TW200828624A - Light-emitting diode and method for manufacturing the same - Google Patents

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200828624 九、發明說明 ..........................................................〜 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種發光元件，且特別是有關於一種發 光二極體（Light-Emitting Diode ; LED)及其製造方法。 •半導體發光it件，例如發光二極體，係利用半導體材料 所製作而成的元件，為一種可將電能轉換為光能之微細固態 光源。由於’此類半導體發光元件不但體積小，更具有驅動 電懲低、反應速率快、耐震、壽命長等特性，纟又可配人各 式應用設備輕、薄、短、小之需求，因而已成為日常生：中 相當普及之光電元件。 目刚’在製作發光二極體元件時，係直接在基板上成長 低溫之氮化銦鎵來作為緩衝層。如此—來，會使得緩衝層 之差排缺陷（Dislocation Defects)密度大幅提升，進而導致ς 光元件之壽命縮減，並導致發光元件之性能下降。 Χ 因此’目前亟需一種發光二極體元件，不僅具有高軸向 光取出率以及高發光效率，更具有高操作性能與更長久之使 用哥命，以期符合市場上日趨嚴格之產品要求。 【發明内容】 因此’本發明之目的就是在提供一種發光二極體，其基 板與發光蠢晶結構之間母罢 °置有具規則圖形之反射結構，故可 大幅增加發光二極體元杜夕击 件之軸向光取出率，進而可提升元件 200828624 之發光效率與發光亮度。 本發明之另一目的是在提供一種發光二極體，其基板與 發光蠢晶結構之間的&射結構中設有許多開σ而呈週期性結 構口此可使光產生散射效果，進一步增加發光二極體元件 之光取出率。 本發明之又一目的是在提供一種發光二極體之製造方 法，其係利用磊晶橫向成長法（Epitaxial以⑽丨⑽啊滅； ELO)於基板及反射結構上成長緩衝層與發光磊晶結構，如此 一來，可降低緩衝層與發光磊晶結構之差排缺陷密度，因此 可獲得咼品質之磊晶結構，進而可提升發光二極體元件之操 作穩定度，延長元件之使用壽命。 根據本發明之上述目的，提出一種發光二極體，至少包 括：一基板；一反射結構設於基板之一表面上，其中此反射 結構中設有複數個開口，而將反射結構定義成具有規則圖形 之結構，並暴露出基板之表面之一部分；一緩衝層設於反射 結構與基板之表面之暴露部分上，並填滿這些開口；以及一 發光蠢晶結構設於緩衝層上。 依照本發明一較佳實施例，上述之反射結構係分散式布 拉格反射（Distributed Bragg Reflector ; DBR)結構。 依照本發明之另一較佳實施例，上述之反射結構係一維 光子晶體反射（Photonic Crystal Reflector ; PCR)結構。 根據本發明之目的，提出一種發光二極體之製造方法， 至少包括：提供一基板；形成一反射結構於基板之一表面上， 其中此反射結構中設有複數個開口，而使此反射結構成為具 6 200828624 有規則圖形之結構，並暴露出基板之表面之一部分；形成一 緩衝層設於反射結構與基板之表面之暴露部分上，並填滿這 些開口；以及形成一發光磊晶結構於緩衝層上。 依照本發明一較佳實施例，形成上述緩衝層之步驟係利 用蟲晶橫向成長法。 “ 依照本發明之另一較佳實施例，形成上述發光磊晶結構 之步驟係利用蠢晶橫向成長法。 根據本發明之目的，另提出一種發光二極體，至少包括· 基板，其中基板之一表面之一部分設有複數個凹槽，而使 基板之一表面結構具有規則圖案；一反射結構設於基板之表 面的另一部分上；一緩衝層設於反射結構與基板之凹槽上， 並填滿這些凹槽；以及一發光磊晶結構設於緩衝層上。 根據本發明之目的，另提出一種發光二極體之製造方 法’至少包括：提供一基板；形成一反射層覆蓋在基板之一 表面上；進行一圖案定義步驟，以在反射層與基板中形成複 數個凹槽’而將反射層定義成具有規則圖形之一反射結構； 形成一緩衝層覆蓋在反射結構與基板之凹槽上，並填滿這些 凹槽；以及形成一發光磊晶結構於緩衝層上。 根據本發明之目的，更提出一種發光二極體，至少包括： —基板，其中基板之一表面之一部分設有複數個凹槽，而使 基板之一表面結構具有規則圖案；一反射結構設於這些凹槽 之底面上；一緩衝層設於反射結構與基板之凹槽上，並填滿 這些凹槽；以及一發光磊晶結構設於緩衝層上。 根據本發明之目的，更提出一種發光二極體之製造方 200828624 法，至少包括：提供-基板；進行一圖案定義步驟，以在基 板之一表面中形成複數個凹槽，而使基板之一表面結構具有 規則圖案；形成一反射結構於這4b凹槽之念二L y ^ — Uhl底面上；形成一緩 衝層覆盖在反射結構與基板之凹槽上，並擔、生tt 1曰工 亚填滿這些凹槽；以 及形成一發光蠢晶結構於緩衝層上。 【實施方式】 本發明揭露一種發光二極體及其製造方法，其基板與磊 晶結構之間設有週期性反射結構，且具有高品質之磊晶结 構，因此可提高發光二極體元件之光取出率，並可有效延長 元件之壽命，更可提升元件之操作品質。為了使本發明之敘 述更加詳盡與完備’可參照下列描述並配合第i圖 之圖式。 請參照第1圖至第3 W ’其係繪示依照本發明一較佳實 的-種發光二極體之製程剖面圖。製作發光二極體時，、 先柃供基板100’以供後續材料層磊晶成長於其上。接下來， 利用沉積方式形成反射層1G4完全覆蓋在基板⑽之表面102 t如第i圖所示。在本示範實施例中，反㈣刚可至少 氧化薄膜’其中這些氧化薄膜相互堆疊在基板100 射層104較佳可例如為分散式布拉格反射 結構、、子Ba體反射結構等高反射功能之多層薄膜堆疊 =來，制❹W彡與#財式，對反 圖案疋義步驟，而移除部分之反射層⑽，藉以形成具有t 200828624 開口 106之反射結構108,其中這些開σ 1〇6暴露出 板100 W，如第2圖所示。在本發明中，進行圖土 步驟可採用乾式敍刻法或濕式敍n藉由此β 驟’可將反射層104圖案化成為具有週期性 形2 結構108。 之反射 待完成具規則圖形之反射結構⑽》，先利用例如石曰 方式成長緩衝層110,覆蓋在反射結構108與基板100之= m的暴露部分，並填滿所有之開口 106。在本示範實施例；， 可使用磊晶橫向成長法來成長緩衝層110。由於利用磊晶橫向 成長法可使得緩衝们10順著基材100的晶格方向生長，如 來可有效降低緩衝f 110之差排缺陷密度，而獲得具高 口口貝之蠢晶橫向成長結構的緩衝層丨丨〇。 a曰 接著，利用例如蟲晶方式於緩衝層110上成長發光蟲曰£ κ 、·、。構112。發光以結構112至少包括第—電性半導體層114' 主動層116以及第二電性半導體層118。製作發光蟲晶結構112 時’先於基板1GG上方之緩衝層11()上|晶成長第—電性半 導體層114’再於第—電性半導體層114上蟲晶成長主動層 116 ’然後於主動& 116上義晶成長第二電性半導體層118。 至此’已完成發光二極體12〇之主要結構，如第3圖所示。 