200840467 ‘ (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關配合於抑制由數據電子機器所產生不必 要電磁波干涉之抑制電磁波千涉用薄片之，於軟磁性粉末 中配合導電性碳之導電•磁性塡料。又，本發明係有關含 有上述導電•磁性塡料之樹脂組成物，使用其之抑制電磁 波干涉用薄片及其製造方法。本發明更有關使用上述之抑 # 制電磁波千涉用薄片之高頻率信號用平口電纜及可撓性印 刷基板。 【先前技術】 近年來，數據電子機器的進步極爲耀眼，而特別是手 機、數位相機、筆記型電腦所代表之隨身型電子機器中明 顯要求其運作信號之高頻率化與小型化·輕量化，電子零 件、配線基板之高密度實裝爲最大技術課題之一。 • 由於電子機器之電子零件、配線基板之高密度實裝與 運作信號之高頻率化之進步，而無法取得雜音出現之構件 與其他構件之距離，爲抑制由電子機器微製程、LSI、液 晶電路板所放射不必要的輻射之用途下使用抑制電磁波干 涉用薄片。如本用途之近旁電磁場中電磁波之吸收反射現 象使用如先前技術公知之遠方電磁場（電磁波爲平面波時） 之傳送線理論之解析極爲困難（橋本修「電波吸體之動向 」、電子情報通訊學會誌、ν〇1·86 Νο.10 ρρ·800_803， 2 003年10月）。因此，抑制電磁波干涉用薄片之設計大 -4- 200840467 (2) 部份依存其經驗。最近，於近旁電磁場中爲吸收電磁波而 使用以扁平狀金屬磁性粉末作爲軟磁性粉末配合於樹脂之 形態的抑制電磁波干涉用薄片（專利文獻1及2)。 目前爲止’作爲軟磁性粉末被揭示有含有90重量％ « 之平均粒徑10 μηι扁平狀Fe-Al-Si合金（sendust)粉末（鐵 矽鋁磁性合金粉末）之厚度1.2 mm之抑制電磁波干涉體（ 專利文獻1 )。關於具體被揭示之組成1及3，使合金粉末 • 密度爲6.9 kg/Ι，樹脂份密度爲1.1 kg/Ι進行計算後，該 鐵矽鋁磁性合性粉末含量爲58.9 vol%。 又，製造方法中被揭示有「將於樹脂及溶劑中分散扁 平狀金屬磁性粉末之磁性塗料塗佈於具脫模層之基材上進 行乾燥後，使乾燥之塗佈膜剝離後，取得磁性薄片爲其特 徵之磁性薄片之製造方法」（專利文獻2)。針對做爲具體 例所揭示之磁性薄片之乾燥膜厚爲1 20 μπι、鐵矽鋁合金 粉末之塡充率爲最大80重量％之磁性密封薄片，使鐵矽 ® 鋁合金粉末密度爲6.9 kg/L，樹脂份密度爲1·1 kg/L進行 δ十算後’其鐵砂銘合金粉末含量爲56.0 vol%，顯示相較 ^ 於上述者，其可實現更薄型之磁性薄片。可預見的薄型之 i 磁性薄片藉由電子零件，配線基板之高密度實裝爲理想者 〇 專利文獻1 :特開平7-212079號公報 專利文獻2 :特開2000-244 1 7 1號公報 藉由數據電子機器之小型化·輕量化之進展，相較於 電子零件、配線基板更被要求進一步高密度之實裝，更被 -5- 200840467 (3) 強烈要求更爲輕薄，且近旁電磁場具良好的電磁波吸收能 ，電磁波反射少之抑制電磁波千涉用薄片。一般，使抑制 電磁波干涉薄片變薄，則降低電磁波吸收性，爲進一步使 薄片變薄，務必提高磁性粉末之含量，且確保薄片實用上 1 之柔軟性及強度。 【發明內容】 φ 本發明係使導電性碳與軟磁性粉末以體積比率3〜1 0 :5 0〜70下進行混合之導電•磁性塡料（本發明1)。 又，本發明之塡料之軟磁性粉末其特徵係選自羰基鐵 、磁鐵礦、尖晶石鐵酸鹽、鐵矽鋁磁性合金、矽鋼、鐵等 至少1種粉末所成之導電•磁性塡料（本發明2)。 又，本發明之塡料係含有53〜80 vol%之以體積比率 3〜10 : 5 0〜70進行混合導電性碳與軟磁性粉末之導電•磁 性塡料的樹脂組成物（本發明3)。 # 又，本發明係使用上述樹脂組成物之抑制電磁波干涉 薄片（本發明4)。 又，本發明係含有53〜80 vol%之以體積比率3〜10 : 5 0〜7 0進行混合導電性碳與軟磁性粉末之導電•磁性塡料 的樹脂組成物，其特徵係於厚度1 00 μπι以下之薄片中測 定微帶線，電磁波吸收量爲500 MHz時10%以上，3 GHz 時40%以上，且100 MHz至3 GHz之範圍中電磁波反射 量爲-5dB以下之抑制電磁波干涉薄片（本發明5)。 又，本發明係使用上述抑制電磁波千涉薄片之高頻率 -6 - (4) (4)200840467 信號用平口電纜（本發明6)。 又’本發明係使用上述抑制電磁波干涉薄片之可撓性 印刷基板（本發明7)。 本發明之特徵係藉由塗佈分散上述之導電•磁性塡料 之塗料後’調整乾燥後之層厚，進行熱壓成形之抑制電磁 波干涉薄片之製造方法（本發明8)。 本發明相較於先行技術較可取得高塡充軟磁性粉末， 藉由使用該高塡充軟磁性粉末後，可取得近旁電磁場中具 良好的電磁波吸收之抑制電磁波干涉薄片。將使用該導電 •磁性塡料之磁性塗料進行塗佈呈10〜100 μιη之乾燥厚度 後，藉由本發明熱壓成形之製造方法後，可取得近旁電磁 場之良好電磁波吸收，且適於抑制反射之高密度實裝之抑 制電磁波干涉薄片。 【實施方式】 [發明實施之最佳形態] 本發明之軟磁性粉末係由選自羰基鐵、磁鐵礦、尖晶 石鐵酸鹽、鐵矽鋁磁性合金、矽鋼、鐵等至少1種粉末所 成。又，有關此等粉末之形狀，可任意爲粒狀、球狀、粉 碎狀、針狀等各種形狀均可。 本發明之軟磁性粉末之平均粒徑爲薄片厚度之1 /3以 下者宜。較佳者爲1/5以下。平均粒徑若超出1/3則將降 低抑制電磁波千涉用薄片表面之平滑性’對於電磁波產生 源之薄片密合性變差，降低電磁波吸收性能。 (5) 200840467 又，本發明軟磁性粉末之密度爲4.0〜9·0 g/cm3者， 宜。更佳者爲5.0〜8.0 g/cm3。 本發明軟磁性粉末中，羰基鐵之形狀爲球狀，其平均 粒徑爲1〜10 μπι，可進行高塡充，且可均勻分散於樹脂因 此爲理想者。當平均粒徑未達1 μιη時，則樹脂混合物變 爲高黏度，不易均勻分散而不理想。反之超出1〇 μη，則 無法進行高塡充而不理想。更理想之平均粒徑爲2〜8 μιη •。 本發明軟磁性粉末並未特別限定，必要時亦可以酞酸 酯系、矽烷系之偶合處理劑進行表面處理亦可。較佳者於 金屬系之軟磁性粉末進行磷酸系表面處理即可。又，對於 軟磁性粉末而言，以0.1〜1.0 wt%之偶合處理劑進行表面 處理。當偶合劑之處理量未達0.1 wt%時，將無法有效提 高對於樹脂之親和性，因此無法充分維持氧化穩定性。超 出 1 · 〇 wt%則阻抗變高降低電磁波吸收量。理想者爲 • 〇· 1 〜0.5 wt%。 偶合劑中做爲鈦酸酯系偶合劑之例如：異丙基三硬脂 醯鈦酸酯、異丙基三（二辛基焦磷酸）酞酸酯、異丙基三 . (N-胺乙基·胺乙基）酞酸酯、四辛基雙（二三癸基磷鹽）酞酸 酯、四（2-2二烯丙氧甲基-1-丁基）雙（三三癸基）磷鹽酞酸 酯、雙（二辛基焦磷鹽）氧基乙酸酯酞酸酯、雙（二辛基焦 磷鹽）乙烯酞酸酯等例。 