TW200912872A - Method for addressing a liquid crystal matrix screen and device applying this method - Google Patents

Description

200912872 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種用於定址液晶顯示螢幕（liquid crystal display screen)的方法及應用該方法的顯示裝置。 本發明所屬之技術領域係關於液晶顯示器。 本lx明尤其有關於雙穩態向列型（bistabie nematic)液 曰曰”、、員示器特別疋關於其二個穩態液晶結構（texture)間之 扭轉方位相差約丨8〇。之雙穩態向列型液晶顯示器。 本發明之目的在於增進雙穩態顯示裝置之性能。本發 明之目的特別在於藉由新穎之手段，使像素（pixeIs)之預定 切換運作可以於整個顯示器均勻地進行，以改善顯示器像 素狀態之切換運作。 【先前技術】 最廣泛使用之液晶顯示器係應用向列型液晶。其係由 置於二平板間之一層液晶所構成。每—平板包含一美

(一⑷，it常由玻璃製成’基板上配置一導電電：以 及-亦稱為配向層(alignment layer)之錨定層 ―)。錯定層對液晶分子周遭施加—回復扭力使其排列 傾向平行於—稱為易軸（叫㈣之方向。敎層之形成 通常係用沉積方式塗刷上—層聚合物以建立易軸之方向。 後者通常極接近塗刷之方向。 以此方式建立之液晶盒㈣”之厚度藉由在平板間均 散佈其直徑等於預定厚产H ^ 體而維持固定。（W至6微米㈣)之小球 200912872 目前多數液晶式裝置係單穩態式（monostable)。在未加 上電場之時，液晶依據單一液晶結構之方位排列。考慮二 平板間之知疋作用，其對應於液晶盒内液晶之絕對極小彈 性能置。在電場的作用之下，此液晶結構持續變形，且其 光學特性變化係施加電壓之函數。接近平板處，稱為”強錨 定層”之錨定層維持分子之方向。其方向不會大幅變化。當 电#關閉之時，向列結構藉由二平板間之銷定效應得以回 復其回復至穩定之液晶結構。此等裝置係單穩態式的。 習於此領域者應能辨識最廣泛應用之向列型顯示器之運作 模式.扭轉向列型（twisted nematic ; tn)、超扭轉向列型 (super-twisted nematic ; STN)、電場控制雙折射型 (electrically contr〇ned birefringence ; ECB)、垂直配置向 列型（vertically aligne(i nematie; VAN)等等。對於定址位 準，此等顯示器可以被直接定址（極低解析度）、以多工模 式（multiplex mode)定址（中等解析度）或是以主動模式 (active mode)定址（高解析度）。 雙穩態顯示器之先前技術： 新一代稱為"雙穩態式，，之向列型顯示器於最近幾年出 現：其運作方式係在二狀態間切換，該二狀態在未加入電 場時均係處於穩定之狀況。其僅施加外部電場一段必需之 %間，使其足以將液晶結構自一狀態切換至另一狀態。在 無控制電氣信號之下，顯示器維持於原有之狀態。基於其 運作原理，此型式顯示器之電力消耗係正比於影像變化2 數目。因此，當此等變化之頻率降低時，維持顯示器運作 200912872 所需之電力趨近於零。 運作原理 本說明書以下選用商標名稱註冊為BINEM(g)(參見參考 文件[1 ]至[5])之雙穩態式顯示器加以說明，其示意圖顯示 於圖1。 其使用二液晶結構，其一係均勻式或弱扭轉式ϋ型結 構（例示於圖1左侧），此結構中之分子彼此大約互相平行， 而另一種係Τ型結構（例示於第一圖右側），其與第一種結 構之差異在於其具有大約+ / — 180。之扭轉方位，其絕對 值介於150。和180。之間。液晶層30係位於分別稱為主要 平板（master plate)和從屬平板（slave plate)之二平板2〇和1〇 之間。主要平板20包含一基板21、一電極22和一產生高 方位角（azimuthal)和天頂角（zenithal)液晶錨定作用之錨定 層24。從屬平板10包含一基板n、一電極12和一對液 晶產生低天頂角錨定作用和中等或高方位角錨定作用之錨 定層14。電極12和22 —般是透明的，通常係由一種稱作 ITO之材料所構成，配置於基板n和21之上。其使得其 可以在垂直於平板10和20之方位施加一電場。 通常於液晶盒外部，在每一基板11和21上加上偏光 片（polarizers)使得每一液晶結構均可以對應至一光學狀 態’例如’液晶結構U對應至暗態而液晶結構τ對應至亮 態’或相反之對應，其係相對於錨定方向之該二偏光片角 度之函數。 取決於後方偏光片’意即位於相對於顯示器觀賞者另 200912872 一側之液晶層之種類，其可以獲得各種不同之光學模式： 反射式、半反射半穿透式、或穿透式（[10]; [11])。 此向列型架構以一自然形成之間距po被旋光化 (chiralized)，該間距被選擇為接近此液晶盒厚度d之四倍， 以等化前述二液晶結構之能量。液晶盒厚度d相對於上述 自然形成之間距po之比例，意即d/po，因此約等於0.25 + / — 0.1。在無電場加入時，狀態T和U係處於最小能 量狀態：此液晶盒係雙穩態式。 在高電場下’其獲得一稱為Η之近乎垂直排列 (homeotropic)之液晶結構，例示於圖1之中央。在從屬平 板10之表面附近’分子係與之呈垂直方向，此稱為錨定 作用被"截斷（broken)"。對應於截斷從屬平板1〇上之錨定 作用之電壓稱為截斷電壓Vbreak。當電場被截斷，液晶盒 即朝著雙穩態液晶結構U或T其中之一狀態變化（參見圖 1)。當所使用之控制信號在主要平板20附近感應出一液晶 之強大流量時’介於主要平板20和從屬平板1 〇間之流體 動力連結26產生一接近從屬平板之流體動力流量（或流通 里（flux))，其足以感應出液晶結構τ。反之，液晶結構u 之形成係由於二平板1〇和20間之彈性連結28，輔以可能 之弱錨定作用之傾斜。 以下說明之中，一 BiNem®螢幕像素之"切換”係表示 液晶分子自一起始穩定液晶結構（u或τ或此二液晶結構之 共存狀態）變成一最終穩定液晶結構（υ或τ或此二液晶結 構之共存狀態）。施加至像素之信號係由許多穩定準位 200912872 (plateaux)以標準方式構成之信號，自一穩定準位至另—穩 定準位之轉變稱為邊緣（edges)。每一穩定準位之前係—由 前一穩定準位和該穩定準位間之轉變所形成之信號前緣 (leading edge)，而之後係一由該穩定準位和下一穩定準位 間之轉變所形成之信號後緣（trailing edge)。電場之切換對 應於一或多個施加信號之後緣（電壓絕對值之降低）。施加 至像素（圖2)之信號VP係一標準式樣之雙穩定準位信號， 但亦可以是一多穩定準位[6]或單穩定準位信號。可以作為 本身特性之函數，選擇液晶結構之最終狀態之信號後緣將 被稱為有效信號後緣（active trailing edge)。若有效信號後 緣超過一特定之絕對值，且作用於一夠短之時間内（< tmax) ’則電壓之"躍增將足以促使液晶結構τ之形 成。若前述之躍增量不足’或是轉變時間過長（> tmax)， 則流體動力流量不足，不可能形成液晶結構τ，而必然得 到液晶結構U。圖2顯示一雙穩定準位像素信號（v丨p，V2p) 之實例。在此圖中，其可見到在—固定之Vip下，液晶結 構U或T之形成係一 V2P值之函數。對於在pi2範圍内之 V2P值’其流體動力流量不足，故得到液晶結構。。當V2p 係位於pll範圍内，使其可以形成一躍增量而產生充足流 體動力流量以促成液晶結構T之有效信號後緣係V2P-至-0 之轉變，意即V2P.1，而當V2P位於pl3之内，使其可以 开/成液晶結構T之有效信號後緣係V丨p_至_ V2P之轉變， 意即V2P.3。 其亦可以透過像素終端之信號變異，藉由控制流體動 10 200912872 力流量之強度以得到傻去# 于q俅素之灰階位準。對於—特定數值之 像素信號，在單一傻夸向，甘士 ’、 八表面之一部分係處於液晶結 構τ中而另一部分係處於曰 处、夜日日、，、吉構u中。像素信號之另一 數值和此流體動力流量之值，

