TW200814038A - Optical information recording medium, method of manufacturing the same, and recording method - Google Patents

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200814038 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關可讀寫之光資訊記錄媒體及其記錄方法， 特別係有關藉由半導體雷射之波長為360〜450 nm的雷射光 (藍色雷射光、青藍色雷射光）來進行記錄之光資訊記錄媒 體，以及其製造方法及記錄方法。 【先前技術】

現在，係針對從先前起使用短波長側之36〇〜45〇咖附近 (譬如，405 nm前後）的藍色雷射光之可讀寫光資訊記錄媒 體’進行研發中（參考專利文獻〗）。 此光資訊記錄媒體係使用有機色素化合物於其光記錄 層；此有機色素化合物係藉由吸收雷射光而分解或變質， 將雷射光之在記錄再生波長上之光學性特性的變化作為調 變度而獲得，在實施記錄的同時並進行再生。 為支援近年之§己錄的南密度化及高速化，而針對使用雷 射光之短波長侧之技術展開研發；雷射光越往短波長侧， 就光記錄層而言則有必要形成越薄之薄膜；尤其，針對可 製得高折射率之色素之方向展開研發，亦即，針對High t〇 L〇W方式之光資訊記錄媒體展開研發（參考專利文獻2)。 換言之，利用藉由記錄再生波長上之折射率變 的光學性相位差而獲得調變度。 。成 利用圖13 ’針對此Hight〇L〇w方式之光資訊記錄媒體 記錄原理作說明。圖13係分別顯示折射率η及消光係數k 雷射光之波長的關係之圖形；在記錄後，折射率η係 113036.doc 200814038 小，反射率R則隨之下降。藉由將折射^之變化如取得較 大’以充份獲得反射率之變化ΔΚ，確保記錄訊洞㈣及其 他部分之間的調變度，而實施可再生之記錄。 ” 又，消光係數k之圖形事實上係等同於，該當色素之對 雷射光之吸光度之圖形；通常，係將此吸收峰值之長波長 側上之波長（記錄波長）作為記錄光（雷射光）之波長。^ 即，折射率η之圖形係在消光係數以圖形之長波長側具有 其吸收峰值；在此記錄波長上可取得較大之折射率η變化 △ η之故。 另一方面，消光係數k在相同記錄波長上，係與折射率η 同樣’在記錄後呈現減小’ I點已為—般所知；如消光係 數k減小，則反射率R增加。亦即，消光係數k之變化处係 發揮如下作用：使得因折射^之變化Δη所導致之反射料 之變化从減小。亦即，可將从之絕對值作為相當於. △10之量—而獲得。基於此因…獲得必要位準之調變 度，先前係將研發的重心放在，選擇△11儘量大且Ak儘量小 之色素上。 然而’實際上’就現狀而S，對於記錄波長為36〇〜45〇 謂之區域（譬如，4。5 nm)的雷射光，尚未獲得可作為光記 錄層3之色素材料的適當色素。 如上述般，就色素材料而言，有必要獲得適度之消光係 數k(吸收係數）及大折射率n，卩充份確保記錄前後之對 比；選擇材料，以使記錄再生波長位於色素之吸收光譜之 吸收峰值之長波長側之下坡；及進行設計，以獲得大折射 113036.doc 200814038 率η之變化Δη。

再者，就此有機化合物所f之特性而言，在對藍色雷射 光波長具有上述光學性性質的同時，亦有必要在分解：為 上作適切的選擇。然而，在此種短波長區域方面，光學 ，具有等同於先前之cm_奴折射率n的材料:不 夕。亦即’ a 了使有機化合物之吸收頻域接近藍色雷射光 波長近旁’則有必要使有機化合物之分子骨架變小或縮短 共輛，但是此類動作會造成消光係數k減小及折射率= 就用於解決此點之方法而言，並非利用色素分子之單體 之光學特H是藉由利用以締合為代表之分子間的相^ :用，以實現改善光學性性質；A一可能性雖為已知事 實，卻尚未獲得具有足夠之記錄特性的地步。 又，在對光資訊記錄媒體之高速記錄方面，由於有必要 在比先W及低速記錄之時更短的時間内進行特定之記錄， 因此，記錄功率變高、記錄時所產生之記錄層上之熱量及 每单位時間之熱量變大，使熱變形之問題會變得極明顯， 此乃成為記錄訊洞參差不齊的原因。又，用於照射雷射光 之半導體雷射之射出功率本身有其界限，目此可支援高速 記錄之高感度之色素材料成為一項需求。 如W述般，該當光資訊記錄媒體係以如下方向之研發為 主·將有機色素化合物使用於光記錄層，以獲得對短波長 側之雷射光特別具有高折射率之色素。 在監色雷射波長之近旁具有,及收頻域之有機化合物，目 113036.doc 200814038 前已有多種存在；其雖可控制消光係數]^，但並未具有大 折射率η，因此，為了確保印铋邱r 1示忑錄邛（记錄訊洞）之光學性相位 差而獲得調變度’故必須具有若干程度之色素膜厚才行。 然而，使用藍色雷射光之印鉾拔辨 _ 別尤 < 忑錄媒體係以高密度記錄用途 為需求，但其物理性執間距狹窄，色素分解時之熱容易傳 至鄰接之軌，所以有導致特性惡化之問題。 因此’在色素之高折射率變化困難之藍色雷射波長區域 的記錄媒體方面，先前之藉由折射率n變化之相位變化的 記錄，難以獲得良好之記錄特性，&為一項問題。 二’最近’亦已展㈣由LGWtGHigh方式之光資訊 媒體之研發’然而，在藍色雷射波長區域方面，特別是， 在溝槽對雷射光之人射呈凹方向且設有Gl咖之光穿^ ::射光入射面的光資訊記錄媒體之情形，如使用以崎 :::之複折射率之虛數部,的變化為主因子而產生反射率 二：τ色素，則在此Lowt()High方式之光資訊記錄 媒體上…己錄時之推挽(Nppb)信號會變得過高。 如推挽（NPPb)信號變得過大，則在藉由非點象差法之& 焦方式方面，影像制器之明暗識別變得困難 2 焦點追蹤；在DPP(差動推骑、古々七工 …次執订 # ^動推挽）方式方面’景Μ象偵測器之明 :“线別亦變得困難，無法執行循執追縱，此為待解決之問 :、又冑必要在背景使用消光係數較大之有機色素，且 冓才曰之溝/木、見度之影響而使推挽值容易變得過大。 又，此一情形，因折射率極小，故使推挽有呈良好之傾 向然而，由於是消光係數大之色素，戶斤以容易產生反 I I3036.doc 200814038 射，基於此因，其結果為，如僅作材料的選定，則 得具有適度且良好之推挽值的碟片。 …、决& [專利文獻1]日本特開平11-】2G594號公報[㈣] [專利文獻2]日本特開細3_3〇442號公報阳] [發明所欲解決之問題] 一本發明蝴於上述諸問題而研發者，其目的為 種適σ於猎由36〇〜彻iim，特別是彻麵前後（譬如， ΠΙΏ)之§己錄波長之高穷声 體及其記錄方法。 度及…錄的光資訊記錄媒 錚：法本的為，提供—種光資訊記錄媒體及其記 錄方法，其係在使用藍色雷射光之碟月上，進 好推挽信號之記綠者。 X付良 又，本發明之目的為，提供—種光資訊

