TWI715825B - 接地構件、屏蔽印刷配線板及屏蔽印刷配線板之製造方法 - Google Patents

接地構件、屏蔽印刷配線板及屏蔽印刷配線板之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之目的在於提供一種接地構件，其可配置於任意位置，且對使用該接地構件之屏蔽印刷配線板反覆進行加熱及冷卻而安裝零件時，於接地構件之導電性填充物與屏蔽薄膜之屏蔽層之間不易發生偏移。 本發明之接地構件之特徵在於：其係由外部連接構件、導電性填充物及接著性樹脂構成，該外部連接構件具有第1主面與位於上述第1主面相反側之第2主面且具有導電性，該導電性填充物配置於上述第1主面側，該接著性樹脂係將上述導電性填充物固定於上述第1主面；並且上述導電性填充物包含低熔點金屬。

Description

接地構件、屏蔽印刷配線板及屏蔽印刷配線板之製造方法
本發明係關於接地構件、屏蔽印刷配線板及屏蔽印刷配線板之製造方法。
背景技術 在急速發展小型化、高機能化的行動電話、視訊攝影機、筆記型電腦等電子儀器中，為了將電路裝入複雜的機構中，大多會使用撓性印刷配線板。再者，活用其優異之可撓性，亦會利用在像是印刷頭般的可動部與控制部之連接。於該等電子儀器中，必須要有電磁波屏蔽措施，於裝置內所使用之撓性印刷配線板中，亦開始使用施以電磁波屏蔽措施的撓性印刷配線板(以下亦記載為「屏蔽印刷配線板」)。
一般的屏蔽印刷配線板通常由基體薄膜與屏蔽薄膜所構成，前述基體薄膜係於基底薄膜上依序設置印刷電路與絕緣薄膜而成，前述屏蔽薄膜則由導電層、積層於上述導電層之屏蔽層及積層於上述導電層之絕緣層所構成，並以上述導電層與上述基體薄膜相接之方式覆蓋上述基體薄膜。 又，於印刷電路中含有接地電路，接地電路為能接地而與電子儀器之框體電連接。 如上述，於屏蔽印刷配線板之基體薄膜中，在含接地電路之印刷電路上設置有絕緣薄膜。又，基體薄膜被具有絕緣層之屏蔽薄膜覆蓋。 故，為了將接地電路與電子儀器之框體電連接，必須事先在絕緣薄膜及屏蔽薄膜之一部分開孔。 這在設計印刷電路上會成為妨礙自由度的主要原因。
於專利文獻1中揭示有一種屏蔽薄膜，其係於分離薄膜之單面塗佈形成覆蓋薄膜，且於前述覆蓋薄膜之表面設置由金屬薄膜層與接著劑層所構成的屏蔽層，並具有接地構件，該接地構件形成為於一端側具有被壓抵於前述覆蓋薄膜上並穿過前述覆蓋薄膜而與前述屏蔽層連接的突起，另一端側則露出而可與其附近之接地部連接。 在製作專利文獻1中記載的屏蔽薄膜時，會以接地構件之突起穿過覆蓋薄膜之方式將接地構件壓抵於覆蓋薄膜上。故，接地構件可配置於屏蔽薄膜之任意位置。 若使用此種屏蔽膜來製造屏蔽印刷配線板，則可於任意位置將接地電路與電子儀器之框體電連接。 先行技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利第4201548號公報
發明概要 發明欲解決之課題
屏蔽印刷配線板為了安裝零件，於焊料回焊步驟等中會被反覆進行加熱、冷卻。 當安裝零件至專利文獻1記載之屏蔽印刷配線板時，若如此反覆進行加熱及冷卻，會有因熱膨脹、熱收縮所造成的體積變化而使接地構件的突起與屏蔽層的連接受損，從而發生電阻值上升的現象。
本發明係用以解決上述問題而完成的發明，本發明之目的在於提供一種接地構件，其可配置於任意位置，且對使用該接地構件之屏蔽印刷配線板反覆進行加熱及冷卻以安裝零件時，於接地構件之導電性填充物與屏蔽薄膜之屏蔽層間不易發生偏移。
用以解決課題之方法 即，本發明之接地構件之特徵在於：其係由外部連接構件、導電性填充物及接著性樹脂構成，該外部連接構件具有第1主面與位於上述第1主面相反側之第2主面且具有導電性，該導電性填充物配置於上述第1主面側，該接著性樹脂係將上述導電性填充物固定於上述第1主面；並且上述導電性填充物包含低熔點金屬。
本發明之接地構件可使用在由基體薄膜與屏蔽薄膜構成的屏蔽印刷配線板。 首先，就屏蔽印刷配線板之構造進行說明。 於屏蔽印刷配線板中，基體薄膜係於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路與絕緣薄膜而成的薄膜。 又，屏蔽薄膜係由屏蔽層及積層於屏蔽層之絕緣層構成的薄膜。 然後，於屏蔽印刷配線板中，屏蔽薄膜係以屏蔽薄膜之屏蔽層配置於較絕緣層更靠基體薄膜側之方式被覆基體薄膜。 本發明之接地構件係以本發明接地構件之導電性填充物貫穿屏蔽薄膜之絕緣層的方式，壓抵於屏蔽印刷配線板而配置。 又，如此於屏蔽印刷配線板配置本發明接地構件時，不需要於屏蔽印刷配線板的屏蔽薄膜之絕緣層預先設孔等，可於任意位置配置本發明接地構件。
又，本發明之接地構件中，導電性填充物包含低熔點金屬。 將本發明接地構件配置於屏蔽印刷配線板時、或於配置後在屏蔽印刷配線板安裝零件的零件安裝步驟中亦可進行加熱。藉由該加熱而使低熔點金屬軟化，可提高下列密接性：接地構件之外部連接構件與導電性填充物的密接性、或接地構件之導電性填充物與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性。
於本發明之接地構件中，上述導電性填充物宜藉由核心粒子及低熔點金屬層構成，且該低熔點金屬層係形成於該核心粒子表面之至少一部分且由上述低熔點金屬構成。 若導電性填充物具有核心粒子，則核心粒子部分難以通過加熱而軟化。因此，接地構件之導電性填充物就會變得容易藉由加熱加壓來貫穿屏蔽薄膜之絕緣層。 因此，縱使是對使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板反覆進行加熱及冷卻以安裝零件的情況，於接地構件之外部連接構件與核心粒子之間、或於接地構件之核心粒子與屏蔽薄膜之屏蔽層之間仍不易發生偏移。
於本發明之接地構件中，上述核心粒子之平均粒徑宜為1~200μm。 若核心粒子之平均粒徑未達1μm，則導電性填充物難以貫穿屏蔽薄膜之絕緣層。 若核心粒子之平均粒徑超過200μm，因為導電性填充物變大，故將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，為了貫穿屏蔽薄膜之絕緣層就會需要更大的壓力。
於本發明之接地構件中，上述核心粒子宜包含選自於由銅粉、銀粉、鎳粉、銀包銅粉、金包銅粉、銀包鎳粉、金包鎳粉、鎳包銅粉、鎳包銀粉及於樹脂被覆有金屬之粒子所構成群組中之至少一種。 此等粒子因為導電性優異，故適合作為核心粒子。
於本發明之接地構件中，上述低熔點金屬層之厚度宜為0.1~50μm。 若低熔點金屬層之厚度未達0.1μm，因為構成低熔點金屬層之金屬量較少，故將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時不易提高下列密接性：接地構件之外部連接構件與核心粒子的密接性、或接地構件之核心粒子與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性。 若低熔點金屬層之厚度超過50μm，則由於低熔點金屬層較厚，故接地構件的導電性填充物會變粗。因此，將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，為了貫穿屏蔽薄膜之絕緣層就會需要更大的壓力。
於本發明之接地構件中，上述低熔點金屬層宜包含助焊劑。 藉由低熔點金屬層包含助焊劑，在構成低熔點金屬層之金屬軟化時，構成低熔點金屬層之金屬與下述就會變得容易與下列密接：外部連接構件、核心粒子以及屏蔽薄膜之屏蔽層或接著劑層。 其結果，可提高下列密接性：接地構件之外部連接構件與核心粒子的密接性、或接地構件之核心粒子與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性。
於本發明之接地構件中，上述導電性填充物周圍可被上述接著性樹脂包覆。 此種接地構件只要藉由於外部連接構件之第1主面塗布導電性填充物及接著性樹脂之混合物，即可輕易地製造。
於本發明之接地構件中，上述導電性填充物之至少一部分亦可從上述接著性樹脂露出。 導電性填充物之至少一部分從接著性樹脂露出時，可經由該露出部進行通電。因此，將此種接地構件使用於屏蔽印刷配線板時，可容易使接地構件之導電性填充物與屏蔽薄膜之屏蔽層電性連接。
於本發明之接地構件中，上述低熔點金屬的熔點宜為300℃以下。 若低熔點金屬層是由熔點300℃以下的金屬形成，則在將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，低熔點金屬層容易軟化，可良好提高接地構件之核心粒子與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性。 若低熔點金屬層是由熔點超過300℃的金屬形成，則將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時的加熱溫度變高。因此，接地構件或屏蔽印刷配線板就容易因熱而受損。
