TW200946719A - Electrolytic solution for producing electrolytic copper foil - Google Patents

Description

200946719 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電解銅箔的製造所使用之銅電解 液。又’本發明係關於-種電解㈣的t造方法。進一步， 本發明係關於一種覆銅積層板的製造方法。 【先前技術】 印刷電路板係於各種電子機器的運作上所不可或缺的 ® 科，一般而t，印刷電路板係經由以下之製造步驟所製 造而成。首先，透過接著劑，或者是不使用接著劑，於高 溫高壓下，將銅箱積層接著於合成樹脂板、薄膜等之絕緣 基材來製造覆銅積層板。接著，於印刷用來形成目的回路 所需要的回路之後，施行除去不要部份的蝕刻處理。最後， 焊接所需要的電子零件，作為各種的印刷電路板。 銅猪當中雖然有電解銅箔與壓延銅箔，然而從接著強 Φ 度等之觀點來看，印刷電路板用所使用的銅箔，大部份為 電解銅箔〇電解銅箔的基本，係以電解銅或者是具有與其 相等之純度的電線廢料作為原料，將原料溶解於硫酸銅水 心液中來調製電解浴’藉由電解反應，連續地將銅電沈積 於作為陰極被浸潰於浴中之回轉桶的周圍面，將已經變成 既定之厚度的電沈積物，自回轉桶剥離，來製造生箔。之 後’為了因應對於印刷電路板用銅箔品質之要求，針對與 樹月旨基材接著之面（粗面）及非接著面（光澤面）分別施行了眾 多的處理（表面處理）。 3 200946719 伴隨著近年之電子機器的小型化、高性能化之需求的 增加’搭載零件的高密度封裝化或信號的高頻率化也有所 進展’印刷電路板相對地被要求了導體圖案的微細化（細節 距化）或高頻率對應等。因此，關於印刷電路板所使用之銅 落’被要求要能夠因應如此之印刷電路板的高性能化之特 性。具體而§’印刷電路板所使用之銅箔被要求了需為無 針孔’從尺寸安定性的觀點來看抗張力要高，從防止龜裂 的觀點來看延伸率要高，然後，為了對應如上述之導體圖 案的微細化（細節距化）或高頻率對應等，印刷電路板所使用 之銅箔特別被要求粗面的低起伏（low profile)化。 粗面的低起伏化，己知可藉由將膠添加於電解液來達 成。夥對於針孔的防止或回轉桶的保護皆能夠發揮功效。 然而，若讓膠的添加量增加下去，則在高溫下的延伸會有 降低之問題。因此，期望能夠在活用膠所賦予之低起伏化 或針孔的防止等優點的同時，提升在高溫下的延伸特性。 關於此點，例如，於曰本專利特公昭49 31415號公報 中，記載了將添加了聚亞烷基乙二醇或膠質劑之中的任i 種或2種 '與進一步添加了氣離子5〜lOOmg/L·之酸性銅電 鍍液作為電解液使用，藉此能夠得到硬度及動性優異，且 針孔少的銅羯。氣離子被認為具有促進電沈積結晶的微細 化’防止微小針孔的發生的效果。 於日本專利特開平8_53789號公報中記載了於硫脲中 加入特定量之高分子多醣類與膠的三元系添加劑的組合， 被認為能夠達成低起伏化、在常溫及高溫中的延伸率高、 200946719 而且能有效取得抗張力高的雷組細μ 刃冤解銅泊’公報中記載：「一 種電解銅箔的製造方法，其牲嫩十μ 〜 、特徵在於’作為其添加劑，使 用了含有以下成份的電解液： 2 0重量ppm的硫脲或 者是該衍生物；0.08〜12番甚 , 重量PPm的高分子多醣類；及分 子量1〇_以下且〇.03〜4〇重量PPm的膠」。 又’於曰本專利特開平 τ ’ 27 8 866唬公報中’記載了電 解液中的膠濃度較慣用的^ , 叼重2〜10PPm較少，具體而言，有 效量為0.5ppm以下，如钋—血 ❹ 來’可以大幅地改善電解銅箔 在高溫下的延m公報中記載’除非添加氣離子20〜 lOOppm，否則銅箔的基本特性會不穩定。 [專利文獻1]日本專利特公昭49 31415號公報 [專利文獻2]日本專利特開平8-53789號公報 [專利文獻3]日本專利特開平了如祕號公報 【發明内容】 發明所欲解決夕 在日本專利特開平8·53789號公報中雖然將硫脲的添 加視為必要’但正如同該公報中也有指出，硫腺的效果及 弊害很大，須要精密地控制其添加量。又，有機物的硫腺 在分解的時候，有各種分解物存在，&等之分解物對於鋼 泊特性也會造成各種影響，而難以得到安定的特性。 ，在2本專利特開平7_278866號公報降低膠濃度的結 -在高下的延伸雖然獲得改善，但會出現桶使用週期 變短的問題。巾即，膠雖然具有將初期的核發生均一化的 5 200946719 效果，但當膠濃度較小時，則該效果會變弱。當在降低膠 ?農度的狀態下繼續使用桶時，則桶表面的電阻落差會變 大。隨著桶表面的電阻落差變大，初期的核發生不均一的 情況會變得很明顯’變成龜裂狀的缺陷，於箔中產生針孔。 又，根據本發明之發明者眾人的檢討結果，在膠與氣 離子的系統中’無論是在高溫下的延伸特性、表面粗度， 皆不能說是足夠的特性。 因此，本發明的課題，係提供一種即使不降低膠的濃 度’也能夠提升延伸特性之其他種電解銅箔製造用的銅電 解液《又’本發明的另一課題，係提供一種延伸特性優異 之電解銅箔的製造方法。本發明進一步的課題，係提供一 種具備如此之鋼電銅箔的覆銅積層板的製造方法。 里決課顳之平热 本發明之發明者眾人為了解決上述課題，致力檢討的 、结果’發現在溴離子與氣離子共存於銅電解液中的情況 下’在常溫及高溫下的延伸會獲得改善。因此，藉由在電 解銅箱製造用的銅電解液之中，添加能夠供給溴離子的溴 化合物與能夠供給氣離子的氣化物，可謀求改善延伸特性。 因此’於本發明之一侧面，係提供一種硫酸酸性硫酸 銅水;谷液，其含有溴離子、膠、與氣離子來作為電解銅箔 製造用的電解液。 於本發明之電解液之一特定實施形態，電解液中之渙 離子的展度為〜2GGmg/L(ppm)。 200946719 之電解液之其他的一特定實施形態，溴離子 溴的無機酸、溴的無機鹽、或者是此等之混

