TW200845433A - Quantum dot light emitting device - Google Patents

Description

200845433 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於無機發光二極體裝置，其包括具有量子點 之發光層。 【先前技術】 自20世紀60年代早期開始已製得半導體發光二極體 、 (LED)裝置，且其在當前經製造以用於廣泛範圍之消費者 及商業應用。構成LED之層係基於結晶半導體材料，該等 ® 結晶半導體材料需要諸如分子有機化學氣相澱積之超高真 空技術用於其生長。另外，該等層通常需要在接近晶格匹 配之基板上生長以形成無缺陷之層。該等基於結晶之無機 LED具有高亮度（歸因於具有高導電性之層）、長壽命、良 好環境穩定性及良好外部量子效率之優點。產生所有該等 優點之結晶半導體層之使用亦導致許多缺點。主要缺點為 高製造成本，難於組合來自同一晶片之多色輸出、需要高 0 成本及剛性之基板。 在20世紀80年代中期，發明了基於使用小分子量分子之 有機發光二極體（〇LED)(Tang等人，Appl· Phys. Lett· 51， ^ 913 (1987))。在20世紀90年代早期，發明了聚合 v LED(Burroughes 等人，Nature 347，539 (1990)) 〇 在隨後之 15年中，基於有機物之LED顯示器已進入市場，且在裝置 壽命、效率及亮度上有重大改良。舉例而言，含有磷光發 射體之裝置具有高達19%之外部量子效率；而，通常報導 裝置壽命為數萬個小時。與基於結晶之無機LED相比， 128593.doc 200845433 OLED具有遠較低之亮度（主要由於載流子遷移率小）、較 短壽命且需要昂貴封裝以用於裝置操作。另一方面， 0LED享有之益處為可能較低之製造成本、自同一裝置發 射多色之能力及允許可撓性顯示器（若可解決封裝問題）。 為改良OLED之效能，在20世紀90年代晚期，引入含有 具有有機物及量子點之混合發射體之OLED裝置（Matoussi 等人，J· Appl· Phys· 83, 7965 (1998))。將量子點添加至發 射體層中之優點為可增強裝置之色域；可藉由簡單改變量 子點粒徑而獲得紅色、綠色及藍色發射；及可降低製造成 本。由於諸如量子點在發射體層中之聚集之問題，該等裝 置之效率與典型OLED裝置比較相當低。當純量子點膜用 作發射體層時，效率甚至更差（Hikmet等人，J· Appl· Phys. 93，3 5 09 (2003))。不良效率係歸於量子點層之絕緣性質。 之後，在有機電洞傳輸層與電子傳輸層之間沈積單層量子 點膜後增強了效率（達到約1 ·5 cd/A)(Coe等人，Nature 420, 800 (2002))。據說，自量子點之發光主要由於自有機分子 上之激子之福斯特能量傳遞（Forster energy transfer)而發 生（電子-電洞重組在有機分子上發生）。不管未來在效率方 面會有何種改良，該等雜化裝置仍遭受與純OLED裝置相 關之所有缺點。 近期，藉由在真空沈積之n-GaN層與p-GaN層之間夾合 單層厚核/殼CdSe/ZnS量子點層，建構了主要為全無機之 LED(Mueller等人，Nano Letters 5，1039 (2005))。所得裝 置'具有0.001至0·01 %之不良外部量子效率。彼問題之一部 128593.doc 200845433 刀可與據報導在生長後出現之三辛基膦氧化物（T〇pQ)及三 辛基膦（TOP)之有機配位體相關。該等有機配位體為絕緣 體且將導致至量子點上之不良電子及電洞注入。另外，結 構之其餘部分製造成本高，其係由於使用藉由高真空技術 生長之電子及電洞半導電層，及使用藍寶石基板。 因此’建構基於量子點發射體之全無機LED將為高度有 里的 4王無機led係藉由低成本沈積技術形成且其個別 層展示良好導電性效能。所得LED將組合結晶LED與有機 LED之許多所要屬性。 【發明内容】 本發明之一目標為，提供無機發光二極體裝置，其發射 體層係由無機量子點形成，其中該無機發射體層同時具導 電性及發光性。另外，該二極體裝置係經由低成本沈積製 程形成。 該目標係藉由無機發光裝置達成，該無機發光裝置包 含：透明基板；第一電極；與該第一電極對置之第二電 極；在無機半導體矩陣内包含核/殼量子點之多晶無機發 光層，且其中該第一電極為透明的且係形成於透明基板 上’該多晶無機發光層係形成於第一電極上，且該第二電 極係形成於發光層上。 本發明之優點為，多晶無機發光層適用於自固態照明設 備及燈至全彩高解析度顯示器之許多發光裝置應用。有^ 地，該多晶無機發光層含有作為發射物質之量子點，且同 %具發光性及導電性。發光層包括導電寬帶隙奈米粒子及 128593.doc 200845433 有殼量子點發射體之複合物。熱退火係用以將導電奈米粒 子彼此燒結在一起且燒結至量子點之表面上，形成多晶 層。因此，發光層之導電性增強，至量子點中之電子·電 洞注入亦增強。為使量子點能經受住退火步驟而不損失其 、 螢光效率（因為使量子點鈍化之有機配位體在退火製程中 、 条發），將量子點殼工程化以限制電子及電洞，以使其波 函數不對外殼之表面態取樣。 Φ 另一優點為，使電荷輸送層包含導電奈米粒子；另外， 使用分離熱退火步驟增強該等層之導電性。所有奈米粒子 及里子點係經化學合成且製成膠狀分散液。因此，所有裝 置層係藉由諸如滴落式澆鑄或噴墨之低成本製程沈積。所 得全無機發光二極體裝置成本低，可在一系列基板上形 成，且可經調諧以在廣泛範圍2UV、可見及紅外波長範 圍内發射。 【實施方式】 • 使用量子點作為發光二極體中之發射體賦予以下優點： 發射波長可簡單藉由改變量子點粒子之尺寸而調諧。因 _ 而，窄譜（產生較大色域）、多色發射可自同一基板發生。 若量子點係藉由膠體方法製備[且並非藉由高真空沈積技 術生長（S. Nakamura等人，Electron. Lett, 34, 2435 (1998))]， 則基板不再需要為昂貴的或與LED半導體系統晶格匹配。 舉例而言’基板可為玻璃 '塑谬、金屬箔或Sie使用該等 技術形成量子點LED為高度理想的，若使用低成本沈積技 術沈積LED層，則尤其如此。 128593.doc 200845433 殼量子點120發射體之圖解展示於圖丨中。粒子含有 :二、半導體殼110及有機配位體115。因為典型量 子點之尺寸大約為幾奈u里 ”具固有激子之尺寸相當，所 以粒子之吸收峰及發射峰 唆 勺相對於整體值藍移（R· Rossetti 荨人 ’ J· Chem. Phys 7Q ιηο/： y · 79’ 1086 (1983))。由於量子點之尺 寸小’點之表面電子態對點 ^耵”』之螢先ϊ子產率具有較大影 響。發光核1 00之電子妾而能 — 1 心可糟由將適當（例如一級胺）有 機配位體115連接至其表面或藉由圍繞發光核1嶋晶式生 長另一半導體（半導體殼】聯鈍化。生長半導體殼灣目 對於有機鈍化核）之優點為，電洞及電子核粒子表面態可 同時鈍化，所得量子產率通常較高’且量子點更具光穩定 性及化學穩固性。由於半導體殼11()之厚度有限（通常U個 單層）’其電子表面態亦需要鈍化。又，有機配位體115為 常用選擇。以CdSe/ZnS核/殼量子點12〇為例，在核/殼介面 處之價數及導帶偏移使得所得電位起限制電洞及電子於核 區域之作用。因為電子通常比重電洞輕，所以電洞主要受 限於核，而電子滲入殼中且對其與金屬原子相關之電子表 面悲取樣（R· Xie 等人，J. Am· Chem. Soc· 127, 7480 (2005)) 〇 因此’對於CdSe/ZnS核/殼量子點120之狀況而言，僅殼 之電子表面態需要鈍化；適合有機配位體12〇之實例將為 一種一級胺，其與表面Zn原子形成供體/受體鍵結（X. Peng 等人，J. Am· Chem· Soc. 119，7019 (1997))。總之，典型 高發光性量子點具有核/殼結構（環繞較低帶隙之較高帶隙） 且具有連接於殼表面之非導電性有機配位體12 0。 128593.doc 200845433 在過去十年中，許多工人已製造出具有高發光性核/殼 量子點之膠狀分散液（〇· Masala及R· Seshadri，Arum. Rev. Matei>. Res. 34, 41 (2004))。發光核 100包含 IV型叫）、111-▽型（11^8)或n-VI型（CdTe)半導電材料。對於在光譜之可 見光部分中發射而言，cdSe為較佳核材料，因為藉由改變 CdSe核之直徑（丨9至6 7 nm)，發射波長可自465調諧至64〇 nm。如此項技術中所熟知，發可見光之量子點可自諸如摻 雜ZnS之其他材料系統製造（A· A· Bol等人，Phys· Stat. Sol· B224’ 291 (2001))。發光核100係藉由此項技術中熟知 之化學方法製得。典型合成路線為分子前驅物在高溫下於 配位溶劑中之分解，溶熱法（〇· Masaia及r· Seshadri，

