TWI583479B - 光學膜片的加工方法 - Google Patents

Description

光學膜片的加工方法

本發明是有關於一種光學膜片的加工方法，且特別是有關於一種包含有雷射光高吸收率膜層及/或雷射光低吸收率膜層之光學膜片的加工方法。

偏光膜為廣泛應用於液晶顯示器之光學元件，隨著液晶顯示器的應用越來越廣，例如，手機、穿戴式裝置等，對偏光膜品質的要求也越來越高。

偏光膜在製成後通常需經裁切以貼合至各種尺寸的顯示器。此外，由於各種光學膜材的來料尺寸與成品所需的尺寸相差甚大，因此在偏光膜的製作過程中，亦會對光學膜材進行裁切，以調整膜材大小。其中裁切的方法包括刀具切割或雷射切割。

本發明係有關於一種光學膜片的加工方法，利用相同或不同功率之雷射光對光學膜片兩面的部分膜層進行裁切，以解決裁切端面品質不佳的問題。

本發明係有關於一種光學膜片的加工方法，利用相同或不同功率之雷射光對光學膜片兩面的部分膜層進行裁切，以 製作出不同形狀之裁切端面。

根據本發明之一方面，提出一種光學膜片的加工方法，係利用上、下雷射光對光學膜片兩面的部分膜層進行裁切，僅保留對雷射光吸收率較低的一膜層以及面板貼合側的一黏著劑層。在一實施例中，此加工方法包括：提供一光學膜片，其中光學膜片包含一第一膜層及一第二膜層形成於第一膜層之上，其中第一膜層具有一第一表面，第二膜層具有一第二表面，且第一表面與第二表面互相不接觸，以及提供一第一雷射及一第二雷射分別對第一膜層與第二膜層進行裁切加工。

根據本發明之另一方面，提出一種光學膜片的加工方法，係利用上、下雷射光對光學膜片兩面的部分膜層進行裁切，並調整上、下雷射光的功率、焦距或加工位置，以得到裁切端面之一加工形狀。在一實施例中，此加工方法包括提供一光學膜片，其中該光學膜片包含複數層光學膜、一第一表面及一第二表面；以及提供一第一雷射及一第二雷射分別對該光學膜片之該第一表面與該第二表面進行裁切加工。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

100、100a、100b‧‧‧光學膜片

101、111、121‧‧‧表面保護膜層

102‧‧‧第一黏著劑層

103、112、122‧‧‧第一偏光膜保護膜層

104、113、123‧‧‧偏光膜層

105、114、124‧‧‧第二偏光膜保護膜層

106‧‧‧第二黏著劑層

107、116、126‧‧‧剝離膜層

110‧‧‧第一膜層

115、125‧‧‧黏著劑層

120‧‧‧第二膜層

L1‧‧‧第一雷射

L2‧‧‧第二雷射

H1、H2‧‧‧裁切深度

S1‧‧‧第一表面

S2‧‧‧第二表面

Ak‧‧‧氣刀

E、Ea、Eb、Ec、Ed、Ee‧‧‧裁切端面

α1、α2、α3、α4、α5、α6‧‧‧夾角

第1圖概略地表示光學膜片的各個膜層的層合圖。

第2圖繪示依照本發明一實施例之光學膜片的加工方法的示意圖。

第3圖繪示依照本發明一實施例之光學膜片的加工方法的示意圖。

第4圖繪示依照本發明之實施例(a)至(e)之光學膜片的加工方法的示意圖。

以下係提出實施例進行詳細說明，實施例僅用以作為範例說明，並非用以限縮本發明欲保護之範圍。

針對本發明之光學膜片的加工方法，第1圖概略地表示光學膜片100的各個膜層的層合圖。光學膜片100可為偏光片或附加其他功能，例如具有光學特性之圓偏光片、橢圓偏光片、相位差板、抗表面反射材、防眩材、光擴散板、反射板等功能膜層的光學片。在本發明之相關構成中，此些功能附加膜層可根據需求，任意選擇而使用之，但並非必要之膜層。

請參照第1圖，光學膜片100可包括表面保護膜層101、第一黏著劑層102、第一偏光膜保護膜層103、偏光膜層104、第二偏光膜保護膜層105、第二黏著劑層106以及剝離膜層107。