於本發BB *"片之電解液之進一步其他的一特定實施形態， 電解液中的、、叙私 β離子係源自於鹼金屬鹽及鹼土金屬鹽。 於本發明之電解液之一特定實施形態，電解液中的氩 離子之濃度, 又馬 2.5 〜200mg/L。

於本發明之電解液之一特定實施形態，電解液中的膠 之濃度為1〜l〇mg/L。 又於本發明之其他的一側面，係一種電解銅箔的製 造方法，其中 ,. 、τ ’包括將上述的硫酸酸性硫酸銅水溶液作為 電解液使用’將銅電沈積於陰極上之步驟；與將電沈積之 銅自陰極剝除之步驟。 ;本發明之電解銅箔的製造方法之一特定實施形態， 係以狐度45〜7〇°c的電解液、3〇〜15〇A/dm2的電流密度將 銅電沈積於陰極上。

於本發明 係源自於丨臭、 合物0 又於本發明之進一步的其他的一側面，係一種覆銅 :層板的製造方法，其中，包括使用上述之電解銅箔的製 这方法得到電解鋼箔之步驟；與讓該銅箔的粗面側面向絕 緣基板，將該銅ϋ積層於絕緣基板之步驟。 解鋼箔。 又’本發

其他的一側面，係含有Br之電 又，本發明之 之電解銅箔的製造 進一步的其他的一側面，係一種含有ΒΓ #法’其中，包括將上述之硫酸酸性硫 7 200946719 酸錦水溶液作為電解液 1更用將銅電沈積於陰極上之步 驟；與將電沈積之銅自陰極剝除之步驟。 發明效果 根據本發明，可匍；4 — 造種粗面能夠低起伏且具有高度 的延伸特性之電解銅鶴。 【實施方式】 1.電解液 (1) 硫酸酸性硫酸鋼水溶液 本發明中，用以製造電解銅落所使用之電解液為硫摩

