TWI422320B - Suppression of noise slices - Google Patents

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Description

抑制雜訊薄片
本發明有關一種自Ni-Zn鐵素體燒結體所構成之抑制雜訊薄片，更詳言之，係提供一種藉由控制Ni-Zn鐵素體(ferrite)材料之複導磁率(complex magnetic permeability)與體積電阻率，於貼附於電路上時在10MHz至1GHz下之電磁波反射量少之抑制雜訊薄片。
近幾年來，數位電子設備有驚人的進步，尤其是以行動電話、數位相機或筆記型電腦為代表之行動電子設備，顯著要求有動作訊號之高頻化．小型化或輕量化，電子零件或電路基板之高密度安裝被舉出為最大的技術課題之一。
由於電子設備的電子零件或電路基板之高密度安裝與動作訊號之高頻化進展，故無法去除發生雜訊之零件與其他零件之距離，而於電子電路或電路基板上貼附用以抑制自電子設備之微處理器、LSI或液晶面板等所放射之不需要輻射之抑制雜訊薄片。其使用時，若自抑制雜訊薄片之反射量大，則其反射波因必要訊號的干涉而有引起電子零件錯誤動作之可能性。因此，如專利文獻1之記載「[0007]---強烈要求有電磁波反射少之電磁波干涉抑制用薄片」，而其望有電磁波反射少的抑制雜訊薄片。
如本用途之於附近電磁場之電磁波吸收反射現象，利用於在電波暗室或建築物壁面使用之電波吸收體(專利文獻2)之設計的傳送線路理論(遠方電磁場處理理論)難以解析，故抑制雜訊薄片之設計倚賴於經驗的部分相當大(非專利文獻1)。
於最近，如專利文獻1及專利文獻3所揭示，已廣泛使用於樹脂中添加扁平狀或球狀金屬軟磁性粉末作為軟磁性粉末並成形為薄片狀之抑制雜訊薄片。
又，專利文獻4中皆是有使用鐵素體燒結體之電磁波抑制體，於專利文獻5中則揭示使用鐵素體燒結體之電波吸收體以及使用該電波吸收體之高頻電路用封裝。
另一方面，製作薄的薄片狀鐵素體燒結體時，令於樹脂中混合鐵素體粉末之鐵素體成形薄片予以燒結。此時，鐵素體成形薄片彼此間或燒結薄片固著於燒結用基座。由於將固著之燒結薄片剝離時會使燒結薄片破損，故一般係進行在燒結前之鐵素體成形薄片或燒結用基座表面上塗佈用以防止固著之氧化鋯粉末或氧化鋁粉末等之脫模粉末並予以燒結，於燒結後去除脫模粉末之方法。此等作業極其煩雜，且脫模用粉末難以完全去除，故若使用於精密電子零件等時，有脫模粉末污染設備之情況。又，脫模用粉末凝集時，於燒結時產生拉力而使鐵素體燒結薄片產生起伏，最終產生破裂之頻度變高。作為解決此之方法，於專利文獻6中揭示有利用「於鐵素體成形體燒結之際使用之鐵素體核心變形防止用鐵素體薄片」。
又，於專利文獻7中，作為獲得天線一體型磁性薄片，揭示有將燒結鐵素體固片敷置在薄片基材上並接著固定之方法。
[專利文獻1]特開2007-288006號公報
[專利文獻2]特開平06-224583號公報
[專利文獻3]特開平7-212079號公報
[專利文獻4]特開2002-204094號公報
[專利文獻5]特開2004-6591號公報
[專利文獻6]特開平2-305416號公報
[專利文獻7]特開2006-174223號公報
[非專利文獻1]橋本修，「電波吸收體之動向」，電子情報通訊學會誌，卷86，第10期，800~803頁，2003年10月
專利文獻1及專利文獻3，雖揭示於樹脂中添加扁平狀或球狀金屬軟磁性粉末作為軟磁性粉末並成形為薄片狀之抑制雜訊薄片，貼附此薄片時之反射量變大，故輸入訊號與反射訊號產生干涉的可能性高。
