TW200900166A - Cleaning process and apparatus - Google Patents

Description

200900166 九、發明說明： 【發明所屬技術領域1 發明領域 本發明係有關一種用以清潔基材，包括但不限於不同 5材料例如玻璃、鋁和矽之碟形基材的清潔系統和方法。 I：先前技術3 發明背景 電月b、電子裝置、和娛樂產業等會使用許多碟形基材 以供製造電子迴路。該等基材典型包含矽晶圓、鋁、塑膠、 1〇玻璃、陶瓷和複合材料等。為了方便起見，在本說明書中 所稱的材料將會論述鋁或玻缡。惟此並非要被釋為本發明 之用途的限制。 該等基材在製造時會歷經許多的製程，包括重複地塗 敷和除去各種導電性、不導電性及半導性的磁性、光學和 15 磁光學材料等。 在製造期間，該等基材必須被重複地打磨、拋光、蝕 刻和清潔。由於基材設計的趨勢傾向小型化，故在基材之 製造過程中所需的清潔程度亦會增加。尤其是，複雜的多 層電路必須被製設在極為清潔的基材上。否則，瑕絲會 20發生而導致減低產量，增加製造時間和較差的產品品質。 一種用以清潔鋁碟片的清潔模組之習知設計包含一清 潔站具有二刷筒被相鄰地列設。該二刷筒會侃二中心縱 轴，它們係互相平行。-或多數㈣片則會被排列在該二 刷筒的中心縱軸之間，而使該等碟片的相反應兩面能在該 5 200900166 等刷筒繞其各自的縱軸旋轉時被清潔。 該習知清潔模組之一第一缺點係其不能滿足現代化用 品（例如小型化的積體電路)所需的增高水準之清潔度。此係 因為各碟片的每一面與該各刷筒之間的接觸面積並未最大 5 化，故乃無可避免地會導致如前所述的基材瑕疫。 該習知清潔模組之一第二缺點係其在一指定時間内只 能清潔一有限數目的基材。此係因為可被該二刷筒同時地 清潔之鋁碟片的數目會被該等鋁碟片的直徑所限制。且， 在該刷件與碟片之間的接觸係僅為一線接觸。因此，為了 10 確保該碟片與刷件之間有全面接觸，該刷件必須向下移動 該碟片的整個直徑。結果，該碟片在該清潔站中的停留時 間會相當長。 此外，該習知的清潔模組通常具有一個以上的清潔 站。該習知清潔模組之一第三缺點係該等鋁碟片是個別地 15 由一清潔站前進地移轉至另一清潔站。因此，當在不同的 清潔站之間移轉及裝載和卸載該等碟片的期間將會造成 “空耗時間”。 當該等碟片在清潔槽内時會產生另一問題。於此情況 下，該等碟片通常係被支撐物由底下固持在兩點處，且該 20 等碟片會接受高頻率波。在最近，兆赫聲波的使用已變得 更為普遍，即具有典型大於700kHz頻率的聲波。該等兆赫 聲波係由一槽的底部傳送，在該槽内已有清潔流體浸潰著 該等碟片，故該等聲波會造成空腔振泡而企圖由碟片除去 微粒。於此裝置中，該等碟片會遭受該等兆赫聲波，然後 200900166 在該製程的下個階段被由該槽移除。但是，該等兆赫聲波 係由該槽的底部發散，無可避免的，該等碟片被安裝其上 的支架會在碟片上造成一蔭影，故會阻止該聲波作用在該 碟片的某些部份。以往，當超音波被較普遍地使用時，該 5 等音波具有較長的波長，由於該超音波會繞射繞過該等支 架而消減碟片上的蔭影，故該等蔭影的問題較為少見。更 普遍使用的兆赫聲波具有較短的波長而較不易繞射，因此 該等支架“蔭蔽”碟片的問題會較為顯著。 又該製程特別是有關在清潔槽内之碟片的另一問題係 10 當它們被由該槽移除時會有清潔流體附著於碟片上。碟片 必須在每一塗層製程之後被清洗，並在最後階段完全組合 成一硬碟驅動器之前再清洗一次。因該清洗製程通常包括 將該等碟片與支架一起浸入一清潔流體之槽内，而後續由 該槽移除該等碟片會使該流體附著於碟片，且因該溶劑的 15 不均勻乾燥會造成溶劑污斑和痕記。 在該製程的另一階段中，碟片會在被移轉至一卸載站 之前先在一烘爐中乾燥。該等碟片被烘爐乾燥的速率係取 決於許多因素，例如，但不限於： i)在該烘爐内的空氣溫度； 20 ii)在該烘爐内的空氣循環速率和手段； iii) 該烘爐的輻射作用； iv) 所施用的任何添加能源；及 v) 該烘爐内的空氣壓力。 對該烘爐進行調整來有利地影響其乾燥速率將無法不 7 200900166 包含資金成本，故雖加快其乾燥速率是商業上有用的，但 該等成本並不能確保最終效益。 在任何情況下，假使該製程之各種階段的不同設置得 能避免該習知技術之至少一個所述的問題將會是較佳的。 5 該習知技術的又另一缺點包括除去殘留在該浸潰槽内 之流體介質懸浮液中的沈積物會有交叉污染的可能性和清 潔效率的問題。該浸潰槽係用來提供一介質，藉由它可使 釋離的微粒被由冲洗後的基材移除。其目的是要利用該流 體介質的循環來將該等微粒導向一出口，而使它們由該槽 10 内流出。因此，其目標是要保持一較無微粒的介質，俾防 止微粒再黏附於後續的基材上。為使該浸潰槽能提供該清 潔功能，該等微粒的有效去除十分重要。 槽的設計包含一該介質的入口設在該槽的一端並會靠 近底部進入。任何已停置於該底部的微粒可被由該底部朝 15 向一擋堰之一大致朝上方向攪動而上移回到懸浮液中，該 擋堰可容許該介質流接近於該頂面層。該設計有賴於該等 微粒被驅入此層中，以使它們流向該擋堰，且當停駐時， 會被滯陷在該擋堰内。一泵將會移除該擋堰内的介質。並 因而除去該等微粒。以此設計所附隨的問題係，在該槽内 20 並未與該介質由該入口至擋堰的大致流向對齊的死點等， 將會傾向於容許被含納於由該入口流向擋堰之介質流所形 成的渦流中之微粒集結積聚。又另一問題包括該等微粒會 被沿該輸入流的方向大致偏導。雖該入口的位置靠近底部 可容許已停置於該底部上的微粒移動，然而此會造成一擾 200900166 動環境而使微粒以隨機方向移動。其中固會有一芎分比的 微粒將會隨著主流流至該擋堰然後被移除。但仍有一相當 比例的微粒事實上只會隨循任意流徑，因而停留在該浸潰 槽内的懸浮液中。故，若不由該槽内除去微粒，則已玎免 5於污染基材的微粒現將被迫流入懸浮液中，而因此造成更 大的問題。 L 明内 1 發明概要 本發明之一第一態樣係有關一種用以清潔一或多個基 1〇材的清潔模組，包含一或更多的刷件可操作來沿一相對於 該基材的徑向路徑移動。例如，該清潔模組可更適用於’ 但不限於，清潔鋁碟片。 