酸性的硫酸銅水溶液作為用以製造電解銅箱之U 液而使用硫酸酸性硫酸銅水 K 液已被廣為所知而不需要相 別説明，但一般而言係以c 个尚受π ^ ^ CuS〇4 · 5Η2〇 與 h2S〇4 作為主成 伤，一般而言含有Cu : 60〜1丨n /τ ττ 1 iOg/L、H2S〇4 : 50〜150g/L ’ 典型為含有Cu ·· 80〜i2〇s/i „ c g (2) 漠離子—H2S〇4:80〜1〇5g/L。 本發明之電解液含有演離子，其 機酸、溪的無機鹽、或者 失㈣‘、、' 羊…… 此等之混合物。當不存在氯離 子的清况下，即便讓含有膠的 解液含有溴離子，雖然和 含有氣離子的情況相同不論是 、田 疋在间/皿下的延伸特性、表面 粗度皆無法得到足夠的特性’但因為漠離子被包含於含有 膠與氣離子之電解液中，所得到之電解銅箱的延伸及表面 粗度會獲得改善。亦即，雖然演離子單獨存在的時候對 200946719 延伸率或表面粗度幾手 氯離子在電解液中效果’但藉由讓漠離子與 相乘效果/共存，會出現延伸率及表面粗度改善的 無機發明，漠離子係由演、演的無機酸、溪的 5 &此等之混合物所供給，故不須要擔心漠離 子會如同有機物那樣分解，在能夠得到安定的特性這點也 有利。 廣能夠以液體演或漠水的形態提供給電解液。作為漠 的無機酸’除了漠化氫酸⑽r)之外，可舉出諸如漠酸 _r〇3)或亞錢（HBK)2)等之漠的含氧酸此等能夠作為水 溶液來供給。料漠的無㈣，可舉㈣㈣仙（NaBr)、 /臭化鉀（KBr)、/臭化鈣（CaBr2)、溴化鎂（MgBr2)等之鹼金屬 鹽及驗土金屬鹽。亦可為上述含氧酸的鹼金屬鹽或鹼土金 屬鹽。溴離子的供給源從安定性、容易處理的觀點來看， 以檢金屬鹽、鹼土金屬鹽為較佳。

如同前述，雖然一直以來含有氣離子之電解液已為人 所知悉，但氯離子的功用係在於防止針孔。另一方面，於 本發明所使用之溴雖然與氣同樣為齒素，但對於延伸特性 的改善，進一步對於表面粗度的降低等特異的效果能夠發 揮功效。溴對於抗張力也幾乎沒有不良的影響。 當添加於電解液之溴離子濃度過低時，則降低表面粗 度的效果較差。而即使溴離子濃度升高，因已得到充份的 改善效果，故其效果只能維持一定程度。因此，電解液中 的溴離子（Br·)濃度較佳為設為〇·25〜200mg/L，更佳為設為 9 200946719 10〜200mg/L，最佳為設為50〜l〇〇mg/L。 已知添加的溴離子最終會被攝入電解銅箔中，而於本 發明之電解銅箱之一特定實施態様，所得到之電解銅箱含 有Br 〇 (3) 膠 如同上述，膠具有粗面的低起伏化、針孔的防止、回 · 轉桶的保護的優點。一般而言，電解液中所添加的膠之濃 度範圍為0.1〜20mg/L。從充份享受所謂粗面的低起伏化、 針孔的防止、回轉桶的保護之膠所帶來的優點的觀點來 ❹ 看，電解液中的膠濃度較佳為設為〇 25〜1〇mg/L，更佳為 設為 2.0〜5.0mg/L。 於本發明所使用的膠，典型為以明膠作為主成份、分 子量為500〜250000左右者，例如，可以從獸•魚類的骨 頭•皮•腱•腸等利用水解來製造。低分子側的膠，可以 使用酵素、酸或鹼分解一般的膠取得。本發明中所使用的 膠，從桶的保護之觀點來看，較佳為數量平均分子量1〇〇〇 〜75000者，更佳為數量平均分子量2〇〇〇〜5〇〇〇〇者。 ❹ (4) 氣離子 本發明之電解液含有氣離子。氣離子讓電沈積結晶的 maa方位產生變化，藉由形成山形的表面形狀來加粗表面 粗度，具有防止針孔發生的效果。作為氣離子的供給源並 沒有特別的限制，除了鹽酸（HC1)之外，可以像是氣化鈉 (NaCl)、氣化鉀（KCi)、氣化鈣（CaC1^、氣化鎂之類 的無機鹽的形態來添加。亦可以氯水的形態來添加。在此 10 200946719 等之中以容易的觀點來看， 離子。 較佳為以稀鹽酸的形態供

