TW200803597A - Light emitting element, its manufacturing method, and substrate treatment device - Google Patents

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200803597 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在2個電極之間被形成有機發光層的發 光元件及供形成該發光元件之用的基板處理裝置。 【先前技術】 近年來，取代從前使用的陰極射線管（CRT， Cathode Ray Tube)，而進行著可薄型化的平面型顯示裝 置的實用化，例如有機電致發光元件（有機EL元件）因 爲具有自行發光、高速應答等特徵，所以被視爲次世代之 顯示裝置而受到囑目。此外，有機EL元件，除了顯示裝 置以外’亦有作爲面發光元件來使用的。 有機EL元件，係在陽電極（正電極）與陰電極（負 電極）之間挾持著含有有機EL層（發光層）的有機層的 構造’於該發光層由正極注入正孔，由負極注入電子而藉 由使其再結合而使該發光層發光的構造。 此外’於前述有機層，亦可以應需要而在陽極與發光 層之間’或者陰極與發光層之間，附加例如正孔輸送層或 者電子輸送層等使發光效率良好之層。 作爲形成前述發光元件的方法之一例，一般採取以下 的方法。首先，由IT0構成的陽電極被圖案化於基板上， 藉由蒸鍍法形成前述有機層。蒸鍍法，係將例如蒸發或者 昇華的蒸鍍原料蒸鍍於被處理基板上而形成薄膜的方法。 其次’於該有機層上，藉由蒸鍍法形成成爲陰電極之鋁 -5- 200803597 (2) (A1 )。亦有將這樣的發光元件稱爲頂陰極型發光元件的 場合。 例如如此進行而形成在陽電極與陰電極間被形成有機 層之發光元件。 • 但是’如前所述，使用蒸鍍法形成陰電極的場合，特 - 別是在被處理基板很大的場合，會有陰電極的厚度均勻性 的問題。如此，若是在被處理基板面內陰電極的膜厚的均 I 勻性不充分的話，在被處理基板面內的發光元件的品質會 有變得不均勻的問題。 爲了解決這樣的問題，在形成陰電極的場合，例如與 蒸鍍法相比，考慮使用在被處理基板的面內的成膜速度的 均勻性良好的灑鍍法。但是，濺鍍法，與蒸鍍法相比，會 有對成膜對象的損傷變大的問題。 例如於形成前述發光元件的場合，陰電極被形成於機 械強度比較小的有機層上。因此，例如藉由濺鍍法等使鋁 φ 等硬的金屬粒子以高速度衝突於有機層的場合，有機層會 受到損傷而會使得發光元件的品質降低。因此，要將膜厚 均勻性良好的濺鍍法使用於陰電極的形成是困難的。 ’ ‘[專利文獻1]日本專利特開2004-225 05 8號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 此處，在本發明，以提供解決前述問題之新穎有用的 發光元件、發光元件之製造方法以及供製造該發光元件之 -6- 200803597 (3) 用的基板處理裝置爲統括的目的。 本發明之具體的課題，在於提供電極 同時有機層的損傷也很少之高品質的發光 光元件的製造方法以及製造該發光元件的 ^ [供解決課題之手段] 在本發明之第1觀點，藉由一種發光 Φ 課題，其係具有第1電極、對向於前述第 極、包含被形成於前述第1電極與前述第 光層之有機層的發光元件，其特徵爲：前 含被形成於前述有機層上的保護該有機層 層，及被形成於該保護層上的導電性的主 在本發明之第2觀點，藉由一種發光 來解決前述課題，其係於第1電極與第2 光層的有機層被形成而構成的發光元件之 | 徵爲包含：於前述第1電極上形成前述有 成步驟，及於前述有機層上形成包含複數 電極形成步驟；前述電極形成步驟，包含 ' 上，藉由對該有機層不造成損傷地進行成 ‘ 的保護層之步驟，及藉由於前述保護層上 成主電極層的步驟。 