TW200827080A - Optical film cutting method, and optical film - Google Patents

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200827080 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於使用雷射光束將光學薄膜切斷之方法及 由該切斷方法所得之光學薄膜，特別係關於使用將波形整 *形為矩形波形之雷射光束，而進行偏光薄膜等之光學薄膜 •之切斷的光學薄膜之切斷方法，以及由該切斷方法所切斷 之光學薄膜。 【先前技術】 • &習知以來’關於將偏光薄膜等之各種光學薄膜進行切 斷，存在有使用鑄模和切斷刀刀而進行切斷之機械式切斷 方法，和對光學薄膜照射雷射光束以進行切斷之雷 方法。 於此，機械式之切斷方法在將光學薄膜切斷時，於切斷 面將產生細微的切斷殘渣，在將光學薄膜安裝於液晶面板 =上時，將有此種切斷殘渣混入至液晶面板内部的情形。 ⑩若如此切听殘〉查混入至液晶面板内部，則由於液晶面板之 頦不上將發生不良情況，故結果會有造成液晶面板之製造 產率降低的問題。 相對於此，於雷射切斷方法之情況下，由於光學薄膜之 切斷時不易產生切斷殘渣，故相較於上述之機械式切斷方 法，將不致於在液晶面板等之製造時使產率如其般降低， 屬於較機械式切斷方法為更優良之切斷方法。 例如，於日本專利特開2〇〇5-18953〇中，記载有下述之 層合型偏光板之製造方法：將偏光板與光穿透率為80%以 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-10/96135327 5 200827080 上且玻璃轉移溫度為丨〇〇。(：以上之樹脂薄膜進行層合而形 成層合體，對此種層合體之樹脂薄膜侧照射雷射，藉此切 斷層合體。 9 ，據上述層合型偏光板之製造方法，藉由對偏光板與樹 •脂薄膜之層合體中的樹脂薄膜侧照射雷射，可防止偏光板 • 切斷面上產生突起物和隆起。 專利文獻1:日本專利特開2005-189530號公報 【發明内容】 ⑩然而，上述層合型偏光板之製造方法中所使用的雷射， 一般為高斯光束（光束強度呈高斯分佈之光束）。此種高斯 光束係由於光束強度呈高斯分佈，故具有於光束點中心部 之光束強度較大，但光束強度將自中心部朝向外侧漸漸地 變小的特性。 從而，若使用上述之高斯光束切斷光學薄膜，則雖然首 先於光束點中心部發生光學薄膜成分的分解氣化而予以 _切斷，但隨著朝向光束點中心部之外側，由於光束強度變 小’故光學薄膜成分之分解將變成漸漸地溶融、分解。 _ 此時’於光束點中心部中光學薄膜成分被分解氣化時， 將發生朝向外侧之應力，以此種應力為起因，在光束點中 心部之外侧，尚未分解氣化而仍呈熔融之光學薄膜成分被 朝外侧擠壓。結果，於光學薄膜之切斷面上，將產生該炼 融部分之突起部（隆起部）。 若如上述般在光學薄膜切斷面上產生隆起部，則將光學 薄膜組裝至液晶面板等時，將有於液晶面板之邊緣部將發 mXP/發明說明書(補件)/96_1〇/96135327 6 200827080 生接黏不良、或於光學上發生各種不良情況的問題。 本發明係為了消解上述習知問題而形成者，其目的在於 提供一種不使用高斯光束，藉由使用將波形整形為矩形波 形之雷射光束，而切斷偏光薄膜等之光學薄膜，則可使光 -學薄膜切斷面上之隆起尺寸儘可能減小，且組裝至各種光 -學面板中時，可防止接黏不良和光學性不良情況之發生的 光學薄膜之切斷方法，以及藉該切斷方法所切斷之光學薄 ⑩亦即，本發明係關於以下之⑴〜(9 )。 (1) 一種光學薄膜之切斷方法，其特徵為包含下述步驟； 雷射光束生成步驟，係進行雷射光束之波形整形，以生 成具有矩形波形之雷射光束；與 切斷步騄，係照射藉上述雷射光束生成步驟所得之矩形 波形的雷射光束，以進行光學薄膜之切斷。 (2) 如上述（1)之光學薄膜之切斷方法，其中，上述雷射 鲁光束係進行波形整形，使其矩形波形中表示來自光束邊緣 之光束強度分佈的上揚角度成為60。以上。 (3) 如上述（1)或（2)之光學薄膜之切斷方法，其中，上 述雷射光束係進行波形整形，使在其矩形波形之半值寬度 内，將雷射光束中心強度設為10夺，光束強度分佈口成為 0. 13以下。 (4) 如上述（2)或（3)之光學薄膜之切斷方法，其中，藉 由上述雷射光束切斷光學薄膜時，於薄膜切斷面上所發生 之隆起部的尺寸為3〇#111以下。 312XP/發明說明書(補件)/96-10/96135327 7 200827080 (5) 如上述（1)之光學薄膜之切斷方法，其中，上述雷射 為C〇2雷射。 $ (6) —種光學薄膜，其特徵為藉由上述（1)之切斷方法而 切斷，於其切斷面上所產生之隆起部的尺寸為以 、下。 (7) 如上述（6)之光學薄膜，其中，上述雷射光束係進行 波形整形，使其矩形波形中表示來自光束邊緣之光束強度

分佈的上揚角度成為6〇。以上。 X 籲/⑻如上述⑻或⑺之光學賴，其中，上述雷射光束 係進行波形整形，使在其矩形波形之半值寬度内，將雷射 光束中心強度設為1時，光束強度分佈（7成為〇13以下。 (9)如上述（6)之光學薄膜，其中，上述雷射為c〇2雷射。 根據上述（1)之光學薄膜之切斷方法，由於進行雷射光 束之波形整形而生成具有矩形波形之雷射光束，並照射該 矩形波形之雷射光束以切斷光學薄膜，故可使光學薄膜切 籲斷面上之隆起尺寸儘可能地減小，因此 面板中時，可防止接料良和光學性不良情;^發種生先子 於此，雷射光束較佳係進行波形整形，使其矩形波形中 之表示來自光束邊緣之光束強度分佈的上揚角度成為 以上，又，較佳係進行波形整形，使在其矩形波形之 半值寬度内，將雷射光束中心強度設為i時光束強度分佈 σ成為0 · 13以下。 根據使用上述雷射光束之切斷方法，可得到使於切斷面 所產生之隆起部的尺寸為3〇〆m以下的光學薄膜。 312XP/發明說明書(補件)/%_1〇/96135327 200827080 【實施方式】 以下’針對本發明之光學薄膜之切斷方法，根據實施形 態並參照圖式進行詳細說明。 首先，根據圖1說明本實施形態之光學薄膜之構成。圖 ^ 1為概略地表示光學薄膜之構成的說明圖。 圖1中’光學薄膜1基本上係由偏光板2、接黏於偏光 板2上面之表面保護薄膜3、經由黏著劑層4接黏於偏光 ⑩板2下面之分隔件5所構成。 於此，作為偏光板2可使用習知者，一般可舉例如於偏 光薄膜之單面或兩面上形成有透明保護層者。作為上述之 偏光薄膜並無特別限制，可使用習知之偏光薄膜。具體而 言’可使用例如藉由習知方法，於各種薄膜上，使埃和二 色性染料等之二色性物質吸附以進行染色，並予以交聯、 延伸、乾燥而調製者等。其中，較佳係使自然光入射時直 線偏光可穿透的薄膜，其光穿透率和偏光度優越而為佳。 為使上述二色性物質吸附之各種薄膜，可舉例如系 $膜j部分縮甲醛化PVA系薄膜、乙烯.醋酸乙烯酯共聚 合體系部分皂化薄膜、纖維素系薄膜等之親水性高分子薄 膜等，此等之外，亦可使用例如pVA之脫水處理物和聚氯 =烯之脫鹽酸處理物等之多烯配向薄膜等。此等之中，較 佳為PVA系薄膜。又，上述偏光薄膜之厚度通常為2二 # m左右，但並不限定於此。 2為上述之透明保護層並無特別限制，可使用習知之透 明薄膜。