KR101763556B1 - 전도성 플레이트 - Google Patents

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KR101763556B1
KR101763556B1 KR1020150031633A KR20150031633A KR101763556B1 KR 101763556 B1 KR101763556 B1 KR 101763556B1 KR 1020150031633 A KR1020150031633 A KR 1020150031633A KR 20150031633 A KR20150031633 A KR 20150031633A KR 101763556 B1 KR101763556 B1 KR 101763556B1
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Abstract

본 발명은 전기적 특성이 향상된 전도성 플레이트로, 기재층; 상기 기재층의 깊이 방향으로 구현되는 음각패턴; 및 상기 음각패턴 내부에 충진되는 전도성 페이스트;를 포함하며, 상기 전도성 페이스트는 바인더와 금속입자로 구성되고, 상기 바인더와 상기 금속입자 사이에는 에어 갭이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

전도성 플레이트{Conductive Plate}
본 발명은 전도성 플레이트에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기적 특성이 향상된 전도성 플레이트에 관한 것이다.
최근 전자제품의 경박 단소화 추세로 디스플레이 또는 트랜지스터 등의 전자 소자들은 공통적으로 고밀도, 고집적의 형태로 제작될 것이 요구됨에 따라 전극 또는 배선용에 사용할 수 있는 금속 패턴을 형성하는 기술이 주목되고 있다. 특히 터치패널의 센서전극 또는 배선전극에의 적용이 크게 주목 받고 있다.
이러한 금속패턴의 제작에는 다양한 공정이 적용되고 있으며, 양각과 음각의 금속패턴 기술이 양립하고 있는 실정이다. 각각의 기술이 장단점을 보유하고 있지만, 음각 금속패턴 기술은 시트의 두께를 줄일 수 있으며, 보다 용이한 제작공정을 가진다는 점에서 주목 받고 있다.
음각의 금속패턴은 전도성 페이스트로 형성 되는데, 일반적으로 이러한 전도성 페이스트는 바인더에 금속파티클이 분산된 형태로 구성된다. 전도성 페이스트는사용 목적상 전기 전도성이 우수하고 저저항성을 가질 수 있는 요구되고 있는데, 바인더에 분산되는 금속입자들이 일정한 정형성을 가지기 어려워 전기 전도성이 우수하고 저저항성을 가지는 전도성 페이스트의 구현이 어려운 실정이다.
우수한 전기전도성 및 저저항성 실현을 위해 통상적으로 소결등의 과정을 거쳐 바인더를 일정부분 날려 보내어 금속입자들간의 접촉성을 높이고 있으나, 여전히 높은 전기 전도성 및 저저항성을 얻기에는 부족한 실정이다.
본 발명의 목적은 상기의 종래기술의 문제점을 해결하면서 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 전도성 플레이트를 제공하는데 있다.
다만, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적 달성을 위해 본 발명의 전도성 플레이트는 기재층; 상기 기재층의 깊이 방향으로 구현되는 음각패턴; 및 상기 음각패턴 내부에 충진되는 전도성 페이스트;를 포함하며, 상기 전도성 페이스트는 바인더와 금속입자로 구성되고, 상기 바인더와 상기 금속입자 사이에는 에어 갭이 형성되어 있다.
일실시예로, 상기 음각패턴 내부에 충진되는 상기 전도성 페이스트의 2/5 내지 3/5 높이를 기준으로, 상기 에어 갭은 상기 2/5 내지 3/5 높이의 하부에서, 상기 2/5 내지 3/5 높이의 상부에서보다 적은 부피로 형성될 수 있다.
다른 일실시예로, 상기 음각패턴 내부에 충진되는 상기 전도성 페이스트의 2/5 내지 3/5 높이를 기준으로, 상기 바인더의 밀도가 상기 2/5 내지 3/5 높이의 하부에서, 상기 2/5 내지 3/5 높이의 상부에서보다 높은 밀도로 형성될 수 있다.
또 다른 일실시예로, 상기 음각패턴 내부에 충진되는 상기 전도성 페이스트의 1/5 내지 2/5 높이를 기준으로, 상기 금속입자의 분포 밀도가 상기 1/5 내지 2/5 높이의 하부에서, 상기 1/5 내지 2/5 높이의 상부에서보다 낮은 분포 밀도로 형성될 수 있다.
