TW200834632A - Chip-type fuse and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

200834632 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種晶片型保險絲，可以表面黏著方式固定 在電路板上，特別是有關於一種在熔絲上方具備一中空穴之晶片 型保險絲構造及其製作方法。中空穴更可以形成密封狀態，包 小於一大氣壓力之氣體。 【先前技術】 保險絲廣泛應用於電子和電機工業，保護產品免於過大電流 的破壞和可能發生的起火災難。其原理是當電流流經一具備適當 阻^之導電熔絲，當電流超過額定規格時，熔絲因過熱而燒斷: ，絕電流進入產品。而燒斷後的阻抗愈高，則隔絕效果愈佳。通 常，絲的截面積愈大，酿抗愈低，額定電流愈高。保二絲與被 保護的電路串聯，在額定電流範圍内使用時，電壓降與溫度上升 愈少愈好。而熔絲經由過大電流加熱，在完全炫斷前會產生電 弧，其係瞬間且局部的高能量，破壞力很強，是保險絲設計與製 作上必須考慮的重要因素。 、 傳統的保險絲由中空的絕緣體構成，成份是玻璃或陶瓷。絕 緣體内放置一細長形的熔絲，使用的材料通常是銀和銅的合金。 在絕緣體的兩端分別壓合或黏結一個金屬蓋，並與熔絲的兩端個 別對應連接。電流經過熔絲產生的熱和過大電流負載下產生之電 弧，完全限制在中空的絕緣體内。傳統的保險絲必須透過焊接在 ，路板上之保險絲座與電路串聯，亦可進行替換，工業界已使用 多年丄通常使用在電子和電機產品的電源輸入端。缺點是尺寸太 大’常用的小尺寸規格(直徑*長度)是5*20毫米(mm)，不適合現 今電子產品輕薄短小的需求。 為了因應電子產品輕薄短小的需要，工業界於近年來推出晶 5 200834632 毫米㈣* 、’ f 度與寬度規格是咖8 内部的電路板盘線路Π原輸入端’更可使用於產品 機器生產，製造㈣轉糾叫可以自動化 1 Π ' 11係電性絕緣^通^具14和兩個末端墊16。基板 分子。溶絲t 其材質是氧化銘陶究、玻璃或高 鍍、電铲等薄膜制㈣ =、、銀、鋁、銅、白金等金屬，以濺 端墊連i1的表面。兩個金屬材料之末 和溶絲12 —二ϋ糸^^ ’其寬度較簡12大，厚度 ^墊16的材料和厚度，最好能和料12 塾16用電極14形成於基板11兩端之側邊，經由末端 板(未_ ^1 端個別對應連接，是晶片型保險絲1與電路 _綱12絲㈣的表^ 機械力等對=：?：；1子與破$或減少環境中之濕氣、氧氣與 19盘片型保險絲1雖然結構簡明，但是保護層 所產生===因此在敎電流細内使用時，溶絲12 低晶片型部高溫與熱應力，故會降 下，二If 長期使用的可靠度。尤其在過大電流的負載 芦w ti %全溶斷前所產生之高熱與電弧，溶化或破壞保護 i線路:下的麟材料很可能鑛出去，造成鄰近金 屬線路之間的短路，甚至引發起火意外。 美國專利公告第5,726,621號與第6,034,589號揭示一晶片型 200834632 保險絲，提供局部改良技術，對原本為一條的熔絲結構，改成多 條熔絲並聯的結構，並以絕緣層隔絕相鄰的兩條熔絲。其係以，， 絕緣層·炫絲·絕緣層·溶絲絕緣層’’的多層堆疊方式，將電流分 散至多處，其巾之絕緣層係由玻璃和喊材料構成。該等發明減 少上述習知技術的熱應力與保護層破壞問題，但是熔絲仍然與絕 緣層直接接觸，上述熱應力與保護層破壞之問題並決， 而且多層堆疊方式，製造成本較高。 —％、 因此，本發明之範疇在於提供一種在熔絲上方具備一中空穴 之晶片型保險絲，以解決上述問題。 【發明内容】 本發明之-㈣在於提供—種具有㈣穴之晶片型保險絲。 本毛，係以電性絕緣材料為基板，將導電熔絲製作於基板之上； -保護層形成於熔絲的上方，且於_、的外圍與’