錄方法，其係在使用藍色雷射光 ㈣U 好調變度之記錄者。㈣先之碟片上，進行可獲得良 ^ ^的為耠供一種光資訊記錄媒體及其 變形）少且耐再生性優良者先之碟片上，熱干涉（熱 【發明内容】 本發明係著眼於平垣部部分之膜厚比 且執之寬度(及深度)更狹窄者。 x… 亦即，本發明並非如先前般藉由Hight〇L〇w方式之記 率=依據精由Lowt〇High方式之記錄，且訊洞之反射 、°孔洞區域之反射率高，又’配列有訊洞之軌的區域 113036.doc 200814038 中之記錄層的最大膜厚為25〜60 nm之範圍，並且在鄰接於 軌的區域中之記錄層的最大膜厚為5〜30 nm之範圍’如 此’可搜得良好的推挽訊號者。 :亦即，藉由將平坦部分之膜厚、溝槽部分之膜厚設定為 最佳條件，即使使用消光係數大之材料作為記錄層，亦可 保持吸收量與反射量之最佳平衡，並使推挽變小。再者， 同樣的，即使將軌之溝深度、溝寬度設定為最佳條件，亦 _ 可使推挽變小。譬如，藉由使溝深度較淺而提高反射率， 使得 推挽（NPPb)信號=(PPb)信號/反射率之分母變大，則可使 NPPb變小。 在分割為4之影像偵測器（A、B、c、D)中，當雷射光在 溝槽上作掃描之情形時，推挽（Nppb)信號係定義為： 推挽（NPPb)信號=((a+bhc+d))/((a+b)+(c+d)) 再者’在使溝槽Wobbling時，執間距係在290 nm〜350 _ nm以内之範圍作變化，即使藉由使溝槽寬度比此一情形之 平均軌間距320 nm之半值160 nm更窄，亦可使推挽變小。 又’本發明係藉由Low to High方式之光資訊記錄媒體， 且係特別著眼於，在設有〇1 mm之光穿透層於雷射光入射 面的光資訊記錄媒體上，其平坦部及溝槽之光學性相位差 ‘ 與記錄層之消光係數k間之關係者；如以2 nabS{Dg-

Dl+(nsubxDsixb)/nabs}a所規定之光學性相位差AS、與記 錄前後之消光係數k之變化量△!<：間的關係，係在0.02 $ △ S X △]<： S 0 · 11之範圍内，則可確保良好之調變度者。 113036.doc -11 - 200814038 再者，本發明係麩ά 糟由Low to High方式之光資訊記錄媒 心，、如藉由使反射層之膜厚為m⑼腿之厚膜、溝寬 度為85 1 50 _，而達成良好之NPPb特性，且藉由厚膜而 可使記錄時所產生之讲刊*上 之過剩之熱迅速散熱並將熱干涉予以抑 制者。 因此，本發明並非先前之藉由High to Low方式之高折射 率之色素而進行記錄，工& 1 . "而係可稭由Low to High方式之消光 係數k之變化而進行記錄者；亦即，藉由36〇〜45〇_，特 別是在40〇 nm前德f a nr ^ ( $ 士，405 nm)之記錄波長的高密度及 高速記錄方面，可提高可靠度者。 亦即’弟1發明係一種光資訊記錄媒體，其特徵為包 含·基板’其係形成有溝槽及平坦部者；及反射層與記錄 層，其係形成於該基板上者. f，且该先貢訊記錄媒體係可雜 由將雷射光照射於前述記錄層，而記錄有或可記錄可作^ 學性讀取之訊洞(㈣者；前述訊洞之反射率係較非訊洞區 域之反射率高，且配列有前述訊洞之軌的區域中之記錄層 的最Μ厚’為25〜6G _之範圍又，鄰接於前述執的區域 中之έ己錄層的最大膜厚，為5〜3〇細之範圍。 又’第2發明係―種光資訊記錄媒體，其特徵為包含. 基板，其係形成有溝槽及平坦部者；及反射層與記錄層， 其係形成於該基板上者；且該光資訊記錄媒體係可藉由將 雷射光照射於前述記錄層，而記錄有或可記錄可作^學性 ::取之訊洞者二前述記錄層含有有機色素’且前述溝：部 刀之反射率較前述平坦部之反射率低。 113036.doc -12- 200814038 又，第3發明係一種光資訊記錄媒體，其特徵為包含： 基板，其係形成有溝槽及平坦部者；及反射層與記錄層， 其係形成於該基板上者；且該光資訊記錄媒體係可藉由照 射雷射光，而記錄有或可記錄可作光學性讀取之訊洞者； 又7刖述记錄層之溝槽部分之最大深度為Dsub、前述反 射層之溝槽部分之最大深度為Dref時，Ι-Dsub/Dref為 〇·2〜〇·6之範圍，且前述溝槽部分之反射率較前述平坦部之 反射率低。 又，第4發明係一種光資訊記錄媒體，其特徵為包含： 基板’其係形成有溝槽及平坦部纟；反射層與記錄層，其 ir、幵y成於絲板上者，·及光穿透層，其係形成於前述記錄 層上者’且该光貧訊記錄媒體係可藉由從前述光穿透層側 照射雷射光’而記錄有或可記錄可作光學性讀取之訊洞 f，又，令前述記錄層之光穿透層側之層界的溝槽部分之 最大冰度為Dsub、刚述記錄層之溝槽部分之最大厚度為 Dg刖述圮錄層之平坦部分之最大厚度為、位於從前 ^記錄層往光f透層側之層的複折射率之實數部為nsub、 前述記錄層之複折射率之者制_ & T母了手之男數部為nabs、再生光之波長為

λ時之光學性相位差as=2 nabs{Dg Di+(_b X —s}a;且令前述記錄層之未記錄時的複折射率之虛數部 為kabsb、δ己錄後之複折射率的虛數部為時之變化量 △ k=kabsb-kabsa 時，則為 〇〇2uSxAk$〇 上之範圍。 又第5么月^種光貧訊記錄媒體，其特徵為包含. 基板，其係形成有溝槽及平坦部者；及反射層與記錄層， 113036.doc 200814038 其係形成於该基板上者；曰兮本次 有，且δ亥光貝訊記錄媒體係可藉由從 前述光穿透層側照射雷射弁，而+ 对九而δ己錄有或可記錄可作光學 性讀取之訊洞者；且係於 使刖述反射層之膜厚設為120〜180 nm、前述反射層之溝寬度為85〜150 nm。 又，弟6發明係一種弁杳印々々東甘^ ^ 種尤貝Λ圯錄媒體之製造方法，其特 徵為：該光資訊記錄媒體藉由波長36()〜45〇咖之範圍之雷 射光’而記錄可作光學性讀取之訊洞者，且該製造方法包 3女下步“.在基板上形成反射層者；在前述反射層上， 於配列有訊洞之執的區域中最 匕Art取大馭厚為25〜60 nm之範 圍、鄰接於前述牵九的々 义軌的£域中之取大膜厚為5〜30 nm之範. 圍’形成記錄層者；及衣益十· 汉隹則述圮錄層上，配置厚度約0.1 爪爪之光穿透層者。 .再4 ’第7發明係-種《資訊記錄媒體之記錄方法，其 2徵為：該光資訊記錄媒體藉由波長360〜45() nm之範圍之 π光而σ己錄可作光學性讀取之訊洞者；且該光資訊記 ^ _ σ己錄方去，係藉由將光資訊記錄媒體以雷射光進 行照射，而其2 . 7成刖述汛洞，使訊洞之反射率較非訊洞區域 十 I千呵，前述光資訊記錄媒體係在配列有前述訊洞之 轨之區域中之記錄層的最大膜厚為25〜60 nm之範圍、鄰接 ;執的區域中之記錄層的最大膜厚為5〜3〇 nm之範圍 者又’可述雷射光係輻射光點徑為〇·3〜〇·5卩抓之範圍、 己錄力率為4.9〜5·9 mW之範圍者。 [發明之欵果] 梧據本發明，由於易達成光資訊記錄媒體之資訊的高密 II3()36.doc 200814038 度化及高速記錄化，故可實現支援更短波長，譬如36〇 nm〜450 nm之波長區域之雷射光的Low to High方式之光 訊記錄媒體。 又，本發明支援360 nm〜450 nm此種短波長區域之雷射 光，可獲得良好之推挽訊號及調變度。 再者，本發明在實現良好之NPPb特性的同時並可抑制 熱干涉（Jitter)。 【實施方式】 參考圖1至圖3，針對根據本發明之實施形態之光資訊記 錄媒體作說明。 圖1係顯示本發明之一實施形態之使用藍色雷射光的光 資訊記錄媒體之剖面圖。在圖丨中，圓盤狀之光資訊記錄 媒體1 0包含：厚度1 · 1 mm之基板1、形成於此基板1上之 反射層2、形成於此反射層2上之記錄層3(光吸收層）、形― 成於此記錄層3上之中間層7、及形成於此中間層7上之厚 度0 · 1 m m的光穿透層6。 基板1係主要以樹脂形成者，其係對雷射光之折射率馨 如為1.5〜1_7程度之範圍内的高透明度材料且具有高耐衝 擊性者。譬如，使用聚碳酸酯、玻璃板、聚丙烯板、環氧 樹脂板等。 反射層2係熱傳導率及光反射性高之金屬膜，譬如，將 金、銀、銅、鋁或包含其之合金，以蒸鍍法、濺鍍法等手 段所形成者。 。己錄層3係由形成於反射層2上之色素材料所構成之層， 113036.doc 200814038 且係藉由照射雷射光而伴隨著發熱、吸熱、熔融 變形或變性之層。此記錄層3係譬如將藉由溶劑所:解之 偶氮系色素、花青系色素等或其混合材料，藉由旋轉塗佈 法等手段’在反射層2之表面進行均句塗佈而形成者。就 記錄層3而言，譬如，係使用如下述（化收之偶氮系色素 化合物等。 [化1]