做爲矽烷偶合劑例者如：適於彈性體之偶合劑之乙烯 三氯矽烷、乙烯三甲氧基矽烷、乙烯三乙氧基矽烷、2- -8 - 200840467 (6) (3，4-環氧基環己基）乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙 基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、 3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基 甲基二甲氧基矽烷、3 -甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷 、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯 ' 醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽 烷、N-2-(胺乙基）3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺 φ 乙基）3-胺基丙基三甲氧基矽烷、Ν·2·(胺乙基）3-胺基丙基 三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三 乙氧基矽烷、3-氫硫基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-氫硫基 丙基三甲氧基矽烷、雙（三乙氧基矽烷基丙基）四硫化物等 例。 又，理想的金屬系軟磁性粉末以進行磷酸系表面處理 即可。於粒子表面對於軟磁性粉末而言，以磷酸基準下爲 0.1〜0.5 wt%之磷酸進行表面處理。更對於軟磁性粉末而 言，以0.1〜1.0 wt%之砂院偶合劑進行表面處理即可。隣 酸量若未達0.1 wt%時，則將降低氧化穩定性’同時降低 阻抗，反射變大。磷酸量超出〇.5 wt%時，則阻抗變高， 降低吸收。理想者爲0.1〜〇·4 wt%。 本發明之導電性碳中適於使導電性碳黑、或碳纖維經 加工之纖維狀碳。 導電性碳黑中以粒徑20〜60 nm、BET法比表面積 30〜1 300 m2/g者宜。更佳者爲粒徑30〜40 nm、700〜1300 m2/g之具有中空殼構造之高導電性碳黑者。 -9- 200840467 (7) 碳纖維經加工之纖維狀磷中以纖維長度3〜24 mm之 剪切纖維、或纖維長度3 0〜150 μηι之中段纖維者宜。抑制 電磁波千涉薄片中加工後之纖維長度以掃描型電子顯微鏡 觀察薄片表面時，做成10 μπι〜10 mm者宜。當未達ΙΟμπι ' 時則薄片變曲時容易使電磁波吸收性能劣化。超出1 Onim * 則出現起毛導致不易做爲薄片使用。加工後的纖維長度更 理想者爲30 μπι〜3 mm。 φ 本發明之導電性碳與軟磁性粉末之體積比率爲3〜10 :5 0〜70。未達此範圍時，則電磁波吸收量低。反之，超 出該範圍則電磁波之反射大，薄片強度，柔軟性均降低而 不理想。較佳者爲3〜10 : 55〜70，更佳者爲4〜8 : 60〜70。 以下針對本發明之抑制電磁波干涉用薄片，進行說明 〇 本發明抑制電磁波千涉用薄片爲含有53〜80 vol%之 本發明導電•磁性塡料，薄片之厚度爲5 0 μηι以下者宜。 # 未達53 vol%時，則電磁波吸收量低。當羰基鐵粉之含量 超出80 vol%時，電磁波反射變大，薄片強度、柔軟性均 降低爲不理想者。因應其使用情況，調整薄片厚度，惟， 未達10 μιη則做爲薄片之強度容易不足。超過100 μιη之 厚度時，於高密度實裝之電子電路爲太厚。 本發明抑制電磁波干涉用薄片係使樹脂配合15〜30 vol%者宜。未達 15 vol%時，薄片彎曲性差。超出 30 vol %則電磁波吸收量下降。於樹脂中可使用苯乙烯系彈性 體、烯烴系彈性體、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、胺 -10- 200840467 (8) 基甲酸乙酯系彈性體、聚矽氧系彈性體等。