Annu. Rev· Mater. Res· 34，41 (2004))及受抑沈澱（R, R〇SSettl等人，J· Chem· Phys· 80, 4464 (1984))。半導體殼 lio通常包含ii_vi型半導電材料，諸如€(18或2：11以。殼半 導體通常經選擇以與核材料接近晶格匹配且具有一定價數 及導帶水平以使核電洞及電子主要受限於量子點之核區 域。CdSe核之較佳殼材料為以^义^，其中X在〇〇至約〇5 範圍内。環繞發光核1〇〇之半導體殼11〇的形成通常係經由 分子前驅物在高溫下於配位溶劑中分解（M· a· Hines等 人 ’ J· Phys· Chem. 1〇〇, 468 (1996))或反向微胞技術（A. R. Kortan 等人，j. Am chem, S〇c· 112，1327 (1990))來完 成。 如此項技術中所熟知，兩種用於形成量子點膜之低成本 方式為藉由滴落式澆鑄及旋轉澆鑄沈積核/殼量子點12〇之 128593.doc -10- 200845433 膠狀分散液。用於滴落式澆鑄量子點之常用溶劑為己烷： 辛烧之9:1混合物（C· B. Murray等人，八咖^

Sci· 30, 545 (2000))。有機配位體115需要經選擇以使量子 點粒子可溶於己烧。因而，具有基於煙之尾部之有機配位 體為良好選擇，諸如烷基胺。使用此項技術中熟知之程 序’來自生長程序之配位體（例如了_)可換成所選之有機 配位體 115(C. B. Murray等人，Annu· Rev ―如 ％ %