[在上述式中，AAA，係表示含有從氮原子、氧原子、石产 續原子、砸原子、及碲原子中選出之一個或複數個心 而f之互為相同或不同之複素環；UR24係分別獨立表 不虱原子或代換基；Y2I、γ22係表示從週期表中之第16族 之素選出之互為相同或不同之雜原子]。 矢 又，就記錄層3而言，係譬如使用如下述（化2)般之花主 系色素化合物等。 月 [化2] 】13036.doc -16- 200814038

m (f) [在上述式中’ Φ+及㈣分別表示㈣環殘基 %殘基、或二苯并，朵環殘 本开“ 對稱型幾花青之連結基;X-❹用於形成單或雙 數]。 X係表不陰離子；m係hiu之整

使用於記錄層3之材料可採用任意 吸收性之有有機色素為佳。 以先 中間層7係具有保護記錄層3之功能，為了防止記錄材料 =入鄰接層，故以蒸鍍法、_法等手段將之形成於記錄 層3之表面。 就中間層7而言，将栋爾m Λ 你便用 ZnS、以02、SiN、AIN、ZnS_

Si〇2、SiC等材料。 光穿透層6在保護反射層2、記錄層3免於外部之衝擊的 同％，並作為防止此各層2、3接觸濕氣等腐蝕因子的保護 層而發揮功能。此光穿透層6係由可穿透雷射光之材料所 構成，其係譬如將由聚碳酸酯樹脂、聚丙烯系樹脂、聚烯 烴系樹脂等樹脂材料所構成之薄片或玻璃板等透明材，藉 由备'外線硬化樹脂等透明接著劑或黏著劑貼合於中間層7 上而設置者。 圖1所示之光資訊記錄媒體係在記錄層3及光穿透層6之 間介在著中間層之例；然而，並不限於此，如圖2所示 般，在記錄層3上直接形成亦可。譬如，在記錄層3上藉由 旋轉塗佈等手法塗佈紫外線硬化樹脂，並藉由照射紫外線 113036.doc •17- 200814038 而形成光穿透層5亦可。又，採取如下方式亦無妨··在由 聚碳酸賴脂、靖系樹脂、聚稀烴系樹脂等樹脂材料 所構成之薄片或破璃板等透明材之一面，形成黏著劑等， 以作為光穿透層5,並將此光穿透層5貼合於記錄層3上。 種、，’σ構之光資訊§己錄媒體方面，雷射光通過光穿透 =6進打照射’被照射之記錄層3係吸收該雷射光，將光能 ㈣為熱能’造成記錄層3之分解或變性等，而形成記錄 .H才巴因記錄部分及未記錄部分之光反射率等所產生的 對比作為電性信號（調變度）予以讀取。 在此，以下針對本發明之結構作說明。 圖3係圖1中之光資訊記錄媒體之要部擴大圖。 在圖3中，Dsub係表示··在鄰接於記錄層3之光穿透層6 側，亦即，以中間層7之平坦部12部分之層界為基準時之 溝槽11部分之同層界的最大深度。係表示：位於從記 錄層3往光穿透層6側之層的複折射率之實數部；如該層為 .包含光穿透層6之由複數層所構成之情形時，藉由測定包 含，穿透層6之該複數層的表面，而作為合成之複折射率 之貫數部。油係表示記錄層3之複折射率之實數部。Dg 係表示溝槽η部分之記錄層3之最大厚度。D1係表示平坦 部6部分之記錄層3之最大厚度。 此一情形，當從光穿透層6側照射雷射光時，以記錄層3 之光穿透層6側之層為基準時之平坦部^部分的光學性距 肖隹’係以nabs · Dl矣子· ·、、婆1 如、 衣不，溝槽11部分之的光學性距離，係 以 nsub· Dsub+nabq· γ\γτ 主 一

Dg表不。因此，其光學性距離差ND li3036.doc -18- 200814038 為： ND=nabs · Dg+nsub · Dsub-nabs · D1 此時’當從光穿透層6側照射再生雷射光時，藉由反射 層2 ’在溝槽Π部分及平坦部12部分被反射之雷射光的光 學性相位差AS為： Δ8=2ΝΒ/λ