苯乙烯系彈性 體中有SEBS(苯乙烯乙烯丁烯苯乙烯嵌段共聚物）等。彈 性體中可混合丙烯樹脂、環氧樹脂、聚烯烴樹脂等使用之 〇 本發明之抑制電磁波干涉用薄片以配合5〜20 vol%之 * 難燃劑者宜。當未達5 vol%時，則難燃效果不足。超出 2 0 vol%時，則降低吸收量而不理想。難燃劑之使用以聚 φ 磷酸蜜胺、氫氧化鎂、水滑石等宜。較佳者爲氫氧化鎂、 聚磷酸蜜胺。 本發明抑制電磁波干涉用薄片以配合0.5〜3 vol%之抗 氧化劑者宜。當未達0.5 vol%時，則降低耐氧化性而不佳 。超出3 vol%時，則降低吸收量而不理想。適於使用2’- 3- 雙[[3-[3，5 -二-第三-丁基-4-羥苯基]丙醯基]]丙醯胼 (chibaspeciality chemicals 公司製、IRGANOX MD 1 024) 等。做爲樹脂用之抗氧化劑例者由四[甲撐-3-(3’，5’·二-第 # 三-丁基-4，-羥苯基）-丙酸酯]、三-(3,5-二-第三-丁基-4·羥 苄基）-三聚異氰酸酯、N，N’-六甲撐雙（3,5-二-第三-丁基- 4- 羥基氫化肉桂醯胺）選取適當者於樹脂中。做爲橡膠系 樹脂之抗氧化劑例者以東菱股份公司「CTPI」（N-環己基 硫代鄰苯二甲醯胺）者宜。 本發明抑制電磁波干涉用薄片之厚度100 之薄片 中，電磁波吸收量爲〇·5 GHz時10%以上、3 GHz時40% 以上者宜。當未達其則電磁波吸收量不足。 本發明抑制電磁波干涉用薄片之厚度100 薄片中 -11 - 200840467 (9) ’電磁波反射量於0.1〜3 GHz之頻率數範圍中以-5 dB以 下者宜。爲其以上時則電磁波反射量太大而不理想。 以下針對本發明之高頻率信號用平口電纜及可撓性印 刷基板進行說明。 本發明之高頻率信號用平口電纜及可撓性印刷基板係 * 利用本發明之抑制電磁波干涉用薄片，降低基板之小型化 及配線基板本身之噪音放射源。藉由此進行電子電路的高 φ 密度化，降低驅動電壓，可提昇電源，可進行具有耐噴音 性之基板的施工。 本發明抑制電磁波干涉用薄片之製造方法係藉由塗佈 分散本發明導電•磁性塡料之磁性塗料後，調整乾燥後之 磁性薄片厚度，適於進行熱壓成形。藉由磁性塗料化後， 可進行高塡充，且可均勻分散，故爲理想者。 [實施例] # 說明實施例所示各測定値之測定方法。 [粉末材料之密度] 粉末材料之密度係如以下所測定。密度計係用微粒公 司製多容積密度計1305型，坪取28 g(W)粉末投入反應 容器，求出所不氨氣壓力樣品體積（V)之密度。 密度=W/V(g/cm3) 12- (10) 200840467 [電磁波吸收量與反射量之測定] 藉由於長度100 mm、寬2.3 mm、厚度35 μιη、阻抗 50 Ω所調整之微帶線經施工之基板進行測定。所製作之 薄片切取40 mm、長度50 mm後做成試驗片。 將微帶線連接於Hulett Packerd公司製，網路分析器 8720D，測定微帶線之S參數。往微帶線之長度方向貼合 薄片之長度方向，使其分別之中心點一致進行裝置。將與 薄片同樣大小之發泡倍率20〜30倍之發泡聚苯乙烯之厚度 10mm板重疊於薄片，於其上呈載重3 00 g之狀態下測定 S參數。由所得S參數算出吸收量（％)與反射量（dB)。 