TW200922948A - Triazine containing polymer and organic light-emitting device using the same - Google Patents

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200922948 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於含有三畊環之高分子化合物。更詳細而 說明，本發明係關於可適合地使用於有機發光元件之電子 輸送性的含有三畊環之高分子化合物。 【先前技術】 已知’有機發光元件係於陽極與陰極之間，設置一層 或複數之有機層的多層構造之元件。專利文獻1中揭示於 有機層中含有低分子化合物之三畊衍生物的有機發光元件 0 又，使用低分子化合物形成層時，可使用一般真空鍍 發法（vacuum vapor deposition method)，但是該方法係 具有真空設備爲必需與層之膜厚易於不均勻的問題。 對於此而言，具有使用高分子化合物，即可藉由旋轉 塗佈（spin coat )等之塗佈法可形成層之優點。例如，專 利文獻2中揭示具有含有三畊環之重複單位的螢光發光性 之共軛高分子化合物。 又’非專利文獻1中揭示可利用於有機發光元件與場 效電晶體（field effect transistor，簡稱FET)之具有三Π井 骨架之非共軛高分子化合物。具體而言，該高分子化合物 係將電子輸送性之三苯基三Ej并衍生物單體與電洞輸送性之 三苯胺衍生物單體進行共聚合，製得之高分子化合物。 又’非專利文獻2中揭不具有由三苯基三卩并衍生物衍 -5- 200922948 生之構成單位、由茈衍生物衍生之構成單位及由銥金屬錯 合物衍生之構成單位的非共軛高分子化合物及使用該高分 子化合物的有機發光元件。 〔專利文獻1〕特開2006-173569號公報 〔專利文獻2〕特開2002-129155號公報 〔非專利文獻 1〕Marc Behl et al., “Block Copolymers Build-up of Electron and Hole Transport Materials”， Macromolecular Chemistry and Physics, 2004，205，p. 1 6 3 3 -1643 ° 〔非專利文獻 2〕Se Young Oh et al·，“Characteristics of Polymer Light Emitting Diode Using a Phosphorescent Terpolymer Containing Perylene，Trianzine and Ir ( ppy) 3 Moieties in the Polymer Side Chain’，，Molecular Crystals and Liquid Crystals 2006，45 8，p.227-235。 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 又，但是使用非專利文獻2所記載之高分子化合物的 有機發光元件係在驅動電壓、發光效率及到達最高亮度方 面仍有改善之餘地。 因此，本發明之目的係提供用於有機發光元件時，可 得到具有低的驅動電壓，同時具有高發光效率及高亮度的 高分子化合物。 200922948 〔用以解決課題之手段〕 本發明人欲解決上述課題而專心硏究之結果，發現藉 由含有由特定之聚合性化合物衍生之構成單位，用於有機 發光元件時’可得到具有低的驅動電壓，同時具有高發光 效率及高亮度的高分子化合物，遂完成本發明。 即’本發明係關於例如以下之〔1〕〜〔8〕。 〔1〕一種高分子化合物’其特徵爲含有由式（1)表 示之電子輸送性之聚合性化合物衍生的構成單位， 〔化1〕

(式中，A 、A 及A5係各自獨立，表示可具有以雜原子 作爲環構成原子的1價之芳香族基，A2、A4及A6係各自 獨立，表示可具有以雜原子作爲環構成原子的2價之芳香 族基，A1〜A6中至少丨種係具有含有聚合性官能基之取代 基，A1〜A6係可具有含有聚合性官能基之取代基以外的取 代基，m係表示1〜2之整數，n係表示〇〜2之整數，p 係表示0〜2之整數）。 〔2〕如上述〔1〕之高分子化合物，其中前述Αι爲 具有含有聚合性官能基之取代基，11與p不同時爲〇。 3〕如上述〔1〕或〔2 〕之高分子化合物，其中前 200922948 述高分子化合物係更具有由發光性之聚合性化合物衍生之 構成單位的發光性之高分子化合物。 〔4〕如上述〔3〕之高分子化合物，其中前述發光性 之聚合性化合物係具有磷光發光性。 〔5〕如上述〔4〕之高分子化合物，其中前述發光性 之聚合性化合物係具有含有聚合性官能基之取代基的過渡 金屬錯合物。 〔6〕如上述〔5〕之高分子化合物，其中前述過渡金 屬錯合物係銥金屬錯合物。 〔7〕如上述〔1〕之高分子化合物，其中前述高分子 化合物係更含有電洞輸送性之聚合性化合物衍生的單位。 〔8〕一種有機發光兀件，其係於陽極與陰極之間備 有發光層所構成之有機發光元件，其特徵爲該發光層係含 有上述〔1〕之高分子化合物。 〔本發明之效果〕 依據本發明之高分子化合物時’可得到具有低的驅動 電壓’同時具有高發光效率及高亮度之有機發光元件。 〔用以實施本發明之最佳形態〕 以下’詳細地說明本發明。又，本發明說明書中，合 併電子輸送性及電洞輸送性亦稱爲載體輸送性（carrier TRANSPORTABLE)。 200922948 <實施之形態1> 本發明之高分子化合物（1 )(實施之形態1 )係將含 有上述式（1 )表示之電子輸送性之聚合性化合物衍生之 構成單位、上述式（1)表示之電子輸送性之聚合性化合 物進行聚合可製得。高分子化合物（1 )之電子輸送性的 部位係含有三畊環、2價之芳香族基（A2 )及1價之芳香 族基（A 1 )直列地並列之構造，故可製得具有高的發光效 率之有機發光元件。 上述式（1 )中’ A1、A3及A5係各自獨立，表示可具 有以雜原子作爲環構成原子之1價之芳香族基，例如，1 價之5員環或6員環之芳香族基（可具有以雜原子作爲環 構成原子）或1價之縮合多環芳香族基（可具有以雜原子 作爲環構成原子）。 此等之中’上述6員環之芳香族基爲佳，該芳香族基 係例如苯基、吡啶基、嘧啶基。 此等之中，由載體輸送性之觀點，苯基爲佳。 A2、A4及A6係各自獨立，表示可具有以雜原子作爲 環構成原子之2價的芳香族基，例如，2價之5員環或6 員環之芳香族基（可具有以雜原子作爲環構成原子）或2 價之縮合多環芳香族基（可具有以雜原子作爲環構成原子 )° 此等之中’上述6員環之芳香族基爲佳，該芳香族基 係亞苯基、吡啶基、嘧啶基。 此等之中’由載體輸送之觀點，亞苯基爲佳。 -9- 200922948 A1〜A6之中至少1個係具有含有聚合性官能基之取代 基。此等之中，A1爲具有含有聚合性官能基之取代基時， 得具有更高的發光效率之有機發光元件。 上述聚合性官能基係可爲自由基聚合性、陽離子聚合 &、陰離子聚合性、加成聚合性及縮合聚合性之官能基中 任〜者。此等之中，自由基聚合性之官能基係容易製造聚 合物，因此較佳。 具體而言’上述具有聚合性官能基之取代基係下述一 般：式（7 )表示之取代基爲佳。 〔化2〕 〇701 •一X7~^ (7) 上述（7)中’ R7Q1係表示氫原子或碳數1〜12之院 基。 上述碳數1〜12之烷基係例如甲基、乙基、丙基、異 汽基、丁基、異丁基、t_ 丁基、胺基、己基、辛基、癸基 、2 -乙基己基、十二烷基等。 此等之中，由載體輸送能之觀點，r7〇i係氫原子爲佳 〇 Χ7係表示單鍵或下述（X71)〜（X74)表示之基。 -10- 200922948