面形狀會破壞，容易發生異常析出 離子的濃度，較佳為設為2.5〜2〇n 瓦避低-會無法得到充 择液中的濃度過高時表 。因此，電解液中的氣 ig/L，更佳為設為1〇〜 200mg/L * l〇〇mg/L，最佳為設為25〜75mg/L。 (5)其他的添加物 一般而言，為了製造電解銅箔，透過將各種添加劑添 加於所使用的電解液，來謀求電解銅箔的特性提升，但會 妨害本發明之電解液中Br•所帶來的特性提升效果或抵銷 Br所帶來的特性提升效果的添加劑最好不要添加。例如， 雖然已知磷酸系化合物、胺化合物、有機硫化合物（例：硫 脲）等作為添加劑，但若將如此之添加劑添加於本發明之電 解液中時，因為會造成高溫下的機械特性降低的不良影 響，故最好還是不要讓本發明之電解液含有如此之添加 劑。其中，因為高分子多醣類、聚乙二醇之類的添加劑對 於Br添加所帶來的特性提升效果不會造成不良影響，或者 就算會造成不良影響程度也很輕微，故可適宜使用。 2 ·電解鋼箔的臂播 電解銅箔可以使用本發明之電解液依照常法來製造。 亦即’可以藉由將上述的硫酸酸性硫酸銅水溶液作為電解 液使用’讓鋼電沈積於陰極上，將電沈積的銅從陰極剝除 來製造電解鋼箔。更具體而言，可以使用表面經研磨的回 11 200946719 轉金屬製陰極桶，與配置於該陰極桶大約下半部的位置、

包圍該陰極桶四周的不溶性金屬陽極（an〇de)，在讓前記陰 極桶與陽極之間的電解液流動的同時，在此等之間施加電 位讓銅電沈積於陰極桶上，於形成既定的厚度時從該陰極 桶剝除電沈積的銅連續地製造銅箔。作為銅箱的厚度，雖 然並沒有特別的限制，但如果是細節距用的銅箔，一般是 設為18/im以下。如此所得之銅箔進一步經過表面處理步驟 及切斷步驟成為銅箔製品。表面處理步驟一般是進行粗化 處理、耐熱層形成及/或防鏽層形成等。 U 其中，為了讓本發明之電解液中所含之溴離子的效果 發揮到最大限度，在一定的電解條件下讓電解銅箔電沈積 較為理想。 首先，較佳的電解液的溫度為40〜75。(：、更佳為45〜 70°C。當電解液的溫度過低時，則會容易變成焦沉積，而 無法取得正常的銅箔。反言之’當電解液的溫度過高時， 則膠的分解會加快，分解物的累積會變多，而變得容易發 生機械特性的降低》 〇 又，電流密度較佳為30〜150A/dm2，更佳為60〜 130A/dm2。當電流密度過低時則生産速度會變慢，而生産 性會降低。反言之’當電流密度過高時則會容易變成焦沉 積，而無法取得正常的銅落。 1.覆銅穑層板的费_· 使用以上述的方法所製造出來的銅箔製品，可以依照 常法製造覆銅積層板。具體而言，可以藉由讓該銅箔的粗 12 200946719 :::向絕緣基板，將該―緣基板來製造覆銅 作為讓銅箔與絕緣基板接著的方法， 壓的方法、使用接著劑的方法、將成有加熱加 :前驅物分散於溶劑塗佈之後使其產生加熱聚

