TW200838165A

TW200838165A - Switch circuit, variable capacitor circuit and IC thereof

Info

Publication number: TW200838165A
Application number: TW096148078A
Authority: TW
Inventors: Taiwa Okanobu
Original assignee: Sony Corp
Priority date: 2006-12-26
Filing date: 2007-12-14
Publication date: 2008-09-16
Also published as: JP5151145B2; WO2008078443A1; CN101578766A; EP2104233A1; CN101578766B; EP2104233B1; EP2104233A4; JP2008160673A; US7944268B2; US20100085109A1; TWI371173B; KR20090094291A; KR101407382B1

Description

200838165 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於開關電路、可變電容電路及其I c。【先前技術】作為使用MOS-FET之開關電路，據知有圖1〇或圖丨丨所示之電路。亦即，於圖ίο之電路中，N通道之m〇s_fet (QSW)之閘極電壓VG為4〜5 V程度時，其源極•汲極間開啟’閘極電壓VG為0時，源極•沒極間關閉。而且，圖11之電路亦相同，VG=6 V程度時開啟，VG=〇時關閉。因此，此等電路係作為由閘極電壓¥(3控制之開關電路來動作。 [專利文獻1]日本特開平8-223020號公報 [專利文獻2]日本特開2〇〇2-3 14388號公報【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而，於圖ίο之開關電路之情況時，必須對於fet (QSW)之背閘極給予負電位（圖1〇為_3 v)，於未給予之情況下供給有大振幅之輸入信號時，源極及汲極與背閘極= 之PN接合會由輸入信號予以順偏壓而導通，發生失真。 “而且，於經1C化之情況時，可能無法獲得背閘極用之負電壓，於該情況下，必須將源極及汲極從接地電位往正向予以偏壓，使背閘極相對地為負電位。其結果，必須提高開啟FET (QSW)時之閘極電壓，於電源電壓有限制之情況時不易使用。 124330.doc 200838165 再者，於大振幅信號流動之情況時，由於源極及汲極與閘極間之偏壓電壓之變動變大，因此fet⑴sw)之開啟電阻亦伴ik其而大幅變化，產生失真。因此，必須使用開啟電阻小之FET，為此必須使用尺寸大之FET，纟結果，寄生於汲極或源極之電容變大，因此阻抗降低，故將輸入信號刀配給複數電路之情況時，特別是分配高頻信號之情況會構成問題。該點，圖1 1之開關電路不需要負電壓。而且，源極與背閘極間之PN接合進入輸出入間，FET (QSW)開啟時，其 PN接合由開啟電阻所分路，因此於開啟時不會產生問題。然而，於FET (QSW)關閉之情況時，由於pN接合成為〇偏壓之狀態，因此若供給大振幅之輸入信號，則藉由該接合，經由結合電容器Cin而於每個負循環進行整流動作，使得輸入信號失真。此情況下，由於FET (Qsw)關閉，因此該失真無關於此FET (QSW)之輸出，但供給至其他開關電路之輸入信號會失真，故不適宜。本發明可解決如以上之問題點。 [解決問題之技術手段] 本發明之開關電路，其係：第一端子經由電容器連接於背閘極分離之M〇s_FET之汲極（或源極）；上述MOS-FET之源極（或汲極）連接於第二端子；上述背閘極連接於源極（或汲極）；控制電壓供給至上述MOS-FET之閘極；並且 124330.doc 200838165 反轉該控制電壓之極性後之電壓係經由電阻元件供給至上述汲極。 [發明之效果] 右根據本發明’既不需要負偏壓電壓，且亦無需將FET 之汲極或源極從接地電位往正向加偏壓，使背閘極相對地成為負電位。而且，能以低電壓動作。【實施方式】於此，首先說明有關適宜使用按照本發明之開關電路之電視接收機。 [1]接收電路（全體）之例使用於電視播放之頻率（頻道）係依國家而為各式各樣，彩色方式亦有NTSC、PAL、SECAM等。並且，有類比播放，亦有數位播放。因此’思慮將電視播放之接收信號系統分割為：前端電路’其係接收電視播放，並輸出中頻信號；及基帶處理電路，其係處理該前端電路之輸出，並輸出彩色影像信號及聲音信號。即，藉由如此來應付電視播放之播放方式之差異。因此’首先分別說明有關可適用本發明之前端電路、及基帶處理電路之一例。 [1-1]前端電路之例圖1係表不可不拘於其播放方式來接收各國之電視播放之則端電路之一例。此例係將各國之電視播放所使用之頻率分割為如下3頻帶： 124330.doc 200838165 (A) 46〜147 MHz(VL頻帶） (B) 147 〜401 MHz(VH頻帶） (C) 401 〜8 87 MHz(U頻帶）於各接收頻帶，可對應目標頻道來變更頻率之情況。亦即，於圖1中以短劃線包圍之部分1〇係表示其前端電路，此被1C化於一晶片1C。而且，此1C(前端電路）10具有外部連接用之端子插腳T11〜T19。然後，由天線ANT接收電視播放之播放波信號，該接收信號從端子插腳T11經由開關電路11而選擇性地供給至天

線調譜電路12A〜12C。此情況下，天線調諧電路丨2a〜12C 係構成如：分別對應上述項（A)〜(C)之接收頻帶，藉由數位資料來變更調諧用電容器之電容以變更調諧頻率，其結果會與目標頻率（頻道）之接收信號調諧。此外，詳細會於後面敛述。然後，此等來自調諧電路12A〜12C之接收信號係經由高頻放大器13A〜13C，並進一步經由段間調|皆電路14a〜14c 而供給至開關電路15。此開關電路15係與開關電路u連動而被切換，因此從開關電路15取出目標接收頻帶之接收信號SRX。然後，此取出之接收信號SRX供給至混頻電路 211、21Q 〇此外，凋谐電路14A〜14C亦與調諧電路12a〜12C同樣地構成，但調諧電路14A為復調諧電路。而且，如後述，調伯電路12A〜14C之調諧用電容器内建於1(： 1〇，調諧用線圈外附於1C 10。 124330.doc 200838165 而且’於VC〇 31形成有特定頻率之振盈信號。此vco 31係用以形成局部振盪信號，其構成pLL 3〇之一部分。亦即，VCQ 31之振盡信號供給至可變分頻電㈣，比較電路33。ϋΧ，從外部經由端子插腳丁14將時鐘（頻率為1〜2 MHz程度）供給至信號形成電路3[並被分頻為特定頻率f34之信號’此分頻信號作為基準信號而供給至相位比較電路33。頻為1/N(N為正整數）頻率之信號，此分頻信號供給至相:

然後，相位比較電路33之比較輸出供給至環路濾波器 35，取出位準對應可變分頻電路32之輸出信號與形成電路 34之輸出信號之相位差而變化之直流電壓，此直流電壓作為振盪頻率f3 1之控制電壓而供給至vC0 3 1。此外，於渡波器35，經由端子插腳τΐ5而外附有平滑用之電容器cu。因此，VCO 31之振盪頻率f3l成為： f31=N · f34 …⑴ 故若藉由系統控制用之微電腦（未圖示）來控制分頻率N，則可變更VCO 31之振盪頻率f31。例如頻率f3i對應接收頻帶及接收頻率（接收頻道）而成為1.8〜3.6 GHz。然後’此VCO 31之振盪信號供給至可變分頻電路36，並被为頻為1 /M(例如m=2、4、8、16、32)之頻率，此分頻信號供給至分頻電路37，並被分頻為1/2之頻率且相位互呈正交之分頻信號SLOI、SLOQ，此等信號SLOI、SLOQ 作為局部振盪信號而供給至混頻電路211、21Q。於此，若設定如下·· 124330.doc 200838165 fLO ··局部振盪信號SLOI、SLOQ之頻率則會成為如下： fLO = f31/(2M) =N · f34/(2M) = f34 · N/(2M) --(2) 因此，藉由變更分頻率Μ、N，可遍及廣大範圍以特定頻率步幅來變更局部振盪頻率fLO。而且，設定如下：

SRX :希望接收之接收信號 SUD :影像干擾信號並為了簡化而設定如下： SRX = ERX · sincoRXt ERX :接收信號SRX之振幅 ωΚΧ=2πΐΚΧ fRX :接收信號SRX之中心頻率 SUD = EUD · sincoUDt EUD :影像干擾信號SUD之振幅 ωυϋ=2πίυϋ fUD :影像干擾信號SUD之中心頻率並且，關於局部振盪信號SLOI、SLOQ設定如下： SLOI = ELO · sincoLOt SLOQ = ELO · coscoLOt ELO :信號SLOI、SLOQ之振幅 ωΙ^Ο=2πίΙ^Ο 其中，此時若設定如下： 124330.doc -10- 200838165

oIF = 2ufIF

fIF :中間頻率。例如若設定為4〜5.5 MHz(依播放方式而變更），則於上外差方式之情況時如下： fRX = fLO-flF fUD = fLO+flF 因此，從混頻電路211、21Q輸出如下信號SIFI、SIFQ。亦即，取出如下之信號SIFI、SIFQ :

SIFI = (SRX+SUD)xSLOI =ERX · sincoRXtxELO · sincoLOt +EUD · sincoUDtxELO · sincoLOt

=a{cos(coRX-coLO) t-cos(coRX+(〇LO)t} + β {cos(〇)UD-coLO)t-cos(〇)UD+coLO)t} SIFQ = (SRX+SUD)xSLOQ =ERX · sincoRXtxELO · cosoLOt +EUD · sincoUDtxELO · coscoLOt =a {sin(coRX+(〇LO)t+sin(coRX_coLO)t} + P{sin(coUD+coLO)t+sin(coUD-coLO)t} a=ERX · ELO/2 p=EUD · ELO/2。然後，此等信號SIFI、SIFQ供給至相較於影像中頻信號及聲音中頻信號之佔有帶區寬（例如6〜8 MHz)為更廣大帶區之低通濾波器22，其結果，於低通濾波器22除去和的角頻率（coRX+coLO)、（(〇UD+cdLO)之信號成分（及局部振盪信號SLOI、SLOQ)，從低通濾波器22取出： 124330.doc -11 - 200838165 SIpI = α · 0Ο3(ωΚΧ-ωί〇)ί+β · =α · coscoIFt+β · COSc〇IFt ...(3) SIFQ= α · sin(〇)RX-〇)L〇)t+p · sin(c〇UD，LO)t 二-α · sincoIFt+β · sin〇)iFt ··· (4) 然後，此等信號SIFI、SIFQ係經由後述之振幅相位校正電路23而供給至複帶通濾波器（多相帶通濾波器）24。此複帶通濾波器24具有以下特性： Γ (a) 具有帶通濾波器之頻率特性。 (b) 亦具有移相特性，將信號SIFI恰好移相值φ(φ為任意值）。 (0同樣將信號SIFQ恰好移相值（ψ-90。）。 (d)具有於頻率軸上，以對於零頻率呈對稱之頻率忉及頻率_f〇為中心頻率之2種帶通特性，可藉由輸入信號之相對相位來選擇此。因此，於複帶通濾波器24，藉由上述（b)、（〇項，使得號SIF Q對於號SIFI相位滞後9 0。而成為如下： SIFI = α · coscoIFt+β · coscoIFt …（5) SIFQ = _α · sin(coIFt-90ο)+β · sin(〇)iF卜9〇〇) =α · coscoIFt-β · coccoIFt …⑹ 總言之，信號SIFI與信號SIFQ間，信號成分α·⑶⑽丨以互為同相，信號成分β · coccoIFt互為逆相。然後，此信號SIFI、SIFQ供給至位準校正用之放大器 25，加算信號SIFI與信號sifq，從位準校正之放大器“取出如下之信號SIF。 124330.doc 200838165 亦即， SIF = SIFI+SIFQ -2α · cosoIFt =ERX · ELO · coscoIFt ⑺、 …⑺ 此被取出之信號⑽正是以上外差方式接收到信號srx時之中頻信號n於此中頻信號SIF不含影像干擾信號 SUD。此外，振幅相位校正電路23係為了使該式⑺充分成立，亦即為了使影像干擾信號SUD最小，而校正信號 SIFI、SIFQ之振幅及相位。並且，此時，於位準校正用之放大器25校正信號sif之位準，以便即使信號SIFI、SIFQ之位準依播放方式之差異而不同，後述之AGC特性（特別是AGC之開始位準）等仍不會變化。然後，此中頻信號SIF係經由AGC用之可變增益放大器 26，並進一步經由直流份之切割用及頻疊用之帶通濾波器 27而輸出至端子插腳T12。因此，若變更分頻率Μ、N，可按照式（2)來選擇目標頻率（頻道），若對應播放方式來將輸出至端子插腳Τ12之中頻信號SIF予以解調，可視聽目標播放。如此，若藉由此前端電路1〇，對於46〜887 MHz之廣大頻率範圍，可由一晶片1C來對應。而且，對於廣大頻率範圍，可不降低干擾特性，以更少零件點數來實現前端電路 10。並且，對於數位播放及類比播放之播放方式之差異，或世界性區域所造成之播放方式之差異，可由1個前端電 124330.doc -13- 200838165 路ίο來對應。而且，由時鐘信號之高調波等所造成之接收干擾變少，結果接收感度會上升。並且，PLL 30可將電容器C11除外之所有電路零件予以單晶片化，因此可製成耐受擾動且甚 * 少發生干擾之PLL。而且，於高頻放大器13A〜13C，僅分 _ 別連接有調諧電路14A〜14C，因此負載輕，可使得高頻放大器13A〜13C低失真。 [1-1-1] AGC 之例