式中，X71係表示單鍵或碳數1〜12之亞烷基，X72係 表示單鍵或碳數1〜12之亞烷基或亞苯基。又，式（1) 中’ RX71係鍵結於A1 ’ RX72係鍵結於乙烯基者爲佳。依 據如此之X7時，可製得具有低的驅動電壓，同時具有高 發光效率及高亮度之有機發光元件。 此等之中’ X7係單鍵或碳數1〜20之亞院基爲佳，單 鍵爲更佳。如此之X7不含有雜原子時，可製得具有更汽 的發光效率之有機發光元件。 又，A1〜A6係可具有含有聚合性官能基之 取代基以外

的取代基。 A 之烷基 這般之取代基係例如氰基、胺基、碳數丨〜. 或碳數1〜12之烷氧基等。 上述碳數1〜1 2之烷基係例如甲某、7 r'J基 丙基、丁基、異丁基、t -丁基、胺基、己基 口垂、半基' 、2_乙基己基、十二院基等。 上述碳數1〜1 2之烷氧基係例如甲氧基 „ 、乙氧基、两 基、芮基、異 癸基 11 - 200922948 氧基、異丙氧基、丁基、異丁氧基、t-丁氧基、己氧基、 2-乙基己氧基、癸氧基、十二烷氧基等。 此等之中’上述電子輸送性之聚合性化合物係由溶解 性及載體輸送能之觀點’ A1爲下述式（！ 2 )所表示，a3 及A5爲下述式（13)所表示’ A2、A4及A6爲下述式（14 )所表示者爲特別佳。於此，R13 G1係表示氫原子、碳數1 〜12之烷基或碳數1〜12之烷氧基，較佳爲表示碳數1〜 1 2之烷基。 〔化4〕 -〇-\(12) —R13。1 (13) "Ο" (14) m係表不1〜2之整數。又，n係表示〇〜2之整數，p 係表示〇〜2之整數。由分子之對稱性之觀點，„與p不同 時爲〇較佳。 上述電子輸送性之聚合性化合物係可單獨使用或組合 2種以上使用。 這般之電子輸送性之聚合性化合物係例如使用路易斯 酸，使苯甲腈衍生物與溴苯甲醯氯產生環化反應後，藉由 鈴木偶合法，將乙烯基硼酸可藉由進行偶合製造。 又，製造高分子（1 )時，更可使用其他之聚合性化 合物。上述其他之聚合性化合物係例如丙烯酸甲酯、甲基 -12- 200922948 丙烯酸甲酯等之（甲基）丙烯酸烷基酯、苯乙烯及該衍生 物等之不具有載體輸送性的化合物，但是並不限定任何一 者。由高分子化合物（1 )中、其他之聚合性化合物衍生 之構造單位的含有量係0〜50mol%爲佳。 高分子化合物（1 )之製造係使用上述之聚合性化合 物，可以自由基聚合、陽離子聚合、陰離子聚合及加成聚 合中任一者進行，但是可以自由基聚合進行爲佳。 高分子化合物（1)之重量平均分子量，一般爲1，〇〇〇 〜2,000,000，較佳爲 5,000〜500,000。重量平均分子量於 該範圍，則高分子化合物（1 )可溶於有機溶劑，可製得 均勻的薄膜，因此較佳。於此，重量平均分子量係依據凝 膠滲透層析（GPC )法，將四氫呋喃作爲溶劑，以4(TC所 測定之値。 關於高分子化合物（1 )對於甲苯、氯仿等之有機溶 劑之溶解性，高分子化合物（1 ) 1重量份溶解於有機溶劑 1〜200重量份之量者爲佳，溶解於10〜50重量份之量者 爲更佳。溶解性爲該範圍時，則易於藉由塗佈法製作有機 發光元件，因此較佳。 <實施之形態2 > 本發明之高分子化合物（2 )(實施之形態2 )係含有 由上述式（1 )表示之電子輸送性之聚合性化合物衍生之 構成單位，同時更含有由發光性之聚合性化合物衍生之構 成單位，將上述式（1 )表示之電子輸送性之聚合性化合 -13- 200922948 物及發光性之聚合性化合物進行聚合可製得。 關於上述（1 )表示之電子輸送性之聚合性化合物係 與可使用於實施之形態1之電子輸送性之聚合性化合物同 義’較佳的範圍及該理由亦相同。 上述發光性之聚合性化合物係具有磷光發光性者爲佳 ’具有含有聚合性官能基之取代基之過渡金屬錯合物者爲 較佳，具有含有聚合性官能基之取代基之銥金屬錯合物爲 更佳。 這般銥金屬錯合物係可適合使用於下述一般式（2) 〜（4 )表示之錯合物。此等之聚合性化合物係具有聚合 性之官能基的乙烯基。

上述（2)中，R2。1〜R215係各自獨立’表示選自氫原 子、鹵素原子、氰基 '碳數〗〜10之院基、碳數6〜1〇之 芳基、被碳數1〜10之烷基取代之胺基、碳數1〜1〇之院 氧基及甲矽烷基所成之群的原子或取代基。 上述鹵素原子係例如氟原子、氯原子、溴原子或碑原 子。 -14- 200922948 上述碳數1〜10之烷基係例如甲基、乙基、丙基、異 丙基、丁基、異丁基、t-丁基、胺基、己基、辛基、癸基 等。 上述碳數6〜10之芳基係例如苯基、甲苯基、二甲苯 基、来基、萘基等。 被上述碳數1〜1 0之烷基取代之胺基係例如胺基、二 甲基胺基、二乙基胺基、二丁基胺基等。 上述碳數1〜10之烷氧基係例如甲氧基、乙氧基、丙 氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、t -丁氧基、己氧基 、2-乙基己氧基、癸氧基等。 上述甲矽烷基係例如三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷 基、t-丁基二甲基甲矽烷基、三甲氧基甲矽烷基等。 此等之中，由磷光發光特性之觀點，R2Q1〜R215係氫 原子、氟原子、氰基、甲基、t-丁基、二甲基胺基、丁氧 基、2-乙基己氧基爲佳，R2()2爲卜丁基，除了 以外之 R2()1〜R215爲氫原子較佳。 R20I 〜r2 0 4、R2 0 5 〜r2 0 8、r2 0 9 〜r2"、r212 〜r215 之 各自中，鍵結於環上鄰接之碳原子的2個基係可相互地鍵 結形成縮合環。 R216係表示氫原子或碳數1〜12之院基。上述碳數1 〜1 2之烷基係例如上述之烷基。 此等之中，由載體輸送能之觀點，R216係氫原子爲佳 〇 (X24 )表示之基 X2係表示單鍵或下述式（X21 )〜 -15- 200922948

上述（3)中，R3Q1〜R3Q8係各自獨立，表示與R2()1 相同之原子或取代基。 R3G9〜R3IQ係各自獨立，表示與R2Q1相同之原子或取 代基（但是，除了鹵素原子之外）。 -16- 200922948 此等之中，由磷光發光特性之觀點，R3Q1〜R310係各 自獨立，表示氫原子、氟原子、氰基、甲基、t -丁基、二 甲基胺基、丁氧基、2-乙基己氧基爲佳，R3 02爲t-丁基， 除了 R2 0 2之外的R3(M〜r31〇爲氫原子較佳。 R301~R 3 0 4 、R3Q5〜尺3°8之各自中，鍵結於環上鄰接 之碳原子的2個之基係可相互地鍵結形成縮合環。 R311係表示與R216相同之原子或取代基，較佳的範圍 及該理由亦與R 15相同。 X3係表示單鍵或下述式（X31)〜（X34)表示之基

