TW200813640A - Method of forming nanopattern and substrate having pattern formed using the method - Google Patents

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200813640 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種形成一奈米圖案的方法，同時，更 ·#別地’係為-種可連續地在—大面積上形成奈米圖案的 •5 #法’並且為在具有一滾筒形狀的基板上形成奈米圖案的 方法以及使用此方法形成具有圖案的一基板。 本申請書之提出係基於韓國智慧財產局在2〇〇6年三月 -十八日與2006年四月十一日提出之韓國專利編號 10-2006.27946與10-2GG6-32655的優先權，以參昭方式 1〇 全部内容揭露於本發明令。 .....八 【先前技術】 15 大體而言，為了在顯示器裝置例如半導體電路元件與 CD上七成精細圖案或是在元件或|置上製造壓印進而形 成精細圖案’通常使用運用—感光樹脂（光阻劑）的— ^製光學微影製程中，供應在基板上的感光薄膜可以 订選擇性地曝光與顯影進而於其上形成精細圖案。選擇 2曝光感光薄膜的—製程’其舉例可包括使用-光罩的 製程或使用干涉光的一製程。 近來，依據積體電路的快速發展，精細圖案之形成已 a；w=’、、、Γ求’所以對於如何將®案縮小成奈料級已成 2、二課題下文中，依據規格，當具有一預設形狀之圖 Ά 一奈米間隔連續形成’那就是，l_nm或更小值時， 20 200813640 其稱為奈米圖案。而且，當顯示器的尺寸逐漸増大時，必 須增加精細圖案的面積。 大體而言，為了經由使用光干涉微影製程形成高精度 的圖案’可以使用具有短波長的紫外光輻射線或雷射光 5束。然而，由於已知短波長雷射的印製有其限制，使得經 由已知雷射所形成的精細圖案尺寸因而受到限制。相關技 術領域中，為了在具有-大面積的試樣上發射具有短波長 的雷射光束，可使用在數公尺間隔下，配置具有大面積的 試樣與光源的一方法。例如，圖2說明經由光干擾形成圖案 10的方式。然而，上述方法其問題在於需要一大空間以及在 使用具有短波長的光源形成精確圖案的一例子中，大量雷 射光束被空氣吸收。因此，當一例子中，所使用的光源具 有預5又值或更低數值的短波長時，其製程可在真空中執 行。 15 同日守，使用光罩的光學微影製程其問題在於精細圖案 的光罩製造成本很高以及製造具有奈米圖案的光罩十分困 難。光干涉微影製程中，其t形成圖案的試樣係經由使用 與試樣有間隔的干涉光源，其問題在於圖案形狀的自由度 收到限制，以及當試樣與光源之間的距離增加時，圖案的 20 精確度降低。 近年來，運用奈米壓印製程在一大面積上形成精細圖. 案的技術已進行研究（韓國未審查專利申請書刊物編號 2005-37773與2005_75580)。然而，由於上述原因，對於製 造大到能夠使用在奈米壓印製程中進行圖案轉印的壓印器 200813640 有其困難性。因此，在使用奋半厭p在 1史用不水壓印製程的技術中，為了 在-大面積内形成精細圖案’不可避免的必需同時地使用 多數壓印器或重複地使用單一騎器數次。經由使用已知 奈米壓印製程在-大面積内形成精細圖案的一例子中，大 5 10 15 面積内的精細圖案不連續地形成，並且圖案的接合處產生 數十微米或更高的長度，此將不利於使用作為‘_。 總而言之，於相關技術領域中並無可在一大面積内連 續地形成奈㈣案的例子。為此，名詞，，大面積，，意指具有 -預设形狀的-面積，其該處為最長長度，例如，大於η 英忖的圓形直徑或矩形對角線，較佳為2〇英忖或更大值， 以及更佳為40英料更大值。