KR101916245B1 - 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치 - Google Patents

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Abstract

광학 부재 및 액정표시장치가 개시된다. 광학 부재는 호스트; 상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들; 및 상기 파장 변환 입자들에 각각 인접하는 다수 개의 전자 수용 입자들을 포함한다.

Description

광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치{OPTICAL MEMBER AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}
실시예는 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
최근 종래의 CRT를 대신하여 액정표시장치(LCD), PDP(plasma display panel), OLED(organic light emitting diode) 등의 평판표시장치가 많이 개발되고 있다.
이 중 액정표시장치는 박막트랜지스터 기판, 컬러필터 기판 그리고 양 기판 사이에 액정이 주입되어 있는 액정표시패널을 포함한다. 액정표시패널은 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판의 하면에는 빛을 공급하기 위한 백라이트 유닛이 위치한다. 백라이트 유닛에서 조사된 빛은 액정의 배열상태에 따라 투과량이 조정된다.
백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 에지형과 직하형으로 구분된다. 에지형은 도광판의 측면에 광원이 설치되는 구조이다.
직하형은 액정표시장치의 크기가 대형화되면서 중점적으로 개발된 구조로서, 액정표시패널의 하부면에 하나 이상의 광원을 배치시켜 액정표시패널에 전면적으로 빛을 공급하는 구조이다.
이러한 직하형 백라이트 유닛은 에지형 백라이트 유닛에 비해 많은 수의 광원을 이용할 수 있어 높은 휘도를 확보할 수 있는 장점이 있는 반면, 휘도의 균일성을 확보하기 위하여 에지형에 비하여 두께가 두꺼워지는 단점이 있다.
이를 극복하기 위해, 백라이트 유닛을 구성하는 청색 광을 발진하는 블루 LED의 전방에 청색 광을 받으면 적색파장 또는 녹색파장으로 변환되는 다수의 양자점이 분산된 양자점바를 구비시켜, 상기 양자점바에 청색 광을 조사함으로써, 양자점바에 분산된 다수의 양자점들에 의해 청색광, 적색 광 및 녹색 광이 혼합된 광이 도광판으로 입사되어 백색광을 제공한다.
이때, 상기 양자점바를 이용하여 도광판에 백색광을 제공할 경우 고색재현을 구현할 수 있다.
상기 백라이트 유닛은 청색 광을 발진하는 블루 LED의 일측에 LED와 신호를 전달하고, 전원공급하기 위한 FPCB(Flexible Printed Circuits Board)가 구비되며, FPCB의 하면에는 접착부재가 더 구비될 수 있다.
이와 같이, 블루 LED로부터 발진하는 광이 누출되면 양자점바를 통해 도광판에 제공되는 백색광을 사용하여 다양한 형태로 영상을 표시하는 표시장치가 널리 사용되고 있다.
이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0068110 등에 개시되어 있다.
실시예는 향상된 광학적 특성을 가지는 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치를 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 광학 부재는 호스트; 상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들; 및 상기 파장 변환 입자들에 각각 인접하는 다수 개의 전자 수용 입자들을 포함한다.
일 실시예에 따른 광학 부재는 호스트; 및 상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 복합체들을 포함하고, 각각의 파장 변환 복합체는 파장 변환 입자; 및 상기 파장 변환 입자에 연결되는 리간드; 및 상기 리간드에 연결되는 전자 수용 입자를 포함한다.
일 실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터의 광이 입사되는 파장 변환 부재; 및 상기 파장 변환 부재로부터의 광이 입사되는 표시패널을 포함하고, 상기 파장 변환 부재는 호스트; 상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들; 및 상기 파장 변환 입자들에 각각 인접하는 다수 개의 전자 수용 입자들을 포함한다.
실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 상기 파장 변환 입자들에 각각 인접하는 전자 수용 입자들을 포함한다. 이때, 상기 파장 변환 입자들에 광이 입사되어 형성되는 전자 중 일부는 상기 전자 수용 입자들에 임시 수용된 후, 상기 파장 변환 입자들에 다시 공급된다. 이와 같이, 공급된 전자에 의해서, 상기 파장 변환 입자들은 다시 발광하게 된다.
