TW200929353A - Pressure-reducing apparatus and porous body of inorganic material used in this apparatus - Google Patents

Pressure-reducing apparatus and porous body of inorganic material used in this apparatus Download PDF

Info

Publication number
TW200929353A
TW200929353A TW97127837A TW97127837A TW200929353A TW 200929353 A TW200929353 A TW 200929353A TW 97127837 A TW97127837 A TW 97127837A TW 97127837 A TW97127837 A TW 97127837A TW 200929353 A TW200929353 A TW 200929353A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
inorganic material
porous body
porous
exhaust passage
inorganic
Prior art date
Application number
TW97127837A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI386998B (zh
Inventor
Norihiko Saito
Sotaro Takeda
Original Assignee
Covalent Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2007190462A external-priority patent/JP2009022916A/ja
Priority claimed from JP2007279283A external-priority patent/JP5044362B2/ja
Application filed by Covalent Materials Corp filed Critical Covalent Materials Corp
Publication of TW200929353A publication Critical patent/TW200929353A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI386998B publication Critical patent/TWI386998B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/85978—With pump
    • Y10T137/86083—Vacuum pump
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/86928—Sequentially progressive opening or closing of plural valves
    • Y10T137/86992—With subsequent closing of first opened port
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/87265—Dividing into parallel flow paths with recombining
    • Y10T137/87338—Flow passage with bypass
    • Y10T137/87362—Including cleaning, treating, or heat transfer feature
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/87265—Dividing into parallel flow paths with recombining
    • Y10T137/87539—Having guide or restrictor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/13—Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/13—Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]
    • Y10T428/131—Glass, ceramic, or sintered, fused, fired, or calcined metal oxide or metal carbide containing [e.g., porcelain, brick, cement, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