.RX31___^ .RX31〜 •rx31__ ch2— RX32 -(X31) 0 rX32 • (X32) S RX32 -(X33) 0 II II II rX32 (X34) 0 式中，RX31 @ $單鍵或碳數 1〜1 2之亞烷基，RX32 係表示單鍵、碳數 範圍及理由係與X2 1〜12之亞烷基或亞苯基。X3之較佳的 相同。 -17- 200922948 〔化9〕

上述式（4)中，RX401〜RX411係各自獨立，表示與 R2C1相同之原子或取代基。 此等之中，由磷光發光特性之觀點’ R4G1 〜r4U係 各自獨立，表示氫原子、氟原子、氰基、甲基、卜丁基、 二甲基胺基、丁氧基、2-乙基己氧基爲佳，R4()2爲t-丁基 ，除了 R4()2之外的R4 01〜R4 11爲氫原子較佳。 r4〇1〜 r4〇4 、R4〇5〜 r4〇8、r409〜 r411 之各自中，鍵 結於環上鄰接之碳原子的2個基係可相互地鍵結形成縮合 環。 R412係表示與R2“相同之原子或取代基，較佳的範圍 及該理由亦與R216相同。

X4係表示單鍵或卞^__y M Λ卜逑式（X41)〜（X44)表不之基 -18- 200922948

式中，RX41係表示單鍵或碳數1〜12之亞烷基，RX4 2 係表示單鍵、碳數1〜12之亞烷基或亞苯基。X4之較佳的 範圍及理由係與X2相同。 上述磷光發光性之聚合性化合物係可單獨使用或組合 2種以上使用。 這般之磷光發光性之聚合性化合物係例如使氯化銥與 苯基吡啶衍生物反應，作爲銥之2核錯合物後，可藉由使 具有聚合性官能基之配位子（於上述（2)〜（4)中Ir之 右側配位之配位子）產生反應製造。 又’關於製造高分子化合物（2 )時，進而亦可使用 之其他的聚合性化合物方面與實施之形態1相同。 高分子化合物（2 )之製造係使用上述之聚合性化合 物’可以自由基聚合、陽離子聚合、陰離子聚合及加成聚 合中任一種進行，但是以自由基聚合進行爲佳。 關於高分子化合物（2 )之重量平均分子量係與實施 之形態1相同。對於高分子化合物（2 )之有機溶劑的溶 -19- 200922948 解性係與實施之形態1相同。 又，高分子化合物（2)中，將由磷光發光性之聚合 性化合物衍生之構成單位爲m、由電子輸送性之聚合性化 合物衍生之構成單位數爲η時（m、η係表示1以上之整 數）、對於由全構成單位數之磷光發光性之聚合性化合物 衍生之構造單位數的比例，即m/ ( m + n )之値係於〇 . 〇 〇 1 〜0.5之範圍爲佳，於0.001〜0.2之範圍爲更佳。m/( m + n )之値爲於該範圍時，載體移動度高、濃度消光之影 響小，可製得高的發光效率之有機發光元件。上述之這般 的高分子化合物中各構成單位之比例係可依據IC P元素分 析及13c-nmr測量。 又，上述電子輸送性之聚合性化合物及上述磷光發光 性之聚合性化合物之比率於上述範圍內適宜調整進行聚合 時，可製得具有所期望之構造的高分子化合物（2)。 又’高分子化合物（2 )係可爲無規共聚物、嵌段共 聚物及交替共聚物中任一者。 <實施之形態3 > 本發明之高分子化合物（3 )(實施之形態3 )係含有 由上述（1 )表示之電子輸送性之聚合性化合物衍生之構 成單位及發光性之聚合性化合物衍生之構成單位同時，更 含有電洞輸送性之聚合性化合物衍生之單位，將上述（1 )表示之電子輸送性之聚合性化合物、發光性之聚合性化 合物及電洞輸送性之聚合性化合物進行聚合可製得。 -20- 200922948 關於上述式（1)表示之電子輸送性的聚合性化合物 及發光性之聚合性化合物係與使用於實施之形態i之電子 輸送性之聚合性化合物及使用於實施之形態2之發光性的 聚合性化合物同義，較佳之範圍及該理由亦相同。 上述電洞輸送性之聚合性化合物係適合地使用含有具 有聚合性官能基之取代基的咔唑衍生物或三芳基胺衍生物 〇 這般之咔唑衍生物及三芳基胺衍生物係例如含有具有 聚合性官能基之取代基、N，N，-二苯基-N，N，-(3-甲基苯基 )聯苯基-4,4、二胺（TPD) 、N，N，N，，N，-四（3 -甲 基苯基）-1，1’-(3,3’-二甲基）聯苯基-4,4，二胺（11^〇?0 )、4,4’，4”-三（3 -甲基苯基苯基胺）三苯基胺（m-MTD ΑΤΑ ) 、4,4’-雙咔唑基聯苯（〇8?) 、4,4’-雙咔唑基 -2,2’-二甲基聯苯（CDBP )等。 上述電洞輸送性之聚合性化合物係可單獨使用或組合 2種以上使用。 又，下述一般式（5)〜（6)表示之電洞輸送性之聚 合性化合物亦由載體輸送能及光物性之觀點，亦可適合使 用於本發明。 -21 - (5) (5)200922948

上述式（5 )中，R5G1〜R5 2 4中至少1種係表示具有聚 合性官能基之取代基、非具有該聚合性官能基之取代基的 R5G1〜R524係各自獨立，表示選自氫原子、鹵素原子、氯 基、碳數1〜10之烷基、碳數6〜10之芳基、可被碳數】 〜10之烷基取代之胺基、碳數1〜10之烷氧基、味哩基及 甲矽烷基所成之群的原子或取代基。 上述原子或取代基之具體例係例如上述之原子或取代 基。上述咔唑基係可具有甲基、乙基、t-丁基、甲氧基等 之取代基。 R501 〜R 5 0 5、R 5 0 6 〜R510、R511 〜R515、R516 〜R520 及 R5 21〜R5 23之各自中，鍵結於苯環上鄰接之碳原子的2個 基係可相互地鍵結形成縮合環。 -22 - 200922948