於專利文獻2中揭示關於在電波暗室等使用之電波吸收體，藉控制導磁率、體積電阻率及介電率，而提高在數十MHz帶之吸收特性。
此電波吸收體，如非專利文獻1中所示，為可藉由傳送線路理論設計者，其吸收特性可藉由自導磁率、介電率及電波吸收體厚度計算而求得。又，該專利文獻2中雖未顯示，但電波吸收體厚度通常有必要為5mm以上。因此，關於設計思想全然不同之雜訊吸收薄片，利用專利文獻2之見解有其困難。
於專利文獻4中，雖揭示使用鐵素體燒結體之電磁波抑制體，但有關鐵素體燒結體並無詳細記載，且有關自電磁波抑制體之反射亦無記載。
於專利文獻5中，雖揭示使用鐵素體之電波吸收體及使用該電波吸收體之高頻電路用封裝，但作為其對象之頻率為10GHz以上，遠高於本發明中作為對象之頻率數範圍。由於若對象的頻率數不同，設計思想亦不同，因此有關本發明之雜訊吸收薄片，利用專利文獻5之見解有其困難。
另一方面，於專利文獻6，雖揭示於鐵素體成形體燒結之際使用鐵素體薄片，但此方法之生產性差，必須另外準備鐵素體薄片本身，亦無法經濟地使用。
又，於專利文獻7中，雖揭示敷置鐵素體固片之方法，但將鐵素體固片效率良好地並排於薄片基材上有困難，故而不實用。
因此，本發明之技術課題係提供一種在10MHz至1GHz中雜訊衰減量大且反射量少之由Ni-Zn鐵素體燒結體所構成之抑制雜訊片。
再者，本發明之技術課題係提供一種殘留脫模粉末不會污染電子設備等之由乾淨Ni-Zn鐵素體燒結體所構成之抑制雜訊片。
前述技術課題可藉由下列之本發明達成。
亦即，本發明係一種抑制雜訊薄片，其特徵為由厚度為30~400μm、體積電阻率為1.0×100 ~1.0×103 Ωm、微帶線(microstrip line)之評價中，於1GHz之反射量為-20dB以下，且吸收量為25%以上之Ni-Zn鐵素體燒結體所構成(本發明1)。
又，本發明係如上述1記載之抑制雜訊薄片，其中Ni-Zn鐵素體之組成換算成氧化物計，為51~57莫耳%之Fe2 O3 、8~23莫耳%之NiO、25~40莫耳%之ZnO(本發明2)。
又，本發明係如上述1或2記載之抑制雜訊薄片，其中抑制雜訊薄片之至少一表面之表面粗糙度，其中心線平均粗糙度為130~650nm，最大高度為2~9μm，且100μm見方之區域中於最大高度之50%深度沿水平方向截斷之剖面面積佔有率為5~70%(本發明3)。
又，本發明係如上述3記載之抑制雜訊薄片，其中抑制雜訊薄片之至少單面上設有溝槽(本發明4)。
又，本發明係如上述3或4記載之抑制雜訊薄片，其中抑制雜訊薄片之至少單面上貼附黏著薄膜，且於由Ni-Zn鐵素體燒結體所構成之抑制雜訊薄片上設有裂縫(本發明5)。
本發明之抑制雜訊薄片，由於藉由控制複導磁率及體積電阻率，而可控制於微帶線評價中於1GHz之反射量為-20dB以下，吸收量為25%以上，故貼附於電子電路時可減低於10MHz至1GHz之輸入訊號反射，且顯示吸收大的雜訊吸收量。
又，依據本發明，提供一種抑制雜訊薄片，其即使未進行氧化鋯或氧化鋁粉末等之脫模處理亦可獲得未固著之乾淨且薄的抑制雜訊薄片，於安裝於電子設備時亦無因脫模粉末飛散等引起之污染。
首先，就本發明之抑制雜訊薄片加以描述。
本發明之抑制雜訊薄片厚度為30~400μm。抑制雜訊薄片厚度未達30μm時，無法獲得於1GHz為25%以上的吸收量。抑制雜訊薄片之厚度超過400μm時，吸收量雖高，但由於貼附於偏向薄型之電子設備內部時厚度過厚而不佳。抑制雜訊薄片厚度較好為35~380μm。