現今的半導體晶片製造者， ”所用的最大晶圓尺寸為直徑12吋。此技術領域 ，而要發展可連續在大面積上形成精細圖案的方法。 【發明内容】 本發明已發現可相對地移動具有大面積試樣與干涉光 光源的—種方法，以及憑縣干涉光光源與具有滾筒形狀 =基板的相對㈣動，當旋轉基板時可有效㈣免相關技 術領域所產生的問題，例如於形成奈米圖案收備所需要 的-大^間’雷射的輸出限制，以及圖案自由度的限制。 因此’本發明之—主要目㈣提供可連續地在—大面積上 形成奈米圖案的一方法，可在具有一滚筒形狀的基板上形 成奈米圖案的一方法，以及使用此方法所形成之具有圖案 的基板。 20 200813640 5 10 法，其牛驟目=，本發明係提供一種形成圖案的方 铲：由二二.於一基板上形成-感光樹脂層，B)依據 干涉光所形成的圖案，選擇性地移動基板上形成的 :光树脂層與干涉光光源’進而選擇性地曝光感光樹脂 二=影選擇性的曝光感光樹脂層進而形成感 再者，本發明係提供一種形成圖案的方法，其步驟包 括㈨於具有-滚筒形狀的基板上形成一感光樹脂層，_ 據欲經由干涉光所形成的圖案，以基㈣軸方向選擇性地 移動干涉光光源與具有滚筒形狀的基板，當旋轉具有滾筒 形狀的基板上所形成的感光樹脂層時，進而選擇性的曝光 感光樹脂層’以及e)經由顯影選擇性的曝光感光樹脂層進而 形成感光樹脂層上的圖案。 依本發明所述，可能在一大面積上連續地形成奈米圖 15案，相較於已知技術，進而改善奈米圖案的自由度與精確 性，並且減少在一大面積上形成奈米圖案時所需的設備空 間。 本發明係提供一種形成圖案的方法，其步驟包括：A) 於一基板上形成一感光樹脂層，B)依據欲經由干涉光所形 2〇成的圖案，選擇性地移動基板上形成的感光樹脂層與干涉 光光源，進而選擇性地曝光感光樹脂層，以及c)經由顯影 選擇性的曝光感光樹脂層進而形成感光樹脂層上的圖案。 此方法可進一步的包括：D)藉由使用已圖案化的感光 樹脂層選擇性的独刻基板，以及E)移除感光樹脂層。 200813640 此方法可進一步的包括：D，）憑藉已圖案化之感光樹脂 層的包鑛以及從具有感光樹脂層的基板分離一電鍵部份進 而製造一模具，以及E，）經由使用模具轉印奈米圖案。 再者，本發明係提供一基板，經由使用包含步驟A、B、 5與C的方法，在其具有一最長寬度大於12吋的面積上，以奈 米或更小值的間隔於其至少一邊上連續地形成感光樹脂圖 案。其中形成圖案的面積，其具有的最長寬度較佳為12吋 或更大值’以及更佳為4〇吋或更大值。 再者，本發明係提供一基板，經由使用包含步驟A、B、 10 C、D與E或步驟A、B、C、D，與E，的方法，在其具有一最 長寬度大於12吋的面積上，以奈米或更小值的間隔於其上 連續地形成圖案。其，形成圖案的面積，其具有的最長寬 度較佳為12吋或更大值，以及更佳為4〇吋或更大值。 再者，本發明係提供一模具，經由使用包含步驟Α、β、 15 C^D、的方法，在其具有一最長寬度大於12吋的面積上，以 奈米或更小值的間隔於其上連續地形成圖案。其中形成圖 案的面積，其具有的最長寬度較佳為12吋或更大值，以及 更佳為40忖或更大值。 再者，本發明係提供一電子元件、一電子裝置或包含 20使用上述方法形成之奈米圖案的一壓印器。電子元件可以 為一分光偏振器以及電子裝置可以為一顯示器裝置。 再者，本發明係提供一種形成圖案的方法，其步驟包 括·· a)於具有-滾筒形狀的基板上形成一感光樹脂層，聯 據欲經由干涉光所形成的圖案，以基板的軸方向選擇性的 200813640 移動干涉光光源與具有滾筒形狀的基板，當旋轉具有滾筒 形狀的基板上所形成的感光樹脂層時，進而選擇性的曝光 感光樹脂層，以及C)經由顯影選擇性的曝光感光樹脂層進而 形成感光樹脂層上的圖案。 