TW200903573A - Proximity head with angled vacuum conduit system, apparatus and method - Google Patents

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200903573 九、發明說明： 【相關申請案的交叉參考】 則美國專利申請案第 '真空、異丙醇蒸氣、乾燥歧管」，液 在此為了所有用途併人作iti里用之系統」， 理中且i£右夕⑸ί = ί Γ為參考。本中凊案亦關於同在審 30日提出矛Γ「請案第_，839號，其在2002年9月 多數ϋτ為利賴近解_晶齡純被固定ΐ 用途併入其全讀為參考。㈣方絲4」’在此為了所有 【發明所屬之技術領域】 理42='=半導趙製造過程’尤有關於利用近接頭處 【先前技術】 可S含造成研磨的化學物質及研磨材料。、以= 讓研水微粒及殘留物之累積物遺留在晶圓表面上。如果遺 召在S曰圓上的話，除了別的以外，不要的殘 、土 =，例如晶圓表面上的刮擦接觸以及金屬化特徵間之不; 在ί些情況下’這樣的缺陷可能造成晶圓上的裝置變成 ‘、，、法運作。為了要避免拋棄具有無法運作裝置之晶圓的不當成 200903573 本，因而在遺留不要殘餘物之製造操作後，需要適當但有效地清 潔基板。 在晶圓已經被濕式清潔之後，必須有效率地將晶圓乾燥，以 避免水或清潔流體殘餘液在基板上留下殘餘物。如果容許晶圓表 面上的清潔流體蒸發，如同液滴形成時經常發生的：先前溶解在 流體中的殘留物或污染物將會於蒸發後留在晶 ^潰）。為了要避免蒸發的發生，必須在晶圓表表面上未(形成液滴 的情況下，儘快移除清潔流體。 成這個任務，糊數種不同乾燥技術其中一者，諸 等。這些乾職術_晶圓表面上之某些型態的移 C圓=’>若適話會導致在不形成液滴的情況下， =if法經常發生的：液滴形成且蒸發發生，導致污U 及/或讀殘留在晶圓表面上。 賴科物 職術’ 【發明内容】 應瞭解可S各J善：：以Ϊ足上述需求。 一系統、電腦可讀式媒體、或程、一設備、 新的實施例。 罝以下s兄明本發明之數種創 -第-平坦區二複數之的;近二，。該頭部表面包含 對應的複數之第—分離孔的其中 複數之第-導管由相 孔存在於該頭部表面中且延伸穿過4第H複數之第-分離 亦包含-第二平坦區域及複數之第:平=域。該頭部表面 相對應的複數之第二分離孔所界定二。h複數之第二導管由 表面中且延伸穿過該第二平坦區域； 200903573 數之第三導管，該第三平坦區域被設置於該第一平垣 二f"、该第二平坦區域之間並鄰近於該二者。該複數之第三導管 目ϊί、的複數之第三分離孔所界定，該第三分離孔存在於該頭 τ中且延伸穿過該第三平坦區域。該第三導管以相對於該篦 J平坦區域之—第-角度而形成，該第-角度介於30與60 = 而管輕合至第一液體源並將該第一液體提供至頭部表 而。。ίϋί耦合至第二液歡原並將該第讀體提供至頭部表 離孔可二彳合至—真空源並提供真空至頭部表面。第三分 镇-後緣而形成。該第一導管以相對於第一平坦區域之-第一^二而形成，該第二角度介於30與60度之間。 中· 可形成於第一列中；第二分離孔可形成於第二列 :實工讀=嫩第三列中。第-列、第二“三 ^角度W30與6G度之間’其中該等第二導管被導引離開g -列坦=，該第四平坦區域被配置在第 第-平坦區域且偏離^ :第四平坦區域位在實質上平行於 面上。第二三===在第實^:^於=離該第-平坦區域的平 J 〇·〇«〇 =°-t 中，可形成第三列。 丁 ―匕巧之5亥弟二平坦區域 第-:Χί;;ίίΐ:第近==合至第-導管的 第三腔室。 ㈣—腔至、以及輕合至第三導管的 另一實施例提供包含-頭部表面的-近接頭，該頌部表面包 200903573 含-第-平坦區域及複數之第其> 相對應的複數之第-分離孔的了二，複數之第一導管由 在於該頭部表面中且延伸穿過;亥。該第-分離孔存 含-第二平坦區域及複數之第a。ϋ。該頭部表面亦包 數之第二分離孔所界定，該二八=一導管由相對應的複 伸穿過該第二平坦區域。該頭心在於該頭部表面中且延 數之第三導管，_於該第三平坦區域及複 第二平坦區域之間配置該第：平第一平坦區域與該 複數之第三分離孔所界定乐；该第三導管由相對應的 延伸穿過該第三平坦區域。該存在於該頭部表面中且 之-第-角度而形成。？第g以相對於該第三平坦區域 離孔可沿-後緣而度=3〇與⑹度之間。第三分 -列的對_上。第四平坦區域配置在第 域且偏離該第一平實質上平行於第-平坦區 行，，域坦 ί;:;， 成第-:ί施Sii;的，’其包含在-近接頭中形 複數之第—導管。腔成 腔室形成複數之】=導 部絲之―第—肖度娜成，該[纽介於3〇 上开 法ί包含在頭部表面上職第—平坦輯，在頭部表面 “ϋ平坦區域以及在頭部表面上形成第三平坦區域。鄰近 晋二ί:ί垣區域並於該第一平坦區域與該第二平坦區域之間配 第二平了區°該第三平坦區域位在實質上平行於且偏離該 方法亦包含形成第四平坦區域。該第四平坦區域位在實質 平仃於且偏離該第一平坦區域的平面上。可由單一工件形成 接頭。 200903573 ί坦ί;體緣且；；= 區域的平面上，其中使ί第一平坦 區域，基板表面之間’液面匕3形成在該第二平坦 從以下連同附圖之詳細說明， 說，本發明之優點當可更加清楚。θ、、u之原理的解 【實施方式】 τ\€ΗΙϊ：ϊ#;^ _ESSS?S= 腦__2年t/3i 利申請案第 ^t^，i 〇100 ^ 歧管的基祕_m之财的錢 = ϊ(2002年12月24日申請）、名為「垂直式近t妾 專利申凊案弟10/404,270號(2003年 α」、美匕 實施例與·。前述補申縣_此併；各種 200903573 产一 i 明符合本發明之一實施例的近接頭跡該近捲商100 的表面108A上實施操作。近接頭100可同 時貼近於正處理之項目刚的上表面脆而移動。正 =所項目、喊、轉、半導體基板、 近接頭100包含—或更多第一導營112 流體m傳送到近_之_表面用 =-或更多第二導管114A，第二導f祖用^頭 ίί ^ 以移除來自頭部表面110Α的第—流體112及第ί 圖1Β為符合本發明之一實施例的近 πόα的棚。頭部表面麵包 之^陳= 110D 〇 f f Π0Β 服界定通往相對應的第—導f隐之其中— = t實質上平坦區域HOC包含—或更多分離孔114== 界定通往相對應的第二導管114A之其巾—個關

；：；ί «-?4ΓήΓί riL II6B' ^iL 1I6B 議;的』7 ΐ/ 之其中一個的開口。分離孔112B、114B、 |^。藉由實例，分離孔㈣可小於或大於分 應瞭解說明於圖1A及1B中的近接頭綱為簡 :近接_可具有許多不同形狀及大小。例二為接 Γ〇2^ΓΓ = %狀的及任何其他所欲的形狀。同樣地，彎液面 分離孔聰、114Β及腕包含但不限於圓形、橢、 11 200903573 環狀、凹面等等。此外’平坦區域110B、110C、110D可為任何 形狀。藉由實例，平坦區域110B可為圓形、長方形、橢圓形、或 任何其他所欲的形狀。包含第三分離孔116B的第二平坦區域11〇c 可完全圍繞平坦區域110B或只有圍繞平坦區域li〇B的一部分。 同樣地’包含第二分離孔114B的第三平坦區域ii〇d可完全圍繞 :坦，域JOB及ii〇C或只有圍繞平坦區域n〇BA u〇c的一g 分二藉由實例，可將第二分離孔114B侷限於只有後緣1〇4B及/ 或前緣104A及/或側1 〇4C及104D的一或更多部分(例如說明於一 或更多上述參考之同在審理中的申請案，其為了所有用途併入全 文作為參考）。 