또 다른 일실시예로, 상기 전도성 페이스트에 포함되는 상기 금속입자가 외부로 노출될 수 있다.
또 다른 일실시예로, 상기 음각패턴에 충진되는 상기 전도성 페이스트의 높이는 상기 음각패턴의 높이보다 낮게 형성될 수 있다.
상기와 같이 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 도출된 본 발명은, 음각패턴 내부에 충진되는 전도성 페이스트에 에어 갭을 형성하여 전기적 특성을 향상 시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 전도성 플레이트의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 에어 갭을 포함하는 전도성 플레이트의 확대도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, “특징으로 한다”, “포함하다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 전도성 플레이트의 단면도를 나타내는 것이며, 도 2는 도 1의 점선 부분을 확대한 것이다.
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 전도성 플레이트(100)는 기재층(200)의 깊이 방향으로 형성된 음각패턴(300)에 전도성 페이스트(600)가 충진된다.
전도성 플레이트(100)는 그 용도, 용어에 관계없이 음각패턴(300)에 전도성 페이스트(600)가 충진되는 본 발명의 목적범위에 포함하는 모든 대상체를 포함한다. 바람직하게는 터치패널의 센서전극용 또는 배선전극용으로 사용할 수 있다.
기재층(200)은 유리, 석영, 수지 및 이와 유사한 성질을 가지는 소재로 이루어질 수 있으며, 통상의 베이스 기판으로 통용되는 모든 소재 또는 복합소재가 본 발명의 기재층(200)으로 사용 가능하다. 기재층(200)은 음각패턴(300)이 용이하게 형성되고, 플렉서블한 전자기기에 적용하기 위해서 고분자 수지 소재가 바람직하다.
본 발명에서 음각패턴(300)은 기재층(200)의 깊이 방향으로 형성되는데, 식각, 에칭, 롤임프린트등의 공지된 기술이 적용될 수 있다. 음각패턴(300)은 양각패턴에 비해 시트의 두께를 줄일 수 있으며, 패턴 생성에 있어 공정이 보다 용이하여 대량생산에 있어 유리한 장점을 가지고 있다.
음각패턴(300)의 폭 너비와 높이는 전도성 페이스트(600)가 충진되어 충분한 전도성을 달성하기 위한 정도로, 사용 용도에 따라 다양한 조절이 가능하다.
본 발명에서 전도성 페이스트(600)는 바인더(500) 및 금속입자(400)를 포함하는 것을 말하며, 전도성 잉크, 도전성 페이스트 등 명칭에 관계없이 전기적인 전도성 역할을 하는 공지된 소재는 모두 포함된다.
금속입자(400)는 Ag, Cu, Ni, Al, Co, Cr, Mn 및 이들의 복합체 등 다양한 금속입자를 사용할 수 있으며, 복합체에는 코어쉘(Core-Shell) 구조를 포함한다.
바인더(500)는 그 용어에 관계 없이, 금속입자(400)가 분산되어 전도성 페이스트(600)의 틀을 갖추게 하는 고분자 수지, 전도성 소재의 분산성 확보하기 위한 계면활성제 계통의 분산제, 레진의 점도, 흐름성등을 개선하기 위한 첨가제, 올리고머, 모노머, 경화제, 용제 등, 금속입자(400)를 제외한 모든 성분을 의미한다.
고분자 수지는 셀룰로오스계 수지, 아크릴계 수지 또는 에폭시 수지 중 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이 외에도 다양한 고분자 수지가 사용될 수 있음은 물론이다.
전도성 페이스트가 열 경화될 수 있도록 열에 반응하는 열 경화형 올리고머 또는 열 경화형 모노머 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 열 경화형 올리고머는, 아크릴계 올리고머, 메타 아크릴계 올리고머, 아크릴 카복실레이트 아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트 올리고머(에폭시 아크릴레이트 공중합체), 폴리에스테르 아크릴레이트 올리고머 및 우레탄 아크릴레이트 올리고머로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이 외에도 다양한 종류의 열 경화형 올리고머가 사용 될 수 있다.