200929353 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於減壓裝置及其所使用之無機材質多孔體， 特別係關於具備裝入有圓筒形無機#質多㈣之排氣機構 之減壓裝置及其所使用之無機材質多孔體。 【先前技術】 先鈿，於半導體晶圓或液晶材料之製造步驟中，例如於 用作乾蝕刻裝置、濺鍍裝置、CVD裝置或熱處理爐之真空 〇 至中，在減壓下或與大氣不同組成之氣體環境等各種條件 下，以緩衝排氣時之壓力為目的，與主排氣路並列地設有 低速排氣路。 如圖8所示，先前之減壓裝置31中，設有對真空室32内 進行減壓之排氣機構33，該排氣機構33係具備：一端設於 真空室32,與安裝有板狀氧化鋁製過濾器34之排氣口 35連 通、另一端與真空泵36連通之主排氣路37 ;設於該主排氣 ❸路37上之第1開閉閥（主閥）38 ; —端經由主排氣路37或直接 與真空室連通、另一端經由主排氣路37與真空泵36連通之 低速排氣路39 ;及在該低速排氣路39中與第J開閉閥並列 設置之第2開閉閥（低速排氣閥）4〇。 如此之先前減壓裝置，排氣初期以低速排氣路緩慢排 氣’之後以主排氣路全力排氣。 但，經由板狀氧化鋁製過濾器之排氣，因多孔體之氣孔 徑小，故若單純地於排氣口設置板狀氧化鋁製過濾器，則 排氣速度會大幅下降。 133004.doc • 6 - 200929353 又，如圖9所示，其他的先前減壓裝置41，為提高排氣 速度，設有與排氣口 35不同之另一個安裝有板狀氧化鋁製 過濾器34之低速排氣口 42，但需花費大筆裝置改造費。 另’使用金屬篩網過濾器代替先前之板狀氧化鋁製過遽 器之方法，因網目尺寸較大，對排氣時間之影響少，無需 裝置改造即可直接設置於裝置内排氣口，但抑制顆粒飛揚 之效果亦較小。 另’有人提出設有連通真空室與真空泵之主排氣路、及 與該主排氣路並列之低速排氣路之晶圓處理系統（比如參 照專利文獻1)’此外’於低速排氣路中設有可變電導閥之 橫型處理爐（比如參照專利文獻2)。 [專利文獻1]日本特開昭61-228648號公報 [專利文獻2]曰本特開平7-235497號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 本發明係鑒於前述情況所完成者’其目的在於提供一種 低價、排氣速度快且可防止顆粒飛揚之減壓裝置及其所使 用之無機材質多孔體。 [解決問題之技術手段] 為達成前述目的，本發明之減壓裝置係具備真空室及對 該真空室内進行減壓之排氣機構者，其特徵在於前述排氣 機構具備：一端與前述真空室連通、另一端與真空泵連通 之主排氣路；設於該主排氣路上之第丨開閉閥；一端經由 主排氣路或直接與前述真空室連通、另一端經由主排氣路 133004.doc 200929353 或直接與前述真空泵連通之低速排氣路；在該低速排氣路 中與該低速排氣路壁隔以間隔配設之圓筒形無機材質多孔 體；及設於前述低速排氣路上之第2開閉閥。 另’本發明之無機材質多孔體其特徵在於：配置於具備 對真空室内進行減壓之排氣機構之減壓裝置之前述排氣機 構中，係由圓筒形狀之無機材質多孔體構成。 [發明之效果] 根據本發明之減壓裝置及其所使用之無機材質多孔體， 可提供低價、排氣速度快且可防止顆粒飛揚之減壓裝置及 其所使用之無機材質多孔體。 【實施方式】 參照附圖對本發明之第1實施形態之減壓裝置進行說 明。 圖1係本發明之第1實施形態之減壓裝置之概念圖，圖2 係其無機材質多孔體安裝部之放大圖β Φ 如圖1所示，本發明之第1實施形態之減壓裝置！具備作 為真空減壓處理室之真空室2,該真空室2具備對該真空室 2進行真空減壓之排氣機構3。 該排氣機構3具備：一端經由設於真空室2底部之排氣口 • 2&與真空室2連通、另一端與真空泵4連通之主排氣路5; 設於該主排氣路5上之第1閥（主閥）6; 一端經由主排氣路5 與真空室2連通、另一端經由主排氣路5與真空泵4連通之 低速排氣路7 ;配設於該低速排氣路7内之無機材質多孔體 8;及設於該無機材質多孔體8下游之低速排氣路7上之第2 133004.doc 200929353 閥（低速排氣閥）9。 