5 此方法可進一步的包括：d)經由使用圖案化的感光樹脂 層，以便於選擇性的蝕刻具有滾筒形狀的基板，以及e)移除 感光樹脂層。 此方法可進一步的包括：d，）憑藉已圖案化感光樹脂層 的電鍍以及從具有感光樹脂層的基板分離一電鍍部份進而 10 製造一模具’以及e’）經由使用模具轉印奈米圖案。 再者，本發明係提供具有滾筒形狀的一基板，經由使 用包含步驟a、b、與c的方法，在其具有一最長寬度大於12 对的面積上，以奈米或更小值的間隔於其至少一邊上連續 地形成感光樹脂圖案。其中形成圖案的面積，其具有的最 15 長寬度較佳為12吋或更大值，以及更佳為40吋或更大值。 再者，本發明係提供具有滾筒形狀的一基板，經由使 用包含步驟a、b、c、d與e或步驟a、b、c、d，與e，的方法， 在其具有一最長寬度大於12吋的面積上，以奈米或更小值 的間隔於其上連續地形成圖案。其中形成圖案的面積，其 20具有的最長寬度較佳為12吋或更大值，以及更佳為40吋或 更大值。 再者，本發明係提供一模具，經由使用包含步驟a、b、 c與d’的方法，在其具有一最長寬度大於12吋的面積上，以 奈米或更小值的間隔於其上連續地形成圖案。其中形成圖 200813640 案的面積，其具有的最長寬度較佳為12时或更大值’以及 更it為40时或更大值。 再者，本發明係提供一電子元件、一電子裝置或包含 使用上述方法形成奈米圖案的一壓印器。電子元件可以為 5 一分光偏振器以及電子裝置可以為一顯示器裝置。 再者，本發明係提供一種製造壓印器的方法，此方法 進一步的包括：d”)於步驟c後沈積金屬例如鉻（Cr)或一鉻合 金在感光樹脂圖案上，以及使用此方法所製造的一壓印器。 10 【實施方式】 下文將對本發明做更詳盡的敘述。 依本發明所述，形成圖案的其一方法係經由使用光學 微影製程形成圖案，其中使用干涉光圖案化一感光樹脂 層，以及於曝光感光樹脂層的過程中，在感光樹脂層形成 15 位置的干涉光光源與基板進行相對性的移動。 依本發明所述，形成圖案的另一方法係使用干涉光圖 案化一感光樹脂層，以及於曝光感光樹脂層的過程中，在 感光樹脂層形成位置的干涉光光源與具有滾筒形狀的基 板’在旋轉具有滾洵形狀的基板時，以基板的軸方向作相 2〇 對性的移動。 本發明中，可以使用干涉光源形成奈米圖案。再者， 與已知技術相比較，光源與基板放置在接近彼此的位置， 於曝光過程中，經由相對性的移動光源與基板上的感光樹 脂層’可以在一大面積上連續地形成圖案。使用基板具有 11 200813640 滾5狀的例子中，領悟到只要滾筒的長度增加，便容易 獲付大面積，所以，曝光過程中，當旋轉具有滚筒形狀 的基板時，干涉光的光源與具有滚筒形狀的基板以基板的 轴方向相對性的移動，相較已知技術，可以位於接近彼此 5的位置’進而連續地提供圍繞在具有大面積滾筒的螺旋圖 案。 ^亦即’相較於已知技術，具有大面積的樣本與光源之 «又置距離有數米間隔，以使光源輻射至具大面積之基板。 然而，本發明之光源與具有平板狀基板（或滾筒形狀的基板） 10以基板的軸方向相對性的移動，可以位於接近彼此的位 置進而連績地提供圍繞在具有大面積滚筒的螺旋圖案。 因此，相較習知技術，本發明可以減少形成一大面 圖案所=設備的空間。此外，當光源與基板之間的距離縮 紐可能改善在大面積上所形成圖案的精確性。一旦圖案 15的臬作過程中所需要的精確性可以確保，可以經由使用具 有類似短波長的光源波長準確地控制圖案。 再者，當光源與基板之間的距離縮短，容易執行多次 干涉性，並且可以確保光束前端的旋轉或交換作用。因此， 當可以形成各種形態的圖案時，可以克服已知方法中圖案 20形狀的限制。舉例之，本發明的方法中，經由多次干涉 以獲侍各種形態的圖案，例如圖4與7的例子中，該處使用 二光束干涉，以及圖5與8的例子中，該處使用四光束干涉。 