TW200911920A

TW200911920A - Fabrication process for nanotube-CMOS integration

Info

Publication number: TW200911920A
Application number: TW097110229A
Authority: TW
Inventors: Keum-Suk Seo; Byeong-Uk Nam; Jun-Seok Jeong
Original assignee: Shinil Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 2007-03-21
Filing date: 2008-03-21
Publication date: 2009-03-16
Also published as: JP2008231426A; KR100839173B1; CN101280102A

Description

200911920 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明有關一種含有奈米碳管（CNT)之傳導性改質聚苯謎（MPPO)樹脂組合物’更詳言之’係有關一種藉由含有：（a)聚苯醚20〜60重量％、（b)玻璃纖維1〇〜3〇重量％、（c) 無機填充材10〜20重量。/〇、（d)奈米碳管0.5〜5重量％、及（e) 高度耐衝擊聚苯乙烯10~30重量％，而具有優異之耐熱性、尺寸安定性及導電性之MPPO樹脂組合物。

【先前技術】先前之晶片托盤（IC Tray)，主要係由在丙烯腈_ 丁二烯_ 苯乙烯（ABS)、聚苯醚（PP0)或聚氧化二甲苯（ppE)、聚颯 (PSF)或聚醚砜（PES)樹脂中，混合以碳纖維（Carb〇n 或傳導性碳黑（Carbon black)，及在必要時混合其他之無機填充材（玻璃纖維、滑石、雲母、矽龙π楚、二山 ^ ^矽及石4 )而成之混合樹脂所製造。特別是碳黑或碳纖維，會對半導體晶片托盤賦予傳導 2 ’為了防止半導體晶片托盤之靜電，其等係屬一種必需 2有物。坆是因為’若未添加此等碳黑或碳纖維，半導體晶片托盤上產生之靜電’會有將半導體晶片托盤上之金導線短路等之問題，而使半導體之製造因難。然而’碳纖維或傳導性碳黑係高價之原料盤之製造費用上占不小的比重。又，…牛導體托維，部又面對著全世界供給不足纖使用凊况按奴纖維全世界用里之70至80%係由日本生產，但其幾乎大部分之物量 129819.doc 200911920 係用於飛機製造（AirBus、B()eing公司），因此傳導性托盤之製造所使用的物量，其供給並不安定。此外，導因於半導體集約化技術之發展，封裝部分之污染頻繁之問題層出不窮，而有碳纖維之使用逐漸困難的傾向。又，隨著半導體及電氣電子零件之靜電放電（electr〇 dischage ESD)區域，由傳導性領域（表面電阻：103〜ΙΟ5 Ω)轉換到半-傳導領域（表面電阻：105〜109Ω)，作為既存素材之碳纖維，無法賦予傳導性之領域的製品極多。因此’最近在電氣、電子及半導體業界之封裝領域，正努力開發可賦予半-傳導性或靜電放電性之素材及原料。特另丨疋本發月人採用迄今在本發明領域中從未曾使用過之奈米碳管為素材進行嘗試。奈米碳管（Carbon Nano Tube ; CNT)，係一種與一個碳原子相鄰的三個碳原子以sp2形態鍵結，藉由此種碳原子間之鍵結而形成六角環形，由此種六角環形如蜂巢形態般之重複的平面扭轉所形成之圓筒形或管子形態之巨大分子。據知其直徑為數A至數1〇 nm，其長度可展現數1〇倍至數千倍以上之長特性。根據此種奈米碳管，奈米層級之石墨面係呈現圓筒構造作圓形捲繞之形態，依其大小或形態具有獨特之物理性質，其剛度可達5 TPa程度之與金屬同等或更高的強度，其構造依其直徑差可展現自絕緣體以至半導體、金屬性質之特性。奈米奴管係如此般之具有優異之力學堅固性及化學安定 129819.doc 200911920 f ’可呈現半導體與導體之所有性質，兼具直徑小、長产 :二Γ之特徵，因此作為平面顯示元件、電晶體、：冑了期4展現優異之性f，特別可充分活用作為奈米尺寸錢之各種電子元件。 S發明人為解決先前含有碳纖維之MPP0樹脂組合物之問嘁，即封裝部分之污染、半導體表面電阻之不適合、射出 =部位之無電阻及供需不安定等之問題，對於碳纖維之代素材銳忍研究’結果確認若利用奈米碳管製造半導體晶片托盤’可展現較先前高之表面電阻，在呈現改善之耐熱性、尺寸安定性及剛性的同_，具有優異之㈣特性其表面外觀特徵，終而完成本發明。是以’本發明之目的係在提供—種半導體晶片托盤用改質聚苯越樹脂組合物，含有奈米碳管，可展現適合之表面電阻’優異之耐熱性、尺寸安定性及剛性。本發明之又-目的，係在提供—種由上述半導體晶片托盤用改質聚苯㈣脂組合物成形之半導體晶片托盤。【發明内容】本發明係一種改質聚苯醚（MPP0)樹脂組合物，其特徵 f於含有：（a)聚苯醚20〜60重量％、（1))玻璃纖維1〇〜3〇重里/。、（c)無機填充材1〇〜2〇重量％、（幻奈米碳管〇 5〜5重量 %、及（e)高度耐衝擊聚苯乙烯1〇〜3〇重量％。將與此相同之本發明更詳細說明如下。本發明係有關一種藉由含有：（a)聚苯醚20〜60重量。/。、 (b)玻璃纖維10〜30重量％、（c)無機填充材1〇〜2〇重量％、 129819.doc 200911920 (d)不米奴官〇,5〜5重量％、及（e)高度耐衝擊聚苯乙烯切〜川重量。/。，®而具有優異之耐熱性、尺寸安定性及導電性之 MPPO樹脂组合物。本發明之改質聚苯醚樹脂組合物，除上述（a)至（e)之必要成分外，在無損本發明目的之範圍内，還可追加含有此邊域中廣泛使用之添加劑。添加劑之含量只要無損本發明之目的，並無特殊限制，通常含有〇〇1〜1〇重量％。