於本發明之接地構件中，上述外部連接構件宜包含選自於由銅、鋁、銀、金、鎳、鉻、鈦、鋅及不鏽鋼所構成群組中之至少一種。 此等材料為適合用於將接地構件與外部接地電性連接的材料。
於本發明之接地構件中，上述第2主面上宜形成有耐腐蝕層。 若於接地構件之第2主面形成有耐腐蝕層，便可防止接地構件腐蝕。
於本發明之接地構件中，上述耐腐蝕層宜包含選自於由鎳、金、銀、鉑、鈀、銠、銥、釕、鋨及此等合金所構成群組中之至少一種。 此等材料不易腐蝕。因此，此等材料為適用於本發明接地構件之耐腐蝕層的材料。
本發明之屏蔽印刷配線板之特徵在於：其具備基體薄膜、屏蔽薄膜及接地構件，該基體薄膜係於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路及絕緣薄膜而成，該屏蔽薄膜係由屏蔽層及積層於上述屏蔽層之絕緣層構成，並且以上述屏蔽層配置於較上述絕緣層更靠上述基體薄膜側之方式被覆上述基體薄膜，該接地構件配置於上述屏蔽薄膜之絕緣層；其中，上述接地構件由外部連接構件、導電性填充物及接著性樹脂構成，該外部連接構件具有第1主面與位於上述第1主面相反側之第2主面且具有導電性，該導電性填充物配置於上述第1主面側，該接著性樹脂係將上述導電性填充物固定於上述第1主面；並且上述導電性填充物包含低熔點金屬；上述接地構件之導電性填充物貫穿上述屏蔽薄膜之絕緣層，上述接地構件之導電性填充物所包含的上述低熔點金屬係連接於上述屏蔽薄膜之屏蔽層，上述接地構件之外部連接構件可與外部接地電性連接。
於本發明之屏蔽印刷配線板中使用有接地構件，即使用本發明之接地構件，該接地構件由外部連接構件、導電性填充物及接著性樹脂構成，該外部連接構件具有第1主面與位於上述第1主面相反側之第2主面且具有導電性，該導電性填充物配置於上述第1主面側，該接著性樹脂係將上述導電性填充物固定於上述第1主面，並且上述導電性填充物包含低熔點金屬。 因此，縱使是對本發明之屏蔽印刷配線板反覆進行加熱及冷卻以安裝零件的情況，於接地構件之外部連接構件與導電性填充物之間、或於接地構件之導電性填充物與屏蔽薄膜之屏蔽層之間仍不易發生偏移。
於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述導電性填充物宜藉由核心粒子及低熔點金屬層構成；該低熔點金屬層形成於該核心粒子表面之至少一部分且由上述低熔點金屬構成。 若導電性填充物具有核心粒子，則核心粒子部分難以通過加熱而軟化。因此，接地構件之導電性填充物就會變得容易藉由加熱加壓來貫穿屏蔽薄膜之絕緣層。 因此，縱使是對使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板反覆進行加熱及冷卻以安裝零件的情況，於接地構件之外部連接構件與核心粒子之間、或於接地構件之核心粒子與屏蔽薄膜之屏蔽層之間亦仍不易發生偏移。
於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述屏蔽薄膜宜由接著劑層、積層於上述接著劑層之上述屏蔽層、及積層於上述屏蔽層之上述絕緣層構成，且上述屏蔽薄膜之接著劑層宜與上述基體薄膜接觸。 若屏蔽薄膜具有接著劑層，則於製造屏蔽印刷配線板時可容易使屏蔽薄膜接著於基體薄膜。
於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述屏蔽薄膜之接著劑層宜為導電性接著劑層。 若屏蔽薄膜之接著劑層為導電性接著劑層，藉由接地構件之導電性填充物貫通屏蔽薄膜之絕緣層，接地構件之導電性填充物與導電性接著劑層會接觸，而可將接地構件之外部連接構件與基體薄膜之接地電路電性連接。
於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述屏蔽薄膜之屏蔽層宜由金屬構成。 金屬作為屏蔽電磁波之屏蔽層可良好地發揮功能。
於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述屏蔽薄膜中宜於上述接著劑層與上述屏蔽層之間、及/或於上述屏蔽層與上述絕緣層之間形成有屏蔽薄膜之低熔點金屬層，且上述屏蔽薄膜之低熔點金屬層宜與上述接地構件之導電性填充物連接。 若為此種構造，可提高下列密接性：接地構件之導電性填充物與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性、或接地構件之導電性填充物與屏蔽薄膜之接著劑層的密接性。
於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述屏蔽薄膜之屏蔽層可為導電性接著劑層，而上述屏蔽薄膜之導電性接著劑層可與上述基體薄膜接觸。 屏蔽層為導電性接著劑層時，屏蔽層便會具備下述兩種功能：用以將屏蔽薄膜接著於基體薄膜之功能、及屏蔽電磁波之功能。
於本發明之屏蔽印刷配線板中，上述屏蔽薄膜中宜於上述屏蔽層與上述絕緣層之間形成有屏蔽薄膜之低熔點金屬層，且上述屏蔽薄膜之低熔點金屬層宜與上述接地構件之導電性填充物連接。 若為此種構造，可提高接地構件之核心粒子與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性。
本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法的特徵在於：前述屏蔽印刷配線板具備基體薄膜、屏蔽薄膜及上述本發明之接地構件，該基體薄膜係於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路及絕緣薄膜而成，該屏蔽薄膜具有屏蔽層及積層於上述屏蔽層之絕緣層，該接地構件配置於上述屏蔽薄膜之絕緣層；上述屏蔽印刷配線板之製造方法具有以下步驟：屏蔽薄膜載置步驟，係以上述屏蔽薄膜之屏蔽層配置於較上述屏蔽薄膜之絕緣層更靠上述基體薄膜側之方式將上述屏蔽薄膜載置於上述基體薄膜；接地構件配置步驟，係以上述接地構件之導電性填充物朝向上述屏蔽薄膜之絕緣層側之方式將上述接地構件配置於上述屏蔽薄膜；加壓步驟，係加壓上述接地構件，以使上述接地構件之導電性填充物貫通上述屏蔽薄膜之絕緣層；及加熱步驟，係加熱上述接地構件之低熔點金屬使之軟化，以使上述接地構件之低熔點金屬連接於上述屏蔽薄膜之屏蔽層。
藉由使用上述本發明之接地構件，可製造本發明之屏蔽印刷配線板。
於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，亦可同時進行上述加壓步驟及上述加熱步驟。 藉由同時進行該等步驟，可使製造效率提高。
於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，上述屏蔽薄膜宜由接著劑層、積層於上述接著劑層之上述屏蔽層、及積層於上述屏蔽層之上述絕緣層構成。 若屏蔽薄膜具有接著劑層，則於屏蔽薄膜載置步驟中可容易使屏蔽薄膜接著於基體薄膜。
於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，上述屏蔽薄膜之接著劑層宜為導電性接著劑層。 若屏蔽薄膜之接著劑層為導電性接著劑層，藉由使接地構件之導電性填充物貫通屏蔽薄膜之絕緣層，可使接地構件之導電性填充物與導電性接著劑層接觸，而可將接地構件之外部連接構件與基體薄膜之接地電路電性連接。
於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，上述屏蔽薄膜之屏蔽層宜由金屬構成。 金屬作為屏蔽電磁波之屏蔽層可良好地發揮功能。
於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，上述屏蔽薄膜中宜於上述接著劑層與上述屏蔽層之間、及/或於上述屏蔽層與上述絕緣層之間形成有屏蔽薄膜之低熔點金屬層，於上述加熱步驟中宜使上述屏蔽薄膜之低熔點金屬層軟化而使之與上述接地構件之核心粒子連接。 藉此，可提高下列密接性：接地構件之核心粒子與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性、或接地構件之核心粒子與屏蔽薄膜之接著劑層的密接性。
於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，上述屏蔽薄膜之屏蔽層亦可為導電性接著劑層。 若屏蔽層為導電性接著劑層，屏蔽層便會具備下述兩種功能：用以將屏蔽薄膜接著於基體薄膜之功能、及屏蔽電磁波之功能。
於本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，上述屏蔽薄膜中宜於上述屏蔽層與上述絕緣層之間形成有屏蔽薄膜之低熔點金屬層，於上述加熱步驟中宜使上述屏蔽薄膜之低熔點金屬層軟化而使之與上述接地構件之核心粒子連接。 藉此，可提高接地構件之導電性填充物與屏蔽薄膜之核心粒子的密接性。
