TWI323906B - Chip-type fuse and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

1323906 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種晶片型保險絲，可以表面黏 在電路板上，特別是有關於一種在熔絲上方具備_ —二曰， 型保險絲構造及其製作方法。中空穴更可以形成密封：ς，；日人 小於一大氣壓力之氣體。 〜、 【先前技術】 巧險絲廣泛應用於電子和電機工#，保護產品免於過大 的破壞和可能發生的起火炎難。其原理是當電流流經—且備二 熔ί，當電流超過額定規格時，熔絲因過熱而燒斷： ίί 。而燒斷後的阻抗愈高，則隔絕效果愈佳。通 積愈A，_抗愈低’敎電流愈高。保險絲盘被 電路串聯’在額定電流範_使用時，輕降與溫产上井 ηΓ:而熔絲經由過大電流加熱，在完全熔斷前、會：生電 。須===能量，破壞力很強，是保險絲設計與製 緣體======== 兩;，合或黏=====個 過溶絲產生的熱和過大電流負載下產生之電 電路:上:保。f统的保險絲必須透過焊接在 ί 年常 為了因應電子產品輕薄短小的需要，卫業界於近年來推出晶 5 與f用Λ長度與寬度規格是8 板上。因里尺寸I . 以表_著方式固定在電路 内部的f 源輪人端’更可使用於產品 機路?與線路，形成多層次的保護。另外因其可以自動作 °產’ι造費用比傳統的保險絲更低。八 -熔5ΐΐ，先前技術的晶片型保險絲1包含-基板1卜 Η係J I9、兩個端電極14和兩個末端㈣。基板 分子、卜妓，通吊疋長方形其材質是氧化鋁陶曼、玻璃咬高 :子。熔絲12的成份是金、銀、鋁、銅、白金 ^塾程製作於基板11的表面。兩個金屬材料之Ϊ 太ί或更厚，材料可不同於熔絲12。為了製作方便， ^塾16力材料和厚度，最好能和簡12 _，如第i圖所 執用電的^電極14形成於基板11兩端之側邊’經由末端 板上 '絲12的兩端侧對應連接，是晶片型保險絲1與ί路 的接點。保護層19塗佈於熔絲12與基板η的表面， i赫璃或耐溫兩分子，隔離或減少環境中之濕氣、氧氣盘 機械力4對溶絲12之腐餘與破壞。 ’、 1Q ^述先前技術的晶片型保險絲1雖然結構簡明，但是保護声 Hf」2直接細，因此在額定電流範圍内使用時 供曰ΐ的馬熱易造成保護層19内的局部高溫與熱應力，故會降 丁曰曰型紐絲1細使用的可靠度^尤其在過大電流的 ’溶絲12完全熔斷前所產生之高熱與電孤，熔化或破壞保 』 導致溶融狀態下的溶絲材料很可能飛減出去，造成鄰 屬線路之間的短路，甚至引發起火意外。 、 美國專利公告第5,726,621號與第6,〇34,589號揭示一晶片型 1323906 保險絲’提供局做（技術，朗本為—條祕絲結構， 條溶絲並聯的結構，並以絕緣層隔絕相鄰的兩條溶絲。其係以” 絕緣層-溶絲-絕緣層-溶絲―絕緣層，，的多層堆疊方式，將電流 ，至多處’其中之絕緣層係由玻璃和喊材料構成。該等發明 =亡述$知技術的熱應力與保騎破制題’但是财、仍然 緣層直接躺’上述絲力触制破狀_絲徹底解^、， 而且多層堆疊方式，製造成本較高。 、 夕曰本發明之㈣在於提供—種在麟上方具備—中空穴 之晶片型保險絲，以解決上述問題。 τ工八 【發明内容】 本發?提供—種具有中空穴之；型保險絲。 絕緣材料為基板，料電觸製作於基板之上； 在炫二溶絲的上方，且於熔絲的外圍與基板黏結，因此 之直一中空穴。該中空穴阻絕保護層和熔絲 定電流範圍内使用時，保護層内不會形成 ^溶4^過大電流純下產生的高熱 ^ 將小於一大氣壓力之氣體密封在内 確^完整與使用安全。