例如，較佳係透明性、機械強度、熱穩定性、水 3l2^mmmmmmm/96A〇/96n5327 9 200827080 分阻斷性、等向性 的具體例，可舉例如"聚=作為此種透明保護層之材質 乙二酯等之聚酯^ #本一F酸乙二酯、聚萘二f酸 維素等之纖維素系聚合物，聚（fA土^^和三乙酿基纖 系聚合物，聚苯乙料㈣酸甲醋之丙婦酸 等之苯乙烯系聚人/本乙細共聚合體（AS樹脂） 如：聚乙婦、聚丙°::::^ 乙烯·丙烯共聚人鹏等之，:系或降稻烯構造之聚烯烴、 系聚合物，聚醚：二： 物，酸亞胺系聚合物’礙 Γ Ρ έ取人 糸承5物，承醚醚酮系聚合物，偏二翕 ，手…物’乙烯醇系聚合物，乙烯丁醛系 ， 酉曰糸聚合物，聚氧亞甲基系聚合物，環氧系聚I方 各種聚合物之摻合物等。其中，較佳 ^述 透明保護薄膜之厚度並無特別限定。❹素^合物。 使二薄！與透明保護層之接黏，並無特別限制，可 :用“如，、歧醋系接黏劑、聚乙烯醇系接 接黏劑、乙烯系乳膠系、水系聚酯等。 多糸 於上述偏光板2之表面上，視目的可實施 理、抗反射處理、防黏處理、擴散處理、抗眩處理、^ 抗反射之抗眩處s、抗靜電處理、ρ方污染處理等之各種j 理。 心 上述硬塗處理係以防止偏光板表面損傷等為目的， 由胸】用丙烯酸系、聚矽氧系等之紫外線硬化型樹脂： 於薄膜表面上形成硬度和滑特性優越之硬化皮膜的方日法 312XP/發明說明書(補件)/96-10/96135327 200827080 而進仃。上述抗反射處理係以於光學薄臈 射為目的，可藉由習知 P $ 、 光反 薄膜）等之形成而進行抗反射m物理光學薄膜、塗佈 另外，防眩處理係以防止於光學薄膜表面外光反 礙偏光板穿透光之辨韻性策在 、而阻 尤之辨視性專為目的。例如可藉由嘴砂方 二= 薄膜的疏面化，和於薄膜形成材料 之成膜方法等，對薄膜表面賦予細微1 子二：ί 面細微凹凸之形成中所含有的微粒 子’可使用平均粒徑例如為〇. 5〜5—，由二氧化矽 化化鈦、氧化錯、氧化錫、氧化銦、 == 咖所構成的透明微粒子等。於形成表面細 相凸構心，微粒子之使用量係相對於樹脂刚重量 份’ -般為2〜50重量份左右，較佳為5〜25重量份。防眩 層亦可為兼具輕使偏光板穿透光擴散而擴大視覺等之 擴散層（視覺擴大機能等）者。 、 薄膜與透明保護層之層合方法，並無特別限 赴t/猎習知方法而進行，例如，可使用異氰酸醋系接 以卜聚乙烯醇系接黏劑、明膠系接黏劑、乙烯系乳膠系 系聚酯等。此等種類可由上述偏光片和透明保 濩層之材質等而適當決定。 =，作為表面保護_3’較佳為如上述般透明性和 :士一 ^生、耐熱性優越者，可舉例如··環氧系樹脂、聚酯 j树月曰、甲基丙烯酸系樹脂、聚碳酸醋⑽系樹脂、聚 不一甲I乙—酯（PEN)系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯（PE?) 312XP/發明說明書(補件)/96_ 2 〇/96 i35327 u 200827080 系樹腊、三乙醯基纖維系（TAC)、聚耗烯系樹 商品名八_樹脂；谓公司製）、聚酿亞胺系樹脂、聚 —亞胺糸樹脂、聚醯胺系樹脂、聚砜系樹脂、聚苯硫醚 二：二細系樹脂等，·其中，較佳為環氧樹脂。此等 可為一種，亦可並用二種以上。又， # + 度較佳為60"m左右。 溥膜3之厚 :為上述環氧樹脂’由所得_片材之柔軟 之物性等觀點而言，較佳係環氧杏 又羊 I?rrr丨νπτ * ,+ . τ衣虱田里1〇〇〜1〇〇〇、軟化點 越的产係藉由得到塗伟性和片材狀展開性等優 ^衫’㈣如使用於塗佈時之溫度以 尤/、疋吊▲下顯示液體狀態之二液混合型者。 作為上述環氧樹脂，可舉例如 雙酚S型、於轮笠4 A U ^ 又齡1型、 又“尘於此專加成水之雙紛型；苯紛紛 酚酚醛清漆型等之盼駿清漆 _ ^ 和乙内醯脲型等之含聚異氣酸三環氧丙酉旨型 等之芳香族型ί脂環式型；脂肪族型；蔡型 類;二環型，，型、此等之改低：：率種 防止變色性等之觀點而言 =專、、中’由 環式環氧樹脂、三聚显气酸Γί又齡Α型環氧樹脂、脂 〇 μμ - …"馱—衣虱丙酯型，特佳為脂環式 衣乳树月日此寻可為—種，亦可並用二種以上。 