較好是’該刷件可鄰近於該基材的一面，而使當該刷 件移向《亥基材的中心時，該刷件的擦洗部份會重疊該基材 15之一對應部份來互相接觸。 \ 在一較佳實施例中，該清潔模組可更包含一基材旋轉 衣置用以當該基材與該刷件的擦洗部份接觸時來旋轉該基 材。該基材旋轉裝置可包含一可旋轉轴柄合於該至少一基 20 =二r此可容許該基材被該刷件之擦洗部份清潔的表 20 面積能被最大化。 utr該刷件亦可旋轉以使該刷件之擦洗部份用以 積最大化。在此實施例中，相較於縱長的 件係提供-種“區域，，接觸。此乃 對·㈣的相同停留時間，提供比該縱長 9 200900166 刷件更長的每單位面積實際接觸時間。 好疋’該刷件與該基材兩者皆可操作來沿一相同方 地清潔後刷件與基材之間的相對摩擦力能更有效率 5 10 15 可容=:=轉半徑設計成大於或等於該基材的半徑 Π 娜的擦料份清料部份《最佳化。 m =該清潔模組亦可包含—或更多個周緣刷件用以 材=基材之-外緣，及/或—或多個内刷件用以清潔該基 、、二=Γ緣。此可確保該基材之-更高水準的清 度。此乃可適用於含有積體電路之小型化的用途。 本發明之-第二態樣係有關在清潔 多個刷件的方法，包含沿—相對於該基㈣徑: 仏移動該刷件的步驟。該方法係_地 適用於清潔㈣片。 -I非唯獨地， 的方t發明之一第三態樣係有關-種清潔-或更多個基材 /:包含如下步驟:沿—相對於該基材的徑向 —對應部份。丨重衫刷件之-擦洗部份與該基材之 =當_件嶋洗雜重疊料㈣職部份 =則該基材被該刷件之擦洗部份清潔的表面積乃 ，清潔該基材的方法可更包含如下㈣：旋轉 …來最大化該刷件之擦洗部份用以清潔該基材的面積。 較好是，該刷件和基材係以一相同方向旋轉，而使今 20 200900166 刷件的擦洗部份與該基材之間的相對摩擦力清潔該後者。 此外’清潔該基材的方法可更包含如下步驟：鄰近該 基材之:邊緣移動—❹_緣麟，及近該基材中 5 10 15 20 之孔洞的邊緣來移動一或多個内刷件，俾可符合—如所 須之較南水準的基材清潔度。 在一第四態樣中，本發明提供一種用以清潔一被支架 固持之物件的方法，該方法包含如下步驟：施加—音波於 旋轉該物件和支架以使該物件上先前被該 支架擋敝的區域能曝露於該音波。 支竿所魏轉’並因而移轉該物件的位置，故由該 ==影亦會移轉，因此，可容選擇 青I先讀紐的部份’使其因曝露於兆赫音波而完全 1它:有較I:例中’該等物件可為碟片、基材、晶圓或 其匕具有一平滑輪廓的物體。 在一較佳實施例中，哕 件的架座。在-更佳的實包含能—次銜接數個物 由重力，且更可，由”妬 该等銜接的手段係可藉 或者，該… L件被置於向外突出的凸部上。 接形式或支架的::月械式銜接，而施用於該等銜 的-部份上形成影。該支架的—部份會在該物件 較好該旋轉具有-旋轉 下，旋轉可藉觸片和切、、在該^外部。於此情況 該等碟片亦可繞其自己二 完全旋轉來達成。或者 〜例如藉著作用如滾輪的支撐 11 200900166 物來被轉動，而得在該槽内旋轉該等碟片。 在一第五態樣中，本發明提供一種用以清潔一物件的 清潔系統，包含一支架其上置放該物件；一音波產生器用 以沿一與該支架和物件重合的路徑來導引一音波；該支架 5 係被設成可選擇地繞一旋轉中心轉動，並因而轉動該物件。 在一第六態樣中，本發明提供一種用以由一清潔系統 移除一物件的方法，包含如下步驟：提供被一支架銜接的 該物件，並浸入一清潔流體槽中；相對於該物件向下移動 該槽，而使該物件由一完全浸入位置移至一會令該物件的 10 至少一部份不再被浸入之位置；及由該槽移除該物件。 在本發明之一第七態樣中係提供一種用以清潔一物件 的清潔系統，包含：一槽裝有清潔液；一支架用以在該清 潔液中銜接該物件；其中該槽係可相對於該支架以一方向 選擇性地移動而由該清潔液移除物件。 15 在一第八態樣中，本發明提供一種乾燥一物件的方， 包含如下步驟：將該物件放入一烘爐中，除溼化一熱空氣 流；嗣將該熱空氣流導至該烘爐。 影響在一爐内之一物件譬如一碟片之乾燥的因素可藉 對該爐進行調變來達成，包括例如添加額外的能源，增加 20 空氣循環和增加壓力等。然而，另一因素包括減少該爐本 身内的濕度。藉著在被送入該爐内之前預先乾燥進入該爐 中的熱空氣流，則與乾燥速率相關的問題將能被遍阻。 在一較佳實施例中，為進一步減低濕度，一除濕機亦 可被附加於該烘爐。 12 200900166 在一第九態樣中，本發明提供一種用以收集懸浮於一 浸潰槽中之微粒的收集室總成，包含：一可滲透屏幕可被 該等微粒穿過；一腔室設在該總成内而使穿過該屏幕進入 該總成的微粒會進入該腔室中，該腔室係與該槽之一出口 5 呈流體導通，其中進入該收集室總成的微粒會經由該出口 離開該槽。 在一第十態樣中，本發明提供一種用以助益流體流入 一槽内的入口總成，該總成包含：一陣列的孔隙，該等孔 隙會導通一共同的流體源；該等孔隙係係被排列成使來自 10 任一孔隙的流體流向會平行於來自每一其它孔隙的流體流向。 提供一入口陣列可達到兩種效益。第一是減少該槽内 的亂流。具有習知技術的單一大入口會沿該入口之一軸向 路徑造成流體流。但是，在該主流周緣處的移動和固定流 體之間的剪切應力將會形成渦流，因此，會在該槽内產生 15 亂流。藉著提供一陣列的入口，一較大且更均勻的主流將 可被造成於該槽内，故而可限制該主流之邊緣效應的影響。 在另一態樣中，本發明提供一種收集室總成，其具有 一屏幕可被該等微粒穿過。此一可滲透屏幕可被設在該槽 内之一較大深度處，且亦可提供一增大的面積以使微粒被 20 納陷其中。 應請瞭解該屏幕之可滲透性係指微粒能穿過該屏幕， 或可能穿過形成於該屏幕之貫孔的能力。該貫孔的精確尺 寸將取決於被由基材除掉的微粒，此係為專業人士之一普 通常識。 13 200900166 該屏幕較好係沿一方向來傳送微粒。例如，該屏幕可 容許微粒比容許它們逸出更容易地進入該收集室總成。達 到如此之一種方法係設有錐形的貫孔，而令在該“槽側”上 之貫孔的孔隙直徑大於在腔室側上的孔隙直徑。此效果將 5 可藉成型、冷壓或以一錐形工具貫穿該屏幕而來達成。 該擋堰裝置係僅為位於該表面附近的微粒來提供。該 收集室總成容許在任何深度的微粒進入該等捕捉腔室投射 區中。