圖ic為符合本發明之一實施例的處理表面1〇8A之操作方法 150，流程圖。在操作152中，近接頭卿係放置在貼近於處理用 ^基板表面1G8A。圖1A中所示的接近Η可自約5mm到小於約 0.5mm。 112Bt^=；V從一或更多第一導管112A及相對應的分離孔 液體112，以在頭部表面110A與基板表面刚A之間形 Υ衣面11GA及基板表面G8A兩者。因此，當液體 ‘彎液頭部表面11〇A與基板表面職之間，形成 St A、_。液體112可為所欲處理用之任何 ΐΐίυ由實例’液體112可為水、去離子水(DIW)、 施加真空至—或更多第三導管116A。此真空 從f液面102吸來的液體112可齡客切丨狄f應的導s 116A。 進彎液面了較夕或較〉於從第一導管112A流 =液面的液體I。藉由實例，存在有 官112Α更多數量的笛-道总11/：Α «文啤i⑻甲之弟一導 表面觸Αί 又’tf液面1G2移動超過 备-個ί 攸表t集額外液體及其他污染物。 母個第二導官116A及相對應的分離孔⑽可至少部分地 12 200903573 分離孔112B ’使得近接頭1()()可包含頭部表面11〇八盘 f板J面108Α之間的彎液面。一數量的第一液體112可流經‘ 供f板表面1()8A之非常受控制的處理。藉*實例，第-液 f ^可為_基板表面1G8A狀侧化學物。當_化學物與 &面、反應，反應殘餘物變成夾帶於姓刻化學物中，並且 lit污染物可減少㈣化學物的濃度及侧能力。當經由第 將t刻化學物112A抽離彎液®102時，反應殘餘物 經由第-導管_非污 ，操$ 160巾，近接頭雇可相對於基板⑽轉動(如沿方 表面108A移動彎液面1〇2。當彎液面以方向 =ΑΛ動時，側104A形成彎液面102的前緣。 染ΞΓ餘物或任何其他污染物及其組合(如液體溶ί 彎液ί尸沿基板表面108Α移動時，側職形成 2面，的後緣。彎液面102中之液體的表面張力，造 有㈣與彎液面-起被移除。依此方式， ίί! 除所有液體污染物^液面102可進行乾 中的U面ig2如濕式_或電鍍化學物施加至彎液面 一或如同說明於 過，表面並移出基板表面邊 在可選擇的操作158中，施第m24 ° 第二流體m可為表面張力控制至基板表面卿A。 或更多異丙醇(IPA)蒸氣、氮、有二4^控，體可為一 氣體、及其他可混溶於水之化合物或‘合。藉由實Ϊ?ΡΑ孟 200903573 可被-惰性載氣所傳送，例如氮，錄傳送 近接頭_並未實際接觸基板1〇8。只 ^面 流體114接觸基板ι〇8。 液體及第二 •夕卜儀外儀器^熱器或其他監測器⑽。額 彎液面102施加至基板表面職處理則由 •的表面(如表面上之層厚度或基板刚之厚产^==112 度)或濃度或其他化學態樣(如pH程度、導^之深 =紐._上街娜^=$何=所 說明上述實施例。 甲月系T更坪細 接』t #施_近接頭系統170之簡圖。近 體源第-液 ίίΐ=係f由適當控制閥或其他=器 控機構而輕合至相對應的導管112、114、116。 机 處理室180可支撐超過一個處理。藉由實例 ^ >電祕刻處理及近接頭觸，使得在單—處理室 11 目Ιΐΐ 接頭可接著在原處沖洗、清潔及乾燥i 处理至18〇亦可耦合至多個其他處 、^ 此類通常被稱之為群集工具）。 184 186(^° 的第包含能夠處理項目108之第二表面臟 目108之产理祕二近接頭系'统170亦可包含用來監測施加至項 曰1㈨之處理的儀态174。近接頭系統17〇亦可包 100並能夠支撐及/或移動近接頭的致動器176。轉σ至近接頭 的炎Ϊ制L1巧亦可包含配方178°配方178定義處理室中之處理 來&制處至處理t180及近接頭100及需要用 二2 中之處理的處理室之其他部分。