上述式（6 )中，r6〇〗〜 R 6 3 3中至少1種係表示具有聚 合性官能基之取代基、非具有該聚合性官能基之取代基的 R6Q1〜R633係各自獨立，表示選自氫原子、鹵素原子、氰 基、碳數1〜10之院基、碳數6〜ίο之方基、可被碳數1 〜10之烷基取代之胺基、碳數1〜10之烷氧基、咔哩基及 甲矽烷基所成之群的原子或取代基。 上述原子或取代基之具體例係例如上述之原子或取代 基。 R601〜 R605、R606〜 R610、r611〜 r615、r616〜 r62〇、 tj 6 2 1 d625 d626 13 6 3 0 /tt pt-, τ R〜R 、R〜R 之各自中，鍵結於苯環上鄰接之碳 原子的2個基係可相互地鍵結形成縮合環。 此等之中’上述式（5 )表不之聚合性化合物係R 5 〇1 〜、R5〇6〜r510、r511 〜r515、r5u〜 r52〇 之各自，至 少一種係氫原子以外之上述原子或取代基者爲佳。又，此 -23- 200922948 時，非聚合性官能基或上述原子或取代基之R5()1〜R 5 2 4係 氫原子。又，上述式（6)表示之聚合性化合物係R6Q1〜 r605、r606〜r610、r611〜r615、r616〜r620、R621〜R625、 R626〜r63〇之各自中，至少一種係氫原子以外之上述原子 或取代基爲佳。又，此時，非聚合性官能基或上述原子或 取代基之R6C)1〜R 6 3 3係氫原子。 具有上述聚合性官能基之取代基係上述一般式（7) 表示之取代基爲佳。 R7()1係表示氫原子或碳數1〜12之烷基。R7G1之較佳 的範圍及該理由係與實施之形態1所述之電子輸送性的聚 合性化合物之情況相同。 X7係表示單鍵或上述（X71)〜（X74)表示之基。 X7之較佳的範圍及理由係與實施之形態1所述之電子輸送 性之聚合性化合物的情況相同。 上述電洞輸送性之聚合性化合物，具體而言，例如下 述（8-1)〜（8-10)表示之化合物。 -24- 200922948 〔化 1 3〕

(8-1)

(8-2)

-25- 200922948 上述電洞輸送性之聚合性化合物係可單獨使用或可組 合2種以上使用。 上述式（5 )表示之化合物係可藉由例如m —苯撐二胺 衍生物及鹵化芳基或二芳基胺及m -二溴苯衍生物之鈀觸 媒取代反應製造。取代反應之具體方法係被記載於例如 Tetrahedron Letters、1 9 9 8 年、39 卷、23 67 苜等。又，上 述式（6 )表示之化合物係可藉由例如1，3，5 -三胺苯及鹵 化芳基或二芳基胺及1，3, 5 -三鹵化苯之鈀觸媒取代反應製 造。關於取代反應之具體的方法係被記載於例如 Tetrahedron Letters ' 1 99 8 年、39 卷、23 67 頁等。 又，製造高分子化合物（3)時，更可使用之其他的 聚合性化合物中與實施之形態1相同。 高分子化合物（3 )之製造係使用上述之聚合性化合 物，可以自由基聚合、陽離子聚合、陰離子聚合及加成聚 合中任一種進行，但是以自由基聚合進行爲佳。 關於高分子化合物（3 )之重量分子量係與實施之形 態1相同。又，對於高分子化合物（3 )之有機溶劑的溶 解性係與實施之形態1相同。 又，高分子化合物（3 )中，由磷光發光性之聚合性 化合物衍生之構成單位數爲m、由載體傳輸性之聚合性化 合物衍生之構成單位數爲η時（m、η係表示1以上之整 數）、對於全體構成單位數而言，由磷光發光性之聚合性 化合物衍生之構造單位數之比例，即πι/ ( m + n )之値係於 0.001〜0.5之範圍爲佳，於0.001〜0.2之範圍爲較佳。m/ -26- 200922948 (m + n)之値於該範圍時’製得載體移動度爲高、 光之影響小、高的發光效率之有機發光元件。 又，高分子化合物（3 )中’由電洞輸送性之 化合物衍生之構造單位數爲x ’由電子輸送性之聚 合物衍生之構造單位數爲y ’則（x、y係表示1以 數）與上述η之間，n=x + y之關係成立。對於由 送性化合物衍生之構造單位數而言’由電洞輸送性 性化合物衍生之構造單位數之比例爲x/n及由電子 之聚合性化合物衍生之構造單位數之比例爲y/n之 値係依據各構造單位之電荷輸送性、濃度等決定。 該高分子化合物（3)形成有機發光元件之發光層I 及y/n之値係各自於0.05〜0.95之範圍爲佳，於 0.80之範圍爲較佳。於此，x/n + y/ n=l爲成立。又 之這般的高分子化合物中各構成單位之比例係可藉 元素分析及13C-NMR測定估計。 又，上述電子輸送性之聚合性化合物、上述磷 性之聚合性化合物及上述電洞輸送性之聚合性化合 率於上述範圍內適宜調整進行聚合，即可製得具有 構造之高分子化合物（3 )。 又，高分子化合物（3 )係可爲無規共聚物、 聚物及交替共聚物中任一種。 <實施之形態4 > 本發明之有機發光元件（實施之形態4 )係備 濃度消 聚合性 合性化 上之整 載體輸 之聚合 輸送性 最適合 僅藉由 寺，x/n 0.20 〜 ，上述 由 ICP 光發光 物之比 所期望 嵌段共 有一層 -27- 200922948 於陽極及陰極之間，含有具有特定之 、後述之發光性的化合物及由後述之 化合物衍生之構成單位之高分子（1 ’ 發光層係對於高分子化合物（1 ) 1 00 有上述發光性之化合物，0.1〜50重I 量份之量爲較佳、高分子（1，）10〜 最佳爲5 0〜1 5 0重量份之量。如此， 子化合物（1 )、發光性之化合物及 化合物（1 ’）形成發光層時，可即使 料之層時’也可製作具有高的發光效; 上述發光性之化合物，磷光發光 金屬錯合物爲較佳。 上述銥金屬錯合物，具體而言， 錯合物（E-1)〜（E-39)。 .高分子化合物（1 ) 電洞輸送性之聚合性 )的發光層。此時， 重量份而言，期望含 U分爲佳，〇 . 5〜3 0重 200重量份爲更佳， 由電子輸送性之高分 電洞輸送性之高分子 不設置其他之有機材 _之有機發光元件。 性之化合物爲佳，銥 可適合使用如下述的 -28- 200922948