또한, 열 경화성 모노머는, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 트리시클로데칸디메타놀디메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 아크릴로일옥시에틸숙시네이트, 페녹시에틸렌글리콜아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 하드록시프로필 아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디메타아크릴레이트, 아릴메타아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디메타아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디메타아크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디메타아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 디메타아크릴레이트, 글리세롤 디메타아크릴레이트, 펜타메틸 기페리딜 메타아크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 테트라하이드로퍼퓨릴 아크릴레이트, 하이드록시 에틸 아크릴레이트, 하이드록시 프로필 아크릴레이트, 이소보닐 아크릴레이트, 헥산디올 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, 디프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트라아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디아크릴레이트, 에톡시레이티드 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 프로폭시레이티드 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 에폭실레이트트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트, 글리세린프로폭시레이티드 트리아크릴레이트 및 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이 외에도 다양한 종류의 열 경화형 모노머가 사용될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 페이스트(600)는 경화제를 더 포함할 수 있다. 경화제는 본 실시예에 따른 전도성 페이스트(600)가 열 경화될 수 있도록, 열에 반응하여 경화되는 물질로, 0.5 내지 5 중량%가 포함될 수 있다. 경화제로는 아조비스계 개시제, 벤조일퍼옥사이드 및 트리페닐 메틸 클로라이드로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상 선택될 수 있으며, 경화제가 0.5 중량부 미만일 경우, 충분한 경화가 이루어지지 않아 접착력 및 도전성 경로 형성에 문제가 있을 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에서 바인더(500)와 금속입자(400) 사이에는 에어 갭(Air Gap)(700)이 형성될 수 있다. 에어 갭(700)은 바인더(500)와 금속입자(400)를 이격하게 만드는 공간으로 비정형의 형상을 가지게 된다. 에어 갭(700)은 금속입자(400)를 전체적으로 바인더(500)에 이격시킬 뿐만 아니라, 부분적으로 바인더(500)에 이격시킬 수 있다. 또한, 금속입자(400)들은 서로 결착되어 형성되고, 결착된 금속입자(400) 표면에 에어 갭(700)이 형성되는 것이 바람직하다.
일반적으로 전도성 페이스트(600)는 음각패턴(300) 내부에 충진시 경화 또는 소결 공정을 거치게 된다. 경화 공정은 바인더(500)를 음각패턴(300) 내부에 일정한 틀을 가지고 고정시키기 위해 진행되며, 소결 공정은 바인더(500)에 분산된 금속입자(400)들간의 전기적 특성을 향상 시키기 위해 진행된다. 이러한 소결공정에 의해 바인더(500)는 일부분 날아가게 되어 금속입자들간에 접촉이 이루어져 전기적 특성을 띠게 만든다. 그러나, 일반적인 소결 공정으로 우수한 전기적 특성을 가지게 하기 위해서는 고가의 금속입자들을 다량 사용해야 하는 문제점이 있다.
본 발명자는 소량의 금속입자(400)를 사용하면서도 우수한 전기적 특성을 가지게 하기 위해서는 금속입자(400)들을 둘러싸는 바인더의 함량을 줄여 금속입자들간의 접촉력을 높일 수 있다고 생각하게 되었다. 이에 금속입자와 바인더 사이를 에어로 일정 부분 형성하게 하여 우수한 전기적 특성이 달성됨을 확인 하였다.
이러한 금속입자(400)들과 바인더(500) 사이에 에어갭을 형성하기 위해서는 전도성 페이스트(600)의 충진 공정시 일정한 진동이 필요하다는 것을 발견하게 되었다. 이에 하기 [표 1]에서는 음각패턴(300)의 폭이 3㎛인 전도성 플레이트(100)를 일반 소결 공정을 진행한 것과 진동을 주면서 소결 공정을 진행한 것의 저항성을 측정하였다. 테스트는 진동 부여의 조건만을 달리하고 다른 조건을 동일하게 하여 진행 되었다. 진동은 충진 스테이지를 바이브레이터로 직접 진동시켜 부여 하였다. 진동이 부여된 전도성 페이스트(600)는 바인더(500)와 금속입자(400) 사이에 형성된 에어 갭(700)이 관찰 되었으며, 진동 없이 소결 공정만 진행된 전도성 페이스트는 바인더(500)와 금속입자(400) 사이에 에어 갭(700)이 관찰되지 않았다. 즉, 진동을 부여한 전도성 페이스트(600)는 금속입자(400)가 바인더(500)로부터 박리되어 금속입자(400) 표면에 에어 갭(700)이 형성됨을 관찰 되었다.