m 對應於此二液晶結構u和T 所佔據之表面間之不同屮私丨。甘ra , 个1』比例。其因此得到灰階位準[9]。 曰切換動作直接關聯至接近平板1〇和2〇其中之一之流 =強度（ffl 1) ’且因此關聯至有效信號後緣之振幅和壓降 max如刖所足義，此種現象係BiNem®顯示器之獨 有特性，一般顯示器並不以此方式切換。 標準液晶顯示器發展出之三種定址模式（直接式、多工 式、主動式）均可使用於BiNem⑧顯示器。最常用於BiNem@ 顯示器之定址模式係被動式多工定址（passive muhipiexed

addressing)，但亦可以於薄層内使用電晶體之主動式定址 [7]。在主動式及被動式多工模式之中，BiNem⑧顯示器係 由N X Μ個稱為像素之螢幕元素構成之矩陣式螢幕 screen)，其中N係列（r〇ws)的數目而M係行（c〇iumn〇的數 目’且其定址係以逐列之方式進行。 在被動式多工模式中，每一像素係由一列導電帶（r〇w nductive band)52 和一行導電帶（c〇iumn c〇ncjuctive band)50(參見圖3)之交點所構成。此等互相垂直之帶狀結 構分別配置於主要平板20和從屬平板丨〇之上。單—基板 11或21(參見圖1)上位於二相鄰導電帶間之區域稱為像素 中介空間（interpixel space)。此由像素構成之區域整體上稱 為矩陣區域。此領域之習慣上，該矩陣區域對應至顯示區 200912872 域，其上用以顯示欲觀看之影像内容。矩陣區域之外，前 述之導電冑50、52變成走線以連接產生定址信號之控制 電路。此等控制電路可以置於基板上或其側邊…般而言， Y非限定於此方式’顯示器之定址係使用稱為"驅動器 (drivers)之控制組件或電路，其位於諸如焊接至螢幕之彈 性連接元件上。此等驅動器，基本上由移位暫存器控制之 、匕開所構成’其使得控制電子組件和走線間之連結得以 形成。 欲顯示位於座擇r 、 ^ 知（，m)上之像素時，需施加一列-定址 4 5虎VLii於第η石丨f lv is ^ ^ 幻以及一仃定址信號VCm於第m行。通 $ ’導電電極係由一種磁兔TTn/, a. · 種稱為 ITO(indium tinoxide;氧化銦 錫）之透明導電材料所構成。 但是當此顯示器係反射式時，位於觀看者相反側之電 極可以由不透光之導電材料製成，例如鋁。 被動核式和主動磁j # “ w主動模式間待注意之重要差異之_在於被 動式夕工极式中，雷獻 極帶… 透過構成列和行之正交電 η f狀結構，列和行交 又點化成像I，在主動式定址期間， =二 透過連接至與每-像素㈣之電日日日體之細 松演切換角色之電晶體於列被啟動期間變成導通狀 夕模式之Binem®顯示器之控制： 當顯示器之架構係如前所述之矩陣型式時， 係逐列進行。冬隻 疋址動作 田其欲寫入一特定列η之時，一雷龛 施加至此列，稱為被”啟動"士 虱佗號被 蚺為被啟動。本文將稱此列定址信 12 200912872 啟動信號。在標準被動多工模式下，信號VLn對所有列是 相同的，故可稱其為VL。 r 對於BiNem，啟動期間可區分為二相位：第—相位主 要包含獲得一錯定截斷，意即，目標列上之垂直排列液晶 結構，其係藉由諸如施加一大於vbreak之電壓至列 定址信號-段時間T1，其構成VL之一第一穩定準位。通 常以目前之⑽⑽技術水準而言，V1L在溫度範圍〇。_5〇。 時係介於6伏特和3G伏特之間’包含6伏特和％伏特。 在第二相位期間’ 一信號饥被施加至該列，例如V2L V1L持續時間T2，其構成VL之一第二和最後之穩 定準位。通常以目前之BiNem技術水準而言，饥在溫度 範圍〇。-5〇。時係介於2伏特和12伏特之間。此例中之列定 址信號係一雙穩定準位信號，但其亦可以是-單穩定準位 或夕穩疋準位k號。習知為《資料》此處稱做之電氣信 號被同時施加至所有之行。依據—標準變異方式，信號"資° 料',VC之信號後緣係同步於列啟動信號V2L之第二穩定準 位之信號後緣[11。敢法# π ^ 1 J取/夬於问時施加至每一行之電壓vcm 之值（此情況下，舉例而言，信號VCm係振幅±VC01之方 波，但W VC ,亦可以是多穩定準位）及〆或其形狀及/或其 持續時間tC ’液晶結構形成於相對於此行和啟動列 之父點之像素⑻。接著後續之列被依序啟動，同時其他列 被關閉，此動作由顯示器之第一列進行至最後一列。介於 -列被啟動之末和下一列被啟動之初間的時間稱為列間隔 時間（inter-r〇wtime)TL。此時間通常，但不限於，介於1〇 13 200912872 微秒（微秒）和10mS(毫秒）之間，包含1〇微秒和1〇毫秒。 為了得到正確之切換動作，此時間數值極為重要，且^ 隨溫度改變。此種定址本文將稱1” 月 了僻，、马早步驟定址，，。 動之順序（先η-1、其次η、再其次η 風 人Π+1)定義掃描方向46(圖 )。顯不器之定址時間係以此一方式定址其所有列以顯示 一新影像内容所需之時間。 v.. 描述灰階位準構成之文件[9]提供藉由修改vc參數以 實施灰階位準之三種變異（文件[9]之圖23)。_第—變異二 含改變施加至像素Ρ之敎準位^之電壓位準之振= 於方波型式之料址信號之情形）。—第二變異包含改變施 加至像素Ρ之行定址信號vc之持續時間tc。在此二變異 中，行-定址信號之信號後緣係同步於列_定址信號之第二 和最後穩定準位之信號後緣。—第三變異稱為,,相位調變”， 其包含相對於列-定址信號之第二和最後穩定準位之作號 緣改變行-定址信號VC之不同步差異"量 (desynchronization)ATC之改變。文件[12]建議行定址信= 之不同步差異量係相對於列_定址信號一中間穩定準位之^ 號後緣而非最後穩定準位之信號後緣。 依據種稱為部分定址（partial addressing)之有用方 法，其要求僅顯示新内容於影像之一區域，而影像之其他 部分則維持不變。此種情況下，僅有對應於顯示區域之列 被啟動。 依據一習知之較佳控制方法，但不限於此方法，在逐 列定址之前，藉由以一信號vPre(參見圖4)同時啟動所有 14 200912872 列或群對應至待定址區域之列，整個發幕（顯示一整個影 像）’螢幕之個區域（部分定址）之全定址共同地以一特定 之液晶結構，涵舍Θ rp ,, 吊疋T ’被同時執行。各列隨之依據標準 夕工方法被逐-定址以顯示預定之影像或區域。因此僅有 二種轉變需要執行，t一係 ^ /' 你1至τ之轉變，而另一方面則 係至U或至u與τ之混合之轉變。此”二步驟定址"允許 車乂 it之像素切換官理，特別是關於灰階位準之控制，因為 以此種方式，所有像素在第二步驟開始時均始於一明確定 義之狀態。 舉例而5，Blnem®顯示器之二步驟多工被動式定址之 原丁於圖4此處施加至第m行之行定址信號被選擇 為使得tc = T2。數值vr 1 s μ 值VC 1至VC5係施加於分別與依序啟 動之列1至列5同步之vr'm 卜 Ύ vcm之值，其係為了在所啟動之 列與第m行交點處之像素得到預定之最終液晶結構。在一 尋求僅獲得非u即丁之模式中，舉例而言’其可以選擇方 波形狀之電壓VC而使用不同之變異：

VC(U) = +Vcol 且 Vc ⑺=_Vc〇I 或·· VC(U) = +Vcol 且 VC(丁）= 〇， 或者相反（指VC(U)和VC(T)之值）。 依據- BiNem顯示器之習知較佳但非限定之實施例， 配向層之塗刷方向係正交於顯示器之列方向，此種顯示器 被稱為具有"正交式塗刷（orthog〇nal brushing)"(文件⑼）。 因此像素信號VP之特徵係由列參數（與狀之液晶結 15 200912872 構無關)和行參數(其中某些是可變的，且 — 液晶結構之函數）所界定： ’、’、之預定 -信號VL之列參數：每一 續時間，例如(饥、咖、：、了穩疋準位之電壓位準和持