吸收量=(1- I Sn 丨 2- | S21 丨 2)/1χ100(%) 反射量=20 log丨Sii丨（dB) [實施例1] Φ 使環己酮於20重量％苯乙烯系彈性體（密度〇·9 g/cm3)所溶解之溶液（日立化成工業股份公司製「TF-4200E」）中去除溶劑後之體積比例做成55 v〇l%之球狀磁 鐵礦（戶田工業股份公司製MAT3 05密度5.0 g/cm3、粒徑 0.2 5 μπι)、苯乙烯系彈性體爲21 vol%、粒狀導電性碳 (catchen black internation 股份公司製「catchen black EC 」密度1.6 g/cm3)爲8 vol%、難燃劑之聚磷酸蜜胺（三和 化學公司製「MPP_A」密度丨·8 g/cm3)爲8 ¥〇1%與氫氧化 銭（協和化學製「kismer 5A」密度2.4 g/cm3)爲8 vol%進 -13- 200840467 (11) 行計量後混合之，利用SMT公司製能i 1 5 000旋轉下攪拌60分鐘後取得漿料。 度，添加與彈性體溶液相同體積之乙基環 料進行真空脫泡處理後，利用塗膠刀塗佈 ' 於有機溶劑乾燥後製作薄片厚度爲80 μιη 得薄片於溫度130°C、壓力90 MPa、力口壓 件下，成形後取得厚度30 μπι之薄片。所 φ 滑、且爲彎曲性良好之薄片。又，使用長 2.3 m m、厚度350111、阻抗5〇〇微帶線藉 定S參數，計算吸收量及反射量之結果， 吸收量爲15%，3 GHz之吸收量爲45%， MHz〜3 GHz中爲-10 dB以下，廣域頻率 高，反射量低具平衡性良好之特性。表1 代表評定結果。 [實施例2] 相同於實施例1之薄片中之配合量弓 纖維狀導電碳（東菱股份公司製「剪切纖 006-C」纖維長度6mm、纖維直徑1 μπι、 、球狀磁鐵礦「ΜΑΤ3 05」爲 60 vol%， 密胺（三和化學公司製「MPP-A」密度1.8 與氫氧化鎂（協和化學製「Kismer 5A」密 8 vol%、製成加熱壓縮成形後之板厚爲3ί 微帶線評定S參數中，500 MHz之吸收爲 t勻漿器以分速 此時，爲調整黏 己酮。將取得漿 於載體薄膜上， 之薄片。更將取 時間5分鐘之條 得薄片其表面平 度 1 00 mm、寬 由網路分析器測 於500 MHz之 反射量於由100 數範圍中吸收量 代表組成，表2 11做成 6 V ο 1 %之 維 Trayca TS12 密度 1 .5 g/cm3) 難燃劑之聚磷酸 g/cm3)爲 8 vol0/〇 度 2.4 g/cm3)爲 ;μπι之薄片。使 14%、3 GHz 之 -14- (12) 200840467 吸收爲47%、100 MHz至3 GHz之反射爲-l〇 dB以下，廣 域頻率數範圍之吸收高，反射低、爲平衡性良好之特性。 表1代表組成、表2代表評定結果。 [實施例3]
與實施例1同法做成纖維狀導電碳（東菱股份公司製 「剪切纖維Trayca TS12 006-C」纖維長度6 mm、纖維直 徑 1 μπι、密度 1·5 g/cm3)爲 4 vol%、經基鐵（Internal Specialty Products 公司製「R1470」粒徑 6.2 μπι、密度 7.8 g / c m3 )爲 3 5 v ο 1 %、鑛基鐵（1|116]：11&1 Specialty Products 公司製「S3000」粒徑 2μιη、密度 7.6 g/cm3)爲 23 vol%、難燃劑之聚磷酸蜜胺（三和化學公司製「MPP-A 」密度1.8 g/cm3)爲 8 vol%與氫氧化鎂（協和化學製「 kismer 5A」密度2.4 g/cm3)爲8 vol%製作其加熱壓縮成 形後之板厚爲47 μπι之薄片。使用微帶線所評定S參數， 500MHz 之吸收爲 21% 、 3 GHz 之吸爲 49% 、 100MHz〜3GHz之反射爲-1 4 dB以下，廣域頻率數範圍之 吸收高，反射低，具良好的平衡特性。表1代表組成、表 2代表評定結果。 [實施例4、5、7、8] 與實施例2同法製作調整成表1所載之配合與板厚之 薄片，由利用微帶線之S參數測定吸收量與反射量之結果 ，全部板厚爲100 μπχ以下，500 MHz之吸收量爲10%以 -15- (13) (13)200840467 上、3 GHz之吸收量爲40%以上，且100 MHz〜3 GHz之 反射笱爲-5 dB以下，吸收高、反射低之良好平衡特性。 又 ’ Internal Specialty Products 公司製鑛基鐵「S1641」 爲粒徑6.2 μπι、密度7·6 g/cm3。表1代表組成、表2代 表評定結果。 [實施例6、9-13] 與實施例1同法製作調整呈表1所載配合與板厚之薄 片，由使用微帶線之S參數測定吸收量與反射量之結果， 全部板厚爲1 00 μηι以下、500 MHz之吸收量爲1 0%以上 、3 GHz之吸收量爲40%以上，且由1〇〇 MHz至3 GHz之 反射均爲-5 dB以下，吸收高、反射低之良好平衡特性。 另外，戶田工業股份公司製Ni-Zn鐵酸鹽「SBN714」爲 密度5· 1 g/cm3。表1代表組成、表2代表評定結果。 [比較例1] 與實施例1同法，作成鐵、鋁、矽之重量比爲8 5 : 6 :9、形態比爲15〜20、密度6.9 g/cm3、平均粒徑50 μιη 之扁平金屬粉末呈47 vol%之加熱壓縮成形後之板厚調整 成100 μιη之薄片的製作。500 MHz之吸收量爲10%、3 GHz之吸收量爲43%、100 MHz〜3 GHz之反射爲-10 dB 以下之吸收與反射平衡良好者，惟薄片板厚爲1 〇〇 μηι之 相較於實施例8則其吸收性能大幅低劣。表3代表組成、 表4代表評定結果。 -16- (14) (14)200840467 [比較例2 ] 比較例2係與比較例1同法之配合製作薄片後，使厚 度調整爲500 μιη取得表1之結果。吸收與反射爲良好特 性，惟，500 μιη之厚度的高密度實裝爲不適當者。表3 代表組成、表4代表評定結果。 [比較例3〜1 1 ] 比較例3〜1 1係與實施例1同法製作調整表丨之配合 與板厚之薄片。比較例3〜9中任一薄片其反射均爲-20 dB 以下，而吸收於500 MHz中均未達1〇%，3 GHz中未達 2 6%以及僅取得極少吸收之抑制電磁波干涉薄片。表3代 表組成、表4代表評定結果。 又，比較例1 〇〜1 1與實施例1同法，作成調整表1之 配合與板厚之薄片。比較例1 〇中因其纖維未分散而無法 使塗料進行塗佈。比較例1 1之薄片其吸收於500 MHz爲 3 3%、3 GHz爲90%之良好者，惟反射波峰爲·4· 5 dB之極 大者，因此信號傳送上有問題之特性存在。表3代表組成 、表4代表評定結果。 -17- 200840467 5) 【1® 薄片板 厚度 (μιη) 〇 m m ο τ—Η O g § 難燃劑 氫氧化鎂 〇〇 00 oo oo 00 00 00 oo ON 00 oo oo oo 聚磷酸蜜胺 〇〇 oo oo 00 GO oo oo oo m oo 00 oo oo 00 塡料合 計量 (vol%) cn VO v〇 <N VO OS iTi OS oo so s s 60.5 m m VO 63.5 62.5 3%矽鋼 粒狀 1 1 雇 1 1 1 1 I 1 1 I I 鐵矽 銘合金 粒狀 1 1 1 t 1 1 1 1 1 1 1 1 鐵矽 鋁合金 扁平狀 1 1 1 1 1 I r 1 1 1 1 1 1 鐵酸鹽 BSN714 1 1 1 1 1 § 1 1 1 1 1 1 1 羰基鐵粉 S1641 1 1 1 * 1 1 m irv m 1 1 in 1 1 S3000 1 1 cn 04 