=2(nabs · Dg+nsub · Dsub-nabs · Dl)/ λ ~2nabs{Dg-Dl+(nsubxDsub)/nabs)}/ λ 又’如圖2之剖面圖所示般，在記錄層3上形成光穿透層 5之情形時，則以與光穿透層5之層界為基準，測定最大深 度Dsub、複折射率之實數部nsub即可。 在本發明中’為了實現藉由藍色雷射光之光資訊記錄媒 體，而著眼於藉由Low to High方式之記錄方式，具體而 吕，係著眼於，使平坦部部分之記錄層膜厚比先前之設計 更薄，且軌之寬度（及深度）更狹窄。 亦P於實驗上已證貫，在360〜450 nm之波長區域中， 在確保調變度的同時，使推挽（Nppb)信號在〇.4〜〇 7之範 圍’則可獲得良好之記錄再生特性。 、口此，圖4係顯示記錄層中之執區域（相當於溝槽叫 分）及鄰接於軌之區域（相t於平坦料部分）之膜厚、與 推挽(Nm)信號間之關係（fe3”在圖4中，橫轴係記錄層 之平坦部膜厚/溝槽膜厚，縱㈣推挽（聰)信號之值。 從同圖可知，為了獲得良好之推挽 ^ 3之平坦部膜厚/溝槽膜厚 。δ己錄層 π雖符在0.1〜0·6之範圍。如平 113036.doc •19- 200814038 ”膜厚/溝槽膜厚大於0·6，則推挽（NPPb)信號超過〇·7而 、欠得過大因而雷射拾取頭無法執行焦點追蹤。相對的， 女平坦^膜厚7溝槽膜厚小於0·1，則推挽（NPPb)信號小於 〇·4，因而無法執行記錄後之循軌控制。 〔fe5〕在圖4之關係中，如將記錄層3之平坦部膜厚及溝 槽膜厚之各資料予以取樣，則可獲得如下結果：在執區域 中之w己錄層的最大膜厚Dg係以25〜60 nm為佳、在鄰接於 執之區域中之記錄層的最大膜厚D1係以5〜30 nm為佳。此 乾圍可依據圖4所示平坦部膜厚對溝槽膜厚之比率為 〇·1〜0.6之範圍而作設定。 再者’ δ己錄層膜厚係譬如可藉由在中間層7及記錄層3之 界面剝離’而利用原子力顯微鏡（AFM)等裝置進行測定。 譬如’平坦部膜厚01係可在記錄層3中之無溝槽之碟片内 周區域或外周區域予以測定；在溝槽膜厚Dg方面，可預 先測定記錄層深度Dsub及平坦部膜厚D1，在記錄層洗淨 後測疋反射層深度Dref，則可藉由記錄層膜厚Dg= Dl+Dref-Dsub而予以算出。 在此’係顯示測定方法之一例，但並不限定於此，如以 其他方法進行測定亦無妨。 此一情形，將剝離所引起之參差不齊列入考慮，可將測 疋誤差預估為士 5 %。再者，各測定值如先測定該測定點上 之最大值亦無妨。 又’圖5、圖6係分別顯示轨之溝深度、溝寬度與推挽 (NPPb)信號間之關係。 113036.doc • 20 - 200814038 360〜450 nm之波長區域内獲得高密度之光資訊記錄媒 體’則有必要使軌間距為29〇〜35〇 nm之範圍。基於此 因’為了將基板1之成形上的内外周參差不齊予以抑制， 在圖5中，橫軸係相當於執之溝深度的溝槽深度，縱軸 係推挽（NPPb)信號之值；在圖6中，橫軸係相當於執之溝 寬度的溝槽寬度’縱軸係推挽（Nppb)信號之值。從此類結 果可知，為了獲得良好之推挽(Nppb)信號，在圖$中，其 溝深度係至少在30〜70 nm之範圍即可。然而，為了在

在圖6方面，為了 1之成形上的參差 溝深度係以35〜65 nm之範圍為佳。又， 確保良好之推挽（NPPb)信號並抑制基板 不齊’溝I度係以8 5〜1 5 0 nm之範圍為佳。 在此所提及之執之溝深度及溝寬度，係於在基板丨上形 成反射層2之狀態下所測定之值。此係與先前之定義光資 訊媒體中基板之溝深度及溝寬度者不同。其理由為，雷射 光之照射方向並非從基板側，而從基板側之相反側（亦 即，從光穿透層側）進行照射；就執而言，係於在基板丨上 形成反射層2之狀態下測定溝深度及溝寬度，此為用於獲 得穩定之推挽（NPPb)信號所必要者。 又 再者，在溝深度方面係測定該測定點上之最大值即可； 在溝寬度方面係測定半值寬度即可。又，在測定之際，與 刖述者相同，可利用原子力顯微鏡（AFM)等裝置予以測 定’測定誤差可預估為最大士5%。 又’本發明之Low to High方式之光資訊記錄媒體之特 U在於，藉由雷射光照射所形成之訊洞部分之反射率比非 113036.doc 21 200814038 訊洞部分之反射率更高。其理由為，在圖3中，如將雷射 =射溝槽部分’則記錄層3藉由吸收雷射光而分解或變 口而形成。fl洞。此打，記錄層3之吸收光譜之吸收峰 值係往短波長側移動。因此，藉由將記錄再生波長設定於 位於對記錄層之吸收峰值之短波㈣，可使記錄層3之消 光係數k增加，域記錄後之訊洞部分之反射率比非訊洞 部分之反射率更高’藉由此方式，可判斷訊洞之有益。

反射率可使用光譜分析儀等測定器進行測定；訊洞部 分' 非訊㈣分之反射率的差異，可作為電性信號之大小 予以測定。 又，使用有機色素於記錄層之情形時，本發明之l〇w t〇 High方式之光資訊記錄媒體之特徵在於，溝槽部分之反射 率係比平坦部部分之反射率更低。此係可藉由設定圖3中 之平坦部與溝槽之光學性相位差AS而予以調整。藉由將 溝槽部分之反射率抑制得較低’而使形成於溝槽部分之訊 洞可記錄得更鮮明。藉由此方式’在獲得最佳推挽（Nppb) 信號的同時，在記錄後亦可正確讀取訊洞，獲得良好之調 變度。 此反射率之測定係可以與前述同樣之方法實施。 又，記錄層3之調平及推挽（NPPb)之關係係如圖7所示。 在圖7中，橫軸係調平之值；縱軸係推挽（Nppb)之值。 在此，調平係指，設定記錄層之溝槽部分之最大深度為 Dsub、前述反射層之溝槽部分之最大深度為Dref時，以1-Dsub/DTef之條件所得到之值；係表示雷射光之繞射的影 113036.doc -22- 200814038 響之指標。從此結果可知， ^ 号卢，則以、+、/欠从 、了獲得良好之推挽（NPPb)信 就則以上述條件所得到之伯# ,.x j之值係以0·2〜0·6之範圍為佳。 如此调平值低於0·2， °己錄層3之凹凸變大，使推挽 (NPPb)信號變得過大 文人便推挽 ‘ 相對的，如調平值超過0.6， 則難以獲得平坦部•溝样 9 對比，使推挽（NPPb)信號變得 過小，難以執行執追蹤。

再者，在測定之際，‘ 1A

τ'如則述般，譬如，可藉由在中間層 7及記錄層3之界面泰丨雜，工… ’ 而利用原子力顯微鏡（AFM)等裝 置進行測定。在此，将親；丨 你c係顯不測定方法之一例，但並不限定 於此，如以其他方法進行測定亦無妨。 此一情形，將剝離所引起$失 〇 W I之參差不齊列入考慮，可將測 定誤差預估為士5% 〇再去，欠、日,—Α 丹者各測疋值如先測定該測定點上 之最大值亦無妨。 又，圖8、圖9係分別顯示推挽（NPPb)信號、調變度對圖 3中之光學性相位差Δ8、記錄層之消光係數k之記錄前後 之變化量Ak之關係。 在圖8中，橫軸&ASxAk之值，縱軸為推挽 值’在圖9中’橫軸為之值，縱軸為調變度之值。 從此類結果可知，從光學性相位差、消光係數k之變化 量Ak之積構成之參數，係與推挽（NppbHf號及調變度呈 線性關係。 此係，在組合菲涅耳繞射式及多層膜之吸收、穿透、多 重反射式，實施將溝槽、平坦部形狀置入條件中之可讀寫 碟片之理論計算；及使用菲涅耳繞射式，實施將訊洞形狀 113036.doc -23- 200814038 置入條件中之R〇M碟片之模擬後；從理論上可知，在可 。賣寫碟片及ROM碟片之推挽信號之peak t0 peak之振幅差 方面’可讀寫碟片之方係大約1·8倍，R〇M碟片之推挽_ 號係模擬上0.3程度，此一情形，在R〇M碟片方面獲得 50%以上之調變度。

