TWI485025B - 偏光板切斷方法及藉由該方法切斷之偏光板 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種偏光板切斷方法及藉由該方法切斷之偏光板。具體而言，關於一種將包含薄膜之層的偏光板予以切斷之方法及藉由該方法切斷之偏光板，其中，該薄膜對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為2%以下。
在使用偏光板之領域中，有必要將該偏光板切斷成所期望的長度或是大小。而且，當使用切斷刃(例如，圓刃或湯姆森刃(Thomson edge))來切斷長條形之偏光板時，會有如下的問題。
(1)因持續進行偏光板之切斷，而在切斷刃產生缺刃(缺角(chipping))，或使切斷刃磨損。因此，為了確保一定的銳利度，就有必要定期性地更換已產生缺角或磨損的切斷刃，結果，增大了運轉成本(running cost)。
(2)因進行偏光板之切斷，而使薄膜屑或糊料等之異物附著在切斷刃。結果，切斷刃之銳利度會降低，且使切斷速度產生變化。
(3)在使用切斷刃時，要施加應力來切斷偏光板。因此，當使用切斷刃來切斷貼合有保護薄膜的積層型偏光板時，保護薄膜之端部會剝離。又，由於裂痕容易產生於切斷面，所以容易在積層型偏光板之端部產生裂痕或破碎。結果，造成積層型偏光板之耐久性降低的原因。
因此，為了要解決因使用切斷刃來切斷偏光板而產生的上述問題，有提出一種藉由照射雷射光來切斷偏光板之方法。
例如，在專利文獻1中，有記載可藉由照射雷射光而切斷偏光板之方法。具體而言，藉由照射雷射光而切斷偏光板，該偏光板係在聚乙烯醇(PVA)薄膜之雙面貼合有一對三醋酸纖維素(TAC)薄膜，進而在其中一方之TAC薄膜側，隔著丙烯酸系黏著劑層而設置有由聚乙烯對苯二甲酯(PET)薄膜構成的間隔件，且在另一方之TAC薄膜側，隔著丙烯酸系黏著劑層而設置有由PET薄膜所構成之表面保護薄膜。當藉由照射雷射光而切斷偏光板時，就不會產生如上述的(1)至(3)之問題。
(專利文獻1)日本公開特許公報「特開2008-284572號公報(2008年11月27日公開)」
在專利文獻1中被當作切斷對象的偏光板，係積層對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率比2%為高的薄膜(以下，亦稱為「高吸收率薄膜」)而成。由如此之高吸收率薄膜構成的積層型偏光板，係可藉由如專利文獻1所示的習知方法，不使偏光板之切斷面變形地進行良好的切斷。
然而，在如專利文獻1所示的習知方法中，在切斷包含對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為2%以下的薄膜(以下，亦稱為「低吸收率薄膜」)(例如，環烯烴聚合物薄膜、聚丙烯薄膜、或聚甲基丙烯酸甲酯薄膜等)之層的積層型偏光板之情況下，當雷射光之輸出較小時，雖然可切斷積層型偏光板的高吸收率薄膜之層，但是卻無法切斷低吸收率薄膜之層。另一方面，當加大雷射光之輸出時，則不僅可切斷積層型偏光板的高吸收率薄膜之層，就連低吸收率薄膜之層也可切斷。但是，在此情況下，由於會在高吸收率薄膜之層施加過剩的熱，所以被切斷後的偏光板之端部會熔融而使切斷端部變形(參照第6圖)。切斷面之形狀經變形後的偏光板，其剖面品質會降低。而且，可能會因該剖面品質之降低而產生各種的問題。例如，當偏光板要貼合於玻璃基板時，會被要求較高的密接性。但是，會產生因偏光板之切斷面的凹凸而使氣泡侵入於與玻璃基板之貼合面等的問題。
