TW200844562A - Active matrix substrate and method for producing the same - Google Patents
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200844562 . 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明，係關於主動矩陣式基板及其製造方法。 【先前技術】 主動矩陣式基板’係於基板上，於互相正交配置之複 數條閘極信號線與源極信號線之交點精由薄膜電晶體（tft) ξ'Λ 配置像素電極者。所關基板，係使用於主動矩陣型平面顯 示裝置。於主動矩陣型平面顯示裝置，由於各顯示像素以 TFT(開關元件）個別控制，相較於被動矩陣型平面顯示裝置 較不容易發生串擾，適於高精細化及大容量化。 圖6係先前的主動矩陣式基板上之導體電路之一例之 說明圖。於正交配置於基板上之閘極信號線12與源極信號 線13之交點配置作為開關元件之TFTU。依照施加於閘極 電極15之電壓，由源極電極！ 6流向汲極電極丨7之電流量 ( 變化，該變化經由接觸孔傳輸至像素電極18。 先前的主動矩陣式基板，其構成多為具有··於形成tft 之陣列基板的表面，以濺鍍法、蒸鍍法或CVD法形成以氮 化矽等構成之鈍化膜，以層間絕緣膜使表面平坦化，於層 間絕緣膜上，設有以接觸孔聯接於TFT的汲極電極之像素 電極。例如，於專利文獻丨，揭示一種主動矩陣式基板， 其包含SiNx或Si〇2所構成之保護層（鈍化膜）；及苯併環丁 烯所構成之平坦化層（層間絕緣膜）。 另一方面，於專利文獻2,揭示一種主動矩陣式基板， 5 2232-9545-PF;Ahddub 200844562 其於像素電極與配線之間，形成：第1有機層間絕緣膜， 其係由直接覆蓋源極電極、源極配線、汲極電極及反向通 道之石夕氧烧樹脂構成；及第2有機層間絕緣膜，其係由丙 烯酸系樹脂構成，而TFT的通道部與直接接於下層之有機 層間絕緣膜。 專利文獻1 ··日本特開平1 0 — 96963號公報 專利文獻2 ··日本特開平u — 307778號公報 【發明内容】 [發明所欲解決的課題] 但疋，於该等專利文獻所述的主動矩陣式基板，雖在 衣k剛t束後TFT可正常動作，在濕熱下長時間使用時 特性有降低之問題被確認到。 因此，本發明之目的係在於提供即使在濕熱下長時間 使用時，TFT動作安定，且可簡便地製造之主動矩陣式基 板及其製造方法。 [用以解決課題的手段] 本發明者們，為解決上述課題反覆銳意研究的結果， 發現於形成有包含薄膜電晶體之導體電路之基材表面上， 藉由依序層積：由石夕院偶合劑所構成之密著劑層；呈有質 子性極性基之環狀稀煙系聚合物之架橋體所構成之錢伴 護膜，而製造主動矩陳式美缸 男械保 陣式基板，可解決上述課 成本發明。 ^ ^ 即，本發明，提供： 2232-9545-PF；Ahddub 6 200844562 • [1 ] 一種主動矩陣式基板，其係於基板上形成包含薄膜 電晶體之導體電路者，其係於形成導體電路之基材表面 上，依序層積：由石夕烧偶合劑所構成之密著劑層；及具有 質子性極性基之環狀烯烴系聚合物之架橋體所構成之有機 保護膜； [2] [1]所述的主動矩陣式基板，其中密著劑層係由液 狀矽烷偶合劑所構成者； f [3][1]或[2]所述的主動矩陣式基板，其中矽烷偶合劑 係具有環氧基者； [4] 一種[1]所述的主動矩陣式基板之製造方法，並包 含： /、 (1) 於形成導體電路之基材表面上形成由矽烷偶合劑 所構成之密著劑層之步驟； (2) 於步驟（1)所形成之密著劑層上，形成由感放射線 『 性樹脂組合物所構成之樹月旨膜之步驟，該感放射線性樹月旨 L 組合物包含具有質子性極性基之環狀烯烴系聚合物；及 (3) 將步驟（2)所形成之樹脂膜架橋形成有機保護膜之 步驟； [5] [4]所述的主動矩陣式基板之製造方法，其中於步 驟⑴’將液狀矽烷偶合劑塗佈或印刷於形成導體電路之基 材表面上，或將基材浸潰於液狀矽烷偶合劑中拉起，接著， 藉由加熱乾燥形成密著劑層； [6] [4]或[5]所述的主動矩陣式基板之製造方法，其中 將步驟（2)以濕式法進行； 2232-9545-PF;Ahddub 7 200844562 [7 ][ 4 ]至[6 ]之任何1項所述的主動矩陣式基板之製 造方法中感放射線性樹脂組合，係進一步含有：架橋 劑、感放射線化合物及溶劑者； [8] —種主動矩陣式基板密著劑層形成用組合物，具有 環氧基之矽烷偶合劑溶解於有機溶劑及/或水而成；以及 [9] 一種平面顯示裝置，其包含：[丨]至[3]之任何^項 所述的主動矩陣式基板。 [發明之效果]
本發明之主動矩陣式基板，即使在濕熱下長時間使 用，仍可得TFT安定的動作。根據該基板，可得長壽命、 低消費電力且高對比而優良的主動矩陣型平面顯示裝置。 又，根據本發明之主動矩陣式基板之製造方法，可將 主動矩陣式基板以簡便的操作有效地製造。 【實施方式】 本發明之主動矩陣式基板，係於形成導體電路之基材 表面上，依序層積：由矽烷偶合劑所構成之密著劑層，具 有質子性極性基之環狀烯烴系聚合物之架橋體所構成之有 機保護膜而成者。 圖1係本發明之主動矩陣式基板之一態樣之1像素單 位之示意平面圖（la)及包含TFT部之部分剖面圖（ib)。於 本態樣，於基材1的表面，正交配置閘極信號線2與源極 信號線3，於其交點配置TFT4而形成導體電路。TFT4，具 有··閘極電極5、源極電極6及汲極電極7。於形成有包含 2232-9545-PF;Ahddub 8 200844562 • TFT4之導體電路之基材1之表面上形成由錢偶合劑 成之=著劑層8。於密著劑層8上，設置具有質子性極性 基之環狀烯烴系聚合物之架橋體所構成之有機保護膜9， 經由有機保護膜9之接觸孔10,連接汲極電極7與像素電 極11。再者，於本態樣，TFT在每！像素單位為1個，但 亦可根據所期望形成2個以上。 一 本發明之主動矩陣式基板之各構成要素，即，基材、 閘極信號線、源極信號線及TFT等之導體電路形成零件、 以及像素電極等，與例如，專利文獻丨或2所述先前的主 動矩陣式基板者相同，使用該等習知文獻所述的材料形成。 於本發明之主動矩陣式基板，通常，由矽烷偶合劑所 構成之密著劑層係形成於形成有導體電路之基材表面上之 全部或一部分。只要不阻礙本發明之效果，於基材與密著 劑層之間亦可存在有習知材料所構成之膜。密著劑層之厚 度並無特別限定，通常為0.1〜5〇nm，以1〜l〇nm為佳。 ^ 密著劑層只要是由矽烷偶合劑所構成者即可，使用之 夕烷偶a劑之性狀並無特別限定，由可對主動矩陣式基板 表面以均勻的厚度形成密著劑層之觀點，以液狀矽烷偶合 剑，即，使用以有機溶劑及/或水作為溶劑之矽烷偶合劑之 溶液形成較佳。關於液狀矽烷偶合劑將於後述。 矽烷偶合劑，通常，可良好地使用具有選自由乙烯基、 丙烯駄基、環氧基、胺基、巯基及烷氧基所組成之群之至 )'八有種活性基（反應性有機官能基）之石夕烧化合物。 使用於本發明之矽烷偶合劑，可舉例如，乙烯基三氯 2232-9545-PF；Ahddub 9 200844562 矽嫁、乙烯基三甲氧矽烷、乙烯基三乙氧矽烷、乙烯基一 三（/?-甲氧基乙氧基）矽烷等之乙烯基矽烷類；1 —甲氧丙 基三甲氧矽烷等之丙烯酸基矽烷類；2_(3,4-環氧環己基） 乙基二甲氧石夕烧、r -縮水甘油_氧丙基三甲氧石夕挽等之環 氧石夕烧類；r -胺基丙基三甲氧矽烷、7 —胺基丙基三乙氧 矽烷、N-/? -（胺基乙基）一 7 _胺基丙基三甲氧矽烷、N—(二 甲氧基甲基矽基丙基）乙烯二胺、N—(三甲氧基矽基丙基）
