TW200849286A - Electrically conductive particle, anisotropic conductive connection material, and method for production of electrically conductive particle - Google Patents

Description

200849286 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種於進行基板、電子零件間等之導電 連接之異向性導電連接材料所使用的導電性粒子體及使用 其之異向性導電連接材料、以及導電性粒子體之製造方 法0 利 ' ㈠肛口+设出之日本專 f 申請號·-1G期為基礎主張優先權，參照該案而 援用於本申請案。 【先前技術】 之連3早t連接半導體元件之連接端子與其搭載用基板 係使用異向性導電連接材料以進行異向性 中1=。此種異向性導電連接中，係將於絕緣性接著劑 、表Γ 狀或糊狀之異向性導電連接材料，挾持於待 材料之間，藉由加熱加壓以、；、 近年來，如以液晶顯示裝置相二=兩者接著。 之小型H…… 衣罝相關所代表般，隨著裝置 掉 此化，促使異向性導電連接 各細化，但隨此對電路 之電路的咼 亦擔心I Θ w、胃+ 、、、4距化的要求亦逐漸增強， /、向性導電連接時會產 之要求等，如圖】张- 马滿足该細間距化 用於異向性導電連接材;；戶；r用:τλ應方式’係藉由使 絕緣性樹腊臈1〇3的導電性^性粒子1〇2上附有 絕緣性之對立功能。 ’、體101，來發揮導通性、 …、而’隨著更邁向細間距化，以往之 住之於導電性粒子上 5 200849286 二均：：：之絕緣膜’若為確保電路間之絕緣性而增加膜 /上述絕緣性與導通性之對立特性而造成導通 性降低等問題。 a π ^ 【發明内容】 ，發明之目的在於提供一種即使在窄間距凸塊亦可提 升連接可隸之導電性粒子體及使料之異向性導電連接 材料、以及導電性粒子體之製造方法。 本發明之導電性粒子體，係具有：至少表面具導電性 之基材粒子，以及披覆該基材粒子表面之因絕緣性樹脂微 粒子的融合而成連續狀態之絕緣性樹脂膜’且至少該微粒 子間具有空隙。 本淼月之異向性導電連接材料，係於絕緣性接著劑中 分散有上述之導電性粒子體者。 本發明之導電性粒子體之製造方法，係使選自交聯丙 烯酸樹脂、苯乙烯一丙烯酸共聚物、二乙烯基苯一丙烯酸 共聚物、苯乙烯一二乙烯基苯共聚物、三聚氰胺一甲醛共 聚物、聚矽氧一丙烯酸共聚物、聚醯胺、聚醯亞胺、聚丁 二稀、及丁腈橡膠（NBR)中之任一絕緣性樹脂的微粒子， 兵至/表面具有導電性之基材粒子的表面碰撞，而附著於 該表面，藉此使絕緣性樹脂膜被覆於該基材粒子的表面。 本發明之導電性粒子體之製造方法，具有：第1步驟， 係使絕緣性樹脂之微粒子與至少表面具有導電性之基材粒 子的表面碰撞，以形成具有空隙之初期狀態的絕緣性樹脂 膜，第2步驟’係使上述微粒子之碰撞持續至使上述絕緣 200849286 :表面之工隙減少，且上述絕緣性樹脂膜之上述基 材粒子側仍有空隙的程度為止。