本發明可以運用於必須在大面積上連續地形成高精確 性圖案的任何領域。可以使用本發明的方法且不需改變的 12 200813640 在具有滾筒形狀的基板處形成精細圖案，或者依據目的需 求’經由使用已知方法’在基板經製作而具有薄板形狀後 使用本發明的方法。舉例之，本發明可以運用在ag(防炫 光）/AR(抗反射）/LR(低反射）薄膜、防水/抗水薄膜、增亮薄 5膜、非等向性薄膜、偏光膜、自動清洗裝置、太陽能電池、 大合里全像記憶體、光子晶體、場發射顯示器（FED)電極、 轉印高精確圖案的壓印器，及其他相似裝置。 依本發明所述，使用光干涉形成圖案的一反應機構如 圖1所說明。圖i中，λ為光波長，e為光源入射角，以及口為 10 、、二由一光源形成之光束的干涉所形成的圖案之間的間距。 圖案之間的間距可使用下述方程式1計算而得。 [方程式1】 p=X/(2sin0) 因此，本發明中，光源的數量與形狀，光的入射型態， 15以及作為干涉的光源之間的角度可以控制進而決定圖案的 形狀與尺寸。本發明中，可以使用具有紫外光線區域（193 至35 lnm)的光線作為光源。本發明中，可以依據感光樹脂 的型態決定光源的型態，以及可以依據光源的型態決定感 光樹脂的型態。 2〇 當形成圖案具有一維形狀的例子中，如圖4所示，經由 =對性，移動試樣與光源可以在一大面積上連續地形成圖 案。滾筒基板的例子中，如果形成具有一維形狀的圖案， ^圖7所示，當旋轉具有滾筒形狀的基板時，光源與具有滾 筒形狀的基板以基杈的軸方向作相對性的移動，進而連續 25 地k供圍繞滾筒的螺旋圖案。 13 200813640 當形成的圖案具有簡單二或三維形狀的例子中，如圖$ 所不，經由同步化沿著圖案形成形狀的縱向循環，可以降 低橫向干涉程度以及可叫得脈動的水平干涉。滾筒基板 中’如圖8所示’經由同步化沿著圖案形成形狀的縱 "循玉衣’可以降低視為基板旋轉的軸干涉程度，以及可以 獲得有節奏的脈動。 更複雜的形狀如圖6與9所示，半導體製作過程典型地 使用壓印方法，那就是，可以執行重複製作與輸送過程進 而執行蝕刻而不產生節點的方法。特別地，於輸送過程中， 10 必須使用遮光器或斷路器阻擋光源。 、本發明中，相對性的移動干涉光光源與基板上形成之 感光樹脂層的方法無任何限制。如圖4所示，依本發明一較 佳貫施例所述之方法，其步驟包括土”經由相對性的移動 形成於基板上的感光樹脂層與相對應的光源，使得干涉光 15照射在感光树知層上。以及Β2)相對性的移動光源與相對應 的基板，以便於使光源照射在步驟B1未曝光的感光樹脂層 上。重複步驟B1與B2。步驟Bi中，基板以縱方向移動，以 及步驟B2中，基板以橫方向移動。 如圖7所示，依本發明另一具體實施例所述之方法，其 20妒驟包括：bl)經由相對性的移動形成於滚筒基板上的感光 樹脂層與相對應的光源，使得干涉光照射在感光樹脂層 上。以及b2)以軸方向相對性的移動光源與相對應的基板， 以便於使光源照射在步驟^未曝光的感光樹脂層上。重複 200813640 步驟Μ與b2。步驟bl中，基板以縱方向移動，以及步驟b2 中，基板以橫方向移動。 依本發明其他具體貫施例所述之方法，干涉光前端可 以旋轉或交換進而提供各種不同形態的圖案。本發明中， 5 可以使用如圖10至12所示的一半鏡、一洛埃鏡（L〇yd)以及一 稜鏡作為一干涉光源前端，但是干涉光前端不侷限於此。 如果旋轉圖12所示的稜鏡前端，可以獲得同中心的圓形結 構，亦就是一菲淫爾透鏡（Fresnel len)結構 本發明中’任何材料可以使用作為構成感光樹脂的材 10 料，只要該材料可運用於相關技術領域的光學微影製程， 此類材料之舉例可包括由Microchem·公司所製造的SU-6與 SU-8。使用感光樹脂於基板上形成感光樹脂層的方法無任 何限制，任何相關技術領域所熟知的方法皆可使用。