故，一增大的微粒收集面積將必然會捕捉到一較高 百分比的微粒。 10 因此，與習知技術相關的死點區域將可因較大的流動 面積而減少，又且捕捉該浸潰腔室内之懸浮液中的微粒雖 先前係為習知方案中之一問題，但現已能被有利地處置， 因它們嗣能被該較大的流動面積偏導向該捕捉腔室。 圖式簡單說明 15 針對示出本發明之可能設置的所附圖式來進一步描述 本發明將會較方便。本發明的其它設置亦有可能，因此所 附圖式的特殊性不應被視為超越本發明之先前描述的概括性。 第1圖示出一清潔模組在一基材清潔製程之前的情況； 第2圖示出第1圖的清潔模組中之一機器人揚升器範例； 20 第3圖示出第1圖的清潔模組中之一處理托架； 第4圖示出第1圖的清潔模組之一第一清潔站； 第5圖示出要在第4圖的第一清潔站被清潔之一基材的 放大圖， 第6圖示出第1圖的清潔模組之一第二清潔站； 14 200900166 第7圖示出要在第6圖的第二清潔站被清潔之一基材的 放大圖； 第8圖示出第1圖的清潔模組之一第三清潔站； 第9圖示出該清潔模組在該基材清潔製程之後的情況； 5 第10圖示出一不同構造的清潔站之側視圖； 第11圖示出包含第10圖的清潔站之清潔模組； 第12A和12B圖為依據本發明之二實施例示出該基材 清潔製程的碟片之平面圖； 第13A至13E圖示出本發明一實施例之支架和碟片的 10 平面圖； 第14圖示出依據本發明另一實施例的清潔槽之一連續 平面圖； 第15圖為一依據習知技術之浸潰槽的平面圖； 第16A和16B圖為一依據本發明一實施例之收集室總 15 成的平面圖； 第17圖示出一依據本發明另一實施例之在該入口陣列 中的相鄰浸沒喷口之交互作用示意圖；及 第18A和18B圖為一依據本發明之另一實施例的浸潰 槽之立體圖。 20 【實施方式】 較佳實施例之詳細說明 第1圖示出一依據一實施例之用以清潔一或多個基材 的清潔模組101。在本例中，該清潔模組101係分成三個部 段：一裝載部段103 ; —清潔部段105 ;及一卸載部段107。 15 200900166 該裝載部段103包含三個呈饋送托架i〇9形式的基材載 具或貯放匣，其各可容納一疊12個碟狀基材11〇。該等基材 110在被移送至托架10 9來依據本發明加以清潔之前可能已 被進行過各種上游的製程(例如超音波清洗等）。 5 在該基材清潔製程之前，於一特定支架109中在均勾間 隔位置的基材110會被一機器人揚升器移轉至該清潔站1 中之一處理托架113。該清潔部段105包含三個清潔站4〇1、 601、801等’將會說明於後。為簡明起見，該等清潔站的 細郎僅在圖中不出有關該處理托架113者。 10 第2圖示出一舉例的機器人揚升器201設在容裝25個基 材110的托架109上方。該機器人揚升器201包含五個揚升臂 203等平行列設。此外，在各相鄰的揚升臂2〇3之間的距離 皆為相同’且可為每一基材110之總數的任意倍。該機器人 %升器201能由该托架1 〇9同時地提起所有的第（1 +kn)個基 15材至該處理托架113 —該變數“k”係為該等基材總數的倍 數，而變數“η”係為任何整數={〇，卜2，3，·_·}。針對此 特定實施例，如第2圖所示，“k”具有一5之值。故，當該清 潔製程開始時，該等揚升臂203將會由該托架1〇9同時地提 起第1、第6、第11、第16、和第21個基材no至該處理托架113。 20 當該等揚升臂2〇3對準托架1〇9中的基材11〇時，它們會 在該等基材的水平直徑軸線下方同時地銜接該等第（1+kn) 個基材的周緣，而將該等所擇的基材由托架1〇9移轉至處理 托架113 ’如第3圖所示。 該處理托架113包含一基材旋轉裝置呈一馬達驅轉軸 16 200900166 205的形式設在該等基材11〇的周緣，而使該轉軸2〇5能接觸 該等基材110的圓周。該馬達驅轉軸2〇5係耦接於一馬達 207,而使該轉軸2〇5會繞一平行於該處理托架113之縱軸的 縱向軸心旋轉。故，若該轉軸2〇5以一順時鐘或反時鐘方向 5旋轉時，則該處理托架H3中的基材110將會以一相對於該 轉軸205的相反應方向旋轉。 請再參閱第1圖，當清潔循環開始時，由該托架1〇9之 左端算的第卜

10 15 20 等，會被-類似於機器人揚升器2〇1的機器人揚升器移轉至 在清潔部段105巾的處理托㈣3。在具料同之基材數目 ^機器人揚升器具有不同“k”值的其它實施财，要被由托 架1〇9提送至處理托架113的基材係以公式（Ι+kn)來判定，其 中{〇，1 ’ 2 ’ 3....} ’敲為該基材厚度之一倍數，如 所述。 /第4至9圖示出每一站的處理過程。為清楚起見，該各 —係個別地考罝，而該等圖式—次只示出—個托架⑴。在 rt佳實施例中，每—站中將有數個托架，且每-站皆會 5才地進η潔製程。概括而言，該等托架ιΐ3會移至每一 而同時進仃製程，該等托架嗣會沿一輸送帶移動，並 新的托架會被置人第—站中，且在遠端處，該托架 «被π工並㈣輸达帶移除。空托幻13嗣可在該製程 :始處被再置人心承接新的碟片，其可被—操作者更 ^或藉—分_輪送帶來換置以使該製程更自動化。以 下^更詳細地描述該製程。 17 200900166 該處理把架113係列設在一輸送帶（未示出）上，而使其 能移動通過該清潔部段105的相反兩端。第4圖示出該處理 托架113在移入—第一清潔站401時的設置狀況。在該第— 清潔站401中，有各碟形刷件403會被設計來清潔一特定基 5材110的一面。故，需要一排20個刷件403來清潔被該處理 托架113所撐持之全部10個基材110的兩面。在實施例中， 該等刷件403係呈現如對應於每一基材的個別刷件對，在每 一對中的二刷件會充分地互相隔開以容納該對應的基材 110。 10 當該處理托架113移入該第一處理站401時，該排刷件 403會降低來重疊該碟片的一部份’其在本實施例中係小於 每基材110之表面積的一半。當該等刷件4〇3與基材11〇重 疊時，它們將會彼此互相接觸。 第5圖不出一基材110正被一對刷件403清潔—在該基 15材110的每一面各有一刷件—之接近放大圖。若該等刷件 403/σ-相對於縣材11Q的㈣路郷動則各刷件之一 擦洗部份501將會與該基材11〇重疊來接觸該基材11〇之一 對應部份。 