乙烯一胺等之胺基矽烧類；τ —巯基丙基三甲氧矽烷、/一 Μ基丙基三乙氧矽烷、7 —巯基丙基二甲氧基（甲基）矽烷、 r -巯基丙基二乙氧基（甲基）矽烷等之巯基矽烷類；烷氧矽 烷類；及、於烷氧矽烷之烷氧基部分的水解而得、於分子 内具有0-S1-0鍵結之募聚物等、烷氧矽烷部分水解生成物 等。所關寡聚物之聚合度，以2〜i 〇程度為佳。所關水解生 成物，可藉由例如，對烷氧矽烷之〇」〜1〇重量％，醇溶液， 或水及醇的混合溶液添加既定量的酸或鹼，根據所期望， 以10〜5CTC加熱1〜60分鐘程度而得。在此醇，通常，可良 好地使用甲醇、乙醇或異丙基醇。 該等矽烷偶合劑，可分別單獨或混合2種以上使用。 其中，自與用於形成有機保言蔓膜之具有質子性極性基 之環狀烯烴系、聚合物之反應性優良’㈣偶合劑，以具有 環氧基者為佳，通常，可良好地使用環氧矽烷類。 本發明之主動矩陣式基板，由在漢熱下長時間使用時 之m動作安定性更加優良的觀點，亦可於形成密著劑層 之基材表面進一步石夕基化“夕基化，，係實施於形成 2232-9545-pp;Ahddub 10 200844562 • 密著劑層之基材表面之全部。 於本說明書，矽基化，係將存在於形成密著劑層之基 材等之矽基化對象物之表面之質子以矽基取代。 利用於形成密著劑層之基材表面之矽基化之矽基並無 特別限定，可舉例如，二甲基矽基、三甲基矽基、三乙基 矽基、三異丙基矽基、第三丁基二甲基矽基、第三丁基二 本基矽基、三苯基矽基等。該等之中，可良好地利用三甲 ^ 基珍基。 ί... /在於本發明之主動矩陣式基板，具有質子性極性基之 裱狀烯烴系聚合物之架橋體所構成之有機保護膜，通常， 層積於矽烷偶合劑所構成之密著劑層上之全部或一部分。 只要不阻礙本發明之效果，於密著劑層與有機保護膜之間 亦可存在有習知材料所構成之膜。於本發明，有機保護膜 之厚度，通常為〇· 1〜100/z m，以〇· 5〜5〇// m為佳，以 〇.5〜30/ζπι 更佳。 於使用於本發明之具有質子性極性基之環狀烯烴系聚 5物所胃質子性極性基’係指於碳原子以外的原子直接 鍵結氳原子之原子團。在此，碳原子以外的原子，以屬於 周d表第15族及第16族之原子為佳，以屬於周期表第^ 5 族及第16族之第i及第2周期之原子更佳，進一步以氧原 子、氮原子及硫原子為佳，以氧原子特別佳。 質子性極性基之具體例，可舉羧基（羥羰基）、磺酸基、 碟酸基、羥基等具有氧原子之極性基；一級胺基、二級胺 土 級醯胺基、二級醯胺基（醯亞胺基）等具有氮原子之 2232-9545-PF/Ahddub 11 200844562 •極1*生基，硫醇基等具有硫原子之極性基等。該等之中，r 具有氧原子者為佳，以羧基更佳。 乂
於本I明，含於具有質子性極性基之環狀稀煙人 物之質子性極性基，其數目並無特別限定，又，亦可包： 相異種類的質子性極性基。 B 如於本發明環狀烯烴系聚合物，係具有環狀構造（脂環或 芳香裒妷奴雙鍵鍵結之環狀烯烴單體者之單獨聚合|勿 ρ或，、聚物。％狀烯烴系聚合物亦可具有環狀烯烴單體以外 的=體單位。環狀稀烴系聚合物之全構造單位中，環狀婦 烴早體單位之比例，通常為30〜1〇〇重量％，以5〇〜1〇〇重量 %為佳’以70〜100重量％更佳。 於本發明，質子性極性基，可鍵結於環狀烯烴單體單 位，亦可鍵結於環狀烯烴單體以外之單體單位，以鍵結於 環狀烯烴單體單位者為佳。 於使用於本發明之具有質子性極性基之環狀烯烴系聚 ( 合物，具有質子性極性基之單體單位與其以外的單體單位 之比率（具有質子性極性基之單體單位/其以外的單體單 位），以重量比，通常為1〇〇/〇〜1〇/9〇，以9〇/1〇〜2〇/8〇為 佳’以80/20〜30/70之範圍選擇更佳。 使用於本發明之具有質子性極性基之環狀烯烴系聚合 物，可僅以具有質子性極性基之環狀烯烴單體（a)構成，通 常’於具有質子性極性基之環狀烯烴單體（a)之外，作為可 與具有質子性極性基之環狀烯烴單體（a)共聚合之單體，任 意使用具有質子性極性基以外之極性基之環狀烯烴單體 2232-9545-PF;Ahddub 12 200844562 • (b) ’ 70全不具有極性基之環狀烯烴單體（c);及環狀烯烴 以外之單體（d)調製為佳。將該等單體，以下分別單稱為單 體（a)〜⑷。 於本發明，使用其中單體（a)，與單體〇)及/或單體（c) 為佳，使用單體（a)與單體（b)更加。 單體（a)之具體例，可舉5-羥羰雙環[2.2.1]庚-2-烯、 5 一曱基—5 一羥羰雙環[2.2.1]庚_2-烯、5-羧基曱基-5-羥羰 ( 雙^^2·2·1]庚—2-烯、5-外型-6-内型-二羥羰雙環[2.2.1] 庚-2-烯、8-羥羰四環[4·4·0·12,5·17，"]十二碳-3-烯、8-甲基—8一羥羰四環[4.4.0.12,5.17，〗°]十二碳-3一烯、8一外型 一9 —内型—二羥羰四環[4· 4. 0· I2,5· Γ，1。]十二碳—3-烯等之羧 基含有環狀烯烴；5-(4-羥苯基）雙環[2.2.1]庚-2-烯、5-甲基-5-（4-經苯基）雙環[2·2·1]庚-2-烯、8-（4-羥苯基） 四環[4.4. 0· I2’5· I7’1。]十二碳 _3-烯、8 -曱基-8-(4-羥苯基） 四％ [4· 4· 0· I2’5· 十二碳烯等之羥基含有環狀烯烴 ί， 等’其中以羧基含有環狀烯烴為佳。該等具有質子性極性 基之環狀烯烴單體，可分別單獨使用，亦可組合2種以上 使用。 質子性極性基以外的極性基之具體例，可舉酯基（烷氧 羰基及芳氧羰基之總稱。），Ν —取代醯亞胺基、環氧基、鹵 素原子、氰基、羰氧羰基（二羧酸之酸酐殘基）、烷氧基、 羰基、第三級胺基、磺基、_素原子、丙烯醯基等。其中， 以酉旨基、Ν-取代醯亞胺基及氰基為佳，以酯基及Ν —取代醯 亞胺基更佳，Ν-取代醢亞胺基特別佳。 2232-9545-PF;Ahddub 13 200844562 單體（b )，可舉如下之環狀稀煙。 [4. 4. 0. I2 [4· 4. 0· I2 [4. 4· 0· I2 [4· 4. 0· I2 [4. 4. 0. I2 [4. 4. 0. I2 [4. 4. 0. I2 [4. 4. 0. I2 [4. 4· 0· I2 [4· 4· 0. I2’ [4· 4· 0· I2, 具有醋基之環狀烯烴，可舉例如，5_乙醯氧基雙環 ]庚烯、5一甲氧羰基雙環[2. 2. 1 ]庚-2-烯、5-甲 基+甲氧羰基雙環[么2.1]庚I烯、8-乙醯氧基四環 1 ", 101 . J十二碳-3-稀 1 ]十二碳-3-稀 1 ]十二碳-3-稀 1 ]十二碳-3-稀 1 ]十二碳-稀 7,10 10 8-曱氧羰基四環 8-乙氧羰基四環 8-正丙氧羰基四環 異丙氧羰基四環 8-正丁氧羰基四環 ]十二碳-3-烯、8-甲基-8-甲氧羰基四環 ]十二碳-3-烯、8-甲基_8-乙氧羰基四環 l7’1。]十二碳-3-烯、8-甲基-8-正丙氧羰基四環 17’1Q]十二碳-3一烯、8一甲基—8一異丙氧羰基四環 17’1G]十二碳-3-烯、8-甲基-8-正丁氧羰基四環 l7’1Q]十二碳-3-烯、8-(2,2,2-三氟乙氧羰基） 四環[4.4.0.12’5.17，1()]十二碳-3-烯、8-甲基-8-(2,2,2-三 氟乙氧羰基）四環[4. 4· 0· I2’5· Γ"]十二碳-3-烯。 