舉例 之，SU-8感光樹脂覆蓋於基板上，UV照射在覆蓋於基板的 15 樹脂上，然後形成的基板可使用有機溶劑例如丙二醇曱_ 醋酸酉旨（Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate， PGMEA)、γ-丁内 6旨（Gamma-Butyrolactone，GBL)以及曱基 異丁酮（Methyl Iso-Butyl Ketone，MIBK)進行顯影以便於形 成圖案。 20 本發明中，具有滾筒形狀且其上形成感光樹脂層的基 板可為中空或實心體。基板的目標材料可以覆蓋於具有滚 筒形狀的支撐物上進而製造一滚筒基板。 本發明中，依據使用目的可以決定其上形成感光樹月旨 層的基板材料。舉例之，當一例子中，運用於AG(防綠 15 200813640 光）/AR(抗反射yLR(低反射）薄膜、防水/抗水薄膜、增亮薄 膜、非等向性薄膜、或偏光膜、光學穿透材料，可提供精 細圖案化感光樹脂層的基板，可以使用例如玻璃、石英或 透明樹脂作為基板用的材料。再者，當經由上述製程使用 5 感光樹脂層圖案化在基板上形成精細圖案的例子_，一材 料可以以此技術領域中熟知的蝕刻溶液進行選擇性的餘 刻’例如金屬材料，可以使用做為基板的材料。舉例之， 當經由上述製程形成具有圖案之基板使用作為一壓印器的 例子中，玻璃或石英可以使用做為基板的材料。 10 依據包含步驟A、B與C的方法，可以提供一基板，在 具有最長寬度大於12吋的一面積上，以奈米或更小值的間 距於基板的至少一邊連續地形成感光樹脂圖案。再者，依 據包含步驟a、b與c的方法，可以提供一基板，在具有最長 寬度大於12吋且具有滾筒形狀的一面積上，以奈米或更小 15 值的間距於基板的至少一邊連續地形成感光樹脂圖案。 此例子中，形成圖案之面積最長寬度較佳值為2〇吋或 更大值，以及更佳值為4〇吋或更大值。基板或具有滾筒形 狀的基板’其上具有奈米尺寸的感光樹脂圖案可以運用在 AG(防炫光）/AR(抗反射）/LR(低反射）薄膜、防水/抗水薄 20 膜、增亮薄膜、非等向性薄膜、或偏光膜，以及上述薄膜 可以運用在顯示器裝置。 本發明之方法可以進一步的包括D”），於步驟c之後沈 積金屬例如鉻或鉻合金，以及使用此方法製造的基板，可 使用作為一壓印器。製造一壓印器的製程如圖3所說明。 16 200813640 依本發明所述之方法而形成圖案的方法可進一步包括 D)、纟二由使用圖案化感光樹脂層以便於選擇性的钱刻基 板，以及e)移除感光樹脂層。 為了選擇性蝕刻依據感光樹脂層圖案化所形成的基 5 板，可以使用本技術領域中所熟知的钱刻製程與餘刻劑。 舉例之，選擇性餘刻基板可經由將基板浸入例如丙二醇甲 醋酸酯（Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate， PGMEA)的溶劑中。 依據包括步驟A、B、C、D以及E的前述方法以及步驟 10 A、B、C、D’以及E’的前述方法，可以提供一基板，在具 有最長寬度大於12吋的一面積上，以奈米或更小值的間距 連續地形成感光樹脂圖案。形成圖案的面積，其最長的寬 度較佳值為20吋或更大值，以及更佳值為40吋或更大值。 其上形成奈米圖案的基板可以運用在AG(防炫光）/AR(抗反 15 射）/LR(低反射）薄膜、防水/抗水薄膜、增亮薄膜、非等向 性薄膜、偏光膜、自動清洗裝置、太陽能電池、大容量全 像記憶體、光子晶體、場發射顯示器（FED)電極以及轉印高 精確圖案的壓印器。 依本發明所述，形成圖案的方法可進一步包括D’），執 20 行圖案化感光樹脂層的電鍍以及從具有感光樹脂層的基板 分離電鍍部份，進而製造一模具，以及E，）使用此模具轉印 奈米圖案。 