TW200918933A - Optical film and method for making an optical film - Google Patents

Description

200918933 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關光學薄膜及其製造方法。 【先前技術】 專利文獻1中記載將含有具正之折射率各向異性之單 體及具負之折射率各向異性之單體的熱可塑性樹脂延伸而 得之相位差板。然而，該熱可塑性樹脂，具體而言，僅揭 示由光氣（phosgene)及雙紛所構成之聚碳酸酯，由於有使 用光氣，故該聚碳酸酯之工業生產並非容易事。加之，該 聚碳酸酯所使用的具有負之折射率各向異性之單體，也僅 .揭示如下式（F)及（G)所示之由9-苐及酚所成之脫水縮合 物。

[專利文獻1]國際公開第99/06057號小冊。 【發明内容】 本發明研究者就上述課題探討之結果，發現不使用光 氣也能製造在廣範圍之波長領域中可進行同樣之偏光轉換 的光學薄膜。 本發明提供一種藉由將組成物製成薄膜再加以延伸而 成之光學薄膜，其中，該組成物含有如下述之化合物：在 4 320551 200918933 刀子内…有兩個以上選擇自丙稀酿基及甲基丙烯酸基所構 成群中之^種基且具有下式⑷所示之基的化合物， / \ Λ 1、、 ^及β2各自獨立地表示羥基、碳數為】至 、元土、兔數為1至6之烧氧基、或環氧丙氧基 glyC1d〇Xy) ; χ表示2價之烴基、硫基（如⑴如_ 或單鍵，該烴基可含有，—〇_;心 獨立地表示〇至4之整數）。 另外，本發岐供如上述之絲賴 成物製朗觀經❻合後再加収伸_成者藉=組 合有:在分子内具有兩個以上選擇自丙烯醞基及 ^丙^所構鱗中之至卜種基且具㈣⑷所示 本發明提供如上述之光學薄膜，其中，該在分子内具 有兩们以上選擇自丙稀酸基及f基丙稀醯基所構成群中之 至）一種基且具有式⑷所示之基的化合物，係在分子内具 有兩個以上選擇自丙烯酿基及甲基丙烯醢基所構成群中^ 至少一種基且具有下式㈤)、式w_2)或式（Α—3)所示之某 的化合物·· 土 320551 5 200918933

(A-l)

’ Β!、Β2、8!及&所示意義如同 (式〈A-l)至式（A-3)中 前述）。 本發明提供如上述之光學賴，其巾，該在分子内具 有兩個以上選擇自丙顧基及曱基丙烯醯基所構成群中之 至少一種基且具有式（A)所示之Λ的化合物，係式（A-4)所 示之也合物：

(式（A-4)中，1^及Rle各自獨立地表示氫原子或甲基， X7及Xs各自獨立地表示碳數為2至6之伸烧基；該伸烧基 可含有碳數為1至6之烷基、羥基或羰基；％及W4各自獨 立地表示0至6之整數；X表示如同前述意義）。 又’本發明&供如上述之光學薄膜，其中，該組成物 320551 200918933 復3有k擇自式⑴至式（HJ)所示單體所構成群中之至少 一種單體（1): R1 乂％⑴ # (式（1)中，Rl表示氫原子或甲基，h表示5至20員環 芳曰無蛭基或芳香族雜環基；該芳香族煙基或芳香族雜 環基y含有經基、碳數為1至12之烧基、碳數為i至12 之燒氧基、碳數為6至丨2之芳基、碳數為7至之芳燒 基、環氧丙氧基、碳數為2至4之醯基、瘦基、或幽素原 子）； r3 (式（Π)中，R3表示氫原子或甲基，匕及Rs各自獨立地 t不氫原子、碳數為i至6之院基，或R5連結而形成 奴數為4至6之伸烷基；該烷基及該伸烷基可含有羥基、 氧原子、硫原子或氮原子；Re表示單鍵或碳數為2至6之 氧伸燒基（oxyalkylene));

(式(III)中，R7表示氫原子或甲基，r8表示氫原子、 甲基或5至20員環之環狀烴基；該環狀烴基可含有羥基、 碳數為1至12之烷基、碳數為丨至12之烷氧基、碳數為 320551 7 200918933 6至12之芳基、碳數為7至12之芳院基、 石炭數為2至4之酿基，基4素原子、氧原:，二 素:：、該垸氧基、該芳基及該芳“含有 種單體（1)聚合而成的聚合物： ...

(I) r2 —(式（I)中，R】表示氫原子或甲基，匕表示5至2〇員環 ，芳香族烴基或芳香族雜環基；該芳香族煙基或芳香族^ 被射含有麟、碳數為1 i 12之燒基、碳數為i至12 之烷f基、碳數為6至12之芳基、碳數為7至12之芳烷 基、Rf氧丙氧基、碳數為2至4之醯基、羧基或鹵素原子）；

乙（式（II)中，R3表示氫原子或甲基，{^及Rs各自獨立地 ^不氳原子、碳數為1至6之烷基，或匕及私連結而形成 人數為4至6之伸院基；該烧基及該伸烧基可含有經基、 氧原子、硫原子或氮原子；匕表示單鍵或碳數為2至6 氧伸烷基）； 32〇551 8 200918933

(式（πι)中’ r7表示氫原子或甲基，&表示氣 甲基或5至2〇員環之環狀烴基；該環狀煙基可含有# 1 之至：之?基、碳數為1至12之罐、碳： 方土妷數為7至12之芳烷基、環氧丙氧美 碳數為2至4之醯基、絲、i素原子、氧原子、硫^ 或氮原子；該絲、雜氧基、該絲及該雜基可含 羥基或鹵素原子）。 ^ ，本發明提供如上述之光學薄膜，其中，式⑴所示單體 係選擇自N-乙烯基咔唑、乙说苴裳s，1^ ^ ^ ^乙烯基奈及乙烯基蒽所構成群中 之至少一種單體。 μ本發明提供如上述之光學薄膜，其中，式（π)所示之 早體係選擇自Ν，Ν一二甲基丙烯醯胺、Ν，Ν—二乙基丙烯醯 胺、N-C2,基乙基）丙_胺、Ν—異丙基丙剌胺、丙婦 醯基嗎淋、（甲基）丙烯酸二甲基胺基乙酉旨及（甲基）丙婦酸 二乙基胺基乙酯所樣成群中之至少一種單體。 本發明提供如上述之光學薄膜，其中，式（m)所示之 單體係選擇自（甲基）丙烯酸甲醋、（甲基）丙稀酸苯醋、（甲 基）丙烯酸萘酯、（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸2_ 四氫吡喃酯、（甲基）丙烯酸異萡酯、（甲基）丙烯酸三環癸 酯、（曱基）丙烯酸金剛烷酯及1 —丙烯醯基-4_甲氧基萘所 構成群中之至少一種單體。 320551 9 200918933 有如上述之光學薄臈’其中，該組成物復含 ^擇自式ωο及式⑺所示單體所構成群中之至少一種 早體：

Rio

ο- ο

Wl (IV) (式（n〇中’ R9及r1q各自獨立地表示氫原子或甲基 =L各自獨立地表示魏為2至6之狀基；該伸以 3有礙數為1至6之絲、隸或縣；Z2各自a 立地表示單鍵或亞甲基(methylene);s表示i或2之整數 t表不G或1之整數；Vl及奶各自獨立地表示〇至6之查 數）；

(式（v)中，心及Riz各自獨立地表示氫原子或甲基，X 及L各自獨立地表示碳數為2至6之伸絲丨該伸燒基可 320551 10 200918933 數） 含有碳數為j至6之炫基、經基或幾基；^及L各自獨立 地表示單鍵或亞甲基；V2及时自獨立地表示0至6之整 有二 述之光學薄膜’其中’該組成物復含

(式（νι)中，匕3及Ru各自獨立地表示氫原子或曱基， X5及X6各自獨立地表示碳數為2至6之伸烧基；該伸烧基 f反數為1至6之燒基、經基或幾基；R各自獨立地 、不經f、*素原子、碳數為1至6之烧基、碳數為！至 燒氧基％氧丙氧基、确基或氛基^及W3各自獨立 冬表不0至6之整數，w各自獨立地表示〇至4之整數； 為2以上之整數時，複數之R分別可為不同種類之基）。 本發明提供如上述之光學薄膜，其中，式⑼所示之 早體係式（VI-1)所示之單體：

(VI-1) 11 320551 200918933 (式（Π-l)中，r13、汜4、 前述）

Xs、I、％及W3所示意義如同 本發明提供如上述之光學薄膜，其令，透過光學 之透過光波長ynm之相位差值Re(u)係滿足下式：’、 Re(450) < Re(550) < Re(650) 。 成 本發明提供一種相位差板，其係由上述光學薄膜所構 化合物’其含有如下述之 婦醯基所構成群中之至少一二:：基及甲基丙 化合物， 種基且具有式⑷所示之基的

(A) (Bl)a, (B2)a2 6之2(Α)Γ ^ &各自獨立地表稍暴、碳數為1至 2價之烴f ^ 祕、或環氧丙氧基；X表示 一c〇 〇 . 土瓜土、％醯基、醚鍵或單鍵，該烴基可含有 C〇l’⑴及⑴各自獨立地表示之整數）。3有 擇自供如上述之光學_驗成物，其復含有選 式⑴至式⑴所示單體所構成群中之至少-種單體

Ο) 匕表示5至20員環 (式⑴中，Rl表示氫原子或甲基， 320551 12 200918933 之芳香族烴基或关 環基可含麵基、=環基；該芳香族烴基或芳香族雜 之烷氧基、碳數為‘、、'至12之燒基、碳數為1至12 美m 為6至12之芳基、碳數為7至12之—' I %虱丙虱基、碳數 玍1z之方烷 J3 數為2至4之醯基、鲮基或齒素原子）；

(II) 表亍)中’ R3表示氫原子或甲基’ R4及L各自獨立i 表不虱原子、碳數為彳 询立i Λ . 至6之燒基’或R<t及連έ士而γ ^好、燒基；該燒基及該伸院基可含有。幾^ 氧伸焼基…I原子；Re表示單鍵或碳數為2至6々

