22 94618 200947765 23. 如申請專利範圍第17項至第22項中任一項之輻射線發 射元件，其中， 該夾層（4)包括至少一個光阻、一個阻烊劑或者一 個金屬， 該金屬選自銅、鎳、銀、鶴、翻及金或選自該等金 屬之合金或混合物或層序列之至少一者種。 24. 如申請專利範圍第17項至第23項中任一項之輻射線發 射元件，其中， © 該封裝層（6)包括矽氧烷， 該矽氧烷係選自甲基系、苯基系、與氟化合之矽氧 烷及/或選自 矽氧烷和環氧樹脂，或者 甲基系、苯基系及/或氟化合之矽氧烷。 23 94618