上述改質聚苯醚樹脂組合物，可廣泛使用於需要傳導性或半-傳導性之製品，特別是好用於製造半導體晶片托盤。本發明之改質聚苯⑽樹脂組合物，耐熱性、尺寸安定性及剛性優異，t品外觀良好，特別是因含有奈米碳管，可呈現適用於半導體晶片托盤之表面電阻，可有效地用於半導體晶片托盤之製造。 (a)聚苯瞇（PPO)之製造本發明之MPPO組合物含聚苯醚樹脂。聚笨醚樹脂可使用本發明所屬範疇中-般使用者，但宜為樹脂之固有粘度為〇.3〜0.5 dl/g者，更好的是固有枯度為G 4啊者。當樹脂之固有粘度未達0.3 dl/g時製品之衝擊強度會降低，：之若上述时粘度超過0.5，因流動性不良之故，會有玻璃纖維浮出表面’或產生成形性降低的問題。上述pp〇樹脂可以業界廣知之方法合成使用，或是選擇市售者使用0 中期望能含有20〜60重量上述PPO樹脂在本發明組合物 129819.doc 200911920 °/0 °萬一 PPO樹脂之含量未達2〇重量％時，表面外觀會變差，翹曲特性也會趨劣，以致可能有耐熱性降低之問題發生’而當本發明樹脂含量超過60重量％時。會有尺寸安定性及剛性降低之缺點，流動性變差，不令人滿意。 (b)玻璃纖維本發明之MPPO樹脂組合物含有玻璃纖維。玻璃纖維並未限定特定種类員，可使用一般使用之各種玻璃纖維。惟，宜使用由胺基矽烷被覆之玻璃纖維或由乙烯基矽烷被覆之玻璃纖維，更好的是使用由胺基料被覆之玻璃纖維。例如’可使用玻璃纖維之直徑為2〇 μιη以下，長度為1英对以下之針狀、寬刀狀、球狀之玻璃纖維，屬於上述範圍之玻璃纖維可複合使用一種或兩種以上。之耐熱溫度，賦予尺寸直徑3 μηι至1〇之玻玻璃纖維具有可提高半導體托盤安定性之機能，因此，可特別使用璃纖維。又，玻璃纖維因具有增加Mpp 树脂組合物之機械剛性之機能，在本發明組合物中宜含有1〇〜3〇重量％纖維含量未達1〇重量%時，無法發揮令人滿意之剛性二導體晶片托盤製作時會有不適合 ρ w。之情形，而當含量重量％時，樹脂表面會有粗輪。 <之情形，以致有製良的問題。規不 (C)無機填充材本發明之MPPO樹脂組合物又人 „ 含有無機填充材，且古^ 止製品翹曲特性之功能。作為無一有防 …、機真充材，例如可使用_ 129819.doc -10- 200911920 氧化矽（Si〇嶺土等等，定之種類。 2)、氧化鎂（MgO)、滑石也可因應必要使用其他之、碳酸約、石綿、高無機物’並未限定特發月中作為無機填充材，較佳的是使用由二氧化石夕6〇〜75重量％與氧化雜g〇)25〜4()重量％混合成之無機填充材。在托盤之製&中，無機填充材之平均粒徑宜為4〜6 μπι。。上述無機填充材在本發明組合物令宜含有10〜20重量 %。萬-無機填充材之含量未達10重量％時，製品可能：有翹曲的問題，若超過20重量％’則製品之衝擊強度合降低，外觀也會趨劣，是為其缺點，同時比重也會增加，不令人滿意。 (句奈米碳管本發明之MPPG樹脂組合物，含有奈米碳管是其重要特徵。奈米碳管係含於組合物中，可賦予製品之表面電阻，發揮靜電防止機能。本發明之奈米碳管，可無限制地使用單—壁奈米碳管 (Singie Wall Nano Tube，SWNT)或多重壁奈米碳管（_二

