TW200534960A

TW200534960A - Polishing pad and method of making same

Info

Publication number: TW200534960A
Application number: TW094108937A
Authority: TW
Inventors: Spencer Preston; Doug Hutchins; Steve Hymes
Original assignee: Rimpad Tech Ltd
Priority date: 2004-04-05
Filing date: 2005-03-23
Publication date: 2005-11-01
Also published as: KR20060135014A; DE112005000723T5; JP2007531638A; WO2005096700A3; CN101106905A; US20060035573A1; WO2005096700A2; US20060252358A1; US6986705B2; US20050218548A1

Description

200534960 九、發明說明·· 【發明所雇技術領域】發明領域本發明一般地有關於用來在一廣範圍諸如破璃，半導 5體，塑膠及高分子，金屬，介電材料，及磁性材料物件產 > 生一平滑，平坦表面之拋光墊。更實際地，本發明係有關於那些塾及其製造及使用之方法。本發明亦有關於_特別地有用來拋光或平坦化一諸如被用來製造積體電路及 # MEM兀件表面之產品。此外，本發明對拋光或平坦化金屬 1〇及介電材料特別地有用，諸如被用於諸如含有銅鎮嵌及雙鑲嵌特徵之半導體晶圓之積體電路内連接結構。發明背景一在製仏透鏡’磁，微賊，且特別地半導體積體電 15 路兀件中，有進仃化學機械平坦化(CMP)操作的需求。特別地，積體電路係在半導體晶圓基板以多層結構的形式來製造。在基板層，形的層，内連金料==晶體元件。在隨後件來定義所欲之錢電性地連接至該電晶體元層係利用諸如二氧2 °如眾所皆知的’圖案化之導電傳統地，適合之金屬”之介電材料來和其他導電層絕緣。絕及内襯層。最近，^包括Μ其合金和驗相關之阻化已興起，且快迷地^其㈣，_及聽薄膜來金屬擇。類似地，絕緣金屬在先進的元件製造中導體的選已攸傳統的二氧化矽退讓並發展至 20 200534960 具有低介電常數之更先進材料。此技術發展中主要為遷移至费I 、％勢史小且更小的電晶體容貌及連接至更高封裝之泰日曰月豆平面所需的多層金屬化更廣泛之層堆疊。、 ¥元件尺寸縮小時，微影需求就如同許多其他製ρ米 5驟-樣變得更嚴才各。製造更多金屬化層及相關之介電層白、能力需要增加更多平坦表面。若不平坦化，製造更金^ 層因為表面型態而變得實質地更困難。CMP對先進微電子已/、起作為主要平坦化製程，且被用來平坦化金屬及介電 _ 層。此外，在11為CMP製程而已達成大部分之後人金屬之 10鎮瓜方法’已成為一主要的方法來形成内連接結構且可來改善電路效能，生產線可生產性及製程線及元件良率。 CMP具有達到橫越長度尺寸大小許多數量級的顯著平坦化效能。在大部分先進之晶圓尺寸技術，3〇 mm直徑之晶圓被抛光。在此長度尺寸達到之平坦化-般稱為“晶圓内 15不均勻丨生或检晶圓不均勻性”。在譜圖的另一端，CMP需提供原子級或埃長度尺寸的平坦化能力，其—般被稱為“表 φ 面粗I度。中間的長度尺寸表現同樣需要。因此，平坦化必須達到彳κ越長度尺寸大小許多數量級，且CMp在此考慮已成為主要的技術。 20 一化學機械平坦化(CMP)系統典型地被用來拋光如上所述之aa圓。一CMP系統典型地包括用來處理及拋光一晶圓表面之系統組件。更先進的系統亦包括進行該晶圓表面之後CMP清洗的模組。在該CMP製程，一晶圓典型地被壓至一拋光表面（拋光墊），其存在有持續提供拋光液及相對於 6 200534960 晶圓表面松向的運動來給予機械能量，其結合了液體化學本質來作為有效的表面移除。機器的結構同樣可達到其他可行的運動。一良好的設計之CMP製程可使消耗品（墊，研磨紧等）及製程配方在一特定之平台上達成整個CMp製 5程。此製程的應用達到較佳地凸出部分表面容貌的移除且較佳地不移除凹處容貌，且以此方法可達到表面平滑及平坦化。移除凸出部分部分vs·凹處部分容貌相對的程度決定了平坦化效能。上述之拋光液典型地添加研磨劑，且在此情況下稱為 10研磨漿。在缺乏任何研磨劑時，該拋光液也已被簡單地稱為反應液或一無研磨劑研磨漿。通常的，該研磨漿可被視為化學混合物添加研磨劑之拋光液。該化學混合物可包括一廣範圍之化學組成，包括，但並不侷限於化學配位體，螯和物及複雜的藥劑，抗腐蝕劑，pH調節酸及鹼，pH緩衝 15 劑及表面活性劑。研磨劑可被用於廣範圍的材料，由一廣範圍處理並包含一廣範圍内含物來形成，其包括，但並不侷限於有機顆粒及無機顆粒，諸如由發煙或溶液生長形成重量低於0.1%至超過40%之Si02，Ti02及Al2〇3。通常的，車父佳地保持該研磨劑於膠悲懸浮液來改善缺陷及減少研磨 20 漿處理。該拋光物件典型地被稱為拋光墊。此物件可為如一環形抛光墊，或一線性帶狀拋光塾。該墊材料本身典型地基於聚胺基甲酸酯；即使一廣範圍之其他墊材料可被使用。開放及封閉之微胞狀墊，無胞狀墊，紡織及不織布結構之 7 200534960 纖維墊，使用嵌入研磨劑之過濾墊，及具有陶瓷表面層之塗佈墊，在半導體CMP製程中皆已有應用。會影響CMp效能的重要塾之特徵包括，但並不偈限於材料成分及微結構，表面巨觀，微觀及耐米織構，墊層堆疊，包括硬度， 5彈性，非彈性及滯彈性行為，及表面張力孓機械性質的塾材料性質。