控制器172亦包含 邏輯Π2Α，邏輯用以實施處理室18〇中之處理的配^冗。 14 200903573 含監測處理之結果的能力，並包含根 果來5周整或修改—或更多配方之態_能力。j^''o 項目108可相對於近接頭1〇〇而移 Sit，且可相對於近接頭100而旋轉。日同樣地，可 的物雜夠蚊較絲lG8Au—位置= 圖2A為符合本發明之近接頭2〇〇的橫剖面圖。圖2 ii:之:：施例的近接頭200之頭部表面210的視圖。近接頭口 包^-液體腔室204。第-導管112A將第一分離孔㈣連^ 至第-腔室204。如上所述，第一液體源112，係叙合至第一腔室 2〇4。第一液體腔室204經由相對應的分離孔U2B，將第一&體 112分配至第-導管ιΐ2Α及頭部表面21〇 ’以在頭部表面與基板 表面108A之間形成彎液面1〇2。 近接頭200亦包含藉由第二導管114A連接至第二分離孔 114B的第二腔室206。如上所述，第二流體源114，係耦合至第二 流體液體供應腔室206。第二腔室206經由相對應的分離孔1 14b， 將第二流體114分配至第二導管ii4A及頭部表面210。 近接頭200亦包含藉由第三導管ii6A連接至分離孔H6B的 第二腔室208。如上所述’真空源116’係柄合至第三供應腔室2〇8。 弟二腔室208經由相對應的分離孔η6B，分配真空至第三導管 116A及頭部表面210。此真空可由頭部表面21〇汲取第一液體112 及第二流體114(例如，從彎液面1〇2及/或從頭部表面21〇與基板 表面108A之間的空間）。 ~ 圖2C顯示符合本發明之一實施例的第三導管ι16Α及第三腔 室208之更詳細視圖230。第三導管116A係形成實質上垂直(即， 15 200903573 角度;I係等於約9〇度)於頭部表面21〇。第三導 :月間’真空將液體抽吸至第三導管116A，且由於相作 著在導管侧邊上’因而形成多重少量液體22〇: 近 即多ΐ少量液體肖^ 間歇性地被第-心—腔至2G8之真空所創造的氣流， ，歇第二導官Π6Α中之各多重少量的液體2⑻中斷。因 .g液St受到周期性的阻斷’且真空並未連續且均勾地施加至 真空的中斷導致散播遍及彎液面102之壓力變動224。懕六# ，其造絲自=== 撤及1B之近接頭刚，實質上在彎液面 ^真因此’任何從一或多個弯液面撤之邊 隹f液滴(例如圖2C中所示的液滴226)由真空快 速地收集。不幸地，實質上在彎液面102之周圍附近施， 需要近接之非常複分配祕 ^ = 要在if及很多部件中製獅妾頭⑽。例如，t 中所不，形成頭部表面110A及儀表區塊110。真空分配 it ifif額外區塊」09中，其接著機械式密封至儀表區塊‘ • 100可勺人成完整的近接頭。取決於精確的應用，近接頭 ===、娜时配，麵細懷並密封各種 圖2D顯示符合本發明之一實施例的第 導小於90度且與頭部表面210成約15至約60度之 間。猎由實例，第三導管116A，以與頭部表面21〇爽約3〇度角而 形成。 以與頭部表面職纽小於9G絲形成第三導管ll6A，，造 16 200903573 匕災:不是上述說_ 2C中的分段方式 實質上沿導管，管116A’被向上沒出時，液體 =^，因因此，近=== ' _體實質上;:導ί ;Ϊ= 即可將液體拉進導管u二、iH 僅需較少力量 約向==高與柱高之間的真空程度。相 乘柱高麵 挪方法 境及施加的化學物，理躺其適合於處理環 為特氣爾軸_(通常稱之 ^或鑽賴)編難===== 接頭毛胚中形成第一腔室204、第二職206及第三腔室 管litf'H3及280中’分別於近接頭毛胚中形成第-導 二導官114A及第三導管贈。