具有N_取代醯亞胺基之環狀烯烴，可舉例如，N_(4-苯基）-（5-原冰片烯-2, 3-二羧基醯亞胺）等。 具有氰基之環狀烯烴，可舉例如，8-氰基四環 [4. 4. 0· I2,5· I7，"]十二碳-3-烯、8-曱基-8-氰基四環 [4.4.0.12,5.17，1()]十二碳-3-烯、5-氰基雙環[2.2.1]庚-2-烯等。 具有鹵素原子之環狀烯烴’可舉例如’ 8-氣四環 2232-9545-PF;Ahddub 14 200844562 一 [4· 4· 0· I2,5· Γ，10]十二碳-3-烯、8-甲基-8- 氯四環 [4. 4· 0· I2’5· Γ1。]十二碳-3-烯。 該等具有質子性極性基以外之極性基之環狀烯烴單 體，可分別單獨使用，亦可組合2種以上使用。 單體（c)之具體例，可舉雙環[2.2.1]庚-2-烯（俗名： 原冰片烯）、5-乙基-雙環[2· 2· 1]庚-2-烯、5-丁基-雙環 [2. 2. 1]庚-2-烯、5-亞乙基-雙環[2· 2· 1]庚-2-烯、5-亞甲 基-雙環[2·2·1]庚-2-烯、5-乙烯基-雙環[2·2·1]庚-2-" 烯、三環[4· 3. 0· I2’5]癸-3, 7-二烯（俗名：二環戊二烯）、 四環[8.4.0.1U，14.03,7]十五碳-3,5,7，12，1卜五烯、四環 [4. 4. 0· I2’5· Γ，10]癸-3-烯（俗名：四環十二烯）、8-甲基-四環[4·4·0·12’5·17’1()]十二碳-3-稀、8-乙基-四環 [4. 4· 0· I2’5· 17，1G]十二碳-3-烯、8-亞曱基-四環 [4· 4· 0· I2,5· 17，1G]十二碳-3-烯、8-亞乙基-四環 [4. 4· 0· I2,5. Γ，10]十二碳-3-烯、8-乙烯基-四環 ( [4· 4. 0· I2’5· I7’1。]十二碳-3-烯、8-丙烯基-四環 [4· 4· 0· I2’5· 17，1G]十二碳-3-烯、五環[6· 5· 1· I3,6· Ο2’7· 09’13] 十五碳-3, 10-二烯、環戊烯、環戊二烯、1，4-甲撐 -1，4, 4a，5, 10, 10a-六氫蒽、8-苯基-四環[4. 4. 0· I2,5· Γ，1。] 十二碳-3-烯、四環[9. 2. 1. Ο2，1。· 03,8]十四碳-3, 5, 7, 12-四 烯（亦稱為1，4-甲撐-1，4, 4a，9a-四氫-9H-芴）、五環 [7·4·0·13’6·Γ°’13·02,7]十五碳-4,11-二烯、五環 [9. 2. 1. I4’7· Ο2’"· 03’8]十五碳-5, 12-二烯等。完全不具有該 等極性基之環狀烯烴單體，可分別單獨或組合2種以上使 2232-9545-PF;Ahddub 15 200844562 用0 早—（d)之代表例，可舉鏈狀烯烴。鏈狀 如，乙烯：丙烯，,^ 了舉例 1-丁烯，1-戊烯，1-己烯，3 丁烯，3一甲基 0甲基-：1 - 戊烯，3-乙基—1 —戊烯，4—甲基 4-甲基-1-己烯，1 ^ 1戊細’ 烯4, 4-二甲基一；[—己烯，4 4一二 烯，4-乙基一！〜己襁Q r # 甲基-戍 卜十二烯…：乙基+己稀’卜辛浠，卜癸烯， 十四烯，1-十六烯，1 —十八癸烯，b — 等之碳數2,之卜稀烴；“―己二稀，4—甲基二十： 7烯’ Γ甲基义4—己二浠，U-辛二烯等之非共軛二烯 等。該等環狀烯m卜的單位，可分別單獨或組 上使用。 ！ 使用於本發明之具有質子性極性基之環狀烯煙系聚合 :，通常係聚合單體（a)而得。亦可對所得聚合物，根據所 /月望進步加氫。加氫之聚合物亦包含在使用於本發明 之％狀烯烴系聚合物。聚合時，亦可根據所期冑，將單體 (a)，與可與單體（a)共聚合之單體[單體（b)、（c)或（d)] 共聚合。 ^又，使用於本發明之具有質子性極性基之環狀烯烴系 聚合物’可對不具有質子性極性基之環狀烯烴系聚合物利 用！知之變性劑A導入質子性極性基後，根據所期望進行 加虱之方法得到。加氫，亦可對導入質子性極性基前的聚 合物進行。 交性劑A，通常，使用於一分子内具有質子性極性基 及反應性碳-碳不飽和鍵結之化合物。如此之化合物之具體 16 2232-9545-PF；Ahddub 200844562 例，可舉丙烯酸、甲基丙烯酸、當歸酸、順芷酸、油酸、 反油酸、芥子酸、巴西基酸、馬來酸、富馬酸、檸康酸、 甲基延胡索酸、衣康酸、阿托酸、桂皮酸等之不飽和叛酸; 芳醇、曱基乙烯基甲傳、巴豆醇、2-甲基烯丙醇、1 -苯基 乙烯-1-醇、2 -丙烯-1-醇、3-丁烯-1-醇、3-丁烯-2-醇、
3-甲基-3-丁烯-1-醇、3 -甲基-2-丁烯-1-醇、2 -甲基-3〜 丁烯-2-醇、2-甲基-3-丁烯-1-醇、4-戊烯-1-醇、4-甲基 -4-戊浠-1-醇、2-己烯-1-醇等之不飽和醇等。 使用變性劑A之環狀烯烴系聚合物之變性反應，只要 依照常法即可，通常，係於自由基產生劑的存在下進行。 上述各單體之聚合方法，只要依照常法即可，採用例 如，開環聚合法或加成聚合法。 聚合觸媒，可良好地使用例如，鉬、釕、餓等之金屬 錯合物。該等聚合觸媒，可分別單獨或組合2種以上使用。 聚合觸媒之量，以聚合觸媒中的金屬化合物：環狀烯烴之 莫耳比，通常為1:⑽十2，_，000 ，工以 1:5〇。〜1:1，000，_ 為佳 ’ α 1:1〇〇〇十5〇〇，_ 之 更佳。 固 聚：各早體所得聚合物之加氣，”，使 進加氯觸媒，可使用例如，一般使用於婦: 使用者。具體而言，可制齊格勒型的均相^ 媒、貝金屬錯合物觸媒、擔持型貴金屬系 望觸 氫觸媒之中，士丁 ▲饮丄 、辱該*#加 、 曰么生Β能基變性等之副反鹿 合物中的碳-碳不飽和鍵結選擇 ^ Τ對聚 伴肛加虱之點，以鍺、釘等貴 17 2232-9545-PF/Ahddub 200844562 • 金屬錯合物觸媒為佳，以配位電子供給性高的含氮雜環式 碳稀化合物或膦類之釕觸媒特別佳。 於本發明，具有質子性極性基之環狀烯烴系聚合物， 特別是以如下所示，具有式（1)所示構造單位者為佳，具有
式（I)所示構造單位及式（11)所示構造單位者更佳。式（U 所示構k單位，及式（11)所示構造單位，均為環狀烯烴單 體單位。
式（I)中’ R1〜R4係分別獨立表示，氫原子或—Xn —R，基 (X係二價有機基，n係〇或丨，R，係可具有取代基之烷基、 可具有取代基之芳香基、或質子性極性基。），Rl〜R4之中 C.至少1個，係R，為質子性極性基之-Xn-R，基，m係〇〜2 之整數。 於通式（I )，以X表示之二價有機基，可舉例如，亞甲 基、亞乙基及羰基等。可具有取代基之烧基，通常係直鏈 或分枝鏈之碳數1〜7之烧基，可舉例如，甲基、乙基、正 丙基、及異丙基等。可具有取代基之芳香基，通常為碳數 6〜1〇之芳香基，可舉例如，苯基及苄基等。烷基或芳香基 之取代基，可舉曱基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、 異丁基等之碳數1〜4之烧基；苯基、二甲苯基、甲苯基、 2232-9545-PF;Ahddub 18 200844562 萘基等之碳數 述之基。 12之芳基等。質子性極性基，可舉如上所