구분 진동 부여 여부에 따른 저항값 테스트
소결 소결시 진동 부여
저항값 732Ω 413Ω
상기 [표 1]과 같이, 진동의 부여 여부에 따라 낮은 저항값을 가진다는 것을 알 수 있다. 즉, 진동에 따라 형성되는 에어 갭(700)이 낮은 저항값을 나타나게 함을 알 수 있다. 이러한 에어 갭(700)은 상기에서 언급한 바와 같이, 바인더(500)가 채워질 수 있는 금속입자(400)들간의 결합을 용이하게 하고, 금속입자(400)들의 밀집도를 높여주어 전기적 특성을 향상시킬 수 있다는 것을 확인 하였다.
본 발명자는 진동의 종류를 달리하여 충진을 진행한 결과 일반 바이브레이터 진동보다 초음파 진동이 더욱 우수한 전기적 특성을 나타냄을 알 수 있었다. 하기 [표 2]는 음각패턴(300)의 폭이 3㎛인 전도성 플레이트(100)를 일반 바이브레이터 진동과 초음파 진동을 부여하여 저항값을 측정한 결과 값이다. 바이브레이터는 상기 [표 1]의 테스트와 마찬가지로 충진 스테이지를 진동시켰으며, 초음파는 스테이지 하부에서 5Cm 이격시켜 진동 시켰다. 진동 부여 방식만을 달리 하였을 뿐, 다른 테스트 조건은 동일하게 하여 진행하였다.
구분 진동 방식을 달리한 저항값 테스트
바이브레이터 초음파
저항값 413Ω 233Ω
상기 [표 2]와 같이, 일반 바이브레이터의 진동 부여시보다 초음파 진동 부여시 더욱 낮은 저항값을 가짐을 확인 하였다. 이로써, 일반 바이브레이터의 진동보다 초음파 진동이 금속입자의 밀집성을 더욱 높임을 알 수 있다. 또한, 테스트한 전도성 플레이트의 SEM 사진을 관할한 결과, 일반 바이브레이터에 의한 진동에서보다 초음파 진동에서 에어 갭(700)의 부피가 높고, 금속입자(400)들이 바인더(500)로부터 박리된 형상이 더욱 명확하게 들어나 있음을 알 수 있었다.
에어 갭(700)은 금속입자(400)를 둘러 싸고 있는 바인더(500)의 밀도와 어느정도 상관 관계를 가짐을 알 수 있었다. 즉, 바인더(500)의 밀도가 높은 경우에는 에어 갭(700)의 부피는 감소하는 것을 알 수 있었다. 이러한 상관 관계는 금속입자(400)를 둘러싸고 있던 바인더(500)가 초음파 진동에 의해 금속입자에서 박리 현상이 발생하고, 박리되는 부분에 에어 갭(700)이 형성되는데, 박리된 바인더(500)는 충진되는 음각패턴(300) 하부로 흘러 들어가게 되어 밀도가 높은 바인더(500) 영역이 형성되어 밀도가 높은 바인더(500) 영역에서는 에어 갭(700)의 부피가 적게 형성된다.
밀도가 높은 바인더(500)의 높이는 소결 정도 및 초음파 진동의 정도에 따라 조절 가능하다. 이러한 고밀도의 바인더(500) 영역은 음각패턴(300)에 충진된 전도성 페이스트(600)의 단면 SEM 사진 확인시 밀도가 낮은 바인더(500) 영역과 육안으로 확인이 가능하다. 고밀도 바인더(500) 영역은 음각패턴(300)의 하부에서 밀도가 낮은 음각패턴(300) 상부의 바인더 영역과 평평한 층으로 구분되게 형성되는 것이 바람직하다. 다만 평평한 고밀도 바인더(500) 영역에서 일정 부분 영역이 돌출 되거나 함몰 될 수 있다. 이러한 돌출 또는 함몰되는 영역이 평평한 바인더(400) 영역 전체의 20% 이하일 경우에는 본 발명의 실시예에 큰 영향을 미치지 않음을 알 수 있었다.
