200838681 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於聚四氟乙烯成形體及其製造方法。 【先前技術】 聚四氟乙烯〔PTFE〕的成形體，一般而言，含有成 形所產生的微小的空隙（void )及晶界，此微小的空隙及 晶界，會有（1 )對成形體施以彎曲及拉伸，則成爲斷裂 起點而使機械的物性降低；（2 )成爲藥液及氣體滲透至 成形體内部之滲透口而降低密封性之情況。 作爲PTFE成形體，提議使PTFE預成形體以該樹脂 的熔點以上的溫度燒結後，於結晶化溫度附近的溫度下冷 卻0.5〜1 0分鐘後所得到的成形體（例如，參考專利文獻 1 )。由此方法所得到的成形體，雖然結晶化度高且藥液 及氣體的遮蔽性佳，但其前題爲未含有微小的空隙及晶界 ，實際上因爲含有微小的空隙及晶界，故此等的缺陷部分 成爲藥液·氣體的滲透口，而對於作爲成形體整體而言密 封性不足，此外機械的物性亦不足。 製作PTFE成形體之方法，已知將經預成形的預成形 物（perform )留在模具内下，於無加壓下用燒成爐加熱 至PTFE熔融後，在熔融狀態下從燒成爐連同模具一起取 出，在熔融狀態直接於再度加壓下保持、水冷之方法（熱 壓印）。經由此方法所得到的成形體，與用壓縮成形所得 到的（自由烘烤）成形體比較下，空隙及晶界少了很多， -4 - 200838681 無缺陷部分所造成的滲透口因而密封性優異。但是，對於 壓縮方向製作薄的成形體時’原料粉的均勻地塡充有困難 ，且生產性不足。 作爲製作PTFE成形體之方法，再提議包含將使用改 性聚四氟乙烯〔改性PTFE〕粉末而成的未燒成壓縮成形 體進行燒成之步驟、與對由此步驟所得到的處理前燒成壓 縮成形體施以燒成處理之步驟之方法（例如，參考專利文 獻2)。此方法因爲在燒成處理前燒成壓縮成形體之步驟 中未加壓，故於所得到的成形體中，有維持在處理前燒成 壓縮成形體所含有的空隙及晶界不均的結構，而使機械的 強度及密封性有受損的可能性。 關於製作由PTFE等的氟系樹脂所成的成形體之方法 ，提議實施使用具備特定的模槽與一次模具之裝置製作氟 系樹脂的預成形體之步驟A、得到燒成體之步驟B、將所 得到的燒成體裝置於二次模具後加熱處理之步驟C、及將 所得到的加熱處理體裝置於該二次模具的狀態下進行高溫 加壓，同時急冷後得到膜片之步驟D之方法（例如，參 考專利文獻3)。此方法會有於步驟A中需要特殊的裝置 ，故無法自由地設定成形體的形狀之問題，及於步驟A 中粉的均勻塡充有困難之問題。 作爲PTFE成形體的材料，由成形作業性之觀點而言 ，使用操作性佳的PTFE的造粒粉末較佳。惟，由 ptFE 的造粒粉末所得到的成形體，因爲空隙及晶界明顯地多於 由PTFE的微粉末所得到者，會有無法適用於重視機械的 200838681 物性及密封機能的用途之問題° 〔專利文獻1〕特開平6-8 3 44號公報 〔專利文獻2〕國際公開第200 6/0 5 9642號文獻 〔專利文獻3〕特開平5- 1 0444號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 0 鑑於上述現狀，本發明的目的在於有效地得到空隙及 晶界少、且機械的強度及密封性優異的PTFE成形體。 〔用以解決課題之手段〕 本發明之PTFE成形體的製造方法，其特徵係藉由使 聚四氟乙烯〔PTFE〕粉末預成形後燒成而製作PTFE燒成 體後，將上述PTFE燒成體於0.5〜29.4MPa的壓力下用 3 3 0〜390°C的溫度加熱。 φ 本發明之PTFE成形體，其特徵係由上述PTFE成形 體的製造方法所得到。 