表面保護膜層101可為聚酯樹脂(例如，聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯)、烯烴樹脂、乙酸纖維素樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))、環烯烴樹脂或上述之組合，但不限於此。在一些實施例中，表面保護膜層101可為聚對苯二甲酸丁二酯(polyethylene terephthalate,PET)或聚乙烯(polyethylene,PE)或聚丙烯(Polypropylene,PP)。在一實施例中，表面保護膜層101較佳為對雷射光吸收率較高之膜層，通常為雷射光之平均吸收率超過2%之膜層。

第一黏著劑層102及/或第二黏著劑層106例如使用丙烯酸系、橡膠系、胺酯系、聚矽氧系、聚乙烯醚系等聚合物。在一實施例中，第一黏著劑層102及/或第二黏著劑層106較佳為對雷射光吸收率較高之膜層，通常為雷射光之平均吸收率超過2%之膜層。

第一偏光膜保護膜層103可為對雷射光吸收率較高之膜層，通常為雷射光之平均吸收率超過2%之膜層。例如：聚對苯二甲酸乙二酯或聚間苯二甲酸乙二酯、聚碳酸系樹脂膜或聚醯亞胺系樹脂膜等。

偏光膜層104係由吸附配向之二色性色素之聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)薄膜或由液晶材料摻附具吸收染料分子所形成。聚乙烯醇可藉由皂化聚乙酸乙烯酯而形成。在一些實施例中，聚乙酸乙烯酯可為乙酸乙烯酯之單聚物或乙酸乙烯酯及其它單體之共聚物等。上述其它單體可為不飽和羧酸類、烯烴類、不飽和磺酸類或乙烯基醚類等。在另一些實施例中，聚乙烯醇可為經改質的聚乙烯醇，例如，經醛類改質的聚乙烯甲醛、聚乙烯乙醛或聚乙烯丁醛等。在一實施例中，偏光膜層104較佳為對雷射光吸收率較高之膜層，通常為雷射光之平均吸收率超過2%之膜層。

第二偏光膜保護膜層105可為對雷射光吸收率較高之膜層，如同上述之第一偏光膜保護膜層103。但是，在一實施例中，第二偏光膜保護膜層105亦可為對雷射光吸收率較低之膜層，通常為雷射光之平均吸收率低於2%之膜層，例如：環烯烴聚合物(COP)。

剝離膜層107可為對雷射光吸收率較高之剝離材，通常為雷射光之平均吸收率超過2%之膜層，其材料例如是聚對苯二甲酸乙二酯膜或聚酯膜等。

在一實施例中，在撕下剝離膜層107後，本實施例之光學膜片100可藉由黏著劑層106貼附在影像顯示裝置之面板上，因此，黏著劑層106可做為面板貼合側之一黏膠。

針對光學膜片100裁切加工使用的雷射裝置，可使用CO₂雷射、YAG雷射、UV雷射等。雷射波長通常在9至10微米左右，焦距可介於50~500μm。雷射輸出的功率依照光學膜片100之厚度、期望之裁切速度而定，通常是在10W至400瓦之間。通常輸出功率越大，可裁切的光學膜片100的厚度也越大，反之，則越小。當雷射輸出功率不足，則雷射雖可切斷一部分膜層，但另一部分膜層因無法有效吸收雷射光，導致光學膜片的製品裁切不良或裁切端面品質不佳。然而，當光學膜片100內含有對雷射光吸收率較低之膜層，例如第二偏光膜保護膜層105時，雖使用較高功率之雷射來切割加工，但因面板貼合側的黏著劑層106受到過量的雷射光加熱，導致剝離膜層107不易撕離。此外，使用較高功率之雷射加工時，也會因熱效應過於集中，造成裁切端面會發生熔融而變形的問題。

有鑑於此，本發明在不提高雷射功率的較佳情況下，利用不同功率之雷射光對光學膜片100a兩面的部分膜層進行裁切，直到裁切至對雷射光吸收率較低之膜層之前的膜層為止，以解決因雷射功率過高而造成裁切端面品質不佳的問題。

請參照第2圖，其繪示依照本發明一實施例之光學 膜片100a的加工方法的示意圖。本實施例中與前述實施例相同或相似之元件或雷射裝置係沿用同樣或相似的元件標號，且相同或相似元件或雷射裝置之相關說明或材料敘述請參考前述，在此不再贅述。本實施例加工方法如下：以第一功率之第一雷射L1對光學膜片100a的第一表面S1的第一膜層110進行一第一裁切，直到裁切深度H1至第二偏光膜保護膜層114之上緣為止；以及以第二功率之第二雷射L2對光學膜片100a的第二表面S2的第二膜層120進行一第二裁切，直到裁切深度H2至黏著劑層115之下緣為止。