接觸’ _在額定電流範_使用時，賴助不合形成 ^相溫與熱應力’提升長期使用的可#度。該中空穴更备 J溶絲if大電流ί載下產生的高熱和電弧，溶化或ί壞保J 態，將小於-大氣壓力之氣體密封袖 更了叫成禮封狀 本，明之另—範脅在於提供—種具有密射空穴之 ϋ的^方法。首先，提供—片配置有很多個相同的^之^ ;S含;面覆蓋一以高分子為 玻璃材枓之保4層覆蓋犧牲層。然後，加 乂來犧牲層的位置形成一個中空穴。接著，提高溫 广二1個保濩層’保護層因此於熔絲的外圍與基板勒处= 卻後密封中空穴。最後，板黏結，冷 晶片型保險絲自基板切割分離。電"、’鑽石刀片或錯射，將 200834632 之另一範嚀在於提供-種薄膜和厚, 低成本的方法製作低阻抗之精細=和=的整合技術，以 板的表面，以厚膜印刷方式，」二係在7片大基 =程，形成具有精細溶絲的導電膜；光溶;== 至20微米。銀和玻璃複合 :3的見度可以小 作為黏結的媒介。 、、艮作為導電媒介，玻璃 涵蓋基板的表面。麸後，二、σ破璃複合之導電膜， 赠制，一:俊塗佈先阻’並以曝光、 圖 式得賴神相触町的發卿述及所附 【實施方式】 • Ϊΐ縣2 ® ’第2圖騎示根據本發明第—較佳且體實施 ，晶片型保險絲2之立體示意圖。保護層29在^， ΐίί部、^刀開7"清楚顯示内部構造。第3圖係第2又圖沿ii 中心線(1-1線)切開之截面圖。晶片型保險絲2 21、一熔絲22、一中空穴27、一佤罐® 〇〇工^ 丞敬 個末端墊26。 保顧四、兩個端電極24和兩 基板21係電性絕緣，其材料是純度9〇%以上之 璃、或其他電性絕緣陶瓷材料，其中以純度％%之鋁 用，厚度約0.2至1.0毫米(mm)。 、取週 熔絲22是一層導電膜，其成份是金、銀、鋁、銅、白金 純金屬或合金，也可以疋銀和玻璃複合之導體，製作於基板 的上表面。熔絲22的兩端分別連接到兩個金屬材料之^ 26，末端墊26的寬度通常較熔絲22大，厚度和熔絲22 一樣 更厚，材料可不同於熔絲22。為了製作方便，末端墊26的材^ 和厚度，最好能和熔絲22相同，如第2圖和第3圖所示。’ 溶絲22的寬度約20至200微米(μπι)，厚度約〇·2至2〇微米 200834632 (μπι)，依額定電流的大小而異。熔絲22的寬度愈大，厚度愈 厚，則電阻愈低且額定電流愈高。以寬度70微米(μιη)，厚度5 微米(μιη)之銀質熔絲為例，其額定電流約是2安培。熔絲22可 以疋直線、纟考曲線條或是其他不規則形狀之線條。溶絲22的總 長度愈長，則電阻值愈高。熔絲22可以只是一條直線，也可以 由多條材料與尺寸完全相同的直線並聯而成。 在溶絲22的上方有一中空穴27，其邊長約200至2000微米 (μπ^)，包含整個熔絲22。保護層29的主要成份是玻璃，溶化溫 度最好是介於攝氏400至600度之間。保護層29塗佈於熔絲22 的上方，且於熔絲22的外圍，直接或經由末端墊％間接與基板 21黏結，並將中空穴27封住。 八 产中空穴27可以是非密封狀態，内部維持一大氣壓力之空 ^與周隨境_。但是巾空穴27最好_成密封狀態，以 f充大氣壓力之乾燥空氣、氮氣、其他氣體或是真空狀 =/、，填充乾燥空氣作為緩衝氣體的製作成本為最低。密封 ίίΐίίΪ供熔絲22 —個安全與穩定的環境，免於受 到如兄中之觀、魏與化學物等之賴 ? °·2 5 笔未(_)或更小型之晶片型保險絲之製作。 $ —=工27①全隔絕保護層29與溶絲22接觸，故在額定電 流乾圍内使用時，保護層29肉τ么rju、〇 > 又在顯疋電 中空穴27⑽氣般部冑贿熱應力。而 流負載下產生的高熱和以的會 =平^ 溫之熱應力造成保護層29破裂二二同谨免局部南 其内部的氣體壓力低於-大氣^ t封狀^之中^^27，因 的麼力上升。中*穴27有」、@、，更可以降低氣體因為高溫造成 較適當，若高度太低則無法 1 當預的10至獨微米㈣ 增加製作成本。 輝預期的功犯；而過高的高度則會 9 200834632 知電極24形成於該基板2i兩端之伽诸 熔絲22的兩端分別對應連二 ^邊，經由末端墊26與 路板(未顯示)結合的接&當一 ^曰曰片型保險絲2與電 和玻璃的複合材料料構成，底層是銀