2)以及列間隔時間TL 續時H I 參數：每—穩定準位之電壓位準和持 二 例就—單穩定準位方波信號㈤卜叫而士， 相對於一列信號後緣之選擇 。 伴『生不冋步差異量之數值ΔΤε。 、據目別之技術水準，此等參數係溫度及像 函數。 為了控制—顯示器之切換，同時保持低水準之 列定址時間（快速定址），其最好在顯示器之整體^址時間 内使-特定像素所感受之均方電壓值(_η — V〇ltage)V_维持固定[8]。當二液晶結構就絕對值而言其 VCOKU卜Vcol(T)J_ tc相等之時，Vrms基本上係一常數 且與影像内容無關。 當就絕對值而言Vc〇l(U)笑Vc〇l(T)時，一簡易之運作 i 手段係藉由行信號逐列執行此補償。在目標列啟動期 間，一信號Vcomp施加於目標行m，施加之時機係當此信 號對最終液晶結構之選擇無影響之時。接著施加"資料，，信 號，最好同步於，，啟動"信號之結束時點。信號Vc〇mp，通 常係一方波，之振幅被估算為一行"資料，，信號之值ve之 函數’以取得一預先決定之常數均方電壓Vrms，其對於每 一像素均相同[8]。圖5例示一運用此方法之時序圖之實 例。此例中之第n列啟動電壓係雙極性的，其係為了防止 200912872 液晶之電解（electrolysis)作用，但此例中只有信號VL之第 二部分，即正極性之部分，構成定址目標列之有用信號。 其例示二個行信號實例，Vcoll和Vcol2，舉例而言，其分 別具有各自對應至一已決定灰階位準之數值（vcl，tcl)及 (vc2，tc2)。由此可見Vcomp之數值（持續時間及/或振幅）係 隨施加之”資料"信號而變化之函數，以在上述二情況得到 一固定且預先決定之均方數值Vrms。 在一些實驗之後，許多切換型式之瑕疵趨於明顯。此 等瑕疫出現於顯示器空間上之特定區域。 其可注意到像素切換對於以下所述之參數具有高敏感 度： -VL列-定址信號之定址參數·· 每一穩定準位之電壓位準、此等穩定準位之持續時間、 以及列間隔時間TL。你ί如 如 例士 在—列-定址信號包含雙穩定 準位之情形：（Vil、V2L、ΤΙ、Τ2、TL) _行定址信號VC之定址參數： 相對=敎準位之電壓位準、此等穩定準位之持續時間、 ==信號之穩定準位之信號後緣的行-定址信號 之疋準位之信號後緣之不 之值。例如，在—㈣址信差異|純 之情形：(ν—、他、ν;-穩定準位(方波型式) 依據目前之技術水準， 函數，但列定址信號VL之參：數係溫度和像素大小之 相同的，且行-定址信號 對於顯示器之所有像素係 >數可以隨預定之液晶結構 17 200912872 狀態變為許多數值，但此等數值對於顯示器之所有像素 相同.的。 、係 利用圖2 ’其可以估計在一特定溫度之下、 ^ —步驟 疋址期間、在第二步驟具有一雙穩定準位ViL和V2l 列信號：V2L絕對值之降低促使液晶結構τ形成而V2l = 對值之增加促使液晶結構U形成。 、 像素切換可能被特定之瑕疵擾亂，舉例而言，由於諸 如ITO製成之電極電阻造成之定址信號之失真。 被動模式之Binem⑧切換對於定址帶之電氣和幾何 性相當敏感，但主動模式則不然（參見文件⑺）。如前所述，、 em®特性之_在於液晶結構τ之切換需要施加—陡哨之 絕對值電壓降至像素，稱為有效信號後緣。此邊緣必須在 2器之極端位置（包括行和列）亦能維持足夠之絕 意即該等極端位置包括距離直接連接至控制 夕n 電才取遠處之點。切換至液晶結構u 之動作對於像素彳★梦之报灿n 卢 ' Q〜之形狀以及列-定址信號和行-定址信 μ步亦相m (參見文件[12]) 所界〜^製成之帶狀結構之行為特性由-時間常數RC 之充通過走線及帶狀結構電阻之像素電容咖 成。此特性時間對信號形狀具有直接之影 ;如=:之二，如…示…址信號，以

接近起始列-定址電極:^^失真最少之信號，意即最 所影響备 顯不為圖中之實線，而被常數RC 就，意即較遠處之信號，於圖中以虛線綠出。 18 200912872 在圖6a中，該列-定址信號係一雙穩定準位之信號， 其係具有位準值V1L和V2L之雙穩定準位，且此雙穩定 準位之信號後緣分別稱為FL1和FL2。其中FLld和FL2d 表示列起始處之定址信號之信號後緣。FLlf和FL2f則表 示位於列"結束"處之信號後緣。由於常數RC之影響，其 可注意到列結束處之信號後緣相對於列起始處之信號後緣 呈現失真之現象。 在圖6b中，所舉例之行信號係有Vcol位準之單穩定 準位k號。標示為F C d之信號後緣表示直接連接至控制電 路之行定址電極"起始"處之行定址信號之信號後緣，而FCf 則表示位於行"結束”處之行定址信號之信號後緣。由於常 數RC之影響，其可注意到行結束處之信號後緣相較於行 起始處之信號後緣呈現變形之現象。 文件[7]定量地描述一在列結束處切換之失真實例（見 該文件之圖l〇a和圖10b)。文件指出RC之值隨著與驅 動器連接之距離平方增加。 在圖6a和圖6b中，其可以注意到其中之時間常數Rc 影響了在帶狀電極上傳遞之信號之斜率（斜率絕對值降低） 以及電壓穩定準位之持續時間（持續時間降低）。此雙重改 變（斜率、持續時間）因此足以在距離電極，，過遠”之區域造 成切換動作之變異。在最後像素之端點之電壓信號之波形 應隨時適用於預定之切換動作，此點確實極其重要。因此， 促成像素信號波形之列脈衝波形和行脈衝波形可以影響U 或τ之像素切換。 19 200912872 對於切換至τ之動作，重要參數之一係有效信號後緣 之斜率。對於切換至U之動作，重要參數之一係列-定址 信號與行-定址信號間之同步。 圖7藉由舉例清楚地顯示可能造成問題之顯示器之不 同區域。此等區域係位於連接至列控制電路Drl及行控制 電路DRC之列或行定址電極起始處相當距離之區域，影響 之程度隨著相對於列或行定址電極起始處之距離增加而增 加。位於列定址電極結束處之區域定義為Zrcl，而位於 行帶狀結構結束處之區域則定義為ZR_CC。任何潛在之切 換問題均可能出現於此等區域ZRCC及/或ZRCL。當然此 等區域之界定並非二元性的，任何可能之瑕疵其程度均會 隨著至電極起始處之距離增加而增加。此外，切換失真之 影響亦依據此失真是否係作用於列定址信號或行定址信號 上而有所不同。 圖8由圖例顯示一 56·6毫米（312列）乂4〇95毫米 行）之Binem® QVGA型顯示器，其對應於具有175微米間 距之正方形像素。在一共同變換至液晶結構τ之第一步驟 之後，此騎H利用-標準多卫信號完全切換至液晶結構 U(二步驟定址）。在此例中，其可以注意到ZRCC區域中之 行帶狀結構具有最長之像素切換瑕疵，其在原本應完全充 滿U型液晶結構之像素内出s τ型液晶結構（所謂之，u中 有T(TinU)”型瑕疲）。例如，在圖8中，其可以注意到在 螢幕之底部和右_目當於圖7中2歡和ZRCq有區域 的部分）’像素並未完全變換至液晶結構U(黑暗顏色)而且 20 200912872 包含液晶結構τ(明亮顏色）。對於此在環境溫度下之實驗， 所使用之參數係： 一步驟定址，黑色和白色型式（無灰階位準）及： 第一步驟：雙極性方波形狀，振幅25伏特之前置τ 信號施加2毫秒二次。 第ν驟雙極性列#號，第一極性+2 5伏特持續25 0 微秒以及第二極性：V1L = _25伏特；V2L=-7伏特；T1 =250微秒；T2 = 120微秒；TL = 5〇微秒