以下詳細地說明本發明。 本發明之PTFE成形體的製造方法，因爲是使PTFE 粉末預成形後燒成後，再將所得到的PTFE燒成體在高於 PTFE的熔點之溫度範圍內加壓下加熱者，故可得到任何 部分皆均等地爲空隙及晶界少之成形體。 因此，由本製造方法所得到的PTFE成形體，破裂強 度及耐彎曲性等的機械的強度優異，且對藥液及氣體的遮 -6- 200838681 蔽性高，可適合使用於作爲膜片閥體、真空膜盒（ bellows)等的密封用製品及絶緣薄膜、脫膜薄膜、硏磨 用薄膜等。 更令人驚訝的是’基於在此加壓下加熱之效果，即使 以PTFE的造粒粉末作爲材料時亦可被發揮。ptfe的造 粒粉末雖然操作性優良，但藉由先前技術的方法成形時， 因爲形成爲空隙及晶界明顯地較多的成形體，故認爲其不 適合作爲需要耐彎曲性的用途之成形體的材料。惟、本製 造方法即使以PTFE的造粒粉末作爲材料時，亦可有效率 地製作空隙及晶界被降低的成形體。
本發明之PTFE的槪念，係不僅包含四氟乙烯〔TFE 〕的單獨聚合物，亦包含改性聚四氟乙嫌〔改性PTFE〕 〇 上述PTFE，由熔融黏度低且易成形加工之觀點及得 到耐蠕變性等之機械的強度優異的成形體之觀點而言，以 改性PTFE較佳。 上述改性PTFE之意，係指TFE、與TFE以外的微量 單體的共聚物，爲非熔融加工性者。 上述微量單體，可列舉例如六氟丙烯〔HFP〕、氯三 氟乙烯〔CTFE〕等之氟烯烴；氟（烷基乙烯醚）：氟二 噁茂；全氟烷基乙烯；c〇 -氫全氟烯烴等。 上述氟（烷基乙烯醚），可列舉例如具有碳數1〜6 的全氟烷基之全氟（烷基乙烯醚）〔PAVE〕。
上述PAVE，可列舉例如全氟（甲基乙烯醚）〔PMVE 200838681 〕、全氟（乙基乙烯醚）〔PEVE〕、全氟（丙基乙録酸 )C PPVE )、全氟（丁基乙烯醚）等。 上述氟（烷基乙烯醚），由熱的安定性的觀點而f， 以 PPVE、PEVE、PMVE 較佳，、PPVE 爲更佳。 上述改性PTFE中，上述微量單體可爲！種或2種以 上。 上述改性PTFE中，來自上述微量單體之微量單體單 元，在總單體單元中所佔有的含有率，通常在2莫耳％以 下的範圍。 本說明書中，「在總單體單元中微量單體單元所佔有 的含有率（莫耳％)」之意，係指在上述「總單體單元」 之來源單體，亦即，構成改性PTFE之單體總量中，上述 微量單體單元之來源微量單體所佔有的莫耳分率（莫耳％ )° 本說明書中，上述微量單體單元係藉由進行紅外分光 分析所得到之値。 本發明中之PTFE，係可藉由聚合TFE、及所希望的 微量單體而得到。 上述PTFE，由可調製平均粒徑小的PTFE之觀點而 言，藉由懸濁聚合而得到者較佳。平均粒徑小之PTFE ’ 由可得到空隙少的成形體之觀點而言較佳。 上述懸濁聚合，例如將聚合溫度設定在〇〜1〇〇 °C ’於 水性媒介物的存在下進行較佳。 於上述懸濁聚合中，可使用乳化劑等，較佳爲使用過 8- 200838681 硫酸銨等的過硫酸鹽等作爲聚合起始劑。 上述乳化劑及上述聚合開始劑的使用量，可依所使用 的單體等種類、所希望的組成等而適當地設定。 藉由懸濁聚合而得到的PTFE的粉末，亦稱爲製膜粉 〇 本發明中之PTFE粉末，可爲由聚合後所得到的聚合 反應液乾燥後所得到的粉末本身、將該粉末適當地粉碎後 φ 所成的微粉末、或是使該粉末或微粉末經造粒者之任一種 〇 上述乾燥、粉碎處理及造粒的步驟，可藉由國際公開 第93/1 6 1 26號文獻中所記載的方法等之習知的方法進行 〇 上述PTFE粉末，由可減少所得到的PTFE成形體中 的空隙之觀點而言，平均粒徑小較佳，但由操作性、作業 性的觀點而言，經造粒者較佳。 