이에 따라서, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 광 전자 효과를 극대화시키고, 광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 입사광에 의해서, 여기된 광은 여러 단계를 거쳐서 그라운드 상태로 내려간다.
실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 색 재현율을 향상시키고, 색 재현 지속성을 증가시킬 수 있다. 이에 따라서, 색좌표 변화율이 감소될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 파장 변환 효율을 향상시켜서, 향상된 광 특성을 가질 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 단면도이다.
도 6은 파장 변환 복합체를 도시한 도면이다.
도 7은 파장 변환 복합체를 제조하는 과정을 도시한 도면이다.
도 8 내지 도 10은 실시예에 따른 파장 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 3은 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 4는 도 3에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 5는 다른 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 단면도이다. 도 6은 파장 변환 복합체를 도시한 도면이다. 도 7은 파장 변환 복합체를 제조하는 과정을 도시한 도면이다. 도 8 내지 도 10은 실시예에 따른 파장 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 몰드 프레임(10), 백라이트 어셈블리(20) 및 액정패널(30)을 포함한다.
상기 몰드 프레임(10)은 상기 백라이트 어셈블리(20) 및 상기 액정패널(30)을 수용한다. 상기 몰드 프레임(10)은 사각 틀 형상을 가지며, 상기 몰드 프레임(10)으로 사용하는 물질의 예로서는 플라스틱 또는 강화 플라스틱 등을 들 수 있다.
또한, 상기 몰드 프레임(10) 아래에는 상기 몰드 프레임(10)을 감싸며, 상기 백라이트 어셈블리(20)를 지지하는 샤시가 배치될 수 있다. 상기 샤시는 상기 몰드 프레임(10)의 측면에도 배치될 수 있다.
상기 백라이트 어셈블리(20)는 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치되며, 광을 발생시켜 상기 액정패널(30)을 향하여 출사한다. 상기 백라이트 어셈블리(20)는 반사시트(100), 도광판(200), 발광다이오드(300), 파장 변환 부재(400), 다수 개의 광학 시트들(500) 및 연성인쇄회로기판(flexible printed circuit board;FPCB)(600)을 포함한다.
상기 반사시트(100)는 상기 발광다이오드(300)로부터 발생하는 광을 상방으로 반사시킨다.
상기 도광판(200)은 상기 반사시트(100) 상에 배치되며, 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 반사, 굴절 및 산란 등을 통해서 상방으로 반사시킨다.
상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드(300)를 향하는 입사면을 포함한다. 즉, 상기 도광판(200)의 측면들 중 상기 발광다이오드(300)를 향하는 면이 입사면이다.
상기 발광다이오드(300)는 상기 도광판(200)의 측면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 발광다이오드(300)는 상기 입사면에 배치된다.
상기 발광다이오드(300)는 광을 발생시키는 광원이다. 더 자세하게, 상기 상기 발광다이오드(300)는 상기 파장 변환 부재(400)를 향하여 광을 출사한다.
상기 발광다이오드(300)는 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드(300) 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드(300)일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드(300)는 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.
상기 발광다이오드(300)는 상기 연성인쇄회로기판(600)에 실장된다. 상기 발광다이오드(300)는 상기 연성인쇄회로기판(600) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드(300)는 상기 연성인쇄회로기판(600)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.
상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300) 및 상기 도광판(200) 사이에 개재된다. 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)의 측면에 접착된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)의 입사면에 부착된다. 또한, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)에 접착될 수 있다.
상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 상기 파장 변환 부재(400)를 통과하는 광 및 상기 파장 변환 부재(400)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 도광판(200)에는 백색광이 입사될 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(400)는 튜브(410), 밀봉부(420), 다수 개의 파장 변환 입자들(430), 다수 개의 전자 수용 입자들(460) 및 호스트(440)를 포함한다. 또한, 상기 파장 변환 부재(400)는 분산제를 추가로 더 포함할 수 있다.