本發明之導電性粒子體，係具有：至少表面具導電性 土才孝+，以及披覆該基材粒子表面之因絕緣性樹脂微 粒子的融合而成連續狀態之絕緣性樹脂膜，且至少該微粒 =具有空隙。本發明之導電性粒子體，係、具有披覆具有 =电性之基材粒子之因絕緣性樹脂之微粒子的融合而成連 績狀態之絕緣性樹脂膜，且此微粒子間具有空隙，藉此確 保凸塊間之絕緣性，並使外殼之絕緣性樹脂膜容易破裂， 即使在窄間距凸塊亦可確保容易且確實之連接性， 得到高連接可靠性。 、 本發明之異向性導電連接材料，係於絕緣性接著劑中 分散有即使在窄間距凸塊亦可確保容易且確實之連接性的 導電性粒子體而成者，因此可實現得到高連接可靠性。 本發明之導電性粒子體之製造方法，可製造於被覆基 材粒子之絕緣性樹脂膜内具有空隙的導電性粒子體，藉此 即使在窄間距凸塊亦可確保容易且確實之連接性，以實現 得到高連接可靠性。 點， 了解 本發明進一步其他目的、及利用本發明所可得到之優 藉由參照以下圖式及所說明之實施形態，應可更清^ 【實施方式】 以下，針對應用本發明之附絕緣膜導電性 卿'卞體及使 用其之異向性導電連接材料，參照圖式加以說明。 7 200849286 應用本發明之附絕緣臈導電性粒子體！，例如使用於 異向導電性接著劑等異向性導電連接材料之導電性粒子 體。又，作為應用本發明之異向性導電連接材料的里向導 電性接著劑’其中附絕緣膜導電性粒子體丨分散於屬黏結 树脂之絕輕接著财。該絕緣性接㈣，主要係使用環 ?樹脂、苯氧樹脂等熱硬化樹脂。又，本發明亦可應用於 藉由將该異向導電性接著劑形成於剝離膜上所構成之異向 導電性膜（ACF : Anisotropic Conductive Film)。 該附絕緣膜導電性粒子體i，如圖2戶斤示，係由構成 土材粒子之導電性粒子2，及穆由絕緣性樹脂之微粒子3 & ，融合而成連續狀態之被覆該導電性粒子2表面的絕緣性 樹脂膜3(以下，亦稱為「外殼絕緣層」）所構成。此外， 絕緣性樹脂之微粒子3a的熔接所連接而成之絕緣性樹脂膜 3之U粒子間係具有空隙a，以有效利用附絕緣膜導電性 粒子體1之絕緣特性及導電特性。該空隙係外接於球體之 立方體與該球體之間隙的20%〜60%因融合而被佔據之狀 悲程度的空隙。此外，該立方體與球體之間隙的空隙率約 為 47·64%(=ΐ〇〇χ(1 一 4/3χ7Γχ(1/2)3)，間隙之 2〇% 〜6〇% 因溶接而被佔據之狀態下的空隙率係在19.1%〜38.1%。 此外’該空隙率係表示若以絕緣性樹脂膜3包含空隙Α的 整體體積當成100%時，該空隙A體積對整體體積的比例。 附絕緣膜導電性粒子體1，係使絕緣性樹脂之微粒子3a 士後述般與導電性粒子2之表面碰撞，使之附著於導電性 粒子2之表面，藉此將絕緣性樹脂膜3被覆於導電性粒子 200849286 2之表面。又，在被覆該絕緣性樹脂膜3時，係以使絕緣 性樹脂膜3之空隙率落在19.1%〜381%的方式，且使微 粒子間具有空間的方式’使微粒子附著於基材粒子之表 面。此外，該絕緣性樹脂膜3,係以在該絕緣性樹脂膜3 表面實質上不存在空隙而呈均句狀態，並於該絕緣性樹脂 膜3内側之基材粒子側確保有空隙a之狀態的方式所形 成。又’絕緣性樹脂膜3,係以空隙A從基材粒子表面沿 厚度方向逐漸減少的方式所形成，亦即係以外側之空隙Μ 小於内側之空隙A1的方式所拟士 „ , 式所形成。此外，藉此形成方式， 絕緣性樹脂膜3内侧部分係成為絕緣性樹脂膜較疏鬆之部 为’而最外殼表面部分等蜗缝构&⑽ I刀寻、、、巴緣性树脂膜3外側部分係 絕緣性樹脂膜較緻密之部分。 … 導電性粒子2，将$小本二θ丄 … ，、 表面具有導電性，為構成附絕 緣膜導電性粒子體1之美姑 … " 例如由金、銀、銘、鎳、銅 係使用 J次蜴/鎳合金等金屬 子，或於構成苯乙烯、二乙嫌美 ^ 广 朽, 乙㈣本、苯代三聚氰胺等核之 树月曰粒子表面施以鍍鎳、鍍鎳/金等的粒子。 