争空穴更狀 ”破璃材:：護匕面蓋覆犧盘牲;。：為牲 !以熔二牲層的位置形成一個中空穴。接著，提高溫 ?r封中空巧後保====: 晶片型保險絲自基板切割分離。 頌石刀片或鐳射’將 7 之另—範#在於提供-種薄膜和厚膜的整合技術，以 方法製作低阻抗之精細厚膜溶絲。本發明係在一片大基 π二甘ί，以厚膜印刷方式，形成一層銀和玻璃複合之導電膜， 膜ίί 3面。然後，塗佈光阻，並以曝光、顯影、侧等薄 $ 成具有精細麟的導電膜，其中，_的寬度可以小 作為黏結和玻璃複合之導電獻以銀作為導電媒介’玻璃 ，於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述 式仵到進一步的瞭解。 【實施方式】 請參閱第2圖，第2圖係繪示根據本發明第一較佳且體實 型保險絲2之立體示意圖。保護層29在長匕3^ ^方向挪切開，以清楚顯示内部構造。第3圖係第2圖沿 度之中心線(1-1線)切開之截面圖。晶片型保險絲2包含一美板 262' ^ ^ ^ 27 ' 29 ' 24 ^ 基板21係電性絕緣，其材料是純度9〇%以上之氧化鋁、 璃、或其他電性絕緣陶瓷材料，其中以純度96%之氧化鋁最商 用’尽度約0.2至1.0毫米(jj血）。 熔絲22是一層導電膜，其成份是金、銀、鋁、鋼、白金 純金屬或合金，也可以是銀和玻璃複合之導體，製作於基板'Μ 的上表面。熔絲22的兩端分別連接到兩個金屬材料之^ 26，末端墊20的寬度通常較熔絲22大，厚度和熔絲22 _ 更厚，材料可不同於熔絲22。為了製作方便，末端墊26的#^ 和厚度’最好能和溶絲22相同，如第2圖和第3圖所示。,、 溶絲22的寬度約20至200微米(μιη)，厚度約0.2至2〇微米 1323906 (μιη)，依額定電流的大小而異。炼絲22的寬度愈大，厚度愈 厚’則電阻愈低且額定電流愈高。以寬度70微米(_，厚度 微米(μπι)之銀質熔絲為例，其額定電流約是2安培。熔絲2^可 以疋直線、彎曲線條或是其他不規則形狀之線條。熔絲22的總 長度愈長，則電阻值愈高。熔絲22可以只是一條直線，★可^ 由多條材料與尺寸完全相同的直線並聯而成。” ' 了 在熔絲22的上方有一中空穴27 ’其邊長約2⑻至2〇〇〇微米 絲22。保制29駐縣份是玻璃，熔化溫 的上方，且於炼絲22的外圍，直接或經由末端塾二接 21黏結’並將中空穴27封住。 按/、丞板 尸^空穴27可以是非密封狀態，内部維持一大氣 2圍環ΐ相同。但是衫穴27最好能形成密封狀離，ί ί m嶋之乾燥空氣、_、其他氣體或ϊ;、“ 以=7乾^4=為1衝氣體的製作成本為最低。密封 200 ^,(μιη) , ,2 宅未(mm)或更小型之晶片型保險絲之製作。卿於1.6 0.8 中空穴27完全隔絕保護層29與溶_ 22 流範圍内使用時，保護層29内不合故在額定電 中空穴27 _氣體是非常料 局。卩—與熱應力。而 流負載下產生的高熱和電弧不她在過大， ^之熱應力造成保護層29破裂。另外’ 5 =免局部高 其内部的氣體壓力低於-大氣壓 穴27，因 的壓力上升。中空穴27有—適冬 ^降低就體因為高溫造成 較適當，若高度太低則無法發揮田預^ 了⑴至500微米㈣ 增加製作成本。 4的功此，而過高的高度則會 1323906 端 24形成於該基板21兩端之側邊，經 熔絲22的兩端分別對應連接。端電極％是晶片型保險緣2盘^ 未顯示)結合的接觸點，通常是由三層材二構成，銀 ί 料☆或是與基板21黏結性佳之金屬薄膜，例如 鈦鉻或其δ金，中間層是鎳，外層則是錫。 太恭ΓΪ 安培的銀質溶絲22為測試樣品，說明比較 ϋΓΪίΪΓ與先前技術的差異。測試的方法是施加3〇安培