發明效果 將本發明接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，不需要於屏蔽印刷配線板的屏蔽薄膜之絕緣層預先設孔等，可於任意位置配置本發明接地構件。 又，對使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板反覆進行加熱及冷卻以安裝零件時，可防止於接地構件之外部連接構件與導電性填充物之間、接地構件之導電性填充物與屏蔽薄膜之屏蔽層之間發生偏移。
用以實施發明之形態 以下就本發明之接地構件具體地進行說明。惟，本發明不限定於以下實施形態，於不變更本發明主旨之範圍內可適當變更來應用。
(第一實施形態) 首先，就本發明第一實施形態之接地構件進行說明。 圖1係示意性顯示本發明接地構件之一例的截面圖。 如圖1所示，接地構件1具備外部連接構件10；該外部連接構件10具有第1主面11及位於第1主面11相反側之第2主面12，且具有導電性。
又，於第1主面11藉由接著性樹脂25而固定有導電性填充物20。 然後，導電性填充物20是由核心粒子26及形成於該核心粒子26表面之至少一部分的低熔點金屬層21構成。 進而，於接地構件1中導電性填充物20周圍被接著性樹脂25包覆。
接地構件1可使用在由基體薄膜與屏蔽薄膜構成的屏蔽印刷配線板。
首先，使用圖式就屏蔽印刷配線板之構造進行說明。 圖2係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。
如圖2所示，屏蔽印刷配線板50由基體薄膜60與屏蔽薄膜70構成。 於屏蔽印刷配線板50中，基體薄膜60係於基底薄膜61上依序設置包含接地電路62a之印刷電路62與絕緣薄膜63而成的薄膜。 又，屏蔽薄膜70係由接著劑層71、積層於接著劑層71之屏蔽層72、及積層於屏蔽層72之絕緣層73構成的薄膜。 然後，於屏蔽印刷配線板50中，屏蔽薄膜70係以屏蔽薄膜70之接著劑層71與基體薄膜60相接之方式被覆基體薄膜60。 再者，屏蔽薄膜70之接著劑層71係導電性接著劑層。
接著，使用圖式說明將接地構件1使用於屏蔽印刷配線板50之情形。 圖3(a)及(b)係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 如圖3(a)及(b)所示，接地構件1係以接地構件1之導電性填充物20貫穿屏蔽薄膜70之絕緣層73的方式，壓抵於屏蔽印刷配線板50而配置。 然後，如圖3(a)所示，亦可以進一步按壓接地構件1，使接地構件1導電性填充物20貫穿屏蔽薄膜70之屏蔽層72，從而使接地構件1之導電性填充物20與屏蔽薄膜70之接著劑層71接觸。 又，如圖3(b)所示，亦可使接地構件1之導電性填充物20僅與屏蔽薄膜70之屏蔽層72接觸。 因為接著劑層71為導電性接著劑層，故藉由使導電性填充物20接觸接著劑層71及屏蔽層72、或者使導電性填充物20接觸屏蔽層72，即可將接地構件1之外部連接構件10與基體薄膜60之接地電路62a電性連接。 又，接地構件1之外部連接構件10就會連接於外部接地GND。
由於像這樣將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50，故不需要於屏蔽印刷配線板50的屏蔽薄膜70之絕緣層73預先設孔等，即可於任意位置配置接地構件1。
又，於接地構件1中，於核心粒子26表面形成有低熔點金屬層21。 將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50時、或於配置後的零件安裝步驟中，亦會進行加熱。藉由該加熱，低熔點金屬層21會軟化，而可提高下列密接性：接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜70之屏蔽層72的密接性、或者接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜70之接著劑層71的密接性。 因此，縱使是對使用接地構件1之屏蔽印刷配線板50反覆進行加熱及冷卻以安裝零件的情況，接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜70之屏蔽層72或接著劑層71之間仍不易發生偏移。其結果，可抑制基體薄膜60之接地電路62a-外部接地GND間之電阻增加。 再者，構成屏蔽層72的金屬與構成核心粒子26之低熔點金屬層21的金屬可形成合金時，藉由此等形成合金，可更為提高接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜70之屏蔽層72的密接性。
另外，低熔點金屬層21亦可於使接地構件1之導電性填充物20與屏蔽層72連接後在屏蔽印刷配線板安裝零件的步驟中使之軟化。 例如，以為了安裝零件而使用焊料的情況而言，會進行焊料回焊步驟。此時，可藉由回焊時的熱來使低熔點金屬層21軟化。
於接地構件1中，低熔點金屬層21其熔點宜為300℃以下。 若低熔點金屬層21是由熔點300℃以下的金屬形成，則在將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50時，低熔點金屬層21容易軟化，可良好提高接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜70之屏蔽層72或接著劑層71的密接性。 若低熔點金屬層21是由熔點超過300℃的金屬形成，則將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50時的加熱溫度會變高。因此，接地構件1或屏蔽印刷配線板50就容易因熱而受損。
於接地構件1中，形成低熔點金屬層21之金屬雖無特別限定，但宜包含選自於由銦、錫、鉛及鉍所構成群組中之至少一種。 此等金屬具備形成低熔點金屬層21時適合的熔點及導電性。
於接地構件1中，低熔點金屬層21之厚度宜為0.1~50μm。 若低熔點金屬層21之厚度未達0.1μm，因為構成低熔點金屬層之金屬量較少，故將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50時，就不易提高下列密接性：接地構件1之外部連接構件10與核心粒子26的密接性、或接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜70之屏蔽層72的密接性、或接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜70之接著劑層71的密接性。 若低熔點金屬層21之厚度超過50μm，則由於低熔點金屬層21較厚，故接地構件1的導電性填充物20會變粗。因此，將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50時，為了貫穿屏蔽薄膜70之絕緣層73就會需要更大的壓力。
又，於接地構件1中，構成低熔點金屬層21之低熔點金屬的含有率，乃相對於導電性填充物20之總重量宜為6wt%以上、較佳為7wt%以上、更佳為8wt%以上。 若低熔點金屬的含有率未達6wt%，則構成低熔點金屬層21之低熔點金屬量會變少，故將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50時，就不易提高下列密接性：接地構件1之外部連接構件10與導電性填充物20的密接性、或接地構件1之導電性填充物20與屏蔽薄膜70之屏蔽層72的密接性。 又，於接地構件1中，構成低熔點金屬層21之低熔點金屬的含有率，乃相對於導電性填充物20之總重量宜為80wt%以下、較佳為78wt%以下。 若低熔點金屬之含有率超過80wt%，則低熔點金屬層21會變厚，且接地構件1的導電性填充物20會變大。因此，將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50時，為了貫穿屏蔽薄膜70之絕緣層73就會需要更大的壓力。 另外，如後所述，將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50時，接地構件1會被加熱。若低熔點金屬之含有率超過80wt%，會有低熔點金屬層21受到此時的加熱而過度軟化之情形。因此，接地構件1之配置位置就會容易偏移。
於接地構件1中，低熔點金屬層21宜包含助焊劑。 藉由低熔點金屬層21包含助焊劑，在構成低熔點金屬層21之金屬軟化時，構成低熔點金屬層21之金屬就變得容易與外部連接構件10、核心粒子26、以及屏蔽薄膜70之屏蔽層72或接著劑層71密接。 其結果，可提高下列密接性：接地構件1之外部連接構件10與核心粒子26的密接性、接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜70之屏蔽層72的密接性、或者接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜70之接著劑層71的密接性。
作為助焊劑並無特別限定，可使用多元羧酸、乳酸、檸檬酸、油酸、硬脂酸、麩胺酸、苯甲酸、甘油、松香等周知者。