由於使用之墊及消耗研磨漿及用於CMP製程之製程參數，當製程進行因為本來製程的不穩定而改變導致發生一種已知之“釉化’’。典型地，材料移除速率及伴隨之橫越晶圓速率均句度移到所欲之範圍以外。研磨漿及研磨漿副產物皆變為嵌入在該墊之内，且該墊材料本身由於機械及化學的影響而改變。對於特定纖維墊，墊的石油精需要補充。對於其他的墊，實際的墊材料可由經驗的塑膠加工而來。為了達到堅固的表面品質，需要表面修補。此典型地稱作 “改質，’且通常利用-鈍性塑膠刷增高表面或經由連接硬顆粒之片來移除表面材料來達成。在有些情况，在有機械加工下使用化學處理。該特·方法—般根據抛光塾原始之組成及型態。第！圖顯示-介電層進行一在建構鑲嵌及雙鎮嵌内連線中常見之製程的裁面圖。該介電層具有一擴散阻絕/黏著促進層（典型地為TiN，心或㈣層）沉積在介電層之姓刻圖案化表面。當擴散阻絕層被沉積至所欲之厚度，一銅層在該擴散阻絕層上被形成，由此填滿在介電層之被蚀刻容貌。有些過多的擴散阻絕及金屬化材料同樣不<避免地被 200534960 沉積在場區域。為 10 15 層過多的部分已被移除。如在CMp操作絲擴放阻絕聞桑作必須連續直到全部過多的金屬化阻= 由整個介電層來移除。金屬CMP操作平坦化效大巴材需沉積之金屬愈少，且可達到更有效能之完整平=而所根據使用之研磨聚或多種研磨聚，移除銅或阻絕薄膜可在 -或更多製程步財使用單―研磨聚，或可使用在多中目標為各層之多種研磨漿。由於伴隨沉積製程本麵橫晶圓及在晶粒圖案内之厚度差異，晶圓上一給定位合-被清除而另-位置將會稍後清除。由於目的個晶圓之場區域中的金屬（雖然在溝槽的移除需減外晶二首先清除的部分較晶圓最後被清除的部分會受到相對較多之過度拋光。此稱作過度拋光。—較有效能之平坦化= 可減少晶粒之-部分在另-部分前清除的程度。類似地， CMP製程在此過度拋光時減少引表面型態的能力愈強，而在廣大陣列之其他測量保持適合之表現，整個製程表現欲佳。明顯地，最佳化之CMP製程是多方面的。該製程發展性，穩定性及可製造性皆須達到。在發展性中，表面型態及缺陷皆最衫要。具擅«彻改善平坦化效能且降 20 200534960 低過度抛光時產生之表面型態敏感性而增加其極限。穩定性，有關於墊的總量對墊的壽命。可製造性係有關於塾的 i里對作為雜品之細成本其係相關於經由㈣壽命之墊的穩定性，如同製程發展性因為伴隨之塾貢獻在製程發 5 展性方面之製程線良率限制。如上所述，用於CMP剌之抛光墊可被分類成數種種類。纖維墊已商業化應用於半導體應用。此墊可由纺織及不織布纖維組成。此外，該纖維可提供塗層。一飽和纖維墊之貫施例為Rodel Politex，Rodel Suba系列及Thomas West 10墊(Kanebo)。纖維墊可由在另一纖維上之孔洞區域作為塗層來組成。一使用硬塗層墊之實施例係最近由Psn〇Quest Inc來出售，其使用一硬陶瓷塗層於較軟之胞狀基板。一飽和墊之實施例為具有嵌入陶瓷粒子之3“固定研磨墊。此種墊典型地和無研磨劑反應液使用，其中該墊本身提供研磨 15粒子至系統，相對於研磨漿基方法其研磨劑係懸浮於液體化學中。該墊亦以圓筒的形式製成。C〇〇k et ai.在patent 5,489,233中亦說明完全固體咼分子塾之先前技藝。在此單一墊製造方法，並無内部孔洞空間且無固的能力來吸收或傳送研磨漿。 20 有許多專利其提出該墊並非完全由固體材料組成。這些胞狀墊包括開放及封閉胞狀形式。胞狀尺寸為一重要之墊的性質，其扮演媒介來吸收並傳送研磨漿。此製程有如上所述塑性變形及釉化的可能，經由研磨表面材料產生新的胞狀物可達到表面有效的補充。較小之胞狀物，此補充 200534960 可較常且有效率的發生’因此提供較穩定CMP製程及較長之墊的壽命。此技藝主要部分為控制胞狀物尺寸的能力。一開放胞狀物結構之實施例由Cook et al·在Patent 6,325,703中說 5 明。一開放胞狀物結構之内部連接性可使大量研磨漿及研磨漿副產物吸收，但一般地需要一底層作為水氣阻絕及保持完整黏著至拋光板。在先前技藝中有許多封閉胞狀物結構形成的方法。由 Reinhardt et al.在 U.S· Patent Nos 6,434,989，5,900，164及5,578,362說明經由使用混合之高分 10 子微成分之封閉胞狀物材料。在此簡易的方法中，該混合之被成分在處理時直接機械为力該元素，或經由在和液態拋光液接觸時溶解元素外殼來提供一暴露打開之孔洞。該微成分的尺寸及其合併的程度直接地轉換成墊的材料之有效的封閉胞狀物尺寸。其他不完全的固體材料同樣已被提 15出。及水發泡技術處理之聚胺基甲酸酯為一些最早用於 CMP製程的墊材料。在此情況，氨基甲酸乙酯反應副產物包括尿素及C〇2氣體，其被困在黏著及硬化之氨基甲酸乙酯材料之中。此製程之缺點源自於劇烈的放熱反應及此製程控制的極限。Universal Photonic的方法為一些最早無法控 20制反應造成之廣大的胞狀物尺寸分佈的結果。平均胞狀物尺寸典型地為5〇um及以上的直徑，並包括在非常大胞狀物尺寸分佈有明顯的尾巴，在某些情況導致在墊中很大的洞。Toray製程在室溫壓力下硬化聚胺基甲酸酯來嘗試控制胞狀物尺寸，但結果的胞狀物尺寸仍大。p〇cal製程使用非 200534960 常大的封閉容器系統，其再由内部往外硬化，由於反應釋出C〇2不良的控制造成大的胞狀物尺寸及廣的尺寸分佈。相對於水發泡系統，JSR具有混合水溶性充填物，其在溶解時增加孔洞胞狀物結構。 5 胞狀物尺寸的形成亦可經由直接氣體射出至高分子材料來達成。U.s. Pat· No. 3,491,032 (Skochdopole et al· ; jan· 20，1970)說明一種用來製造胞狀物高分子材料的製程。在 Skochdopok之製程中，精細分離諸如矽化鈣，硬脂酸鋅，硬脂酸鎮或類似之固體材料可有助於來和膨脹前之高分子 10或膠混合。此精細分離之材料幫助控制胞狀物之尺寸，且使用的量由高分子重量之約O.Oi%至約2 0〇/〇。由 Park et al.在May 26, 1992之U.S· Pat. No. 5，116,881 5兒明聚丙細泡床板及其製造方法。在park的製程中，一成核劑被用來產生泡床初始產生的位置。其較佳地成核劑具 15有〇·3至5微米範圍的粒子尺寸，且其濃度小於高分子重量的百分之一。成核劑濃度大於高分子重量的百分之一會導致聚集’或成核物質無效率的散亂使胞狀物尺寸的直徑變大。