r^lb J 轉32伏特），量顺絲22 “斷時^: 電阻，以及在顯微鏡下觀察其測試後之外觀。 高度====ί f _微米㈣， 接ι4較1圖所示之先前技術’係在溶絲12的上面，直 接覆盍—玻璃材質之保護層19，厚度S 1G_20微米㈣。 桩涛·第1圖所不之先前技術，係在溶絲12的上面，直 接覆盖—玻璃材質之保護層19，厚度是·細微米㈣。 $為測試電流是額定電流的15倍，溶絲的熔斷時間非常 遂低於1毫秒㈣；溶斷後之電阻大於1〇，_歐姆，三组之 ，的差異並不明顯。但是測試後的外觀變化，三組之間差異很 。比較組1的保護層較薄，測試後被熔化，熔絲部份外露。比 ，組2的保護層較厚，_後破裂，部份保護層賴，暴露炫 、、二本實_之實驗組，測試後外觀完整，保護層無任何溶化或 破4跡象。與先前技術相較，本實施例確實可以避免熔絲在過大 電流負載下產生的高熱和電弧，熔化或破壞保護層，以確 的完整與使用安全。 第4圖和第5圖係繪示根據本發明第二較佳具體實施例之晶 200834632 度方向和寬度方向ϋ刀卩ί Λ是立鮮細’賴層29在長 4圖沿著寬度之“二楚顯示内部構造。第5圖係第 含一基板2卜-料Ϊ線if之截關。晶片型保險絲3包 雷栖9" 熔、、、糸 一中空穴27、一保護層29、兩個端 電極24和兩個末端墊26，與上述之第-健具體實施例相同㈣ 第二較佳具體實施例之晶片型 主要不同之處在於晶片^保 33，S^„22 基板21係電性絶緣，其材料是純度以上之 产約莞材料，其中以純度96%之氧化銘最適用，Ϊ ΐϋΐί (職）。純度96%之氧她耐高溫、_“

二古但ί氧化鋁的導熱性很好’所以電流經過熔絲22 =的熱，有-部份是經由基板21傳導散開’所以在過大g 負載下’麟、22需要更大電流和更長的咖絲輯。 L 因此針對快速反應型聽險絲，則需要在_ 22與 基板2i之間’製作-隔熱層w ’以阻隔溶絲η與基板a間 =熱傳導。隔熱層31含有玻璃成份，馳輯氏_ 0 g。。玻璃的導熱性較氧化純很多，是报翻的耐高溫隔: 因為隔熱層31的作用，電流流經熔絲22產生 、t=m道其熔斷時間因而縮短，、故得以快“大ί >;1L的負載另外傳導至基板21的熱能大為減少，基板、☆ 熱應力降低，更可以提升長期使用的可靠度。隔^層31 ^至100微米(μπι)，厚度愈厚，隔熱效果愈佳，但製作成= 11 200834632 ( ϊ 兹以額定電流1安培的銀質熔絲22為例，在4安培的過大 電^負載下，若熔絲22直接黏結在96%氧化鋁基板21上面，熔 斷時間約25毫秒(ms)。相同條件下，如果在熔絲22與基板21之 間，介入含有玻璃之隔熱層31，厚度10_20微米(μιη)'，則熔斷時 間減少為1毫秒(ms)。隔熱層31顯著提升熔絲22對過大電流負 載的反應速度。 ^、 隔熱層31可以佈滿基板21的表面，也可以局部性的製作在 基板21的表面，只要其範圍能夠阻隔炼絲22與基板Μ的直接 接觸即可達到效果。玻璃或其他隔熱性良好之材料構成之基板， 則不需要隔熱層31 ;慢速反應型的保險絲也不需要隔熱層31。 、，弧抑制層33是由玻璃或玻璃與陶瓷的複合材料構成，至 少涵蓋整個熔絲22，熔點約為攝氏500至7〇〇度，但是必需低於 熔絲22的熔點，其目的是降低熔絲22在過大電流負載下產生之 電弧強度。