本發明之抑制雜訊薄片之體積電阻率為1.0×100 ~1.0×103 Ωm。Ni-Zn系鐵素體無法獲得體積電阻率小於1.0×100 Ωm之抑制雜訊薄片。抑制雜訊薄片之體積電阻率若超過1.0×103 Ωm時，由於吸收量降低故而不佳。抑制雜訊薄片之體積電阻率較好為1.5×100 ~7.5×102 Ωm，更好為1.8×100 ~7.3×102 Ωm。
本發明之抑制雜訊薄片於微帶線評價中，於1GHz之反射量為-20dB、吸收量為25%以上。反射量超過-20dB時及吸收量未達25%時，無法獲得電磁波反射少之抑制雜訊薄片。反射量之下限值為-40dB左右，吸收量上限值為50%左右。
本發明之抑制雜訊薄片之於100MHz之複磁導率，較好μ’為5~40，較好μ”為30~110。
本發明之抑制雜訊薄片中，Ni-Zn鐵素體之組成，換算為氧化物計，較好為51.0~57.0莫耳%之Fe2 O3 、8.0~23.0莫耳%之NiO、25.0~40.0莫耳%之ZnO。
Ni-Zn鐵素體之組成中Fe含量在上述組成範圍之外時，體積電阻率變成大於1.0×103 Ωm，無法或的高吸收量。更好Fe含量為51.0~56.5莫耳%，更好為51.5~56.0莫耳%。
又，Ni含量在前述組成範圍外時，藉由使複導磁率之μ”變低使吸收量變小。更好Ni含量為9.0~22.5莫耳%，又更好為9.5~22.0莫耳。
又，Zn含量在前述組成範圍外時，藉由使複導磁率之μ”變低使吸收量變小。更好Zn含量為25.0~39.0莫耳%，又更好為25.5~38.5莫耳。
本發明之抑制雜訊薄片之至少一表面上之表面粗糙度，較好為中心線平均粗糙度為130~650nm，最大高度較好為2.0~9.0μm。
關於表面粗糙度，若中心線平均粗糙度(Ra)未達130nm、最大高度(Rmax)未達2.0μm，則燒結時會使薄片固著。
關於表面粗糙度，若中心線平均粗糙度(Ra)超過650nm、或最大高度(Rmax)超過9.0μm，則將失去平滑性，變成易龜裂，變成易於與絕緣薄膜或導電層之界面混入空隙等。又，燒結體之剖面積降低且導磁率降低。
本發明之抑制雜訊薄片，較好為具有前述中心線平均粗糙度(Ra)或前述最大高度(Rmax)之值同時控制表面凹凸之存在頻率。關於求得表面粗糙度之100μm見方影像之方位(Bearing)解析中，於最大高度之50%深度朝水平方向截斷之截斷面面積之佔有率較好為5~70%。
本發明之抑制雜訊薄片較好於由Ni-Zn鐵素體所構成之抑制雜訊薄片之至少單面上設有溝槽。
藉由設置溝槽，為了防止貼附後述黏著薄膜之抑制雜訊薄片之非預期之龜裂，可預先沿著溝槽於抑制雜訊薄片上預先設置裂縫(若於破裂時，以使不成為不規則形狀之方式預先割成預先決定之形狀)。亦即，亦可為於黏著薄膜上貼附有預先割成所需形狀之抑制雜訊薄片之形狀。
本發明之抑制雜訊薄片亦可為於由Ni-Zn鐵素體燒結體所構成之抑制雜訊薄片之至少單面上貼附黏著薄膜且於由Ni-Zn鐵素體燒結體所構成之抑制雜訊薄片上設置裂縫。
藉由貼附黏著薄膜，即使於設置裂縫後Ni-Zn鐵素體燒結體亦不會飛散，而可獲得有彎曲性之抑制雜訊薄片。
接著，描述本發明之抑制雜訊薄片之製造方法。
本發明之抑制雜訊薄片係製作鐵素體成型薄片後，經燒結，獲得由Ni-Zn鐵素體燒結體所構成之抑制雜訊薄片者。
本發明之鐵素體成型薄片可藉由下列方法獲得：於熱可塑性樹脂及/或熱可塑性彈性體中熔融混合鐵素體粉末並藉砑光輥或模具加壓成型而薄片化之方法，將分散有鐵素體粉末之塗料塗佈於塑膠薄膜上之方法等。