又’導電性粒子2，例如係使用粒徑在3〜1〇心左右 二二生樹脂之微粒子3a的粒徑，係使用具有導電 ==1/10倍左右的大小，例如—⑽左 右者猎“接所形成之絕緣性樹 設在200〜300nm左右。此 的尽度例如係 ^ 4- Λ °亥'、、巴，，彖性樹脂膜3，表面係 H i MM 部則如上述般在汽位 子間形成間隙。 A力又社倣粒 9 200849286 形成絕緣性樹脂膜3之絕緣性樹脂的微粒子3a，係使 用實心粒子。此係因除了如上述般使絕緣性樹脂之微粒子 3 a與基材粒子之導電性粒子2碰撞以達成附著以外，為了 發揮優異導電特性及絕緣特性，且為了在絕緣性樹脂膜3 内部形成既定空隙A’使用實心粒子會優於使用中空粒子。 此外’該絕緣性樹脂膜之微粒子3a，例如係使用交聯丙烯 酸樹脂、苯乙烯—丙烯酸共聚物、二乙烯基苯—丙烯酸共 聚物、苯乙烯-二乙稀基苯共聚物、三聚氛胺—甲搭共聚 物、聚矽氧一丙烯酸共聚物、聚醯胺、聚醯亞胺、聚丁二 烯、及丁腈橡膠（NBR)等。 又’使用作為形成絕緣性樹脂臈3之絕緣性樹脂之微 粒子3a的特性，係具有以下特性者’亦即藉由加熱及加壓 用之熱壓機在刚。c、2MPa之條件下以1G分鐘加麼時， 粉體會因融合而連接’且在7Gt、2MPa之條件下以Μ分 鐘加科，不會成為膜、亦即粉體不會連接而可確保微： 子之狀。此係因在1G()t：、2MPa之條件下不會連接者， 在使用作為絕緣性樹脂之微粒子的情況下會有從導電性粒 子2脫落的顧慮，而在7吖、2胸之條件下會連接者： 在使用作為絕緣性樹脂之微粒子的情況下會造成難以設置 上述空隙A之故。此外，妳接沐、B #占 卜、、二後述混成處理之絕緣性樹脂之 ΓΓ二：導電性粒子2碰撞時，微粒子3a之間及微粒 :舁寺“生粒子2之間之摩擦熱，以後述條件會在⑽ L左右 〇 本發明之導電性粒子體’係具有因絕緣性樹脂之微粒 200849286 子的溶接所連接而成之將至少於表面具有^電性之基材粒 子之導電性粒+ 2加以披覆之絕緣性樹脂们，且此微粒 子3a間具有空隙A，藉此確保凸塊間之絕緣性，並藉由使 外殼之絕緣性樹賴3纟易破裂，且可使詩異向性導電 連接材料等，藉此即使在窄間距凸塊亦可確保容易且確實 之連接性，亦即可發揮優異之導電特性及絕緣特性，以實 現得到高連接可靠性。 貝 入 精由使用選自交聯丙 附絕緣膜導電性粒子體 稀酸樹脂、苯乙烯-丙烯酸共聚物、二乙稀基苯—丙稀酸 共聚物、苯乙烯-二乙稀基苯共聚物、三聚氛胺—甲路丘 聚物、聚石夕氧—丙稀酸共聚物、聚酿胺、聚醯亞胺、聚; 二稀:及脆之中的微粒子，作為用以形成絕緣性樹脂膜 3之絕緣性樹脂之微粒子3a，即可將空隙率在 %左右之空隙A設於絕緣性樹脂膜3之微粒子間，並藉由 以，有此種既定空隙A之絕緣性樹脂膜3被覆於基㈣子 之導電I·生粒子2 ’便能發揮優異之導電特性及絕緣特性， 即使在窄間距凸塊亦可確保容易且確實之連接性， 得到高連接可靠性。 、見 又’具有該附絕緣膜導電性粒子體】之異向 ^材料，如上述般，由於係將附絕緣膜導電 =緣性接著劑中，因此即使在窄間距凸塊亦可確伴： 易且確實之連接性，以實現得到高連接可靠性。確保谷 應用本發明之附絕緣料電性粒子體卜 A知之混成系統處理(以下，亦稱為「混成處理」）， 200849286 於導電性粒子2之表面使絕緣性樹脂之微粒子3a熔接以形 成絕緣性樹脂層所製造而成者。此處，混成處理係將微粒 子ϋ合於被粒子之處理（例如，參照粉體與工業 从〇1^273〇.8，1995，？35〜42等），一邊使母粒子與子粒子分 散在氣相中，一邊將以衝擊力為主體之機械性熱能施加於 粒子，藉此進行粒子之固定及成膜處理。針對該混成處理 之具體條件，可依所使用之原料或裝置來適當決定。