20 材110係被設成可藉操作該馬達207沿反時鐘方向 ST轉軸2〇5而以順時鐘方向旋轉’因此該基材110 = 擦洗部份擦洗。同樣地，該等刷件4。3 亦麵接於-馬達(未示出），而使 順時鐘方向旋轉。因此’該 ：材旋轉的 之間的相對摩擦力將會清潔該基V先。峰與基材ηο 18 200900166 較好是，該等刷件403的旋轉半徑係相同於或較好大於 該基材11 〇的半徑’而使該基材11 〇能因該等刷件403之擦洗 部份501與基材110的各面之間的相對摩擦接觸，而被該等 刷件403徹底地清潔。該等刷件403的旋轉半徑一般可比該 5 基材11〇的半徑更長大約5mm。因此’在一指定時間内該基 材110被刷件403清潔的表面，乃可比該基材被以習知技術 來清潔的表面更大，因為本發明的實施例消除了該清潔製 程期間的圓圈效應，其將會參照第12A和12B圖被說明。 在本實施例中，該清潔循環會持續約5至20秒，然後該 10 排刷件403會上升至原來位置。 當s亥專基材110在第· 清潔站被清潔之後，該處理托架 113嗣會沿該清潔部段105移向一第二清潔站601。 該第二清潔站601包含一排10個周緣刷件603等。當該 處理托架113移入該第二清潔站601時，該排周緣刷件603會 15 降低以使它們接觸該等基材110的圓周邊緣。此外，該第二 清潔站601更包含一排10個内刷件605等，用以清潔每一基 材110之孔洞的邊緣。 第7圖示出一基材110正被該周緣刷件603和内刷件605 清潔的放大圖。當該周緣刷件603和内刷件605分別與該基 20 材11〇的圓周邊緣和孔洞邊緣接觸時，該基材110會以一順 時鐘方向旋轉。故，該基材110的外緣和内緣皆會被該基材 11 〇與刷件603、605間的相對摩擦接觸所清潔。 較好是，該内刷件605係耦接於一馬達(未示出），而令 其能以一相反於該基材旋轉的反時鐘方向旋轉。此可使該 19 200900166 基材110的清潔時間縮短。故，該外緣刷件603亦較好設成 會以如同該基材旋轉的順時鐘方向旋轉。如此，則該等刷 件603、605與該基材之間的相對摩擦力將會清潔該基材。 當s玄基材110在第一清潔站601的清潔完成後，該處理 5 托架H3嗣會前進至一第三清潔站801，如第8圖所示。當該 處理托架113移入第三清潔站801時，一排20個刷件803等會 降低來與每一該等基材110之各表面區域的大約一半重 疊。其可看出該第三清潔站801係相同於第一清潔站4〇1， 故無須再深入說明。 1〇 應請瞭解因該等基材110係依序地在該三個清潔站中 被清潔，故該等基材110的清潔度水準會改善。且，由於該 等清潔站401、601、801的模組化’故在該等清潔站401、 601、801處之每一清潔循環的時間乃可被互相獨立地調整。 當在該第三清潔站801之基材清潔完成時，該處理托架 15 109會再度沿該清潔部段105移至該清潔部段105的相反 端。另一饋送托架901會被設在鄰近於該清潔部段1〇5之相 反端的卸載部段107中。在該清潔部段1〇5之處理托架109上 的基材110嗣會被利用以—相同或類似於第2圖之機器人揚 升器201的方式來操作的另一機器人揚升器提送至該清潔 2〇 模組1〇1之卸載部段107中的托架901上。 當該等基材110被移轉至托架901上之後，它們嗣可被 依需要進行各種下游製程(例如超音波沖洗）。 該清潔模組101的機器人揚升器嗣會移回該裝載部段 103中的托架109處，且其揚升臂會以一基材厚度（或一基材 20 200900166 間隙）的距離移動，而使對應於由該托架1〇9左端算起之第 2、4、6、8、1〇、12、14、16、18、20個基材 110的下一組 基材110能被移轉至該處理粍架113。如上所述之相同的清 潔製程嗣會繼續再進行一次。 5 故’多數個基材110在該處理托架113移動通過該清潔 部段105時，即會被一起由一清潔站移轉至下一清潔站。此 係相對不同於習知技術，其中該等基材通常係被個別地移 轉。故’應可瞭解該清潔模組11〇會最小化因裝載和卸載要 被清潔的個別基材所造成的“空耗時間”。 10 雖在該清潔模組101中的三個清潔站401、601、801係 被揭述為模組化或各自獨立的，但應請瞭解它們亦可被組 合來形成一整體的清潔站。為簡明起見，只有此一整合清 潔站（標號1001)的側視圖被示於第1〇圖中。 該整合的清潔站1001包含1〇個伸長構件（其一被標示 15為1002)等互相平行排列，並垂直於該處理托架113的運動 方向。 該伸長構件1002包含三個凸臂1〇〇3，1〇〇5，1〇〇7等由 一伸長部份伸出，及如前所述之各組相同的刷件4〇3、6〇3、 605、803等。故，乃可看出該整合清潔站1〇〇1結合該三個 20清潔站40卜601、801等。因此，於本實施例中，該伸長構 件1002能在所有各站中進行同步的清潔。 當該處理托架113移入該整合清潔站1〇〇1時，該整合清 潔站1〇〇1會降低，而使該處理托架113上的基材11〇等被各 組刷件4〇3、6〇3、6〇5、8〇3清潔。另一臂（未示出）亦可被提 21 200900166 供來在該清潔過程期間支撐該碟片。該支撐臂對該第二清 潔站是最有利的，其可確保避免該周緣刷件6〇3在清潔時可 能會令該碟片不穩定化而迫使其排列失準。藉著提供該支 臂，則該碟片可被固持於定位。 5 又，該支臂亦可提供額外的驅動來旋轉該碟片。如此 而為時，該支臂與碟片之間的接觸點可具有一滾輪，而 以該滚輪提供全部或部份的所需扭矩來驅動該碟片的旋 轉。 鑑於該整合清潔站1001，應請瞭解其可有一或多個處 10理托架在該清潔部段105中平行移動。此係因為該等凸臂 1003、1005、1007能被設計成與一或多個處理托架中的基 材110對準’而使該等基材110能被所有各組的刷件401、 601、605、803來同時地清潔。 第11圖示出該清潔模組1〇1設有該整合清潔站1〇〇1。為 15簡明起見，該整合清潔站1〇〇1和機器人揚升器等未被繪於 第11圖中。在本例中，該清潔模組101包含三個處理托架 113a〜c等。相對於會在清潔部段1〇5中由輸送帶上從一清 潔站移至下—清潔站的纽托架113，料處理絲113a〜c ，在該清潔部段105中固定於定位。