本發明中，視需要，藉由於鐵素體成型薄片上形成特定凹凸並燒成，可獲得相互薄片不固著而具有所需表面粗糙度之抑制雜訊薄片。
獲得本發明之鐵素體成型薄片之方法並無特別限定，但本發明之鐵素體成型薄片表面之粗面加工方法可使用廣泛利用金屬研磨等之噴砂加工。亦即，於鐵素體成型薄片上噴射於水溶液中分散有作為研磨劑之玻璃、氧化鋁等之溶液，藉由水洗，獲得經粗面加工之鐵素體成型薄片。
又，獲得本發明鐵素體成型薄片之其他方法，有於熱可塑性樹脂及/或熱可塑性彈性體中熔融混合鐵素體粉末，藉由砑光輥或表面加工之模具加壓成型而薄片化之方法。又，視需要，藉由使用預先表面加工(凹凸研磨)之砑光輥或表面經加工之模具加壓，可獲得經粗面加工之鐵素體成型薄片。
作為熱可塑性樹脂可使用聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚乙烯縮丁醛(PVB)等。又，作為熱可塑性彈性體可使用苯乙烯．乙烯．丁烯系等之樹脂。視需要亦可混合兩種以上之熱可塑性樹脂及/或熱可塑性彈性體。就燒結時之熱分解性等而言，可較好地使用低密度聚乙烯(LDPE)或聚乙烯縮丁醛(PVB)等。
組成為對1000重量份鐵素體粉末處理5~50重量份偶合劑，較好相對於經偶合劑處理之鐵素體粉末1000重量份，成為熱可塑性樹脂20~100重量份。更好的組成範圍為經偶合劑處理之鐵素體粉末1000重量份為熱可塑性樹脂30~80重量份。
前述鐵素體粉末與熱可塑性樹脂之混合物以加壓捏合機等在120~140℃混練20~60分鐘後，使用加壓模具(視需要，為表面經凹凸加工之加壓模具)而成型。
獲得本發明鐵素體成型薄片之其他方法，有於塑膠薄膜上塗佈分散有鐵素體粉末之塗料之方法。分散有鐵素體粉末之塗料之調配組成為相對於鐵素體粉末100重量份，聚乙烯醇樹脂為5~12重量份，作為可塑劑之丁基苯二甲酸丁酯為1~8重量份，溶劑為30~100重量份。
作為溶劑可使用二醇醚系或MEK、甲苯、甲醇、乙醇、正丁醇等。若考慮鐵素體粉末之分散性或混合作業性或乾燥性等，作為塗料之較佳調配組成範圍為相對於鐵素體粉末100重量份，聚縮丁醛為6~11重量份，丁基苯二甲酸丁酯為1~6重量份，溶劑為30~80重量份。
至於鐵素體粉末之分散塗料的製造方法並未特別限定，較好使用球磨機。先填充並混合溶劑與鐵素體粉末後，添加樹脂及可塑劑並混合獲得均勻塗料。為了防止所得塗料於塗佈乾燥之際於塗膜發生龜裂，較好以真空容器充分進行減壓脫泡。
鐵素體分散塗料之塗佈方法並無特別限制，可使用輥塗佈器或刮刀塗佈器。由膜厚精度或塗料安定性觀之，較好使用刮刀塗佈器。由刮刀塗佈器於塑膠薄膜上塗部所需厚度，於80~130℃乾燥30~60分鐘，可獲得鐵素體成型薄片。
鐵素體分散塗料之塗佈用塑膠薄膜並無特別限制，但可使用聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醯亞胺等各種薄膜。由薄膜表面加工性或塗佈乾燥時之熱安定性觀之，較好為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜。
依據需要而於鐵素體成型薄片表面上賦予特定凹凸時，可使用對前述各種薄膜噴砂加工者。藉由使用經噴砂處理之塑膠薄膜，可對鐵素體成型薄片上轉印塑膠薄膜之凹凸，可獲得具有所需表面粗糙度之成型薄片。
本發明中，將前述鐵素體成型薄片燒結，獲得抑制雜訊薄片。