在本發明之第3觀點，藉由一種基板 前述課題，其係製造被形成於基板上的第 極之間包含發光層的有機層被保持的構造 厚度的差異很少 元件、製造該發 基板處理裝置。 元件來解決前述 1電極的第2電 2電極之間的發 述第2電極，包 的導電性之保護 電極層。 元件之製造方法 電極之間含有發 製造方法，其特 機層之有機層形 層的第2電極之 :於前述有機層 膜而形成導電性 均勻地成膜而形 處理裝置來解決 1電極與第2電 之發光元件之基 200803597 (4) 板處理裝置，其特徵爲具有：於前述有機層上，形成保護 該有機層同時構成前述第2電極的導電性保護層之第1成 膜裝置，與在前述保護層上，形成構成前述第2電極的主 電極層之第2成膜裝置，及將前述被處理基板由前述第1 * 成膜裝置搬送至前述第2成膜裝置之搬送手段。 [發明之效果] 根據本發明，可以提供電極厚度的差異很少同時有機 層的損傷也很少之高品質的發光元件、製造該發光元件的 製造方法以及製造該發光元件的基板處理裝置。 【實施方式】 [供實施發明之最佳型態] 其次，根據圖面說明本發明之實施型態。 (實施例1 ) 圖1係模式顯示本發明的實施例1之發光元件之剖面 圖。參照圖1，根據本發明之發光元件1 〇〇，具有：被形 成於基板101上的陽電極102，及對向於該陽電極102之 陰電極104，及包含被形成於該陽電極102與該陰電極 104之間的發光層（有機EL層）103A的有機層103。 前述之發光元件100，亦會被稱爲有機EL元件，藉 由對前述陽電極1 02與前述陰電極1 04之間施加電壓，於 該發光層103A由前述陽電極102注入正孔，由前述陰電 200803597 (5) 極1 04注入電子使其再結合，而成爲使該發光層1 〇3 A發 光的構造。該發光層103A，例如可以使用多環芳香族碳 氫化合物，雜環芳香族化合物，有機金屬錯體化合物等材 料來形成，前述材料例如可以藉由蒸鍍法來形成。 * 在從前的發光元件，形成陰電極的場合具有以下的技 - 術問題。例如，在以蒸鍍法形成陰電極的場合，會有陰電 極的厚度均勻性不充分的問題，另一方面以濺鍍法形成陰 φ 電極的場合，雖然陰電極的厚度均勻性很好，但有在有機 層產生損傷的疑慮。 在此，在根據本實施例之前述發光元件100，前述陰 電極104，以包含在前述有機層103上以接於該有機層 103的方式被形成的保護該有機層103的導電性之保護層 104A，及在該保護層104A上以接於該保護層104A的方 式被形成的導電性的主電極層1 04B的方式構成。 在此場合，例如前述保護層1 0 4 A藉由蒸鍍法形成， φ 而前述主電極層1 〇 4 B以藉由濺鍍法形成較佳。例如，於 形成前述陰電極104的場合，首先藉由對前述有機層1〇3 的損傷很少的例如蒸鍍法形成前述保護層1 04 A，其次於 該保護層104A上，藉由成膜的基板面內的均勻性很好之 ' 例如濺鍍法來形成前述主電極層1 04B。在此場合，前述 保護層104A以及前述主電極層104B，最好同樣由導電性 材料構成。在根據從前的蒸鍍法來成膜，膜厚的差異在正 負1 〇 %程度，根據本實施方法的話，膜厚的差異可以抑 制於正負5 %以下。 -9- 200803597 (6) 因此，前述之發光元件l 00抑制對前述有機 損傷之影響，同時前述陰電極104的膜厚之基板 性也良好，具有高品質的發光元件的特徵。 