TW200832391A - Optical information recording medium, apparatus for reproducing information from optical information recording medium, and method of reproducing information from optical information recording medium - Google Patents

Description

200832391 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種藉由照射光束將資訊進行再生之光資 k 訊記錄媒體、光資訊記錄媒體再生裝置、及光資訊記錄媒 . 體再生方法。 •【先前技術】 . 近年來由於高度資訊化、資訊通信、多媒體技術之發 展’ 一般而言對於光資訊記錄媒體之高密度化、大容量化 • 之要求已日益提高。光資訊記錄媒體之記錄密度之上限， 主要受到用以再生資訊之光束之點（Sp〇t)徑所限制。 若將再生光之光源波長設為λ，且將用以形成光束之點 徑之物鏡（objective lens)之數值孔徑設為ΝΑ，則該光束之 點控係大致以λ/ΝΑ來表示。再者，藉由將光束之點徑縮 小’即可提升光資訊記錄媒體之記錄密度。 然而，受到光學元件之吸收、及檢測器之靈敏度特性之 限制，要將再生光之光源波長λ縮小，到紫外線區域之波 長之大小為止係為極限。 此外，ΝΑ之提升大致受到光記錄媒體之傾斜之容許量 所限制。因此，藉由將光束之點徑縮小，要提升光資訊記 錄媒體之記錄密度有其極限。 作為超越該等極限之技術，一般已知有超解析再生技 術。此超解析再生技術係指將較再生裝置所具有之光學解 析極限（若以標記長度來表示，則為光點徑之1/4之約 λ/(4ΝΑ))小之標記長度之信號進行再生之技術。藉此，由 123068.doc 200832391 於使用更小之標記長度之記錄成為可能，因而可提升光資 訊§己錄媒體之記錄密度。 在日本A開專利公報「特開2〇〇1_25〇274號公報」 年9月14日么開）中揭不有一種被稱為wR〇m，其係使 用有助於資訊之再生之凹凸形狀之預製凹坑(pre_pit)之超 解析技術之超解析光資訊記錄媒體。目前而言，此超解析 光資訊記錄媒體之再生機制之詳細内容並不明確。