本發明係有鑒於上述習知問題而開發完成者，其主要目的係在於提供一種在使用雷射光的偏光板之切斷中，可不使切斷面產生變形地將包含薄膜之層的偏光板予以切斷之方法，其中，該薄膜對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為2%以下。
為了解決上述課題，本案發明係提供一種偏光板切斷方法，係將包含薄膜之層的偏光板予以切斷之方法，該薄膜對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為2%以下，且該方法係包含：溝槽形成步驟，藉由照射經調整輸出及/或移動速度後之雷射光而在上述薄膜形成溝槽；以及撕裂步驟，一邊調整撕裂角度及提供給偏光板的張力，一邊沿著上述溝槽而將上述溝槽形成步驟後之上述偏光板予以撕裂。
在本發明之方法中，係在上述溝槽形成步驟中，藉由雷射光來切斷高吸收率薄膜之層，且藉由雷射光而在低吸收率薄膜之層形成溝槽。然後，在上述撕裂步驟中，藉由對上述溝槽施加外力，沿著溝槽而撕裂低吸收率薄膜並予以切斷。本發明之方法，並不如習知的雷射切斷方法般要加大雷射光之輸出並藉由熱來切斷低吸收率薄膜。故而，在使用雷射光的偏光板之切斷中，可不使切斷面產生變形地將包含低吸收率薄膜之層的偏光板予以切斷。
本發明之偏光板係藉由上述的本發明之方法而切斷。
如上所述，在本發明之方法中，係在使用雷射光的偏光板之切斷中，可不使切斷面產生變形地將包含薄膜之層的偏光板予以切斷，其中，該薄膜對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為2%以下。因此，藉由本發明之方法而切斷的偏光板，係不會在切斷面產生變形。故而，本發明之偏光板係可成為剖面品質高的偏光板。
本發明之方法，係如以上所述，為一種將包含薄膜之層的偏光板予以切斷之方法，該薄膜對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為2%以下，且該方法之構成在於包含：溝槽形成步驟，藉由照射經調整輸出及/或移動速度後之雷射光而在上述薄膜形成溝槽；以及撕裂步驟，一邊調整撕裂角度及提供給偏光板的張力，一邊沿著上述溝槽而將上述溝槽形成步驟後之上述偏光板予以撕裂。
又，本發明之偏光板，係藉由上述的本發明之方法而切斷的偏光板。
本發明之方法，並不如習知的雷射切斷方法般要加大雷射光之輸出並藉由熱來切斷低吸收率薄膜。故而，在使用雷射光的偏光板之切斷中，可獲得如下效果：可不使切斷面產生變形地將包含薄膜之層的偏光板予以切斷之效果，其中，該薄膜對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為2%以下。然後，藉由本發明之方法而切斷的偏光板，係不會在切斷面產生變形。故而，本發明之偏光板，係可成為剖面品質高的偏光板。
本發明之其他目的、特徵及優異之點，係藉由以下所示的記載就可充分明白。又，本發明之優點係在參考附圖之如下說明中即可明白。
以下，就本發明的實施形態之一例加以詳細說明。惟本發明並非被限定於此，只要是在所描述的範圍內均可以施加各種變化的態樣來實施。又，本說明書中所記載的學術文獻及專利文獻之全部，係在本說明書中被援用作為參考。另外，只要在本說明書中沒有特別記載，表示數值範圍之「A至B」，係意指「A以上、B以下」。
[1.本發明之方法]
