TWI436496B - 量子點發光裝置 - Google Patents

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Description

量子點發光裝置
本發明係關於無機發光二極體裝置，其包括具有量子點之發光層。
自20世紀60年代早期開始已製得半導體發光二極體(LED)裝置，且其在當前經製造以用於廣泛範圍之消費者及商業應用。構成LED之層係基於結晶半導體材料，該等結晶半導體材料需要諸如分子有機化學氣相澱積之超高真空技術用於其生長。另外，該等層通常需要在接近晶格匹配之基板上生長以形成無缺陷之層。該等基於結晶之無機LED具有高亮度(歸因於具有高導電性之層)、長壽命、良好環境穩定性及良好外部量子效率之優點。產生所有該等優點之結晶半導體層之使用亦導致許多缺點。主要缺點為高製造成本，難於組合來自同一晶片之多色輸出、需要高成本及剛性之基板。
在20世紀80年代中期，發明了基於使用小分子量分子之有機發光二極體(OLED)(Tang等人，Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987))。在20世紀90年代早期，發明了聚合LED(Burroughes等人，Nature 347, 539 (1990))。在隨後之15年中，基於有機物之LED顯示器已進入市場，且在裝置壽命、效率及亮度上有重大改良。舉例而言，含有磷光發射體之裝置具有高達19%之外部量子效率；而，通常報導裝置壽命為數萬個小時。與基於結晶之無機LED相比， OLED具有遠較低之亮度(主要由於載流子遷移率小)、較短壽命且需要昂貴封裝以用於裝置操作。另一方面，OLED享有之益處為可能較低之製造成本、自同一裝置發射多色之能力及允許可撓性顯示器(若可解決封裝問題)。
為改良OLED之效能，在20世紀90年代晚期，引入含有具有有機物及量子點之混合發射體之OLED裝置(Matoussi等人，J. Appl. Phys. 83, 7965 (1998))。將量子點添加至發射體層中之優點為可增強裝置之色域；可藉由簡單改變量子點粒徑而獲得紅色、綠色及藍色發射；及可降低製造成本。由於諸如量子點在發射體層中之聚集之問題，該等裝置之效率與典型OLED裝置比較相當低。當純量子點膜用作發射體層時，效率甚至更差(Hikmet等人，J. Appl. Phys. 93, 3509 (2003))。不良效率係歸於量子點層之絕緣性質。之後，在有機電洞傳輸層與電子傳輸層之間沈積單層量子點膜後增強了效率(達到約1.5 cd/A)(Coe等人，Nature 420, 800 (2002))。據說，自量子點之發光主要由於自有機分子上之激子之福斯特能量傳遞(Forster energy transfer)而發生(電子-電洞重組在有機分子上發生)。不管未來在效率方面會有何種改良，該等雜化裝置仍遭受與純OLED裝置相關之所有缺點。
近期，藉由在真空沈積之n-GaN層與p-GaN層之間夾合單層厚核/殼CdSe/ZnS量子點層，建構了主要為全無機之LED(Mueller等人，Nano Letters 5, 1039 (2005))。所得裝置具有0.001至0.01%之不良外部量子效率。彼問題之一部 分可與據報導在生長後出現之三辛基膦氧化物(TOPO)及三辛基膦(TOP)之有機配位體相關。該等有機配位體為絕緣體且將導致至量子點上之不良電子及電洞注入。另外，結構之其餘部分製造成本高，其係由於使用藉由高真空技術生長之電子及電洞半導電層，及使用藍寶石基板。
因此，建構基於量子點發射體之全無機LED將為高度有益的，該全無機LED係藉由低成本沈積技術形成且其個別層展示良好導電性效能。所得LED將組合結晶LED與有機LED之許多所要屬性。
本發明之一目標為，提供無機發光二極體裝置，其發射體層係由無機量子點形成，其中該無機發射體層同時具導電性及發光性。另外，該二極體裝置係經由低成本沈積製程形成。
該目標係藉由無機發光裝置達成，該無機發光裝置包含：透明基板；第一電極；與該第一電極對置之第二電極；在無機半導體矩陣內包含核/殼量子點之多晶無機發光層，且其中該第一電極為透明的且係形成於透明基板上，該多晶無機發光層係形成於第一電極上，且該第二電極係形成於發光層上。
本發明之優點為，多晶無機發光層適用於自固態照明設備及燈至全彩高解析度顯示器之許多發光裝置應用。有利地，該多晶無機發光層含有作為發射物質之量子點，且同時具發光性及導電性。發光層包括導電寬帶隙奈米粒子及 有殼量子點發射體之複合物。熱退火係用以將導電奈米粒子彼此燒結在一起且燒結至量子點之表面上，形成多晶層。因此，發光層之導電性增強，至量子點中之電子-電洞注入亦增強。為使量子點能經受住退火步驟而不損失其螢光效率(因為使量子點鈍化之有機配位體在退火製程中蒸發)，將量子點殼工程化以限制電子及電洞，以使其波函數不對外殼之表面態取樣。
另一優點為，使電荷輸送層包含導電奈米粒子；另外，使用分離熱退火步驟增強該等層之導電性。所有奈米粒子及量子點係經化學合成且製成膠狀分散液。因此，所有裝置層係藉由諸如滴落式澆鑄或噴墨之低成本製程沈積。所得全無機發光二極體裝置成本低，可在一系列基板上形成，且可經調諧以在廣泛範圍之UV、可見及紅外波長範圍內發射。
使用量子點作為發光二極體中之發射體賦予以下優點：發射波長可簡單藉由改變量子點粒子之尺寸而調諧。因而，窄譜(產生較大色域)、多色發射可自同一基板發生。若量子點係藉由膠體方法製備[且並非藉由高真空沈積技術生長(S. Nakamura等人，Electron. Lett. 34, 2435 (1998))]，則基板不再需要為昂貴的或與LED半導體系統晶格匹配。舉例而言，基板可為玻璃、塑膠、金屬箔或Si。使用該等技術形成量子點LED為高度理想的，若使用低成本沈積技術沈積LED層，則尤其如此。