WaU Nano Tube，MWNT)，但基於價格相對上極為便宜且易於分散之理由’多重壁奈米碳管較佳，使用多重壁奈米碳管時，宜為具有2〜5個壁者。上述奈米碳管之平均直徑為5〜3〇㈣，特別好用的是約 μη^。又，奈米碳管之平均長度為卜2Q _，特別好的是 129819.doc 200911920 約10_者，其較易於表現表面電阻β 上述奈米碳管在本發明組合物 e9 , 且s有0·5〜5重量％。特別疋在本發明中藉由以特 4辄固含有奈米碳管，之表面電阻值之外，還有另除了優異法盔法撙;r D之利點—使用碳纖維無无…、居獲传之閘電阻值可以盘矣 —^ 興表面電阻值相同之水準被測疋。萬一當奈米碳管之含量耒t 、早田姝未達0.5重量°/。時，因傳導性賦予困難，可能會發生無法曰0/± 砰电之機能’而若超過5重 3： /。時，則會有難以獲得 „ ^ 于付σ本發明目的之水準的表面電阻’或是材料原價提高等之缺點，不令人滿意。 =义要時’本發明之奈米碳管可與適當量之碳纖維一起使用。例如，奈米碳管少量含有時，為獲得更佳表面電二值’有時會一起添加碳纖維，例如有時可一齊使用奈米碳管〇,5至1重量％與碳纖維丨至〗5重量％。 (e)高度耐衝擊聚苯乙稀本發明之MPPO樹脂組合物含高度财衝擊聚苯乙稀 (HIPS)，高度耐衝擊聚苯乙烯，例如可將橡膠與芳香族一烯基早體及/或烷基酯單體混合熱聚合而成，或是在其中使用聚合起始劑令其聚合而製成。上述橡膠係選自包括丁二稀型橡軸 '異戊間：烯型橡膠類、丁：烯與苯乙稀之共聚物橡膠類、丙烯酸烷酯橡膠類之群組，使用3〜3〇重量 %，宜使用5〜15重量％。又，上述單體係選自包括芳香族烯基單體、丙烯酸或甲基丙烯酸之烷酯的群組，可投入選自上述群組之1種以上之單體70〜97重量份，宜投入85〜95 重量份製造》 129819.doc -12- 200911920 本發明之高度耐衝擊聚苯乙烯（HIPS)樹脂，在聚合時可在起始劑不存在下以加熱聚合而聚合，或是在聚合起始劑存在下聚合。作為上述聚合起始劑，可選擇使用包含過氧化苯烯、第三丁基化過氧氫、乙醯化過氧、枯烯化過氧氣之過氧化物系起始劑，及如偶氮二異丁腈般之偶氮系起始劑中之一種以上。 °