此外，前述保護層104A，與前述主電極層 • 可由相同的材料所構成’但應需要而使前述保· - 與前述主電極層ι〇4Β以相異的材料來構成亦可 在前述之任一場合’前述保護層104A，被形成 φ 主電極層104B更薄。 例如，如前述發光元件1 〇 〇那樣所謂的頂陰 元件的場合，前述陰電極104，作爲來自前 103A的發光的反射層來利用。因此，前述保護層 可見光的反射率，比前述主電極層104B的可見 率更高所以較佳。在此場合，發光元件的發光效 好。此外，另一方面，前述主電極層104B的耐 前述保護層1 〇 4 A的耐久性更高所以較佳。前 φ 104B，被形成於前述保護層104A的外側，因爲 或氧氣，所以最好是例如對氧氣的耐久性要高。 又，在此場合，耐久性係指對氧氣或氫氣等 或者被激發的該氣體所導致的腐蝕之耐受性 ' 性）、對結晶粒粗大化之耐性、對凝集之耐性 (以下亦同）。 在從前的發光元件的陰電極，要同時提高可 射率同時提高耐久性是很困難的。另一方面，根 例之前述陰電極104，因爲係以包含含複數之層 層103的 面內均勻 104B ，亦 !層 1 0 4 A 。此外， 爲比則述 極型發光 述發光層 f 104A 的 光的反射 率變得良 久性，比 述主電極 暴露於熱 活性氣體 (耐腐蝕 等之總稱 見光的反 ΐ據本實施 「而被形成 -10· 200803597 (7) 於前述有機層1 〇 3上的前述保護層1 〇 4 A與被形成於該保 護層104上之導電性的主電極層i〇4B的方式構成的，所 以可以提高陰電極的可見光的反射率，同時也可以提高耐 久性。 • 例如，前述保護層104A最好由銀所構成。銀因爲對 • 可見光的反射率很高，所以適合作爲構成面對前述發光層 1 0 3 A之側的前述保護層1 〇 4 A的材料。 φ 此外，前述主電極層1 04B，例如亦可爲混合供對銀 具有耐久性之用的添加物而構成。例如，使用對銀添加1 重量百分比的鈀之材料於前述主電極層1 04B的話，與使 用銀的場合相比，提高該主電極層的耐久性，所以較佳。 此外，前述主電極層104B亦可由鋁構成。鋁雖然可 見光的反射率比銀差，但耐久性比銀還高，與使用銀的場 合相比，該主電極層的耐久性提高，所以較佳。 此外，如先前所說明的，亦可用相同材料構成前述保 φ 護層]04A與前述主電極層104B，例如，亦可將保護層 104 /主電極層104B之組合，採用銀/銀、銘/鋁、或者銀 (添加1重量百分比的鈀）/銀（添加1重量百分比的 ' 鈀）亦可。 - 此外，前述保護層104B以接於前述有機層103的方 式形成。因此，於前述保護層1 04B，亦可添加供調整該 保護層104的功函數（work function)之用（使發光效率良 好）之物質，例如Li, LiF，CsC03等。此外，於前述有機 層103上把供調整功函數之用的層（Li，LiF，CsC03)形 -11 - 200803597 (8) 成爲下底層，而於該下底層上形成由銀或鋁之類的高 性材料所構成的前述保護層104B亦可。 此外，以使在前述發光層103A之發光效率成爲 的方式，於前述有機層103，在該發光層103A與前 • 電極1 〇2之間形成例如正孔輸送層1 〇 3 B、正孔注 • 103C亦可。此外，該正孔輸送層 103B、與正孔注 103C，亦可爲省略其任一或者省略其雙方的構造。 φ 同樣地，以使在前述發光層103A之發光效率成 好的方式，於前述有機層103，在該發光層103A與 陰電極104之間形成例如電子輸送層103D、電子注 103E亦可。此外，該電子輸送層 103D、與電子注 103E，亦可爲省略其任一或者省略其雙方的構造。 此外，前述發光層103A，例如可以使用主體材 銘奎林醇（aluminoquinolinol)錯體（Alq3)，摻雜材使 螢烯（rubrene)而形成，但不以此爲限，可以使用種種 φ 來形成。 