φ 上述PTFE粉末，爲未經造粒者（未造粒品）時，以 平均粒徑爲ΙΟΟμιη以下較佳，上述平均粒徑，更佳的上 限爲5 0μιη，再更佳的上限爲40μπι，特別佳的上限爲 30μιη，若在此等的範圍内，可爲3μιη以上。 本發明中之PTFE粉末，爲經造粒而成者時，造粒_ 的平均粒徑爲200〜ΙΟΟΟμπι者較佳，600μπι以下爲更佳 〇 上述平均粒徑爲未經造粒者或造粒前者時，使g _ g 分佈測量裝置HELOS&R〇DOS(SYMPATEC公司製）， -9 - 200838681 藉由乾式雷射法所測量者。 上述造粒後的平均粒徑，係依據JIS K 689 1 -5.4，以 振動時間爲10分鐘所測量的數値。 上述PTFE粉末，爲造粒粉末時，由操作性優良的觀 點而言，外觀密度較佳爲0.6〜0.9g/ml。 上述外觀密度，更佳的下限爲〇.65g/ml，更佳的上限 爲 0 · 8 5 g/m 1。 B 本說明書中，上述外觀密度係依據Π S K 6 8 9 1 - 5.3所 測量之値。 本發明之PTFE成形體的製造方法，係藉由將上述的 PTFE粉末進行預成形後燒成而製成PTFE燒成體後，將 該PTFE燒成體在後述的條件下加壓•加熱之方法。 本發明中，上述PTFE粉末可爲僅由PTFE粉末而成 者，但在無損於PTFE粉末的性質的範圍內，亦可摻合著 色劑、抗靜電劑等之添加劑者。 參 上述預成形，在〇」MPa〜lOOMPa的加壓下進行較佳 ，上述壓力更佳的下限爲IMPa，更佳的上限爲 80MPa ; 上述預成形可用先前技術的裝置進行，此外，所得到的預 成形體的形狀沒有特別的限制。 本發明中之燒成步驟，係可將上述的預成形體放進燒 成爐中，以一定速度從室温昇溫至燒成溫度後，維持在該 燒成溫度下進行；亦可藉由將上述預成形體放進預先調溫 至後述的燒成溫度之燒成爐内中進行。 上述燒成步驟，依預成形體的厚度、燒成時間而不同 -10- 200838681 ，但以345〜400 °C的溫度加熱較佳。 上述燒成溫度，更佳的下限爲360。(：，更佳的上限爲 3 90〇C。 上述PTFE燒成體，可爲板狀、圓盤、圓柱、圓筒等 之任何形狀，但在後述的加壓•加熱中加壓方向的厚度爲 0.1 mm〜3 0mm者較佳’ 0.1mm〜2.〇mm者爲更佳。 如此厚度的燒成體，特別是依據本發明可形成降低空 隙及晶界的效果大，且機械的特性及密封性優異的成形體 〇 本發明的製造方法中，上述PTFE燒成體在進行加壓 •加熱前可切削成適當形狀及大小，亦即，該加壓•加熱 步驟可在將上述PTFE燒成體藉由切削加工使其成爲切削 加工體後進行。本發明的製造方法，含有該切削加工時， 因爲可於該切削加工步驟中適當地選擇成形體的形狀，故 可使最終所得到的PTFE成形體輕易地成爲所希望的形狀 〇 例如使用於膜片用途時，若於燒成時成形爲最終形狀 ，則會有因爲必須使其成爲薄的形狀，故在預成形體的製 作時所使用的模具需要爲薄者，而使PTFE的均勻塡充變 困難。另一方面，本發明的製造方法，係可使用PTFE的 均勻塡充比較容易的模具，進行厚度1 〇mm以上的預成形 體之製成、燒成後，藉由切削加工可輕易地加工爲所希望 的形狀，例如加工厚度1〜2mm者。而且，空隙及晶界的 問題亦可更有效地解決。 -11 - 200838681 本發明中之加壓•加熱，依PTFE燒成體的厚度、燒 成時間等而不同，但一般而言可用3 3 0〜390°C的溫度進行 〇 上述加熱溫度較佳的下限爲340°C，更佳的下限爲 3 50°C，更佳的上限爲3 8 0°C。 