545 (2000))。當旋轉澆鑄量子點之膠狀分散液時，要求溶 劑易展布於沈積表面上且溶劑在旋轉製程中以適度速率蒸 發。已發現基於醇之溶劑為良好選擇；例如，將諸如乙醇 之低沸㈣與諸# 丁醇-己醇混合物 < 争交高沸·點醇組合使 得膜形成良好。相應地，配位體交換可用以連接尾部可溶 於極性溶劑中之有機配位體（至量子點）；ntbn定為適合配位 體之實例。自該兩種沈積方法產生之量子點膜具發光性， ^非導電性。膜具電阻性，因為非導電有機配位體分離核/ 殼量子點120粒子。膜亦具電阻性，因為當可移動電荷沿 量子點傳播時，可移動電荷由於半導體殼11〇之限制電位 障壁而截留於核區域中。 無機LED之適當操作通常需要低電阻n型及p型傳輸層， 其環繞導電（標稱摻雜）及發光發射體層。如上文所討論， 典型量子點膜具發光性，但為絕緣的。圖2示意性說明^提 供同日守具發光性及導電性之無機發光層15〇之方式。該概 念係基於連同核/殼量子點12〇共同沈積小（< 2 nm)、導電 性無機奈米粒子丨4〇以形成無機發光層丨。隨後之惰性氣 128593.doc 11 200845433 體（ΑΓ或N2)退火步料用以將較小無機奈米粒子140彼此 燒結在一起且燒結至較大核/殼量子點12〇之表面上。燒結 …機示米粒子140引起連續、導電性半導體矩陣之產 生。經由燒結製程，該矩陣亦連接於核/殼量子點12〇且形 成多晶無機發光層。因❿，導電路徑係自無機發光層15〇 之邊緣產±，穿過半導體矩陣13()且到達各核/殼量子點 120，其中電子及電洞在發光核1〇〇中重組。亦應注意，將 核/殼量子點120封裝於導電半導體矩陣13〇中具有附加益 處，即其在裱境上保護量子點免受氧及濕氣之影響。 無機奈米粒子140需要包含導電半導電材料，諸如…型 (Si)、III-V型（〇")或11々1型（2118或211以）半導體。為易將 電荷庄入核/殼1子點120中，較佳無機奈米粒子係包 含此π隙與半導體殼i丨〇材料之能帶隙相當的半導體材 料，更特定而言，能帶隙在殼材料之能帶隙之〇 2 内。 對於ZnS為核/殼量子點12〇之外殼之狀況而言，則無機奈 米粒子140包含ZnS或具有低Se含量之znsse。無機奈米粒 子140係藉由此項技術中熟知之化學方法製得。典型合成 路線為分子前驅物在高溫下於配位溶劑t分解，溶熱法 (0. Masala及 R. Seshadri，Annu· Rev· Mater Res 34, 41 (2004))及受抑沈澱（R· Rossetti等人，j Chem phys 8〇 4464 (1984))。如此項技術中所熟知，奈米尺寸之奈米粒 子在相對於其整體對應物遠較低之溫度下熔融（Α· N Goldstein等人，Science 256, 1425 (1992))。相應地，需要 無機奈米粒子140具有小於2 nm之直徑以增強燒結製程， 128593.doc •12- 200845433 車又仫尺寸為M.5 nm。關於具有ZnS殼之較大核/殼量子點 12〇，已報導2.8 nm ZnS粒子對高達35(rc之退火溫度而言 係相對穩定的（S. B. Qadri等人，phys Rev Β6〇, Μ” (1999))。組合該兩個結果，退火製程具有在與之 • Μ的較佳温度且至多6G分鐘之持續時間，其將較小無機奈 ‘ 米粒子14G彼此燒結在—起且燒結至較大核/殼量子點12〇 之表面上，而較大核/殼量子點12〇在形狀及尺寸上保持相 對穩定。 曰為形成無機發光層15〇，形成無機奈米粒子及核/殼 *子站120之共同分散液。因為希望核/殼量子點為無 機&光層15G中之無機奈米粒子14()環繞，所以選擇益 米粒子⑽與核/殼量子點120之比率^1:14^” 2二1或3:1。視諸如旋轉洗鑄或滴落式洗鑄之沈積製程而 定’作出有機配位體115之適當選擇。通常，㈣有機配 位體115係用於兩種類型之粒子。為增強無機發光層150之 • I電性（及電子·電洞注入製程），較佳係連接於核/殼量子 點12〇及無機奈米粒子丨做有機配位體丨 .一隋性氛圍中退火而蒸發1由選擇具有 有機配位體115,可使其在退火製程中自膜蒸發(c· B· Murray# Λ > Annu. Rev. Mate, Sci. 3〇, 545 (2000)) 〇 0 此，對於藉由滴落式洗鑄形成之膜而言，較佳係諸如己胺 之較短鏈一級胺；對於藉由旋轉濟鑄形成之膜而言"比咬 為較佳配位體。薄膜在高溫下退火可由於膜與基板之間的 熱膨服錯配而使膜裂開。為避免該問題，較佳係退火溫度 128593.doc 13 200845433 自25°C斜線上升至退火溫度且自退火溫度下降回室溫。較 佳斜線上升時間為大約30分鐘。所得無機發光層150之厚 度應在10與100 nm之間。 退火步驟後，核/殼量子點120將缺乏有機配位體115之 外殼。對於CdSe/ZnS量子點之狀況而言，不具有外部配位 體殼將由於為殼之未鈍化表面態截留而造成自由電子之損 失（R· Xie，J. Am. Chem. Soc· 127, 7480 (2005))。因此，退 火核/殼量子點120將展示與未退火點比較降低之量子產 率。為避免該情況，ZnS殼厚度需要增加至一定程度以使 得核/殼量子點電子波函數不再對殼之表面態取樣。使用 此項技術中熟知之計算技術（S· A· Ivanov等人，J. PhyS. Chem. 108，10625 (2004))，ZnS殼之厚度需要為至少5個單 層（ML)厚度以取消電子表面態之影響。然而，至多2 ML 厚度之ZnS殼可直接在CdSe上生長，而不會由於兩種半導 體晶格之間的晶格錯配而產生缺陷（D. V· Talapin等人，J. Phys· Chem· 108，18826 (2004))。為避免晶格缺陷，ZnSe 中間殼可在CdSe核與ZnS外殼之間生長。Talapin等人（D. V· Talapin等人，J· Phys· Chem· B108，18826 (2004))採用 該方法，其中其能夠在CdSe核上生長出高達8 ML厚度之 ZnS殼，最佳ZnSe殼厚度為1.5 ML。亦可採用更複雜之方 法以使晶格錯配差異減至最小，例如，在許多單層之間距 範圍内，使中間殼之半導體含量自CdSe至ZnS平穩變化（R· Xie等人，J· Am. Chem. Soc· 127, 7480 (2005))。總之，將 外殼之厚度製成足夠厚度以使自由載流子不對電子表面態 128593.doc -14- 200845433 取樣。另外，必要時，將具有適當半導體含量之中間殼添 加至量子點，以避免與厚半導體殼110相關之缺陷之產 生。 圖3提供電致發光LED裝置200之最簡單實例，其併有無 機發光層150。基板160支撐所沈積之半導體及金屬層；其 ‘ 唯一要求為其具足夠剛性以使沈積製程能夠進行且其可經 受住熱退火製程（最高溫度為約285。(：）。其可為透明或不透 _ 明的。可能基板材料為玻璃、矽、金屬箔及一些塑膠。下 一沈積材料為陽極170。對於基板16〇為{)型以之狀況而 吕，陽極170需要沈積於基板16〇之底部表面上。用於 之適合陽極金屬為A1。其可藉由熱蒸發或濺鍍來沈積。其 沈積後，將其在約430°C下退火20分鐘。對於上文指定之 所有其他基板類型而言，陽極17〇係沈積於基板16〇之頂部 表面上（如圖3中所示）且包括諸如氧化銦錫（IT〇)之透明導 體。ΙΤΟ可藉由濺鍍或此項技術中之其他熟知程序沈積。 • ΙΤ〇通常在約3〇〇°C下退火1小時以改良其透明度。因為諸 如叮0之透明導體之薄片電阻比金屬之薄片電阻大得多， • 所以匯流排金屬190可使用熱蒸發或濺鍍，經由蔽蔭遮罩 選擇性沈積，以降低自接觸焊墊至實際裝置之電壓降。接 ^ I沈積無機發光層150。如上文所討論，其可滴落式或旋 轉澆鑄至透明導體（或Si基板）上。諸如噴墨膠體量子點-無 機奈米粒子混合物之其他沈積技術亦為可行的。沈積後， 將無機發光層150在250-300°C之較佳溫度下退火15_45分 鐘。彔後，將陰極180金屬沈積於無機發光層15〇上。候選 128593.doc -15- 200845433 陰極180金屬為與包括無機奈米粒子14〇之材料形成歐姆接 觸（ohmic contact)之金屬。舉例而言，對於ZnS無機奈米粒 子140之狀況而言，較佳金屬為八卜其可藉由熱蒸發或濺 鍍來沈積，接著在285°C下熱退火1〇分鐘。熟習此項技術 者亦可推斷，層組成可反轉以使陰極18〇沈積於基板16〇上 且陽極形成於無機發光層150上。對於以支撐物之狀況而 言，基板160為η型Si。

