JP2001156121A - バンプ付き二層回路テープキャリアおよびその製造方法 - Google Patents

バンプ付き二層回路テープキャリアおよびその製造方法

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    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体チップを搭載する際に半田バンプのピッ
チが小さくても半田バンプ間にブリッジが形成されるこ
とがなく半導体チップの更なる高密度化や高周波化に対
応することが可能なバンプ付き二層回路テープキャリア
を提供すること。 【解決手段】本発明のバンプ付き二層回路テープキャリ
アは、貫通孔が設けられた絶縁フィルム１１と、この貫
通孔内に形成された接合用導体１６と、絶縁フィルム１
１の一方の主面に形成され接合用導体１６と接続された
第１の導体パターン１５と、絶縁フィルム１１の他方の
主面に形成され接合用導体１６上に位置するターミナル
及びこのターミナルに接続されたバンプ形成領域を有す
る第２の導体パターン１２と、上記バンプ形成領域上に
形成された半導体チップ接続用金属バンプ１３とを備
え、金属バンプ１３は導体パターン面に対し実質的に垂
直な側面を有する柱状体であることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ付きテープ
キャリアおよびその製造方法に係り、特には片面だけで
はなく両面に導体パターンが形成されたバンプ付き二層
回路テープキャリアおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化、軽量化、高速化、高
機能化等の要求に答えるため、半導体パッケージには、
種々の形態のものが開発されている。このような半導体
パッケージ技術として、特に、半導体チップの高集積化
による多ピン化の要請と、装置の小型化を両立させるた
め、絶縁フィルム上に形成した金属パターンに、半田バ
ンプを介して半導体チップを接合する、いわゆるテープ
キャリア方式によるパッケージ技術が知られている。
【０００３】そのようなテープキャリア方式によるパッ
ケージ技術の一例として、特開平８−６４６３６号公報
に開示されているものがある。このパッケージ技術で
は、図２３に示すように、ポリイミドテープ１上に金属
層２が形成され、この金属層２に、半田バンプ３が形成
されている。この半田バンプ３と、半田バンプ３に対応
して電子デバイス（半導体チップ）４の一主面に形成さ
れた金属パッド６とが熱的に接合される。このようにし
て電子デバイス４を実装したテープキャリアは、その
後、個々に切り出される。
【０００４】このテープキャリア方式では、薄く透明な
ポリイミドテープを用いているため、熱サイクルにおい
ても半田接合部に加わる応力が緩和され、また裏面から
半田バンプを観察出来るという利点がある。
【０００５】しかし、半田バンプは、一般にクリーム半
田印刷や半田ボールを転写する方法により形成される
が、このような方法では、図２３に示すように、半田バ
ンプ３は球状にならざるを得ない。球状の半田バンプで
は、半田バンプ同士のピッチが小さくなり、半田バンプ
間の距離が短くなると、半導体チップを搭載した際に、
半田ブリッジが形成されてしまうという問題がある。ま
た、アンダーフィル樹脂の充填が困難となるという問題
も生ずる。
【０００６】ところで、近年、半導体チップの小型化に
よって、実装する基板の回路パターンはより高密度化さ
れている。また、半導体チップの高周波化によって、耐
ノイズ性を提供するためのグランド層が必要となりつつ
ある。以上の理由から、半導体チップを実装するテープ
キャリアに関しても、これまでの単層回路構造に代えて
二層回路構造を採用する必要性が高まっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情を
考慮してなされたもので、半導体チップを搭載する際
に、半田バンプのピッチが小さくなっても、半田バンプ
間にブリッジが形成されることがなく、半導体チップの
更なる高密度化や高周波化に対応することが可能な、バ
ンプ付き二層回路テープキャリアを提供することを目的
とする。
【０００８】本発明の他の目的は、そのようなバンプ付
き二層回路テープキャリアの製造方法を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、半導体チップを回路基板に搭載するため
のバンプ付き二層回路テープキャリアであって、貫通孔
が設けられた絶縁フィルムと、前記貫通孔内に形成され
た接合用導体と、前記絶縁フィルムの一方の主面に形成
され前記接合用導体と接続された第１の導体パターン
と、前記絶縁フィルムの他方の主面に形成され前記接合
用導体上に位置するターミナル及びこのターミナルに接
続されたバンプ形成領域を有する第２の導体パターン
と、前記バンプ形成領域上に形成された半導体チップ接
続用金属バンプとを備え、前記金属バンプは前記導体パ
ターン面に対し実質的に垂直な側面を有する柱状体であ
ることを特徴とするバンプ付き二層回路テープキャリア
を提供する。
【００１０】上述のように、本発明のバンプ付き二層回