另外’由光學等向性優良 佳係相位#盔「 欠艮之方面而$，上述環氧樹脂較 仏係相位差為5nm以下、特佳inm。 平又 再者’作為經由黏著劑層4 隔件5，較佳择彻‘人士^ 要站於偏先板2下面之分 乂 ’、】如3有機械強度優越、财熱性優越之樹 312職明說日▲(補件)/96·_6ι35327 ΐ2 200827080 ㈣片材’可舉例如：聚對苯n 乙二酯等之聚醋系聚合物;二乙醯基纖：二:”夂 酸系聚合聚合物，·聚（W)丙稀酸W等之丙婦 等之苯乙烯糸t本乙却和丙腈•苯乙婦共聚合體（AS樹腊） 取x 糸♦合物；聚碳酸酯系聚合物。又，夹 ::::二丙婦、具有環系或降福烯構造之聚婦烴:乙二 體等之聚稀煙系聚合物，氯乙婦聚合物二 方广胺系聚合物’醯亞胺系聚合物 聚合物，乙烯醇二ΓΓΓ聚合物’偏二氣乙烯系 合物，聚二物=:::?_ 物之摻合物等。其中，較佳為聚對笨“或=聚合 二f酸乙二醋等之聚醋系。 -乙-8曰、聚萘 38"。 又^件5之厚度較佳為 另外，作為構成黏著劑層4之黏著#j，並 可舉例如丙烯酸系、乙烯醇系、聚石H限制， 基甲酸醋系、聚鱗系等之聚合物製接黏劑，ς膠曰系接= 等。又，亦可使用由戊二盤、三聚氰胺等 系聚合物之水溶性交聯劑等所構成的接黏劑等醇 劑係例如受到濕度和熱之影響亦不易剝離，光，接黏 光度亦優越。其中，由透明性和耐久性之觀點=率^ 使用丙烯酸系接黏劑。又’接黏劑交二取好 (紫外線、電子射線）交聯型式等，其種類並又無=式、光 上述丙烯酸系接黏劑係以具有透 汉上述之動貯藏 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-10/96135327 200827080 =f生係數之丙烯酸系聚合體作為主劑，視需要亦可添加適 田/ "h力知亦可與無機填充材等進行複合化。上述丙婦 酉夂系I合體係以（甲基）丙稀酸炫基酯作為主成分，為了提 升經由底塗層而與偏光板之保護薄膜的密黏性，而加入具 有0H基⑶基、胺基、醯胺基、績酸基、鱗酸基等之 極性基的、可與上述主成分進行共聚合的改質用單體，將 此等依常法進行聚合處理而獲得，以調整耐熱性為目的之 下，視需要可實施適當之交聯處理。 、接者’針對本實施形態所使用之雷射光束進行說明。作 為雷射’可舉例如C〇2雷射、YAG雷射、uv雷射等，其中， 由厚度耗圍適用性較高、不產生破裂及缺角之觀點而言， 較佳為C〇2雷射。 ° 上述雷射照射中，未限制輸出及速度，可依一次照射進 行切斷，亦可依複數次照射進行切斷。上述雷射照射之輪 出，為例如10W〜800W，以1次照射進行切斷時，較佳:

10 0 W〜3 5 0 W，以？ +日召益 +、仓—i + ' -人…、射進仃切断日守，較佳為例如 50W〜200W 。 由上述各種雷射所產生之雷射光束，基本上為於雷射點 中^〃有光束強度隶大值的高斯光束，由於光束強度呈 高斯分佈，故具有於光束點中心部之光束強度較大，但光 束強度將自中心部朝向外侧漸漸地變小的特性。 從而，若使用此種高斯光束切斷光學薄膜〗，則雖然如 習知技術中所說明般，首先於光束點中心部發生光學薄膜 成分的分解氣化而予以切斷，但隨著朝向光束點中心部之 14 312XP/發明說明書(補件)/96·1〇/96135327 200827080 外側，由於光束強度變小’故光學薄膜成分之分解將變成 漸漸地熔融、分解。此時，於光束點中心部中光學薄膜成 分被分解氣化時，將發生朝向外側之應力，以此種應力為 起因，在光束點中心部之外侧，尚未分解氣化而仍呈溶融 .之光學薄膜成分被朝外側_。結果，於光學薄膜之切斷 面上，將產生該熔融部分之隆起部，故將光學薄膜丨組裝 至液晶面板等時，於液晶面板之邊緣部將發生接黏不良、 或於光學上發生各種不良情況。 _因此’本實施形態中’係將上述之高斯光束之波形整形 為矩形波形。此種波形整形例如可藉由於雷射產生裝置中 設置繞射，學元件（Diffraction 0ptical Element)而進 打。又，藉由控制繞射光學元件，則可任意地設定雷射光 束之矩形波形中之表示來自光束邊緣之光束強度分佈的 上揚角度。 於此，本發明中，雷射光束最好波形整形為，其矩形波 _形中之表示來自光束邊緣之光束強度分佈的上揚角度成 為60°以上。 又，經波开> 整形之雷射光束中之矩形波形的狀態下，可 在其矩形波形之半值寬度内，將雷射光束中心強度設為1 時，以σ值表示光束強度分佈。此種σ值越小，越成為上 揚尖銳的矩形波，另一方面，此種σ值越大，則矩形波越 純而接近南斯光束。 於此，本發明中，最好進行波形整形，使在其矩形波形 之半值寬度内’將雷射光束中心強度設為1時光束強度分 312ΧΡ/發明說明書(補件)/%-1〇/96135327 15 200827080 佈（7成為0·13以下。 接著，針對使用高斯光束進行光學薄 你田脸古把,▲ ，联切辦之情況’及 :用將问斯光束整形為矩形波形之雷射光束以進 情況，依下述模擬條件模擬伴隨雷射光束照射 日寸間之先學溥膜的切斷狀態變化。 [模擬條件] 模擬條件係如以下所述。又，作為光學薄膜，係假設切 斷PET薄膜之情況作為—例，模擬係以有限元素法進行。 1 ·網目尺寸 l#mxl/zm(PET薄膜之厚度為38#m) 雷射照射部之不等間隔袼（係數L υ 2.電射 ^ 波長·· 10. 6/z m 振盪形式：脈衝振盪 束點尺寸·· 100/ζπιφ(以高斯分佈計1/e) φ 重覆頻率·· 5kHz 脈衝見· 2ms(以南斯分佈計i/e) 3·切斷材料（pet薄膜）

尽度· 38 # in 比重·· 1. 4g/cc 分子量：8. 73 分解溫度·· 679K 熔點：533K

熱傳導率：0· 18J/m/s/K 312XP/發明說明書(補件)/96-10/96135327 200827080 楊氏係數：4000Mpa 降伏應力·· 215Mpa 光吸收率·· 26. 0% 上述模擬之結果示於圖2。圖2為概略地表示藉雷射光 束切斷PET薄臈時，伴隨雷射光束照射時間之四了薄膜切 斷狀態的變化的說明圖；圖2(Α)係使用高斯光束進行ρ£τ 薄膜切斷時’伴隨雷射光束照射時間之PET薄膜切斷狀態 的變化的說明圖，·目2⑻係使用將高斯光束整形為矩形 ，幵/之田射，束進打PET薄膜切斷時，伴隨雷射光束照射 牯間之PET薄膜切斷狀態的變化的說明圖。 照：：圖2(A)、⑻中’雷射光束係自ρΕτ薄膜之左侧所 狀了 ΡΕΤ薄膜1照射高斯光束。.6 一 :由於焉斯光束中光束強度自光束中 進行薄膜成分的熔融。 （束-射繼、狀地開始 再者，若雷射光束之照射時 成分之溶融、分解將急遽地成為咖，則薄膜 切斷面’由於光束強度自先薄膜1之 而形成絲频，於兩_㈣斷=卜側呈高斯分伟: 膜成分分解的氣化成分。 B，將充滿著伴隨薄 尚且，於各錐形狀切斷面之内側， 熔融層6。 4 ’將殘存有較厚之薄膜 而且’在雷射光束照射時間 丄· 3 // sec 時，PET 薄 312XP/發明說明書(補件脈戰13節 I? 200827080 膜1之兩切斷面中之錐形部亦被熔融、分觫 刀鮮，而使PET薄 膜1完全地被切斷。此狀態下，兩切斷面將與雷射光束之 照射方向呈略平行之面，而在涵括各切斷面中之雷射光束 入射侧、切斷端面及雷射光束射出侧將殘存有較=的薄膜 熔融層6，此種薄膜熔融層6被認為是因為PET薄膜^隨 時間經過而被冷卻，而於各切斷面上形成隆起部^突起部 1 者。 〇 相對於此，如圖2(B)所示般，在對ρΕτ薄膜i照射矩 形波雷射光束0.6# sec之狀態下，由於其光束強度美= 光束之波形（矩形波）而自光束中心部朝外側呈略的 分佈，故於PET薄膜i之光束照射部將均勻地開 锋 膜成分溶融。 再者，若雷射光束照射時間成為〇.8/asee，則薄膜成