本發明的製造方法，因爲在成形、燒成後’再於如此 高的溫度範圍下進行加壓•加熱，故所得到的成形體中之 空隙及晶界，可比先前技術的方法更有效地被降低。雖然 尙不清楚達成如此優異的效果之機轉’但認爲是使上述 PTFE燒成體在高於PTFE的熔點（324〜327°C )的溫度下 加熱，則燒成時所產生的空隙及晶界一部分熔融，於此溫 度狀態下加壓，則熔融的PTFE埋住空隙及晶界，而使空 隙及晶界減少。 相對於此，於熱壓印等的先前技術的方法中所進行的 成形後的加壓•加熱，其目的在於退火，因爲用低於本發 明中的温度範圍之溫度（120〜25 0°C程度）進行（參考氟 樹脂手冊，里川孝臣著，日刊工業新聞公司，1 〇 8頁）’ 故無法得到如藉由本發明所得到之空隙及晶界少的成形體 〇 上述PTFE燒成體的加壓•加熱，可在〇.5〜29.4MPa 的壓力下進行。 上述壓力，較佳的下限爲 〇.98 MPa，更佳的下限爲 2.0MPa，更佳的上限爲9.8MPa’更佳的上限爲7.9MPa。 上述加壓•加熱，例如藉由將pTFE燒成體挾於不鏽 -12- 200838681 鋼製等的金屬板，裝置於熱壓機，使其昇溫至加熱溫度後 ，在維持該加熱溫度下以設定壓力進行加壓而進行。 上述加壓•加熱，較佳爲進行1〜6 〇分鐘，更佳爲1 〇 分鐘以上，再更佳爲30分鐘以上。 藉由進行上述PTFE成形體的製造方法而得到的 PTFE成形體，亦爲本發明之一。 上述PTFE成形體，由機械的強度的觀點而言，由改 B 性PTFE所得到者較佳，此外，由操作性佳且調製容易之 觀點而言，由平均粒徑200〜ΙΟΟΟμιη的造粒粉末之改性 PTFE所得到者較佳。 本發明的PTFE成形體，因爲是藉由上述的PTFE成 形體的製造方法而得到者，任何部分皆均等地空隙及晶界 少〇 上述PTFE成形體，係每0.1cm3的空隙數較佳爲10 個以下，更佳爲5個以下。 # 上述「每0.1cm3的空隙數」，表示關於任何部分， 或無特別限制下，成形體的所有部分之空隙數。於PTFE 成形體中，空隙一般而言以如圖1及圖2所表示的白斑進 行觀察，於本說明書中，上述空隙數，係從對厚度〇.lcm 的試樣使用擴大鏡（倍率1 0倍）從加壓方向所觀察的白 斑數所算出之數。 本發明的P T F E成形體，因爲任何部分皆均等地空隙 及晶界少，故空隙爲最多的部分（A)中每〇 icm3的空隙 數，與空隙爲最少的部分（B )中每0· 1 em3的空隙數之差 -13- 200838681 ，一般可爲10個以下，較佳可爲5個以下。 上述部分（A)係於PTFE成形體中觀察面lcm2的任 意的區域中空隙爲最多的部分，上述部分（B )係該任意 的區域中空隙爲最少的部分。 上述的各部分中之空隙數，係計算對於厚度0.1cm的 試樣用擴大鏡（倍率10倍）從加壓方向所觀察到的白斑 數之數値。 本發明的PTFE成形體，如上述之每0.1cm3的空隙數 少之外，一般而言，再加上不具有如圖3所示之晶界模樣 〇 上述晶界模樣，係在相互鄰接的粒子間的交界所產生 的空隙所形成者。構成上述晶界模樣之空隙部分，因爲斷 裂容易產生，而氣體及藥品等容易流入，故機械的強度及 密封性低。 上述晶界模樣，例如使用擴大鏡（倍率1 〇倍）從加 壓方向觀察時，可觀察到如圖1所示之由複數的空隙所形 成的模樣。 本發明的PTFE成形體，係結晶化度低，且耐彎曲性 等之機械的物性及密封性優異。 本發明的PTFE成形體，係由差示掃描熱測量〔DSC 〕所測量的熔解熱爲25 J/g以下者較佳。 上述PTFE成形體，因爲如上述爲熔解熱低者，故可 謂爲結構均勻。 