依據此理論，在360〜450 nm之波長區域中可讀寫碟片之 調變度有必要確保於4〇〜7〇之範圍；從圖8、圖、之結果可 知，係以使光學性相位差AS、消光係數k之變化量—之 積：ASx^k之值在0·〇2〜〇·η之範圍為佳。 在此，光穿透層側之層之折射率、記錄層之折射率、消 光係數，譬如可藉由η、让計測裝置（譬如，ετα_ Optik GmbH公司製ETA_RT/UV)予以測定。再者，在測定 之際’如前述般，#如，在中間層7及記錄層3之界面剝 =，譬如，可在無溝槽之碟片内周區域或外周區域進行測 定。又，記錄層之膜厚、冑深度等其他條件，可藉由原子 ㈣㈣（AF_裝㈣行敎。在此，係顯示载方法 之-例’但並不限定於此，如以其他方法進行測定亦益 妨。 入考慮，可將測 、溝深度等測定 此一情形，將剝離所引起之參差不齊列 定誤差預估為±5%。再者，記錄層之臈厚 值如先測定該測定點上之最大值亦無妨。 如圖7所示般，為 Dsub/Dref)變大才行； 層之膜厚變厚。然而， 了減小NPPb，則必須使調平（1_ 因而有必要使Dsub變小，以使記錄 如使記錄層厚臈化，則導致記錄時 113036.doc -24- 200814038 過度蓄熱，產生記錄時無法補償之熱干涉，而使Jitter特 性惡化，因此，NPPb特性及Jitter特性呈相反之關係。 如前述般，本發明之光資訊記錄媒體由於在基板上具有 反射層及記錄層，反射層亦具有溝形狀，現已經得知，該 反射膜及溝寬度對NPPb特性及Jitter特性有極大影響。 反射膜厚及jitter特性之關係係如圖丨〇所示。 在圖10中，橫軸係反射膜厚（nm)之值，縱軸係Jitter(%) 之值。 從其結果可知，反射膜厚係在120〜180 nm顯示良好之 值’如薄於120 nm，則Jittei·急速惡化。 圖11係將溝之深度當作與基板相同不作變化，而使溝寬 度變化時之溝寬度與推挽（NPPb)信號之關係。 在圖11中，橫軸係反射層之溝寬度（nm)之值，縱軸係推 挽（NPPb)信號之值。 從其結果可知，反射層之溝寬度係在85〜150 nm顯示良 好之值，如超過15〇 nm，則NPPb成為0.7以上。 從此種結果可知，本發明係藉由以120〜180 nmi厚膜形 成反射膜厚並使溝寬度為85〜150 _，而達成良好之㈣ 特性，且藉由厚反射膜而可使記錄時所產生之過剩之熱迅 速散熱並將熱干涉予以抑制。 次藉由此方式’在36G〜45〇 nm之波長區域可進行記錄之光 貝.fU己錄媒體’係藉由獨立設定前述各種條件或組合各種 條件，而可獲得良好之推挽（NPPb)信號及調變度。 、下針對在藉由記錄裝置將前述光資訊記錄媒體 113036.doc •25- 200814038 實施最佳記錄之際的記錄方法，作㈣。 使用360〜45G nm般之短波長區域的雷射光之情形時 前述光資訊記錄媒體之結構中係以如下者為佳：配列有气 洞之執之區域t的記錄層的最大膜厚為25〜6q nmn ^鄰接於軌的區域中之記錄層的最大膜厚為5〜30 nm之範 此一情形，雷射光之光點徑會使推挽(Nm)信號來差不 齊：因此，如特別著眼於韓射方向之光點徑，為了抑制記 錄時之訊洞的擴張以 Λ, Λ ^ 〃 防止串音，則係使輻射光點徑在 =:;?圍為佳。該情形，為了防止記錄層之熱干 :二:：Γ 變度，係… m之乾圍為佳。在此種條件下，藉由將雷射光昭 射光貧訊記錄媒體，則 尤…' 之反射率更高。則W之反射率比非訊洞區域 it(NPPb ^ [錢之光資訊記錄媒體可獲得良好之推 挽（NPPb)信號及調變度。 t再：射=12中之圖形係顯示：在前述光資訊記錄媒體10 讀= 之厂變化量^及消光係數以變化量Ak對變化之 ;”;；：： 變度(反射率)的影響度；從圖示可知， 就對调交度之貢獻度而言，係盥 比Δη為大。從此—沾 /、先别之色素不同，从方面 生之效果。 果可H調變度之約80%係Ak所產 如從圖13中所得到 調變度達到㈣，就^ ί進行計算，譬如為使 洗^而吕’需要0.052(94%上昇）；就从 113036.doc -26- 200814038 而言，需要0.009(22%上昇）；I Λ ^ Λ 叮/，丹體而=，An需要〇·335 △ k 需要 0.055。 又’圖13係顯示反射率對把6 :盯手對折射率η之變化的圖形；如欲 單獨以折射率η而獲得必要之兮 文交度（譬如，0.45)，則在折 射率之變化範圍上，係如圖中一 μ •，沾紐劃線之範圍般，需要 二點短劃線之範圍）之值的變化， 之變化。 約L55499之變化；但在實際之結果上，就心而言，僅 0.055之變化，如圖η所示般僅有非常狹窄之區域（圖中之

無法獲付必要之反射率 圖Η係顯示反射率對消光係數匕變化的圖形；如欲單 獨以消光係數k而獲得必要之調變度（譬如，〇·45)，則在消 光係數k之範圍上，係如圖中一點短劃線之範圍般，需要 約0.15〜0.2之變化；但在實際之結果上，就从而言，僅 0.040之變化；如圖M所示般，係與折射率n之情形不同， 顯不出非常寬廣之區域(圖中之二點短劃線之範圍)之值的 變化，僅以Μ亦可獲得必要之反射率之變化。 再者，在圖14中，在―之範圍上，係將單獨時之必要值 之範圍（圖中一點短劃線）挪移到比實際之變化量之範圍（圖 中之二點短劃線之範圍）更小之值，其原因為，在反射率 對Μ之、欠化之傾向上，如越小則反射率之上昇斜度變 咼，故將更佳之範圍予以顯示；但在實用上，可將从之範 圍設定為任意之部分。 (第1實施例） 形成包含間距〇.32 μηι之溝槽，製作外徑12〇 nm、 113036.doc -27- 200814038 1·1麵之圓盤狀聚碳酸_製之基板。在此基板上，進行賤 鑛包含Ag合金之反射層，而形成深度45麵、寬度ιι〇 _ 之軌。其後，把將（化1)所示偶氮色素溶於71?1>(四氟丙醇） 溶劑而成之色素溶液，藉由旋轉塗佈法予以塗佈，於溫度 8〇°C實施30分乾燥後，形成溝槽膜厚35 nm、平坦部膜厚 15腿之記錄層。其後，進行錢鍍，將包含氮化銘材料之 透明中間層形成30 nm厚度。其後，把由〇1 _之聚碳酸

酯製薄片所構成之光穿透層，介以透明黏著劑貼合於中間 層之表面，而獲得光資訊記錄媒體。 將以此方式所獲得之光資訊記錄媒體之記錄層之折射率 η、消光係數k，藉由n、^十測裝置（steage ΕΤΑ_〇ρ_

GmbH公司製ETA_RT/UV)予以測定後，n為i 42、乂為 再者光學性相位差AS為0.37。在消光係數k之變化 量Μ方面，使用示差熱分析裝置（TG-DTA)將記錄層加 熱並’則疋加熱後之消光係數，k為〇·23、變化量為 0.16 〇 將此光資訊記錄媒體，使用市售之記錄再生裝置 (Pulwtech公司製DDU_1〇〇〇)，以波長4〇5 nm、數值孔徑 NA0.85、記錄功率5.3 mW，以線速4 92 _進行記錄並將 再生特性予以評價，推挽（Nppb)值為〇·45、調變度為 55% ;亦即，均獲得良好結果。 (第2實施例） 示、下者外’係採取與上述第〗實施例同樣方式而獲得 光資訊記錄媒體：在基板上濺鍍反射層，形成深度57 113036.doc -28 - 200814038 nm、寬度11 〇 nm之軌；就記錄層而言，把將（化〗）所示偶 氨色素及（化2)所示花青色素溶KTFp(四氟丙醇）溶劑而成 之色素溶液，藉由旋轉塗佈法予以塗佈，而形成溝槽最大 膜厚34 nm、平坦部膜厚1 〇 nm之記錄層。 將以此方式所獲得之光資訊記錄媒體之記錄層之折射率 η、消光係數k，藉由！！、]^計測裝置（steage ETA_〇ptik