Rogers Inoimc及其他提到在高壓下將氣體溶解至液態 20咼分子。此氣體可由溶液跑出並導致壓力下降。該氣體係以泡的方式形成。除了胞狀物尺寸的形成及控制之外，一廣範圍之墊的 5又计特徵亦已在先前技藝被提出，包括組成，墊的平坦度，織構’刻溝槽，層堆疊，及孔隙度（不同於微胞狀物）。許多 12 200534960 研究導入墊穩定性並包括材料之化學完整性，因此直接暴露至拋光液（水氣吸收，化學反應），墊材料在室溫下硬化，諸如彈性，塑性，滯彈性之機械性質及相關之釉化反應。先前技藝教導用於拋光墊一廣範圍之材料組成，其包 5 括至少一半係由以下而來：一氨基曱酸乙酯；一碳酸鹽；一胺；一酯；一醚；一丙烯酯；一丙烯酸甲酯；一丙烯酸；一曱基丙烯酸；一磺胺；一丙烯醯胺；一滷化物；一醯亞月女，一叛基，一幾基；一氨基；一駿基及一經基。 _ 由Rodel擁有之u.S· Patent No. 6,641，471詳述研磨漿分 1〇佈係有關於半導體及晶圓之間的摩擦力，且被認為需要或由其來幫助。其特別詳述“研磨漿最常被導入至一準備好之表面，如帶，墊，刷，及類似，且散佈至該準備好的表面，如欲研磨，拋光或其他利用CMP製程準備之半導體晶圓表面。該散佈通常利用結合該準備好的表面之運動，該半導 15體晶圓之運動及在半導體晶圓及該準備好的表面之間產生的摩擦力來達成。，，然而，控制摩擦力及表面摩擦力來保持 • 目標薄膜完整性的重要性並未說明，特別地這些包含低匕介電材料可能是多孔且特別地脆。對於摩擦係數(c〇F)的角色之研究已被其他人進行及發表，但他們並未特別地將低 2〇〇01?作為目標，亦未明確將此結果連接至將低c〇F墊材料表面為目標，他們亦未提出微孔或將低c〇F結合微孔來達到在處理時之低摩擦力，來避免在拋光製程中薄膜内及薄膜外破壞，特別在低k介電材料的狀況。緊密填塞微孔用來減少表面接觸區域。他們亦立即地提供區域研磨漿提供且 13 200534960 a此限制摩擦效應並改善會導致薄膜内及薄膜外破壞之散漫接觸效應。藉由降低摩擦效應，可達到一較低的表面潘 &且等向性彳的量會減少，由此增加平坦化效能。先刖技勢亦教導許多表面織構之具體例。在大多數的 5情況，拋光墊的表面織構係源自於其製造方法造成的本質微織構。該表面微織構源自於該墊製造時故意導入之大量不均度。當被截斷’磨損或其他方法暴露時，該大量的織構變成表面微織構。此在先前已使用之微織構，可允許吸收亚傳送研磨漿粒子，且可不需額外添加微或巨織構至該 10墊來增加拋光活性。此方法之實施例包括飽和氨基曱酸乙酯之聚胺基曱酸酯氈(其實施例在u s.