接地構件1中，接著性樹脂25雖無特別限定，但宜為丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、矽系樹脂、熱塑性彈性體系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。 此等樹脂具有優異的接著性。
於接地構件1中，外部連接構件10宜包含選自於由銅、鋁、銀、金、鎳、鉻、鈦、鋅及不鏽鋼所構成群組中之至少一種。 此等材料為適合用於將接地構件1與外部接地GND電性連接的材料。
於接地構件1中，於第2主面12宜形成有耐腐蝕層。 若於接地構件1之第2主面12形成有耐腐蝕層，便可防止接地構件1腐蝕。
於接地構件1中，耐腐蝕層宜包含選自於由鎳、金、銀、鉑、鈀、銠、銥、釕、鋨及此等合金所構成群組中之至少一種。 此等材料不易腐蝕。因此，此等材料為適用於接地構件1之耐腐蝕層的材料。
於接地構件1中，核心粒子26之平均粒徑宜為1~200μm。 若核心粒子26之平均粒徑未達1μm，則導電性填充物20會變小。其結果，將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50時，就變得不易貫穿屏蔽薄膜70之絕緣層73。 若核心粒子26之平均粒徑超過200μm，因為導電性填充物20變大，故將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板50時，為了貫穿屏蔽薄膜70之絕緣層73就會需要更大的壓力。
於接地構件1中，核心粒子26宜包含選自於由銅粉、銀粉、鎳粉、銀包銅粉、金包銅粉、銀包鎳粉、金包鎳粉、鎳包銅粉、鎳包銀粉及於樹脂被覆有金屬的粒子所構成群組中之至少一種。 此等粒子因為導電性優異，故適合作為核心粒子26。
低熔點金屬層21由錫或其合金構成時，於核心粒子26表面宜存在鎳。即，核心粒子26表面宜被鎳層包覆，且於鎳層上宜存在低熔點金屬層21。 低熔點金屬層21由錫或其合金構成時，會有低熔點金屬層21與核心粒子26表面的金屬形成合金之情形。 然而，藉由於核心粒子26表面存在鎳，可防止構成低熔點金屬層21的錫與構成核心粒子26的金屬形成合金。其結果，構成低熔點金屬層21的錫可有效率地與屏蔽層形成合金。因此，可減少用於低熔點金屬層21的錫量。
接著，說明本發明接地構件之製造方法之一例。 本發明接地構件之製造方法包含：(1)外部連接構件準備步驟、(2)導電性填充物準備步驟、(3)糊料準備步驟、及(4)糊料塗佈步驟。
以下，使用圖式就各步驟進行說明。 圖4(a)~(d)係按步驟順序示意性顯示本發明接地構件之製造方法之一例的步驟圖。
(1)外部連接構件準備步驟 首先如圖4(a)所示，準備外部連接構件10；該外部連接構件10具有第1主面11及位於第1主面11相反側之第2主面12，且具有導電性。
(2)導電性填充物準備步驟 接著，如圖4(b)所示，準備導電性填充物26，並以低熔點金屬包覆其表面而形成低熔點金屬層21。 形成低熔點金屬層21的方法，可採用諸如鍍覆法等。 例如，導電性填充物由銅構成、低熔點金屬層由錫構成時，可使用無電解鍍覆或電解鍍覆。 可經由上述步驟來準備導電性填充物20。
(3)糊料準備步驟 接著，如圖4(c)所示，將導電性填充物20與接著性樹脂25混合，來準備糊料27。 此時，導電性填充物20與接著性樹脂25之重量比宜為導電性填充物：接著性樹脂=30：70~70：30。
(4)糊料塗佈步驟 接著，如圖4(d)所示，於外部連接構件10之第1主面11塗佈糊料27。
通過以上步驟，即可製造接地構件1。
接著，說明使用接地構件1之屏蔽印刷配線板之製造方法。 又，該屏蔽印刷配線板之製造方法亦為本發明屏蔽印刷配線板之製造方法的一例。
本發明之屏蔽印刷配線板之製造方法中，前述屏蔽印刷配線板具備基體薄膜、屏蔽薄膜及上述接地構件1，該基體薄膜係於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路及絕緣薄膜而成，該屏蔽薄膜具有接著劑層、積層於上述接著劑層之屏蔽層、及積層於上述屏蔽層之絕緣層，該接地構件1配置於上述屏蔽薄膜之絕緣層上；上述屏蔽印刷配線板之製造方法包含以下步驟：(1)屏蔽薄膜載置步驟、(2)接地構件配置步驟、(3)加壓步驟、及(4)加熱步驟。
以下，使用圖式就各步驟進行說明。 圖5係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中屏蔽薄膜載置步驟例的步驟圖。 圖6係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中接地構件配置步驟例的步驟圖。 圖7係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中加壓步驟例的步驟圖。 圖8係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中加熱步驟例的步驟圖。
(1)屏蔽薄膜載置步驟 於本步驟中，首先準備基體薄膜60，該基體薄膜60係於基底薄膜61上依序設置包含接地電路62a之印刷電路62與絕緣薄膜63而成者。 又，亦準備屏蔽薄膜70，該屏蔽薄膜70係由作為導電性接著劑層的接著劑層71、積層於接著劑層71之屏蔽層72、及積層於屏蔽層72之絕緣層73構成者。 然後，如圖5所示，以屏蔽薄膜70之接著劑層71連接於基體薄膜60上之方式載置屏蔽薄膜70，來製作屏蔽印刷配線板50(參照圖6)。
構成基體薄膜60之基底薄膜61及絕緣薄膜63的材料雖無特別限定，但宜由工程塑膠構成。作為上述工程塑膠，例如可舉例：聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、交聯聚乙烯、聚酯、聚苯并咪唑、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚等樹脂。 又，於此等工程塑膠中，在要求阻燃性之情況下，是以聚苯硫醚薄膜為佳；在要求耐熱性時，則以聚醯亞胺薄膜為佳。再者，基底薄膜61之厚度宜為10~40μm，而絕緣薄膜63之厚度宜為10~30μm。
又，於絕緣薄膜63上形成有用以使印刷電路62局部露出的孔部63a。 孔部63a之形成方法並無特別限定，可採用雷射加工等習知方法。
屏蔽薄膜70之接著劑層71係由樹脂和導電性微粒子構成的導電性接著劑層。
作為構成接著劑層71之樹脂雖無特別限定，但宜為丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、矽系樹脂、熱塑性彈性體系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。 又，於接著劑層71中，亦可包含脂肪酸烴樹脂、C5/C9混合樹脂、松香、松香衍生物、萜烯樹脂、芳香族系烴樹脂、熱反應性樹脂等黏著性賦予劑。若包含此等黏著性賦予劑，則可使接著劑層71之黏著性提高。
作為構成接著劑層71之導電性微粒子並無特別限定，例如有銅粉、銀粉、鎳粉、銀包銅粉(Ag包Cu粉)、金包銅粉、銀包鎳粉(Ag包Ni粉)、金包鎳粉；此等金屬粉可利用霧化法、羰基法等來製作。又，除上述外，亦可使用於金屬粉被覆樹脂的粒子、於樹脂被覆金屬的粒子。再者，導電性微粒子宜為Ag包Cu粉或Ag包Ni粉。其理由在於，可利用便宜的材料獲得導電性穩定的導電性微粒子。 再者，導電性微粒子的形狀並不需限定為球狀，亦可為例如樹枝狀、片狀、尖峰狀、棒狀、纖維狀、針狀等。
因為屏蔽薄膜70之接著劑層71為導電性接著劑層，故藉由使接地構件1之導電性填充物20貫通屏蔽薄膜70之絕緣層73，接地構件1之導電性填充物20會與屏蔽薄膜70之屏蔽層72及接著劑層71接觸、或者接地構件1之導電性填充物20會與屏蔽薄膜70之屏蔽層72接觸，從而可將接地構件1之外部連接構件10與基體薄膜60之接地電路62a電性連接。
進而，接著劑層71可為各向異性導電性接著劑層，亦可為等向性導電性接著劑層，但較佳為各向異性導電性接著劑層。 接著劑層71為各向異性導電性接著劑層時，導電性微粒子相對於接著劑層71總體量，宜以3~39重量%之範圍來含有。又，導電性微粒子之平均粒徑宜為2~20μm範圍，但宜因應各向異性導電性接著劑層厚度來選擇最佳的尺寸。 又，接著劑層71為等向性導電性接著劑層時，導電性微粒子相對於接著劑層71總體量，宜以超過39重量%且95重量%以下之範圍來含有。導電性微粒子之平均粒徑可與各向異性導電性接著劑層相同地進行選擇。
屏蔽薄膜70之屏蔽層72，只要是能展現可將源來自電訊號的非必要輻射或來源外部的電磁波等雜訊予以遮蔽之屏蔽效果，則由任何材料構成均可。例如，屏蔽層72可由金屬構成，抑或為金屬箔或蒸鍍膜等金屬層、或者為形成為層狀的導電性粒子集合體。屏蔽層72為金屬層時，構成金屬層的材料宜包含例如選自於由鎳、銅、銀、金、鈀、鋁、鉻、鈦、鋅及其等合金所構成群組中之至少一種。 當屏蔽層72為導電性粒子集合體時，可使用上述的導電性微粒子。 此等材料為導電性較高而適合作為屏蔽層的材料。
