TW200914497A - Process for making siloxane polymers - Google Patents

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Ru-Zhi Zhang
David J Abdallah
Pinghung Lu
Mark Neisser
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Az Electronic Materials Usa
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Description

200914497 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 严明係關於-種製造矽氧烷聚合物之方法，該聚合物 係適用於形成吸收性抗反射塗料組合物。 【先前技術】 光p山且α物係用於顯微钱刻術方法中以製造小型化電 ^且件’諸如製造電腦晶片及積體電路。一般而言，在該 等方法中，首先將光阻劑組合物之薄膜塗層塗覆至基板材 料(諸如用於製造積體電路之石夕晶圓)上。隨後將該經塗佈 之，板供烤以蒸發光阻劑組合物中之任何溶劑且將該塗層 固定於該基板上。接著使該基板上塗佈之光阻劑經受輕射 成像曝光。 賴射曝光在經塗佈表面之曝光區域中引起化學轉化。可 見光、紫外（υν)光、電子束及χ射線輻射能量為現今顯微 蝕刻方法中通常使用之轄射類型。在成像曝光後，以顯影 劑溶液處理該經塗佈基板，以溶解並去除光阻劑之輕射曝 光區域（正型光阻劑）或未曝光區域（負型光阻劑卜 '當正型光阻劑經受㈣成像曝光時’該等經_射曝光的 光阻劑組合物區域變得更易溶於顯影劑溶液中，而該等未 曝光之區域仍相對地不溶於顯影劑溶液中。因此，以顯影 劑處理經曝光之正型光阻劑導致塗層之經曝光區域被移 除’並且在光阻劑塗層中形成正影像。再者，顯露出下伏 表面之所欲部分。 當負型光阻劑經受輕射成像曝光時，該等經輕射曝光的 128759.doc 200914497 ==物之區域變得不溶於顯影劑溶液中
區域仍相對可溶於顯影劑溶液因此，用二 /未曝先負型光阻劑導致塗層之未曝光 I 分。 成“像。此外’露出下伏表面之所需部 "解析度疋義為在曝光及顯影後光阻劑組合 度影像邊緣準確度自光罩轉印至基板之最小特徵= :多領先邊緣製造應用中，小於—級之光粗心 乂要的另外’幾乎始終需要顯影光阻劑壁輪廓接近垂 直於基板。光阻劑塗層之顯影區域與未顯影區域之間的該 等界線轉化為遮罩影像至基板上之精確圖案轉印。隨著小 型化趨勢使裝置上之關鍵尺寸減小，此舉變得愈加關鍵。 ,半導體裝置之小型化趨勢已使得使用在愈來愈低之輕射 波長下敏感之新穎光阻劑且亦使得使用諸如抗反射塗層之 複雜多級系統，以克服與此小型化相關之困難。 geometry)時， 在需要亞半微米幾何形狀（subhaifmicr()n 通常使用對約100 nm與約300 nm之間之短波長敏感的光阻 劑。尤其較佳為在低於200 nm(例如193 nm&157 nm)下敏 感之深紫外線光阻劑’其包含非芳族聚合物、光酸產生 劑、（視情況）溶解抑制劑及溶劑。 高吸收性抗反射塗層在光微影中之使用為用以減少由來 自高度反射基板之光之背反射產生的問題之有效方法。將 底。卩抗反射塗層塗覆於基板上且隨後將一層光阻劑塗覆於 該抗反射塗層之頂部上。將該光阻劑成像曝光且顯影。隨 128759.doc 200914497 後通常使料種#刻氣體將曝光區域中之抗反射塗層乾式 1 虫刻且因而將光阻劑圖案轉印至基板上。在光阻劑不提供 足夠乾式抗蝕性之情況下，具有高抗蝕性之光阻劑之底層 或抗反射塗層較佳且一方法已將石夕併入該等底層中。石夕在 用以移除光阻劑之㈣條件τ具高抗㈣且因而極需要 吸收曝光輻射之該等含矽抗反射塗層。 亦
本發明提供一種製造矽氧烷聚合物之方法，其適用於抗 反射塗料組合物，本發明亦提供含有該等矽氧烷聚合物之 抗反射塗料組合物。該石夕氧烧聚合物具高吸收性且可在高 1下在存在或不存在催化劑之情況下固化。諸如熱酸產生 齊J光酸產生劑、鑌鹽（例如銨/鱗鹽）及其類似物（酸產生 劑）之催化劑可用於催化前述SSQ聚合物之交聯。 【發明内容】 本發明提供一種製造矽氧烷聚合物之方法， °亥矽氧烷聚合物包含至少一個Si_〇H基團；至少一個Si_ 〇R基團，其中R為除氫之外的部分；至少一個吸收發色 團，及至少一個選自結構（1)及結構（2)之部分，
(1) -V—Z (2) 其中ni為〇或丨；w，獨立地為一價鍵或一將環醚與該 聚合物之矽鍵聯之連接基團；L係選自氫、W，及W，或l與 、、、° σ以包含一將環醚與該聚合物之矽鍵聯之環脂族鍵聯 128759.doc 200914497 基團n價鍵或-將2與該聚合物之錢聯之連接基 團；Z係選自〇-C(=0)—R3°'纟經取代或經取代稀基及 —N令Ο; Μ、未經取代或經取聽基或未經取代或經 取代烯基， 該方法包含使-或多種钱反應物在水/醇混合物中或 在:或多種醇中及在水解催化劑存在下_起反應以形成該 石夕氧烧聚合物；及將該⑦氧烧聚合物與該水/醇混合物或 該或該等醇分離。 結構⑴及（2)中之部分可提供自交聯官能基且實例包括 環氧化物、氧雜環丁烧、㈣酸g|、乙烯基、乙酸（三石夕 氧烧基）錢基乙醋及其類似物，且該發色團可選自未經 取代芳族部分、經取代芳族部分、未經取代雜芳族部分及 經取代雜芳族部分。該錢烧聚合物可包含至少結構⑴及 /或（ii)之單元， (0 ’其中h為1、2或3， 一(R Si〇h/2)-及一（R2Si〇h")一 一(R'(R")Si〇x)— (ϋ), 其中Rl獨立地為選自結構（1)及結構（2)之部分，
0) n (2) 交其中m為〇或丨；w及Wi獨立地為_價鍵或_將賴與該 聚:物之⑪鍵聯之連接基團；L係選自氫、W,及w，或L與 W’結合以包含—將環㈣該聚合物之錢聯之環脂族鍵聯 I28759.doc 200914497 基團；v為一價鍵或一將z與該聚合物 “ 肖μ “勿之矽鐽聯之連接基 團 ’ Ζ 係選自 〇一c( = 〇) —R30、. _Ν=00·且未、！取代或經取代烯基及 ，R為未經取代或經取代烷基或未經取代或經 取代稀基，R2為發色團，R,洛R ,,总 、工 1 %巴图 R及R係獨立地選自R丨及R2， X = % 或 1。 另外，該矽氧烷聚合物亦可包含選自以下單元之單元 —(A R Si〇x)一（出），及 —(A R Si〇x)— (iv)， 其中，R1為選自結構（1)及結構（2)之部分，
其; W&W，獨立地為一價鍵或一將環醚與該 聚合物之矽鍵聯之連接基團；L係選自氫、w，及w,或[與 W，結合以包含一將環醚與該聚合物之矽鍵聯之環脂族鍵聯 基團；V為一價鍵或一將z與該聚合物之矽鍵聯之連接基 團，Z係選自〇—c(=0)—R30、未經取代或經取代烯基及 一N-C-0，且R為未經取代或經取代烷基或未經取代或經 取代烯基；X =1/2或1 ; A1及A2獨立地為羥基、r!、r2、南 基' 烷基、OR4、0C(0)R4、未經取代或經取代烷基酮肟 基' 未經取代芳基及經取代芳基、未經取代或經取代烷基 ^基、未經取代或經取代烧氧基、未經取代或經取代酿基 及未經取代或經取代醯氧基’且R4係選自烷基、未經取代 128759.doc -11 - 200914497 芳基及經取代芳基； 一 (R Sl〇h/2)— (ν) ’其中h為1、2或3 ;且R3獨立地為羥 基、風、鹵基、烷基、0R4、〇C(0)R4、未經取代或經取 代烷基酮肟基、未經取代或經取代芳基、未經取代或經取 代烧基方基、未經取代或經取代烧氧基 '未經取代或經取 代醯基及未經取代或經取代醯氧基，纟"4係選自未經取 代或經取代烷基、未經取代芳基及經取代芳基； —(Si〇4./2) —（vi)， 一((Ai)A2Sl〇x)— (vii)，其中 x=l/2 或 1，A1 及 A2獨立地 為羥基、氫 ' 卣基、烷基、〇R4、〇c(〇)R4、未經取代或 經取代烷基酮肟基、未經取代或經取代芳基、未經取代或 經取代烷氧基、未經取代或經取代烷基芳基、未經取代或 經取代醯基及未經取代或經取代醯氧基；及該等單元之混 合物； —(R5Si〇h/2)— (viii)， ί 其中h為1、2或3 ;且R5為包含結構（1)或結構（2)之自交 聯基團及吸收發色團之部分，
其中m為0或1 ; W及獨立地為一價鍵或一將環醚與該 聚合物之矽鍵聯之連接基團；L係選自氫、妒及育，或[與 W ’結合以包含一將環醚與該聚合物之矽鍵聯之環脂族鍵聯 128759.doc -12- 200914497 基團；v為一價鍵或一將z與該聚合物之矽鍵聯之連接基 團；Z係選自0—C(=0)—R3〇、未經取代或經取代烯基及 一Ν=〇0 ;且r3G為未經取代或經取代烷基或未經取代或經 取代烯基； -(R,Si〇3/2)a(R2Si〇3/2)b(R3Si〇3/2)c(Si04/2)d~ , 其中，R1獨立地為選自結構（1)及結構（2)之部分’
" (2) 其中m為0或1，W及W'獨立地為一價鍵或一將環趟與該 聚合物之矽鍵聯之連接基團；L係選自氫、w，及w，或L與 W，結合以包含一將環醚與該聚合物之矽鍵聯之環脂族鍵聯 基團；V為一價鍵或一將2與該聚合物之矽鍵聯之連接基 團；Z係選自〇—C(=0)—R3〇、未經取代或經取代烯基及 N_C-〇，且R為未經取代或經取代烧基或未經取代或經 取代烯基；R2為發色團；R3獨立地為氫、（Ci_Ci❶）烷基、 未經取代芳基及經取代芳基；且〇<a<1 ; 〇<b<1 ; ; 且0<d<l 〇 另外，本發明亦提供一種抗反射塗料組合物，其包含由 上述方法製造之矽氧烷聚合物及酸產生劑。 【實施方式】 本發明提供一種製造梦氧烧聚合物之方法，該石夕氧烧聚 合物包含至少一個Si_〇H基團；至少一個Si_〇R基團，其中 128759.doc -13- 200914497 R為除氫之外的部分；i少—個吸收發色團；及至少一個 選自結構（1)及結構（2)之部分， >OsT— —| (υ (2)
L -v-z 其中m為〇或LW及W，獨立地為一價鍵或—將環鍵與該 f 聚合物之補聯之連接基團；L係選自氫、w，及界，紅與 W，結合以包含一將環醚與該聚合物之石夕鍵聯之環脂族鍵聯 基團·’ V為一價鍵或一將2與該聚合物之石夕鍵聯之連接基 團d係選自Ο脅o)-r3。、未經取代或經取代烯基及 一N=C=〇;且^為未經取代或經取代烧基或未經取代或經 取代烯基， 該方法包含使-或多種錢反應物在水/醇混合物中或 在-或多種醇中及在水解催化劑存在下—起反應以形成該 石夕氧烧聚合物；及將該石夕氧烧聚合物與該水/醇混合物或 該或該等醇分離。 結構⑴及⑺中之部分可提供自交聯官能基且實例包括 環氧化物、氧雜環丁烧、丙烯酸@旨、乙烯基、乙酸（三石夕 氧烧基μ夕烧基乙醋及其類似物，且該發色團可選自韓 取代芳族部分、經取代芳族部分、未經取代雜芳族部分及 分。㈣減聚合物可w結構⑴及 —(RlSi〇h/2)—及—(R2si。的)-⑴，其中 h為 b2或 3， 128759.doc -14· 200914497 -(R'(R")Si〇x)- (ϋ), 其中R1獨立地為選自結構（1)及結構（2)之部分， —W-W——m (1) -y-z (2) 其中m為0或1 ; W及W，獨立地為一價鍵或一將環喊與該 聚合物之矽鍵聯之連接基團；L係選自氫、W，及w，或匕與 W·結合以包含一將環醚與該聚合物之矽鍵聯之環脂族鍵聯 基團；V為一價鍵或一將Z與該聚合物之矽鍵聯之連接基 團，z係選自〇—c(=〇)—R30、未經取代或經取代烯基及 一N=C = 〇 ;且為未經取代或經取代烷基或未經取代或經 取代烯基’ R2為發色團，R，及R，，係獨立地選自Ri&R2，且 X = % 或 1。 另外，該矽氧烷聚合物亦可包含選自以下單元之單元. 一(ΑϋίΟχ)— (iii)，及 一(A2R2SiOx)- (iv)， 其中，R1為選自結構（1)及結構（2)之部分， —W-W m (1)