第-電性半導體層114與第二電性半導㈣ns具有不同電 ♦舉例而吕，當第—電性為N型時，第二電性為p型；而 一電性為P型時，第二電性為N型。在本示範實施例中， 5電隹為N型’且第二電性為P $。在本示範實施例中， 5樣可使用站晶彳頁向成長法來成長發光磊晶結構112。如此一 9 200828624 來，同樣可降低發光磊晶結構1 1 2之差排缺陷密度，而獲得 高品質之蠢晶橫向成長的發光磊晶結構丨1 2。 請參照第3圖，由於發光磊晶結構112與基板1〇〇之間 設有反射結構108,且反射結構108中設有開口 1〇6而具有規 則圖形，因此反射結構1〇8可將主動層116朝基板ι〇〇方向 所發出之光122予以有效反射，而可增加發光二極體ι2〇之 軸向光取出。此外，由於反射結構1〇8呈週期性規則圖形結 (構，因此受到非全面性平整之反射結構1〇8的影響，可使朝 基板100方向的光122產生散射效果，可進一步增加發光二 極It 120之光取出效|，而可提升元件之發光效率與發光亮 度。再者，利用磊晶橫向成長方式成長緩衝層i 1〇與發光磊 晶結構112,可大幅降低缓衝層11〇與發光磊晶結構ιΐ2之差 排缺陷密度’而獲得高品f之缓衝層11()與發光蟲晶結構 112，因此可提升發光二極體12〇操作穩定度，並可延長發光 二極體120元件之使用壽命。 上’如第4圖所 (—睛參照第4圖至第6圖，其係繪示依照本發明另一較佳 I貫施例的一種發光二極體之製程剖面圖。製作發光二極體 時，先提供基板200,以供後續材料層磊晶成長於其上。接下 來，利用沉積方式形成反射層2〇4完全覆蓋在基板期之表

膜，其中這些氧化薄膜相互堆疊在基 反射層204較佳可例如為分散式布拉 晶體反射結構等高反射功能之多層薄 可至少包括數層氧化薄膜， 板200之表面2〇2上。反射 格反射結構或一維光子晶體 膜堆疊結構。 200828624 接下來’利用例如微影與㈣方式，對反射層2G4 板200進行圖幸定羞牛_ _ _ . /、土 + 部分之反射層2G4與部分 之基板’精以形成數個凹槽206延伸在反射層與基材 中’使基板200之表面結構具有規則 -定義成具有規則圖形之反射結構2〇8，如第5圖所示射： 此’在本示範實施例中，這些凹槽2G6係㈣基板_之表 面2〇2的一部分，而反射結構208則係位於基板200之表面 2〇2的另-部分上。在本發明中，進行圖以義步驟可採用乾 式姓刻法或濕式㈣法。藉由此圖案定義步驟，可將反射層 2〇4圖案化成為具有週期性規則圖形之反射結構期。 然後，利用例如遙晶方式成長緩衝層21〇，覆蓋在反射結 構208與基板200之凹槽裏，並填滿所有之凹槽施。在本 不範實施例中，可使用蠢晶橫向成長法來成長緩衝層21〇。由 :利用磊晶橫向成長法可使得緩衝層21〇順著基材2〇〇的晶 。向生長如此來可有效降低緩衝層210之差排缺陷密 度，而獲彳于具兩品質之磊晶橫向成長結構的緩衝層2丨〇。 么士接著，利用例如遙晶方式於緩衝層21〇上成長發光蟲晶 結構212。發光磊晶結構212至少包括第一電性半導體層 叫、主動層216以及第二電性半導體層21卜製作發光^ :構⑴時，先於基板200上方之緩衝層21〇上蟲晶成長第 ~電性半導體層2丨4，再於第一電性半導體層214上蟲晶成長 動層216’然後於主動層216上磊晶成長第二電性半導體層 川。至此，已完成發光二極體22〇之主要結構，如第6圖^ 不。第一電性半導體層214與第二電性半導體層218具有不 11 200828624 同電性。舉例而言’當第一電性為N型時，第二電性為p型； 而δ第一電性為P型時，第二電性為N型。