如圖2所示，無機材質多孔體8由於轴向一端具備底部 8b、於轴向另—端具備開口部之有底圓筒形狀之二氧化矽 多孔體構成’於開口部側一體化設有與無機材質多孔體同 一材質之不透氣性環狀凸緣部8a。 如圖2及圖3所示，無機材質多孔體8以其大致半球狀底 部8b位於上游側即真空室2側之方式，與低速排氣路壁& 隔以間隔g安裝於低速排氣路7内。 比如’低速排氣路7之直徑為1〇〇 min，將無機材質多孔 體8之外徑設為60〜80 mm時，則間隔g為1〇〜2〇 。另， 無機材質多孔體8之平均氣孔徑（根據jis R1643 1998)為 10〜100 μιη’氣孔率宜為20〜70%。 如前所述’無機材質多孔體8為有底圓筒形狀，因此用 以通過氣體之表面積增加’此外，因由平均氣孔徑為 10〜100 μιη、氣孔率為20〜70%之無機材質多孔體構成，且 使低速排氣路7與無機材質多孔體8之長向中心軸一致，並 且相對低速排氣路7之直徑之無機材質多孔體8之外徑比為 60〜80%，可避免急速減壓，並可快速減壓。 於開口部側一體設置有與無機材質多孔體同一材質之不 透氣性環狀凸緣部8a。 如圖4所示’該無機材質多孔體8朝低速排氣路7之氣密 性安裝，係於凸緣部8a之外側周預先嵌入〇形環1〇，使設 於下部低速排氣路7A之環狀卡合凹部7A1與設於凸緣部8a 之下側環狀卡合凸部8al卡合，將無機材質多孔體8立設於 133004.doc 200929353 下部低速排氣路7A，上部低速排氣路7B從上方隔以間隔g 外嵌於無機材質多孔體8，並使設於上部低速排氣路化之 環狀卡合凹部7 B1與設於凸緣部8 a之上側環狀卡合凸部8 a 2 卡合’藉由設於下部低速排氣路7A之下凸緣7八2與設於上 部低速排氣路78之上凸緣7B2保持凸緣部8a，同時押壓〇 形環10。 如此’無機材質多孔體8朝低速排氣路7之安裝，因為經 由與前述無機材質多孔體同一材質之不透氣性環狀凸緣部 8a進行，故可不使無機材質多孔體8破損地，容易且確實 地進行。另，因為可不對先前之減壓裝置構造進行大幅變 更地安裝無機材質多孔體，故可提供低價的減壓裝置。 另，下部低速排氣路7A與上部低速排氣路冗藉由夾板 (未圖示）保持為一體，此外，於無機材質多孔體8之開口端 側設有金屬絲網11，該金屬絲網丨丨張設於環狀安裝構件 11 a ’氣孔徑比無機材質多孔體8小、且通氣性更高。 Q 藉此，即使假設無機材質多孔體8發生破損等之情形， 也可防止破損物流入真空泵4側。 另，前述無機材質可使用二氧化矽、SiC、氧化鋁中任 一種，但考慮到耐熱性、耐蝕性等觀點，二氧化矽較佳。 另，前述多孔體，既可為一般之大致同等體積空間連續 地連接之多孔體，亦可為由球狀之多數氣孔相鄰接之彼此 經由連通孔連通之3維網目狀骨架結構構成之多孔體。 另，前者多孔體之材質宜為矽玻璃，較佳平均氣孔徑為 10〜50μιη，氣孔率為20〜40〇/〇。 133004.doc •10· 200929353 多孔體之材質宜為Sic，較佳平均氣孔徑為 連通孔徑為10〜2〇μη!’氣孔率為55〜65%。 下面對本第i實施形態之減壓裝置及其所使用之無機材 質多孔體之作用進行說明。 如圖1所示，將作為處理室之真空室2進行減壓之情形， 減壓開始時，在關閉設於主排氣路5之第1閥6及設於低速 排氣路7之第2閥9之狀態下使真空泵4運轉，之後，打開第 2閥9。 ❹ 打開該第2閥9後，真空室2中之氣體經由排氣口 2a、低 速排氣路7、間隙g、無機材質多孔體8及第2閥9流入真空 泵4,使真空室2内減壓。