另外，基板160可為剛性或可撓性的且可加工為諸如薄 片或晶圓之分離個別塊或加工為連續滾筒。典型基板材料 包括玻璃、塑勝、金屬、陶究、半導體、金屬氧化物、半 導體氧化物、半導體氮化物或其組合。基板16〇可為均勻 混合材料、複合材料或多層材料。基板16〇可具光透射性 或為不透明的，其視所欲發光方向而定。 光透射性基板對於經由基板觀察發光而言為所需的；該 等裝置亦通常稱為底部發射裝置。透明玻璃或塑膠通常用 於該等狀況。使用圖3作為參考，底部發射無機發光裝置 可形成於透明基板⑽上。第-電極（陽極或陰極）沈積於基 板上且為透明的。多晶無機發光層隨後形成於透明第一電 。上且具反射性之第二電極（陰極或陽極）形成於發光層 ^㈣頂部電極觀察發光之應用而言，底部支撐物之 徵並不重要’且因此可具光透射性、光吸收性或光 =性其該等發光裝置”稱為頂部發射裝置。適用於該 狀況之基板包括(但不限於)玻璃、塑膠、帛導體材料、陶 128593.doc -16 - 200845433 瓷及電路板材料。再次使用圖3作為參考，頂部發射裝置 可使用任何基板160形成。反射性第一電極隨後沈積於基 板上，無機發光層形成於第一電極上，且透明第二電極彤 成於無機發光層上。另外’藉由使用透明基板且形成由透 明材料製成之兩種電極，可能自顯示器之兩侧均有可觀察 之發射。 *

頂部發射裝置及底部發射裝置均可為被動矩陣或主動矩 陣衣置，且因而可視為電子顯示器。術語“電子顯示器" 係指電子實體控制顯示器之不同區域之強度的顯示器。為 使裝置具有獨立可控、分離發光區域，必須圖案化至少一 個電極。該等圖案化電極可由薄膜電子組件或由形成於基 板外部之驅動電路來控制。圖6說明被動矩陣顯示器中之 離板驅動ϋ及-系列水平及垂直電極之實例。或者，基板 16〇可為具有低溫多晶矽或非晶形矽薄膜電晶體（TFT)之主 動矩陣基板。基板16G上之電子組件並不限於電晶體。基 板160可含有其他主動電子組件，諸如包含結晶、多晶或 非晶形半導體材料之薄膜電子組件。該等薄膜電子組件包 括（仁不限於）.TFT、電容器、二極體、開關及電阻器。 被動矩陣裝置之-實例說明於圖6中。根據本發明之無 機發光顯示裝置包括基板⑽。形成於基板⑽之―側上之 列電極12及行電極14界定被動矩陣像素it件13之列18及行 19，其中列及行電極重疊。列電極似行電極呢供資料 及選擇信號給被動矩陣像素元件13之陣列16。列電極似 行電極14分別連接於1接點44及仏離散資料驅動器22及 128593.doc -17- 200845433 選擇驅動器2 3圍繞陣列16之周邊定位且電性連接於電接點 44及45。離散資料22及選擇驅動器23為形成於分離、離散 基板（諸如矽）上之習知積體電路。其可如所示與基板16〇分 離’或與列電極12及行電極14連接至基板16〇之相同側 上。離散資料驅動器22及選擇驅動器23使用被動矩陣控制 機制驅動像素元件13且回應於顯示控制器3〇經由位址、資 料及控制線24所提供之位址及資料控制信號。資料值可使 用習知記憶書寫技術，使角位址資料及控制線寫入資料驅 動器22中。 4ΐυ可包括無機電 列18激勵時，在行 再次參考圖6，被動矩陣像素元件13含有主動層，其回 應於電信號而發光。因而，無機電致發光介質41〇(未圖示） 置放於電極12與14之間；無機電致發光介質41〇包括多晶 無機發光層。另外，無機電致發光介質41〇可包括無 荷輸送層。當發光元件經由一行丨9及一 及列交叉處之元件受激勵且發光。光可經由基板或自頂部 觀察，其視用以建構被動矩陣裝置之材料而定。 底部發射之主動矩陣裝置具有許多可能之像素設計。一 種^非晶㈣TFT之像素之設計的物理布局視圖係展