在一實施例中，上述第一裁切與第二裁切可同時進行。在一實施例中，上述第一裁切與第二裁切可分別進行，且不限於上述第一裁切與第二裁切之順序。

在一實施例中，第一功率大於第二功率。此外，在上述加工方法中，第一功率之第一雷射L1的裁切深度H1大於第二功率之第二雷射L2的裁切深度H2。如第2圖所示，以較高輸出功率的雷射光對光學膜片100的第一表面S1進行裁切，以得到較深的裁切深度H1，以較低輸出功率的雷射光對光學膜片100的第二表面S2進行裁切，以得到較淺的裁切深度H2。

在上述加工方法中，係從光學膜片100的第一表面S1對第一膜層110進行一第一裁切加工，在一實施例中，第一膜層110可為一對雷射光吸收率較高的多個膜層之組合。如第2圖所示，第一膜層110對雷射光吸收率較高的此些膜層可包括一表面保護膜層111、一第一偏光膜保護膜層112以及一偏光膜層113，上述表面保護膜層111、第一偏光膜保護膜層112以及偏光 膜層113係依序層疊在第二偏光膜保護膜層114上。雷射光的裁切深度H1只到第二偏光膜保護膜層114之上緣為止。在本實施例中，第二偏光膜保護膜層114可為一對雷射光吸收率較低的膜層。

接著，從光學膜片100的第二表面S2對第二膜層120進行一第二裁切加工。在一實施例中，第二膜層120可為一對雷射光吸收率較高的膜層。在一實施例中，第二膜層120可包含一剝離膜層116，且此剝離膜層116可藉由黏著劑層115貼合於第二偏光膜保護膜層114。在一實施例中，第二膜層120尚可選擇性的包含其他對雷射光吸收率較高的膜層，如一黏著劑層(圖未示)、一第二偏光膜保護膜層(圖未示)、或其他功能膜層(圖未示)。

在本實施例中，雷射光的裁切深度H2只到黏著劑層115之下緣。在另一實施例中，雷射光的裁切深度(圖未示)亦可第二偏光膜保護膜層114之下緣。

接著，請參照第2及3圖，其中第3圖繪示依照本發明一實施例之光學膜片100a的加工方法的示意圖。在上述加工方法中，在雷射光加工後端的路徑上，更可選擇性地以一氣刀(Air knife)AK沖斷第二偏光膜保護膜層114以及黏著劑層115。氣刀AK係以高壓氣體進行切割，只針對特定膜層，以避免雷射熱效應之影響，並且還可保留雷射裁切好的膜層的完整性，因此可得到較好的裁切端面E品質。在本實施例中，除了以氣刀AK輔助切割之外，上述加工方法亦可藉由光學膜片分離裝置，使雷射裁切好的光學膜片100a沿著裁切面T上、下分離，以斷開第二偏 光膜保護膜層114以及黏著劑層115。因此，氣刀AK輔助切割只是上述加工方法中的其中一個選項，並非絕對必要的步驟。

因此，先藉由上述利用不同功率之雷射光對光學膜片100a兩面的部分膜層進行加工後，再切斷第二偏光膜保護膜層之製法可以解決因雷射功率過高而造成裁切端面品質不佳的問題。

在本發明之另一方面，還可利用相同或不同功率之雷射光對光學膜片100b兩面的部分膜層進行裁切加工，以製作出不同形狀之裁切端面。在一實施例中，上述對光學膜片100b兩面的部分膜層進行加工可同時進行或分別進行之。

請參照第4圖，其繪示依照本發明之實施例(a)至(e)之光學膜片100b的加工方法的示意圖。加工方法如下：利用上、下雷射光對光學膜片100b兩面的部分膜層進行裁切加工，並調整上、下雷射光的功率、焦距或加工位置，以得到裁切端面Ea、Eb、Ec、Ed、Ee之加工形狀。

本實施例中與前述實施例相同或相似之元件或雷射裝置係沿用同樣或相似的元件標號，且相同或相似元件或雷射裝置之相關說明或材料敘述請參考前述，在此不再贅述。本實施例光學膜片100b係包含一表面保護膜層121、一第一偏光膜保護膜層122、一偏光膜層123、一第二偏光膜保護膜層124、一黏著劑層125及一剝離膜層126。