然而，藉由取代習知所使用之A1或An，而將Mo、W、 、，等使用於再生專用型碟片（disk)之反射膜，於習知 之光學系統中曾為光學解析極限之較小之記錄凹坑長度之 信號之再生即成為可能。 在曰本公開專利公報「特開平3_93058號公報」（1991年 4月18日公開）中揭示有一種雖然無法藉由基板之凹凸，利 用在記錄有不可覆寫之資訊之再生專用光資訊記錄媒體之 再生，然而卻與可覆寫之光磁性記錄媒體對應之超解析再 生方法。 藉由此超解析再生方法，在記錄保持層之上設置再生 層而於再生時，僅在要再生之光束之點徑内之達到溫度 以上之區域’將記錄於記錄保持層之信號轉印至再生層。 口此’較光學解析極限小之記錄標記長度之信號之再生即 成為可能。藉此，即可改善沿著記錄軌道（track)之掃描方 向之線記錄密度、及與正交於掃描方向之方向之鄰接執道 間隔（執道間距（track pitch))對應之執道密度等兩者。 然而在日本公開專利公報「特開2〇〇1_25〇274號公報」 123068.doc 200832391 中所記載之習知技術中，雖可再生較光學解析極限小之記 錄凹坑長度之信號，而使線記錄密度確實改善，惟線記錄 密度之改善有其極限。 此外’只要有軌道密度之改善效果，即導致進一步之高 密度化，惟由於來自主要決定軌道密度之鄰接記錄執道之 #唬之漏損，亦即無串訊（cross talk)之改善效果，因此不 具提升軌道密度之效果。 再者，有助於超解析再生之層，厚度薄到數+ nm，而 缺乏再生耐久性。然而，此有助於超解析再生之層，係以 較薄者之超解析再生之效果較大。因此，為了增大超解析 再生之效果，若將有助於超解析再生之層之厚度予以薄 化’則會產生再生耐久性更為缺乏之問題。 此外，在日本公開專利公報「特開平3-93〇58號公報」 中所記載之習知技術中，雖可改善線記錄密度與執道密度 荨兩者，惟由於係為光磁性記錄再生方式之超解析再生技 術，因此僅為對於光磁性記錄再生方式有效之技術。 因此，例如，在被認為對於驅動裝置之普及具重要性之 藉由在基板形成有凹凸而使記錄資訊無法覆寫之再生專用 光資訊記錄媒體等其他方式之再生上，無法使用日本公開 專利公報「特開平3-93058號公報」之習知技術。 此外，由於係藉由再生膜本身直接吸收光而產生熱，而 使超解析再生成為可能，因此亦有對於再生膜材料本身造 成之負擔各易變大’而缺乏再生耐久性之問題。 此外，以習知之超解析膜而言’其他雖可考慮相變化膜 123068.doc 200832391 及色素膜等，惟所使用之超解析膜本身均藉由直接吸收光 或熱’而使超解析膜本身會有組成變化或相變化，因此對 於超解析膜材料本身所造成之負擔容易變大，而缺乏再生 耐久性。 此外，亦會有相變化膜或色素膜比起通常使用於光資訊 δ己錄媒體之膜材料較為昂貴，而使超解析媒體較通常之光 資訊記錄媒體更為昂貴之問題。 如上所述’在習知之超解析再生技術中有許多問題。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種藉由提升線記錄密度及執道 密度之兩方，而可再生高密度之記錄資訊，且再生耐久性 佳之光資訊記錄媒體、光資訊記錄媒體之記錄再生裝置、 及光資訊記錄媒體再生方法。 為了達成上述之目的，本發明之光資訊記錄媒體係記錄 有資訊’藉由照射再生光而使該記錄之資訊再生者，其特 欲為：從上述再生光之入射面侧依序層積透光層或透明基 板、寅訊記錄層及基板’且在上述資訊記錄層至少包含對 上述再生光之光源波長λ之複折射率（complex refractive index)因熱而變化之再生膜，若將形成於上述基板之記錄 軌道之軌道間距設為TP，且將使上述再生光聚光於上述光 貧訊記錄媒體上之物鏡之數值孔徑設為NA，則滿足 〇·67χ(λ/ΝΑ)>ΤΡ>0·04χ(λ/ΝΑ)之關係。 藉此，若再生光入射至在再生光之光源波長人之複折射 率經由熱而變化之再生膜，則上述再生膜本身、或例如與 123068.doc 200832391 光吸收膜等之上述再生膜鄰接之層就會吸收再生光之一部 分而轉換為熱。 上述再生膜經由該熱加熱，而於上述再生膜之光點内產 、 生溫度分布。可推測會由於上述再生膜之光學常數n及k與 • 該溫度分布對應而產生變化，而使高溫區域内之反射率增 加或減少，再生光點疑似成為縮小之狀態，而可將光學解 • 析極限以下之標記長度之記錄標記進行再生。 因此，藉由在上述資訊記錄層中包含在再生光之光源波 籲 長人之複折射率經由熱而變化之上述再生膜，即可提升線 記錄密度，此外，在關於與掃描方向垂直之方向方面亦如 上所述，由於再生光點疑似成為縮小之狀態，因此可改善 串訊。 再者，具有在再生光之光源波長λ之複折射率經由熱而 變化之上述再生膜之上述光資訊記錄媒體，經由實證實驗 已確認再生耐久性提升。因此，藉由在再生光之光源波長 φ λ之複折射率經由熱而變化之上述再生膜，具有優異再生 财久性之光資訊記錄媒體即成為可能。 此外，由於藉由在上述資訊記錄層包含上述再生膜而改 善串訊，因此可將軌道間隔縮窄。 . 具體而言，藉由將在習知技術中為極限之軌道間距設成 比0·67Χ(λ/ΝΑ)更小，即可將軌道間隔較習知技術更為縮 窄。因此，可提升在日本公開專利公報「特開2〇〇ι_ 250274號公報」等之超解析媒體中所無法達成之執道密 度，而使更南密度之光資訊記錄媒體成為可能。 123068.doc 200832391 亦即’隨著線記錄密度亦可同時提升軌道密度，而可獲 得在使用習知之超解析技術之光資訊記錄媒體中所無法達 成之高密度之記錄容量。 此外’由於光資訊記錄媒體在再生之際旋轉，因此在上 述再生光點疑似縮小之狀態下之中心，會因為與再生光點 之中心偏離等’而會有改善來自上述光資訊記錄媒體之内 周侧之鄰接記錄軌道之串訊之量、及改善來自上述光資訊 記錄媒體之外周侧之鄰接記錄軌道之串訊之量之不同之情 形’如上所述，藉由設定為ΤΡ>0·04χ(λ/ΝΑ)，即可使改善 記錄軌道之内周侧、及外周側之各個串訊之量相等。藉 此，即可更為改善串訊，而提升執道密度。 此外’為了達成上述之目的，本發明之光資訊記錄媒體 係一種記錄有資訊，藉由照射再生光而使該記錄之資訊再 生者’其特徵為：從上述再生光之入射面側依序層積透光 層或透明基板、資訊記錄層及基板，且在上述資訊記錄層 至少包含主要由金屬氧化物所組成之再生膜，若將形成於 上述基板之記錄軌道之執道間距設為ΤΡ，且將使上述再生 光聚光於上述光資訊記錄媒體上之物鏡之數值孔徑設為 ΝΑ，則滿足0·67χ(λ/ΝΑ)>ΤΡ>0·04χ(λ/ΝΑ)之關係。 因此’藉由在上述資訊記錄層，至少包含主要由金屬氧 化物所組成之再生膜，即可提升線記錄密度，此外，在關 於與掃描方向垂直之方向方面亦可改善串訊，因此可將軌 道間隔縮窄。因此，可提升在日本公開專利公報「特開 2001-250274號公報」等之超解析媒體中所無法達成之執 123068.doc 200832391 道密度，而使更高密度之光資訊記錄媒體成為可能。 亦即，隨著線記錄密度亦可同時提升軌道密度，而可獲 得在使用習知之超解析技術之光資訊記錄媒體中所無法達 成之高密度之記錄容量。 此外，使用主要由金屬氧化物所組成之上述再生膜之上 述光資訊記錄媒體，由於金屬氧化物係化學性穩定，不容 易遭受到隨著再生光入射所產生之破壞，因此顯現良好的 再生耐久性。因此，相較於揭示於日本公開專利公報「特 開2001-250274號公報」及日本公開專利公報「特開平3_ 93058號公報」之光資訊記錄媒體，再生耐久性獲得提升 之光資訊記錄媒體即成為可能。 再者，主要由金屬氧化物所組成之上述再生膜之成膜， 係可藉由蒸鍍法或濺鍍法來製作，因此亦具有可較容易形 成之效果。 再者，金屬氧化物係可藉由還原處理而回收作為金屬。 因此，亦具有光資訊記錄媒體之循環利用（recycle)效率提 升之效果。 此外，本發明之使光資訊記錄媒體再生之光資訊記錄媒 體再生I置，其特徵為：使上述再生光之中心從上述記錄 軌道之中心偏離較0·02χ(λ/ΝΑ)大且較TP/4小之量而再生。 藉此，即可使來自將上述光資訊記錄媒體進行再生之際 之内周側之鄰接軌道之串訊、及來自上述光資訊記錄媒體 之外周侧之鄰接軌道之串訊相等，因此可更提升執道密 度。因此，可提供南密度之光資訊記錄媒體再生裝置。 123068.doc •12- 200832391 層之2層所構成，亦可使用紫外線硬化樹脂等之材料而以1 層來構成。 再者’在作為透光層1〇之表面侧之光入射面，可設置硬 塗層（hard coat)等之保護膜，再者，透光層1〇亦可是透明 ^ 基板。此外’透光層1 〇之膜厚係依用以照射再生光2之光 • 學系統而決定。 - 接著說明再生膜21。 再生膜21係為產生超解析效果之膜，其在再生光2之光 _ 源波長λ之複折射率係經由熱而變化。再生膜21係包含供 其所需之材料而構成。 以構成再生膜21之材料而言，由具有優異耐久性之點、 較谷易製作之點等之效果觀之，係以金屬氧化物為較佳。 以此金屬氧化物而言，例如有氧化辞、氧化錫、氧化銦、 氧化鎳氧化飢、氧化鈦、氧化鈽、欽酸銘（strontium titanate)、氧化始、氧化组等。 _ 尤其’以藉由具有獲得最佳超解析特性之點、耐久性較 “之點、複折射率變化相對於溫度變化之可逆性較佳之 點、價格較低廉之材料之點等之效果之氧化鋅來構成再生 膜21更佳。 此外，再生膜21之膜厚並未特別限制，雖可依使用之材 料而調整膜厚，惟以5至800 nm左右為適當。 接著說明光吸收膜22。 光吸收膜22係藉由吸收再生光2而使光吸收膜22本身升 溫，將該熱傳導至再生膜21，藉此使再生膜21之溫度上升 123068.doc -14 - 200832391 者。 換言之，該光吸收膜22主要藉由吸收照射至資訊記錄層 2〇之再生光2之光而予以轉換為熱，且將該轉換之熱有效 • 率地傳導至再生膜，相較於未設置光吸收膜22之情形，可 - 更有效率地進行資訊記錄層20之再生光2之熱轉換。 以該光吸收膜22之材料而言並未特別限制，藉由選擇可 ‘ 有效率地使再生膜21之溫度上升之材料作為光吸收膜22， 即可將再生光2之功率抑制為較低。藉此，即可具有使照 籲 射再生光2而用以讀取光資訊記錄媒體1之資訊之再生裝置 之再生靈敏度提升之效果。 因此，係以藉由Si膜、Ge膜等之半導體或吸收半金屬、 相變化材料、光磁性記錄材料、再生光2之色素等之材料 來構成光吸收膜22為較佳。再者，從獲得最佳之再生靈敏 度之點、製作較為容易之點、價格較低廉之點等觀之，係 以Si膜、及Ge膜來構成光吸收膜22為更佳。 _ 此外，光吸收膜22亦發揮作為反射膜之功能。發揮此反 射膜之功能之光吸收膜22係藉由在後述之預製凹坑3 1上成 膜’使由預製凹坑3 1所形成之凹凸，作為記錄於光資訊記 錄媒體1之資訊而由照射再生光2之上述再生裝置所識別。 此外，資訊記錄層20雖係由再生膜21與光吸收膜22所組 成，惟僅以再生膜21來構成亦可。然而，係以在再生膜21 與基板30之間設置光吸收膜22為較佳。藉由該光吸收膜 22，將熱主要供給至再生膜21，因此可獲得更良好之超解 析特性。 123068.doc -15· 200832391 此外，資訊圯錄層20係將再生膜2 1與光吸收膜22予以個 別層積。亦即，係將產生超解析效果之膜，將在再生光之 光源波長λ之複折射率經由熱而變化之再生膜21、及吸收 光而轉換為熱而供給之光吸收膜22予以個別層積。 • 因此’相較於曰本公開專利公報「特開2001-250274號 公報」所兄載之有助於超解析再生之層、或日本公開專利 公報「特開平3-93058號公報」所記載之再生膜、及藉由 其他超解析技術所使用之色素膜、或由相變化膜等之超解 ⑩ 析膜本身直接吸收光或熱之膜，顯示更優異之再生耐久 性。 接著使用圖2說明基板3 0、及形成於基板3 〇上之預製凹 坑31。 圖2係為將基板3 0之光入射面側之一部分加以放大之立 Μ回 圖0 如圖2所示，在基板30上係形成有具有凹凸形狀之預製 ^ 凹坑3 1。 基板30之材料並未特別限制，例如，聚烯烴（p〇ly 〇lefin) 糸樹脂、聚碳酸醋、熱可塑性聚醯亞胺（polyimide)、 PET(P〇lyethylene Terephthalate ’ 聚對苯二甲酸乙二酯）、 PEN(P〇lyethernitrile，聚醚腈）、PES(Polyether Sulfone， 聚醚砜）等之熱可塑性透明樹脂（塑膠）、熱硬化型聚醯亞 胺、紫外線硬化型丙烯酸樹脂等之熱硬化型透明樹脂、玻 璃、及該等之組合等。 藉由該預製凹坑3 1，光資訊記錄媒體1即具有作為所謂 123068.doc •16- 200832391 。預製凹坑31係以光資訊 中心’形成為同心圓狀或 再生專用光資訊記錄媒體之功辦 記錄媒體1之未圖示之旋轉軸為 螺旋狀。 此外’猎由將再生光2對該預製凹坑31進行照射，即可 將記錄於光資訊記錄媒體!之資訊進行再生。茲將該預製 凹坑31之列稱為記錄軌道。此外，將與該記錄軌道之掃描 方向正交之方向之記錄執道間隔稱為軌道間距（τρ)。