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上述發光性之化合物係可單獨使用或是組合2種以上 使用。 高分子化合物（1 ’）係可進行電洞輸送性之聚合性化 合物製得。關於上述電洞輸送性之聚合性化合物係與實施 例之形態3使用之電洞輸送性之聚合性化合物同義，較佳 之範圍及該理由亦相同。 高分子化合物（1 ’）之製造係可使用上述之聚合性化 合物，可以自由基聚合、陽離子聚合、陰離子聚合、加成 聚合性中任一者進行’以自由基聚合進行爲佳。 高分子化合物（丨’）之重量平均分子量’期望一般爲 1,000〜2,000,000，較佳爲5,〇〇〇〜500,000。重量平均分 子量於該範圍時，高分子化合物（1 ’）可溶於有機溶劑’ 可製得均勻的薄膜爲佳。於此’重量平均分子量係依據凝 膠滲透層析（G P C )法’將四氫呋喃作爲溶劑’以4 0 °C被 -32- 200922948 測定之値。又，對於高分子化合物（1’）之有機溶劑之溶 解性係與實施之形態1相同。 於上述陽極與陰極之間，備有一層含有高分子化合物 (1 )、發光性之化合物及高分子化合物（1，）之發光層 所構成之有機發光元件之製造中，該發光層於設置基板上 之陽極上，一般用如以下之方式形成。首先，調製已溶解 高分子化合物（1 )、發光性之化合物及高分子化合物（ 1 ’）之溶液。可使用於上述溶液之調製的溶劑並不特別被 限制，但是例如可使用氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等之氯 系溶劑、四氫呋喃、苯甲醚等之醚系溶劑、甲苯、二甲苯 等之芳香族烴系溶劑、丙酮、丁酮等之酮系溶劑、乙酸乙 酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑（ethyl cellos olve )乙酸酯等 之酯系溶劑等。接著’將由此調製之溶液藉由旋轉塗佈法 、鑄造法、微凹版印刷塗佈法 '凹版印刷塗佈法、棒塗佈 法（bar coating )、滾軸塗佈法、銅線棒塗佈法（wirebar coating )、浸漬塗佈法、噴出法、網版印刷法 '柔性板印 刷法、平板印刷法、電腦噴畫法等之濕式成膜法等成膜於 基板上。依賴可使用之化合物及成膜條件等，但是例如於 旋轉塗佈法與浸漬塗佈法時，上述溶液對於高分子化合物 (1 ) 1 〇 〇重量份而言’以發光性之化合物爲〇 _ 5〜3 0重量 份’以高分子化合物（1 ’）爲1 〇〜2 0 0重量份之量，溶劑 以1 000〜20000重量份之量含有爲佳。 於如此形成之發光層之上設置陰極時，可製得實施之 形態4之有機發光元件。 -33- 200922948 又’使用於實施之形態4之基板係對於上述發光材料 之發光波長而言，可適合使用透明的絕緣性基板，具體而 言，除了玻璃之外，可使用PET (聚乙烯對苯二甲酸酯） 、聚碳酸酯等之透明塑膠等。 又，可使用於實施之形態4之陽極材料係可適合使用 例如IT 0 (氧化銦錫）氧化錫、氧化辞、聚噻吩、聚卩比略 、聚苯胺等之導電性高分子等習知之透明導電材料。藉由 該透明導電材料所形成之電極的表面電阻係i〜5 0 Ω / □( ohm/square)爲佳。陽極之厚度係50〜3〇〇nm爲佳。 又’可使用於實施之形態4之陰極材料可適合使用例 如Li、Na、K、Cs等之鹼金屬；Mg、Ca、Ba等之鹼土類 金屬；Al; MgAg合金；AlLi、AICa等之A1與鹼金屬或 驗土類金屬之合金等公知之陰極材料。陰極之厚度，期望 l〇nm〜Ιμηα爲佳，較佳爲50〜5〇〇nm。使用鹼金屬、鹼土 類金屬等之活性高的金屬時，陰極之厚度，期望〇1〜 100nm爲佳’較佳爲〇.5〜50nm。又，此時，以保護上述 陰極金屬之目的’於該陰極上對於大氣而言，安定的金屬 層被層合。形成上述金屬層之金屬係例如Al、Ag、Au、 Pt、Cu、Ni、Cr等。上述金屬層之厚度，期望i〇nm〜 Ιμιη爲佳，較佳爲50〜500nm。 又’上述陽極材料之成膜方法可使用例如電子束蒸鍍 法、滕鑛法、化學反應法、塗佈法（c 0 a t i n g m e t h 〇 d )等 ’上述陰極材料之成膜方法可使用例如電阻加熱蒸鍍法、 電子束蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍著（i〇n plaiing )法等。 -34- 200922948 <實施之形態5 > 本發明之有機發光元件（實施之形態5 )係備有—層 於陽極與陰極之間’含有特定之高分子化合物（2 )及高 分子化合物（1 ’）之發光層。此時，發光層係對於高分子 化合物（2) 100重量份而言’期望含有高分子（1，）爲 10〜200重量份爲佳，較佳爲5〇〜15〇重量份之量。如此 ’由合倂電子輸送性及發光性之之高分子化合物（1 )及 電洞輸送性之高分子化合物（1，）形成發光層時，可即使 不設置其他之有機材料時’也可製作具有高的發光效率之 有機發光元件。 關於上述高分子化合物（1 ’）係與可使用於實施之形 SS 4之局分子化合物（1 ’）同義，較佳的範圍及該理由亦 相同。 上述發光層係於設置於基板上之陽極上，使用一般如 下述之方法所形成。首先，調製已溶解高分子化合物（2 )及上述電洞輸送性之化合物的溶液。關於使用於上述溶 液之調製的溶劑係與實施之形態4相同。關於已調製之溶 液之成膜方法係與實施之形態4相同。依賴於使用之化合 物及成膜條件寺’但是例如於旋轉塗佈法與浸漬塗佈法時 ’上述溶液對於高分子化合物（2 ) 1 0 0重量份而言，含有 高分子化合物（1，）爲10〜200重量份之量、溶劑爲1000 〜20000重量份之量爲佳。 由如此方法所形成之發光層之上設置陰極時，可製得 -35- 200922948 實施之形態5之有機發光元件。 又，關於使用於實施之形態5之基板、陽極材料、陰 極材料及陽極材料及陰極材料之成膜方法係與實施之形態 4相同。 <實施之形態6 > 本發明之有機發光元件（實施之形態6 )係備有一層 於陽極與陰極之間，含有特定之高分子化合物（3)之發 光層。使用合倂電子輸送性、磷光發光性及電洞輸送性之 高分子化合物（3)形成發光層時，即使不設置其他之有 機材料之層，也可製作具有高的發光效率之有機發光元件 。又，實施之形態6係可構成僅由高分子化合物（3 )構 成發光層，故具有製造步驟可更簡略化之優點。 上述發光層係於設置於基板上之陽極上，一般如下方· 法所形成。首先，調製已溶解高分子化合物（3 )之溶液 。關於用於調製上述溶液的溶劑係與實施之形態4相同。 關於已調製之溶液之成膜方法係與實施之形態4相同。{衣 賴於使用之化合物及成膜條件等，但是例如於旋轉塗丨布$ 與浸漬塗佈法時，上述溶液係對於高分子化合物（3 ) 1 00 重量份而言，含有溶劑1 000〜20000重量份之量爲佳。 於這般所形成之發光層之上設置陰極時，可製得實方包 之形態6之有機發光元件。 又，關於使用於實施之形態6之基板、陽極材料、陰 極材料及陽極材料及陰極材料之成膜方法係與實施之$ 4 -36- 200922948 態相同。 <實施之形態7 > 關於本發明之有機發光元件係於陽極與陰極之間，以 實施之形態4〜6說明之發光層，同時可備有其他之有機 層所構成之有機發光元件（實施之形態7 )。 作爲其他之有機層係可例如電洞輸送層、電子輸送層 、電洞阻擋層、緩衝層等。藉由設置此等之有機層，亦可 更提高發光效率。 關於本發明之有機發光元件（實施之形態7 )之構成 的一例如圖1所表示。圖1係於透明基板（1 )上設置之 陽極（2 )及陰極（6 )之間，依照順序可設置電洞輸送層 (3 )、以實施之形態1或2說明之發光層（4 )及電子輸 送層（5 )。 又’實施之形態7係可例如於陽極（2 )與陰極（6 ) 之間’可設置1)電洞輸送層/上述發光層、2)上述發光 層/電子輸送層中任一者。 上述之各有機層係可混合、形成作爲黏合劑之高分子 材料等。上述高分子材料例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸 酯、聚酯、聚颯、聚氧化二甲苯等。 又’使用於上述電洞輸送層及電子輸送層之電洞輸送 性之化合物及電子傳輸性之化合物係可各自單獨形成各層 或是可混合機能相異的材料形成各層。