請參照第4圖之實施例(a)，在上述加工方法中，調整上、下雷射光的功率或焦距包括以第一功率及第一焦距之第一雷射L1從光學膜片100b的第一表面S1對第一膜層121-123進 行裁切，並以第二功率及第二焦距之第二雷射L2從光學膜片100b的第二表面S2對第二膜層124-126進行裁切，其中第一功率等於第二功率，及/或第一焦距等於第二焦距。因此，第一功率之第一雷射L1的裁切深度H1等於第二功率之第二雷射L2的裁切深度H2。

在一實施例中，如第4圖之實施例(a)所示，裁切端面Ea中，偏光膜層123與第二偏光膜保護膜層124之端面會較其他膜層突出。在一實施例中，偏光膜層123之下緣，即第一膜層之下表面，與偏光膜層123之端面最突出部至光學膜片100b的第一表面S1之切線間可有具有一第一夾角α1，且第一夾角α1可介於15-75度，或25-75度，或30-60度。在一實施例中，第二偏光膜保護膜層124之上緣，即第二膜層之上表面，與第二偏光膜保護膜層124之端面最突出部至光學膜片100b的第二表面S2之切線間可有具有一第二夾角α2，且第二夾角α2可介於15-75度，或25-75度，或30-60度。在一實施例中，第一夾角α1與第二夾角α2可大致相同。在一實施例中，第一夾角α1與第二夾角α2可不相同。

請參照第4圖之實施例(b)，在上述加工方法中，當第一功率或第一焦距大於第二功率或第二焦距時，第一功率或第一焦距之第一雷射L1的裁切深度H1大於第二功率或第二焦距之第二雷射L2的裁切深度H2。因此，調整不同功率的雷射光，可得到不同裁切端面Ea、Eb的加工形狀。

在本實施例中，第一膜層包括一表面保護膜層 121、一第一偏光膜保護膜層122、一偏光膜層123、一第二偏光膜保護膜層124及一黏著劑層125，且第二膜層包含一剝離膜層126。

在一實施例中，如第4圖之實施例(b)所示，裁切端面Eb中，黏著劑層125與剝離膜層126之端面會較其他膜層突出。在一實施例中，黏著劑層125之下緣與黏著劑層125之端面最突出部至光學膜片100b的第一表面S1之切線間可有具有一第三夾角α3，且第三夾角α3可介於15-75度，或25-75度，或30-60度。在一實施例中，剝離膜層126之上緣與剝離膜層126之端面最突出部至光學膜片100b的第二表面S2之切線間可具有一第四夾角α4，且第四夾角α4可介於15-75度，或25-75度，或30-60度。在一實施例中，第三夾角α3與第四夾角α4可大致相同。在一實施例中，第三夾角α3與第四夾角α4可不相同。

在一實施例中，藉由調整上述第一功率、第一焦距、第二功率或第二焦距也可能使光學膜片100b之任兩相鄰膜層的端面較其他膜層突出，而不以上述兩實施例為限。

請參照第4圖之實施例(c)，在上述加工方法中，調整上、下雷射光的功率或焦距包括以第一功率及第一焦距之第一雷射L1從光學膜片100b的第一表面S1對第一膜層121-123進行裁切，並以第二功率及第二焦距之第二雷射L2從光學膜片100b的第二表面S2對第二膜層124-126進行裁切，其中第一功率等於第二功率，及/或第一焦距等於第二焦距。因此，第一功率之第一 雷射L1的裁切深度H1等於第二功率之第二雷射L2的裁切深度H2。

在一實施例中，裁切端面Ec中，偏光膜層123與第二偏光膜保護膜層124之端面會較其他膜層突出。在一實施例中，偏光膜層123之下緣，即第一膜層之下表面，與偏光膜層123之端面最突出部至光學膜片100b的第一表面S1之切線間可有具有一第五夾角α5。在一實施例中，第二偏光膜保護膜層124之上緣，即第二膜層之上表面，與第二偏光膜保護膜層124之端面最突出部至光學膜片100b的第二表面S2之切線間可有具有一第六夾角α6。

在本實施例中，藉由調整第一功率、第一焦距、第二功率或第二焦距可使第五夾角α5，及/或第六夾角α6介於15~45度。在一實施例中，第五夾角α5與第六夾角α6可大致相同。在一實施例中，第五夾角α5與第六夾角α6可不相同。

請參照第4圖之實施例(d)，在上述加工方法中，當第一功率或第一焦距大於第二功率或第二焦距時，上、下雷射聚焦點的位置也會跟著改變。因此，調整不同焦距的雷射光，可得到不同裁切端面Ec、Ed的加工形狀。