상기 튜브(410)는 상기 밀봉부(420), 상기 파장 변환 입자들(430) 및 상기 호스트(440)를 수용한다. 즉, 상기 튜브(410)는 상기 밀봉부(420), 상기 파장 변환 입자들(430) 및 상기 호스트(440)를 수용하는 수용부이다. 또한, 상기 튜브(410)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가진다.
상기 튜브(410)는 사각 파이프 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)의 길이 방향에 대하여 수직한 단면은 직사각형 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 튜브(410)의 길이 방향에 대하여 수직한 단면의 폭은 약 0.6㎜이고, 상기 튜브(410)의 길이 방향에 대하여 수직한 단면의 높이는 약 0.2㎜일 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)는 모세관일 수 있다.
상기 튜브(410)는 투명하다. 상기 튜브(410)로 사용되는 물질의 예로서는 유리 등을 들 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)는 유리 모세관일 수 있다.
상기 밀봉부(420)는 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다. 상기 밀봉부(420)는 상기 튜브(410)의 끝단에 배치된다. 상기 밀봉부(420)는 상기 튜브(410)의 내부를 밀봉한다. 상기 밀봉부(420)는 에폭시계 수지(epoxy resin)를 포함할 수 있다.
상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 호스트(440)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트(440)는 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다.
상기 파장 변환 입자(430)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 파장 변환 입자(430)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 입자(430)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자(430) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자(430) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이와는 다르게, 상기 파장 변환 입자(430)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자(430) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자(430) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 입자(430) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
즉, 상기 발광다이오드(300)가 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드(300)인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자(430)가 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드(300)가 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드(300)인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자(430)가 사용될 수 있다.
상기 파장 변환 입자(430)의 직경은 약 1 nm 내지 10 nm일 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자(430)는 나노 입자일 수 있다.
상기 파장 변환 입자(430)는 양자점(QD, Quantum Dot)일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정(431) 및 상기 코어 나노 결정(431)을 둘러싸는 껍질 나노 결정(432)을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정(432)은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정(432)은 상기 코어 나노 결정(431)의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나노 결정(431)으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정(432)을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정(431)은 CdSe, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정(432)은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 예를 들어, 상기 양자점의 크기에 따라 조절이 가능하다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
상기 양자점을 안정화 시키기 위해서, 안정화 안정화 리간드는 상기 양자점에 결합된다. 더 자세하게, 상기 안정화 리간드의 일 끝단이 상기 양자점에 결합될 수 있다. 또한, 상기 안정화 리간드는 상기 양자점의 주위를 둘러싼다. 더 자세하게, 상기 안정화 리간드의 일 끝단이 상기 양자점의 외부 표면에 결합되어, 상기 양자점의 주위를 둘러쌀 수 있다.
또한, 상기 안정화 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 안정화 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 안정화 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.
상기 안정화 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 또는 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 안정화 리간드는 폴리에틸렌이민, 3-아미노 프로필트리메톡시 실란, 메르캅토아세틱산, 3-메르캅토프로필 트리메톡시 실란 또는 3-메르캅토프로피오닉산(3-mercaptopropionic acid) 등을 포함할 수 있다. 이외에도, 상기 안정화 리간드로 다양한 친수성 유기 리간드가 사용될 수 있다.
상기 전자 수용 입자들(460)은 상기 호스트(440) 내에 배치된다. 상기 전자 수용 입자들(460)은 상기 파장 변환 입자들(430)에 각각 인접하여 배치된다. 더 자세하게, 상기 전자 수용 입자들(460)은 상기 파장 변환 입자들(430)과 서로 인접할 수 있다. 즉, 상기 전자 수용 입자들(460)은 상기 파장 변환 입자들(430)에 각각 인접하면서, 동시에, 상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 전자 수용 입자들(460)에 각각 인접한다. 또한, 상기 전자 수용 입자들(460)은 상기 파장 변환 입자들(430)의 주위에 각각 배치될 수 있다.