此乃因為該等基材11〇 20疋破特定的機器人揚升器沿該清潔模組1〇1漸進地移轉於 相鄰的把架之間。 應請瞭解，若在該基材清潔製程期間想要增加被清潔 的基材11G數目H清潔模組1()1的設計乃< 適用。 亦可考量該基材旋轉裝置成為一馬達驅轉軸的形式， 22 200900166 其係可操作來固定於該等基材11 〇之中央孔穴的壁上。但 是’該等基材110必須被由該處理托架113提高，才能使該 等基材110可隨著它們所固接的該馬達驅轉軸來被旋轉。 此外，亦可考量令該等刷件403、803完全重疊該等基 5材110的側面。如此，若該等刷件403、803或基材110旋轉， 或當刷件403、803和基材110等以相反方向旋轉時，則該等 刷件403、803與基材110之間的相對摩擦力將會清潔後者。 第12Α和12Β圖示出依據刷件的旋轉半徑相對於該碟 片直徑之不同擦洗圖案的效應。 10 第12Α圖示出該旋轉半徑mo係遠小於被擦洗的碟片 1105直徑之情況。圖中示出沈積污物1115散佈在擦洗半徑 1110的周緣附近。因為較小甚多的半徑，故該污物會全部 或至少部份地殘留在該碟片11〇5的表面112〇上，致會消減 該擦洗程序的效益。 15 相對地，第12Β圖示出具有遠大於該碟片1205直徑的旋 轉半徑1210之效果。其中，污物122〇、1230會沈積在該碟 片的内徑或孔洞1215上，以及周緣丨225上。藉著對該孔洞 1215和周緣1230施以一擦洗製程，則該等污物122〇、1230 可在一雙步驟製程中被由該碟片1205除去。 20 事貫上，該刷件的旋轉半徑將會改變，以提供不同的 效益。雖該圖式示出一較大半徑的某些利益，但此並非要 被視為本發明之一限制，因為該製程的效率—不論該旋轉 半徑如何一仍會優於習知技術者。 故，雖本發明已被用一較佳實施例來描述說明，但許 25多變化可能在所請求的範圍内，此乃可為專業人士所瞭 23 200900166 解’而不超出如請求之本發明的範圍。 第13A圖示出一支架13〇5的詳圖，其係被用來在一清潔 ，中％•銜接-物件，譬如-碟片（未示出）。該清潔槽典型係 4滿一清潔流體，例如一溫去離子水或稀釋的異丙醇。 5 该槽典型會在底部設有一音波產生器，而該等支架會 將該等碟片降低浸入該槽令以供清潔，且該音波產生器會 產生波和後續的空蝕作用來由該等碟片除去微粒。傳統的 超音波曾被使用在大約200kHz的頻率，而較新近的兆赫聲 波具有大於700kHz的頻率者，已開始變得更為普遍。使用 1〇兆赫聲波之一特性係被示於第13A圖中。由於高頻率，故其 波長較短，因此用於超音波清潔所經歷的繞射圖案，如第 13B圖所示者會較不顯著。結果係如第nB圖所示之一較小 尺寸的超音波蔭影影響區域1325現在會被兆赫聲波清潔之 較大許多的陰影區域1315所取代。該等隱影係由於發散的 15聲波接觸到作用如一屏蔽物的支架13 0 5而在該支架的下游 所產生者。故，雖有某些程度的蔭影1325已習知於傳統的 超音波清潔中，但利用㈣聲波清潔由於祕影⑽的尺 寸增加故此問題會強化並因而更為嚴重。 第13C至13E圖示出依據本發明之一實施例的解決方 2〇案。在傳統的清潔槽中，該等碟片係被支撐物所撑持，該 支樓物具有凸部或凸體等會在該碟片之下扇形區域的兩點 處接觸該碟片。第13C圖示出-類似傳統裝置的農置，豆中 該碟片⑽係被該支撐物所撐持，而該支撐物可為—對凸 部1305被裝設在-固持著多數個該等碟片的較大支架上。 Μ該等碟片會被降入-清潔槽1355中，而浸潰在該清潔流體 24 200900166 内。當該聲波接觸到該等凸部1305時，一在該等凸部1305 下游處的蔭影1345會使該碟片的一部份保持未被清潔。依 據本發明之此實施例的解決方案係在該清潔製程期間繞一 旋轉中心1340來驅動該碟片1350。雖該蔭影作用不能藉移 5 轉該碟片1350的位置而被消除，但該等凸部1305所造成的 蔭影會移轉到該碟片之一不同部份，而使該碟片先前被“蔭 蔽”的區域會曝露於該聲波，故能被清潔。如在第13D圖中 可見，該碟片1350已被繞該旋轉點1340旋轉1360而造成一 新的蔭影區域1365，但會使先前的蔭影曝露於該聲波，故 10 能促成該碟片之一有效率且完全的清潔。為確保在正常與 該清潔製程相關連的停留時間内有一完全的清潔，該支撐 物得能以相反方向1370擺動，而來造成另一蔭影區域 1375，但亦曝露出先前兩次的蔭影區域而來完成該清潔。 該等碟片擺盪的數次及此擺盪期間所用的時間將會依 15 據要被進行的清潔種類而有不同，且專業人士將會瞭解須 要在該洗槽中停留多長的時間才能完全地清潔任何曾經遭 受該备影的區域。 故該碟片的轉動能夠避免與該等蔭影區域相關的問 題。應請瞭解該旋轉點的位置可依據該清潔製程的本質而 20 改變，且針對任何特定情況來決定理想的旋轉點將會是一 種常規試驗的事項。例如，本發明亦包括在該碟片的區域 内設有該旋轉點，譬如設在該碟片中心處，以使該碟片旋 轉而該支撐物保持固定不動。此乃可藉設有作用如滾輪的 凸體而來達成，其可藉該等凸體/滾輪的旋轉來轉動該碟片 25 以使該等蔭蔽區域曝露於清潔聲波。 25 200900166 第14圖示出一清潔槽1405，其中有一要被清潔的物 件，在本例中為一碟片1410，係正被浸入該清潔流體中並 被凸部1415等所支撐。在該清潔製程之後移除該物件的傳 統手段包括由該清潔流體中完全地提高移出該物件。但此 5將會導致一可觀之量的清潔流體黏附於該物件，而在該物 件乾燥後造成污斑，且更會使由該流體之不均勻乾燥所形 成的痕記留存在該物件上。依據本發明的解決方案包括多 個步驟用以使黏附於該流體的流體最少化。在該第一步驟 中，類似於習知方法，該物件，在本例中係為一碟片141〇， 10會藉由升高1420該支撐物的凸部而被舉高，直到該碟片 1410接近该清潔流體1407的表面14〇6為止。嗣該槽14〇5會 被降低1425 ,而非該碟片被抬高。因此，該槽内之較大量 流體的靜電吸力將會傾向於由該碟片表面沒出流體，此乃 在由該槽内抬高該碟片的相反情況中是不可能的。此原理 15係被稱為“動態去濕化，，。