Pat· No· 4,927,432 中 °兒明）’其中該微織構係源自於在大量混合中的凸出纖維端’結合伴隨之孔洞。由Newark，Dei·之Rodei，Inc•販售之 p〇htex形式之微孔洞氨基甲酸乙酯墊具有一表面織構，其 15係源自於在一氨基甲酸乙酯帶基板上成長之氨基甲酸乙酯 /專膜塊材中的柱狀孔洞結構端。由Newark，Del.之Rodel，Inc. 製造諸如1C-系列，ΜΗ-系列及LP-系列拋光墊之膨脹及/或發泡複合氨基曱酸乙酯，具有源自於暴露之中空圓球成分或結合氣泡截面之半圓凹處組成的表面結構。諸如U.s. Pat. 20 5,209,760處理具有填充物晶粒存在或缺乏之凸出及凹處表面織構特徵之研磨膨脹高分子墊。而在另一情況，表面微織構並未導入作為一種製造方法而是在CMP製程中臨場所產生。此種方法之一實施例為Rodel之οχρ墊。“巨織構”’或大尺寸織構包括溝槽之製造物可利用如壓印，切 14 200534960 割，穿孔及/或加工加強於墊之工件表面上。在傳統的抛光塾個別巨織構製造物或容貌的間隔及/或尺寸一般地大於 mm t —衣k物的間隔及尺寸典型地非常有規律且重複’但已提出更複雜不規則之圖案。 5 ^技藝顯示孔洞尺寸控制對大部分，但#全部之墊為-重要特徵。對於這些不具有墊微結構造成的本質表面織構之墊，並不會引起墊製造製程造成的巨織構或溝槽，微織構在拋光系統之一部分被誘發。而微胞的虞生已經由數種方法可以得到，其絕對平均胞狀物尺寸一般地限制在 10 10微米以上，且尺寸分佈相當寬廣。一種允許較小胞狀物尺寸及較緊密尺寸控制的技術已被核准。結合微成分可有合理地胞狀物尺寸分佈，但較所欲的平均胞狀物尺寸為大。此外，胞狀物尺寸產生溶解在液體環境之微成分或微球，使拋光墊及製程受到墊副產物誘發之缺陷影響。製造 15 此墊的材料及製程提供更均勻胞狀物尺寸及較小的胞狀物尺寸，其不使用結合所欲之外來材料。本發明係有關於一抛光墊，及其製造方法，其經由提供用於驅動反應射出成形製程之惰性氣體射出技術’來結合控制尺寸及形狀之小均勻氣泡。改善之製程包括製造一 20成模之微胞彈性體，其由至少兩液體反應劑及/氣體減少孔洞數目。該製程包括由一混合劑導入至少，氣體反應劑；在一高壓經由一穩定混合器通入混合劑；再立即在尚壓下混合該混合劑和其他反應劑來形成依反應劑混合物；導入該反應劑混合物至一模中，其中該壓力實質地低於上 15 200534960 述使用之高壓；並在一模中硬化該反應劑混合物來產生一減少大孔洞數目之成模之微胞彈性體。【發明内容】發明概要 5 本發明提供一拋光墊及其製造方法，其中提供剪力來控制包含在該墊中胞狀物尺寸。該拋光墊係利用反應射出成形(RIM)的方法形成，其中在添加異氰酸成分之前氣體先和聚合樹脂成分混合。 • 根據本發明之一具體例，一具有均勻胞狀物尺寸之拋 10 光墊係利用導入一氣體至一裝於一壓力槽之聚合樹脂，泵該聚合樹脂及氣體混合物穿過一細孔石混合器，將該聚合樹脂及氣體混合物和異氰酸混合來形成一結果混合物，並將該結果混合物射出至一模中。在本發明另一具體例中，該氣體係利用一喷管導入至該聚合樹脂。在本發明另一實 15 施具體例中，該聚合樹脂及氣體混合物在泵穿過該細孔石混合器後可穿過一乳化器及/或一均質混合器。 • 在本發明另一實施具體例中，該聚合樹脂及氣體混合物經由一功能為另一提供剪力之高剪力空化元件作用造成材料蒸發。產生的高壓液滴引起剪力。該高剪力空化元件 20 可由其他任何提供剪力物取代，如注氣法，細孔石混合器，乳化器，均質混合器，及其他，但亦可被用於額外剪力應用來更進一步控制包含在結果拋光墊中之胞狀物的尺寸及均勻度。該高剪力空化元件不需分開使用氣體但可能需要使用分開導入之氣體。 16 200534960 該聚合樹脂成分包括一觸媒且其被保持在一可或不包含一用來導入氣體之喷管之壓力槽。其他異於喷管用來導入氣體之物件亦可被使用。該聚合樹脂及氣體混合物在將異氰酸混合至該聚合樹脂及氣體混合物之前，被再循環穿 5 過該壓力槽及該細孔石混合器。得到之墊具有一均句的微胞結構，其平均胞狀物直徑較佳地在約0.05至100微米的範圍内，且更佳地在約0.05至 30微米的範圍内。該墊的表面材料具有一低摩擦係數，較佳地摩擦係數低於0.4。 10 根據本發明另一觀點，可添加一表面活性劑及/或一紫外光穩定劑分別來控制該墊之表面張力及/或控制該墊的壽命。在本發明另一實施具體例中，一具有均勻微胞尺寸之拋光墊係由再循環泵導入一氣體至一聚胺基曱酸酯樹酯來 15 製造，其中經由一細孔石混合器泵該聚合樹脂及氣體混合物，混合該聚合樹脂及氣體混合物和一異氰酸來形成一結果混合物，並射出該結果混合物至一模中。在本發明另一實施具體例中，該聚合樹脂及氣體混合物可。在本發明另一實施具體例中，該聚合樹脂及氣體混合物在經由該細孔 20 石混合器泵後可穿過一乳化器及/或一均質混合器來更進一步控制該墊之均勻度及微胞尺寸。如前述之實施具體例，該聚合樹脂及氣體混合物經由一功能為另一提供剪力之高剪力空化元件作用造成材料蒸發。產生的高壓液滴引起剪力。如上所陳述，該高剪力空 17 200534960 化元件可由其他任何提供剪力物取代，如注氣法，細孔石混合器，乳化器，均質混合器，及其他，但亦可被用於額外剪力應用來更進一步控制包含在結果拋光墊中之胞狀物的尺寸及均勻度。該高剪力空化元件不需使用氣體但可能 5 需要使用導入之氣體。根據本發明更進一步之觀點，提供一種製造具有均勾微胞尺寸拋光墊的方法，其中該拋光墊之平均胞狀物尺寸’係利用在添加異氰酸成分之前提供上述聚合樹脂及氣體混合物數種剪力來控制。根據本發明更進_步之觀點， 10可在該拋光墊内形成一窗來幫助終點偵測。該窗可利用移除該拋光墊之一部分，並在由移除該拋光墊一部分產生的空隙填充一固化之後為透明或半透明之液態高分子材料，或一連接至該墊之固體透光或半透光部分。此外，根據本發明可使用任何其他已知用來在抛光墊内形成窗之技藝。 15 根據本發明一種製造拋光墊的方法之另一觀點，該得到的混合物包含該聚合樹脂及氣體且異氮酸被射出至—反應射出成形製程部分之驅動模。由該模得到的塾，其至少 -側再進行研磨或磨平，謂槽亦可被加王至該墊的表面〔當使用本發明之抛光墊進行化學機械抛光可達。 2〇的均勻度及平坦度。民圖式簡單說明本發明在文中以下將以i m ^ 竹乂丨付加之圖示來說明，其中相间的數字表示相同的元件，且.· 第1及2圖顯示一介電層推么 ^ ^ 進仃一在建構鑲嵌及雙鑲嵌内 18 200534960 連線中常見之製程的示範截面圖。第3圖為一流程圖顯示一種製造本發明拋光墊的方法之實施具體例。第4圖為一根據顯示於第3圖的方法用來製造拋光墊之 5 製造設備的簡圖。 < 第5圖為一流程圖顯示一種製造本發明之拋光墊的方法之另一實施具體例。第6圖為一根據顯示於第5圖的方法用來製造拋光墊之矚製造設備之簡圖；及、 1〇第7圖為說明本發明之拋光墊的放大平面圖。較佳實施例之詳細說明 —本毛明係有關於一無孔洞，均勻微胞抛光塾，其具有 15 :較佳地在約至微米的範_之平均胞狀物直 =且且更佳地在約㈣錢微米的範圍内。該塾之表面材鲁 =冑㈣摩擦係數’其摩擦係、數較佳地低於G·4。本發此#先光物較佳地包含普通圓板或抛光塾。然而，-熟習狀蟄者可知該墊可為普通正方，長方或其他適合之所欲形 2〇古亦可以圓筒形式供應’其在任何給定的時間該塾只 —部分被使用。程中本發明之拋光物可本身作為—拋光墊，或在一拋光製二中作為—基板’在其中研料㈣來提供半導體元件，材^牛，晶體’玻璃’陶究’高分子塑膠材料，金屬，石或其他表面之所欲的最終表面。本發明之拋光墊可用 19 200534960 來拋光液體，所有熟習此藝者皆瞭解且已立即 J从商業化。該物品之工作環境包含該物品在使用時周圍之琴产“ 包含被拋光之基板及研磨漿或液體。本發明之拋光墊對利用諸如拋光，平坦化，一研磨，及 5成形之拋光製程來改變一工件表面是有用的。該工件可為一具有多層之多晶矽，熱氧化物，及金屬材料之半導俨一件，其各層可在後續層沉積前被平坦化。該抛光墊包含-高分子基質，其較佳地對典型地使用於拋光及平坦化製程之液態研磨漿為不透水（因此，非孔 10洞）。該高分子基質可由氨基甲酸乙g旨，密胺，聚胺基甲酸酯，聚砜，聚乙酸乙烯酯，氟化碳氫化合物，及類似，及其混合物，共聚物及接枝。一熟習此藝者會察覺可使用其他具有足夠韌性及剛性來抵抗拋光製程時大量磨耗之高分子。考慮本發明時，該高分子基質較佳地包含一氨基甲酸 15 乙S旨高分子。為了說明本發明的目的，以下名詞將具有下述普通的意義· 非孔洞一種巨觀尺寸之孔洞存在於材料内部之材料特徵，典型地為高非控制材料反應的結果。通常發生在因 2〇為水和異氰酸高度反應性造成不良控制之水發氨基甲酸乙 SI ° 微胞：-種巨觀尺寸之孔洞存在於柯料徵，典型地為高控制材料反應的結果，目標為合併孔洞結構0 20 200534960 所、二團：—種由空氣困陷於成形製程中造成大孔洞區域 ^之材料特性(並非材料本身）。其典型地大於相關於非孔洞疋義之巨觀孔洞。 5