本發明之抑制雜訊薄片之燒結，工業上較好以在氣孔率30%之氧化鋁板上重疊5~20片左右之本發明之鐵素體成型薄片而進行。燒結條件，較好設有使用電爐等除去樹脂成分即使鐵素體粒子成長之製程。樹脂除去係在150℃~550℃歷時5~80小時之條件進行，鐵素體粒子之成長係在1100℃~1300℃歷時1~5小時之條件進行。成長時之溫度未達1100℃時，無法獲得具有所需反射量及吸收量之抑制雜訊薄片。
為了防止薄片之加熱變形或裂開，樹脂成份去除較好以10~20℃/小時左右自室溫升溫後保持一定溫度。又隨後，可適當地以30~60℃/小時升溫後保持一定溫度充分使燒結之鐵素體粒子成長後緩慢冷卻。又，各製程之保持溫度貨時間，只要依據所處理之鐵素體成型薄片之片數選擇最適條件即可。
本發明之抑制雜訊薄片可在至少單面上設有黏著薄膜後，於基板中加入裂縫而對層合體賦予彎曲性後使用。
設於本發明之抑制雜訊薄片中之溝槽可於成型薄片之單面上藉由壓花加工用輥或金屬刀刃等設置前端角度為25~45度之V型溝槽。
溝槽間隔較好為溝槽谷底間間隔為1~5mm。若未達1mm，則Ni-Zn鐵素體燒結體沿著溝槽彎折時之導磁率將降低，又加工變困難。若超過5mm，則Ni-Zn鐵素體燒結體之撓曲性較低。溝槽更佳之間隔為2~4mm。
溝槽深度較好與成型薄片後度之比(溝槽深度/薄片厚度)成為0.4~0.7。溝槽深度/薄片厚度之比若未達0.4，則有沿著溝槽無法割開之情形，裂縫將成為不均一而有導磁率不安定之傾向。溝槽深度/薄片厚度之比若超過0.7，則於燒成處理時有沿著溝槽裂開之情況。溝槽深度之更佳範圍為溝槽深度/薄片厚度比為0.4~0.6。
又，於薄片面上所描繪之溝槽圖形可為正三角形或格子狀或多角型等任一者。若Ni-Zn鐵素體燒結體沿著溝槽割裂，則重要的是可割裂之單片儘量為均一單片，即使彎曲基板也儘量不使導磁率產生變化。
本發明之抑制雜訊薄片由於薄且易割裂故較好至少於單面上貼合黏著保護薄膜後設置裂縫。
<作用>
於本發明之要點是本發明之抑制雜訊薄片係藉由控制導磁率及體積電阻率，而可在微帶線(microstrip line)之評價中，於1GHz之反射量控制為-20dB以下，且吸收量控制為25%以上。
以往，為了抑制來自電路之雜訊，而使用於樹脂中調配作為軟磁性粉末之扁平狀金屬軟磁性粉末並成型為薄片狀之抑制雜訊薄片。此抑制雜訊薄片由於含有體積電率低的金屬粉末，如後述實施例或比較例所示，薄片之體積電阻率低如103 Ωm左右，反射亦大。因此，反射訊號與輸入訊號有干擾的可能性。另一方面，Ni-Zn鐵素體通常為絕緣體，由於顯示106 Ωm左右之體積電阻率，故雖然反射量低，但無法獲得大的吸收量。
因此，為了獲得反射量低、吸收量大的抑制雜訊薄片而進行積極探討之結果，發現即使比以往使用之含有扁平狀金屬軟磁性粉末之抑制雜訊薄片之體積電阻率低也無妨，亦可獲得反射量低、吸收量高的由Ni-Zn鐵素體所構成之抑制雜訊薄片。
因此，本發明之抑制雜訊薄片於貼附於電路上時可防止於10MHz至1GHz中輸入訊號與輸出訊號之干涉，亦可吸收雜訊。
[實施例]
本發明之代表性實施型態如下。
鐵素體粉末之組成係使用螢光X射線分析裝置RIX 2100(理學電機工業(股)製)測定。
鐵素體粉末之比表面積(BET)係以MONOSOB MS-21(YUASA IONICS(股)製)測定。
抑制雜訊薄片後度係使用微測計(micrometer)測定。
抑制雜訊薄片之燒結密度係由自試料外型尺寸所求的之體積與重量而算出。
抑制雜訊薄片之體積電阻率係於超音波加工機中切出外徑20mm大小之碟片兩面上塗佈銀糊膏並乾燥後，使用電阻計3541(日置電機(股)製)測定。