核/殼量子點120發射體之圖解展示於圖1中。粒子含有發光核100、半導體殼110及有機配位體115。因為典型量子點之尺寸大約為幾奈米且與其固有激子之尺寸相當，所以粒子之吸收峰及發射峰均相對於整體值藍移(R. Rossetti等人，J. Chem. Phys. 79, 1086 (1983))。由於量子點之尺寸小，點之表面電子態對點之螢光量子產率具有較大影響。發光核100之電子表面態可藉由將適當(例如一級胺)有機配位體115連接至其表面或藉由圍繞發光核100磊晶式生長另一半導體(半導體殼110)來鈍化。生長半導體殼110(相對於有機鈍化核)之優點為，電洞及電子核粒子表面態可同時鈍化，所得量子產率通常較高，且量子點更具光穩定性及化學穩固性。由於半導體殼110之厚度有限(通常1-2個單層)，其電子表面態亦需要鈍化。又，有機配位體115為常用選擇。以CdSe/ZnS核/殼量子點120為例，在核/殼介面處之價數及導帶偏移使得所得電位起限制電洞及電子於核區域之作用。因為電子通常比重電洞輕，所以電洞主要受限於核，而電子滲入殼中且對其與金屬原子相關之電子表面態取樣(R. Xie等人，J. Am. Chem. Soc. 127, 7480 (2005))。
因此，對於CdSe/ZnS核/殼量子點120之狀況而言，僅殼之電子表面態需要鈍化；適合有機配位體120之實例將為一種一級胺，其與表面Zn原子形成供體/受體鍵結(X. Peng等人，J. Am. Chem. Soc. 119, 7019 (1997))。總之，典型高發光性量子點具有核/殼結構(環繞較低帶隙之較高帶隙)且具有連接於殼表面之非導電性有機配位體120。
在過去十年中，許多工人已製造出具有高發光性核/殼量子點之膠狀分散液(O. Masala及R. Seshadri, Annu. Rev. Mater. Res. 34, 41 (2004))。發光核100包含IV型(Si)、III-V型(InAs)或II-VI型(CdTe)半導電材料。對於在光譜之可見光部分中發射而言，CdSe為較佳核材料，因為藉由改變CdSe核之直徑(1.9至6.7 nm)，發射波長可自465調諧至640 nm。如此項技術中所熟知，發可見光之量子點可自諸如摻雜ZnS之其他材料系統製造(A. A. Bol等人，Phys. Stat. Sol. B224, 291 (2001))。發光核100係藉由此項技術中熟知之化學方法製得。典型合成路線為分子前驅物在高溫下於配位溶劑中之分解，溶熱法(O. Masala及R. Seshadri, Annu. Rev. Mater. Res. 34, 41 (2004))及受抑沈澱(R. Rossetti等人，J. Chem. Phys. 80, 4464 (1984))。半導體殼110通常包含II-VI型半導電材料，諸如CdS或ZnSe。殼半導體通常經選擇以與核材料接近晶格匹配且具有一定價數及導帶水平以使核電洞及電子主要受限於量子點之核區域。CdSe核之較佳殼材料為ZnSex S1-x ，其中x在0.0至約0.5範圍內。環繞發光核100之半導體殼110的形成通常係經由分子前驅物在高溫下於配位溶劑中分解(M. A. Hines等人，J. Phys. Chem. 100, 468 (1996))或反向微胞技術(A. R. Kortan等人，J. Am. Chem. Soc. 112, 1327 (1990))來完成。
如此項技術中所熟知，兩種用於形成量子點膜之低成本方式為藉由滴落式澆鑄及旋轉澆鑄沈積核/殼量子點120之 膠狀分散液。用於滴落式澆鑄量子點之常用溶劑為己烷：辛烷之9:1混合物(C. B. Murray等人，Annu. Rev. Mater. Sci. 30, 545 (2000))。有機配位體115需要經選擇以使量子點粒子可溶於己烷。因而，具有基於烴之尾部之有機配位體為良好選擇，諸如烷基胺。使用此項技術中熟知之程序，來自生長程序之配位體(例如TOPO)可換成所選之有機配位體115(C. B. Murray等人，Annu. Rev. Mater. Sci. 30, 545 (2000))。當旋轉澆鑄量子點之膠狀分散液時，要求溶劑易展布於沈積表面上且溶劑在旋轉製程中以適度速率蒸發。已發現基於醇之溶劑為良好選擇；例如，將諸如乙醇之低沸點醇與諸如丁醇-己醇混合物之較高沸點醇組合使得膜形成良好。相應地，配位體交換可用以連接尾部可溶於極性溶劑中之有機配位體(至量子點)；吡啶為適合配位體之實例。自該兩種沈積方法產生之量子點膜具發光性，但非導電性。膜具電阻性，因為非導電有機配位體分離核/殼量子點120粒子。膜亦具電阻性，因為當可移動電荷沿量子點傳播時，可移動電荷由於半導體殼110之限制電位障壁而截留於核區域中。
無機LED之適當操作通常需要低電阻n型及p型傳輸層，其環繞導電(標稱摻雜)及發光發射體層。如上文所討論，典型量子點膜具發光性，但為絕緣的。圖2示意性說明提供同時具發光性及導電性之無機發光層150之方式。該概念係基於連同核/殼量子點120共同沈積小(<2 nm)、導電性無機奈米粒子140以形成無機發光層150。隨後之惰性氣 體(Ar或N2 )退火步驟係用以將較小無機奈米粒子140彼此燒結在一起且燒結至較大核/殼量子點120之表面上。燒結無機奈米粒子140引起連續、導電，性半導體矩陣130之產生。經由燒結製程，該矩陣亦連接於核/殼量子點120且形成多晶無機發光層。因而，導電路徑係自無機發光層150之邊緣產生，穿過半導體矩陣130且到達各核/殼量子點120，其中電子及電洞在發光核100中重組。亦應注意，將核/殼量子點120封裝於導電半導體矩陣130中具有附加益處，即其在環境上保護量子點免受氧及濕氣之影響。