在以上述方式藉由混成處理來製造附絕緣膜導電性粒 子體1的狀況下，關於以被覆導電性粒子2之方式所形成 之絕緣性樹脂膜3的膜厚、形成於絕緣性樹脂膜3内部之 微粒子間的空隙，係如以上所述。 亦即，應用本發明之附絕緣膜導電性粒子體之製造方 法，具有：第1步驟，係使絕緣性樹脂之微粒子3a與至少 表面具有導電性之基材粒子的導電性粒子2表面碰产，以 形成具有空隙Ac之初期狀態的絕緣性樹脂膜3c ·’第2步 驟，係使微粒子之碰撞持續至使該絕緣性樹脂膜3c表面之 空隙減少，且絕緣性樹脂膜之基材粒子側仍有空隙^程度 為止。 此製造方法中，第1步驟係以既定時間進行上述混成 處理’藉此使絕緣性樹脂之微粒子3 a愈莫+ , 一 ¥电性粒子2表面 碰撞，如圖3C所示，形成於絕緣性樹脂膜本身之表面亦 具有空隙Ac之初期狀態的絕緣性樹脂膜。 、 ’、 其次，第2步驟進一步以既定時間 < 1丁此成處理，夢 此使絕緣性樹脂之微粒子3a與形成有初期 ^ 仍功狀怨之絕緣性樹 12 200849286 = ::a基…外殼之該初期狀態之的絕緣性樹脂膜3c 少至盔办階六备 才 < 表面上空隙減 之均句程度，並在絕緣性樹㈣内部之微 ’、S形成存有空隙Α的絕緣性樹脂膜3。此日士 * " 制混成條# β 寸’精由控 木件，即可形成以既定空隙率於微粒子間呈 ，、 =二微粒子之炼接而連接而成之絕緣性樹脂膜3，。、亦二隙 、、二而° ’猎由控制第1及第2步驟之例如轉速、時

/ 此、條件，即可形成在内側部存在較多空、 側之★階Λ 〇 , 、八1五面向外 且右：少而在表面呈均句狀態、並以既定空隙率 /、 工隙的絕緣性樹脂膜3。 * 混^外’攸β 3Β之狀態’藉由進—步以既定時間進行 圍匕面便可形成如® 3Α所示無空隙且由表面至最内 w面白均勻之膜的習知絕緣性樹脂膜103。換士之 明附絕緣膜導電性粒子冑1係控制成變成如μ般膜厚^ 部皆均勻之絕緣性樹脂m 1G3前之狀態之具有既定空= ^態’亦即藉由敎可藉由混成處理形成^空隙之上述 μ性樹月旨之微粒+ 3a’並將混成條件控制成使因微粒子 烙接而以連績狀恶形成之絕緣性樹脂膜3的微粒子3a間 具有既定空隙，即可形成用以使兼顧附絕緣膜導電性粒； 體、1之絕緣性及導電性的功能發揮，且在表面呈均勾狀態 並乂既疋空隙率具有空隙的絕緣性樹脂膜3。 ”此外，將上述製造之附絕緣膜導電性粒子體1分散於 ί彖性接者劑中’藉此即可製造糊狀或膜狀之異向性導電 連接材料。此絕緣性接著劑係使用上述者。 13 200849286 ι使用應用本發明之附絕緣膜導電性粒子體i之異向性 導電連接材料，係挾持於例如本 j如+導體凡件與其裝載用基 板、可撓性配線基板與液晶顯示器等相對向之兩個被連接 體之間亚猎由加熱加壓，即可製得實現良好導通特性、絕 緣特性及連接強度的連接構造體。 亦即，應用本發明之附絕緣膜導電性粒子體！，具有 因絕緣性樹脂之微粒子3a的炫接而連接而成之被覆具有導 電性之基材粒子之導電性粒子2的絕緣性樹脂膜3，且該 微粒子間具有空隙A’藉此確保凸塊間之絕緣性，並使外 殼之絕緣性樹脂膜3容易破裂，即使在窄間距凸塊亦可確 保容易且確實之連接性，以實現得到高連接可靠性。 又’應用本發明之附絕緣膜導電性粒子體之製造方法， i. 