TWI376515B - Semiconductor inspection apparatus - Google Patents

Description

1376515 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 導體檢查設 備 本發明係有關於用以實施半導體裝置之檢查的半 【先前技術】 在典型的藉由量測半導體裝置之電特 ，查的半導體檢細中’探針接觸半置 以3:測半導體裝置之電特性。 罝上的電極墊， 使用Be-Cu材料或是W材料作為 具有小電阻值及高量繼確度，但具有 ^ Be W材料具有高持久性，但因為其錢阻值，二^ 因此’當藉由以w材料製成的探針量測半導 性時，必須實施具有較佳量測精確度之開氏量測電特 me^urement)4開氏制中，施力探針及感測探針 以篁測電特性。施力探針施加電壓於半導體 ^ 墊 半導體裝置之電壓。 4以丰導體裝置’感測探針偵測 近來，半導體裝置已高度集成，且半導體封穿 iff ί著電極墊的尺寸、及電極間距已減少。另、-方面，電極 Α電極之間的間距必賴大，以使探針能夠極精確 地^電極塾。但在習知技術中，難以在裝置鄰近以狹窄間距= ’益發難以使探針以高精確度接觸高度集成且微型 化的丰導體裝置之電極墊。 〜m生 *舉例而言’日本未審查專利申請案公開號第62-109334號揭二 一探針接觸電極墊、且使第二探針接觸第一探針之上部\ jT 實施開氏量測之技術。因此，可以使微型化的電極墊接觸探針。 更進一步’日本未審查專利申請案公開號第5_144895號揭°示 使探針50 (開氏連接感測探針及施力探針之針尖） : 墊5卜以實施開氏量測之技術，如圖3所示。 氏接觸電極 1376515 更進一步，曰本未審查專利案公開號第9·2〇3764號揭示摔由 施力探針62、及感測探針63連結半導體裝置61之引線6〇，^ 施開氏量測之技術，如圖4所示。 貫 然而，在曰本未審查專利案公開號第62-109334號中，第二_ 針被排列在相對於第一探針的斜向位置上（參見，例如日本^寇’ 查專利案公開號第62-109334號之圖3B)。因此，兩個探針佔掳 空間很大’以使探針不能在高度集成的半導體裝置中以狹窄、 距排列。以此相同方式，在曰本未審查專利申請案公開號 曰 5-144895號中’探針50分成兩個部分，使得以狹窄間距排列禊私 50於半導體裝置中為可能。 休針 在?本未審查專利案公開號第62·1〇9334號中，所一 ^^第二探針非常尖細’如此使得兩健針很難以高精確度互 【發明内容】 根據本發明之第-實施態樣，提供 包含：從半導體裝置之_表面之垂直方向^體 °藉由此種配置’可以減少 接觸施力探針。藉由此錄阶ς 二〜响。丨 >，以使感測探針 被形成為平坦獅之—置’械麻針之端部細施力探針 到施力探針H 丨之?何部分時，有可缺感測探針接觸 更進一+， 可此以向精確度接觸探針。 查設備，其具有根2=之第三實_樣，提供-種半導體檢 針在施力探針之# 電極且尖細之施力探針之端部。施力探 ^部側上含有平坦部分。感測探針具有與施力 之半第提供一種具有施力探針之端部 狀。然後，力探針與一電極相接觸且被製成平坦形 接網二士槐:丄M : Ρ接觸 施力探針之端部，以使感測探針 1376515 質上導體裝置4之主要表面42。 4角ΐ主Ϊ表面42所成之角度大於與施力ΐΐί之半導體裝置 角度。感測探針3彎曲，以實質 木^2之斜向表面所成之 的主要表面42，且感測摄斜卩31平行於半導體裝置4 然後，感測探針3之端邙31接二 裝置4之側向方向延長。 的任何部分（在此^^中接==探針2之端㈣之上表面 針2互相接觸。中為中央部分），以使感測探針3及施力探 舉例而言，施力探3，由線性薄構件形成。 形成。有可能藉由利用^心材料开^ = Cu材料或是W材料 $度之施力探針2及感測探針3 成f高量測 然後，利用接觸電極墊41施力 置4。轉體裝置4之賴係Hf t2施加電堡於半導體裝 探針3量測。因此，可藉由半手=端部Μ的感測 之電特性。 +導體檢查汉備1來調半導體裝置4 - 針2及_探針3 _懷實㈣目杨觀之，施力探 當從據本發明之第一實施例之半導體檢查設備1中， 裝置4的電極表面的垂直方向觀之，施力探針2及 ^探針3實質上係排列於相同直線上。藉由此種配 間，此’可在高度集成的半_置”以 探針 1376515 施力探針2。藉由此種配置，可以在感 力探針2之端部21之平坦表面之任意處端部31接觸施 測探針因此，可以高精確度接觸兩個探針施力探針2接觸感 第 '一實施例 以下將參照圖2描述根據本發明之第_ 設備1A。圖2為概略顯示根據本 弟一一之半導體檢查 設備之立體圖。 弟一貝施例之半導體檢查 根據第二實施例之感測探針3及 所示之配置相同。因此，相同的參的配置係與圖1 略重複描述。 U曰疋予相同元件，且省 如圖2所示，半導體檢查設備 測探針3、及供電單元（未顯示）等者^例如知力探針2A、 明確接觸電轉41，以施加賴於半導體裳置4。 坦部分22Α具有在施力探寬因此， 狀。更進一步，础如〇1Λ、\又覓度方向的兩側皆突出之形 之斜向上的方Θ延具Β _^目對於半導體農置4的主要表面42 μ心的方向延長’且平坦部分22Α彎曲，以你綱？1Δ者 31接表:42。然後，感測探針3之始 分）==_力_ 此範财為… 針相縣料導雜置4 敎妨礙探 以斜向上的方向延長，且端部31及施力探 1376515 的端部實質上互相平行。^然後，舉例而言，感測探針3 的平坦部分22A，贿_探針工 成。’施力探針2a及感測探針3係由薄的線性構件形 ΐ2Α 'M，lm3 ^ Be-Cum ^