壓維持32伏特），量曝絲22 ·斷時間， w、畊後之電阻，以及在顯微鏡下觀察其測試後之外觀。 實驗組：本實施例，中空穴27的邊長約勝侧微米(㈣， 南度約50-200微米(_，填充空氣，氣壓約3〇〇 ^米水銀柱 (mmHg) ’玻璃材質之保護層29密封整個中空穴27。 巧較組1 .第1圖所示之先前技^^，係在溶絲12的上面，直 接覆蓋一玻璃材質之保護層19，厚度是1〇·2〇微米(μιη)。 ^較組2 :第1圖所示之先前技術，係在熔絲12的上面直 接覆蓋一玻璃材質之保護層’厚度是1〇〇_2〇〇微米(^)。

一，為測試電流是額定電流的15倍，熔絲的熔斷時間非常 短’遠低於1毫秒(ms);熔斷後之電阻大於1〇，_歐姆，三組之 間的差異並不明顯。但是測試後的外觀變化，三組之間差異很 大。比較組1的保護層較薄，測試後被炫化，熔絲部份外露。比 較組2的保護層較厚，測試後破裂，部份保護層彈開，暴露熔 絲。，本實施例之實驗組，測試後外觀完整，保護層無任何炼化或 破裂跡象。與先前技術相較’本實施例確實可以避免溶絲在過大 電流負載下產生的高熱和電弧，溶化或破壞保護層，以確保零件 的完整與使用安全。 第4圖和第5圖係繪示根據本發明第二較佳具體實施例之晶 丄 片型保險絲3之；立θ ^ 度方向和寬声忍圖。第4圖是立體示意圖，保護層29在長 4圖沿ίίίΓ，份切開’崎楚顯和部構造。帛5圖係第 含it 2f 線Μ線)切開之截面圖。晶片型保險絲3 Ϊ 電極^4和兩袖士熔絲22、一中空穴27、一保護層29、兩個端 和兩個末蠕墊26，與上述之第一較佳具體實施例相同端 例之晶片型保險絲3與第一較佳具體實施 -隔轨声31，的要^同之處在於0日日片型保險絲3另包含 ίί :ί 理有 ％—==== 疋㈣基板21傳導散開，所以在過大電流 、 &422需要更大糕和更長的時财能溶斷。 因此針對决速反應型的保險絲，貝1i需要在、% i 基板21之間，製作—隔熱層31 ===與^化紹 Ϊ熱2。^層3丨含有玻璃成份，氏Si: t玻__性較氧化錄很多，是报適^氏耐^至隔: 中於Γίϊ熱層31的作用，電流流經_22產生_，得以隼 中於加熱溶絲22，其輯時間因而縮短 J的負載。另外傳導至基板21的熱能大 美板「笈2 熱應力降低，更可以财長舰㈣可21 S至_微米㈣，厚度愈厚，隔熱效;愈佳:;製= 11 1323906 帝的㈣溶絲22為例’在4安培的過大 電^負載下，若溶絲22直接黏結在96%氧化紹基板21上面 斷時間約25毫秒㈣。相同條件下，如果在溶絲22盥基板21之 間’介入含有玻璃之隔熱層31，厚度1〇_2〇微米㈣），則溶 間減少為1毫秒㈣。隔熱層31顯著提升炼絲、22對過 負 載的反應速度。 η 隔熱層31可以佈滿基板21的表面，也可以局部性的製作在 基板21的表面，只要其範圍能夠阻隔熔絲22與基板21的直 接觸即可達到效果。玻璃或其他隔熱性良好之材料構成之基板， 則不需要隔熱層31 ;慢速反應型的保險絲也不需要隔熱層31。 電弧抑制層33是由玻璃或玻璃與陶究的複合材料構成，至 少涵蓋整個熔絲22，熔點約為攝氏500至7〇〇度，但 ^絲22的熔點，其目的是降低熔絲22在過大電流負載下產生之 電弧強度。當熔絲22在過大電流負載下加熱，並自某一點開始 =匕而產生微細的卩猶，電流經由此微細關隙放電形成電弧， ίίΪί的局部高能量’足以破壞溶絲22及其鄰近的材料。通 书電〜愈大，電壓愈高’則產生的電弧愈強。 炫以純銀材質的溶絲22為例，說明電弧抑制層33的工作原 炫絲22在過大電流貞載τ，溫度快速升高並傳導至電弧抑 =層33。