상기와 같이 초음파 진동에 의해 전기적 특성을 향상시키기 위해서는 전도성 페이스트(600)가 충진되는 음각패턴(300)의 폭은 0.5 내지 5㎛이 바람직하다. 0.5㎛ 미만일 경우에는 원하는 음각패턴(300)의 형상 구현에 어려움이 있고, 5㎛를 초과할 경우에는 초음파 진동에 의한 전기적 특성 개선의 효과가 미비하다. 따라서, 본 발명의 전도성 플레이트(100)는 터치패널용 터치 센서전극으로 사용되는 것이 보다 바람직하다.
초음파 진동에 의해 형성되는 음각패턴(300)의 하부의 고밀도 바인더(500)의 높이가 전도성 플레이트(100)의 물성에 어떠한 영향을 미치는지에 대해서 하기 [표 3]에서 테스트 하였다. 고밀도 바인더(500)의 높이 비율은 음각패턴(300)의 높이가 아닌, 전도성 페이스트(600)의 높이를 기준으로 계산 되었다. 굽힘성 테스트는 전도성 플레이트(100)를 직경이 5Cm 정도의 구형이 되게 말았다 폈다를 5회 실시한 후 저항값을 측정 하였으며, 접착력은 ASTM D3359에 근거하여 크로스커팅법으로 진행하였다.
구분 고밀도 바인더 높이/ 전도성 페이스트 높이(H2)
1/20 1/10 1/5 2/5 3/5 4/5 9/10
저항값 171Ω 187Ω 203Ω 210Ω 233Ω 312Ω 330Ω
굽힘성 테스트 후 저항값 243Ω 247Ω 238Ω 222Ω 240Ω 322Ω 340Ω
접착력 79/100 83/100 86/100 96/100 97/100 98/100 98/100
상기 [표 3]을 보면, 4가지의 결과를 도출할 수 있다. 첫째, 고밀도 바인더(500)의 높이와 상관없이 초음파 진동에 의해 충진한 것이 일반 바이브레이터에 의해 충진한 것보다([표 2] 참조) 저저항값을 가짐을 알 수 있으며, 둘째, 고밀도 바인더(500)의 높이가 3/5을 초과할 때 저항값이 급격히 상승함을 알 수 있고, 셋째, 고밀도 바인더(500)의 높이가 2/5 미만일 때 굽힘성 테스트 후의 저항값과 굽힘성 테스트 전의 저항값의 편차가 급격이 커짐을 알 수 있으며, 넷째, 고밀도 바인더(500)의 높이가 2/5 미만일 때 접착력이 급격히 떨어짐을 알 수 있다.
상기 결과를 통해 고밀도 바인더(500)가 음각패턴(300)의 하부부터 전도성 페이스트(600)의 높이(H2) 2/5 내지 3/5의 영역까지 형성이 되어야 굽힘성 및 접착력이 우수한 저저항성의 전도성 플레이트(100)를 달성할 수 있음을 알 수 있다. 즉, 고밀도 바인더(500)의 높이가 2/5 내지 3/5의 영역이어야 플랙서블한 전자장치에의 적용이 우수하고, 음각패턴 내부에서 전도성 페이스트(600)의 탈리 현상에 의한 불량이 적은 우수한 전도성 플레이트(100)의 구현이 가능하다.
바인더(500)가 고밀도로 형성된다는 것은 상기에서 언급한 바와 같이 바인더(500)와 금속입자(400) 사이의 에어 갭(700)의 부피가 적다는 것을 의미하므로, 전도성 페이스트(600)의 2/5 내지 3/5 높이 하부에서 2/5 내지 3/5 높이 상부에서보다 에어 갭(700)의 부피가 적게 형성될 경우에 우수한 굽힘성 및 접착력을 가지면서 저저항성을 달성할 수 있다는 것을 의미한다.