第-導管腿、ί 或入管ιΐ6Α’可由適當機器處理(如麵或乾鋼機 彡成。藉由實例，藉由在相對應的所欲肢(如θ 2 下於碩箱面中將相對應的分離孔112B、114B及膽(錯孔，可） 17 200903573 形成，：導管112A、第二導管U4a及第三導管u6A,。 285巾’於近接頭上形成頭部表面210 _確輪汽。 如模製、機器、切割等等=。 矣而t ί Ϊ 頭部表面21G具有很多特徵。頭部 ^面=包含多重平坦區域_、2請、2·、21(^2: 液面1G2接觸之頭部表面210的 ο.οιο^ΐί 〇 200> ；，°-25mm 5-〇mm ? J?^t21GA偏移且位於實f上平行第二平坦區域 * D1 °*25Η 〇·5Η ^ ^ Ϊ時ί 平坦區域膽更接近基板表面祖。 中使第—平坦區域2iqa較接近基板表面職，導致 上概緣胸_物，後狀長度約為η，而前 、^、、.勺為0.5Η至0.75Η)。因此’形成前緣刚八之附著力實 〒上^強’且因而前緣相應地較強並 少沿前緣刚Α之真空的需要，俾以維持前緣。堅⑴生進以 ιι2ΐ頭T不具有任何沿前緣之第二導管114A及第二分離孔 -、*二，錄少的第二流體114。缺少第二分離孔114B與第 及缺少沿前緣1G4A之真^，減少任何發生在前緣 产二之過早的乾燥。藉由實例，參考圖1A及1B中的近接頭， 筮月可消耗液滴之前，前緣1〇4A前從導管114A流動的 弟二流體114可將液滴12〇乾燥。 ，广緣10，A可，肖耗液滴之前，在-液面之前緣處流入真空導 大氣流，亦可增加液滴120上的大氣流且因而至 二==乾；。在前緣104A前，消除施加至基板表面嫩 第一〜體114的一或兩者，將減少液滴120的乾燥。 ^於液滴⑽污染物將沉積在基板表面i上，所以不期待將液 輸理為濕式處理(如沒有乾燥步驟之清潔或 其他化賴理）’麻特難要，且制近接頭財洗及/或乾燥基 18 200903573 板表面108A。 圖3為符合本發明之一實施例的近接頭2〇〇之等角視圖。如 圖3中所示’在第一分離孔112B之端點225A及225B附近，可 將第一平坦區域210A加以延伸。在第一分離孔112B之端點225A 及225B附近延伸第一平坦區域21〇入，進一步簡化近接頭2〇〇的 結構，此係由於不需要施加真空來維持彎液面1〇2之側邊1〇4C及 10^ ’且因而在彎液面102之側邊104C及104D的區域中，不需 要第三導管116A、第三分離孔116B及第三腔室。 再參考圖2A、2B及2D，可選擇性地使第一平坦區域21〇A 的二部分210A’偏移第一平坦區域21〇A，且位於實質上平行於第 二平坦，域的平面上。由於當較接近基板表面1〇8A時前緣及侧將 ，成在第一平坦區域上，與第一平坦區域21〇A偏移的部分2i〇A， 月b夠幫助开>成彎液面之前緣ι〇4Α及側1〇4C及1〇4〇。與第一平 坦區域210A偏移之部分210A’的距離為DU。距離Du可介於 約0.25至約l.〇mm之間（即，約〇 〇1〇，，至約〇 〇4〇，，）。 一、，可選擇性地將第三平坦區域2i〇c偏移且位於實質上平行第 二平坦表面區域21GB的平面中。第三平坦區域21()(：與第二平坦 表面區域210B偏移距離D2。D2可介於約〇 5inm至約2 〇聰^ 至約〇._’，）。第三平坦區域鹰的偏移藉由幫助流動 ，入刀離孔116B，幫助形成彎液面102之後緣104B的位置。此 —移增加第三平坦區域21GC與基板表面觀a間之空間的距 谷積。增加的空間容許更多立即大氣及流體u ί:直 =她L _之立即大氣及流趙114的額二 幫助，真工所帶人分離孔116B之液體的螺旋流動⑽。 二二分離孔116B亦可包含去角槽（ehamfer ) 2丨2。去 來自彎液面搬的液體平順地流入分離孔U6B。去^ 盘八^為任何合献寸及形狀。