TW200811856A - Dual-layer recordable optical recording medium - Google Patents

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200811856 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一種即使在超過藍光雷射波長範圍之下仍 可高密度記錄之可錄寫（單次寫入多次讀取（WORM))的光 學記錄媒體，更明確地說，係有關一種具有至少一層第一 '資訊層、一層中間層與一層第二資訊層之可錄寫的雙層光 學記錄媒體。 【先前技術】 可以雷射光束照射錄寫的光學記錄媒體實例係例如諸 如CD-R與DVD-R等可錄寫的光學記錄媒體。此等光學 記錄媒體在資訊重現方面支援與CD-ROM與DVD-ROM相 容性，而且可兼爲小規模分布媒體與儲存媒體。不過，目 前大部分情況係使用以低成本大量製造之有機染料爲底之 CD-R與DVD-R。具有無機層之可錄寫的光學記錄媒體若 ® 擬沉積層數量大，勢必會提高其製造成本，因此使該光碟 的商業價値降低。因此，已提出層數最少之可錄寫的光學 . 記錄媒體。其中，有數種種類之可錄寫的光學記錄媒體： k 燒鈾型、相變型、合金化型等等。該燒鈾型錄寫有成本方 面的優點，但存在低C/N比（載波雜訊比）的問題，其係因 該光碟上的存在圓點薄膜熔融於凹處及/或該凹處周圍存 在熔融薄膜所致。此外，當該燒蝕記錄媒體採用單層結構 時，一般記錄膜無法支援ROM光碟的高反射率，造成產 物無法符合標準。 (2) (2)200811856 適於燒蝕記錄的材料包括Te-Au化合物與Te-Ag化 合物（詳見日本專利公開申請案（JP-Α)第60- 1 79952號與 60- 1 7995 3號），但此等材料的沸點爲1 000 °C或更高，造 成光學記錄媒體敏感度不良。 相對於僅需要將記錄膜溫度提高至其熔點以供記錄的 相變記錄光碟，該燒蝕記錄光碟需要大量熱使該記錄膜溫 度升高至其沸點或更高。因此，該燒蝕記錄光碟需要比相 變光碟更高之雷射功率，而且在燒蝕記錄光碟上以高直線 速度記錄時，其造成半導體雷射功率不足。因此，該燒蝕 記錄光碟需要高敏感度記錄膜。 JP-Α第57- 1 57790號揭示一種發明，其目的係藉由 在該於400°C或更低下釋放揮發性成份之第一層上沉積耐 腐鈾金屬層以提高記錄敏感度，而非著重於提高反射率。 因此，無法獲得與ROM光碟之相容性。此外，雖然該方 法使用Au、Ag等作爲耐腐飩金屬，但其熱傳導性極高， 因此藉由擴散作用散逸加熱產生的能量，導致加強記錄敏 感度的效果低落，而且形成的光學媒體不適於高線性速度 記錄。 至於該合金化記錄，JP-Α第04-226784號揭示一種 記錄方法，其包括以雷射光束照射由Ge、Si或Sn製得之 層與由Au、Ag、A1或Cu製得之層二者，因而使此二金 屬層合金化在一起。然而，該方法形成低至高記錄，並且 無法形成與ROM光碟之相容性。 JP-Α第0 1 -1 62247號揭示一種發明，其中形成由In- 200811856 (3)

Te合金製得之相變記錄膜，該發明目的係藉由將in 之比率設定在2 :1至1 : 1或2 : 3至2 : 5而提出一種相 學記錄媒體。然而在該發明中，由於新沉積之記錄膜 射率低之非晶相’故該記錄層必須初始化。因此，用 始化之必要步驟數增加，亦增加該製造成本。 日本專利（JP-B)第2948899號揭示一種有關光學 媒體之發明’該光學記錄媒體包括由Ag-Zn合金製得 ® 一層（可相變合金薄膜）與主要由選自Te、Se與S之 製得之第二層（低熔點薄膜），係藉由這兩層之間的構 份相互擴散於其上記錄資訊。然而，該記錄媒體爲了 高反射率之故，該第一與第二層製得很厚一第一層爲 700A，且第二層係5 00- 1 5 00 A —因此其在產距時間 造成本方面較爲不利。本發明人進行的硏究顯示出， 增厚該第一與第二層達成之此種高反射率會導致記錄 度不良，其原因係其高反射率導致熱吸收作用低，故 ^ 錄膜上幾乎不會發生熱吸收作用。如此，該記錄媒體 作爲需要高直線速度之媒體，諸如DVD °此外，由J . 與Te、Se等之反應性高，而且僅以雷射光束照射該 . 媒體或該光碟待命時就會在這兩層之間引發此等反應 該記錄層之反射率降低。 JP-A第1 1 -3450 1號揭示一種記錄媒體’其包括 由In製得之薄膜作爲第一層以及包含週期表族元 6B族元素之第二層，其中藉由這兩層之間的反應或 化所達成的反射率改變於其上記錄資訊。然而’已發 對Te 變光 呈反 於初 記錄 之第 元素 成成 追求 300- 與製 藉由 敏感 該記 無法 ^ Ag 記錄 ，故 主要 素與 合金 現因 -8 - 200811856 (4)

In與Te等之間的高反應性而使該記錄媒體極不穩定’如 同JP-B第2 94 8 899號所揭示之記錄媒體。 廣泛使用包括由無機材料加上少量其他層之可錄寫的 光學記錄媒體可有效地避免前述問題。 本發明人過去曾提出一項有關使用藍光雷射光束之可 錄寫的光學記錄媒體的發明專利申請案（日本專利申請案 第20 04-363010號），下文茲簡短描述該案內容。 ® 即’先前申請案中所述之可錄寫的光學記錄媒體特徵 係提出一層主要由氧化鉍製得之記錄層（Re層）—一無機層 一替代習用有機薄膜，其中該習用有機薄膜係因其光學吸 收功能而作爲熱產生層以及使用因分解或變性導致之折射 指數改變而作爲記錄層之習用有機薄膜。 該先前申請案描述該記錄媒體層構造的重要性，並確 立形成重要優點的最佳層構造。本發明人已確認在支援藍 光雷射的可錄寫光學記錄媒體中使用主要由氧化鉍製得之 ® 記錄層可形成顯著優良之記錄/重現特徵。 近年來，已提出單面雙層光碟以提高可錄寫的光學記 . 錄媒體之儲存容量（例如，詳見 JP-A第2003-200663與 2 0 03 -203 3 83 號以及 International Symposium on Optical