在本示範實施例 中，第一電性為N型，且第二電性為p型。在本示範實施例 中，同樣可使用磊晶橫向成長法來成長發光磊晶結構212。如 此一來，同樣可降低發光磊晶結構2丨2之差排缺陷密度，而 獲得高品質之磊晶橫向成長的發光磊晶結構212。 由於發光磊晶結構212與基板200之間設有反射結構 208，且反射結構208具有規則圖形，因此反射結構2〇8可將 主動層216朝基板200方向所發出之光予以有效反射，而可 增加發光二極體220之軸向光取出。此外，由於反射結構2〇8 與基板200之表面202呈週期性規則圖形結構，因此受到非 全面性平整之反射結構2〇8與基板2〇〇表面結構的影響，可 使朝基板200方向的光產生散射效果，可進一步增加發光二 極體220之光取出效果’而可提升元件之發光效率與發光亮 度。再者，利用磊晶橫向成長方式成長緩衝層21〇與發光磊 晶結構212,可大幅降低緩衝層21〇與發光磊晶結構212之差 排缺陷密度’而獲得高品質之緩衝層21〇與發光磊晶結構 212,因此可提升發光二極體22〇操作穩定度，並可延長發光 二極體22〇元件之使用壽命。 —請參照帛7圖與帛8目，其係緣示依照本發明又一較佳 貝施例的-種發光二極體之製程剖面圖。製作發光二極體 時’先提供基板3〇〇，以供後續材料層磊晶成長於其上。 來，利用例如微影與钱刻方式，對基板3〇〇之表自搬進行 圖案定義步驟，而移除部分之基板30G,藉以在基板则之表 12 200828624 數個凹槽3〇4。在本發明中，進行圖案定義步驟 匕式蝕刻法或濕式蝕刻法。#由此圖案定義步驟，可 ::板3〇〇之表自3()2圖案化成為具有週期性規則圖形之表 而使得設於凹槽3°4之底面3〇6上的反射結構3〇: - 相案。接著，㈣沉積方式形成反射結構3〇8於茂 =00之凹们04的底自306上，如第7圖所示。在本㈣ 貝，例中，反射結才冓3〇8可至少包括數層氧化薄膜，其中這 些氧化薄膜相互堆疊在基板遍之凹槽304的底面3〇6上。 反，結構308車交佳可例如為分散式布拉格反射結構或一維光 子晶體反射結構等高反射功能之多層薄膜堆疊結構。 然後，利用例如磊晶方式成長緩衝層31〇， 構308與基板3⑽之凹槽綱上，並填滿所有之凹槽3〇4射: 本不範實施例中，可使用磊晶橫向成長法來成長緩衝層31〇。

=於利用蟲晶橫向成長法可使得緩衝層31〇順著基材鳩的 晶格=向生長，因此可有效降低緩衝層310之差排缺陷密度， 而獲侍具尚品質之磊晶橫向成長結構的緩衝層3丨〇。接著，利 =例如磊晶方式於緩衝層310上成長發光磊晶結構31h發光 磊晶結構312至少包括第一電性半導體層314、主動層316以 及第二電性半導體層318。製作發光磊晶結構312時，先於緩 衝層310上從晶成長第一電性半導體層314，再於第一電性半 導體層314上磊晶成長主動層316,然後於主動層316上磊晶 成長第二電性半導體層318。至此，已完成發光二極體32〇之 主要結構，如第7圖所示。第一電性半導體層314與第二電 性半導體層318具有不同電性。舉例而言，當第一電性為N 13 200828624 型時，第二電性為p型，而當第一電性為p型時，第二電性 為N型。在本示範實施例中，第一電性為N型，且第二電性 為P型。在本示範實施例中，同樣可使用磊晶橫向成長法來 成長發光磊晶結構312。如此一來，同樣可降低發光磊晶結構 • 3i2之差排缺陷密度，而獲得高品質之蠢晶橫向成長的發光蠢 晶結構3 12。 由於發光磊晶結構312與基板3〇〇之間設有反射結構 308，且反射結構308因設於基板3〇〇之凹槽3〇4中而具有規 則圖形，因此反射結構308可將主動層316朝基板3〇〇方向 所發出之光予以有效反射，而可增加發光二極體32〇之轴向 光取出。