抑制雜訊薄片之複導磁率μ’與μ”係於超音波加工機中切出外徑14mm、內徑8mm的環，使用射頻阻抗分析儀(RF impedance material analyzer)E4991A(AZILENT技術(股)製)測定。
抑制雜訊薄片之反射量及吸收量係以下述方法測定。將製作成寬度40mm、長度50mm之抑制雜訊薄片，以使抑制雜訊薄片之長度方向對準微帶線長度方向並使各中心為一致之方式，裝設於施工有長度100mm、寬度2.3mm、厚度35μm之阻抗調整為50Ω之微帶線之基板上。於抑制雜訊薄片上重疊寬度40mm、長度50mm及厚度10mm之發泡倍率20~30倍之發泡聚苯乙烯所構成之板上，以於其上載置荷重300g之狀態，使用與微帶線連接之網路分析計N5230A(AZILENT技術(股)製)測定S參數。自所得S參數由下式算出反射量[dB]及吸收量[%]。
反射量[dB]=20log|S11 |
吸收量[%]=(1-|S11 |2 -|S21 |2 )/1×100
抑制雜訊薄片表面粗糙度(中心線平均粗糙度Ra，最大高度Rmax)係使用原子間力顯微鏡AFM(NanoScope III，Digital Instrument公司製)，測定100μm見方區域而求得。
又，為表示抑制雜訊薄片表面之凹凸形狀，以相同裝置之Bearing解析軟體數值化。自求得表面粗糙度之影像，求得以其最大高度(Rmax)之50%深度於水平方向之截斷面之面積佔有率，並比較凹凸形狀狀態。
實施例1： <Ni-Zn系鐵素體粉末之製造>
以使Ni-Zn系鐵素體之組成成為特定組成之方式秤取各氧化物原料，使用磨碎機(attritor)進行濕式混合30分鐘後，將混合漿料過濾並乾燥獲得原料混合粉末。該原料混合粉末於大氣中在900℃暫時燒成1.5小時所得之暫時燒成物以霧化器及振動研磨機粉碎，獲得Ni-Zn系鐵素體粉末。
所得Ni-Zn系鐵素體粉末組成為Fe2 O3 =52.5莫耳%，NiO=15.5莫耳%，ZnO=32.0莫耳%。BET比表面積為4.5m2 /g。
<鐵素體成型薄片之製造>
相對於100重量份之所得Ni-Zn系鐵素體粉末，添加8重量份之作為結合材料之聚乙烯縮丁醛、3重量份之作為可塑劑之苯二甲酸苄酯正丁酯、50重量份之作為溶劑之3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇後，充份混合獲得漿料。此漿料藉由刮刀板式塗佈器，塗佈在單面經噴砂處理成中心線平均粗糙度(Ra)為530nm、最大高度(Rmax)為5.6μm之PET薄膜RUMIMAT 50S200 TORRES(PANAC(股)製)上，形成塗膜後，藉由乾燥獲得厚度125μm之素胚薄片(green sheet)。所得素胚薄片切斷成寬度48mm、長度60mm的大小後，剝離PET薄膜藉此獲得鐵素體成型薄片。
<由鐵素體燒結體構成之抑制雜訊薄片之製造>
重疊10片所得鐵素體成型薄片，以氧化鋁片(Alumina setter)(菊水化學工業(股)製)上下挾持後，在500℃脫脂10小時，隨後於空氣中以1250℃燒成2小時。冷卻後剝離所得燒結物後，可不使薄片損壞而容易地剝離。
所得抑制雜訊薄片為厚度103μm，寬度40mm，長度50mm。體積電阻率為5.5×101 Ωm，燒結密度為5.15g/cm3 ，於100MHz之μ’為15，μ”為72。於10MHz之反射量為-36dB，於100MHz之反射量為-32dB，於500MHz之反射量為-33dB，於1GHz之反射量為-27dB，於自10MHz至1GHz為止的寬廣頻率範圍為低的反射量。於10MHz之吸收量為3%，於100MHz之吸收量為10%，於500MHz之吸收量為24%，於1GHz之吸收量為32%，於自10MHz至1GHz為止的寬廣頻率範圍為高的吸收量。