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20 成核：一材料具有故意結合之氣體。姓人封閉胞膜：-包含微胞結構(如上所定義)之材料，其中孔洞本貝地獨立且大部分特別地彼此高度不相連，因此避免液體連續路徑結合塊材(如表面層的另一邊）。現在轉到圖示，第3圖為一流程圖顯示一種製造本發明拋光墊的方法1〇之實施具體例。首先，在步驟以中提供一承合樹脂成分且在步驟14中一氣體被導入至存於壓力槽之聚合樹脂。該氣體可以任何數目的方法被導入至存於壓力槽之聚合樹脂，其中一示範之導入方法係經由包含在該槽之喷管。該聚合樹脂成分包括一觸媒及較佳地包含一聚醚基液體氨基甲酸乙1旨’诸如可由位於Leverkusen，Germany 之Bayer Goup之Bayer Polymers提供之市售 Bayflex line產品。Bayer’s Bayflex line包括一兩部分液態聚胺基甲酸酯系統，其包含一含有觸媒之第一聚合樹脂成分及第二異氰酸成分。Bayer’s Bayflex聚胺基曱酸酯樹酯混合物包括一提供相較於許多其他諸如胺之傳統反應射出成形（RIM)來減慢反應速率之乙二純觸媒。伴隨乙二純減慢反應速率可使產物在凝膠及固化前有充足的時間來流動及填充該模。許多其他含觸媒之預聚合物可用於第一聚合樹脂成分。此預聚合物之實施例包括，但並不侷限於聚胺基曱酸酯，聚醚多元醇，高分子多元醇，脂肪族多元醇，芳香族 21 200534960 多元醇，？炎四氫吱喃(PTMEG)，PTFH，f麻油基多元醇，聚環己内酯聚二醇，羥基端聚丁二烯(HTPB)，丙烯酸多元醇，及聚胺。在步驟14中導入至聚合樹脂成分之氣體可為_惰性氣 5體，一反應性氣體，還原性氣體，或其之一些結合。在一較佳具體例中，该氣體為諸如空氣，Ar，N2，或ο〗，戋諸如3% H2/Ar之部分還原或清除氣體之惰性氣體。其2他不會影響氨基甲酸乙醋化性之混合氣體亦可被使用，諸如反^ 性氣體及惰性氣體’惰性氣體及惰性氣體，反應性氣體及 w反應性氣體，惰性氣體及還原性氣體之混合。熟習此藝者可發覺根據本發明可使用其他不同之預聚合物及氣體。在步驟16中，該聚合樹脂及氣體混合物在使用射出成形時經由-細孔石混合器被泵來提供一剪力，其控制該抛光墊之胞狀物尺寸。可替代地，該聚合樹脂及氣體混合物 15在經由該細孔石混合器泵後可經由穿過在步驟㈣之一乳化器及i或在步驟20中之一均質混合器來提供額外之剪力。此剪力功用為破壞被導入至該聚合樹脂之氣泡。扣X ♦ 5柄^曰及氣體混合物在經由該細孔石混合器後泵礼化态及一均質混合器可更進一步控制該墊之微胞尺寸（利用達到較小胞狀物尺寸分佈）並促進增加該胞狀物尺寸之均勻度。髀、、曰$步驟16，18及20中提供剪力之後，該聚合樹脂及氣。3物和步驟22之異氰酸成分混合。許多異氰酸的形式 ϋ、吏用，而一苯曱烧二異氰酸(MDi)為較佳之選擇。其他 22 200534960 可使用包括，但並不侷限於二異氰酸甲笨(TDI)，脂肪族異氰酸鹽，阻隔性異氰酸鹽，改質異氰酸鹽，及預共聚物。 5 10 15 20 +合樹脂，氣體及異氰酸最終混合物再被射出至步驟 24中之—模中，較佳地為一驅動模。在射出成形完成後，物件(抛光墊)從步驟26中之模移除，且該塾在步驟28中至夕表面被研磨或磨平至一般所欲厚度，諸如50_100千分英吋。在此，該拋光墊可進行其他研磨或磨平至如步〇所示之厚度，或可在研磨或磨平至最終厚度前進行一或更多步驟。例如，可加工溝槽至拋光墊的表面，如步驟斤示，或可在拋光墊内形成一窗，如步驟34所示。 ^在步驟32中，溝槽被加工至拋光墊之工作表面。該溝 ^ =不同之一般型態，諸如同心，影線，x-y，及/或類似， 2同尺寸之溝槽可被切割至該墊的表面。例如，拋光墊样。=墊之表面上被切割來形成千分之三十英吋厚之溝直經Ϊ ^同樣可_任何數目的方法形成或_至所欲之發二:::但並不侷限於加工，覆蓋，晶圓切割等。本裂圖案或任=不包括在該墊表面上任何形式之人工之碎案，諸如構。·反而，本發明之触塾使用典型地圖至該塾，^ 、同^圓，螺旋及類似。若同樣添加一窗會影響透:：3::置該溝槽在形成時可在步驟34中，一常益丄塾材料配方之& ㈣由移除-部分該塾《充異於該的空隙被添加==酸料料至㈣除—部分該塾產生勢例如，聚碳酸酯或其他適合之材 23 200534960 料可用於連接主要墊之液體，並固化作為該塾透光或半透光部分。在另-窗具體例中，一固體窗被設置在由移除〆部分該墊產生的空隙並再連接至主要塾。因此，在該塾及該窗之間形成-明確的分界。並無溝槽被切割至該窗上， 5但該墊在步驟30中仍可被研磨或磨平至一最終厚度。當只有溝槽在該墊上形成時，該墊在步驟3〇中仍可被研磨或磨平至一最終厚度。最後，軸被清洗^㈣來運送。一根據顯示於第3圖的方法用來製造拋光墊之製造設 _ 備的簡圖顯不於第4圖。聚合樹脂較佳地被保存在-具有混 10合器42之壓力日用槽40中。該乾燥成核氣體被保存於其本身之槽44，且被導入至存在日用槽4〇中之聚合樹脂。在一具體例中，該氣體可利用一含在曰用槽4〇之噴管46導入至該聚合樹脂直至達到適當的比重。成核循環果48持續果該聚合樹脂及乾燥氣泡穿過細孔石混合器5〇，其更進一步破 15壞氣泡來達到適當之胞狀物尺寸分佈並維持適當之比重。如先别參知、弟3圖所I田述，其他成核的方法亦可來產生 • 所欲之結果。例如，在細孔石混合器之後設置一乳化泵52 可達到在墊中均勻較小之胞狀物尺寸分佈。此外，在均勾較細孔石混合器之後設置一均質混合器可達到一較細胞狀 20 物尺寸分佈。在壓力日用槽40中之混合器42持續混合該成核之聚合樹脂來確保聚合樹脂材料之均勻度。具有混合器58之第二壓力日用槽56被用來保存該異氰酸成分。該聚合樹脂材料可藉由隔套日用槽之熱水循環來達到所欲之溫度。在任何 24 200534960 必要部分改變或校正步驟後，一高壓混合頭6〇被拾 % 動模62。設定對該模之射出時間，壓角度，及壓時序排列桌來支擇被製造的塾所需之儲存。該聚合樹脂及氣^ 在混合頭60來和異氣酸混合’再經由—混合喷嘴射出兮/ 5 62。該模壓驅動具有在液體射出前轉動模的能力，因$ 可避免空氣封入。 ~ -操作器開啟模62，噴人賴劑’關賴。並轉動該模至其射出角度。該聚合樹脂，氣體及異氰酸混合物利用預程控射出時間被射至該模。兩高麼正置換果料及於及 1〇混合頭60並分別_其日用槽56及4叫續地循環該異氮酸，及聚合樹脂及氣體。聚合樹脂，氣體及異氛酸之射出至模62係由液壓系統68來使在混合頭6〇中之閥動作，其將材料流由再循環模式改變至衝擊(或分配)模式。該聚合樹脂及乳體’和異氰酸液體各以極高的速度被射出，因此雨成 ^分完全地混合，其再由混合頭6〇離開並進入模&。在射出時間結束後，液壓系統68將閥封閉，其亦將所有殘餘之聚合樹脂，氣體及異氰酸液體推出混合頭60。杈62保持在其旋轉來射出的高度約兩分鐘。模62再缓慢旋轉至其平直的起始位置。在約-分鐘後，模62自動地開啟且-操作器由該模移除該塾，且該循環本身再重複。被移除之墊被置於-平坦表面並使其穩定至少一小時來避免翹曲。在板中之混合物並非使用烘爐來凝固。在該墊由模移示並’旋固後’其—或兩面可被研磨或磨平，如先前參照第3 25 200534960 圖說明。本發明之抛光墊並不包括多層，但替代形成單均質層。以下為一根據顯示於且參照第3及4圖說明之示範方法製造之拋光墊實施例。 5 實施例1 如附圖第3及4圖說明之裝置被用來和一未改變之由兩成分系統組成之Bayer名為Bayflex XGT-140彈性聚胺基甲