此外，由於反射結構308與基板3〇〇之表面3〇2呈 週期性規則圖形結構，因此受到非全面性平整之反射結構3〇8 與基板300表面結構的影響，可使朝基板3〇〇方向的光產生 散射效果，可進一步增加發光二極體32〇之光取出效果，而 可提升元件之發光效率與發光亮度。再者，㈣遙晶橫向成 ,長方式成長缓衝層310與發光磊晶結構3丨2,可大幅降低緩衝 V層310與發光磊晶結構312之差排缺陷密度，而獲得高品質 之緩衝層310與發光磊晶結構312，因此可提升發光二極體 320操作穩定度，並可延長發光二極體32〇元件之使用壽命。 由上述本發明較佳實施例可知，本發明之一優點就是因 為本發明之發光二極體的基板與發光磊晶結構之間設置有反 射結構，因此可大幅增加發光二極體元件之軸向光取出率， 進而可提升元件之發光效率與發光亮度。 由上述本發明較佳實施例可知，本發明之另一優點就是 14 200828624 因為本發明之發光二極體的基板與發光磊晶結構之間的反射 結構中設有許多開口而呈週期性結構，因此可使光產生散射 效果’進一步増加發光二極體元件之光取出率。 由上述本發明較佳實施例可知，本發明之又一優點就是 因為本發明之發光二極體之製造方法係利用磊晶橫向成長法 成長緩衝層與發光磊晶結構，如此一來，可降低緩衝層與發 光麻晶結構之差排缺陷密I，因士匕可獲得冑口口口質之蠢晶結 構進而可提升發光二極體元件之操作穩定度，延長元件之 使用壽命。 雖然本發明已以一齡社每—γ丨# + 孕乂 4土貝方也例揭鉻如上，然其並非用以 限定本發明，任何扃斗妊i a 任仃在此技術領域中具有通常知識者，在不脫 離本發明之精神和範圍内，告 ^ ^ Q , 田可作各種之更動與潤飾，因此 本發明之保護範圍當視德w 寸之申#專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 〔發 第1圖至第3圖係繪示依照本發明 光二極體之製程剖面圖。 較佳實施例的一種 弟4圖至弟6圖孫絡-从 口係繪不依照本發明另 種發光二極體之製程剖面圖。 第7圖與第8圖伤給-> , 糸繪不依照本發明又 種發光二極體之製程剖面圖。 較佳實施例的一 較佳實施例的一 【主要元件符號說明】 100 :基板 1〇2 :表面 15 200828624 104 :反射層 108 :反射結構 112 :發光磊晶結構 116 :主動層 120 :發光二極體 200 :基板 204 :反射層 208 :反射結構 212 :發光磊晶結構 216 :主動層 220 :發光二極體 302 :表面 306 :底面 310 :缓衝層 314 :第一電性半導體層 318:第二電性半導體層 106 ： 開口 110 : 缓衝層 114 ： 第一電性半導體層 118 ： 第二電性半導體層 122 ： 光 202 ： 表面 206 ： 凹槽 210 ： 缓衝層 214 ： 第一電性半導體層 218 ： 第二電性半導體層 300 ： 基板 304 ： 凹槽 308 ： 反射結構 312 ： 發光蠢晶結構 316 ： 主動層 320 ： 發光二極體

Claims (1)

1. 200828624