該槽騎會被低，直到該碟片的中 孔1421露出遠清潔槽的表面為止，此時該降低程序1似會 停止:最後-凸體剛會插入該中孔如内，且該碟片; 被提高離開該等支撐物1415，而使該碟片完全脫離該清潔 流體。 20 ，、既存方法相關的問題讀該碟片巾的巾孔強化。當 該碟片在-連續步驟中由該清潔槽被抬高時，該孔洞會在 ===的表面中造成-擾流。切清潔流體表面接觸 :二察到有一斷開線橫過該碟片。故該方案乃企 ㈣片抬高至該孔洞的水平，並健個清潔槽 26 200900166 以取代由該溶劑中提起該碟片而來消減此斷開線。 以一連續動作將該碟片提高移出該清潔槽表面的另一 個問題是該溶劑流離該碟片表面的相對速度。餘留在仍附 者於《片表面的清潔流體上的表面積會變得較小，因 此’由於_片表面之清潔流體的不叹率故會辦加1 碟片表面上之該清潔流體微滴的形成速率。藉著降❹二 個槽，則即使並非全„有-大量的軸清親體會=

C «片表面’因而形成該清潔流體微滴的風險將會大為減 少。 又，為能加快該乾燥程序，該溶劑會被加熱俾可辦加 任何留存在該碟片上之溶劑的蒸發迷率。典型該溶劑:溫 度會被升高至5(TC和6(TC之間。習知技術的另一問題係在 由該等基材除去微粒之後從一浸潰槽移除微粒的能力。 典型地’在該清潔製程之後’該等基材會被冲洗而使 15微粒殘留在懸浮液中，或成為沈澱於該槽底部的沈積物。 為在移除經冲洗的基材之後避免基材的交叉污染，故該等 微粒會被使用一如第15圖中所示的裝置來由該槽移除。如 所驗證，該方法若用於有一甚大比例的微粒留存在該槽 内’而會影響要被沖洗之後續批次的基材之清潔度者並不 20 特別地有效率。 此一習知技術的槽15 00會具有一入口 15 0 5可便於流體 譬如去離子水流入該槽1500中。因該入口 1505作用如一淹 沒噴口，相同黏度的流動流體成為該淹沒流體’一 1比4的 典型分散斜率1511將會被體驗，雖此將會因該噴口靠近於 27 200900166 該槽之側壁和底面而被限制。故對一大直徑的入口 1505而 言，該喷流的擴散將會隨著該噴流伸入該槽内的長度而增 加。該擴散噴流1530會被水平地導向該槽之一相反端。含 納於該槽15 00内之懸浮液中的微粒15 3 5等嗣會被由該噴流 5朝外導出，並會在該冲洗流體充滿該槽時向上穿出該冲 流，然後越過該檔堰而被收集於底部1555。典型地，該底 部1555將會與一泵導通’而該流體由該流入口 15〇5朝向該 擋堰1515的循環會導致一移除該等微粒15 5 0的程序。 但是，使用此一入口 1505會在擴散區域的外部產生擾 10 流區域。此會造成渦流1560A、B等，它們係被該移動流體 與該擴散區域外部的靜流體之間的剪力有效地形成。該等 渦流1560A、B會將微粒1565A、B陷滯其中，因而令移除更 為困難。又在該擴散流1530外部而靠近該槽底部的區域， 一死點區域將會形成，其中沒有該流體的循環量會由此一 15 死點區域移除沈澱物1565A。因此，一可觀比例的微粒且特 別是該等已停置沈澱成沈積物者，將會保留在該槽内，而 僅可能藉由人力清潔來由該槽除去。 此問題之一解決方案係如第16A和16B圖所示之本發 明的實施例。因為習知技術的擋堰裝置第一須要微粒是在 20 懸浮液中，且第二點從該槽的底部移除，其係難以確保該 擋堰能有效地收集所有的微粒。故依據本發明，一收集室 總成1605可被安裝在一槽1600内。於本例中，該收集室總 成包含一屏幕1620 ’其實質上係為一具有許多貫孔的薄 片，但亦可為一網幕或其它此等平坦構件而具有開孔等玎 28 200900166 供該等微粒穿過" 遠等貫孔對該屏幕的總面積比率乃可依據所用材料的 類型而改變。例如’在一實施例中，—金屬片譬如不銹鋼， 而尺寸為30〇mmx200mm者將會具有—〇 〇6m2的總面積。在 5此薄片_，孔隙或貫孔等乃可例如藉由冲製來被形成，其 直徑約為1至2mm。若卩10mm的間隔，則孔隙或貫孔面積 對該整體薄片面積之比率係在0.7至2·9%的範圍内。 應請瞭解，取代-金屬片，-塑膠片譬如聚乙稀㈣ 兩烯亦可被使用’而該等孔隙可被冲製或成型。 10 纟另—實施例中’該屏幕可為使用例如1mm直徑之不 銹鋼絲的鐵絲網。就1mm的孔隙而言，其間隔會減至2〇11^， 而會使該比率增加至大約20%。 應凊瞭解s亥實際貝孔尺寸和間隔的選擇將何依使用者 的喜好，以及該屏幕之類型和構造的選擇而改變。 15 許多擇代的裝置亦可被使用，但在此實施例中’該屏 幕係跨伸該收集室總成的全長度，並有均勻分佈的貫孔設 在該屏幕中。因為在此實施例中，該收集室溫總成會跨伸 由該槽之底部至表面的實質距離，故任何在該槽内活動的 微粒皆可被該收集室收集，而非只有在表面者。故，若有 20 一渦流丨640被形成，則該渦流1640内的微粒1645會保持活 動而穿過該屏幕1620 ’因當該渦流1640於其螺旋運動時會 以朝向該屏幕的方向移動該等微粒。當該等微粒丨635在該 腔室内時，該屏幕將會形如一障壁而阻止一部份的該等微 粒流出該腔室1637。且，該屏幕本身將會形如一障板，而 29 200900166 可消除該渦流所造成的動流。故當該等微粒進入該腔室 1637後’大部份由該渦流164〇所賦予的能量將會減少’所 以該專微粒1635相較於在腔室外部者係較為除能化。因此 該等微粒將會下沈1636並停留在該室的底部1639上，然後 5它們可被以泵或其它裝置移除1638來促使該流體由該槽 1600内外流。 故附設該收集室總成1605的本發明係能由該槽除去微 粒’而無礙於有渦流被形成於該槽的死點區域内。即，不 論是否如此之可使微粒保持活動的裝置會直接朝向該收集 1〇室1605偏導，或僅移動靠近於該總成，皆會導致微粒被移除。 對第15圖中所示問題的另一解決方案係以一陣列的入 口 1705 A、B、C專來取代單一的入口。此一入口陣列可累 積地具有如同習知技術之單一入口的面積。但是，該陣列 的入口 1705A、B、C之較廣闊的分佈會造成一較寬廣的擴 15散帶1710，因此其流量分佈1725會比在該槽17〇〇内的早先 位置更大許多。因為該流量分布的更大均一性1725，故該 等死點區域的形成若未完全消除亦會大為減少，因而集聚 於該等位置的微粒會顯著地減少。