JP2006094206A - 高周波スイッチ回路及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】トランジスタに生じる寄生ダイオードを常にオフに保ち、寄生ダイオードを介して流れる電流による信号損失を抑える高周波スイッチ回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】一端が送信端子2に接続され、他端が高周波信号が入出力される入出力端子1に接続されたMOSFET4と、一端が受信端子3に接続され、他端が入出力端子1とMOSFET4の他端との接続点に接続され且つMOSFETと相補的に動作するMOSFET5と、一端が入出力端子1とMOSFET4との接続点に接続され、他端側に流れる高周波信号を制限するための抵抗R6と、抵抗R6の他端に接続され、所定の電圧を印加するためのバイアス印加用端子14とを備えた。
【選択図】図1
【解決手段】一端が送信端子2に接続され、他端が高周波信号が入出力される入出力端子1に接続されたMOSFET4と、一端が受信端子3に接続され、他端が入出力端子1とMOSFET4の他端との接続点に接続され且つMOSFETと相補的に動作するMOSFET5と、一端が入出力端子1とMOSFET4との接続点に接続され、他端側に流れる高周波信号を制限するための抵抗R6と、抵抗R6の他端に接続され、所定の電圧を印加するためのバイアス印加用端子14とを備えた。
【選択図】図1
Description
本発明は、トランジスタで構成された高周波スイッチ回路及び半導体装置に関する。
従来、携帯電話や無線LAN等の高周波無線機器で使用される高周波信号の送受切換スイッチとしてMOS型電界効果トランジスタ(以下、MOSFETと呼ぶ)を用いた高周波スイッチ回路が知られている。
図4は従来のMOSFETを用いたSPDT(Single Pole Double Throw)型の高周波スイッチ回路を示す図であり、図5はこの高周波スイッチ回路で用いられる基板にシリコンを用いたnチャネル型MOSFETのデバイス構造を示す図である。図4に示すように、この高周波スイッチ回路は、アンテナ等が接続される入出力端子1、高周波無線機器の送信部等に接続される送信端子2、受信部等に接続される受信端子3の各端子間をオン/オフ切換させるものである。
主な構成要素は、入出力端子1と送信端子2との間のオン/オフ切換を行うMOSFET4、入出力端子1と受信端子3との間のオン/オフ切換を行うMOSFET5、MOSFET4のゲートに制御電圧VC1を印加するための制御電圧印加用端子8、MOSFET5のゲートに制御電圧VC2を印加するための制御電圧印加用端子9、送信端子2と受信端子3の内の入出力端子1に接続されていない側(以下、オフ側という)の端子と入出力端子1との間のアイソレーションを向上させるためのMOSFET6、MOSFET7及びキャパシタC1である。
次に、上記の構成要素の接続関係を説明する。送信端子2は、MOSFET4及びMOSFET6のソースに接続され、MOSFET4のドレインは入出力端子1、MOSFET5のドレイン及び抵抗R5の一端に接続され、MOSFET5のソースは受信端子3及びMOSFET7のソースに接続されている。MOSFET6のドレイン、MOSFET7のドレイン及び抵抗R5の他端はキャパシタC1を介して接地されている。MOSFET4及びMOSFET7のゲートはそれぞれ抵抗R1、R2を介して制御電圧印加用端子8に接続され、MOSFET5及びMOSFET6のゲートはそれぞれ抵抗R3、R4を介して制御電圧印加用端子9に接続されている。MOSFET4〜7の裏面電極(以下、バックゲートと呼ぶ)は接地されている。
次に、このように構成された高周波スイッチ回路の動作を説明する。信号送信時は、制御電圧印加用端子8に制御電圧VC1を印加することにより、MOSFET4及びMOSFET7がオンされ、送信端子2に入力された高周波信号が入出力端子1に出力される。信号受信時は、制御電圧印加端子9に制御電圧VC2を印加することにより、MOSFET5及びMOSFET6がオンされ、入出力端子1に入力された高周波信号が受信端子3に出力される。
また、MOSFETを用いた高周波スイッチ回路のバックゲートを抵抗器を介して接地する高周波スイッチ回路が開示されている(例えば特許文献1)。この高周波スイッチ回路は、MOSFETのバックゲートと接地間に抵抗器を接続することで、MOSFETのソース−バックゲート間及びドレイン−バックゲート間の容量に起因する高周波電流を減衰させ、損失を低減している。
特開平10−242826号公報