Memory 2003 (ISOM 2003)投稿文獻第 74 頁）。 由本發明人發展之具有Re層的光學記錄媒體主要係 以Bi結晶作用原理在其上記錄資訊。爲了獲得具有高記 錄敏感度與適當反射率之記錄媒體，該媒體設計極爲重 要。 -9- (5) 200811856 不過，由於上述先前申請案中該Re層中所含的Bi提 供高結晶速率，因此必須迅速將熱散至例如鄰近反射層， 以避免標誌橫向擴張。更明確地說，Bi係需要該媒體具 有迅速冷卻機制的元素，而且諸如單面雙層光碟之具有薄 反射層的光碟存在難以形成小型標誌的問題。 JP-A第08-5073 9號與2000-222777號分別揭示一種 單層相變光學記錄媒體與雙層相變光學記錄媒體，其中使 # 用具有較高熱傳導性與低吸光率之氮化物或碳化物在該反 射層上沉積一層熱擴散層（促進熱擴散之層，其係該反射 層之功能），如此提供與上述相似之迅速冷卻機制。該策 略被視爲有利於克服如上述當構成該第一資訊層之反射層 製得很薄時會浮現之缺點。 然而，氮化物與碳化物更可能會因高應力而在該熱擴 散層上產生龜裂，造成具有該熱擴散層之光碟中的覆寫特 徵不足。 Φ 此外，碳化物特別是在較短波長下會吸收相當可觀的 光，導致無法在使用紫藍光雷射之藍光光碟系統次世代系 統中讓由碳化物製得之第一資訊層的透射率變大。 【發明內容】 本發明目的係解決前述慣常發生之問題’並提出一種 可錄寫的雙層光學記錄媒體，其提供高反射率與高敏感 度，而且其具有可以在供高密度記錄之記錄/重現光束波 長範圍內實現高折射指數與小吸光係數的簡單層構造。 -10- (6) (6)200811856 藉由本發明可克服前述問題。 本發明的可錄寫的雙層光學記錄媒體包括：第一資訊 層；配置在該第一資訊層上之中間層；以及配置在該中間 層上的第二資訊層，該第一資訊層、中間層與第二資訊層 係自雷射照射一側依序沉積，其中自該雷射照射一側來 說，該第一資訊層至少包括含Bi爲主要成份之薄膜（Re 層）、介電層、反射層與熱擴散層’且自該雷射照射一側 來說：該第二資訊層至少包括含Bi爲主要成份之薄膜（Re 層）、介電層與反射層’而且其中該第二資訊層之介電層 厚度（t2)相對於該第一資訊層之介電層厚度（tl)之比例 t2/tl係在0.7至1·5或4.5至6.0範圍。 根據本發明，在一使用Re層作爲記錄層之可錄寫的 雙層光學記錄媒體當中，可能藉由使用本發明之熱擴散層 改善該第一資訊層的記錄特徵。如此，可能提出一種提供 高反射率與高敏感度，而且其具有可以在供高密度記錄之 記錄/重現光束波長範圍內實現高折射指數與小吸光係數 的簡單層構造之可錄寫的雙層光學記錄媒體。 【實施方式】 下文茲將更詳細說明本發明。本發明可錄寫的雙層光 學記錄媒體之基本層構造係自該雷射照射面開始至少包括 含Bi爲主要成份之薄膜（Re層）、介電層與反射層，其係 依序沉積。 本文所使用之「含Bi爲主要成份之薄膜（Re層）」係 -11 - (7) (7)200811856 指包含比例相當於氧以外之總構成元素的3 0原子％或更 高之Bi作爲基本成份的Re層，若該Re層係由Bi、Fe與 〇(氧）組成，Bi構成Bi與Fe總比例的30原子％或更高。 本發明光學記錄媒體中，該Re層係作爲主要吸光功 能的層。該Re層係由顯示正常擴散性之材料所製而非由 在特定波長範圍內具有廣泛吸光帶之材料（如有機材料）製 得，因此雙折射對於波長的依存性較低。因此，使用該 Re層可有效克服此等記錄特徵（例如記錄敏感度、調變 度、顫動與錯誤率）、反射率等因記錄/重現雷射波長改變 而大幅變化的往昔問題，其中該等改變係因個別雷射光束 光源之差異、環境溫度改變等所造成。 在習知之慣常可錄寫的光學記錄媒體中，有機薄膜可 兼作記錄層與吸光層。因此，擬用於此種習用媒體的有機 材料在記錄/重現光束波長範圍內必然具有大折射指數（η) 與較小吸光係數（k)。因此該有機薄膜需要製得厚到足以 使該薄膜溫度升高到致使該有機材料分解的水準。此外， 在習用相變光學記錄媒體實例中，該基材中的凹軌需要極 深。 由於本發明人進行的徹底硏究，已確立本發明中所揭 示之層構造以及在熱擴散層中使用特定化合物可以形成低 顫動與高PRSNR。應注意的是，「PRSNR」表示「部分 反應訊號雜訊比」，其係可同時表示重現訊號之S/N與實 際波型及理論PR波型之線性的標準，而且其係估計光碟 上位元錯誤率時必要的標準。對於由該重現光束波型獲得 •12- (8) (8)200811856 之放大資訊進行特定處理以產生重要訊號，並將此訊號與 實際重現訊號之差異標準化爲PRSNR。較大之PRSNR値 表示訊號品質更高；通常一般認爲PRSNR必須爲15或更 高以確保錯誤率落在實際範圍內。 本發明當中，爲了使用Re層製備單面雙層光碟，該 第一資訊層的反射層必須薄到足以確使光充分進入。如上 述，由於Bi提供高結晶速率，故必須迅速散熱至諸如反 射層等鄰近層，以避免標誌橫向擴張。更明確地說，Bi 係需要該媒體具有迅速冷卻機制的元素，而且具有薄反射 層的光碟存在難以形成小型標誌的問題。 爲了避免此問題，如本發明所述，藉由提供一層由包 含電阻係數爲1x10“ Ω cm或更低之導電性氧化物的材料 製得之熱擴散層，可以在即使具有薄反射層之光碟中賦予 迅速冷卻機制，因而可能形成小型標誌，而且PRSNR可 明顯提高。 亦需要在擬採用之雷射光束波長範圍內具有低吸光率 之熱擴散層，以確使在該第二資訊層記錄或自彼讀出該資 訊。此外，該熱擴散層較佳係在該雷射光束波長範圍內具 有0.5或更低之消光係數，更佳係〇.3或更低。大於〇.5 之消光係數會造成在第一資訊層中之較高吸光率，使得難 以在該第二資訊層上記錄/重現。 符合此等性質而且具有導電性之材料實例包括 In203、Sn02、ΖηΌ、CdO、TiO、Cdln204、Cd2Sn02 與 Zn2SnO。然而，根據高熱傳導性來看，以IT〇(In2〇3- -13- (9) 200811856