高度耐衝擊聚苯乙稀（HIPS)樹脂可以塊狀聚合、懸浮聚合、乳化聚合或此等聚合方法之混合方法製造，此等聚合方法中，較好用的是塊狀聚合法。 σ 高度而才衝擊聚苯乙_IPS)樹脂係含於本發明組合物中，改善其耐衝擊性，在半導體晶片托盤射出時使其射出机動性良好化’使製品表面優良化，提高射出量產性為其功用。上述高度耐衝擊聚苯乙稀宜在本發明組成物中以10〜30 。重罝％含有。萬一高度耐衝擊聚苯乙烯之含量未達10重量 %時，製品外觀及射出流動性可能會有轉劣的問題，若超 =30重里％，則會有耐熱性急劇降低之缺點，不令人滿思、0 發:：改質聚苯_脂組合物，除上此領域慣常使用：！的之範圍内，還可追加含有之添加劑。添加劑包括此業界常見之偶合次或一:人抗氧化劑、紫外工潤滑劑及帶電防止劑等…因應必要，還=劑、加 (Pigments)、成核劑f ’、、 "叾有顏料等4。添加劑之含量通常為0.01〜10重 129819.doc 13 200911920 量％。述偶σ劑之使用目的係為提高與本發明中所使用之苯驗、聚苯乙稀或無機填充材之接著強度，作為上述偶合劑，係使用胺基矽烷系、胺基鈦等等。上，-次或二次抗氧化劑及熱安定劑，係為防止本發明之聚氧化二甲苯、或聚苯趟系樹脂在過程中可能產生之熱 =解，作為上述-次抗氧化劑，可使用—般之_化合物。作為上述二次抗氧化劑’可使用一般之胺“ 等。作為上述熱安定劑，可使用2,6_二_第三丁基基酚等之一般盼系化合物、二苯基-對-伸苯二胺等之-般胺系化合物等等。上述氣外線女定劑為了補強樹脂之耐候性及防止樹脂屋外露出時源於紫外線之分解，而視需要添加於樹脂組合物中，作為上述紫外線安定劑，可使用受阻胺⑽ls)系化合物、苯酮系化合物、苯並三唑系化合物等等。上述加工潤滑劑係用以提高樹脂組合物之加工性，使樹脂製造時或半導體晶片托盤射出時令樹脂之流動圓滑化，並最小化樹脂内之殘留應力。作為其種類，可使用硬脂酸鈣（Ca Stearate)、硬脂酸鋅（Zn_Ste_e)、鋅氧化物（a-