無機奈米粒子140需要包含導電半導電材料，諸如IV型(Si)、III-V型(GaP)或II-VI型(ZnS或ZnSe)半導體。為易將電荷注入核/殼量子點120中，較佳無機奈米粒子140係包含能帶隙與半導體殼110材料之能帶隙相當的半導體材料，更特定而言，能帶隙在殼材料之能帶隙之0.2 eV內。對於ZnS為核/殼量子點120之外殼之狀況而言，則無機奈米粒子140包含ZnS或具有低Se含量之ZnSSe。無機奈米粒子140係藉由此項技術中熟知之化學方法製得。典型合成路線為分子前驅物在高溫下於配位溶劑中分解，溶熱法(O. Masala及R. Seshadri, Annu. Rev. Mater. Res 34, 41 (2004))及受抑沈澱(R. Rossetti等人，J. Chem. Phys. 80, 4464 (1984))。如此項技術中所熟知，奈米尺寸之奈米粒子在相對於其整體對應物遠較低之溫度下熔融(A. N. Goldstein等人，Science 256, 1425 (1992))。相應地，需要無機奈米粒子140具有小於2 nm之直徑以增強燒結製程， 較佳尺寸為1-1.5 nm。關於具有ZnS殼之較大核/殼量子點120，已報導2.8 nm ZnS粒子對高達350℃之退火溫度而言係相對穩定的(S. B. Qadri等人，Phys. Rev B60, 9191 (1999))。組合該兩個結果，退火製程具有在250與300℃之間的較佳溫度且至多60分鐘之持續時間，其將較小無機奈米粒子140彼此燒結在一起且燒結至較大核/殼量子點120之表面上，而較大核/殼量子點120在形狀及尺寸上保持相對穩定。
為形成無機發光層150，形成無機奈米粒子140及核/殼量子點120之共同分散液。因為希望核/殼量子點120為無機發光層150中之無機奈米粒子140環繞，所以選擇無機奈米粒子140與核/殼量子點120之比率大於1:1。較佳比率為2:1或3:1。視諸如旋轉澆鑄或滴落式澆鑄之沈積製程而定，作出有機配位體115之適當選擇。通常，相同有機配位體115係用於兩種類型之粒子。為增強無機發光層150之導電性(及電子-電洞注入製程)，較佳係連接於核/殼量子點120及無機奈米粒子140之有機配位體115由於無機發光層150於惰性氛圍中退火而蒸發。藉由選擇具有低沸點之有機配位體115，可使其在退火製程中自膜蒸發(C. B. Murray等人，Annu. Rev. Mater. Sci. 30, 545 (2000))。因此，對於藉由滴落式澆鑄形成之膜而言，較佳係諸如己胺之較短鏈一級胺；對於藉由旋轉澆鑄形成之膜而言，吡啶為較佳配位體。薄膜在高溫下退火可由於膜與基板之間的熱膨脹錯配而使膜裂開。為避免該問題，較佳係退火溫度 自25℃斜線上升至退火溫度且自退火溫度下降回室溫。較佳斜線上升時間為大約30分鐘。所得無機發光層150之厚度應在10與100 nm之間。
退火步驟後，核/殼量子點120將缺乏有機配位體115之外殼。對於CdSe/ZnS量子點之狀況而言，不具有外部配位體殼將由於為殼之未鈍化表面態截留而造成自由電子之損失(R. Xie, J. Am. Chem. Soc. 127, 7480 (2005))。因此，退火核/殼量子點120將展示與未退火點比較降低之量子產率。為避免該情況，ZnS殼厚度需要增加至一定程度以使得核/殼量子點電子波函數不再對殼之表面態取樣。使用此項技術中熟知之計算技術(S. A. Ivanov等人，J. Phys. Chem. 108, 10625 (2004))，ZnS殼之厚度需要為至少5個單層(ML)厚度以取消電子表面態之影響。然而，至多2 ML厚度之ZnS殼可直接在CdSe上生長，而不會由於兩種半導體晶格之間的晶格錯配而產生缺陷(D. V. Talapin等人，J. Phys. Chem. 108, 18826 (2004))。為避免晶格缺陷，ZnSe中間殼可在CdSe核與ZnS外殼之間生長。Talapin等人(D. V. Talapin等人，J. Phys. Chem. B108, 18826 (2004))採用該方法，其中其能夠在CdSe核上生長出高達8 ML厚度之ZnS殼，最佳ZnSe殼厚度為1.5 ML。亦可採用更複雜之方法以使晶格錯配差異減至最小，例如，在許多單層之間距範圍內，使中間殼之半導體含量自CdSe至ZnS平穩變化(R. Xie等人，J. Am. Chem. Soc. 127, 7480 (2005))。總之，將外殼之厚度製成足夠厚度以使自由載流子不對電子表面態 取樣。另外，必要時，將具有適當半導體含量之中間殼添加至量子點，以避免與厚半導體殼110相關之缺陷之產生。
圖3提供電致發光LED裝置200之最簡單實例，其併有無機發光層150。基板160支撐所沈積之半導體及金屬層；其唯一要求為其具足夠剛性以使沈積製程能夠進行且其可經受住熱退火製程(最高溫度為約285℃)。其可為透明或不透明的。可能基板材料為玻璃、矽、金屬箔及一些塑膠。下一沈積材料為陽極170。對於基板160為p型Si之狀況而言，陽極170需要沈積於基板160之底部表面上。用於p-Si之適合陽極金屬為Al。其可藉由熱蒸發或濺鍍來沈積。其沈積後，將其在約430℃下退火20分鐘。對於上文指定之所有其他基板類型而言，陽極170係沈積於基板160之頂部表面上(如圖3中所示)且包括諸如氧化銦錫(ITO)之透明導體。ITO可藉由濺鍍或此項技術中之其他熟知程序沈積。ITO通常在約300℃下退火1小時以改良其透明度。因為諸如ITO之透明導體之薄片電阻比金屬之薄片電阻大得多，所以匯流排金屬190可使用熱蒸發或濺鍍，經由蔽蔭遮罩選擇性沈積，以降低自接觸焊墊至實際裝置之電壓降。接著沈積無機發光層150。如上文所討論，其可滴落式或旋轉澆鑄至透明導體(或Si基板)上。諸如噴墨膠體量子點-無機奈米粒子混合物之其他沈積技術亦為可行的。沈積後，將無機發光層150在250-300℃之較佳溫度下退火15-45分鐘。最後，將陰極180金屬沈積於無機發光層150上。候選 陰極180金屬為與包括無機奈米粒子140之材料形成歐姆接觸(ohmic contact)之金屬。舉例而言，對於ZnS無機奈米粒子140之狀況而言，較佳金屬為Al。其可藉由熱蒸發或濺鍍來沈積，接著在285℃下熱退火10分鐘。熟習此項技術者亦可推斷，層組成可反轉以使陰極180沈積於基板160上且陽極形成於無機發光層150上。對於Si支撐物之狀況而言，基板160為n型Si。