又，後者 30〜90 μιη， 該減壓過程中，低速排氣路7之外徑為1〇〇 mm，無機材 質多孔體8之外徑為60~80 mm，平均氣孔徑為1〇〜1〇〇 μιη ’氣孔率為20〜40% ’其設定為適度阻礙氣體通氣，避 免真空室2内之急速減壓’防止顆粒飛揚，此外，因氣體 經由間隙g通過具有大表面積之有底圓筒形無機材質多孔 體8，故可快速進行減壓。 根據本第1實施形態之減壓裝置，可實現既低價又排氣 速度快、並可防止顆粒飛揚之減壓裝置。 另，對本發明之第2實施形態之減壓裝置及其所使用之 無機材質多孔體進行說明。 本第2實施形態，相對於第1實施形態使用有底圓筒形狀 之無機材質多孔體，其使用無底圓筒形狀之無機材質多孔 體。 133004.doc •11· 200929353 如圖5所示，本第2實施形態之減壓裝置具備與圖 1所示相同之真空室與排氣機構，於低速排氣路7設置多孔 體單元21。 該夕孔體單元21具備：無底圓筒形狀之無機材質多孔體 22’與該無機材質多孔體22形成空隙c地被該無機材質多 孔體22外嵌、且周圍設有通氣口 23&之中空狀金屬通氣管 23 ;封閉無機材f多孔體22之-端及金屬通氣管23之一端 之封閉構件24 ;押壓無機材質多孔體22兩端之聚四氟乙烯 (PTFE)製軟質墊片25、25;及氣密地貫通溶著於金屬通氣 管23之另一端之金屬製安裝環26 ;藉由將封閉構件以之圓 板狀安裝突部24a之外周所設之陽螺紋部24b與金屬通氣管 23之一端之内側所形成之陰螺紋部23b螺合，可以金屬通 氣管23與金屬製安裝環26將兩軟質墊片25、25向無機材質 多孔體22方向押壓後組裝。 另’多孔體單元21朝低速排氣路7之氣密性安裝，與第1 p 實施形態相同方法進行。 再者’於無機材質多孔體22之開口端側設有金屬絲網 2 7，該金屬絲網2 7張設於環狀安裝構件2 7 a，且氣孔徑比 無機材質多孔體8小、通氣性更高。 根據本第2實施形態之減壓裝置，可實現既低價又排氣 速度快、並可防止顆粒飛揚之減壓裝置。 其他結構與pi所示之減壓裝置無異，故省略其說明。 [實施例] [實施例1] 133004.doc 200929353 使用本發明之減壓裝置（實施例〗）及未使用多孔體之減 壓裝置（比較例1)進行低速排氣試驗，調査減壓速度與顆粒 產生狀態’本發明之減壓裝置（實施例係裝入有多孔體， 該多孔體係於圖3所示之形狀，高80 mm、外徑3 0 mm、内 徑24 mm、平均氣孔徑1 6 μηι、氣孔率30¾之通常之大致同 等體積空間連續性連接之二氧化矽製多孔體上卡合高15 mm、外徑50 mm、内徑24 mm之緻密質矽玻璃製凸緣部而 成者。 ❹
[試驗1J 於室容積65L之真空室内，於距離排氣口4〇 mm之圓板 狀托盤上放置800個0.0009 g/個之發泡聚苯乙烯，用最大 排氣能力7000 L/min之真空泵抽真空，抽真空開始後進行 低速排氣，調查真空速度與發泡聚苯乙烯粉之動態。 結果：如圖6所示。 實施例1與比較例1相比，排氣時間雖大幅增加，但比較 例1之從托盤落入真空室底部之發泡聚苯乙烯粒個數為 600〜700個，相對於此，實施例丨之落下個數為〇個。 [試驗2] 以縮短本發明之減壓裝置之排氣時間為目的，將打開主 排氣路之第1閥之排氣與只打開低速排氣路 之第2閥9之排 氣進行組合’調查抑制落下發泡聚笨乙烯粒個數之狀態下 的從大氣壓至1 kPa之到達時間，斑τ 町间與不使用無機材質多孔 體之減壓裝置作比較。 結果：如表1及圖7所示。 133004.doc 200929353 [表1] 主閥打開時之 麵義麵 (kPa) 達賴讓 到達時間 Μ 縮短時間 縮短比率 (%)； 實施例2 η Γν.： ；': 16； 比較衝2 ^tv ；-3:8：:；.,：；：；； :::::::簡::V: 實施例3 13 56 比較例3 90 34 38 實施例4 雖'。 、 >」' ' % J 比較例4 132 44 33 由表1及圖7可知’主閥打開時之真空室壓力在4〇 kpai 實施例2，其22s與同樣壓力下打開主閥之比較例2之388相 比，縮短了 42%(16s)。 主閥打開時之真空室壓力在13 kpa之實施例3，其56s與 同樣壓力下打開主閥之比較例3之9 〇 s相比，縮短了 38%(34s)。 