Sn〇2)與ΙΖ0(Ιη203-Ζη0)爲佳。此等氧化物可單獨或合倂 使用。 由於可錄寫的雙層光學記錄媒體必須讓光進入到可在 第二資訊層上記錄/重現同時確保可在該第一資訊層上記 ' 錄之記錄特徵的水準，故介於反射層厚度與熱擴散層厚度 ^ 之間的平衡極端重要。本發明人確認藉由使該第一資訊層 之熱擴散層厚度（T2)對該第一資訊層之反射層厚度（T1)比 φ —即T2/T1—落在2至8範圍內，可能在第一與第二資訊 層之記錄/重現特徵之間提供良好平衡，因此達到此二資 訊層上均具有優良訊號特徵與記錄敏感度。低於2之 T2/T1値會使得該第一資訊層之反射率過高，而且到達該 第二資訊層的光量減少，造成第二資訊層中之敏感度不良 及PRSNR低落，然而高於8之T2/T1會造成第一資訊層 之透射率過高，導致第一資訊層中之敏感度不良以及 PRSNR低落。 • 此外，藉由將第一資訊層之熱擴散層厚度設在3 0- 90nm，可能使即使具有薄反射層之光碟仍能維持媒體用 之迅速冷卻機制，因而可能形成小型標誌並使PRSNR大 幅提高。 雖然由於上述Bi性質而採用此種迅速冷卻機制相當 重要，但若該第一資訊層的熱擴散層厚度小於3 Orim，則 變得難以在具有薄反射層之光碟中形成小型標誌，因此使 的訊號特徵銳減。若該第一資訊層之熱擴散層厚度大於 9 Onm，該熱擴散度增加，而且該第一資訊層之敏感度降 -14- (10) 200811856 低。 藉由使第二資訊層之介電層厚度（t2)對第 介電層厚度（tl)比t2/tl落在0.7至1.5或45 內，可在第一資訊層之透射率與第二資訊層之 取得最佳平衡，因而可在此二資訊層上實現優 (即，PRSNR、反射率與敏感度）。 低於0.7之t2/tl値形成例如該第一資訊 率，其會造成透射率降低，致使第二資訊層 良。大於1.5並小於4.5之t2/tl値會使第二 射率大幅提高，並如預期般造成第二資訊層 PRSNR大幅降低。大於6.0之t2/tl値會在第 形成過厚介電層，其會因膜形成時所產生的熱 材及/或凹軌變形，並且使第二資訊層中之反 使得其敏感度顯著降低。 更明確地說，藉由使該第一與第二資訊層 厚度比最佳化，可能以較簡單之層構造在此二 成高PRSNR、高反射率與咼敏感度。 若如下選擇層厚度，則可在該第一資訊層 該第二資訊層之反射率之間取得最佳平衡：該 之R e層=5 - 2 5 n m，該第一資訊層之介電層=1 第二資訊層之Re層= 5-2 5 nm，該第二資訊層之 30nm;或該第一資訊層之Re層=5-2511111 ’該 之介電層=10-30nm，該第二資訊層之Re層= 該第二資訊層之介電層=90-120nm。藉由此種 一資訊層之 至6.0範圍 反射率之間 良記錄特徵 層之高反射 之敏感度不 資訊層之反 之敏感度與 二資訊層中 而導致該基 射率提高， 之介電層的 資訊層上達 之透射率與 第一資訊層 0- 3 Onm，該 介電層=1 0 -第一資訊層 5 - 2 5 nm，且 層構造，可 -15- 200811856 (11) 確保此二資訊層上具有優良記錄特徵（即，PRSNR、反射 率與敏感度）。 若該第一資訊層之Re層與介電層任一者厚度在前述 範圍外，則導致該第一資訊層之透射率降低，而且該第二 資訊層之敏感度與PRSNR顯著下降。若該第二資訊層之 Re層與介電層任一者在上述範圍外，則導致該第二資訊 層之反射率大幅提高，致使該第二資訊層之敏感度與 Φ PRSNR 降低。 更明確地說，藉由使該第一與第二資訊層各者的Re 層與介電層厚度最佳化，可以在具有較簡單層構造情況下 於此二層上達到高PRSNR、高反射率與高敏感度。 亦較佳情況係在比Re層更接近該雷射照射面位置沉 積一層包含代表元素之化合物作爲主要成份之層，即一層 含代表性元素化合物之層。該基材通常具有滲透性，而且 含有濕氣及/或氧。因此，當該記錄層等與該基材接觸 ^ 時，該層發生氧化作用，其造成該記錄特徵惡化。在該基 材與該記錄層之間提供此種含代表性元素化合物之層可避 . 免濕氣及/或氧滲透而改善保存性。然而，應注意的是， . 存在此種化合物層會造成記錄特徵稍微改變；但沒有與一 般規格光學記錄媒體之可靠度相關的問題。 該含代表性元素化合物之層包括鋁之氧化物（例如， A1203)、ZnS-Si〇2 與氧化銦錫（ITO)。 本文前述「主要成份」意指該含代表性元素化合物的 含量係總材料數量的3 〇莫耳％或以上.。一般而言，使用 -16- (12) 200811856 則述化合物任一^者。 該含代表性元素化合物之層厚度較佳係爲70nm或更 小。大於70nm之厚度會使得膜沉積時間變長，導致產距 時間變長、諸如因膜沉積之熱所致之基材及/或凹軌變形 等不良結果，以及不良記錄特徵。若該含代表性元素化合 物之層製得太薄，則無法完全避免濕氣與氧滲透；因此， 該含代表性元素化合物之層厚度較佳係約2 Onm或更厚。 • 就該Re層而言，使用含Bi氧化物作爲主要成份之 層。此處，「主要成份」一辭意指Bi之用量符合上述需 求。 藉由使用B i氧化物作爲該Re層材料，可能獲得極高 之PRSNR與高反射率。 此種Re層可藉由例如在氬與氧之混合氣體氣氛下濺 鍍諸如Bi氧化物或Bi合金氧化物之濺靶，或藉由灑鍍 Bi或Bi合金沉積而得。 _ 該 Re 層包含選自 Al、Cr、Mn、Sc、In、Ru、Rh、