另外，基板160可為剛性或可撓性的且可加工為諸如薄片或晶圓之分離個別塊或加工為連續滾筒。典型基板材料包括玻璃、塑膠、金屬、陶瓷、半導體、金屬氧化物、半導體氧化物、半導體氮化物或其組合。基板160可為均勻混合材料、複合材料或多層材料。基板160可具光透射性或為不透明的，其視所欲發光方向而定。
光透射性基板對於經由基板觀察發光而言為所需的；該等裝置亦通常稱為底部發射裝置。透明玻璃或塑膠通常用於該等狀況。使用圖3作為參考，底部發射無機發光裝置可形成於透明基板160上。第一電極(陽極或陰極)沈積於基板上且為透明的。多晶無機發光層隨後形成於透明第一電極上，且具反射性之第二電極(陰極或陽極)形成於發光層上。
對於經由頂部電極觀察發光之應用而言，底部支撐物之透射特徵並不重要，且因此可具光透射性、光吸收性或光反射性。該等發光裝置通常稱為頂部發射裝置。適用於該狀況之基板包括(但不限於)玻璃、塑膠、半導體材料、陶 瓷及電路板材料。再次使用圖3作為參考，頂部發射裝置可使用任何基板160形成。反射性第一電極隨後沈積於基板上，無機發光層形成於第一電極上，且透明第二電極形成於無機發光層上。另外，藉由使用透明基板且形成由透明材料製成之兩種電極，可能自顯示器之兩側均有可觀察之發射。
頂部發射裝置及底部發射裝置均可為被動矩陣或主動矩陣裝置，且因而可視為電子顯示器。術語"電子顯示器"係指電子實體控制顯示器之不同區域之強度的顯示器。為使裝置具有獨立可控、分離發光區域，必須圖案化至少一個電極。該等圖案化電極可由薄膜電子組件或由形成於基板外部之驅動電路來控制。圖6說明被動矩陣顯示器中之離板驅動器及一系列水平及垂直電極之實例。或者，基板160可為具有低溫多晶矽或非晶形矽薄膜電晶體(TFT)之主動矩陣基板。基板160上之電子組件並不限於電晶體。基板160可含有其他主動電子組件，諸如包含結晶、多晶或非晶形半導體材料之薄膜電子組件。該等薄膜電子組件包括(但不限於)：TFT、電容器、二極體、開關及電阻器。
被動矩陣裝置之一實例說明於圖6中。根據本發明之無機發光顯示裝置包括基板160。形成於基板160之一側上之列電極12及行電極14界定被動矩陣像素元件13之列18及行19，其中列及行電極重疊。列電極12及行電極14提供資料及選擇信號給被動矩陣像素元件13之陣列16。列電極12及行電極14分別連接於電接點44及45。離散資料驅動器22及 選擇驅動器23圍繞陣列16之周邊定位且電性連接於電接點44及45。離散資料22及選擇驅動器23為形成於分離、離散基板(諸如矽)上之習知積體電路。其可如所示與基板160分離，或與列電極12及行電極14連接至基板160之相同側上。離散資料驅動器22及選擇驅動器23使用被動矩陣控制機制驅動像素元件13且回應於顯示控制器30經由位址、資料及控制線24所提供之位址及資料控制信號。資料值可使用習知記憶書寫技術，使用位址資料及控制線寫入資料驅動器22中。
再次參考圖6，被動矩陣像素元件13含有主動層，其回應於電信號而發光。因而，無機電致發光介質410(未圖示)置放於電極12與14之間；無機電致發光介質410包括多晶無機發光層。另外，無機電致發光介質410可包括無機電荷輸送層。當發光元件經由一行19及一列18激勵時，在行及列交叉處之元件受激勵且發光。光可經由基板或自頂部觀察，其視用以建構被動矩陣裝置之材料而定。
底部發射之主動矩陣裝置具有許多可能之像素設計。一種使用非晶矽型TFT之像素200之設計的物理布局視圖係展示於圖7中。諸如選擇電晶體320、儲存電容器330及功率電晶體340之各種電路組件之構造可見於圖7中。驅動電路組件係使用習知積體電路及薄膜電晶體製造技術來製造。選擇線313係形成於第一導體層中。電源線311及資料線312係形成於第二導體層中。絕緣體係形成於該兩個導體層之間以使其電性隔離。該組態允許資料線及電源線交叉 而不電性連接，進而形成像素矩陣。形成於不同導體層中之特徵之間的電連接係藉由形成穿過安置於導體層間之絕緣體層之接觸電洞，亦稱為通道來達成。術語電連接於本揭示案中係用以指示使電流能夠流動之連接。其可為兩個導電元件之直接物理連接。電連接可具有電阻。電連接亦可經由諸如電晶體或二極體之其他電路組件間接提供。
選擇線313之一部分延長以形成選擇電晶體320之閘極。在該第一導體層上為第一絕緣體層(未圖示)，其亦稱為閘極絕緣體層。選擇電晶體320係使用此項技術中熟知之技術自第一半導體區域321形成。可為源極末端或汲極末端之第一末端係由資料線312之一部分所形成。選擇電晶體320之第二末端-末端326延長以形成儲存電容器330之第二電容器電極，且亦經由接觸電洞342電性連接於功率電晶體340之功率電晶體閘電極342。諸如選擇電晶體320之電晶體展示為底部閘極型電晶體，然而，諸如頂部閘極電晶體及雙閘極電晶體之其他類型亦為此項技術已知的且可加以使用。相似地，功率電晶體340係形成於第二半導體區域341中。第一半導體區域321及第二半導體區域341通常形成於閘極絕緣體層上之同一半導體層中。半導體層包含多個子層，諸如固有或未摻雜子層及摻雜子層。此處該半導體層為非晶矽，但亦可為不同於矽之多晶或結晶或已知半導體材料，諸如有機半導體及金屬氧化物半導體。功率電晶體340之功率電晶體閘電極343形成於第一導體層中。如所示，功率電晶體340之第一末端係由電源線311之一部 分所形成。功率電晶體340之第二末端346係形成於第二導體層中。儲存電容器330係形成於第一導體層中所形成之第一電容器電極333與如上所述形成為末端326之一部分之第二電容器電極之間。閘極絕緣體層(未圖示)係沈積於第一電容器電極與第二電容器電極之間。第一電容器電極333係經由接觸電洞332電性連接於電源線311。替代組態在此項技術中為已知的，其中儲存電容器不直接連接於電源線，但替代地提供一分離電容器線，其可維持在相對於電源線之不同電壓位準或相同電壓位準下。