該執道間距係以使用再生光2之光源波長人、用以形成光 點之物鏡之數值孔徑να，滿足 〇.67χ(λ/ΝΑ)>ΤΡ>〇.〇4χ(λ/ΝΑ) 之方式形成。 首先說明設為ΤΡ<〇·67χ(λ/ΝΑ)之理由。 雖將於後陳述，惟在不具有再生膜21之習知之光資訊記 錄媒體中，係在設為ΤΡ=0·67χ(λ/ΝΑ)時，達到上述再生裝 置所要求之串訊之量之極限。因此，無法設為 ΤΡ<〇·67χ(λ/ΝΑ)。 然而，由於本實施形態之光資訊記錄媒體1係具有再生 膜21，因此相較於習知之光資訊記錄媒體，可改善串訊。 因此，即使設為ΤΡ<0·67χ(λ/ΝΑ)，亦可滿足上述再生裝 置所要求之串訊量，且藉由提升記錄軌道之密度，記錄容 量之提升即成為可能。 接著說明設為ΤΡ>0·04χ(λ/ΝΑ)之理由。 雖將於後陳述，惟本實施形態之光資訊記錄媒體1係具 有再生膜21，因此相較於習知之光資訊記錄媒體，可改善 123068.doc • 17- 200832391 串訊 然而’會有改善來自内周 旦 ^ 曰門周側之鄰接記錄軌道之串訊之 里、及改善來自外周侧之鄰接 州丧口己錄軌道之串訊之量不同之 情形。 因此’藉由將再生光2之中心從記錄軌道之中心偏離， 使記錄軌道之内周侧、及外周側之各個之串訊被改善之量 相等。藉此，即可更改善串訊，而提升軌道密度。

如此’若要將再生光2之中心偏離至使來自内周侧之鄰 接記錄軌道之串訊之被改善之量、及來自外周側之鄰接記 錄^道之串訊之被改善之量成為相等之方向，必須將該偏 離量之最小值設為〇.()2χ(λ/ΝΑ) ’且設為Tp>Q ϋ4χ(λ/ΝΑ)之 故0 接著針對本實施形態之光資訊記錄媒體丨之製造方法之 一例進行說明。 光資訊記錄媒體1係在製作基板3〇之後，於基板3〇上形 成光吸收膜22,且於光吸收膜22上形成再生膜21，又於再 生膜21上形成透光層1〇。 在本實施形態中，光吸收膜22、及再生膜21係藉由濺鍍 法而進行成膜。然而，用以使該等成膜之方法，並非限定 於濺鍍法。例如，亦可使用蒸鍍法，只要是在基板3〇上可 使光吸收膜22、及再生膜21依序平坦成膜即可。 再者’作為透光層1 〇，例如在透明黏著樹脂層之上將聚 石反酸酯薄膜’藉由濺鍍法或旋塗法等層積於再生膜2丨上。 藉此方式，形成光資訊記錄媒體1。 123068.doc •18- 200832391 此外，本實施形態之光資訊記錄媒體！並非限定於圖^ 示之構成，以基板30及再生膜21為必須之構成要件，可適 用於各種之構成。例如，另外新附加保護膜或熱調整膜等 ‘ 之其他膜亦可。 • 此外’本實施形態之光資訊記錄媒體1係就有關再生專 ’ 帛光資訊記錄媒體進行了說明’惟不限定於此，例如，亦 - 彳適用於追記型光資訊記錄媒體、或覆寫型光資訊記錄媒 體。 • 例如，適用於追記型光資訊記錄媒體、或覆寫型光資訊 記錄媒體時，係藉由在基板30形成作為引導溝功能之溝部 或堤岸部，而可使該溝部、或該堤岸部亦具有作為記錄軌 道之功能。 此外，在資訊記錄層20中，係將再生膜21設為必須之構 成’至少須層積相變化膜及光磁性膜等之記錄層。 (實證實驗1) φ 茲針對在光資訊記錄媒體1形成有再生膜21所導致光資 訊記錄媒體1之線記錄密度之提升、及軌道密度之提升、 及再生膜21之再生耐久性進行了實證實驗。 [1-1·線記錄密度之提升之實證實驗] 最初，為了實證由於在光資訊記錄媒體1形成有再生膜 21，因而使光資訊記錄媒體丨之線記錄密度提高之效果， 錄作成以下3種光資訊記錄媒體進行了評估。 茲作成使用習知技術之非超解析媒體作為實證例' 日本公開專利公報「特開2001-250274號公報」所記載之 123068.doc •19- 200832391 超解析媒體作為實證例1 -2、及於再生光2之光源波長入之 複折射率經由熱而變化之再生膜2 i作為實證例13之超解 析媒體。 ， 此外，上述3種實證例卜1、1-2、1-3之各個從光入射面 - 側觀之具有下列結構。 實證例1 -1 :聚碳酸酯薄膜（80 μιη)、及透明黏著樹脂層 - (20 Km)作為透光層10，Au(50 nm)作為反射膜，聚烯烴系 樹脂基板作為基板3 0。 書 實證例丨-2 :聚碳酸醋薄膜（80 μηι)、及透明黏著樹脂層 (20 μιη)作為透光層1〇，Ge(50 nm)作為有助於超解析再生 之層，聚烯烴系樹脂基板作為基板30。 實證例1 -3 :聚碳酸酯薄膜（8〇 μιη)、及透明黏著樹脂層 (20 μηι)作為透光層1〇，氧化鋅（144 nm)作為於再生光2之 光源波長λ之複折射率經由熱而變化之再生膜21 , Ge(50 nm)作為光吸收膜22，聚烯烴系樹脂基板作為基板30。 _ 另外，在基板30中係以軌道間距〇·32 μιη、形成有標記 長度80 nm至140 nm之單調凹坑（monotone pit)，以作為有 助於資訊之凹凸形狀之預製凹坑3 1。 接著說明實證例1-1、實證例1·2、實證例1-3之超解析特 性之比較結果。 圖3係為藉由具有藍色雷射光之波長之波長406 nm半導 體雷射、及NA(數值孔徑）0.85之光學系統之碟片測量機， 將上述實證例1-1、實證例1-2及實證例1-3之各個之OTF進 行測量之結果。 123068.doc -20- 200832391 另外，在本實施例中所使用之上述碟片測量機之邏輯性 光學解析極限若以標記長度來表示則約為〇 ΐ2μϊη。 此外’所謂OTF係指表示超解析性能之指標，其係表示 作為表示信號品質之評估基準之c / Ν之標記長度依存性。 再者，在本實證實驗中使用於上述測量之上述碟片測量 機中可使用之再生光2之照射功率範圍係為〇 mW至2〇 mW。 再者，圖3所示之經測量資料之再生光2係分別於實證例 1-1、實證例1-2、實證例u，以光學解析極限以下之標記 長度之0·12 //111、〇.1〇|1111之(：/：^為最佳之照射功率。 具體而言，係分別為實證例2〇 mW、實證例^ : 〇·75 mW、實證例1-3 : 2·0 mW。此外，線速係以3.〇 m/s 進行測量。 如圖3所示，在實證例中，係在碟片測量機之邏輯性 光學解析極限之標記長度0.12 " m，c/N為10 dB以下， C/N幾乎未被確認。由此結果觀之，可明瞭實證例1 _丨不具 有超解析效果。 相對於此’在實證例1 _2中，邏輯性光學解析極限以下 之才示§己長度之〇·12从m、及〇·ΐ〇 vmiC/N分別為40 dB、24 dB。 此外，在實證例1_3中，邏輯性光學解析極限以下之標 吕己長度之0.12 # m、0.10 # m、及0·08 // m之C/N分別為 42 dB、38 dB、及 22 dB。 由此結果觀之，可明瞭實證例1 -2、及實證例1 _3均具有 123068.doc -21- 200832391 超解析效果。 假設，若信號之再生所需之C/Ν為35 dB，則實證彳列卜 1、實證例1-2、實證例1-3可分別再生到0.14 β ^ 〇 12 V m、0.10 //m之標記長度。 此外，假使，若信號之再生所需之C/N為20 dB，則實證 例1 -2、實證例1 -3可分別再生到〇. 1 〇 μιη、0.08 μηι之標古己 長度。 由此結果觀之，可明瞭曰本公開專利公報「特開2〇〇ι·