L (2) V—z 其 中m為0或1 ; W及W，獨立地為一價鍵或一 將環醚與該 128759.doc -15- 200914497 聚合物之矽鍵聯之連接基團；L係選 W’結合以包含一將環醚與該聚合物之矽 g t A ID · v . 鍵聯之裱脂族鍵聯 基團’V為一價鍵或一將z與該聚合物切鍵聯之連接基 團，z係選自〇 —C(=〇)—R30、未 _ 不4取代或經取代烯基及 -N=c=m3G為未經取代或經取錢基或未經取代或經 取代烯基；x=1/20 ; V及A、立地為羥基、Ri、r2、_
基、炫基、OR、0C(0)R、未經取代或經取代院基酮两 基、未經取代芳基及經取代芳基、未經取代或經取代院基 芳基、未、經取代或經取代烧氧|、未經取代或經取代酿二 及未經取代或經取代醯氧基，且R4係選自未經取代或經= 代烷基、未經取代芳基及經取代芳基； —(R3SiOh/2)— (v)，其中h為1、2或3 ;且]^獨立地為羥 基、氫、鹵基、烷基、OR4、0C(0)R4、未經取代或經取 代烷基酮肟基、未經取代或經取代芳基、未經取代或經取 代烷基芳基、未經取代或經取代烷氧基、未經取代或經取 代醯基及未經取代或經取代醯氧基，其中R4係選自未經取 代或經取代烷基、未經取代芳基及經取代芳基； 一(Si〇4/2) —（vi)， -((AbASiOx)- (vii) ’ 其中 χ=1/2或 1，A丨及 a2 獨立地 為羥基、氫、幽基、烷基、OR4、0C(0)R4、未經取代或 經取代烧基酮將基、未經取代或經取代芳基、未經取代或 經取代烷氧基、未經取代或經取代烷基芳基、未經取代或 經取代醢基及未經取代或經取代醯氧基；及該等單元之混 合物； 128759.doc -16- 200914497 —(R5SiOh/2)— (viii)， 自交 包3結構(1)或結構⑺之
其中h為1、2或3 ;且R5為 聯基團及吸收發色團之部分 (2) 其中m為G或1;W及W’獨立地為1鍵或—將環域與該 聚合物之錢聯之連接基團；L係選自UK，或以 wi結合以包含-將《與該聚合物切鍵聯之環脂族鍵聯 基團’ V為一價鍵或一將2與該聚合物之矽鍵聯之連接基 團；Z係選自〇一c(，-r3q、未經取代或經取代浠基及 -N=C=〇; ^。為未經取代或絲錢基或未經取代或經 取代烯基； -(R1Si〇3/2)a(R2Si〇3/2)b(R3Si03/2)c(Si〇4/2)d_, 其中，R1獨立地為選自結構（1)及結構（2)之部分，
⑴ —V—Z (2) 其中m為0或1 ; w&w，獨立地為一價鍵或一將環醚與該 聚合物之矽鍵聯之連接基團；L係選自氫、w，及w，或^與 W、纟α合以包含一將環醚與該聚合物之矽鍵聯之環脂族鍵聯 128759.doc •17· 200914497 =團’· v為-價鍵或一_該聚合物切鍵 團，Z係選自〇—cf=〇、一 r3〇 土 連接基 -N=C = 〇· iR3〇A . 、 '，坐取代或經取代烯基及 ，R為未鮮代或絲•基 取代婦基；R2為發色團；R、立地為 ：：或、‘ (C Γ ^ L禾、！取代或經取 代(Ci-Cio)焼基、未經取代芳基及經取代芳 〇<b<l Hc<i ;且 hd<1。 a 1 - 其包含由 另外，本發明亦提供-種抗反射塗料組合物 上述方法製造之矽氧烷聚合物及酸產生劑。 由本文中之方法製造之⑪氧烧聚合物係有用於形成適合 作為光阻劑底層之抗反射塗料組合物。抗反射塗料組合物 可包含酸產生劑及由本文中之方法製造之⑦氧院聚合物。 該石夕氧烧聚合物之自交聯官能基可為㈣（諸如環氧化物 或乳雜環丁烧）或乙稀基或彼等由結構⑺形成之官能基。 石夕氧院聚合物中之發色團可為芳族官能基。抗反射塗料組 合物適用於使對在約_ nm至約⑽⑽之範圍内（諸如193 nm及157 nm)之輻射波長敏感之光阻劑成像。 雖然3有Si-OH部分之倍半氧石夕烧（SSQ)聚合物之製備為 此技藝中已知’但由於Si领在室溫下或高於室溫下之自 細合作用，該等材料之存放期已成為問題。 SSQ聚合物通常在非醇溶劑中合成。已發現，為了獲得 3有S卜OH與S卜OR部分及發色團之SSQ聚合物，醇溶劑為 較非醇溶劑為優之溶劑。若經由涉及Si_〇H之縮合反應而 固化，則SSQ聚合物可在高溫下固化。否％，諸如熱酸產 生劑 '光酸產生劑、鏽鹽（例如銨/鱗鹽）及其類似物（酸產 128759.doc 200914497 生劑）之催化劑可用於催化前述SSQ聚合物之交聯。 矽烷反應物係在水/醇混合物中或在一或多種醇中一起 反應。可用的醇之實例包括乙醇、異丙醇、正丁醇、異丁 醇、第三丁醇、1，2-丙二醇、u，％丙三醇、乳酸乙酯、丙 二醇單曱醚及其他丙二醇單烷基醚（例如丙二醇單丙醚）、 2-乙氧基乙醇、1-曱氧基_2_丙醇、2_甲基_2_丙醇及其類似 物，及其混合物。 發明人已發現使用本文中之本發明方法製造之矽氧烷聚 合物在40°C下老化7天後具有小的重量平均分子量變化（小 於約25。/。變化，且在—些情況下小於約i 5%變化或甚至小 於約10%或約5%變化）或大約無重量平均分子量變化。 在一實施例中，聚合物包含任何數目之單元⑴至 (V111) ’其限制條件為存在與矽氧烷聚合物連接之吸收基團 及結構（1)或（2)之交聯基團。在另一實施例中，聚合物包 含單元⑴及〇)。 聚合物之一實例可包含以下結構： -(R1Si〇3/2)a(R2Si〇3/2)b(R3Si〇3/2)c(Si〇4/2)d_ , 其中’ R1獨立地為選自結構（1)及結構（2)之部分， —W-W—m (1)
L V—Z (2) 其中m為〇或1; w及w，獨立地為一價鍵或一將環醚與該 聚合物之石夕鍵聯之連接基團；L係選自氫、W1及W，或L與 128759.doc •19- 200914497 W、、α σ以〇 3將環醚與該聚合物之矽鍵聯之環脂族鍵聯 基團’ VA 4賈鍵或-將ζ與該聚合物之矽鍵聯之連接基 團；Ζ係選自經取代或經取代烯基及 -N=C=Q ;且R3。為未經取代或經取餘基或未經取代或經 取代稀基，R2為發色團，R3係獨立地選自經基、氫、鹵基 (諸如氣基及氯基）、未經取代或經取代烷基、〇R4、 0C(0)R4、未經取代或經取代烷基酮肟基、未經取代或經 取代芳基、未經取代或經取代烷基芳基、未經取代或經取 代烧氧基、未經取代或絲代醯基及未經取代或經取代酿 乳基；其中R4係選自未經取代或經取代烧基、未經取代芳 基及經取代芳基；0<a<1 ; 〇<b<1 ; 〇$c<1 ;把^丨。在聚 合物之一實施例中，單體單元之濃度由〇 l<a<〇 9、 0.05<b<0.75、〇.l<c及 / 或 d<〇.8 限定。 矽氧烷聚合物包含交聯基團Rl，例如環醚，其能夠在酸 (尤其強酸）存在下與其他環醚基交聯。環醚可由結構例 不· —W-W m (1)
L 9 其中m為〇或i，W及W’獨立地為一價鍵或—將環醚與該 聚合物之矽鍵聯之連接基團，且L係選自氫、w，及W，或[ 與W，結合以包含一將環醚與該聚合物之矽鍵聯之環脂族鍵 聯基團。環醚能夠自交聯以形成交聯聚合物。環醚基在⑺ =0時稱作環氧化物或氧呒，且在m =〖時稱作氧雜環丁 128759.doc •20· 200914497
烷。在一實施例中，環醚為環氧化物。環氧化物或氧雜環 丁烷可與聚合物之矽直接連接。或者，結構（1)之環醚可= 由-或多個連接基團w及w，與矽氧烷聚合物連接。诃及腎 之實例獨立地為經取代或未經取代（Ci_C24)芳基、經取代 或未經取代（Cl-C2G)環脂族基團、直鏈或支鏈（Ci_C2Q)經取 代或未經取代脂族伸烷基、（Cl_C2G)烷基醚基、烷 基羧基，W，及L結合以包含經取代或未經取代（C1_CM環脂 族基團，及其混合物。另外，W&w，亦可為吸收發色團以 使得結構（1)或結構（2)與吸收發色團處於同一單元中。環 ，可經由各種類型之連接基團之組合(亦即伸烷基喊基： 環脂族基團、伸烧基㈣及環脂族基團、伸院基喊基及伸 烷基、芳基伸烧基及芳基伸烧基趟基）與聚合物之石夕鍵 如。下文展不與聚合物之石夕連接之側位環喊交聯基團。在 —實施例中，賴交聯基團係以至少—個經取代或未經取 代雙環脂族基團形式與石夕氧院聚合物連接，其中該環喊形 成一共同鍵（稱作環脂族越），亦即該環越與環脂族基團丘 用一共同鍵(咖，鍵聯以包含環狀基图，較佳為環脂族基 團），其中該環醚較佳為如下 卜又所不之％氧化物（稱作環脂 …物)。環腊族環氧基可直接或經由-或多個如上 所述之連接基團评與聚合 L ^ 初之矽原子連接。環脂族基團之 一些實例為經取代或未 .# 取代早銥基團或經取代或未經取 代多％基團，諸如環己基 衣庚基、蜋辛基、降萡基等。 亦可父聯之其他部分包括結構⑺之部分， i28759.doc 21 200914497 z (2) 其中v為-價鍵或-將2與該聚合物切鍵聯之 團；Z係選自0，=〇)—r3。、烯基及一岭〇;且 二 基或稀基。V之實例包括針料之前 ^ ,,, 印 碏如經取代 =基團、直鏈或支鏈（W取代或未經取代㈣Μ "(c丨_C20)烷基醚基、（C丨-C20)烷基鲮基。告ζ 0-c(:0)_R〜r3。為稀基時，一實例物質為甲基二酸;、_ (二甲虱基矽烷基)丙酯。在自由基引發劑存在下，甲美丙 稀酸酉旨實體將與聚合物内之其他甲基丙稀酸酉旨實體反二而 交聯。另外，當Z為歸基時，其他實例物質包括三甲氧基 (乙烯基）石夕烷、三乙氧基（乙烯基）石夕烷、三乙氧基⑽丙基） 矽烷。化合物之另-實例為(乙烯基苯基)乙基三乙氧基矽 烧（其可根據美國專利第3彻584號中之程序來製造，該文 獻之内容係以引用的方式併入本文中）。 石夕氧烧聚合物亦包含發色團基團，其為吸收用於使光阻 劑曝光之輻射之吸收基團，且該等發色團基團可由芳族官 能基或雜芳族官能基例示。發色團之其他實例為（但不限 於）經取代或未經取代苯基、經取代或未經取代蒽基、經 取代或未經取代菲基、經取代或未經取代蔡基、基於爾之 物基於一笨甲嗣之化合物、經取代或未經取代之含 有選自氧、氮、硫之雜原子的雜環芳族環；及其混合物。 特疋。之發色團官能基可為基於雙苯基颯之化合物、具 有至少一個側基（選自羥基、羧基、羥基烷基、烷基、伸 128759.doc -22- 200914497 烷基等）的基於萘或蒽之化合物。發色團部分之實例亦提 供於US 2005/0058929中。更特定言之，發色團可為苯 基、苄基、羥基苯基、4-曱氧基苯基、4-乙醯氧基苯基、 第三丁氧基苯基、第三丁基苯基、烷基苯基、氯曱基苯 基、溴甲基苯基、9-蒽亞甲基、9-蒽伸乙基、9-蒽亞曱基 及其等價物。在一實施例中，使用經取代或未經取代苯 基。 作為實例，側基可為如下所示之環脂族環氧化物或縮水 甘油基環氧化物。
128759.doc -23 - 200914497 環脂族環氧化物之實例
脂族環氧化物之實例 ( 在一實施例中’交聯環醚基及發色團可在與矽氧烷聚合 物主鏈連接之一部分内，其中該矽氧烷聚合物先前已描 述。此部分可由結構（R5Si〇x)描述，其中R5為包含結構（1) 之自交聯環醚基及吸收發色團之部分，且x= 1 /2、1或3/2。 在聚合物中，芳族發色團基團可為具有結構（1)之環醚側基 之先前所述基團。作為實例，側基可為如下所示之環氧化 物。
〇