關於屏蔽薄膜70之屏蔽層72的厚度宜為0.01~10μm。 屏蔽層的厚度未達0.01μm，難以獲得充分的屏蔽效果。 若屏蔽層的厚度超過10μm，則難以彎曲。
作為屏蔽薄膜70之絕緣層73的材料雖無特別限定，但宜為環氧系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、酚系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。
關於屏蔽薄膜70之絕緣層73的厚度宜為1~10μm。
(2)接地構件配置步驟 於本步驟中，如圖6所示，係以接地構件1之導電性填充物20朝向屏蔽薄膜70之絕緣層73側之方式，將接地構件1配置於屏蔽薄膜70。
(3)加壓步驟 於本步驟中，如圖7所示，為了使接地構件1之外部連接構件10與基體薄膜60之接地電路62a電性連接，係加壓接地構件1，以使接地構件1之導電性填充物20貫通屏蔽薄膜70之絕緣層73及屏蔽層72。藉此，接地構件1之導電性填充物20就會與屏蔽薄膜70之接著劑層71及屏蔽層72接觸。 加壓時之壓力宜為0.5MPa~10MPa。 再者，於本步驟中，亦可使接地構件1之導電性填充物20僅貫通屏蔽薄膜70之絕緣層73，使接地構件1之導電性填充物20僅與屏蔽薄膜70之屏蔽層72接觸。
(4)加熱步驟 於本步驟中，如圖8所示，為了使接地構件1之低熔點金屬層21與屏蔽薄膜70之屏蔽層72連接，係加熱接地構件1之低熔點金屬層21使之軟化。 使接地構件1之低熔點金屬層21軟化時的溫度雖無特別限定，但宜為100~300℃。 藉此，可提高下列密接性：接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜70之屏蔽層72的密接性、或接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜70之接著劑層71的密接性。
再者，於本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中，加熱步驟只要是可使接地構件之低熔點金屬層軟化而與屏蔽薄膜之屏蔽層連接，加熱步驟可於任何階段進行。 例如可與上述加壓步驟同時進行、抑或作為獨立步驟進行。 藉由同時進行加壓步驟與加熱步驟，可使製造效率提高。
又，加熱步驟亦可於對加壓步驟後之屏蔽印刷配線板安裝零件的步驟中進行。例如，為了安裝零件而使用焊料之情況，會進行焊料回焊步驟。亦可藉由該回焊步驟回焊時的熱使低熔點金屬層軟化。此時，成為同時進行加熱步驟與零件安裝。
又，於上述本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中，在上述屏蔽薄膜載置步驟中，亦可準備於接著劑層與屏蔽層之間、及/或於屏蔽層與絕緣層之間形成有低熔點金屬層的屏蔽薄膜。 進而，於加熱步驟中，宜使屏蔽薄膜之低熔點金屬層軟化而與接地構件之導電性填充物連接。 藉此，可提高下列密接性：接地構件之導電性填充物與屏蔽薄膜之屏蔽層的密接性、或接地構件之導電性填充物與屏蔽薄膜之接著劑層的密接性。
屏蔽薄膜之低熔點金屬層宜由熔點300℃以下的金屬形成。若低熔點金屬層由熔點300℃以下的金屬形成，將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，屏蔽薄膜之低熔點金屬層會容易軟化，而可良好提高接地構件之導電性填充物與屏蔽薄膜之屏蔽層或接著劑層的密接性。
又，形成屏蔽薄膜之低熔點金屬層的金屬雖無特別限定，但宜包含選自於由銦、錫、鉛及鉍所構成群組中之至少一種。 此等金屬具備形成低熔點金屬層時適合的熔點及導電性。
又，屏蔽薄膜之低熔點金屬層厚度宜為0.1~50μm。 若低熔點金屬層之厚度未達0.1μm，因為形成低熔點金屬層之金屬量較少，故將接地構件配置於屏蔽印刷配線板時，就不易提高接地構件之導電性填充物與屏蔽薄膜之屏蔽層或導電層的密接性。 若屏蔽薄膜之低熔點金屬層厚度超過50μm，則於屏蔽薄膜之低熔點金屬層軟化時屏蔽層會容易變形。結果，屏蔽薄膜之屏蔽特性容易降低。
屏蔽薄膜之低熔點金屬層宜包含助焊劑。 藉由屏蔽薄膜之低熔點金屬層包含助焊劑，在構成屏蔽薄膜之低熔點金屬層之金屬軟化時，構成屏蔽薄膜之低熔點金屬層的金屬與接地構件之導電性填充物會變得容易密接。 其結果，可更加提高屏蔽薄膜之低熔點金屬層與接地構件之導電性填充物的密接性。 其次，就將接地構件1使用於如下屏蔽印刷配線板150之情形進行說明。 圖9(a)及(b)係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之製造方法之一例圖。 圖10係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。
如圖9(a)所示，製造屏蔽印刷配線板150時，首先於基體薄膜160載置屏蔽薄膜170。 基體薄膜160係於基底薄膜161上依序設置包含接地電路162a之印刷電路162與絕緣薄膜163而成的薄膜。 又，屏蔽薄膜170係由接著劑層171、積層於接著劑層171之屏蔽層172、及積層於屏蔽層172之絕緣層173構成的薄膜，且屏蔽層172為具有凸部172a及凹部172b之波狀形狀。 再者，屏蔽薄膜170之接著劑層171可具有導電性，抑或不具有導電性。
接著，如圖9(b)所示，藉由加壓可製造屏蔽印刷配線板150。 於該加壓時，屏蔽薄膜170之屏蔽層172的凸部172a推開接著劑層171而連接於基體薄膜160之接地電路162a。
藉此，可製造如圖10所示的屏蔽印刷配線板150。 即，如圖10所示，屏蔽印刷配線板150是由基體薄膜160與屏蔽薄膜170構成。 於屏蔽印刷配線板150中，基體薄膜160係於基底薄膜161上依序設置包含接地電路162a之印刷電路162與絕緣薄膜163而成的薄膜。 又，屏蔽薄膜170係由接著劑層171、積層於接著劑層171之屏蔽層172、及積層於屏蔽層172之絕緣層173構成的薄膜，且屏蔽層172為具有凸部172a及凹部172b之波狀形狀。 然後，於屏蔽印刷配線板150中，屏蔽薄膜170係以屏蔽薄膜170之接著劑層171與基體薄膜160相接之方式被覆基體薄膜160。 又，屏蔽層172的凸部172a的一部分從接著劑層171露出，而與基體薄膜160之接地電路162a接觸。
其次，使用圖式說明將接地構件1使用於屏蔽印刷配線板150之情形。 圖11係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 如圖11所示，接地構件1係以使接地構件1之導電性填充物20貫穿屏蔽薄膜170之絕緣層173的方式，壓抵於屏蔽印刷配線板150而配置。 然後，接地構件1之導電性填充物20與屏蔽薄膜170之屏蔽層172就會接觸。
如上所述，因為屏蔽薄膜170之屏蔽層172與基體薄膜160之接地電路162a接觸，故接地構件1之外部連接構件10與基體薄膜160之接地電路162a就會電性連接。 又，接地構件1之外部連接構件10就會連接於外部接地GND。
由於像這樣將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板150，故不需要於屏蔽印刷配線板150的屏蔽薄膜170之絕緣層173預先設孔等，即可於任意位置配置接地構件1。
又，於接地構件1中，導電性填充物20是由核心粒子26及形成於該核心粒子26表面之低熔點金屬層21構成。 將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板150時、或於配置後的零件安裝步驟中，亦會進行加熱。藉由該加熱，低熔點金屬層21會軟化，而可提高接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜170之屏蔽層172的密接性。 因此，縱使是對使用接地構件1之屏蔽印刷配線板150反覆進行加熱及冷卻以安裝零件的情況，接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜170之屏蔽層172之間仍不易發生偏移。其結果，可抑制基體薄膜160之接地電路162a-外部接地GND間之電阻增加。
於屏蔽印刷配線板150中，理想的基體薄膜160與說明上述屏蔽印刷配線板50中所記載的基體薄膜60相同。
於屏蔽印刷配線板150中構成屏蔽薄膜170之屏蔽層172及絕緣層173，其理想材料與說明上述屏蔽印刷配線板50中所記載的屏蔽薄膜70之屏蔽層72及絕緣層73相同。
於屏蔽印刷配線板150中，構成屏蔽薄膜170之屏蔽薄膜170的接著劑層171的理想材料雖無特別限定，但宜為丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、矽系樹脂、熱塑性彈性體系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。 又，於接著劑層171中亦可包含脂肪酸烴樹脂、C5/C9混合樹脂、松香、松香衍生物、萜烯樹脂、芳香族系烴樹脂、熱反應性樹脂等黏著性賦予劑。若包含此等黏著性賦予劑，則可使接著劑層171之黏著性提高。