本說明書中，上述熔解熱係將取自PTFE成形體的約 200838681 3mg的小碎片用差不掃描型熱量計RDC220 ( SEIKO電子 工業公司製）’在氮氣環境下昇溫至250 °C爲止保持1分 鐘，再以l〇°C/分鐘的速度昇溫至3 80°C後使結晶充分熔解 後，接著從3 8 0°C以l〇°C/分鐘的速度降溫至250°C時所測 量的結晶化點的曲線波峰經換算的値。 本發明的PTFE成形體，因爲機械的特性，特別是耐 彎曲性及耐蠕變性優異，例如可成爲真空膜盒、膜片、軟 管、活塞環、蝶形閥等要求耐彎曲性之成形體；球閥薄片 、膜片、襯墊、墊圈、活塞環、真空膜盒、膜片、蝶形閥 等要求耐蠕變性之成形體。此外，利用空隙及晶界少這一 點，可適合使用於電絶縁用薄膜及脫膜薄膜、硏磨用薄膜 等各種用途。 〔發明的效果〕 本發明的PTFE成形體的製造方法，因爲由上述構成 而成者，可有效率地製造空隙及晶界少的成形體，因此， 由本製造方法所得到的PTFE成形體，機械的特性，特別 是耐彎曲性及耐蠕變性優異，故可適合使用於作爲真空膜 盒、膜片等要求耐彎曲性之成形體，及絶縁薄膜、脫膜薄 膜、硏磨用薄膜等。而且，本發明的PTFE成形體，不論 是使用微粉末而得到者，或使用造粒粉末而得到者，其機 械的特性及密封性皆同樣地優異。 【實施方式】 -15- 200838681 以下列示實施例及比較例，具體地說明本發明，但本 發明並非侷限於實施例及比較例。 再者，關於由下記合成例所得到的四氟乙烯〔PTFE 〕粉末之全氟（丙基乙烯醚）〔PPVE〕含量、結晶化熱 、外觀密度及平均粒徑，依以下的方法測量。 (1 ) PPVE 含量 藉由於特性吸收1 040〜890CIIT1之間進行紅外分光分 析而測量。 (2 )結晶化熱 使3mg的試料，用差示掃描型熱量計DSC-50(島津 製作所公司製），以10°C/分鐘的速度昇溫至3 80°C時可測 量的熔解熱波峰經解析後得到。 (3 )外觀密度 依據JIS K6 89 1 -5.3進行測量。 (4 )粉碎粉末的平均粒徑
使用粒徑分佈測量裝置HELOS&RODOS ( SYMPATEC 公司製），用乾式雷射法測量。 (5 )造粒後的平均粒徑 依據JIS K6891-5.4，以10分鐘的振動時間進行測量 合成例1 _ 將碳酸銨3.3g溶解於純水（水性媒介物）54.8L之溶 液’放進170L容量的高壓鍋，用錨型攪拌翼以攪拌速度 -16- 200838681 llOr.p.m·進行攪拌，經脫氣後，裝進四氟乙烯〔TFE〕直 到0.5kg/cm2 (表壓）爲止，重複3次此此操作後，將全 氟（丙基乙烯醚）〔PPVE〕85g與TFE —起壓入，使反 應系的溫度上昇至50°C後，壓入TFE直到反應系内壓成 爲8kg/cm2爲止。接著，加入過硫酸銨水溶液（濃度約 0.36質量％ ) 0.2L後開始聚合，上述聚合係連續地壓入 TFE使反應系内壓維持在8kg/cm2下進行，當水性媒介物 B 的22.5質量％的TFE被消耗的時間點，從高壓鍋釋放出 TFE及PPVE後，結束反應。上述聚合結束後，冷卻至室 溫使其乾燥後，得到PPVE含量0.062質量％之改性PTFE 粉末。 、 取出所得到的改性PTFE粉末，用空氣噴射碎磨機粉 碎至平均粒徑成爲20μηι爲止，得到外觀密度〇.37g/ml的 改性PTFE粉末1。 • 合成例2 將與合成例1同樣作法調製的改性PTFE粉末（PPVE 含量0.062質量％)，使用空氣噴射碎磨機進行衝撃式粉 碎，成爲平均粒徑20μπι的微粉末後，再將該微粉末進行 造粒，得到外觀密度〇.78g/ml、平均粒徑510μιη、結晶化 熱22.1 J/g的造粒粉末（改性PTFE粉末2 )。 