當溫度超過其熔點時’電弧抑· %航成液體狀 μ ¥酿度繼績升向至純銀的溶點(攝氏960度)時，炼絲22自某 二點開始熔化而產生微細的間隙，液體狀態的電弧抑制層％ ^ 2此微細的間隙，阻隔電流自微細的間隙放電，因而降低電弧 的強度。 孤弧抑制層33的厚度約5至励微米(_，厚度愈厚則電 =制效果纽。紐抑_ 33可以只是輕於麟22之上， G 3於中空八27之内，也可以擴開覆蓋於中空穴以外之區 12 1323906 域’介於保護層29與隔熱層31之間’或保護層29與末端墊％ 之間。 請參閱第6圖至第9圖與參考第1〇A圖至第1〇c圖 =本發明之；型紐絲的製作方法。；雜險絲的尺寸通^ =田小’大s生產的製作方法是在―片大基板上佈置並製作很多 個相同的元件’最後再分離成個別的元件。 如=圖所示，先提供-片絲板5卜其係一種電性絕緣且 ’ ΐ純度達_以上的氧化紹、玻璃或其他電性絕緣 =陶竞材料。基板51的外型通常是長方形’邊長約5〇至15〇亳 ^(二血）’所以-絲板上可佈置驗键錢仟個元件依 尺寸大小而異。 於古首f的表面上製作隔熱層61，其作法是將玻璃 ，末’或玻璃與陶紐末，與溶劑、黏結劑混合成膏狀物，再以 $溶劑。重複印製與，過程，可以增加隔熱層61的=烤 二江將基板51置人1^溫爐中，加熱至玻璃的熔點，最好是介 ^ 6卜_ 1麵度之間’冷卻後形成一含有玻璃成份之隔熱 道製作炼絲52與末端墊56於隔熱層61的表面，炼絲52是 、厚度約0.2至20微米(pm)，寬度約2〇至2〇〇微米 (Γί超依額定電流大小而異’其成分是金、銀、紹、銅、白金等 ί ίΐίίΓί製作方法是工業界常用的薄膜製程，例如滅 二η/Ϊ鮮方式。雜的成本报高，比較適用於1微米(㈣以下 眩、五。L微米(㈣以上的膜厚’可以先用藏鑛製作一底層薄 Γ 增大其膜厚。其程序首先是在基板51的表 二:ϊ，ί鱗光、㈣等方絲絲關案並進行 化學蝕刻’製作出預先設計的熔絲。 13 1323906 t 是麟52的厚度是5微米(_社，即使以上述之跡 的複合製作方法，程序太複雜且成本太 ^ 練_且成本 案-疋精、、田度不夠，線寬至少是200微米(μη!)以上。 ，此，要製作厚度5微米㈣以上，寬度約2〇至2〇 (=ιη)的熔絲52，厚膜和薄膜的技術整合，是“ ί=:Ρ刷方式，將含有銀粉末與玻璃粉製 it層上，涵蓋隔熱層61的表面；再經由焕烤去除溶杳i 问：化玻璃之過程，形成一層銀和玻璃複合之導電膜:、主以 介’玻璃將銀和隔熱層61黏結，玻璃對銀的重量 比通常是低於15%。 取〜里里 丄塗佈光阻於導電膜之上，並進行曝光、顯影程序，產 案。再以化學溶液，_未被光阻圖案保護之ί ίΐ雷溶劑去除光阻圖案，形成具有精細熔Σ 版印刷方;光阻的厚度必須較一般的薄膜製程厚，因為以網 ^不H 1 璃複合之導電膜，顆粒較粗大而且表面 純金屬的蝕刻比較單純，蝕刻液也已經商 同屬性成份組成的合金或複合物，蝕刻製程困^ 須能夠溶解每-種成份。銀和玻璃複合之導電膜二刻液二= =調製:鍵、氫氟酸等為基本溶液，方能同時^刻銀= :精=2;㈣之銀和玻璃複合之導電膜，侧後= ^端塾56分別連接溶絲52的兩端，將炫絲& *端 3ΪΪ二末Γ %厚度的截面，因此末端墊56 的寬度通以父溶絲52大’除了增大連結的面積，更可以降低電 14 阻。為了製作方便，太姓執《 1 相同’如第6圖所示。