250274號公報」所記載之超解析媒體、及本實施形態之使 用再生膜21之超解析媒體，相較於習知之非超解析媒體， 具有提升線記錄密度之效果。再者，可明瞭本實施形態之 使用再生膜21之超解析媒體，與日本公開專利公報「特開 2001-250274號公報」所記載之超解析媒體比較，本實施 形態之使用再生膜21之超解析媒體，線記錄密度之提升之 效果較高。 [1-2·執道密度之提升效果之實證實驗] 接著，為了進行藉由再生膜21，而使本實施形態之光資 訊記錄媒體1之執道密度提高之效果之實證，兹作成以下3 種光資訊記錄媒體以進行評估。 茲作成使用習知技俶夕北 议冊之非超解析媒體作為實證例2-1、 日本公開專利公報「牲„ ΟΛλ, 特開2〇〇1-250274號公報」所記載之 超解析媒體作為實證似9 〇 ^2_2、使用再生膜21之超解析媒體 作為實證例2-3之超解析媒體。 此外，上述3種實證彻0、 、 例2·1、2-2、2-3之各個從光入射面 123068.doc -22. 200832391 側觀之具有下列結構。 實證例2-1 :聚碳酸酯薄膜（80 μπι)及透明黏著樹脂層（20 μιη)作為透光層10，Au(50 nm)作為反射膜，聚稀烴系樹脂 基板作為基板30。 實證例2-2 :聚碳酸酯薄膜（80 μιη)及透明黏著樹脂層（20 μπι)作為透光層1〇，Ge(50 nm)作為有助於超解析再生之 層，聚烯烴系樹脂基板作為基板30。

實證例2_3 :聚碳酸酯薄膜（80 μιη)及透明黏著樹脂層（2〇 μπι)作為透光層1〇，氧化鋅（144 nm)作為於再生光之光源 波長λ之複折射率經由熱而變化之再生膜21，Ge(5〇 nm)作 為光吸收膜22，聚烯烴系樹脂基板作為基板3〇。 在基板30中係以執道間距〇·32 μηι，從内周按記錄軌道 母1周依序重複形成有標記長度175 nm、16〇 nm、μ? nm 之單凋凹坑，以作為有助於資訊之凹凸形狀之預製凹坑。 接著說明實證例2-1、實證例2_2、實證例2_3之串訊之比 較結果。 圖4之⑷及圖4之（b)係分別為藉由具有藍色雷射光之# 長之波長偏nm半導體雷射、及NA(數值孔徑）G.85之光導 系統為—般所使用之碟片測量機，將實證例2“、 證例2-2及實證你丨7 q + + 一胃t 、 、 例2-3之串訊置相對於再生光2之照射功率之 依存性進行測量之結果。 於來自内周側鄰接記錄軌道之串訊量相對 功率之依存性進行測量之結果，而圖々之 為將來自外周側鄰接 ）糸 筏记錄執道之串訊量相對於再生光2之 123068.doc -23· 200832391 功率之依存性進行測量之結果。 在本實施例中所谓串訊篁係指再生光2掃描之記錄軌道 之載波位準（carrier level)之差，其顯示串訊量之值愈大則 • 來自鄰接之記錄軌道之信號之漏損愈少。 在本實施例中，再生光2知描之記錄軌道之標記長度係 • 為16() nm，而記錄軌道之内周側之鄰接記錄軌道為標記長 • 度175 nm，外周側之鄰接記錄執道為標記長度147 nm，載 波位準之差之單為以dB表示。 鲁 惟以該串訊量之定義而言，係在再生光2掃描之記錄軌 道使再生光2之照射功率上升時，若由於藉由再生膜21之 超解析效果產生而使C/N上升，則串訊量之值就會變大， 而無法正確評估評估來自鄰接記錄軌道之信號之漏損。 然而，在實證例2]、實證例2·2、及實證例2_3之各個 中，標記長度175 nm、160 nm、147⑽之⑽不會因再生 光2之照射功率而變化，此點已完成確認，故無問題。此 _ 外’所測量之線速係為3.0 m/s。 —亦即’執道密度主要係由如上所述㈣義之串訊量來決 疋。此串訊量之值愈大，則來自鄰接之記錄軌道之信號之 • 漏損愈少，因此可更提升軌道密度。 如圖4之⑷所示’與非超解析媒體之實證例2]相同，在 Z本公開專利公報「特開2謝_2助4號公報」所記载之 :解：媒體之實證例2·2中，來自内周侧鄰接記錄軌道之 5里並未依存於再生光2之照射功率而大約為犯。 如圖4之（b)所不，實證例2-1、及實證例2-2之來 123068.d〇c -24- 200832391 自外周側鄰接記錄軌道之串訊量，並未依存於再生光2之 照射功率而大約為23 dB。 此時，由於再生裝置侧之要求，為了將照射再生光2之 上述再生裝置予以穩定再生之串訊量之值，係要求與非超 解析媒體之實證例2-1大約相同之值，要求來自内周側鄰 接記錄轨道之串訊量約為20 dB，而來自外周側鄰接記錄 軌道之串訊量則約為23 dB。 一般要將執道密度提高，係將軌道間距縮窄，因此，來 自W接把錄軌道之信號之漏損會變大，而串訊量會變小。 亦即，在實證例2-1及實證例2-2中，無法藉由使用於此次 測量之上述碟片測量機來將軌道間距縮小到小於〇 U μηι。 此外，若再生光2之光點直徑改變，則滿足上述之串訊 1之轨道間距亦改變。因此，若以再生光2之光點直徑之 再生光2之光源波長λ、與物鏡之數值孔徑να來表示執道 間距’則在實證例2」及實證例2々中，無法將軌道間距縮 小為小於〇.67χ(λ/ΚΑ)。 相對於此，從圖4之（a)及圖4之（1))可明瞭在使用再生膜 21之超解析媒體之實證例2_3中，若使再生光2之照射功率 上升：則串訊量即變大。此外，彳明瞭來自内周侧鄰接記 錄執道之串訊量、及來自外周側鄰接記錄軌道之串訊量， 均較實證例H、 及貫祖例2·2大，而串訊量獲得改善。 例如，在再生光2之照射功率125 mW中，來自内周侧鄰 接記錄執道之串訊量係為25犯，而來自外周側鄰接記錄 123068.doc -25- 200832391 軌道之串訊量則約為38 dB。 如上所述，一般而言，若將轨道間距縮小，則串訊量亦 變小，而可將軌道間距縮短到用以穩定再生上述再生裝置 之來自内周側鄰接記錄軌道之串訊量成為約2〇 dB，及來 自外周側鄰接記錄軌道之串訊量成為約23 dB。 因此在使用再生膜21之超解析媒體之實證例2-3中， 可將軌道間距縮小到小於G67xa/NA)，@可提升執道密 度0