具有發色困及可交聯基困之部分之實例 128759.doc -24· 200914497 亦可存在諸如結構⑴至（viii)所述者之其他石夕單元。 由本發明之方法製造之聚合物具有約！，_至約 ，_、較佳約2，_至約50,000、更佳約3 〇 30,000之重量平均分子量。 至、，勺 矽氧烷聚合物具有大於15重量％、較佳大於20重量％且 更佳大於30重量％之矽含量。 0 在上述定義及整個本發明之說明書中，除非另外說明， 否則所用術語係說明於下文中。 烷基意謂具有所需碳原子數目及價數之直鍵或支鍵燒 基。院基通常為脂族且可為環狀（環脂族）或無環（亦即非^ 狀）’其任—者可未經取代或經取代。適合無環基團^ 甲土乙基JE丙基或異丙基、正丁基、異丁基或第三丁 基、直鏈或支鏈戊基、己基、庚基、辛基、癸基、十I烷 基、十四燒基及十六烧基。除非另外說明，否則烧基係= 具有1-10個碳原子之部分。環狀炫基（環脂族基團）可為單 環或多環。單環院基之適合實例包括未經取代或經取代環 戊基、環己基及環庚基。取代基可為任何本文中所述之無 環烷基。適合雙環烷基包括經取代雙環[2·21]庚烷、雙環 [2.2.2] 辛烷、雙環[m]辛烷、雙環[3 2 2]壬烷及 [3.3.2] 癸烷及其類似物。三環烷基之實例包括三環 [5·4.0·0.2’9]十一烷、三環μ 2丨2 ”]十一烷、三環 [5.3.2.0.]十一院及二環[52.1.〇2,6]癸院。如本文中所 述，環狀烷基可具有任何無環烷基作為取代基。 伸烷基為衍生自任何上文所述烷基之二價烷基。當提及 128759.doc -25- 200914497 伸烧基時’料基^括在㈣基之主錢㈣（c^。) 炫基取代之伸烧基鏈。基本上伸烧基為作為主鏈之二價炉 基。因此，二價無環基團可為亞甲基叫山伸乙基或ΐ2· 伸乙基、1小伸丙基、伸丙基或仏伸丙基、2,5_二甲 基-2,5-己婦、2,5_二甲基_2,5_己小炔等。類似地，二價環 狀烧基可為1，2-伸環戊基或！，3_伸環戊基、12-伸環己基' 1，3-伸環己基或i，4.伸環己基及其類似基團。二價三環院 基可為任何上文所述二規检其。_ a w n — %烷基。二環烷基之一實例為4,8_ 雙（亞甲基）-三環[5.2.1.〇.2，勺癸烷。 芳基或芳族基團含有6至24個碳原子，纟包括苯基、甲 本基、二甲苯基、萘基、蒽基、聯苯基、雙苯基、參苯基 及其類似基團。該等芳基此外可經任何適#取代基（例如 上文所述院基、院氧基、醯基或芳基）取代。類似地，必 要時本文中可使用適當多價芳基。二價芳基之代表性實例 包括伸本基、伸二甲笨基、伸蔡基、伸聯苯基及其類似基 團。 烯基意謂具有2至10個碳原子且具有至少一個烯烴雙鍵 之未經取代或經取代烴鏈基團，例如烯丙基、乙烯基、 -C(CH3)=CH2 等。 烷氧基意謂具有！至10個碳原子之直鏈或支鏈烷氧基， 且，括(例如)曱氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正 丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧 基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、4_甲基己氧基、2_丙基庚 氧基、2-乙基辛氧基及苯氧基。 128759.doc -26- 200914497 芳烧基意謂具有連接取代基之芳基。該等取代基可為任 何基團’諸如烷基、烷氧基、醯基等。具有7至24個碳原 子之單價芳烷基之實例包括苯基甲基、苯基乙基、二苯基 甲基、1，1-二苯基乙基或丨，2_二苯基乙基、丨丨二苯基丙 基、1，2-二苯基丙基、2,2_二苯基丙基或丨，3二苯基丙基及 其類似基團。具有所需價數之如本文中所述之經取代芳烷 基的適當組合可用作多價芳烷基。 此外，且如本文中所用，術語”經取代”意欲包括有機化 合物之所有可允許取代基。在一寬泛態樣中，可允許取代 基包括有機化合物之無環及環狀、支鏈及無支鏈、碳環及 雜環、芳族及非芳族取代基。說明性取代基包括（例如）上 文所述之取代基。對於適當有機化合物而言，可允許取代 基可為一或多個且可相同或不同。雜原子（諸如氮）可具有 滿足雜原子價數之氫取代基及/或本文中所述之有機化合 物之任何可允許取代基。並不希望由有機化合物之可允許 取代基以任何方式來限制。 矽氧烷聚合物係藉由使至少一種矽烷反應物在水/醇混 合物中或在一或多種醇中在水解催化劑存在下反應形成矽 氧烷聚合物來製造。改變用於形成新穎矽氧烷聚合物之各 種類型之經取代及未經取代矽烷的比率以提供具有所需結 構及性質之聚合物。含有發色單元之矽烷化合物可在約5 莫耳/〇至約90莫耳。/。、較佳約5莫耳％至約75莫耳％之間改 變，3有父聯單元之石夕烧化合物可在約5莫耳。乂至約莫 耳/〇、較佳約丨〇莫耳％至約9〇莫耳％之間改變。水解催化 128759.doc •27- 200914497 劑可為鹼或酸，其由無機酸、有機羧酸、有機第四銨鹼例 不。特定催化劑之進一步實例為乙酸、丙酸、磷酸或氫氧 化四曱基錄。反應可在適合溫度下加熱適合時間長度，直 至反應完成。反應溫度可在約25。〇至約170。(：範圍内。反 應時間可在約10分鐘至約24小時範圍内。在聚合物製備中 所用之醇包括以下之醇：諸如乙醇、異丙醇、正丁醇、異 丁醇、第三丁醇、1，2-丙二醇、丨二％丙三醇、乳酸乙酯、 丙二醇單曱醚、2-乙氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、2-甲基-2-丙醇及其類似物，及其混合物。矽烷可在單體中含有自 父聯官能基及發色團或可藉由使其與一或多種含有該或該 等S旎基之化合物反應而併入成型矽氧烷聚合物中。矽烷 可含有其他基團，諸如鹵基 '羥基、〇c(〇)R4、烷基酮肟 基、芳基、烷基芳基、烷氧基、醯基及醯氧基；其中R4係 選自烷基、未經取代芳基及經取代芳基，其為矽烧單體之 未反應取代基。新穎聚合物可含有來自矽烷之未反應及/ 或水解殘基，亦即具有諸如羥基、氫、_基（例如氯基或 氟基）、醯氧基或〇Ra之末端基團之矽，其中Ra係選自（〔I· C|〇)烷基、C(0)Rb、NRb(RC)及芳基，且…及^獨立地為 (Ci-c10)或芳基。該等殘基可具有結構（xsi(Y)〇j，其中X 及Y係獨立地選自〇H、Η、OSi-、ORa，其中Ra係選自（Ci_ c1〇)烷基、未經取代芳基、經取代芳基、c(〇)Rb、 NR (Re)、鹵基、醯氧基、醯基、肟基及芳基，且…及y 獨立地為（CrC】〇)或芳基，Y亦可為R1及/或R2(如先前所 述）’且。 128759.doc -28- 200914497 矽院反應物之實例包括： (a)二甲氧基矽烷、二乙氧基矽烷、二丙氧基矽烷、二苯 氧基矽烷、曱氧基乙氧基矽烷、曱氧基丙氧基矽烷、曱氧 基苯氧基矽烷、乙氧基丙氧基矽烷、乙氧基苯氧基矽烷、 曱基二甲氧基矽烷、甲基甲氧基乙氧基矽烷、曱基二乙氧 基矽烷、曱基曱氧基丙氧基矽烷、甲基曱氧基苯氧基矽 烧乙基一丙氧基石夕烧、乙基曱氧基丙氧基石夕烧、乙基二 苯氧基矽烷'丙基二甲氧基矽烷、丙基甲氧基乙氧基矽 烷、丙基乙氧基丙氧基矽烷、丙基二乙氧基矽烷、丙基二 苯氧基矽烷、丁基二甲氧基矽烷、丁基甲氧基乙氧基矽 烷、丁基二乙氧基矽烷'丁基乙氧基丙氧基矽烷、丁基二 丙氧基矽烷、丁基曱基苯氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽 烧一甲基曱乳基乙乳基石夕烧、二曱基二乙氧基石夕烧、二 曱基二苯氧基矽烷、二甲基乙氧基丙氧基矽烷、二曱基二 丙氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二乙基甲氧基丙氧基 矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二乙基乙氧基丙氧基矽烷、 一丙基二甲氧基矽烷、二丙基二乙氧基矽烷、二丙基二笨 氧基矽烷、二丁基二甲氧基矽烷、二丁基二乙氧基矽烷、 二丁基二丙氧基矽烷、二丁基甲氧基苯氧基矽烷、甲基乙 基一甲氧基矽烷、甲基乙基二乙氧基矽烷、甲基乙基二丙 氧基矽烷、曱基乙基二苯氧基矽烷、甲基丙基二曱氧基矽 烧曱基丙基二乙氧基矽烧、甲基丁基二甲氧基石夕烧、曱 基丁基—乙氧基矽烷、甲基丁基二丙氧基矽烷、曱基乙基 乙氧基丙氧基矽烷、乙基丙基二甲氧基矽烷、乙基丙基甲 128759.doc -29- 200914497 氧基乙氧基矽烷、二丙基二甲氧基矽烷、二丙基甲氧基乙 氧基石夕烧、丙基丁基二甲氧基矽烷、丙基丁基二乙氧基矽
基甲氧基乙氧基矽烷、二丁基甲氧基丙氧基矽 丁基乙氧基丙氧基矽烷、三甲氧基矽烷、三乙氧基 三丙氧基矽烷、三苯氧基矽烷、二甲氧基單乙氧基 石夕院、二乙氧基單甲氧基矽烷、二丙氧基單甲氧基矽烷、 一丙氧基單乙氧基矽烷、二苯氧基單甲氧基矽烷、二苯氧 基單乙氧基矽烷、二苯氧基單丙氧基矽烷、曱氧基乙氧基 丙氧基矽烷、單丙氧基二甲氧基矽烷、單丙氧基二乙氧基 矽烷、單丁氧基二甲氧基矽烷、單苯氧基二乙氧基矽烷、 曱基三曱氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、曱基三丙氧基矽 烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三丙氧基矽烷、乙基三苯氧 基矽烷、丙基三曱氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、丙基三 苯氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、丁基三乙氧基矽烷、丁 基二丙氧基矽烷、丁基三苯氧基矽烷、甲基單甲氧基二乙 氧基矽烷、乙基單甲氧基二乙氧基矽烷'丙基單曱氧基二 乙氧基矽烷、丁基單甲氧基二乙氧基矽烷、甲基單甲氧基 一丙氧基矽烷、甲基單甲氧基二苯氧基矽烷、乙基單甲氧 基二丙氧基矽烷、乙基單甲氧基二苯氧基矽烷、丙基單甲 氧基二丙氧基矽烷、丙基單甲氧基二苯氧基矽烷、丁基單 曱氧基二丙氧基矽烷、丁基單甲氧基二笨氧基矽烷、甲基 曱氧基乙氧基丙氧基矽&、丙&甲氧基乙氧基丙氧基矽 烷'丁基曱氧基乙氧基丙氧基矽烷、甲基單甲氧基單乙氧 基丁氧基料、乙基單甲氧基單乙氧基單丁氧基料、丙 128759.doc -30· 200914497 基早曱氧基單乙氧基單丁氧基矽烷'丁基單甲氧基單乙氧 基單丁氧基矽烷、”氧基矽烷 '四乙氧基矽烷、四丙氧 基矽烷、四丁氧基矽烷、四苯氧基矽烷、I甲氧基單乙氧 基矽烷、二甲氧基二乙氧基矽烷、三乙氧基單甲氧基矽 院、三曱氧基單丙氧基石夕院、單甲氧基三丁氧基石夕院、單 甲氧基三苯氧基矽烷、=甲氧基二丙氧基矽烷、三丙氧基 單甲氧基矽烷、三甲氧基單丁氧基矽烷、二甲氧基二丁氧 基矽烷、三乙氧基單丙氧基矽烷、二乙氧基二丙氧基矽 炫、三丁氧基單丙氧基石夕烧、三甲氧基單乙氧基單丁氧基 矽烷、二乙氧基單甲氧基單丁氧基矽烷、二乙氧基單丙氧 基單丁氧基矽烷、二丙氧基單曱氧基單乙氧基矽烷、二丙 氧基單甲氧基單丁氧基矽烷、二丙氧基單乙氧基單丁氧基 矽烷、一丁氧基單甲氧基單乙氧基矽烷、二丁氧基單乙氧 基單丙氧基矽烷及單甲氧基單乙氧基單丙氧基單丁氧基矽 烷及其募聚物。 (b) _石夕烧（包括氣矽烷’諸如三氣矽烷、甲基三氣矽 烷、乙基二氯矽烷、苯基三氣矽烷、四氣矽烷、二氣矽 烷、曱基二氯矽烷、二甲基二氣矽烷、氯三乙氧基矽烷、 氯二曱氧基矽烷、氣甲基三乙氧基矽烷、氯乙基三乙氧基 矽烷 '氯苯基三乙氧基矽烷、氣甲基三甲氧基矽烷、氯乙 基二甲氧基石夕烧及氣苯基三甲氧基矽烷）亦用作矽烷反應 物。另外，可經歷水解及縮合反應之矽烷（諸如醯氧基矽 烷或烷基酮肟基矽烷）亦用作矽烷反應物。 (c) 帶有環氧官能基之矽烷，包括2_(3,4_環氧基環己基） 128759.doc -31 - 200914497 乙基-三甲氧基石夕烧、2_(3,4_環氧基環己基）乙基·三乙氧基 石夕燒、2-(3,4-環氧基環己基）乙基_三丙氧基石夕烧、2_(3,4_ 環氧基環己基）乙基·三苯氧基錢、2_(3,4_環氧基環己基） 乙基-二乙氧基甲氧基矽烷、2·(3,4_環氧基環己基)乙基-二 甲氧基乙氧基石夕烧、2_(3,4_環氧基環己基）乙基_三氯石夕 烧2 (3,4環氧基環己基）乙基_三乙醯氧基石夕烧、（縮水甘 油基氧基丙基）-三曱氧基矽烷 '(縮水甘油基氧基丙基三 乙氧基矽烷、（縮水甘油基氧基丙基）三丙氧基矽烷、（縮 水甘油基氧基丙基)_三苯氧基矽烷、（縮水甘油基氧基丙 基）-二乙氧基曱氧基矽烷、（縮水甘油基氧基丙基）_二甲氧 土乙氧基矽烷、（縮水甘油基氧基丙基）三氣矽烷及（縮水 甘油基氧基丙基）-三乙醯氧基矽烷。 (d)帶有發色團官能基之矽烷，包括苯基二甲氧基矽 院、苯基甲氧基乙氧基石夕&、苯基二乙氧基石夕&、苯基甲 氧基丙氧基矽烷、I基甲氧基苯氧基矽烷、二丙氧基 矽烷、恩基二曱氧基矽烷、蒽基二乙氧基矽烷、甲基苯基 二甲氧基矽烷、曱基苯基二乙氧基矽烷、甲基苯基二丙氧 基矽烷、甲基苯基二苯氧基矽烷、乙基苯基二曱氧基矽 燒、乙基笨基二乙氧基石夕烧、曱基蒽基二f氧基石夕燒、乙 基蒽基一乙氧基矽烷、丙基蒽基二丙氧基矽烷、甲基笨基 乙氧基丙氧基矽烷、乙基苯基甲氧基乙氧基矽烷、二苯基 甲氧基矽烷、二苯基甲氧基乙氧基矽烷、苯基三甲氧基 =烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基三丙氧基矽烷、蒽基三甲 虱基矽烷、蒽基三丙氧基矽烷、苯基三苯氧基矽烷、苯基 128759.doc -32· 200914497 單甲氧基二乙氧基矽烷、蒽基單甲氧基二乙氧基矽烷、苯 基單甲氧基二丙氧基矽烷、苯基單甲氧基二苯氧基矽烷、 蒽基單曱氧基二丙氧基矽烷、蒽基單曱氧基二苯氧基矽 院、苯基甲氧基乙氧基丙氧基矽烷、蒽基甲氧基乙氧基丙 氧基石夕烧、苯基單曱氧基單乙氧基單丁氧基矽烷及蒽基單 曱氧基單乙氧基單丁氧基矽烷及其寡聚物。 S亥等化合物中較佳者為三乙氧基矽烷、四乙氧基矽烷、 曱基二乙氧基矽烷、二曱基二乙氧基矽烷、四甲氧基矽 烷、曱基二曱氧基矽烷、三曱氧基矽烷、二甲基二曱氧基 矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、二苯基二 乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、2_(3,4-環氧基環己 基）乙基-三甲氧基矽烷、2_(3,4_環氧基環己基）乙基三乙 氧基矽烷、（縮水甘油基氧基丙基广三曱氧基矽烷、（縮水 甘油基氧基丙基）-三乙氧基㈣、苯基三甲氧基㈣、苯 基一乙氧基矽烷及苯基三丙氧基矽烷。在另一實施例中， 較佳單體為三乙氧基钱、四乙氧基㈣、甲基三乙氧基 矽烷、四甲氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、三曱氧基矽 f、苯基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、二苯基二乙 氧基發燒及—苯基：甲氧基⑪烧、2_(3,4_環氧基環己基） 乙基·二甲氧基㈣、2-(3,4-環氧基環己基）乙基·三乙氧基 矽烷。 肜人吏用本文中之方法製造矽氧烷聚合物之後，該矽氧烷 二洽勿可用於^配可用於形成用於光阻劑下之底層之抗反 '、料組合物。該等組合物更完全揭示於2〇〇6年6月22日 128759.doc •33- 200914497 申請之美國專利申請案第1 1/425,813號中，該文獻之内容 係以引用的方式併入本文中。除矽氧烷聚合物之外，抗反 射塗料組合物包括酸產生劑及溶劑。通常，抗反射塗料組 合物將含有約1重量％至約1 5重量％之由本文中之方法製造 之矽氧烷聚合物。以抗反射塗料組合物之總含固量計，可 併入在約O.i重量％至約1〇重量％之範圍内之酸產生劑。適 口心劑包括電子材料工業中通常使用之彼等溶劑，諸如乙 二醇醚衍生物，諸如乙基溶纖劑、甲基溶纖劑、丙二醇單 甲醚一乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二丙二醇二甲 醚、丙—醇正丙醚或二乙二醇二甲醚丨乙二醇醚酯衍生 物諸如乙酸乙基溶纖劑、乙酸甲基溶纖劑或丙二醇單甲 恥乙k S曰，缓酸酯，諸如乙酸乙酯、乙酸正丁酯及乙酸戊 δ曰，一兀酸之羧酸酯，諸如二乙氧化物及丙二酸二乙酯； 乙一醇之二羧酸酯，諸如乙二醇二乙酸酯及丙二醇二乙酸 ^曰及^基羰酸酯，諸如乳酸甲酯、乳酸乙酯、經乙酸乙 乙基3 -备基丙酸酯；酮酯’諸如丙酮酸甲酯或丙酮酸 乙酉曰，烷氧基羧酸酯，諸如3_曱氧基丙酸甲酯、3_乙氧基 丙λ乙S曰2-羥基-2-甲基丙酸乙酯或甲基乙氧基丙酸酯； -δ'ί生物諸如甲基乙基酮、乙醯丙酮、環戊鲷、環己酮 或2-庚酮；醐醚衍生物，諸如二丙酮醇曱醚；酮醇衍生 諸如丙酿I醇或一丙酮醇；内酯，諸如丁内酯；醯胺衍 生物，諸如二甲基乙醯胺或二曱基甲醯胺、苯甲醚，及其 混合物。 除組合物中之酸產生劑之外，組合物此外可含有光酸產 128759.doc -34- 200914497 生刈，其實例為（但不限於）鐺鹽、磺酸酯化合物、硝基苄 酯、三嗪等，以及諸如單體染料、低碳醇、交聯劑、表面 。周平w增黏劑、消泡劑等之其他組份。新穎組合物之酸 產生A]為在加熱後能夠產生強酸之熱酸產生劑。本文中所 用之熱酸產生劑（TAG)可為在加熱後產生醆之任何一或多 者，該酸可與環醚反應且擴展本發明中存在之聚合物之交 聯，尤其較佳為諸如磺酸之強酸。熱酸產生劑較佳在高於 90C下且更佳在高於12(rc下且甚至更佳在高於15〇。〇下活 化。光阻劑膜經加熱足夠長時間以與塗層反應。熱酸產生 劑之實例為不含金屬之錤鹽及銃鹽（諸如在圖4中）。TAG之 實例為甲苯確酸硝基苄酯，諸如甲苯績酸2_硝基苄酯、甲 本石頁k 2,4- 一确基苄酯、甲苯續酸2,6_二確基苄酯、甲笨 磺酸4-硝基苄酯；苯磺酸酯，諸如4_氯苯磺酸2_三氟甲基_ 6-硝基苄酯、4-硝基苯磺酸2-三氟曱基_6_硝基苄酯；酚系 續酸醋’諸如4-甲氧基苯磺酸苯酯；有機酸之烷基銨鹽， 諸如10-樟腦績酸之三乙基銨鹽。鎭鹽較佳且可由氟績酸 錤、參（氟磺醯基）曱基鎭、雙（氟磺醯基）曱基錤、雙（氟續 醯基）醯亞胺錤、氟績酸第四錢錤、參（氟績醯基）甲基第四 知銷及雙（乱崎酿基）酿亞胺第四錄銷例示。多種芳族（策、 萘或苯衍生物）磺酸胺鹽可用作TAG，包括美國專利第 3,474,054 號、第 4,200,729 號、第 4,251，665 號及第 5,187,019號中所揭示之芳族確酸胺鹽。TAG較佳將在介於 170 C -220°C之間的溫度下具有極低揮發性。tag之實例為 由King Industries以Nacure及CDX名稱銷售之TAG。該等 128759.doc -35- 200914497 TAG為 NaCUre 5225及 CDX_2168E，其為由 King Industries，
Norwalk，Conn. 06852，USA供應之於丙二醇甲醚中之具 25 /〇 30 /〇活性的十—燒基苯續酸胺鹽。pKa在約_〗至約_置6 之範圍内的強酸較佳，且pKa在約_1〇至約_16之範圍内的 強酸更佳。 由於抗反射膜係塗佈於其中輕微金屬污染可破壞產物之 電子I·生質之基板上，因此設想膜具有足夠低之金屬離子含 量及足夠純度，使得對半導體裝置之性質無不利影響。可 使用諸如使聚合物溶液穿過離子交換管柱、過濾及萃取方 法之處理來降低金屬離子之濃度並減少粒子。 如使用橢圓偏光法所量測，含有由本發明之方法製造之 聚合物之組合物的吸收參數（k)在約〇 〇5至約〗〇、較佳約 0 1至約0.8之範圍内。抗反射塗層之折射率（n)亦經最優化 且可在1_3至約2.0、較佳K5至約i 8之範圍内。可使用橢偏 儀（諸如 J. A. W〇〇llam WVASE VU_32TM橢偏儀）來計算 n&k 值。k及η之最佳範圍之確切值係視所用曝光波長及應用類 型而定。通常對於193 nm而言，k之較佳範圍為〇 〇5至 0.75，且對於248 nm而言，k之較佳範圍為〇 15至〇 8。 使用熟習此項技術者熟知之技術（諸如浸潰、旋塗或噴 霧）將使用由本文中之方法製造之聚合物調配的抗反射塗 料組合物塗佈於基板上。抗反射塗層之膜厚度在約15 nm 至約200 nm之範圍内。將塗層在加熱板或對流烘箱上進一 步加熱足夠長時間以移除任何殘餘溶劑且誘發交聯且因 此使抗反射塗層不溶以防止抗反射塗層之間的相互混合。 128759.doc -36- 200914497 較佳溫度範圍為約9(TC至約25(rc。若溫度低於9(rc，則發 生不充分溶劑損失或不充分交聯量，且在高於3〇(rc之溫 度下組合物可變得化學上不穩定。隨後將光阻劑膜塗佈 於最上抗反射塗層之頂部上並烘烤以大體上移除光阻劑溶 劑。在塗佈步驟後，可使用此項技術中熟知之方法應用光 阻洗邊液來清潔基板之邊緣。 於其上形成抗反射塗層之基板可為半導體工業中通常所 用基板中之任一者。適合基板包括（但不限於）矽、塗佈有 金屬表面之石夕基板、銅塗佈石夕晶圓、銅、銘、聚合樹脂、 二氧切、金^、摻雜二氧切、氮切、组 '多晶石夕、 陶兗、銘/銅混合物；砷化鎵、低k介電質、非均一臈（諸如 具有高自由體積以進一步降低介電常數之膜）及其他該等 m/v族化合物。基板可包含由上述材料製造之任何數目 之層。 光阻劑可為半導體卫業中所用類型中之任—者，其π制 條件為光阻劑及抗反射塗層中之光敏性化合物在用=像 製程之曝光波長下吸收。—般技術者熟知該等光阻劑且宜 ，-步描述於上文引用之裏年6月22曰申請之 利 申請案第1 1/425,813號中。 在塗佈製程後，將光阻劑成像曝光。可使用典 備進行以。隨後隸曝光光_在水性 叹 移除經處理光㈣。顯影㈣佳驗性水料^顯人影以 ^氫氧化四甲基敍。顯影劑此外可包含界面活性ζ = ；可選加熱步驟在顯影之前及曝光之後併入該方 ^ 乃法中。 128759.doc -37· 200914497 熟習此項技術者熟知塗佈光阻劑及使其成像之方法且針 對所用特定光阻劑類型將該等方法最優化。隨後可將圖案 化基板在適合㈣腔室中藉由_氣體或氣體混合物進行 :式餘刻以移除抗反射膜之曝光部分，其中剩餘光阻劑充 备敍刻遮罩。此項技術中已知用於㈣有機抗反射塗層之 各種钱刻氣體’諸如包含CF4、CF4/〇2、CF4/chf3或α 之氣體。 就所有目的而言，上文所提及文獻t之每一者係以引用 的方式全部併人本文中。然而，該等實例並非意欲以任何 ^式限制或限定本發明之範轉且^；應將其理解為提供為實 施本發明而必須專有使用之條件、參數或值。 實例 於醇或非醇溶劑中製備之S sQ聚合物分別描述於實例丨_9 及比較實例1 ·2中。使用聚苯乙烯作為參考藉由凝膠渗透 層析法來測定重量平均分子量。 實例1 向配備有磁性攪拌器、溫度計及冷凝器之1〇〇 mL三頸圓 底燒瓶中饋入7.00 g 2_(3,4_環氧基環己基）乙基_三曱氧基 石夕烧（28 mmol)、1.70 g苯基三曱氧基石夕烧（9麵。〇及〇 9 g 曱基三曱氧基矽烷（7 mm〇1)。向該燒瓶中添加丨i8 g去離 子水、0.40 g乙酸及3·54 g異丙醇之混合物。將混合物加熱 至回流且在彼溫度下保持3小時。隨後，將該混合物冷卻 至室溫。在減壓下移除溶劑’得至"76 §無色液體樹脂。 使用聚苯乙烯作為參考，藉由凝料透層析法測定，重量 128759.doc •38- 200914497 平均分子量為約13,450 g/m〇i。 比較實例1 向配備有磁性攪拌器、溫度計及冷凝器之100 mL三頸圓 底燒瓶中饋入7.00 g 2-(3,4-環氧基環己基）乙基-三甲氧基 石夕院（28 mmol)、i.70 g苯基三甲氧基矽烷（9 mm〇1)及〇 9 g 甲基二甲氧基石夕院（7 mm〇i)。向該燒瓶中添加丨18 g去離 子水、0.40 g乙酸及3.54 g THF之混合物。將混合物加熱 至回流且在彼溫度下保持3小時。隨後，將該混合物冷卻 至室溫。在減壓下移除溶劑，得到7 76 g無色液體樹脂。 使用聚苯乙烯作為參考’藉由凝膠滲透層析法測定，重量 平均分子量為約1 3 1，6 1 〇 g/m〇i。 實例2 向配備有磁性攪拌器、溫度計及冷凝器之25〇 mL三頸圓 底燒瓶中館入35.00 g 2-(3,4-環氧基環己基）乙基-三曱氧基 石夕烧（142 mmol)、8.50 g苯基三曱氧基矽烷（43 mm〇1)及 4.50 g曱基三甲氧基矽烷（33 mm〇i)。向該燒瓶中添加5 9〇 g去離子水、2.00 g乙酸及17 7 §異丙醇之混合物。