又，於屏蔽印刷配線板150中，以屏蔽薄膜170而言，於屏蔽層172與絕緣層173之間亦可形成有屏蔽薄膜170之低熔點金屬層，且屏蔽薄膜170之低熔點金屬層亦可與接地構件1之導電性填充物20連接。 若為此種構造，即可提高接地構件1之導電性填充物20與屏蔽薄膜170之屏蔽層172的密接性。
其次，就將接地構件1使用於如下屏蔽印刷配線板250之情形進行說明。 圖12係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。
如圖12所示，屏蔽印刷配線板250由基體薄膜260與屏蔽薄膜270構成。 於屏蔽印刷配線板250中，基體薄膜260係於基底薄膜261上依序設置包含接地電路262a之印刷電路262與絕緣薄膜263而成的薄膜。 又，屏蔽薄膜270係由接著劑層271、積層於接著劑層271之屏蔽層272、及積層於屏蔽層272之絕緣層273構成的薄膜。 然後，於屏蔽印刷配線板250中，屏蔽薄膜270係以屏蔽薄膜270之接著劑層271與基體薄膜260相接之方式被覆基體薄膜260。 又，屏蔽薄膜270之接著劑層271不具導電性，而印刷電路262與屏蔽層272未電性連接。
接著，使用圖式說明將接地構件1使用於屏蔽印刷配線板250之情形。 圖13係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 如圖13所示，接地構件1係以接地構件1之導電性填充物20貫穿屏蔽薄膜270之絕緣層273且與屏蔽層272連接的方式，壓抵於屏蔽印刷配線板250而配置。 藉此，接地構件1之導電性填充物20就會與屏蔽薄膜270之屏蔽層272接觸。因此，可將接地構件1之外部連接構件10與屏蔽薄膜270之屏蔽層272電性連接。 又，接地構件1之外部連接構件10就會連接於外部接地GND。
像這樣配置有接地構件1之屏蔽印刷配線板250中，因為屏蔽薄膜270之屏蔽層272會與外部接地GND電性連接，故屏蔽層272能以遮蔽電磁波之電磁波屏蔽之形式良好發揮作用。
由於像這樣將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板250，故不需要於屏蔽印刷配線板250的屏蔽薄膜270之絕緣層273預先設孔等，即可於任意位置配置接地構件1。
又，於接地構件1中，導電性填充物20是由核心粒子26及形成於該核心粒子26表面之低熔點金屬層21構成。 將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板250時、或於配置後的零件安裝步驟中，亦會進行加熱。藉由該加熱，低熔點金屬層21會軟化，而可提高接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜270之屏蔽層272的密接性。 因此，縱使是對使用接地構件1之屏蔽印刷配線板250反覆進行加熱及冷卻以安裝零件時，於接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜270之屏蔽層272之間仍不易發生偏移。
又，接著劑層271因為未含有導電性微粒子，故可減低接著劑層271的原材料費，可使接著劑層271薄型化。
於屏蔽印刷配線板250中，理想的基體薄膜260與說明上述屏蔽印刷配線板50中所記載的基體薄膜60相同。
於屏蔽印刷配線板250中構成屏蔽薄膜270之屏蔽層272及絕緣層273，其理想材料與說明上述屏蔽印刷配線板50中所記載的屏蔽薄膜70之屏蔽層72及絕緣層73相同。
於屏蔽印刷配線板250中，構成屏蔽薄膜270之屏蔽薄膜270的接著劑層271的理想材料並無特別限定，但宜為丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、矽系樹脂、熱塑性彈性體系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。 又，於接著劑層271中亦可包含脂肪酸烴樹脂、C5/C9混合樹脂、松香、松香衍生物、萜烯樹脂、芳香族系烴樹脂、熱反應性樹脂等黏著性賦予劑。若包含此等黏著性賦予劑，則可使接著劑層271之黏著性提高。
又，於屏蔽印刷配線板250中，就屏蔽薄膜270而言，於屏蔽層272與絕緣層273之間亦可形成有屏蔽薄膜270之低熔點金屬層，且屏蔽薄膜270之低熔點金屬層亦可與接地構件1之導電性填充物20連接。 若為此種構造，可提高接地構件1之導電性填充物20與屏蔽薄膜270之屏蔽層272的密接性。
其次，就將接地構件1使用於如下屏蔽印刷配線板350之情形進行說明。 圖14係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。
如圖14所示，屏蔽印刷配線板350由基體薄膜360與屏蔽薄膜370構成。 於屏蔽印刷配線板350中，基體薄膜360係於基底薄膜361上依序設置包含接地電路362a之印刷電路362與絕緣薄膜363而成的薄膜。 又，屏蔽薄膜370係由屏蔽層372及積層於屏蔽層372之絕緣層373構成的薄膜。 然後，於屏蔽印刷配線板350中，屏蔽薄膜370係以屏蔽薄膜370之屏蔽層372與基體薄膜360相接之方式被覆基體薄膜360。 再者，屏蔽薄膜370之屏蔽層372係導電性接著劑層。
接著，使用圖式說明將接地構件1使用於屏蔽印刷配線板350之情形。 圖15係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 如圖15所示，接地構件1係以接地構件1之導電性填充物20貫穿屏蔽薄膜370之絕緣層373的方式，壓抵於屏蔽印刷配線板350而配置。 然後，接地構件1之導電性填充物20就會與屏蔽薄膜370之屏蔽層372接觸。
如上所述，因為屏蔽薄膜370之屏蔽層372與基體薄膜360之接地電路362a接觸，故接地構件1之外部連接構件10與基體薄膜360之接地電路362a就會電性連接。 又，接地構件1之外部連接構件10就會連接於外部接地GND。
由於像這樣將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板350，故不需要於屏蔽印刷配線板350的屏蔽薄膜370之絕緣層373預先設孔等，即可於任意位置配置接地構件1。
又，於接地構件1中，導電性填充物20是由核心粒子26及形成於該核心粒子26表面之低熔點金屬層21構成。 將接地構件1配置於屏蔽印刷配線板350時、或於配置後的零件安裝步驟中，亦會進行加熱。藉由該加熱，低熔點金屬層21會軟化，而可提高接地構件1之核心粒子26與屏蔽薄膜370之屏蔽層372的密接性。 因此，縱使是對使用接地構件1之屏蔽印刷配線板350反覆進行加熱及冷卻以安裝零件的情況，接地構件1之導電性填充物20與屏蔽薄膜370之屏蔽層372之間仍不易發生偏移。其結果，可抑制基體薄膜360之接地電路362a-外部接地GND間之電阻增加。
又，於屏蔽印刷配線板350中，因為屏蔽薄膜370之屏蔽層372為導電性接著劑層，故屏蔽薄膜370之屏蔽層372便會具備下述兩種功能：用以將屏蔽薄膜370接著於基體薄膜360之功能、及屏蔽電磁波之功能。 因此，即使在用以與基體薄膜360之接著上不使用接著劑等，仍可容易地使屏蔽薄膜370接著於基體薄膜360。
於屏蔽印刷配線板350中，理想的基體薄膜360與說明上述屏蔽印刷配線板50中所記載的基體薄膜60相同。
於屏蔽印刷配線板350中構成屏蔽薄膜370之絕緣層373，其理想材料與說明上述屏蔽印刷配線板50中所記載的屏蔽薄膜70之絕緣層73相同。
於屏蔽印刷配線板350中，屏蔽薄膜370之屏蔽層372係由樹脂和導電性微粒子構成的導電性接著劑層。
作為構成屏蔽層372之樹脂並無特別限定，但宜為丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、矽系樹脂、熱塑性彈性體系樹脂、橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等。 又，於屏蔽層372中亦可包含脂肪酸烴樹脂、C5/C9混合樹脂、松香、松香衍生物、萜烯樹脂、芳香族系烴樹脂、熱反應性樹脂等黏著性賦予劑。若包含此等黏著性賦予劑，則可使屏蔽層372之黏著性提高。
作為構成屏蔽層372之導電性微粒子並無特別限定，例如有銅粉、銀粉、鎳粉、銀包銅粉(Ag包Cu粉)、金包銅粉、銀包鎳粉(Ag包Ni粉)、金包鎳粉；此等金屬粉可利用霧化法、羰基法等來製作。又，除上述外，亦可使用於金屬粉被覆樹脂的粒子、於樹脂被覆有金屬的粒子。再者，導電性微粒子宜為Ag包Cu粉或Ag包Ni粉。其理由在於，可利用便宜的材料獲得導電性穩定的導電性微粒子。 再者，導電性微粒子的形狀並不需限定為球狀，亦可為例如樹枝狀、片狀、尖峰狀、棒狀、纖維狀、針狀等。又，於導電性微粒子表面亦可設置有低熔點金屬層。此時的低熔點金屬層可使用上述材料。