應請瞭解，該槽的形狀， 通過該等入口的流率，及該槽内之微粒的分佈和濃度乃可 20決定該等入口的流向，而來達到最佳的效果。 在本發明之另一實施例中，第16A-B和17圖的方案可被 結合成如第18 A和18B圖中所示的方案。其中有一槽丨8〇〇係 被示於二分開的視圖中，以便清楚地看出兩個被結合於單 一實施例中的特徵。據此，一入口陣列1805會被列設於一 30 200900166 大致伸長之槽1800的一端。該入口陣列1805係藉三支沿該 槽之一端水平地突出橫過該槽的管子來形成。各管子皆設 有一排入口’而能具有高度集中的入口等橫佈該槽。該三 支官子本身亦提供一二維的入口陣列，而可經由該等入口 5造成一非常寬廣的液流分佈。該等管子係連於一具有一流 體源1810的歧管’該流體會經由它分散至各入口。該等入 口係以一平行於該槽表面的方向被縱向地導經該槽1， 並大致被導向一收集室總成1815。在本實施例中，該收集 室總成包含一屏幕，其會實質地覆蓋該槽18〇〇的遠端壁，

10而可承接來自該等入口 1805的寬廣擴散流。當以如第16A 和16B圖中所示的方式操作時，該槽内的微粒將會被該擴散 流1825移動’並被導引穿過該收集室總成1815的屏幕 1830。故在第18A和18B圖中所示的實施例乃示出所有前述 之較佳實施例的效益，其中有一寬廣擴散流可避免造成渦 15流而使微粒集聚在—死點區域中。利用來自該等入口 18〇5 而被導向該收集腔室總成1815的液流，所有被補捉於該液 流中的微粒將會以一非常高的可能性穿過該屏幕，即使不 疋立即地，敢後亦會在該固定流1825的驅引下通過該屏 幕。因此，微粒將會被陷納於該收集腔室總成中。 2〇 利用該作用如一接收面且亦如一液流消散裝置的屏 幕，則在該總成1815中的除能化微粒將會沈落至該總成的 底。卩，在该處它們能被經由鄰設於該收集室底部的出口 1800移除。 故可看出本發明的各種不同態樣得能個別地提供一種 31 200900166 優於習知技術的利益，並能一起共同地提供一種非常有效 率的裝置用以由該槽1800除去微粒。 t圖式簡單說明3 第1圖示出一清潔模組在一基材清潔製程之前的情況； 5 第2圖示出第1圖的清潔模組中之一機器人揚升器範例； 第3圖示出第1圖的清潔模組中之一處理托架； 第4圖示出第1圖的清潔模組之一第一清潔站； 第5圖示出要在第4圖的第一清潔站被清潔之一基材的 放大圖； 10 第6圖示出第1圖的清潔模組之一第二清潔站； 第7圖示出要在第6圖的第二清潔站被清潔之一基材的 放大圖； 第8圖示出第1圖的清潔模組之一第三清潔站； 第9圖示出該清潔模組在該基材清潔製程之後的情況； 15 第10圖示出一不同構造的清潔站之側視圖； 第11圖示出包含第10圖的清潔站之清潔模組； 第12A和12B圖為依據本發明之二實施例示出該基材 清潔製程的碟片之平面圖； 第13A至13E圖示出本發明一實施例之支架和碟片的 20 平面圖； 第14圖示出依據本發明另一實施例的清潔槽之一連續 平面圖； 第15圖為一依據習知技術之浸漬槽的平面圖； 第16A和16B圖為一依據本發明一實施例之收集室總 32 200900166 成的平面圖； 第17圖示出一依據本發明另一實施例之在該入口陣列 中的相鄰浸沒喷口之交互作用示意圖；及 第18A和18B圖為一依據本發明之另一實施例的浸潰 5 槽之立體圖。 【主要元件符號說明】 101.. .清潔模組 103…裝載部段 105.. .清潔部段 107··.卸載部段 109，901...饋送托架 110··.基材 113.. .處理托架 201.. .機器人揚升器 203.. .場升臂 205.. .馬達驅轉軸 207.. .馬達 401.. .第一清潔站 403.. .刷件 501.. .擦洗部份 601.. .第二清潔站 603.. .周緣刷件 605.. .内刷件 801…第三清潔站 1001.. .整合清潔站 33 200900166 1002.. .伸長構件 1003，1005，1007.··凸臂 1110，1210…旋轉半徑 1105，1205，1350，1410...碟片 1115，1220，1230...污物 1120.. .碟片表面 1215.. .孔洞 1225…周緣 1305.. .支架 1315，1325，1345，1365，1375·.·蔭·影區域 1340.. .旋轉中心 1355，1405…清潔槽 1360，1370...旋轉範圍 1406.. .表面 1407…清潔流體 1415.. .凸部 1420.. .升高程序 1421.. .中孔 1425.. .降低程序 1430.. .凸體 1500，1600，1700，1800· ••槽 1505，1705A、B、C...入口 1511···分散斜率 34 200900166 1515·.·擋堰 1530…喷流 1535，1550，1565A、B，1635，1645，1636...微粒 1555，1639...底部 1560A、B，1640…渦流 1605，1815...收集室總成 1620，1830...屏幕 1637.. .收集室 1710，1825...擴散流 1805…入口陣列 1810.. .流體源 1820·.·出口 35

Claims (1)

1. ，刈 0166

   '申請專利範圍： —種用以清潔至少 —刷件可操作來沿 移動。 —基材的清潔模組，該模組包含至少 相對於s亥至少_基材，呈徑向路徑 5

   如申請專職圍第1項之清潔模組 件沿該徑向路徑移動時，該至少— 重邊違至少-基材之—對應部份。 ’其中當該至少一刷 刷件之一擦洗部份會 利範圍第1或2項之清潔模組，更包含—基材旋 裝置用以轉動該至少一基材。 =請專利範圍第3項之清潔模組，其中該基材旋轉裝 置包含-可旋轉轴會與該至少一基材的周緣銜接。 如申請專利範圍第卜2,3或4項之清潔模 少-刷件是可旋轉的。 15 6·如申請專利範圍第3至5項之清潔模組，其中該至少—基 材和该至少-刷件係可操作來以_相同方向旋轉。 7.如申請專利範圍第5或6項之清⑹驗，其巾該至少—刷 件的旋轉半徑係大於或等於該至少一基材的半徑。 20 4.