但是如果最好能和熔絲52 微米㈣以下，連結的面積 ^ 1的厚度太薄，例如1 要以電鍍或厚膜印製方式，增大末度不足，因此需 由攝氏50至150唐扭祛土登個4絲52，並經 增加電弧抑制層63的厚複印製與烘烤過程，可以 一含有玻璃成份至7M度之間，冷卻後形成 電弧8的:面;=::;353製:=’接著在每-個 是容易成形，且可以在攝氏度以 錢力樹脂是歸的選擇，其可以和松^醇 式錄型態，簡版或鋼版印刷方 执开彳ί再施以攝氏5G 1 15G度之輯以去除溶劑，形成預 度f ° ί覆上述印製和供烤的製程，可以增大厚 以曝麵級1^分子材料也可以用來製作齡層53，係 及顯衫方式成形’尺寸細小且精密，但是生產成本較高。 電弧^圖與第3圖之第一較佳具體實施例，隔熱層61與 63並不需要，因此熔絲52與末端塾％直接製作於 的表面。犧牲層53則覆蓋於熔絲52之上，包含整個熔 笛^參閲第9圖，說明保護層59射空穴57之製作方法；而 10B、10C圖係保護層59在炫絲52的中心線(3-3線)之 1323906 ί my t r要成份是玻璃，熔點最好是介於攝氏· 所示，完全包覆犧牲層53。如第舰圖 之形狀和尺寸其件=4二?^=，溶劑’形成預設 的製程以制末稀結_組合；重覆印製和供烤 階段板51置入高溫爐中，分兩個階段加熱。第- 原先犧㈣53 水絲卿發不見，因此 粉末的倾黏结玻璃 攝氏=圖^等;好是 其他氣體，依黨灰而—.. 、大乳屋之空氣、氮氣或 璃’冷卻後密封整個^空度降低而成緻密的玻 鲁 力和絕比。密^間’其内部的氣體壓 度高溫以及！大氣壓下if攝氏400至600 後，中餘穴57内的氣壓^^^下炫化，所以冷卻到室溫 (mmHg)。 '大氣壓，約為3〇〇毫米水銀柱 製作==3二第圖^作:極與元件自基板切割分離的 護層59與基板5卜平/先是以鑽石刀片或鐳射切割保 線，其間距也就是晶片型保'95/'；；、95·Ν*橫向的切割 2、...、90-Ν是縱向的切割線險| f寬度。平行線90-1、90- 、’、八間距也就是晶片型保險絲的長 16 1323906 度。 首先是依95-1、95·2、…、95-N之切割線作橫向切割，切開 保護層59，但不切穿基板51。接著以90-!、90-2、 、90-N之 切割線作縱向切割，切開保護層59並切穿基板51。如第11A圖 所不’基板51目此分離成多個條狀小基板。接著在切開之條狀 基板的兩端製作-端電極54之底層金屬，其作法是以藏鐘方 ^ ’製作-層與基板黏結性佳之金屬薄膜，例如鈦、絡或其合 金:底層金私可以使用浸沾或滾沾方式祕f，並 二層銀薄膜。接著以電鍍方式，在底層金屬上面製作錄、，最 後再將锡電鍍在鎳上面，完成整個端電極54的製作過程。” 請參閱帛11B圖，然後依第11A圖所示之切割線况、％_ 、..·、95-N折斷，分離成一顆顆晶片型保 型保險絲的製作過程。 域㈣兀成整個晶片 發明具體3例之詳述’係希望能更加清楚描述本 本發明之ϋ以’而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對 此，本發日^二之專利範圍的範疇内。因 廣的解釋，以致的濟應該根據上述的說明作最寬 致使其涵盍所有可能的改變以及具相等性的安排。 17 1323906 【圖式簡單說明】 第1圖：先前技術之立體示意圖； 第2圖：本俩第―較佳賤實補之讀示意圖； 第3圖：本發鄕—健具體實施例之截面圖；

第4圖.本發0謂二較佳具體實關之立體示意圖； 第5圖：本發卿二較佳具體實_之截面圖； 第6圖：本發明之_層魏絲製作方法的上視圖； 第7圖：本發明之抑制層製作方法的上視圖； 第8圖：本發明之齡層製作錢的上簡； 第9圖：本伽之倾層射空讀作方法的上視圖·