式（⑴中m可為任意組合，和與該等鍵結之2 個碳科-㈣為環構成科包含㈣子或氮原子，形成 3〜5貝之雜環構造，該雜環，可具有取代基。K係〇〜2之整 數0 ;L式（I I )，R〜F和與該等鍵結之2個碳原子一起， 含有氧原子或氮原子形成可具有取代基之3員雜環構造， :舉例如’裱氧構造等。又，r5〜r8，和與該等鍵結之2個 炭原子起，合有氧原子或氮原子形成可具有取代基之5 員雜環構造，可舉例如，二羧酸酐構造[-(：(0) 一 〇一 (：(〇)-] 及二致基醯亞胺構造[—⑽—N — G⑻―]等。氧原子或氮原子 之取代基，可舉例如，苯基、萘基，及蒽基等。 使用於本發明之具有質子性極性基之環狀烯烴系聚合 物之重量平均分子量（Mw)，通常為1，〇〇〇〜〗，〇〇〇, 〇〇〇，以 1，500〜100, 〇〇〇為佳，以2, 〇〇〇〜1〇, 〇〇〇之範圍更佳。環狀 烯烴系聚合物之分子量分布，以重量平均分子量/數目平均 分子1 (Mw/Mn)比’通常為4以下，以3以下為佳，以2. 5 以下更佳。又’含有質子性極性基之環狀烯烴系聚合物之 2232-9545-PF;Ahddub 19 200844562 • 碘^，通系為200以下，以50以下為佳，以ι〇以下更佳。 碘價在此範圍時耐熱性優良而特別佳。 於本發明之有機保護膜，係將如上所述由具有質子性 極丨生基之％狀烯烴系聚合物所構成之樹脂膜進一步架橋形 成與基材之密著性及有機保護膜形成以後之製程適合優 良。 本毛明之主動矩陣式基板，例如，可依照專利文獻1 〇或2所述之習知之方法製造，以具有：（1)於形成導體電路 之基材表面上形成由♦烧偶合劑所構成之密著劑層之步 驟； (2) 步驟（1)所形成之密著劑層上形成由感放射線性樹 月曰組口物所構成之樹脂膜，該感放射線性樹脂組合物具有 質子性極性基之環狀烯烴系聚合物；及 (3) 將步驟（2)所形成之樹脂膜架橋形成有機保護膜之 步驟，之方法為佳。 ( (步驟1) 於本發明之主動矩陣式基板之製造方法之步驟（ι)，於 形成導體電路之基材表面上形成由石夕烧偶纟劑所構成之密 著劑層。 使用於形成密著劑層之矽烷偶合劑，以液狀矽烷偶合 劑以為佳。液狀矽烷偶合劑，可藉由將矽烷偶合劑之1種 或2種以上’溶解於有機溶劑及/或水而調製1狀石夕烧偶 合劑中的矽烷偶合劑之含量，通常為〇· 〇1〜5重量％，以 〇· 05〜0· .5重量％為佳。 2232-9545-PF；Ahddub 20 200844562 • 用於調製液狀矽烷偶合劑之有機溶劑，並無特別限 定’可舉例如，甲醇、乙醇、異丙基醇等之醇類；甲基異 丁基綱、甲乙酮、丙酮、環己酮等之酮類；二乙基醚、二 曱基醚、四氫呋喃、二噁烧、乙二醇、乙二醇單丁基醚等 之鱗類；醋酸甲基、醋酸乙基、醋酸丙基、醋酸丁基等之 酉旨類等。該等溶劑可分別單獨或組合2種以上使用。 其中’將具有環氧基之矽烷偶合劑溶解於有機溶劑及/ 『 或水’以有機溶劑為佳，以丙二醇單甲基醚與丙二醇單甲 基鱗醋酸_之混合物更佳，而成之液狀矽烷偶合劑，非常 有用於作為本發明之主動矩陣式基板之密著劑層形成用組 合物。 丙二醇單甲基醚與丙二醇單甲基醚醋酸酯之比例，以 重量比（丙二醇單甲基醚/丙二醇單甲基醚醋酸酯），以 99/1 〜50/50 為佳。 於形成導體電路之基材表面上形成由石夕烧偶合劑所構 《 成之密著劑層之方法，並無特別限制，使用液狀矽烷偶合 劑’將液狀矽烷偶合劑塗佈或印刷於形成導體電路之基材 表面上’或將基材浸潰於液狀矽烷偶合劑中拉起，接著， 藉由加熱乾燥形成密著劑層較有效而佳。 將液狀矽烷偶合劑塗佈於形成導體電路之基材表面上 之方法，可舉例如，使用於後述之有機保護膜之形成之塗 佈法。 將液狀矽烷偶合劑印刷於形成導體電路之基材表面上 之方法，可舉例如，使用如下之網版印刷機之網版印刷法。 2232-9545-PF;Ahddub 21 200844562 .即，將形成導體電路之基材之表面以具有既定圖案的開口 部之掩模覆蓋，以設置於網版印刷機之刮板部投入液狀石夕 烷偶&诏接著，藉由使刮板移動邊將液狀矽烷偶合劑加 壓使之於掩模上移動，於掩模構件之開口部充填液狀矽烧 偶合劑（充填步驟）。其次，取下掩模。如此地，於基材表 面形成液狀矽烷偶合劑之圖案。藉此，於基材表面上部分 形成矽烷偶合劑所構成之薄膜。 / 將形成導體電路之基材浸潰於液狀矽烷偶合劑拉起之 方法’可舉例如，將基材浸潰於1〇〜5(rCi液狀矽烷偶合 劑1〜6 0分鐘程度後，拉起之方法。 藉由以上的方法，可於基材表面上的全部或一部分形 成液狀石夕烧偶合劑之薄膜。接著，根據所期望，以氮等之 惰性氣體氣流中乾燥後，進一步於同氣流中，以“〜丨5〇〇c 加熱乾燥1〜30分鐘程度形成密著劑層。根據所期望，亦可 進一步以200〜350°C之高溫硬化（後固化）。 1.> 於本發明之主動矩陣式基板之製造方法，於形成導體 電路之基材表面上形成密著劑層後，亦可適宜附加，使形 成也、著劑層之基材（以下，稱為「密著劑層形成基材」。） 之表面，與矽基化劑接觸而矽基化之步驟[步驟（1，）]。 石夕基化密著劑層形成基材所使用之；5夕基化劑，可舉例 如，六曱基二矽氮烷、二甲基二氣矽烷、三甲基氯矽烷、 N -三曱基矽基乙醯胺、N，0-二（三甲基矽基）乙醯胺、N-甲 基-N-三曱基矽基乙醯胺、N-甲基-N-三甲基矽基三氟乙醯 胺、N-三曱基矽基二甲基胺、N-三曱基矽基二乙基胺、N，〇- 2232-9545-PF;Ahddub 22 200844562 二（三甲基矽基）三氟乙醯胺、N-三甲基矽基咪唑、四甲基 一硬氛烧、第二丁基一甲基氯碎烧、N-甲基-N -（第三丁基 二甲基矽基）三氟乙醯胺、二氣甲基四甲基二矽氮烷、氯甲 基二甲基氣石夕垸、溴甲基二甲基氣矽烷、十八烷基三氯矽 烧、N，N -二（二甲基石夕基）脲、N-三甲基石夕基—n，N，-二苯 基脲、N，0-二（三甲基矽基）胺基甲酸酯、N，〇—二（三甲基矽 基）胺基磺酸酯、三甲基矽基三氟甲烷磺酸等。其中，由於 防止水分浸入本發明之主動矩陣式基板之效果，及界面密 著性之提向上效果優良，六甲基二矽氮烷特別適合使用。 該等石夕基化劑，可分別單獨或混合2種以上使用。 使接著劑層形成基材表面與矽基化劑接觸矽基化之方 法，並無特別限制。可舉例如，將導體電路形成基材由加 熱盤分離搬入包含加熱盤之矽基化處理室，將處理室内減 壓導入矽基化劑之蒸氣，將加熱盤加熱使導體電路形成基 材接近加熱盤，以5(TC以下使矽基化劑的蒸氣均勻地擴 散，停止矽基化劑蒸氣之導入與排氣，使導體電路形成基 材與加熱盤接觸，以80〜9(rc的溫度進行矽基化反之後， 將矽基化劑之蒸氣以氮置換停止矽基化反應之方法。矽基 化’於導體電路形成基材表面與石夕基化劑蒸氣進行接觸^ 進行。此時，矽基化劑的濃度，以〇1〜5體積％為佳。根據 上述方法，導體電路形成基材表面的全部會被矽基化。接 觸’通常只要進形丨分鐘以上即可。 (步驟2 ) 接著，於步驟u)所形成之密著劑層上使用感放射線性 2232-9545-PF;Ahddub 23 200844562 樹脂組合物形成樹脂膜，該感放射線性樹脂組合物包含具 有質子性極性基之環狀烯烴系聚合物。 感放射線性樹脂組合物，並無特別限定，通常，於具 有質子性極性基之環狀烯烴系聚合物之外，可良好地使用 進一步含有架橋劑、感放射線化合物及溶劑而成者。