此外，於後雖將在實施形態2中說明，惟如圖4之0)、圖 4之（b)所示，在實證例2_3中係有來自内周側鄰接記錄執道 之串訊量、與來自外周側鄰接記錄軌道之串訊量極大不同 之情形。 因此，在用以妝射再生光2之上述再生裝置中，將再生 光2之中心從記錄軌道之中心偏離至外周㈣，藉此使來自 内周侧鄰接記錄軌道之串訊量、與來自外周侧鄰接記錄轨 道之串訊量相等，串訊量即可更為改善，而更提升軌道密 度。 然而，偏離至該外周側之串訊量之最小值為 0.02χ(λ/ΝΑ)。因此，若不將再生光2之中心偏離

ΤΡ(>〇.〇4χ_Α))至外周側，則實質上不會偏離至外側。 亦即，無法顯現將再生光2之中心從記錄軌道之中心偏離 至外周側之效果，因此無法縮短軌道間距較G 更小。 綜上所述，在非超解析媒體之實證例2_丨、及如圖3所 123068.doc -26 - 200832391 示，在具有線記錄密度之提升效果之日本公開專利公報 「特開2001-250274號公報」所記載之超解析媒體之實證 例2·2中，無法將軌道間距縮小到小於〇·67χ(λ/ΝΑ)，而無 法將軌道密度提高。 然而，在使用再生膜21之超解析媒體之實證例2-3中， 係於小於〇·67χ(λ/ΝΑ)且大於〇·〇4χ(λ/ΝΑ)之範圍，可將軌 道間距縮小，且藉此而可提升軌道密度。 [1-3·再生膜21之再生耐久性之實證實驗] 接著說明藉由再生膜21之光資訊記錄媒體1之再生耐久 性。 在上述實證例1 ·2、及上述實證例1 _3之光資訊記錄媒體 中’比較了標記長度0· 10 μηι之再生信號之再生耐久性。 如此一來，可明瞭以實證例較優異，亦即，再生膜21 具有優異再生耐久性。以下詳細說明此點。 兹進行圖1所示之光資訊記錄媒體1之製作，以下將此稱 為第1實驗媒體。茲說明該第1實驗媒體之製作、及評估之 結果。 作為圖1所示之光資訊記錄媒體1之第1實驗媒體係包含 聚碳酸醋薄膜（80 μηι)及透明黏著樹脂層（20 μιη)作為透光 層10、氧化鋅（144 nm)作為於再生光2之光源波長χ之複折 射率經由熱而變化之再生膜21、Ge(50 nm)作為光吸收膜 22、聚浠煙系樹脂基板作為基板30，而成為由光入射面依 序層積之結構。 在基板30中係以軌道間距0·30 μηι(相當於比 123068.doc -27- 200832391 約〇·32 μηι小，且大於〇·〇4χ(λ/ΝΑ)=約〇 〇2 μιη之量），形成 有標記長度94 nm之單調間距，以作為有助於資訊之再生 之凹凸形狀之預製凹坑。 糟由具有藍色雷射光之波長之波長4〇6 nm半導體雷射、 ' 及NA(數值孔徑）〇·85之光學系統之碟片測量機來測量第i • 實驗媒體之後，可確認以線速3·0 m/s、再生光功率15 • mW、標記長度94 nm2C/N為27 dB，具有優異之再生耐久 性。 • 如此，第1實驗媒體亦可使用於再生專用光資訊記錄媒 體，藉由提升線記錄密度及軌道密度之兩方，更高密度之 吞己錄資訊之再生即成為可能，再者，亦經確認為具有優異 再生耐久性之光資訊記錄媒體。 [實施形態2] 接著’作為第2實施形態，茲說明藉由將再生光2之中心 從記錄執道之中心偏離至外周侧，使來自内周侧鄰接記錄 • 軌道之串訊量、及來自外周側鄰接記錄軌道之串訊量相 等，以提高執道密度之方法。 圖5所示者係為用以將再生光2照射至光資訊記錄媒體6〇 . 之再生裝置50。此光資訊記錄媒體60係指一般所使用之光 資訊記錄媒體，不拘於本實施形態之光資訊記錄媒體1。 再生裝置50係包含由半導體雷射51(雷射光照射機構）、 準直鏡（collimate lens)52(聚光光學機構）、射束整形稜鏡 53(聚光光學機構）、射束分離器（beain Splitter)54(聚光光 學機構）、物鏡55(聚光光學機構）、檢測光學系統56(光電 123068.doc -28- 200832391 轉換機構）組成之光學頭58、及主軸馬達㈣ motor)57 〇 再者’再生裝置5〇係具有未圖示之相對運動機構、伺服 機構、、位址f訊檢測機構、及再生信號解調機構等。 二、半V體Μ射5 1 ’在本實施形態中係使用406 nm之波 長者。 再生光2係為彳文半導體雷射5丨所照射之雷射光，藉由準 直鏡52、物鏡55等之聚光鏡、及射束整形稜鏡53、射束分 離器54等之光學零件而成為射束狀，聚光於光資訊記錄媒 體1上。 相對運動機構（未圖示）係用以使聚光光學機構與光資訊 記錄媒體60相對運動者，由未圖示之線性致動器、及擺臂 (swing arm)等所組成。該相對運動係包含光資訊記錄媒體 1之旋轉或平行移動、及與上述聚光光學機構所包含之聚 光鏡之光軸成直角方向之運動之任一方。 檢測光學系統56用以將來自光資訊記錄媒體6〇之反射光 位準之尚低轉換成電信號者。此外，伺服機構（未圖示）係 用以進行再生光2之自動聚焦、及循軌（tracking)者。 再者’位址資訊檢測機構（未圖示）係用以從藉由將設於 光資訊記錄媒體60上之位址資訊標記進行再生所獲得之電 性號來檢測位址資訊者，而再生信號解調機構（未圖示）係 用以藉由光資訊記錄媒體6 0之反射光，將記錄於光資訊記 錄媒體60之記錄資訊進行再生者。 在本實施形態中，係於光學頭5 8内收納有雷射光照射機 123068.doc -29- 200832391 構、聚光光學機構、光電轉換機構、及伺服機構。此外， 光學頭58係藉由上述之相對運動機構而與光資訊記錄媒體 6〇進行相對運動。然而，雷射光照射機構、光電轉換機構 與聚光光學機構亦可收納於非光學頭58之其他之箱體 (case)。 此外，再生裝置50係以另外包含有用以調節由再生光 2、及光資訊記錄媒體60所構成之角度之角度調節機構為 佳。藉此，即可防止因為再生光2與光資訊記錄媒體6〇之 像差之產生所導致之光點之劣化。 本實施形態之再生裝置50係可將上述實施形態之光資訊 記錄媒體1進行再生。 首先，再生裝置50係將來自作為光源之半導體雷射51之 雷射光藉由準直鏡52而轉換成大致平行光，再者，藉由射 束整形稜鏡53而將光強度之分布整形為大致圓形。 該光強度之分布為大致圓形之平行光係在穿透射束分離 器54之後，藉由物鏡55作為再生光2而聚光於光資訊記錄 媒體60。再者’來自光資訊記錄媒體6()之反射光在射束分 離器54被分歧，而被引導至檢測光學系統％。 此外，主軸馬達57係藉由使光資訊記錄媒體60旋轉，而 使再生光2在光資訊記錄媒體6〇上掃描。 此外’在檢測光學系統56中，係從來自光資訊記錄媒體 60之反射光之偏光方向之變化、或反射光強度之變化等來 辨識來自光貝訊，己錄媒體6〇之信號，而讀取記錄在光資訊 記錄媒體60上之記錄標記。 123068.doc 200832391 此外，同時，藉由檢測光學系統56檢測再生光2對於光 資訊記錄媒體60之焦點偏離信號、及光資訊記錄媒體之 軌道位置偏離信號。以藉由將該焦點偏離信號、與軌道位 置偏離#號反饋至物鏡55之位置，將再生光2盘光資1^己 錄媒體60之位置偏離予以修正之方式，以使光學頭^動 作。在本實施形態中，物鏡55之數值孔徑（NA)係例如設定 為 0.85。