각각의 파장 변환 입자(430) 및 각각의 전자 수용 입자(460) 사이의 거리는 약 10㎚ 내지 약 50㎚일 수 있다.
상기 전자 수용 입자들(460)은 도전체이다. 더 자세하게, 상기 전자 수용 입자들(460)은 금속을 포함할 수 있다. 즉, 상기 전자 수용 입자들(460)은 금속 입자일 수 있다. 상기 전자 수용 입자들(460)로 사용되는 물질의 예로서는 금, 은 또는 알루미늄 등을 들 수 있다.
상기 전자 수용 입자들(460)의 직경은 약 1㎚ 내지 약 10㎚일 수 있다. 즉, 상기 전자 수용 입자들(460)은 나노 입자일 수 있다.
상기 파장 변환 입자들(430)의 개수 및 상기 전자 수용 입자들(460)의 개수의 비는 약 4:1 내지 약 1:4일 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자들(430)의 개수는 상기 전자 수용 입자들(460)의 개수와 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 전자 수용 입자들(460)은 도전체이기 때문에, 상기 파장 변환 입자들(430)로부터 생성되는 전자의 일부를 용이하게 임시 수용할 수 있다. 특히, 상기 전자 수용 입자들(460) 및 상기 파장 변환 입자들(430) 사이의 거리가 약 10㎚ 내지 약 50㎚인 경우, 상기 전자 수용 입자들(460)은 상기 파장 변환 입자들(430)과 전자를 주고 받을 수 있다.
상기 호스트(440)는 상기 파장 변환 입자들(430)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트(440)는 상기 파장 변환 입자들(430)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트(440)는 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트(440)는 투명하다. 즉, 상기 호스트(440)는 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 호스트(440)는 상기 튜브(410) 내부에 배치된다. 즉, 상기 호스트(440)는 전체적으로 상기 튜브(410) 내부에 채워진다. 상기 호스트(440)는 상기 튜브(410)의 내면에 밀착될 수 있다.
상기 밀봉부(420) 및 상기 호스트(440) 사이에는 공기층(450)이 형성된다. 상기 공기층(450)에는 질소로 채워진다. 상기 공기층(450)은 상기 밀봉부(420) 및 상기 호스트(440) 사이에서 완충 기능을 수행한다.
또한, 상기 호스트(440) 내에 분산제가 첨가될 수 있다. 상기 분산제는 상기 호스트(440) 내에 배치된다. 상기 분산제는 상기 파장 변환 부재(400)가 제조되는 과정에서, 상기 파장 변환 입자들(430)을 상기 호스트(440) 내에 균일하게 분사시키는 기능을 수행할 수 있다.
상기 분산제의 예로서는 실리콘 오일계 분산제, 소듐 도데실 벤젠 설포네이트, 디소듐 에톡실레이트 노닐페놀 하프 에스테르 설포석시네이트 또는 디옥틸 에스테르 소듐 설포석시네이트 등을 들 수 있다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 파장 변환 입자들(430) 및 상기 전자 수용 입자들(460)을 파장 변환 복합체(480)의 형태로 포함할 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(400)는 다수 개의 파장 변환 복합체들(480)을 포함한다.
상기 파장 변환 복합체들(480)은 파장 변환 입자(430), 전자 수용 입자(460) 및 연결 리간드(470)를 포함한다.
상기 파장 변환 입자(430) 및 상기 전자 수용 입자(460)는 서로 결합된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자(430) 및 상기 전자 수용 입자(460)는 상기 연결 리간드(470)에 의해서, 연결된다. 상기 연결 리간드(470)의 일 끝단은 상기 파장 변환 입자(430)에 결합되고, 다른 끝단은 상기 전자 수용 입자(460)에 결합될 수 있다. 상기 연결 리간드(470)는 상기 파장 변환 입자(430) 및 상기 전자 수용 입자(460) 사이의 간격을 원하는 만큼 이격시킬 정도의 길이를 가지는 유기 물질이다. 예를 들어, 상기 연결 리간드(470)는 의 길이는 약 10㎚ 내지 약 50㎚일 수 있다.