1 AGC電壓VAGC係於後述之基帶處理電路形成，此AGC 電壓VAGC係經由端子插腳T16供給至AGC用之可變增益放大器26，以作為其增益之控制信號。因此，藉此進行通常之AGC。而且，例如於目標接收信號SRX之位準過大，或於接收信號SRX存在有大位準之干擾波信號之情況時，以上述通常之AGC無法完全對應。因此，從低通濾波器22輸出之信 / 號SIFI、SIFQ供給至位準檢測電路41，於AGC用之可變增 1, 益放大器26，檢測進行AGC前之信號SIFI、SIFQ之位準是否已超過特定值。然後，該檢測信號及端子插腳T16之 . AGC電壓VAGC供給至加算電路42，其加算輸出供給至形 . 成電路43，形成延遲AGC電壓VDAGC，此延遲AGC電壓 VDAGC供給至高頻放大器13A〜13C以作為增益之控制信號，進行延遲AGC。因此，從希望之接收信號強度與不希望接收之許多信號之強度之D/U，可完成最佳之AGC動作，故數位播放與類 124330.doc -14- 200838165 比播放或其等混合存在均可良好地接收希望之播放。 [1 -1 -2]測試用•調整用電壓之例伙低通濾波器22輸出之信號SIFI、SIFQ供給至線性檢波電路44 ’藉由檢波及予以平滑而成為表示信號、sIFq 之位準之直電壓V44，此電壓44輸出至端子插腳τη。輸出至該端子插腳Tl3之直流電壓V44係使用於前端電路10之測试時或調整時等。例如可於遍及廣大頻率範圍檢查輸入仏號（接收^號）之位準時使用，亦即與經由狹小帶區之中頻濾波器之輸出不同，可針對天線端子插腳TU至 /心頻電路211、2 1Q之信號線直接檢查廣大帶區之衰減特性。而且，於調整天線調諧電路12A〜12C及段間調諧電路 14A 14C之^況時，若將輸入測試信號加於天線端子插腳 ΤΙ 1，並將供給至端子插腳T16之AGC電壓VAGC固定於特定值，則可從直流電壓V44之變化進行追蹤調整。並且，可藉由數位資料來進行前端電路1〇之各功能之調整或特性測定，可實現自動調整及自動測定。 [1-1-3]定電壓電路於1C 10设置有定電壓電路53，從端子插腳T17供給有電源電壓+VCC。此定電壓電路53係利用pN接合之帶隙，從電源電壓+VCC形成特定值之定電壓，其形成之定電壓供給至ic ίο之各電路。此外，定電壓電路53之輸出電壓可進行微調。因此，即使是藉由M0S_FET來構成各電路之情況，可較 124330.doc -15- 200838165 高地設定供給至其等電路之電壓，可最大限度地引出 MOS-FET之性能。 [1-1-4]初始設定由於上述振幅相位校正電路23之校正量、複帶通濾波器 24之中心頻率及通過帶區寬、位準校正用之放大器乃之增盈必須對應接收之電視播放之播放方式，因此設定為可變，並且可從外部設定。例如複帶通濾波器24之中心頻率係於3.8〜5.5 MHz之範圍内可變，通過帶區係於57〜8 MHz 之範圍内可變。然後’於組裝時或工廠出貨時等，此等電路23〜25之設定值係從端子插腳T1 8寫入非揮發性記憶體5丨。而且，微調調諧電路12A〜12C、14A〜14C之追蹤用資料（微調調諧頻率之貧料）或定電壓電路53之輸出電壓之資料，亦同樣地從端子插腳T1 8輸入非揮發性記憶體51。因此，可將各電路之特性設定為對應所接收之電視播放之播放方式者。 [1-1-5]使用時之動作導入使用該1C 10之接收機之電源時，非揮發性記憶體 51之設定值複製至緩衝記憶體52,此複製之設定值作為預口又值而供給至電路12A〜12C、14A〜14C、23〜25、53之各個。然後，使用者選擇頻道時，為其之資料從系統控制用之微電腦（未圖示）經由端子插腳T19而供給至緩衝記憶體U 並暫時保存，此保存之資料供給至開關電路丨丨、丨5、調嘈電路12A〜12C、14A〜14C、可變分頻電路32、36，選擇包 124330.doc -16- 200838165 含目標頻道（頻率）之接收頻帶，並且於該選擇之接收頻帶選擇目標頻道。 [1-1_6]總結若藉由圖1所示之前端電路10，如項（A)〜(c)所示，可接 • 收46〜887 MHz之頻帶之電視播放。然後，屆時，由於複 » 帶通濾波器24之中心頻率及通過帶區寬為可變，因此不僅疋國内之短波數位電視播放或短波類比電視播放，亦可對應國外之數位電視播放或類比電視播放。 [U]基帶處理電路之例圖2係表示基帶處理電路之一例，此係處理從前端電路 10輸出之中頻信號SIF，並輸出彩色影像信號及聲音信號。亦即，於圖2中，由短劃線包圍之部分6〇係表示該基帶處理電路，此被IC化於一晶片1C。而且，此IC(基帶處理電路）6〇具有外部連接用之端子插腳丁61〜丁67。然後，從前端電路1〇之端子插腳T12輸出之中頻信號sif

