TW200534334A - Processing apparatus and method for removing particles therefrom - Google Patents

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200534334 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 粒去除 微粒的 液晶之 處理體 置，係 50之 和配設 置台的 20相 內壁的 及筒頻 40，係 體吹出 別設有 接於未 ? □ 14 本發明，係有關處理裝置及該處理裝置內之微 方法，尤其是去除於處理裝置中真空容器內漂浮之 ，處理裝置及該處理裝置內之微粒去除方法。 【先前技術】 Φ 先前，設備或液晶等製造廠，因使用於設備或 被處理體的製造工程中，其產生之微粒會有污染被 的問題，固有追求降低該者。 例如，作爲被處理體用之處理裝置的乾蝕刻裝 如第5圖所示，具備有用以進行被處理體亦即晶匱 蝕刻處理，且內部保持高真空之真空處理室1 0 ; 於真空處理室1 0內之下部，且兼作爲晶圓5 0之放 下部電極2 0 ;和於真空處理室1 〇內，與下部電極 φ 對配置之上部電極4 0 ;和設置於真空處理室1 〇之 熱交換器1 5。下部電極2 0，係經由阻擋電容器2 2 整合電路2 1，而連接於高頻電源23 ;於上部電極 爲了將自供給特定氣體之供給裝置4 1所輸送的氣 • ，而設有吹出口 42。更且，真空處理室10，係分 “將氣體導入真空處理室10內之導入配管80，和連 圖示之排氣手段的真空排氣口 1 2，和經由壓力測5 而用以測定真空處理室1 0內之壓力的壓力測定器1 3。 上述之乾蝕刻裝置中，藉由未圖示之排氣手段將真空 200534334 (2) 處理室10內減壓，並以氣體導入配管80將液體或氣體導 入真空處理室1 〇內，使該被導入之液體或氣體因隔熱膨 脹而冷卻，而以真空處理室1 〇內所漂浮的微粒作爲核來 進行固化或液化成長，因而掉落至真空處理室1 0之下部 。固化或液化成長之微粒，將附著於晶圓5 0上，而引起 .蝕刻不良或成膜不良。 又，近年來劑由有關微粒造成被處理體產生污染的硏 • 究，可得知使用於該被處理體之製成的處理裝置，其處理 室之內壁所附著之微粒會剝落，而此剝落之微粒將附著於 該被處理體而產生被處理體之污染；以及若將該處理室之 內壁溫度由40°C升溫至50°C而進行被處理體的蝕刻處理 時，該處理室內會產生大量微粒，而此大量之微粒會產生 被處理體之污染。 〔專利文件1〕日本特開平1卜54485號公報 % 【發明內容】 發明所欲解決之課題 然而，有關處理裝置內之微粒造成被處理體的污染， 分析其結構之硏究並不充分，而有無法降低微粒所造成之 該被處理體之污染的問題。 本發明之目的，係提供一種可降低微粒所造成之被處 理體之污染的處理裝置，及該處理裝置內之微粒去除方法 -6 - 200534334 (3) 用以解決課題之手段 爲達成上述目的，申請專利範圍第丨項所記載之處理 裝置，係具有內部空間可減壓之減壓容器，和將氣體導入 至上述減壓容器之內部空間的氣體導入裝置，和配置於上 述減壓容器之內部空間，而於該內部空間處理被處理體之 處理部的’處理裝置；其特徵係具備檢測出上述減壓容器 之內壁溫度的第1檢測手段，和檢測出上述處理部之溫度 | 的第2檢測手段，和控制上述氣體之溫度的第1控制裝置 ;上述第1控制裝置’係根據上述內壁之溫度和上述氣體 之溫度的分配，或上述處理部之溫度和上述氣體之溫度的 溫度分配，而控制上述氣體之溫度。 