상기 연결 리간드(470)의 예로서는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine), 포스핀 산화물(phosphine oxide), 폴리에틸렌이민, 3-아미노 프로필트리메톡시 실란, 메르캅토아세틱산, 3-메르캅토프로필 트리메톡시 실란 또는 3-메르캅토프로피오닉산(3-mercaptopropionic acid) 등을 들 수 있다.
상기 연결 리간드(470)는 상기 양자점을 안정화시키기 위한 안정화 리간드(433)에 결합될 수 있다. 즉, 상기 연결 리간드(470)는 상기 안정화 리간드(433)와 화학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 연결 리간드(470) 및 상기 안정화 리간드(433) 등은 중축합 반응 등과 같은 축합 반응에 의해서 서로 결합될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 연결 리간드(470)은 상기 파장 변환 입자(430)에 직접 결합될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 파장 변환 복합체(480)는 다음과 같은 방법에 의해서 형성될 수 있다.
먼저, 습식 방법으로 코어 나노 결정(431)이 형성될 수 있다. 즉, 전구체 물질들이 용매에서 반응하여, 결정이 성장되고, 상기 코어 나노 결정(431)이 형성될 수 있다.
예를 들어, CdS 코어 나노 결정을 형성하기 위해서, 트라이옥틸포스파인 옥사이드(Tri-n-octylphosphine oxide; TOPO), 트라이부틸포스파인(Tri-butylphosphine; TBP) 및 헥사데실아민(Hexadecylamine; HDA)을 계면활성제와 용매가 사용될 수 있다.
또한, 카드뮴 전구체 물질로는 카드뮴 옥사이드(CdO), 카드뮴 설페이트 또는 카드뮴 아세테이트 등이 사용될 수 있고, 황 전구체 물질로는 메르캅토 에탄올 또는 소듐 설파이드(sodium sulfide;Na2S) 등이 사용될 수 있다.
또한, 껍질 나노 결정(432)도 습식 방법으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 코어 나노 결정(431)을 포함하는 용액에 전구체 물질을 추가하여, 반응시키고, 결정이 성장되어, 상기 껍질 나노 결정(432)이 형성될 수 있다.
예를 들어, CdS/ZnS 구조의 양자점을 형성하기 위해서, 상기 CdS 코어 나노 결정(431)을 포함하는 용액에 아연 전구체 물질 및 상기 황 전구체 물질이 주입될 수 있다. 상기 아연 전구체 물질 및 상기 황 전구체 물질의 반응에 의해서, 껍질 나노 결정(432)이 형성되고, 상기 CdS/ZnS 구조의 양자점이 형성될 수 있다. 상기 아연 전구체 물질의 예로서는 징크 아세테이트(Zn(CH3COO)2) 등을 들 수 있다.
또한 CdSe/ZnS 구조의 양자점도 위와 유사한 방식으로 형성될 수 있다.
이후, 다수 개의 안정화 리간드(433)가 상기 양자점과 같은 파장 변환 입자(430)에 결합될 수 있다. 상기 양자점(431)을 포함하는 용액에 상기 안정화 리간드(433)가 추가되고, 상기 안정화 리간드(433)가 상기 양자점(431)에 결합될 수 있다.
예를 들어, 상기 CdS/ZnS 구조 또는 CdSe/ZnS 구조의 양자점을 포함하는 용액에, 메르캅토 아세닉산이 첨가되어, 메르캅토 아세닉산은 상기 양자점에 결합될 수 있다. ZnS 표면의 하이드록실 그룹(-OH)과 메르캅토 아세닉산의 카르복실 그룹(-COOH)이 탈수반응하여 결합될 수 있다. 또한, 아연(Zn) 원자와 메르캅토 아세닉산의 에시드(MAA)의 황(S)이 매우 친숙(affinity)하기 때문에, 메르캅토 아세닉산은 CdS/ZnS 구조의 양자점에 용이하게 결합될 수 있다.