Oxide)、脂環式飽和烴樹脂㈧^丨化恤耐响·_ resin)等等。上述f電防止劑可抑制複合樹脂之靜電防止，在半導體晶片托盤製造時或搬運時可防止塵埃或異物之附著，通常 129819.doc -14- 200911920 可使用烷基胺系化合物、硬脂酸系化合物等等。為製造上述般之本發明之MPPO樹脂組合物，可將除了玻璃纖維以外之組成成分均一混合後，以連續式二軸押出機進行熔融押出’玻璃纖維係側向饋入（side Feeding)式注入。此時，押出機機筒之溫度，MPPO樹脂宜為270°C〜310°C。炼融押出之樹脂組合物係形成為丸粒狀。上述製造之丸粒狀MPPO樹脂組合物，係上述製造之樹脂組合物經特定之水分及揮發成分除去步驟後，以射出或壓縮试片製造，其係根據美國標準規格（ASTM)等接受樹月曰之機械及熱物性的測定，在由一般之射出成形製造半導體晶片托盤之後，再接受測定最終製品之表面電阻、半導體晶片托盤之耐熱性、抗彎彈性模數、抗彎強度、抗拉強度、衝擊強度、表面狀態及麵曲特性等。此—本發明之MPPO樹脂組合物其表面電阻為ι〇2〜1〇9 Ω，顯示一合適之一定區域帶之表面電阻，其熱變形溫度也較半導體烘烤溫度高，因此具有耐熱性，抗彎彈性模數、抗彎強度及抗拉強度也高，展現出尺寸安定性，且衝擊強度也高，展現出機械剛性。又，表面狀態及翹曲特性等製品外觀亦佳，可有用於電氣、電子、半導體封裝領域及半導體托盤之製造，特別是適合於半導體烘烤溫度為 130°C〜150°C之半導體托盤之製造。 +又，本發明之MPPO樹脂組合物，代替高價之碳纖維，藉由使用奈米碳管，可節約電氣、電子、半導體封裝領域及半導體托盤製造之製造成本，經濟且產業上具有利用性。 129819.doc 15 200911920 以下’為使本發明獲得深一層之了解，茲提示較佳之實施例。然而’以下實施例僅為使本發明易於理解而提供，本發明内容不受實施例之限制。【實施方式】實施例1至20 :改質聚苯醚（MPPO)樹脂組合物之製造本發明之含奈米碳管之MPPO樹脂組合物，係以下述表1 及表2中所示之組成及含量製造。表1之組合物’係半導體烘烤溫度為15〇1之半導體托盤，表2之組合物，係半導體烘烤溫度為13〇〇C2半導體托盤。組合物中，PPO樹脂係使用黏度0.4 dl/g之製品（朝曰製）’奈米碳管係使用韓國Carbon nanotech公司之製品（平均直徑20 nm、平均長度1〇 μηι、純度90 UT%以上，縱橫比500以上）。玻璃纖維係使用韓國歐恩史康寧公司製造之CS03-165Α ’作為無機填充材，係使用成分組成由二氧化矽 60〜75重量％及氧化鎂25〜40重量％之混合物所構成，粒徑為 4〜6 μηι者（KC-125 0、KOCH公司）。作為抗氧化劑係使用台灣CIBA公司（TAIWAN CIBA)所製之IRGAPOX 1 〇 1 〇，偶合劑係使用乙二醇。以下述表1及表2之組成及含量混合後，以LD=46 口徑 459之二軸押出機在270。〇310。(：、1^^1 280之條件下熔融押出，玻璃纖維係側向饋入地注入，經由混配製造丸粒形狀之樹脂。將製造之丸粒形狀之樹脂以1 OOt：乾燥4小時後，利用射 129819.doc -16- 200911920 出成形機，將射出溫度設在275〜295°C，模具溫度設在 7(TC，製造ASTM標準試片。 [表1] 成分 (重量％) 實施例 I 實施例 2 實施例 3 實施例 4 實施例 5 實施例 6 實施例 7 實施例 8 實施例 9 實施例 10 PPO樹脂 40.5 40.2 46.7 47.5 46.9 46.7 45.9 45.7 44.7 43.7 奈米碳管 1.5 0.8 1 1.2 1.3 1.5 1.8 2 3 5 碳纖維 7 7 0 0 0 卜0 0 0 0 0 HIPS樹脂 16.8 卜 16.8 16.8 16.8 17.3 17.3 17.8 17.8 18.8 19.8 玻璃纖維 23 23 23 22 22 22 21 21 20 18 無機填充材 12 12 12 12 12 Γ 12 13 13 13 13 抗氧化劑 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 ^ 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 偶合劑 02 0.3 0,3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 總計 ϊδό""" 100 100 100 100 100 100 100 100 100 f