( 具有質子性極性基之環狀烯烴系聚合物之較佳的例， 可舉具有式（I)所示構造單位及式（Ι υ所示構造單位之環 狀烯烴系聚合物。架橋劑的較佳例，可舉具有2個以上的 環氧基，最好是3個以上的雙酚Α型環氧樹脂、雙酚F型 %氧樹脂、酚酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、聚 酚型環氧樹脂、環狀脂肪族環氧樹脂、脂肪族縮水甘油醚、 裱氧丙烯酸酯聚合物等之多官能環氧化合物。 感放射線化合物（可以紫外線或電子線等的放射線照 射，引起化學反應之化合物）之較佳的例，可舉—萘重 氮醌-5-磺醯氯、L2-萘重氮醌—4_磺醯氯、丨，2—苯併重氮 醌—5-磺醯氯等之重氮醌磺醯鹵與L丨，3一三（2,5一二甲基 4-搜苯基）—3 —苯基丙烷、4, 4，— [Κ4—d —羥苯基]—卜 甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚等酚性羥基化合物之酯化合 物等之光酸產生劑。 於本發明，於感放射線性樹脂組合物，於慣用於習知 之感放射線性樹脂組合物之其他成分之外，作為無機微粒 方了 3有例如，膠體一氧化石夕。又，溶劑，可舉例如， 早烷二醇溶劑；聚烷二醇溶劑；單烷二醇烷基酯溶劑；聚 烷一醇烷基酯溶劑；單烷二醇二酯溶劑；聚烷二醇二酯溶 24 2232-9545-PF;Ahddub 200844562 劑等。 使用於本發明之感放射線性樹脂組合物，對且有質子 性極性基之環狀烯烴系聚合物100重量部’架橋劑通常含 有1〜200重量部，感放射線化合物通常含有5~5〇重量部。
至此舉正片型之例作為感放射線性樹脂組合物之例 3兒明，惟感放射線性樹脂組合物亦可為負片型。感放射線 性樹脂組合物可依照習知之方法製造。再者，感放射線性 樹脂組合物之固形分濃度，可考慮所需有機保護膜之厚度 或塗佈方法等適宜選定，以5〜40重量％為佳。 调製之感放射線性樹脂組合物，通常，以孔徑〇 · 1〜5 #爪 之過濾器等去除異物等後，再佈較佳。 使用浴液狀態之感放射線性樹脂組合物，則樹脂膜之 形成操作簡便，而製造效率優良。因此，步驟（2)，通常， 係以濕式法進行。所謂濕式法，係將構成樹脂膜之有機高 分子及根據所期望調合之其他成分溶解於溶劑得到溶液， 將該溶液流延去除溶劑成膜而形成樹脂膜之方法。具體的 方法，可舉例如，塗佈法或薄膜層積法等。 塗佈法係將感放射線性樹脂組合物塗佈於形成導體 電路之基材表面上的密著劑層上後，加熱乾燥去除溶劑之 方法。將感放射線性樹脂組合物塗佈於密著劑層上之方 法可舉例如，噴灑法、旋轉塗佈法、親塗法、模塗法、 =刀法、旋轉塗佈法、棒塗佈法、版印刷法等。加熱乾燥 又可接…、各成分之種類或調合比例適宜選擇，通常為 30〜150C。加熱乾燥時間，可按照各成分之種類或調合比 2232-9545-PF;Ahddub 25 200844562 • 例適宜選擇，通常為0·5〜90分鐘。 又薄膜層積法，係將感放射線性樹脂組合物，塗佈 於樹脂薄膜或金屬薄膜等之膠態薄膜形成用基材上後藉由 …、乾軚去除/谷劑得到膠態薄膜，接著，將該膠態薄膜層 積於山著別層上之方法。加熱乾燥條件，可按照各成分之 種類或調合比例適宜選擇，加熱溫度，通常為3(M5(TC， 加熱時間’通常為0.5〜90分鐘。薄膜層積，可使用加壓層 壓機、壓製機、真空層壓機、真空壓製機、輥輪層壓機等 之壓著機進行。 女此地將感放射線性樹脂組合物所構成之樹脂膜， =成密著劑層上。通常，對該樹脂膜照射活性放射線於樹 月曰膜中形成潛像圖案，接著使之與顯影液接觸使潛像圖案 』在化’圖案化之。藉由如此之操作，可容易地形成成為 接觸孔之孔洞圖案。 活性放射線，只要是可將感放射線化合物活化，改變 (感放射線性樹脂組合物之驗可溶性者，並無特別限定，可 舉例如，紫外線、g線或i線等單一波長的紫外線；KM準 分子雷射光、ArF準分子雷射光等之光線；電子線等之粒 子線等。將該等活性放射線選擇性照射成圖案狀形成潛像 圖案之方法，可舉例如，以縮小投影曝光裝置等，將紫外 線、S線、i線、KrF準分子雷射光、ArF準分子雷射光等 之光線，經由掩模圖案照射之方法，以電子線等之粒子線 描繪之方法等。照射活性放射線之後，亦可根據所期望， 將有機保護膜以60〜13(TC，加熱處理1〜2分鐘。 26 2232-9545-PF；Ahddub 200844562 - 將藉由活性放射線照射形成之潛像圖案顯影使之顯在 化之顯影液，可舉鹼性化合物之水性溶液。鹼性化合物， 可使用：氫氧化鈉或氳氧化鉀等之無機化合物；氫氧化四 甲基銨或氫氧化四乙基銨等之有機化合物之任何者。鹼水 性溶液之水性媒體，可使用水；甲醇、乙醇等之水溶性有 機溶劑。鹼水性溶液，亦可為添加適當量界面活性劑等者。 使顯影液接觸具有潛像圖案之有機保護膜之方法，可 (舉例如’划槳法、喷灑法、浸泡法等、顯影溫度，通常為 5〜5 5 °C，顯影時間，通常為3 〇〜18 0秒。 將如此地圖案化之有機保護膜形成於導體電路形成基 材表面上之後，根據所期望，亦可為去除該基材上、該^ 材背面及該基材端部之顯影殘渣，將上述基材使用超純2 專之清洗液清洗。 再者，根據所期望，為使感放射線化合物失活，亦可 對具有圖案化有機保護膜《導體電路形成基材全面照射活 l性放射線，或與此同時照射後，將有機保護膜加熱。加敎 方法，可舉例如，將上述基材以加熱盤或於烘箱内加熱之 方法。加熱溫度，通常為100〜30(TC。 (步驟3) 於步驟（3)，將步驟（2)所形成之感放射線性樹脂組合 物所構成之樹脂膜樹脂膜架橋形成有機保護臈。 使形成於基材上之樹脂膜架橋之方法，可按照使用之 架橋劑之種類適宜選擇’通常係藉由加熱進行。加熱，可 使用例如，加熱盤、烘箱等進行。加熱溫度，通常以18〇~25〇 2232-9545-PF;Ahddub 27 200844562 • c為佳’加熱時間，可按照樹脂膜之大小、厚度、使用機 為等適宜選擇。例如，使用加熱盤時，通常以5〜6〇分鐘， 使用烘箱時，通常以30〜90分鐘為佳。 加熱，可根據所期望，於氮、氬、氦、氖、氙、氡等 之惰性氣體氣氛下進行。 由以上’於形成導體電路之基材表面上之矽烷偶合劑 所構成之密著劑層上，層積具有質子性極性基之環狀烯烴 ^ 系聚合物之架橋體所構成之有機保護膜。 I j 要於有機保護膜形成有成為接觸孔之孔洞圖案，則 於有機保護膜上，例如，藉由濺鍍法形成IT〇(Indium Tin
Oxide ·氧化銦錫）所構成之像素電極，圖案化之，經由有 機保護膜之接觸孔將TFT的汲極電極與像素電極連接。此 時，藉由構成像素電極之IT〇同時形成電極圖案。之後， 幵y成配向膜，藉由施以摩擦處理等之配向處理可得所期望 的主動矩陣式基板。 ^ 本發明之平面顯示裝置，係包含本發明之主動矩陣式 基板而成。本發明之平面顯示裝置，係長壽命、低消費電 力且高對比而優良之平面顯示裝置。平面顯示裝置之具體 例，可舉主動矩陣型液晶顯示裝置、主動矩陣型有機電致 發光（EL)顯示裝置等。 主動矩陣型液晶顯示裝置，係將液晶材料或薄膜狀液 晶等夾於中間對向配設之一對基板所構成者，—對基板之 中的一邊的基板係以本發明之主動矩陣式基板構成之平面 顯示裝置。對於主動矩陣式基板對向配設之基板(以下，稱 2232-9545-PF;Ahddub 28 200844562 向基板」。），可舉例如，彩色據光片基板、微透鏡 暴板等 _又，以主動矩陣式基板與彩色濾光片基板構成之液晶 顯不裝置之變形例’可舉於主動料式基板之像素電極 上，直接設彩色遽光片材料層，不於對向基板設彩色濟光 片之態樣之液晶顯示裝置，·或藉由具有導電性支彩色滤光 諸料，形成主動矩陣式基板之像素電極，不於對向基板 設彩色濾光片之態樣之液晶顯示裝置等。 於圖2表示使用本發明之主動矩陣式基板製作而得之 主動矩陣型液晶顯示裝置之一態樣之平面圖，於圖3表示 其χ-γ線剖面圖。於本態樣，包含像素電極2〇2之主動矩 陣式基板1G1，與包含對向電極2{)6之彩色濾光片基板 1〇2’夾著液晶層no對向配設’而各像素電極2〇2與對向 電極206之對向部分成為像素。由像素所構成之顯示區域 之外周設有密封材1〇3,於顯示區域與密封材1〇3之間的 區域存在有電極圖案1G5。