200812112 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於氮化鎵系化合物半導體發光元件的製造 方法’特別是關於可得到能降低驅動電壓（Vf)之氮化鎵系 化合物半導體發光元件之製造方法及氮化鎵系化合物半導 體發光元件以及燈。本案係根據於2006年4月24日，在曰 本申請的日本特願2006-1 1 92 07號而主張優先權，將其內 容援用於此。 【先前技術】 近年來，作爲短波長光發光用元件用的半導體材料， 氮化物系半導體之GaN系化合物半導體材料係引人注目 。GaN系化合物半導體係以藍寶石單結晶爲首，將各種的 氧化物或III-V族化合物作爲基板，於此基板上藉由有機 金屬氣相化學反應法（MOCVD法）或分子束磊晶法（MBE法 )等而形成。 作爲氮化鎵系化合物半導體發光元件的特徵，可舉出 :向橫方向的電流擴散小。因此，僅於電極正下的半導體 被注入電流，在電極之下的發光層發出的光係被電極遮蔽 ，取出至發光元件的外部變爲困難。於是，在如此的發光 元件係通常作爲正極使用透明電極，以透過正極而取出光 的方式構成。 在由透明電極所構成的正極，係使用 Ni/Au或 IT0(In203-Sn02)等一般周知的導電材料。Ni/Au等的金屬 200812112 雖然與P型半導體層的接觸阻抗小，但光的透過率低。對 於此，ITO等的氧化物係雖然光的透過率高，但有接觸阻 抗大的問題。 因此，有將被使用於使用氮化鎵系化合物半導體發光 元件的正極，作爲組合ITO等的導電性優良的金屬氧化物 層與接觸金屬層之物（例如：專利文獻1)。 然而，在記載於專利文獻1的氮化鎵系化合物半導體 發光元件，雖然能藉由被使用於正極之接觸金屬層而下降 與P型半導體層之接觸阻抗，但是因爲接觸金屬層的光透 過率低，所以不能得到充分的光取出效率，有發光輸出變 低之問題。 [專利文獻1]日本特開平9-:1 2991 9號公報 【發明內容】 [發明所欲解決的課題] 作爲氮化鎵系化合物半導體發光元件的正極而使用 ITO等的導電氧化膜的情況，有爲了使該導電氧化膜的比 阻抗減少，而進行3 0 0 °C以上的溫度之熱退火處理之方法 。藉由此熱退火處理而導電氧化膜中的氧空孔增加，導電 氧化膜的載體濃度增加。此載體濃度的增加係使導電氧化 膜的比阻抗降低。 然而，藉由本發明者的硏究，發現：則在進行了在如 此的高溫之熱退火處理的情況，在導電氧化膜與P型半導 體層的界面附近元素的相互擴散產生，不只變得妨礙導電 -6 - 200812112 氧化膜的比阻抗之降低，而且有產生P型半導體層的 抗增大、或導電氧化膜與P型半導體層的接觸阻抗增 問題。特別是，向p型半導體層中的Ga元素的透光 電氧化膜中之擴散，係有成爲比阻抗或接觸阻抗的低 化之妨礙的問題。 本發明係以上述課題爲鑑而爲之，其目的爲提供 動電壓（Vf)低、光取出效率高的氮化鎵系化合物半導 光元件的製造方法及氮化鎵系化合物半導體發光元件 燈。 [用以解決課題的手段] 本發明者係爲了解決上述問題而專心致力硏討的 ，完成了本發明。亦即，本發明關於以下所述。 [1 ]於氮化鎵系化合物半導體發光元件的P型半 層上，層積含有摻雜物之透光性導電氧化膜之氮化鎵 合物半導體發光元件的製造方法，以具備：在層積了 透光性導電氧化膜之後，對該透光性導電氧化膜使用 而進行退火處理之雷射退火工程爲其特徵之氮化鎵系 物半導體發光元件的製造方法。 [2] 如[1]所記載的氮化鎵系化合物半導體發光元 製造方法，前述雷射退火工程，係含有使用準分子雷 於前述透光性導電氧化膜的表面形成凹凸形狀之工程 [3] 如[1]或[2]項所記載的氮化鎵系化合物半導體 元件的製造方法，於前述雷射退火工程的前工程或後 比阻 大的 性導 阻抗 ••驅 體發 以及 結果 導體 系化 前述 雷射 化合 件的 射而 〇 發光 工程 200812112 的至少一方面，具備對於前述透光性導電氧化膜，以 2 0 0〜3 00 °C的範圍之溫度進行熱退火處理之熱退火工程。 [4] 如[1]_[3]任一項所記載的氮化鎵系化合物半導體 發光元件的製造方法’則述雷射退火工程’係作爲準分子 雷射，使用KrF準分子雷射、或AirF準分子雷射而進行 退火處理。 [5] 如[1]-[4]項任1項所記載的氮化鎵系化合物半導體 發光元件的製造方法’在前述雷射退火工程的準分子雷射 之能量密度爲5〇〜lOOOmJcnT2的範圍。 [6] 如[1]-[4]項任1項所記載的氮化鎵系化合物半導體 發光元件的製造方法，在前述雷射退火工程的準分子雷射 之能量密度爲5〇〜3 00mJcm_2的範圍。 [7]如[1]-[6]項任1項所記載的氮化鎵系化合物半導體發 光元件的製造方法，在前述雷射退火工程，係對於前述透 光性導電膜，將準分子雷射在2〜2 0 0 0次的範圍進行脈衝照 射。 [8] 如[1]-[6]項任1項所記載的氮化鎵系化合物半導體 發光元件的製造方法，在前述雷射退火工程，係對於前述 透光性導電膜，將準分子雷射在2〜2 00次的範圍進行脈衝 照射。 [9] 藉由記載於上述項任1項之製造方法而得之 氮化鎵系化合物半導體發光元件。 [10] 於氮化鎵系化合物半導體發光元件的P型半導體 ’層積含有摻雜物之透光性導電氧化膜而成之氮化鎵 -8- 200812112 系化合物半導體發光元件；以：作爲前述P型半導體層的 元素之，在前述透光性導電氧化膜中的濃度，係從前述透 光性導電氧化膜與P型半導體層的界面，在2nm以內的範 圍爲20at%以下作爲其特徵之氮化鎵系化合物半導體發光 元件。 [11] 於氮化鎵系化合物半導體發光元件的p型半導體 層_L ’層積含有摻雜物之透光性導電氧化膜而成之氮化鎵 系化合物半導體發光元件；以：作爲前述p型半導體層的 元素之，在前述透光性導電氧化膜中的濃度，係從前述透 光性導電氧化膜與p型半導體層的界面，在Inm以內的範 圍爲20at%以下作爲其特徵之氮化鎵系化合物半導體發光 元件。 [12] 如[10]或[11]項所記載的氮化鎵系化合物半導體 發光元件，前述透光性導電氧化膜，由ITO、AZO、IZO 、GZO、ZnO系導電體、Ti〇2系導電體之群中選擇至少1 種以上的材料所構成。 [1 3 ]如[1 2]項所記載的氮化鎵系化合物半導體發光元 件’前述透光性導電氧化膜係至少含有ITO而作成。 [14] 如[10] —[13]項任一項所記載的氮化鎵系化合物半 導體發光元件，前述透光性導電氧化膜的厚度爲 35nm〜ΙΟμπι的範圍。 [15] 如[1〇]-[1 3]項任一項所記載的氮化鎵系化合物半 導體發光元件，前述透光性導電氧化膜的厚度爲 100nm〜Ιμπι的範圍〇 -9 - 200812112 [16]由記載於上述[9]-[l 5]項任一項之氮化鎵系化合 物半導體發光元件所構成之燈。 藉由本發明者的硏究，則發現：ρ型半導體層中的Ga 元素若擴散於透光性導電氧化膜中則透光性導電氧化膜的 比阻抗增大，但在透光性導電氧化膜中的Ga元素偏析 (segregation)於透光性導電氧化膜與ρ型半導體層的界面 附近的情況’透光性導電氧化膜與ρ型半導體層的接觸阻 抗被降低。因而，抑制Ga之朝向透光性導電氧化膜的擴 散之情事，係對降低透光性導電氧化膜與ρ型半導體層的 接觸阻抗爲有效。 [發明的效果] 如藉由本發明的氮化鎵系化合物半導體發光元件的製 造方法，則作爲在氮化鎵系化合物半導體元件的P型半導 體層上層積透光性導電氧化膜而成膜後，於該透光性導電 氧化膜進行雷射退火處理之方法。由此，比起僅進行熱退 火處理的情況，因爲可抑制P型半導體層與透光性導電氧 化膜的界面之Ga元素的擴散，所以可使透光性導電氧化 膜的比阻抗減少，可降低透光性導電氧化膜與P型半導體 層的接觸阻抗。因此，可得驅動電壓（Vf)低、發光輸出高 的氮化鎵系化合物半導體發光元件。 【實施方式】 以下，關於本發明的半導體發光元件及使用其之燈的 -10- 200812112 一實施形態，一邊適宜參照第1〜4圖一邊說明。 但是， 本發明係不限定於以下的實施形態之各個，例如：適宜地 組合這些實施形態的構成要素相互間亦佳。 本發明的氮化鎵系化合物半導體發光元件的製造方法 ，係於氮化鎵系化合物半導體發光元件的P型半導體層上 ，層積含有摻雜物之透光性導電氧化膜之製造方法，以作 爲具備：在層積了前述透光性導電氧化膜之後，對該透光 性導電氧化膜使用雷射而進行退火處理之雷射退火工程之 方法而槪略構成。以下，說明關於以本發明的製造方法可 得之氮化鎵系化合物半導體發光元件。 [氮化鎵系化合物半導體發光元件的全體構成] 第1圖爲模式地顯示本發明的氮化鎵系化合物半導體 發光元件（以下，有略稱爲半導體發光元件者）之剖面的圖 。在第1圖，符號11爲基板、12爲η型半導體層、13爲發 光層、14爲ρ型半導體層、15爲透光性導電氧化膜、16爲 正極銲墊、1 7爲負極。本實施形態的半導體發光元件1係 以基板11、η型半導體層12、發光層13、ρ型半導體層14 之順序層積，於Ρ型半導體層14上層積爲透光性正極之透 光性導電氧化膜1 5而成，爲Ρ型半導體層1 4的Ga元素之 在透光性導電氧化膜1 5中的濃度，由在透光性導電氧化膜 1 5與ρ型半導體層1 4的界面開始2nm以內的範圍作爲 20at%以下、較理想係在〗nm以內的範圍作爲20at%以下而 槪略構成。以下詳途關於本實施形態的半導體發光元件1 -11 - 200812112 (基板）
作爲基板1 1，藍寶石單結晶（Al2〇3 ; A面、C面、 面、R面）、尖晶石單結晶（MgAl2〇4)、Zn〇單結晶 LiAl〇2單結晶、LiGa〇2單結晶、Mg〇單結晶等的氧化 單結晶、Si單結晶、SiC單結晶、GaAs單結晶、A1N 結晶、GaN單結晶及ZrB2等的硼化物單結晶等的基板 料係一般周知。 在本發明亦包含這些一般周知的基板材料，可無任 限制地使用任何的基板材料。在這些之中，藍寶石單結 及SiC單結晶爲特別理想。而且，基板的面方位係不被 別限定。另外，just基板亦佳，又施加了 off angle的 板亦佳。 (氮化物系化合物半導體） 於基板11上，係以η型半導體層（η型GaN層）12、 光層1 3、及p型半導體層（p型GaN層）1 4之順序層積， 種構造之物爲一般周知，可無任何限制地使用這些周知 物。特別是，P型半導體層係使用載體濃度爲一般的濃 者爲佳，對於比較上載體濃度低，例如：lxl017cnT3左 的P型半導體層，亦可層積本發明的透光性導電氧化膜 使用。 作爲氮化物系化合物半導體，係多數已知例如：以 Μ 物 單 材 何 晶 特 基 發 各 之 度 右 而 -12- 200812112 般式 AlxGaylnzNbAM^O $ X $ 1、0 S Y $ 1、〇 ^ Z g 1，而 且X + Y + Z=l。記號M係表示氮（N)以外之第v族元素，0 ^ A<1。）表示之氮化物系化合物半導體，在本發明亦可無 任何限制地使用含有那些一般周知的氮化物系化合物半導 體而以一般式 AlxGaylnzNbAM^Og X€l、0SYS1、0S ZS 1，而且X + Y + Z=l。記號Μ係表示氮（N)以外之第V族 元素，OS A<1。）表示的氮化鎵系化合物半導體。 