申請專利範圍第2項所記載之處理裝置，其特徵係如 申請專利範圍第1項所記載之處理裝置，其中，上述第1 控制裝置，係將上述氣體之溫度，控制爲較上述內壁之溫 度或上述處理部之溫度的最少一方，更低3 0 °C以上者。 φ 申請專利範圍第3項所記載之處理裝置，其特徵係如 申請專利範圍第1項或第2項所記載之處理裝置，其中， 係更具備加熱上述減壓容器之內壁的第1加熱裝置。 申請專利範圍第4項所記載之處理裝置，其特徵係如 申請專利範圍第1項至第3項之任一項所記載之處理裝置 ，其中，上述處理部，係具有配設於上述減壓容器之下部 ，且兼作爲放置上述被處理體之放置台的下部電極；和於 上述減壓容器內，與上述下部電極相對配設之上部電極； 和保溫上述下部電極之第1保溫裝置；和保溫上述上部電 -7- 200534334 (4) 極之第2保溫裝置。 申請專利範圍第5項所記載之處理裝置，其特徵係如 申請專利範圍第i項至第4項之任一項所記載之處理裝置 ，其中，係具備將上述減壓容器之內部空間之壓力加以控 制的第2控制裝置。 申請專利範圍第6項所記載之處理裝置，其特徵係如 申請專利範圍第5項所記載之處理裝置，其中，上述第2 控制裝置，係將上述減壓容器之內部空間之壓力，控制在 1.0 〜10Torr(0.13 〜1.3Pa)者。 爲達成上述目的，申請專利範圍第7項所記載之微粒 去除方法，係將具有內部空間可減壓之減壓容器，和將氣 體導入至上述減壓容器之內部空間的氣體導入裝置，和配 置於上述減壓容器之內部空間，而於該內部空間處理被處 理體之處理部的處理裝置內之微粒去除方法；其特徵係具 備檢測出上述減壓容器之內壁溫度的第1檢測步驟，和檢 測出上述處理部之溫度的第2檢測步驟，和控制上述氣體 之溫度的第1控制步驟；上述第1控制步驟，係根據上述 內壁之溫度和上述氣體之溫度的分配，或上述處理部之溫 度和上述氣體之溫度的溫度分配，而控制上述氣體之溫度 〇 申請專利範圍第8項所記載之微粒去除方法，其特徵 係如申請專利範圍第7項所記載之微粒去除方法，其中， 上述第1控制步驟，係將上述氣體之溫度，控制爲較上述 內壁之溫度或上述處理部之溫度的最少一方，更低3 0。(： (5) (5)、200534334 以上者。 申請專利範圍第9項所記載之微粒去除方法，其特徵 係如申請專利範圍第7項或第8項所記載之微粒去除方法 ，其中，係更具備加熱上述減壓容器之內壁的第1加熱步 驟。 申請專利範圍第1 〇項所記載之微粒去除方法，其特 徵係如申請專利範圍第7項或第8項所記載之微粒去除方 法，其中，上述處理部，係具備配設於上述減壓容器之下 部，且兼作爲放置上述被處理體之放置台的下部電極；和 於上述減壓容器內，與上述下部電極相對配設之上部電極 ;並具有保溫上述下部電極之第1保溫步驟；和保溫上述 上部電極之第2保溫步驟。 申請專利範圍第1 1項所記載之微粒去除方法，其特 徵係如申請專利範圍第7項或第8項所記載之微粒去除方 法，其中，係具備將上述減壓容器之內部空間之壓力加以 控制的第2控制步驟。 申請專利範圍第1 2項所記載之微粒去除方法，其特 徵係如申請專利範圍第Π項所記載之微粒去除方法，其 中，上述第2控制步驟，係將上述減壓容器之內部空間之 壓力’控制在1.0〜l〇Torr(〇.13〜1.3Pa)者。 