〇係從端子插腳T61供給至A/D轉換器電路61，並被予以A/D 轉換為數位中頻信號，藉由濾波器62除去此數位中頻信號 SIF不要之頻率成分。 _ 然後，於數位電視播放之接收時，來自濾波器62之數位 • +頻信號训供給至解調電路63，將基帶之數位信號解調並輸出itb解w周輸出供給至錯誤訂正電路64而成為經錯誤丁正之資料串流，此資料串流輸出至端子插腳丁62。因此，若將此端子插腳T62之信號按照其播放方式予以解碼，則可獲得原本之彩色影像信號及聲音信號。 124330.doc 17 200838165 而且，於類比電視播放之接收時，來自濾波器62之數位中頻信號SIF供給至影像中頻濾波器71，取出數位影像中頻信號，此信號在重像除去電路72除去重像成分後，供給至解調電路73並將數位彩色影像信號解調。然後，此數位 ' 信號供給至D/A轉換器電路74，並被予以D/A轉換為類比 ^ 彩色景> 像信號’此彩色影像信號輸出至端子插腳T63。並且，類比電視播放之接收時，來自濾波器62之數位中广、頻信號SIF供給至聲音中頻濾波器81，取出數位聲音中頻信號，此信號供給至解調電路82並將數位聲音信號解調。然後，此數位聲音信號供給至D/α轉換器電路84，被予以 D/A轉換為左及右頻道之聲音信號，此等聲音信號輸出至端子插腳T64、T65。而且’於AGC電壓形成電路91形成aGC電壓VAGC，此 AGC電壓VAGC輸出至端子插腳T67，並供給至前端電路 10之端子插腳Τ16，如上述進行通常之AGC及延遲AGC。並且，於時鐘形成電路92形成特定頻率之時鐘，此時鐘供給至基帶處理電路60之各部，並且經由端子插腳T66, 並進一步經由前端電路10之端子插腳Τ14而供給至信號形 _ 成電路34。 • 因此，因時鐘之高調波等所造成之接收干擾變少，結果接收感度會上升。 [2] 高頻段之具體例圖3係表示前端電路10之開關電路u至開關電路15之高頻信號系統之一例。此外，此高頻信號系統亦構成為平衡 124330.doc -18- 200838165 型。亦即，天線ANT之接收信號係藉由平衡/不平衡轉換器 (Baiun) BLN而成為平衡之接收信號後，經由端子插腳 Til、T11供給至開關電路U。此開關電路u係等價地構成 ' 如圖1所示，選擇性地將經由端子插腳T11、τη所供給之接收信號供給至天線調諧電路12A〜12C。因此，開關電路11之第一輸出端TA連接於高頻放大器 13A之輸入端，並且於該第一輸出端TA與高頻放大器13A 之輸入端間之信號線，並聯連接有天線調諧電路12A。此情況下，調諧電路12A係調諧用線圈[12八經由端子插腳而外附於ic ίο，並且調諧用電容器C12A内建於lc 1〇而構成。此外，如後述，調諧用電容器C12A之電容係藉由數位資料來變更，從而變更調諧頻率。並且，而頻放大器13A之輸出端係經由調諧用電容器 C143、C144而連接於輸入緩衝器電路15A之輸入端，並且 c 於咼頻放大态13A之輸出端，並聯連接有調諧用線圈L141 及調諳用電容器C141，於輸入緩衝器電路15A之輪入端，並聯連接有調諧用線圈L142及調諧用電容sC142，段間調諧電路14A構成為復調諧形式。 ° . 此外，此時’、線圈L141、U42係經由端子插腳而外附於 1C 10。而且，電容器C141〜C144係内建於IC 1〇，並且其等之電容係藉由數位資料來變更，從而變更調譜頻率。如此，構成項（A)所示之VL頻帶之高頻段。並且，開關電路11之第二輸出端TB連接於高頻放大器 124330.doc -19- 200838165 13B之輸入端，並且於該第二輸出端tb與高頻放大器13b 之輸入端間之信號線，並聯連接有天線調譜電路12B。並且’高頻放大器13B之輸出端連接於輸入缓衝器電路 1 5B之輸入端，並且於此等間之信號線，並聯連接有調諧用線圈L14B及調諧用電容器Ci4B，構成有段間調諧電路 14B。此外，此時，線圈L12B、L14B係經由端子插腳而外附於1C 10，電容器C12B、C14B内建於1C 10，並且其等之電容係藉由數位資料來變更，從而變更調譜頻率。如此，構成項（B)所示之VH頻帶之高頻段。並且，開關電路11之第三輸出端TC係經由高頻放大器 13C而連接於輸入緩衝器電路15(：之輸入端，並且並聯連接有高頻放大器13C之輸入端天線調諧電路12C，於輸入缓衝斋電路14C之輸入端並聯連接有段間調諧電路丨4C。此情況下，調諧電路12C係調諧用線圈L12C經由端子插腳而外附於ic ίο，並且調諧用電容器C12C内建於IC 1〇而構成。而且，調諧電路14C係調諳用線圈l14C經由端子插腳而外附於1C 10，調諧用電容器C14C内建於IC 10而構成。如此，構成項（C)所示之u頻帶之高頻段。然後，輸入緩衝器電路15A〜15C之輸出端共同地連接於連接點P15、P15，並且連接於混頻電路211、21Q之輸入端。而且，從形成電路43將延遲Agc電壓VDAGC供給至高頻放大器13A〜13C。並且攸緩衝纪憶體52將接收頻帶之切換信號把AND 供給至開關電路丨i，並且此切換信號SB AND供給至輸入緩 124330.doc -20 - 200838165 衝器電路15A〜15C，以作為其等之動作之許可·禁止之控制信號，輸入缓衝器電路15A〜15c係連動於開關電路丨丨之切換而被控制。總言之，藉由輸入緩衝器電路15A〜i5c來構成開關電路15。 - 若按照此結構，於藉由切換信號SBAND來選擇例如項 (A)所不之VL頻帶之接收之情況時，從開關電路丨丨將接收信號供給至調諧電路12A，並且許可輸入緩衝器電路15A 之動作，但接收信號未供給至調諧電路12B、12C，且輸 1 入緩衝器電路15Β、15C被禁止動作。因此’可接收項（Α)所示之VL頻帶之接收，由調諧電路 12Α、14Α所選擇之頻道（頻率）輸出至連接點ρΐ5、ρΐ5，並供給至混頻電路211、21Q。然後，關於項（β)及項之接收頻帶亦進行相同動作。如此，若藉由圖3所示之高頻段，可選擇項（A)〜之接收頻帶，並且可選擇該被選擇之接收頻帶之頻道。然後，此情況下，於高頻放大器13A〜13C，僅分別連接有調諧電路14A〜14C，因此負載輕，可使得高頻放大器13A〜13C低失真。 - [3] 按照本發明之可變電容電路之例 . [3-1] 具體例（其一）圖4A係表示按照本發明之開關電路110之一例。此開關電路110可作為上述開關電路11、或者調諧電路 12A〜12C 、 14A〜14C之可變電容器C12A〜12C 、 C141〜C144、C14B、C14C之電容來使用。 124330.doc -21 - 200838165 亦即，圖4A中，火線側之端子T1係經由結合電容器ci 1 而連接於N通道之MOS-FET (Q11)之汲極（或源極），該源極（或汲極）連接於火線側之輸出端子T2。而且，於此端子 T2與接地端子T0間連接有電阻器Ri 1，將控制電壓供給至FET (Q11)，並且其背閘極連接於源極（或汲極）。進一步而言，控制電壓VG供給至變頻器Q12，並且此變頻器Q12之輸出端經由電阻器R12而連接於FET (Q11)之汲極。此外，變頻器Q12係互補連接有MOS-FET而構成，供給有特定動作電壓+VDD。而且，電容器C11係設定為開關電路110對於進行開關控制之輸入信號之最低頻率，能以最小限度之損失使該輸入信號通過之最小電容。並且，於藉由衩數個開關電路11 〇來分配信號之情況時，並聯連接端子T1、το間。圖5 A係表示將此開關電路11 〇予以ic化之情況下之fet (Q11)之構造之一例。圖5 A之左側表示N通道之FET之構造’右側表示後述之P通道之FET之構造，於N通道之 FET’於P型之子基板ι〇1島狀地形成n型之隔離層1〇2，並且於此隔離層102形成P型之區域1〇3。而且，此時，於隔離層102形成N+區域104，於此N+區域104供給有逆偏壓電壓+VN，P型區域1〇3從子基板ι〇1絕緣分離。並且’於P型區域103形成N+型之區域1〇5、1〇6，並引出沒極端子D及源極端子S，並且於區域1〇5與區域1〇6間之表面形成有絕緣層107，於此絕緣層1〇7之表面形成有閘極電極108，引出閘極端子g。而且，於p型區域1〇3形成p+ 124330.doc -22- 200838165 區域109，從此P+區域i〇9引出背閘極端子BG。而且，於P通道之FET，於P型之子基板1〇1形成N型之區域123，於此N型區域123形成有p+型之區域125、126，並引出沒極端子D及源極端子S。並且，於區域125與區域126 間之表面开> 成絕緣層127，於此絕緣層127之表面形成閘極電極128 ’並引出閘極端子G。而且，於n型區域123形成 P+區域129 ’從此P+區域129引出背閘極端子bg。若根據此結構，如圖5B所示，由於在控制電壓為例如3 V之情況時，FET (Ql 1)開啟，因此供給至端子T1之輸入仍號經由FET (Ql 1)被取出至端子T2。此外，此時，由於VG=3 V供給至變頻器Q12，因此其輸出端成為接地電位，電阻器R12係藉由變頻器Q12來接地。另一方面’如圖4C所示，控制電壓VG為例如0 V之情況時，FET (Ql 1)關閉，因此供給至端子丁丨之輸入信號會被 FET (Ql 1)阻止而未取出至端子T2。然後’於此情況，亦如圖5A所示，於FET (Ql 1)，由於在區域103與區域1〇5、106間產生PN接合，因此如上述或如圖5B所示，於背閘極與汲極及源極間產生寄生二極體 DPR、DPR。因此，於供給至開關電路11〇之輸入信號之位準大之情況時，寄生二極體DPR、DPR應為開啟。然而，於圖4A所示之開關電路丨1()，於FET (Qi丨）關閉之情況時，VG=0，亦如圖4C所示，變頻器Q12之輸出端之電位為VG(=3 V)，於此連接有電阻器R12。因此，寄生二極體DPR係藉由該電壓VG(=3 V)被予以逆偏壓，因此即使大 124330.doc -23- 200838165 振巾田之輸入k號供給至開關電路1 1 〇，寄生二極體DPR仍不會開啟。其結果，由於不會僅有端子T1之輸入信號之負的半循環流至寄生二極體DPR，並使輸入信號失真，因此供給至其他開關電路之輸入信號不會失真。此外，於FET (Q11)開啟之情況時（圖4B)，如上述，由於藉由其開啟電阻來將寄生二極體DPR予以分路，因此不會發生問題。如此’若藉由開關電路11 〇，於FET (Q11)關閉之情況時，不會使輸入彳§號失真，於開啟之情況時亦不會發生問題。進一步而言，亦不會如圖10之開關電路需要負偏壓電壓，亦無需將FET (Q11)之汲極或源極從接地電位往正向偏壓，使背閘極相對地為負電位。而且，必要之電壓亦可為變頻器Q12之動作電壓+VDD以下，能以低電壓來實現動作。 [3-2]具體例（其二）圖ό係表示按照本發明之開關電路丨丨〇之其他例，於此例係對於更大振幅之輸入信號亦抑制發生失真之情況。亦即，於此例中，輸入端子T1係經由結合電容器c 11，並進一步經由N通道之MOS-FET (Q11)之汲極•源極間而連接於火線側之輸出端子T2，於此端子T2與接地端子丁〇間連接有電阻器R11。而且，於FET (Q11)之閘極，經由電阻器R13而供給有控制電壓v G ’並且其背閘極連接於源 124330.doc -24- 200838165 極。進一步而言，控制電壓VG供給至變頻器q12，並且此變頻器Q12之輸出端經由電阻器R12而連接於feT (qU)之汲極。此外，特定動作電壓+VDD供給至變頻器Q12。而且’於FET (Q11)之汲極及源極與閘極間，連接有電容器C12、C13 ’並且變頻器q12之輸出端連接於n通道之 FET (Q12)之閘極’此FET (Q13)之沒極連接於FET (Q11) 之閘極，FET (Q13)之源極連接於端子τ〇。此外’電容器C11係設定為開關電路1丨〇對於進行開關控制之輸入信號之最低頻率，能以最小限度之損失使該輸入信號通過之最小電容。若根據此結構’ FET (Ql 1)係藉由控制電壓vg而與圖4 之情況相同地被予以開關控制，端子T2之信號會與此開關相對應而被開關。然後，FET (Ql 1)關閉時，由於vg=〇，因此藉由變頻器 Q12之輸出’ FET (Q13)開啟，從而來自電容器cii之信號不會經由電容器C12、C13而輸出至端子T2。進一步而言’ FET (Ql 1)關閉時，輸入信號可能經由汲極•背閘極間之接合電容而漏洩至輸出側，但若為如下時： rl3 : FET (Q13)之開啟電阻