再者，㈣㈣光片基板1〇2, 於具有黑矩陣208之彩色濾'光片| m上設有對向電極 2〇6’^於其上設有配向膜⑴。於主動矩陣式基板m，互 相正又地於基板上设有，供給驅動開關元件⑼1之閘極 信號之閘極信號線203及供給TFT2()1源極信號之源極信號 線204。於兩信號線的交叉部附近設TFT2〇i，於其上經由 有機保護m 1G4,使兩信號線—部分重疊地設有像素電極 202。再者，以有機保護膜1〇4之接觸孔（無圖示），連接像 素電極202與TFT201之汲極電極。又，於有機保護膜ι〇4 2232-9545-PF;Ahddub 29 200844562 • 上對’向配設有配向膜111。 另一方面，閘極信號線203與源極信號線2〇4，超過 邊框區域延伸形成，經由設於其外側之端子區域之輸入端 子1〇8,對開極信號線203輸入TFT2〇1驅動用信號電壓， 可對源極信號線204輸入表示資料之信號電壓。電極圖案 1〇5’形成於有機保護膜104之外周區域上，進一步延伸形 成至端子區域’輸入由驅動電之信號。以上之液晶顯示裝 置可以習知之方法，可依照例如，以日本特開2〇〇3_〇〇5215 號公報所述之方法製造。 主動矩陣型有機EL顯示裝置，係於本發明之主動矩陣 式基板上，矩陣排列形成之各像素，具有至少ι個有機^ 元件，及驅動該有機EL元件之至少2個tft者。 有機EL元件，並無特別限制’可舉例如，於成為陽極 之電洞注入電極與成為陰極之電子注入電極之間，形成電 洞傳輸層與發光材料層之構造（8114構造）者，於電洞注入 電極與電子注入電極之間，形成發光材料層與電子傳輸層 之構造（SH-B構造）者，或於電洞注人電極與電子注人電極 之間，形成電洞傳輸層與發光材料層及電子傳輸層之構造 (DH構造）者p任何構造之情形，有機肛元件均係由電 洞注入電極（陽極）注入之電洞與由電子注入電極（陰極）注 入之電子’於發光材料層與電洞(或電子)傳輪層之界面、 及發光材料層内再結合而發光之原理作動。 於圖4表示本發明之有機此顯示裝置之有機以元科 之典型的的構成例14所示㈣EL元件，係由主動矩醇 2232-9545-PF;Ahddub 30 200844562 。 式基板[作為下部電極層（陽極）包含像素電極]3 〇 1、發光材 料層302、及上部電極層（陰極）3〇3所構成。又，最外層設 有封裝膜304。有機EL顯示裝置之一像素分的構成，通常， 對至少1個有機EL元件，至少有2個驅動該EL元件之TFT， 即，需要驅動電晶體與寫入電晶體，於圖4之構成例省略 兩電晶體。該等電晶體，係存在於本發明之主動矩陣式基 板。 , 於本發明之主動矩陣式基板，連接作為陽極之像素電 極與TFT之汲極電極。於圖5表示本發明之主動矩陣式基 板上之電路之一例，於該電路，藉由對連接於水平驅動電 路之掃描電極401依序施加的電壓使TFT40 2 (寫入電晶體） 呈接通狀態，由連接於垂直驅動電路之資料電極4〇3對電 容器404蓄積對應顯示信號之電荷量。藉由蓄積於電容器 4〇4之電荷量，使FT4〇5(驅動電晶體）動作，對有機元 件406供給電流使有機EL元件點燈。直到對掃描電極4〇1 I 轭加電壓之間保持該點燈狀態。以上的有機虹顯示裝置係 以習知之方法，可依照例如，日本特開2〇〇2 —33846號公報 所述的方法製造。 [實施例] 以下’舉實施例更詳細地說明本發明，惟本發明並非 有任何受限於該等實施例者。 [製造例1](具有質子性極性基之環狀烯烴系聚合物之製 造） 將作為具有質子性極悻基之環狀烯烴單體之8_羧基四 2232-9545-PF;Ahddub 31 200844562 環[4·4·0.12,5 l7，1()i+ -难—Q β * · j十一反烯6〇部，作為不具有質子性
極性基之環狀婦煙單體之苯基-(5-原冰片稀-2H 基醯亞胺)40部’ a己二烯2·8部，（ι,3_二均三甲苯基 味唾烧-2-亞基）（三環己基膦）亞节基釕二ι 〇〇5部及^ 乙二醇乙基甲基醚400部，放入氮置換之耐壓破璃反應 器，於擾拌下以8(TC進行2小時聚合反應，到含有開環複 分解聚合物1A之聚合反應溶液。聚合轉化率為99.9%以 上。該聚合物1A之重量平均分子量為3 2〇〇，數目平均分 子量為1，9〇〇，分子量分布為m 接著，對聚合反應溶液加入二（三環己基膦）乙氧基亞 甲基釕二氯0· 1部作為加氫觸媒，將氫以4MPa的壓力溶存 5小時，進行加氳反應之後，添加活性碳粉末丨部，放入 同壓反應器邊攪拌以1 50 °C將氫以4MPa之壓力溶存3小 時。接著，取出溶液以孔徑〇· 之說樹脂製過慮器過 濾，活性碳分離，得到含有環複分解聚合物1A之氫化物 1B之加氫反應溶液476部。過濾，可不停滯地進行。將在 此所得含有氳化物1B之加氫反應溶液之固形分濃度為 20.6%，氫化物1B之產量981部。所得氳化物ΐβ之重量 平均分子量為4,430,數目平均分子量為2, 57〇，分子量分 布為1.72。氫化率99.9%。 再者’聚合物及氫化物之重量平均分子量及數目平均 分子量係以四氫呋喃作為溶離液，使用凝膠滲透層析（ 公司製，製品名「HLC-8020」），以聚異戊二烯換算分子量 求得。氫化率，係以1H_NMR光譜，求氫化之碳_碳雙鍵鍵 32 2232-9545-PF;Ahddub 200844562 —、、Ό莫耳數，對加氳前之碳—碳雙鍵鍵結莫耳數之比例。 ^ :于氣化物1Β之加氫反應溶液以旋轉減壓濃縮機 、广將口形刀/辰度調整為35%，得到氫化物1 c(具有缓基 衣狀烯烴聚合物作為質子性極性基）之溶液。於濃縮前後 的產ΐ、化物之重量平均分子量、數目平均分子量、分子 量分布並無變化。 於以下所述之貫施例及比較例，依照如下評估方法評 估既定的特性。 f (密著性評估） 樹脂膜對形成密著劑層之玻璃基材表面之密著性，係 使用後述之密著性評估用基板，以JISK56〇〇-5 — 7之拉剝法 矛估。砰估，係於基板製作直後（初期值），及將基板以的 C，相對濕度go%的氣氛中維持4〇〇小時後之2次。評估 基準如下。 [評估基準] 《 〇 您者力超過6MPa。 △ 密著力在6〜3MPa之範圍。 X 欲者力未滿3MPa。 (TFT驅動特性之評估） 對主動矩陣式基板之源極電極與沒極電極之間施加電 壓20V ’使施加於閘極電極之電壓於—2〇〜3〇v變化，將流於 源極電極與汲極電極之間的電流，使用手動式探針與半導 體參數分析儀（安捷倫公司製，品名4156C)測定。評估， 係於基板製作直後（初期值），及將基板以6〇。，相對濕度 2232-9545-PF;Ahddub 33 200844562 • 9(U的氣氛中維持4〇〇小時後之2次。測定係於室溫) 進行。 [實施例1 ] 將製仏例1所得之氫化物1C之溶液（固形分35重量 %)1 00部，作為架橋劑具有脂環式構造之多官能環氧化合 物[DAICEL化學工業公司製，EHpE315〇(製品名），分子量 約2, 700，％氧基數15]25部，作為感放射線化合物之 『（1，1，3-二（2, 5-二甲基一4一羥苯基）—3一苯基丙烷（1莫耳）與 1，2-萘重氮醌-5 —磺醯氣（25莫耳）之縮合物25部，作為 老化防止劑之（1，2, 2, 6, 6一五甲基—4一哌啶基/三癸 基）-1，2, 3, 4-丁烷四羧酸酯5重量部，作為接著助劑之^ 一 縮水甘油醚氧丙基三甲氧我5 t量部及石夕膠系界面活性 劑[信越化學工業公司製，KP341(製品名）]〇·〇5重量部混 合，進一步添加二乙二醇乙基甲基醚92重量部及Ν 一甲基 - 2-吼洛㈣8部混合攪拌。混合物，在5分鐘内成均勾的 :溶液。