酸酯系統結合。使用之設備為500磅/分鐘圓壓機。該標準氨基曱酸乙酯提供推薦製程參數被用於此實施例並包括： 10 15

材料溫度 90-100 F 才吴溫度 140-158 F 多元醇 0375-0.80 最大射出時間 11-12 sec 典型脫膜時間 2-3 min 異/二元醇體積混合比 137 ： 100 一緊密胞狀物結構拋光墊係利用如說明之技術及準貝,J 來製造。該拋光墊平均胞狀物尺寸為20微米。同心溝槽， 3G mil深，62.5 mil寬，被加工至拋光表面使其具有每英时八溝槽之放射密度。該墊被黏合3M 442KW雙面黏著劑並安裝於市售巧£〇 472拋光機。直徑8”且在表面熱成長厚氧化物之矽晶圓利用一由Rodel (Klebesol 1501-50)之市售矽基 20 氣研磨漿拋光。使用之典型地製程參數及磨和製程，如以下所述： 26 200534960 拋光薄膜 8”晶圓基板上之熱成長二氧化矽拋光機 IPEC 472 製程桌速度製程載具降壓製程載具速度拋光研磨漿研磨漿流率抛光時間處理器

110 RPM 5 PSI 55 RPM

Rodel Klebesol 1501-50 150 ml/min 2 min TBW 10 處理離場磨和包含在拋光三氧化監測晶圓前之三氧化測試晶圓。預及後拋光氧化層厚度的測量係利用標準晶圓級介電質厚度計量工具，量測方法，量測位址及薄膜材料參數來進行。 15 測量之晶圓平均移除速率如下： 1. 2159 A/min 0 2. 2149 A/min 3. 2147 A/min 現在轉到第5圖，其顯示製造本發明之拋光墊的方法 20 100之另一實施具體例之流程圖。顯示於第5圖之方法除了前面幾個步驟之外，幾乎和顯示於第3圖的方法一致。在步驟112中，該含有觸媒之聚合樹脂被保存於具有一混合器之曰用槽，且在步驟113中，該聚合樹脂由其日用槽被泵出並穿過一再循環槽。在步驟114中該氣體再被導入至在日用槽 27 200534960 外部之聚合樹脂。其次，在步驟116中該聚合樹脂及氣體混合物被泵穿過一細孔石混合器。在此實施具體例之步驟再完全依循顯示於第3圖中之實施具體例之概要且在此併入參照。 5 頭示於第5圖之具體例，該氣體可直接注射至再循環泵來避免任何噴管的需要。第6圖為一用來製造根據顯示於第 5圖的方法之製造設備之簡圖。如在第6圖可見，該製造設備幾乎和顯示於第4圖之製造設備簡圖一致，除了 ··丨)在儲存聚合樹脂之日用槽4〇中並無包含噴管，及2)該氣體被導 10入聚合樹脂，係經由循環泵48或在聚合樹脂被泵穿過循環泵48之後。據此，相關於顯示於第4圖之相同設備的詳細說明在此併入參照。第7圖為說明本發明之拋光墊的放大平面圖。引進之氣 /包平均直杈範圍可由約〇〇5微米至1〇〇微米，且較佳地由約 15 〇·05微米至30微米，根據特別的製程參數對應緊密之分佈在氣’包打開處之切割墊材料表面可觀察到不同直徑之洞或孔洞。平坦區域建構了周圍之聚胺基甲酸酯墊材料並位於開放氣泡之間。本發明之拋光墊因為在墊表面之開放胞狀物而具有—些吸收/傳送研磨漿之能力，但剩餘之墊結 2〇構^含封閉胞狀物結構且被認為是無孔洞的。胞狀物之尺寸係經由在混合反應成分並將其射出模中以前使用包括唷:’乳化混合器或類似之剪力誘發製程設備來控制。該兴虱酸材料完全地在模中反應來避免任何製造後硬化。熟白此連者可看出氣泡’胞狀物’微球’微胞及微孔洞等名 28 200534960 稱在本發明中皆被交替地使用。本發明之抛光墊被設計來進行週期或連續表面再生。該再生包含移除老舊表面及暴露一類似新表面，且該抛光墊之U又计可使兀全地新表面被暴露與墊磨耗最大胞狀物尺 5寸的大小大約相同。因為本發明之拋光墊可製造較小，更均勻胞狀物尺寸，其較類似產品可發生更多之表面再生。本發明提供之拋光墊適用於CMP。本發明之拋光墊使有效移除材料層，包括如上述使用之微電子元件，在確保良好製程能力（包括平坦化度缺陷度）下有最少步驟數目，製 10 程穩定度及製程可製造性是可行的。本發明之拋光墊亦可包括額外之硬體，諸如用來幫助終點偵測之硬體，其在模製程中可被併入該墊。更實際地，一或更多件之硬體被固定在模中，且該聚合樹脂及氣體混合物及異氰酸再被射出該模中使其有效地包圍該硬體。可 15替代地，一分離後模製程發生在該墊被加工離開的部分，因此該硬體可被導入並固定至該處。本發明更進一步之觀點係有關於一種拋光或平坦化一基板，其包含利用以上揭示之拋光墊接觸該基板或利用化學機械拋光平坦化該基板。 20 本發明更進一步之觀點係有關於一種製造一包含經由直接氣體注射產生微孔洞之反應射出成形技術之拋光塾的方法。本發明更進一步之觀點係有關於一種製造包含利用微影及鍍層製程在一半導體晶圓表面上形成電路之半導體積 29 200534960 體電路的方法，該半導體晶圓利用和以上揭示存有抛光液之拋光塾接觸來拋光及平坦化並利用化學機械抛光平坦化該電路。先前之發明說明說明並描述本發明。此外，所揭露之 5僅顯示並說明本發明之較佳具體例，但如以上所述，需瞭解本發明可用於其他不同之結八 ’、 ΰ，改良，及％境，且可在本發明概念之範蜂内改變或改良，如在此說明和上述相關技蟄相同的教導及/或技藝或知識。在上文中說明之具體例更欲說明本發明已知實際最佳模式，並可使其他熟習此藏 1〇者使用本發明此或其他具體例及實際運用或使用本發‘ 需之不同改良。據此’本說明並不限制本發明在此揭示之形式。同樣的，其附加之申請專利範圍包括改變具體例。【圖式簡單説明1 第1及2圖顯示一介電層進行—在建構鎮嵌及雙鎮嵌内 15 連線中常見之製程的示範截面圖。第3圖為-流程圖顯示一種製造本發明抛光塾的方法之實施具體例。第4圖為一根據顯示於第3圖的方法用來製造拋光墊之製造設備的簡圖。 20 第5圖為一流程圖顯示一種製造本發明之拋光墊的方法之另一實施具體例。第6圖為一根據顯示於第5圖的方法用來製造拋光墊之製造設備之簡圖；及第7圖為說明本發明之抛光塾的放大平面圖。 30 200534960 【主要元件符號說明】 1...方法 56··.壓力日用槽 12-34...步驟 58...混合器 40·.·壓力日用槽 60...混合頭 42...混合器 62…模 44...槽 64...正置換栗 46…喷管 66...正置換泵 48...循環泵 68...液壓系統 50...細孔石混合器 100...方法 52...乳化泵 112-134···步驟 54…均質混合器