Vcol 4.5伏特以獲得u結構而Vcol = 〇伏特以獲得 T結構，其具有tc = T2和一常數均方電壓（以下或稱RMS 電壓）值Vrms = 1.9伏特。 另一可能之RC負面效應出現於使用交錯式列定址之 時，意即當相鄰之列係連接至二個不同之驅動器，而驅動 器係位於顯示器之不同侧。時間常數RC於二相鄰列之末 端感應出列信號之不同步，此不同步導致切換之瑕疵。 此外’其注意到顯示器之前面數列有RMS電壓穩定之 困難。 文件[8]描述行定址信號之rmS電壓對切換動作之影 響’並提出可使其穩定以避免切換瑕疵之方法。使用此方 去對顯不器之前面數列’相當於圖7之ZRMS區域，造成 問題。為解決此問題，其在顯示實際影像之前透過各行施 力口 一系列前置脈衝’使得顯示器之前面數列亦接收一固定 之RMS(參見文件[8]之變異4和圖19)。但其應注意，對於 快速定址之情形’其必須施加大量之前置脈衝，因此延長 21 200912872 顯示影像所黨$主 、 寻間框（timeframe)。對於先前段落所述之 二M ’ U先前段落所述之標準信號型式，其增加25%之 1 fa # |度以得到前面數列之正確切換。 藉由圖伽，Κ η η 圖9顯示先前段落所述之顯示器，對其施 加：個Ϊ右之數目不足夠之前置脈衝。其係欲寫入具有如 先刖奴洛所述信號之影像。其注意到像素具有—τ切換瑕 疫，正常愔.，F π

/凡卜此等像素應完全切換至位於前面數列之Τ 二構 月冗部分），前述之前面數列對應至圖7之ZRMS區 域”。卩分表面切換至U而非Τ:即所謂之"Τ中有U(U in Τ)” 型坪又疫。在杆♦批 山 _ 仃电極之末端，於ZRCC具有一像素切換瑕疵， Μ象素應疋全切換至U(黑暗部分）。其部分表面切換至 Τ而非U :即所謂之"υ中有τ"型瑕疵。因此於此例中，顯 示器定址期間同時出現二種型式之瑕疵。 本發明之目的因此即在於矯治此等缺點。 【發明内容】 本發明因此係有關於一種用於定址雙穩態向列型液晶 矩陣馨墓今 +、i ^ 餐之方法’該螢幕於未加入電場時具有雙穩定狀 =。此螢幕包含二基板，其間配置液晶。第一基板包含列 定址包極而第二基板包含行定址電極。前述定址電極之形 狀係V電性之帶狀結構。每一像素自一穩定之狀態至另一 片大声真 ‘占之切換係藉由一切換電壓脈衝所控制，此電壓脈衝之 形成係藉由施加至少一列定址信號至一列定址電極之—第 一終端以及施加至少一行定址信號至一行定址電極之一第 一終端。 22 200912872 之列定址信號之 内之該像素之位 依據本發明，用以切換矩陣螢幕像素 知·性及/或行定址信號之特性係該矩陣螢幕 置之函數。 依據本發明之一較佳實施例，前述矩 定址係被動式多工型式。 笼綦之像素之 有效盈性地，列定址信號具有至少— 且至少以下之敎址信號參數其中之 位’ 每一像素之位置之函數： 心陣螢幕中 -岫述電壓穩定準位之電屬位準， '鈾述電壓穩定準位之持續時間， -勿隔一連續列定址信號之時間。 本發明亦提供如下特性：列定址信 穩定準位，且至少以下之列定址信號參數其中之;壓 矩陣榮幕中每一像素之位置之函數： 係則述 -前述電壓穩定準位之電壓位準， -鈿述電壓穩定準位之持續時間， -分隔一連續列定址信號之時間。 + 一關二行定址信號，依據本發明之方法，其提供 二：£穩疋準位’且至少以下之行定址信號參數其 一係剛述矩陣螢幕中像素之位置之函數： -前述行定址信號之電壓穩定準位之電壓位準， •前述行定址信號之穩定準位之持續時間， -相對於一列定址信號之電a穩定準位之 …信號之電壓穩定準位之信號後緣之不同步持= 23 200912872 間。 有效益性地’列定址信號之電壓位準係矩陣螢幕中列 之編號之函數。 依據本發明之方法所提供，其列定址信號亦可以包含 至）一上方穩定準位（upper plateau)及跟隨其後之一以絶對 值而s係下方穩定準位（lower plateau)之信號，且此下方穩 定準位之電壓位準係矩陣螢幕中列之編號之函數。 此外，本發明亦可以提供，一像素之行定址信號之 性會係該像素所屬之行之編號之函數。 種If況下，具放益性地，一像素之行定址 性係該像素所屬之列之編號之函數。 '之特 依據一變異實施例，列定址信號對於矩 列均具有相同之特性。 赏辱之所有 依據另一變異實施例，每一 址電極之-故戚0义 域被施加至行定 V, 電極终端時、Μ定址之列定址電極遠離該行定址 對值隨之增加。 ^位之電壓位準之絕 依據本發明之另一 行電極將每_待顯變異實施例’在精由定址列電極和 前，-4被：多工模式顯示至矩陣榮幕上之 即，同-液晶結構。有像素’使其均處於同一狀態，意 依據本發明之方法 勞幕上影像之-區it:選擇：地提供’針對只修改矩陣 對應至該區域之列電極、、將—列定址信號僅施加至 24 200912872 依據本發明一較佳實施例，錨定層之塗刷方向正交於 矩陣螢幕之列電極（L1至LN)之方向。 有效益性地，液晶之二穩定液晶結構之個別扭轉方位 其絕對值大約相差15〇。至18〇。。 本發明亦提供，針對只修改矩陣螢幕上影像之一區域 之頒不，其將一列定址信號僅施加至對應至該區 極。 j € —此外，其亦提供，在藉由定址列電極和行電極將待顯 示之2—影像或每一影像區域以多工模式顯示至矩陣螢幕 上之前，一信號被施加至該影像或該區域之所有像素，使 其均處於同一狀態，意即，同一液晶結構。 有效益性地，液晶之二穩定液晶結構之個別扭轉方位 其絕對值大約相差15〇。至18〇。。 本發明亦有關於一種用於定址一液晶矩陣螢幕之方 。°亥方法&供一第二列定址信號被施加至前述列定址電 極之第一終端，及/或使得一第二行定址信號被施加至前 述行疋址電極之一第二終端。 有效益性地，前述之第—和第二列定址信號具有相同 之形狀，及/或前述之第一和第二行定址信號具有相同之形 狀。 依據本發明一有效益性實施例，前述二列定址信號彼 互相同步，及/或前述二行定址信號彼此互相同步。 依據另一有效盃性實施例，前述二列定址信號係相同 之k號，及/或前述二行定址信號係相同之信號。 25 200912872 為控制矩陣螢幕之所有像素，一第一和第二列-定址信 號及/或一第一和第二行-定址信號被分別施加至每一列-定 址電極及/或每一行-定址電極。 有效益性地，前述之第一列-定址信號彼此相同且被一 固定之列間隔時間（TL)所間隔。 有效益性地，其亦配置前述之所有列_定址信號均具有 相同之形狀，且列-定址信號具有至少一信號後緣其同步於 前述行-定址信號之至少一信號後緣。 依據本發明一實施例，前述之列-定址信號具有一第— 穩定準位和至少一中間穩定準位，且前述行_定址信號之至 少一信號後緣係同步於該列-定址信號之該第一穩定準位之 信號後緣或該中間穩定準位之信號後緣。 依據一變異實施例，前述之列-定址信號具有一第一穩 定準位和至少一中間穩定準位，且前述行-定址信號之至少 一信號後緣係不同步於列-定址信號之第一穩定準位之信號 後緣或中間穩定準位之信號後緣。 依據另一變異實施例’前述第一穩定準位之電壓位準 之絕對值大於前述中間穩定準位之電壓位準。 依據另一變異實施例，每一列-定址電極之第二終端不 是試圖連接至一極高阻抗，就是試圖接至—電源產生器 (generator)，該產生器供應之電壓等於該列-定址信號之一 信號後緣可及之電壓。 有效益性地’其將配置成施加至列電極終端之一之每 一列-定址信號具有一數值，其結合每一行-定址信號之數 26 200912872 值後，至少；i以切換位於該列·定址信號所施加於該矩陣榮 幕之側上之列上之約半數像素，無任何信號被施加其他终 端。 、 本發明亦提供一變異，其中之方法包含至少三步驟： 第—步驟對位於行電極之第-終端狀列進行定 址，於此期間，篦—并〜t、 -疋址k號被施加至這些第一终端， 無任何信號被施加至行電極之第二終端，一 '、 -一第二步驟對位於矩陣螢幕中央部分之列進行 :’於此期間，第一行-定址信號被施加至行-定址電極之 弟終端’且第二行-定址信號被施加至行-定址電極之第 二終端， 弟 :―第三步驟對位於行-定址電極之第二終端側之列進 ’於此㈣’第二行4址信號被施加至這些第二终 端，無任何信號被施加至行電極之第一終端。 、 本發明亦有關於一種如前所述之顯示裝置，其 f電路使其可以將前述列-定址信號之特性及/或前述行·； =號之特性視為矩_幕中—待控制像素之 ^ 而對其進行控制。 山數 有政益性地’前述矩陣替篡之徐冬+ — 工型式。 平蛍奉之像素之定址係被動式多 依據本發明之裝置之_音a 二τ 之實細例，列-定址信號具有至小 :同之電壓穩定準位’且控制電路將以下至少一列·定二 進行控制： ”虎之來“"矩陣螢幕中每一像素之位置之函數而對其 27 200912872 -前述電壓穩定準位之電壓位準， -前述電壓穩定準位之持續時間， -二連續列-定址信號之間隔時間。 依據一變異實施例，控制電路將以下至少一行_定址俨 號參數視為矩陣螢幕中之像素之位置之函數而對其進行= 制： -行-定址信號之電壓位準， 行-定址信號之持續時間， -相對於列定址信號之電壓穩定準位之信號後緣之行 定址信號之電壓穩定準位之信號後緣之不同步持續時間 有效益性地，至少一列·定址信號之穩定準位之電壓位 準係矩陣螢幕中之列之位置之函數。 依據另一變異實施例，列_定址信號包含至少一上方穩 疋準位其後跟隨一下方穩定準位，且中央控制電路將該下 方穩定準位之電壓位準視為矩陣螢幕列之位置之函數而對 其進行控制。 节依據另一變異實施例，一像素之行-定址信號之特性係 X像素所在之行編號之函數，且列·定址信號對於矩陣螢幕 之所有列均具有相同之特性。 之錐本發明亦有關於一種在無電場加入時具有二穩定狀態 之又穩態液晶顯示裝置，其包含至少二列控制電路，每一 =控制電路均可連接至一列_定址電極之一終端，因此使得 二:以施加二列-定址信號至列-定址電極之二終端，及/或 _二制電路，每一行控制電路均可連接至每一行-定址電 28 200912872 :::::終：得其可…至少二行-定心至行-定 有效益性地，使其可以定址單— 列控制電路俜於I . 疋址電極之前述二 係於母一列電極具有二輪出端之單—雷玫 戎#且0Γ丨V中1, ™ ’心早電路，及/ 次使其了以疋址早一行-定址電極之及/ 各一 目士 —订控制電路係於 母仃具有二輸出端之單一電路。 減 【實施方式】 為了解決以上所述之問題及缺點， ^ β.χτ ^ , Μ及其他可能出現 ”二示器之缺陷，本發明包含施加-像素信號 二=素-定址參數所定義，且對於-特定溫 1&圍及像素型式，取決於目標像素在顯示n中之空間位 像素P係以其列編號n(例如，η從^至^於掃描之 方向遞增）和其行編號m(m從i至Μ)做為其參照之方式。 據本發月’施加至像素ρ(η ’⑷之像素信號vp變成其在 顯示器中之位置VP(n，m)之函數。 在一多工式定址令，像素電壓VP係於啟動時施加至 八歹!上之電壓和施加至其行上之電壓之差異：VP =