當熔絲22在過大電流負載下加熱，並自某一點開始 熔化而產生被細的間隙，電流經由此微細的間隙放 其係瞬間的局部高能量，足以破壞溶絲22及其鄰瓜 常電流愈大，電壓愈高，則產生的電弧愈強。^⑽㈣通 炫以純銀材質的熔絲22為例，說明電弧抑制層33的工作原 =熔絲22在過大電流貞載下，溫度快断高並料至電弧抑 ，層火33。當，超過其熔點時，電弧抑制層％熔化成液體狀 恶。虽溫度繼績升咼至純銀的熔點(攝氏96〇度)時，熔絲22自某 :點開始溶化而產生微細的間隙，液體狀態的電弧抑制層33則 ^入此微細的_，阻隔電流自微細的_放電，因而降低電弧 的強度。 弧』ίϊΐί 度約5至100微米(㈣，厚度愈厚則電 =制效果愈佳。魏抑糖33可m覆蓋於麟22之上， 匕各於中工八27之内’也可以擴開覆蓋於中空穴27以外之區 12 200834632 26 Ϊ間介於保護層29與隔熱層31之間，或保護層29與末端藝 請參閱第6圖至第9圖與參考第10Α圖至第1〇 明本發明之晶片型保險絲的製作方法曰片的寸= 個相同的元件，最後再分離成個別的元件。 絲作很夕 一如第6圖所示’先提供—片大基板5卜其係—種 耐局溫材料，是純度達9G%以上的氧魅、他電性絕 ^陶竞材料。基板51的外型通常是長方形’邊長約％至15〇毫 絲板上可佈置幾_甚至幾仟個耕，依元件 百先，在基板51絲面上製作隔熱層61，其作法 泰末，或玻璃無紐末，與溶劑、黏結 ^ ^ =或鋼版犧顧51 ，觸概= 其重複印製無烤過程，可以增加隔熱層6i的忿烤 ^L 土板51置入回溫爐中，加熱至玻璃的熔點，最好是介 ^ 6卜〇〇 1 1〇00度之間，冷卻後形成一含有玻璃成份之隔熱 導雷Ξ製52與末端塾56於隔熱層61的表面，溶絲52是 f 二又、力。·2至2〇微米(μΠ1)，寬度約20至200微米 ^_定電流大小而異’其成分是金、銀、、銅、白g iliiii。其製作方法是工業界常用的薄膜製程，例如濺 ΐ膜ί in贿的成本很高，比較適用於1微米㈣以下 η。ί(μιη)以上的膜厚，可以先用濺鍍製作一底層薄 面，’你ϋΐί 細厚。細序首枝在基板51的表 二2 ίίϊ ’再以曝光、顯影等方法形成光阻圖案並進行 化子蝕刻，製作出預先設計的熔絲。 13 200834632 鍍製方 濺刷決 之印解 述膜的 上厚低。 以以本J1 陳。成Μ 5 高且tl) 1 α 單(μ G本簡米 ⑽W序微 μιη纽程00 {雜個 2 « - 一是 #太是少 5序體至 是程導寬 度「上線 厚法以， 的方η)夠 2 作 Κ不 5製料度 絲合t'細 熔複丨精 是：^ 5七 但鑛度但 警厚， 和作案 囚lit 受表予度5微米(μπι)以上，寬度約20至2〇〇 (μηι)的熔絲52，厚膜和薄膜的技術整合，是一可行的解決方案 ，作法是_版印刷方式，將含有銀粉末與㈣粉末之銀。 隔熱層61上，涵蓋隔熱層61的表面；再經由烘 局溫熔化賴之雜，縣—層銀和賴複合之導鶴 銀作為導電媒介’玻璃將銀和隔熱層61黏結，玻璃對銀旦 比通常是低於15%。 里 ，後^塗佈光阻於導電膜之上，並進行曝光、顯影程序，產 帝#疋^光阻圖案。再以化學溶液，蝕刻未被光阻圖案保護之導 後其他溶劑去除光剛案，形成具有精細溶絲 版咖古;>1光阻的厚度必須較一般的薄膜製程厚，因為以網 較不平ί式1作之銀和玻璃複合之導電膜，顆粒較粗大而且表面 间厪ϊίί的烟比較單純’侧液也e經職化。兩種以上不 ;豹?^成的合金^1複合物’蝕刻製程困難很多，蝕刻液必 1二，。銀和玻璃複合之導電膜，蝕刻液必須特 璃了以此二^、：氟酸等為基本溶液’方能同時蝕刻銀和玻 :精之銀和玻璃複合之導電膜，』上 電性別連魏絲52的兩端，將麟52與端電極作 的處就在於末端墊56厚度的截面，因此末端塾』 的見度通•簡52大，除了增大連__，更可以降低電 200834632 阻。