Cd : FET (Q11)關閉時之汲極•背閘極間之接合電容 RL : FET (Q11)之負載之阻抗藉由預先設定為： 124330.doc •25· 200838165

C12 · rl3= Cd · RL 可將其漏沒信號予以偏壓，充分關閉開關電路丨1〇。另一方面’ FET (Q11)開啟時，藉由變頻器Qu之輸出， FET (Q13)關閉，因此FET (Qn)之閘極係經由電容器 C12、C13而與源極及汲極交流地成為同電位，因此 (Q11)之開啟電阻不會由於通過之輸入信號而變動並為一定，故可抑制發生失真。若根據實驗，可將大輸入時之失真率縮小至5〜8%程度，2次失真可減輕至1/2，3次失真可減輕至1/10程度。此外，於此開關電路110，電容器C12、C13亦可決定為任一方。此情況下，按照所要求之性能來連接電容器 C12、C13之任一。 ° [3-3]具體例（其三）於圖6之開關電路110,從端子以之輸入信號來看，電阻器R12為負載之—部分，會產生損&。此情況下，從輸入信號來看’ ^電阻龍12為原本之負載阻抗之⑽倍程度，則可減電阻nR12n於並聯連接許多_電路ιι〇之輸入端子T1之情況時，由於並聯連接許多電阻器R12，故必須將電阻器R 1 2设定為較大值。例如於並聯連接1 〇個開關電路11〇之輸人端子以之情況時，必須將電阻器幻2之值設定為開關電路110原本之輸入阻抗之1〇〇〇倍程度。然而，如此的話，電阻器尺12於冗所佔面積變大，並不適宜。因此，圖7所示之例係於圖6之開關電路11()，以p通道之 124330.doc -26- 200838165 MOS-FET (Q14)及N通道之MOS_FET (Q15)來實現電阻器 R12之情況。亦即，於此情況下，FET(Q14)之汲極連接於FET(Q11) 之汲極，FET (Q14)之源極及背閘極連接於FET (Q15)之源極。而且，FET (Q15)之汲極連接於電源+VDD，背閘極連接於接地端子T0。然後，控制電壓VG供給至FET (Q14)之閘極，並且變頻器Q12之輸出供給至FET (Q15)之閘極。若根據此結構’ FET (Ql 1)係藉由控制電壓vg而與圖4 之情況相同地被予以開關控制，端子T2之信號會與此開關相對應而被開關。然後，於FET (Q11)開啟之情況時（vg=3 V之情況），藉由其控制電壓VG ’ FET (Q14)關閉，藉由變頻器q12之輸出，FET (Q15)亦關閉。此外，此情況亦如圖5B所示，由於寄生二極體DPR、DPR在FET (Q14)及FET (Q15)互為相反極性，因此即使輸入信號之振幅大，仍不會開啟。另一方面，於FET (Ql 1)關閉之情況時（VG=〇之情況），與上述相反，FET (Q14、Q15)開啟，由於FET⑴丨丨）開啟，因此FET (Q15)之源極電位，亦即電壓（+VDD_ VTH)(VTH係由電路之漏洩電流決定之電壓）供給至ρΕτ (Q11)之汲極。然後’於供給有輸入信號，藉由其負的半循環，fet (Q11)之没極電位降低時，FET (Q15)開啟而將電容器 Cll C12等充電’但由於FET (q15)為小型之N通道 FET，其以高頻率進行高速動作，並且與元件之漏浪電流 124330.doc -27- 200838165 僅成為負載’因此失真之發生係比FET (Q11)之寄生二極體DPR、DPR開啟時之失真小。因此，不需要佔去大面積之電阻器R12，而且能以低失真來開關輸入信號。 [3-4]具體例（其四）於圖8係藉由3組開關電路丨1A〜丨1C來實現圖i及圖3之開關電路11，並且藉由[3-1]〜[3-3]所說明之開關電路11〇來實現該開關電路11A〜11C之各個之情況。此外，此例係開關電路11A〜11C(開關11〇〜：π〇)及信號線構成平衡型之情況。亦即，於圖8，端子插腳Til、T11係經由電容器C11、 C11而連接於N通道之FET (Qll、Q11)之汲極（或源極），該源極（或〉及極）連接於開關電路11之第一輸出端T a、τ a。此外，如圖3所示，輸出端ΤΑ、ΤΑ連接有天線調諧電路 12Α’並且連接於高頻放大器13Α之輸入端。而且，於FET (Qll、Q11)之閘極間串聯連接有電阻器 R13、R13，並且於FET (Qll、Q11)之閘極與接地間，連接有Ν通道之FET (Q13、〇13)之汲極•源極間。並且， FET (Qll、QU)之背閘極連接於其等源極，fet⑴13、 Q13)之閘極經由電阻器Ri2、R12而連接於FET (Q11、 Q11)之汲極。並且，於FET (Qll、Q12)之源極與接地間連接有電阻器 Rll、R11，於FET (Qll、Q11)之源極與閘極間，連接有特定電容之電容器C13、C13。而且，從緩衝記憶體52輸出之接收頻帶之切換信號 124330.doc -28- 200838165 SBAND係由對應於上述（A)〜(C)項之切換信號SWA〜swc構成，其中之切換信號SWA係作為控制電壓VG而供給至電阻器R11、Rl 1之連接中點，並且經由互補連接之fet (Q121、Q122)所構成變頻器Q12而供給至FET (q13、q13) 之閘極。並且，開關電路11B、11 c亦與開關電路丨丨A同樣地構成，被供給有切換信號S WB、S WC。此外，電谷裔C11、C11係設定為其開關電路對於進行開關處理之接收信號SRX之最低頻率，能以最小限度之損失使該接收信號SRX通過之最小電容。若根據此結構，對應於從緩衝記憶體52輸出之接收頻帶之切換U虎SBAND(SWA〜SWC)，開關電路11 a〜11C中之任一個開關電路之FET (Qll、Q11)開啟，其他開關電路之 FET (Qll、Q11)關閉，因此供給至端子插腳T11、711之接收信號SRX係對應於切換信號SBAnd而輸出至輸出端 ΤΑ、TA〜TC、TC。因此，開關電路11A〜nc係作為接收頻帶之切換開關11而動作，實現接收頻帶之切換。然後’即使是如上述接收信號SRX之位準大之情況，仍可避免於FET (Qll、Q11)所產生之寄生二極體dpr、dpr 之影響。 [3-5]具體例（其五）圖9係藉由與圖7之開關電路11〇同樣之開關電路來實現調諧電路12A〜12C、14A〜14C之調諧用電容器之電容變更之情況。此外，於此例係可藉由（n+1)位元之數位資料 b〇〜bn來變更端子T1與端子T2間之電容CVR之情況。 124330.doc -29- 200838165 亦即，於端子T1與T2間，連接有電容器CAP，並且串聯連接有電谷器C0與FET (卩11)之汲極•源極。此FET (qu) 係與圖7之開關電路11 〇同樣地構成開關電路丨丨〇，於其閘極經由電阻器R13而供給有電容CVR之控制用之數位資料之LSB (b0)。而且，連接有其閘極與源極間之特定值之電容器C13，並且背閘極連接於源極。並且，於FET (Q11)之汲極與接地端子T0間，連接有p通道之MOS-FET (Q14)之汲極•源極間、與ν通道iM0S_ FET (Q15)之源極·汲極間之串聯電路。然後，控制用之數位負料之LSB (b0)供給至FET (Q14)之閘極，並且變頻器 Q12之輸出供給至FET (Q15)之閘極。此外，FET (Q14)之背閘極連接於其源極，變頻器Q12之動作電壓+VDD供給至FET (Q15)之背閘極。如此，構成開關電路110。並且，開關電路m〜lln係與開關電路110同樣地構成，於端子Τ1與端子Τ2間，並聯連接有電容器C1〜Cn與開關電路111〜11η之串聯電路。此外，於開關電路111〜11 η，分別被供給有控制用之數位資料之位元bl〜bn (MSB)。而且，此情況下，電容器C0〜Cn之值設定如下：