主閥打開時之真空室壓力在7 kPa之實施例4，其88s與同 樣壓力下打開主閥之比較例4之132s相比，縮短了 33%(44s) 〇 [實施例2] 裝入有3維網目狀骨架結構構成之多孔體之減壓裝置， 以與試驗1相同之方法調查顆粒之飛揚狀態。 試驗品之多孔體按以下方法製作。 將平均粒徑0.5 μπι之SiC粉末1〇〇重量份、作為液體媒質 之離子交換水45重量份、作為氣泡劑之月桂基硫酸三乙醇 133004.doc •14· 200929353 胺1重量份、作為燒結助劑之碳黑1重量份、平均粒徑1 4 μιη之B4C粉末0.2重量份及作為凝膠化主劑之聚乙烯亞胺5 重量份在攪拌機令邊混合攪拌邊導入空氣進行發泡，調整 泡狀之漿料。 • 之後’邊攪拌泡狀漿料，邊添加作為凝膠化副劑之環氧 樹脂1重量份’澆鑄於模具中，經過3小時，凝膠化充分進 行’達到凝膠化，將之從模具中取出，在6〇〇c溫度下經過 數日乾燥得到圓筒狀之成形體（乾燥體）。 將該成形體在Ar氣體環境中以i780°c加熱（暫焙燒）丨小 時’將之在同氣體環境中以21〇(rc焙燒1小時，得到球狀 之多數氣孔鄰接之彼此經由連通孔相互連通之具有3維網 目狀骨架結構之圓筒狀SiC多孔體。 該SiC多孔體高80 mm、外徑30 mm、内徑24 mm、平均 氣孔徑80 μιη、連通孔徑1〇〜2〇 μιη、氣孔率6〇%，與高15 mm、外徑50 mm、内徑24 mm之與前述sic多孔體同一材 φ 質構成之不透氣性環狀凸緣部一體設置。 結果：使用裝入有前述SiC多孔體之本發明之減壓裝置 在與前述[試驗丨]相同條件下評價之實施例5，與不使用無 冑材質多孔體之減壓裝置之比較例5相比，排氣時間相 同’又，比較例5之從托盤落入真空室底部之發泡聚苯乙 烯粒個數為660個，相對於此，實施例5之落下個數 個。 传 由此可知’本發明之減壓裝置（實施例）在顆㈣飛揚之 初期之減壓通過低速排氣路進行，在顆軚之飛揚被抑制之 133004.doc -15· 200929353 低壓下之減壓經由主排氣路進行，可不引起顆粒之飛揚地 迅速進行抽真空* 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之第1實施形態之減壓裝置之概念圖。 圖2係本發明之第1實施形態之減壓裝置之之無機材質多 孔體安裝部之放大圖。 圖3係本發明之第1實施形態之減壓裝置所使用之無機材 質多孔體之縱截面圖。 圖4係圖2之A部之放大圖。 圖5係本發明之第2貪施形態之減壓裝置所使用之無機材 質多孔體單元之縱截面圖。 圖6係使用本發明之第1實施形態之減壓裝置之低速排氣 試驗之結果圖。 圖7係使用本發明之第1實施形態之減壓裝置之低速排氣 試驗之結果圖。 圖8係先前之減壓裝置之概念圖》 圖9係先前之減壓裝置之概念圖。 【主要元件符號說明】 1 減壓裝置 2 真空室 2a 排氣口 3 排氣機構 4 真空泵 5 主排氣路 133004.doc . 16- 200929353 6 第1閥（主閥） 7 低速排氣路 7a 低速排氣路壁 7A 下部低速排氣路 7A1 環狀卡合凹部 7A2 下凸緣 * 7B 上部低速排氣路 7B1 環狀卡合凹部 Ο ¥ 7B2 上凸緣 8 無機材質多孔體 8a 凸緣部 8al 下側環狀卡合凸部 8a2 上側環狀卡合凸部 8b 底部 9 第2閥（低速排氣閥） 〇 10 〇形環 11 金屬絲網 11a 環狀安裝構件 21 多孔體單元 ' 22 無機材質多孔體 23 金屬通氣管 23a 通氣口 23b 陰螺紋部 24 封閉構件 133004.doc -17- 200929353 24a 安裝突部 24b 陽螺紋部 25 軟質墊片 26 金屬製安裝環 27 金屬絲網 27a 環狀安裝構件 31 減壓裝置 32 真空室
33 排氣機構 34 板狀氧化鋁製過濾器 35 排氣口 36 真空泵 37 主排氣路 38 第1開閉閥（主閥） 39 低速排氣路 40 第2開閉閥（低速排氣閥） 41 減壓裝置 42 低速排氣口 C 空隙 g 間隔 133004.doc •18·