步驟D，）的電鍍作業可以執行本技術領域所熟知的製 程，例如，一電鍍製程。此關連性中，可以使用鎳或鋁作 17 200813640 5 i 10 15 20 為包鑛材料。步驟E’轉印圖案之執行可以使用本技術領域 熱知的製程。舉例之，一可硬化樹脂壓製於模具上並藉由 熱或光硬化，然後模具從樹脂層分離以便於轉印圖案。 依據包含步驟A、B、c以及D，的上述方法，可以提供 一模具，其上具有最長寬度大於12吋的面積上以奈米或更 小值的間距連續地形成圖案。形成圖案的面積其最長寬度 較佳值為20吋或更大值，以及更佳值為4〇吋或更大值。再 者，使用模具轉印圖案進而可大量製造其上具有精細圖案 形成的薄膜，例如，AG(防炫光）/AR(抗反射）/LR(低反射） 薄膜、防水/抗水薄膜、增亮薄膜、非等向性薄膜或偏光膜。 依據構成模具材料的型態，模具可為半永久性使用。 本發明的另一方法可進一步包括d”），於步驟C之後沈 積金屬例如鉻或鉻合金，使用此方法所製造之具有滾筒形 狀的基板，可使用作為具有滾筒形狀的一壓印器。 為了選擇性蝕刻依據感光樹脂層圖案化所形成之具有 滾筒形狀的基板，可錢用本技術領域巾所熟知的姓刻製 程與钱刻劑。舉例之，選擇性⑽具有滾筒形狀的基板可 經由將基板浸人例如丙二醇甲㈣酸0旨咖州⑽吻⑺i M〇nomethyl Ether ACetate，PGMEA)的溶劑中。 依據包括步驟a、b、c、d以及e的前述方法或步驟 c、d’以及e’的前述方法，可讀供—具有滾筒形狀的基板， 在具有最長寬度大於12叶的—面積上，以奈米或更小值的 間距連續地形成圖案。形成圖案的面積，其最長的寬度較 佳值為20吋或更大值，以及更佳值為4〇吋或更大值。其上 18 200813640 形成不米圖案之具有滾筒形狀的基板可以運用在AG(防炫 光）/AR(抗反射）/LR(低反射）薄膜、防水/抗水薄膜、增亮薄 膜二？等向性薄膜、偏光膜、自動清洗裝置、太陽能電池、 大合里全像記憶體、光子晶體、場發射顯示器（FED)電極以 5 及轉印高精確圖案的壓印器。 依本發明所述，形成圖案的方法可進一步包括d，），執 打圖案化感光掛脂層的電鍍以及從具有感光樹脂層與滾筒 形狀的基板分離電鍍部份，進而製造一模具，以及e，)使用 此模具轉印奈米圖案。 10 步驟d’）的電鍍作業可以執行本技術領域所熟知的製 程，例如，一電鍍製程。此關連性中，可以使用鎳或鋁作 為電鍍材料。步驟e，轉印圖案之執行可以使用本技術領域熟 知的製程。舉例之，一可硬化樹脂壓製於模具上並藉由熱 或光硬化，然後模具從樹脂層分離以便於轉印圖案。 15 依據包含步驟a、b、c以及d，的上述方法，可以提供一 杈具，其上具有最長寬度大於12吋的面積上以奈米或更小 值的間距連續地形成圖案。形成圖案的面積其最長寬度較 佳值為20吋或更大值，以及更佳值為4〇吋或更大值。再者， 使用杈具轉印圖案進而可大量製造其上具有精細圖案形成 20的薄膜，例如，AG(防炫光）/AR(抗反射）/LR(低反射）薄膜、 防水/抗水薄膜、增亮薄膜、非等向性薄膜或偏光膜。依據 構成模具材料的型態，模具可為半永久性使用。 依本發明所述，在具有最長寬度大於12吋，較佳值為 2〇吋或更大值，以及更佳值為4〇吋或更大值的一大面積上 200813640 連績地形成奈米圖案。近來半導體晶片製造者，為了光學 微影製程所使用之晶圓最大尺寸為直徑12吋，並且從未有 過在具有直徑或對角線大於12吋的面積上形成奈米圖案的 例子。 5 依上述方法所形成之奈米圖案可以運用在電子元件或 電子裝置上，以及使用作為一壓印器。電子元件之舉例可 包括一分光偏振器，以及電子裝置之舉例可包括顯示器裝 置。 10 【圖式簡單說明】 圖1係本發明一較佳實施例之示意圖，說明經由使用光 源干涉性形成圖案的一反應機構。 圖2係本發明一較佳實施例之佈局圖，說明使用光干涉 性的一圖案化製程。 15 圖3係本發明一較佳實施例之流程圖，說明一壓印的製 造程序。 圖4至6係本發明較佳實施例之示意圖，說明本發明一 具體實施例中，憑藉相對移動一基板與一光源而形成圖案 的方式。 ' 20 圖7至9係本發明較佳實施例之示意圖，說明本發明_ 具體實施例中，憑藉相對移動具有滾筒形狀的一基板與一 光源，當轉動具有滾筒形狀的基板而形成圖案的方式。 圖10至12係本發明較佳實施例之示意圖，說明不同形 態的干.涉光前端。