再者，當再生裝置50辨識光資訊記錄媒體6〇為本實施形 態1之光資訊記錄媒體1時，係以將再生光2之中心從記錄 軌道之中心偏離較0·02χ(λ/ΝΑ)大，且較ΤΡ/4小之量而進行 再生之方式使光學頭58動作。 以辨識光資訊記錄媒體60是否為本實施形態丨之光資訊 記錄媒體1之方法而言，係有預先將「是光資訊記錄媒體 L之資訊，例如植入於讀取區，而由再生裝置5〇藉由檢 測光學系統判斷來自光資訊記錄媒體6〇之讀取區之反射光 之方法。 此外，以將再生光2之中 心從記錄執道之中心偏離較 之量而進行再生之方式使光學 0·02χ(λ/ΝΑ)大，且較 τρ/4 小 頭58動作之方法而言，係有藉由對^軌道位置偏離信號電 性施加偏移（offset)，而控制再生光2之中心、與記錄軌道 之中心之偏離量之方法。 如圖4之⑷及圖4之（b)所示，光資訊記錄媒體6〇之來自 内周側鄰接記錄執道之串訊量係小於來自外㈣鄰接記錄 執道之串訊里。因此，可將光資訊記錄媒體⑼之軌道間距 123068.doc 200832391 縮窄到何種裎产，乡 串訊量所決Μ部分係受到内周側鄰接記錄軌道之 因此’藉由將再生光2 、/ 外周侧而進行再生，即可使來錄：道，中心偏離至 二：來外周側鄰接記錄軌道之串訊量相等。 曰.、不將再生光2之中心從 進行再生之情形相鉍 TT ^偏離而 缩窄 又，可將光資訊記錄媒體6〇之軌道間距

資訊記錄媒體-之軌道密度。將該 方之〜攸5己錄軌道之中心偏離至外周侧之量係由 以下方式決定。 "先 身又而曰，循軌飼服為了要穩定地再生信號，需 將其偏離量抑制為小於〇.02χ(λ/ΝΑ)。 ^即，在使再生光2之中心與記錄軌道之中心—致而再 $再生光2之中心、與記錄軌道之中心也有可能會偏 離最大0·02χ(λ/ΝΑ)而再生。 因此，藉由將再生光2之中心、與記錄軌道之中心偏離 較0·02χ(λ/ΝΑ)大’即可有效發揮可藉由光資訊記錄媒體 60提高執道密度之效果。 此外，使用一般推挽（push_pull)方式作為循執伺服時， 若將軌道間距表示為TP，則藉由對於再生光2之中心、與 σ己錄軌道之中心之位置偏離信號電性施加偏移，而可將再 生光2之中心從記錄軌道之中心偏離之量之最大值係為 士(ΤΡ/4) 〇 因此’為了有效發揮可藉由光資訊記錄媒體6〇提高執道 123068.doc •32- 200832391 密度之效果’可將再生光2之中心從記錄軌道之中心偏離 之量之最大值係成為（TP/4)。 如此，藉由再生裝置50將光資訊記錄媒體60進行再生之 際’將再生光2之中心從記錄軌道之中心偏離較 0·02χ(λ/ΝΑ)大，且較ΤΡ/4小之量而進行再生。 藉此，與不將再生光2之中心、與記錄執道之中心偏離 而進行再生之情形相較，可將光資訊記錄媒體6〇之軌道間