이후, 상기 안정화된 양자점을 포함하는 용액에, 다수 개의 전자 수용 입자들(460) 및 연결 리간드(470)를 포함하는 용액이 첨가된다. 예를 들어, 금 나노 입자들, 은 나노 입자들 또는 알루미늄 나노 입자들은 메틸 에틸 케톤(methyl ethyl ketone;MEK) 등과 같은 용매에 균일하게 분산된다. 이후, 상기 분산액에 3-메르캅토프로필트리메톡시실란(3-mercapto propyl trimethoxy silane) 등이 첨가되고, 이와 같은 혼압액은 약 50℃ 내지 약 80℃의 온도에서, 약 8시간 동안 반응하여, 상기 전자 수용 입자들(460)에 상기 연결 리간드(470)가 결합될 수 있다. 이때, 혼합물에는 계면 활성제가 더 추가될 수 있다.
이후, 상기 전자 수용 입자들(460) 및 상기 연결 리간드(470)가 결합된 반응액은 상기 양자점을 포함하는 용액에 첨가되고, 반응된다. 예를 들어, 이와 같이 형성된 반응액은 상기 양자점을 포함하는 용액에 첨가되고, 약 70℃에서, 약 4시간 동안, 반응될 수 있다. 이후, 상기 용매는 약 90℃에서 제거되고, 상기 파장 변환 복합체들(480)이 형성될 수 있다.
상기 파장 변환 부재(400)는 다음과 같은 공정에 의해서 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 실리콘계 수지 등을 포함하는 수지 조성물에 파장 변환 입자들(430) 및 전자 수용 입자들(460)이 균일하게 분산된다. 이때, 상기 파장 변환 입자들(430) 및 상기 전자 수용 입자들(460) 사이의 거리가 약 10㎚ 내지 약 50㎚일 수 있도록, 상기 파장 변환 입자들(430) 및 상기 전자 수용 입자들(460)의 개수가 적절하게 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 파장 변환 입자들(430)은 약 88 개/㎛2 내지 약 796 개/㎛2의 농도로, 상기 수지 조성물에 분산될 수 있다. 마찬가지로, 상기 전자 수용 입자들(460)도 약 88 개/㎛2 내지 약 796 개/㎛2의 농도로, 상기 수지 조성물에 분산될 수 있다.
이와는 다르게, 파장 변환 입자들(430) 및 상기 전자 수용 입자들(460)은 도 5 및 도 6의 상기 파장 변환 복합체(480)의 형태로 서로 결합될 수 있다. 상기 파장 변환 복합체들(480)은 상기 수지 조성물에 균일하게 분산될 수 있다.
이후, 상기 파장 변환 입자들(430) 및 상기 전자 수용 입자들(460)이 분산된 수지 조성물은 상기 튜브(410) 내에 유입된다.
도 9를 참조하면, 상기 튜브(410) 내로 유입된 수지 조성물(441)은 자외선 등에 의해서 경화되고, 상기 호스트(440)가 형성된다.
도 10을 참조하면, 상기 튜브(410)의 입구 부분에 에폭시계 수지 조성물이 유입된다. 이후, 유입된 에폭시계 수지 조성물(441)은 경화되고, 상기 밀봉부(420)가 형성된다. 상기 밀봉부(420)가 형성되는 공정은 질소 분위기에서 진행되고, 이에 따라서, 질소를 포함하는 공기층(450)이 상기 밀봉부(420) 및 상기 호스트(440) 사이에 형성될 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)에 접착된다. 상기 파장 변환 부재(400) 및 상기 도광판(200) 사이에는 제 1 접착층(201)이 개재되고, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 제 1 접착층(201)을 통하여, 상기 도광판(200)의 측면에 접착된다.