しかしながら、MOSFETは、図5に示すように、P型基板20とN+拡散領域18とによりPN接合が形成され、寄生ダイオードD1がドレイン電極16とバックゲート21との間及びソース電極17とバックゲート21との間に生じる。この寄生ダイオードD1がオンするとバックゲート21とドレイン電極16またはソース電極17との間に電流が流れてしまう。
図4に示す従来の高周波スイッチ回路の各MOSFETには、上述した寄生ダイオードD1が生じる。例えば送信端子2から入出力端子1に高周波信号を伝送する場合は、図4に示すように、MOSFET5に寄生ダイオードD1が生じる。このとき、送信端子2に入力される信号レベルが増加し、寄生ダイオードD1がオンするレベルに達すると、誘起された電流が寄生ダイオードD1を介して流れる。このため、送信端子2から入出力端子1に伝送させたい高周波信号がひずみ、信号損失が増大するという問題があった。
また、MOSFETのバックゲートを抵抗器を介して接地した従来の他の高周波スイッチ回路で用いるMOSFETには、図6に示すように、図5に示したMOSFETのPwell領域19とP型基板20との間に抵抗層22を設けなければならない。このため、抵抗層22を設けるための製造プロセスや設備が新たに必要となるばかりでなく、高抵抗を挿入すると同時に高周波的にはキャパシタC2やインダクタL1が寄生することが予想され、P型基板20の組成やPwell領域19、N+拡散領域18等の条件出し、最適化が必要となってくる。従って、実施まで多大な費用と時間が必要である。
本発明は、上記の問題を解消するためになされたものであり、その課題は、トランジスタに生じる寄生ダイオードを逆バイアス状態にして、寄生ダイオードを常にオフに保つことで、寄生ダイオードを介して流れる電流による信号損失を抑える高周波スイッチ回路及び半導体装置を提供することにある。
本発明は前記課題を解決するために以下の手段を採用した。請求項1の発明は、一端が第1の端子に接続され、他端が高周波信号が入出力される共通端子に接続された第1のトランジスタと、一端が第2の端子に接続され、他端が前記共通端子と前記第1のトランジスタの他端との接続点に接続され且つ前記第1のトランジスタと相補的に動作する第2のトランジスタと、一端が前記接続点に接続され、他端側に流れる高周波信号を制限するための信号制限素子と、前記信号制限素子の他端に接続され、所定の電圧を印加するための電圧印加用端子とを備えたことを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1記載の高周波スイッチ回路において、一端が前記第1の端子に接続され、他端が高周波接地素子を介して接地された第3のトランジスタと、一端が前記第2の端子に接続され、他端が前記高周波接地素子を介して接地された第4のトランジスタと、前記第1の端子と前記共通端子とを接続させるときには前記第1のトランジスタ及び前記第4のトランジスタをオンさせ、前記第2の端子と前記共通端子とを接続させるときには前記第2のトランジスタ及び前記第3のトランジスタをオンさせる制御手段とを備えたことを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項2記載の高周波スイッチ回路において、一端が第3の端子に接続され、他端が前記接続点に接続された第5のトランジスタと、一端が第4の端子に接続され、他端が前記接続点に接続された第6のトランジスタと、前記第1の端子、前記第2の端子、前記第3の端子、前記第4の端子の内の1つの端子と前記共通端子との端子間を接続するために前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第5のトランジスタ、前記第6のトランジスタの内の前記端子間に接続されたトランジスタをオンさせる制御手段とを備えたことを特徴とする。
請求項4の発明は、一端が第1の端子に接続された第1のトランジスタと、一端が第2の端子に接続された第2のトランジスタと、一端が第3の端子に接続された第3のトランジスタと、一端が第4の端子に接続された第4のトランジスタと、一端が前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第3のトランジスタ及び前記第4のトランジスタの各々の他端同士が接続された接続点に接続され、他端側に流れる高周波信号を制限するための信号制限素子と、前記信号制限素子の他端に接続され、所定の電圧を印加するための電圧印加用端子と、前記第1の端子、前記第2の端子、前記第3の端子、前記第4の端子の内の2つ以上の端子間を接続するために前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第3のトランジスタ、前記第4のトランジスタの内の前記端子間に接続されたトランジスタをオンさせる制御手段とを備えたことを特徴とする。