其次，針對製造前述發光元件100的製造方法， 圖2 A〜圖2 D依照順序加以說明。其中，在以後的圖 可能會對先前所說明過的部分賦予相同的參照符號而 ' 其說明。 首先，於圖2A所示的步驟，準備被圖案化的被 例如由ITO所構成的前述陽電極1〇2的例如由玻璃所 的前述基板101。在此場合，於前述基板101，亦可 被接續於前述陽電極101之例如TFT (薄膜電晶體） 導電 良好 述陽 入層 入層 爲良 前述 入層 入層 料爲 用紅 材料 根據 中， 省略 形成 構成 含有 之主 -12 - 200803597 ⑼ 動矩陣驅動電路等。 其次，於圖2B所示之步驟，於前述陽電極1 02上 (前述基板101上），形成前述有機層103。在此場合， 前述有機層103例如藉由蒸鍍法形成，以由前述陽電極 • 102之側起依序層積正孔注入層103C、正孔輸送層 • 103B、發光層（有機EL層）103A、電子輸送層103D、 電子注入層1 03 E的方式形成。此外，如先前所說明的， φ 亦可以應需要而省略前述正孔輸送層1 0 3 B以及前述正孔 注入層103C之任一方的成膜，或者是省略雙方之成膜。 同樣地，前述電子輸送層103D、與電子注入層103E，亦 可爲省略其任一成膜或者省略其雙方之成膜。 其次，於圖2C〜圖2D所示之步驟，於前述有機層 103上形成包含複數層（前述保護層104A、前述主電極 層104B)之前述陰電極104。 首先，於圖2C所示的步驟，於前述有機層1〇3 (前 φ 述電子注入層103E)上，以接於該有機層103的方式將 導電性之例如銀所構成的保護層1 04A，藉由例如蒸鍍法 來形成。在此場合，因爲前述保護層1 04A藉由蒸鍍法形 ' 成，所以對前述有機層103 (前述電子注入層103 E)所造 成的損傷，與例如藉由濺鍍法等來成膜的方法相比可以降 低。 此外，在此場合，構成前述保護膜104A的材料不以 銀爲限。 例如前述保護層1 04A，亦可以使用添加了提高對銀 -13- 200803597 (10) 的耐久性之添加物（例如1重量百分比之鈀）的材 成。但是，添加著這些提高對鋁或銀的耐久性之添 材料，與以銀爲主成分的材料相比，可見光的反 差。 因此，爲了維持反射來自前述發光層103A的 反射率於較高之値，前述保護層1 04A最好由銀構月 在此場合，「前述保護膜104A由銀構成」， 保護膜1 04A實質上由純銀構成，或者是該保護靡 至少由以銀爲主成分的材料來構成。此外前述之構 護膜1 04A的「至少以銀爲主成分的材料」，係指 上之純銀相比，發光的反射率在實質上不會變低的 維持銀的純度於較高之材料。 其次，於圖2D所示的步驟，於前述保護層 上，以接於該保護層1 04A的方式將例如鋁所構成 主電極層104B，藉由例如濺鍍法來形成。結果， 含前述保護層104A與前述主電極層104B之前述 104 ° 在此場合，前述有機層103 (前述電子注入層 因爲藉由前述保護層104A覆蓋而保護，所以形成 電極層104B的場合，抑制對前述有機層103造 傷。因此，在根據本實施例之方法，形成前述主 1 0 4B的場合之成膜方法自由度變高。例如，如前 成膜速度之基板的面內均勻性很好，另一方面對成 造成的損傷很大，可以將例如濺鍍法等成膜方法選 料來形 加物的 射率較 發光的 係指該 I 104A 成該保 與實質 程度地 I 104A 的前述 形成包 陰電極 103E ) 前述主 成的損 電極層 所述， 膜對象 擇爲成 -14- 200803597 (11) 膜前述主電極層1 04B之成膜方法。在此場合’即使以濺 鍍法形成前述主電極層1〇4Β的場合，也因爲前述有機層 103被保護，所以對該有機層1〇3之損傷被抑制了。 