氮化物系化合物半導體的成長方法係不特別限定，可 適用 MOCVD(有機金屬化學氣相成長法）、HVPE(氫化物 氣相磊晶法）、MBE(分子束嘉晶法）等，已知使氮化物半導 體成長之全部方法。作爲理想的成長方法，由膜厚控制性 、量產性的觀點來看爲MOCVD法。 在MOCVD法，係作爲載體氣體使用氫（h2)或氮（N2) 、作爲ΙΠ族原料之Ga源可使用三甲基鎵（Tmg)或三乙基 鎵（TEG)、作爲 A1源使用三甲基鋁（TMA)或三乙基鋁 (TEA)、作爲In源使用三甲基銦（TMI)或三乙基銦（tei)、 作爲V族原料之N源使用氨（NH3)、聯胺（n2H4)等。另外 ，作爲摻雜物，於η型係作爲Si原料而可利用單政院 (S i Η 4)或二砂院（S i2 Η6)、作爲G e原料可利用鍺院氣體 (GeEU)或四甲基鍺（（CH3)4Ge)或四乙基鍺（（C2H5)4Ge)等的 有機鍺化合物。在MBE法，係將元素狀的鍺作爲摻雜源 而可利用。於p型係作爲M g原料係例如使用雙環戊二儲 鎂（Cp2Mg)或雙乙基環戊二烯鎂（EtCp)2Mg。 作爲如此的氮化鎵系化合物半導體之一例，可使用： •13· 200812112 如具有如第3圖所示般的層積體構造之氮化鎵系化合物半 導體20的方式，於由藍寶石所構成的基板21上’層積由 A1N所構成之省略圖示的緩衝層，依次層積：GaN基材層 22、η型GaN接觸層23、η型AlGaN覆蓋層24、由InGaN 所構成的發光層25、p型AlGaN覆蓋層26、p型GaN接觸 層2 7之物。 另外，如第3圖所示地，藉由蝕刻除去：由氮化鎵系 化合物半導體所構成的p型GaN接觸層27、p型AlGaN 覆蓋層26、發光層25及η型AlGaN覆蓋層24的一部分， 而使η型GaN接觸層23露出，於該η型GaN接觸層23上 ，例如藉由設置由Ti/Au所構成之先前一般周知的負極， 於p型GaN接觸層27上設置正極（透光性導電氧化膜），而 可構成氮化鎵系化合物半導體發光元件。 (透光性導電氧化膜） 透光性導電氧化膜15係至少接於p型半導體層（p型 GaN層）14上而被層積。於透光性導電氧化膜15上的一部 分，係設置用以電性連接電路基板或導線架等之正極銲墊 16° 在本發明的氮化鎵系化合物半導體發光元件，係如上 述地，在作爲P型半導體層的元素之在透光性導電氧化膜 中的濃度，係在從透光性導電氧化膜與P型半導體層的界 面開始2nm以內的範圍係20 at%以下爲理想、在10 at%以 下爲更理想。例如在如第1圖所示的半導體發光元件1，爲 -14- 200812112 p型半導體層14的Ga元素之在透光性導電氧化膜15中的 濃度，係在從該透光性導電氧化膜15與p型半導體層14的 界面開始2nm以內的範圍係20 at%以下爲理想、較理想爲 在Inm以內的範圍係20 at%以下。 藉由將在爲p型半導 體層的元素之在透光性導電氧化膜中的濃度作爲上述的範 圍，降低透光性導電氧化膜的比阻抗，進而可降低p型半 導體層與透光性導電氧化膜之間的接觸阻抗。藉由此，可 得驅動電壓（Vf)低的半導體發光元件。 於作爲透光性導電氧化膜而使用的材料係可無任何限 制而使用一般周知之物。例如：使用IT0(In203-Sn02)、 ΑΖΟ(ΖηΟ-Α12〇3)、ΙΖ0(Ζη0-Ιη203)、G Ζ Ο (Ζ η Ο - G a2 Ο 3 )、 TiTa02、TiNb02等透光性和低比阻抗優良的材料爲理想。 特別是，在想降低驅動電壓（Vf)的情況，ITO係因爲可得 低比阻抗，所以如至少使用含有ITO的材料則爲佳。 另 外，在使用了 AZO或020的情況，這些的比阻抗係因爲 比ITO的比阻抗還高，所以驅動電壓（Vf)係變得比在使用 ITO時的驅動電壓（Vf)高，而在成膜於GaN上的情況，存 在於 AZO或 GZO中之 ZnO係雖然具有晶界（grain boundary)但是因爲磊晶成長，所以與ΙΤΌ相較之下，結 晶性優良。因而，可形成比起ITO剝離等少、強度特性優 良之透光性導電氧化膜。另外，作爲透光性導電氧化膜而 使用了 TiTa02、TiNb02的情況，因爲Ti02的折射率2.6係 與GaN的折射率大略相等，所以可作爲在GaN上之光取 出效率優良的透光性導電氧化膜。 -15- 200812112 透光性導電氧化膜，係使用具有其比阻抗變得最低的 摻雜物濃度附近之組成之物爲理想。例如：在將ITO作爲 透光性導電氧化膜而使用的情況，ITO中的811濃度係 5〜2 0質量％之範圍爲理想。而且爲了得到低的比阻抗，如 使用S η濃度爲7 · 5〜1 2 · 5 %質量％的範圍之IΤ Ο爲佳。 另外，透光性導電氧化膜的厚度，係可得低比阻抗、 高透過率之35nm〜1 0000ηιη(10μιη)的範圍爲理想。而且， 由生產成本的觀點，透光性導電氧化膜的厚度係 ΙΟΟΟηιη(Ιμπι)以下爲較理想。 (正極銲墊及負極） 正極銲墊1 6係形成於透光性導電氧化膜層1 5上，使用 An、Al、Ni及Cu等的材料之各種構造爲一般周知，可無 任何限制地使用這些周知的材料、構造之物。正極銲墊1 6 的厚度，係100〜lOOOnm的範圍內爲理想。另外，銲墊的 特性上，因爲厚度大者，bonerability變得比較高，所以 正極銲墊16的厚度作爲3 00nm以上爲較理想。而且由製造 成本的觀點來看作爲500nm以下爲理想。 負極1 7係於基板1 1上，以接於：依序層積了 n型半導 體層12、發光層13及ρ型半導體層14之氮化鎵系化合物半 導體的η型半導體層12的方式而形成。因此，在形成負極 17時’除去發光層13及ρ型半導體層14的一部分而使η型 半導體層12露出。