藉由實例，所顯示之去角槽212 θ "刀離孔116B實際上同中心。或者，去角槽 向分離孔114B延伸。 $力月心^更為橢圓且朝 200903573 分離孔116B附近去角槽212可具有任何合適寬度D6。藉由 實例’ D6可介於約0.015”與約0.040”之間。去角槽212的寬度D5 可介於約0·005’’與約0.020”之間。去角槽212的角度γ可介於約 ^與約办60度之間。藉由實例’在每一分離孔116Β附近，去角槽 的1度加約0.015”、深度D5約〇.〇 15”及γ約45度。 me在第二平坦區域21〇C所夾之角度為^下形成第二導管 角度“可介於約3〇度與約60度之間。角度α將第二流體 導加至第三導管116Α,的真空116，因此，第二流體114 =三平坦區域21〇c與基板表面1〇8Α之間的體積較長的時 二1 f長時間容許第二流體114有更多時間來作用在後緣104Β 二二間的介面上。從上文回想：第二流體114可為氣 ^顺賊的混合物(如1PA/N2蒸氣及氣齡合物、二 芒八，等），用以改變彎液面102中液體112的表面張力。假 盥i14Β稍微較遠離真空分離孔116Β，則較多第二« 114 ϋ更ί 第3體Μ與局部大氣混合，提供第二流 ΗΗΒ的送，因而可更均勻地修改彎液面102之後緣 0.5，，|^L7H與^離孔116B隔開距離D3。距離D3可介於約 ·Ύ之間。相似於上述說明的角度α，距離D3幫助決 停留^ ί區域21GC誠板表面1G8A間之容積中第二流體的 D3 虽距離D3被縮減，則停留時間亦減少。或者，當距離 3 頭細在基板表面刚八上加以掃描。 就比，、而ί"Τ體4的停留時間介於約〇·8與約3.75秒之間。 秒之所示)提供介於_5與約㈣ 角度㈣於約3。度與約6。度之間。角度上 =〇轉度向與 20 200903573 約180度之間。 刀離孔112B與分離孔H6B隔開距離D4。距離D4可介於約 〇·25”與約2.0”之間。距離D4稍微小於彎液面1〇2之前緣丨、ς 後緣104Β間的距離。 、 ,參考圖2Α，在與第二平坦區域21〇Β夾角度3下，可選擇性 地形成第一導管112Α’(如假想線所示)。角度占可介於約3〇产盥 90度之間。將導管112Α，轉向分離孔116Β，促進並幫助第2液^ 112從導管112Α’流進彎液面1〇2及流進分離孔116Β。 圖4為符合本發明之一實施例的處理表面1〇8八之操作方 400的流程圖。在操作405中，近接頭2〇〇係放置在貼近於處理用 之基板表面108Α。 在插作410中’從一或更多第一導管U2A及相對應的分 112Β輸出液體112,以在頭部表面21〇與基板表面1〇8八之 被控制的液體彎液面1〇2。如上所述，經由將第一 ^ 麗的轉向之第一導管112Α，，可將㈣m加以傳^白刀離孔 在操作化中，施加真空⑽至一或更多轉向之第三 。此真空116將液體112從彎液面1〇2吸至分離孔丨丨 =應:的導管116A，。如上所述，液體112實質上連續地流^導及管

在JT選擇的操作420中，沿彎液面的後緣1〇4B施加第二 頭°在操作425中，相對於基板鹰移 頭200俾犯〉口基板表面1〇8A移動彎液面1〇2且 ㈣實施例’吾人應瞭解本發明可利用涉及儲存於i腦