進而，屏蔽薄膜370之屏蔽層372宜為等向性導電性接著劑層。 此時，導電性微粒子相對於屏蔽層總體量，宜以超過39重量%且95重量%以下之範圍來含有。導電性微粒子之平均粒徑宜為2~20μm。
又，於屏蔽印刷配線板350中，以屏蔽薄膜370而言，於屏蔽層372與絕緣層373之間亦可形成有屏蔽薄膜370之低熔點金屬層，且屏蔽薄膜370之低熔點金屬層亦可與接地構件1之導電性填充物20連接。 若為此種構造，即可提高接地構件1之導電性填充物20與屏蔽薄膜370之屏蔽層372的密接性。
目前為止說明的上述使用接地構件1之屏蔽印刷配線板150、使用接地構件1之屏蔽印刷配線板250、及使用接地構件1之屏蔽印刷配線板350，為本發明屏蔽印刷配線板的一例。
又，上述使用接地構件1之屏蔽印刷配線板150、使用接地構件1之屏蔽印刷配線板250、或使用接地構件1之屏蔽印刷配線板350，可藉由如下方法製造，即：在製造上述使用接地構件1之屏蔽印刷配線板50的方法中的「(1)屏蔽薄膜載置步驟」中，取代屏蔽薄膜70而準備屏蔽薄膜170、屏蔽薄膜270或屏蔽薄膜370，以此來製造。
(第二實施形態) 接著，說明本發明接地構件之其他態樣之第二實施形態的接地構件。
圖16係示意性顯示本發明接地構件之一例的截面圖。 如圖16所示，接地構件101具備外部連接構件110；該外部連接構件110具有第1主面111及位於第1主面111相反側之第2主面112且具有導電性。
又，於第1主面111藉由接著性樹脂125而固定有導電性填充物120。 然後，導電性填充物120是由核心粒子126及低熔點金屬層121構成，該低熔點金屬層121形成於該核心粒子126表面至少一部分。 進而再者，於接地構件101中，導電性填充物120之一部分從接著性樹脂125露出。
導電性填充物120之一部分從接著性樹脂125露出時，便可經由該露出部進行通電。因此，將接地構件1使用於屏蔽印刷配線板時，可容易將接地構件101之導電性填充物120與屏蔽薄膜之屏蔽層電性連接。
接地構件101中之外部連接構件110的理想材料、接著性樹脂125的理想材料、核心粒子26的理想材料、及形成低熔點金屬層121的理想金屬等，是與上述接地構件1中之外部連接構件10的理想材料、接著性樹脂25的理想材料、核心粒子26的理想材料、及形成低熔點金屬層21的理想金屬等相同。
(其他實施形態) 目前為止，就外部接地構件中導電性填充物是藉由核心粒子及形成於其表面至少一部分且由低熔點金屬構成之低熔點金屬層來構成的情形進行了說明。 然而，於本發明之接地構件中，導電性填充物只要含有低熔點金屬即可，亦可例如取代上述由核心粒子及低熔點金屬層構成的導電性填充物，而為由低熔點金屬單獨構成的導電性填充物、或由包含助焊劑的低熔點金屬構成的導電性填充物。
又，導電性填充物由低熔點金屬單獨、或包含助焊劑的低熔點金屬構成時，導電性填充物宜由熔點300℃以下的金屬構成。 又，低熔點金屬宜包含選自於由銦、錫、鉛及鉍所構成群組中之至少一種。
又，導電性填充物由低熔點金屬單獨或包含助焊劑的低熔點金屬構成時，導電性填充物的平均粒徑宜為1~200μm。
含有助焊劑時，作為助焊劑可使用多元羧酸、乳酸、檸檬酸、油酸、硬脂酸、麩胺酸、苯甲酸、甘油、松香等周知者。
此時的接地構件的外部連接構件、接著性樹脂的理想材料等，是與上述本發明之第一實施形態中之接地構件所說明的外部連接構件、接著性樹脂的理想材料等相同。
[實施例] 以下顯示更具體地說明本發明之實施例，但本發明並不限定於此等實施例。
(實施例1-1) (1)外部連接構件準備步驟 準備厚度為35μm的銅箔作為外部連接構件。
(2)導電性填充物準備步驟 準備粒徑為10~15μm的鎳粒子粉作為核心粒子。 接著，藉由電解鍍錫於鎳粒子粉表面鍍覆錫，來形成低熔點金屬層。導電性填充物中之低熔點金屬層的含有率(即錫含量)為8.8wt%。 由此，準備好導電性填充物。
(3)糊料準備步驟 將準備好的導電性填充物與雙酚A型環氧樹脂混合，來準備糊料。 導電性填充物與雙酚A型環氧樹脂的重量比為導電性填充物：雙酚A型環氧樹脂=100：47(換算成重量份)。
(4)糊料塗佈步驟 接著，於銅箔上將糊料塗佈成30μm之厚度，來製造實施例1-1的接地構件。
(實施例1-2)~(實施例1-7)及(比較例1-1)~(比較例1-3) 如表1所示，除了變更核心粒子種類、被覆核心粒子之金屬種類及其含有率之外，與實施例1-1相同方法來製造實施例1-2~1-7及比較例1-1~比較例1-3的接地構件。
[表1]
Figure 02_image001
(實施例2-1) 使用實施例1-1的接地構件，以如下記載的方法製造實施例2-1的屏蔽印刷配線板。
(1)屏蔽薄膜載置步驟 首先，準備於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路與保護薄膜而成的基體薄膜。 於基體薄膜中，基底薄膜是由聚醯亞胺樹脂構成，接地電路及印刷電路是由銅構成，而保護薄膜則是由聚醯亞胺樹脂構成。 又，於保護薄膜上形成有用以使印刷電路局部露出的孔部。
又，準備屏蔽薄膜，該屏蔽薄膜係依序積層有各向異性導電性接著劑層、屏蔽層及絕緣層者。 各向異性導電性接著劑層是由雙酚A型環氧樹脂及平均粒徑10μm的銅微粒子構成；其等的重量比為雙酚A型環氧樹脂：銅微粒子=100：47(換算成重量份)。又，各向異性導電性接著劑層之厚度為9μm。 又，屏蔽層是由銅構成，其厚度為2μm。 又，絕緣層是由環氧樹脂構成，其厚度為6μm。
接著，以各向異性導電性接著劑層相接於基體薄膜之方式，將屏蔽薄膜載置於基體薄膜上。
(2)接地構件配置步驟 接著，將實施例1-1的接地構件以實施例1-1的接地構件之導電性填充物朝向屏蔽薄膜之絕緣層側之方式配置於屏蔽薄膜。
(3)加壓步驟 然後，為了使實施例1-1的接地構件之外部連接構件與基體薄膜之接地電路電性連接，係加壓接地構件，以使接地構件之導電性填充物貫通屏蔽薄膜之絕緣層。 加壓條件為溫度：170℃、壓力：3MPa、時間：30分鐘。
(4)加熱步驟 然後，將接地構件、屏蔽薄膜及配線板在150℃下進行1小時烘烤後，投入加熱步驟(回焊步驟)，該加熱步驟係在260℃×5秒的條件下進行五次。 於該加熱步驟中，使實施例1-1之接地構件之導電性填充物表面所形成的低熔點金屬層軟化，藉由低熔點金屬層而使接地構件之導電性填充物連接屏蔽薄膜之各向異性導電性接著劑層及屏蔽層。
通過以上步驟，製成實施例2-1的屏蔽印刷配線板。
(實施例2-2)~(實施例2-7)及(比較例2-1)~(比較例2-3) 除了使用實施例1-2~實施例1-7的接地構件作為接地構件之外，與實施例2-1相同方法製成實施例2-2~實施例2-7的屏蔽印刷配線板。
(初始狀態的電阻值測定) 分別準備10個實施例2-1~實施例2-7及比較例2-1~比較例2-3之屏蔽印刷配線板，並測定基體薄膜之接地電路-外部接地間之電阻值。將各實施例的電阻值之平均值顯示於表1。 如表1所示，實施例2-1~實施例2-7之屏蔽印刷配線板，其基體薄膜之接地電路-外部接地間之初始狀態的電阻值相當低。
(因反覆加熱冷卻造成的電阻值變化的測定試驗) 分別準備10個實施例2-1~實施例2-2的屏蔽印刷配線板、及比較例2-1~比較例2-3的屏蔽印刷配線板。 接著，反覆進行下述加熱處理與冷卻處理合計200次，加熱處理係在120℃下加熱20分鐘，冷卻處理係冷卻至-55℃為止。然後，測定基體薄膜之接地電路-外部接地間之電阻值。結果顯示於表2。
[表2]
Figure 02_image003
如表2所示，使用於導電性填充物形成有高熔點金屬層(銅層)的接地構件的比較例2-1~比較例2-3的屏蔽印刷配線板，觀察到若反覆進行加熱冷卻，電阻值會上升。像這樣電阻值上升的原因咸認是因為反覆進行加熱冷卻，於接地構件之外部連接構件與核心粒子之間、或於接地構件之核心粒子與屏蔽薄膜之屏蔽層之間發生了偏移。 另一方面，使用於導電性填充物形成有低熔點金屬層(錫層)的接地構件的實施例2-1~實施例2-2的屏蔽印刷配線板，其就算反覆進行加熱冷卻，電阻值變化仍很小。咸認其原因為縱使反覆進行加熱冷卻，於接地構件之外部連接構件與核心粒子之間、或於接地構件之核心粒子與屏蔽薄膜之屏蔽層之間幾乎沒有發生偏移。