Vc。依據本發明，像素電壓VP變成一 n及/或m之函數， 換5之，列信號變成一 n之函數，VL(n)，及/或行信號變 成一m之函數，vc(m)，以及選擇性地與列相關之函數， VC(m，n)。 依據一顯示於圖1 〇a之第—變異，列_定址信號VL變 成一 n之函數’ VL(n) ’其中η係列之編號，而行-定址信 號VC與m無關。其僅相關於其預定形成之液晶結構。依 29 200912872 據變異至；一列-定址信號之參數係隨列n而變之函 數。 因此其得到· VP⑻=VL(n) — vc，其中VC與m無 關。 依據顯不於第圖l〇b之第二變異，行_定址信號vc :成：，編號m之函數’以及選擇性地肖η相關，而列_ 疋止L 5虎VL則保持與η無關。依據此變異’至少一行-定 址信號之參數係隨行m而變之函數，且選擇性地與歹“相 因此其得到： VP (m) = VL - VC (m) 或 vP(n，m) = VL - VC(n，m) 其中VL與n無關。 在一般情況下，用以定址一像素p(n，m)，前述之第一 和第二變異可以彼此結合，且至少_列_定址信號之參數係

η之函數’同時至少u址信號之參數係瓜之函數且選 擇性地與η相關。 因此其得到：VP(n，m) = VL(n) - VC(m) 或 VP(n,m) = VL(n) - VC(n,m)。 丄舉例而言，此變異中之至少一列_定址信號及/或行·定 址k號之參數可以依據一第一非限定選擇由一 η及/戋出 之函數（線性、多項式、或其他型式)所定義。 依據一第二選擇，舉例而言，至少一列_定址信號及/ 或行-定址信號之參數之變異可以由範圍所定義。一群相鄰 30 200912872 之列或行從而具有此/此等參數之常數值，例如，此常數 可以，但不限於，由一函數所定義。 本發明可施加之參數包含，但不限於： -列定址信號VL之參數： •此列-定址信號VL之每一穩定準位之電壓位準，例 如，當列-定址信號包含雙穩定準位V1L、V2L之時， 此專穩疋準位（就此雙穩定準位而言係T 1，之持 續時間， ’ •以及列間隔時間TL -行定址信號V C之參數； •行-定址信號每一穩定準位之電壓位準 •此等穩定準位之持續時間，

特徵由一電壓位準和一 一持續時間所界定

號VCm之變異對此不均勻問題做出 疋址信號，例如， ’每—穩定準位之 。其亦可以考慮不 段疲’其出現於所有列 現’本發明藉由一行信 補償。舉例而言，Vc0卜 31 200912872 或tc、ATc、Vcomp被修改成一 m之函數。利用同步變異 △Tc之優點在於其不會導入RMS電壓之空間變異。 舉例而言，為橋正前述之切換瑕疫，即出現於所有行 之終端或"結束"處而於ZRCC中發現之"U中有T”型瑕疲， 本發明藉由一列信號VL(n)之變異對此不均勻問題做出補 償，以促使對應至行終端之列，意即例如圖7區域ZRCc 内之列，切換至U。 舉例而言’為矯正前述之切換瑕疵，即出現於掃描方 向月ό面數列處而於ZRMS中發現之"T中有u”型瑕疲，本 發明藉由一列信號VL(n)之變異對此不均勻問題做出補 償，以促使前面數列切換至T。 因此，藉由適當地將列-定址信號變成一 n之函數，本 發明得以同時矯正前述出現於和zRCC中之瑕疲。 I..' 依據本發明，其注意到在一特定溫度之下，於使用雙 穩疋準位V1L和V2L之列-定址信號之定址動作期間，降 低V2L之絕對值導致液晶結構τ之發生而增加v2l之絕 對值則促使液晶結構U之發生，其將使得此二種矯正現象 均得以發生。此情形下’本發明之實施包含將机之振幅 視為一 η之函數而變化之，在前面數列使用一稍低之v2l 值（促使切換至τ)而在最末列使用一稍高之V2L值（促使切 換至U)。 第i〇C圖和第1〇d圖描述用於前述顯示器之一實施範 例。第二穩定準位V2L之電壓於第L1列之值等於v2Unit 而在最末列LN之值等於V2Lfin。在第⑽圖中，v2Unit 32 200912872 和V2Lfin之值分別等於6俠姓 仇特和8伏特。v 在其他列之 中間值係由一二次型式之公式計算而得.在 V2L(n) = V2Linit + a(^1)2 V2Linit(n=l) = 6 伏特 V2Lfin(n=N = 312)：=8 伏特 其他參數，其係固定 ^ 疋的（在一特定溫度下，此處係 25°C) ’意即其並非n之函數，包括： 第一步驟： f 雙極性方波型式，振φ5 一 依1¾ 25伙特之前置τ信號施加2 毫秒二次。 第二步驟： 雙極性列信號’第—極性+25伏特持續250微秒 而第二極性： V1L _25 伏特；Tl=25〇 微秒；T2 = 120 微秒；TL = 5 〇微秒 VC〇1 — 4·5伏特對於液晶結構ϋ and Vc = 0伏特對 於液晶結構T，等等