然後，在本發明，係於殘存的ρ型半導 體層1 4上形成透光性導電氧化膜丨5，於已使其露出的η型 16· 200812112 半導體層12上形成負極17。 作爲負極17的材料，係各種 組成及構造的負極爲一般周知，可無任何限制地使用這些 一般周知的負極。 [氮化鎵系化合物半導體發光元件的製造方法] 本發明的氮化鎵系化合物半導體發光元件的製造方法 ，係如上所述般地，於如第1圖所示的氮化鎵系化合物半 導體元件1的p型半導體層14上，層積含有摻雜物之透光 性導電氧化膜1 5之製造方法，以作爲具備：在層積了透光 性導電氧化膜1 5之後，對該透光性導電氧化膜1 5使用雷射 而進行退火處理之雷射退火工程之方法而槪略構成。 作爲透光性導電氧化膜1 5的成膜方法，可無任何限制 地採用被使用於薄膜的成膜之一般周知的方法，例如：可 使用濺鍍法或真空蒸鍍法等的方法而成膜。然而，在作爲 透光性導電氧化膜而使用ITO，以真空蒸鍍法而成膜的情 況，因爲I τ Ο的透過率低、另外6 0 0 °c左右的熱退火處理 作爲必要，所以在透光性導電氧化膜與p型半導體層的界 面發生元素的擴散，由雷射退火處理之比阻抗的下降變得 不充分。因而，於透光性導電氧化膜的成膜，係選擇：如 成膜之後的透過率變得較高般的濺鍍法等的成膜方法爲理 相 〇 (雷射退火工程） 在本發明的製造方法，係在將透光性導電氧化膜1 5層 -17- 200812112 積於P型半導體層14上之後，在雷射退火工程，藉由進行 使用了雷射的雷射退火處理，可下降透光性導電氧化膜15 的比阻抗。藉由對於透光性導電氧化膜而進行雷射退火處 理，抑制：如在進行熱退火處理的情況可見般之在透光性 導電氧化膜與P型半導體層的界面之Ga元素的擴散作用 :比起施加了熱退火處理的情況，可得比阻抗低的透光性 導電氧化膜。因此，可得到降低了 P型半導體層與透光性 導電氧化膜之間的接觸阻抗之半導體發光元件。 在本發明的製造方法進行的雷射退火處理，係作爲雷 射而使用準分子雷射爲理想。作爲準分子雷射，係可使用 波長爲248 nm的KrG準分子雷射、或是，波長爲19 3 nm的 ArF準分子雷射。藉由採用具有這些波長之準分子雷射而 進行雷射退火處理，可有效地降低透光性導電氧化膜的比 阻抗，進而可有效地降低P型半導體層與透光性導電氧化 膜之間的接觸阻抗。ITO等的透光性導電氧化膜，係在可 見光區域爲透明，但波長爲3 00nm以下的光係幾乎被吸收 。因而，藉由使用波長爲300nm以下的KrF準分子雷射或 ArF準分子雷射，如爲使用於雷射退火的範圍的能量密度 ，則雷射光在透光性導電氧化膜幾乎被吸收，所以幾乎沒 有對P型半導體層帶來因雷射之損傷，亦可抑制Ga的擴 散。 使用於雷射退火處理的準分子雷射的能量密度，係爲 了降低透光性導電氧化膜的比阻抗，爲50mJcnT 2〜lOOOmJcnT2的範圍爲理想。此係因爲若使用具有1000 -18- 200812112 mJcnT2以上的能量密度之準分子雷射，則透光性導電氧化 膜的結晶性崩壞，導電性變差。而且，對抑制在透光性導 電氧化膜與透光性導電氧化膜的界面之Ga元素的擴散， 係作爲50 mJcnT2〜3 00mJcnT2之範圍爲較理想。 在本發明的雷射退火工程，係可將準分子雷射之透光 性導電氧化膜的照射，以脈衝照射進行。在將高能量的準 分子雷射連續照射於透光性導電氧化膜的情況，因爲被P 型半導體層吸收的雷射能量變得過大、Ga擴散至透光性 導電氧化膜中，所以驅動電壓（Vf)上昇。因此，將準分子 雷射的能量變低至驅動電壓（Vf)的上昇係不實質上的產生 之範圍的能量，在將雷射照射作爲脈衝照射之上，增加脈 衝次數而進行照射之情事爲有效。另外，藉由增加雷射照 射的脈衝次數，可使每1脈衝的雷射能量之散亂平均化， 可成爲能量散亂少的雷射照射。 在雷射退火工程，在將準分子雷射對於透光性導電氧 化膜而脈衝照射的情況，將次數作爲2〜2 000次的範圍爲理 想。另外，此時的脈衝寬度作爲5〜10〇ns的範圍爲理想。 脈衝照射準分子雷射時的脈衝寬度及次數如爲此範圍，則 透光性導電氧化膜的比阻抗被有效果地降低，p型半導體 層與透光性導電氧化膜之間的接觸阻抗被降低、同時半導 體發光元件的光取出效率提高。另外，在考慮了生產性的 情況，將脈衝照射準分子雷射的次數作爲2〜2 00次的範圍 爲較理想。 準分子雷射的光束尺寸係無特別限制，沒有因此光束 -19- 200812112 尺寸而對透光性導電氧化膜的比阻抗帶來影響之情事，但 若光束尺寸過大則有雷射的能量分布變差的疑慮。因此， 例如在使用能量密度爲50mJcm-2〜300mJcm-2的範圍之準分 子雷射的情況，使用□ lmmxlmm 〜的 範圍之 光束尺寸之物爲理想。 另外，在本發明的製造方法，係可將前述的雷射退火 工程，作爲含有使用準分子雷射而於透光性導電氧化膜15 的表面形成凹凸形狀的工程之構成。藉由於透光性導電氧 化膜1 5的表面形成凹凸形狀、理想爲無秩序的凹凸形狀之 情事，變爲可使氮化鎵系化合物半導體發光元件1的光取 出效率提高，使發光輸出提高。特別是，比起使用乾蝕刻 裝置等而於透光性導電氧化膜表面形成了凹凸形狀的情況 ，不帶來因電漿之損傷，而可於透光性導電氧化膜表面形 成凹凸形狀。另外，在以光飩刻等的圖案化處理係難以形 成的1 μηι以下的尺寸的凹凸形狀，亦可在本發明的雷射退 火工程形成。因而，本發明的雷射退火工程，係可同時進 行：透光性導電氧化膜的比阻抗的降低、及向該透光性導 電氧化膜表面的凹凸形狀的形成之兩個程序。 而且，因爲有：準分子雷射的能量密度越變高，透光 性導電氧化膜表面的凹凸形狀的大小變得越大的傾向，所 以爲了使光取出效率提高，係在透光性導電氧化膜的導電 性不惡化的能量密度的範圍內，照射更高能量密度的準分 子雷射爲理想。