1‧‧‧接地構件10‧‧‧外部連接構件11‧‧‧第1主面12‧‧‧第2主面20‧‧‧導電性填充物21‧‧‧低熔點金屬層25‧‧‧接著性樹脂26‧‧‧核心粒子27‧‧‧糊料50‧‧‧屏蔽印刷配線板60‧‧‧基體薄膜61‧‧‧基底薄膜62‧‧‧印刷電路62a‧‧‧接地電路63‧‧‧絕緣薄膜63a‧‧‧孔部70‧‧‧屏蔽薄膜71‧‧‧接著劑層72‧‧‧屏蔽層73‧‧‧絕緣層101‧‧‧接地構件110‧‧‧外部連接構件111‧‧‧第1主面112‧‧‧第2主面120‧‧‧導電性填充物121‧‧‧低熔點金屬層125‧‧‧接著性樹脂126‧‧‧核心粒子150‧‧‧屏蔽印刷配線板160‧‧‧基體薄膜161‧‧‧基底薄膜162‧‧‧印刷電路162a‧‧‧接地電路163‧‧‧絕緣薄膜170‧‧‧屏蔽薄膜171‧‧‧接著劑層172‧‧‧屏蔽層172a‧‧‧凸部172b‧‧‧凹部173‧‧‧絕緣層250‧‧‧屏蔽印刷配線板260‧‧‧基體薄膜261‧‧‧基底薄膜262‧‧‧印刷電路262a‧‧‧接地電路263‧‧‧絕緣薄膜270‧‧‧屏蔽薄膜271‧‧‧接著劑層272‧‧‧屏蔽層273‧‧‧絕緣層350‧‧‧屏蔽印刷配線板360‧‧‧基體薄膜361‧‧‧基底薄膜362‧‧‧印刷電路362a‧‧‧接地電路363‧‧‧絕緣薄膜370‧‧‧屏蔽薄膜372‧‧‧屏蔽層373‧‧‧絕緣層GND‧‧‧外部接地
圖1係示意性顯示本發明接地構件之一例的截面圖。 圖2係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。 圖3(a)及(b)係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 圖4(a)~(d)係按步驟順序示意性顯示本發明接地構件之製造方法之一例的步驟圖。 圖5係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中屏蔽薄膜載置步驟例的步驟圖。 圖6係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中接地構件配置步驟例的步驟圖。 圖7係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中加壓步驟例的步驟圖。 圖8係示意性顯示本發明屏蔽印刷配線板之製造方法中加熱步驟例的步驟圖。 圖9(a)及(b)係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之製造方法之一例圖。 圖10係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。 圖11係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 圖12係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。 圖13係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 圖14係示意性顯示使用本發明接地構件之屏蔽印刷配線板之一例的截面圖。 圖15係示意性顯示將本發明接地構件使用於屏蔽印刷配線板時之一例的示意圖。 圖16係示意性顯示本發明接地構件之一例的截面圖。
50‧‧‧屏蔽印刷配線板
60‧‧‧基體薄膜
61‧‧‧基底薄膜
62‧‧‧印刷電路
62a‧‧‧接地電路
63‧‧‧絕緣薄膜
70‧‧‧屏蔽薄膜
71‧‧‧接著劑層
72‧‧‧屏蔽層
73‧‧‧絕緣層

Claims (4)

  1. 一種屏蔽印刷配線板，特徵在於：其具備基體薄膜、屏蔽薄膜及接地構件，該基體薄膜係於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路及絕緣薄膜而成，該屏蔽薄膜係由屏蔽層及積層於前述屏蔽層之絕緣層構成，並且以前述屏蔽層配置於較前述絕緣層更靠前述基體薄膜側之方式被覆前述基體薄膜，該接地構件配置於前述屏蔽薄膜之絕緣層，其中，前述接地構件由外部連接構件、導電性填充物及接著性樹脂構成，該外部連接構件具有第1主面與位於前述第1主面相反側之第2主面，且具有導電性，該導電性填充物配置於前述第1主面側，該接著性樹脂係將前述導電性填充物固定於前述第1主面，前述導電性填充物包含低熔點金屬，前述接地構件之導電性填充物貫穿前述屏蔽薄膜之絕緣層，前述接地構件之導電性填充物所包含的前述低熔點金屬係連接於前述屏蔽薄膜之屏蔽層，前述接地構件之外部連接構件可與外部接地電性連接，前述屏蔽薄膜係由接著劑層、積層於前述接著劑層之 前述屏蔽層及積層於前述屏蔽層之前述絕緣層構成，且前述屏蔽薄膜之接著劑層與前述基體薄膜接觸，其中前述屏蔽薄膜中，於前述接著劑層與前述屏蔽層之間、及/或於前述屏蔽層與前述絕緣層之間形成有屏蔽薄膜之低熔點金屬層，且前述屏蔽薄膜之低熔點金屬層與前述接地構件之導電性填充物連接。
  2. 一種屏蔽印刷配線板，特徵在於：其具備基體薄膜、屏蔽薄膜及接地構件，該基體薄膜係於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路及絕緣薄膜而成，該屏蔽薄膜係由屏蔽層及積層於前述屏蔽層之絕緣層構成，並且以前述屏蔽層配置於較前述絕緣層更靠前述基體薄膜側之方式被覆前述基體薄膜，該接地構件配置於前述屏蔽薄膜之絕緣層，其中，前述接地構件由外部連接構件、導電性填充物及接著性樹脂構成，該外部連接構件具有第1主面與位於前述第1主面相反側之第2主面，且具有導電性，該導電性填充物配置於前述第1主面側，該接著性樹脂係將前述導電性填充物固定於前述第1主面，前述導電性填充物包含低熔點金屬，前述接地構件之導電性填充物貫穿前述屏蔽薄膜之絕緣層， 前述接地構件之導電性填充物所包含的前述低熔點金屬係連接於前述屏蔽薄膜之屏蔽層，前述接地構件之外部連接構件可與外部接地電性連接，前述屏蔽薄膜之屏蔽層為導電性接著劑層，前述屏蔽薄膜之導電性接著劑層與前述基體薄膜接觸，其中前述屏蔽薄膜中，於前述屏蔽層與前述絕緣層之間形成有屏蔽薄膜之低熔點金屬層，且前述屏蔽薄膜之低熔點金屬層與前述接地構件之導電性填充物連接。
  3. 一種屏蔽印刷配線板之製造方法，特徵在於：前述屏蔽印刷配線板具備基體薄膜、屏蔽薄膜及接地構件，該基體薄膜係於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路及絕緣薄膜而成，該屏蔽薄膜具有屏蔽層及積層於前述屏蔽層之絕緣層，該接地構件配置於前述屏蔽薄膜之絕緣層上，該接地構件係由外部連接構件、導電性填充物及接著性樹脂構成，該外部連接構件具有第1主面與位於前述第1主面相反側之第2主面且具有導電性，該導電性填充物配置於前述第1主面側，該接著性樹脂係將前述導電性填充物固定於前述第1 主面，前述導電性填充物包含低熔點金屬，前述導電性填充物係藉由核心粒子及低熔點金屬層構成；該低熔點金屬層形成於該核心粒子表面之至少一部分且由前述低熔點金屬構成，上述屏蔽印刷配線板之製造方法具有以下步驟：屏蔽薄膜載置步驟，係以前述屏蔽薄膜之屏蔽層配置於較前述屏蔽薄膜之絕緣層更靠前述基體薄膜側之方式，將前述屏蔽薄膜載置於前述基體薄膜，接地構件配置步驟，係以前述接地構件之導電性填充物朝向前述屏蔽薄膜之絕緣層側之方式，將前述接地構件配置於前述屏蔽薄膜，加壓步驟，係加壓前述接地構件，以使前述接地構件之導電性填充物貫通前述屏蔽薄膜之絕緣層，及加熱步驟，係加熱前述接地構件之低熔點金屬使之軟化，以使前述接地構件之低熔點金屬連接於前述屏蔽薄膜之屏蔽層，其中前述屏蔽薄膜係由接著劑層、積層於前述接著劑層之前述屏蔽層及積層於前述屏蔽層之前述絕緣層構成，其中前述屏蔽薄膜中，於前述接著劑層與前述屏蔽層之間、及/或於前述屏蔽層與前述絕緣層之間形成有屏蔽薄膜之低熔點金屬層，且於前述加熱步驟中，使前述屏蔽薄膜之低熔點金屬層軟化而與前述接地構件之核心粒子連接。
  4. 一種屏蔽印刷配線板之製造方法，特徵在於：前述屏蔽印刷配線板具備基體薄膜、屏蔽薄膜及接地構件，該基體薄膜係於基底薄膜上依序設置包含接地電路之印刷電路及絕緣薄膜而成，該屏蔽薄膜具有屏蔽層及積層於前述屏蔽層之絕緣層，該接地構件配置於前述屏蔽薄膜之絕緣層上，前述接地構件係由外部連接構件、導電性填充物及接著性樹脂構成，該外部連接構件具有第1主面與位於前述第1主面相反側之第2主面且具有導電性，該導電性填充物配置於前述第1主面側，該接著性樹脂係將前述導電性填充物固定於前述第1主面，前述導電性填充物包含低熔點金屬，前述導電性填充物係藉由核心粒子及低熔點金屬層構成，該低熔點金屬層形成於該核心粒子表面之至少一部分且由前述低熔點金屬構成，上述屏蔽印刷配線板之製造方法具有以下步驟：屏蔽薄膜載置步驟，係以前述屏蔽薄膜之屏蔽層配置於較前述屏蔽薄膜之絕緣層更靠前述基體薄膜側之方式，將前述屏蔽薄膜載置於前述基體薄膜， 接地構件配置步驟，係以前述接地構件之導電性填充物朝向前述屏蔽薄膜之絕緣層側之方式，將前述接地構件配置於前述屏蔽薄膜，加壓步驟，係加壓前述接地構件，以使前述接地構件之導電性填充物貫通前述屏蔽薄膜之絕緣層，及加熱步驟，係加熱前述接地構件之低熔點金屬使之軟化，以使前述接地構件之低熔點金屬連接於前述屏蔽薄膜之屏蔽層，前述屏蔽薄膜之屏蔽層為導電性接著劑層，其中前述屏蔽薄膜中，於前述屏蔽層與前述絕緣層之間形成有屏蔽薄膜之低熔點金屬層，且於前述加熱步驟中，使前述屏蔽薄膜之低熔點金屬層軟化而與前述接地構件之核心粒子連接。
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