將混合 物加熱至回流且在彼溫度下保持3小時。隨後’將該混合 物冷卻至室溫。在減壓下移除溶劑，得到41 〇 g無色液體 树脂。使用聚苯乙烯作為參考，藉由凝膠滲透層析法測 定’重量平均分子量為約9,570 g/m〇i。 將4.90 g此實例中製備之聚合物及0.10 g九氟丁磺酸N-苯基二乙醇銨溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯（pGMEA)及丙二 醇單甲醚（PGME)之混合物中以達成4.〇重量％之總含固 128759.doc -39- 200914497 量’形成均質溶液。將此均質溶液在12〇〇 rpnl下旋塗於矽 晶圓上。將經塗佈晶圓在加熱板上在225。〇下烘烤9〇秒。 隨後，藉由J. A. Woollam Co. Inc.製造之VASE橢偏儀來量 測η及k值。對於193 11111輻射而言，含矽膜之光學常數n&k 分別為1.734及0.191。 比較實例2 向配備有磁性攪拌器、溫度計及冷凝器之1〇〇 mL三頸圓 底燒瓶中饋入35.00 g 2-(3,4-環氧基環己基）乙基_三甲氧基 矽烷（142 mm〇l)、8.50 g苯基三甲氧基矽烷（43 mm〇1)及 4.50 g甲基二甲氧基矽烷（3 3 mm〇1)。向該燒瓶中添加7叩 g去離子水、2.00 g乙酸及23.70 g THF之混合物。將混合 物加熱至回流且在彼溫度下保持3小時。隨後，將該混合 物冷卻至至溫。聚合物在60°C下在減壓下移除溶劑期間膠 凝。 實例3 向配備有磁性授拌裔、溫度計及冷凝器之2$ 〇 mL三頸圓 底燒瓶中饋入28.00 g甲基丙烯酸3_(三曱氧基矽烷基）丙酯 (113 mmol)、6.50 g苯基三甲氧基矽烷（33g 曱基二甲氧基矽烷（15 mmol)。向該燒瓶中添加44〇 g去離 子水、1.50 g乙酸及14.10 g異丙醇之混合物。將混合物加 熱至回流且在彼溫度下保持丨_5小時。隨後，將該混合物 冷卻至室溫。在減壓下移除溶劑’得到28·86 g無色液體樹 月曰。使用聚苯乙烯作為參考，藉由凝膠滲透層析法測定， 重量平均分子量為約2,920 g/m〇i。 128759.doc -40. 200914497 實例4 向配備有磁性授拌器、溫度計及冷凝器之250 mL三頸圓 底燒瓶中饋入9.00 g 2-(3,4-環氧基環己基）乙基-三甲氧基 石夕烧（37 mmol)、7.2〇 g苯基三曱氧基矽烷（36 mm〇i)、 U·50 g乙酿氧基乙基三甲氧基矽烷（55 mmol)及9,00 g三乙 氧基石夕烧（55 mmol)。向該燒瓶中添加5 〇〇 g去離子水、 1.60 g乙酸及1 5 g異丙醇之混合物。將混合物加熱至回流 且在彼溫度下保持3小時。隨後，將該混合物冷卻至室 溫。在減壓下移除揮發物。使用聚苯乙烯作為參考，藉由 凝膝渗透層析法測定，重量平均分子量為約18,95〇 g/mol。 將1.5 g此實例中製備之聚合物及〇〇15 g全氟-丨_ 丁磺酸 二苯基鎭溶解於丙二醇單曱醚乙酸酯（PGMEA)及丙二醇單 甲謎（PGME)之混合物中以達成6 〇6重量％之總含固量，形 成均質溶液。將此均質溶液在丨5〇〇 rprn下旋塗於矽晶圓 上。將經塗佈晶圓在加熱板上在25〇。〇下烘烤9〇秒。隨 後，藉由J_ A_ Woollam Co, Inc.製造之VASE橢偏儀來量測 n及k值。對於193 nm輻射而言，含矽膜之光學常數n及k分 別為 1.744及 0.234。 實例5 向配備有磁性攪拌器、溫度計及冷凝器之250 mL三頭圓 底燒瓶中饋入18.00 g乙醯氧基乙基三甲氧基矽烷（86 mmol)、9_00 g苯基三曱氧基矽烧（45 mmol)及16.00 g三乙 氧基矽烷（97 mmol)。向該燒瓶中添加6.30 g去離子水、 128759.doc -41 - 200914497 2.00 g乙酸及19 g異丙醇之混合物。將混合物加熱至回流 且在彼溫度下保持3小時。隨後，將該混合物冷卻至室 溫。在減壓下移除溶劑，得到27·64 g無色液體樹脂。使用 聚苯乙烯作為參考’藉由凝膠滲透層析法測定，重量平均 分子量為約3,070 g/mol。 將1.5 g此實例中製備之SSq聚合物溶解於丙二醇單曱醚 乙酸酯（PGMEA)及丙二醇單甲醚（pGME)之混合物中以達 成5.0重量％之總含固量，形成均質溶液。將此均質溶液在 1 500 rpm下旋塗於矽晶圓上。將經塗佈晶圓在加熱板上在 250 C下烘烤90秒。隨後，藉由j A w〇〇Uam c〇. Inc製造 之VASE橢偏儀來量測n&k值。對於193 11111輻射而言，含 石夕膜之光學常數分別為1772及〇3〇4。 實例6 1. 向配備有磁性攪拌器、溫度計及冷凝器之250 mL三頸圓 底燒瓶中饋入丨2.20 g 2_(3,4_環氧基環己基）乙基_三曱氧基 矽烧（5〇職〇1)及10.00 g苯基三甲氧基石夕烧（50 mmol)。向 該燒瓶中添加15.〇〇 g去離子水、2.50 g乙酸及mo g丙二 醇單甲醚乙酸酯（PGMEA)及丙二醇單甲醚 (pgmE)(pgmea:pgme = 7G:3())之混合物。將混合物加熱 至回机30分鐘後，逐滴添加31.50 g四乙氧基石夕烧（151 m m ο 1) 〇將混合物在回、奋、'田 度下保持6小時。隨後，將該混 合物冷卻至室溫。使用¥贫 定用象本乙烯作為參考，藉由凝膠滲透 層析法測定，重詈平抝八1曰& ^ 罝十均刀子里為約55,330 g/mo卜 於醇或非醇溶劑中製傷之聚合物描述於上文中。與於 128759.doc -42· 200914497 IPA中製備之實例1(Mw 13,450 g/m〇1)相比，使用相同單體 於THF中製備之比較實例1具有遠遠更高之mw = 131 610 g/则卜类員似地，於IPA中製備之實例2具有9,57〇 g/^之 MW。“’於THF中製備之比較實例2在溶劑移除期間膠 凝。因此，該等結果證實若聚合物係於醇溶劑中製備，則 可獲得較佳穩定性且因此獲得較佳可製造性。 實例7 將3.0 g實例2中製備之環氧基矽氧烷聚合物及〇〇3 g環 (1，3_全氟丙烷二砜）醯亞胺二苯基錤溶解於丙二醇單曱醚 乙酸醋（PGMEA)及丙二醇單甲醚（pGME)(7〇/3〇 PGMEA/PGME)之混合物中以達成5,5重量％之總含固量且 經由0.2 μπι臈過濾器過濾，形成均質溶液。將此均質溶液 在1500 rpm下旋塗於矽晶圓上。將經塗佈晶圓在加熱板上 在24(TC下烘烤60秒。隨後，藉由j· A. w〇〇Uam c〇」nc製 造之VASE橢偏儀來量測n&k值。在193 nm輻射下含矽膜 之光學常數η及k分別為m及〇·22。使用聚苯乙烯作為參 考，藉由凝膠滲透層析法測定，重量平均分子量為約 4，140 g/mol 〇 將過濾溶液密封於30 mL Nalgene HDPE瓶中且於溫度設 定為40°C之水浴中儲存7天。使用上述程序塗佈此老化溶 液。與未老化樣品相比’未觀測到膜厚度變化（表丨）。另 外，在193 nm輻射下含矽膜之光學常數n&k與老化測試前 相同。使用聚苯乙烯作為參考，藉由凝膠滲透層析法測 定，老化樣品之重量平均分子量為約4，12〇 g/m〇1。在老化 128759.doc -43- 200914497 測試後重量平均分子量變化為約〇%。 表1未老化及老化樣品之膜厚度及光學常數 樣品 膜厚度(A) n(193 nm) k(193 nm) 未老化 1162 1.72 0.22 老化 1160 1.72 0.22 實例8 向配備有磁性攪拌器、溫度計及冷凝器之250 mL三頸圓 底燒瓶中饋入36.00 g 2-(3,4-環氧基環己基）乙基-三甲氧基 石夕烧（146 mmol)、14.40 g苯基三曱氧基石夕烧（73 mmol)、 5.00 g甲基三曱氧基矽烷（37 mmol)及18.00 g三乙氧基矽 烷。向該燒瓶中添加10.00 g去離子水、3.20 g乙酸及30.00 g異丙醇之混合物。將混合物加熱至回流且在彼溫度下保 持3小時。隨後，將該混合物冷卻至室溫。在減壓下移除 溶劑，得到58.68 g無色液體聚合物。 將3.0 g以上製備之環氧基矽氧烷聚合物及〇.〇3 g環（1，3-全氟丙烷二颯）醯亞胺二苯基錤溶解於丙二醇單甲醚乙酸 酯（PGMEA)及丙二醇單甲醚（PGME)(70/30 PGMEA/PGME) 之混合物中以達成5.5重量％之總含固量且藉由0.2 μπι膜過 濾器過濾，形成均質溶液。將此均質溶液在1 500 rpm下旋 塗於矽晶圓上。將經塗佈晶圓在加熱板上在240°C下烘烤 60秒。隨後，藉由J. A. Woollam Co. Inc.製造之VASE橢偏 儀來量測η及k值。在1 93 nm輻射下含矽膜之光學常數η及k 分別為1.72及0.24。使用聚苯乙烯作為參考，藉由凝膠滲 透層析法測定，重量平均分子量為約17,450 g/mol。 128759.doc -44- 200914497 將過濾溶液密封於30 mL Nalgene HDPE瓶中且於溫度設 定為40°C之水浴中儲存7天。使用上述程序塗佈此老化溶 液。與未老化樣品相比，膜厚度變化為約7 nm(表2)。另 外，在193 nm輻射下含矽膜之光學常數^及k與老化測試前 相同。使用聚苯乙烯作為參考，藉由凝膠滲透層析法測 定，老化樣品之重量平均分子量為約丨8,92〇 g/m〇丨。在老 化測试後重量平均分子量變化為約5 6〇/〇。 表2未老化及老化樣品之膜厚度及光學當數 樣品 膜厚度(Α) n(193 nm) k(193 nm) 未老化 1528 1.72 0.24 老化 1598 1.72 0.23 本申研案與2006年6月22曰申請之美國專利申請案第 1 1 /4 2 5 8 1 3號（其内容係、以引用的方式併人本文中）相關。 本發明之前述描述說明且描述本發明。另外，本揭示案 4展不且描述某些本發明實施例，但如上所述，應瞭解本 發明能夠用於各種其他組合、更改及環境中且能夠在如本 文中所述之本發明概念之㈣内改變或更改，其與上述教 不及/或相關技術之技能或知識相匹配。上文所述實施例 =意欲解釋已知實施本發明之最佳模式且使熟習此項技 =能夠在該等或其他實施例中且在本發明之特定應用或
途所為之各種更改下传用太I 欲將本發明限制為本文巾。^，該描述並非意 附由〇 马本文中所揭不之形式。此外，希望將隨 寸申Μ專利範圍理解為包㈣代性實施例。 128759.doc -45-

Claims (1)

  1. 200914497 十、申請專利範圍： 1. -種製造矽氧烷聚合物之方法’該矽氧烷聚合物 少—個si-0H基團；至少一mi_〇R基團其中含至 之外的部分；至少-個發色團；及至少-個選自：：氣 及結構（2)之部分， 、、，°構（1)
    ⑴ (2) 其中m為〇或1; 獨立地為―價鍵或—將产 该聚合物之賴聯之連接基團；L係選自氫、與 或LM•結合以包含-將環_該聚合物W =， 脂族鍵聯基團；V A —僧綠々 之環 * 團為^鍵或-將2與該聚合物切鍵躺 之連接基團；Z係選自0—c(，一R3。' : 基及—且R3°為未經取代或經取代2:: 經取代或經取代烯基， α禾 該方法包含使一或多種錢反應物在水/醇混合物中或 在一或多種醇中及在水解催化 ,^ 別仵在下一起反應，以形 ^亥石夕氧烧聚合物；及將_氧烧聚合物自該水/醇混合 物或該（等）醇分離。 2·如請求項1之方法，其中Ww,為發色團。 3’ ：:二項1之方法，其中該發氧烧聚合物包含-或多個 結構⑴及/或（ii)之單元， -(R丨Si〇h/2)—及—(R2si〇h/2)〜⑴， 128759.doc 200914497 -(R，(R，，)SiOx)- (ii) ’ 結構 其中h為1、2或3 ;且R1獨立地為選自結構（1)及 (2)之部分，