亦即，使用根據本實施例之發光元件的製造方法的 • 話，可以減少陰電極厚度的差異，而且可以製造有機層的 * 損傷很少的高品質的發光元件。 此外，如先前所說明的，前述主電極層104B的耐久 φ 性，最好比前述保護層1 04A的耐久性更高。 例如，使用鋁或以鋁爲主成分的材料構成前述主電極 層1 04B的場合，雖然可見光的反射率比銀差，但耐久性 比銀還高，該主電極層的耐久性提高，所以較佳。此外， 使用混合了供對銀具有耐久性之添加物（例如鈀）的材料 構成· 前述 保 護J 脣 1 04B 亦可< 3如 1此 進 行 y 可以製造根據本 實施· 例之 發 光： 元件100 〇 例如 > 刖 述 陽電極 102 的 厚 度 被 形 成 爲 1 0 0 μιη 至 200μ m ， -a八 刖 述 有 機層 103 的 厚 度 被 形 成 爲 5 0 μηι 至 200μ m ， 刖 述 陰 電極 104 的 厚 度 被 形 成 爲 5 0 μιη 至 3 0 0 μ m ， Λ八 刖 述 保 護層 104A 的 厚 度 被 形 成 爲 1 0 μηι 至 3 0 μη] L °此 .外 7 前 述保護層1 〇 4 A 的 厚 度 j 被形成爲前述$ 電極層104B的厚度的十分之一以下較佳。 此外，例如，前述發光元件1〇〇，可以適用於顯示裝 置（有機EL顯75裝置）或者面發光元件（照明/光源 等），但並不以此爲限，可以用於種種電子機器。 -15- 200803597 (12) (實施例2) 其次，針對製造實施例1所記載的發光元件100之基 板處理裝置的構成之一例，根據圖3〜圖5加以說明。 首先，圖3係模式顯示製造前述發光元件1〇〇之基板 ' 製造裝置1 〇〇〇的構成之一例之平面圖。 ' 參照圖3，根據本實施例之基板處理裝置1000，複數 之成膜裝置或處理室，具有被接續於被處理基板被搬送之 ^ 搬送室 900A，900B，900C之任一的構造。前述搬送室 900A，9 00B，900C分別具有供接續處理室或成膜裝置之用 的4個接續面。此外，前述搬送室900A，900B，900C具有 搬送被搬送基板的搬送手段（搬送手臂）900a，900b，900e 分別被設置於內部的構造。 被接續於前述搬送室900A，900B，900C之處理室或成 膜裝置，例如係：進行被處理基板的前處理（清潔等）之 前處理室500、被處理基板或安裝於被處理基板的遮罩的 φ 對準（位置決定）之對準處理室600、藉由蒸鍍法形成前 述有機層103的（實施圖2所示的步驟的）成膜裝置 700、以蒸鑛法形成前述保護層104A的（實施圖2C所示 的步驟的）成膜裝置200、以濺鍍法形成前述主電極層 104B的（實施圖2所示的步驟的）成膜裝置3 00、裝載鎖 定室 400A、400B。 於前述搬送室9 0 0 A的4個接續面，被接續著前述裝 載鎖定室4〇〇A、前述前處理室500、前述對準處理室600 以及前述成膜裝置700。此外，前述成膜裝置7 00之與被 -16- 200803597 (13) 接續於前述搬送室9 0 0 A之側相反之側，被接續於前述搬 送室900B之接續面，於該搬送室900B之其他的接續 面，被接續2個前述成膜裝置200及前述對準處理室 600。進而，前述對準處理室600之與被接續於前述搬送 " 室900B之側相反之側，被接續於前述搬送室900C之接 * 續面，於該搬送室900C之其他的接續面，被接續2個前 述成膜裝置3 00及前述裝載鎖定室4 00B。 ^ 此外，前述搬送室 900A，900B，900C、前述裝載鎖定 室 400A，400B、前述前處理室 500、前述對準處理室 600、前述成膜裝置200,300,700分別被接續供使內部成 爲減壓狀態（真空狀態）之真空泵等排氣手段（未圖 示），因應需要而使內部維持於減壓狀態。 其次，說明藉由前述基板處理裝置1 〇〇〇，製造實施 例所記載之前述發光元件1 〇〇的場合之步驟的槪略。首 先，被處理基板W (相當於圖2A所示之被形成陽電極 φ 102的基板101 )由前述裝載鎖定室400A投入前述基板 處理裝置1000。被投入前述裝載鎖定室40 0A的被處理基 板 W，藉由前述搬送手段900a，首先透過前述搬送室 900A被搬送至前述前處理室500，進行被處理基板的前 * 處理（清潔等）。 其次，該被處理基板，藉由前述搬送手段90 0a透過 前述搬送室90GA被搬送進前述對準處理室600，在被處 理基板上設置遮罩。 其次，該被處理基板，藉由前述搬送手段900a，透 -17- 200803597 (14) 過前述搬送室900A被搬送入前述成膜裝置700，於該 膜裝置700，藉由蒸鍍法形成前述發光元件100之前述 機層1〇3(實施圖2B所示之步驟）。 其次，被形成前述有機層103的被處理基板，藉由 述搬送手段9 0 0 b透過則述搬送室9 0 0 B被搬送進刖述k寸 • 處理室600，被施以對準處理。 其後，被處理基板，藉由前述搬送手段900b被搬 φ 入前述成膜裝置200(2台連接的成膜裝置200之中的 一）。 於被搬送至前述成膜裝置200的被處理基板，於該 膜裝置200，前述保護層104藉由蒸鍍法形成（實施圖 所示的步驟）。被形成該保護層104A的被處理基板， 度被搬送進前述對準處理室600被施以對準處理之後， 由前述搬送手段900c，透過前述搬送室90 0 C搬送入前 成膜裝置3 00 (2台連接的成膜裝置3 00之中的任一）< φ 於前述成膜裝置300，前述主電極層104B藉由濺 法形成（實施圖2D所示的步驟）。如此進行形成實施 1所記載之發光元件1 〇〇，該發光元件1 00，透過前述 載鎖定室400B，由基板處理裝置1 0 0 0搬出。又，前述 板處理裝置1 000，亦可進而具有將例如由絕緣層所構 的保護層形成於前述發光元件1 〇〇上的成膜裝置。 其次，對前述所示之成膜裝置2 00，成膜裝置300 構成之一例，分別根據圖4及圖5加以說明。 圖4係模式顯示包含於前述基板處理裝置1 000的 成 有 前 準 送 任 成 2C 再 藉 述 鍍 例 裝 基 成 的 成 -18- 200803597 (15) 膜裝置（蒸鍍裝置）200的構成之一例。 參照圖4，前述成膜裝置2 00於內部具有被區隔內部 空間20 0A的處理容器201，於該內部空間200A，具有蒸 鍍源202、與被設置基板保持台205的構造。前述內部空 ' 間200A，由被接續排氣泵等排氣手段（未圖示）的排氣 • 線204所排氣，成爲保持於特定的減壓狀態之構造。 前述蒸鍍源被設置加熱器203，被構成爲可藉由該加 φ 熱器203加熱被保持於內部的原料202A，而使氣化或昇 華成爲氣體原料。該氣體原料，被蒸鍍於被保持於以對向 於前述蒸鍍源202的方式設置的前述基板保持台205的被 處理基板W (被形成前述陽電極102、前述有機層103的 前述基板101)上，形成前述保護層104A。 前述基板保持台205，以在被設置於前述處理容器 201的上面（對向於前述蒸鍍源202之側）的移動軌道 206上，可平行移動的方式構成。亦即，藉由在成膜時移 φ 動前述保持台205，以被處理基板在面內之蒸鍍膜的均勻 性變得良好的方式構成。 此外，藉由開放前述處理容器2 0 1之被形成於接續於 前述搬送室90 0B之側的閘閥207，而可以進行前述被處 ' 理基板之往前述內部空間200A之搬入，或者由前述內部 空間200A之搬出。 