無機發光裝置之下電極381係自形成於第一及第二導體層上之第三導體層所形成。第二絕緣體層(未圖示)係位於下電極381與第二導體層之間。無機發光裝置之下電極381係經由形成於該第二絕緣體層中之接觸電洞345連接於功率電晶體340。
下電極381係用以提供與無機發光二極體之無機電致發光介質(未圖示)之電接點。在下電極381之周邊邊緣上，亦可形成像素間絕緣體層(未圖示)以覆蓋電極之邊緣且減少如此項技術中已知之短路缺陷。該等像素間絕緣體層之實例可見於美國專利6,246,179中。
圖7之裝置沿線X-X'之橫截面圖解展示於圖8中。在該橫截面圖中，可見絕緣基板160之位置以及第一絕緣體層401(亦稱為閘極絕緣體層)及第二絕緣體層402之位置。該等絕緣體層展示為單層，但可實際上包括不同絕緣材料之若干子層。展示非晶矽功率電晶體340之構造。展示第二 半導體區域341，其具有固有子層341a及摻雜子層341b。
展示於下電極381之邊緣上的像素間絕緣體403之置放。在下電極381上，形成無機電致發光介質410。無機電致發光介質410包括在陽極與陰極之間的所有層。在圖8中，無機電致發光介質410展示為單層，但其通常包含複數個子層，諸如多晶無機發光層及一或多個無機電荷輸送層。在無機電致發光介質410上方，形成上電極420。上電極420通常常見於該等主動矩陣配置中且用以提供與第二電壓位準之電連接。下電極381及上電極420用作隔開電極，其提供電流給安置於電極之間的無機電致發光介質410。當電性刺激時，在下電極381上方，在由像素間絕緣體403之開口界定之區域中的無機電致發光介質410將發出光450。光450展示為離開裝置之底部(穿過基板160)。該組態稱為底部發射組態。其需要下電極381至少為部分透明的。因而，下電極381通常由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)之材料或諸如鋁或銀之金屬之薄(小於25 nm)層或其組合來建構。上電極在該組態中通常具反射性，其至少部分地由諸如鋁、鋁合金、銀或銀合金之反射性金屬建構。相反組態在此項技術中為已知的，其中光經由上電極離開，方向與基板相反。該相反組態稱為頂部發射體組態。在該組態中，上電極及下電極之光透射及反射性質分別與頂部發射體組態之彼等性質相反。圖9中之橫截面圖說明與本發明一致之頂部發射體組態。圖9可在圖8之描述之上下文中加以理解。儘管未圖示，但熟習此項技術者應瞭解，對於 非晶矽及低溫聚矽電晶體而言，額外像素布局配置可適用於當前發明。
本發明之無機發光層可用以形成單色、多色或全彩顯示器。術語"多彩"描述能夠在不同區域中發射具有不同色調之光之顯示面板。詳言之，其用以描述能夠顯示具有不同顏色之影像之顯示面板。該等區域未必為鄰接的。術語"全彩"通常用以描述能夠至少在可見光譜之紅色、綠色及藍色區域中發射且顯示呈任何色調組合之影像的多色顯示面板。可由給定顯示器產生之全套顏色通常稱為顯示器之色域。紅色、綠色及藍色構成3種原色，由此可藉由適當混合產生所有其他顏色。然而，使用額外顏色以擴展裝置之色域或在裝置之色域內使用額外顏色為可能的。另外，對在可見光範圍外發射之顯示器具有實際應用。因此，各發光元件或裝置之核/殼量子點可經選擇以具有適合應用之發射波長。該等波長在特徵上可為紫外、藍色、青色、綠色、黃色、洋紅色、紅色或紅外或其任何組合。
術語"像素"以其技術公認之用法來加以使用以表示顯示面板之區域，該區域可經刺激以獨立於其他區域而發光。術語"發光元件"出於該討論之目的而言與像素同義。亦應注意，不應自術語：像素或發光元件推定物理尺寸要求。裝置可由單一大發光元件，數百萬個小發光元件或其間的任何實際組態組成。公認在全彩系統中，具有不同顏色之若干像素將一起使用以產生廣泛範圍之顏色，且觀察者可將該群組稱為單一像素。出於本揭示案之目的而言，該群 組將視為若干不同發光元件或像素。
本發明之無機發光裝置可具有寬帶發射，且將視為白光發射體。寬帶發射為可見光譜之多個部分(例如藍色及綠色)中具有重要組分之光。寬帶發射亦可包括在光譜之紅色、綠色及藍色部分中發射以產生白光之光。白光為使用者感知為具有白色之光，或具有足以與彩色濾光器組合使用以產生實際全彩顯示之發射光譜之光。如本文中所使用之術語"發白光"係指內部產生白光之裝置，即使在觀察之前該光之部分可由彩色濾光器移除。因此，本發明之發白光無機發光裝置可用於照明應用，例如用作燈。在顯示應用中，該發白光無機發光裝置可用作調節光以形成影像之光閘控裝置之顯示背光源。此應用之一實際實例將為液晶顯示器(LCD)中之顯示背光源。