GmbH公司製ETA-RT/UV)予以測定後，^ i 4i、k為 〇.35。再者，光學性相位差^為〇49，在消光係數k之變化 S Ak方面，使用示差熱分析裝置（TG-DTA)將記錄層加 熱，亚測定加熱後之消光係數，]^為〇·21、變化量^為 0.14。 將此光資訊記錄媒體，使用市售之記錄再生裝置 (Pulsetech公司製DDU_i_)，以與第i實施例同樣之條件 進行記錄並將再生特性予以評價，推挽（Nppb)值為〇·5ι、 調變度為58% ;亦即，均獲得良好結果。 (第3實施例） 除以下者外，係採取與上述第】實施例同樣方式而獲得 光資訊記錄媒體：在基板上滅鍍反射I，形成深度35 nm寬度85 nm之執，就記錄層而t，係將與第i實施例同 樣之色素溶液’藉由旋轉塗佈法予以塗佈，而形成溝槽最 大膜厚23 nm、平坦部膜厚16 nm之記錄層。 將以此方式所獲得之光資訊記錄媒體之記錄層之折射率 η ，肖光如數k ’藉由n、让計測裝置⑼ΕτΑ_〇ρ仙 ⑽沾公司製心譲力予以測定後’^為^以 113036.doc -29- 200814038 〇·39。再者’光學性相位差Δ8&〇·34，在消光係數^之變化 置Δ1(方面，使用示差熱分析裝置（TG_DTA)將記錄層加 熱，並測定加熱後之消光係數，]^為〇 23、變化量处為 0.16。 … - 將此光資訊記錄媒體，使用市售之記錄再生裝置 . (Pulsetech公司製0]〇1;-100〇)，以與第1實施例同樣之條件 進行記錄並將再生特性予以評價，推挽（Nppb)值為〇4〇、 Φ 凋蜒度為47〇/°，亦即’均獲得良好結果。 (弟1比較例） 除以下者外，係採取與上述第J實施例同樣方式而獲得 光貧訊記錄媒體：在基板上濺鍍反射層，形成深度30 nm、見度85 nm之轨；就記錄層而言，係將與第i實施例同 樣之色素溶液，藉由旋轉塗佈法予以塗佈，而形成溝槽最 大膜厚45 nm、平坦部膜厚3〇 nm之記錄層。 將以此方式所獲得之光資訊記錄媒體之記錄層之折射率 _ 11、消光係數k，藉由n、1計測裝置（Steage ETA_〇ptik

GmbH公司製ETA-RT/UV)予以測定後，η為Μ2、k為 〇·39。再者，光學性相位差為〇 24，在消光係數匕之變化 夏从方面’使用示差熱分析裝置（TG-DTA)將記錄層加 熱’並測定加熱後之消光係數，k為〇·23、變化量从為 * 0·16 〇 將此光資訊記錄媒體’使用市售之記錄再生裝置 (Pulsetech公司製DDU-1000)，以與第！實施例同樣之條件 進行記錄並將再生特性予以評價，推挽（NPPb)值為〇·26、 113036.doc -30· 200814038 均呈現過低之結果 無法後得良好 調變度為3 8 % ;亦艮p 之特性。 (第2比較例） 光…… 與上述第1實施例同樣方式而獲得 貝。 ，； 、— ·在基板上濺鍍反射層，形成深产7() nm、寬度153 nm之轨.4攻冰度70 之軌，就圮錄層而言，係將與第丨實 同樣之色素溶液，μ由浐絲么认 例 错由輯塗佈法予以塗佈，而形成溝槽

取大料55 nm、平坦部膜厚39 _之記錄層。 將以此方式所獲得之光資訊記錄媒體之記錄層之折射率 η、消光係數k ’藉由n、让計測裝置（Steage ETA_〇ptik

GmbH公司製ETA_R谓v)予以測定後，n為K42、k為 〇曰·39。再者’光學性相位差AS為請，在消光係數k之變化 里Ak方面，使用示差熱分析裝置（tg_dta)將記錄層加 熱’並測定加熱後之消光係數，k為0.23、變化量从為 0.16。 將此光資訊記錄媒體，使用市售之記錄再生裝置 (Pulsetech公司製DDU_1〇〇〇)，以與第1實施例同樣之條件 進行記錄並將再生特性予以評價，推挽（Nppb)值為〇·76、 调變度為75% ;亦即，均獲得過高之結果，未獲得良好之 特性。 (第1評價條件） 形成包含間距0·32 μπι之溝槽，製作外徑120 mm、厚度 1 · 1 mm之圓盤狀聚碳酸酯製之基板。在此基板上，進行濺 錢包含Ag合金之反射層；以下，則以實施例及比較例之條 113036.doc •31 - 200814038 件形成軌。其後，色素”：把將(化1)所示偶氮色素溶於 TFP(四敦丙醇）溶劑而成之色素溶液，藉由旋轉塗佈法予 以塗佈，於溫度80。(：實施30分乾燥後，形成由相同實施例 及比較例之條件所構成之溝槽膜厚、平坦部膜厚之記錄 層。色素Π):把將（化1)所示偶氮色素及（化2)所示花青色 素溶於TFP(四氟丙醇）溶劑而成之色素溶液，藉由旋轉塗 佈法予以塗佈，於溫度8〇〇c實施3〇分乾燥後，形成由相同 员鉍例及比較例之條件所構成之溝槽膜厚、平坦部膜厚之 記錄層。其後，分別針對丨）及屮進行濺鍍，將包含氮化鋁 材料之透明中間層形成20 nm厚度。其後，把由01 之 聚石反I S曰製薄片所構成之光穿透層，介以透明黏著劑貼合 於中間層之表面，而獲得光資訊記錄媒體。 將此光資訊記錄媒體，使用市售之記錄再生裝置 (PulSetech公司製DDU_1〇〇〇)，以波長4〇5 nm、數值孔徑 NA0.85、記錄功率5.3 mw，以線速4.92 m/s進行記錄並將 再生特性予以評價。 (第4實施例） 形成深度46 nm、寬度109 nm之執，使用色素i，形成溝 槽膜厚27 rnn、平坦部膜厚10 nm之記錄層。此時，1-Dsub/Dref為0.37，實施再生評價，得到推挽值（Nppb)〇 59 之良好結果。 (第5實施例） 形成深度62 nm、寬度136 nm之軌，使用色素ϋ，形成溝 槽膜厚44 nm、平坦部膜厚12 nm之記錄層。此時，1- 113036.doc -32- 200814038