   十、申請專利範圍 1 · 一種發光二極體，至少包括： 一基板； 一反射結構，設於該基板之一表面上，其中該反射結構 中設有複數個開口，而將該反射結構定義成具有規則圖形之 結構，並暴露出該基板之該表面之一部分； 一缓衝層，設於該反射結構與該基板之該表面之該暴露 部分上，並填滿該些開口；以及 一發光磊晶結構，設於該缓衝層上。 2·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該 反射結構至少包括互相堆疊之複數個氧化薄膜。 3·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該 反射結構係一分散式布拉格反射（DBR)結構。 4·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該 反射結構係一一維光子晶體反射（PCR)結構。 5·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中该 發光蟲晶結構至少包括依序堆疊在該缓衝層之一第一電性 半導體層、一主動層以及一第二電性半導體層，且該第一電 性半‘體層與該第二電性半導體層具有不同電性。 17 200828624 6·如申請專利範圍第5項所述之發光二極體，其中該 第一電性半導體層為Ν型，該第二電性半導體層為Ρ型。 7·如申請專利範圍第5項所述之發光二極體，其中該 發光蠢晶結構係一磊晶橫向成長結構。 8·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該 缓衝層係一磊晶橫向成長層。 9· 一種發光二極體之製造方法，至少包括： 提供一基板； 形成一反射結構於該基板之一表面上，其中該反射結構 中设有複數個開口，而使該反射結構成為具有規則圖形之結 構，並暴露出該基板之該表面之一部分； 形成一緩衝層設於該反射結構與該基板之該表面之該 暴露部分上，並填滿該些開口；以及 形成一發光磊晶結構於該緩衝層上。 、ι〇.如申請專利範圍第9項所述之發光二極體之製造方 法，其中形成該反射結構之步驟至少包括：

   ，以及 而形成該 18 200828624 、ii.如中請專利範圍第1G項所述之發光二極 方法，其中該反射層至少包括 集 «至V包括互相堆疊之複數個氧化薄膜。 之製造 12.如中請專利範圍第1G項所述之發光二極體 方法’其中該圖案定義步驟包括利用-乾式蚀刻法（ η.如巾請專利範圍第1G項所述之發光二極體之努造 其中該®案定義步驟包括利用-濕式姓刻法。 、14.如中請專利範圍第9項所述之發光二極體之製造方 法，其中形成該緩衝層之步驟係利用—蟲晶橫向成長法。 、丨5.如申請專利範圍第9項所述之發光二極體之製造方 法’其中形成該發光蟲晶結構之步驟係利用—蟲晶橫向成長 16.如申兩專利範圍第9項所述之發光二極體之製造方 法，其中形成该發光蟲晶結構之步驟至少包括： 形成一第一電性半導體層於該缓衝層上； 形成一主動層於該第一電性半導體層上；以及 形成一第二電性半導體層於該主動層上，其中該第一電 性半導體層與該第二電性半導體層具有不同電性。 17·如申請專利範圍第16項所述之發光二極體之製造 19 200828624 方法、’其中該第—電性半導體層4 N型，該第二電性半導 18·如申請專利範圍第9項所述之發光二極體之製造方 法，其中該反射結構係-分散式布拉格反射結構。 、19.如中請專利範圍第9項所述之發光二極體之製造方 法’其中該反射結構係一一維光子晶體反射結構。 20. —種發光二極體之製造方法，至少包括： 提供一基板； 形成一反射層於該基板之一表面上； 進行一圖案定義步驟，以在該反射層中形成複數個開 口，而將該反射層定義成具有規則圖形之一反射結構，並暴 露出該基板之該表面之一部分； 利用一蠢晶檢向成長法形成一緩衝層設於該反射結構 I與該基板之該表面之該暴露部分上，並填滿該些開口；以及 利用該磊晶橫向成長法形成一發光磊晶結構於該緩衝 層上。 