TW200905219A - Semiconductor inspection apparatus - Google Patents

Description

200905219 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 備 設 本發明係有關於用以實施半導俨壯 。 干v體i置之檢查的半導體檢杳 【先前技術】 在典型的藉由量測半導體裝置 ί i. ° Be-Cu## W材料具有高持久性，但另—方面， 確度。因此，當藉由以旦所，有不良量測精 ^生時’必須實施具有較佳量測精確度之^氏 之電特 以=力探針城峨針賴電極墊， 半導體裝置之電壓。 、料體裝置，感測探針價測 近來，半導體裝置已高度集成，且半導 著r墊的尺寸' 及電極間距以ί== 極ί是;=:以使探針能夠極^ 二ΐ導：置針以高精確度接觸高度集成且微型 使第日林審查專利申請案公開號第62-鹏34號揭示 Hi i接觸電極墊、且使第二探針接觸第—探針之上部，以 ，氏^之技術。因此，可以使微型化的電極麵觸探針。 估=ΪΓ步’日本未審查專利申請案公開號第5_144895號揭示 、上開氏連接感測探針及施力探針之針尖）開氏接觸電極 1 ’以貫施開氏量測之技術，如圖3所示。 200905219 更進-步，日本未審查專利案公開號第9_2〇3764號揭示 施力探針62、及感測探針63連結半導體裝置61之引 =每 施開氏量測之技術，如圖4所示。 、 人只 然而，在日本未審查專利案公開號第62_ω933 針被排列在相_第-探針的斜向诚上（參見，例 查專利案公開號第62-1G9334號之圖3B)。因此，兩個探針 空間很大’以使探針不能在高度域的半導體裝 = 距排列。以此相同方式，在日本未審查專利申請 =的間 ^44895號中，探針50分成兩個部分，窄；弟 50於半導體裝置巾為可能。 辦’排列仏針 在日本未審查專利案公開號第62_1〇9334號中 =^二探針非常尖細’如此使得兩個探針很_高精石雀度互 【發明内容】 其 根據本發明之第-實施態樣，提供 包含:從半瓣置之電極表面之垂直方向=體2 = 同-直線上之施力探針、及感測探針。藉由 二貝上排列於 =所佔據的㈣。因此，有可能 ^半少 狹窄間距排列探針。 又木战旳牛導體裝置中以 根據本發明之第二實施態樣，提 ί半檢’該施力探針與-電極相接觸:被 狀錢，感測探針之端部接觸施力 反衣成千认 接觸施力探針。藉由此種配置 域測探針 到施^針。耻，可能叫精顧接觸^喊_探針接觸 查設備，其:有根一種半導體檢 針在施力探針之該端部側上含有平坦部有= 6 200905219 部接觸之端部’以使感測探針接觸施力探針。藉 及施力探針之間可完成點接觸。因此，可避 免使電極翻施力探針時可能發 铼針。因此，可以極精確地接觸探針。 探針^2 n肖n成的半導體|置中以狹窄間距排列 糾。更進-步，可以極射地使施力探針接_測探針。 【實施方式】 以下將參照說日雅實_來描述本發明。 知’可利用本發明之教示完成許多 ^ :者= 限於為了解釋性目的所述之實^綱生具_，且本發明並不 第一實施例 將參照圖2來描述根據第—實施 為根據本發明之第-實施例，概二亍丰查設備1。圖1 圖。 ，，、、貝不+導體檢查設備1之立體 半導體檢查設備1包含例如施 元（未顯示）等者，如圖！所示1^^感_針3、供電單 出缺陷單元之半導體分類設備。 、a松查汉備1可為例如挑 墊41。電極塾41 質導體裝置4之上設有複數電極 體裝置4之上的作用如同半導 形，可為任意所欲形狀。 ’’电極墊41之形狀並不限於矩 施力探針2接觸電極墊41以 ，言，施力探針2具有接觸電力，=導體裝置4。更明 狀之端部2〗。然後，使施力探針2 且被形成為例如平坦形 4!。更明確而言，形成施力探針 f 21之下表面接觸電極墊 平面上看來時與電極墊41實質,以使其具有例如在 21沿斜向上的方向延長，且在探=2從端部 曲，以使施力探針2實 200905219 質上，行料導體裝置4之主要表面似。 感測採針3具有以三角形形狀 4之主要細42所狀財導«置 角度。感測探針3 -曲，以實質上從木，2之斜向表面所成之 的主要表面42，且减測探斜λ ;坐而°卩31平行於半導體裝置4 然後，感_針3 Μ部4之側向方向延長。 的任何部分（在此範例中射之端抑之上表面 針2互相接觸。 、 使感測探針3及施力探 ^ Ξί - ^ m η * m± f$mnM 0 2成。有可能藉由利用Be_Cu^成e-c==或是w材料 精確度之施力探針2及感測探針^^她針’而形成具有高量測 藉由以W材料形成探針 ^:方^ ’例如，有可能可以 感測探針3。 办成具有較间持久性之施力探針2及 然後’利用接觸電極墊41 置4。半導體裝置4之電壓伟由2施加電壓於半導體裝 =，，可藉二⑽ 針2及感職針3 __f上綱m方向觀之，施力探 感，實二 =ϊί=種施力探針2及 >、探針所佔據的空間。因此 f 猎由此種配置，可以減 狹窄間距排列探針。 了在问度集成的半導體裝置4中以 接觸電極墊41之施六’力丄 探針3之端部31接觸施t 狀形成。感測 τ乏纟而σ卩21，以使感測探針3接觸 200905219 施力探針2。藉由此種配置， 力探針2之端部21之平扭表^十3之端部31接觸施 設備本發明之第二實施例之半導體檢查 設U圖顯喊據本發敗第二細狀半導體檢查 略重複描述。冋的茶考符號指定予相同元件，且省 測探包含例如施力探針从、感 明確極墊41，以施加電壓於半導體裝置4。更 41^U5itf ^ 21A J ^ 木十之立而部21A尖銳。例如，施力探 言平侧條。舉例而 狀。ΐίίΓ2Α之寬度方向的兩侧皆突出之形 之4ί財向：1 且 置4的主要表㈣ 上平行於半導體裝置4之tti ㈣，以從端部21Α實質 31接觸平坦部分;2Α之要表，42。然後’感測探針3之端部 之端坦部分22 A較佳為排列於較靠近施力探針2A 更裝置4之電壓個精確度減少。 針相對;刀較乙為形成於一尺寸中，以避免妨礙探 3j成的半導體裝置4之此種排列。 部31形成為三綱狀，以使 而邛31以斜向上的方向延長，且端部31及施力探 200905219 施力探針2A互相接觸。 卩刀22A，以使感測探針3及 成。舉例而^咸感測f針3係由薄的線性構件形 料形成。舉例_，有可針3係由Be-Cu材料、或是 高 形 力探針Μ及感測曰探針3。材广瓜成、針而形成具有高持久性的施 裝置4。H由塾41之施力探針2Α施加電壓於半導體 半_穿置坦部分2Μ之感測探針3 ΐ測 體裝置4之電特性。 可藉由半導體檢查設備1Α量測半導 之電極表面係排:裝置4 (具有電極墊41 力探 中，施力探針二實施例之料體檢查設備1A 之電極表面』i 針3係排列於從相對於半導體農置4 之中，以二:可以在高度集成的半導體装置4 探針L進包二二月==成接觸電極墊41的施力探針2Α。施力 測探針3接，探針2A之平坦部分22A，以使感 力探針2A之間造成^_。。=二：免 施力探針2八時所私吐」口此叮避免在使電極墊41接觸 Μ接觸施力探斜2ΐΐ^_位。更進一步’當感測探針3的端部 及施力探部分22Α之任何部分時，感測探針3 、 互相接觸。因此，可以高精確度接觸此二騎。 10 200905219 儘官在本發明之第—每 部21係以實質上與電極目^面視圖中，施力探針2之端 不限於此。只要端部可以形=形狀形成’端部21之形狀並 寸的平坦形狀’施力探針2之；:墊41具有實質上相同的尺 在本發明之實施例中，告21之形狀可為任意形狀。 之垂直方向觀之， 施力相對於半導體裝置4之電招