申請專利範圍第1 3項所記載之微粒去除方法，其特 徵係如申請專利範圍第7項或第8項所記載之微粒去除方 法，其中，上述氣體導入步驟，係於以上述處理部來處理 上述被處理體之前，將上述氣體導入減壓容器之內部空間 •200534334 (6) 者。 發明效果 若依申請專利範圍第1項所記載之處理裝置及申請專 利範圍第7項所記載之微粒去除方法，則因第1檢測手段 檢測出減壓容器之內壁溫度，第2檢測手段檢測出處理部 之溫度，並根據上述內壁之溫度和上述氣體之溫度的分配 ，或上述處理部之溫度和上述氣體之溫度的溫度分配，而 控制上述氣體之溫度；故可將附著於減壓容器之內壁之微 粒，藉由溫度分配所產生之熱泳動力及線性膨脹係數不同 所產生之熱作用力，而剝落去除；因此，可降低微粒造成 的被處理體污染。 若依申請專利範圍第2項所記載之處理裝置及申請專 利範圍第8項所記載之微粒去除方法，則因第1控制裝置 將上述氣體之溫度，控制爲較上述內壁之溫度或上述處理 部之溫度的最少一方，更低3 0 °C以上，故可將附著於減 壓容器之內壁之微粒，藉由溫度分配所產生之熱泳動力加 以確實的剝落去除。 若依申請專利範圍第3項所記載之處理裝置及申請專 利範圍第9項所記載之微粒去除方法，則因第1加熱裝置 係加熱減壓容器之內壁，故可廣泛地控制減壓容器之內壁 溫度和導入減壓容器之內部空間之氣體溫度的溫度分配。 若依申請專利範圍第4項所記載之處理裝置及申請專 利範圍第1 0項所記載之微粒去除方法，則因第1保溫裝 -10- 200534334 (7) 置保溫下部電極，第2保溫裝置包溫上部電極，故可廣泛 地控制下部電極之溫度和導入減壓容器內之氣體溫度的溫 度分配，及上部電極之溫度和導入減壓容器內之氣體溫度 的溫度分配。 若依申請專利範圍第5項所記載之處理裝置及申請專 利範圍第1 1項所記載之微粒去除方法，則因第2控制裝 置會控制減壓容器之內部空間的壓力，故可更確實的將減 φ 壓容器內產生之微粒加以剝落去除。 若依申請專利範圍第6項所記載之處理裝置及申請專 利範圍第1 2項所記載之微粒去除方法，則因第2控制裝 置，係將上述減壓容器之內部空間之壓力，控制在1.0〜 10TOrr(0.13〜1.3Pa)，故可更確實的將減壓容器內產生 之微粒加以剝落去除。 若依申請專利範圍第1 3項所記載之微粒去除方法， 則因於以處理部來處理被處理體之前，將氣體導入減壓容 φ 器之內部空間，故藉由減壓容器之內壁，和被溫度控制成 有溫度差之氣體，其溫度分配所產生之熱泳動力，可將附 著於減壓容器之內壁的微粒加以剝落去除，從而可確實降 低微粒造成被處理體之污染。 【實施方式】 以下，參考圖示說明本發明之實施方式。 第1圖，係表示本發明之實施方式中處理裝置之槪略 丰冉成的剖面圖。 -11 - 200534334 (8) 第1圖中，作爲處理裝置之乾蝕刻裝置1，係具 了對作爲被處理體之晶圓5 0進行蝕刻處理，而於其 保持高真空，且其內壁由鋁所構成的真空處理室10 配設於真空處理室1 0內之下部，且兼作爲晶圓5 0之 台的下部電極2 0 ;和於真空處理室1 0內，與下部電彳 、 相對配置之上部電極4 0 ;和設置於真空處理室1 〇之 之熱交換器等的加熱裝置1 5，和檢測出真空處理室1 φ 內壁之溫度的溫度感測器1 6。下部電極2 0，係具備 部電極2 0保溫之熱交換器等的保溫裝置2 3，和檢測 部電極20之溫度的溫度感測器24 ;上部電極40，係 將上部電極4 0保溫之熱交換器等的保溫裝置4 3，和 出上部電極40之溫度的溫度感測器44。 