[表2]

成分 (重量°/〇) 實施例 11 實施例 12 實施例 13 實施例 14 實施例 15 實施例 16 實施例 17 實施例 18 食施例 19 實施例 20 ΡΡΟ樹脂 32.3 32 38.5 38.3 38.2 卜38 37.7 37.5 36.5 35.5 奈米碳管 0.5 0.8 1 1.2 1.3 1.5 1.8 2 3 5 碳纖維 7 7 0 0 0 0 0 0 0 0 HIPS樹脂 25 25 25 25 25 25 25 25 26 26 玻璃纖維 23 23 23 23 23 23 23 23 22 21 無機填充材 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 抗氧化劑 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 1 0.2 0.2 偶合劑 0.2 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 總計 100 100 100 100 — 100 100 100 100 100 100 ——*—J 比較例1至5 依同於上述實施例之方法製造試片，成分及含量係如下表3所示，製造比較例1 · 5組合物。 [表3] 成分比較例1 比較例2 (150°C 用）比較例3 (130。。用）比較例4 (150〇C 用）比較例^ (130°C 用） PPO樹月旨 47.8 47.6 39.3 47.7 39.5 奈米碳管 - 0,2 0.3 - L__1- 碳纖維 - - - 10 10 HIPS樹脂 16.8 16.8 25 16.8 25 玻璃纖維 23 23 23 13 13 無機填充材 12 12 12 12 12 0.2 一''" 抗氧化劑 0.2 0.2 0.2 0.2 偶合劑 0.2 0.2 0.2 0.3 0.3 總計 100 100 100 100 ιυυ 試驗例：實施例及比較例之物性及電阻試驗 •17- 129819.doc 200911920 將與上述表1至表3所示者以相同組成及含量所製造之MPPO 樹脂組合物射出成形後，在25°C之恆溫恆濕室中放置24小時以後，就射出試片依同於下述之方法分別測定其物性。 (1) 表面電阻（SURFACE RESISTIVITY) 利用連結有金屬匯流排桿（METAL BUS BAR)之電阻計 (OHM METER)測定單位面積之表面電阻。 (2) 熱變形溫度（HEAT DISTORTION TEMPERATURE) 依ASTM D648對樣本施以18.6 kgf/cm2之荷重，將周邊流體溫度以2°C /分鐘之速度提升時，測定試驗片之變形達到0.2 5 4 mm時之溫度。 (3) 彎曲彈性模數（FLEXURAL MODULUS)及彎曲強度 (FLEXURAL STRENGTH) 依ASTM D790以5 mm/分鐘之試驗速度測定十字頭 (CROSS HEAD SPEED)之試驗速度。 (4) 抗拉強度（TENSIL STRENGTH) 根據ASTM D638，在溫度23±2°C、相對濕度5〇%、大氣壓之條件下以拉伸速度5 mm/分鐘作測定。伸長率為破斷點紀錄之值，最少測定5次以上，以平均值表示。 (5) 衝擊強度（IMPACT STRENGTH) 根據ASTM D256，以試片破斷時之能量由單位厚度分成之值，相當於衝擊強度。本發明係利用1/8英吋厚之試片測定。最少測定5次以上，以平均值表示。在恆溫下以V型缺口（IZOD NOTCH)法測定。 (6) 比重根據ASTM D792，將5 g之粉末或丸粒置於已測定之容 129819.doc -18- 200911920 積中，在23°C下以重量及容積之差計算比重。 (7) 表面狀態以肉眼觀察上述試片之表面狀態，以優異、普通、劣等之三等級進行評估。 (8) 翹曲（WARPAGE) . 以肉眼觀察上述試片之翹曲程度，以優異、普通、劣等之三等級進行評估。將以上述方法測定之實施例1至20及比較例1至5之試片之物性測定結果，視於下述表4至表6中。 [表4] 區分實施例 1 實施例 2 實施例 3 實施例 4 實施例 5 實施例 6 實施例 7 實施例 8 實施例 9 實施例 10 表面電阻(Ω) 105~107 105 〜108 105~108 105~108 105 〜107 104〜106 104 103〜104 103 102 閘電阻(Ω) 105〜107 105~10& 10、10* 105〜108 ιοΜο7 104-106 104 103〜104 103 102 熱變形溫度 ro 175 175 175.2 175.2 175.5 175.5 175.8 175.8 176 177.2 抗彆彈性模數 (Kg/cm2) 10518 10520 10523 10520 10611 106197 106201 