【圖式簡單說明】 之立為根據本發明之第—實施例’概略顯示半導體檢查設備 純據本發明H施例，概略顯科導體檢查設備 之立體圓， 圖3為概略顯示相關之半導體檢查設備之立體圖；及 圖4為概略顯示另一相關之半導體檢查設備之立體圖。

之電極表面 上相同的直線上。然而，排^ 及感測探針3係排列於實質 很明顯的’本發二=方式並不限制於此。 明之範圍及精神之内對本發二更且可在不脫離本發 【主要元件符號說明】 1 ·半導體檢查設備 1A :半導體檢查設備 2 :施力探針 2A :施力探針 3:感測探針 4 :半導體裝置 21 :施力探針之端部 21A .施力棟針之端部 11 200905219 31 :感測探針之端部 41 :電極墊 42 :主要表面 50 :探針 51 :電極墊 60 :引線 61 :半導體裝置 62 :施力探針 63 :感測探針

Claims (1)

1. 200905219 十、申請專利範圍： 1. 一種半導體檢查設備，包含： 一施力探針，施加電壓於—半導 · 一感測探針，偵測該半導體裝置|二，，及 該施力探針接觸該半導體裳置一電愿，其中 感測探針互相接觸，以量測該^導=電極，且該施力探針及該 當從相對於該半導體裝置之^之電特性’及 時，該施力探針及該感測探針係之一垂直方向觀之 2. —種半導體檢查設備，包含：j於风處上相同之直線上。 -施力探針，施加電壓於—半 -感測探針，偵測該半導體 該施力探針接觸該半導體裝 壓，其中 感測探針互相接觸，以量測該半 電極，且該施力探針及該 該施力探針接觸該電極之-端部被=特性， 該感測探針之一端部接觸該“ ^^為―平坦形狀，及 探針及該施力探針互相接觸。 ？木針之该端部，以使該感測 3. —種半導體檢查設備，包含： -施力探針’施加電壓於—半 1測弩針’偵測該半導體裝置之‘: 该施力探針接觸該半導體裝置之— ，、中 感測探針互相接觸，以量測該半導體裝ί之=該施力探針及該 該施力探針接觸兮雷士 ^ . 笔特性’ /施力輸二， 4感測探針之—端部 探針及該施力探針互相接觸。 木針之该端部，以使該感測 圍設f，其中，當從相對於 該感測探針係排列於^上__=硯之時，該施力探針及 13 200905219 5.如申請專利範圍第3項之半導體檢查設備，其中，當從相對於 該半導體裝置之一電極表面之一垂直方向觀之時，該施力探針及 該感測探針係排列於實質上相同的直線上。 Η一、圖式： 14