21·如申請專利範圍第20項所述之發光二極體之製造 方法，其中該反射層至少包括互相堆疊之複數個氧化薄膜。 22·如申請專利範圍第20項所述之發光二極體之製造 20 200828624 方法’其中該圖案定義步驟包括利用一乾式蝕刻法。 23·如申請專利範圍第20項所述之發光二極體之製造 方法’其中該圖案定義步驟包括利用一濕式钱刻法。 24·如申請專利範圍第2〇項所述之發光二極體之製造 方法’其中形成該發光磊晶結構之步驟至少包括： 形成一第一電性半導體層於該缓衝層上； 形成一主動層於該第一電性半導體層上；以及 形成一第二電性半導體層於該主動層上，其中該第一電 性半導體層與該第二電性半導體層具有不同電性。 25·如申請專利範圍第24項所述之發光二極體之製造 方法，其中該第一電性半導體層為N型，該第二電性半導 體層為P型。 26·如申請專利範圍第20項所述之發光二極體之製造 方法，其中該反射結構係一分散式布拉格反射結構。 27·如申請專利範圍第20項所述之發光二極體之製造 方法，其中該反射結構係--維光子晶體反射結構。 28· —種發光二極體，至少包括： 一基板’其中该基板之一表面之一部分設有複數個凹 21 200828624 槽，而使該基板之一表面結構具有規則圖案； 一反射結構，設於該基板之該表面的另一部分上； 一緩衝層，設於該反射結構與該基板之該些凹槽上，並 填滿該些凹槽；以及 一發光磊晶結構，設於該緩衝層上。 29.如申請專利範圍第28項所述之發光二極體，其中 該反射結構至少包括互相堆疊之複數個氧化薄膜。 3〇.如申請專利範圍第28項所述之發光二極體，其中 該反射結構係一分散式布拉格反射結構。 31. 如申請專利範圍第28項所述之發光二極體，其中 該反射結構係—維光子晶體反射結構。 32. 如申請專利範圍第28項所述之發光二極體，其中 該發光磊晶結構至少包括依序堆疊在該緩衝層之一第一電 性半導體層、-主動層以及—第二電性半導體層，且該第一 電性半導體層與該第二電性半導體層具有*同電性。 * 33.如申請專利範圍第32項所述之發光二極體，其中 °玄第電陡半導體層為，該第二電性半導體層為P型。 34.如申請專利範圍第32項所述之發光二極體，其中 22 200828624 遠發光蟲晶結構係一蠢晶橫向成長結構。 35·如申請專利範圍第28項所述之發光二極體，其中 該緩衝層係一磊晶橫向成長層。 36· —種發光二極體之製造方法，至少包括： 提供一基板； 形成一反射層覆蓋在該基板之一表面上； 進行一圖案定義步驟，以在該反射層與該基板中形成複 數個凹槽，而將該反射層定義成具有規則圖形之一反射結 構， 形成一緩衝層覆蓋在該反射結構與該基板之該些凹槽 上’並填滿該些凹槽；以及 形成一發光磊晶結構於該緩衝層上。 37.如申請專利範圍第36項所述之發光二極體之製造 方法，其中該反射層至少包括互相堆疊之複數個氧化薄膜。 38·如申明專利範圍第36項所述之發光二極體之製造 方法，其中該圖案定義步驟包括利用一乾式蝕刻法。 、39.如申請專利範圍第36項所述之發光二極體之製造 方法，其中該圖案定義步驟包括利用一濕式蝕刻法。 23 200828624 40.如申請專利範圍第36項所述之發光二極體之製造 方法’其中开> 成該緩衝層之步驟係利用一蠢晶橫向成長法。 41·如申請專利範圍第36項所述之發光二極體之製造 方法’其中形成該發光磊晶結構之步驟係利用一磊晶橫向成 長法。 