下部電極20’係經由阻擋電容器22及高頻整合 21，而連接於高頻電源2 3 ;於上部電極4 0，係爲了 定氣體導入真空處理室10內，而設有導入口 42。 # 真空處理室1 〇 ’係分別於下部設有連接於未圖 排氣手段的真空排氣口 1 2，而於上部設有用以測定 處理室1 0內之壓力的壓力測定器1 3。 又，乾蝕刻裝置1，係具備連接於上部電極4 0， 特定氣體導入真空處理室10的氣體導入裝置41 ;和 於上部電極40及氣體導入裝置41，藉由將特定氣體 或冷卻，而調整被導入嗔空處理室10內之特定氣體 度的溫度調整裝置8 2 ;和控制真空處理室1 〇內之壓 壓力控制裝置9 0。 備爲 內部 ;和 放置 極20 內壁 〇之 將下 出下 具備 檢測 電路 將特 示之 真空 並將 連接 加熱 之溫 力的 -12- (9) (9)200534334 更且，乾蝕刻裝置1，係具備根據真空處理室1 〇之 內壁、下部電極20、及上部電極40之任一者之溫度，來 控制該特定氣體之溫度的控制裝置9 1。此控制裝置9 1， 係自檢測出真空處理室1 〇之內壁之溫度的溫度感測器1 6 、檢測出下部電極2 0之溫度的溫度感測器2 4、及檢測出 上部電極40之溫度的溫度感測器之任一者被輸入訊號 ’藉由此等訊號來設疋該特疋氣體之溫度，而將配合此設 疋過之溫度的訊號輸出至溫度調整裝置82以調整該特定 氣體之溫度，進而控制被導入真空處理室1〇內之該特定 氣體的溫度。 具體來說，控制裝置9 1，係將導入真空處理室1 〇內 之特定氣體之溫度，控制爲較真空處理室1〇之內壁之溫 度、下部電極2 0之溫度、及上部電極4 〇之溫度的任一者 ’更低3 0 °C以上的溫度。亦即，控制裝置9 1，係根據該 特定氣體之溫度和真空處理室1〇之內壁之溫度之差所造 成的溫度分配、該特定氣體之溫度和下部電極20之溫度 之差所造成的溫度分配、及該特定氣體之溫度和上部電極 40之溫度之差所造成的溫度分配的任一者，來控制該特 定氣體之溫度。 通常乾蝕刻裝置1中，係設定真空處理室1 〇之內壁 之溫度爲8 0 °C，下部電極2 0之溫度爲〇艽，而上部電極 4 0之溫度爲5 0 C。例如去除附著於真空處理室1 〇之內壁 的微粒時，則將導入真空處理室1 〇內之特定氣體，控制 在較內壁溫度更低3 0 °C，亦即5 0 °C以下之溫度。 -13- 200534334 (10) 第2圖，係表示本發明之實施方式中處理裝置內之微 粒去除方法的流程圖。另外，本實施例中’係舉例表示附 著於處理裝置內壁之微粒的去除方法。 第2圖中，首先，係將作爲處理裝置之乾蝕刻裝置1 之真空處理室1〇內的壓力，控制爲固定（=5.0 To rr)( 步驟 S 2 1 )，並檢測出真空處理室1 〇之內壁溫度（步驟 S22 ) 〇 之後，根據來自檢測出真空處理室1 〇之內壁溫度的 溫度檢測器之訊號，將導入真空處理室1 〇內之特定氣體 的溫度，控制爲較真空處理室1 〇之內壁溫度更低3 0°c以 上者（步驟S23)。 其次，將此被溫度控制後之特定氣體導入真空處理室 10內（步驟S24 )，一段時間內藉由被溫度控制後之特定 氣體來淸淨真空處理室10之內，並進行真空排氣（步驟 S25)。