Ci=C〇x2之 i次方 ...(8) (i=0 〜η) 此外，作為一例，於調諸電路12Α〜12C、14Α〜14C之可變電容器之情況時，n=8，於複帶通濾波器24之可變電容器C31、C32之情況時，n=7。 124330.doc -30- 200838165 若根據此結構，例如於開關電路110，bO = nH”時，FET (Q11)開啟，電容器C0連接於端子T1與端子T2間。然而， bO = ’’L”時，FET (Q11)關閉，電容器C0未連接於端子T1與端子T2間。因此，bO = nLn時，

CVR=CAP b0 = ”H”時則成為如下： CVR=CAP+C0 然後，於開關電路111〜11 η，亦藉由位元b 1〜bn來進行相同動作，因此例如若位元b0〜1311均為ΠΗΠ，則成為如下： CVR=CAP+C0 + C1+C2 + ··· +Cn 然後，於FET (Q0)〜(Qn)之開啟•關閉，對應於位元b0〜bn 之"Ηπ · ”Ln而會有2之（n+1)次方之組合，因此電容CVR可於以下範圍：從：

CVR=CAP 至 CTTL=CAP+C〇x(2之（n+1)次方-1) 以電容C0為單位並遍及2之（n+1)次方之步幅來變化。因此，圖9之電路係作為可藉由數位資料b0〜bn，來將端子T1與端子T2間之電容CVR以必要之變化量C0逐一變更為任意電容之可變電容器來發揮作用。其結果，此電路可作為調諳電路12A〜12C、14A〜14C之調諧用之可變電容器 C12A〜C12C、C141〜C144、C14B、C14C 來使用。特別於 124330.doc -31- 200838165 圖3所不之複調譜電路14A，調譜用之可變電容器ci43、 C 144為浮動類型，亦可支援此浮動。而且’於複帶通濾波器24或振幅相位校正電路23等，亦可作為可變電容器來使用，並且可藉由數位資料來設定或調整特性。 [4] 總結總結上述開關電路如下。亦即，”即使被供給大振幅之輸入信號，仍可抑制起因於開關用之FET或寄生二極體之失真發生。 (12) 可縮小起因於開關用之fET之開啟電阻（汲極•源極間電阻）之相對直線性之失真。 (13) 能以源自MOS-FET之耐壓之動作電壓以下之電壓來動作’作為電源電壓不需要高電壓或逆極性之電壓。 (14) 於開關用之FET關閉之情況時，由於高逆偏壓電壓會施加於其寄生二極體，因此電容變小。 (15) 由於輸入電容小，因此即使是並聯連接複數開關電路並選擇性地分配高頻信號之情況時，並聯連接之影響甚吩不^肘τ刀換電路予以ic 可谷易將輸入信號選擇 (16)即使是並聯連接許多開關電路來將切換電路化之情況時，仍不甚需要大面積，性地分配給複數電路。 (17)由於可物告丨奋私4 >生吉.m .