所得抑制雜訊薄片之表面粗糙度為中心線平均粗糙度(Ra)為345nm，最大高度(Rmax)為4.2μm，於100μm見方之區域內以最大高度之50%深度於水平方向截斷面之面積佔有率為35%。
實施例2：
取代經噴砂處理之PET薄膜，而使用未經噴砂處理之PET薄膜(中心線平均粗糙度(Ra)為17nm，最大高度(Rmax)為0.3μm，厚度50μm)，且逐片燒成鐵素體成型薄片以外，與實施例1同樣的方法，獲得抑制雜訊薄片。此時之製造條件及所得之抑制雜訊薄片之諸特性顯示於表2。如表2所示，與以實施例1之方法所得之抑制雜訊薄片之特性幾乎無差異。
實施例3：
除改變鐵素體之組成與BET比表面積以外，以與實施例1同樣的方法，獲得Ni-Zn系鐵素體粉末。其組成為Fe2 O3 =52.0莫耳%，NiO=9.8莫耳%，ZnO=38.2莫耳%。BET比表面積為4.9m2 /g。
將所得Ni-Zn系鐵素體粉末1000重量份以鈦酸酯系偶合劑KR-TTS(味之素(股)製)10重量份進行表面處理之Ni-Zn系鐵素體粉末1000重量份，與熱可塑性彈性體LUMITAC 22-1(東曹(股)製)50重量份、密度0.9g/cm3 之聚乙烯100重量份及硬脂酸20重量份以加壓捏合機在130℃混練40分鐘。所得Ni-Zn系鐵素體樹脂混練物使用噴砂加工成中心線平均粗糙度(Ra)為650nm，最大高度(Rmax)為10μm之鐵板，以溫度160℃、壓力100kg/cm2 、加壓時間3分鐘進行加壓成型，獲得厚度58μm、寬度47mm、長度59mm之鐵素體成型薄片。
重疊10片所得鐵素體成型薄片，以氧化鋁片(Alumina setter)(菊水化學工業(股)製)上下挾持後，在500℃脫脂15小時，隨後於空氣中以1220℃燒成2小時。冷卻後剝離所得燒結物後，可不使薄片損壞而容易地剝離。所得抑制雜訊薄片之諸特性顯示於表2。
實施例4：
除使用噴砂加工成中心線平均粗糙度(Ra)為120nm，最大高度(Rmax)為2μm之鐵板且逐片燒成鐵素體成型薄片以外，與實施例3同樣的方法，獲得抑制雜訊薄片。此時之製造條件及所得之抑制雜訊薄片之諸特性顯示於表2。如表2所示，與以實施例3之方法所得之抑制雜訊薄片之特性幾乎無差異。
實施例5、6：
除變更鐵素體粉末組成及燒結溫度以外，以與實施例1同樣方法，獲得抑制雜訊薄片。此時之製造條件及所得之抑制雜訊薄片之諸特性顯示於表2。
實施例7：
除變更鐵素體粉末組成及燒結溫度以外，以與實施例3同樣方法，獲得抑制雜訊薄片。此時之製造條件及所得之抑制雜訊薄片之諸特性顯示於表2。
比較例1、2：
取代經噴砂處理之PET薄膜，而使用未經噴砂處理之PET薄膜(中心線平均粗糙度(Ra)為17nm，最大高度(Rmax)為0.3μm，厚度50μm)，且變更鐵素體粉末之組成以外，與實施例1同樣的方法，獲得抑制雜訊薄片。此時之製造條件及所得之抑制雜訊薄片之諸特性顯示於表2。又，於比較例1、2中，由於重疊10片鐵素體成型薄片燒成時該等固著，故表2中記載其情況逐片燒成之抑制雜訊薄片之諸特性。
比較例3：