分之熔融、分解將急遽地發生，此時，PM 了 /辱膜；！之切斷 面係由於光束強度自光束中心部朝外侧呈略均勻的分 φ佈，故形成為與雷射光束之照射方向平行。又，於兩切二 面之間，將充滿著伴隨薄膜成分分解之氣化成分。 尚且，在各錐形狀切斷面之内侧，係殘存著非常薄之γ 膜熔融層6。 “ 搏 而且，在雷射光束照射時間經過h5/zsec時，ρΕτ薄 膜1經由與雷射光束照射方向呈平行之兩切斷面而完全 地被切斷。此狀態下，兩切斷面將與雷射光束之照射=二 呈平行之面，X’殘存在各切斷面中之内側之薄膜熔融； 6非常地薄。從而，即使在因為m薄膜）隨時間經過： 312XP/發明說明書(補件)/96-10/96135327 18 200827080 被冷卻的情況下，於各切斷面上仍幾 熔融層6的隆起部（突起部）。 /起因於溥膜 =中’係說明了針對使用m薄膜作為光學薄膜，藉 =矩形波雷射光束以切斷m薄膜的情況進行模^ 對二他模擬之結果’並不限於m薄膜，而認為 對於/、他各種光學薄膜亦可得到相同效果。 以下、’使用實施例及比較例’更具體地說明本發明，但 本發明並不限定於以下實施例。又， 切斷面上所產生之隆起㈣尺+ r 後光學薄膜之 與L 起卩的尺寸，係❹雷射顯微鏡或光 予纟頃被鏡而予以測定0 (實施例1) (偏光板製作） 首先’將聚乙稀醇薄膜（厚度· m)於硬水溶液中延伸 =倍，使其乾燥而製成偏光片。接著，於三乙醯基纖維 素缚膜（TAC薄膜）之單面上，依序形成反射♦ u以下之 uv胺基甲酸乙醋硬塗層、物理光學薄膜⑽層）。然後， 將經此處理之TAC薄膜經由接黏劑層合於上述偏光片之 單面上，將未處理之TAC薄膜經由接黏劑層合於上述偏光 片之另一面上，而調製成偏光板（厚度2〇〇#m，光穿透率 45%)。 (表面保護薄膜製作） 於3广環氧基環己基甲基_3,4，氧基環己烷叛酸醋 100重里伤中，分別添加甲基四氫酞酸酐ι2〇重量份作為 硬化劑、四正丁基鱗0,0-二乙基二硫磷酸酯2重量份作 312XP/發明說明書(補件)/96·1〇/96135327 19 200827080 為硬化促進劑並予以攪拌混合’使用流延法形成預薄膜 (厚度600/z m)。再者，將上述預薄膜以18〇。〇進行熱硬化 30分鐘，製成環氧薄膜（厚度7〇〇 # m，驗mx28〇mm)。接 著’於上述環氧薄膜單面上塗佈丙烯酸基胺基曱酸乙醋 UV樹脂，形成保護層（厚度3//m)，藉此得到樹脂薄膜。 此樹脂薄膜之光穿透率為91.7%，玻璃轉移溫度為職。 (黏著劑製作） 將丙烯酸丁醋1G0重量份、丙烯酸5 G重量份、丙稀酸 2-經基乙酯G.G75重量份、偶氮雙異腈G 3重量份與醋酸 乙醋25G重量份混合，於㈣之下以約帆進行反應6 小時，得到重量平均分子量163萬之丙浠酸系聚合物溶 液於上述丙烯酸系聚合物溶液中，相對於該聚合物固形 分100重量份，添加異氰酸酯系多官能性化合物(商品名 Coronate L:日本P0LYURETHANE工業製）〇6重量份、盥 石夕燒偶合劑（商品名_03 :信越化學製）〇〇8重量份:、 調製成黏著劑溶液。又，所得之黏著劑溶液之9〇。剝 離強度為l〇N/25mm。 (分隔件製作） 於ργ薄膜（厚度5Mm)上，以厚度1Mm之方式塗佈 上述黏著劑並使其乾燥，得到表面保護片材。 (光學薄膜製作） ^上，偏，板之未處自TAC ?等臈側，經由上述黏著劑 子又3#m)兵上述表面保護薄臈之環氧薄膜側貼合。於 此種層合體之單面上藉由上述黏著劑貼合上述分隔件。