請求項5の半導体装置の発明は、半導体チップの表面に形成される集積回路の一部として、請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の高周波スイッチ回路を備えることを特徴とする。
請求項1の発明によれば、電圧印加用端子を信号制限素子を介して第1のトランジスタと第2のトランジスタとの接続点に接続し、電圧印加用端子に所定の電圧を印加したので、トランジスタの寄生ダイオードを常にオフに保ち、寄生ダイオードを介して流れる電流による信号損失を抑えることができる。また、信号制限素子が電圧印加用端子側に流れる高周波信号を制限するので、高周波信号の伝達特性には影響しない。
請求項2の発明によれば、制御手段は、第1の端子と共通端子とを接続させるときには第1のトランジスタ及び第4のトランジスタをオンさせ、第2の端子と共通端子とを接続させるときには第2のトランジスタ及び第3のトランジスタをオンさせるので、オフ側の端子と共通端子との間のアイソレーションを向上させることができる。
請求項3の発明によれば、制御手段は、第1の端子、第2の端子、第3の端子、第4の端子の内の1つの端子と共通端子との端子間を接続するために第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第5のトランジスタ、第6のトランジスタの内の端子間に接続されたトランジスタをオンさせるので、SP4T(Single Pole 4 Throw)型の高周波スイッチ回路を構成することができる。
請求項4の発明によれば、制御手段は第1の端子、第2の端子、第3の端子、第4の端子の内の2つ以上の端子間を接続するために第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、第4のトランジスタの内の端子間に接続されたトランジスタをオンさせるので、2P2T(2 Pole 2 Throw)型の高周波スイッチ回路を構成することができる。
以下、本発明の実施例に係る高周波スイッチ回路及び半導体装置を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下では、背景技術の欄で説明した高周波スイッチ回路の構成部分と同一又は相当部分には、背景技術の欄で使用した符号と同一の符号を用いて説明する。
図1は本発明の実施例1に係る高周波スイッチ回路を示す図である。図1に示すように、実施例1に係る高周波スイッチ回路は、図4に示した回路のMOSFET4のドレインとMOSFET5のドレインとの接続点に、本発明の信号制限素子である抵抗R6を介して、本発明の電圧印加用端子であるバイアス印加用端子14を接続したものである。その他の構成は、図4に示す従来の高周波スイッチ回路の構成と同一構成であり、同一部分には同一符号を付し、その詳細は省略する。なお、図1に示す寄生ダイオードD1は、送信端子2から入出力端子1に高周波信号を伝送するときにMOSFET5に生じるものを示している。
図1において、バイアス印加用端子14には、高周波スイッチ回路に入力される高周波信号電圧のピーク−ピーク値Vppの1/2、即ちVpp/2以上の電圧(以下、バイアスと呼ぶ)を印加する。抵抗R5及びR6は、入力される高周波信号に影響しないように高抵抗(例えば10kΩ)が取り付けられている。バイアス印加用端子14は抵抗R6及びR5を介してMOSFET6及び7のドレインにも接続されている。抵抗R5の他端に接続されているキャパシタC1は高周波信号接地用で直流的には開放であるので、バイアス印加用端子14に印加させたバイアスは抵抗R6及びR5を介してそのままMOSFET6及び7にも印加される。
また、制御電圧印加用端子8に制御電圧VC1を印加し、制御電圧印加用端子9に制御電圧VC2を印加しないことで、MOSFET4、7がオンし、MOSFET5、6がオフする。このため、バイアス印加用端子14に印加されたバイアスは抵抗R6とMOSFET4とを介して送信端子2に現れ、抵抗R6と抵抗R5とMOSFET7とを介して受信端子3にも現れる。同様に、制御電圧印加用端子9に制御電圧VC2を印加し、制御電圧印加用端子8に制御電圧VC1を印加しない場合も、バイアスは送信端子2及び受信端子3にも現れる。従って、全てのMOSFETのソース、ドレインがバイアスされる。
次に、このように構成された高周波スイッチ回路の動作を説明する。なお、初期状態では、バイアス印加用端子14にはバイアスが印加されておらず、制御電圧印加用端子8、9にはそれぞれ制御電圧VC1、VC1が印加されておらず、MOSFET4〜7はオフ状態である。