R8 (耵） _ R 4表示氫原子或甲基，R8表示氫原子、 石山^⑴至Μ貝每之環狀烴基；該環狀烴基可含有經基、 Γ t12之烧基、礙數為1至12之燒氧基、碳數為 至12之芳基、碳數為7至12之若产其、j® & 二 石山叙炎〇 王U之方烷基、裱虱丙氧基、 厌數為2至4之醯基、羧基、鹵素原子、氧原子、硫原子 或氮原子；域基、观氧基、奸基及料垸基^令 备基或4素原子）。 本發明提供如上述之光學薄膜用組成物，其復含有由 選擇自式（I)至式（III)所示單體所構成群中之至少:種單 320551 13 200918933 體Ο)所聚合而成的聚合物： 人⑴ (式⑴中，h表示氫原子或甲基，Rz表示5至2 之芳香族烴基或芳香族雜環基；該芳香族烴族: 環基可含有減、碳數為1至12之烧基、碳數為！^ 之烷虱基、碳數為6至12之芳基、碳數為7至U 基、^氧丙氧基、碳數為2至4之、羧基或齒素原子）二

(π) _ (^式（II)中，L表示氫原子或甲基，匕及見各自獨立地 ^不氫原子、碳數為i至6之院基，或&及&連結而形 ，數為4至6之伸燒基；該炫基及.該伸燒基可含有經基、 氧原子、硫原子或氮原子；Re表示單鍵或碳數為 夕 氧伸烷基）； 之 R7 、8 (m) ο (式（III)中，h表示氫原子或甲基，Rs表示氫原子、 ^基或5至20員環之環狀烴基；該環狀烴基可含有羥基、 ^數為1至12之烷基、碳數為丨至12之烷氧基、碳^為 妒至12之芳基、碳數為7至12之芳烷基、環氧丙氧基、 灭數為2至4之醯基、羧基、南素原子、氧原子、硫原子 320551 14 200918933 、或氮原子；該絲、魏氧基、㈣基及㈣絲可含有 經基或鹵素原子）。 本發明提供如上述之絲薄膜賴成物，其復含有選 擇自式（iv)及式⑺所示單體所構成群中之至少—種單體：

X及R9及-Ri°各自獨立地表示氫原子或甲基， 二二?立地表示碳數為2至6之伸絲;該伸炫基 至6之炫基、姆錢基；各自獨 ΓΠ傾或^基；s表示1或2之整數4表示〇或 之整數，贼❿各自獨立地表示〇至6之整數广

(式（V)中，Ru及Rl2各自猶 及χ4各自獨立干蜀立地表示氫原子或甲基，: 地表心數為2至6之伸烧基；該伸烧基, 320551 15 200918933 含有碳數為1至6之烧基、經基或幾基；&及匕各自獨立 地表不單鍵或亞甲基；V2及W各自獨立地表示〇至6之整 數）。 又，本發明提供如上述之光學薄膜用組，並 有式（VI)所示之單體： 八设3

Ft (式（VI)中’ &3及Rl4各自獨立地表示氫原子或甲基、 ===示碳_至6之錄該帽 之烷基、羥基或羰基；β各自獨立糾 表不經基、鹵素原子、碳數為丨至6找基、碳 6之烧氧基、環氧丙氧基、魏或氰基，μ心自獨立 地表不G至6之整數’ w各自獨立地表示0至4之整數；^ 表不2以上之整數時，複數之只分別可為不同種類之基）。 本發明提供如上述之料_肋成物 聚合引發劑⑶。 、3有先 本發贿供-種光學_之製造錢，制將上光 學溥膜用組成物形成膜後再加以延伸。 本發明提供如上述之光學薄膜之製造方法， 學薄膜用組成物形成膜，經光聚合後，再加以延伸、。… 本發明提供如上述之光學薄膜之製造方法，其係藉由 320551 16 200918933 將含有光學薄膜用組成物之溶液洗鑄在平滑之面上，並蒸 餾去除溶劑而形成膜。 【實施方式】 以下，詳細說明本發明。「光學薄膜」係指可透過光線 之薄膜，為具有光學功能之薄膜。該光學功能係指折射、 雙折射等意義。 本發明之光學薄膜係藉由將一種組成物形成膜再加以 延伸而製成，其中，該組成物含有如下述之化合物：在分 子内具有兩個以上選擇自丙烯醯基及曱基丙烯醯基所構成 群中之至少一種基且具有式（A)所示之基的化合物（下文 中，或稱為「化合物（A)」）。

B2各自獨立地表示羥基、碳數為1至6之烷基、 碳數為1至6之烷氧基或環氧丙氧基。X表示2價之烴基、 硫基、磺醯基、醚鍵或單鍵，該烴基可含有-C0-0- ; ai及 a2各自獨立地表示0至4之整數。 X特別以碳數為0至6之伸烷基為較佳。 X可列舉如式（X-1)至式（X-9)所示之基。 17 320551 200918933

Ο II ---- -s-· II ο •C 0 一 II 一 RI— —c_ II 0 II 0 (Χ-4)

(Χ-7) (Χ·8) (Χ-5) (χ·6) (Χ-9) (式（Χ 4)_中’ R表示碳數為1至6之伸烧基）。 式（A)所不之基中’特別以式(A-1)、式（A-2)或式（A-3) 戶斤系之基為較佳。.

(A-1)

式（A-1)至式（A-3)中，B!、B2、ai及a2之意義如同前述。 化合物（A)所含之(甲基）丙烯醯基（丙烯醯基及曱基丙 320551 18 200918933 烯醯基之總稱）可為藉由使（甲基）丙烯酸直接與芳香族性 烴基之羥基進行酯化所得者，亦可為藉由先使環氧乙烷與 芳香族性烴基之羥基反應而得末端羥基，再使（曱基）丙烯 酸與該末端經基進行酯化所得者，另外，亦可為藉由先使 苯甲酸與芳香族性烴基之羥基反應而使之酯化後，再使（曱 基）丙烯酸與苯甲酸之末端羥基進行酯化所得者。 化合物（A)係以具有芳香族性烴基及兩個（曱基）丙烯 醯基之化合物，就容易調製而言為較佳，例如式（A-4)所示 之化合物為較佳。

Ris 式（A-4)中，R15及R16各自獨立地表示氫原子或曱基， Χτ及X8各自獨立地表示碳數為2至6之伸烷基。該伸烷基 可含有碳數為1至6之烷基、羥基或羰基。ν4及w4各自獨 立地表示0至6之整數。I所示意義如同前述。 化合物（Α)之具體例可列舉如式（Α-5)及式（Α-6)所示 之化合物。 19 320551 200918933

式（A-5)及式（A-6)中，v4及W4所示意義如同前述。 化合物（A)中，更具體言之，可例示如式（A-7)至式（A-9) 所示之單體。式（A-7)所示單體之市販品有A-BPE-4(商品 名稱.，新中村化學工業公司製品），式（A-8)所示單體之市 販品有A-BP-2E(商品名稱，新中村化學工業公司製品）， 式（A_9)所不早體亦有市販品之LC242(商品名稱’ BASF公 司製品）。 20 320551 200918933

化合物（A)可併用兩種以上。 化合物⑴之含量’以本發明 «及化合_之合計量為刚重二=<全 95謂，其中《20至90重量％為較佳，尤=為 量％為最佳。化合物（幻之 —尤以3〇至8〇 在廣，波㈣財進行^社膜 m狀絲薄财，賴係、為^ 至式（m)所示單體（下文 3虿、擇自.式（: (⑴）」）所構成射之 重早體⑴至單體 人 R, 種早體⑴者為佳。 ⑴ 汜表示氫原子或尹基 其中以氫原子為較佳。 320551 21 200918933 R2表示5至20員環之芳香族烴基或芳香族雜環基。該 芳香族烴基或芳香族雜環基可含有羥基、碳數為1至12之 烷基、碳數為1至12之烷氧基、碳數為6至12之芳基、 碳數為7至12之芳烷基、環氧丙氧基、碳數為2至4之醯 基、羧基或鹵素原子。 芳香族烴基或芳香族雜環基之具體例可列舉如：苯 基、苯甲基、萘基或蒽基等芳香族烴基；吼咯基、呋喃基、 〇比口井基（pyraziny 1)、°比13坐基、吼°定基或π塞嗤基等芳香族雜 環基等。 芳香族烴基或芳香族雜環基亦可結合有下述之基：例 如曱基、乙基、異丙基、第三丁基或辛基等碳數為1至12 之烷基；例如曱氧基或乙氧基等碳數為1至12之烷氧基； 例如氟原子、氯原子或溴原子等鹵素原子；例如乙醯基等 碳數為2至4之酸基；經基、·環氧丙氧基或缓基。 芳香族烴基或芳香族雜環基，亦可為由複數之芳香族 烴基或芳香族雜環基隔介著連結基而結合成之1價之基。 該連結基之例可列舉如：亞曱基、亞乙基（ethylidene)、 亞丙基、亞異丙基、亞環己基（cyclohexy 1 idene)、伸乙基 (ethylene)或伸丙基等後數為1至6左右之烴基；氧原子、 硫原子、幾基或-C〇2-等。又，複數之芳香族fe基或芳香族 雜環基亦可藉由單鍵而結合。 單體（I)可併用複數不同之單體。 複數之芳香族烴基藉單鍵而結合成之具體例可列舉如 聯苯基，複數之芳香族烴基藉亞異丙基而結合成之例可列 22 320551 200918933 舉如下述式所示之基等。

單體（I)之例可列舉如：鄰-甲基苯乙烯、間-甲基苯乙 烯、對-曱基苯乙烯、2, 4-二曱基苯乙烯、鄰-乙基苯乙烯、 或對-乙基苯乙烯基等烷基苯乙烯；例如羥基苯乙烯、第三 丁氧基苯乙烯、乙烯基苯曱酸、乙酸乙烯基苯曱酯、鄰一 氯苯乙烯、或對-氯苯乙烯等在苯環上結合有羥基、烷氧 基、羧基、醯氧基或_素原子等而成之取代苯乙烯；例如 4-乙烯基聯苯、或4-羥基-4,-乙烯基聯苯等乙烯基聯苯系 化合物；乙烯基萘或乙烯基蒽等具有縮環及乙烯基之化合 物，N-乙烯基酞醯亞胺（n—vinyiphthalimide)等具有芳香 族烴基、雜環基及乙烯基之化合物等。 具有芳香族雜環基之單體（〇，可舉例如1乙烯基咔. 唑或N-乙烯基吲哚等。 就單體（I)而言，特別是當其為選擇自N_乙烯基咔唑、 乙稀基奈及乙烯基恩所構成群中之至少一種單體時，光學 薄膜可在廣範圍波長領域巾進行更同樣之偏光轉換， 較佳。 早體（I)之含量’以本發明之光學薄膜所含之全部單體 及化合物（A)之合計量為⑽重量％計，雖然也可不含有， 但以例如1至20莫耳％為督，甘士 。 从 畏斗°為且其中，以2至15莫耳％為較 佳，尤以3錢莫耳％為最佳。該含量在上述範圍時 學雜可在廣_波長領域巾進行更囉之偏光轉換 320551 23 200918933 為較佳。 r3