Tc = Τ2 Vrms = ! 9 伏特 第圖11顯不以此方法顯示之一影像。在ZRMS和ZRCC 區域之拉近畫面顯示之前圖9所述之瑕疵已然消失。 圖12表示—諸如圖7之矩陣螢幕，其具有用以定址列 電極之電路DRL以及行-定址電路DRC。此外，一中央控 制電路CC使其得以控制定址電路以驅動列和行之定址， 並如前所述將列-定址信號和行-定址信號之特性視為列和 33 200912872 行之位置之函教而甘 ώ數而對其進行控制。 灰階位準月田然可應用於顯示器之所有部分以獲得均勻之 1本，明亦有關於用於以被動式多工模式定址之液晶顯 不益之定址方法，並中—石丨^ 八甲—列-又址信號和一行信號被施加至 疋址電極和仃_定址電極之終端。在此依據本發明之方 s疋址號亦被施加至前述列-定址電極及/或行-定址 電極之另-端。以下將進一步詳細說明此方法之原理。 依據#限定之較佳實施例，定址動作之執行係利用" 驅動器”型之控制電路。 依據隻異，至少一列-定址電極係以依據本發明之方 式定址。圖13a描述—矩陣螢幕，其包含—列_定址電極 ::::電極被歸類於同一名稱L之下，列_定址電極h包 3 -弟-終端ELn其上施加一第_列_定址信㉟I，以 及-第二終端ELni其上施加一第二列·定址信號I，。 依據-變異，顯示器之所有列-定址電極均係以依據本 發明之方式定址。13b描述一矩陣螢幕，丨中每一列u 至ln之電極均透過一第一終端EL1至eln由一第—列 定址信號VL1至VLN及透過-第二終端如，至卿，由一 弟二列-定址信號VL1，至VLN，進行定址。舉例而言，行定 址電極係過單一終端依據目前之技術進行定址。 依據-變異實施例’至少H址電極係以依據本發 明之方式定址。 依據另-變異實施例’顯示器之所有行4址電極均係 34 200912872 以依據本發明之方式定址。圖13c描述一矩陣螢幕，其 中每一行ci至CM之電極均透過一第一終端Ε(：1至EcM 由一第一行-定址信號VC1至VLM及透過一第二終端EC1， 至ECM’由一第二行-定址信號vci，至VCM·進行定址。第 L1至LN列係透過單一終端EL· 1至ELN由一列-電極信號 VL1至VLN進行定址。 變呉興施用至行之發明 其亦可以將施用至列之發明

-…—— ，一 N 另一變異加以結合。圖13d描述此一結合，其結合依據本 發明對所有列及所有行之定址。 依據一變異，列-定址信號及/或行-定址信號係藉由透 過連接走線連接至列-定址電極及/或行-定址電極之終端之 至少-控制電路而獲得。圖14a描述所有列u至與一 控制電路DRL1之連接，此連接係透過走線pu至⑽， 讀出端cim.i至dril則第一終端EL1至ELN，以及與 —控制轉DRL2之連接，此連接係透過走線PL1,至PLN，， 從輪出端drl2· 1至dH2 N $，丨笛_处 王aru.N到第二終端eli，至ELN，。 圖14b描述所有行匚]$ pm & t 、奎 仃1至CM與一控制電路DRC1之 迷接’此連接係從輸出端d % drcl.l 至 drcl M 到第一終端 E(：1 主ECM，以及與—控制電 屮# 峪DRC2之連接，此連接係從輸 出柒drc2.1至drc2.M到第-坎@

5 τ 弟一終舄ECΓ至ECM，，同時第LI 至列以一標準方式連 φ ^ 丧主控制電路DRL1，其僅透過 輸出端drll.l至drll.N連接 伐主第一終端EL 1至ELN。 依據另一變異，單一列 號少一 卜疋址電極及/或單一行-定址信 化之—終端係透過走線連 主早"'控制電路。圖15描述 35 200912872 第—終端ELI至ELN和第二終端EL1，至ELN，分別透過走 線PL1至pln和走線PL1’至PLN，，與單一控制電路DRL3 之連接，控制電路DRL3對每一列均包含二輸出端川3」 至 drl3.N 以及 “π·!，至 dri3 N,。 依據3 .變4，依據本發明施加至二終端之定址信號 係同步的。 的。 依據另一變異，施加 終端之定址信號係相同型式 攸媒另一變異，施加 圖15控制電路DRL3之 &祉特就係由一諸 、用控制電路所提供之單一信號 —僅適於改善放電之變 準定址信號至帶狀結構之—端糸透過-控制電路施加-標 -二進位信號至另—端而透過-開關型元件施加 高阻抗維持所加之電壓，就是—帶狀結構均如此：不是極 了時得到預定之電壓位準。2 ,低m抗連結’以在放電終 電，而非被動式顯示定址所田利用—較簡單之元件加速放 本發明適合僅對螢幕上之一。。兀件。 要求僅顯示新的内容，而影像一區域進行定址之動作，其 定址）。 ’、他。卩分則維持不變（部分 本發明適合於二步驟定址，—上 一狀態，意即單一液晶結構，。式圖使所有像素變成同 據標準多工模式執行定址之第^第共同步驟，以及一依 本發明施加至電極第二終〜步驟。有效益性地，依據 間。 ^號亦施用於篦 也 J 印％弟—步驟期 36 200912872 本發明適合於得到如先前技術所描述之灰階水準。 依據先前技術所述’列啟動信號V1L至VNL對於所 有之列均相同，其等於VL。 依據本發明一效益性實施例，相同之定址信號’其係 矩陣螢幕中像素位置之函數，施加至列_定址電極及/或行_ 定址電極之二終端。 本發明亦適用於一主動式雙穩態顯示器，其每一像素 均包含一電晶體，如文件[7]所述。在此型顯示器中，列信 號僅係用以"開啟，，電晶體，因此在此例中，本發明僅包含 行信號之空間調變。 本發明更進一步包含其他優點。 一第一優點係使用Binem®型雙穩態技術以製造大尺 寸顯不器（A5、A4或更大之格式），此乃基於Rc效應之可 能墙正作用。 ，、餘三優點亦基於本發明之實施中Rc效應之可能 正作用。首先，一導電性較低之IT〇(意即，電阻較大 其因此較薄，且對於使用於顯示器之電極更為經濟。其攻 其可以於液晶盒中使用-電容性較高之液晶，此等液晶 電場具有較大之敏感度。第Ζ，其可以想像顯示器之液 盒厚度可以降低，因本發明之實施對於像素電容之增加 以有所補償。 处另—優點在於，前述瑕疵之矯正增加顯示器控制之 此性，意即，增加驅動參數之最佳範圍。另—優點在於 面更新率之增加，依據先前技術，在未使用本發明時， 37 200912872 需要提升時間框長度以降低或移除某些切換瑕疵。 參考文件： 文件[1]:美國專利 6327017 文件[2]: I.Dozov et al, "Recent improvements of bistable nematic displays switched by anchoring breaking (BiNem)", Proceeding SID 2001, p 224-227 文件[3]: P.Martinot Lagarde et al，SPIE vol. 5003 (2003), p25-34 文件[4]: M.Giocondo, I.Lelidis，I.Dozov, G. Durand， Eur. Phys. J.AP5, 227 (1999) 文件[5]:: I.Dozov, Ph.Martinot-Lagarde, Phys. Rev. E., 58, 7442 (1998). 文件[6]:法國專利2835 644 文件[7]:美國專利申請案2006-0022919 文件[8]..PCT/FR2007/050965 文件[9]: WO 2004/104980 文件[10]: WO 2005/054940 文件[11]: WO 2005/054941 文件[I2]:法國專利0753626 【圖式簡單說明】 配合以下所附圖式及說明將使得本發明之各種目的和 特徵趨於明顯，其中： ~圖1概略地顯示一 BiNem型雙穩態顯示器之示意 圖， 38 200912872 •圖2描述一雙穩定準位像素定址信號之實例，此俨 號之電壓位準(V1P、V2P)和有效信號後緣係—穩定準： V2P之電壓位準之函數； 圖3描述一多工被動式定址液晶矩陣螢幕之結構； -圖4描述一 BiNem型被動式螢幕之二步驟定址之實 描述應用使其 壓值之方法之時序圖； 一-圖6a和圖6b描述一雙穩定準位列定址信號之量 貫例，其包括位置極接近連接控制電路處之情形以及位 遠離該連接之情形； •圖7概略地顯示一料榮幕式之顯示_，以及此4 中由於時間常數RC對切換動作之 同區域； 」恥天具之q 俜位二8纟示一具有顯示瑕疲之螢幕，瑕朗在之“ 位於通離定址信號施加之列及行電極之終端處； 圖9表示一亦具有顯示瑕疲之螢幕相片； -圖！〇"，議例示依據本發明之方法之實施例； 信二:=概―™ 表示數螢幕相片，依據本發明，其沒有顯示瑪 :U表示依據本發明一矩陣螢幕之控制電路； 13描述本發明之不同變異。 J茭吳圖13a描述本發明被 39 200912872 施加至—顯示列之變異。圖1 3b描述本發明被施加至所有 ’頁不歹丨之變異。圖1 3 c描述本發明被施加至所有顯示行之 & ,、圖13 d描述本發明被施加至所有顯示列及所有顯示 行之變異。 -圖14描述本發明使用控制電路之變異。圖i4a描述 ^月之—變異，其中列-定址電極於其每一終端連接至〆 電路。圖14b描述本發明之一變異，其中行_定址電極 於其每一終端連接至一控制電路。 圖1 5描述本發明之一變異，其中列-定址電極之二 終端連接至單一控制電路。 【主要元件符號說明】 10 從屬平板 11從屬基板 12 從屬電極 14 從屬錨定層 20 主要平板 21 主要平板基板 22 主要平板電極 24 主要平板錯定層 26 流體動力連結 28 彈性連結 3 〇 液晶層 46 掃描方向 50行導電帶 40 200912872 52 列導電帶 Cl-CM 行-定址電極 CC 控制電路 DRC/DRC1/DRC2 行控制電路 DRL/DRL1/DRL2/DRL3 列控制電路 drc 1.1-drc 1 .M 行控制電路輸出端 drc2.1 -drc2.M 行控制電路輸出端 drll.l-drll.N 列控制電路輸出端 drl2.1-drl2.N 列控制電路輸出端 drl3.1-drl3.N 列控制電路輸出端 drl3.r-drl3.N’列控制電路輸出端 E 電場 EL1-ELN/ ELl'-ELN' 列-定址電極之終端 EC1-ECM/ ECl'-ECM' 4亍-定址電極之終端 FLld/FL2d 列起始處之定址信號後緣 FLlf/FL2f 列結束處之定址信號後緣 Η 南電場作用下之垂直配向液晶結構 L1-LN 列-定址電極 P(n,m) 像素 PLl-PLN/PLl'-PLN' 走線 pi 1 -pl3 像素信號範圍 T 扭轉式液晶結構 T1/T2 列-定址信號穩定準位持續時間 tc 行-定址信號持續時間 41 200912872 u 均勻式/弱扭轉式液晶結構 VP像素信號 V1P/V2P 像素信號穩定準位