Dsub/Dref為0·52，實施再生評價，得到推挽值（NPPb)0.49 之良好結果。 (第6實施例） 形成深度35 nm、寬度86 nm之軌，使用色素i，形成溝 槽膜厚27 nm、平坦部膜厚6 nm之記錄層。此時，1-Dsub/Dref為0.60，實施再生評價，得到推挽值（NPPb)0.40 之良好結果。 (弟3比較例） 形成深度57 nm、寬度153 nm之軌，使用色素i，形成溝 槽膜厚23 nm、平坦部膜厚14 nm之記錄層。此時，1-DsUb/Dref為〇·ΐ6，實施再生評價，得到推挽值（Nppb)〇74 之過大結果。 (第4比較例） 形成深度35 nm、寬度86 nm之軌，使用色素i，形成溝 槽膜厚27 nm、平坦部膜厚4 _之記錄層。此時，^ • Dsub/Dref為〇·66，實施再生評價，得到推挽值（Nppb)〇.35 之過小結果。 (第2評價條件） 形成包含間距〇·32 μιη之溝槽，製作外徑12〇 mm、厚度 1·1 mm之圓盤狀聚碳酸酯製之基板。在此基板上，進行濺 鍍包含Ag合金之反射層，並形成執。其後，色素〇 :把將 (化1)所示偶氮色素溶於TFP(四氟丙醇）溶劑而成之色素溶 液，藉由旋轉塗佈法予以塗佈，於溫度⑼它實施3〇分乾燥 後’形成記錄層。色素Π):把將（化1}所示偶氮色素及（化 113036.doc -33- 200814038 2)所不钯青色素溶於TFP(四氟丙醇）溶劑而成之色素溶 液’藉由旋轉塗佈法予以塗佈，於溫度8〇〇c實施3〇分乾燥 後，形成記錄層。其後，分別針對i}及Η)進行濺鍍，將包 含氮化鋁材料之透明中間層形成2〇 nm厚度。其後，把由 - o·1 mm之聚碳酸醋製薄片所構成之光穿透層，介以透明黏 _ 著劑貼合於中間層之表面，而獲得光資訊記錄媒體。 此時，將色素i中之記錄層之折射率η、消光係數]<：，藉 • 由 η、“十測裝置（Steage ETA-Optik GmbH 公司製 ΕΤΑ- RT/UV)予以測定後，η*〗·#】、让為〇39。在消光係數&之 變化量Ak方面，使用示差熱分析裝置（TG-DTA)將記錄層 加熱，並測定加熱後之消光係數，k為〇·23、變化量处為 〇.16。同樣的，色素ϋ中之記錄層之折射率1>為141、消光 係數k為〇·35 ;在消光係數k之變化量Ak方面，將加熱後之 消光係數予以測定，k為0.21，因此變化量Ak為0.14。 將此光資訊記錄媒體，使用市售之記錄再生裝置 _ (Pulsetech公司製DDU-1〇〇〇)，以波長405 nm、數值孔徑 NA0.85、記錄功率5·3 mW，以線速4.92 m/s進行記錄並將 再生特性予以評價。 (弟7實施例） ’使用色素i，依據前述光學性相位差AS之式，形成AS為 〇 · 5之光寅訊記錄媒體。此時，a § χ μ為〇 · 8，獲得推挽值 (NPPb)為〇·4〇、調變度為52%之良好結果。 (第8實施例） 使用色素ii，依據前述光學性相位差AS之式，形成△;§為 113036.doc -34- 200814038 0.7之光資訊記錄媒體。此時，△8><仏為〇1，獲得推挽值 (NPPb)為0.53、調變度為64%之良好結果。 (第5比較例） 使用色素i，依據前述光學性相位差…之式，形成…為 1·〇之光資訊記錄媒體。此時，△以仏為016，推挽值 (NPPb)為〇·75、調變度為76%，獲得推挽值過大之結果。 (第9〜11實施例及第6、7比較例）

形成包含間距0.32 μιη之溝槽，製作外徑12〇 mm、厚度 1 · 1 mm之圓盤狀聚碳酸酯製之基板。在此基板上，將包含

Ag合金之反射層以6〇〜18〇 nm之厚度予以濺鍍，並形成 執。其後，把將（化1)所示偶氮色素溶於TFp(四氟丙醇）溶 劑而成之色素溶液，藉由旋轉塗佈法予以塗佈，於溫度 C實施3 0为乾燥後，形成溝槽膜厚3 5 nm、平坦部膜厚1 $ nm之記錄層。 其後’進行濺鍍使包含氮化鋁材料之透明中間層形成2〇 nm厚度。其後，把由〇1 mm之聚碳酸酯製薄片所構成之 光牙透層’介以透明黏著劑貼合於中間層之表面，而獲得 光資訊記錄媒體。 將此光資訊記錄媒體，使用市售之記錄再生裝置 (Pulsetech么司製DDU-1000)，以波長405 nm、數值孔徑 NA0.85、線速4.92 m/s進行記錄/再生特性予以評價。 基板、反射膜形成後之溝深度、溝寬度係使用AFM進行 计測。基板之溝深度係以35〜623 nm之範圍製作，反射膜 厚升> 成後之深度變化為土3 nm，係誤差程度之結果。 113036.doc -35- 200814038 第4〜6實施例及第3、4比較例中之各自之基板之溝寬 度、反射膜厚、反射層之溝深度及溝寬度、NPPb、及 Jitter係如下表所示。 第9實施例 第10實施例 第11實施例 第6比較例 第比較例7 基板之溝寬度(nm) 156 178 156 156 195 反射膜厚(皿〇 150 150 180 60 150 反射層之溝深度 (nm) 57 57 57 57 57 反射層之溝寬度 (ran) 105 136 85 141 153 NPPb 0.50 0.62 0.40 0.64 0.75 Jitter(%) 5.80 5.48 6.00 12.68 5.55 在此，NPPb值係將推挽信號在分割為4之偵測器（A、 B、C、D)之旋轉追蹤方向上分割為2(A+B、C+D)，在取 其差分後，以反射光量予以除算後之值。此值本身係以上 述市售之記錄再生裝置所算出。 又，Jitter值係將RF信號二值化，將此二值化後之數位 化信號與基準時脈之偏離量算出之值。此值本身亦以上述 之記錄再生裝置所算出。 接著，在波長360〜450 nm之波長區域中，藉由在確保調 變度的同時使推挽（NPPb)特性之上限為0.7，而可獲得良 好之記錄再生特性。如推挽（NPPb)信號超過0.7，則影像 偵測器之明暗識別變得困難，無法進行循軌追蹤。 又，如Jitter特性在合乎推挽特性的同時並為8%以下， 則可獲得良好之記錄再生特性。如Jitter特性超過8%，則 資料讀取變得益發困難，在光碟機侧有無法執行資料之讀 取之虞。 113036.doc -36- 200814038 在第4至第6實施例方面，無論奶^“戈川…均獲得良好 之結果。另-方面’在第3比較例方面，雖然Nppb良好， 但熱干涉較大，Jitter成為12.6%之結果；在第4比較例方 面，雖然Jitter良好，但NPPb卻成為〇75之過大結果。 再者，在前述本發明之實施型態方面，係顯示記錄層為 一 f之情形；然而並不限定於此，記錄層為形成多複婁^姐 之多層記錄型之光資訊記錄媒體亦可充分適用。