具有：第1步驟，係使絕緣性樹脂之微粒子3a與至少表面 具有導電性之基材粒子的導電性粒子2纟面碰撞，以形成 具有空隙之初期狀態、的絕緣性樹脂膜；帛2㈣，係使微 粒子之碰撞持續至使該絕緣性樹脂膜表面之空隙減少，且 系巴緣性樹脂膜之基材粒子側仍有空隙的程度為止，藉此便 :製造於上述絕緣性樹脂膜3内具有既定空隙A的附絕緣 =導電性粒子體1，亦即可製造使用於進行電路之異向性 導電連接時可發揮優良導電特性及絕緣特性之異向性導電 連接材料的附絕緣膜導電性粒子體丨，因此即使在窄間距 凸塊亦可確保容易且確實之連接性，以得到高連接可靠 性。 又，應用本發明之附絕緣膜導電性粒子體之製造方法， 14 200849286 係藉由使選自交聯丙烯酸樹脂、苯乙烯一丙烯酸共聚物、 二乙烯基苯一丙烯酸共聚物、苯乙烯一二乙烯基苯共聚 物、二聚氰胺一甲醛共聚物、聚矽氧一丙烯酸共聚物、聚 醯胺、聚醯亞胺、聚丁二烯、及NBR中之任一絕緣性樹脂 的微粒子3a，與至少表面具有導電性之基材粒子的導電性 唯子 表面碰4里以使之附者於该表面，即可製造使用於進 行電路之異向性導電連接時可發揮優異導電特性及絕緣特 性之異向性導電連接材料的附絕緣膜導電性粒子體丨，因 此即使在窄間距凸塊亦可確保容易且確實之連接性，以得 到高連接可靠性。 <實施例> Μ 卜 鮮對本务明之實施例作具體說明。此外，以下 實施例中’以實施例Β1〜Β4作為本發明之實施例，該實 施例B1〜Β4係從如本發明製造方法之第i步驟時之狀能 般，形成整體較疏鬆之膜的狀態c(參照圖3c)至進一步如 (之狀態般’使表面形成均勾之膜而内部較疏鬆 之狀恶Β(荼照圖3Β)。 =，作為與實施例比較之比較例，係列舉從狀態Β進 ^的比越 成之膜厚所形成整體均勾膜之狀態Α(參照圖 =::Α1〜Α3、與形成有上述較疎之膜的狀態c(參 ::;估 較例C1〜C3作為比較例，並以下述條件進 A1 〜A3、C1 〜C3 中， 亦即將構成基材粒子 各實施例B1〜B4及各比較例 係以下述方式製得者為評估用樣品 15 200849286 之導電性粒子徑設^為4m、且改變絕緣防止膜之 形成之絕緣膜形狀A、B、C的附絕緣膜導電性粒子體，以 粒子相對於樹脂i 00重量％ (1 〇〇wt% )為4〇重量％） 的方式均勻分散於陰離子硬化型環氧樹脂系接著材料，做 成厚度25”之膜狀物。此外，使用丙稀酸微粒子作為絕 緣性樹脂之微粒子，並將該微粒子之粒徑設在⑽U、 〇.5、及0.7#m。又，用以得到緣膜形狀A、b、c之混成 處理的條件，係設力16〇〇〇rpm、2〇》鐘以得到狀態：， 1600〇rpm、10分鐘以得到狀態B，16〇〇〇rpm、3分鐘以得 到狀態C。 具體評估方法，係對該評估用樣品使用COG用評估 TEG在以下條件進行導通電阻之測量、及短路產生間隙之 測量作為絕緣性評估。 導通測量，係使用圖4所示之評估用IC，各條件如以 下所示。此外，圖4中，31表示IC晶片（chip)，32表示 凸塊（Bump) ’ 33 表示 iT〇(indium Tin 〇xide :氧化銦錫）圖 案（1丁0?3«6〇1)，34表示1(：晶片之金屬圖案（]^以&11}以化„1111 a chip)，V表示進行電壓測量之部位，I表示施加電流之部 位0 [評估用1C晶片] 凸塊大小（Bump Size) : 30x85 // m，間距（Pitch) : 50 // m，金凸塊（Au — Plated Bump)高度 h = 1 5 // m 評估用玻璃基版（Glass) ·· ITO圖案（Pattern ITO)10 Ω /cm2，t= 0.7mm 16 200849286 接著條件（Bonding Condition) : 190°C、4〇MPa、5sec 系巴緣測里’係如圖5所不來進行’各條件設成如以下 所示。