特別是，如以凸部與凹部的高低差成爲 3 5nm〜2000nm的範圍的方式形成凹凸形狀，則於光取出 -20- 200812112 效率的提高爲有效，如凸部與凹部的高低差爲 1 0 0 n m〜5 0 0 n m，則更理想。 另外，於P型半導體層1 4直接照射了雷射的情況，若 準分子雷射的能量大則有：構成P型半導體層14的GaN 的結晶性變差、或P型半導體層1 4中的金屬元素析出於p 型半導體層14表面之情事。因此，準分子雷射係僅照射於 透光性導電氧化膜1 5的表面爲理想。 在本發明的製造方法，係具備如上述的雷射退火工程 ，藉由對於透光性導電氧化膜而進行雷射退火處理，例如 可得到：在爲P型半導體層的Ga元素的透光性導電氧化 膜中之濃度，係從透光性導電氧化膜與P型半導體層的界 面開始，在2nm以內的範圍爲20at%以下，較理想爲在 Inm以內的範圍作爲20at%以下之半導體發光元件。藉 由將Ga元素之在透光性導電氧化膜中的濃度作爲上述的 範圍，降低透光性導電氧化膜的比阻抗，進而可降低P型 半導體層與透光性導電氧化膜之間的接觸阻抗。由此，成 爲可降低半導體發光元件的驅動電壓（Vf)。 (熱退火工程） 本發明的氮化鎵系化合物半導體發光元件的製造方法 ，係可作爲：於前述雷射退火工程的前工程或後工程的至 少一方，具備對於透光性導電氧化膜15而在200〜3 00 °C的 範圍的溫度進行熱退火處理之熱退火工程的構成。而且， 本發明的熱退火工程，係藉由上述雷射退火以外的手段而 -21 - 200812112 進行熱退火處理之工程。藉由進行前述雷射退火處理’使 透光性導電氧化膜的比阻抗下降之情事雖然可行，但若與 施加了熱退火處理之透光性導電氧化膜相比，則透過率係 變低。因此，以進行雷射退火處理和熱退火處理雙方，可 得：比阻抗低，而且透過率高的透光性導電氧化膜。 在進行熱退火處理的情況，於透光性導電氧化膜與P 型半導體層的界面，Ga的擴散難以產生，在3 00 °C以下的 溫度進行爲理想，在200〜3 00 °C的範圍之溫度進行爲更理 想。在熱退火工程的處理氛圍，係爲了更提高透光性導電 氧化膜的透過率，係作爲含有氧（02)的氛圍爲理想，但在 氮（N2)氛圍、或氫（H2)和氮的混合氛圍中進行退火處理亦 佳，可適宜決定。而且，熱退火工程係設置於雷射退火處 理的前工程及後工程的哪個都可以，可適宜決定。 [燈的構成] 使用如以上說明般的本發明之氮化鎵系化合物半導體 發光元件，例如可構成：藉由從業者一般周知的手段，設 置透明蓋體而構成燈。另外，藉由組合本發明的氮化鎵系 化合物半導體發光元件與具有螢光體的蓋體，亦可構成白 色的燈。 另外’例如：如第4圖所示地，本發明的氮化鎵系化 合物半導體發光元件，係可使用先前周知的方法而無任何 限制’作爲LED燈而構成。作爲燈，係一般用途的砲彈 型' 攜帶式的背光用途之側視型，可使用於顯示器之頂視 -22- 200812112 型（top-view)等，哪個用途都能使用。 例如：將面朝上（face up)型的氮化鎵系化合物半導體 發光元件安裝於砲彈型的情況，如圖示例般地，於2支框 架31、32的一方，將氮化鎵系化合物半導體發光元件！以 樹脂等接著，將正極銲墊及負極銲墊，使用由金等的材質 所構成的導線33、34，各別接合於框架31、32。之後，藉 由以透明樹脂將元件周邊進行塑膜（參照第4圖的模型35) ，可製作砲彈型的燈3 0。 本發明的發光元件，係因爲驅動電壓（Vf)低、另外光 取出效率優良，所以可實現發光特性優良的燈。 如以上說明般地，如藉由本發明的氮化鎵系化合物半 導體發光元件的製造方法，則作爲在氮化鎵系化合物半導 體元件的p型半導體層上層積透光性導電氧化膜而成膜後 ，於該透光性導電氧化膜進行雷射退火處理之方法。由此 ，比起僅進行熱退火處理的情況，因爲可抑制P型半導體 層與透光性導電氧化膜的界面之元素的擴散，所以可使透 光性導電氧化膜的比阻抗減少，可降低透光性導電氧化膜 與P型半導體層的接觸阻抗。另外，藉由於透光性導電 氧化膜的表面，由準分子雷射而形成凹凸形狀，光取出效 率提高。另外，將被含有於p型半導體層的元素之擴散難 以產生的200 °C〜300 °C的溫度範圍之熱退火處理，以在前 述雷射退火處理的前工程或後工程的任一個而進行，可提 高透光性導電氧化膜的透過率。由此，比起僅進行了雷射 退火處理的氮化鎵系化合物半導體發光元件，可得發光輸 -23- 200812112 出更優良的氮化鎵系化合物半導體發光元件。因此，可得 驅動電壓（Vf)低、發光輸出高的氮化鎵系化合物半導體發 光元件。 [實施例] 接著，將本發明的發光元件及使用了那些的燈，藉由 實施例而更詳細地說明，但本發明當然不僅限定於這些實 Φ 施例。 [實驗例1] 於第3圖，表示爲了使用於本實驗例的氮化鎵系化合 物半導體發光元件而而製作的磊晶（epitaxial)構造體的剖 面模式圖。另外，於第1圖及第2圖，表示本發明的氮化鎵 系化合物半導體發光元件的剖面模式圖及平面模式圖，以 下，——邊適宜參照一邊說明。 (氮化鎵系化合物半導體發光元件的製作） 氮化鎵系化合物半導體發光元件20的層積構造體，係 經由藍寶石的c面（（000 1 )結晶面）所構成的基板21上，經 由A1N所構成的緩衝層（無圖示），依序層積：未摻雜GaN 基材層（層厚=2//m)22、Si摻雜η型 GaN接觸層（層厚 =2 μ m ' 載體濃度=lxl019cm_3)23、Si 摻雜 η 型 Al0.07Ga0.93N 覆蓋層（層厚=12.5nm、載體濃度= lxl018cm_ 3)24、由6層的Si摻雜GaN障壁層（層厚=14.0nm、載體濃 -24- 200812112 度= lxl018cnT3)和5層的未摻雜Ino.2oGao.8oN的井層（層厚 =2.5nm)所構成的多重量子構造的發光層25、Mg摻雜p型 Al〇_G7Ga().93N 覆蓋層（層厚 l〇nm)26、及 Mg 摻雜 p 型 GaN 接觸層（層厚=l〇〇nm)27而構成。上述氮化鎵系化合物半導 體發光元件20的層積構造體的各構成層22〜27，係以一般 上的減壓MOCVD手段而使其成長。 使用上述氮化鎵系化合物半導體發光元件20的磊晶構 造體，製作了氮化鎵系化合物半導體發光元件（參照第1圖 )。首先，使用HF及HC1，洗淨了 p型GaN接觸層27表 面之後，於該P型GaN接觸層27上，將由ITO所構成的 透光性導電氧化膜層以濺鍍法形成。ITO係藉由DC磁 控濺鍍以大約250nm的膜厚成膜。於濺鍍，係使用 Sn02 濃度爲1〇質量％的ITO靶，ITO成膜時的壓力係作爲約 0.3Pa ° 在將由ITO所構成的透光性導電氧化膜成膜之後，1 脈衝（脈衝寬度=20ns)照射能量密度爲150mJcnT2的KrF準 分子雷射，進行雷射退火處理。之後’藉由一般周知的光 飩刻和濕飩刻，僅於P型GaN接觸層27上的形成正極的 範圍作爲成膜ITO的狀態。如此進行，於P型GaN接觸 層27上，形成了本發明的透光性導電氧化膜（參照第1圖及 第2圖的符號15)。 由以上述的方法形成之透光性導電氧化膜所構成的正 極，係表示高的透光性，在460nm的波長範圍具有90%以 上的透過率。而且，光透過率’係使用將與上述相同厚度 -25- 200812112 的透光性導電氧化膜層積於玻璃上之透過率測定用的樣本 ，藉由分光光度計而測定。另外，光透過率的値係在考慮 以只有玻璃板而測定的光透過空白（blank)値之上算出。 接著，於形成η型電極（負極）的區域施加一般上的乾 蝕刻，限於該區域，使Si摻雜η型GaN接觸層的表面露 出（參照第1圖）。然後，藉由真空蒸鍍法，於透光性導電 氧化膜（正極）上的一部分、及於Si摻雜η型GaN接觸層 23上，以：由Cr所構成的第1層（層厚=40nm)、由Ti所構 成的第2層（層厚=100nm)、由 Au所構成的第3層（層厚 = 400nm)的順序層積，各別形成正極銲墊（參照第1圖的符 號16)及負極（參照第1圖的符號17)。 形成正極銲墊及負極之後，將由藍寶石所構成的基板 的裏面使用鑽石微粒等的硏磨粒子而進行硏磨，最後完成 鏡面。之後，切斷層積構造體，向350μιη平方的正方形之 個別的晶片分離，載置於導線架狀之後，以金（Au)線與導 線架接線。 (驅動電壓（Vf)及發光輸出（P〇)的測定） 將這些的晶片，藉由從探針之通電，測定了在電流施 加値20mA的順方向電壓（驅動電壓：Vf)，結果爲3.3 V。 另外，以一般上的積分球測定之發光輸出（Po)爲l〇Mw， 發光面的發光分布係可確認在透光性導電氧化膜的全面發 光。 -26- 200812112 (ITO中的Ga濃度的算出） 藉由剖面TEM的EDX分析，估計了 ：在從p型GaN 接觸層27與透光性導電氧化膜層（正極）之界面朝向透光性 導電氧化膜側Inm及2nm的位置之Ga的濃度。此透光性 導電氧化膜內的Ga濃度，係與已知存在於透光性導電氧 化膜內的界面附近之金屬元素（In + Sn + Ga + Al)之比例（at%) 而定義。透光性導電氧化膜內的Ga濃度，係從界面開始 0 在1 nm及2nm的位置，各別爲1 Oat%、6 at%，比起後述之 進行了 600 °C的熱退火處理之半導體發光元件（實驗例6)， 可確認Ga的擴散少。 [實驗例2] 除了將準分子雷射的能量密度作爲30 OmJcnT2而進行 雷射退火處理之點以外，以與實驗例1相同的方法製作氮 化鎵系化合物半導體發光元件。 [實驗例3-4] 除了將準分子雷射的脈衝照射次數以表示於下述表1 之條件進行了雷射退火之點以外，以與實驗例1相同的方 法製作氮化鎵系化合物半導體發光元件。 [實驗例5] 除了沒有進行由準分子雷射之雷射退火處理之點以外 ，以與實驗例1相同的方法製作了氮化鎵系化合物半導體 -27- 200812112 發光元件。 [實驗例6-7] 除了不進行雷射退火處理，進行了在表示於表1的溫 度之熱退火處理之點以外，以與實驗例1相同的方法製作 了氮化鎵系化合物半導體發光元件。 [實驗例8-12] 於雷射退火工程的前工程或後工程的任何一方，設置 表示於下述表1的條件之熱退火工程而進行了熱退火處理 之點以外，以與實驗例1相同的方法製作了氮化鎵系化合 物半導體發光元件。 [實驗例13] 除了將準分子雷射密度的能量密度及脈衝照射次數各 別作爲1 50mJcm·2、20次（20Hz)，在 02氛圍中進行250 °C 的熱退火處理之點以外，以與實驗例1相同的方法製作了 氮化鎵系化合物半導體發光元件。 [實驗例1 4 ] 除了將透光性導電氧化膜，使用ITO以真空蒸鍍法成 膜之點以外，以與實驗例1相同的方法製作了氮化鎵系化 合物半導體發光元件。 -28- 200812112 [實驗例15] 除了將透光性導電氧化膜，使用ITO以真空蒸鍍法成 膜，另外不進行雷射退火處理之點以外，以與實驗例1相 同的方法製作了氮化鎵系化合物半導體發光元件。 [實驗例16] * 除了將透光性導電氧化膜，使用ITO以真空蒸鍍法成 膜，不進行雷射退火處理而將熱退火處理在600 °C.的溫度 進行之點以外，以與實驗例1相同的方法製作了氮化鎵系 化合物半導體發光元件。 [實驗例I7] 除了將透光性導電氧化膜，使用ITO以真空蒸鍍法成 膜，進行了雷射退火處理之後，將熱退火處理在60(TC的 溫度進行之點以外，以與實驗例1相同的方法製作了氮化 鎵系化合物半導體發光元件。 [實驗例！8] 除了將透光性導電氧化膜，使用AZO而成膜之點以 外，以與實驗例1相同的方法製作了氮化鎵系化合物半導 體發光元件。 [實驗例19] 除了將透光性導電氧化膜’使用AZ0而成膜，不進 - 29- 200812112 行雷射退火處理之點以外，以與實驗例1相同的方法製作 了氮化鎵系化合物半導體發光元件。 [實驗例20] 除了將透光性導電氧化膜，使用AZO而成膜，不進 行雷射退火處理而將熱退火處理在2 5 0 °C的溫度進行之點 以外，以與實驗例1相同的方法製作了氮化鎵系化合物半 導體發光元件。 [實驗例21] 除了將透光性導電氧化膜，使用AZO而成膜，進行 了雷射退火處理之後，將熱退火處理在250 °C的溫度進行 之點以外，以與實驗例1相同的方法製作了氮化鎵系化合 物半導體發光元件。 [實驗例22] 除了使用ArF準分子雷射而進行了雷射退火處理之點 以外，以與實驗例1相同的方法製作了氮化鎵系化合物半 導體發光元件。 [實驗例23] 除了於P型GaN層表面照射了準分子雷射之後’於 此之上以濺鍍法成膜ITO而形成透光性導電氧化膜，不進 行朝向該透光性導電氧化膜的雷射退火處理及熱退火處理 -30- 200812112 之點以外，以與實驗例丨相同 物半導體發光元件。 的方法製作了氮化鎵系化合 [實驗例24] 除了在1 00 C的溫度進行了熱退火處理之點以外，以 與實驗例1相同的方法製作了氮化鎵系化合物半導體發光 元件。 Φ 將上述實驗例1〜24的透光性導電氧化膜的成膜條件、 兀件f寸性之一覽表示於表1。另外，於表1，係亦合倂表示 從P型GaN接觸層與透光性導電氧化膜層的界面開始， 朝向透光性導電氧化膜層側，各別在離開1 nm及2nm的位 置的Ga濃度。 -31 - 200812112
i mgr ικΕ, λ 脃〇 虼S式 緣s S W月鹋 οο 卜 卜 - 卜 ο 卜 VD 卜 寸 in v〇 寸 ΟΟ oo K 卜 毅《1 cd M〇^ QJ^— *ί^Ί N© HXI 〇^ 芻s e 鹋 〇 寸 ο Os ON (N 寸 v〇 CN m ο Os 〇 m os 2 二 f - 元件特性 發光輸出 Po(mW) 〇 二 ο 〇 ΟΟ O ο r4 寸 寸 ο 1··^ o 卜 ο 1—4 1-H o OO 〇 驅動電壓 Vf(V) cn rn m rn r4 rn 04 rn rn rn r〇 t〇 rn m rn m cn m rn m ro CM rn m ro v〇 rn in rn Ό rn ΓΟ 00 rn rn rn m rn 卜 rn ΓΟ rn iffes it it mm mm 250nm 250nm 250nm 250nm 250nm 250nm 250nm 250nm | 250nm | 250nm 250nm 250nm | 250nm 250nm 250nm 250nm 250nm 250nm 250nm 250nm 250nm 250nm 250nm 250nm 熱退火(lmin) m si 欺: 壊 摧 摧 壊 | 600°C 1 | 250〇C 1 | 600°C 1 250〇C | 250〇C | | 250〇C 1 | 250〇C 1 | 250〇C 1 揉 1 600°C | 600°C 摧 簾 | 250〇C | | 250〇C 1 壊 壊 100°C _ 碱 1 02(*1) | | Nrl%H2 | 準分子雷射退火 脈衝次數 (次） — — 1 10(10Hz) 1 | 20(10Hz) I 壊 壊 »-H! 一 1 20(10Hz) | * 藤 壊 無(對p型GaN層雷射照射） KrF 150 1 能量 (mJcm-2) 300 g o \n § o § 雷射種類 KrF 1 —.KrF 1 KrF KrF L_.KrF 1 KrF KrF KrF KrF L—M—…J 1 KrF 1 KrF 1 KrF 1 L—M—.….J 成膜 方法 濺鍍 濺鍍 濺鍍 濺鍍 濺鍍 濺鍍 濺鍍 濺鍍 濺鍍 濺鍍 濺鍍 濺鍍 濺鑛 蒸鍍 蒸鍍 蒸鍍 蒸鍍 濺鍍 濺鍍 濺鍍 濺鍍 濺鍍 濺鍍 濺鍍 瓣 » mm ITO ITO ITO ITO ITO ITO ITO | no 1 ITO ITO ITO ITO ITO ITO ITO ITO ITO 1 AZO I 1 AZO ] 1 AZO ] AZO ITO ITO ITO 實驗例1 實驗例2 實驗例3 實驗例4 實驗例5 |實驗例6 1 實驗例7 1實驗例8 1 實驗例9 實驗例10 I實驗例11 1 |實驗例12 1 I實驗例13 1 實驗例14 實驗例15 I實驗例16 1 實驗例17 實驗例18 實驗例19 實驗例20 實驗例21 實驗例22 實驗例23 實驗例24 1—srw 32- 200812112 [評估結果] 藉由表示於表1的元件特性的評估結果，進行一次 150mJCm_2的KrF準分子雷射的脈衝照射，施加雷射退火 處理的實驗例1的氮化鎵系化合物半導體發光元件，係驅 動電壓（Vf)爲3.3V、發光輸出（p0)爲10mW。另外，從p型 GaN層與ITO層的界面開始在向IT0側2nm以內的位置 之Ga濃度爲1 0%以下。此係了解：與如實驗例5般地不進 行雷射退火處理的情況相同，比起如實驗例6的半導體發 光元件般地，不進行雷射退火處理而進行了熱退火處理的 情況，Ga濃度變低，變爲Vf低的特性之情事。 