送信端子2から入出力端子1に高周波信号を伝送する場合は、まず、制御電圧印加用端子8に制御電圧VC1を印加することにより、MOSFET4及び7はオンし、MOSFET5及び6はオフのままである。次に、バイアス印加用端子14にバイアスを印加する。このバイアスによりMOSFET5の寄生ダイオードD1が逆バイアス状態になり、寄生ダイオードD1が常にオフに保たれる。MOSFET4がオンすると、バイアス印加用端子14に印加されたバイアスはMOSFET4を介してMOSFET6にもかかるので、MOSFET6の寄生ダイオード(図示しない)も常にオフに保たれる。この状態で送信端子2に高周波信号を入力することで、MOSFET4を介して入出力端子1に出力される。また、MOSFET7がオンすることにより、MOSFET5から漏洩してくる高周波信号の微小成分を、MOSFET7及びキャパシタC1を介して接地に流す。このため、入出力端子1とオフ側である受信端子3との間のアイソレーションを向上させることができる。バイアス印加用端子14は高抵抗である抵抗R6を介して接続されているので、高周波信号の伝達特性にはほとんど影響しない。
入出力端子1から受信端子1に高周波信号を伝送する場合は、まず、制御電圧印加用端子9に制御電圧VC2を印加することで、MOSFET5及び6がオンし、MOSFET4及び7はオフのままである。次に、バイアス印加用端子14にバイアスを印加することで、MOSFET4の寄生ダイオード(図示しない)が常にオフに保たれる。MOSFET5がオンすると、バイアス印加用端子14に印加されたバイアスはMOSFET5を介してMOSFET7にもかかるので、MOSFET7の寄生ダイオード(図示しない)も常にオフに保たれる。この状態で入出力端子1に高周波信号を入力することで、MOSFET5を介して受信端子3に出力される。また、MOSFET6がオンすることにより、入出力端子1とオフ側である送信端子2との間のアイソレーションを向上させることができる。
以上説明したように、実施例1に係る高周波スイッチ回路は、バイアス印加用端子14にバイアスが印加され、このバイアスは全てのMOSFETにかかっている。このため、オフ状態のMOSFETに生じる寄生ダイオードが常にオフに保たれ、電流が寄生ダイオードを介して流れることがなく、信号損失を抑えることができる。また、抵抗R6がバイアス印加用端子側に流れる高周波信号を制限するので、高周波信号の伝達特性には影響しない。
また、制御電圧印加用端子8、9にそれぞれ制御電圧VC1、VC2を印加することで、それぞれ送信端子2と入出力端子1、受信端子と3と入出力端子1との間に接続されたMOSFETをオンさせるとともに、オフ側の端子と接地極との間に接続されたMOSFETをオンさせるので、入出力端子1とオフ側の端子との間のアイソレーションを向上させることができる。
また、バイアス印加用端子14は、半導体内層ではなく表面の電極に接続するので、既存のMOSFETの構造・製造プロセスを何ら変えることなく実施でき、図6に示した従来の高周波スイッチ回路のような困難さを伴なうことはない。
なお、上述の説明では、実施例1に係る高周波スイッチ回路は図1の1〜3の符号で示した各端子を入出力端子1、送信端子2、受信端子3として、送信端子3から入出力端子1に信号を伝送し、入出力端子1から受信端子に信号を伝送するものとしたが、1入力2出力または2入力1出力の信号(例えばDCから2.3GHz程度)切換スイッチとして利用することができる。
また、実施例1に係る高周波スイッチ回路はMOSFETを用いて構成したが、MOSFETに限定されるものではなく、バイポーラトランジスタや接合型電界効果トランジスタ等の他のトランジスタを用いて構成しても良い。
また、バイアス印加用端子14は、抵抗R6を介してMOSFET4のドレインとMOSFET5のドレインとの接続点に接続するものとしたが、コイル等のインダクタ素子を介して接続しても良い。
また、図1のMOSFET4〜7のドレインとソースとを逆に接続することができるのは勿論である。
図2は、本発明の実施例2に係る高周波スイッチ回路を示す図である。図2に示すように、実施例2の高周波スイッチ回路は、図1に示した実施例1の高周波スイッチ回路を2つ構成し、各々の入出力端子1との接続点同士で接続し、入出力端子1を共通化したSP4T型高周波スイッチ回路である。この高周波スイッチ回路は入出力端子1、端子31、32、33、34を有し、入出力端子1に入力された信号を4つの端子31〜34に切り換え出力するためのものである。また、バイアス印加用端子14に印加されるバイアスは、実施例1と同様の理由で、全てのMOSFETのソース、ドレインに印加される。以下の説明では、図1に示す実施例1の高周波スイッチ回路の構成と同一部分には同一符号を付し、新たに追加した実施例1の構成との相当部分には実施例1の符号にaを追加した符号を付し、その詳細は省略する。