고밀도 바인더(500)의 높이가 음각패턴(300)의 하부부터 전도성 페이스트(600)의 높이(H2) 2/5 내지 3/5의 영역까지 형성될 경우에 금속입자(400)의 수는 이에 정비례 하는 것이 아니고, 음각패턴(300) 하부에서부터 1/5 내지 2/5의 전도성 페이스트의 높이 영역까지 금속입자(400)의 갯수가 줄어듬을 SEM 사진으로 확인할 수 있었다. 즉, 금속입자(400)의 분포 밀도가 줄어듬이 확인 되었다. 이로써, 금속입자(400)들은 음각패턴(300)의 일정 영역에 에어 갭(700)을 가지면서 고밀도 분포로 형성되어 있음이 저저항성을 달성할 수 있는 조건이지, 반드시 음각패턴(300)의 하부 영역까지 고밀도로 분포되어 있을 필요는 없다는 것을 알 수 있었다.
음각패턴(300)에 충진되는 전도성 페이스트(600)의 금속입자(400)는 외부로 노출 될 수 있다. 상기 실시예와 같이 초음파 진동을 가하면서 소결할 경우 금속입자(400)에서 박리된 바인더(500)는 음각패턴(300)의 하부에 고밀도로 형성되고, 상부에서는 에어갭이 높은 부피비로 형성 된다. 이때 외부와 맞닿는 전도성 페이스트(600)의 금속입자(400)는 바인더(500)가 덮히지 않은 상태로 외부로 노출될 수 있다. 이렇게 외부로 노출되는 금속입자(400)를 가지는 전도성 페이스트(600)는 음각패턴(300)의 높이보다 낮게 형성될 수 있다.
외부로 노출된 금속입자(400) 상부에는 추가적인 물질이 적층 될 수 있다. 외부 표면 보호를 위한 코팅처리나 시인성 개선을 위한 흑화 물질 등이 적층될 수 있으며, 보다 우수한 전기적 특성 개선을 위해 금속입자(400)의 크기보다 작은 나노파티클이 적층될 수 있다.
앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다.
100 : 전도성 플레이트 200 : 지재층
300 : 음각패턴 400 : 금속입자
500 : 바인더 600 : 전도성 페이스트
700 : 에어 갭

Claims (6)

  1. 기재층;
    상기 기재층의 깊이 방향으로 구현되는 음각패턴; 및
    상기 음각패턴 내부에 충진되는 전도성 페이스트;를 포함하며,
    상기 전도성 페이스트는 바인더와 금속입자로 구성되고,
    상기 바인더와 상기 금속입자 사이에는 에어 갭이 형성되고,
    상기 에어 갭은 초음파 진동에 의해 상기 금속입자가 상기 바인더로부터 박리될 때 상기 금속입자 표면에 형성되고,
    상기 음각패턴 내부의 상기 바인더의 높이는 상기 전도성 페이스트의 소결 정도 및 상기 초음파 진동의 정도에 따라 조절되고,
    상기 음각패턴 내부의 상기 금속입자는 상기 바인더 외부로 노출되는 것을 특징으로 하는 전도성 플레이트.
  2. 청구항 1항에 있어서,
    상기 음각패턴 내부에 충진되는 상기 전도성 페이스트의 높이(H2) 2/5 내지 3/5인 영역을 기준영역으로 하고,
    상기 에어 갭은 상기 기준영역 하부에서보다 상부에서 적은 부피로 형성되는 것을 특징으로 하는 전도성 플레이트.
  3. 청구항 1항에 있어서,
    상기 음각패턴 내부에 충진되는 상기 전도성 페이스트의 높이(H2) 2/5 내지 3/5인 영역을 기준영역으로 하고,
    상기 바인더는 상기 기준영역 하부에서보다 상부에서 높은 밀도로 형성되는 것을 특징으로 하는 전도성 플레이트.
  4. 청구항 1항에 있어서,
    상기 음각패턴 내부에 충진되는 상기 전도성 페이스트의 높이(H2)의 1/5 내지 2/5인 영역을 기준영역으로 하고,
    상기 금속입자의 분포 밀도가 상기 기준영역 하부에서보다 상부에서 낮은 분포 밀도로 형성되는 것을 특징으로 하는 전도성 플레이트.
  5. 삭제
  6. 청구항 1항에 있어서,
    상기 음각패턴에 충진되는 상기 전도성 페이스트의 높이는 상기 음각패턴의 높이보다 낮게 형성되는 것을 특징으로 하는 전도성 플레이트.
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