層之間以使其電性隔離。 「中。絕緣體係形成於該兩個導體 。該組態允許資料線及電源線交 128593.doc -18- 200845433 而不电性連接，進而形成像辛 乂诼言矩陣。形成於不同導體声中 之特徵之間的電連接孫基Α # θ 接係猎由形成牙過安置於導體層間之 緣體層之接觸電洞，亦猶Λ捐洁康、去上 一 j%為通道來達成。術語電連接於本 揭不案中係用以指示传雷執 、 丁使電^夠流動之連接。其可為兩個 導電兀件之直接物理連接。電連 一 狹电連接可具有電阻。電連接亦 可經由諸如電晶體或—搞轉 甘 、 包日日® A 一極體之其他電路組件間接提供。 選擇線313之一部分延長以形成選擇電晶體320之閘極。 在該第一導體層上為第—絕緣體層(未圖示)，其亦稱為閉 極絕緣體層。選擇電晶體3⑽使用此項技術中孰知之技 術自第一半導體區域321形成。可為源極末端或没極末端 之第一々末端係由資料線312之一部分所形成。選擇電晶體 320之第二末端.末端326延長以形成儲存電容器咖之第二 電容器電極’且亦經由接觸電洞342電性連接於功率電晶 體·之功率電晶體閘電極343。諸如選擇電晶體32〇之電 晶體展示為底部閘極型電晶體，然而，諸如頂部閘極電晶 體及雙閘極電晶體之其他類型亦為此項技術已知的且可加 以使用。相似地’功率電晶體34〇係形成於第二半導體區 域341中。第—半導體區域321及第二半導體區域μ通常 形成於閘極絕緣體層上之同—半導體層中。半導體層包含 多個子層’諸如固有或未摻雜子層及摻雜子層。^該半 導體層為非晶石夕’但亦可為不同於石夕之多晶或結晶或已知 半導體材料，諸如有機半導體及金屬氧化物半導體。功率 電曰a體340之功率電晶體閘電極343形成於第一導體層中。 如所不，功率電晶體34〇之第一末端係由電源線Η〗之一部 128593.doc •19- 200845433 分所形成。功率電晶艚340夕當 i 日體340之弟二末端346係形成於第二導 體層中。儲存電容器330係形成於第-導體層中所形成之 第-電容器電極333與如上所述形成為末端似之一部分之 第二電容器電極之間。閘極筚续 1位、、、巴緣體層（未圖示）係沈積於第 -電容器電極與第二電容器電極之間。第一電容器電極 333係經由接觸電洞332電性連接於電源線3ιι。替代組態 在此頁技射為已知的，其中儲存電容器不直接連接於電

原線i_ g代地提供__分離電容器線，其可維持在相對於 電源線之不同電壓位準或相同電壓位準下。 無㈣光裝置之下電極381係自形成於第一及第二導體 層上之弟二導體層所形成。第二絕緣體層（未圖示）係位於 下電極381與第二導體層之間。無機發光裝置之下電極381 係經由形成於該第二絕緣體層中之接觸電洞345連接於功 率電晶體340。 一 I電極381係用以提供與無機發光二極體之無機電致發 光介質(未圖示)之電接點。在下電極381之周邊邊緣上，： 可形成像素間絕緣體層（未圖示）以覆蓋電極之邊緣且減少 、技術中已知之短路缺陷。該等像素間絕緣體層之實 例可見於美國專利6,246，179中。 、 、囷7之裝置沿線χ_χ’之橫載面圖解展示於圖8中。在該橫 截面圖中’可見絕緣基板16G之位置以及第-絕緣體層 4〇1(亦稱為閘極絕緣體層）及第二絕緣體層402之位置。該 等、邑緣體層展不為單層，但可實際上包括不同絕緣材料之 右干子層。展示非晶矽功率電晶體34〇之構造。展示第二 128593.doc -20- 200845433 半導體區域341，其具有固有子層341 a及掺雜子層341b。 展示於下電極381之邊緣上的像素間絕緣體4〇3之置放。 在下電極381上，形成無機電致發光介質41〇。無機電致發 光介質410包括在陽極與陰極之間的所有層。在圖8中，無 機電致發光介質410展示為單層，但其通常包含複數個子 層，諸如多晶無機發光層及一或多個無機電荷輸送層。在 無機電致發光介質410上方，形成上電極42〇。上電極42〇 通常常見於該等主動矩陣配置中且用以提供與第二電壓位 準之電連接。下電極381及上電極420用作隔開電極，其提 供電流給安置於電極之間的無機電致發光介質41〇。當電 性刺激時，在下電極381上方，在由像素間絕緣體4〇3之開 口界定之區域中的無機電致發光介質41〇將發出光45〇。光 450展示為離開裝置之底部（穿過基板16〇)。該組態稱為底 #發射組悲。其需要下電極381至少為部分透明的。因 而下琶極μ 1通常由諸如氧化錮鍚（ITO)、氧化錮辞（ιζο) 之材料或諸如鋁或銀之金屬之薄（小於25 nm)層或其組合 來建構。上電極在該組態中通常具反射性，其至少部分地 由諸如鋁、鋁合金、銀或銀合金之反射性金屬建構。相反 組恶在此項技術中為已知的，其中光經由上電極離開，方 向與基板相反。該相反組態稱為頂部發射體組態。在該組 恶中，上電極及下電極之光透射及反射性質分別與頂部發 射體組恶之彼等性質相反。圖9中之橫截面圖說明與本發 明一致之頂部發射體組態。圖9可在圖8之描述之上下文中 加以理解。儘管未圖示，但熟習此項技術者應瞭解，對於 128593.doc -21 - 200845433 非晶石夕及低溫聚石夕電晶體而言，額外像素布局配置可適用 於當前發明。 本發明之無機發光層可用以形成單色、多色或全彩顯示 器。術語”多彩”描述能夠在不同區域中發射具有不同色調 之光之顯示面板。詳言之’其用以描述能夠顯示具有不同 顏色之影像之顯示面板。該等區域未必為鄰接的。術 語”全彩”通常用以描述能夠至少在可見光譜之紅色、綠色 及藍色區域令發射且顯示呈任何色調組合之影像的多色顯 不面板。可由給定顯示器產生之全套顏色通常稱為顯示器 之色域。紅色、綠色及藍色構成3種原色，由此可藉由適 當混合產生所有其他顏色。然而，使用額外顏色以擴展裝 置之色域或在裝置之色域内使用額外顏色為可能的。另 外，對在可見光範圍外發射之顯示器具有實際應用。因 此，各發光元件或裝置之核/殼量子點可經選擇以具有適 合應用之發射波長。該等波長在特徵上可為紫外、藍色、 月色、、亲色、頁色、洋紅色、紅色或紅外或其任何組合。 術語，，像素”以其技術公認之用法來加以使用以表示顯示 面板之區域，該區域可經刺激以獨立於其他區域而發光。 術發光元件”出於該討論之目的而言與像素同義。亦應 注思，不應自術語：像素或發光元件推定物理尺寸要求。 w由單大叙光元件，數百萬個小發光元件或其間的 任何κ ^組怨組成。公認在全彩系統中，具有不同顏色之 若干像素將-起使用以產生廣泛範圍之顏色，且觀察者可 將該群組稱為星_推 冉為早像素。出於本揭示案之目的而言，該群 128593.doc -22- 200845433 組將視為若干不同發光元件或像素。