此外，圖5中，42表示凸塊（Bump)，43表示玻璃 基板上之 ITO 圖案（ITO Pattern on a glass)，44 表示 ic 晶 片之金屬圖案（Metal pattern in a chip)，R表示進行電阻測 量之部位。 凸塊間隔（Bump Space) : 15、12.5、10、7.5//m 凸 塊高度（Bump Height) : \5 β m 接著條件（Bonding Condition) ·· 190°C、40MPa、5sec N= 16 組（10 個部位（point)/組（set)) 表1係表示針對各實施例B 1〜B 4及各比較例a i〜 A3、C1〜C3之評估用樣品，進行上述導通測量及絕緣測 置後之评估結果’並同時表不絕緣膜形狀及所使用之絕緣 性樹脂之微粒子的粒徑。 [表1]

No 絕緣膜 形狀 絕緣膜厚 導通電阻 短路產生 導體間隔 絕緣微粒子 粒徑 比較例A1 A 0.05 βϊη 0.1 Ω 12.5 /zm 0.05 //m 比較例A2 A 0.2/zm 0.5Ω 10"m 0.2 比較例A3 A 0.5 2.0Ω l〇//m 0.5 //m 實施例B1 Β 0.05 //m 0.05 Ω 12.5 βγη 0.05 //m 實施例B2 Β 0.2//m 0.05 Ω ΙΟβϊΆ 02 μ m 實施例B3 Β 0.5 /zm 0.1 Ω 10//m 0.5 μπι 實施例B4 Β 0.7 //m 0.3 Ω 7.5//m 0·7 fim 比較例C1 C 0.05 //m 0.05 Ω 20/zm 0.05//m 比較例C2 C 0.2//m 0.05 Ω 15 //m 0.2//m 比較例C3 C 0.5 βτη 0.05 Ω 15 /zm 0.5 μ m 如表1之比較例A1〜A3所示，具有無空隙之均勻絕 緣性樹脂膜的導電性粒子體A中，由於受較硬絕緣性樹脂 17 200849286 膜保4 ’因此會產生短路之導體間隔雖良好，但導通電阻 之值較高’在窄間距凸塊並無法滿足。 之比較例C1〜C 3所示，即使具有空隙但 以此成所須時間較短之狀態下製得之導電性粒子體c中， 、、巴、、象性枒脂膜雖較易剝落而導通電阻亦可滿足，但會產生 短路之&體間隔變得較長，而非可對應於窄間距凸塊者。 相對於該等比較例，本發明實施例B1〜B4中，係控 制軺速、時間等混成條件，以形成在内周側具有既定空隙 且使外周側呈均勻膜之連續絕緣性樹脂膜來作為將導電性 =子力以披復之絕緣性樹脂膜。換言之，該絕緣性樹脂膜 係形成為具有既定空隙之内周側的絕緣性樹脂層，與進一 步於其外側均勻形成有最外殼絕緣性樹脂層的狀態。 、貝苑例B1〜B4中，由於在絕緣性樹脂層内部具有空 隙’因此可防止絕緣性樹脂膜剝落之現象，其結果便使導 通電阻及短路產生導體肋炫g = w u a _ _

條件’便能以被覆導電性粒子之絕緣性樹脂膜 粒子的混成 具有適切空 窄間距化之 ㈣万式構成，而成為具有以可對應於凸塊之窄 絕緣性樹脂膜為外殼的導電性粒子體。 电性粒子體，由於藉由在絕緣 比習知整體膜厚皆均勻之導電