將該溶液以孔徑〇.45//m之聚四說乙稀製過滤器過 滤’ $周製感放射線樹脂組合物1D。 (密著性評估用基板之製作） 於玻璃基材上使用CVD裝置形成膜厚45〇nm之氮化矽 膜。 之後，將玻璃基材，以231浸潰於混合：3_縮水甘油 醚氧三曱氧石夕烧1重量部’丙二醇單甲基趟醋酸醋/丙二醇 單曱基醚=70/30之混合比（容量比）之溶劑（以下，稱為「溶 劑X」。）20重量部，超純水79重量部，醋酸2重量部之 2232-9545-PF;Ahddub 34 200844562 ， 比例所知之液狀矽烷偶合劑1 〇分鐘。浸潰後，將玻璃基板 以氮吹氣後，以12〇°C的烘箱加熱30分鐘。加熱後，將玻 璃基材浸潰於超純水中進行清洗丨分鐘。 於形成氮化;ε夕膜與密著劑層之玻璃基材，將上述感放 射線性組合物1D旋轉塗佈後，使用加熱盤，以90°C預烘 烤2分鐘，形成膜厚2 5//m之樹脂膜。成膜後，將在於 365nm之光強度為5mW/cm2之紫外線照射12〇秒。進一步 f 使用烘箱進行以23(TC加熱60分鐘之後烘烤處理，製作密 ' 著性評估用基板。 (密著性之評估） 將基板製作直後（初期值）及基板以6〇t、相對濕度 90/。之氣氛中維持400小時後之密著性之評估結果示於表 2 〇 (主動矩陣式基板用陣列基板之製作） 於玻璃基材[Corning公司製，製品名「c〇rningl 737」] (上，使用濺鍍裝置，將鉻膜以200nm之膜厚形成，以微影 進行圖案化，形成閘極電極、閘極信號線及閘極端子部。 接著，以CVD裝置，連續形成覆蓋閘極電極與閘極配線， 成為閘極絕緣膜之450nm厚之氮化矽膜，成為半導體層之 250nm厚之a-Si層，成為歐姆接觸層之5〇nm厚之以以層， 將n + Si層及a-Si層圖案化成島狀。進一步，於閘極絕緣 膜及n + Si層上，以濺鍍裝置，形成膜厚2〇〇·之鉻膜，以 微影形成源極電極、源極信號線、汲極電極及資料端子部， 去除源極電極與汲極電極間的不要的n + Si層形成反向通 2232-9545-PF/Ahddub 35 200844562 _ 道’得到於玻璃基材上形成TFT之陣列基板。 (主動矩陣式基板之製作） 之後，將陣列基板，以23°C浸潰於混合3-縮水甘油醚 氧二甲氧矽烷1重量部，丙二醇單曱基醚醋酸酯/丙二醇單 甲基醚=70/30之混合比之溶劑χ2〇重量部，超純水7g重 i部，醋酸2重量部所得液狀矽烧偶合劑1 〇分鐘。浸潰後， 將陣列基板以氮吹氣後，以12(rc之烘箱加熱3〇分鐘。加 熱後，將陣列基板浸潰於超純水中進行清洗1分鐘。 f 、 將所得形成有矽烷偶合劑層之陣列基板，放入包含加 熱盤之矽基化處理室，將處理室内部脫氣後，導入六甲基 二矽氮烷（HMDS)作為矽基化劑，以5(rc使六甲基二矽氮烷 之蒸氣均勻擴散於處理室内後，以加熱盤將陣列基板加熱 為85°C進行矽基化1分鐘。接著，以氮將處理室内之六甲 基二矽氮烷（HMDS)置換，冷卻至室溫，得到表面矽基化（三 甲基矽基化）之陣列基板。 、 對所得表面矽基化之陣列基板，將上述感放射線樹脂 組合物1D旋轉塗塗佈後，使用加熱盤以9(rc預烘烤2分 鐘，形成膜厚1. 2 y m之樹脂膜。對該樹脂膜，經由 l〇emxlO#m之孔洞圖案之掩模，以在於365nm之光強度 為5mW/cm2之紫外線，於空氣中照射4〇秒。接著，使用〇. 4 重氫氧化四甲基銨水溶液以25〇c進行顯影處理9〇秒 後，以超純水清洗30秒，形成接觸孔之圖案。得到殘膜率 9(U以上的良好的圖案。顯影後，以照射紫外線1 秒。進一步，使用烘箱，進行以23(rc加熱6〇分鐘之後烘 36 2232-9545-PF;Ahddub 200844562 烤（架橋處理）形成有機保護膜（1)。 將形成有機保護膜（1 )之陣列基 血畜少、曰人a 移至真空槽，使用氬 ”氧5氧體（體積Λ⑽··4)作為濺鍍t，以麼力 ㈣_’藉由„__鑛’形成接於沒 極電極之膜厚200nm之In-Sn-Ο系非晶暂、泰、首兩 宁井日日負透明導電層（像素 電極），得到主動矩陣式基板（丨）。 對所得主動矩陣式基板⑴依照上述「TFT驅動特性之 評估」測定流於源極電極與汲極電極間的電流，求漏電流。 漏電流為lxl〇-13A/cm2，限值電壓為ο。 再者，將主動矩陣式基板⑴以6(rc，相對濕度9〇% 的氣氛中維持400小時後，進扞相π、糾〜 13 才便進仃相冋測定。漏電流為 8xl(T13A/Cm2，限值電壓為3V，大體上並無變化。 [實施例2〜9] 將液狀矽烷偶合劑之組成，密著劑層形成方法及有無 以HMDS之矽基化依照表！所述變更以外以與實施例】同: ( 地製作密著性評估用基板及主動矩陣式基板，進行與實施 例1同樣的評估。將結果示於表2。 再者，表1中，於「密著劑層形成方法」及「清洗方 法」之項之「旋轉」，係邊將玻璃基材或主動矩陣式基板 旋轉，分別將液狀矽烷偶合劑塗佈於基板上之操作及以超 純水清洗基板之操作。 [比較例1〜2] 將液狀矽烷偶合劑之組成，密著劑層形成方法及有無 以HMDS之矽基化依照表1所述變更以外以與實施例}同樣 2232-9545-PF;Ahddub 37 200844562 •地製作密著性評估用基板及主動矩陣式基板，進行與實施 例1同樣的評估。將結果示於表2。 再者作為有機保護膜形成材料」，取代在於實施 例1之製造例1所得之氩化物lc使用如下所得之丙烯酸樹 脂（比較例1)及聚亞醯胺樹脂（比較例2)。 (1) 丙烯酸樹脂之製造 將苯乙烯20重量部，丁基曱基丙烯酸酯25重量部， 2乙基己基丙烯酸酯25重量部，曱基丙烯酸3〇重量部， 2’2偶氮雙異丁腈〇·5重量部及丙二醇單甲基醚醋酸酯 300重1部於氮氣流中邊攪拌，以8〇。〇加熱5小時。將所 知树舳溶液以旋轉減壓濃縮機濃縮，得到固形分濃度35重 量％之丙烯酸樹脂溶液。 (2) 聚亞醯胺樹脂之製造 於乾燥空氟氣流下，於1公升的4 口瓶内將4, 4，-二 胺基二苯基醚9.61g(0.048莫耳），雙[4_(4-胺基苯氧基） ( 笨基]颯17· 3忌（0· 04莫耳）及二（3-胺基丙基）四甲基二矽 氧烷1.24g(〇.〇〇5莫耳）以40°C溶解於環戊酮102.5g。之 後，加入均苯四酸二酐6.5 4g (0.03莫耳），3 3，，4, 4，-二苯甲酮四羧酸二酐9 67g(〇〇3莫耳），3,3, ，4,4，一二 苯基醚四羧酸二酐12.41g((K04莫耳）及環戊酮3〇g，以5〇 。(：反應3小時。將該溶液以旋轉減壓濃縮機濃縮，得到固 形分濃度35重量％之聚亞醯胺樹脂溶液。 2232-9545-PF;Ahddub 38 200844562 [表1] 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 液狀矽偶合€ '~ 合偶合劑… GlyPr GlyPr GlyPr GlyPr GlyPr GlyPr 嗲负合齊尺 1 1 1 1 1 1 溶劑奴部)\ 20 20 89 89 89 89 汆(部- 79 79 10 10 10 10 2 2 - 一 1 1 密著劑層形^i： 形成方法 浸潰 浸潰 旋轉 旋轉 旋轉 旋轉 10分 10分 15秒 15秒 15秒 15秒 力口熱方法 ^ «....... …· 烘箱 烘箱 加熱盤 加熱盤 加熱盤 加熱盤 a — 麵售·*·_峰偷·•輪儀 120°C 120。。 