Vpre 列啟動信號 VLl-VLN/VLl’-VLN’ 列-定址信號 VC1-VCM/VC1,-VCM,行-定址信號 V1L/V2L 列·定址信號穩定準位

Vcol 行-定址信號穩定準位

Vcomp行補償信號 V2Linit V2L在第L1列之值 V2Lfin V2L在最末列LN之值 ZRCC 行帶狀結構結束區域 ZRCL 列定址電極結束區域 ZRMS 前面數列帶狀結構 ATc 行列定址信號信號後緣不同步差異

Claims (1)

1. 200912872 十、申請專利範園： 1 · -種用於定址在無施加電場時具有二穩^狀態之雙 ，、態向列型液晶矩陣榮幕之方法，該螢幕包含其間置有液 晶之-第-基板和—第二基板，該第_基板包含列-定址電 極（L1至LN)，而s亥第二基板包含行-定址電極⑹至〔μ)， 該定址電極之型式係導電帶狀結構，每一像素自一穩定狀 態至另一穩定狀態之切換係由一切換電壓脈衝所控制該 電麼脈衝之形成係以至少—列4址信號⑽至vln)施加 至該列-定址電極（L1至LN)之一第一終端（EL1至則)及 以至少-行-定址信號（VC1至VCM)施加至該行_定址電極 ⑹至CM)之一第一終端（EC1至職），該方法特徵在於： 用以切換該矩陣榮幕中—像素之該列七止信號之特性及/ 或該行-定址信號之特性係該矩陣螢幕中之該像素之位 函數。 ▲ 2·如巾請專利範圍帛丨項所述之方法，其特徵在於， 該矩陣螢幕中像素之定址係被動多工之型式。 3.如申請專利範圍帛2項户斤述之之方法，其特徵在於， 該列-定址信號具有至少一電壓穩定準位，且該列-定址俨 號之至少-以下參數係該矩阵螢幕中每—像素之位置之^ 數： -該電壓穩定準位之電廢位準； -該電壓穩定準位之持續時間；以及 •二連續列·定址信號之間隔時間（TL)。 4.如申請專利範圍帛3項所述之方*，其特徵在於， 43 200912872 該列-定址信號具有至4、-雷歐； w、令主乂 一電壓穩定準位（V1L，V2L)，且該 列-定址信號之至少-以下參數係該矩陣榮幕中每—像素之 位置之函數： -該電壓穩定準位之電壓位準（Vil,V2l)，· -該電壓穩定準位之持續時間（T1，T2);以及 -二連續列-定址信號之間隔時間（TL)。 5.如申請專利範圍第2項至第4項其中一項所述之方 法，其特徵在於，該行-定址信號具有至少一電壓穩定準位， 該行疋址信唬之至少一以下參數係該矩陣螢幕中像素之 位置之函數： -該行-定址信號之該電壓穩定準位之電壓位準； _該行定址信號之該穩定準位之持續時間（tc); -相對於一列-定址信號之一電壓穩定準位之一信號後 緣之該行定址信號之該電壓穩定準位之信號後緣之不同步 差異數值（△ Tc)。 6·如申請專利範圍第3項或第4項其中—項所述之方 法’其特徵在於，該列_定址信號之至少一電壓穩定準位之 電壓位準係該矩陣螢幕中之列編號之函數。 7·如申請專利範圍第4項所述之方法，其特徵在於， 。亥列-疋址信號包含至少一上方穩定準位（vil)其後跟隨一 =絕對值而言係丁方穩定準位（V2L)之信號，且該下方穩 定準位之電壓位準係該矩陣螢幕中之列編號之函數。 8.如申請專利範圍第〗項至第4項中任何一項所述之 方法，其特徵在於，一像素之該行-定址信號之特性係該像 44 200912872 素所屬之行之編號之函數。 其特徵在於， 之列之編號之 9.如申請專利範圍第8項所述之方法， 一像素之該行·定址信號之特性係該像素所屬 函數。 其特徵在於， 均具有相同特 10.如申請專利範圍第8項所述之方法， 該列-定址信號對於該矩陣螢幕中之所有 性。 > 11.如巾請專利範圍第7項所述之方法，其特徵在於， I仃定址信號被施加至該行定址電極之一終端，且當被 :址之列定址電極之位置係遠離該行定址電極之該终端 ::該列定址信號之該下方穩定準位(VL2)之電麼位準之 、、-巴對值隨之增加。 12·如上述申請專利範圍第！項至第4項中任—項所述 法’其特徵在於’在藉由定址該列_定址電極和該行_ 2 ^極將每-待顯示影像以“模式顯示至該矩陣發幕 立之别，一信號被施加至所有像素，使其均處於同一狀態， 忍即，同一液晶結構。 “ 之方|3.如上述中請專利範圍P項至第4項中任_項所述 區域法，其特徵在於，針對只修改該矩陣螢幕上影像之一 Φ ’項不 列疋址信號被僅施加至對應至該區域之列 :4·如上述申請專利範圍帛1項至第4項中任—項所述 該钜ί ’其#徵在於，錨定層(14,24)之塗刷方向係正交於 " 螢幕之該列-定址電極（L1至LN)之方向。 45 200912872 15_如上述申請專利範圍帛】項至第4項中任一項所述 之方法，其特徵在於，該液晶之二穩定液晶結構之個別扭 轉方位其絕對值大約相差1 50。至1 80。。 16.如上述中請專利範圍帛！項至第4項中任—項所述 之方法，其特徵在於，該方法所提供一第二列-定址信號 (VLn，）被施加至該列4址電極（㈣之-第二終端（ELn，）， 及/或提供-第=行_定址信號（VCm,)被施加至該行_定址電 極（Cm)之一第二終端（ECm')。 上々17•如/請專利範圍第16項所述之方法’其特徵在於， 该第一及第二列-定址信號（VLn，VLn，）係相同形狀之信號， 及/或該第一及第二行-定址信號（VCm，VCmi)係相同形狀之 信號。 18·如申請專利範圍第16項所述之方法，其特徵在於， 該二列-定址信號（VLn，VLnl)係彼此同步之信號，及/或該 二行-定址信號（VCm，VCm·)係彼此同步之信號。 19.如申請專利範圍第18項所述之方法，其特徵在於， ，二列-定址信號（VLn，VLn，）係一單一信號，及/或該二行_ 定址信號（VCm，VCm，）係一單一信號。 2〇·如申請專利範圍第18項所述之方法，其特徵在於， 為控制該矩陣螢幕之所有像素’一第一和一第二列_定址信 \及/或第和一第二行-定址信號被分別施加至每一列_ 疋址電極及/或每一行_定址電極。 ^ 21.如申請專利範圍第20項所述之方法，其特徵在於， Π亥第列-疋址信號彼此相同且被一固定之列間隔時間（TL) 46 200912872 所分隔。 