    (1) 其中m為0或1 ; W及W’獨立地為一價 啊4鍵歲 該聚合物之矽鍵聯之連接基團；L係選自氫、w，及 或4 W，結合以包含一將環醚與該聚合物之石夕鍵聯L 脂族鍵聯基團；V為一價鍵或一將2與該聚合物之矽鍵= 之連接基團；Z係選自0—C(=0)—R3〇、未經取代或經取 代晞基及-·〇0;且!^。為未經取代或經取代烧基4 經取代或經取代烯基；R2為發色團；R，及R，，係獨立 自R及R2 ;且或1。 、 4.如請求们之方法，其中該矽氧烷聚合物 結構（iii)及㈣之單元， 次多個 -(A丨R丨SiOx)- (iii) ’ -(A2R2Si〇x)- (iv)， 其中’ R1獨立地為選自結構⑴及結構⑺之部分， L 128759.doc (1) 200914497 其中m為〇或i ; W及W，獨立地為一價鍵或—將環醚與 該聚合物之矽鍵聯之連接基團；L係選自氫、％，及 或L與W，結合以包含一將環醚與該聚合物之矽鍵聯之環 脂族鍵聯基團；V為一價鍵或一將2與該聚合物之矽鍵^ 之連接基團；Z係選自O—C卜〇)—R3〇、未經取代或經取^ 代烯基及一N=C=0;且R30為未經取代或經取代烷基或未 經取代或經取代烯基；R2為發色團；χ =1/2或1 ; ^及八2 獨立地為羥基、Ri、R2、鹵基、烷基、〇r4、、 未經取代或經取代烷基酮肟基、未經取代芳基及經取代 芳基、未經取代或經取代烷基芳基、未經取代或經取代 烧氧基 '未經取代或經取代醯基及未經取代或經取代醯 氧基’且R4係選自未經取代烷基、經取代烷基、未經取 代芳基及經取代芳基。 5.如請求項3之方法，其中該聚合物進一步包含一或多個 選自以下之單元：
    一(R3Si〇h/2)—（v) ’其中h為1、2或3 ;且R3獨立地為經 基、氫、鹵基、烷基、OR4、〇C(0)R4、未經取代或經取 代烷基酮肟基、未經取代或經取代芳基、未經取代或經 取代烷基芳基、未經取代或經取代烧氧基、未經取代或 經取代醯基及未經取代或經取代醢氧基，其中R4係選自 烷基、未經取代芳基及經取代芳基’ —(Si04/2)— (vi) » 一((AbAiiOO-on)，其中 χ=1/2或 1，A丨及 A2獨立地 128759.doc 200914497 為羥基、氫、函基、烷基、〇R4、〇C(0)R4、未經取代戍 經取代烷基酮肟基 '未經取代或經取代芳基、未經取代 或經取代烷氧基、未經取代或經取代烷基芳基、未經取 代或經取代醯基及未經取代或經取代醯氧基；及該等單 元之混合物。 6_如請求項1之方法，其中該矽氧烷聚合物包含至少一個 結構（viii)之單元， -(R5SiOh/2)- (viii) > 其中h為1、2或3 ;且R5獨立地為選自結構（1)、結構 (2)及發色團之部分， —W-W—m (1) L —V—Z (2) 其中m為〇或1 ; W及W，獨立地為一價鍵或一將環醚與 該聚合物之矽鍵聯之連接基團；L係選自氫、％，及w\、 或L與W，結合以包含一將環醚與該聚合物之矽鍵聯之環 脂族鍵聯基團；V為一價鍵或一將2與該聚合物之矽鍵^ 之連接基團；Z係選自Ο—C(=0)—R3〇、未經取代或經^ 代烯基及-Ν=〇〇 ;且r3。為未經取代或經取代烷基或未 經取代或經取代烯基。 如請求項1之方法，其中該矽氧烷聚合物包含以下結 構： (R Si〇3/2)a(R2Si〇3/2)b(R3Si〇3/2)e(Si〇4 2)d—， 128759.doc 200914497 其中，R1獨立地為選自結構（1)及結構（2)之部分，
    其中m為0或1 ; W及W’獨立地為一價鍵或—將環峽邀 該聚合物之矽鍵聯之連接基團；L係選自氫、w，及★與 或L與W’結合以包含—將環㈣該聚合物之石夕鍵聯之产 脂族鍵聯基團；V為-價鍵或一將2與該聚合物之石夕鍵: 之連接基團；Z係選自〇—C(=〇)_R3〇、未經取代或經取 代稀基及-N=C = 0;且…為未經取代或經取代烧基或未 經取代或經取代烯基；R2為發色團；r3獨立地為氣、未 :取代或經取代(Cl-Cl0)烷基、未經取代芳基及經取代 芳基，且〇<a<l，0<b<l、〇$c<1 ;且❻^^。 8. 如請求们之方法’其中該醇係選自乙醇、異丙醇、正 丁醇、異丁醇、第三丁醇、12-丙二醇丙三醇、 :酸乙顆、丙二醇單甲峻、丙二醇單丙趟、以氧基乙 9. 酵、1-甲氧基-2-丙醇、2-甲基_2_丙醇及其混合物。 如請求項1之方法’其中該石夕含量係大於15重量％。 1〇·如請求们之方法，#中切氧Μ 色團。 7匕δ « 項1之方法，其中該發氡院聚合物含有發色團。 :’:項11之方法’其中該發色團係選自未經取代芳族 °刀、經取代芳族部分、未經取代雜芳族部分及經取代 128759.doc 200914497 雜芳族部分。 13. 如請求項12之方法，其中該發色團係選自經取代或未經 取代苯基、未經取代葱基、經取代或未經取代菲基、經 取代或未經取代萘基、基於砜之化合物、基於二苯甲酮 之化合物、經取代或未經取代之含有選自氧、氮、硫之 雜原子的雜環芳族環；及其混合物。 14. 如請求項1之方法，其中該矽氧烷聚合物含有至少一個 選自以下之結構： ί
    128759.doc 200914497
    15. —種抗反射塗料組合物，其包含酸產生劑及如請求項1 中所定義之矽氧烷聚合物。 16. 如請求項15之抗反射塗料組合物，其中該酸產生劑為熱 酸產生劑。 17. 如請求項15之抗反射塗料組合物，其中該酸產生劑係選 自鎭鹽、疏鹽及銨鹽。 128759.doc 200914497 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： —W—W
    (1) V—Z (2) 128759.doc
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8026040B2 (en) * 2007-02-20 2011-09-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Silicone coating composition
CN101622296B (zh) * 2007-02-27 2013-10-16 Az电子材料美国公司 硅基抗反射涂料组合物
JP2011510133A (ja) * 2008-01-15 2011-03-31 ダウ・コーニング・コーポレイション シルセスキオキサン樹脂
JP2009237363A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Jsr Corp レジスト下層膜用組成物及びその製造方法
US8507191B2 (en) * 2011-01-07 2013-08-13 Micron Technology, Inc. Methods of forming a patterned, silicon-enriched developable antireflective material and semiconductor device structures including the same
EP2904058B1 (en) 2012-12-21 2016-05-25 Koninklijke Philips N.V. Composition, imprinting ink and imprinting method
CN108473703B (zh) * 2016-01-22 2021-05-04 三星Sdi株式会社 用于窗膜的组合物、由其形成的柔性窗膜以及包含该窗膜的显示装置
CN108699389B (zh) * 2016-02-24 2020-10-27 日产化学株式会社 含有硅的图案反转用被覆剂
JP2019040201A (ja) * 2018-10-30 2019-03-14 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
CN109722033B (zh) * 2018-12-10 2021-08-06 沈阳化工大学 一种二蒽基二苯醚乙烯基硅橡胶制备方法

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2899412A (en) * 1959-08-11 Polysulfone resins from bicycloheptene
US2310605A (en) * 1939-02-03 1943-02-09 Freeport Sulphur Co Production of sulphur dioxideolefin resins
US2625525A (en) * 1949-11-17 1953-01-13 Phillips Petroleum Co Terpolymers of sulfur dioxide, monoolefinic materials and a liquid polymer of a conjugated diene, and their production
US2703793A (en) * 1951-07-10 1955-03-08 Du Pont Process for preparing interpolymers of so2 with propylene and an acrylate
US2779749A (en) * 1952-09-29 1957-01-29 Phillips Petroleum Co Stabilized unsaturate-so2 resins containing acrylates
US2794014A (en) * 1953-10-15 1957-05-28 Dow Chemical Co Water-soluble heteropolymers of acrylic acid, allyl alcohol, and sulfur dioxide and processes for producing the same
US2778812A (en) * 1953-11-23 1957-01-22 Dow Chemical Co Water soluble copolymers of so2, an acrylic acid and a vinyl alkyl ether
US2943077A (en) * 1956-11-01 1960-06-28 Du Pont Copolymers of ethylene and sulfur dioxide
US3313785A (en) * 1963-06-11 1967-04-11 Union Carbide Corp Polysulfones and method for their production
US3318844A (en) * 1963-12-23 1967-05-09 Gen Electric Organopolysiloxanes
US3663507A (en) * 1970-01-02 1972-05-16 Minnesota Mining & Mfg Linear polyarylsulfones having functional groups thereon
US3792026A (en) * 1970-09-08 1974-02-12 Dow Chemical Co High molecular weight olefin polysulfone resins and process for their preparation
US3890287A (en) * 1973-09-21 1975-06-17 Dow Chemical Co Polysulfone copolymers
US3893127A (en) * 1973-09-27 1975-07-01 Rca Corp Electron beam recording media