Ϊ t!南量測精確度的施力探針2A及感測探針3 H 材料形雜針卿成具衫持久性= 梦晉由接觸電極塾41之施力探針2A施加電壓於半糾 Ϊϋλ 4 6?^力探針从之平坦部分22A之感測探針3 3 壓。因此’可藉由半導體檢查設備1A量测^ 更進一步，例如，當從相對於半導體裝置4 ::B:F啤 減少探針所佔置，可以 之中，以狹窄的間距排列探針。了以“度集成的+導體裝置4 感測探針3之端部31接觸施力探針2A …、、後’ ，針3接觸施力探針2A。藉由此“义m以使感 施力探針則糖輸^接觸 =接_力撕Μ之平㈣分22A絲^;部 及她力探針2A可互相接觸。因此，可喊精確度接觸^二=。

J 之番吉方Α龜々.,_田攸相對於半導體裝置4之電極表面 上 明之範圍月：神更且可在不脫離本發

之立根據本發明之第—實施例’概略顯示半導體檢查設備 之立=為根據本發明H關，概略顯科導體檢查設備

儘管在本發明之第一實施例之 部21係以實質上與電極塾41二==’把力探針2之端 不限於此。只要端邱可以帘$ & &旳形狀形成，端部21之形狀並 寸的平心為與電極墊41具有實質上相同的尺 【圖式簡單說明】 圖之=3^上述及其他目標、優點、及特徵會因為以下伴隨附 圖之較佳實％例之說明而更彰明顯，其中： 圖3為概略顯示相關之半導體檢查設備之立體圖；及 圖4為概略顯示另一相關之半導體檢查設備之立體圖。 【主要元件符號說明】 1:半導體檢查設備 1A :半導體檢查設備 2:施力探針 2A .施力探針 3:感測探針 4 :半導體裝置 21 ·施力探針之端部 21A ·施力探針之端部

I SJ 11 1376515 31 :感測探針之端部 41 :電極墊 42 :主要表面 50 :探針 51 :電極墊 60 :引線 61 :半導體裝置 62 :施力探針 63 :感測探針

Claims (1)

1376515 、申請專利範圍： 101年7月10曰修正替換頁 97m〇32 (無劃線） 1- 一種半導體檢查設備，包含： -施力探針，施加電壓於—半導麟置；及 -感測探針，偵測該半導體裝置之電壓， 威測觸該ί導體裝置之—電極’且該施力探針及該 A W木針互键觸，崎順半導體裝置之 觸遠電極之一端部被形成為-平坦形狀，及 以佶；端部接觸該施力探針之該端部的-上表面， 使該感測彳木針及該施力探針互相接觸。 圍Ϊ 1項之半導體檢查設備，其中，當從相對於 I电極表面之一垂直方向觀之時，該施力探針及 該感測&針轉列於實f上姻的直線上。 3. —種半導體檢查設備，包含： 一施力探針，施加電壓於一半導體裝置；及 一^測探針，偵測該半導體裝置之電壓，其中 f=觸該半導體裝置之—電極，'該施力探針及該 感測互相接觸，以量測該半導體裝置之電特性， «亥化力探針接觸該電極之—端部被形成為—尖銳开》狀， 該施力探針包含在該施力探針之該端部側上之—平坦部分， 及 該感聰狀—端部獅誠力探狀卿分，以使該 感測探針及該施力探針互相接觸。 4. 如申明專利範圍第3項之半導體檢查設備，其當從相對於 :亥，導，裝置之—電極表面之—_直方向觀之時，該施力探針及 該感測探針係排列於實質上相同的直線上。 十一、圖式： 13