22. 如上述申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述 之方法’其特徵在於，該列-定址信號具有一第一穩定準位 (V1L)和至少一中間穩定準位（V2L) ’且該行_定址信號之至 少一彳§號後緣係同步於該列-定址信號之該第一穩定準位之 信號後緣或該中間穩定準位之信號後緣。 23. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其特徵在於， 該列-定址信號具有一第一穩定準位（V1L)和至少一中間穩 定準位（V2L) ’且該行_定址信號之至少一信號後緣係不同 步於該列-定址信號之該第一穩定準位之信號後緣或該中間 穩定準位之信號後緣。 24·如申請專利範圍第22項中所述之方法，其特徵在 於，該第一穩定準位（V1L)之電壓位準其絕對值大於該中 間穩定準位（V2L)之電壓位準。 25.如申請專利範圍第16項所述之方法，其特徵在於， 每一列-定址電極（L1至LN)之第二終端（ELI，至ELN，）不 是連接至一極高阻抗就是連接至一電源產生器，該電源產 生為供應之電壓等於該列_定址信號之一信號後緣可及之電 壓。 26·如申請專利範圍第16項所述之方法，其特徵在於， 施加至該列電極一終端之每一列-定址信號具有一數值，其 5母行-疋址#號之數值，至少足以切換位於該列_定 址信號所施加於該矩陣螢幕之侧上之列上之大約半數像 素，無任何信號被施加至其他終端。 47 200912872 27.如申請專利範圍第16項所述之方法，其特徵在於， 該方法包含至少三步驟： -一第一步驟對位於該行-定址電極（C1至CM)之第一 終端（EC1至ECM)側之列（PL1)進行定址，於此期間，第一 行-定址信號（vC1至VCM)被施加至該第一終端（Εα至 ECM)’無任何信號被施加至該行_定址電極之該第二終端； -一第二步驟對位於該矩陣螢幕中央部分之列（pL2)進 行定址，於此期間，第一行-定址信號（VC1至VCm)被施 加至該行-定址電極（CI至CM)之該第一終端（Εα至 ECM)’且第二行-定址信號（VC1，至VCM，）被施加至該行_ 定址電極（C1至CM)之該第二終端（EC1，至ECM,);以及 -一第三步驟對位於該行_定址電極（C1至CM)之該第 二終端（EC1'至ECM')側之列（PL3)進行定址，於此期間，第 二行-定址信號（VC1，至VCM，）被施加至此等第二終端（EC1, 至ECM )，無任何信號被施加至該行電極之該第一終端。 28.—種顯示裝置，其運用上述申請專利範圍任一項所 述之方法，特徵在於其包含一在無施加電場時具有二穩定 狀態之雙穩態向列型液晶矩陣螢幕，該螢幕包含其間置有 液晶（XL)之一第一基板和一第二基板（S1，S2)，該第一基板 (si)包含列-定址電極（L1至Ln)，而該第二基板（s2)包含行 疋址弘極（C 1至Cm) ’該列定址電極（L i至Ln)被逐列定 址，而所有該行-定址電極（C1至Cm)在每一列之啟動時間 破同時定址’每一像素自一穩定狀態至另一穩定狀態之切 換係由一切換電壓脈衝所控制，該電壓脈衝之形成係以至 48 200912872 少一列-定址信號（VLI至VLn)施加至該列_定址電極⑹至 L_n)r/且以至少一行-定址信號（vci至心）施加至該 ^疋址電極（C1至Cm)之—，該顯示裝置特徵在於該顯示 衣置包卜控制電路（cc)使其可以將該列4址信號之特性 及/或该仃-定址信號之特性視為該矩陣螢幕 素之位置之函數以進行控制。 制像 29·如申請專利範圍第28項所述之顯示裝置，其特徵 在於，該矩陣螢幕中該像素之定址係被動多工之型式。 ⑽中請專利範圍帛29項所述之顯示裝置，其特徵 於，δ亥列.定址信號具有至少二不同電麼穩定準位⑺^ V2L)，X該控㈣路（cc)將該列七止信號之至少一， 參數視為該矩陣發幕中每-像素之位置之函數而對其進行 控制： 叮 -該電屡穩定準位（V1L，V2L)之電壓位準； -該電壓穩定準位之持續時間（T1, T2); -二連續列-定址信號之間隔時間（TL)。 ”·如申請專利範圍第項其中一項所 叙置，其特徵在於’該行定址信號包含至少一電壓穩定： 位，且該控制電路(CC)將該行_定址信號之至少一以 現為該矩特幕中像素之位置之函數而對其進行控制： •該行-定址信號之該穩定準位之電壓位準·， -該行定址信號之該穩定準位之持續時間（tc); ▲ - _於該列定址信號之電壓穩定準位之信號後緣之 该行-定址信號之該電壓穩定準位之信號後緣之步差異 49 200912872 數值（△ Tc)。 32·如申請專利範圍第30 在於，該列·定址信號之至少一 陣螢幕中之列之位置之函數。 項所述之顯示裝置，其特徵 穩定準位之電壓位準係該矩 33.如申％專利範圍第32項所述之顯示裝置，其特徵 在於’該列-定址信號包含至少一上方穩定準位(vil)其後 跟隨—以絕對值而言係下方敎準位（V2L)之信號，且該 控制電路將該下方穩定準位之電壓位準視為該矩陣螢幕中 之列編號之函數而對其進行控制。 q 34.如中請專利範圍第28纟31項中任何—項所述之顯 不扁置，其特徵在於，一像素之該行_定址信號之特性係該 像素所在之仃編號之函數，且該列-定址信號對該矩陣螢幕 中所有之列均具有相同之特性。 ^ 35·如申凊專利範圍第28至30項中任一項所述之顯示 裝置，其特徵在於其包含至少二列控制電路（drU i至 l.N drl2.1至drl2.N)，每一該列控制電路可以分別連 接至每列·定址I極之一終端（ELI至ELN、ELI'至 )而口此使其可以施加二列-定址信號（VL 1至VLN、 VL1至VLN')至該列_定址電極之該二終端至eln及 ELI至ELN’）’及/或二行控制電路（drcl」至心扎河、心心」 至drc2.M) ’每一該行控制電路可以分別連接至每一行定 電極之終编（EC 1至ECM、EC1，至ECM1)，而因此使其 可乂施加一行-疋址信號（Vci至VCM、VC11至VCM，）至 忒行-定址電極之該二終端（EC1至ECM及EC1，至ecm，）。 50