除使用粗加工成中心線平均粗糙度(Ra)為252nm，最大高度(Rmax)為3.3μm之PET薄膜U4-50(帝人杜邦薄膜(股)製)以外，與實施例1同樣的方法，獲得抑制雜訊薄片。此時之製造條件及所得之抑制雜訊薄片之諸特性顯示於表2。又，於比較例3中，由於重疊10片鐵素體成型薄片燒成時該等固著，故表2中記載其情況逐片燒成之抑制雜訊薄片之諸特性。
比較例4、5、6、7：
除變更鐵素體粉末組成及燒結溫度以外，以與實施例1同樣方法，獲得抑制雜訊薄片。此時之製造條件及所得之抑制雜訊薄片之諸特性顯示於表2。
比較例8、9：
除變更鐵素體粉末組成及燒結溫度以外，以與前述比較例2同樣方法，獲得抑制雜訊薄片。此時之製造條件及所得之抑制雜訊薄片之諸特性顯示於表2。
比較例10：
於將苯乙烯系彈性體(密度為0.9g/cm3 )以20重量%溶解於環己酮中之溶液TF-4200E(日立化成工業(股)製)中，以使除去溶劑後體積比成為扁平狀鐵-鋁-矽合金粉末(鐵、鋁、矽的重量比為85：6：9，縱橫比為15~20，密度為6.9g/cm3 ，平均粒徑為50μm)為47體積%，苯乙烯系彈性體為53體積%之方式予以計量，充份混合獲得漿料。此時，添加用以調整黏度之與彈性體溶液同體積之乙基環己酮。此漿料以刮刀式塗佈器，塗佈在經噴砂處理之PET薄膜(中心線平均粗糙度(Ra)為17nm，最大高度(Rmax)為0.3μm，厚度50μm)上並乾燥。所得塗膜在溫度130℃、壓力90MPa、加壓時間5分鐘之條件成型，獲得韓有100μm之扁平狀鐵-鋁-矽合金粉末之薄片。
所得薄片諸特性示於表2。體積電阻率為1.0×103 Ωm，雖為本發明範圍之上限值，但為於500MHz之反射量大如-10dB，於500MHz之吸收量低如12%者。
本發明之抑制雜訊薄片於10MHz、100MHz、500MHz及1GHz反射量均為-20dB以下，自10MHz至1GHz之廣頻率範圍內為低的反射量。又，於10MHz之吸收量為2%以上，於100MHz之吸收量為6%以上，於500MHz之吸收量為20%以上，於1GHz之吸收量為25%以上，確認自10MHz至1GHz之廣頻率範圍內為高的吸收量。因此，本發明之抑制雜訊薄片於自10MHz至1GHz之廣頻率範圍內之反射量低，吸收量高，故確認可使用作為抑制雜訊薄片。

Claims (5)

  1. 一種抑制雜訊薄片，其特徵為由厚度為30~400μm、體積電阻率為1.0×100 ~1.0×103 Ωm、微帶線(microstrip line)之評價中，於1GHz之反射量為-20dB以下，且吸收量為25%以上之Ni-Zn鐵素體燒結體所構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之抑制雜訊薄片，其中Ni-Zn鐵素體之組成換算成氧化物計，為51~57莫耳%之Fe2 O3 、8~23莫耳%之NiO、25~40莫耳%之ZnO。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之抑制雜訊薄片，其中抑制雜訊薄片之至少一表面之表面粗糙度，其中心線平均粗糙度為130~650nm，最大高度為2~9μm，且100μm見方之區域中於最大高度之50%深度沿水平方向截斷之剖面面積佔有率為5~70%。
  4. 如申請專利範圍第3項之抑制雜訊薄片，其中抑制雜訊薄片之至少單面上設有溝槽。
  5. 如申請專利範圍第3項之抑制雜訊薄片，其中抑制雜訊薄片之至少單面上貼附黏著薄膜，且於抑制雜訊薄片上設有裂縫。
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