圖4提供電致發光LED裝置205之另一實施例，其併有無機發光層150。該圖展示，p型傳輸層220及n型傳輸層230係添加至該裝置中，且環繞無機發光層150。如此項技術中所熟知，LED結構通常含有n型及p型摻雜之傳輸層。其用於一些不同目的。若半導體經摻雜，則形成與半導體之歐姆接觸較簡單。因為發射體層通常固有或輕微摻雜，所以對於形成與摻雜傳輸層之歐姆接觸而言較簡單。由於表面電漿效應(K. B. Kahen, Appl. Phys. Lett. 78, 1649 (2001))，使金屬層鄰近於發射體層導致發射體效率損失。因此，由足夠厚(至少150 nm)之傳輸層將發射體層與金屬接觸點間隔為有利的。最終，不僅傳輸層將電子及電洞注入發射體 層中，而且藉由適當選擇材料，其可防止載流子滲漏回發射體層之外。舉例而言，若無機奈米粒子140包含ZnS0.5 Se0.5 且傳輸層包含ZnS，則電子及電洞將由ZnS電位障壁限制於發射體層。用於p型傳輸層之適合材料包括II-VI及III-V半導體。典型II-VI半導體為ZnSe、ZnS或ZnTe。僅ZnTe為天然p型，而ZnSe及ZnS為n型。為得到足夠高之p型導電性，應將額外p型摻雜劑添加至所有3種材料中。對於II-VI p型傳輸層之狀況而言，可能之候選摻雜劑為鋰及氮。舉例而言，已在文獻中展示，Li3 N可在約350℃下擴散至ZnSe中以產生p型ZnSe，電阻率低達0.4歐姆-公分(S. W. Lim, Appl. Phys, Lett. 65, 2437 (1994))。
用於n型傳輸層之適合材料包括II-VI及III-V半導體。典型II-VI半導體為ZnSe或ZnS。如同對於p型傳輸層而言，為得到足夠高n型導電性，應將額外n型摻雜劑添加至半導體中。對於II-VI n型傳輸層之狀況而言，可能之候選摻雜劑為Al、In或Ga之III型摻雜劑。如此項技術中所熟知，該等摻雜劑可藉由離子植入(接著退火)或藉由擴散方法添加至層中(P. J. George等人，Appl. Phys. Lett. 66, 3624 [1995])。更佳路線為在奈米粒子之化學合成期間原位添加摻雜劑。以在十六烷基胺(HDA)/TOPO配位溶劑中形成之ZnSe粒子(M. A. Hines等人，J. Phys. Chem. B102, 3655 [1998])為例，Zn源為於己烷中之二乙基鋅且Se源為溶於TOP中之Se粉末(形成TOPSe)。若ZnSe欲用Al摻雜，則將相應百分比(相對於二乙基鋅濃度之幾個百分比)之於己烷 中之三甲基鋁添加至含有TOP、TOPSe及二乙基鋅之注射器中。諸如此類的原位摻雜製程已在藉由化學浴沈積製程生長薄膜時成功地加以論證(J. Lee等人，Thin Solid Films 431-432, 344 [2003])。關於圖4應注意，二極體亦可在僅有p型傳輸層或n型傳輸層添加至該結構中的情況下操作。熟習此項技術者亦可推斷，層組成可反轉以使陰極180沈積於基板160上且陽極形成於p型傳輸層220上。對於Si支撐物之狀況而言，基板160為n型Si。
提供以下實例以進一步理解本發明且不欲解釋為對本發明之限制。
實例1
根據圖2之圖解形成無機發光層150。無機奈米粒子140包含ZnS，而核/殼量子點120具有CdSe核及ZnSe/ZnS殼。ZnS粒子係使用Khosravi等人報導之方法(A. A. Khosravi等人，Appl. Phys. Lett. 67, 2506 [1995])之修改法化學合成。Zn源為ZnCl2 ，硫源為雙(三甲基矽烷基)硫化物(TMS)2 S，且界面活性劑/配位體為己胺。製備ZnCl2 、(TMS)2 S及己胺之丁醇溶液，各為0.02 M，且將等體積之各溶液用於反應。為防止所得ZnS奈米粒子氧化，在惰性條件下使用熟知程序執行反應。最初，在2頸燒瓶中組合5ml氯化鋅溶劑及5 ml己胺溶液，同時有力攪拌混合物。接著，將5 ml (TMS)2 S溶液，以在0.1-1 ml/分鐘之間的速率逐滴添加至燒瓶中，同時繼續有力攪拌混合物。隨後將所得3組分溶液置放於旋轉蒸發器中，以自溶液中蒸餾出約 13 ml丁醇。添加過量甲醇之後，將溶液離心且傾析上清液。為將沈澱物再溶解，添加0.5 ml甲苯。再一次將過量甲醇添加至溶液中，接著離心且傾析上清液。所得沈澱物可溶於各種非極性溶劑中。因為ZnS無機奈米粒子140及CdSe/ZnSe/ZnS核/殼量子點120之膠狀分散液係藉由滴落式澆鑄來沈積，所以將沈澱物溶於己烷：辛烷之9:1溶劑混合物中(C. B. Murray等人，Annu. Rev. Mater. Sci. 30, 545 [2000])。所得膠狀分散液為光學透明的，但在360 nm激發下，發射近UV/紫外光。圖5繪製在3種不同溫度下熱退火10分鐘後，ZnS奈米粒子膜之透射率的曲線圖。圖5展示，ZnS粒子極小(<2 nm)，因為自其整體帶隙(約3.6 eV)之藍移為顯著的；且，在約280℃之溫度下開始燒結在一起。如上文所討論，較佳無機奈米粒子140極小(<2 nm)以使得在較低溫度下能夠進行燒結。
核/殼量子點120係按照Talapin等人(D. V. Talapin等人，J. Phys. Chem. B108, 18826 [2004])之線路合成。為形成CdSe核，在Schlenk線路及氬流動下進行"綠色"合成路線。最初，在標準脫氣及乾燥程序後，在3頸燒瓶中組合8g TOPO、5 g HDA及0.15 g正十四基膦酸(TDPA)。將2 ml1 M TOPSe溶液添加至燒瓶中且將混合物加熱至300℃。經由注射器將鎘儲備溶液(於3 ml TOP中之0.12 g乙酸鎘)快速注射至燒瓶中，同時有力攪拌溶液。由於注入室溫儲備溶液，反應溫度立即下降約25℃。在260℃下維持7.5分鐘以形成具有約530 nm之發射波長之發綠光核量子點。