US3884696A (en) * 1974-03-05 1975-05-20 Bell Telephone Labor Inc Positive photoresist comprising polysulfones formed by reacting vinyl aromatic hydrocarbons with sulfur dioxide
US3898350A (en) * 1974-06-27 1975-08-05 Ibm Terpolymers for electron beam positive resists
US3935332A (en) * 1975-01-09 1976-01-27 Rca Corporation Development of poly(1-methyl-1-cyclopentene-SO2) electron beam resist
US4045318A (en) * 1976-07-30 1977-08-30 Rca Corporation Method of transferring a surface relief pattern from a poly(olefin sulfone) layer to a metal layer
US4267257A (en) * 1976-07-30 1981-05-12 Rca Corporation Method for forming a shallow surface relief pattern in a poly(olefin sulfone) layer
US4153741A (en) * 1976-07-30 1979-05-08 Rca Corporation Method for forming a surface relief pattern in a poly(olefin sulfone) layer
US4097618A (en) * 1977-03-09 1978-06-27 Rca Corporation Method of transferring a surface relief pattern from a poly(1-methyl-1-cyclopropene sulfone) layer to a non-metallic inorganic layer
US4251665A (en) * 1978-05-22 1981-02-17 King Industries, Inc. Aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
US4200729A (en) * 1978-05-22 1980-04-29 King Industries, Inc Curing amino resins with aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
US4393160A (en) * 1980-12-23 1983-07-12 Rca Corporation Aqueous developable poly(olefin sulfone) terpolymers
US4341861A (en) * 1980-12-23 1982-07-27 Rca Corporation Aqueous developable poly(olefin sulfone) terpolymers
US4504372A (en) * 1982-03-12 1985-03-12 Ciba-Geigy Corporation Acid-curable composition containing a masked curing catalyst, and a process for its preparation
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
DE3563273D1 (en) * 1984-03-19 1988-07-14 Nippon Oil Co Ltd Novel electron beam resist materials
CA1269794A (en) * 1985-10-15 1990-05-29 Eit Drent Copolymers of so.sub.2 and ethene
JP2608429B2 (ja) * 1987-11-09 1997-05-07 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 パターン形成用材料およびパターン形成方法
US4996136A (en) * 1988-02-25 1991-02-26 At&T Bell Laboratories Radiation sensitive materials and devices made therewith
US5200544A (en) * 1988-02-25 1993-04-06 At&T Bell Laboratories Resist materials
US5100503A (en) * 1990-09-14 1992-03-31 Ncr Corporation Silica-based anti-reflective planarizing layer
US5298367A (en) * 1991-03-09 1994-03-29 Basf Aktiengesellschaft Production of micromoldings having a high aspect ratio
KR950000074B1 (ko) * 1991-03-28 1995-01-09 금호석유화학 주식회사 이산화황과 핵치환 트리알킬게르밀스티렌(Trialkeylgermylstyrene)의 다원공중합체
US5187019A (en) * 1991-09-06 1993-02-16 King Industries, Inc. Latent catalysts
TW211080B (zh) * 1991-12-12 1993-08-11 American Telephone & Telegraph
US5384376A (en) * 1992-12-23 1995-01-24 Eastman Kodak Company Organic/inorganic hybrid materials
US5918147A (en) * 1995-03-29 1999-06-29 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device with an antireflective layer
US5693691A (en) * 1995-08-21 1997-12-02 Brewer Science, Inc. Thermosetting anti-reflective coatings compositions
WO1997032223A1 (en) * 1996-02-29 1997-09-04 Minnesota Mining And Manufacturing Company An optical film with co-continuous phases
WO1998007797A1 (fr) * 1996-08-22 1998-02-26 Kaneka Corporation Composition durcissable pour revetement exterieur et articles ainsi recouverts
US6808859B1 (en) * 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
US5871872A (en) * 1997-05-30 1999-02-16 Shipley Company, Ll.C. Dye incorporated pigments and products made from same
JPH11286549A (ja) * 1998-02-05 1999-10-19 Canon Inc 感光性樹脂及び該感光性樹脂を用いたレジスト、該レジストを用いた露光装置及び露光方法及び該露光方法で得られた半導体装置
US6069259A (en) * 1998-02-06 2000-05-30 Rensselaer Polytechnic Institute Multifunctional polymerizible alkoxy siloxane oligomers
FR2776540B1 (fr) * 1998-03-27 2000-06-02 Sidel Sa Recipient en matiere a effet barriere et procede et appareil pour sa fabrication
US6087064A (en) * 1998-09-03 2000-07-11 International Business Machines Corporation Silsesquioxane polymers, method of synthesis, photoresist composition, and multilayer lithographic method
US6849377B2 (en) * 1998-09-23 2005-02-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoresists, polymers and processes for microlithography
JP4096138B2 (ja) * 1999-04-12 2008-06-04 Ｊｓｒ株式会社 レジスト下層膜用組成物の製造方法
KR100804873B1 (ko) * 1999-06-10 2008-02-20 얼라이드시그날 인코퍼레이티드 포토리소그래피용 ｓｏｇ 반사방지 코팅
JP3795333B2 (ja) * 2000-03-30 2006-07-12 東京応化工業株式会社 反射防止膜形成用組成物
KR20030076228A (ko) * 2000-06-21 2003-09-26 아사히 가라스 가부시키가이샤 레지스트 조성물
US6420088B1 (en) * 2000-06-23 2002-07-16 International Business Machines Corporation Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer
US6368400B1 (en) * 2000-07-17 2002-04-09 Honeywell International Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
TW538319B (en) * 2000-10-10 2003-06-21 Shipley Co Llc Antireflective composition, method for forming antireflective coating layer, and method for manufacturing electronic device
US20020094593A1 (en) * 2001-01-16 2002-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for adjusting optical properties of an anti-reflective coating layer