本發明之方法係將包含薄膜(低吸收率薄膜)之層的偏光板予以切斷之方法，其中，該薄膜對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為2%以下，且該方法之構成係包含：溝槽形成步驟，藉由照射經調整輸出及/或移動速度後之雷射光而在上述薄膜形成溝槽；以及撕裂步驟，一邊調整撕裂角度及提供給偏光板的張力，一邊沿著上述溝槽而將上述溝槽形成步驟後之上述偏光板予以撕裂。
在此，「被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率(%)」，係可使用以往所公知的ATR(Attenuated total reflection：全反射衰減)法來測定。該所謂「ATR法」係對測定對象照射具有任意波長的光(雷射光)，並測定在測定對象之表面全反射的光，藉此獲得測定對象之表面的吸收光譜之方法。使用ATR法測定在被照射的雷射光之振盪波長範圍內具有任意波長的光之吸收率，且算出所獲得的吸收率之平均值，藉此就可求出上述「被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率(%)」。
就如此的低吸收率薄膜而言，例如可列舉環烯烴聚合物(COP)薄膜、聚丙烯(PP)薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜等。
在本發明之方法中，係即使在切斷對象為包含薄膜之層的偏光板之情況下，也可不使切斷面產生變形地予以切斷，其中，該薄膜對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為1%以下。
成為本發明之方法的切斷對象之偏光板(以下，亦稱為「切斷對象偏光板」、或簡稱為「切斷對象」)，係隔著黏著劑層或接著劑層而積層有如包含上述之低吸收率薄膜的複數個薄膜之偏光板。亦即，除了上述的低吸收率薄膜以外，還意指包含聚乙烯對苯二甲酯(PET)薄膜、聚乙烯醇(PVA)薄膜、三醋酸纖維素(TAC)薄膜等之高吸收率薄膜之層的偏光板。就如此的偏光板而言，雖然可列舉在後述之實施例中使用的COP偏光板，但是本發明並未被限定於此。
另外，在後述的實施例中，雖然使用COP薄膜之層的厚度為70μm之COP偏光板作為切斷對象偏光板，但是本發明的方法之切斷對象並未限定於此。在本發明之方法中，係按照低吸收率薄膜之厚度來調整雷射光之輸出及/或移動速度，藉此可在構成偏光板的低吸收薄膜形成溝槽。故而，依據本發明，無關於低吸收率薄膜之厚度，皆可切斷偏光板。
有關上述「溝槽形成步驟」及上述「撕裂步驟」，將具體地說明如下。
(1)溝槽形成步驟
溝槽形成步驟，係照射經調整輸出及/或移動速度後之雷射光，藉此將構成偏光板的高吸收率薄膜之層藉由雷射光予以切斷，且藉由雷射光而在低吸收率薄膜之層形成溝槽的步驟。在此，上述所謂「在薄膜形成溝槽」，係指將照射過雷射光之部分的薄膜之厚度，形成比其他部分之厚度更薄，亦即，將照射雷射光的部分形成所謂較薄之狀態之意。更具體而言，係指將如後述的實施例之第3圖所示的「U」字狀或「V」字狀之溝槽形成為低吸收率薄膜之意。在溝槽形成步驟中，雖然只要將如照射過雷射光的部分成為較薄之狀態的深度之溝槽，形成為在接下來的撕裂步驟中能夠藉由施加外力撕裂低吸收率薄膜之程度即可，但是較佳為形成低吸收率薄膜之厚度的1/3以上之深度的溝槽。藉由形成低吸收率薄膜之厚度的1/3以上之深度的溝槽，就可在後續的撕裂步驟中，輕易地撕裂低吸收率薄膜。
另外，在第3圖所示的偏光板中，雖然在作為低吸收率薄膜的COP薄膜之雙面形成有溝槽，但是在溝槽形成步驟中，只要在低吸收率薄膜之至少一面形成有溝槽即可。又，本說明書中，所謂雷射光之「輸出」係指例如以單位「W」表示的數值之意。又，所謂雷射光之「移動速度」，係意指使雷射光相對於成為切斷對象之偏光板相對地移動的速度(Speed)，例如係指以單位「mm/秒」表示的數值之意。