谢⑽齡法的程序截 法與元件分離的上視 第11A-11B圖：本發明之端電極製作方 圖。 【主要元件符號說明】 .基板 14 :端電極 19 :保護層 21 .基板 1 ·晶片型保險絲 12 :熔絲 16 :末端墊 2、3 :晶片型保險絲 18 1323906 22 :熔絲 24 :端電極 26 :末端墊 27 :中空穴 29 :保護層 31 :隔熱層 33 :電弧抑制層 51 :基板 52 :熔絲 53 :犧牲層 54 :端電極 55 :未密封之中空穴 籲 56 :末端墊 57 :中空穴 59 :保護層 - 63 :電弧抑制層 61 :隔熱層 90-1、90-2.....90-N :縱向之切割分離線 95-1 ' 95-2.....95-N ： :橫向之切割分離線 • 19

Claims (1)

1. 申請專利範圍： 〜種晶片型保險絲，包含： 一基板； 汴年卜月卻修(氣)正替换頁j —炫絲，配置於該基板之上； 一保護層’為特性均勻的單層結構，形成於該熔絲之上方， 化之方式於_絲之外圍與該基板 澤占、'Ό赁 一中空穴，形成於該熔絲與該保護層之間，至少包含一 該熔絲；以及 °々 至少一端電極’與該熔絲電性連接。 ^請專利顧第i項所述之“型紐絲，其 %緣’成份是純度9〇%以上之氧化銘。 ％改 =申請專利範圍第1項所叙晶片型保險絲，其中該炫絲具 改’其成份包含銀和玻璃的複合材料。 =申凊專利範圍第丨項所述之晶片型保險絲， 性絕緣，其成份包含玻璃。 5、 如申請專利範圍第1項所述之晶片型保險絲，其中該保護層至+ —部份經由至少-中間層，間接與該基板黏結。 I 6、 如申，專利範圍第1項所述之晶片型保險絲，其中該中空穴係密 封狀態。 7、 如申請專利範圍第1項所述之晶片型保險絲，其中該中空穴包八 一氣體’且該氣體之壓力小於1大氣壓。 s 8、 如申請專利範圍第1項所述之晶片型保險絲’其中該至少—端電 20 極形成於該基板兩端之侧邊，且於該基板 連接。 如申請專利範圍第1項所述之晶片型保險絲，進一步包含一 層’形成於該基板與該熔絲之間。 …、 如申請專利範圍第9項所述之晶片型保險絲，其中該隔熱層含 玻璃成份。 如申請專利範圍第1項所述之晶片型保險絲，進一步包含一 抑制層，覆蓋於該熔絲之上，介於該熔絲與該中空穴之間。 圍第11項所述之晶片型保險絲’封該電狐抑制層 如申請專利範圍第1項所叙晶片型保險絲，進一 =末端墊’配置於該基板上，電性連接_絲至該基板之邊 一種晶片型保險絲，係包含： 一基板； 一隔熱層，形成於該基板之上； 一溶絲，配置於該隔熱層之上； 一保護層，為特性均勻的單層結構，形A 層且.=以整化之方式於該;絲==熱 一 形成於雜絲與該保護層之間，至少包含一部份 ’其中該保護層至 乂挪經由至少-中間層’間接與該隔熱層黏結。 曰主 如申請專·圍第14項所述之晶片型保險絲，其中該中空穴係 密封狀態。 爹,〖月侧，正替換頁丨 17、 ϋίί利=第14項所述之晶片型保險絲，進一步包含1 έ 1盍於該熔絲之上，介於該熔絲與該中空穴之間。 18、 -種晶片型保險絲的製造方法，包含： (a)提供一基板； (b) 形成一含有銀和玻璃的導電膜於該基板之上； (c) 形成一光阻圖案於該導電膜之上； (d) 银刻未被該光阻圖案保護之該導電膜；以及 (e) 去除該光阻圖案，形成一具有精細熔絲之導電膜。 19、如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該熔絲的寬度介 於20微米至200微米之間，且其厚度介於1微米至20微米之間。

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