Co、Fe、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、Sn、 Pb、Mo、V、B與Nb之一或更多種元素（M)。該元素（M) 之含量係選自3 0-40重量％，如此可獲得最佳記錄特徵。 在該Re層中添加元素（M)可在藍光雷射光束中實現優 良記錄性能。使非記錄區之結晶結構與記錄標誌之結晶結 構不同獲得調變已慣用以進行相變記錄。本發明中，記錄 標誌係於存在兩種或以上不同氧化物之混合結晶下形成， 因此介於該記錄標誌與非記錄區之折射指數差變大，獲得 -17- 200811856 (13) 更高調變度。此外，除了各氧化物結晶以外之單一元素結 晶會形成更大效果。亦可能藉由存在不同元素或具有不同 結晶結構之結晶而避免結晶生長。更明確地說，可避免由 兩種或以上不同元素及/或是具有不同結晶結構之兩種或 以上不同結晶製得的記錄標誌擴張或生長成大型標誌。如 此，可能形成小型記錄標誌。 根據折射指數、熱傳導性、化學安定性、機械強度、 ® 黏著性等選擇該介電層之材料。通常，可使用具有高透明 度與高熔點之金屬或半導體的氧化物、硫化物、氮化物與 碳化物，以及Ca、Mg、Li等之氟化物。 較佳材料係複合介電質，其包含（1)數量爲50-90莫 耳％之至少一種選自ZnS、ZnO、TaS2與稀土硫化物的物 質’以及（2)熔點或分解點爲1〇〇〇 °c或更高之熱安定性化 合物。 0 熔點或分解點爲1 〇 〇 〇 °C或更高之熱安定性化合物實 例包括 Mg、Ca、Sr、Y、La、Ce、Ho、Er、Yb、Ti、 Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Al、Si、Ge、Pb 等之氧化 ' 物、氮化物與碳化物，以及Ca、Mg、Li等之氟化物。以 - 包含ZnS與Si〇2作爲主要成份之材料爲佳。此處中「主 要成份」一辭意指ZnS與Si〇2之含量係總材料數量的5〇 莫耳％或以上；然而，通常僅使用ZnS與Si〇2。ZnS對 Si〇2之混合比較佳係自70:3 0至90·· 10 (莫耳％)。在此範圍 內可能獲得更高之PRSNR並提高反射率。若其在該範圍 外’則會造成根據其他層厚度之折射指數（n)與吸光係數 -18- 200811856 (14) (k)最佳組合偏離。因此，變得難以在該等資訊層上獲得 優良記錄特徵。 應注意的是，前述氧化物、氮化物、碳化物與氟化物 不一定必須爲化學計量組成物；爲了控制例如該介電層之 折射指數，可改變該元素比例。或者，可倂用此等化合 物。 較佳情況係，該含代表性元素化合物之層中所含的代 _ 表性兀素係選自Zn、In、A1與Sn中至少一種元素。藉由 在該基材與Re層之間提供一層此種含代表性元素化合物 之層，所形成光碟在環境測試氣氛中之安定性顯著提高。 此外，此種化合物層的特性之一係其不會造成負面結果， 諸如低反射率。 包含此種代表性元素之化合物實例包括ZnS、ZnS-Si〇2、In〇2、Sn〇2、AI2O3 與 Α1Νο 該中間層較佳係在擬施加用以記錄/重現之雷射光束 ^ 波長範圍內吸收較少光。該中間層之適用材料係視其模製 性與成本考量之樹脂；可使用例如UV固化樹脂、緩慢固 化樹脂與可熱逆轉樹脂。此外，亦可使用黏合光碟用之雙 面膠帶（DA-832 1，由 NITTO DENKO Corporation 所製之 黏著片）等。 該中間層使得光學讀頭在記錄或重現時可以光學辨別 該第一資訊層與該第二資訊層，而且其厚度較佳係1〇-7 0 μ m。 本發明之光學記錄媒體可藉由結合申請專利範圍中所 -19- (15) 200811856 敘述層以外之各種習知層而形成。 只要具有熱安定性與機械安定性，而且在自該基材側 §己錄/重現之情況（即，通過該基材）下具有優良透射率，該 基材材料並無特定限制。 基材材料之實例包括聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、 非晶相聚烯烴、醋酸纖維素與聚對苯二甲酸乙二酯；其中 以聚碳酸酯與非晶相聚烯烴較爲適宜。 # 該基材厚度並無限制，其可根據所需目的而做適當決 定。 該反射層材料較佳係在重現用雷射光束波長範圍內顯 示充分高反射率者。 例如，諸如 Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta 與Pd等金屬可單獨使用或以合金形式使用。特別是， Au、A1與Ag具有高反射率，因此適於作爲該反射層材 料。 ® 除了包含爲主要成份之前述元素或其合金任一者以 外，可於該反射層中添加額外元素。此種額外元素之實例 包括金屬與半金屬，諸如 Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、 W、Μη、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、Si、 Ge、Te、Pb、Po、Sn與Bi。基於製造成本低與高反射率 來看，以主要由Ag製得之反射層最佳。 或者，可能採用一種係由低折射指數薄膜與高折射指 數薄膜交錯所組成之多層膜的反射層，這兩種薄膜均由金 屬以外之材料製得。 -20- 200811856 (16) 形成反射層之方法實例包括濺鍍、離子鍍、化學氣相 沉積與真空氣相沉積。 第一資訊層之反射層厚度較佳係l〇-25nm，第二資訊 層之反射層較佳係50-200nm。 當ZnS-Si02層沉積在Ag等製得之反射層旁時，存在 ZnS-Si02中之S逐漸與Ag混合，因而可能使記錄特徵變 差及/或反射率降低。爲了避免此種現象，若情況適當， • 可在該反射層與ZnS-Si02層之間提供一層稱爲避免硫化 層之層。此種層之材料實例包括 SiO、ZnO、Sn03、 Al2〇3、Ti03 與 Ιη203 等氧化物；諸如 Si3N4、A1N 與 TiN 等氮化物；以及諸如SiC等碳化物。此等化合物當中， SiC係經常使用之適當化合物，因此若情況需要可用於本 發明中。 爲了例如改善反射率、記錄特徵與黏著性，可在該基 材上及/或該反射層下提供一層習知上保護膜、下保護膜 ® 或黏著層，其係無機或有機材料。 若情況適當，可在該反射層上及/或其他層之間提供 - 一層保護層。只要可保護各層避免受外力影響，可採用任 , 何習知材料作爲該保護層。 採用作爲該保護層之有機材料實例包括熱塑性樹脂、 熱固性樹脂、電子束固化樹脂與UV固化樹脂，而無機材 料之實例實例Si〇2、Si3N4、MgF2與Sn〇2。 在該記錄層實例中，該保護層之形成方法實例係塗覆 法’諸如旋轉塗覆與鑄塗、濺鍍以及化學氣相沉積；此等 -21 - 200811856 (17) 方法當中，以旋轉塗覆最佳。 由熱塑性樹脂或熱固性樹脂製得之保護層可藉由將該 樹脂溶解於適當溶劑中，並將該溶液塗覆於其他層上然後 乾燥製得。 