為了製作方便，末端墊％的釭姑4广— 相同，如第6圖所示。但是如果最好能和熔絲52 微米(μηι)以下，連結的面積太 ^的$度太溥，例如1 要以電鍍或厚膜印製方式，增大末度不足，因此需 -個56㈣織，接著在每 膏，以網版或鋼版印製在炫絲5/之丄63 °人^2法1將玻璃 增加電弧抑制層63的厚其f複印製與供烤過程，可以 -含有玻璃成份，至7°。度之間’冷卻後形成 電弧8的^^53製=成後，接著f每-個 樹脂材料，其要求是容县此彡θ 犧牲層53主要疋尚分子 完全作用揮發消失。壓克力働度以下與氧氣 (Te_ed)等適#的_ ^ 擇，財以和松油醇 式印製在雜抑 63之上Ί狀如’簡版或鑛印刷方 設形狀和大小之鱗以絲賴’形成預 度。光阻或其和烘烤的製程’可以增大厚 以曝光及顯间分子材料也可以用來製作犧牲層53，係 u式絲’尺寸細小且難，但是生產成本較高。 5 61 ^ 基板51的表面。犧絲52與末端墊56直接製作於 絲52。⑧犧牲層53職i於熔絲52之上，包含整個溶 第1〇1茶1=、9^ r說明保護層59與中空穴57之製作方法；而 圖係保護層59在溶絲52的中心線(3_3線)之 200834632 =圖。保護層59的主要成份是玻璃’炼點最好是介 00度之間。製作程序首先是賴版細板印製由玻 之^至15G度之烘烤去除溶劑，形成預設 的_^==粉末和黏結_組合；重覆印製和供烤 階段ίίϊί,ίΐ'51置入高溫爐中，分兩個階段加熱。第- =^/服度§又疋在攝氏300至4〇〇度之間，在丨大氣壓 和空3==用=第1〇B圖’犧牲層53的高;子樹脂 ，牲=，成二氧===结= 4末的黏賴也同時氧化消失，只訂賴粉末。- 其他氣體，依或 大碰之空氣、氮氣或 I仗山玎坌们肀工八57。玻璃溶化的 的兩度和外型有些變化，但是職度和寬度的改 力和峡體積__，糾部的氣體壓 度高严以及1女5贩r列如保護層59的玻璃在攝氏400至600 後:;μ 57ϋ6ϋ「亳米水銀柱)下溶化’所以冷卻到室溫 OrnnHgP 氣壓低於一大氣壓，約為300毫米水銀柱 護層59 *基板5卜平彳-@ f ’該疋以鑽石刀以鐳射切割保 線，其間95_2、…、9紐是橫向的切割 2、 、（^ ΧΓ Λ,/1曰曰片型保險絲的寬度。平行線9(M、90- ...疋縱向的切崎，其間距也就是晶片型保險絲的長 16 200834632 度。 首先是依95-1、95_9、 ^ 保護層59，但不切穿基板51·。、^之== 黃向切割，切開 小基板^端多^狀小基板。接著在切開之^ 式，製作-/與m^/層金屬^^是以賴方 金。底層金屬也可以使用浸，金屬方專膜^如^、鉻或其合 一層銀薄膜。接著以雷获方4, 占方式沾銀f，並烘烤燒結成 後再將錫電鍍在鋅上面，又^、馨底層金屬上面製作一層鎳，最 轉上面兀成整個端電極54的製作過程。 2、:圖乂^依第UA圖所示之切割、線95·卜95-型保險絲的製作ί程成—顆顆晶片型保險絲，完成整個晶片 本發明之範轉加以限制。相反地，其目例來對 及具相等性的安排於本發明所欲申靖裒=涵盍各種改變 ^本發明射請之翻範_齡應該根 廣的轉，減健涵細村能驗變叹具 17 200834632 【圖式簡單說明】 第1圖··先前技術之立體示意圖； 第2圖··本發明第-較佳具體實施例之立體示意圖； 第3圖：本發明第一較佳具體實施例之截面圖； 第4圖：本發㈣二較佳具體實補之立體示意圖； 第5圖：本發明第二較佳具體實施例之截面圖； 第6圖：本伽之隔歸雜絲製作方法的上視圖； 第7圖：本制之祕抑制層製作方朗上視圖； 第8圖：本發明之犧牲難作枝的上視圖； 第9圖：本發日狀保護層與中空穴製作方法的上視圖. 