Claims (1)

  1. 200929353 十、申請專利範圍： 1. 一種減壓裝置’係具備真空室及對該真空室内進行減壓 之排氣機構者，其特徵在於：前述排氣機構具備： 端與别述真空室連通、另一端與真空泵連通之主排 氣路； 設於前述主排氣路上之第丨開閉閥； 一端經由前述主排氣路或直接與前述真空室連通、另 一端經由前述主排氣路或直接與前述真空泵連通之低速 排氣路； 在别述低速排氣路中與前述低速排氣路之内面隔以間 隔配設之圓筒形無機材質多孔體；及 設於前述低速排氣路上之第2開閉閥。 2. 如請求項1之減壓裝置，其中前述無機材質多孔鱧係於 轴向一端具有底部’於軸向另一端具有開口部之有底圓 筒形狀； @ 且以前述無機材質多孔體之底部位於前述排氣機構之 上游側之方式配置於前述低速排氣路内； 則述第2開閉閥設於前述無機材質多孔體之下游側。 3·如請求項2之減壓裝置，其中於前述無機材質多孔體之 開口部設有與前述無機材質多孔體同一材質構成之不透 氣性環狀凸緣部》 4.如請求項1之減壓裝置，其令前述無機材質多孔體為兩 端開口之圓筒形狀； 前述無機材質多孔體之内側設置有於其外周面具有通 133004.doc 200929353 氣口之中空狀金屬通氣管， 且於則述無機材質多孔體之 内側與前述金屬通氣管之外月面夕„ , _ 卜周面之間形成有空隙； 别述金屬通氣管之一端係由據基认 斤宙螺著於該端之封閉構件進 行封閉； 前述無機材質多孔體之—她仫士此+ι 端係由則述封閉構件封閉並 經由軟質墊片被押壓； 前述金屬通氣管之另一媸伤盗企&+， 嘴係氣社地貫通固著於該另一 端之金屬製安裝環； 前述無機材質多孔體之另_钟 端係經·由押壓於前述金屬 製安裝環之軟質墊片進行押壓。 如明求項4之減壓裝置’其中前述無機材質多孔體係將 安裝於該無機#質多㈣一端之封閉構件朝上游側設 置，第2開閉閥係設於前述無機材質多孔體之下游側。 6.如μ求項1之減壓裝置，其中前述無機材質多孔體係由 二氧化矽質多孔體構成。 〇 7.如明求項1之減壓裝置，其中前述無機材質多孔體係由 SiC多孔體構成。 8. 如明求項3之減壓裝置其中前述環狀凸緣部係由矽玻 璃構成。 9. 如凊求項3之減壓裝置，其中前述環狀凸緣部係由SiC構 成。 10. 一種無機材質多孔體，其特徵在於：其係配置於具備對 真二至内進行減壓之排氣機構之減壓裝置的前述排氣機 構中，且由圓筒形無機材質多孔體構成。 133004.doc 200929353 11.如明求項10之無機材質多孔體，其中前述無機材質多孔 體與設於其開口部之由與其相同材料構成之不透氣性環 狀凸緣部一體形成。 △如請求項1()之無機材質多孔體，其中前述無機材質多孔 體係由二氧化矽質多孔體構成。 13.如請求項10之無機材質多孔體’其令前述無機材質多孔 體係由Sic多孔體構成。 〇 133004.doc
TW97127837A 2007-07-23 2008-07-22 Decompression device and its use of inorganic material porous body TWI386998B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007190462A JP2009022916A (ja) 2007-07-23 2007-07-23 減圧装置
JP2007279283A JP5044362B2 (ja) 2007-10-26 2007-10-26 減圧装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200929353A true TW200929353A (en) 2009-07-01
TWI386998B TWI386998B (zh) 2013-02-21