本發明之無機發光裝置可具有寬帶發射，且將視 =體。寬帶發射為可見光譜之多個部分(例如藍色及綠 色）中具有重要組分之光。寬帶發射亦可包括在光譜之红 色、綠色及藍色部分中發射以產生白光之光。白光為使用 者感知為具有白色之光，或具有足以與彩色濾光器組合使 用以產生實際全彩顯示之發射光譜之光。如本文中所使用 :術語”發白光"係指内部產生白光之裝置，即使在觀察之 丽該光之部分可由彩色濾、光器移除。因此，本發明之發白 光無機發光裝置可用於照明應用，例如用作燈。在顯示應 用中，該發白光無機發光裝置可用作調節光以形成影像之 光間控裝置之顯示背光源。此應用之—實際實例將為液晶 顯示器（LCD)中之顯示背光源。 圖4提供電致發光LED裝置2〇5之另一實施例，其併有無 機發光層150。該圖展示，p型傳輸層22〇&ns傳輸層 係添加至該裝置中，且環繞無機發光層15〇。如此項θ技術 中所熟知，LED結構通常含有n型及p型摻雜之傳輸層。其 用於一些不同目的。若半導體經摻雜，則形成與半導體之 歐姆接觸較簡單。因為發射體層通常固有或輕微摻雜，所 以對於形成與摻雜傳輸層之歐姆接觸而言較簡單。由於表 面電漿效應（κ· B. Kahen，Appl· Phys· Lett. 78, 1649 (2001))， 使金屬層鄰近於發射體層導致發射體效率損失。因此，由 足夠厚（至少150 nm)之傳輸層將發射體層與金屬接觸點間 隔為有利的。最終，不僅傳輸層將電子及電洞注入發射體 128593.doc -23- 200845433 層中，而且藉由適當選擇材料，其可防止载流子渗漏回發 射體層之外。舉例而言，若無機奈米粒子"ο包含 城.如.5且傳輸層包含ZnS，則電子及電洞將由Μ電位 障壁限制於發射體層。用於？型傳輸層之適合材料包括仏 vi及m-v半導體。典型„_辯導體為ζ·、加或㈣。 僅ZnTe為天然pS|，而㈣及如為㈣。為得到足夠高之 P型導電性，應將額外p型摻雜劑添加至所有3種材料中。 對，II-VI p型傳輸層之狀況而言，可能之候選摻雜劑為鐘 及氮。舉例而言’已在文獻中展示，⑽可在約Μ。。。下 擴散至ZnSe中以產生卩型仏“，電阻率低達〇 4歐姆-公分 (s· W· Lim，Appl· Phys. Lett· 65, 2437 (1994))。 用於n型傳輸層之適合材料包括⑴…及出^半導體。典 型π-νι半導體為ZnSe*ZnS。如同對於口型傳輸層而言， 為得到足夠高η型導電性，應將額外n型摻雜劑添加至半導 體中。對於II-VI n型傳輸層之狀況而言，可能之候選播雜 劑為Al、In或（^之⑴型摻雜劑。如此項技術中所熟知，該 等摻雜劑可藉由離子植人（接著退火）或藉由擴散方法添加 至層中（P· J· George等人，Appl· phys Lett 66, 3624 [1995])。更佳路線為在奈米粒子之化學合成期間原位添加 摻雜劑。以在十六烷基胺（hda)/topo配位溶劑中形成之 ZnSe 粒子（Μ· A Hines等人，j phys Chem m〇2, 3655 [1998])為例，Zn源為於己烷中之二乙基辞且為溶於 TOP中之Se粉末（形成T〇pSe)。若ZnSe欲用A1摻雜，則將 相應百分比（相對於二乙基鋅濃度之幾個百分比）之於己烷 128593.doc -24 - 200845433 中之三甲基铭添加至含有Top、T0PSe及二乙基鋅之注射 态中。諸如此類的原位摻雜製程已在藉由化學浴沈積製程 生長薄膜時成功地加以論證（j· Lee等人，Thin Solid Films 431-432，344 [2003])。關於圖4應注意，二極體亦可在僅 有P型傳輸層或η型傳輸層添加至該結構中的情況下操作。 沾習此項技術者亦可推斷，層組成可反轉以使陰極1 8〇沈 積於基板160上且陽極形成於ρ型傳輸層22〇上。對於以支 撐物之狀況而言，基板160為η型Si。 提供以下實例以進一步理解本發明且不欲解釋為對本發 明之限制。 實例1 根據圖2之圖解形成無機發光層15〇。無機奈米粒子14〇 包含ZnS，而核/殼量子點120具有CdSe核及ZnSe/ZnS殼。 ZnS粒子係使用Khosravi等人報導之方法（a· A. Khosravi等 人，Appl. Phys· Lett· 67，2506 [1995])之修改法化學合 成。Zn源為ZnCh，硫源為雙（三曱基矽烷基）硫化物 (TMShs，且界面活性劑/配位體為己胺。製備ZnCl2、 (TMShS及己胺之丁醇溶液，各為〇·〇2 μ，且將等體積之 各溶液用於反應。為防止所得ZnS奈米粒子氧化，在惰性 條件下使用熟知程序執行反應。最初，在2頸燒瓶中組合5 ml氣化辞溶劑及5 ml己胺溶液，同時有力攪拌混合物。接 著’將5 ml (TMS)2S溶液，以在〇·ΐ-ΐ ml/分鐘之間的速率 逐滴添加至燒瓶中，同時繼續有力攪拌混合物。隨後將所 得3組分溶液置放於旋轉蒸發器中，以自溶液中蒸餾出約 128593.doc -25- 200845433 13 ml丁醇。添加過量甲醇之後，將溶液離心且傾析上清 液。為將沈澱物再溶解，添加〇·5 ml甲笨。再一次將過量 甲醇添加至溶液中，接著離心且傾析上清液。所得沈澱物 可溶於各種非極性溶劑中。因為ZnS無機奈米粒子 CdSe/ZnSe/ZnS核/殼量子點12〇之膠狀分散液係藉由滴落 式澆鑄來沈積，所以將沈澱物溶於己烷：辛烷之9:!溶劑 混合物中（C· B. Murray等人，Annu. Rev. Mater. Sci. 30, 545 [2000])。所得膠狀分散液為光學透明的，但在36〇 nm 激發下，發射近UV/紫外光。圖5繪製在3種不同溫度下熱 退火10分鐘後，ZnS奈米粒子膜之透射率的曲線圖。圖5展 不，ZnS粒子極小（< 2 nm)，因為自其整體帶隙（約3.6 eV) 之藍移為顯著的；且，在約280°C之溫度下開始燒結在一 起。如上文所討論，較佳無機奈米粒子14〇極小（<2 nm)以 使得在較低溫度下能夠進行燒結。 核/殼量子點120係按照Talapin等人（D. V. Talapin等人， J’ Phys· Chem. B108，18826 [2004])之線路合成。為形成