第10績圖射空穴製作方法的程序截 第11Α_11Β圖：^發明之端電極製作方法與元件分離的上視 【主要元件符號說明】 11 :基板 14 :端電極 19 :保護層 21 :基板 1 :晶片型保險絲 12 :熔絲 Μ :末端墊 2、3 ·晶片型保險絲 18 200834632 22 :熔絲 24 :端電極 26 ·末端塾 27 :中空穴 29 :保護層 31 :隔熱層 33 :電弧抑制層 51 :基板 52 ··熔絲 53 :犧牲層 54 :端電極 55 :未密封之中空穴 56 :末端墊 57 :中空穴 59 :保護層 61 :隔熱層 63 :電弧抑制層 90_1、90-2、…、90-N : 縱向之切割分離線 95-1、95-2.....95-N :橫向之切割分離線

Claims (1)

1. 200834632 十、申請專利範圍： 1、 一種晶片型保險絲，包含： 一基板； 一熔絲，配置於該基板之上； m侃闕麟之上方，且於觀絲之相與該基 一於該溶絲與該保護層之間，至少包含-部份 至少一端電極，與該熔絲電性連接。 2、 3、 4、 如申請專利範圍第1項所述之晶片型保險絲 絕緣，成份是純度90%以上之氧化鋁。 如申請專利範圍第1項所述之晶片型保險絲 性’其成份包含銀和玻璃的複合材料。 如申請專利範圍第1項所述之晶片型保險絲 性均勻且電性絕緣，其成份包含玻璃。、 其中該基板係電性 其中該熔絲具導電 其中該保護層係特 如，請專利範15第1項所述之晶片型保險絲，其中該保護層至少 -精經由至少一中間層’間接與該基板黏結。 6、 2睛專利範圍第丨項所述之晶#型保險絲，其巾該巾空穴係藉 由熔化整個該保護層而成密封狀態。 =請專利範圍第丨項職之晶片型保險絲，其巾該㈣穴包含 一氣體，且該氣體之壓力小於丨大氣壓。 請專利範圍第1項所述之晶片型保險絲，其中該至少一端電 π形成於該基板兩端之側邊，且於該基板之邊緣與該熔絲電性 20 200834632 連接。 9、 如申睛專利範圍第1項所述之晶片型保險絲，進一步包含一隔執 層，形成於該基板與該熔絲之間。 ” 10、 如申請專利範圍第9項所述之晶片型保險絲，其中該隔熱層 玻璃成份。 $ 11、 如申請專利範圍第1項所述之晶片型保險絲，進一步包含—電弧 抑制層，覆蓋於該熔絲之上，介於該熔絲與該中空穴之間。 12、 如申請專利範圍第⑽所述之晶片型保險絲，其中該電弧抑 含有玻璃成份。 曰 13、 如申請專利範圍第丨項所述之晶片型保險絲，進一步包含至少一 個末端墊，配置於該基板上，電性連接該熔絲至該基板之邊 緣。 14、一種晶片型保險絲，係包含： 一基板； 一隔熱層，形成於該基板之上； 一熔絲，配置於該隔熱層之上； 一保護層，形成於該熔絲之上方，且於該熔 熱層黏結；以及 K外圍與細 一中空穴，形成於該溶絲與該保護層之間，至 該熔絲。 夕匕δ 口丨切 請綱，射該保護層至 邛伤、、二由至>一中間層，間接與該隔熱層黏結。 16' 述之晶片型保險絲，其切巾_、 稽田爆化整個該保護層而成密封狀態。 21 200834632 17、 ΐΓίί利範圍第14項所述之晶片型保險絲，進—步包含-雷 κ ρ1㈢’覆蓋於該熔絲之上，介於該熔絲與該中空穴之間。” 18、 一種晶片型保險絲的製造方法，包含： ⑻提供一基板； (b)形成一含有銀和玻璃的導電膜於該基板之上； ⑹形成一光阻圖案於該導電膜之上； (Φ蝕刻未被該光阻圖案保護之該導電膜；以及 (e)去除該光阻圖案，形成一具有精細熔絲之導電膜。 19、如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該熔絲的寬度介 於20微米至2〇〇微米之間，且其厚度介於丨微米至2〇微米之間。 22