상기 제 1 접착층(201)은 투명하다. 상기 제 1 접착층(201)으로 사용되는 물질의 예로서는 에폭시계 수지 또는 아크릴계 수지 등을 들 수 있다.
상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)에 접착된다. 상기 파장 변환 부재(400) 및 상기 발광다이오드(300) 사이에는 제 2 접착층(301)이 개재된다. 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 제 2 접착층(301)을 통하여, 상기 발광다이오드(300)의 출사면에 접착될 수 있다.
상기 파장 변환 부재(400)는 상기 제 2 접착층(301)에 밀착된다. 더 자세하게, 상기 튜브(410)는 상기 제 2 접착층(301)에 밀착된다. 상기 제 2 접착층(301)은 투명하다. 상기 제 2 접착층(301)으로 사용되는 물질의 예로서는 에폭시계 수지 또는 아크릴계 수지 등을 들 수 있다.
상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 통과하는 광의 특성을 향상시킨다.
상기 연성인쇄회로기판(600)은 상기 발광다이오드(300)에 전기적으로 연결된다. 상기 발광다이오드(300)를 실장할 수 있다. 상기 연성인쇄회로기판(600)은 연성인쇄회로기판이며, 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치된다. 상기 연성인쇄회로기판(600)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다.
상기 몰드 프레임(10) 및 상기 백라이트 어셈블리(20)에 의해서 백라이트 유닛이 구성된다. 즉, 상기 백라이트 유닛은 상기 몰드 프레임(10) 및 상기 백라이트 어셈블리(20)를 포함한다.
상기 액정패널(30)은 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치되고, 상기 광학시트들(500)상에 배치된다.
상기 액정패널(30)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(300)은 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(30)은 TFT기판, 컬러필터기판, 두 기판들 사이에 개재되는 액정층 및 편광필터들을 포함한다.
앞서 설명한 바와 같이, 상기 파장 변환 입자들(430) 및 상기 전자 수용 입자들(460)은 각각 서로 인접한다. 이때, 상기 파장 변환 입자들(430)에 광이 입사되어 형성되는 전자 중 일부는 상기 전자 수용 입자들(460)에 임시 수용된 후, 상기 파장 변환 입자들(430)에 다시 공급된다. 이와 같이, 공급된 전자에 의해서, 상기 파장 변환 입자들(430)은 다시 발광하게 된다.
이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 광 전자 효과를 극대화시키고, 광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 입사광에 의해서, 여기된 광은 여러 단계를 거쳐서 그라운드 상태로 내려간다.
이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 색 재현율을 향상시키고, 색 재현 지속성을 증가시킬 수 있다. 이에 따라서, 색 좌표 변화율이 감소될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 파장 변환 효율을 향상시켜서, 향상된 광 특성을 가질 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 튜브;
    상기 튜브 내의 호스트;
    상기 튜브의 일 끝단에 배치되는 밀봉부;
    상기 밀봉부 및 상기 호스트 사이에 배치되는 공기층;
    상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 양자점들; 및
    상기 호스트 내에 배치되고, 상기 양자점들에 각각 인접하는 다수 개의 전자 수용 입자들을 포함하고,
    상기 전자 수용 입자들은 금속을 포함하고,
    각각의 양자점 및 각각의 전자 수용 입자 사이의 거리는 10㎚ 내지 50㎚인 광학 부재.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 각각의 양자점 및 상기 각각의 전자 수용 입자를 연결시키는 리간드를 더 포함하는 광학 부재.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 전자 수용 입자들의 직경은 1㎚ 내지 10㎚인 광학 부재.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 양자점들의 개수 및 상기 전자 수용 입자들의 개수의 비는 4:1 내지 1:4인 광학 부재.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 광원;
    상기 광원으로부터의 광이 입사되는 파장 변환 부재; 및
    상기 파장 변환 부재로부터의 광이 입사되는 표시패널을 포함하고,
    상기 파장 변환 부재는
    튜브;
    상기 튜브 내의 호스트;
    상기 튜브의 일 끝단에 배치되는 밀봉부;
    상기 밀봉부 및 상기 호스트 사이에 배치되는 공기층;
    상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 양자점들; 및
    상기 호스트 내에 배치되고, 상기 양자점들에 각각 인접하는 다수 개의 전자 수용 입자들을 포함하고,
    상기 전자 수용 입자들은 금속을 포함하고,
    각각의 양자점 및 각각의 전자 수용 입자 사이의 거리는 10㎚ 내지 50㎚인 표시장치
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 전자 수용 입자들은 금, 은 또는 알루미늄을 포함하는 표시장치.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101262634B1 (ko) * 2011-03-14 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 표시장치