人，在所述本發 ，，一，丨、田匕I材非

所構成之層作為記錄層，然而並不限定於此，譬如，去/ $層引起與記錄有關之光學干涉之情形時，就記錄 言，係由包含反射層之複數層所構成者。又，當設置呷』 於記錄層之調整光學特性之光干涉層、增強層情形時砷J 道理亦相㈤。總之’就記錄層而言’如為與記錄有關: 層’其可為一層亦可為複數層。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之一實施形態中之光資訊記錄媒體 圖。 〇J Φ 圖2係本發明之其他實施形態中之光資訊記錄媒體 面圖。 足夂剖 圖3係本發明之一實施形態中之光資訊記錄 擴大圖。 …、心要部 的圖形 圖4係顯示本發明中之記錄層膜厚與推挽信號間之 m _ 關係 關係 圖5係顯示本發明中之執之溝深度與推挽信號間之 113036.doc -37 - 200814038 的圖形 圖6係顯示本發明中之軌之溝寬度與推挽信 的圖形。 號間之關係 圖7係顯不本發明Φ $ ^牟@ k d T之忑録層之調平與推挽作 係的圖形。 號間之關 圖8係顯示本發明中之光學參數與推挽 圖形。 信號間之關.係的 圖9係顯示本發明中之光學參數與調變度間 〇 圖10係顧示本發明中之反射膜厚與 之關係的圖 之關係的圖 圖11係將本發明中之溝寬度與推 、银规彳5旒間之關係顯示於 圖11之圖形。 圖12係顯示本發明之光資訊記錄媒體中，Δη及从對改 變記錄層之膜厚時之調變度（反射率）之影f度的圖形。 圖13係顯示同上之反射率之對折射率叫變化之圖形。 圖14係顯示同上之反射率之對消光係數k的變化之圖 形。 圖15係分別顯示折射專n及消光係數k之對雷射光之波長 的關係之圖形。【主要元件符號說明】 1 2 基板 反射層 記錄層 113036.doc * 38 - 3 200814038 5 > 6 光穿透層 7 中間層 10 光資訊記錄媒體 11 溝槽 12 平坦部 113036.doc -39-

Claims (1)

1. 200814038 十、申請專利範圍： 1. -種光資訊記錄媒體，其特徵為包含： 基板’其係形成有溝槽及平坦部者；及 射層與°己錄層’其係、形成於該基板上者； 且該光資訊記錄媒髀益π #， 體係可糟由將雷射光照射於前述記 :層’而記錄有或可記錄可作光學性讀取之訊洞(。it) 列月 洞之反射率係較非訊洞區域之反射率高，且配 25〜6::訊：之軌的區域中之記錄層的最大膜厚為 nm之耗圍’鄰接於前述執的區域中之記錄層的最 大膜厚為5〜30nmi範圍。 卞層的最 2.如請求们之光資訊記錄 ^ T列有則述訊洞之 域中之記錄層的最大膜厚’與鄰接於前述軌的區 '§己錄層的最大膜厚之比，為G.卜0.6之範圍。 月求負1之光貝§fl記錄媒體，其中前述執之最大深度 局Μ〜65 nm之範圍。 4.如叫求項i之光資訊記錄媒體，其中前述軌係以㈣〜⑽ T之範圍的間距’且以85〜15〇nm之範圍的寬度而形成 5· 一種光資訊記錄媒體，其特徵為包含： 土板其係形成有溝槽及平坦部者；及 反射層與記錄層，其係形成於該基板上者； 且4光貧訊記錄媒體係可藉由將雷射光照射於前述記 錄層，而記錄有或可記錄可作光學性讀取之訊洞者； 113036.doc 200814038 前述記錄層含有有機色素，且 較前述平土旦部分之反射率低。 ^>之反射率 6· 8.

   如請求項5之光資訊記錄媒體， 光係數在前述雷射光之再生波長中，為〇.:〜機色：之消 如請求項5之光資訊記錄媒體前’6之耗圍° 射率在前、+、+ ”中則述有機色素之折 射革在别柄射光之再生波長中，為u 一錄伞· ’之乾圍。 種九貝Λ记錄媒體，其特徵為包含： 而記錄有 基板’其係形成有溝槽及平坦部者；及 反射層與記錄層，其係形成於該基板上者·， 且該光資訊記錄媒體係可藉由照射雷射光 或可兄錄可作光學性讀取之訊洞者； 又，令前述記錄層之溝槽部分之最大深度為Dsub、前 述反射層之溝槽部分之最大深度為Dref時， 為〇·2〜〇·6之範圍，且前述溝槽部分之反射率較前述平坦 部分之反射率低。

   9·如請求項8之光資訊記錄媒體，其中包含形成於前述記 錄層上之光穿透層，且從前述光穿透層側照射雷射光。 1〇·如請求項5或8之光資訊記錄媒體，其中前述記錄層係吸 收波長360〜450 nm之範圍的雷射光。 11.如請求項5或8之光資訊記錄媒體，其中前述記錄層係吸 收波長405 nm之雷射光。 12.如請求項5之光資訊記錄媒體，其中前述雷射光之記錄 波長，係相對於前述記錄層中之吸收光譜之吸收峰值， 位於短波長側者。 113036.doc 200814038 13 · —種光資訊記錄媒體，其特徵為包含·· 基板，其係形成有溝槽及平坦部者； 反射層與記錄層，其係形成於該基板上者；及 光穿透層，係形成於前述記錄層上者； 且该光資訊記錄媒體係可藉由從前述光穿透層側照射 雷射光，而記錄有或可記錄可作光學性讀取之訊洞者； 又’令則述記錄層之光穿透層側之層界的溝槽部分之 最大洙度為Dsub、前述記錄層之溝槽部分之最大厚度為 Dg、刖述記錄層之平坦部分之最大厚度為^^、位於從前 述記錄層往光穿透層側之層的複折射率之實數部為 nsub、前述記錄層之複折射率之實數部為、再生光 之波長為λ時之光學性相位差 Dsub)/nabs}/X ； 且*7如述A錄層之未記錄時的複折射率之虛數部為 kabsb、記錄後之複折射率的虛數部為kabsa時之變化量 △k=kabsb-kabsa 時，則為 0』2$ASxAks〇11 之範圍 ό 14·如請求項12之光資訊記錄媒體，其中前述記錄層與前述 光穿透層之間係挾有中間層。 15· —種光資訊記錄媒體，其特徵為包含： 基板’其係形成有溝槽及平坦部者；及 反射層與記錄層，其係形成於該基板上者； 且該光資訊記錄媒體係可藉由將雷射光照射於前述記 錄層’而記錄有或可記錄可作光學性讀取之訊洞者； 且使則述反射層之膜厚為12〇〜18〇 nm、前述反射層之 113036.doc 200814038 溝寬度為85〜150 nm。 I6· 一種光資訊記錄媒體之製造方法，其特徵為：該光資訊 記錄媒體藉由波長360〜450 nm之範圍之雷射光，而記錄 可作光學性讀取之訊洞者，且該製造方法包含如下步 驟： 在基板上形成反射層者；

   在前述反射層上，於配列有訊洞之軌之區域中的最大 膜厚為25〜60 nm之範圍、鄰接於前述軌的區域中之最大 膜厚為5〜30 nm之範圍，形成記錄層者；及 在鈿述έ己錄層上’配置厚度約〇· 1 mm之光穿透層者。 17·如請求項16之光資訊記錄媒體之製造方法，其中包含如 下步驟，即，在形成前述記錄層後，在前述記錄層上形 成中間層者。 乂 18.—種光資訊記錄媒體之記錄方法，其特徵為；該光資訊 記錄媒體藉由波長360〜450 nm之範圍之雷射光，而記錄 可作光學性讀取之訊洞者； A 且該光資訊記錄媒體之記錄方法，係藉由將光資訊記 錄媒體以雷射光進行照射，而形成前述訊洞，使訊洞之 反射率較非訊洞區域之反射率高’前述光f訊記錄媒體 係在配列有前述訊狀轨之區域中之記錄層的最大膜厚 為25〜60 nm之範圍、鄰接於前述轨的區 '予 Λ T又C錄層的 最大膜厚為5〜30 nm之範圍者，又，前述雷射光係韓射 光點徑為0·3〜U pm之範圍、記錄功率為4.9〜5 9瓜 範圍者。· mW< 113036.doc 200814038 19.如請求項18之光資訊記錄媒體之製造方法，其中前述雷 射光之記錄波長，係相對於前述記錄層中之吸收光譜之 吸收峰值，位於短波長側者。 113036.doc