由UV固化樹脂製得之保護層可藉由將該原始樹脂施 加於其他層上’或將該樹脂溶解於適當溶劑中並將該溶液 施加於該層上，然後以紫外線照射製得。至於該UV固化 Φ 樹脂，可使用例如丙烯酸樹脂，諸如丙烯酸胺基甲酸乙 酯、環氧丙烯酸酯與聚酯丙燃酸酯。 此等材料可單獨使用或倂用，而且該保護層可爲多層 膜而非單層膜。 該保護層厚度通常在Ο.ΐμπι至ΙΟΟμπι範圍內，更佳 係 3μιη 至 30μιη。 本發明光學記錄媒體之層構造並非特別受限於藉由自 該基材側施加雷射光束而將資訊係記錄在該光碟或自該光 ^ 碟重現資訊的構造。本發明之記錄媒體可具有在該頂層配 置一層被覆層，並自該被覆層側施加記錄與重現用的雷射 . 光束之構造。 在擬使用高數値孔徑（ΝΑ)透鏡以便高密度記錄實例 中，必須提供此種被覆層。若擬使用此種透鏡，則該重現 雷射通過之該層厚度需要縮小。此係因爲該光碟表面與該 光學讀頭之仰角（仰角係正比於雷射源波長的倒數和物鏡 孔徑數値的乘積平方）所造成的像差容許量會隨著ΝΑ提 高而降低，如此該仰角會影響像差量。因此，該基材做成 -22- 200811856 (18) 薄到足以確使該仰角對於像差量的影響最小l° 爲了實現此點，提出下列光學記錄媒體：一種光學記 錄媒體，其中藉由於基材上形成凹軌與凹處將記錄層配置 在該基材上，在該記錄層上形成反射層’並在該反射層上 配置薄且透光之被覆層，如此可自該被覆層側施加重現雷 " 射光束而重現記錄在該記錄層的資訊；以及一光學記錄 層，其中反射層係配置在一基材上，將記錄層配置在該反 • 射層上，並將透光被覆層配置在該記錄層上，如此可自該 被覆層側施加重現雷射光束而重現記錄在該記錄層的資 訊。應注意的是，製造此等光學媒體時，層的配置係由雷 射光束入射之被覆層開始進行。 藉由此種層構造，可能使該被覆層製薄而提高目標透 鏡的NA。即，可能藉由提供此種被覆層並自該被覆層側 進行記錄與重現而進一步提高記錄密度。 該被覆層通常係由聚碳酸酯片或UV固化樹脂形成。 • 本發明所使用之被覆層可具有用以將該被覆層貼附於其他 層之額外層。 施加於本發明光學記錄媒體之雷射光束較佳係供高密 度記錄用之短波長。特別是，以3 50-5 3 0nm波長之雷射光 束爲佳，可以中央波長爲40 5nm之雷射光束作爲代表性 實例之例證。 實施例 下文茲參考實施例詳細說明本發明，不過不應令本發 -23- (19) 200811856 明受此等實施例局限。 (實施例1) <製備可錄寫的雙層光學記錄媒體> 首先製備由聚碳酸酯樹脂製得之第一與第二基材，其 各爲直徑120mm且厚度爲0.58mm，而且表面上具有凹軌 (深度=2 1nm;軌距=〇.4 3μιη)。 • 在單一晶圓濺鍍設備（Balzers)中，在第一基材上依序 沉積由A12 Ο 3製得且厚度爲2 0 nm的含代表性元素化合物 之層，由Bi203製得且厚度爲20nm之Re層，由ZnS-Si〇2製得（80:20(莫耳％))且厚度爲20nm之介電層，由Ag 製得且厚度爲15nm之反射層，以及由IZO製得且厚度爲 5 Onm之熱擴散層，形成第一資訊層。 以相同方式，在第二基材上依序沉積由Ag製得且厚 度爲lOOnm之反射層，由ZnS-Si02製得（80:20(莫耳％)) B 且厚度爲20nm之介電層以及Bi2〇3製得且厚度爲20nm 之Re層，形成第二資訊層。 - 藉由旋轉塗覆法在該第一資訊層之熱擴散層表面上施 . 加包含 UV 固化樹脂（DVD03，由 NIPPON KAYAKU CO.， LTD ·所製之樹脂）之塗覆溶液，然後以相同方式在第二資 訊層之Re層表面塗覆UV固化樹脂。然後在真空壓力下 將該第一與第二資訊層黏合在一起。然後，自該第一基材 側照射UV光使該UV固化樹脂固化，形成30μιη厚之中 間層。 -24- 200811856 (20) 以此種方式製備一種可錄寫的雙層光學記錄媒體，其 中該第一資訊層、中間層、第二資訊層與基材係依序堆疊 在該第一基材上（參考圖6)。 另外，在此實施例中，將不同數量之Si02與該第一 資訊層之熱擴散層中的IZO混合以改變其導電性，並測量 其電阻係數値。製備具有前述層構造之可錄寫的雙層光學 記錄媒體，其包括具有不同數量Si〇2的熱擴散層，然後 # 測量該熱擴散層之PRSNR値以評估電阻係數與PRSNR之 間的關係。藉由ODU-1000評估PRSNR，該ODU-1000係 一種以PulseTec測量之評估裝置，其中在下列條件之下 於以6.61 m/s直線速度旋轉之光碟上寫入任意圖案：雷射 波長=4 0 5 n m ’ N A = 0.6，且時鐘頻率=6 4.8 Μ Η z。 由圖1所示之測量結果可看出，對應於第一資訊層之 訊號特徵的線顯示在高於1χ1〇“Ωογπ處迅速下降，即導 電性降低。此被視爲使用上述薄反射層所致，該等薄反射 ® 層防止充分熱擴散層，而且使得難以形成小型凹處。應注 意的是該評估中低於15之PRSNR値被視爲低於標準（HD DVD-R標準需要15或更高之PRSNR)。 此外使用由ΙΤΟ而非ΙΖΟ製成之第一資訊層的熱擴 散層會形成相似結果。 (實施例2) 以實施例1所述相似方式製造可錄寫的雙層光學記錄 媒體，但藉由改變Τ1(該第一資訊層之Ag反射層厚度）與 -25- (21) 200811856 T 2 (該IΖ Ο熱擴散層之厚度）設定各種T 2 / T 1比，並測量 PRSNR値。更明確地說，藉由將Ag反射層厚度（Τ1)設成 10nm、15nm與20nm，並針對各厚度設定不同厚度（T2)， 獲得各種T2/T1比。 由圖2所示之測量結果可看出，對應於該第二資訊層 之PRSNR的線在T2/T1 <2處顯示出迅速下降，且該第一 資訊層之PRSNR線在T2/T1 >8處顯示出迅速下降。 • (實施例3) 以實施例1所述相似方式製造可錄寫的雙層光學記錄 媒體，但使用各種厚度之熱擴散層。然後測量 PRSNR 値。 由圖3所示之測量結果可看出，對應於該第一資訊層 PRSNR之線顯示出在該熱擴散層厚度<30nm時迅速下 降，而該第二資訊層PRSNR之線顯示在該熱擴散層厚度 ® >90nm時迅速下降。 (實施例4) 以實施例1所述相似方式製造可錄寫的雙層光學記錄 媒體，但使用具有各種厚度（ti)之第一資訊層的介電層以 及具有各種厚度（t2)之第二資訊層的介電層。然後測量 PRSNR與敏感度。該測量結果示於圖4與圖5。使用 ODU-lOOO(PulseTec)測量敏感度’其中在固定抹除功率水 準（3mW)下，以不同記錄功率水準進行記錄以測定提供最 -26- 200811856 (22) 高PRSNR之最佳記錄功率水準；圖5所示之圖的縱軸表 示記錄功率水準。此評估中，PRSNR在1 5以下且敏感度 (Pw)大於13mW之光碟被視爲低於標準。 由圖4與5可看出，在0.7至1.5或4.5至6.0之 t2/tl範圍內，第一與第二資訊層均提供優良PRSNR與敏 感度。然而，當t2/tl落在此範圍以外時，該第二資訊層 之敏感度特別明顯降低，PRSNR亦如此。主要係因爲在 Φ 該等厚度下之ZnS-Si02的折射指數（η)與吸光係數（k)非最 佳組合使得反射率變高到已偏離可能進行記錄之最佳範 圍。 (實施例5) 以實施例1所述相似方式製造可錄寫的雙層光學記錄 媒體，但將該第一資訊層之含代表性元素化合物層厚度設 爲0-70nm，該第一資訊層之Re層厚度設爲5-25nm，該 第一資訊層之介電層厚度設爲10-30nm，該第二資訊層之 Re層設爲5-25nm，且該第二資訊層之介電層厚度設爲 1 0 - 3 0 n m 或 9 0 - 1 2 0 n m 〇 此等媒體提供20至30範圍內之PRSNR値，其符合 PRSNR必須在15或更高之HD DVD-R標準，並提供在 5%至7%範圍內之反射率値，其符合反射率必須在4.5%或 更高之HD DVD-R標準。此外，該媒體的pw(敏感度）優 良；在9-llmW功率水準可成功寫入該媒體。 應注意的是，該敏感度會隨著反射率提高而降低，因 -27- (23) (23)200811856 此，於記錄期間必須導入較高功率。然而高功率記錄作用 會對相鄰標誌或軌道造成明顯負面影響’因而可能導致 PRSNR降低。 (實施例6) 以實施例1所述相似方式製造可錄寫的雙層光學記錄 媒體，但於該Re層中的Bi203中添加選自八卜Cr、Mn、 Sc 、 In 、 Ru 、 Rh 、 Co 、 Fe 、 Cu 、 Ni 、 Zn 、 Li 、 Si 、 Ge 、 Zr、Ti、Hf、Sn、Pb、Mo、V、B 與 Nb 之一或更多種元 素（M)。然後如實施例1般進行評估。 已確認添加此種元素可進一步改善PRSNR與敏感 度。 (實施例7) 以實施例1所述相似方式製造可錄寫的雙層光學記錄 媒體，但將該第一與第二資訊層之介電層（ZnS-Si 02層）中 的ZnS對Si02比改成在70:3 0至90:10範圍內。 在此ZnS對 Si02比範圍內，可成功製得符合HD DVD-R標準（PRSNR=15或更高）之高PRSNR値，而且第 一與第二資訊層二者均顯示符合該HD DVD-R標準（反射 率=4.5 %或更高）之適當反射率，以及優良敏感度。亦確認 若該比値落在該範圍之外，則會造成其根據其他層厚度之 折射指數（η)與吸光係數（k)最佳組合偏離，使得難以在該 資訊層上獲得優良記錄特徵。 -28- (24) (24)200811856 (實施例8至1〇) 以實施例1所述相似方式製造可錄寫的雙層光學記錄 媒體’但將該第一資訊層之化合物層材料改成2118一 S10 2 ( 8 0 : 2 0 (莫耳％))(實施例8)、111〇2(實施例）與811〇2(實 施例10)，並將各化合物層之厚度設爲60nm。 如實施例1般在此等可錄寫的雙層光學記錄媒體上進 行之PRSNR測量揭露實施例8至10中製備的媒體均可成 功獲得高 PRSNR値，該値符合 HD DVD-R標準 (PRSNR=15或更高），而且該第一與第二資訊層顯示出符 合該HD DVD-R標準（反射率=4.5%或更高）之適當反射 率，以及優良敏感度。 不過，應注意的是，已確認雖然使用此種化合物層， 右該化合物層厚度超過70nm，則會造成根據其他層厚度 之折射指數（η)與吸光係數（k)最佳組合偏離，使得難以在 該資訊層上獲得優良記錄特徵。 (實施例1 1) 以實施例1所述相似方式製造可錄寫的雙層光學記錄 媒體’但於該層中的Bi2〇3中添加選自Al、Cr、Μη、 Sc、In、Ru、Rh、Co、Fe、Cu、Ni、Zn、Li、Si、Ge、 Zr、Ti、Hf、Sn、Pb、Mo、V、B 與 Nb 之一或更多種元 素（M)。然後如實施例1般進行評估。 測量結果示於表1，其表示添加一或更多種前述元素 -29- (25) 200811856 (Μ)可進一步改良PRSNR與敏感度。

表1 Re層中所含 之元素Μ 第一資訊層 第二資訊層 PRSNR 最佳功率 (mW) PRSNR 最佳功率 (mW) ΑΙ 20 10.2 22 10.2 Cr 19 10.8 23 10.7 Μη 21 10.2 24 10.4 Sc 22 10.5 26 10.7 In 20 9.8 23 10 Ru 19 10.1 22 10.3 Rh 19 9.9 24 10.2 Co 24 10.2 25 10.3 Fe 25 10 27 10.4 Cu 24 10.3 27 10.5 Ni 26 9.9 27 10.1 Zn 24 9.5 24 9.7 Li 21 9.8 23 10 Si 20 10 22 10.4 Ge 23 10.1 24 10.4 Zr 20 10 23 10.2 Ti 24 10.3 26 10.5 Hf 20 10.3 24 10.4 Sn 26 9.5 28 9.9 Pb 21 9.5 22 9.7 Mo 21 9.9 24 9.9 V 19 10.4 22 10.5 Nb 19 10.5 21 10.5 B 27 9.2 29 9.4 -30- (26) (26)200811856 (實施例12) <製備可錄寫的雙層光學記錄媒體> 首先製備由聚碳酸酯樹脂製得之第一與第二基材，其 各爲直徑12 0mm且厚度爲0.59mm，而且表面上具有凹軌 (深度=2 1 n m ;車九距=0 · 4 0 μ m ) 〇 在單一晶圓濺鍍設備（Balzers)中，在第一基材上依序 沉積由ZnS-Si02製得（8 0:20(莫耳％))且厚度爲40nm之含 代表性元素化合物層，由Bi203製得且厚度爲20nm之Re 層，由ZnS-Si02製得（80:20(莫耳％))且厚度爲20nm之介 電層，由 Ag製得且厚度爲15nm之反射層，以及由 In203-Zn0-Sn02-Si02(比例=1:4.73 :4:1.63(莫耳））製得且厚 度爲50nm之熱擴散層，形成第一資訊層。 