EP3179524A4 (en) * 2014-08-06 2018-04-11 NS Materials Inc. Resin molded article, method for producing same, wavelength conversion member and lighting member
KR102318262B1 (ko) * 2015-03-11 2021-10-27 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
CN104914620B (zh) * 2015-06-02 2019-01-15 武汉华星光电技术有限公司 灯条及背光模组
DE102015114175A1 (de) * 2015-08-26 2017-03-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von lichtemittierenden Halbleiterbauteilen und lichtemittierendes Halbleiterbauteil
KR20190042633A (ko) * 2016-08-22 2019-04-24 메르크 파텐트 게엠베하 광학 디바이스용 혼합물
KR20180036227A (ko) * 2016-09-30 2018-04-09 삼성전자주식회사 양자점 유닛, 이를 포함하는 양자점 시트 및 양자점 유닛 또는 양자점 시트를 포함하는 디스플레이장치
KR102627073B1 (ko) * 2016-11-30 2024-01-19 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛, 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008050379A (ja) 2005-08-10 2008-03-06 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2008088399A (ja) 2006-02-10 2008-04-17 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置
JP2008538531A (ja) 2005-04-22 2008-10-30 セルドン テクノロジーズ，エルエルシー カーボンナノチューブを含む物品および流体の浄化にこれを使用するための方法
WO2009137053A1 (en) * 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7481562B2 (en) * 2004-11-18 2009-01-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for providing illuminating light using quantum dots
WO2006129228A2 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising color deficiency compensating luminescent material
CN101568617B (zh) * 2006-11-01 2013-05-01 维克森林大学 固态照明组合物和系统
US7888700B2 (en) * 2007-03-08 2011-02-15 Eastman Kodak Company Quantum dot light emitting device
KR101730164B1 (ko) 2007-07-18 2017-04-25 삼성전자주식회사 고체 조명에 유용한 양자점-기반 광 시트
TW200912478A (en) 2007-07-31 2009-03-16 Luminus Devices Inc Illumination assembly including wavelength converting material having spatially varying density
US8337029B2 (en) * 2008-01-17 2012-12-25 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
TWI373859B (en) 2008-06-06 2012-10-01 Univ Nat Taiwan White light-emitting diode, and method for improving a white light-emitting diode
KR101577300B1 (ko) * 2008-10-28 2015-12-15 삼성디스플레이 주식회사 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
US8649443B2 (en) 2009-04-28 2014-02-11 Texas Instruments Incorporated OFDM-lite architecture for HomePlug
KR101711085B1 (ko) * 2009-10-09 2017-03-14 삼성전자 주식회사 나노 복합 입자, 그 제조방법 및 상기 나노 복합 입자를 포함하는 소자
JP4991001B2 (ja) * 2009-12-28 2012-08-01 シャープ株式会社 照明装置
KR101261461B1 (ko) * 2010-07-14 2013-05-10 엘지이노텍 주식회사 액정 표시 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008538531A (ja) 2005-04-22 2008-10-30 セルドン テクノロジーズ，エルエルシー カーボンナノチューブを含む物品および流体の浄化にこれを使用するための方法
JP2008050379A (ja) 2005-08-10 2008-03-06 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2008088399A (ja) 2006-02-10 2008-04-17 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置
WO2009137053A1 (en) * 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Chemical Communications, YI FU et al., pages 313-315(2008.11.19. 공개)*

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