其中以風原子為較 式（Π)中，L表示氫原子或甲基 佳。 或獨立地表示氫原子、碳數為1至6之烧基 或4及1連、..Q而形成碳數為4至6之伸燒基 基 伸烷基可含有羥基、氧原子、护月早赤h e 沉基及… 鍵或碳數為2至6之氧伸燒基。、U R6表不耳 單體（II)可併用複數之不同單體。 <單體（II)之具體例，除了可列舉如（甲基）丙稀酸胺（丙 細酿胺及甲基丙_胺之總稱）之外，亦可列舉如：N_甲其 (甲基)丙烯醯胺、N-乙基(甲基)丙烯醯胺、N-異丙基(甲基土) 丙烯醯胺、N-丁基（甲基）丙烯醯胺、或卜（2_經基乙基）丙 烯_¥N-取代（甲基）丙_胺；例如N，N-二曱基（甲基) 丙烯St胺、N，N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、N，N_二丙基(曱基) 丙_胺、（甲基）丙烯酸基嗎琳等N，N—取代（甲基）丙婦土酿 胺，（甲基）丙婦酸2-二曱基胺基乙醋、或（甲基）丙稀酸2_ 一乙基胺基乙醋等。 就單體（II)而言，特別是#其為選擇自N，N—二甲基丙 烯醯胺鲁二乙基丙烯醯胺、N_(2,基乙基)丙烯醯胺、 N-異丙基丙烯醯胺、丙龍基嗎淋、（甲基）丙婦酸2_二甲 320551 24 200918933 基胺基乙酯及（甲基）丙烯酸2-二乙基胺基乙酯所構成群中 之至少一種單體時，光學薄膜可在廣範圍波長領域中進行 更同樣之偏光轉換，而為較佳。 該單體（II)例如有和光純藥工業公司、東京化成工業 公司、Sigma Aldrich Japan公司等提供市販品。因此， 單體（II)可直接使用該等市販品。 單體（II)之含量，以本發明之光學薄膜中所含之全部 單體及化合物（A)之合計量為100重量％計，雖然亦可不含 有，但以含有例如5至95莫耳％為佳，其中，以10至70 莫耳％為較佳，尤以15至60莫耳％為最佳。該含量在上述 範圍時，光學薄膜可在廣範圍波長領域中進行更同樣之偏 光轉換，而為較佳。

Rr (ΠΙ> Ο R?表示氫原子或曱基，其中以氫原子為較佳。 表示氫原子、甲基或5至20員環之環狀烴基。該環 狀烴基可含有羥基、碳數為1至12之烷基、碳數為1至 12之烷氧基、·碳數為6至12之芳基、碳數為7至12之芳 烷基、環氧丙氧基、碳數為2至4之醯基、羧基、鹵素原 子、氧原子、硫原子或氮原子。該烷基、該烷氧基、該芳 基及該芳烷基可含有羥基或鹵素原子。 該環狀烴基之例可列舉如：苯基、萘基或蒽基等芳香 族烴基；例如環戊基、環己基、異苗基、三環癸基或金剛 25 320551 200918933 烷基等環院基等。 該環狀烴基亦可結合有下述之基：如曱基、乙基、異 丙基、第三丁基或辛基等碳數為1至12之烧基；如甲氧基 或乙氧，等碳數為i至12之院氧基；如氟原子、氯原子或 >臭原子等_素原子；如乙雜等碳數為2至4之醯基；碳 數為6至12之芳基、碳數為7至12之芳烧基、經基、環 氧丙氧基或缓基。 該環狀烴基所含之碟原子可經氧原子、硫原子或氮原 子等雜原子所取代。 單體（III)可併用複數之不同單體。 "亥單體（111)之具體例可列舉如（甲基）丙烯酸、（曱基） 丙稀酸甲醋、（曱基）丙烯酸苯醋、（甲基）丙烯酸萘_、（甲 基）丙稀酸蒽醋、（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸2_ 四氫吼喃！旨、（甲基）丙烯酸異_、（f基）.丙烯酸三環癸 酯、（甲基）丙烯酸金剛烷醋、或卜丙蝉醯基_4_曱氧基萃 等。 丁、 就單體（III)而言，特別當其為選擇自（甲基）丙婦酸甲 醋、（甲基）丙烯酸苯醋、（甲基）丙稀酸萘酉旨、（甲基）丙烯 酸環己醋、（甲基)丙稀酸2，氫咐喃酉旨、（甲基)丙烯酸里 宿酉旨、（甲基）丙烯酸三環癸酷、（甲基）丙烯酸金剛烷g旨及 卜丙烯酸基-4-甲氧基萘所構&群中之至少一種單體時，光 學薄膜可在廣範圍波長領域中進行更同樣之偏光轉換，而 為較佳。 早體（III)之含量，以本發明之光學薄膜所含之全部單 320551 26 200918933 體及化合物（A)之合計量為loo重量％計，雖然也可不含 有，但以例如1至95莫耳％為佳，其中以5至90莫耳％為 較佳，尤以10至80莫耳％為最佳。該含量在上述範圍内時， 光學薄膜可在廣範圍之波長領域中進行更同樣之偏光轉 換，而為較佳。 在構成單體（1)之單體（I)至單體（III)中，可組合2種 以上之不同單體。特別以單體（I)及單體（II)之組合、或單 體（I)及單體（III)之組合為較佳。 皁體（1)之含量，以本發明之光學薄膜所含之全部單體 及化合物（A)之合計量為⑽重量.％計，雖然也可不含有， ^如5至90重為佳，其中’以10至80重量％為較 :二二f至重量%為最佳。該含量在上述範圍時，光 I歸'廣範圍波長領域中進行更同樣之偏光轉換，而 單體相中，其組成物係以復含有由選擇自 成的聚合物者為佳成群中之至少—種單體⑴聚合而

及式=單組成物係以復含有選擇自式(IV 链⑺」）所構成群Γ 簡稱為「單體（IV)j及「單 群中之至少一種單體者為佳。 320551 27 200918933

9及各自獨立地表示氫原子或曱基，L及I各 為2至6之伸烷基。該伸烷基可含有碳數』 或亞甲==里基或錄各自獨立地表示單命 芬 :s又不1或2之整數’t表示0或1之整數。' 及Wl各自獨立地表示0至6之整數。

獨立二 自獨立地表示氫原子或1基4及W A表不兔數為2至6之伸燒基。該狀基可含有碳 =至6之絲、絲賴基。μ &各自獨 鍵或亞^基。域㈣自獨立地表示0至6之整數 就單體（IV)及單體（V)而古， (叫）及式OM)所示之單體/ —體例可列舉如5 320551 28 200918933

式（IV-l )及式（V-1 )中，Rg至匕2、3、1；、¥2及％2所示 意義如同前述。 就單體（IV)而言，更具體之例可列舉如式（IV-2)至式 (IV-4)所示之單體。式（IV-4)所示之單體有DCP(商品名 稱，新中村化學工業公司製品）之市販品。 29 320551 200918933

式（IV-2)及式（IV-3)中，乂!及w!之意義如同前述。 單體（IV)中所含之（甲基）丙烯醯基可為藉由使（曱基） 丙烯酸直接與具有脂環式烴基之原子團之羥基進行酯化而 得，亦可為藉由先使環氧乙烷與具有脂環式烴基之原子團· 之羥基反應而得末端羥基，再使（曱基）丙烯酸與該末端羥 基進行酯化而得。 具體而言，式（IV-1)所示之化合物係可藉由使己内酉旨 與丙烯酸反應，並使末端羧酸與脂環式醇（例如三環癸二醇） 反應而製成。又，式（V-1)所示之化合物係可藉由使脂環式 醇（例如三環癸二醇）與丙烯酸環氧丙酯反應而製得。 單體（IV)更可例示如式（IV-5)所示之單體。 30 320551 200918933

Rio

式（IV 5)中，Rg、Ri。、vi及wi所示意義如同前述。 更具體而言，可例示如式（IV-6)或式（IV-7)所示之單

該式（IV-6)所示單體中所含之丙烯醯基，可藉由使丙 烯酸直接與結合在脂環式烴基之羥基進行酯化而得之。 該式（IV-7)所示單體中所含之丙烯醯基，可藉由先使 環氧乙烷與結合在脂環式烴基之羥基反應而得末端羥基， 再使丙烯酸與該末端羥基進行酯化而得之。 320551 31 200918933 就單體（V)而言，更具體之例可列舉如式（V-2)所示之 單體。該式（V-2)所示之單體有A-CHD-4E(商品名稱，新中 村化學工業公司製品）之市販品。

/ Γ\ 單體（IV)之含量，以本發明之光學薄膜所含之全部單 體及化合物（Α)之合計量為100重量％計，雖然也可不含 有，但以例如5至90重量％為佳，其中以10至80重量％ 為較佳，尤以2 0至7 0重量％為最佳。該含量在上述範圍内 時，光學薄膜可在廣範圍波長領域中進行更同樣之偏光轉 換，而為較佳。 單體（V)之含量，以本發明之光學薄膜所含之全部單體 及化合物（Α)之合計量為100重量％計，雖然也可不含有， 但以例如5至90重量％為佳，其中以10至80重量％為較佳， 尤以20至70重量％為最佳，該含量在上述範圍内時，光學 薄膜可在廣範圍波長領域中進行更同樣之偏光轉換，而為 較佳。 本發明之光學薄膜中，其組成物係以含有式（VI)所示 之單體（下文中，或稱為「單體（VI)」）者為佳。 32 320551 200918933

Rl3及Rl4各自獨立地表示氫原子或曱基，Χδ及X6各自 獨立地表示碳數為2至'6之伸烷基。該伸烷基可含有碳數 為1至6之烷基、羥基或羰基。R各自獨立地表示羥基、 鹵素原子、碳數為1至6之烷基、碳數為1至6之烷氧基、 環氧丙氧基、硝基或氰基；v3及w3各自獨立地表示0至6 之整數，w各自獨立地表示0至4之整數。當w為2以上 之整數時，複數之R可分別為不同種類之基。 單體（VI)特別以式（VI-1)所示之化合物為佳。

式（VI-1)中·，Rl3、.Rl4、X5、X6.、V3 及 W3 之意義如同前 述。 就單體（VI)而言，更具體之例可列舉如式（VI-2)所示 之單體。該式（VI-2)所示之單體有A-BPEF(商品名稱，新 中村化學工業公司製品）之市販品。 33 320551 200918933