   8·如申請專利範圍第丨，2, 3，心5，6或7項之清潔模組， 更包含至少一周緣刷件用以清潔該至少一基材之一外緣。 9_如申請專利範圍第卜2,3,4,5,6,7或8項之清潔模 組，更包含一内刷件用以清潔該至少一基材之一孔 邊緣。 、 1〇. 一種用以清潔多數個基材的清潔模組，該模組包含： 一托架可供以一預定的相隔關係來撐持該等基材； 36 200900166 各刷件對應於所述的 多數個刷件設在一第—站中 多個基材之一者； 其中各刷件係可操作來、X 术/Q 一相對於該各自基材呈 仅移動，刷件對應於所述的多個基材之者。 11·如申物咖第H)項之杨 4之一^ ”中該弟一托架會支樓 «基材’而使該祕㈣界定的平面平行。

   \ a如申請專利範圍第10或11項之模組，更包含—第二組多 數個所述的刷件設在一第二站中；及 一輸送帶用以將該托架由該第—站移至該第二站。 a A如中=利範圍第12項之模組，更包含多數個周緣刷件 用以清潔各基材之—外緣，及多數個内刷件用以清潔各 基材之一孔洞的邊緣； 該多數個周緣和内刷件係設在一位於該第—和第 一站中間的第三站； 其中該輪送帶係更可適於將該托架由該第—站移 至第二站並嗣再移至第二站。 14 _ 一種在清潔至少一基材期間用以定位至少—刷件的方 法’該方法包含沿—減於魅少—基材，呈彳f向路徑 來移動該至少—刷件的步驟。 2〇 15.-種清潔至少—基材的方法，該方法包含以下步驟：；儿 一相對於該至少一基材的徑向路徑來移動至 件，並重疊該至少一刷件之一擦洗部份與該至少—義 之一對應部份。 I6.如申請專利範圍印項之方法，該方法更包含轉動該至 37 200900166 少一基材的步驟。 17. 如申請專利範圍第15或16項之方法，更包含轉動該至少 一刷件的步驟。 18. 如申請專利範圍第16或17項之方法，其中該至少一基材 5 和該至少一刷件係以一相同方向旋轉。 19. 如申請專利範圍第15至18項之任一項的方法，更包含移 動至少一周緣刷件鄰近於該至少一基材之一邊緣的步驟。 20. 如申請專利範圍第15至19項之任一項的方法，更包含移 動至少一内刷件鄰近於該至少一基材中之一孔洞邊緣 10 的步驟。 21. —種用以清潔一被支架固持之物件的方法，該方法包含 以下步驟： 施加一聲波於該物件和支架； 轉動該物件和支架，而使該物件上之一先前被該支 15 架所遮蔽的區域曝露於該聲波。 22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該聲波係為一單向 的兆赫聲波或超音波。 23. 如申請專利範圍第21或22項之方法，其中該支架和該物 件係浸入一液體中。 20 24.如申請專利範圍第21至23項之任一項的方法，其中該支 架會保持該物件呈一垂直定向，而該聲波係被朝上導向 該物件。 25.如申請專利範圍第21至24項之任一項的方法，其中該支 架包含凸部等會接觸該物件之一周緣。 38 200900166 26. —種用以清潔一物件的清潔系統，包含： 一支架其上係置放該物件； 一聲波產生器用以沿一與該支架和物件重合的路 徑導送一聲波； 5 該支架係被設成可繞一旋轉中心選擇性地旋轉，並 , 因而轉動該物件。 27. 如申請專利範圍第26項之清潔系統，其中該支架係被設 來定位該物件以使其被浸入一液體中，且該聲波產生器 f 係被設成可產生一波穿過該液體。 10 28.如申請專利範圍第26或27項之清潔系統，其中該物件和 支架的旋轉度係足以容許該整個物件被曝露於該聲波。 29. 如申請專利範圍第26至28項之任一項的清潔系統，其中 該聲波產生器會產生兆赫聲波。 30. —種用以由一清潔系統移除一物件的方法，包含以下步驟： . 15 提供該被一支架銜接並被浸入一清潔流體槽中的 物件； ί 相對於該物件向下移動該槽，而使該物件由一完全 浸入位置移至一令該物件之至少一部份不再被浸入的 位置； 20 由該槽移除該物件。 31. 如申請專利範圍第30項之方法，其中該所述部份係大於 該物件的50%。 32. 如申請專利範圍第30項之方法，其中該物件包含一孔 洞，且該物件的所述部份會使該孔洞不再被浸入。 39 200900166 33. 如申請專利範圍第37項之方法，更包含一第二支架可在 當該物件的至少一部份由該清潔液突出時用以銜接該 物件。 34. 如申請專利範圍第38項之方法，其中該第二支架包含一 5 凸體被設成可插入該物件之一孔洞中。 35. 如申請專利範圍第26或29項之清潔系統，其中該物件係 為碟片、晶圓、和基材等之任一者或一組合。 36. 如申請專利範圍第26或29項之清潔系統，其中該支架係 被設成可銜接多數個所述的物件。 10 37.如申請專利範圍第30或36項之方法，其中該物件係為碟 片、晶圓、和基材等之任一者或一組合。 38. 如申請專利範圍第1或29項之清潔系統，其中該支架係 被設成可銜接多數個所述的物件。 39. —種乾燥一物件的方法，包含以下步驟； 15 將所述物件置入一爐中； 除濕化一熱空氣流；嗣 將該熱空氣流導至該爐。 40. 如申請專利範圍第39項之方法，更包含如下步驟：在將 該熱空氣流導至該爐之前除濕化該爐内的空氣。 20 41. 一種用以收集懸浮在一浸潰槽内之微粒的收集室總 成，包含： 一可滲透的屏幕可被所述的微粒穿透； 一腔室在該總成内，而能使穿過該屏幕進入該總成 的微粒進入該腔室中，該腔室係與該槽之一出口呈流體 40 200900166 導通，其中進入該收集室總成的微粒會經由該出口離開 該槽。 42. 如申請專利範圍第41項之總成，其中該總成係設在該槽 内位於一與經由該槽中之一入口進入該槽之流體所界 5 定的方向重合之點處。 43. 如申請專利範圍第41或42項之總成，其中該屏幕包含一 薄片具有多數的貫孔穿透該薄片。 44. 如申請專利範圍第43項之總成，其中在使用時，該總成 係被設成使該薄片之一較下部份沒有貫孔，以使停置於 10 該腔室之一底部上的微粒會被阻止穿過該屏幕離開該 腔室。 45. 如申請專利範圍第41至44項之任一項的總成，其中該總 成係被置設鄰近於該出口，而使該槽内的流體若未通過 該總成將會被阻止不能離開該出口。 15 46.如申請專利範圍第41至45項之任一項的總成，其中該等 貫孔對該屏幕之總面積的比係小於10%。 47. 如申請專利範圍第41至46項之任一項的總成，其中該總 成係被設成使該出口接近該腔室的底部。 48. 如申請專利範圍第41至47項之任一項的總成，其中該總 20 成係設在該槽内而使該腔室的底部接近於該槽的底部。 49. 如申請專利範圍第48項之總成，其中該總成係設在該槽 内，而使該屏幕在使用時會由該槽内的流體表面突出。 50. 如申請專利範圍第48至50項之總成，其中該屏幕之一浸 沒部份包含均勻分佈的貫孔。 41 200900166 51. —種用以助益流體流入一槽内的入口總成，該總成包含： 一陣列的孔隙，該等孔隙會導通一共同的流體源； 該等孔隙係被列設成可使來自任一孔隙的流體之 流動方向平行於來自各其它孔隙的流體流動方向。 5 52.如申請專利範圍第51項之入口總成，其中所述的流動方 向係平行於該槽的流體表面。 53. 如申請專利範圍第51或52項之入口總成，其中該等入口 係被互相靠近地設在該槽的一面上。 54. —種容裝一浸潰流體的槽，包含一陣列的入口用以助益 10 流體流入該槽内；一收集室溫總成具有一可滲透的屏幕 被浸入該槽中，微粒可穿過該屏幕，而該收集室總成係 與該槽之一出口呈流體導通，並被設成使該槽内的流體 在由該出口離開之前會通過該收集室總成。 55. —種容裝一浸潰流體的槽，包含一依據申請專利範圍第 15 51至53項之任一項的入口總成，及一依據申請專利範圍 第41至50項之任一項的收集室總成。 42