接著，在核CdSe量子點上沈積薄ZnSe殼(約1.5 ML)。開始時，在3頸燒瓶中，將3.6 ml核量子點粗溶液(未經洗滌)與20 g TOPO及12 g HDA(2種配位溶劑在添加至燒瓶中之前均脫氣且乾燥)組合。使所得混合物達到190℃。在乾燥箱中，用Zn及Se前驅物(0.3 mmol二乙基鋅、0.39 mmol TOPSe及3 ml額外TOP)填充注射器。隨後，將注射器之內含物以5毫升/小時之速率緩慢添加至燒瓶中，同時有力攪拌溶液。在注射ZnSe前驅物之後，立即將約5 ML之ZnS外殼沈積於ZnSe殼量子點上。此時，用3 mmol二乙基鋅(來自於己烷溶液中之1 M二乙基鋅)、1.38 ml (TMS)2 S及12ml TOP填充注射器。將注射器內含物以8毫升/小時之速率添加，其中生長溫度設定至210℃。完成ZnS殼生長後，將反應混合物冷卻至90℃且保持在彼溫度下60分鐘。最終，將11 ml丁醇添加至混合物中，以防止其在TOPO及HDA之凝固點以下固化。所得核/殼/殼量子點輕微紅移(相對於核發射)且具有黃綠色發射顏色(約545 nm)。所量測之量子產率超過50%。
無機發光層150包括ZnS無機奈米粒子140及CdSe/ZnSe/ZnS核/殼量子點120之複合物。因而，CdSe/ZnSe/ZnS核/殼量子點120之膠狀分散液係使用9:1己烷：辛烷作為溶劑來形成，其中己胺為連接於量子點之有機配位體。因為剛合成之核/殼量子點120具有TOPO/HDA作為表面配位體，所以執行配位體交換程序(D. V. Talapin等人，Nano Lett. 4, 207 [2001])以用己胺鈍化量子點。將 過量甲醇添加至配位體交換分散液中之後，將溶液離心且傾析上清液。為將沈澱物再溶解，添加1.0 ml甲苯。再一次將過量甲醇添加至溶液中，接著離心且傾析上清液。將所得沈澱物再溶解於9:1己烷：辛烷溶劑混合物中。請注意，配位體交換及粒子洗滌均在無空氣條件下執行。使用2:1(相應)之組分分散液之體積比，將ZnS奈米粒子及CdSe/ZnSe/ZnS量子點之複合膠狀分散液滴落式澆鑄於基板(Si或玻璃)上。在管式爐中，在恆定Ar流下，在270℃下，將所得膜退火50分鐘(花35分鐘斜線上升至270℃及35分鐘斜線下降返回至室溫)。所得膜螢光在亮室內燈下為清晰可見的且又為黃綠色。膜似乎在空氣中為穩定的，觀察多個小時後螢光產率無可觀察之衰變。膜亦具導電性，電阻率大約105 歐姆-公分。
實例2
電致發光發光二極體係使用上述無機發光層120作為組件來建構。經由蔽蔭遮罩將ITO濺鍍至清潔玻璃基板160之表面上。沈積後，將ITO膜在300℃下退火1小時以改良其透明度。接著，如實例1中所述，將無機發光層120沈積於ITO之表面上。為確保層無針孔，將複合物(ZnS奈米粒子及CdSe/ZnSe/ZnS核/殼/殼)膠狀分散液滴落式澆鑄兩次(各次滴落式澆鑄之後在270℃下在管式爐中退火50分鐘)。在2次滴落式澆鑄之前，藉由丙酮/甲醇溶劑洗滌來清潔沈積表面，接著用氮吹乾樣本。
接著，沈積n型傳輸層230。其係自ZnSe奈米粒子形成。 奈米粒子係使用分子前驅物於配位溶劑中之高溫分解來合成(在Schlenk線路及氬流下進行)。更特定而言，將7 g HDA(乾燥且脫氣)置放於3頸燒瓶中且加熱至300℃。在乾燥箱中，用0.8 mmoL二乙基鋅(來自於己烷溶液中之1 M二乙基鋅)、0.8 mmol TOPSe及2.5 ml額外TOP填充注射器。將注射器內含物快速注射至燒瓶中，同時有力攪拌溶液。由於注入室溫Zn/Se儲備溶液，反應溫度立即下降約25℃。將其維持在270℃下3分鐘，以形成發近UV/紫外光之ZnSe奈米粒子。在冷卻回室溫之前，將7 ml丁醇添加至溶液中以防止HDA固化。因為需要由己胺中滴落式澆鑄，所以執行標準配位體交換以移除HDA配位體且用己胺配位體將其置換。隨後，將所得配位體交換之溶液置置於旋轉蒸發器中以自溶液蒸餾出任何過量丁醇及己胺。添加過量甲醇之後，將溶液離心且傾析上清液。為將沈澱物再溶解，添加0.25 ml甲苯。再一次將過量甲醇添加至溶液中，接著離心且傾析上清液。將所得沈澱物再溶解於9:1己烷：辛烷溶劑混合物中。為確保層無針孔，將ZnSe膠狀分散液滴落式澆鑄兩次(各次滴落式澆鑄之後在270℃下在管式爐中退火50分鐘)。在2次滴落式澆鑄之前，藉由丙酮/甲醇溶劑洗滌來清潔沈積表面，接著用氮吹乾樣本。
隨後將圖案化陰極180沈積於n型ZnSe傳輸層230上。鋁經由蔽蔭遮罩熱蒸發以形成400 nm厚之膜。為形成與ZnSe之較佳接觸，在285℃下，將Al退火10分鐘(溫度自25℃斜線上升至285℃且下降回25℃)。LED經由玻璃基板160在圖 案化陰極180及陽極170(ITO)接觸之交叉處發光。交叉區域為大約5 mm2 。LED發射綠黃色光，其在緩和環境照明條件下為可見的。發射需要跨過裝置之電壓為至少7-8V。裝置可操作至多100 mA(2 A/cm2 )之直流電流，隨後在連續操作幾分鐘之後出現嚴重故障。
12‧‧‧列電極
13‧‧‧像素元件
14‧‧‧行電極
16‧‧‧陣列
18‧‧‧列
19‧‧‧行
22‧‧‧資料驅動器
23‧‧‧列選擇
24‧‧‧控制線
30‧‧‧控制器
44‧‧‧電接點
45‧‧‧電接點
100‧‧‧發光核
110‧‧‧半導體殼
115‧‧‧有機配位體
120‧‧‧核/殼量子點
130‧‧‧半導體矩陣
140‧‧‧無機奈米粒子
150‧‧‧無機發光層
160‧‧‧基板
170‧‧‧陽極
180‧‧‧陰極
190‧‧‧匯流排金屬
200‧‧‧無機發光裝置
205‧‧‧無機發光裝置
220‧‧‧p型傳輸層
230‧‧‧n型傳輸層
300‧‧‧像素
311‧‧‧電源線
312‧‧‧資料線
313‧‧‧選擇線
320‧‧‧選擇電晶體
321‧‧‧第一半導體區域
326‧‧‧末端
330‧‧‧電容器
332‧‧‧接觸電洞
333‧‧‧電容器電極
340‧‧‧功率電晶體
341‧‧‧第二半導體區域
341a‧‧‧固有子層
341b‧‧‧摻雜子層
342‧‧‧接觸電洞