之後，停止將該特定氣體導入真空處理室1〇內（ 步驟S26 )，將作爲被處理體之晶圓50搬運至真空處理 室1〇內（步驟S27)，藉由下部電極20和上部電極40 執行處理晶圓5 0之特定製程處理（步驟S 2 8 )，而結束 本處理。依此，在藉由下部電極20和上部電極40執行處 理晶圓50之特定製程處理（步驟S28 )之前，將該特定 氣體導入真空處理室10內（步驟S24)，且藉由被溫度 控制後之特定氣體來淸淨真空處理室1 〇之內，並進行真 空排氣（步驟S 2 5 )，故藉由真空處理室1 〇之內壁，和 被溫度控制成有溫度差之特定氣體，其溫度分配所產生之 -14- 200534334 (11) 熱泳動力，可將附著於真空處理室1 〇之內壁的 剝落去除，從而可確實降低微粒造成晶圓5 0之# 本實施例中，雖表示了將附著於真空處理室 壁之微粒加以剝落去除的方法，但並非限定於此 真空處理室10之內壁、下部電極20、及上部· 應去除微粒之任一場所檢測出其溫度，然後根據 之溫度和特定氣體之溫度的溫度分配，來控制該 之溫度。 在此，特定氣體之溫度和真空處理室10之 度的溫度差ΔΤ，係由真空處理室1〇之內壁材料 脹係數、成爲晶圓5 0之污染產生源之微粒的線 數來決定。使微粒之線性膨脹係數爲固定時，△ 空處理室1 0之內壁材料的線性膨脹係數成相關。 其次’說明導入真空處理室10內之特定氣 和真空處理室10之內壁之溫度的溫度差ΔΤ， 5 〇飛散至真空處理室1 〇內之微粒數目的關係。 第1圖之乾蝕刻裝置1中，準備以鋁構成真 1〇之內壁材料者，固定真空處理室10內之壓； Torr)並將真空處理室1〇之內壁保持一定溫度 入真空處理室1 0內之特定氣體的溫度被變化之 測定自晶圓5 0飛散至真空處理室〗〇內之微粒數 真空處理室1 0之內壁材料爲石英、氧化釔、氧 成者’亦分別進行相同測定。此結果表示於第3丨 依此’例如真空處理室丨〇之內壁材料爲鋁 微粒加以 f染。 1 〇之內 ，而可對 :極4 0中 此檢測出 特定氣體 內壁之溫 的線性膨 性膨脹係 T係和真 體之溫度 與自晶圓 空處理室 ^ = 5.0 ;在使導 情況下， 目。對於 化鋁所構 圖。 所構成的 -15· 200534334 (12) 情況下，將△ T控制爲3 (TC時，可大量產生微粒之剝 又，真空處理室1 〇之內壁材料爲氧化釔或氧化鋁所 的情況下，將△ T控制爲1 00 °C時，可大量產生微粒 落。 其次，說明真空處理室10內之壓力，和飛散至真 處理室1 0內之微粒數目的關係。 第1圖之乾.蝕刻裝置1中，在分別將下部電極20 g 溫度（晶圓50之溫度）保持在340 °C，而上部電極40 溫度保持爲50°C，並藉由壓力控制裝置90將真空處理 10內之壓力改變在0.0 1〜10Torr的情況下，來測定自 圓50飛散至真空處理室10內之微粒數目（個/分鐘） 此結果表示於第4圖。依此，得知將真空處理室1 〇內 壓力控制在 0.1〜100Τογγ(0·013〜13Pa)時，會更大 產生微粒之剝落。亦即，可更確實的去除真空處理室 內所產生之微粒。 φ 若依本實施方式，則因溫度感測器1 6檢測出真空 理室1 〇之內壁溫度，溫度感測器2 4檢測出下部電極 之溫度’感測器44檢測出上部電極40之溫度，然後控 裝置9 1根據下部電極20之溫度和特定氣體之溫度之差 溫度分配，及上部電極40之溫度和特定氣體之溫度之 的溫度分配其中任一者，而控制特地慶體之溫度，故可 附著於真空處理室丨〇之內壁、下部電極2 〇、上部電極 之任一者的微粒，藉由溫度分配所產生之熱泳動力及線 脹係數不同所產生之熱作用力，而剝落去除；從而， 成 剝 空 之 之 室 晶 〇 之 里 10 處 20 制 的 差 將 40 性 可 -16- 200534334 (13) 降低微粒造成的晶圓5 0之污染。 