電路。 124330.doc -32- 200838165 [5]其他於上述，亦可藉由局部振盪信號SLOI、SLOQ及複帶通濾波器24，來使信號SIFI、SIFQ之接收信號SRX之中頻信號成分成為逆相，使影像干擾信號SUD之中頻信號成分成為同相，於該情況時，若進行信號SIFI與信號SIFI之減算，則可獲得接收信號SRX之中頻信號SIF。總言之，於信號SIFI、SIFQ，為了使接收信號之中頻信號成分與影像干擾信號之中頻信號成分互為逆相，設定局部振盪信號SLOI、SLOQ之相位關係及複帶通濾波器24之移相，進行信號SIFI、SIFQ之加算或減算即可。而且，亦可使複帶通濾波器24與振幅相位校正電路23之連接位置相反。並且，於放大器25，若從式（5)減算式（6)，則成為如下： SIF = SIFI-SIFQ =2β · coscoIFt =EUD · ELO · coscoIFt ··· (9) 可取出影像干擾信號SUD，因此藉此可於振幅相位校正電路23校正信號SIFI、SIFQ之振幅及相位，以便使影像干擾信號SUD最小。 [縮寫一覽] A/D :類比轉數位 AGC :自動增益控制 D/A :數位轉類比 124330.doc -33· 200838165 D/U 希望不希望率 FET 場效電晶體 1C 積體電路 LSB 最低有效位元 MOS 金屬氧化物半導體 MSB 最高有效位元 NTSC 國豕電視糸統委員會 PAL 掃描線相位交換 PLL 鎖相環路 SECAM 連續色彩記憶電視系統 VCO 電壓控制振盪器【圖式簡單說明】圖1係表示前端電路之一型態之系統圖。圖2係表示可連接於圖丨之電路之基帶處理電路之一型態之糸統圖。圖3係表示前端電路之高頻段之一型態之連接圖。圖4A係表示開關電路之一型態之連接圖（其一）。圖4B係表示開關電路之一型態之連接圖（其二）。圖4C係表示開關電路之一型態之連接圖（其三）。圖5A係用以說明圖4A至圖4C之電路之IC剖面圖（其一）。圖5B係用以說明圖4A至圖4C之電路之1C剖面圖（其二）。圖6係表示開關電路之其他型態之連接圖（其一）。圖7係表示開關電路之其他型態之連接圖（其二）。 124330.doc -34- 200838165 圖8係表示開關電路之其他型態之連接圖（其三）圖9係表示開關電路之適用例之連接圖。圖係用以說明本發明之連接圖（其一）。圖11係用以說明本發明之連接圖（其二）。【主要元件符號說明】 10 1C 11，15, 11A 〜11C，110，開關電路 111〜1 In Γ' v 12A〜12C 天線調諧電路 13A 〜13C 而頻放大器 14A 〜14C 段間調諧電路 15A 〜15C 輸入緩衝器電路 211，21Q 混頻電路 22 低通濾、波器 23 振幅相位校正電路 , 24 複帶通濾波器 25 位準校正用之放大器 26 可變增益放大器 - 27 帶通濾波器 30 PLL 31 VCO 32, 36 可變分頻電路 33 相位比較電路 34 信號形成電路 124330.doc • 35 - 200838165 35 環路濾波器 37 分頻電路 41 位準檢測電路 42 加算電路 43 形成電路 44 線性檢波電路 51 非揮發性記憶體 52 緩衝記憶體 53 定電壓電路 60 1C(基帶處理電路） 61 A/D轉換器電路 62 漉波器 63, 73, 82 解調電路 64 錯誤訂正電路 71 影像中頻濾波器 72 重像除去電路 74, 84 D/A轉換器電路 81 聲音中頻濾波器 91 AGC電壓形成電路 92 時鐘形成電路 101 P型之子基板 102 N型之隔離層 103 P型之區域 104 N+區域 124330.doc -36- 200838165 105, 106, 123 N+型之區域 107, 127 絕緣層 108, 128 閘極電極 109, 129 P+區域 125 、 126 P +型之區域 ANT 天線 bO 〜bn 位元 BG 背閘極端子 CO〜Cn，CAP 電容器 C12A〜C12C，C141 〜C144, 可變電容器 C14B， C14C Cin 結合電容器 D 汲極端子 DPR 寄生二極體 f31，f34 特定頻率 fLO 局部振盪頻率 G 閘極端子 L12A〜L12C, L141，調譜用線圈 L142, L14B，L14C P15 連接點 Qll，Q13〜Q15, Q121， FET Q122, QSW Q12 變頻器 Rll，R12 電阻器 S 源極端子 -37- 124330.doc 200838165 SBAND. SWA〜SWC 切換信號中頻信號 (平衡型之）信號局部振盪信號接收信號端子端子插腳第一輸出端第二輸出端第三輸出端直流電壓 AGC電壓延遲AGC電壓控制電壓電源電壓動作電壓逆偏壓電壓

SIF SIFI，SIFQ SLOI，SLOQ SRX TO 〜T2

Til〜T19, T61〜T67 ΤΑ

TB

TC V44

VAGC

VDAGC

VG

+VCC

+VDD

+VN 124330.doc -38-

Claims

200838165 十、申請專利範圍： 1. 一種開關電路，其係第一端子經由電容器連接於背閘極分離之MOS-FET之汲極（或源極）；上述MOS-FET之源極（或汲極）連接於第二端子；上述背閘極連接於源極（或汲極）；控制電壓供給至上述MOS-FET之閘極；並且反轉該控制電壓之極性後之電壓係經由電阻元件供給至上述汲極。 2. 如請求項1之開關電路，其中上述控制電壓係經由其他電阻元件供給至上述閘極；並且於上述汲極及源極之至少一方與閘極間，連接有其他電容器。 3. 如請求項2之開關電路，其中包含：上述MOS-FET關閉時，將該MOS-FET之閘極連接於接地之其他FET。 4. 如請求項2之開關電路，其中若為如下時： C12:上述其他電容器之電容 rl3 :上述其他FET之開啟電阻 Cd :上述MOS-FET關閉時之汲極•背閘極間之接合電容 RL :上述MOS-FET之負載之阻抗；則設定為： C12 · rl3 = Cd · RL。 124330.doc 200838165 5·如請求項1之開關電路，其中上述電阻元件係被互補連接之1對FET。 6· —種1C，其係包含複數個開關電路，該開關電路係第一端子經由電容器連接於背閘極分離之m〇s_fet之汲極 (或源極）；上述MOS-FET之源極（或汲極）連接於第二端子；上述MOS-FET之背閘極連接於源極（或汲極）；控制電壓供給至上述MOS-FET之閘極；並且反轉該控制電壓之極性後之電壓係經由電阻元件供給至上述汲極；該1C係共同地連接上述第一端子；並且分別切換上述複數開關電路之控制電壓，將輸入於上述第一端子之信號選擇性地輸出至上述複數開關電路之上述第二端子。 7. —種可變電容電路，其係以第一端子與第二端子間來並聯連接複數個開關電路，該開關電路係上述第一端子經由電容器連接於背閘極分離之MOS-FETi汲極（或源極）；上述MOS-FET之源極（或沒極）連接於上述第二端子；上述M0S-FET之背閘極連接於源極（或沒極），· 控制電壓供給至上述M0S-FET之閘極；並且反轉該控制電壓之極性後之電壓係經由電阻元件供給至上述汲極；該可變電容電路係分別切換上述複數開關電路之控制 124330.doc 200838165 電壓，來切換上述第一端子及上述第二端子間之電容。 8.如請求項7之可變電容電路，其中上述電容器之值係於每個上述開關電路設定為2倍。 124330.doc