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Claims

200534960 十、申請專利範圍： 1· 一種具有均勻微孔尺寸之無孔拋光墊，其係利用導入一氣體至一裝於一壓力槽之聚合樹脂，穿過一細孔石混合器抽送該聚合樹脂及氣體混合物，將該聚合樹脂及氣體 5 混合物與一異氰酸酯混合來形成一結果混合物，並將該結果混合物射出至一模中。 2.如申請專利範圍第1項之拋光墊，其中該聚合樹脂及氣體混合物在被抽送穿過一細孔石混合器之後係被抽送 ® 穿過-乳化器。 10 3·如申請專利範圍第1項之拋光墊，其中該聚合樹脂及氣體混合物在被抽送穿過一細孔石混合器之後係被傳遞穿過一均質混合器。 4·如申請專利範圍第1項之拋光墊，其中該氣體係穿過一内含於該壓力槽之喷管而被導入至該聚合樹脂。 15 5·如申請專利範圍第4項之拋光墊，其中該聚合樹脂及氣體混合物在被抽送穿過一細孔石混合器之後係被抽送 ® 穿過-乳化器。 6·如申請專利範圍第4項之拋光墊，其中該聚合樹脂及氣體混合物在被抽送穿過一細孔石混合器之後係被傳遞 20 穿過一均質混合器。 7·如申請專利範圍第1項之拋光墊，其中在將該聚合樹脂及氣體混合物與該異氰酸酯混合之前，該聚合樹脂及氣體混合物係再循環穿過含有一混合器之壓力槽，及該細孔石混合器。 32 200534960 8. 如申請專利範圍第1項之拋光墊，其中該均勻微孔結構包含一具有在約0.05至100微米的範圍内之平均晶胞直徑的封閉晶胞膜。 9. 如申請專利範圍第8項之拋光墊，其中該平均晶胞直徑 5 包含一約0.05至30微米的範圍。 10. 如申請專利範圍第1項之拋光墊，其中該墊之表面材料具有一低摩擦係數。 11. 如申請專利範圍第1項之拋光墊，其中由該結果混合物 # 形成之聚合基質包含聚胺基曱酸乙酯，聚脂，聚砜，及 10 聚乙酸乙烯酯之至少一者。 12. 如申請專利範圍第1項之拋光墊，其中該聚合樹脂包括作為一催化劑之乙二醇。 13. 如申請專利範圍第1項之拋光墊，其中該聚合樹脂包含聚胺基曱酸乙酯，聚乙二醇，聚醚多羥基化合物，聚合 15 多羥基化合物，脂肪族聚脂多羥基化合物，芳香族聚脂多羥基化合物，PTMEG，PTHF，篦麻油基多羥基化合 ^ 物，聚己内S旨多經基化合物，經基終止之聚丁二稀，丙浠酸多經基化合物，及聚胺其中之至少一者。 14. 如申請專利範圍第1項之拋光墊，其更包含在成形該墊 20 之後被添加至該墊之多孔透明部分或多孔半透明部分。 15. 如申請專利範圍第1項之拋光墊，其更包含在該墊之表面上形成之溝槽。 16. 如申請專利範圍第1項之拋光墊，其中該氣體包含惰性氣體，活性氣體，及還原氣體其中之至少一者。 33 200534960 17. 如申請專利範圍第16項之拋光墊，其中該氣體包含乾燥氣體，氬氣，乾燥氮氣，及乾燥氧氣其中之至少一者。 18. 如申請專利範圍第1項之拋光墊，其更包含表面活性劑及紫外光穩定劑其中之至少一者。 5 19. 一種具有均勻微孔尺寸之無孔拋光墊，其係經由一再循環泵導入一氣體至一聚合樹脂，該泵係抽送該聚合樹脂及氣體混合物穿過一細孔石混合器，將該聚合樹脂及氣體混合物與一異氰酸酯混合來形成一結果混合物，並射 • 出該結果混合物至一模中。 10 20.如申請專利範圍第19項之拋光墊，其中該聚合樹脂及氣體混合物在被抽送穿過一細孔石混合器之後係被抽送穿過一乳化器。 21. 如申請專利範圍第19項之拋光墊，其中該聚合樹脂及氣體混合物在被抽送穿過 < 細孔石混合器之後係被傳遞 15 穿過一均質混合器。 22. 如申請專利範圍第19項之拋光墊，其中在將該聚合樹脂 • 及氣體混合物與該異氰酸酯混合之前，該聚合樹脂及氣體混合物係再循環穿過含有一混合器之壓力槽，及該細孔石混合器。。 20 23.如申請專利範圍第19項之拋光墊，其中該均句微孔結構包含一具有在約0.05至100微米的範圍内之平均晶胞直徑的封閉晶胞膜。 24.如申請專利範圍第23項之拋光墊，其中該平均晶胞直徑包含一約0.05至30微米的範圍。 34 200534960 25. 如申請專利範圍第19項之拋光墊，其中該墊之表面材料具有一低摩擦係數。 26. 如申請專利範圍第19項之拋光墊，其中由該結果混合物形成之聚合基質包含聚胺基甲酸乙酯，聚脂，聚砜，及 5 聚乙酸乙稀酯之至少一者。 27. 如申請專利範圍第19項之拋光墊，其中該聚合樹脂包括作為一催化劑之乙二醇。 28. 如申請專利範圍第19項之拋光墊，其中該聚合樹脂包含 • 聚胺基甲酸乙酯，聚乙二醇，聚醚多羥基化合物，聚合 10 多羥基化合物，脂肪族聚脂多羥基化合物，芳香族聚脂多經基化合物，PTMEG，PTHF，篦麻油基多經基化合物，聚己内酯多經基化合物，經基終止之聚丁二稀，丙烯酸多羥基化合物，及聚胺其中之至少一者。 29. 如申請專利範圍第19項之拋光墊，其更包含在成形該墊 15 之後被添加至該墊之多孔透明部分或多孔半透明部分。 30. 如申請專利範圍第19項之拋光墊，其更包含在該墊之表 • 面上形成之溝槽。 31. 如申請專利範圍第19項之拋光墊，其中該氣體包含惰性氣體，活性氣體，及還原氣體其中之至少一者。 20 32.如申請專利範圍第31項之拋光墊，其中該氣體包含乾燥氣體，氬氣，乾燥氮氣，及乾燥氧氣其中之至少一者。 33. 如申請專利範圍第19項之拋光墊，其更包含表面活性劑及紫外光穩定劑其中之至少一者。 34. —種用以製造具有均勻微孔尺寸之無孔拋光墊的方 35 200534960 法，其係包含以下步驟：提供一裝於一具有混合器之壓力槽的聚合樹脂；導入一氣體至該聚合樹脂；將該聚合樹脂及氣體混合物抽送穿過一細孔石混 5 合器；混合異氰酸酯至該聚合樹脂及氣體混合物來形成一結果混合物；及將該結果混合物射出至一模中。 II 35.如申請專利範圍第34項之方法，其更包含在抽送該聚合 10 樹脂及氣體混合物穿過一細孔石混合器之步驟後，抽送該聚合樹脂及氣體混合物穿過一乳化器之步驟。 36.如申請專利範圍第34項之方法，其更包含在抽送該聚合樹脂及氣體混合物穿過一細孔石混合器之步驟後，傳遞該聚合樹脂及氣體混合物穿過一均質混合器之步驟。 15 37.如申請專利範圍第34項之方法，其中導入一氣體至該聚合樹脂之步驟包含導入該氣體穿過内含於該壓力槽之籲喷管的步驟。 38. 如申請專利範圍第37項之方法，其更包含在抽送該聚合樹脂及氣體混合物穿過一細孔石混合器之步驟後，抽送 20 該聚合樹脂及氣體混合物穿過一乳化器之步驟。 39. 如申請專利範圍第37項之方法，其更包含在抽送該聚合樹脂及氣體混合物穿過一細孔石混合器之步驟後，傳遞該聚合樹脂及氣體混合物穿過一均質混合器之步驟。 40. 如申請專利範圍第34項之方法，其更包含步驟： 36 200534960 由該模移除一已形成之墊，及研磨或磨平該墊之至少一側至一所欲之厚度。 41.如申請專利範圍第34項之方法，其更包含機械製造溝槽至該墊表面之步驟。 5 42.如申請專利範圍第34項之方法，其更包含在該墊中形成一窗之步驟。 43. 如申請專利範圍第42項之方法，其中該窗係利用移除該墊之一部分，並在藉由該移除部分所產生的開口填充一 • 液態聚胺基曱酸乙酯材料而形成，該材料係經固化而作 10 為該墊之透明部分或半透明部分。 44. 如申請專利範圍第42項之方法，其中該窗係利用移除該墊之一部分，並在藉由該移除部分所產生的開口填充一黏著至該墊之固態透明部分或半透明部分而形成。 45. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該模為一進行一反 15 應射出成形製程之致動模。 46. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該墊之平均晶胞尺 • 寸係藉由在添加異氰酸酯之前施予數個剪應力至該聚合樹脂及氣體混合物而被控制。 47. —種用以製造具有均勻微孔尺寸之無孔拋光墊的方 20 法，其包含以下步驟：提供一裝於一具有混合器之壓力槽的聚合樹脂；穿過一外含於該壓力槽之再循環泵導入一氣體至該聚合樹脂；利用該再循環泵將該聚合樹脂及氣體混合物抽送 37 200534960