合成例3 將碳酸銨3 · 3 g溶解於純水（水性媒介物）5 4.8 L之溶 -17- 200838681 液放進170L容量的高壓鍋中’用錨型攪拌翼以攪拌速度 110Γ.P.m.進行攪拌，經脫氣後，裝進四氟乙烯〔TFE〕直 到0.5kg/cm2 (表壓）爲止，將反應系的溫度上昇至70°C 後，壓入TFE直到反應系内壓成爲8kg/cm2爲止。接著， 加入過硫酸銨水溶液（濃度約0.36質量％) 0.04L後開始 聚合，上述聚合係連續地壓入TFE使反應系内壓維持在 8kg/cm2下進行，當水性媒介物的22.5質量％的TFE被消 耗的時間點，從高壓鍋釋放出TFE後，結束反應。上述 聚合結束後，冷卻至室溫使其乾燥後，得到TFE均聚物 粉末。 取出所得到的TFE均聚物粉末，用空氣噴射碎磨機 粉碎至平均粒徑成爲2 0μηι爲止後，再進行造粒，得到外 觀密度〇.85g/ml、平均粒徑490μηι的造粒粉末（PTFE粉 末）。 實施例1 將改性PTFE粉末1 ( 200g)，投進模具内徑50 φ、 模具長度5〇Omm的壓縮成形用模具，以室溫於9.8MPa加 壓後，從上述模具取出。接著，將所得到的預成形體用電 爐以50°C/小時的速度昇溫至3 70T：後，用3 70°C燒成，於 電爐用50°C/小時的速度降溫至室溫，得到改性PTFE燒 成體。而且，切削上述改性PTFE燒成體而製作直徑約 47mm、厚度0.2cm的改性PTFE燒成體的薄片。 將所得到的薄片挾於厚度1 5 0mm角的不鏽鋼製的板 -18- 200838681 子，裝置於熱壓機（MIKADO TECHNOS社製），昇溫至 330°C，加壓至0.98MPa爲止，保持10分鐘後冷卻，製作 厚度0.1cm的改性PTFE成形體。 實施例2 除了將實施例1所得到的薄片加壓至7.84MPa爲止以 外，其餘使用與實施例1同樣的方法製作改性PTFE成形 實施例3 除了將實施例1所得到的薄片昇溫至340 °C以外，其 餘使用與實施例1同樣的方法製作改性PTFE成形體。 實施例4 除了使用改性PTFE粉末2 ( 200g )以外，其餘使用 與實施例1同樣的方法製作改性PTFE成形體。 實施例5 除了使用改性PTFE粉末2 ( 200g)，將所得到的薄 片昇溫至340 °C以外，其餘使用與實施例1同樣的方法製 作改性PTFE成形體。 實施例6 除了將所得到的薄片加壓至7.84MPa爲止以外，其餘 -19- 200838681 使用與實施例5同樣的方法製作改性PTFE成形體。 實施例7 除了使用PTFE粉末（20〇g )，將所得到的薄片昇溫 至3 5 0°C，加壓至7.84MPa爲止以外，其餘使用與實施例 1同樣的方法製作PTFE成形體。 比較例1 將實施例1所得到的薄片，直接作爲改性P T F E成形 jam 體0 比較例2 將實施例4所得到的薄片，直接作爲改性PTFE成形 體。 比較例3 除了將實施例4所得到的薄片昇溫至3 201：以外，其 餘使用與實施例4同樣的方法製作改性PTFE成形體。 比較例4 除了將所得到的薄片加壓至2.94MPa爲止以外，其餘 使用與比較例3同樣的方法製作改性PTFE成形體。 比較例5 -20 - 200838681 除了將所得到的薄片加壓至7.8 4MP a爲止以外，其餘 使用與比較例3同樣的方法製作改性pTFE成形體。 比較例6 除了將所得到的薄片昇溫至327 °C以外，其餘使用與 比較例3同樣的方法製作改性PTFE成形體。 比較例7 除了將所得到的薄片於無加壓下加熱以外，其餘使用 與實施例4同樣的方法製作改性PTFE成形體。 比較例8 除了使用PTFE粉末，將所得到的薄片昇溫至325 °C 以外，其餘使用與實施例1同樣作法製作PTFE成形體。 比較例9 除了將所得到的薄片昇溫至325°C以外，其餘使用與 實施例7同樣作法製作PTFE成形體。 試驗例 關於由各實施例及各比較例所得到的成形體，藉由對 每個觀察面lcm2用擴大鏡（倍率1〇倍）從加壓方向觀察 ，評估晶界模樣與白斑數。 所得到的結果列示於表1。 •21 - 200838681