次に、このように構成された高周波スイッチ回路の動作を説明する。なお、初期状態では、バイアス印加用端子14にはバイアスが印加されておらず、制御電圧印加用端子8、9、8a、9aにはそれぞれ制御電圧VC1、VC2、VC3、VC4が印加されておらず、全てのMOSFETはオフ状態である。
入出力端子1から端子33に伝送する場合は、まず、制御電圧印加用端子8に制御電圧VC1を印加することにより、MOSFET4及び7がオンする。次に、バイアス印加用端子14にバイアスを印加する。このバイアスによりMOSFET4a、5及び5aの寄生ダイオード(図示しない)が逆バイアス状態になり、寄生ダイオードが常にオフに保たれる。この状態で入出力端子1に高周波信号を入力することで、高周波信号はMOSFET4を介して端子33に出力される。MOSFET7がオンすることにより、入出力端子1と端子34との間のアイソレーションを向上させることができる。
同様に制御電圧印加用端子9、8a、9aにそれぞれ制御電圧VC2、VC3、VC4を印加することで、それぞれ入出力端子1と端子34、入出力端子1と端子31、入出力端子1と端子32との間のMOSFETがオンし、この状態で入出力端子1に高周波信号を入力することでそれぞれの端子に高周波信号を出力することができる。上述したそれぞれの場合において、バイアス印加用端子14に印加されるバイアスは、オフ状態にあるMOSFETにかかり、これらMOSFETの寄生ダイオードは常にオフに保たれる。
以上説明したように、実施例2に係る高周波スイッチ回路は、実施例1に係る高周波スイッチ回路の効果と同様の効果が得られる。さらに、SP4T型の高周波スイッチ回路を構成することができる。
なお、上述の説明では、実施例2に係る高周波スイッチ回路は入出力端子1に入力された高周波信号を、端子31〜34に切り換え出力するものとしたが、端子31〜34に入力された高周波信号を入出力端子1に出力するものとしても良い。
また、実施例1と同様にMOSFETの代わりにバイポーラトランジスタや接合型電界効果トランジスタ等の他の半導体スイッチを用い、抵抗R6の代わりにコイル等のインダクタ素子を介して接続しても良い。
図3は、本発明の実施例3に係る高周波スイッチ回路を示す図である。図3に示すように、実施例3の高周波スイッチ回路は、図2に示した実施例2の高周波スイッチ回路から入出力端子1、MOSFET6、6a、7、7a、抵抗R2、R2a、R4、R4a、R5、R5a、キャパシタC1、C1aを取り除いた2P2T型高周波スイッチ回路である。この高周波スイッチ回路は入出力端子41、42、送信端子43、受信端子44を有し、これら端子間の接続切換を行うためのものである。以下の説明では、図2に示す実施例2の高周波スイッチ回路の構成と同一部分には同一符号を付し、その詳細は省略する。
次に、このように構成された高周波スイッチ回路の動作を説明する。なお、初期状態では、バイアス印加用端子14にはバイアスが印加されておらず、制御電圧印加用端子8、9、8a、9aにはそれぞれ制御電圧VC1、VC2、VC3、VC4が印加されておらず、全てのMOSFETはオフ状態である。
入出力端子41から受信端子44に伝送する場合は、まず、制御電圧印加用端子9、8aにそれぞれ制御電圧VC2、VC3を印加することにより、MOSFET5、4aがオンする。次に、バイアス印加用端子14にバイアスを印加する。このバイアスによりMOSFET4及び5aの寄生ダイオード(図示しない)が逆バイアス状態になり、寄生ダイオードが常にオフに保たれる。この状態で入出力端子41に高周波信号を入力することで、高周波信号はMOSFET4a及びMOSFET5を介して受信端子44に出力される。
同様に入出力端子42から受信端子44に伝送する場合は、制御電圧印加用端子8、9に制御電圧VC1、VC2を印加することで、MOSFET4、5がオンし、この状態で入出力端子42に高周波信号を入力する。送信端子43から入出力端子42に伝送する場合は、制御電圧印加用端子8、9aに制御電圧VC1、VC4を印加することで、MOSFET4、5aがオンし、この状態で送信端子43に高周波信号を入力する。送信端子43から入出力端子41に伝送する場合は、制御電圧印加用端子8a、9aに制御電圧VC3、VC4を印加することで、MOSFET4a、5aがオンし、この状態で送信端子43に高周波信号を入力する。上述したそれぞれの場合において、バイアス印加用端子14に印加されるバイアスは、オフ状態にあるMOSFETにかかり、これらMOSFETの寄生ダイオードは常にオフに保たれる。