單體（νι)中所含之（甲基）丙烯醯基可為藉由使（甲基） 丙烯酸直接與雙酚苐之羥基進行酯化而得者，亦可為藉由 先使環氧乙烷等與雙酚苐之羥基反應而得末端羥基，再使 (曱基）丙烯酸與該末端羥基進行酯化而得者。 單體（VI)之含量，以本發明之光學薄膜所含之全部單 體及化合物（A)之合計量為100重量％計，雖然亦可不含 有，但以例如5至90重量％為佳，其中以10至80重量％ 為較佳，尤以20至70重量％為最佳。該含量在上述範圍内 時，'光學薄膜可在廣範圍波長領域中進行更同樣之偏光轉 換，而為較佳。 本發明之光學薄膜中，其組成物亦可含有可與化合物 (A)及單體（I)至單體（VI)進行共聚合反應之單體（下文 中，或簡稱為「可共聚合之單體」）。 該可共聚合之單體之例可列舉如：下式（D-a)所示之單 體（下文中或簡稱為「單體（D-a)」）、乙酸乙烯酯等乙烯酯 類；馬來酸（酐）、馬來酸（半）酯、馬來醯亞等馬來酸衍 生物類；乙烯、碳數為3至20之α -烯烴化合物、碳數為 5至20之環狀烯烴、乙烯基化合物、3官能以上之多官能 光聚合性化合物等。 34 320551 200918933 17

(D-a) (式（D-a)中，Rn表示氫原子或曱基，—表示至少具有 -個5至20員環之具芳香族性之基的原子團。¥表示碳數 為2至6之伸貌基、或碳數為2至6之伸烧基氧基，該伸 烧基及伸縣氧基可含有碳數為1至6找基、祕或裁 基。in表示1至6之整數）。 早體(D-a)中，以式（D_2)或式（D_3)所示之單體為佳。

(Rl8)q

(式（D 2)及式（D-3)中，γ]各自獨立地表示碳數為2至 6之伸烧基。該伸院基可含有碳數為！至6之炫基、經基 或幾基。R18各自獨立地表示氫原子、絲、碳數為i至6 之炫基、魏為1 S 6之烧氧基、或環氧丙氧基。p各自 獨立地表示0至5之整數，q各自獨立地表示Q至4之整 320551 35 200918933 數。Rn及m各自獨立地表示與前述相同之意義）。 單體（D - 2)之具體例可列舉如式（D - 2 -1)所示之單體， 單體（D-3)之具體例可列舉如式（D-3-1)所示之單體。

(D -2-1) ch3

0 ch3 (D-3-1) 單體（D-a)之製造方法，可列舉例如：使用酚化合物做 為賦與Ru之架構之化合物，並使環氧乙烷等環氧烷化物與 該化合物反應而製成Ru-(ΥΧ-0H，再以丙烯酸或曱基丙烯 酸等加以酯化之製法；或是例如使用鹵化苯化合物做為賦 與Rl8之架構之化合物，並使烧二醇與該化合物反應而製得 R18-(Y)f 0H，再以丙烯酸或曱基丙烯酸等加以酯化之方法 等。 式（D-2-1)及式（D-3-1)所示之化合物係由新中村化學 工業公司以商品名稱為Μ酯A-LEN-10及NK酯A-CMP-1E 而販售。 做為可共聚合之單體而使用之碳數為3至20之α -烯 36 320551 200918933 烴化合物，可列舉例如： ^ ί-辛烯、1~癸烯、卜十 厂：烯、1~戍烯、卜己稀 卜十八碳婦、卜二十碳稀4數二四：、1-十六碳婦、 煙；或4-甲基+戊婦^//至加之直鍵狀^埽 等碳數為4至20之分支鏈狀at婦烴等却、3—甲基+ 丁埽 在乙烯及碳數為3至2 共聚物在成形為薄膜狀時复:::化合物中’從所得 尤以使用乙稀為最佳鏈^，烴之丙稀及卜丁稀為宜， 做為可共聚合之單體岐社環狀烯烴，係.炭環内 具有聚合性碳-碳雙鍵之化合物。具體例可列舉如：二環 [2, 2, 1]庚-2-婦，或 6-院基二環[2, 2, n2_婦、5, 6—二 院基二環[2, 2, 1]庚-2-烯、卜烧基二環[2, 2,丨]庚_2_婦、 7-烷基二環[2, 2’ 1]庚-2-烯等經導入甲基、乙基、丁基等 碳數為1至4之烷基而成之降萡烯衍生物；被稱為二甲橋 八虱秦（dime thanooctahydronaphthalene)之四環 [4’ 4, 0, 12, 5, 17, 10]-3-十二碳烯、8-烧基四環 [4, 4, 0, 12, 5, 17, 10]-3-十二碳稀、8, 9-二院基四環 [4, 4, 0, 12, 5, 17,10]-3-十二碳烯等在二曱橋八氫萘之8 位及/或9位導入碳數為3以上之烷基而成之二甲橋八氫萘 衍生物；經導入1個或複數個鹵素原子至分子内而成之降 范烯衍生物；在8位及/或9位導入鹵素而成之二曱橋八氫 萘衍生物等。 做為可共聚合之單體而使用之乙烯基化合物，可列舉 37 320551 200918933 例如乙酸乙烯酯、馬來酸（酐）及馬來醯亞胺等。更可列舉 例如具有碳數為5至20之脂環式架構的乙烯基化合物。 做為可共聚合之單體而使用之具有脂環式架構之乙烯 基化合物，例如為由環丙基、環丁基、環戊基、環己基、 環庚基、環辛基、環癸基、降萡烯基、金剛烷基等碳數為 3至12左右之脂環式烴基及乙烯基所構成的化合物。 做為可共聚合之單體而使用之3官能以上之多官能光 聚合性化合物，可列舉例如季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四 醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇 五甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六 甲基丙烯酸酯等。可共聚合之單體係可單獨使用或組合2 種以上使用。3官能以上之多官能光聚合性化合物可單獨 使用或組合2種以上使用。 本發明之光學薄膜係藉由將含有化合物（A)之光學薄 膜用組成物（下文中，或簡稱為組成物）形成膜後再加以延 伸而製成。形成膜後再加以延伸之步驟係包括光聚合步 驟。光聚合可在形成膜後且在延伸前之時實施，或在形成 膜後邊延伸邊實施，或在形成膜後再加以延伸後實施。本 發明之光學薄膜特別以將組成物形成膜後，經光聚合之後 再加以延伸而得者為較佳。 本發明之組成物係藉由混合下述者而調製：化合物 (A);以及因應需要的光聚合引發劑（3)、選擇自單體（I) 至單體（III)所構成群中之至少一種單體（1)、由選擇自單 體（I)至單體（III)所構成群中之至少一種單體（1)聚合而 38 320551 200918933 成之聚合物、選擇自單體（Vi)及單體（v)所構成群中之至少 -一種單體、單體（VI)、可共聚合之單體、聚合抑制劑、光 敏化劑、有機溶劑、調平劑或可塑劑。 該光聚合引發劑（3)之例可列舉如苯偶姻（benz〇in) 類、苯甲醯苯（benzophenone)類、苯甲基縮醛類、α_經基 酮類、胺基酮類、錤鹽類或毓鹽等。更具體言之，可列 舉例如：Irgacure 907、Irgacure 184、Irgacure 651、