若依本實施方式，因加熱裝置1 5係加熱真空處理室 1 0之內壁，故可廣泛的控制真空處理室1 0之內壁溫度和 導入真空處理室1〇之內部空間之氣體溫度，其溫度分配 〇 若依本實施方式，則因壓力控制裝置90會控制真空 處理室1 〇之內部空間之壓力，故可更加確實的將真空處 B 理室1 0內所產生之微粒加以剝落去除。 若依本實施方式，則因保溫裝置2 3會將配設於真空 處理室10內之下部，且兼作爲放置被處理體之放置台的 下部電極20加以保溫，而保溫裝置43係將於真空處理室 10內與下部電極20對象配置之上部電極40加以保溫， 故可廣泛地控制下部電極20及上部電極40之溫度和導入 真空處理室1 〇之內部空間之氣體溫度，其溫度分配。 本實施方式中，真空處理室1〇之內壁雖以鋁所構成 φ ，但並不限於此，而亦可由氧化釔或氧化鋁等材料構成。 此時，導入真空處理室10之內之特定氣體之溫度，係要 控制在較真空處理室10之內壁溫度更低1〇〇 °c以上。 又，控制裝置9 1可根據真空處理室1 〇之內壁之溫度 、下部電極20之溫度、及上部電極40之溫度中的最少一 個，來控制導入真空處理室1 0之內之特定氣體的溫度； 更且，亦可根據真空處理室1 0之內壁之溫度、下部電極 20之溫度、及上部電極40之溫度中最低的溫度，來控制 導入真空處理室10之內之特定氣體的溫度。 -17- 200534334 (14) 更且，控制裝置9 1，亦可根據真空處理室1 〇 之溫度和氣體溫度的溫度分配、下部電極20之涩 定氣體溫度的溫度分配、或上部電極40之溫度和 體溫度的溫度分配，來控制特定氣體之溫度。依此 附著於真空處理室10之內壁、下部電極20、上部 之任一者的微粒，藉由溫度分配所產生之熱泳動力 膨脹係數不同所產生之熱作用力，而剝落去除；從 降低微粒造成的晶圓5 0之污染。 本實施方式中，乾蝕刻裝置1，雖具有加熱真 器10之內壁之熱交換器等的加熱裝置15，但並不 此；於無法加熱真空處理室 1 0之內壁的情況下， 整裝置82亦可爲帕耳帖（Peltier )元件或熱泵、 熱器等。此時，藉由冷卻導入真空處理室10之內 氣體之溫度，可更確實的產生該特定氣體之溫度和 理室1 〇之內壁之溫度之差所造成的溫度分配、該 體之溫度和下部電極2 0之溫度之差所造成的溫度 或該特定氣體之溫度和上部電極40之溫度之差所 溫度分配。此時，溫度調整裝置8 2，亦可具有高 行溫度調整裝置和特定氣體之熱交換的構成。 又，本實施方式中，乾蝕刻裝置1，雖具有力口 處理器10之內壁之熱交換器等的加熱裝置15，但 定於此；亦可具有將真空處理室1 0之內壁，加以 冷卻裝置。依此，將作爲被處理的晶圓5 0搬運到 理室1 〇內時，或是執行用以處理晶圓5 〇之製程處 之內壁 度和特 特定氣 ，可將 電極40 及線性 而，可 空處理 限定於 溫度調 熱線加 之特定 真空處 特定氣 分配、 造成的 效率進 熱真空 並不限 冷卻的 真空處 理時， -18- 200534334 (15) 可使真空處理器10之內壁和導入真空處理室10內之特定 氣體之溫度之差所造成的溫度分配，變的難以發生，從而 可抑制真空處理室1 〇內所產生之微粒的剝落。