藉由使用前述之成膜裝置200，實施實施例1所記載 的相當於圖2C的步驟，可以抑制對前述有機層1 〇3所造 成的損傷，形成前述保護層104A。 -19- 200803597 (16) 此外’圖5係模式顯示包含於前述基板處理裝置〇 的成膜裝置（濺鍍裝置）300的構成之一例。 篸照圖5’前述成膜裝置300於內部具有被區隔內部 空間3 0 0 A的處理容器3 0 1，於該內部空間3 0 0 A，具有被 設置標(陰電極）303、基板保持台（陽電極）3〇2的 構造。前述內部空間3 00A，由被接續排氣泵等排氣手段 (未圖不）的排氣線3 0 6所排氣，成爲保持於特定的減壓 狀態之構造。 於前述內部空間3 00A，由氣體供給手段307供給例 如氬等供電漿激發之用的氣體。此處，對前述標靶3 03由 高頻電源3 0 4施加高頻電力而於該內部空間3 0 0 A激發電 漿，產生氬離子。藉由如此產生的氬離子，以前述標靶 3 03被濺鍍，而在被保持於前述基板保持台3 02的被處理 基板（被形成前述陽電極102、前述有機層103、以及前 述保護層104 A的前述基板101)上，形成前述主電極層 104B。 此外，藉由開放前述處理容器3 01之被形成於接續於 前述搬送室900C之側的閘閥3 08，而可以進行前述被處 理基板之往前述內部空間300A之搬入，或者由前述內部 空間3 00A之搬出。 此外，前述之成膜裝置（蒸鍍裝置）200、成膜裝置 (濺鍍裝置）3 00僅係其構成之一例，而可以與以種種變 形/變更。 此外，前述之基板處理裝置10〇〇，例如可以在搬送 -20- 200803597 (17) 室的形狀或接續面之數目，或者被接續的處理室、成膜裝 置的構成或數目等，進行種種的變形/變更是很清楚的。 以上，針對較佳的實施例說明了本發明，但本發明並 不以前述特定的實施例爲限定，在不逸脫申請專利範圍所 * 記載的要旨的範圍內，可以進行種種的變形/變更。 [產業上利用可能性] ^ 根據本發明，可以提供電極厚度的差異很少同時有機 層的損傷也很少之高品質的發光元件、製造該發光層元件 的製造方法以及製造該發光元件的基板處理裝置。 本國際申請案，係根據2 0 0 6年2月1 4日所申請之日 本專利第2006-3691 6號申請案而主張優先權者，於本國 際申請案援用2006-3 69 1 6號申請案之全部內容。 【圖式簡單說明】 φ 圖1係模式顯示實施例1之發光元件之圖。 圖2A係顯不圖1之發光元件的製造方法之圖（其 1 ) ° 圖2B係顯示圖1之發光元件的製造方法之圖（其 ' 2 )。 圖2C係顯示圖1之發光元件的製造方法之圖（其 3 ) ° 圖2D係顯不圖1之發光元件的製造方法之圖（其 -21 - 4 ) ° 200803597 (18) 圖3係顯不製5s0 1之發光兀件的基板處理裝置之構 成例。 圖4係顯示使用於圖1之基板處理裝置的成膜裝置之 構成例（其1 )。 圖5係顯示使用於圖1之基板處理裝置的成膜裝置之 • 構成例（其2)。 赢 【主要元件對照表】 100 ： 發光元件 101 ： 基板 102 ： 陽電極 103 ： 有機層 103 A :發光層 103B :正孔輸送層 103C :正孔注入層 • 103D :電子輸送層 103E :電子注入層 104 ： 陰電極 104A :保護層 1 0 4 B :主電極層 200 :成膜裝置 200A :內部空間 201 :處理容器 202 :蒸鍍源 -22- 200803597 (19) 202A :原料 203 :力口熱器 2 04 :排氣線 2 0 5 :基板保持台 2 0 6 :移動軌道 207 :閘閥 3 00 :成膜裝置