本實施例之附絕緣膜導電性粒子體，由於藉 18 200849286 性粒子體更能確保凸塊間之絕緣性， 丹f Μ接時外殼性樹 月曰膜因空隙而容易破裂，凸塊上之 丁谷易破裂，因此即 使在窄間距凸塊亦能提升連接可靠性。 ★如以上所述’本發明在電路之異向性導電連接中，對 乍間距凸塊亦可提升連接可靠性。 此外’本發明並不限於參照圖式所說明之上述實施例， 業界人士應可了解在不超出所附申請專利範圍…旨 内，可進行各種變更、取代或其均等擴大。 【圖式簡單說明】 圖1係習知導電性粒子體的截面圖。 圖2係應用本發明之導電性粒子體的截面圖。 ，圖3Α至圖3C係用以說明應用本發明之導電性粒子體 之4造方法中各階段的圖， α Α係表不用以與本發明比 較之“、’比本製造方法之製造狀態進一步進行混成處理 / \ 之狀悲的附絕緣膜導電性粒子體的圖，圖3β係表示本製 :方法之製造狀態’亦即完成第2步驟之狀態的附絕緣膜 ¥電性粒子體的圖，圖3C係表示本製造方法中完成第1 步驟之狀態的附絕緣膜導電性粒子的圖。 圖4係示意性地表示使用於實施例及比較例 粒子體評估之評估用1C晶片的圖。 ,圖/係示意性地表示使用於實施例及比較例之導電性 粒子體s平估之IC晶片及玻璃基板之關係的圖。 19 200849286 【主要元件符號說明】 1 附絕緣膜導電性粒子體 2 導電性粒子 3, 3c 絕緣性樹脂膜/外殼絕緣層 3 a 微粒子 A，Al，A2，Ac 空隙

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Claims (1)

1. 200849286 十、申請專利範園： L一種導電性粒子體，係具有：至少表面具導電性之 基材粒子，以及彼覆該基材粒子表面之因絕緣性樹脂微粒 子的融合而成連續狀態之絕緣性樹脂膜，且至少該微粒子 間具有空隙。 2·如申請專利範圍第1項之導電性粒子體，其中，以 該絕緣性樹脂膜包含該空隙的整體體積為1〇〇%時，表示 該空隙體積對該整體體積之比例的空隙率在191%〜381 %。 3 ·如申請專利範圍第丨項之導電性粒子體，其中，該 微粒子係選自交聯丙烯酸樹脂、苯乙稀一丙烯酸共聚物、 二乙烯基苯一丙烯酸共聚物、苯乙烯一二乙烯基苯共聚 物、三聚氰胺一甲醛共聚物、聚矽氧—丙烯酸共聚物、聚 醯胺、聚醯亞胺、聚丁二烯、及丁腈橡膠（NBr)中之任一 者。 4. 一種異向性導電連接材料’其於絕緣性接著劑中分 散有申請專利範圍第1至3項中任一項之導電性粒子體而 成者。 5 · —種導電性粒子體之製造方法，係使選自交聯丙烯 酸樹脂、苯乙烯一丙烯酸共聚物、二乙烯基苯一丙烯酸共 聚物、苯乙烯一二乙烯基苯共聚物、三聚氰胺一甲醛共聚 物、聚矽氧一丙烯酸共聚物、聚醯胺、聚醯亞胺、聚丁二 烯、及丁腈橡膠（NBR)中之任一絕緣性樹脂的微粒子，與 至少表面具有導電性之基材粒子的表面碰撞而附著於該表 21 200849286 面，藉此使絕緣性樹脂膜被覆於該基材粒子的表面。 6 ·如申請專利範圍第5項之導電性粒子體之製造方 法，其中，當被覆該絕緣性樹脂膜時，以該微粒子間具有 該空隙的方式使該微粒子附著該基材粒子之表面，來使得 當該絕緣性樹脂膜包含空隙的整體體積為1 〇〇%時，表示 該空隙體積對該整體體積之比例之空隙率成為191 %〜 38.1%。 7 · —種導電性粒子體之製造方法，具有： 弟1步驟’係使絕緣性樹脂之微粒子與至少表面且有 導電性之基材粒子的表面碰撞，以形成具有空隙之初期狀 態的絕緣性樹脂膜， 第2步驟’係使該微粒子之碰撞持續至使該絕緣性樹 脂膜表面之空隙減少、且該絕緣性樹脂膜之該基材粒子側 仍具空隙的程度為止。 Η•一、圖式： 如次頁 22