在溝槽形成步驟中，照射於偏光板的雷射光之輸出及/或移動速度，係能夠適當地調整為可在切斷對象偏光板所含的低吸收率薄膜之層形成適合的溝槽。亦即，在可於低吸收率薄膜形成溝槽的範圍內，既可調整照射於偏光板的雷射光之輸出及移動速度之雙方，又可僅調整雷射光之輸出，或僅可調整雷射光之移動速度。
如後述的實施例所示，具體而言，按照雷射光之移動速度來適當地調整雷射光之輸出，或按照雷射光之輸出來適當地調整雷射光之移動速度，藉此即可在切斷對象偏光板所含的低吸收率薄膜形成溝槽。
但是，當雷射光之移動速度過慢時生產性會降低，另一方面，當雷射光之移動速度過快時就有必要配合此速度而加大雷射光之輸出。故而，例如，在使用二氧化碳雷射(CO2
雷射)，並照射振盪波長為9.4±0.2μm之雷射光的情況下，可藉由在雷射光之輸出為24W至77W之範圍、且雷射光之移動速度為300mm/秒至1000mm/秒之範圍內，調整此等輸出及/或移動速度，藉此可在切斷對象偏光板所含的低吸收率薄膜效率佳地形成溝槽。
雷射光之移動速度，亦可藉由使切斷對象偏光板相對於雷射光照射裝置相對地移動的速度產生變化來調整，亦可藉由使雷射光照射裝置相對於切斷對象偏光板相對地移動的速度產生變化來調整。
雷射光係可使用以往所公知的雷射照射裝置來照射。具體而言，例如可列舉CO2
雷射。
就除了雷射光之移動速度及輸出以外的雷射光照射條件而言，亦可按照需要而做適當的設定。例如，能夠藉由調整雷射光之光點直徑，來控制溝槽的寬度。雷射光之光點直徑，一般為40μm至50μm。
又，可按照雷射照射裝置之種類，適當選擇要照射的雷射光之波長。在後述的實施例中，雖然是使用CO2
雷射，照射振盪波長為9.4±0.2μm之雷射光，但是本發明並未被限定於此。惟從可在切斷對象偏光板所含的低吸收率薄膜效率佳地形成溝槽的觀點來看，較佳為照射：除了切斷對象偏光板所含的低吸收率薄膜以外之高吸收率薄膜(例如，PET薄膜、PVA薄膜、TAC薄膜等)中的吸收率會變得更高的振盪波長之雷射光。例如，CO2
雷射雖然可照射波長為10μm前後之雷射光，但是如第2圖所示，各種薄膜中的雷射光之吸收率會因要照射的光之波長而有所不同。因此，從更加提升高吸收率薄膜中的雷射光之吸收率的觀點來看，在使用CO2
雷射的情況下，較佳為照射振盪波長為9.2μm至10.8μm之雷射光。
有關從照射切斷對象偏光板中的雷射光之側的上表面至雷射光之焦點為止的長度(以下，亦稱為「焦距」)雖然沒有被特別限定，但是從可在切斷對象偏光板所含的低吸收率薄膜效率佳地形成溝槽的觀點來看，較佳為：以上述「焦距」成為從照射切斷對象偏光板中的雷射光之側的上表面至低吸收率薄膜之層的上表面為止的厚度以上、且成為從照射切斷對象偏光板中的雷射光之側的上表面至低吸收率薄膜之層的下表面為止之厚度以下的方式，來調整雷射光之照射條件。
在溝槽形成步驟中，不論從切斷對象偏光板之表面及背面之任一個面側照射雷射光，都可在切斷對象偏光板所含的低吸收率薄膜形成溝槽。在後述的實施例中，雖然是藉由從偏光板之保護薄膜側照射雷射光而在偏光板所含的低吸收率薄膜(COP薄膜)形成溝槽，但是亦可在從偏光板之分離薄膜側照射雷射光的情況下，在偏光板所含的低吸收率薄膜形成溝槽。
(2)撕裂步驟
撕裂步驟，係一邊調整撕裂角度及提供給切斷對象偏光板的張力，一邊沿著在溝槽形成步驟中形成之溝槽而將溝槽形成步驟後之低吸收率薄膜予以撕裂的步驟。