US6596404B1 (en) * 2001-07-26 2003-07-22 Dow Corning Corporation Siloxane resins
US6743885B2 (en) * 2001-07-31 2004-06-01 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin composition for intermediate layer of three-layer resist
KR100399642B1 (ko) * 2001-10-24 2003-09-29 삼성에스디아이 주식회사 리튬 이차 전지용 양극 활물질 및 그 제조방법
US6723488B2 (en) * 2001-11-07 2004-04-20 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep UV radiation containing an additive
EP1472574A4 (en) * 2001-11-15 2005-06-08 Honeywell Int Inc ANTI-REFLECTIVE COATINGS DESIGNED TO BE INSTALLED BY ROTATION FOR PHOTOLITHOGRAPHY
US6737117B2 (en) * 2002-04-05 2004-05-18 Dow Corning Corporation Hydrosilsesquioxane resin compositions having improved thin film properties
US6730454B2 (en) * 2002-04-16 2004-05-04 International Business Machines Corporation Antireflective SiO-containing compositions for hardmask layer
JP3953982B2 (ja) * 2002-06-28 2007-08-08 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及びパターンの形成方法
US6919161B2 (en) * 2002-07-02 2005-07-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process
TW200413417A (en) * 2002-10-31 2004-08-01 Arch Spec Chem Inc Novel copolymer, photoresist compositions thereof and deep UV bilayer system thereof
EP1566836A1 (en) * 2002-11-27 2005-08-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Semiconductor multilayer interconnection forming method
US7041748B2 (en) * 2003-01-08 2006-05-09 International Business Machines Corporation Patternable low dielectric constant materials and their use in ULSI interconnection
TW200424767A (en) * 2003-02-20 2004-11-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Immersion exposure process-use resist protection film forming material, composite film, and resist pattern forming method
JP4581995B2 (ja) * 2003-03-07 2010-11-17 チッソ株式会社 ケイ素化合物
JP4700929B2 (ja) * 2003-06-03 2011-06-15 信越化学工業株式会社 反射防止膜材料、これを用いた反射防止膜及びパターン形成方法
KR100857967B1 (ko) * 2003-06-03 2008-09-10 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 반사 방지막 재료, 이것을 이용한 반사 방지막 및 패턴형성 방법
US7223517B2 (en) * 2003-08-05 2007-05-29 International Business Machines Corporation Lithographic antireflective hardmask compositions and uses thereof
US7115532B2 (en) * 2003-09-05 2006-10-03 Micron Technolgoy, Inc. Methods of forming patterned photoresist layers over semiconductor substrates
US7270931B2 (en) * 2003-10-06 2007-09-18 International Business Machines Corporation Silicon-containing compositions for spin-on ARC/hardmask materials
KR100570206B1 (ko) * 2003-10-15 2006-04-12 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지막용 광 흡수제 중합체 및 이의 제조 방법과상기 중합체를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물
US20050123760A1 (en) * 2003-10-15 2005-06-09 Cammack J. K. Light-emitting nanoparticle compositions
US20050118541A1 (en) * 2003-11-28 2005-06-02 Applied Materials, Inc. Maintenance of photoresist adhesion and activity on the surface of dielectric ARCS for 90 nm feature sizes
JP4491283B2 (ja) * 2004-06-10 2010-06-30 信越化学工業株式会社 反射防止膜形成用組成物を用いたパターン形成方法
US7691556B2 (en) * 2004-09-15 2010-04-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions for photoresists
JP4688882B2 (ja) * 2004-12-17 2011-05-25 ダウ・コーニング・コーポレイション 反射防止膜の形成方法、レジスト画像の形成方法、パターンの形成方法及び電子デバイスの製造方法
JP5080250B2 (ja) * 2005-06-07 2012-11-21 東京応化工業株式会社 反射防止膜形成用組成物、およびこれを用いた反射防止膜
JP4602842B2 (ja) * 2005-06-07 2010-12-22 東京応化工業株式会社 反射防止膜形成用組成物、それを用いた反射防止膜
EP1742108B1 (en) * 2005-07-05 2015-10-28 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
EP1901646B1 (en) * 2005-07-14 2017-04-05 Abbott Point of Care Inc. Photoformed silicone sensor membrane
EP1762895B1 (en) * 2005-08-29 2016-02-24 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Antireflective Hard Mask Compositions
KR101271783B1 (ko) * 2005-10-28 2013-06-07 도레이 카부시키가이샤 실록산 수지 조성물 및 그의 제조 방법
US7678529B2 (en) * 2005-11-21 2010-03-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing film forming composition, silicon-containing film serving as etching mask, substrate processing intermediate, and substrate processing method
JP4597844B2 (ja) * 2005-11-21 2010-12-15 信越化学工業株式会社 フォトレジスト膜のリワーク方法
US7855043B2 (en) * 2006-06-16 2010-12-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method
US7704670B2 (en) * 2006-06-22 2010-04-27 Az Electronic Materials Usa Corp. High silicon-content thin film thermosets
US7816069B2 (en) * 2006-06-23 2010-10-19 International Business Machines Corporation Graded spin-on organic antireflective coating for photolithography
US7776516B2 (en) * 2006-07-18 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Graded ARC for high NA and immersion lithography
US7736837B2 (en) * 2007-02-20 2010-06-15 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition based on silicon polymer
CN101622296B (zh) * 2007-02-27 2013-10-16 Az电子材料美国公司 硅基抗反射涂料组合物
US20090162800A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-25 David Abdallah Process for Imaging a Photoresist Coated over an Antireflective Coating

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