Family

ID=40337004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW97127837A TWI386998B (zh) 2007-07-23 2008-07-22 Decompression device and its use of inorganic material porous body

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8186380B2 (zh)
KR (1) KR101012045B1 (zh)
TW (1) TWI386998B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117305801A (zh) * 2023-11-29 2023-12-29 龙焱能源科技（杭州）有限公司 用于基板镀膜的传动装置及镀膜传动系统

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5379101B2 (ja) * 2010-09-13 2013-12-25 住友重機械工業株式会社 クライオポンプ及びフィルタ装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US619569A (en) * 1899-02-14 hewel
US3838557A (en) * 1973-09-04 1974-10-01 Mc Donnell Douglas Corp Vent structure
DE3681799D1 (de) 1985-01-22 1991-11-14 Applied Materials Inc Halbleiter-bearbeitungseinrichtung.
US5181532A (en) * 1988-09-16 1993-01-26 Lage Brodefors Flow control
NL9200414A (nl) * 1992-03-06 1993-10-01 Bronkhorst High Tech Bv Laminair stromingselement met geintegreerd turbulentiefilter.
JP2723795B2 (ja) 1994-02-22 1998-03-09 九州日本電気株式会社 横型処理炉
US5623958A (en) * 1995-02-22 1997-04-29 Bumpers; Norman R. Low pressure relief valve
JP4014909B2 (ja) * 1997-05-08 2007-11-28 高砂熱学工業株式会社 フィルタ
DE19736846A1 (de) * 1997-08-23 1999-03-04 Mannesmann Vdo Ag Druckregelanordnung
US5974809A (en) * 1998-01-21 1999-11-02 Helix Technology Corporation Cryopump with an exhaust filter
US6357484B1 (en) * 1998-08-31 2002-03-19 Uop Llc Microporous structure defined by a multiplicity of singular channels and method of making
US7077159B1 (en) * 1998-12-23 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Processing apparatus having integrated pumping system
KR20020086978A (ko) * 2001-05-12 2002-11-21 삼성전자 주식회사 배기가스 냉각용 쿨링트랩 및 이를 구비한 반도체소자제조설비의 배기장치
JP3859546B2 (ja) * 2002-05-28 2006-12-20 富士通株式会社 強誘電体膜の検査装置及び検査方法並びに半導体装置の製造方法
KR20040017482A (ko) * 2002-08-21 2004-02-27 삼성전자주식회사 반도체 공정챔버 진공배기라인의 파우더 유입방지장치
KR100476715B1 (ko) * 2002-12-18 2005-03-17 삼성전자주식회사 배기 가스 처리 시스템
EP1846716A1 (en) * 2005-02-11 2007-10-24 Danmarks Tekniske Universitet Inlet stratification device
US7472720B2 (en) * 2006-10-30 2009-01-06 Young Engineering & Manufacturing, Inc. High flow nozzle system for flow control in bladder surge tanks
US8623141B2 (en) * 2009-05-18 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Piping system and control for semiconductor processing

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117305801A (zh) * 2023-11-29 2023-12-29 龙焱能源科技（杭州）有限公司 用于基板镀膜的传动装置及镀膜传动系统
CN117305801B (zh) * 2023-11-29 2024-03-08 龙焱能源科技（杭州）有限公司 用于基板镀膜的传动装置及镀膜传动系统

Also Published As

Publication number Publication date
US20090032127A1 (en) 2009-02-05
US8186380B2 (en) 2012-05-29
KR101012045B1 (ko) 2011-01-31
TWI386998B (zh) 2013-02-21
KR20090010901A (ko) 2009-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4300871B2 (ja) シート状多孔質金属体の製造方法
CN107699866B (zh) 一种改善流场均匀性的装置
US7651569B2 (en) Pedestal for furnace
CA2374561A1 (en) Culture chamber
JP2010528835A5 (zh)
TWI759666B (zh) 複合奈米多孔金屬膜
CN107565067A (zh) 热封装件
TW200929353A (en) Pressure-reducing apparatus and porous body of inorganic material used in this apparatus
CN104233222A (zh) 一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法
US10391454B2 (en) Monolithic separation membrane structure and method for producing monolithic separation membrane structure
JP5032937B2 (ja) ブレイクフィルタ
JP5044362B2 (ja) 減圧装置
CN107565072A (zh) 调制的热导的热封装件
JP2013122282A (ja) 真空容器の自動開閉機構
CN101956183A (zh) 化学气相沉积炉
JP2010112392A (ja) 減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置
JP2009022916A (ja) 減圧装置
CN104291826A (zh) 一种碳纳米管增强SiC基纳米复合材料膜的制备方法
CN105693265A (zh) 一种制备氧化铝基多孔陶瓷膜的方法
KR102189215B1 (ko) 탄화규소질 다공체 및 그의 제조 방법, 및 상기 탄화규소질 다공체를 이용한 브레이크 필터와 그의 제조 방법
JP2003045809A (ja) シャワープレート
JP2019156685A (ja) 炭化珪素質多孔体及びその製造方法、並びに前記炭化珪素質多孔体を用いたブレイクフィルタ
JP2021094486A (ja) ブレイクフィルタ及びブレイクフィルタの製造方法
JP6683365B2 (ja) 気体分離フィルタの製造方法
JP2015071519A (ja) 多孔質ＳｉＣ焼結体及び多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法