42·如申請專利範圍第36項所述之發光二極體之製造 方法’其中形成該發光磊晶結構之步驟至少包括： 形成一第一電性半導體層於該缓衝層上； 形成一主動層於該第一電性半導體層上；以及 形成一第二電性半導體層於該主動層上，其中該第一電 性半導體層與該第二電性半導體層具有不同電性。 4 3 ·如申晴專利範圍第4 2項所述之發光二極體之製造 方法’其中該第一電性半導體層為N型，該第二電性半導 體層為P型。 44·如申請專利範圍第36項所述之發光二極體之製造 套其中該反射結構係一分散式布拉格反射結構。 45·如申請專利範圍第36項所述之發光二極體之製造 方法’其中該反射結構係——維光子晶體反射結構。 24 200828624 46· —種發光二極體，至少包括： -基板，其巾該基板之—表面之—部分設有複數個凹 槽，而使該基板之一表面結構具有規則圖案，· 一反射結構，設於該些凹槽之底面上· -緩衝層’設於該反射結構與該基板之該些凹槽上，並 填滿該些凹槽；以及 一發光磊晶結構，設於該緩衝層上。 47·如申請專利範圍第46項所述之發光二極體，其中 該反射結構至少包括互相堆疊之複數個氧化薄膜。、 48·如申請專利範圍第46項所述之發光二極體，其中 該反射結構係一分散式布拉格反射結構。 八 49·如申請專利範圍第46項所述之發光二極體，其中 該反射結構係一一維光子晶體反射結構。 50如申明專利範圍第46項所述之發光二極體，其中 該發光蠢晶結構至少包括依序堆疊在該緩衝層之一第一電 性半導體層、一主動層以及一第二電性半導體層，且該第一 電性半導體層與該第二電性半導體層具有不同電性。 51·如申請專利範圍第50項所述之發光二極體，其中 該第一電性半導體層為Ν型，該第二電性半導體層為ρ型。 25 200828624 52·如申請專利範圍第50項所述之發光二極體，其中 該發光磊晶結構係一磊晶橫向成長結構。 53·如申請專利範圍第46項所述之發光二極體，其中 該緩衝層係一蠢晶橫向成長層。 54· —種發光二極體之製造方法，至少包括： 提供一基板； 進行一圖案定義步驟，以在該基板之一表面中形成複數 個凹槽，而使該基板之一表面結構具有規則圖案； 形成一反射結構於該些凹槽之底面上； 形成一缓衝層覆蓋在該反射結構與該基板之該些凹槽 上，並填滿該些凹槽；以及 形成一發光蠢晶結構於該緩衝層上。 55·如申請專利範圍第54項所述之發光二極體之製造 方法’其中5亥反射結構至少包括互相堆疊之複數個氧化薄 膜。 彳 56·如申請專利範圍第54項所述之發光二極體之製造 方法，其中該圖案定義步驟包括利用一乾式蝕刻法。 57.如申請專利範圍第54項所述之發光二極體之製造 方法，其中該圖案定義步驟包括利用一濕式蝕刻法。 26 200828624 58.如申請專利範圍第54項所述之發光二極體之製造 方法，其中形成該緩衝層之步驟係利用一磊晶橫向成長法。 59·如申請專利範圍第54項所述之發光二極體之製造 方法，其中形成該發光磊晶結構之步驟係利用一磊晶橫向成 長法。 60·如申請專利範圍第54項所述之發光二極體之製造 方法，其中形成该發光蠢晶結構之步驟至少包括： 形成一第一電性半導體層於該緩衝層上； 形成一主動層於該第一電性半導體層上；以及 形成一第二電性半導體層於該主動層上，其中該第一電 性半導體層與該第二電性半導體層具有不同電性。 61·如申請專利範圍第60項所述之發光二極體之製造 方法’其中該第一電性半導體層為N型，該第二電性半導 體層為P型。 62·如申請專利範圍第54項所述之發光二極體之製造 方法，其中該反射結構係一分散式布拉格反射結構。 63·如申請專利範圍第54項所述之發光二極體之製造 方法，其中該反射結構係--維光子晶體反射結構。 27