TW200532879A - Circuit substrate and method for mounting electronic element - Google Patents

Description

200532879 九、發明說明： 【餐明所屬之技術領域】 本發明係關於電路基板之構造與皇|y造方H H $ 件之構裝方法，特別是 、广方法及電子零 【先前技術】 構…體裝置之電路基板。 近年，對於行動電話等小 哭之樯奘其妃, 玉尾子^裔，搭載於電子機 口口惑褥哀基板的細微化、 JC曰Jb|笠日又 要求曰盈提高。隨此， 度化之方法變遷。…二}亦漸漸往可更高密 合，由於零件構裝所需 ：、·’“妾 τ：二士 口此馬了更尚密度地構裝， 以正面朝下方式進行 槿壯A # 4之覆曰日構裝，已漸漸成為高密度 構策基板之構裝方法的主流。 .在又 以乂垃騎覆晶構裝時，係於IC晶片側形成焊料凸塊， 以覆晶接合器構裝於其 料，、、± 、基板後，以熔焊Onflow)方式熔融焊 接人尸：接。以此時之焊料凸塊高度，來控制1C晶片與 月f#盤日日-同度的理由。由於IC晶片與構裳基板之線熱膨 又，、不同，因此為防止此應力施加於焊料而從構裝基板 側之接合焊墊剝茨 + Λ、 ]洛兩進仃在晶片與構裝基板間注入被 私為底層填料之熱硬化性樹脂的步驟。由於此熱 脂是^毛細管現象，故需要控制K：晶片之高度。特別是 近=日及之無鉛焊料其熔焊溫度亦較共晶焊料為高，因此 IC晶片高度之控制變得困難。 根據專利文獻1，最近。由於元件之多引腳化，焊料凸 200532879 塊及構裝基板之接合桿塾的間隔大幅變窄，高度亦變低。 因此，ic曰曰曰片與接合焊塾之距離亦變窄，而產生熱硬化樹 月曰之注入困難、有時甚至無法注入的問題，導致有無法確 保IC晶片與構裝基板間之接合可靠性的情形。對此問題， 於專利文獻1中揭示了在晶片側以電鍍方式形成炫焊無法 熔融之金屬凸塊。 又’於專利文獻2中揭示了在基板之接合焊墊側，以 電鑛方式形成溶焊無法炫融之金屬凸塊。然而，由於此等 方法之步驟數皆多且繁雜，且在心片或基板之接合焊塾 上施以電鐘，因Jf S μ > n 因此1C曰曰片之凸塊及接合焊墊之間隔的細微 化困難。 此外，於專利文獻3中雖揭示在基板之接合焊墊側， 以银刻形成炫焊亦無法溶融之金屬凸塊，但為4保IC晶片 之同度’金屬凸塊之高度、亦即所用材料之厚度會變厚， 因此欲以狹窄間隔來形成凸塊 疋非吊困難，係一無法因應 基板之接合焊墊細微化的方法。 圖5’係顯示習知電路基板之製造方法及對電路基板之 晶片構裝方法的製程圖’首先，如該圖之⑴所示，準備單 面具㈣層u之絕緣基材12，亦即準備單面銅積層板14。 接著’如該圖之⑺所示，對該單面銅積層板14之銅箱 Ϊ 13，、？二般光加工方法之餘刻方法，形成電路配線圖 :5 ’視需要設置防焊層、或以無電解鍍敷等方法來形成 仏及Au以作為表面處理層，再以模具沖厂堅等進行外形加 工’而得電路基板1 5。 200532879 接著，如該圖之（3)所示， 片10，使用覆晶接合器，以 八太干料凸塊9之1C晶 板上。其後，進行料，使該1下方式構裝於該電路基 融，將1C晶片10與電路基板曰曰片10之焊料凸塊9熔 吩丞板15加以連接。 接著，如該圖之（4)所示，於 間注入熱硬化樹脂11作為底幻“/日1G與電路基板15 F句履層填料，將曰 下構裝於電路基板15。 M 面朝 (專利文獻1) (專利文獻2) (專利文獻3) (專利文獻4) 日本專利特開_-28438〇號公報 曰本專利特開平5-74778號公報 日本專利特開2隊53 189號公報 日本專利特開20()3_129259號公報 係在1C晶片等電子零件構裴 電子零件的高度，並達成接合焊 本發明欲解決之問題 後’確保適當之1C晶片等 墊之細微化。 用以解決上述問題之第一發明，係一種電路基板之製 二法，其特徵在於：準備出於第一導電層與第二導電層 曰y有異種金屬（作為钱刻阻止層）的金屬帛，於該第一導電 :以蝕刻形成電路配線圖案，將黏著性絕緣樹脂黏著於該 電路配線圖案側，藉由姓刻該第二導電層來形成突起，之 後去除該作為蝕刻阻止層之異種金屬層。 壯用以解決上述問題之第二發明，係一種電子零件之構 2方法，其特徵在於··準備電路基板，此電路基板表面於 電子零件接合焊墊附近形成有即使在焊料熔融之溫度下亦 200532879 融之金屬突起’以正面朝下方式將電子零件構裝於 之際，藉由該金屬突起，來在該電路基板與該 $牛間形成與該金屬突起等高度之間隙。 特徵在二解决上述問題之弟三發明，係一種電路基板，其 •在電路基板表面之電子零件構裝部，於電子零 件接合焊墊附近，具有較電 令 “ 有季乂電子零件接合焊塾高的金屬突起。 路^康上述特徵’本發明能發揮如下效果。