積層了銅箱的絕緣基板，只要是具有可適用於印㈣ 路板（PCB)的特性者並沒有特別受到限制，例％，剛性pcB 用，可以使用紙基材苯酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖 維布基材環氧樹脂、玻璃布·紙複合基材環氧樹脂、玻璃 布•玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂 等’ FPC用可以使用聚酯膜或聚醯亞胺膜等。 藉由依照常法加工覆銅積層板’可以形成各種印刷配 線板，進一步可以形成印刷電路板。 【實施例】 以下，紹介本發明之實施例以期能進一步理解本發明 及其優點，但本發明並非被限定於此等之實施例。 試驗例l(Br_的澶膚轡化所造成的影響） 於Cu : 90g/L、H2S04 : 80g/L的硫酸酸性硫酸銅水溶 液添加膠（數量平均分子量20000)、溴化鉀及鹽酸來調製電 解液，於鉻製陰極桶（外徑0.64m)上’連續製造厚度為18/im 的電解銅箔。 使用以下的方法測定電解液中的膠、溴離子及氣離子 13 200946719 於電解液中的濃度。針對各例，於表1表示其測定結果。 <膠> CVS分析裝置（北斗電工公司製） 對於已知的膠濃度，以CVS法（cyclic voltammetric stripping method)從測定的銅在電解液中溶解所發生的庫倫 量來作成檢測線，藉由與使用實際的電解液測定到的cvs 的値加以比較來決定膠濃度。 <溪離子> 離子層析（DIONEX公司製、型式ICs_2〇〇〇) ❹ 〈氣離子> 離子層析（DIONEX公司製、型式ICS_2〇〇〇) 所得到之電解銅箔的粗面側的表面粗度Ra、Rt及 Rz〇m)，係根據JISB0601使用小坂研究所公司製型式 SE-3C來進行測定，室溫抗張力（Kgf/mm2)、室溫延伸（％ )、 高溫抗張力（Kgf/mm2)、高溫延伸（％)，係根據IPc_TM650 使用島津製作所公司製型式AGS_H-500N來進行測定。針 對各例，於表1表示測定結果^ 〇 桶使用週期係以下述的方式來評價。將厚度18μιη箔連 續地製箔，每6個小時調查有無周期性的針孔，將周期性 的針孔變成有5個以上時作為桶使用週期。 試驗例2(~滕66濃度蠻化所造戌的私帮、 將試驗例1的No.2作為基準，調查改變電解液中的膠 濃度時的電解銅箱的特性變化。於表2表示其結果。

Ml驗例3(氪齙早變化所造成的影響、 14 200946719 調查改變電解液中的氣離子濃度時的電解銅箔的特性 變化。於表3表示其結果。 [表1]

❿ 室溫 高溫(180°C> 桶使用週期 No. Br (mg/L) Cl (mg/L) 膠 (mg/L) 液溫 CC) 抗張力 (kgf/mm2) 延伸率 (%) 抗張力 (kgf/mm2) 延伸率 (%) Ra Rt Rz (時間） 1 0.25 60 2.0 55 36.8 9.3 22.4 4.1 0.50 3.67 3.10 306 2 1 60 2.0 55 37.1 10.1 22.7 4.9 0.50 3.60 3.00 306 3 10 60 2.0 55 37.3 11.2 22.4 6.1 0.50 3.60 3.08 318 4 30 60 2.0 55 37.2 15.3 21.8 4.8 0.47 3.57 2.87 318 5 50 60 2.0 55 37.4 15.9 21.4 10.3 0.46 3.40 2.83 336 6 100 60 2.0 55 38.3 16.3 21.9 11.3 0.47 3.38 2.77 330 7 200 60 2.0 55 38.8 15.8 21.6 10.9 0.48 3.42 2.85 330 8(比較） 0 60 2.0 55 36.7 8.8 21.1 2.3 0.62 4.38 3.93 300 [表2] 室溫 高溫(180°C) 桶使用遇期 No. Br (mg/L) α (mg/L) 膠 (mg/L) 液溫 (°C) 抗張力 (kg^mm2) 延伸率 (%) 抗張力 (kgf/mm2) 延伸率 (%) Ra Rt Rz (時間） 3 10 60 2.0 55 37,3 11.2 22.4 6.1 0.50 3.60 3.08 318 8 10 60 1.0 55 37.2 10.8 22.2 5.8 0.50 3.62 3.11 306 9 10 60 5.0 55 37.4 11.5 22.5 5.7 0.49 3.59 2.97 330 10 10 60 10.0 55 37.7 10.6 22.8 5.4 0.50 3.60 3.00 336 11 10 60 0.2 55 37.2 9.8 21.9 5.6 0.48 3.63 3.03 174 12 10 60 15.0 55 38.3 8.2 22.9 1.9 0.47 3.58 2.87 348 13(比較） 0 60 0.2 55 37.3 8.3 21.8 5.2 0.47 3.87 3.31 96 [表3] 室溫 高溫(180°C) 桶使用週期 No. Br (mg/L) Cl (mg/L) 膠 (mg/L) 液溫 (°C) 抗張力 (kgf/mm2) 延伸率 (%) 抗張力 (kgf/mm2) 延伸率 (%) Ra Rt Rz (時間） 14 50 2.5 2.0 60 36.8 15.6 21.9 11.2 0.46 3.37 2.87 300 15 50 10 2.0 60 36.3 15.2 21.8 10.9 0.46 3.39 2.89 306 16 50 25 2.0 60 36.1 15.3 21.4 Π.0 0.48 3.42 3.06 312 17 50 50 2.0 60 36.2 15.3 21.1 10.8 0.47 3.38 2.98 324 18 50 75 2.0 60 36.0 15.6 21.3 10/7 0.46 3.43 3.12 318 19 50 100 2.0 60 35.9 14.8 20,9 9.6 0.48 3.48 3.01 288 20 50 200 2.0 60 36,1 14.5 21.1 9.4 0.49 3.50 3.22 276 21(比較） 50 0 2.0 60 45.3 8.8 21.3 2.5 0.47 4.38 3-98 306 22(比較） 0 0 2.0 60 60 8.7 20.7 12.1 0.45 3.25 2.65 296 23(比較） 0 50 2.0 60 35.8 8.9 21.1 2.4 0.61 4.27 3.80 288 15 200946719 考察 藉由於含有cr的電解液添加Br-，