11581 116604 12740 抗彎強度 (Ks/cm2) 1778 1780 1781 1783 1811 1822 1824 1948 1951 1973 抗拉強度 (Kg/cm2) 1061 1063 1063 1080 1088 1166 1174 1183 1211 1301 比重 1.27 1.27 1.27 1.27 1.27 1.27 1.27 1.27 1.27 1.28 衝擊強度 (Kgf cm/cm) 6.8 608 6.7 6.2 6.28 6.28 6.3 602 6.5 7.2 製品外觀表面狀態優異優異優異優異優異優異優異優異優異優異魅曲特性優異優異優異優異優異優異優異優異優異優異 [表5] 區分實施例 11 實施例 12 實施例 13 實施例 14 實施例 15 實施例 16 實施例 17 實施例 18 實施例 19 實施例 20 表面電阻(Ω) 105 〜107 105~108 105~108 105~108 105〜107 104~106 104 103~104 103 102 閘電阻(Ω) 105-107 105〜108 105〜108 105-108 105~107 104〜106 104 103〜104 103 102 熱變形溫度 (。〇 155 155.2 155.7 155.8 156 156 157 158 160 163 抗彎彈性模數 (Kg/cm2) 109112 109340 109540 109780 109913 110111 111024 112094 112131 112104 抗彆強度 (Kg/cm2) 1905 1911 1909 1916 1998 2050 2055 2057 2114 2134 抗拉強度 (Kg/cm2) 1098 1099 1108 1114 1126 1168 1169 1171 1169 1178 比重 1.25 1.26 1.26 1.26 1.26 1.26 1.26 1.26 1.26 1.26 衝擊強度 (Kgf cm/cm) 5.9 6 6 6 5.8 5.7 5.8 5.8 5.6 5.2 製品外觀表面狀態優異優異優異優異優異優異優異優異優異優異赵曲特性優異優異優異優異優異優異優異優異優異優異 -19- 129819.doc 200911920 [表6] 二5¾ 例 2 表面電阻 (Ω) 1 ---— 比較例3 比較例4 比較例5 - - 104~105 104~105 閛電阻 (Ω) __ - - - 熱變形溫度 CC) 174 175.8 157 168 155 抗彎彈性模數 (Kg/cm2) 106011 106201 111024 74000 73000 抗彎強度 (Kg/cm2) 1811 1824 2055 1300 1410 i/L-fiL 7» /JL _gg/cm2)_ 比重 1094 _ 1.27 1174 1,27 1169 950 951 衝擊強度 (Ksf cm/cm) 1.26 1.29 1.28 6.5 6.3 5.4 6 4.5 製品外觀表面狀態知ιΜι 優異優異優異劣等劣等特性優異優異優異普通普通研4上述結果可知，本發明之組成物（實施例1至20)較之使用先W之碳纖維之情況（比較例4及5)，更適合於半導體托盤二可展現優異之表面電阻。又，本發明之組合物，在可獲得迄今所無法獲得之優異的閘電阻值此一層面，具有重大之優點。由上表可知’在完全未含奈米碳管之情況下（比較例 1)，以及奈米碳管之含量未達全體組合物之〇 5重量％之情況下（實靶例2及3)，凡全無法獲得表面電阻及閘電阻值，而使用碳I維之情況（實施例4及5)，料獲得與本發明組合物類似之表面電阻，作闡Φ^ λ i 岡電阻值完全無法測定。亦即，本發明之組合物，在射出時（完成製品托盤），閘部位電阻值經測定為㈣，可明瞭其適於作為半導體用托盤使用，相對於此，比較例⑴㈣部位為無電阻，因此會有問部 129819.doc •20- 200911920 分製品不良發生之問題等等，用0 不適作為半導體晶片托盤使又，本發明之組合物不僅具有較比較例為優異之表面電阻值’且展現熱變形少之特性，即具有優異之耐熱性。此外，本發明組合物又經確認具有尺寸安定性，強度高且呈有優異之外觀。 ° ^ [明之效果] /上所研討，本發明之MPPq樹脂組合物係使用奈米碳官，且具有1〇2〜1〇9之適合的特定區域帶表面電阻，展現優異之耐熱性、尺寸安；U生及剛性。特別是擁有可同時獲得良好的表面電阻值及間電阻值，且製品之不良幾乎不會發生之優點，極適於製造半導體用托盤。又，因可用於製造表面狀態、翹曲特性等外觀良好之至製品’對於電氣、電子、半導體封裝領域及半導體托盤之製造有用。又’本發明之MPPO樹脂組合物，代替高價之碳纖維，藉由使用奈米礙管，可節約電氣、電子、半導體封裝領域及半導體托盤之製造的製造成本，經濟效益佳，產業上可供利用。 129819.doc -21 -