在本實施例中，裁切端面Ed中，第二偏光膜保護膜層124之端面最突出部係較其他膜層突出。在本實施例中，第二偏光膜保護膜層124之端面最突出部上下緣可具有一不對稱形狀。在本實施例中，第二偏光膜保護膜層124之端面最突出部上 下緣連線可具有至少一轉折點。在本實施例中，第二偏光膜保護膜層124之端面最突出部上下緣突出程度可為相同或可為不相同。

在一實施例中，藉由調整上述第一功率、第一焦距、第二功率或第二焦距也可能使光學膜片100b之任一膜層的端面最突出部係較其他膜層突出，而不以上述實施例(d)為限。在一實施例中，光學膜片100b之任一膜層的端面最突出部的上下緣可具有一不對稱形狀。在本實施例中，光學膜片100b之任一膜層的端面最突出部上下緣連線可具有至少一轉折點。在本實施例中，光學膜片100b之任一膜層的端面最突出部上下緣突出程度可不相同。

請參照第4圖之實施例(e)，在上述加工方法中，調整上、下雷射光的加工位置包括以第一加工位置之第一雷射L1對光學膜片100b的第一表面S1的部分膜層121-124進行裁切，並以第二加工位置之第二雷射L2對光學膜片100b的第二表面S2的部分膜層124-126進行裁切，其中第一加工位置不對齊第二加工位置。相對於實施例(a)至(d)的上、下雷射光的加工位置相互對齊，實施例(e)藉由調整不同加工位置的雷射光，可得到裁切端面Ee的加工形狀。在本實施例中，藉由第一加工位置不對齊第二加工位置，可裸露部分偏光膜層123之下表面。

在一實施例中，藉由調整上述第一功率、第一焦距、第二功率或第二焦距，及使第一加工位置不對齊第二加工位置， 也可使光學膜片100b之任一膜層的上/下表面裸露，而不以上述實施例(e)為限。

在本實施例中，由於不同裁切端面的加工形狀，會改變光線的行進方向，因此當光線由光學膜片100b的裁切端面入射時，光學膜片100b具有導光的功效，進而提昇光學膜片100b的功能。

由此可知，本發明上述實施例所揭露之光學膜片的加工方法，可解決裁切端面品質不佳的問題，亦可藉由調整上、下雷射光的功率、焦距以及加工位置至少其中之一，以製作出不同形狀之裁切端面。

綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100a‧‧‧光學膜片

110‧‧‧第一膜層

111‧‧‧表面保護膜層

112‧‧‧第一偏光膜保護膜層

113‧‧‧偏光膜層

114‧‧‧第二偏光膜保護膜層

115‧‧‧黏著劑層

116‧‧‧剝離膜層

120‧‧‧第二膜層

L1‧‧‧第一雷射

L2‧‧‧第二雷射

H1、H2‧‧‧裁切深度

S1‧‧‧第一表面

S2‧‧‧第二表面

E‧‧‧裁切端面

Claims (19)