CdSe核，在Schlenk線路及氬流動下進行，’綠色，，合成路 線。最初，在標準脫氣及乾燥程序後，在3頸燒瓶中組合8 g TOPO、5 g HDA及 〇·15 g正十四基膦酸（TDPA)。將2 ml 1 M TOPSe溶液添加至燒瓶中且將混合物加熱至3〇〇它。經 由注射器將鎘儲備溶液（於3 ml τ〇ρ中之〇12 g乙酸鎘）快 速注射至燒瓶中，同時有力攪拌溶液。由於注入室溫儲備 溶液，反應溫度立即下降約25。〇。在26〇。〇下維持7·5分鐘 以形成具有約530 nm之發射波長之發綠光核量子點。 128593.doc -26- 200845433 接著，在核CdSe量子點上沈積薄ZnSe殼（約1.5 ML)。開 始時，在3頸燒瓶中，將3.6 ml核量子點粗溶液（未經洗條） 與20 g TOPO及12 g HDA(2種配位溶劑在添加至燒瓶中之 前均脫氣且乾燥）組合。使所得混合物達到190°C。在乾燥 箱中，用Ζη及Se前驅物（0.3 mmol二乙基鋅、0.39 mmol TOPSe及3 ml額外TOP)填充注射器。隨後，將注射器之内 含物以5毫升/小時之速率緩慢添加至燒瓶中，同時有力攪 拌溶液。在注射ZnSe前驅物之後，立即將約5 ML之ZnS外 殼沈積於ZnSe殼量子點上。此時，用3 mmol二乙基鋅（來 自於己烷溶液中之1 Μ二乙基辞）、1.38 ml (TMS)2S及12 ml TOP填充注射器。將注射器内含物以8毫升/小時之速率 添加，其中生長溫度設定至21 0°C。完成ZnS殼生長後，將 反應混合物冷卻至90°C且保持在彼溫度下60分鐘。最終， 將11 ml 丁醇添加至混合物中，以防止其在TOPO及HDA之 凝固點以下固化。所得核/殼/殼量子點輕微紅移（相對於核 發射）且具有黃綠色發射顏色（約545 nm)。所量測之量子產 率超過50%。 無機發光層150包括ZnS無機奈米粒子140及 CdSe/ZnSe/ZnS核/殼量子點120之複合物。因而， CdSe/ZnSe/ZnS核/殼量子點120之膠狀分散液係使用9:1己 烷：辛烷作為溶劑來形成，其中己胺為連接於量子點之有 機配位體。因為剛合成之核/殼量子點120具有TOPO/HDA 作為表面配位體，所以執行配位體交換程序（D. V· Talapin 等人，Nano Lett· 4，207 [2001])以用己胺鈍化量子點。將 128593.doc -27- 200845433 過置甲醇添加至配位體交換分散液中之後，將溶液離心且 傾析上清液。為將沈澱物再溶解，添加1.0 rni甲苯。再一 次：過量甲醇添加至溶液中，接著離心且傾析上清液。將 所知沈;殿物再溶解於9: i己燒：辛烧溶劑混合物中。請注 〜配位體父換及粒子洗滌均在無空氣條件下執行。使用 相應）之組分分散液之體積比，將ZnS奈米粒子及 、nSe/ZnS i子點之複合膠狀分散液滴落式濟鑄於基 板（Si或玻璃）上。在管式爐中，在恆定Ar流下，在27(rc 下，將所得膜退火5〇分鐘（花35分鐘斜線上升至27〇。〇及35 分鐘斜線下降返回至室溫）。所得膜螢光在亮室内燈下為 /月晰可見的且又為黃綠色。膜似乎在空氣中為穩定的，觀 察多個小時後螢光產率無可觀察之衰變。膜亦具導電性， 電阻率大約105歐姆-公分。 實例2 電致發光發光二極體係使用上述無機發光層1 2〇作為組 件來建構。經由蔽蔭遮罩將IT〇濺鍍至清潔玻璃基板16〇之 表面上。沈積後，將ΙΤΟ膜在300Χ：下退火i小時以改良其 透明度。接著，如實例i中所述，將無機發光層12〇沈積於 ιτο之表面上。為確保層無針孔，將複合物（ZnS奈米粒子 及CdSe/ZnSe/ZnS核/殼/殼）膠狀分散液滴落式洗鑄兩次（各 次滴落式澆鑄之後在270°C下在管式爐中退火50分鐘）。在 2次滴落式澆鑄之前，藉由丙酮/甲醇溶劑洗滌來清潔沈積 表面，接著用氮吹乾樣本。 接著，沈積η型傳輸層230。其係自ZnSe奈米粒子形成。 128593.doc -28 - 200845433 奈米粒子係使用分子前驅物於配位溶劑中之高溫分解來合 成（在Schlenk線路及氬流下進行）。更特定而言，將7 HDA(乾燥且脫氣）置放於3頸燒瓶中且加熱至3〇〇它。在乾 燥箱中，用0·8 mmol二乙基辞（來自於己烷溶液中之丨m二 乙基辞）、0.8 mmol TOPSe及2.5 ml額外top填充注射器。 將注射器内含物快速注射至燒瓶中，同時有力攪拌溶液。 由於注入室溫Zn/Se儲備溶液，反應溫度立即下降約 25C。將其維持在270°C下3分鐘，以形成發近11¥/紫外光 之ZnSe奈米粒子。在冷卻回室溫之前，將7 ml 丁醇添加至 溶液中以防止HDA固化。因為需要由己胺中滴落式澆鑄， 所以執行標準配位體交換以移除HD A配位體且用己胺配位 體將其置換。隨後，將所得配位體交換之溶液置置於旋轉 瘵發器中以自溶液蒸餾出任何過量丁醇及己胺。添加過量 甲醇之後，將溶液離心且傾析上清液。為將沈澱物再溶 解，添加0.25 ml甲苯。再一次將過量曱醇添加至溶液中， 接著離心且傾析上清液。將所得沈澱物再溶解於9:ι己 烷··辛烷溶劑混合物中。為確保層無針孔，將ZnSe膠狀分 政液滴落式洗鑄兩次（各次滴落式洗鑄之後在270它下在管 式爐中退火50分鐘）。在2次滴落式澆鑄之前，藉由丙酮/曱 醇溶劑洗滌來清潔沈積表面，接著用氮吹乾樣本。 隨後將圖案化陰極180沈積於11型2：11以傳輸層230上。铭 經由蔽陰遮罩熱蒸發以形成400 nm厚之膜。為形成與ZnSe 之較佳接觸，在285°C下，將A1退火1〇分鐘（溫度自25。〇斜 線上升至285 C且下降回25。〇。LED經由玻璃基板16〇在圖 128593.doc •29- 200845433 案化陰極180及陽極170(ΙΤΟ)接觸之交叉處發光。交又區 域為大約5 mm2。LED發射綠黃色光，其在緩和環境照明 條件下為可見的。發射需要跨過裝置之電壓為至少 V。裝置可操作至多1〇〇 mA(2 A/cm2)之直流電流，隨後在 連續操作幾分鐘之後出現嚴重故障。 【圖式簡單說明】 圖1展示核/殼量子點粒子之圖解；