Irgacure 250、Irgacure 369等（以上皆為日本汽巴公司 製品）；Seikuol BZ、Seikuol Z、Seikuol BEE 等（以上皆 為精工化學公司製品）；Kayacure BP100 (日本化藥公司製 品)；Kayacure UVI-6992(Dow 公司製品）；ADEKA Optomer SP-152 或 ADEKA Optomer SP-170(以上皆為 ADEKA 公司製 品）等。 又，光聚合引發劑（3)之使用量，例如相對於化合物（A) 及單體（I)至單體（IV)之合計量為1〇〇重量份計，以使用 〇· 1至30重量份為宜，其中以〇. 5至10重量份為較佳。 當使用量在上述範圍内，可在不致於降低透過率之情形下 而使單體聚合。 組成物中，為了調控單體（I)至（VI)及化合物（A)之聚 合，且為了提升所得之光學薄膜之安定性，可含有聚合抑 制劑。該聚合抑制劑之例可列舉如：氫醌、或具有烷基醚 等取代基之氫醌類；丁基兒茶酚等具有烷基醚等取代基之 兒茶紛類；焦掊驗類（pyrogal 1〇1) ; 2,2,6,6-四曱基-l-六氫吡啶氧基自由基等自由基補充劑；噻酚類、々-萘胺類 39 320551 200918933 或/9-萘酚類等。 聚合抑制劑之使用量，例如相對於化合物（A)及單體q) 至（VI)之合計量為1〇〇重量份計，以使用〇.丨至3〇重量份 為宜，其中以0. 5至10重量份為較佳。當用量在上述範圍 内時，可在不致於降低透過率之情形下，使化合物（A)及單 體（I)至（VI)聚合。 該組合物中，為了使光聚合引發劑之反應更為敏化， 亦可含有光敏化劑。該光敏化劑之例可列舉如咕噸_ (又&111±0116)或°塞°頓_(1：11丨0父3111：110116)等咕'1镇酮類、蒽或具 有烧基醚專取代基之恩類、吩嗟啡（phen〇"t；hiazine)或紅煢 烯（Rubrene)等。 光敏化劑之使用量，相對於化合物（A)及單體（丨）至（VI) 之合計量為100重量份計，例如為〇. 1至3〇重量份，其中 以0· 5至10重量份為較佳。當用量在上述範圍内時，可在 不致於降低透過率之情形下，使化合物（A)及單體（I)至（vi) 以高敏化度進行聚合反應。 該組成物尚可含有調平劑。調平劑之例可列舉如：東 麗石夕酮（TORAY silicQne)DC3PA、東麗石夕酮SH7PA、東麗石夕 酮DC11PA、東麗矽酮SH21PA、東麗矽酮SH28PA、東麗石夕 酮29SHPA、東麗矽酮SH30PA、聚醚變性矽油SH8400(東麗 矽酮公司製品）；KP32卜 KP322、KP323、KP324、KP326、 KP340、KP34K信越矽酮公司製品）；TSF400、TSF401、 TSF410、TSF4300、TSF4440、TSF4445、TSF4446、TSF4452、 TSF4460(G. E·東芝石夕酮公司製品）；Fluor inert(商品名稱） 40 320551 200918933 FC430、Fluorinert FC431 (住友 3M 公司製品）；Megaface (商品名稱）F142D、Megaface F171、Megaface F172、 Megaface F173、Megaface F177、Megaface F183、Megaface R30(大曰本油墨化學工業公司製品）；EFtop(商品名稱） EF301、EFtop EF303、EFtop EF351、EFtop EF352(新秋田 化成公司製品）；811^1〇11(商品名稱）838卜81^【1〇118382、 Surflon SC101、Surflon SC105(旭硝子公司製品）；E5844 (大金精密化學研究所製品）；BM-1000、BM-1100(皆為商品 名稱’ BM Chemie公司製品）；Megaface(商品名稱）R08、 Megaface BL20、Megaface F475、Megaface F477 或 Megaface F443(大日本油墨化學工業公司製品）等。 藉由使用調平劑而可使所得之薄膜平滑化。更進一 步，在形成膜之製程中，可調控組成物之流動性，或調控 由聚合單體所得之薄膜之交聯密度。·_ 調平劑之含量，例如相對於化合物（A)以及因應需要而 含有之單體（I)至（VI)、光聚合引發劑（3)及可共聚合之單 體之合計量為100重量份計，以含有0.001至2.0重量份 為宜，其中以0.005至1.5重量份為較佳。當含量在上述 範圍内時，可在不致於降低透過率之情形下而使單體聚合。 組成物中也可含有可塑劑。該可塑劑之例可列舉如磷 酸酯、幾酸酯或乙醇酸醋（glycol ic acid ester)。該鱗酸 酯之例係包括例如磷酸三苯酯（TPP)、磷酸三曱酚酯（TCP， 亦即tricresyl phosphate)、磷酸曱酚基二苯酯、填酸辛 基二苯酯、填酸二苯聯苯酯（diphenyl biphenyl 41 320551 200918933 phosphate)、填酸三辛醋或礙酸三丁酯。 上述羧酸酯之典型代表為酞酸酯或枸櫞酸酯，該酞酸 酯之例係包括例如S太酸二甲醋（DMP)、S太酸二乙酯（DEP )、 酞酸二丁酯（DBP)、酞酸二辛酯（D0P)、酞酸二苯酯（DPP) 或酞酸二乙基己酯（DEHP)。該枸櫞酸酯之例可例示如鄰-乙醯基枸橼酸三乙酯（0ACTE)、鄰-乙醯基枸櫞酸三丁醋 (0ACTB)、枸櫞酸乙醯基三乙酯或枸櫞酸乙醯基三丁酯。 其他之羧酸酯之例，可例示如油酸丁酯、蓖麻油酸曱 基乙酸酯（methyl acetyl ricinolate)、癸二酸二丁酯、 各種偏苯三甲酸酯。 乙醇酸酯之例可例示如甘油三乙酸酯（tri acet i η)、甘 油三丁酸醋、丁基欧醯基乙醇酸丁酯（Butyl phthalyl butyl glycolate)、乙基酿酸基乙醇酸乙酯、甲基酉太酸基 乙醇酸乙酯或丁基酞醯基乙醇酸丁酯等。又，較佳例亦可 列舉如三羥甲基丙烷三苯曱酸酯、季戊四醇四苯曱酸酯、 雙三羥甲基丙烷四乙酸酯、雙三羥甲基丙烷四丙酸酯、季 戊四醇四乙酸酯、山梨糖醇六乙酸酯、山梨糖醇六丙酸酯、 山梨糖醇三乙酸酯三丙酸酯、肌醇五乙酸酯或山梨糖醇酐 四丁酸酯等。 可塑劑中，以磷酸三苯酯、磷酸三甲酚酯、磷酸曱酚 基二苯酯、磷酸三丁酯、酞酸二甲酯、酞酸二乙酯、酞酸 二丁酯、S太酸二辛S旨、S大酸二乙基己醋、甘油三乙酸酯、 乙基酞醯基乙醇酸乙酯、三羥甲基丙烷三苯甲酸酯、季戊 四醇四苯曱酸酯、雙三羥曱基丙烷四乙酸酯、季戊四醇四 42 320551 200918933 乙酸酯、山梨糖醇六乙酸酯、山梨糖醇六丙酸酯、或山梨 糖醇三乙酸酯三丙酸酯等為較佳，尤以磷酸三苯酯、酞酸 二乙酯、乙基酞醯基乙醇酸乙酯、三羥甲基丙烷三苯曱酸 酯、季戊四醇四苯曱酸酯、雙三羥曱基丙烷四乙酸酯、山 梨糖醇六乙酸酯、山梨糖醇六丙酸酯，或山梨糖醇三乙酸 醋三丙酸酯等為最佳。 可塑劑可單獨使用1種或併用2種以上。可塑劑之添 加1在不大巾田損及本發明之薄膜特性範圍内，可適當地選 擇例如相對於本發明組成物之固形物之總量計，使用〇」 至30重量％左右。 可塑劑之具體例可列舉如日本特開平u —124445號公 報所記載之（二）季戊四醇酯類、日本特開平u_2467〇4 .號 △報所圮載之甘油酯（glycer〇1 ester)類、日本特開2〇〇〇_ 63560號公報所記載之二甘油酯類、日本特開平 號公報所記載之枸櫞酸酯類、日本特開平U — 90946號公報 所記载之取代苯基磷酸酯類。 該有機溶劑之例可列舉如醚類、芳香族烴類、酮類、 醇類、酯類或醯胺顏等。 醚類之例可列舉如四氫呋喃、四氫吡喃、丨，4_二噚烷、 乙一醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單 :醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁 鱗、一乙二醇二甲謎、二乙二醇二乙猶、二乙二醇二丙醚、 二^二醇二丁醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醚單乙醚乙 酉夂酉曰、丙二醇單㈣乙酸g旨、？基溶纖劑乙酸醋（贴邮 320551 43 200918933 、乙基溶纖劑乙_、乙基卡必醇乙 '曰i '必醇乙酸酯、丙二醇甲醚乙酸酯、乙酸甲氧 =二乙酸甲氧基戊醋、苯甲_、苯乙_(phenet0 或甲基苯甲醚等。 芳香族煙類之例可列舉如苯、甲苯、二甲苯或均三甲 苯（mesitylene)等。 酮類之例可列舉如_、2_丁酮、2_庚酮、3—庚§同、 4m甲基、環戊酮或環己轉。 醇類之例可列舉如甲醇、乙醇、丙醇、τ醇、己醇、 環己醇、乙二醇或甘油（亦即丙三醇）等。. 酯類之例可列舉如乙酸乙醋、乙酸正丁s|、乙酸異丁 酉旨、甲酸戊醋、乙酸異戊醋、乙酸異丁醋、丙酸丁醋、丁 酸異丙酯、丁酸乙酉旨、丁酸丁醋、烧基醋類、乳酸甲醋、 乳酸乙醋、經基乙酸甲醋、縣乙酸乙醋、經基乙酸丁醋、 甲氧基乙酸甲S旨、甲氧基乙酸乙g旨、甲氧基乙酸丁醋、.乙 氧基乙酉夂甲Ss、乙氧基乙g吏乙g旨、3_經基丙酸甲g旨、'3_經 基丙酸乙S旨、3-甲氧基丙酸甲§旨、.3—甲氣基丙酸乙醋、3_ 乙氧基丙酸甲醋、3一乙氧基丙酸乙酉旨、2-經基丙酸甲酯、 2-羥基丙酸乙酯、2_羥基丙酸丙酯、2—甲氧基丙酸甲酯、. 2-甲氧基丙酸乙酯、2-甲氧基丙酸丙酯、2_乙氧基丙酸甲 酯、2-乙氧基丙酸乙酯、2_氧基_2_甲基丙酸甲酯、2_氧基 -2-甲基丙酸乙酯、2-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯、2_乙氧^ -2-甲基丙酸乙酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、 乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、2_酮基丁酸甲酯、2_酮基 320551 200918933 丁酸乙酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸3一甲基一3一甲氧基丁 酯、或7 -丁内酯等。 醯胺類之例可列舉如N，N-二甲基甲醯胺或N，N—二甲 基乙醯胺等。 ， 其他溶劑之例可列舉如N-甲基吡咯烷酮或二甲亞确 等。 - /谷劑可分別單獨使用或組合2種類以上使用。 t造組成物時，有機溶劑之量係以使化合物⑴及 ⑴至單體（Π)之合計濃度成為1()重量％以上為宜，以將該 合計濃度調製成20至50重量％之量為較佳。 早體（I)至單體（ΠΙ)可減聚合成為聚合物（下文 或稱為「聚合物⑴」）而含於組成物中。聚合物⑴之 合形態，可列舉例如無規形態或嵌段形態等，但若構^ 合物〇)之架構單元分別在不致於形成顧（domain)^程 ==態為少量時’因可提升所得之光學薄膜之透 聚合物⑴之調製方法可列舉 體（I)至垔驊J牛列如便用有機溶劑將單 _( I)調製成10重量％以上之濃度成 至40重量％之濃度為較佳 知成為2〇 士甘士 圍下加熱至20至 100 C左右，其中以，至9rc左右為較佳，尤以。 。(：左右為最佳，並攪拌1至 60至80 ⑴之溶液之製法。t I小〜左右，而得含有聚合物 衣无另外，為了調控反應，可在聚人g 添加所使用之單懸或聚料發劑，或先溶解於有== 再添加。 W機溶劑後 320551 45 200918933 另外，當使用乙烯或丙烯等氣體之可共聚合之單體 時，可替代氮氣而在該可共聚合之單體之氛圍下，較佳在 加壓下製造之。 ^ 聚合引發劑之例可列舉如2,2，_偶氮雙異丁腈、2,2，_ 偶氮雙(2-甲基丁腈）、；[，!、偶氮雙(環己烷—卜甲腈）、 2’2 -偶氮雙（2’4-.二甲基戊腈）、2,2’_偶氮雙（2,4_二甲美 -4-甲氧基戊腈）、1基_2,2，—偶氮雙（2_甲基丙酸醋^ 2, 2’-偶氮雙（2，基？基丙腈）等偶氮系化合物；過氧 祕、氫過氧化第三丁基、過氧化苯甲ϋ、過氧化苯甲酸 弟二丁醋、氫過氧化異丙苯（c_e hydrop⑽xide)、過 炭酸二異丙醋、過氧化二碳酸二正丙醋、過氧化新 =二一丁醋、過氧化三？基乙酸第三丁醋、或過氧化 ，，二甲基己醯基）等有機過氧化物；過硫酸卸、過炉 等無機過氧化物等。另外，併^ “。。减退原系引發劑等也可作為聚合引發劑 類;之例:列舉如:甲苯或4苯等芳香族烴 單己麟“曰6^"丁酯、乙二醇單甲縫乙酸醋、乙二醇 醋等二酸:丙丙二醇單甲醚乙酸醋或丙二醇單乙驗乙酸 甲=基醇等脂肪族醇類；一 以薄學薄膜’―般係藉由將組成物形成薄膜（予 在形成薄膜步驟至延伸步驟之間進行光聚合2 320551 46 200918933 將組成物形成膜狀物之方法，可列舉例如：將含有组成物 之溶液澆鑄在平滑之面並蒸餾去除溶劑的溶劑澆鑄方法； 使用熔融擠壓機將組成物擠壓成型為薄膜狀的熔融擠壓方 法等。其中’特別以’谷劑澆鑄方法可將含有組成物之溶液 直接形成薄膜而較佳。 光聚合方法乃使用紫外光（uv)照射組成物行光聚合而 使之硬化。紫外光之光源可使用螢光化學燈、黑色光、低 壓、高塵、超高壓水銀燈、鹵化金屬燈、太陽光等。紫外 光之照射強度可始終採用恒定強度’亦可在硬化中途改變 強度而將硬化後之物性予以微調控。. 又，延伸方法之例可列舉如藉由拉幅法而進行之延伸 方法、藉由輕間延伸而進行之延伸方法等。 延伸可為單轴延伸或雙軸延伸，亦可為縱延伸或橫延 伸之任一種方法。就生產力之觀點而言，以單轴延伸為佳， 特別是以單軸之縱延伸為較佳。 透過光學薄膜之光線在波長450nm之延遲[Re(450)] 和波長550nm之延遲[Re(550)]之比率（[Re(45〇)]/ [Re(450)])被定義為波長分散係數^；，若要使光學薄膜在 廣範圍波長領域中進行同樣之偏光轉換，則以具有光學薄 膜之波長分散係數α未滿1. 〇〇的波長分散特性為佳。按照 上述方法所得之本發明之光學薄膜，一般而言，其波長分 散係數α未滿1. 〇〇。 透過光學溥膜之光線在波長U nm處之相位差值 (十）’通常能滿足^0(45〇)<^6(55〇)〈|^(65〇)之關係等而 320551 47 200918933 在300至700nm可視光領域全體中顯示往右上升之分散 性，所以可在廣範圍波長領域中進行同樣之偏光轉換。 本發明之光學薄膜可在廣範圍波長領域中進行同樣之 偏光轉換，所以可提供作為Λ /2板或；1 /4板等相位差板、 或是提升視角之薄膜等的用途。又，光學薄膜為λ/4板時， 可與直線偏光板組合而成為廣範圍波長領域之圓偏光板， 另外’當其為又/2板時，可將其與直線偏光板組合而成為 廣範圍波長領域之偏光迴轉元件。因此，可使用在各種液 晶顯示裴置、陰極射線管（CRT)、觸控式面板、電致發光（EL) 燈等中之抗反射濾光器，更進一步，可使用在液晶投影器 等。 本發明之相位差板係由上述光學薄膜所構成，可在廣 範圍波長領域中進行同樣之偏光轉換。 依據本發明，即可提供不使用光氣也能製成之在廣範 圍波長領域中可行同樣之偏光轉換之光學薄膜。 [實施例] —本發明藉實施例更詳細說明如下。惟本發明不侷限於 貫施例範圍。實施例中之「％」及「份」如無特別說明 指重量％及重量份。 (波長分散特性）‘ =由合成得之樹脂，藉由溶劑澆鑄法而製成膜狀物。將 該膜狀物則備有溫度難之自動祕延伸機（aut 〇graph ) ^羊精機製作所製品StrographT)進行延伸，而製得本 發月之光學薄膜。該光學薄膜之膜厚以厚度計（仙台Nikon 320551 48 200918933 公司製品）測定之。波長分散特性係使用自動雙折射計（王 子計測機器公司製品，K0BRA-WR型）在波長450nm至750nm 之範圍中測定之。 (光學各向異性） 當藉延伸而使聚合物主鏈成一袖定向之際，在該定向 方向與折射率成為最大之方向係變成不同方向（例如成為 垂直方向）而具有光學各向異性時，具有負之雙折射性。另 一方面，當定向方向與折射率成為最大之方向係一致、或 大致一致（例如定向方向與折射率成為最大之方向的差距 在10度以内時）時，具有正之雙折射性。折射率成為最大 之方向係可藉由自動雙折射計而求得。 (實施例1) 在備有攪拌機、溫度計及迴流冷卻器之反應槽中，放 入400份之曱基丙烯酸甲酯、193份之N-乙烯基咔唑、1103 份之丙二醇單曱醚乙酸酯並混合而溶解之後，升溫至70 °C。然後，添加2.46份之聚合引發劑（偶氮雙異丁腈），在 70°C下攪拌而得含有聚合物之溶液。在100g之所得溶液 中，混合溶解12g之式（A-7)所示化合物（A)(A-BPE-4，新 中村化學工業公司製品）、l.〇g之光聚合引發劑（3)(2-曱 基-1-4-(曱硫基）苯基-2-嗎琳基-丙烧-1-酮，Irgacure 907,日本汽巴公司製品）之後，使用300 //m之間隙之塗佈 機塗佈在聚對酞酸乙二酯製之脫模薄膜上，在100°C下乾 燥30分鐘，用UV照射（高壓水銀燈：以操作1次計，為 200mJ/cm2 : 365nm)，再用溫度調控自動曲線延伸機進行延 49 320551 200918933 伸1. 8倍而獲得光學薄膜。該光學薄膜係藉自動雙折射計 (王子計測機器公司製品，K〇BRA_WR型）在波長45〇至 750nm之範圍中測定波長分散特性。該光學薄膜之膜厚為 80//m，顯示正之雙折射性，且為Re(55〇) = 18〇nm、Re(45〇)/