以上説明したように、実施例3に係る高周波スイッチ回路は、実施例1に係る高周波スイッチ回路の効果と同様の効果が得られる。さらに、2P2T型の高周波スイッチ回路を構成することができる。
なお、実施例3に係る高周波スイッチ回路は制御電圧印加用端子8、9、8aに制御電圧VC1、VC2、VC3を印加して、この状態で入出力端子41と42の両方に高周波信号を入力して、受信端子44に出力することもできる。同様に制御電圧印加用端子8、8a、9aに制御電圧VC1、VC3、VC4を印加して、この状態で送信端子43に高周波信号を入力して、入出力端子41と42の両方に出力することもできる。
また、実施例1と同様にMOSFETの代わりにバイポーラトランジスタや接合型電界効果トランジスタ等の他の半導体スイッチを用い、抵抗R6の代わりにコイル等のインダクタ素子を介して接続しても良い。
また、半導体装置の半導体チップの表面に形成される集積回路の一部として、実施例1乃至実施例3のいずれかの高周波スイッチ回路を用いても良い。
本発明は、高周波信号を切り換え出力するためのスイッチとして利用できる。
1、41、42…入出力端子、2、43…送信端子、3、44…受信端子、4〜7、4a〜7a…MOSFET、8、8a、9、9a…制御電圧印加用端子、14…バイアス印加用端子、15…ゲート電極、16…ドレイン電極、17…ソース電極、18…N+拡散領域、19…Pwell領域、20…P型基板、21…バックゲート、22…抵抗層、31〜34…端子、C1、C2…キャパシタ、D1…寄生ダイオード、L1…インダクタ、R1〜R6、R1a〜R5a…抵抗。
Claims (5)
- 一端が第1の端子に接続され、他端が高周波信号が入出力される共通端子に接続された第1のトランジスタと、一端が第2の端子に接続され、他端が前記共通端子と前記第1のトランジスタの他端との接続点に接続され且つ前記第1のトランジスタと相補的に動作する第2のトランジスタと、一端が前記接続点に接続され、他端側に流れる高周波信号を制限するための信号制限素子と、前記信号制限素子の他端に接続され、所定の電圧を印加するための電圧印加用端子とを備えたことを特徴とする高周波スイッチ回路。
- 一端が前記第1の端子に接続され、他端が高周波接地素子を介して接地された第3のトランジスタと、一端が前記第2の端子に接続され、他端が前記高周波接地素子を介して接地された第4のトランジスタと、前記第1の端子と前記共通端子とを接続させるときには前記第1のトランジスタ及び前記第4のトランジスタをオンさせ、前記第2の端子と前記共通端子とを接続させるときには前記第2のトランジスタ及び前記第3のトランジスタをオンさせる制御手段とを備えたことを特徴とする請求項1記載の高周波スイッチ回路。
- 一端が第3の端子に接続され、他端が前記接続点に接続された第5のトランジスタと、一端が第4の端子に接続され、他端が前記接続点に接続された第6のトランジスタと、前記第1の端子、前記第2の端子、前記第3の端子、前記第4の端子の内の1つの端子と前記共通端子との端子間を接続するために前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第5のトランジスタ、前記第6のトランジスタの内の前記端子間に接続されたトランジスタをオンさせる制御手段とを備えたことを特徴とする請求項2記載の高周波スイッチ回路。
- 一端が第1の端子に接続された第1のトランジスタと、一端が第2の端子に接続された第2のトランジスタと、一端が第3の端子に接続された第3のトランジスタと、一端が第4の端子に接続された第4のトランジスタと、一端が前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第3のトランジスタ及び前記第4のトランジスタの各々の他端同士が接続された接続点に接続され、他端側に流れる高周波信号を制限するための信号制限素子と、前記信号制限素子の他端に接続され、所定の電圧を印加するための電圧印加用端子と、前記第1の端子、前記第2の端子、前記第3の端子、前記第4の端子の内の2つ以上の端子間を接続するために前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第3のトランジスタ、前記第4のトランジスタの内の前記端子間に接続されたトランジスタをオンさせる制御手段とを備えたことを特徴とする高周波スイッチ回路。
- 半導体チップの表面に形成される集積回路の一部として、請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の高周波スイッチ回路を備えることを特徴とする半導体装置。
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