租厌适成不艮影響，且可以改善 又’隨著Br濃度增加延伸率也會 室溫及尚溫下的延伸率。又 從表1中可以得知， 提昇，大致以l〇〇mg/L效果達到飽和。 從表2中可以得知，藉由讓膠的濃度適當化可讓桶 使用週期及所得到的銅结特性提升。 從表3中可以得知，所添加的Cl_以極低的濃度即可。

不大》 I解銅结中的右無 針對從No.l ’ 5 ’ 7所得到的電解銅箔，使用 TOF-SIMS(Hitachi High-Tech Trading Corporation.型式 TOF-SIMS IV)調查銅箔裡是否含有Br。其結果，從任一的 電解銅羯中皆檢測出105數量級（i〇n⑶仙⑷的Br強度。 【圖式簡單說明】 無 【主要元件符號說明】 無 16

Claims (1)

1. 200946719 ▲ , 七、申請專利範圍： ： κ一種硫酸酸性硫酸鋼水溶液，其中，含有作為電解銅 磘製造用電解液之溴離子、膠與氯離子。 2·如申請專利範圍第1項之硫酸酸性硫酸銅水溶液，其 中’》臭離子的濃度為0.25〜200mg/L。 * 5 3.如申請專利範圍第1項或第2項之硫酸酸性硫酸銅水 冷液，其中，溴離子係源自於溴、溴的無機酸、溴的無機 鹽、或者是此等之混合物。 © 4·如申請專利範圍第3項之硫酸酸性硫酸銅水溶液，其 中，溴離子係源自於驗金屬鹽及鹼土金屬鹽。 5 ·如申凊專利範圍第丨項或第2項之硫酸酸性硫酸銅水 溶液，其中，電解液中的氣離子之濃度為25〜2〇〇mg/L。 如申請專利範圍帛i項或第2項之硫酸酸性硫酸銅水 溶液，其中，電解液中的膠之濃度為 7· 一種電解銅荡的製造方法，其中包括： 將申請專利範圍第1〜6項中任-項之硫酸酸性硫酸銅 水溶液作為電解液使用，將钢電沈積於陰極上之步驟；以 及 將電沈積之銅自陰極剝除之步驟 電解銅箔的製造方法，其 、30〜150A/m2的電流密 8.如申請專利範圍第7項之 中，係以溫度45〜70°C的電解液 度將銅電沈積於陰極上。 9. 一種覆銅積層板的製造方法 使用申請專利範圍第7 其中包括： 項或第8項之電解銅箔的製造 17 200946719 方法得到電解銅箔之步驟；以及 讓該銅箔的粗面側面向絕緣基板，將該銅箔積層於絕 緣基板之步驟。 10·含有Br之電解銅箔。 Π.—種電解銅猪之製造方法，係用以製造申請專利範 固第10項之電解銅箔，其中包括： 將申請專利範圍第丨〜6項中任—項之硫酸酸性硫酸銅 水溶液作為電解液使用’將銅電沈積於陰極上之步驟；以 及 將電沈積之銅自陰極制降 N咏疋步驟。 八、圖式： (無） ❹ 18