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Claims (1)

1. 200813640 十、申請專利範圍·· 1· 一種形成圖案的方法，此方法包括： A) 於一基板上形成一感光樹脂層； B) 依據欲經由干涉光所形成的圖案，選擇性地移動基板 5 上形成的感光樹脂層與干涉光光源，進而選擇性地曝光感 光樹脂層；以及 C) 經由顯影選擇性的已曝光感光樹脂層進而形成感光 樹脂層上的圖案。 2.如申請專利範圍第ί項所述之方法，其中步驟B包括: 1〇 Β1)經由相對性的移動形成於基板上的感光樹脂層與相 對應的光源，使得干涉光照射在感光樹脂層上；以及 Β2)相對性的移動光源與相對應的基板，以便於使光源 照射在步驟Β1未曝光的感光樹脂層上。 其中重複步驟Β 1與Β2。 15 3.如中請專利範圍第i項所述之方法，進—步包括： D) 、工由使用已圖案化的感光樹脂層進而選擇性的姓刻 基板。 4.如申請專利範圍第3項所述之方法，達 E)移除感光樹脂層。 20 5·如申請專利範圍第1項所述之方法，進-步包括: 二ΤΙ已圖案化感光樹脂層的電鑛製造-模具，以 攸具有感光糾旨層的基板上分離1鍍部份。 6·如申請專利範圍第5項 "^刀 、斤述之方法，進一步包括： Ε)經由使用模具轉印奈米圖案。 21 200813640 7· —種基板，經由使用專利申請範圍第丨項所述的方 法，在具有一最長寬度大於12吋的面積上，以奈米或更小 值的間隔於其至少一邊上連續地形成感光樹脂圖案。/、 5 10 15 20 匕8·如申請專利範圍第7項所述之基板，其中形成感光樹 脂圖案的面積具有20吋或更大值的最長寬度。 a 9. 一基板，經由使用專利申請範圍第4項所述的方法， 在具有一最長寬度大於12吋的面積上，以奈米或更小值的 間隔於其上連續地形成圖案。 10. 如申請專利範圍第9項所述之基板，其中形成圖案 的面積具有20吋或更大值的最長寬度。 11. 一種模具，係使用專利申請範圍第5項所述的方法 中，在具有一最長寬度大於12吋的面積上，以奈米或更小 值的間隔於其上連續地形成圖案。 12·如申請專利範圍第11項所述之模具，其中形成圖案 的面積具有20吋或更大值的最長寬度。 一13· 一種電子元件，經由使用專利申請範圍第1至4項以 及弟6項中任一項所述的方法，在具有一最長寬度大於12吋 的面積上，以奈米或更小值的間隔於其上形成圖案。 14·如申請專利範圍第13項所述之電子元件，其卡電子 凡件為一分光偏振器。 15· —電子裝置，經由使用專利申請範圍第1至4項以及 第6項中任一項所述的方法，在具有一最長寬度大於a吋的 面積上，以奈米或更小值的間隔於其上形成圖案。 22 200813640 16.如申請專利範圍第15項所述之電子裝置，其中電子 裝置為一顯示器裝置。 17· —種製造壓印器的方法，此方法包括： A)於一基板上形成一感光樹脂層； 5 B)依據欲經由干涉光卿成_案，選擇性地移動基板 上形成的感光樹脂層與干涉光光源，進而選擇性地曝光感 光樹脂層； )、工由,4〜選擇性的已曝光感光樹脂層進而形成感光 樹脂層上的圖案；以及 10 D”）沈積金屬至感光樹脂圖案上。 18.