本發明之電 土板，係於第一導電層與第二導電声 飯刻阻止層之異種金屬的 ^ 有作為 A % °茨弟一導電層以蝕刻 圖二=圖案，將黏著性絕緣樹脂黏著於該 =側，错由㈣該第二導電層來形成突起，之後去除： 乍為蝕刻阻止層之異種金屬層 - 彳收兩 表^ 以正面朝下方 二:=構裝於該接合焊塾之際，藉由 :在该電路基板與該電子零件之 度之間隙的方式加以構裝，因此屬大起專南 響使電子零件之高度-定，且可^由不該僅金不 =炼焊特性影 晶片驅動時產生之熱能有效地往基板側移動t起末使忆 此外，由於不需要在接合谭 僅可因應接合㈣之窄間隔化，且由=層電鑛’因此不 絕緣基材，因此亦可謀求基板之薄型化：合;塾埋人 :且穩定地提供微細、高密度之構裝電路基板，及= 位、穩定地進行電子零件之構裝。 低饧 【實施方式】 乂下’⑽圖式之貫施例進一步說明本發明。圖 200532879 顯示本發明電路基板之製造方法的製程圖，首先，如該圖丨 ，⑴所不’準備專利文獻3、4中所揭示之具有銅Μ例如 旱度50/un)/鎳泊2(例如厚度2_)/銅箔双例如厚度1〇㈣ 之3層構化的金屬基材4。此時之錄落2係銅姑刻時之敍刻 阻止層，但並不限於錄落。銅落1係用來確保構裝後之晶 片尚度，厚度以50μπι左右較佳。 μ接著，如該圖i之（2)所示，對此金屬基材4之一面的 銅治層3,使用—般光加工方法之钱刻方法，來形成電路配 線圖案5。此時之㈣液，係使用揭示於專利文獻4之具有 選擇性的钱刻液。 接著，如該圖1之（3)所示，對電路配線圖案5形成絕 緣層6。作為絕緣層6之形成方法，可應用澆鑄、層疊、塗 層等方式，視絕緣樹脂之種類、形態（清漆、薄膜）來選擇最 仏之方法。此處，係以層疊方式進行了熱硬化性聚醯亞胺 之熱壓接。 接著，如該圖1之（4)所示，對金屬基材4之一面的鋼 V备層1，使用一般光加工方法之蝕刻方法，來形成使晶片高 度一定的金屬突起7。此時，電路配線圖案5，係以鎳箔2 及絕緣層6來加以保護。 黏著，如該圖1之（5)所示，以選擇性餘刻來去除鎳箔 2 ’視需要設置防焊阻劑，以無電解電鍍等方法形成Ni及 Au來作為表面處理層，以模具之沖壓等進行外形加工，而 得電路基板8。又，雖未圖式，但亦可使用既定方法以貫通 孔連接等方式作成雙面基板。 200532879 圖2’係顯示本發明電子零件之構裳方法的製程圖，首 I如該圖2之⑴所示，準備具有焊料凸塊9之IC晶片 使用覆晶接合器，以正面朝下 勢 生 朝下方式構裝於以圖1所示 衣耘衣k之電路基板8上。之後 10 ^ u 傻進仃熔焊，使該1C晶片 之焊料凸塊9熔融，將1C晶K 1 rw 彼 曰片1 0與電路基板8加以連 接。此時，藉由電路基板8上金 少古& 心鱼屬大起7，規定1C晶片 :著’如該圖2之⑺所示’藉晶片1〇與電路基 注入熱硬化樹脂"作為底層填料，完成ic晶片1〇 正面朝下於電路基板8之構裝。 圖3 ’係顯示本發明雷技其 圖，具有用來規定IC y 概念性截面構成 為命 日日间度之金屬突起7的電路基板8， ^配線圖案5埋入絕緣層6之；ϋ： 1 ^ 將ΙΓ曰Ρ 啄層6之構造。又，如圖4所示， c日日片10以正面朝下方彳签 片】 式構哀於電路基板8時，1C晶 離電路基板8之高度由金屬 【圖式簡單說明】 =1’係顯示本發明電路基板之製造方法的製程圖。 係顯示本發明電子零件之構裝方法的製程圖。 圖。係顯示本發明電路基板之構造的概純截面構成 圖4 ’係顯示於本發明之電 恶之概念性截面構成圖。 “狀 固5 ’係5兒明習知方法之皮 件之構裝方法的圖。電路基板之“方法及電子零 10 200532879 【主要元件代表符號】 1，3 :銅箔 2 :鎳箔 4 :金屬基材 5 :電路配線圖案 6 :絕緣層 7 :金屬突起 8，1 5 :電路基板 9 :焊料凸塊 ® 10 : 1C晶片 11 :熱硬化樹脂 1 2 :絕緣基材 13 :銅箔層 1 4 :單面銅積層板 11

Claims (1)

1. 200532879 十、申請專利範圍： 1-種電路基板之製造方法，其特徵在於： 準備出於第一導電 為姓刻阻止層）的全h :，❹層間具有異種金屬（作 ^ , 屬冶，於遠弟一導電層以蝕刻形 配線圖案，將力；戈从你 4❿风电路 ，#者性、.、ε緣樹脂黏著於該 藉由蝕刻該第二導雷展“… 电路配線圖案側’ 阻止層之異種金屬層。 後去除邊作為餘刻 2.-種電子零件之構裝方法，其特徵在於： 準備電路基板，此雷敗里4 mw 表面於電子零件接合烊墊 付近形成有即使在娜融之溫度下亦不會炫融之金屬突 二’以正面朝下方式將電子零件構裝於該接 错由該金屬突起，於該電路基板與該電子零件: 該金屬突起等高度之間隙。 7成一 3 · —種電路基板，其特徵在於·· 在電路基板表面之電子零件帛n# 焊墊附近，具有較該電子零件接人 々件接合 干接口知墊咼的金屬突起。 十一、圖式·· 如次頁。 12