形成上述電洞輸送層之電洞輸送性之化合物例如T p D -37- 200922948 (N，N’-二甲基-N，N’- ( 3-甲基苯基）-ΐ,ι，_聯苯基.4,4,二 胺）；a -NPD ( 4,4，-雙〔N- ( 1-萘基）-N-苯基胺〕聯苯 );«1,丁0八丁八（4,4’，4’’-三（3-甲基苯基苯基胺）三苯 基胺）等之低分子三苯基胺衍生物；聚乙烯咔唑、於上述 三苯基胺衍生物中導入聚合性官能基聚合之高分子化合物 ;聚對苯乙烯、聚二烷基芴等之螢光性高分子化合物等。 上述高分子化合物例如特開平8 - 1 5 7 5 7 5號公報揭示之三 苯基胺骨架之高分子化合物等。上述電洞輸送性之化合物 係可單獨使用1種或是混合2種以上使用或是可使用進行 層合相異的電洞輸送性之化合物。電洞輸送層之厚度係依 賴電洞輸送層之導電率等，但是一般lnm〜5μπι爲佳，較 佳爲5nm〜Ιμηι，特別佳爲l〇nm〜500nm。 形成上述電子傳輸層之電子輸送性之化合物可例如 Alq3 (三羥基喹啉鋁）等之喹啉衍生物金屬錯合物、噁二 唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、三畊衍生物、三芳 基硼烷衍生物等之低分子化合物；於上述之低分子化合物 導入聚合性取代基聚合之高分子化合物。上述高分子化合 物例如特開平1 0- 1 665號被開示之聚PBD等。上述電子傳 輸性之化合物係可單獨使用1種或是混合2種以上使用或 是可使用進行層合相異的電子傳輸性之化合物。電子傳輸 層之厚度係依賴電子輸送層之導電率等，但是一般Inm〜 5μιη爲佳，較佳爲5nm〜Ιμιη，特別佳爲l〇nm〜500nm。 又，鄰接於上述之發光層的陰極側，爲了抑制電洞通 過發光層，於發光層內以使電洞與電子有效地再結合’可 -38- 200922948 設置電洞阻擋層。上述電洞阻擋層之形成係可使用三唑衍 生物、噁二唑衍生物'菲繞啉衍生物等之習知的材料。 又，陽極與電洞輸送層之間或陽極與陽極鄰接被層合 之有機層之間，於電洞注入緩和注入障壁，故可設置緩衝 層。仅形成上述緩衝層’可使用駄靑銅（C0pper phthalocyanine )、聚乙烯二氧基噻吩（p 〇 1 y e t h y 丨 e n e

dioxythiophene )與聚苯乙烯磺酸之混合物（ped〇t : PSS )等之公知的材料。 又’陰極與電洞輸送層之間或陰極與陰極鄰接被層合 之有機層之間’欲提升電子注入效率，故可設置厚度爲 0_1〜10nm之絕緣層。欲形成上述絕緣層，可使用氟化鋰 、氟化鈉 '氟化鎂、氧化鎂、礬土等之習知的材料。 上述之電洞輸送層及電子輸送層之成膜方法可使用例 如電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、濺鍍法等之乾式成膜 法之外’可使用旋轉塗佈法、鑄造法、微凹版印刷塗佈法 、凹’版印刷塗佈法 '棒塗佈法（bar coating)、滾軸塗佈 法、銅線棒塗佈法（wirebar coating )、浸漬塗佈法、噴 出法、網版印刷法、柔性板印刷法、平板印刷法、電腦噴 畫法等之濕式成膜法等。低分子化合物時，可適合使用乾 式成膜法’高分子化合物時’可適合使用濕式成膜法。 <用途> 關於本發明之有機發光元件係藉由以習知之方法，作 爲矩陣方式或嵌段方式之畫素，可適合使用於圖像顯示裝 -39- 200922948 置。又，上述有機發光元件不形成畫素，亦可使用作爲面 發光光源。 關於本發明之有機發光元件，具體而言，可適合使用 於顯示器、背光、電子照片、照明光源、記錄光源、曝光 光源、讀取光源、標誌、看板、室內裝置、光通信等。 【實施方式】 〔實施例〕 以下’基於實施例更具體地說明本發明，但是本發明 並不特別限定於此等之實施例。 〔合成例1〕 2- (4-乙烯聯苯基）-4,6-雙（4_第三丁基苯基）-^，弘三 畊（三D井衍生物之乙烯單體（1 ))之合成 〔化 1 8〕

將 4-溴苯甲醯氯 lOmmol及 4-第三丁基苯甲腈 30mmol溶解於二氯乙烷50mol，力□入氯化鋁1 Ommol及氯 化銨40mmol，進行加熱迴流24小時。冷卻至室溫後，注 -40- 200922948 入1 0 %鹽酸，攪拌1小時。使用氯仿進行萃取，藉由柱色 譜進行純化，製得鹵化三畊。 將製得之鹵化三η并衍生物3mmol、乙烯苯基硼酸 3.3mmol及四丁基溴化銨1.5mmol加入於100mL茄型燒瓶 ，加入甲苯45mL及2M碳酸鈣水溶液30mL。加入少量聚 合抑制劑，加入四-三苯基膦鈀〇 1 5 mmo 1 ’進行加熱迴流 3小時。冷卻至室溫後，使用乙酸乙酯進行萃取’藉由柱 色譜進行再結晶化操作，製得白色之三畊之乙烯單體（1 )(1 · 3 6 g、產率 2 6 % )。 〔合成例2〕 2- (4-乙烯聯苯基）-4,6-雙（4-甲氧基苯基）_1，3,5-三口并 (三畊衍生物之乙烯基單體（2))之合成 將合成例1使用之4 -第三丁基苯甲腈改爲4 -茴香腈之 外係與合成例1相同，製得白色粉末之三阱衍生物之乙烯 基單體（2) (1.26g、產率27%)。 〔合成例3〕 2- ( 4-乙烯聯苯基）_4,6-二苯基-1,3,5-三Π并（三阱衍生物 之乙烯基單體（3))之合成 將4-第三丁基苯甲腈改爲苯甲腈之外係與合成例1相 同’可製得白色粉末之三Π并衍生物之乙烯基單體（3)( 1 · 2 2 g、產率 3 0 % )。 -41 - 200922948 〔合成例4〕 2- ( 4-乙烯聯苯基）-4,6-二（聯苯基）-1，3,5-三畊（三畊 衍生物之乙烯基單體（4))之合成 將4-第三丁基苯甲腈改爲4-氰基聯苯之外係與合成例 1相同，可製得白色粉末之三Π并衍生物之乙烯基單體（4 ) (1 · 8 6 g、產率 3 3 % )。 〔合成例5〕 2- (4-乙烯聯苯基）-4,6-二（4-第三丁基聯苯基）-1,3, 5-三畊（三畊衍生物之乙烯基單體（5 ))之合成 使用鈴木偶合法，將4-第三丁基苯硼酸與4-溴苯甲腈 進行偶合，合成4-第三丁基-4’-氰基聯苯。 合成例1使用之4-第三丁基苯甲腈改變爲4-第三丁 基_4 ’ -氰基聯苯之外係與合成例1相同，可製得白色粉末 之三畊衍生物之乙烯基單體（5 ) ( lllg、產率28% )。 〔合成例6〕 2- (4-乙烯聯苯基）-4,6-二（4-甲氧基聯苯基）-1,3, 5-三 口并（三畊衍生物之乙烯基單體（6 ))之合成 使用鈴木偶合法，將4-甲氧基苯硼酸與4-溴苯甲腈進 fr偶合’合成4 -甲氣基-4’-氛基聯本。 4-第三丁基苯甲腈改變爲4-甲氧基-4’-氰基聯苯之外 係與合成例1相同，可製得白色粉末之三畊衍生物之乙烯 基單體（6) (l_87g、產率30%)。 -42 - 200922948 〔合成例7〕 2_ ( 4_乙烯聯苯基）-4,6_二（聯三苯）-I,3,5-三卩并（三Π并 衍生物之乙烯基單體（7))之合成 使用鈴木偶合法，將聯苯硼酸與4-溴苯甲腈進行偶合 ，合成4 -氰基-聯三苯。 4-第三丁基苯甲腈改變爲4-氰基-聯三苯之外係與合 成例1相同，可製得白色粉末之三畊衍生物之乙烯基單體 (7 ) ( 1 · 6 5 g、產率 2 3 % )。 〔合成例8〕 2- ( 4-乙烯聯苯基）-4,6-二（4-第三丁基-P-聯三苯）-I,3,5-三畊（三畊衍生物之乙烯基單體（8 ))之合成 使用鈴木偶合法，將4-第三丁基苯硼酸與4-溴碘化苯 進行偶合，接著，使氰基苯硼酸反應，合成4-氰基-4”-第 三丁基-P-聯三苯。 4-第三丁基苯甲腈改變爲4-氰基-4”-第三丁基-P-聯三 苯之外係與合成例1相同，可製得白色粉末之三畊衍生物 之乙烯基單體（8) (1.73g、產率21%)。 〔合成例9〕 2- ( 4-乙烯聯苯基）-4,6-二（4-甲氧基-P-聯三苯）-1，3,5-三畊（三畊衍生物之乙烯基單體（9 ))之合成 使用鈴木偶合法，將4-甲氧基苯硼酸與4_溴碘化苯進 -43- 200922948 行偶合，接著，使4-氰基苯硼酸反應，合成4-氰基-4”-甲 氧基-p-聯三苯。 4-第三丁基苯甲腈改變爲4-氰基-4”-甲氧基-P-聯三苯 之外係與合成例1相同，可製得白色粉末之三阱衍生物之 乙烯基單體（9) (1.86g、產率24%)。 -44 - 200922948