如申請專利範圍第17項所述之方法，其中步驟 的金屬為絡或絡合金。 、、19·—種”器’經由使用專利中請範圍第17項所述的 方法’在具有一最長寬度大於12忖的面積上，以奈米或更 15 小值的間隔於其上形成圖案。 20· —種形成圖案的方法，該方法包括： a) 於具有一滾筒形狀的基板上形成—感光樹脂層； b) 依據欲經由干涉光所形成的圖案，以基板的軸方向選 擇性地移動干涉光光源與具有滾筒形狀的基板，當旋轉具 20有滾筒形狀的基板上所形成的感光樹脂層時，進而選擇性 的曝光感光樹脂層；以及 C)^由顯影選擇性的已曝光感光樹脂層進而形成减光 樹脂層上的圖案。 心 21·如申請專利範圍第20項所述之方法，進一步包括··

   23 200813640 D)經由使用已圖案化的感光樹脂層 具有滾筒形狀的基板。 進而選擇性的钱刻

   22·如申請專利範圍第21項所述之方 e)移除感光樹脂層。 法，進一步包括: 10 23. 如申請專利範圍第20項所述之方法，進一步包括. t d’）憑藉已圖案化感光樹脂層的電锻以及從具有感光樹 月曰層與滾筒形狀的基板分離—電鍍部份進而製造一模具。 24. 如申請專利範圍第23項所述之方法，進一步'包、括： 經由使用模具轉印奈米圖案。 25· -種具有滾筒形狀之基板，經由使用專利申請範圍 第項所述的方法，在具有-最長寬度大於財的面積 上’以奈米或更小值的間隔於其上連續地形成感光樹脂圖 15 20 26. 如申請專利範圍第25項所述之具有滾筒形狀的基 板，其中形成感光樹脂圖案的面積具有2〇吋或更大值的最 長寬度。 27. —種具有滾筒形狀之基板，經由使用專利申請範圍 第22項所述的方法，在具有一最長寬度大於以吋的面積 上’以奈米或更小值的間隔於其上連續地形成圖案。 28·如申請專利範圍第27項所述之具有滾筒形狀的基 板，其中开> 成圖案的面積具有2〇付或更大值的最長寬度。 29· —種模具，經由使用專利申請範圍第23項所述的方 法，在具有一最長寬度大於12吋的面積上，以奈米或更小 值的間隔於其上連續地形成圖案。

   24 200813640 30.如申請專利範圍第29項所述之模具，其中形成圖案 的面積具有20吋或更大值的最長寬度。 、31. 一種電子元件，經由使用專利申請範圍第汕至以 項以及第24項中任-項所述的方法，在具有一最長寬度大 5於12相面積上，以奈米或更小值的間隔於其上形成圖又案。 32. 如申請專利範圍第31項所述之電子元件，其中電子 元件為一分光偏振器。 33. —種電子裝置，經由使用專利申請範圍第如至以 項以及第24項中任一項所述的方法，在具有一最長寬度大 10於12对的面積上，以奈米或更小值的間隔於其上形成圖又案。 34·如申請專利範圍第33項所述之電子裝置，其申電子 裝置為一顯示器裝置。 35. —種製造具有滚筒形狀之壓印器的方法，此方法包 括： 15 幻於具有一滾筒形狀的基板上形成一感光樹脂層； b)依據欲經由干涉光所形成的圖案，以基板的軸曰方向選 擇性地移動干涉光光源與具有滾筒形狀的基板，當旋轉具 有滾筒形狀的基板上所形成的感光樹脂層時，進而選擇性 的曝光感光樹脂層； W C)經由顯影選擇性的已曝光感光樹脂層進而形成咸弁 樹脂層上的圖案；以及 ^ d”)沈積金屬至感光樹脂圖案。 36. 如申請專利範圍第35項所述之方法，其中步驟 的金屬為絡或絡合金D 25 200813640 37. —種具有滾筒形狀的壓印器，經由使用專利申請範 圍第35項所述的方法，在具有一最長寬度大於12吋的面積 上，以奈米或更小值的間隔於其上形成圖案。 26 200813640 七、指定代表圖·· (一） 本案指定代表圖為：圖（1 )。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：