1 I 漏 1 1 1 m (N 1 1 1 R1470 1 1 m in 1 1 1 m t i 1 磁鐵礦 MAT305 § 1 t t 1 義 1 1 1 s » 1 導電性碳 PQ 1 寸 寸 寸 1 Ό 1 1 1 1 < 00 1 1 1 1 oo 1 1 m Ό oo 卜： 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 實施例13 u.900 nslj squls :mog ϋωψηδ : v -18- (16)200840467
[表2] 吸收量（％) 反射量（dB) at ： 0.5 GHz at ： 3 GHz at ： 0.1-3 GHz 實施例1 15 45 -10 實施例2 14 47 -10 實施例3 21 49 -14 實施例4 3 0 70 -11 實施例5 32 90 -7 實施例6 11 40 -13 實施例7 10 45 -1 1 實施例8 22 88 -8 實施例9 30 7 5 -10 實施例1 〇 35 80 -8 實施例1 1 20 63 -9 實施例1 2 15 5 1 -10 實施例1 3 15 42 -10 -19- (17) 200840467 【ε¥ 薄片板 厚度 (μπι) 〇 500 不可 薄片化 難燃劑 氫氧化鎂 V 1 1 1 1 I 1 1 1 1 1 聚磷酸蜜胺 1 1 1 1 1 V 1 1 1 1 I 塡料合計 量(vol%) VO 56.5 s (N VO s ο 〇 3%矽鋼 粒狀 1 1 1 V 1 1 1 1 1 1 1 鐵矽 鋁合金 粒狀 1 1 1 1 1 1 1 1 un in 1 i 鐵矽 鋁合金 扁平狀 I I 1 1 1 1 1 t 雇 鐵酸鹽 BSN714 1 1 1 1 vo 1 1 t 雇 I 1 羰基鐵粉 S1641 1 1 I 1 I (N V£> i (N 1 1 1 S3000 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 R1470 1 1 v〇 ( 1 1 s 1 1 磁鐵礦 MAT305 1 1 1 56.5 1 1 1 1 塞 I 1 導電性碳 PQ 1 I I 1 (N CN (N 1 1 m 1 < 1 1 1 t 1 Ϊ 1 (N <N 1 m 比較例1 比較例2 比較例3丨 比較例4 比較例5 比較例6 比較例7 比較例8 比較例9 比較例10 比較例11 u'-900(NlsH」sqymo : g
03 Iq β Js : V -20- (18) 200840467 [表4] _ 吸收1 1 (%) 反射量（dB) at ： 0.5 GHz at ： 3 GHz at ： 0.1-3 GHz 比較例1 10 43 -10 比較例 2 20 85 -7 比較例3 2 16 -23 比較例 4 3 12 -23 比較例5 4 18 -23 比較例 6 4 19 -24 比較例 7 4 26 -20 比較例8 6 30 -14 比較例 9 5 26 -20 比較例 10 不可測定 不可測定 不可測定- 比較例 11 33 90 -4.5
[產業上可利用性] 本發明之導電•磁性塡料其薄片的板厚再薄仍具良好 的電磁波吸收特性，可取得電磁波反射少之抑制電磁波干 涉用薄片，因此，適於做爲抑制電磁波千涉薄片之塡料。 又，本發明抑制電磁波千涉薄片其薄片板厚較薄時， 仍於廣域頻率數範圍中具高吸收量，低反射量之平衡良好 的特性，因此附近電磁場中電磁波吸收特性佳、電磁波反 射少適於制抑制電磁波干涉用薄片者。 -21 -