在一實施形態中，可使用經調整撕裂角度及提供給切斷對象偏光板的張力後之開縫機(slitter)來撕裂溝槽形成步驟後的切斷對象偏光板。以下，係根據第1圖說明使用開縫機之方法，作為撕裂切斷對象光板的方法之一例。第1圖係顯示本實施形態的開縫機5之概略構成的側視圖，且顯示一邊撕裂偏光板(切斷對象偏光板)3一邊予以捲繞的狀態。第1圖中的箭頭係顯示偏光板3之撕裂方向。
開縫機5係具備搬運輥1(1a、1b、1c及1d)、及捲繞軸2(2a及2b)。
溝槽形成步驟後之偏光板3，係以偏光板3之撕裂方向(溝槽形成方向)與偏光板3之搬運方向成為平行的方式被導入於開縫機5，且藉由搬運輥1(1a、1b、1c及1d)而搬運。然後，藉由其中一方的偏光板相對於形成於偏光板3的溝槽而捲繞在捲繞軸2a，而另一方的偏光板則捲繞在捲繞軸2b，偏光板3係沿著溝槽而被撕裂。
在第1圖所示的開縫機5中，係以可撕裂偏光板3的方式，將捲繞軸2a及2b配置成預定的撕裂角度，且將其捲繞張力調整成為預定值。在此，於本說明書中，上述所謂「撕裂角度」，係指偏光板3之一方的撕裂邊A、與另一方的撕裂邊B所成的角之角度α。然後，「角之頂點C」是成為偏光板3之撕裂點。又，上述「張力」係指在與撕裂方向平行的方向提供給偏光板3的張力。
在撕裂步驟中，只要可將偏光板3沿著溝槽撕裂，上述「撕裂角度」及上述「張力」並無特別限定，但是若上述「撕裂角度」為10°以上，上述「張力」為0.1N/mm以上，則可優良地撕裂偏光板。若上述「撕裂角度」越大，由於剪切應力就變得越大，所以較容易撕裂偏光板。因此，上述「撕裂角度」較佳為30°以上。
搬運輥1(1a、1b、1c及1d)係沿著偏光板3之搬運路徑而配置，其中搬運輥1a係以將偏光板3推到搬運輥1b的方式而配置。搬運輥1及捲繞軸2並未被特別限定，可使用公知物。
另外，在本發明之方法中，亦可按照需要組合切斷刃(例如，在此領域中以往已被使用的圓刃或湯姆森刃)來使用。例如，在溝槽形成步驟中，亦可在藉由雷射光之照射而在低吸收率薄膜形成溝槽之後，使用切斷刃來切斷該溝槽之部分。
[2.本發明之偏光板]
本發明之偏光板，其特徵在於藉由本發明之方法而切斷。有關本發明之方法，由於已在上述[1.本發明之方法]項中說明過，所以在此予以省略。
如上所述，在本發明之方法中，係在使用雷射光的偏光板之切斷中，可不使切斷面產生變形地將包含低吸收率薄膜之層的偏光板予以切斷。因此，藉由本發明之方法而切斷的偏光板，並不會在切斷面產生變形。故而，本發明之偏光板，能夠成為剖面品質高的偏光板。
在本發明之方法中，較佳為在上述溝槽形成步驟中，於上述薄膜之雙面形成溝槽。
在溝槽形成步驟中，可藉由在低吸收率薄膜之雙面形成溝槽，而在接下來的撕裂步驟中，效率佳地進行低吸收率薄膜之撕裂。
在本發明之方法中，較佳為在上述溝槽形成步驟中，將雷射光之輸出設定在24W至77W之範圍，且將移動速度設定在300mm/秒至1000mm/秒之範圍。
若溝槽形成步驟中的雷射光之輸出及移動速度為上述的值，則可在偏光板之低吸收率薄膜效率佳地形成溝槽。
在本發明之方法中，較佳為在上述撕裂步驟中，將偏光板之撕裂角度設定在10°以上，且將張力設定在0.1N/mm以上。
若撕裂步驟中的撕裂角度及張力為上述的值，則可將在溝槽形成步驟中形成溝槽的低吸收率薄膜予以撕裂及切斷。
在本發明之方法中，上述薄膜亦可為環烯烴聚合物薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜。