Re(550)=0. 88^Re(500)/Re(550)=0. 93>Re(600)/Re(550)= 1.03、Re(650)/Re(550) = l. 05、Re(75〇)/Re(55〇) = 1. 〇7 之 光學特性。

(實施例2) 除了改用式（A-8)所示之化合物（新中村化學工業公司 製品，A-BP-2E)作為化合物（A)之外，其餘皆按照實施例1 所示相同.方法而製得薄膜厚度為75/zm且顯示正之雙折射 性的 Re(550)=220nm、Re(450)/Re(550)=0· 8卜 Re(500)/ Re(550)=0. 92、Re(600)/Re(550) = l. 08、Re(650)/Re(550) = 1. 15、Re(750)/Re(550) = l. 28 之光學薄膜。.

(實施例3) 除了改用式（A-9)所示之化合物（BASF公司製品，LC24 2)作為化合物（A)之外，其餘皆依照實施例1所示相同方法 50 320551 200918933 而製成薄膜厚度為85/zm且顯示正之雙折射性的Re(550) = 140nm、Re(450)/Re(55〇>0. 85、Re(500)/Re(550)=0. 93、 Re(600)/Re(550) = l·07、Re(650)/Re(550) = l·13、Re(750) /Re(550) = l. 22之光學薄膜。

(實施例4) 除了將曱基丙烯酸曱酯[單體（III)]由400份改用200 份、將N-乙烯基咔唑[單體（I)] 193份變更成N，N-二乙基 丙烯醯胺[單體（II)]382份、並將丙二醇單甲醚乙酸酯由 1103份改用1080份之外，其餘皆按照實施例1所示相同 方法而製成薄膜厚度為7 5 # m且顯示正之雙折射性的

Re(550) = 152nm、Re(450)/Re(550)=0. 88、Re(500)/Re(550) =0. 94、Re(600)/Re(550)=l·03、Re(650)/Re(550) = l.06、 Re(750)/Re(550) = l. 08 之光學薄膜。 (實施例5) 在備有攪拌機、溫度計及迴流冷卻器之反應槽中，投 入500份之甲基丙烯酸曱酯、1430份之丙二醇單曱醚乙酸 酯，混合溶解之後升溫至70°C。然後添加2. 23份之聚合 引發劑（偶氮雙異丁腈），在70°C下攪拌而得含有聚合物之 溶液。在所得之溶液10. 〇g中，混合溶解〇. 7份之N-乙烯 51 320551 200918933 基咔唑[單體（1)]、9. 3g之A-BPE-4[化合物（A)]、〇. ig之 光聚合引發劑（3)(Irgacure 184，日本汽巴公司製品）、 0· 05g之聚醚變性矽油SH8400(東麗矽酮公司製品）之後， 使用300 /z m之間隙之塗佈機塗佈於聚對酞酸乙二醋製之 脫模薄膜上，在100°C下乾燥30分鐘，以UV照射（高壓水 銀燈··以一次操作計，為200mJ/cm2 : 365nm)，使用溫度調 控自動曲線延伸機延伸1. 8倍，而得光學薄膜。將該光學 薄膜使用自動雙折射計（王子計測機器公司製品，K0BRA_WR 型）測定在波長450nm至750nm範圍中之波長分散特性。該 光學薄膜之薄膜厚度為52# in，顯示正之雙折射性，且為

Re(550)=71nm、Re(450)/Re(550)=0. 90、Re(500)/Re(550) =0. 95、Re(600)/Re(550) = l. 04、Re(650)/Re(550M. 〇6、