3 0 0 A :內部空間 3 0 1 :處理容器 3 0 2 :基板保持台 303 :標靶 3 0 4 :高頻電源 3 06 :排氣線 3 07 :氣體供給手段 3 0 8 :閘閥 400A，400B :裝載閉鎖室 500 :前處理室 600 ：對準處理室 700 :成膜裝置 900A，900B，900C :搬送室 900a，900b，900c :搬送手段 -23-

Claims (1)

1. 200803597 (1) 十、申請專利範圍 1. 一種發光元件，係具有第1電極、對向於前述第 1電極的第2電極、包含被形成於前述第1電極與前述第 2電極之間的發光層之有機層的發光元件，其特徵爲：前 ' 述第2電極，包含被形成於前述有機層上的保護該有機層 - 的導電性之保護層，及被形成於該保護層上的導電性的主 電極層。 φ 2 ·如申請專利範圍第1項之發光元件，其中前述保 護層係藉由蒸鍍法形成的。 3 .如申請專利範圍第2項之發光元件，其中前述主 電極層係藉由濺鍍法形成的。 4 ·如申請專利範圍第1項之發光元件，其中前述保 護層之可見光的反射率，比前述主電極層的可見光的反射 率遠要闻。 5 ·如申請專利範圍第1項之發光元件，其中前述主 φ 電極層之耐久性，比前述保護層的耐久性還要高。 6·如申請專利範圍第1項之發光元件，其中前述保 護層由銀構成，前述主電極層被構成爲混合有供對銀具有 耐久性之添加物。 7 ·如申請專利範圍第1項之發光元件，其中前述保 護層由銀構成，前述主電極層被構成爲以鋁爲主成分。 8 · —種發光元件之製造方法，係於第1電極與第2 電極之間含有發光層的有機層被形成而構成的發光元件之 製造方法，其特徵爲包含：於前述第1電極上形成前述有 -24- 200803597 (2) 機層之有機層形成步驟，及於前述有機層上形成包含複數 層的第2電極之電極形成步驟；前述電極形成步驟’包 含：於前述有機層上，藉由對該有機層不造成損傷地進行 成膜而形成導電性的保護層之步驟，及藉由於前述保護層 上均勻地成膜而形成主電極層的步驟。 - 9.如申請專利範圍第8項之發光元件之製造方法， 其中前述保護層係藉由蒸鍍法形成的。 φ 1 0.如申請專利範圍第9項之發光元件之製造方法， 其中前述主電極層係藉由濺鍍法形成的。 1 1 .如申請專利範圍第8項之發光元件之製造方法， 其中前述保護層之可見光的反射率，比前述主電極層的可 見光的反射率還要高。 1 2.如申請專利範圍第8項之發光元件之製造方法， 其中前述主電極層之耐久性，比前述保護層的耐久性還要 高。 φ 1 3 .如申請專利範圍第8項之發光元件之製造方法， 其中前述保護層由銀構成，前述主電極層被構成爲混合有 供對銀具有耐久性之添加物。 1 4.如申請專利範圍第8項之發光元件之製造方法， ^ 其中前述保護層由銀構成，前述主電極層被構成爲以鋁爲 主成分。 15· —種基板處理裝置，係製造被形成於被處理基板 上的第1電極與第2電極之間包含發光層的有機層被保持 的構造之發光元件之基板處理裝置，其特徵爲具有：於前 -25- 200803597 (3) 述有機層上，形成保護該有機層同時構成前述第 導電性保護層之第1成膜裝置，與在前述保護層 構成前述第2電極的主電極層之第2成膜裝置， 被處理基板由前述第1成膜裝置搬送至前述第2 之搬送手段。 - 16.如申請專利範圍第15項之基板處理裝 前述第1成膜裝置係蒸鍍裝置。 ^ 17.如申請專利範圍第16項之基板處理裝 前述第2成膜裝置係濺鍍裝置。 2電極的 上，形成 及將前述 成膜裝置 置，其中 置，其中

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