在本發明之方法中，係在使用雷射光的偏光板之切斷中，可不使切斷面產生變形地將包含低吸收率薄膜之層的偏光板予以切斷。故而，依據本發明之方法，即使在切斷對象為包含環烯烴聚合物薄膜、聚丙烯薄膜、或聚甲基丙烯酸甲酯薄膜之層作為低吸收率薄膜的偏光板之情況下，也可不使切斷面產生變形地將偏光板予以切斷。
在本發明之方法中，上述偏光板亦可為包含薄膜之層的偏光板，其中，該薄膜對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為1%以下。
在發明之方法中，即使在切斷對象為包含薄膜之層的偏光板之情況下，也可不使切斷面產生變形地予以切斷，其中，該薄膜對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為1%以下。
本發明並非被限定於上述的各實施形態，只要在申請專利範圍中之請求項所示的範圍內均可做各種的變更，有關適當地組合分別為不同之實施形態所揭示的技術手段而得的實施形態亦涵蓋在本發明之技術範圍內。
以下，雖然藉由實施例進一步詳細地說明本發明，但是本發明並非受此等例所限定者。
(各種薄膜中的吸收率之測定)
藉由以往所公知的ATR法來測定各種薄膜中的穿透率(%)。有關上述「ATR法」，由於已在上述「1.本發明之方法」之項中說明過，所以在此省略說明。
將結果顯示於第2圖。第2圖係顯示照射各波長之光時的各種薄膜中之穿透率(%)的曲線圖。第2圖中的(a)係顯示TAC薄膜、COP薄膜、PET薄膜及PVA薄膜中的穿透率(%)，第2圖中的(b)係顯示有賦予相位差性能的TAC薄膜(n-TAC)及PMMA膜中的穿透率(%)之曲線圖。另外，n-TAC薄膜，係以丙酸酯來置換TAC之醋酸酯之一部分，且賦予添加劑並予以延伸而製作，藉此改善對比性能的薄膜。
將算出CO2
雷射的振盪波長之範圍(9.2μm至10.8μm)中的各薄膜之平均穿透率及平均吸收率的結果顯示於表1。平均吸收率(%)係藉由100%減去平均穿透率(%)而求得。
如表1所示，可確認到：在CO2
雷射的振盪波長之範圍(9.2μm至10.8μm)中，TAC薄膜、n-TAC薄膜、PVA薄膜及PET薄膜的雷射光之吸收率高於2%。相對於此，可確認到：COP薄膜及PMMA薄膜的雷射光之吸收率為2%以下。
[實施例1]
係使用環烯烴聚合物(COP)偏光板(SRD341量產素材)作為切斷對象。COP偏光板係為：從上方開始積層有作為保護薄膜的PET薄膜(58μm)、TAC薄膜(80μm)、作為偏光元件的PVA薄膜(25μm)、COP薄膜(70μm)、黏著劑層(25μm)、作為分離薄膜的PET薄膜(38μm)之構成。
(溝槽形成步驟)
在實施例1之溝槽形成步驟中，係使用雷射光照射裝置(CO2
雷射，型號：Diamond E-400i，製造商：美國Coherent公司製)，且將移動速度調整在300mm/秒、輸出調整在25W的雷射光(振盪波長：9.4±0.2μm)照射於COP偏光板，藉此來切斷構成COP偏光板的TAC薄膜層、PVA薄膜層、黏著劑層及PET薄膜層，然後在COP薄膜層形成溝槽。其他的雷射光照射條件係如表2所示。另外，表2所示的「焦點」，係表示從保護薄膜層之上表面至雷射光之焦點為止的長度。
將雷射光照射後之COP偏光板顯示於第3圖。第3圖之COP偏光板係以寬度方向變成為橫向的方式來顯示，且切斷面位於中央。如第3圖所示，COP偏光板之保護薄膜層6(PET薄膜層)、TAC薄膜層7、PVA薄膜層8、黏著劑層10及分離薄膜層11(PET薄膜層)，係可藉由雷射光之照射而切斷。相對於此，COP薄膜層9係在薄膜之上表面及下表面形成有溝槽。形成於COP薄膜層9之上表面的溝槽之深度為22μm，且形成於COP薄膜層9之下表面的溝槽之深度為22μm。