Re(750)/Re(550) = l. 07 之光學特性。 '(實施例6) 除了化合物（A)改用A-BP-2E之外，其餘皆按照實施例 5所示相同方法而製得膜厚為62 μ m且顯示正之雙折射性 的 Re(550)=84nm、Re(450)/Re(550) = 0. 8卜Re(500)/Re(550) =0· 92、Re(600)/Re(550)=l. 08、Re(650)/Re(550) = l. 1.4、 Re(750)/Re(550) = l. 20 之光學薄膜。 (實施例7) 除了在混合溶解1. 5份之N-乙烯基咔唑[單體（I)]、 18. 5g之A-BPE-4[化合物（A)]、0. 2g之光聚合引發劑（3) (Irgacure 184 ’曰本汽巴公司製品）、1〇份之丙二醇單曱 醚乙酸酯、0· 5g之Megaface(商品名稱）F475(大日本油墨 52 320551 200918933 化學工業公司製品）之後’使用300 /zm之間隙之塗佈機塗 佈在聚對酞酸乙二酯製之脫模薄膜上’並以UV.照射（高壓 水銀燈·以一次操作計’為200mJ/cm2 : 365nm)之外，其餘 皆按照實施例5所示相同方法而得光學薄膜。該光學薄膜 之膜厚為28//m，顯示正之雙折射性，且為Re(550)=71nm、 Re(450)/Re(550)-0. 86'Re(500)/Re(550)=0. 93'Re(600)/ Re(550) = l. 05、Re(650)/Re(550) = l. 〇9、Re(750)/Re(550) = 1.13之光學特性。 (實施例8) 除了將1.5份之N-乙烯基咔唑[單體（1)]變更成0.3 份之N-乙烯基咔唑[單體（I)]及4. 7份之N，N-二乙基丙烯 醯胺[單體（II)]之外’其餘皆依照實施例7所示相同方法 而製得膜厚為38#m且顯示正之雙折射性的Re(550)= 72nm,' Re(450)/Re(550)=0. 88 ' Re(500)/Re(550)=0. 94 ' Re(600)/Re(550) = l. 04'Re(650)/Re(550) = l. 07>Re(750)/ Re(550) = l. 09之光學薄膜。 (實施例9) 除了將1.5份之N-乙烯基咔唑[單體（1)]變更成0.5 份之N-乙烯基咔唑[單體（I)]及9. 5份之曱基丙烯酸曱酯 [單體（III)]之外，其餘皆按照實施例7所示相同方法而製 得膜厚為33//m且顯示正之雙折射性的Re(550)=79nm、 Re(450)/Re(550)=0· 85、Re(500)/Re(550)=0. 93、Re(600)/ Re(550) = l. 05、Re(650)/Re(550) = l. 08、Re(750)/Re(550) = I.10之光學薄膜。 53 320551 200918933 (實施例ίο) 在備有攪拌機、溫度計及迴卻 入500份之甲基丙烯酸曱反f槽中，投 酯，混合溶解之後升温至7{rc ^，两一醇早曱’乙酸 合引發劑（偶氮雙異丁腈），在、=2入=份之聚 之，在所得之溶液7。"，混c:'=— 所示單體（DCP，新中村化學 g之式（IV-4) …*4[化合^ 甲基*(甲硫基麻！ =，曰本汽巴公司製品)、。，之聚_性秒油：： =卵公司製品）之後，使用之間隙之塗佈機塗 佈在聚㈣酸乙二自旨製之脫模相上，於嘗 分鐘，以谓照㈣壓核燈：以_次操作計，請mj/ cm:365nm)’再使用溫度調控自動曲線延伸機進行延伸卜 8倍而得光學_。將所得之光㈣肢用自動雙折射計 (王子計測機器公司製品，_A—WR型）測定在波長45〇ηιη 至750nm之範圍中之波長分散特性。該光學薄膜之膜厚為 98/zm，顯示正之雙折射性，且為Re(55〇；)=：24〇nm、Re(45〇) /Re(550)=0. 94、Re(500)/Re(550)=0· 97、Re(600)/Re(55 0) = 1. 02 > Re(650)/Re(550) = l. 05 > Re(750)/Re(550) = l. 0 7之光學特性。 54 320551 200918933

(實施例11) 除了將35g之DCP[單體（IV)]變更成29g之式（V-2)所 示單體（A-CHD-4E，新中村化學工業公司製品）[單體（V)] 之外，其餘皆按照實施例10所示相同方法而得光學薄膜。 該光學薄膜之膜厚為92/z m，顯示正之雙折射性，且為 Re(550)=252nm'Re(450)/Re(550)=0. 89' Re(500)/Re(550) =0. 94、Re(600)/Re(550) = l. 05、Re(650)/Re(550) = l.08、 Re(750)/Re(550) = l. 13 之光學特性。

(實施例12) 除 了在將 33g 之 A-CHD-4E[單體（V)]、42g 之 A-BPE-4 [化合物（A)]、0. 之光聚合引發劑（3)(2-甲基-1-4-(曱 硫基）苯基-2-嗎淋基-丙烧-1-酮，Irgacure 907，日本汽 巴公司製品）、55份之丙二醇單甲醚乙酸酯、1. 3g之 55 320551 200918933

Megaface(商品名稱）F475(大曰本油墨化學工業公司製品） 混合溶解之後，使用300 //m之間隙之塗佈機塗佈在聚對酞 酸乙二酯製之脫模薄膜上，並以UV照射（高壓水銀燈，以 一次操作計’為200mJ/cm2: 365nm)之外，其餘皆按照實施 例10所示相同方法而製得光學薄膜。該光學薄膜之膜厚為 42#m’顯示正之雙折射性，且為Re(550) = 142nm、Re(450)/ Re(550)=0.88 ' Re(500)/Re(550) = 0. 94 ' Re(600)/Re(550) =1. 06 > Re(650)/Re(550) = L 11 > Re(750)/Re(550) = l.16 之光學特性。 (實施例13) 在備有攪拌機、溫度計及迴流冷卻器之反應槽中，投 入500份之甲基丙烯酸曱酯、1430份之丙二醇單甲醚乙酸 醋’混合溶解之後’升溫至7(TC。然後添加2.23份之聚 合引發劑（偶氮雙異丁腈）’在70°C下攪拌而得含有黏結劑 聚合物（binder polymer)之溶液。在所得之溶液（黏結劑聚 合物）70g中，混合溶解lig之式（VI_2)所示單體（A_BPEF， 新中村化學工業公司製品）[單體（V丨）]、69g之A—BPE_4 [化 合物(A)]、1. 0g之光聚合引發劑（3)(2一甲基4-4-(曱硫基） 苯基-2-嗎琳基-丙烧-1-酮，；[rgacure 907，日本汽巴公司 製品）、0. 85g之聚醚變性矽油SH84〇〇(東麗矽酮公司製品） 之後，使用300 //m之間隙之塗佈機塗佈在聚對酞酸乙二酯 製之脫模薄膜上，以l〇〇°C乾燥30分鐘，以UV照射（高壓 水銀燈：以一次操作計，為2〇〇mJ/cm2 : 365nm)，再使用溫 度調控自動曲線延伸機進行延伸1. 8倍而得光學薄膜。將 56 320551 200918933 該所得之光學薄膜使用自動雙折射計（王子計測機器公司 製品，K0BRA-WR型）測定在波長450nm至750nm之範圍中 之波長分散特性。該光學薄膜之膜厚為89//ιη，顯示正之 雙折射性’且為 Re(550) = 262nm、Re(450)/Re(550) = 0. 86、

Re(500)/Re(550)=0· 93、Re(600)/Re(55〇M. 06、Re(650)/

Re(550) = l. 12、Re(750)/Re(550) = l. 02 之光學特性。

(實施例14) 除 了在將 A-BPEF [單體（VI) ] 13g、Α-ΒΡΕ-4[化合物（A)] 72g、光聚合引發劑（3)(2-曱基-1-4-(曱硫基）苯基-2-嗎啉 基-丙烷-1-酮，Irgacure 907，日本汽巴公司製品）0. 8g、 丙二醇單甲醚乙酸酯55份、Megaface(商品名稱）F475(大 日本油墨化學工業公司製品）1. 3g加以混合溶解之後，使 用300 /zm之間隙之塗佈機塗佈在聚對酞酸乙二酯製之脫 模薄膜上，並以UV照射（高壓水銀燈：以一次操作計，為 200mJ/cm2 : 365nm)之外，其餘皆按照實施例13所示相同 方法而得光學薄膜。該光學薄膜之膜厚為42/zm，顯示正 之雙折射性，且為 Re(550) = 192nm、Re(450)/Re(550) = 0. 85、Re(500)/Re(550)=0. 93、Re(600)/Re(550) = l. 07、 Re(650)/Re(550) = l. 13、Re(750)/Re(550) = l. 21 之光學特 57 320551 200918933 性。 [產業上之可利用性] 本發明之光學薄膜即使不使用光氣也能製成，且在廣 範圍波長領域中可進行同樣之偏光轉換。 【圖式y簡单說明】 無。 【主要元件符號說明】 無0 58 320551

Claims (1)

1. 200918933 七、申請專利範圍： 1. 一種光學薄膜，其係由組成物形成薄膜再加以延伸而 成，其中，該組成物含有如下述之化合物：在分子内具 有兩個以上選擇自丙烯醯基及曱基丙烯醯基所構成群 中之至少一種基且具有式（A)所示之基的化合物，

   至6之烷基、碳數為丨至6之烷氧基、或環氧丙氧基； X表示2價之烴基、硫基、磺醯基、醚鍵或單鍵，該烴 基可含有-C0-0-;⑴及出各自獨立地表示〇至4之整 數）。 2.如申請專利範圍帛1項之光學薄膜，其係由組成物.形成 2膜並經«合後再加以延伸而製成，其巾，該組成物 3有如下述之化合物：在分子内具有兩個以上選擇自丙 烯醯基及曱基丙烯醯基所構成群中之至少一種基且具 有式（A)所示之基的化合物。 3·如申請專利範圍第丨項或第2項之光學薄膜，其中，該 在刀子内具有兩個以上選擇自丙烯醯基及甲基丙烯醯 基所構成群中之至少-種基且具有式⑴所示之基的化 σ物’係在分子内具有兩個以上選擇自丙婦醯基及甲基 两稀醯基所構成群中之至少一種基且具有式㈤）、式 (八~2)或式（Α-3)所示之基的化合物： 320551 59 200918933

   Bl、B2、a丨及出所示意義 .(式（A_l)至式（A-3)中 如同前述）。 4.如申請專觀圍第丨項至第3項中任—狀光學薄膜， 其中，該在分子内具有兩個以上選擇自㈣ 丙烯醯基所構成群中之至少—種基且具有式⑴所示之 基的化合物，係式（A-4)所示之化合物：·.

   RlS (式(A-4)中m6各自獨立地表示氫原子或甲 f ’ X7及X8各自獨立地表示碳數為2 S 6之伸烧基，該 伸燒基可含有碳數為1至6之絲、歸_基，V4 =各自獨立地表示之整數，X表示如同前述意 義）。 320551 60 200918933 5,如”專利範圍第丨項至第4項中任—項之光膜 其中，該組成物復含有選擇自式⑴至式（III)所示單體 所構成群中至少一種單體（1) : 丁早體 Ri 人⑴ 。（式⑴中，R!表示氫原子或甲基，R2表示5至 =環之芳香族烴基或芳香族雜環基，該芳香族烴基或芳 基可含有絲、碳數為…2之烧基、碳數 …、至12之烷氧基、碳數為6至12之芳基、碳數為7 =2之芳絲、環氧丙氧基、碳數為2至4之酸基、 羧基、或鹵素原子）， D_ /

   (Π) (式⑴)中’ R3表示氫原子或甲基，匕及匕各自獨 级地表示氫原子、碳數為1至6之烧基，或^連 成碳數為4至6之做基，魏基及該伸燒基可 &基、氧原子、疏原子或氮原n表示單鍵或碳 數為2至6之氧伸烷基）， R，