m 6 4 Η 1 白斑 /0.1c Ο ο 〇 Ο 〇 〇 卜 (Ν (Ν Ο 〇 ο I T—Ή Ο Ο o Ο m o m Ο m ο m Ο cn o m 繼 歎: 簾 壊 擗 擗 擗 蚺 擗 蚺 蚺 篮£ S： ^ Ο ο o ο 〇 〇 ο 1 1 O ο 〇 Ο ο Ο 〇 r\ η. οο 寸 00 οο 〇〇 寸 寸 oo 寸 寸 οο 簡 00 寸 m g ο ι> ON d Ον Ο On d 〇〇 00 1 I ON o ON oi 〇〇 ON Ο i ON d οο Μ ^ ο ο o ο ο 〇 ο mil 勸 tTTtt 勸 〇 〇 〇 卜 l/^j ^ 〇 si °w m 寸 寸 寸 in m η (N (Μ (N (Ν cn (Ν (N ΓΟ CO 伥 伥 C^) ΓΟ Γ^Ί m m m m 銮s s 0.3： 0.3] 0.3； 0.7ί 0.7ί 0.7ί 0.8f 0.3^ 0.78 0.78 0.78 0.78 0.78 0.78 0.85 0.85 S长 H尜 Ph朱 _鋁 ο (Ν ο r-H ο ι—Η 〇 r-H o ON ο t—η o T—^ ο ^-Η ο ^Η ο o r-H ο OS o a\ 尜s w to 寸 in »r> m 寸 寸 S张 丨TFE型 ω Η 纽 m Ph H Oh m H Ph a pq IX. Η Ph a m Η Ρη a ω Η C1h PTFE ω Η PU 赳 m (¾ Η Cu, m IX. H PU 赳 W pu, Η CU 纽 W IXi H Oh 迪 m Η CL, 纽 m IXi H Oh PTFE PTFE Μη 浴 浴 浴 浴 浴 浴 t i m <N m 寸 孽 VO 孽 卜 孽 (Ν m 寸 ^T) m v〇 卜 οο OS m 辑 ㈣ ㈣ ㈣ ㈣ 鎰 鎰 鎰 鎰 鎰 鎰 ίΚ w _ IK {$« Λ 1¾ J-J -LA J_J ^-λ AJ J_3 -1A J_3 J-Λ J-J Λ3 -ΙΑ •22- 200838681 各實施例的成形體，皆無晶界模樣，且白斑數每 0.1cm3低於1〇個，相對於此，各比較例的成形體，確認 每0.1cm3超過10個白斑，亦有晶界模樣。 〔產業上的可利用性〕 本發明之PTFE成形體的製造方法，因爲是由上述構 成所成，可有效率地製造空隙及晶界少的成形體。因此， 由本製造方法所得到的PTFE成形體，機械的特性，特別 是耐彎曲性及耐蠕變性優異，適合使用於作爲真空膜盒、 膜片等要求耐彎曲性之成形體，及絶縁薄膜、脫膜薄膜、 硏磨用薄膜等。而且，本發明的PTFE成形體，即使爲使 用微粉末所得到者，或使用造粒粉末所得到者，機械的特 性及密封性皆同樣地優異。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕爲改性PTFE造粒粉末的壓縮成形品（未處 理品、無加壓•加熱）的截面照片。用圓圈圍起來的部分 的白斑爲空隙。 〔圖2〕改性PTFE未造粒粉末的壓縮成形品（未處 理品、無加壓•加熱）的截面照片。用圓圈圍起來的部分 的白斑爲空隙。 〔圖3〕本發明的PTFE成形體的截面照片。 -23-