343‧‧‧功率電晶體閘電極
345‧‧‧接觸電洞
346‧‧‧末端
381‧‧‧下電極
401‧‧‧第一絕緣層
402‧‧‧第二絕緣層
403‧‧‧像素間絕緣體
410‧‧‧無機電致發光介質
420‧‧‧上電極
450‧‧‧光
圖1展示核/殼量子點粒子之圖解；圖2展示本發明之無機發光層之部分的圖解；圖3展示本發明之無機發光裝置之側視圖解；圖4展示本發明之無機發光裝置之另一實施例的側視圖解；圖5展示ZnS薄膜之透射率的曲線圖；圖6展示本發明之被動矩陣裝置之實例；圖7展示本發明之底部發射裝置之像素布局；圖8展示本發明之底部發射裝置之橫截面；及圖9展示本發明之頂部發射裝置之橫截面。
150‧‧‧無機發光層
160‧‧‧基板
170‧‧‧陽極
180‧‧‧陰極
190‧‧‧匯流排金屬
200‧‧‧無機發光裝置

Claims (19)

  1. 一種無機發光裝置，其包含：一透明基板；一第一電極；一與該第一電極對置之第二電極；一在一由經融合之無機奈米粒子構成之導電無機半導體矩陣內包含核/殼量子點且不具有機配位體之多晶無機發光層，其中殼係完全環繞該核/殼量子點之各核，使得屬於各核之殼完全環繞該核，其中該核及殼材料係選自可使得其價帶及導帶水平能在很大程度上將核電洞及電子限制於量子點之核區域者，且其中各核/殼量子點具有大於2奈米之直徑，其中該無機奈米粒子具有不同於核/殼量子點之組成，且具有小於2奈米之直徑，無機奈米粒子與核/殼量子點之比例為至少2：1，且其中該第一電極為透明的且係形成於該透明基板上，該多晶無機發光層係形成於該第一電極上，且該第二電極係形成於該發光層上。
  2. 如請求項1之無機發光裝置，其中該第二電極具反射性。
  3. 如請求項1之無機發光裝置，其中該第二電極為透明的。
  4. 如請求項1之無機發光裝置，其中該裝置為一顯示背光源、多色顯示器、全彩顯示器、單色顯示器或燈。
  5. 如請求項1之無機發光裝置，其中由該發光層發射之光為白光。
  6. 一種無機發光裝置，其包含：一基板；一第一電極；一與該第一電極對置之第二電極；一在一由經融合之無機 奈米粒子構成之導電無機半導體矩陣內包含核/殼量子點且不具有機配位體之多晶無機發光層，其中殼係完全環繞該核/殼量子點之各核，使得屬於各核之殼完全環繞該核，其中該核及殼材料係選自可使得其價帶及導帶水平能在很大程度上將核電洞及電子限制於量子點之核區域者，且其中各核/殼量子點具有大於2奈米之直徑；其中該無機奈米粒子具有不同於核/殼量子點之組成，且具有小於2奈米之直徑，無機奈米粒子與核/殼量子點之比例為至少2：1，且其中該第一電極係反射性且形成於該基材上，該多晶無機發光層係形成在該第一電極上，且該第二電極係形成在該發光層上，且為透明。
  7. 如請求項6之無機發光裝置，其中該裝置為一顯示背光源、多色顯示器、全彩顯示器、單色顯示器或燈。
  8. 如請求項6之無機發光裝置，其中由該發光層發射之光為白光。
  9. 一種無機發光裝置，其包括複數個獨立受控發光元件，其中至少一個發光元件包含：一第一圖案化電極；一與該第一電極對置之第二電極；及一在一形成於該等電極之間的由經融合之無機奈米粒子構成之導電半導體矩陣內包含核/殼量子點且不具有機配位體之多晶無機發光層，其中殼係完全環繞該核/殼量子點之各核，使得屬於各核之殼完全環繞該核，其中該核及殼材料係選自可使得其價帶及導帶水平能在很大程度上將核電洞及電子限制於量子點之核區域者，且其中各核/殼量子點具有大於 2奈米之直徑，其中該無機奈米粒子具有不同於核/殼量子點之組成，且具有小於2奈米之直徑，無機奈米粒子與核/殼量子點之比例為至少2：1。
  10. 如請求項9之無機發光裝置，其中該圖案化第一電極係由形成於一基板上之薄膜電子組件或一形成於該基板外之驅動電路獨立地控制。
  11. 如請求項9之無機發光裝置，其中該等獨立受控發光元件發射具有不同顏色之光。
  12. 如請求項10之無機發光裝置，其中該等薄膜電子組件包含結晶、多晶或非晶形半導體材料。
  13. 如請求項9之無機發光裝置，其中該裝置為一顯示背光源、多色顯示器、全彩顯示器、單色顯示器或照明裝置。
  14. 如請求項9之無機發光裝置，其中由該發光層發射之光為白光。
  15. 如請求項9之無機發光裝置，其中各發光元件之該等核/殼量子點具有選自紫外、藍色、青色、綠色、黃色、洋紅色、紅色或紅外發射波長或其組合之發射波長。
  16. 如請求項9之無機發光裝置，其中該多晶無機發光層係自一核/殼量子點及半導體矩陣奈米粒子之膠狀分散液之退火膜形成。
  17. 一種製造一無機發光裝置之方法，其包含：(a)提供一基板；(b)在該基板上形成一圖案化第一電極； (c)在該圖案化第一電極上形成一在一由經融合之無機奈米粒子構成之導電無機半導體矩陣內包含核/殼量子點且不具有機配位體之多晶無機發光層，其中殼係完全環繞該核/殼量子點之各核，使得屬於各核之殼完全環繞該核，其中該核及殼材料係選自可使得其價帶及導帶水平能在很大程度上將核電洞及電子限制於量子點之核區域者，且其中各核/殼量子點具有大於2奈米之直徑，其中該無機奈米粒子具有不同於核/殼量子點之組成，且具有小於2奈米之直徑，無機奈米粒子與核/殼量子點之比例為至少2：1；及(d)在該無機發光層上形成一與該第一電極對置之第二電極。
  18. 如請求項17之方法，其中步驟c另外包含：(i)提供該等核/殼量子點及半導體矩陣奈米粒子之膠狀分散液；(ii)沈積該膠狀分散液以形成一膜；及(iii)退火該膜以形成該多晶無機發光層。
  19. 如請求項17之方法，其另外包含在該基板上形成薄膜電子組件以用於驅動該多晶無機發光層。
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