然非必需，但這些數量通常心：體S 所施行之操麵常脇_、_、決 f此說明之形成部分本發明的任何操作係為有： 作。本發財鱗這狀錢或設備。該設備為=需 21 200903573 之目的可特定的建構，或該設備 a 腦程式而選擇性地被啟動或安裝之&用。尤^於，腦中之電 通用機器可能依據此處之教_與所寫 各種不同的 本發明之實絲樣亦可f要的操作。 式碼及/或邏輯。藉由實例在流程;中$== 作方法。電腦可讀式舰為任何 〖配方178及操 .接著可被電腦系統讀取。電腦可讀式媒㈣儲存裝置’其 .機、附加式網路儲存設備^包含硬式磁碟 取記憶體、CD-ROMs、CD~Rs、=憶體:隨機存 ^資料儲存裝置。電腦可讀絲體亦可分布光 、洗’以使電腦可讀式程式碼以分布方式儲存及執行、。電1^糸 2:::序步：;由 所必須。又，上述任何圖式中所述的處理亦可在it =匕此軟體儲存在麵、R〇M或硬式磁碟機之組合或二 雖然在為了清楚瞭解的目的下，本發明 & 附加申請專利範圍之料内 =:ϊί的細節中’而可在附加中請專利範圍之範 【圖式簡單說明】 以下詳細說明連隨圖，將可輕易地瞭解本發明。 板的本發明之一細的近接頭，該近接頭在一基 =本發明之一實施例的近接頭之頭部表面的視圖。 囷1C為付合本發明之一實施例的處理表面ι〇8Α之操作g法 22 200903573 的流程圖。 本發明之—實施例的近接頭系統之簡圖。 合本發明之近接頭的橫剖面圖。 tc顯之—實施例的近接頭之頭部表面的視圖。 之更詳細視圖本發明之一實施例的第三導管及第三腔室观 之更示符合本發明之一實施例的第三導管及第三腔室挪 =2Ε為符合本發明之—實施綱形成近接頭之操作方法的 Μ柱圖。 圖3為2合本發明之一實施例的近接頭之等角視圖。 圖4為付合本發明之一實施例的處理表面之操作 的流程 圖。 【主要元件符號說明】 100近接頭 100’第二近接頭 102 彎液面 104 Α 前緣 104B 後緣 104C 侧邊 104D 側邊 基板 108A表面 109 區塊 110儀表區塊 110B平坦區域 110C平坦區域 110D平坦區域 23 200903573 111 上表面 110A 頭部表面 112 第一流體 112， 第一液體源 112A 第一導管 112A， 第一導管 112B 分離孔 114 第二流體 114， 第二液體源 114A， 第二導管 114B 分離孔 116， 真空源 116A， 第三導管 116B 分離孔 118 監測器 120 污染物 122 方向 124 第二表面 150 操作方法 152 操作 154 操作 156 操作 158 操作 160 操作 170 近接頭系統 172 控制器 172 A 邏輯 174 儀器 176 致動器 24 200903573 178 配方 180 處理室 182 處理室 184 處理室 186 處理室 200 近接頭 204 第一腔室 204’ 第一腔室 206 第二腔室 208 第三腔室 210 頭部表面 210A 平坦區域 210A’ 平坦區域的一部分 210B 平坦區域 210C 平坦區域 210D 平坦區域 212 去角槽 220 液體 222 氣穴 224 壓力變動 226 液滴 230 更詳細視圖 240 更詳細視圖 242 螺旋方式 250 操作方法 255 操作 25 5A 端點 255B 端點 260 操作 25 200903573 265 操作 270 操作 275 操作 280 操作 285 操作 D1-D4 距離 " D5 寬度 . D6 寬度

Claims (1)

1. 200903573 十、申請專利範圍： L 一種近接頭，包含： 一碩部表面，該頭部表面包含： 管由域數之第-導管，每-該等複數之第-導 第一八雜，數之第分離孔的其中一個所界定，該等複數之 第=孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第—平坦區域； 相健irf坦區域及複數之第二導管，該等複數之第二導管由 ίϊΐί 第二分離孔所界定，該等第二分離孔存在於該頭 面中且延伸穿過該第二平坦區域；及 於坦區域及複數之第三導管，該第三平坦區域被設置 區域與該第二平坦區域之間並鄰近於該二者，該等 旻数之第三導管由相對應的第一平坦區域210A複數之第三分離 $所界疋，該等第三分離孔存在於該頭部表面中且延伸該第 ^平坦區域，其中該等第三導管以相對於該第三平坦區域之一第 角度而形成，該第一角度介於30與6〇度之間。 