130°C 130°C 130°C 130°C 時間 —… 30分 30分 3分 3分 3分 3分 清洗方法 浸潰 浸潰 「…靜 • •雙…· …-靜 旋轉 清洗時間 .......... …TF… …—ϋ… 150#"' 150秒 … …Γϋ 有無以HMDS之發基化 有 無 有 無 有 無 有機保護膜形成村料 氫化物1C 氫化物1C 氫化物1C 氫化物1C 氫化物1C 氫化物1C 主動矩陣式基板 (1) (2) (3) (4) (5) (6) 實施例7 實施例8 實施例9 比較例1 比較例2 液狀梦偶合劑 *···_鴨·》•細 _隹__.•輪 矽偶合劑(*) EpCh EpCh EpCh GlyPr EpCh_ 石，·會Μ(部） 1 1 1 1 溶齊i丑‘)- -------------- 20 89 89 ?「0 89 水(部） -------——----------- 79 10 10 79…… ........io........ 醋酸(部） 2 - - 2 —…· 1 密著劑層形成方法 形成方法 浸潰 旋轉 旋轉 浸潰 旋轉 10分 15秒 15秒 10分 15秒 加熱方法 ___ 機器 烘箱 加 溫度 __ 時間 1 12〇ΐ 130°C 130°C 1?,0°C 130°C 知分 3分 3分 30夯…… .............. 清洗方法 清洗時間 浸潰 1分 旋轉 崎····脅輪 150秒 旋轉 嫌释··•嫌· 150秒 浸潰 --------------—_ · 1分 旋轉 …―150#…― 有無以HMDS之矽基化 有 有 無 有 有 有機保護膜形成材料 氫化物1C 氫化物1C 氫化物1C 丙烯酸樹脂 聚酿亞胺樹脂 主動矩陣式基板 ^ΓτΊ ΛγΡτ* ! Q — -7V -44- yJ-t 3fc? (7) 隹备二甘-» to (8) (9) (C1) (C2) EpCh : 2-(3,4-環氧環己基）乙基三甲氧石夕院 2232-9545-PF;Ahddub 39 200844562 [表2] 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 主動矩陣式基板 (1) (2) (3) (4) (5) (6) 初期值 密著性 〇 〇 〇 〇 〇 〇 漏電流(xl(T13A/cm2) 1 1.5 2 2 1 1 限值電壓(V) 4 3.5 2.5 2.5 4 4.5 60°C，相對濕度90%，400時間後 密著性 〇 〇 〇 〇 〇 〇 漏電流(xlO_13A/cm2) 8 10 40 50 10 15 限值電壓00 3 3 1 1.5 2 3.5 1 3.5 實施例7 實施例8 實施例9 比較例1 比較例2 主動k陣式基板 (7) (8) (9) (C1) (C2) 初期值 密著性 〇 δ 〇 Δ Δ 漏電流(xlO_13A/cni2) 1 1 1.5 2 5 限值電壓(V) 3 3 4 3 3 60°C，相對濕度90%，400時間後 密著性 〇 〇 〇 X X 漏電流(xl(T13A/cin2) 6 8 3 不動作 不動作 限值電壓00 3 3 4 不動作 不動作 由表2之結果，可知於玻璃基材上，層積石夕燒偶合劑 所構成之密著劑層，及具有羧基之環狀烯烴系聚合物架橋 體所構成之有機保護膜而成之實施例卜9之主動矩陣式基 板，與有機保護膜形成材料變更為丙烯酸樹脂之比較例1 及變更為聚亞醯胺樹脂之比較例2之主動矩陣式基板不 同，密著性優良，又，即使在以60°C相對濕度90%之氣氛 中維持400小時之1熱條件長時間維持，漏電流及限值電 壓並不會上昇，TFT可安定地動作。分別由實施例1與2、 3與4、5與6及8與9之比較，可知於密著劑層形成後， 進行矽基化時，可以更加提升安定性。 2232-9545-PF/Ahddub 40 200844562 • 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之主動矩陣式基板之一態樣之1像素單 位之示意平面圖（la)及包含TFT部之部分剖面圖（ib)。 圖2係使用本發明之主動矩陣式基板製作而得之主動 矩陣型液晶顯示裝置之一態樣之平面圖。 圖3係圖2之主動矩陣型液晶顯示裝置之χ — γ剖面圖。 圖4係表示在於本發明之有機el顯示裝置之有機EL r 元件之典型的構成例。 圖5係使用於主動矩陣型有機el顯示裝置之本發明之 主動矩陣式基板上之電路之一例之說明圖。 圖6係先前之主動矩陣式基板上之導體電路之一例之 說明圖。 【主要元件符號說明】 卜基材； 3〜源極信號線； 5〜閘極電極； 7〜沒極電極；， 9〜有機保護膜； 11〜像素電極； 13〜源極信號線； 15〜閘極電極； 17〜汲極電極； 101〜主動.矩陣式基板； 2〜閘極信號線； 4〜薄膜電晶體（TFT); 6〜源極電極； 8〜密著劑層； 10〜接觸孔； 12〜閘極信號線； 14〜薄膜電晶體（TFT); 1 6〜源極電極； 18〜像素電極； 102〜彩色濾光片基板； 2232-9545-PF;Ahddub 41 200844562 103〜密封材； 108〜輸入端子； 111〜配向膜； 202〜像素電極； 204〜源極信號線； 207〜彩色濾光片層； 3(Π〜主動矩陣式基板； 303〜上部電極層（陰極）； 401〜掃描電極； 403〜資料電極； 405〜薄膜電晶體（TFT); 105〜電極圖案； 110〜液晶層； 201〜薄膜電晶體（tft) 203〜閘極信號線； 206〜對向電極； 208〜黑矩陣； 302〜發光材料層； 304〜封裝膜； 402〜薄膜電晶體（TFT) 404〜電容器； 406〜有機EL元件。 2232-9545-PF;Ahddub 42
Claims (1)
- 200844562 十、申請專利範圍： 1 -種主動矩陣式基板，於基板上形成包含薄膜電晶 體之導體電路者，其係於形成導體電路之基材表面上，依 序層積·由矽烷偶合劑所構成之密著劑層;及具有質子性 極丨生基之％狀烯烴系聚合物之架橋體所構成之有機保護 膜。 2 ·如申睛專利範圍第1項所述的主動矩陣式基板，其 中猎著劑層係由液狀矽烷偶合劑所構成者。 3·如申睛專利範圍第丨或2項所述的主動矩陣式基 板’其中矽烷偶合劑係具有環氧基者。 4· 一種申請專利範圍第丨項所述的主動矩陣式基板之 製造方法，包含： U)於形成導體電路之基材表面上形成由矽烷偶合劑 所構成之密著劑層之步驟； (2) 於步驟⑴所形成之密著劑層上，形成由感放射線 性樹腊組合物所構成之樹脂膜之步驟，該感放射線性樹脂 組合物包含具有質子性極性基之環狀烯烴系聚合物；及 (3) 將步驟（2)所形成之樹脂膜架橋形成有機保護膜之 步驟。 5·如申請專利範圍帛4項所述的主動矩陣式基板之製 造方法，其中於步驟⑴，將液狀錢偶合劑塗佈或印刷於 形成導體電路之基材表面上，或將基材浸潰於液狀石夕烧偶 合劑中拉起，接著，藉由加熱乾燥形成密著劑層。 .6·如申請專利範圍第4或5項所述的主靠陣式基板 2232-9545-PF/Ahddub 43 200844562 • 之製造方法，其中將步驟（2)以濕式法進行。 7 ·如申請專利範圍第4至6項之任何1項所述的主動 矩陣式基板之製造方法，其中感放射線性樹脂組合，係進 一步含有：架橋劑、感放射線化合物及溶劑者。 8 · —種主動矩陣式基板密著劑層形成用組合物，將具 有環氧基之矽烷偶合劑溶解於有機溶劑及/或水而成。 9· 一種平面顯示裝置，包含如申請專利範圍第1至3 項之任何1項所述的主動矩陣式基板。 2232-9545-PF/Ahddub 44
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