(合成例6) -45 - 200922948 〔化 20〕

〔實施例1 -1 · 1〕高分子化合物（1 -1 )之合成 於密閉容器中，加入合成例1合成之化合物2 0 0 g，再 -46- 200922948 加入脫水甲苯2 · 4m L。接著，加入V - 6 0 1 (和光純藥工業 (股份有限公司）製作）之甲苯溶液（0 _1 M、3 )，進 行冷凍脫氣操作反覆5次。維持真空密閉’於60°C下攪拌 60小時。反應後，將反應液滴加於丙酮1 OOmL中’可得 到沈澱。又，反覆進行2次甲苯-丙酮之再沈澱操作後， 於5 下真空乾燥一晚，製得高分子化合物（1 -1 )。高 分子化合物（1-1)之重量平均分子量（Mw)係137,〇〇〇 ，分子量分佈指數（Mw/Mn)係2.10(表1)。 〔實施例 1-1-2〜1-1-9〕高分子化合物（1-2)〜（1-9) 之合成 各自使用合成例2〜9合成之化合物取代合成例1合 成之化合物之外，與實施例1 - 1 - 1相同，合成高分子化合 物（1 -2 )〜（1 - 9 )。製得之高分子化合物的重量平均分 子量（Mw)等係表1所示。 使用〔實施例1 1〕高分子化合物（1 _丨）之元件 首先’將高分子化合物（4)使用以下之方法合成。 於密閉容器中’加入電洞輸送性之聚合性化合物（8 -7 ) 95mg ’再加入脫水甲苯2.4mL。接著，加入V-601(和光 純樂工業（股份有限公司）製作）之甲苯溶液（0.1 Μ、 4 3 pL )’進行冷凍脫氣操作反覆5次。維持真空密閉，於 60 C下攪枠60小時。反應後’將反應液滴加於丙酮 lOOmL中’可得到沈澱。又，反覆進行2次甲苯-丙酮之 再沈源援作後’於5 0 T：下真空乾燥一晚，製得高分子化合 -47- 200922948 物（4 )。 於此’使用附有ITO之基板（NIPPO電機（股份有限 公司）製作）。此係於25mm見方之玻璃基板之一方的一 面上’寬4mm之ITO (氧化銦錫）電極（陽極）以條紋狀 被形成2條之基板。 接著，於附有ITO之基板上，將聚（3,4-乙烯基二氧 噻吩）.聚苯乙烯磺酸（拜耳（股份有限公司）製作、商 品名「Baytron P」於轉數3500rpm、塗佈時間40秒之條 件下，藉由旋轉塗佈法塗佈。之後，使用真空乾燥氣減壓 下，於60 °C下乾燥2小時，形成陽極緩衝層。製得之陽極 緩衝層之膜厚係約5 0nm。接著，將高分子化合物（1 -1 ) 4〇.5mg、磷光發光性之化合物（E-2 ) 9mg及高分子合物 (4 ) 4 0 · 5 m g溶解於甲苯2 9 1 0 m g，此溶液使用孔徑0 · 2 μιη 之過濾器過濾，調製塗佈溶液。接著，於上述陽極緩衝層 上，將上述塗佈溶液於轉數3 000rpm、塗佈時間30秒之 條件下，藉由旋轉塗佈法塗佈。塗佈後，於室溫（2 5 °C ) 下乾燥3 0分鐘，形成發光層。製得之發光層的膜後係約 1 00nm 〇 接著，將形成發光層之基板載置於蒸鍍裝置內。接著 ，以鋇及鋁之重量比爲1 : 1 0進行共蒸鍍，對於陽極之延 伸方向以垂直之方式，將寬爲3xnm之陰極以條紋狀被形 成2條。製得之陰極的膜厚係約50nm。 最後，於氬氣氛中，於陽極及陰極中裝設導線（配線 )，製作4個長4mmx寬3mm之有機EL元件。於上述有 -48 - 200922948 機EL元件上，使用可程式化直流電壓/電流源 (股份有限公司）Advantest公司製作）’外 發光。 將該發光亮度，使用亮度計（BW-8、（ 司）TO PC ON公司製作）測定。已製作之有機 最大外部量子效率、到達最高亮度、驅動電壓 100cd/m2下，使其點亮固定電流驅動時之亮度 表2所示。 使用〔實施例1-2-2〜1-2-9〕高分子化合物（ 9 )之元件 各自使用高分子化合物（1-2)〜（1-9) 化合物（1 -1 )之外，與實施例1 -2-1相同，製 子化合物（1-2 )〜（1-9 )之元件。 已製作之有機發光元件之最大外部量子效 高亮度、驅動電壓、初期亮度l〇〇cd/m2下， 定電流驅動時之亮度減半壽命如表2所示。 〔實施例2- 1〕高分子化合物（2 )之合成 於密閉容器中’加入合成例1合成之化合 化合物（F ) 40mg ’再加入脫水甲苯2.4mL。 V - 6 0 1 (和光純藥工業（股份有限公司）製作 液（0. 1M、39pL ) ’進行冷凍脫氣操作反覆5 空密閉，於60 °C下攪拌60小時。反應後，將 (TR6143 、 加電壓使其 股份有限公 發光元件之 、初期亮度 減半壽命如 1 - 2 )〜（1 _ 取代高分子 作使用高分 率、到達最 使其點亮固 防1 6 〇 m g及 接著’加入 )之甲苯溶 次。維持真 反應液滴加 -49- 200922948 於丙酮lOOmL中，可得到沈澱。又’反覆進行2次甲苯-丙酮之再沈澱操作後，於50°C下真空乾燥一晚，製得高分 子化合物（2)。高分子化合物（2)之重量平均分子量（ Mw )係 82,000，分子量分佈指數（Mw/Mn )係 1.52。由 ICP元素分析及I3C-NMR測定估計之高分子化合物中m/ (m + n)之値係 0_16。 〔化 2 1〕