(撕裂步驟)
接著，使用第1圖所示的開縫機5，來撕裂作為偏光板4的溝槽形成步驟後之COP偏光板。具體而言，將溝槽形成步驟後之COP偏光板導入於開縫機5，且藉由經調整成COP偏光板之撕裂角度α為40°、提供給COP偏光板之張力為0.6N/mm後的捲繞軸2a及2b一邊捲繞COP偏光板，一邊撕裂COP偏光板。
將撕裂步驟後之COP偏光板顯示於第4圖。第4圖之COP偏光板係以寬度方向變成為橫向的方式來顯示，且切斷面位於右側。如第4圖所示，在COP偏光板之切斷面(切斷端面)中，在COP薄膜層9之切斷端部並未確認到變形。
再者，將從切斷後的COP偏光板剝離分離薄膜，並將COP偏光板貼合於玻璃基板後的狀態顯示於第5圖。第5圖係顯示貼合於玻璃基板之COP偏光板的前視圖。第5圖係以50倍之倍率進行貼合面之觀察。玻璃基板係配置於圖中下側，且隔著25μm之黏著劑層來貼合COP偏光板。如第5圖所示，實施例1之COP偏光板與玻璃基板，係在氣泡沒有侵入的狀態下貼合。此可視為在實施例1中進行COP偏光板之切斷時，不會在切斷端部產生變形，而可保持平坦的狀態之故。
[比較例1]
在比較例1中，係使用實施例1中使用的COP偏光板作為切斷對象。而且，除了藉由將移動速度調整在300mm/秒、輸出調整在45W後的雷射光(振盪波長：9.4±0.2μm)照射於COP偏光板，而完全地切斷COP偏光板以外，其餘設為與實施例1相同的雷射光照射條件。
將雷射光照射後之COP偏光板顯示於第6圖。第6圖之COP偏光板係以寬度方向變成為橫向的方式來顯示，且切斷面位於左側。如比較例1在僅利用雷射光之照射來切斷COP偏光板的情況下，如第6圖所示，COP偏光板之COP薄膜層9會因熱的影響而變形。
再者，將從切斷後的COP偏光板剝離分離薄膜，並與實施例1同樣地將COP偏光板貼合於玻璃基板後的狀態顯示於第7圖。第7圖係顯示貼合於玻璃基板後之COP偏光板的前視圖。玻璃基板係配置於圖中下側，且隔著黏著劑層來貼合COP偏光板。另外，第7圖與第5圖係以相同的倍率(倍率50倍)進行貼合面之觀察。
如第7圖所示，比較例1之COP偏光板與玻璃基板係在氣泡侵入的狀態下貼合。此可視為在比較例1中進行COP偏光板之切斷時，COP薄膜層因熱的影響而變形，且會在切斷端部產生變形之故。
根據實施例1與比較例1中的被切斷之COP偏光板的結果，可確認到：藉由使用本發明之方法，則即使是包含低吸收率薄膜之層的偏光板亦能夠不使切斷面產生變形地予以切斷。
[實施例2]
第8圖係顯示可在COP偏光板形成溝槽之條件中的雷射光之輸出與移動速度之關係的曲線圖。在第8圖的曲線圖中，係顯示雷射光相對於雷射光之移動速度的輸出範圍(上限及下限)。使用與實施例1相同的COP偏光板，且除了雷射光之輸出及移動速度以外的雷射光照射條件，其餘是設為與實施例1相同的條件。
如第8圖所示，可確認到：即使在使雷射光之移動速度產生變化的情況下，亦可藉由調整雷射光之輸出，而在構成COP偏光板的COP薄膜層形成溝槽。換言之，可以說可確認到：藉由按照雷射光之移動速度來適當調整雷射光之輸出、或是按照雷射光之輸出來適當調整雷射光之移動速度，就可在構成偏光板的低吸收率薄膜形成溝槽。如此藉由調整雷射光之輸出及/或移動速度而將在低吸收率薄膜形成溝槽的COP偏光板在撕裂步驟中予以撕裂，藉此就可不使切斷面產生變形地將COP偏光板予以切斷。
依據本發明之方法，則即使是包含薄膜之層的偏光板，亦可不使切斷面產生變形地予以切斷，其中，該薄膜對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為2%以下。因此，本發明能夠適用於使用偏光板的領域中。