以相同方式，在第二基材上依序沉積由Ag製得且厚 度爲80nm之反射層，由ZnS-Si02製得（80:20(莫耳％))且 厚度爲20nm之介電層以及Bi203製得且厚度爲20nm之 Re層，形成第二資訊層。 藉由旋轉塗覆法在該第一資訊層之熱擴散層表面與該 第二資訊層之 Re層表面上施加包含 UV固化樹脂 (DVD03，由 NIPPON K A Y AKU C Ο .，LTD .所製之樹脂）之 塗覆溶液。然後在真空壓力下將該第一與第二資訊層黏合 在一起。然後，自該第一基材側照射UV光使該UV固化 樹脂固化，形成25 μιη厚之中間層。 以此種方式製備一種可錄寫的雙層光學記錄媒體，其 中該第一資訊層、中間層、第二資訊層與第二基材係依序 -31 - (27) (27)200811856 堆疊在該第一基材上（參考圖6)。 另外，在此實施例中，將不同數量之Si 02加入該第 一資訊層之熱擴散層以獲得各種導電性數値。製備具有圖 6所示層構造之可錄寫的雙層光學記錄媒體，其包括具有 不同數量Si02的熱擴散層，然後測量PRSNR値與記錄功 率水準，以評估介於該熱擴散層電阻係數與PRSNR之間 的關係。藉由 ODU-lOOO(PulseTec)評估 PRSNR，其中在 下列條件之下於以6_61m/s直線速度旋轉之光碟上寫入任 意圖案：雷射波長=405nm，NA = 0.6，且時鐘頻率 = 64· 8MHz。然後使用ODU· 1 000測量記錄功率（Pw)，其中 於固定抹除功率水準（3 mW)下，以不同記錄功率水準進行 記錄以測定提供最高PRSNR之最佳記錄功率水準。應注 意的是低Pw値意指高敏感度。評估標準如下：如HD DVD-R標準要求之PRSNR在15或以上且Pw係13mW或 以下的光碟被視爲可接受。 由圖7與8可看出，在當熱傳導性低於0.9W/mK時 PRSNR朝15降低，而且當熱傳導性進一步時其會低於 15。當熱傳導性超過1.6W/mK時，Pw(敏感度）朝13mW 提高，且當熱傳導性進一步提高時，Pw會超過13mW。 不過應注意的是，此等數値並無特定限制；其係視光碟的 層構造而定。 即使該熱擴散層之In203-Zn0-Sn02-Si02比例在1:4-6:3_5: 1-2範圍內改變，仍能成功地獲得近乎相同結果。 此比例可根據該資訊層類型而在前述範圍內變化。 -32- (28) (28)200811856 (實施例1 3 ) 以實施例1 2所述相似方式製造可錄寫的雙層光學記 錄媒體，但藉由改變T 1 (該第一資訊層之Ag反射層厚度） 與T2(該熱擴散層之厚度）設定各種T2/T1比。然後藉由測 量PRSNR値與記錄功率水準進行評估。更明確地說，藉 由將Ag反射層厚度（Τ1)設在8-15nm範圍內’並針對各 Ag反射層厚度（T1)設定不同熱擴散層厚度（T2)。評估標準 與實施例1 2相同。 由圖9與1 0所示之測量結果可看出，當T2/T1小於 1.4時該第二資訊層之Pw(敏感度）朝13mW提高，且當 T2/T1進一步降低時，Pw超過13mW。一般認爲這是該第 一資訊層之反射率過高使得達第二資訊層的光量減少所 致。另一方面，當T2/T1超過12時，該第一資訊層的 PRSNR朝15降低，且當T2/T1進一步提高時，PRSNR會 低於1 5。此係該第一資訊層之透射率提高過多所致。亦 應注意此等數値並無特定限制；其係視光碟的層構造而 定。 其中，當T2/T1在1·4至12範圍內時，T2係自21nm 至96nm。即使將反射層製薄（T1 :8-1 5nm)，亦可能確立迅 速冷卻機制（結構）以形成小型標誌’並使PRSNR顯著提 高。 如上述，重要的是基於B i性質而採用此種迅速冷卻 機制。若T2小於21 nm同時T1在8nm至15n範圍內，則 -33- (29) (29)200811856 變得難以在具有薄反射層之光碟中形成小型標誌，導致該 第二資訊層之Pw(敏感度）降低。若T2大於96nm，該熱 擴散度增高，造成該第一資訊層之PRSNR降低。 (實施例14) 以實施例1 2所述相似方式製造可錄寫的雙層光學記 錄媒體，使用具有各種厚度（tl)之第一資訊層的介電層以 及具有各種厚度（t2)之第二資訊層的介電層。然後藉由測 量PRSNR與記錄功率水準進行評估。評估標準與實施例 1 2相同。 由圖11與12可看出，當t2/tl在0.7至1.5範圍內 時，第一與第二資訊層均提供優良 PRSNR(不低於 15)Pw(不大於13mW)。然而，當t2/tl落在此範圍以外 時，造成第二資訊層之PRSNR特別明顯降低至15以下。 一般認爲其係因爲在該等厚度下之ZnS-Si02的折射指數 (η)與吸光係數（k)非最佳組合使得反射率變高到已偏離可 能進行記錄之最佳範圍。亦應注意此等數値並無特定限 制；其係視光碟的層構造而定。 (實施例1 5) 以實施例1 2所述相似方式製造可錄寫的雙層光學記 錄媒體，但將該第一資訊層之含代表性元素化合物層厚度 設爲〇-70nm，該第一資訊層之Re層厚度設爲5-25nm， 該第一資訊層之介電層厚度設爲10-3 Onm，該第二資訊層 -34- (30) (30)200811856 之Re層設爲5-25nm，且該第二資訊層之介電層厚度設爲 1 0 - 3 0 n m 〇 此等媒體提供20至30範圍內之PRSNR値，其符合 PRSNR必須在15或更高之HD DVD-R標準，並提供在 5%至7%範圍內之反射率値，其符合反射率必須在4.5%或 更高之HD DVD-R標準。