另外，藉 由溫度調整裝置82將導入真空處理室10內之特定氣體之 溫度加以加熱，當然可使真空處理器1 〇之內壁和導入真 空處理室10內之特定氣體之溫度之差所造成的溫度分配 ，變的難以發生。 _ 又，將作爲被處理的晶圓5 0搬運到真空處理室1 0內 時，或是執行用以處理晶圓5 0之特定製程處理時，將真 空處理室 10內之壓力控制在0.1Torr(0.013Pa)以下或 lOOTori* ( 13Pa)以上，則可抑制真空處理室10內所產生 之微粒的剝落。 本實施方式中，控制裝置9 1和壓力控制裝置90雖爲 個別獨立者，但並非限定於此；亦可將控制裝置9 1連接 於壓力控制裝置90，根據來自壓力控制裝置90之訊號， φ 來控制導入真空處理室10內之特定氣體的溫度。 又本實施方式中，雖於執行用以處理晶圓5 0的特定 製程處理之前，將此被溫度控制後之特定氣體導入真空處 理室1 〇內，藉由被溫度控制後之特定氣體來淸淨真空處 理室1 〇之內，並進行真空排氣，但並非限定於此；亦可 於乾鈾刻裝置1未執行特定製程處理的時候，例如於待機 (Idling )狀態下，使用乾蝕刻裝置1所具備之輸入裝置 (未圖示），而以使用者所期望之時機執行步驟S2 1〜步 驟S 2 6。依此，可使真空處理室1 〇內長保淸淨之狀態。 •19- 200534334 (16) 又’於乾蝕刻裝置1爲待機狀態時，乾蝕刻裝置1可 以自我診斷裝置所造成之特定時機，執行步驟S21〜步驟 S26。更且，藉由來自將複樹脂乾蝕刻裝置1集中管理之 集中管理系統（未圖示）之外部的訊號，以特定之時機， 來執行步驟S21〜步驟S26亦可。依此，可使真空處理室 1 〇內保持淸淨之狀態。 本實施方式中，被處理體雖爲晶圓5 0，但並不限定 於此’而可爲由半導體基板、平面面板顯示器（FPD )基 板、及LCD基板所構成之群中，所選擇者。 本實施方式中，處理裝置雖爲乾鈾刻裝置1，但並非 限定於此，而可爲由熱處理裝置、成膜裝置、灰化裝置所 構成之群中，所選擇者。又，於未脫離本發明之主旨的範 圍內，對處理裝置之構成的變更或追加，亦包含於本發明 【圖式簡單說明】 〔第1圖〕表示本發明之實施方式中處理裝置之槪略 構成的剖面圖 〔第2圖〕表示本發明之實施方式中處理裝置內之微 粒去除方法的流程圖 〔第3圖〕表示導入真空處理室10內之特定氣體之 溫度和真空處理室1 〇之內壁之溫度的溫度差△ T，與自晶 圓5 0飛散至真空處理室1 0內之微粒數目的關係的圖 〔第4圖〕表示真空處理室10內之壓力，和飛散至 -20- 200534334 (17) 真空處理室1 〇內之微粒數目的關係的圖 〔第5圖〕表示先前之處理裝置之槪略構成的剖面圖 【主要元件符號說明】 1 :乾蝕刻裝置 1 〇 :真空處理室 2 0 :下部電極 g 4 0 :上部電極 1 6 :溫度感測器 4 1 :氣體導入裝置 9 1 :控制裝置 Γ -21 -

Claims (1)

1. 200534334 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種處理裝置，係具有內部空間可減壓之減壓容器 ’和將氣體導入至上述減壓容器之內部空間的氣體導入裝 置，和配置於上述減壓容器之內部空間，而於該內部空間 處理被處理體之處理部的，處理裝置；其特徵係 具備檢測出上述減壓容器之內壁溫度的第1檢測手段 ，和檢測出上述處理部之溫度的第2檢測手段，和控制上 g 述氣體之溫度的第1控制裝置；上述第1控制裝置，係根 據上述內壁之溫度和上述氣體之溫度的分配，或上述處理 部之溫度和上述氣體之溫度的溫度分配，而控制上述氣體 之溫度。 