距縮窄。因此，可提高光資訊記錄媒體6〇之執道密度。 另外，藉由再生裝置50將再生光2之中心從記錄軌道之 中心偏離較0·02χ(λ/ΝΑ)大，且較ΤΡ/4小之量而進行再生之 光 > 訊§己錄媒體60，即使不暑太眚# Ati — 叫1文个疋奉貫施形態1之光資訊記錄 媒體1’而為具有再峰腔夕甘从 ^ 另丹生膜21之其他之光資訊記錄媒體亦 "δ]* 〇 一此時，雖無法期待可提高軌道密度之效果，惟如圖情 不’在再生光之光源波長入之複折射率經由熱而變化之再 生膜21係具有改善串訊量之效果。 。而，在來自内周側鄰接記錄軌道之串訊量 周侧鄰接記錄軌道之串訊量會產生極大μ。 因此，藉由將再4止〇 > + 先之中心攸記錄執道之中心偏離較 0·02χ(λ/ΝΑ)大，且較 偏離車又 周側鄰接記錄軌道之…二進仃再生’可使來自内 串訊量相等。 °里〃來自外周侧鄰接記錄軌道之 藉此，與藉由將來自 大’而不將再生光2之中 内周側郇接記錄軌道之串訊量增 心與記錄執道之中心偏離進行再 123068.doc -33- 200832391 生之情形相較，為了進行再生梦 裝置5G側所要求之穩定之再 生之串訊1之值即產生裕度。因 J抑制再生裝置50之 成本。 此外’再生裝置50並不以上述之構成為限，例如，只要 =將具有光資訊記錄媒體m膜21之光資訊記錄媒 體進行再生之際’可將再生光2之中心從記錄軌道之中心 偏離較〇.〇2χ(λ/ΝΑ)大，且較τρ/4小之量而進行再生即可。

再者，再生裝置50中除再生或記錄專用之裝置之外，亦 可包含可再生及記錄之兩方之裝置。此外，在使用形態 中，可以是定置型、或攜帶用之任一者。 此外，本實施形態i之光資訊記錄媒體6〇之再生方法係 在將具有光資絲錄媒體丨或再生膜21之光f訊記錄媒體 進打再生之際，將再生光2之中心從記錄軌道之中心偏離 較0.02χ(λ/ΝΑ)大，且較TP/4小之量而進行再生之再生方 法0 (實證實驗2) 接著，作成光資訊記錄媒體1，藉由再生裝置5〇將再生 光2之中心、與記錄執道之中心偏離較〇〇2χ(λ/ΝΑ)大，且 較ΤΡ/4小之量而進行再生，而進行針對該再生耐久性之實 證實驗。 圖1所示之本實證實驗之光資訊記錄媒體丨係包含聚碳酸 酯薄膜（80 μιη)及透明黏著樹脂層（2() μιη)作為透光層1〇、 氧化鋅（144 nm)作為於再生光2之光源波長λ之複折射率經 由熱而變化之再生膜21、Ge(50 nm)作為光吸收膜22、聚 123068.doc •34· 200832391 烯烴系樹脂基板作為基板30，而成為由光入射面依序層積 之結構。之後，將本實證實驗之光資訊記錄媒體稱為第2 實驗媒體。 在基板30中係以軌道間距〇·28 μιη，形成有標記長度94 nm之單調間距’作為有助於資訊之凹凸形狀之預製凹坑 3 1。此執道間距之間隔〇·28 μιη係相當於較〇·67χ(λ/ΝΑ)=約 0·32 μιη小，且較 0·04χ(λ/ΝΑ)=約 〇·〇2 μιη大之量。 藉由具有藍色雷射光之波長之波長4〇6 nm半導體雷射、 及NA(數值孔徑）0.85之再生裝置50來進行測量第2實驗媒 體。以線速3·0 m/s、再生光2之照射功率15 mW，將再生 光2之中心從記錄軌道之中心偏離2〇 nm(相當於較 0·02χ(λ/ΝΑ))=約10 nm大，且較TP/4=7〇 nm小之量）至外周 側而進行再生之後，獲得確認標記長度94 nm之c/n為Μ dB，具有優異之再生耐久性。