此外，該媒體的Pw(敏感度）優 良；在9 -1 1 mW功率水準可成功寫入該媒體。如上述，應 注意的是該Pw(敏感度）會隨著反射率提高而降低，因 此，於記錄期間必須導入較高功率。然而高功率記錄作用 會對相鄰標誌或軌道造成明顯負面影響，因而可能導致 PRSNR降低。 (實施例16) 以實施例1 2所述相似方式製造可錄寫的雙層光學記 錄媒體，但將該第一資訊層之含代表性元素化合物層厚度 設爲Onm、1 Onm、7 0nm與8 Onm。然後藉由將彼等置於恆 溫浴（溫度=80°C，濕度=85%)中進行儲存試驗。以與實施 例12所示方式，每100小時測量該等可錄寫的雙層光學 記錄媒體各者的第一資訊層PRSNR。如圖13所示，具有 含代表性元素化合物層之媒體的第一資訊層提供優良保存 性。 不過，化合物層爲8 0 nm厚之媒體鮮少能符合1 5之 標準訊號記錄特徵（PRSNR)値，其低於具有薄化合物層之 媒體的PRSNR値。已確認此係因爲此種厚化合物層使其 -35- (31) 200811856 偏離對應於其他層厚度之折射指數（η)與吸光係數（k)最佳 組合，使之無法保有在第一資訊層上之優良記錄特徵所 致。 此外，已確認使用由Abo」、Si02、Ιη02與Sn〇2任 一者製得之含代表性元素化合物層會產生相似結果。 【圖式簡單說明】 φ 圖1係熱擴散層之電阻係數對PRSNR的圖。 圖2係T2/T1對PRSNR之圖。 圖3係該熱擴散層之厚度對PRSNR之圖。 圖4係t2/tl對PRSNR之圖。 圖5係t2/tl對敏感度之圖。 圖6係顯示本發明可錄寫的雙層光學記錄媒體一實例 之示意橫剖面圖。 圖7係實施例12中之熱傳導性對PRSNR的圖。 • 圖8係實施例12中一熱擴散層之熱傳導性對Pw的 圖。 圖9係實施例13中T2/T1對PRSNR之圖。 圖係實施例13中T2/T1對Pw之圖。 圖1 1係實施例14中t2/tl對PRSNR之圖。 圖12係實施例14中t2/tl對Pw之圖。 圖13係實施例17中第一資訊層之儲存時間對 PRSNR的圖。 -36-

Claims (1)

1. (1) (1)200811856 十、申請專利範圍 1 · 一種可錄寫的雙層光學記錄媒體，其包含： 第一資訊層；配置在該第一資訊層上之中間層；以及 配置在該中間層上的第二資訊層，該第一資訊層、該中間 層與該第二資訊層係自雷射照射一側依序沉積’ 其中自該雷射照射一側來說，該第一資訊層至少包括 含Bi爲主要成份之薄膜（Re層）、介電層、反射層與熱擴 散層，且自該雷射照射一側來說，該第二資訊層至少包括 含Bi爲主要成份之薄膜（Re層）、介電層與反射層，而且 其中該第二資訊層之介電層厚度（t2)相對於該第一資 訊層之介電層厚度（tl)之比例t2/tl係在〇·7至1 .5或4·5 至6.0範圍。 2 .如申請專利範圍第1項之可錄寫的雙層光學記錄 媒體，其中該熱擴散層包括一種電阻係數爲ΙχΙίΤ1 Ω cm 或更低之導電性氧化物。 3 .如申請專利範圍第2項之可錄寫的雙層光學記錄 媒體，其中該導電性氧化物係 IZO(In2〇3-ZnO)與 IΤ Ο (I η〗〇 3 ** S η Ο 2)其中之一。 4.如申請專利範圍第1項之可錄寫的雙層光學記錄 媒體，其中該第一資訊層之熱擴散層厚度（Τ2)相對於該第 一資訊層之反射層厚度（Τ1)之比例Τ2/Τ1係在2至8範 圍。 5 ·如申請專利範圍第1項之可錄寫的雙層光學記錄 媒體，其中該第一資訊層之熱擴散層厚度係3 Onm至 -37- 200811856

   90nm 〇 6 ·如申請專利範圍第1項之可錄寫的雙層光學記錄 媒體，其中該第一資訊層之Re層厚度係5nm至25nm， 該第一資訊層之介電層厚度係1 〇nm至3 Onm，該第二資 訊層之Re層厚度係5nm至25nm，且該第二資訊層之介 電層厚度係l〇nm至30nm。 7.如申請專利範圍第1項之可錄寫的雙層光學記錄 媒體，其中該第一資訊層之Re層厚度係5nm至25 nm， 該第一資訊層之介電層厚度係10nm至30nm，該第二資 訊層之Re層厚度係5nm至25nm，且該第二資訊層之介 電層厚度係90nm至120nm。 8 ·如申請專利範圍第1項之可錄寫的雙層光學記錄 媒體，其進一步包含： 一包含有含代表性元素之化合物作爲主要成份之層， 或一含代表性元素化合物之層， 其中該含代表性元素化合物之層係位於比該第一資訊 層之Re層更接近該雷射照射側的位置。 9.如申請專利範圍第8項之可錄寫的雙層光學記錄 媒體，其中該含代表性元素化合物之層的厚度係70 nm或 更小。 1 〇 ·如申請專利範圍第1項之可錄寫的雙層光學記錄 媒體，其中該Re層包括Bi氧化物作爲主要成份。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之可錄寫的雙層光學記錄 媒體，其中該Re層包括選自Al、Cr、Mn、Sc、In、Ru、 -38- (3) (3)200811856 Rh、Co、Fe、Cn、Ni、Zn、Li、Si、Ge、Zr、Ti、Hf、 Sn、Pb、Mo、v、B與Nb之一或更多種元素。 12·如申請專利範圍第1項之可錄寫的雙層光學記錄 媒體，其中該第一資訊層與第二資訊層兩者之介電層皆包 含ZnS與Si〇2作爲主要成份。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之可錄寫的雙層光學記 錄媒體’其中該ZnS對Si〇2之混合比例係70:3 0至 90:10(莫耳 ％)。 14*如申請專利範圍第8項之可錄寫的雙層光學記錄 媒體’其中該含代表性元素化合物之層之所含之代表性元 素係运自Zn、In、A1與Sn中至少一*種兀素。 15·如申請專利範圍第1項之可錄寫的雙層光學記錄 媒體，其中該第一資訊層之反射層係位在比該第一資訊層 之介電層距離該雷射照射一側更遠處，並且該第二資訊層 之反射層係位在比該第二資訊層之介電層距離該雷射照射 一側更遠處。 -39 -