另外，在如實驗例2-4的半導體發光元件般地，改變 準分子雷射的能量密度或脈衝照射的次數的情況，於元件 特性可見差異。在照射了 3 00mJcm·2的能量密度的準分子 雷射之實驗例2的情況，因爲ΐτο表面的粗度（凹凸的高低 差）大所以光取出效率高、成爲Po高的特性。另外，在將 準分子雷射的脈衝照射的次數作爲10次、20次而照射了雷 射的實驗例3及4的情況，與脈衝照射的次數爲1次的情況 相比，成爲Vf低的特性。 另外，如實驗例7的半導體發光元件般地，不進行雷 射退火處理而在300 °C以下（250 °C )的溫度進行了熱退火處 理的情況，在從P型GaN層與ITO層的界面開始朝向 IT0側211111以內的位置之〇&濃度成爲14%以下，雖然朝 向ITO中的Ga濃度的擴散被抑制，但因爲ITO的比阻抗 不被充分地下降，所以Vf成爲3.5 V。 -33- 200812112 另外，在進行雷射退火處理和熱退火處理兩方面之實 驗例8-12的半導體發光元件，係因爲藉由熱退火處理而 ITO的透過率上昇，所以若P〇 = l ImW，則比起僅進行了 雷射退火處理的情況，變成發光輸出高的特性。在此之中 ，僅將熱退火處理的溫度作爲6 0 0 °C的實驗例8，I TO中的 Ga濃度增大，比起僅進行了雷射退火處理的實驗例1等， 成爲Vf高的特性（Vf =3·5 V)。一方面，在如實驗例9-12般 的於250 °C的溫度進行了熱退火處理的情況，成爲不依照 熱退火時的氛圍而ITO中的Ga濃度低、Vf低的特性。而 且，僅實驗例1 0在雷射退火處理的前工程進行熱退火處理 ，但在雷射退火處理的後工程進行了熱退火處理的實驗例 9 ’ Vf、P〇 係成爲相同的特性（Vf=3 .3 V、Po = l lmW)。 另外，在將準分子雷射的脈衝照射的次數作爲20次之 實驗例13的半導體元件，係可得Vf爲3.2V、Po爲12mW 之良好的特性。以組合雷射退火處理與3000 °C以下（250 °C )的熱退火處理，了解可得Vf低而且Po高的元件。 另外，於ITO成膜使用了真空蒸鍍法之實驗例14-17 之半導體發光元件，係因爲ITO的透過率極端地低，所以 在不進行熱退火處理的實驗例14及15，係Po成爲4mW之 非常低的特性。爲了使ITO的透過率上昇係認爲600 °C左 右的熱退火處理爲必要，只進行600 °C的熱退火處理之實 驗例16，係成爲Vf爲3.5V、Po爲10mW，元件特性提高 。而且，在進行了雷射退火處理和熱退火處理的兩方面之 實驗例17，係成爲Vf爲3.5V、Po爲1 ImW。 -34- 200812112 在以真空蒸鍍法成膜ITO而形成了透光性導電氧化膜 的情況，爲了使透過率上昇所以600 °C的熱退火處理成爲 必要，但了解··在如此進行而製作的實驗例1 6及1 7係ITO 中的Ga濃度變高，比起以濺鍍法成膜ITO的情況，Vf變 得更高。 在作爲透光性導電氧化膜而使用AZO而成膜之實驗 例18〜21之半導體發光元件，係與成膜了 ITO的情況相同 φ ，進行了雷射退火處理的實驗例18及21之一方，比起不進 行雷射退火處理的實驗例1 9及2 0，成爲V f變得更低的特 性。然而，因爲AZO的比阻抗比ITO的比阻抗更高，成 膜了 AZO的實驗例18〜21的Vf，係比成膜ITO的實驗例1 等變高。 在使用ArF準分子雷射而進行了雷射退火處理的實驗 例22的半導體發光元件，，係 Vf爲3.3V、Po爲10mW， 可得與使用了 KrF準分子雷射的情況同樣高的元件特性。 φ 另外，在將ITO成膜於p型GaN層上之前，進行了 雷射退火處理的實驗例23的半導體發光元件，係 Vf爲 . 3.7V，變得非常高。由此情事，了解：朝向p型GaN表 面的雷射照射係使Vf上昇。另外，在實驗例23，係對於 ITO係因爲不進行雷射退火處理或退火處理，所以變成 P〇爲8mW之低的元件特性。 另外，在溫度作爲1 〇〇 °C而進行了熱退火處理的實驗 例24的半導體發光元件，成爲Vf爲3.3V、Po爲10mW。 藉由以上的結果’，藉由本發明的製造方法而得到的氮 -35- 200812112 化鎵系化合物半導體發光元件，具有光取出效率優良、同 時起動電壓（Vf)低之高的元件特性之情事變爲明顯。 [產業上的可利用性] 本發明係可適用於氮化鎵系化合物半導體發光元件的 製造方法，特別是可適用於可得到能降低驅動電壓（Vf)之 氮化鎵系化合物半導體發光元件之製造方法及氮化鎵系化 合物半導體發光元件以及燈。 【圖式簡單說明】 [第1圖]爲模式地說明本發明的氮化鎵系化合物半導 體發光元件之圖，表示剖面構造之槪略圖。 [第2圖]爲模式地說明本發明的氮化鎵系化合物半導 體發光元件之圖，表示平視構造之槪略圖。 [第3圖]係模式地說明本發明的氮化鎵系化合物半導體 發光元件之圖，爲氮化鎵系化合物半導體的層積構造體的 剖面圖。 [第4圖]爲模式地說明使用本發明的氮化鎵系化合物 半導體發光元件而構成的燈之圖。 [主要元件符號說明] I :氮化鎵系化合物半導體發光元件（半導體發光元件） II :基板 12 : η型半導體層 -36- 200812112 13 :發光層 14 : p型半導體層 15:透光性導電氧化膜層 1 6 :正極銲墊 1 7 :負極 21 :基板 22 :未摻雜GaN基材層
23 : η型GaN接觸層 24 : η型AlGaN覆蓋層 25 :發光層 26 : p型AlGaN覆蓋層 27 : p型GaN接觸層 30 :燈
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