Claims

200911920 十、申請專利範圍： 1· 一種改質聚苯_ΡΡ0)樹脂組合物，含有：⑷聚苯鍵 =r/e、(b)玻璃纖維10〜3°重量。…機填充材 0重量％、（d)奈米碳管0.5〜5重I 0/ 擊^ r达量。、及（e)高度耐衝拏t本乙稀1 〇〜30重量％。 2.如請求項1之改質聚苯醚樹脂組合其中上述聚苯醚 ;粘度為0.3〜0.5 dl/g。 3·如請求項丨之改質聚苯醚她总山其中上述玻璃纖、.’糸由胺基矽烷被覆之玻璃纖維或玻璃纖維。、由乙稀基繼覆之 4·如請求項3之改質聚苯醚樹脂組飨你山其中上述玻璃纖维1糸由胺基矽烷被覆之玻璃纖維。 5.如請求項丨之改質聚苯醚樹充材係由二氧化石夕60〜75重量％ ^、機真 . 乳化鎂2 5〜4 0重量％混合而成’平均粒徑4〜6 μιη。 6·:請求们之改質聚苯趟樹脂組合物，其中上述奈求碳 s之平均直徑為15〜30 μιη，平均長度為5〜2〇陴。 7·::青求項6之改質聚苯㈣脂組合物，其中上述奈米碳管係多層奈米管。 8.如請求項1至7中任一項之改質聚苯醚樹脂組合物，其中上述改質聚笨醚樹脂組合物中進一步含有添加劑〇〇f〜重量％。 ’ 種半導體晶片托盤，其特徵在於係由如請求項1至7中任一項之改質聚苯醚樹脂組合物所成型。 129819.doc 200911920 10. —種半導體晶片托盤，其特徵在於係由如請求項8之改質聚苯醚樹脂組合物所成型。 129819.doc 200911920 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無）

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