2. 人如申請專利範圍第1項之近接頭，其中該等第一 麵 第r?體源並提供該第二液體至該頭部表面，其中將該複 ^之第二導雜合至一第二液體源並將該第二液體提供至該頭部 ^面，且其中將該複數之第三導管輕合至—真 1該頭部絲。 心 -後3緣專利範圍第1項之近接頭’其中該等第三分離孔沿 4.如巾請翻範圍第丨項之近接頭，其+ 平坦區域之一第二角度而形成，該第二角上與 27 200903573 形成於-第un;項之近接頭，其中該等第一分離孔係 第三分離孔係形成於 列係實質上平行，且該第一列、該第二列及該第三 間。 ’、'^第二列配置於該第一列與該第二列之 6_如申請專利範圍第5頊 .^於該第二平坦區域之-第二角产而成等第二導管以相 」。度之間，其中該第二導管被導二 =以角度細與 :第四平坦包言:第四平坦區域， 平坦區域位在實質上平=以=:;平 在實以，侧域位 10.如申請專利範圍第9項之近接頭， +平坦區域間的偏移介於約_英时與約β 與 11·如申請專利範圍第10項之近接頭， 坦區域之該第三平坦區域中形成該第三列/、中在偏移该弟—平 去角i2化如===第丨項之近接頭，其中將該等第三分離孔 28 200903573 200903573 合至該等第三 導管的一第三腔室 14· 一種近接頭，包含： 一頭部表面，該頭部表面包含： -由：坦ί域及複數之第一導管，每-該等複數之第-導 i八錐數之第一分離孔的其中—個所界定，該等複數之 於該頭部表面中且延伸穿過該第-平坦區域； 相斜雍沾ϋ坦ί域及複數之第二導管，該等複數之第二導管由 部表面々中且延^穿域該等第二分離孔存在於該頭 一第二平坦區域及複數之第三導管，該 該第二平坦區域之間並鄰近於該:者，該等 iHitf碩部表面中且延伸穿過該第三平坦區域，其中該 三平坦區域之—第-角度而形成，該第 成角0與6g度之間’其中該等第三分離孔沿-後緣而形 上 =的ΐ::第三平坦_位在實質上平行於且偏離該 ，：位第;列自該第三列起的對向側 ,卜，貝上+仃於且偏離該第—平坦區域的 平 15. —種近接頭的製造方法，包含： 在一近接頭中形成一第一腔室； 在該近接頭中形成一第二腔室； 在該近接頭中形成一第三腔室； 29 200903573 =_頭部表面至該第—腔室形成複數之第一導管； =。管二=;頭部表面之—第一角度 1二碩部表面至該第二腔室形成複數之第二導管；及 答二表面至該第三腔室形成複數之第三導管，其中該第 而形成，該第一角度介 專利範圍第15項之近接製造方法，更包含. 在4頭。(5表面上形成一第一平坦區域； 在该頭部表面上形成一第二平坦區域； 置於區域:該第三平坦區域被配 並鄰近該二者該第平坦區域之間 第-平坦區域的紅仗Q域位在實質上平行於且偏離該 17.如申請專利範圍第15項之近接頭的t 第四平坦區域位在實質上平行於 接頭妓綠，其中該近 19. 一種利用近接頭之基板處理方法，八· 使-近接頭貼近該基板之一表面，並S . 基板表面之一第一平面上； 置在只質上平行於該 在該近接頭之一頭部表面的—第一 間形成一液體彎液面；及 千—£域與該基板表面之 施加一真空至該液體彎液面的—後 彎液面汲取一實質上連續的液體流。、’ 〃、中5亥真空從該液體 200903573 20.如申請專利範園第19項之利用近接頭之基板處理 尹該液體f液面包含-舰且射_部表面包含—第 _、 區域位在實質上平行於且偏離該第-平 Μ板表面，且其中該液-平坦區域更接近 該基板表面之間的一前緣。面已3形成在该第二平坦區域與 Η*一、圖式