、 312XP/發明說明書(補件)/96·10/96135327 2〇 200827080 (切斷方法） 使用精密加工c〇2雷射（商品名SILAS_SAM(spL23〇5 型），选谷工業製’波長l〇.6#m)，依光束點徑i〇〇#m、 輪出190W、搬送速度250mm/s、空氣辅助氣壓〇 iMpa之 條件，自上述光學薄膜之表面保護薄膜侧照射雷射以進行 切斷。 此時，於實施例卜使用繞射光學元件進行雷射光束之 $形整形而生成具有矩形波形之雷射光束。雷射光束係如 表1所不般，被波形整形為其矩形波形中之表示來自光束 邊緣之光束強度分佈的上揚角度為60。，又， 矩形波形之半值寬度内，將雷射光束中心強度； 為1 ¥光束強度分佈σ成為〇· 13〇。 上述實施例1切斷光學薄膜時，將於薄膜切斷面上 所產生之隆起部進行測定，結果示於表2。 (實施例2) 且2中，如表1所示般，使用於光學薄膜切斷之 n二雷射光束，被波形整形為其矩形波形中之 义不〃束邊緣之光束強度分佈的上揚角度為75。 又，被波形整形為在其矩形波形之將丄 爽中心％ _ <去，+ 丁值見没内，將雷射光 /欠又叹為1日守光束強度分佈σ成為0.100。除此以 ^0,, ^ /、这貝鈀例1之情況相同的條件進行。 又…、处灵施例2切斷光學薄膜時，將於薄 所產生之隆起部進行測定，結果示於表2。切断面上 (實施例3) 312XP/發明說明書(補件)/%挪9613s327 21 200827080 於實施例3中，如表1所示般，使用於光學薄膜切斷之 具有矩形波形的雷射光束，被波形整形為其矩形波形中之 表不來自光束邊緣之光束強度分佈的上揚角度為9〇。， 又’被波形整形為在其矩形波形之半值寬度内，將雷射光 束中〜強度设為1時光束強度分佈σ成為〇· 〇4〇。除此以 外之條件，係依與上述實施例i之情況相同的條件進行。 依照上述實施例3切斷光學薄膜時，將於薄膜切斷面上 所產生之隆起部進行測定，結果示於表2。 (比較例） 於比較例中，如表！所示般，使用於光學薄膜切斷之具 有矩形波形的雷射光束，被波形整形為其矩形波形中之表 示來自光束邊緣之光束強度分佈的上揚角度為45。，又^ 被波形整形為在其矩形波形之半值寬度内，將雷射 心強度設為1時光束強度分h成為G.期。除此以外之 條件，係依與上述實施例丨之情況相同的條件進行。 依照上述比較例切斷光學薄膜時，將於薄膜切斷面上所 產生之隆起部進行測定，結果示於表2。 如上述 中，^j 係表示實施例！至實施例3及比較例 产八：的：揚H形波形中之表不來自光束邊緣之光束強 ^佈的场角度、與矩形波形之半值寬度内將雷射光束 中心強度設為1時表示以強度分佈之σ㈣_。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96·1〇/96135327 200827080 (表l) 來自邊緣之角度 _度] 強度分佈之σ [-] 實施例1 _60 0. 130 實施例2 ..._75 0. 100 實施例3 ___90 0. 040 比較例 ___45 0. 300 又’下述表2中，表示於實施例1至實施例3及比較例 中所測定之隆起部之尺寸。 (表2) 隆起部 [β m] 實施例1 29 實施例2 18 實施例3 12 __ 比較例 45 表2中，依實施例1所切斷之光學薄膜之切斷面上所產