η “「、刁灯土兀ι叩牌緣卷匕綠之資 貧訊進行再生者，其特 依序層積透光層或透明 徵為：從上述再生光之入射面側， 123068.doc •35- 200832391 基板、資訊^ §己錄層、基板，且在上述資訊記錄層，至少包 β在上述再生光之光源波長λ之複折射率經由熱而變化之 再生膜，若將形成於上述基板之記錄執道之軌道間距設為 ΤΡ且將用以使上述再生光聚光於上述光資訊記錄媒體上 之物鏡之數值孔徑設為ΝΑ，則滿足〇·67χ(λ/ΝΑ)>ΤΡ>0.04χ (λ/ΝΑ)之關係。 藉此，若再生光入射至在再生光之光源波長^之複折射 率經由熱而變化之再生膜，則上述再生膜本身、或例如與 光吸收膜等之上述再生膜鄰接之層就會吸收再生光之一部 分而轉換為熱。 上述再生膜經由該熱加熱，而於上述再生膜之光點内產 生溫度分布。可推測會由於上述再生膜之光學常數n&k與 該溫度分布對應而產生變化，而使高溫區域内之反射率增 加或減少，再生光點疑似成為縮小之狀態，而可將光學解 析極限以下之標記長度之記錄標記進行再生。 因此，藉由在上述資訊記錄層中包含在再生光之光源波 長λ之複折射率經由熱而變化之上述再生膜，即可提升線 記錄密度，此外，在關於與掃描方向垂直之方向方面亦如 上所述，由於再生光點疑似成為縮小之狀態，因此可改善 串訊。 再者，具有在再生光之光源波長λ之複折射率經由熱而 變化之上述再生膜之上述光資訊記錄媒體，經由實證實驗 已確認再生对久性獲得提升。因此，藉由在再生光之光源 波長λ之複折射率經由熱而變化之上述再生膜，具有優異 123068.doc •36- 200832391 再生财久性之光資訊記錄媒體即成為可能。 此外纟於藉由在上述資訊記錄層包含上述再生膜而改 善串訊，因此可縮小軌道間隔。 具體而言，藉由將在習知技術中為極限之軌道間距設成 比0·67χ(λ/ΝΑ)更+，即可將軌道間隔較f知技術更為縮 乍口此可提升在曰本公開專利公報「特開2〇〇1 _ 250274號公報」等之超解析媒體中所無法達成之執道密 度，而使更局密度之光資訊記錄媒體成為可能。 亦即，隨著線記錄密度亦可同時提升軌道密度，而可獲 得在使用習知之超解析技術之光資訊記錄媒體中所無法： 成之南欲度之記錄容量。 此外，由於光資訊記錄媒體在再生之際旋轉，因此在上 述再生光點疑似縮小之狀態下之中心，會因為與再生光點 之中心偏離等，而會有改善來自上述光資訊記錄媒體之内 周侧之鄰接記錄執道之串訊之量、及改善來自上述光資訊 記錄媒體之外周侧之鄰接記錄軌道之_訊之量之不同之情 形，如上所述，藉由設定為Τρ>〇 〇4χ(λ/ΝΑ)，即可使改善 記錄執道之内周側、及外周側之各個串訊之量相等。藉 此’即可更為改善串訊，而提升執道密度。 此外，本發明之光資訊記錄媒體係一種記錄有資訊，藉 由照射再生光而將該記錄之資訊進行再生者，其特徵為： 從上述再生光之入射面侧，依序層積透光層或透明基板、 貧訊記錄層、基板，且在上述資訊記錄層，至少包含主要 由金屬氧化物所組成之再生臈，若將形成於上述基板之記 123068.doc -37- 200832391 錄軌道之軌道間距設為TP，且將用以使上述再生光聚光於 上述光^訊§己錄媒體上之物鏡之數值孔徑設為να，則滿 足 0·67χ(λ/ΝΑ)>ΤΡ>0·04χ(λ/ΝΑ)之關係。 因此，藉由在上述資訊記錄層，至少包含主要由金屬氧 化物所組成之再生膜，即可提升線記錄密度，此外，在關 於與掃描方向垂直之方向方面亦可改善串訊，因此可將軌 道間隔縮窄。因此，可提升在日本公開專利公報「特開 2001-250274號公報」等之超解析媒體中所無法達成之軌 道密度，而使更高密度之光資訊記錄媒體成為可能。 亦即，隨著線§己錄後度亦可同時提升軌道密度，而可獲 得在使用習知之超解析技術之光資訊記錄媒體中所無法達 成之高密度之記錄容量。 此外，使用主要由金屬氧化物所組成之上述再生膜之上 述光資訊記錄媒體，由於金屬氧化物係化學性穩定，不容 易遭受到隨著再生光入射所產生之破壞，因此顯現良好的 再生耐久性。因此，相較於揭示於日本公開專利公報「特 開2001-250274號公報」及日本公開專利公報「特開平夂 93058唬公報」之光資訊記錄媒體，再生耐久性獲得提升 之光資訊記錄媒體即成為可能。 再者，主要由金屬氧化物所組成之上述再生膜之成膜， 係可藉由蒸鍵法或濺鍍法來製作，因此亦具有可較容易形 成之效果。 再者’金屬氧化物係可藉由還原處理而回收作為金屬。 因此，亦具有光資訊記錄媒體之循環利用（recycle)效率提 123068.doc -38- 200832391 升之效果。 此外，在本發明之光資訊記錄媒體中，係進一步以上述 再生膜為氧化鋅、或以氧化鋅為主成分之化合物為佳。 藉此，作為金屬氧化物之氧化鋅係化學性穩定物質，耐 久性較佳，因此於再生光入射時不會溶解，而難以遭受破 壞。因此，具有更高再生耐久性之光資訊記錄媒體即成為 可能。 此外，氧化鋅價格低廉，係對於環境造成負荷較少之物 質。因此，可抑制生產成本，且提供環境調和型之光資訊 記錄媒體。此外’具有可容易實現上述之本發明之光資訊 記錄媒體之效果。 再者，氧化鋅係較色素膜價格低廉，因此相較於使用色 素膜之超解析技術，具有可減低成本之效果。 此外，相變化材料管理較困難且花費管理成本，然而氧 化辞具有環境穩定性高且管理成本低廉之效I，因此相較 於使用相變化狀超解析技術，具有可絲成本之效果。 此外，本發明之將光資訊記錄媒體進行再生之光資訊記 錄媒體再生裝置之特徵係為將上述再生光之中心、，從上述 記錄軌道之中心偏離較0·02χ(λ/ΝΑ)大，且較ΤΡΜ小之量而 進行再生。 猎此，即可使來自將上述光資訊記錄媒體進行再生之際 之内周侧之卻接執道之串訊、及來自上述光資訊記錄媒體 之外周側之郇接軌道之串訊相等，因此可更提升軌道密 度。因此，可提供高密度之光資訊記錄媒體再生裝置。 123068.doc -39- 200832391 此外，本發明之將光資訊記錄媒體進行再生之光資訊記 錄媒體再生方法之特徵係為將上述再生光之中心，從上述 記錄執道之中心偏離較0·02χ(λ/ΝΑ)大，且較TP/4小之量而 進行再生。 藉此，即可使來自將上述光資訊記錄媒體進行再生之際 之内周側之鄰接軌道之串訊、及來自上述光資訊記錄媒體 之外周侧之鄰接軌道之串訊相等，因此可更提升執道密 度。因此，提供高密度之光資訊記錄媒體再生方法即成為 可能。 在發明内容項中所說明之具體實施形態或實施例僅係用 以使本發明之技術内容明瞭者，不應以該種具體例為限 而狹義解釋，只要是本發明之精神及在下列所記載之申請 專利範圍之範圍内，均可作各種變更而予以實施。 【圖式簡單說明】 圖1係為顯示本發明之一實施形態之光資訊記錄媒體之 一部分之剖面圖。 圖2係為從斜上方觀看本發明之一實施形態之光資訊記 錄媒體之基板之一部分之立體圖。 圖3係為顯示本發明之一實施形態之光資訊記錄媒體之 實證例1 -1、實證例1 -2、及實證例1 ·3之各個之C/N之標記 長度依存性（OTF)之特性圖。 圖4之（a)係為顯示實證例2-1、實證例2-2及實證例2-3之 各個之來自内周側鄰接記錄軌道之串訊量之再生光功率依 存性之特性圖。 123068.doc -40- 200832391 圖4之（b)係為顯示實證例2]、實證例2·2及實證例2私 各個之來自外周侧鄰接記錄軌道之串訊量之再生光功率依 存性之特性圖。 圖5係為顯示可將上述光資訊記錄媒體進行再生之光資 訊記錄媒體再生裝置之概略構成之區塊圖。 【主要元件符號說明】 1 光資訊記錄媒體 2 再生光 10 透光層 20 資訊記錄層 21 再生膜 22 光吸收膜 30 基板 31 預製凹坑 50 光資訊記錄媒體再生裝置（再生裝置） 51 半導體雷射（雷射光照射機構） 52 準直鏡（聚光光學機構） 53 射束整形稜鏡（聚光光學機構） 54 射束分離器（聚光光學機構） 55 物鏡（聚光光學機構） 56 檢測光學系統（光電轉換機構） 57 主轴馬達 58 光學頭 60 光資訊記錄媒體 123068.doc -41-

Claims (1)

1. 200832391 十、申請專利範圍： 1 · 一種光資訊記錄媒體，其係記錄有資訊，藉由照射再生 光而使該記錄之資訊再生者，其特徵為： ^ 從上述再生光之入射面側依序層積透光層或透明基 - 板、資訊記錄層及基板； ^ 在上述資訊記錄層至少包含對上述再生光之光源波長 . λ之複折射率因熱而變化之再生膜； 若將形成於上述基板之記錄執道之軌道間距設為ΤΡ， 修 將使上述再生光聚光於上述光資訊記錄媒體上之物鏡之 數值孔徑設為ΝΑ， 則滿足 0·67χ(λ/ΝΑ)>ΤΡ>〇·〇4χ(λ/ΝΑ)之關儀。 2· 一種光資訊記錄媒體，其係記錄有資訊，藉由照射再生 光而使該記錄之資訊再生者，其特徵為： 從上述再生光之入射面侧依序層積透光層或透明基 板、資訊記錄層及基板； 在上述貢訊記錄層至少包含主要包括金屬氧化物之再 _ 生膜； 右將形成於上述基板之記錄軌道之軌道間距設為τρ， ， κ吏上述再生光聚光於上述光資m記錄帛體上之物鏡之 數值孔徑設為NA， 則滿足 0·67χ(λ/ΝΑ)>ΤΡ>0_04χ(λ/ΝΑ)之關係。 3·如請求項1或2之光資訊記錄媒體，其中 上述再生膜係氧化鋅或以氧化鋅為主成分之化合物。 4. -種光資誠㈣體再线置，其特徵為：其係使如請 123068.doc 200832391 求項1或2之光資訊記錄媒體再生者，且 使上述再生光之中心從上述記錄執道之 〇·〇2χ(λ/ΝΑ)大且較TP/4小之量而再生。 ' 5 · 一種光資訊記錄媒體再生方法，其特徵為： • 求項1或2之光資訊記錄媒體再生者，且 - 使上述再生光之中心從上述記錄軌道之 . 〇·〇2χ(λ/ΝΑ)大且較ΤΡ/4小之量而再生。 中心偏離較 其係使如請 中心偏離較

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