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20 穿過一細孔石混合器；混合異氰酸酯至該聚合樹脂及氣體混合物來形成一結果混合物；及將該結果混合物射出至一模中。 48. 如申請專利範圍第47項之方法，其更包含在抽送該聚合樹脂及氣體混合物穿過一細孔石混合器之步驟後，抽送該聚合樹脂及氣體混合物穿過一乳化器之步驟。 49. 如申請專利範圍第47項之方法，其更包含在抽送該聚合樹脂及氣體混合物穿過一細孔石混合器之步驟後，傳遞該聚合樹脂及氣體混合物穿過一均質混合器之步驟。 50. 如申請專利範圍第47項之方法，其更包含步驟：由該模移除一已形成之墊，及研磨或磨平該墊之至少一側至一所欲之厚度。 51. 如申請專利範圍第47項之方法，其更包含機械製造溝槽至該墊表面之步驟。 52. 如申請專利範圍第47項之方法，其更包含在該墊中形成一窗之步驟。 53. 如申請專利範圍第52項之方法，其中該窗係利用移除該墊之一部分，並在藉由該移除部分所產生的開口填充一液態聚胺基甲酸乙酯材料而形成，該材料係經固化而作為該墊之透明部分或半透明部分 54. 如申請專利範圍第52項之方法，其中該窗係利用移除該墊之一部分，並在藉由該移除部分所產生的開口填充一黏著至該墊之固態透明部分或半透明部分而形成。 38 200534960 55. 如申請專利範圍第47項之方法，其中該模為一進行一反應射出成形製程之致動模 56. 如申請專利範圍第47項之方法，其中該墊之平均晶胞尺寸係藉由在添加異氰酸酯之前施予數個剪應力至該聚 5 合樹脂及氣體混合物而被控制。 57. 如申請專利範圍第1項之拋光墊，其中該聚合樹脂及氣體混合物在添加異氰酸酯之前被導引穿過一高剪應力成穴裝置。 • 58.如申請專利範圍第19項之拋光墊，其中該聚合樹脂及氣 10 體混合物在添加異氰酸酯之前被導引穿過一高剪應力成穴裝置。 59.如申請專利範圍第34項之方法，其更包含在添加異氰酸酯之前導引該聚合樹脂及氣體混合物穿過一高剪應力成穴裝置之步驟。 15 60.如申請專利範圍第46項之方法，其更包含在添加異氰酸酯之前導引該聚合樹脂及氣體混合物穿過一高剪應力 • 成穴裝置之步驟。 61. 如申請專利範圍第1項之拋光墊，其更包含在該成形製程期間，或在成形製程之後，利用機械製造去除該墊之 20 一部分來結合硬體至該拋光墊内。 62. 如申請專利範圍第19項之拋光墊，其更包含在該成形製程期間，或在成形製程之後，利用機械製造去除該墊之一部分來結合硬體至該抛光墊内。 63. 如申請專利範圍第34項之方法，其更包含在該成形製程 39 200534960 期間，或在成形製程之後，利用機械製造去除該墊之一部分來結合硬體至該拋光墊内之步驟。 64.如申請專利範圍第46項之方法，其更包含在該成形製程期間，或在成形製程之後，利用機械製造去除該墊之一 5 部分來結合硬體至該拋光墊内之步驟。

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