生的隆起部尺寸為29 // m，依實施例2所切斷之光學薄膜 之切斷面上所產生的隆起部尺寸為18//m，又，依實施例 3所切斷之光學薄膜之切斷面上所產生的隆起部尺寸為 12 μ m。藉此’任一實施例中均可將隆起部之尺寸抑制在 30 // m以下。 於此可知，雷射光束之矩形波形中之表示來自光束邊緣 之光束強度分佈的上揚角度大至6〇。至9〇。，而波形越 加接近矩形形狀時，又，在矩形波形之半值寬度内，將雷 射光束中〜強度没為1時光束強度分佈^小至〇 · 13 〇至 0· 040時，隆起部之尺寸將變得越小。 相對於此，可知於比較例中，雷射光束之矩形波形中之 表示來自光束邊緣之光束強度分佈的上揚角度小至45。 312沿/發明說明書(補件)/%-1〇/96135327 23 200827080 而接近高斯光束，又，在其矩形波形之半值寬度内，將雷 射光束中心強度設為1時光束強度分佈σ大至〇· 3〇〇，故 依照比較例所切斷之光學薄膜之切斷面上所發生之隆起 部的尺寸變大為45# m。 雖已參照特定態樣詳細說明了本發明，但本領域從業者 當明白可在不脫離本發明精神與範圍下，進行各種變更及 修正。 尚且，本申請案係根據2006年9月22曰所申請之曰本 專利申請（特願2006-257459)，引用其整體於此。 又’引用於此之所有參照係以整體取用。 (產業上之可利用性） ▲根據本發明之光學薄膜之切斷方法’係提供—種不使用 门4光束藉由使用將波形整形為矩形波形之雷射光束而 切斷偏光薄膜等之光學薄膜，則可使光學薄膜切斷面上之 隆起尺寸儘可能減小，且組裝至各種光學面板中時，可防 2黏不良^學性不良情況之發生的光學薄膜之切斷 / ，以及藉該切斷方法所切斷之光學薄膜。 【圖式簡單說明】 圖1為概略地表示光學薄膜之構成的說明圖。 f 2為概略地表示藉雷射光束切斷光學薄 =，之光學薄膜切斷狀態的變化的說明圖^ 2(A)係使“斯光束進行光學薄膜切斷時，伴隨雷射光^ 知射時間之光學薄膜切斷狀態的變化的說明圖 係使用將高斯光束整形為矩形波形之雷射光束進行光(學) 312XP/發明說明書(補件)/9640/96135327 24 200827080 薄膜切斷時，伴隨雷射光束照射時間之光學薄膜切斷狀態 的變化的說明圖。 【主要元件符號說明】 1 光學薄膜 2 偏光板 » 3 表面保護薄膜 4 黏著劑層 5 分隔件 ⑩6 薄膜溶融層 312XP/發明說明書(補件)/96-10/96135327 25

Claims (1)

1. 200827080 十、申請專利範園： ^-種光學薄膜之切斷方法，其特徵為包含下述步驟 咖束生成步驟’係進行雷射光束之波形整形，以生 成具有矩形波形之雷射光束；與 切斷步驟，係照射藉上述雷射光束生成步驟所得之矩形 波形的雷射光束，以進行光學薄膜之切斷。 2. 如申請專利範圍帛1項之光學薄膜之切斷方法，其 中，上述雷射光束係進料形整形，使其矩形波形中表二 來自光束邊緣之光束強度分佈的上揚角度成為6〇。以上 3. 如申請專利範圍第1或2項之光學薄膜之切斷方法， 其中:上述雷射光束係進行波形整形，使在其矩形波形之 半值寬度内，將雷射光束中心強度設為丨時，光束強度分 佈σ成為〇· 13以下。 又73 4.如:請專利範圍第丨或2項之光學薄膜之切斷方法， 其中，藉由上述雷射光束切斷光學薄膜時，於薄膜切斷面 ⑩上所發生之隆起部的尺寸為30/zm以下。 5·如申請專利範圍第丨項之光學薄膜之切斷方法，其 中’上述雷射為C〇2雷射。 ’、 6· 一種光學薄膜，其特徵為藉由申請專範圍第1項之切 斷方法而切斷，於其切斷面上所產生之隆起部的尺寸為 30 /z m以下。 7·如申請專利範圍第6項之光學薄膜，其中，上述雷射 光束係進行波形整形，使其矩形波形中表示來自光束邊緣 之光束強度分佈的上揚角度成為60。以上。 312xp/發明說明書(補件y96_10/96B5327 26 200827080 8. 如申請專利範圍第6或7項之光學薄膜，其中，上述 雷射光束係進行波形整形，使在其矩形波形之半值寬度 内，將雷射光束中心強度設為1時，光束強度分佈σ成為 0. 13以下。 9. 如申請專利範圍第6項之光學薄膜，其中，上述雷射 為C〇2雷射。

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