圖2展示本發明之無機發光層之部分的圖解； 圖3展示本發明之無機發光裝置之側視圖解； 圖4展示本發明之無機發光裝置之另一實施例的側視圖 解； 圖5展示ZnS薄膜之透射率的曲線圖； 圖6展示本發明之被動矩陣裝置之實例·， 圖7展示本發明之底部發射裝置之像素布局·， 圖8展示本發明之底部發射裝置之橫截面·，及 圖9展示本發明之頂部發射裝置之橫截面。 【主要元件符號說明】 12 列電極 13 像素元件 14 行電極 16 陣列 18 列 19 行 22 資料驅動器 128593.doc 30· 200845433

23 列選擇 24 控制線 30 控制器 44 電接點 45 電接點 100 發光核 110 半導體殼 115 有機配位體 120 核/殼量子點 130 半導體矩陣 140 無機奈米粒子 150 無機發光層 160 基板 170 陽極 180 陰極 190 匯流排金屬 200 無機發光裝置 205 無機發光裝置 220 P型傳輸層 230 η型傳輸層 3 00 像素 311 電源線 312 資料線 313 選擇線 128593.doc -31 200845433 320 321 326 330 332 333 340 341

341a 341b 342 343 345 346 381

402 403 410 420 450 選擇電晶體 第一半導體區域 末端 電容器 接觸電洞 電容器電極 功率電晶體 第二半導體區域 固有子層 摻雜子層 接觸電洞 功率電晶體閘電極 接觸電洞 末端 下電極 第一絕緣層 第二絕緣層 像素間絕緣體 無機電致發光介質 上電極 光 128593.doc -32-

Claims (1)

1. 200845433 十、申請專利範圍： 1· 一種無機發光裝置，其包含：一透明基板；一第一電 極；-與該第-電極對置之第二電極；一在一無機半導 體矩陣内包含核/殼量子點之多晶無機發光層，且其中該 第一電極為透明的且係形成於該透明基板上，該夕曰 又曰曰 機务光層係形成於該第一電極上，且該第二電極係形成 於該發光層上。 2.如請求項〗之無機發光裝置，其中該第二電極具反射 性。 3. 如請求項'之無機發光裝置，其中該第二電極為透明 的。 4. 一種無機發光裝置，其包含：一基板；一第一電極；一 與該第一電極對置之第二電極；一在一無機半導體矩陣 内包含核/殼量子點之多晶無機發光層，且其中該第一電 極具反射性且係形成於該基板上，該多晶無機發光層係 开y成於π亥第一電極上，且該第二電極係形成於該發光層 上且為透明的。 5·如請求項1之無機發光裝置，其中該裝置為一顯示背光 源、多色顯示器、全彩顯示器、單色顯示器或燈。 6·如請求項4之無機發光裝置，其中該裝置為一顯示背光 源、多色顯示器、全彩顯示器、單色顯示器或燈。 7·如請求項1之無機發光裝置，其中由該發光層發射之光 為白光。 8· >請求項4之無機發光裝置，其中由該發光層發射之光 128593.doc 200845433 為白光。 9· 一種無機發光裝置，其包括複數個獨立受控發光元件， 其中至少-個發光元件包含：—第一圖案化電極；一與 D亥第電極對置之第二電極；及一在一形成於該等電極 之間的+導體矩陣内包含核/殼量子黑占《多晶無機發光 層。 10.如請求項9之無機發光裝i，其中該目案化第一電極係 由形成於該基板上之薄膜電子組件或—形成於該基板外 之驅動電路獨立地控制。 η.如請求項9之無機發光裝置，其中該等獨立受控發光元 件發射具有不同顏色之光。 12. :請求項9之無機發光裝置，其十該等薄膜電子組件包 含結晶、多晶或非晶形半導體材料。 13. 如請：項9之無機發光裝置’其中該裝置為一顯示背光 源、多色顯示器、全彩顯示器、單色顯示器或照明裝 置。 14. 如請求項9之無機發光裝置，其中由該發光層發射之光 為白光。 15. ”項9之無機發光裝置’其中各發光元件之該等核/ ，量子點具有選自紫外、藍色、青色、綠色、黃色、洋 、、色、、Χ色或紅外發射波長或其組合之發射波長。 16·如=求項9之無機發光裝置，以該多晶無機發光層係 自核/yv又里子點及半導體矩陣奈米粒子之膠狀分散液之 退火膜形成。 128593.doc 200845433 17. -種製造一無機發光裝置之方法，其包含： h)提供一基板； (b)在該基板上形成—圖案化第一電極； ⑷在該圖案㈣—電極上形成—在—無機半導體矩 内匕3核/设置子點之多晶無機發光層；及 (“）在該無機發光層上形成_與該第—電極對置之第 --•電極。 18_如明求項17之方法，其中步驟e另外包含： (I) 提供該等核/殼量子點及半導體矩陣奈米粒 狀分散液； ^膠 (II) 沈積該膠狀分散液以形成一膜；及 (πι)退火該膜以形成該多晶無機發光層。 19·如請求項17之方法，其另外包含在該基板上形成薄犋“ 子組件以用於驅動該多晶無機發光層。 、電

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