1、1a至1d．．．搬運輥
2、2a、2b．．．捲繞軸
3．．．偏光板
5．．．開縫機
6．．．保護薄膜層(PET薄膜層)
7．．．TAC薄膜層
8．．．PVA薄膜層
9．．．COP薄膜層
10．．．黏著劑層
11．．．分離薄膜層(PET薄膜層)
A、B．．．撕裂邊
C．．．角之頂點
α．．．撕裂角度
第1圖係顯示本實施形態的開縫機之概略構成的側視圖。
第2圖係顯示照射各波長之光時的各種薄膜中之穿透率(%)的曲線圖；其中(a)係顯示TAC薄膜、COP薄膜、PET薄膜及PVA薄膜中的穿透率(%)，(b)係顯示有賦予相位差性能的TAC薄膜(n-TAC)及PMMA膜中的穿透率(%)。
第3圖係顯示在實施例1中照射雷射光後之COP偏光板的側視圖。
第4圖係顯示實施例1之撕裂步驟後之COP偏光板的側視圖。
第5圖係顯示貼合於實施例1之玻璃基板後之COP偏光板的前視圖。
第6圖係顯示比較例1之雷射光照射後之COP偏光板的側視圖。
第7圖係顯示貼合於比較例1之玻璃基板後之COP偏光板的前視圖。
第8圖係顯示可在COP偏光板形成溝槽之條件中的雷射光之輸出與移動速度之關係的曲線圖。
1a至1c．．．搬運輥
2a、2b．．．捲繞軸
3．．．偏光板
5．．．開縫機
A、B．．．撕裂邊
α．．．撕裂角度
Claims (7)
- 一種偏光板切斷方法，係包含低吸收率薄膜之層及高吸收率薄膜薄膜之層的偏光板之切斷方法，該低吸收率薄膜對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為2%以下，該高吸收率薄膜對於在前述振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為高於2%，且該偏光板切斷方法係包含：溝槽形成步驟，藉由照射經調整輸出及移動速度中之任一者或二者後之雷射光，而切斷上述高吸收率薄膜，並且在上述低吸收率薄膜形成溝槽；以及撕裂步驟，一邊調整撕裂角度及提供給偏光板之張力，一邊沿著上述溝槽將上述溝槽形成步驟後之上述低吸收率薄膜予以撕裂。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，在上述溝槽形成步驟中，係在上述低吸收率薄膜之雙面形成溝槽。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其中，在上述溝槽形成步驟中，係將雷射光之輸出設定在24W至77W之範圍，且將移動速度設定在300mm/秒至1000mm/秒之範圍。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其中，在上述撕裂步驟中，係將偏光板之撕裂角度設定在10°以上，且將張力設定在0.1N/mm以上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其中，上述低吸收率薄膜為環烯烴聚合物薄膜、聚丙烯薄膜、或 聚甲基丙烯酸甲酯薄膜。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其中，上述偏光板係包含薄膜之層的偏光板，而該薄膜對於在被照射的雷射光之振盪波長範圍內的雷射光之平均吸收率為1%以下。
- 一種偏光板，係藉由申請專利範圍第1項或第2項所述之方法而切斷。
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