1. 一種光學膜片的加工方法，包括：提供一光學膜片，其中該光學膜片包含一第一膜層及一第二膜層與該第一膜層相疊，其中該第一膜層具有一第一表面，該第二膜層具有一第二表面，且該第一表面與該第二表面上下相對；以及提供一第一雷射及一第二雷射分別對該第一表面與該第二表面進行裁切加工。
2. 一種光學膜片的加工方法，包括：提供一光學膜片，其中該光學膜片包含複數層光學膜、一第一表面及一第二表面，該第一表面與該第二表面上下相對；以及提供一第一雷射及一第二雷射分別對該光學膜片之該第一表面與該第二表面進行裁切加工。
3. 如申請專利範圍第1-2項其中之一所述之加工方法，其中該第一雷射係以一第一功率之雷射光對該第一表面進行裁切加工，該第二雷射係以一第二功率之雷射光對該第二表面進行裁切加工，其中該第一功率大於或等於該第二功率。
4. 如申請專利範圍第1-2項其中之一所述之加工方法，其中該第一雷射係以一第一焦距之雷射光對該第一表面進行裁切加工，該第二雷射係以一第二焦距之雷射光對該第二表面進行裁切加工，其中該第一焦距大於或等於該第二焦距。
5. 如申請專利範圍第1項所述之加工方法，更包含一對雷射光吸收率較低之膜層形成於該第一膜層與該第二膜層之間，且其 中該第一雷射係以一第一功率之雷射光對該第一表面進行裁切加工，直到裁切深度至該對雷射光吸收率較低的膜層之前為止；以及該第二雷射係以一第二功率之雷射光對該第二表面進行裁切加工，直到裁切深度至該對雷射光吸收率較低的膜層之前為止。
6. 如申請專利範圍第5項所述之加工方法，更包含一黏著劑層形成於該對雷射光吸收率較低的膜層與該第二膜層之間，且該第二雷射係以一第二功率之雷射光對該第二表面進行裁切加工，直到裁切深度至該黏著劑層之前為止。
7. 如申請專利範圍第5-6項其中之一所述之加工方法，其中該第一功率之雷射光的裁切深度大於該第二功率之雷射光的裁切深度。
8. 如申請專利範圍第6項所述之加工方法，更包括以一氣刀沖斷該對雷射光吸收率較低的膜層，或以一氣刀沖斷該黏著劑層及該對雷射光吸收率較低的膜層。
9. 如申請專利範圍第1項所述之加工方法，更包含一對雷射光吸收率較低的膜層形成於該第一膜層與該第二膜層之間，其中該第一膜層包含對雷射光吸收率較高的複數個膜層，及/或該第二膜層包含一對雷射光吸收率較高的至少一膜層。
10. 如申請專利範圍第9項所述之加工方法，其中對雷射光吸收率較高的該些膜層包括一表面保護膜層、一偏光膜保護膜層以及一偏光膜層，且該表面保護膜層、該偏光膜保護膜層以及該 偏光膜層依序層疊在該對雷射光吸收率較低的膜層上。
11. 如申請專利範圍第9項所述之加工方法，更包含一黏著劑層形成於該對雷射光吸收率較低的膜層與該第二膜層之間，其中對雷射光吸收率較高的該至少一膜層包括一剝離膜層，且該對雷射光吸收率較低的膜層藉由該黏著劑層貼合於該剝離膜層。
12. 如申請專利範圍第2項所述之加工方法，其中該複數層光學膜包含由該第一表面往該第二表面依序層疊之一第一偏光膜保護膜層、一偏光膜層以及一第二偏光膜保護膜層。
13. 如申請專利範圍第1-2項其中之一所述之加工方法，其中該第一雷射係以一第一加工位置之雷射光對該第一表面進行裁切加工，該第二雷射係以一第二加工位置之雷射光對該第二表面進行裁切加工，其中該第一加工位置對齊或不對齊該第二加工位置。
14. 如申請專利範圍第2項所述之加工方法，其中該第一雷射具有一第一裁切深度，該第二雷射係具有一第二裁切深度，該第一裁切深度與該第二裁切深度係同時形成於該些複數層光學膜的任意一層之中，且形成一端面最突出部於該層之中，其中該端面最突出部之上下緣為一不對稱形狀，及/或該端面最突出部之上下緣連線具有至少一轉折點，及/或該端面最突出部上下緣之突出程度不相同。
15. 如申請專利範圍第1-2項其中之一所述之加工方法，其中該第一雷射及該第二雷射係為CO₂雷射、YAG雷射或UV雷射 等，及/或該第一雷射及該第二雷射之焦距介於50~500μm。
16. 一種光學膜片，包括：一第一膜層，具有一第一表面和一第一端面；及一第二膜層，具有一第二表面和一第二端面；其中該第一膜層疊置於該第二膜層上，且該第一表面和該第二表面上下相對，該第一膜層具有與該第一表面相對之一下表面，該第二膜層具有與該第二表面相對之一上表面，其中該下表面之一第一部份與該上表面接觸且該下表面之一第二部份係為裸露。
17. 如申請專利範圍第16項所述之光學膜片，其中該第一端面具有一第一最突出部，該第一最突出部與該第一表面具有一第一切線，該第一切線與該下表面間具有一第一夾角，且該第一夾角介於15~75度。
18. 如申請專利範圍第16項所述之光學膜片，其中該第二端面具有一第二最突出部，該第二最突出部與該第二表面具有一第二切線，該第二切線與該上表面間具有一第二夾角，且該第二夾角介於15~75度。
19. 如申請專利範圍第17或18項所述之光學膜片，其中該第一最突出部及/或該第二最突出部之上下緣為一不對稱形狀，及/或該第一最突出部及或該第二最突出部之上下緣連線具有至少一轉折點，及/或該第一最突出部及或該第二最突出部之上下緣之突出程度不相同。