使用〔實施例2 - 2〕高分子化合物（2 )之元件 使用高分子化合物（2) 45mg'高分子化合物（4) 45mg及甲苯2910mg，取代高分子化合物（i — i) 405mg、 憐光發光丨生之化合物（E-2) 9mg、高分子化合物（4) 40.5mg及甲苯29 1 Omg，調製使用於發光層之形成的塗佈 洛液之外’與貫施例1 - 2 - 1相同，製作有機發光元件。已 製作之有機發光元件之最大外部量子效率、到達最高亮度 '驅動電壓、初期亮度1 〇〇cd/m2下，使其點亮固定電流 驅動時之亮度減半壽命如表2所示。 使用〔貝施例3-1〕局分子化合物（3)之合成 於密閉容器中，加入合成例i合成之化合物95mg、 -50- 200922948 化合物（F ) 1 0mg及電洞輸送性之聚合性化合物（8 - 7 ) 95mg，再加入脫水甲苯2.4mL。接著，加入v_6〇1 (和光 純藥工業（股份有限公司）製作）之甲苯溶液（0.1 Μ、 39μί)，進行冷凍脫氣操作反覆5次。維持真空密閉，於 60 °C下攪拌60小時。反應後，將反應液滴加於丙酮 100mL中，可得到沈澱。又’反覆進行2次甲苯·丙酮之 再沈澱操作後’於50°C下真空乾燥一晚，製得高分子化合 物（3)。高分子化合物（3)之重量平均分子量（Mw) 係97,000，分子量分佈指數（Mw/Mn)係1.60。由ICP元 素分析及13C-NMR測定估計之高分子化合物中m/ ( m + n )之値係0.09，x/n之値係0.49，y/n之値係0.5 1。 使用〔實施例3-2〕高分子化合物（3)之元件 使用高分子化合物（3 ) 90mg及甲苯2910mg，取代 高分子化合物（1-1 ) 40.5mg、磷光發光性之化合物（E-2 )9mg、高分子化合物（4) 40.5mg及甲苯2910mg，調製 使用於發光層之形成的塗佈溶液之外，與實施例1 -2-1相 同，製作有機發光元件。已製作之有機發光元件之最大外 部量子效率、到達最高亮度、驅動電壓 '初期亮度 lOOcd/m2下，使其點亮固定電流驅動時之亮度減半壽命如 表2所示。 -51 - 200922948 實施例 高分子化合物 重量平均分子量 ftlw) 分子量分佈指數 (Mw/Mn) 產率（％) 1-1-1 1-1 1 3 7, 0 00 2. 10 80. 0 1-1-2 1 — 2 80, 0 0 0 2. 39 6 6. 6 1-1 — 3 1-3 9 1,000 1. 49 6 6. 0 1 — 1—4 1—4 8 5，000 1. 83 92. 4 1 — 1 — 5 1-5 107, 000 1. 76 8 9. 8 1 — 1—6 1-6 7 8, 0 0 0 2. 3 9 84. 2 1-1-7 1-7 8 7, 000 2. 1 0 88. 5 1 一 1 — 8 1-8 7 1,000 2. 00 7 5. 2 1-1-9 1-9 98, 000 2. 0 1 7 7. 3 2-1 2 8 2, 0 0 0 1. 5 2 69. 8 3 一 1 3 9 7, 0 0 0 1. 60 68. 2 -52- 200922948

亮度減半壽命 ⑹ 〇 〇 (M LO o o CD CO o o CO CO o o LO CO o o iO 寸 3 70 0 3 20 0 o o r—H 寸 3 40 0 〇 o 00 卜 Ο Ο Φ 00 驅動電壓 (V) 1C CM l> (N CO csi 寸 £N (N C<3 CO (Ν’ σ> 卜 CM 00 (N CN ci 到達最尚売度 (c d/m2) i 58, 0 0 0 5 5, 00 0 5 1,000 〇 〇 o 。叫 寸 44, 0 0 0 43, 000 32, 000 3 9, 000 3 7, 000 6 2, 000 66, 000 最大外部 量子效率（％) rH σ> cn 00 卜 00 LO 卜· 00 00 i—i <£) ΙΟ CO 寸 co CO σ> 00 σ> 低分子 化合物 CO ώ (N ώ C<1 ώ C\l ώ QQ CM ώ C^3 ώ CM ώ Cs3 ώ 1 I 寸 寸 寸 寸 寸 寸 寸 寸 产 r f 〆 〆 f 寸 τΗ 03 CO 寸 ΙΟ 卜 00 CO 崦翠 1 1 1 t 1 1 1 1 1 (Μ ι-Η τ-Η r— rH rH rH rH rH OJ Γ0 lO CD 卜 00 σ> I I | 1 1 1 1 CM ca 闺 Ilf CM (N I (N I CM I | I iM 1 Csl I I 1 ίΜ 1 CO i-H 1 r-i 1 rH 1 rH rH rH ι-Η rH tH -53- 200922948 【圖式簡單說明】 〔圖1〕圖1係關於有機發光元件之例的分解圖 【主要元件符號說明】 1 :玻璃基板 2 :陽極 3 :電洞輸送層 4 :發光層 5 :電子輸送層 6 :陰極 -54-

Claims (1)

1. 200922948 十、申請專利範圍 1· 一種高分子化合物，其特徵爲含有由式（ο表示 之電子·輸送性之聚合性化合物衍生的構成單位， 〔化1〕

   (式中，A1、A1及A2係各自獨立，表示可具有以雜原子 作爲環構成原子的1價之芳香族基，A2、A3及A4係各自 獨立，表示可具有以雜原子作爲環構成原子的2價之芳香 族基’ A 1〜A6中至少1種係具有含有聚合性官能基之取代 基’ A 1〜A4係可具有含有聚合性官能基之取代基以外的取 代基，m係表示1〜2之整數，η係表示0〜2之整數，P 係表示〇〜2之整數）。 2 ·如申請專利範圍第1項之高分子化合物，其中前 述Α1爲具有含有聚合性官能基之取代基，！1與ρ不同時爲 -55- 1 ·如申請專利範圍第1項或第2項之高分子化合物 2 物衍生之構成單位的發光性之高分子化合物。 3 ，其中前述高分子化合物係更具有由發光性之聚合性化合 4 4-如申請專利範圍第3項之高分子化合物，其中前 述發光性之聚合性化合物係具有磷光發光性。 200922948 5 .如申請專利範圍第4項之高分子化合物，其中前 述發光性之聚合性化合物係具有含有聚合性官能基之取代 基的過渡金屬錯合物。 6. 如申請專利範圍第5項之高分子化合物，其中前 述過渡金屬錯合物係銥金屬錯合物。 7. 如申請專利範圍第1項之高分子化合物，其中前 述高分子化合物係更含有由電洞輸送性之聚合性化合物衍 生的單位。 8. 一種有機發光元件，其係於陽極與陰極之間備有 發光層所構成之有機發光元件，其特徵爲該發光層係含有 申請專利範圍第1項之高分子化合物。 -56-