2 .如申請專利範圍第1項所記載之處理裝置，其中， 上述第1控制裝置，係將上述氣體之溫度，控制爲較上述 內壁之溫度或上述處理部之溫度的最少一方，更低3 0 °C 以上者。 η 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之處理裝置 ，其中，係更具備加熱上述減壓容器之內壁的第1加熱裝 置。 4 .如申請專利範圍第1項或第2項所記載之處理裝置 ，其中，上述處理部，係具有配設於上述減壓容器之下部 ，且兼作爲放置上述被處理體之放置台的下部電極；和於 上述減壓容器內，與上述下部電極相對配設之上部電極； 和保溫上述下部電極之第1保溫裝置；和保溫上述上部電 極之第2保溫裝置。 -22- 200534334 (2) 5 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之處理裝置 ，其中，係具備將上述減壓容器之內部空間之壓力加以控 制的第2控制裝置。 6 ·如申請專利範圍第5項所記載之處理裝置，其中， 上述第2控制裝置，係將上述減壓容器之內部空間之壓力 ，控制在 1.0 〜lOTorr ( 0.13 〜1.3Pa)者。 7 · —種微粒去除方法，係將具有內部空間可減壓之減 I 壓容器，和將氣體導入至上述減壓容器之內部空間的氣體 導入裝置，和配置於上述減壓容器之內部空間，而於該內 部空間處理被處理體之處理部的處理裝置內之微粒去除方 法；其特徵係 具備檢測出上述減壓容器之內壁溫度的第1檢測步驟 ，和檢測出上述處理部之溫度的第2檢測步驟，和控制上 述氣體之溫度的第1控制步驟；上述第1控制步驟，係根 據上述內壁之溫度和上述氣體之溫度的分配，或上述處理 ^ 部之溫度和上述氣體之溫度的溫度分配，而控制上述氣體 之溫度。 8 ·如申請專利範圍第7項所記載之微粒去除方法，其 中，上述第1控制步驟，係將上述氣體之溫度，控制爲較 上述內壁之溫度或上述處理部之溫度的最少一方，更低 3〇°C以上者。 9 ·如申請專利範圍第7項或第8項所記載之微粒去除 方法，其中，係更具備加熱上述減壓容器之內壁的第1加 熱步驟。 -23- 200534334 (3) 1 〇 .如申請專利範圍第7項或I 除方法，其中，上述處理部，係具 之下部，且兼作爲放置上述被處理 ;和於上述減壓容器內，與上述下 電極；並具有保溫上述下部電極之: 上述上部電極之第2保溫步驟。 1 1 .如申請專利範圍第7項或負 除方法，其中，係具備將上述減壓 加以控制的第2控制步驟。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項所 其中，上述第2控制步驟，係將上 之壓力，控制在1·〇〜10Torr(0.13 1 3 ·如申請專利範圍第7項或f 除方法’其中’上述氣體導入步驟 處理上述被處理體之前，將上述氣 空間者。 ! 8項所記載之微粒去 備配設於上述減壓容器 體之放置台的下部電極 部電極相對配設之上部 第1保溫步驟；和保溫 I 8項所記載之微粒去 容器之內部空間之壓力 記載之微粒去除方法， 述減壓容器之內部空間 〜1 · 3 P a )者。 I 8項所記載之微粒去 ，係於以上述處理部來 體導入減壓容器之內部 -24-