   (ΙΠ) 子、（式（ίΠ)中，R?表示氫原子或甲基，R8表示氫原 甲基或5至20員環之環狀烴基，該環狀烴基可含 320551 61 200918933 有經基、碳數為1至12之烷基、碳數為1至12之烷氧 基石厌數為6至12之芳基、碳數為7至12之芳炫基、 環氧丙氧基、碳數為2至4之《、福、㈣原子、 氧原子、硫原子錢原子；該絲、誠氧基、該芳基 及該芳院基可含有經基或_素原子）。 Ri •如申明專利圍第1項至第5項中任—項之光學薄膜， 其中，該組成物復含有由選擇自式（I)至式（III)所示單 體所，成群中之至少一種單體⑴聚合而成的聚 Ο) r2 。s(式⑴中，Rl表示氫原子*甲基，R2表示5至2。 之方香族烴基或芳麵雜環基，該芳香㈣基或芳 二族雜環基可含有雜、碳數為1至12之絲、碳數 :1至12—之烧氧基、碳數為6至ί2之芳基、碳數為^ ^之芳燒基、環氧丙氧基、碳數為2至*之醯基、 竣基或鹵素原子）， r3 (Π) r5 式-Ο1)中’ I表示氫原子或甲基，①及RS各自 t表示氣原子、石炭數為1至6之烧基，或MR 成碳數心至6之伸燒基，該絲及該伸㈣ 教袁^基、制子、硫料錢原子；R6表示單鍵或 數為2至6之氧伸烷基）， 320551 62 200918933 r7 XR8 (m) O 子、(甲：i1:)中，R :表示氫原子或甲基，R 8表示氫原 n u至20員環之環狀烴基，該環狀烴基可含 有經基、碳數為1至19 至12之烷基、碳數為1至12之烷氧 二片反，為6至12之芳基、碳數為7至12之芳烧基、 =氧丙氧基、兔數為2至4之醯基、魏基、自素原子、 氧原子、硫原子或氮原子’該炫基、該院氧基、該芳基 及該芳絲可含有麟或#素原子）。 、 .如申5月專利範圍第5項或第6項之光學薄膜，其中，該 式所示之單體係選擇自N-乙烯基咔唑、乙烯基萘及 乙烯基蒽所構成群中之至少一種單體。 8. 如申請專利範圍第5項至第7項中任一項之光學薄膜， 其中，該式（II)所示之單體係選擇自N，N_二甲基丙烯 醯胺、N，N-二乙基丙烯醯胺、N_(2-羥基乙基）丙烯醯 fee、N-異丙基丙稀醯胺、丙浠醯基嗎淋、（甲基）丙烯酸 一甲基胺基乙酯及（甲基）丙烯酸二乙基胺基乙酯所構 成群中之至少一種單體。 9. 如申請專利範圍第5項至第8項中任一項之光學薄膜, 其中，該式（III)所示之單體係選擇自（甲基）丙烯酸甲 _、（甲基）丙稀酸苯酯、（甲基）丙烯酸萘酯、（曱基） 丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸2-四氫吡喃酯、（甲基） 丙烯酸異宿酯、（甲基）丙烯酸三環癸酯、（f基）丙烯酸 63 320551 200918933 氧基萘所構成群十之至 金剛烷酯及1-丙稀醯基-4-曱 少一種單體。 10.如申請專利範圍第i項至第9項中任一 其中，該組成物復含有選擇自 t光學薄膜， 所構成群中之至少一種單體.： ；及式（V)所示單體

   (式（IV)中，Rg及R1()各自獨立地表示氫原子或甲 基’ Χι及X2各自獨立地表示碳數為2至6之伸烧基，該 伸烷基可含有碳數為1 6之烷基、羥基或羰基；Z! 及Z2各自獨立地表示單鍵或亞曱基（methylene )，s表 示1或2之整數，t表示0或1之整數，乂〗及w!各自獨 立地表示0至6之整數），

   64 320551 200918933 (式（Ό中，ru及各自獨立地表示氫原子或甲 基，X3及X4各自獨立地表示碳數為2至6之伸烷基，該 伸燒基可含有碳數為1至6之絲、縣歧基；Z3 及Z4各自獨立地表示單鍵或亞甲基，V2及阶各自獨立 地表示0至6之整數）。 1L如申請專利範圍第Ϊ項至第1G項t任-項之光學薄 膜，其中，該組成物復含有式（VI)所示之單體：

   (式αι)中’ &3及Ri4各自獨立地表示氫原子或飞 二’ X5及X6各自獨立地表示破數為2至6之伸烧基，^ 炭數為1至6之燒基、㈣或幾基 地表示絲、s素原子、碳數為…之烧基 ^ t 6之料基、縣丙氧基、魏或氰基，. 4之正數，當w為2以上之整數 、— 可為不同種類之基）。上之正數卜硬數之a; 12.==ru項之先學薄膜，其中，卿 、之早肢係式（VI-1)所示之單體： 320551 65 200918933

   13.如申料㈣圍f l料第i2項怖—項之光學薄 膜，其中’透過光”膜之透過光在波長刚處之相 位差值Re( U )係滿足下式： Re(450) < Re(55〇) < Re(65〇)。 Η.種相位差板’其係由申請專利範圍帛工項至第a項 中任一項之光學薄膜所構成。 15. -種光學薄膜用組成物，其含有如Τ述之化合物：在分 =内八有2個以上選擇自丙烯酿基及甲基丙烯酿基所 ,成群中之至少―種基且具有式⑷所示之基的化合

   (式⑷中’μΒ2各自社地表轉基、碳數/ 之烴基、硫基、伽基、_或單鍵，智 土 τ 3有|〇_ ;出及七各自獨立地表示◦至4之 320551 66 200918933 數）。 16.如申請專利範圍第15項之光學薄膜用組成物，其復含 有選擇自式（I)至式（III)所示單體所構成群中之至少 一種單體（1) ·· 人⑴ 。（式（1)中，Rl表示氫原子或甲基，R2表示5至20 員環之芳香族烴基或芳香族雜環基，該芳香族烴基或芳 香族雜環基可含有減、碳數為〗至12之絲、碳數 為1至12之院氧基、碳數為6至12之芳基、碳數為7 至12之芳烷基、環氧丙氧基、碳數為2至4之醯基、 羧基或鹵素原子）， Vr ^ 0 Rs (式(II)中，r3表示氫原子或T基，R4及匕各自獨 立地表示氫原子、碳數為之烧基4 &及_ ^而形成魏為4至6之伸絲，該縣錢賴基可 3有H氧料、硫原子或氮肝；絲示單鍵或碳 數為2至6之氧伸烷基）， 人。\ Τ >8 (III) (式（III)中，R?表示氫原子或甲基，心表示氫原 320551 67 200918933 子、曱基或5至20員環之環狀烴基，該環狀烴基可含 有經基、碳數為1至12之烷基、碳數為1至12之烷氧 基、碳數為6至12之芳基、碳數為7至12之芳烷基、 %氧丙氧基、碳數為2至4之醯基、羧基、鹵素原子、 氧原子、硫原子或氮原子，該烷基、該烷氧基、該芳基 及該芳烷基可含有羥基或鹵素原子）。 17.如申睛專利範圍帛15項或第16項之光學薄膜用組成 物，其復含有由選擇自式⑴至式(III)所示單體所構成 群中之至>、種單體⑴聚合而成的聚合物： Ri AR2⑴ q班（式j1)中，Rl表示氫原子或曱基，R2表示5至2丨 員％之芳香族絲或若香族雜環基，鮮香族烴基或 ^雜環基可含有雜、碳數為1至1纟找基、碳# :1至12之院氧基、碳數為6至12之芳基、碳數為 ^之芳烧基、環氧丙氧基、魏為2至&之酿基、 躞基或由素原子），

   i*R4 (Π) ο Rs 立地丄式(⑴中，R3表示氫原子或〒基，及R5各! 原子、碳數為1 16之燒基，或_ 碳數為4至6之伸燒基，該炫基 有經基、㈣子、•子或氮肝；Μ示單心 320551 68 200918933 數為2至6之氧伸燒基〕，

   r8 (hi) 子、式（Ι、Π)中，R?表示氫原子或甲基，R8表示氫眉 古“ I基或5至20員環之環狀烴基，該環狀烴基可含 尹工:、石厌數為1至12之燒基、碳數為1至12之院氧 二於反^為6至12之芳基、碳數為7至12之芳院基、 片盾丙氧基、呶數為2至4之醯基、羧基、_素原子、 18 硫原子或氮原子，該院基、該炫氧基、該芳基 及该方絲可含有織或时原子)。 申二專利軌圍第15項至第17項中任—項之光學薄膜 播^物’其復含有選擇自式（Ιν)及式⑺所示單體所 ..構成群中之至少一種單體：

   Α，γ(式（IV)中，R9及L各自獨立地表示氫原子或甲 ;立地表示碳數為2至6之伸烧基，該 及二：°白丨石反數為1至6之烷基、羥基或羰基；Z1 2蜀立地表示單鍵或亞甲基，s表示1或2之整 320551 69 200918933 數，t表示0或1之整數，心及奶各自獨立地表示〇至 6之整數），

   (式（V)中’ Ru及Rlz各自獨立地表示氫原子或曱 基’ X3 _及X4各自獨立地表示碳數為2至6之伸烧基，該 伸烷基可含有碳數為1至6之烷基、羥基或羰^ ^ 及Z4各自獨立地表示單鍵或亞甲基，Vz及趴各自獨立 地表不0至6之整數）。 19·如申請專利範圍第15項至第18項中任一項之光學薄膜 用組成物，其復含有式（VI)所示之單體：

   (式（VI)中，匕3及各自獨立地表示氫原子或曱 基，X5及X6各自獨立地表示碳數為2至6之伸烷基，該 伸燒基可含有魏為1至6之絲、縣或絲；R各 自獨立地表示縣、鹵素原子、碳數為i至6之燒基、 320551 70 200918933 =數為1至6之規氧基、環氧丙氧基“肖基或氰基，〜 n %各自獨立地表示^至6之整數，w各自獨立地表示 1 4之整數，W表示2以上之整數時，複數之R分別 可為不同種類之基）。 20. 如申請專利範圍第15項至第19項中任一項之光學薄膜 帛组成物’其復含有光聚合引發劑⑶。 21. :種光學薄膜之製造方法，其特徵為：將申請專利範圍 I ,15項至f2G項中任—項之光學薄顧組成物形成薄 膜後，再加以延伸。 22. 如申睛專利範圍第21項之光學薄膜之製造方法，其 中’將光學薄膜用組成物形成薄膜，經光聚合後，再二 以延伸。 23. 如申料利範圍第21項或第如之光學薄膜之製造方 法、、’其中’、#由將含有光‘學薄制組絲之溶液洗禱在 平滑之面並蒸餾去除溶劑而形成薄膜。 320551 71 200918933 四、指定代表圖：本案無圖式。 (一) 本案指定代表圖為：第（）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

   (A) (BiJa, {Q^a2 3 320551