路テープキャリアにおいて、第２の導体パターンである
半導体チップ搭載側導体パターンは、第１の導体パター
ンである回路基板側導体パターンと接続するためのター
ミナルを有しており、ターミナルの下側の絶縁フィルム
には、ターミナルよりも小さい径の孔が形成されてい
る。接合用導体は、例えば、この孔内に露出する金属箔
上にメッキにより金属層を形成することにより得ること
ができ、この接合用導体を介してテープキャリアの半導
体チップ搭載側導体パターンと回路基板側導体パターン
との接続が行われる。
【００１１】本発明のバンプ付き二層回路テープキャリ
アによると、接続用導体を介して半導体チップを回路基
板の導体へと接続することができる。また、接合用導体
が形成された孔とは別にターミナルの下側の絶縁フィル
ムに孔を設け、この孔に半導体チップ搭載側導体パター
ンと回路基板とを接続するための接合用電極を形成して
もよい。すなわち、接合用導体及び接合用電極の双方を
介して半導体チップを回路基板の導体へと接続すること
も可能である。
【００１２】これら接合用導体及び接合用電極を構成す
る材料としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｓｎ合金（半田）
等を用いることが出来る。
【００１３】また、金属バンプを構成する材料として
は、Ｓｎ、Ｓｎ合金（半田）等が挙げられるが、特に半
田が好ましい。
【００１４】金属バンプ、接合用導体、及び接合用電極
は、いずれも多層構造を有するものとすることが出来
る。この場合、これらは、半田からなる最上層と、半田
よりも高い融点を有する金属、例えばＣｕ、Ｎｉからな
る下層とを含むものとすることが出来る。
【００１５】以上のように構成される本発明のバンプ付
き二層回路テープキャリアでは、金属バンプが、導体パ
ターン面に対し実質的に垂直な側面を有する柱状体によ
り構成されているため、従来の球状の半田バンプのよう
に、半導体チップを搭載した際に半田ブリッジが形成さ
れるようなことがなく、また、アンダーフィル樹脂の充
填も容易に行うことが出来る。
【００１６】また、本発明は、上記バンプ付きテープキ
ャリアの第１の製造方法として、貫通孔が設けられた絶
縁フィルムと、前記貫通孔内に形成された接合用導体
と、前記絶縁フィルムの一方の主面に形成され前記接合
用導体と接続された第１の導体パターンと、前記絶縁フ
ィルムの他方の主面に形成され前記接合用導体上に位置
するターミナル及びこのターミナルに接続されたバンプ
形成領域を有する第２の導体パターンと、前記バンプ形
成領域上に形成された半導体チップ接続用金属バンプと
を備えた、半導体チップを回路基板に搭載するためのバ
ンプ付き二層回路テープキャリアの製造方法であって、
一方の主面に第１の金属箔が設けられ他方の主面に第２
の金属箔が設けられた絶縁フィルムの前記第１の金属箔
上に樹脂層を形成し、この樹脂層をパターニングするこ
とにより得られる第１の樹脂パターンをマスクとして前
記第１の金属箔の露出部を選択的に除去することにより
前記第１の導体パターンを形成する工程、前記絶縁フィ
ルムに前記ターミナルよりも小さい径を有し且つ底面が
前記第２の金属箔で構成された孔を形成し、前記第１の
導体パターンを前記第１の樹脂パターンで被覆しつつ前
記第１の導体パターンが形成された面に第１の電気メッ
キを施すことにより前記孔内に前記接合用導体を形成す
る工程、前記第１の樹脂パターンを除去する工程、前記
第２の金属箔上に第２の樹脂パターンを形成し、前記絶
縁フィルムの前記第２の樹脂パターンが形成された面に
第２の電気メッキを施すことにより、前記第２の樹脂パ
ターンから露出する前記第２の金属箔上に前記第２の金
属箔とは異なる金属材料からなる金属パターンを形成す
る工程、前記第２の樹脂パターンを除去する工程、前記
絶縁フィルムの前記金属パターンが形成された面に第３
の樹脂パターンを形成し、前記絶縁フィルムの前記第３
の樹脂パターンが形成された面に第３の電気メッキを施
すことにより、前記第３の樹脂パターンから露出する前
記金属パターン上に前記金属バンプを形成する工程、前
記第３の樹脂パターンを除去する工程、および前記金属
パターンをマスクとして用いて前記金属箔をパターニン
グして金属箔パターンを形成することにより、前記第２
の導体パターンとして前記金属パターンと前記金属箔パ
ターンとの積層体を形成する工程を具備することを特徴
とするバンプ付き二層回路テープキャリアの製造方法を
提供する。
【００１７】この第１の製造方法においては、両面に金
属箔が設けられた絶縁フィルムが用いられる。また、こ
れら金属箔の一方のパターニングには金属パターンがマ
スクとして用いられ、それにより得られる金属箔パター
ンと金属パターンとの積層体が半導体チップ搭載側導体
パターンを構成する。
【００１８】更に、本発明は、バンプ付きテープキャリ
アの第２の製造方法として、貫通孔が設けられた絶縁フ
ィルムと、前記貫通孔内に形成された接合用導体と、前
記絶縁フィルムの一方の主面に形成され前記接合用導体
と接続された第１の導体パターンと、前記絶縁フィルム
の他方の主面に形成され前記接合用導体上に位置するタ
ーミナル及びこのターミナルに接続されたバンプ形成領
域を有する第２の導体パターンと、前記バンプ形成領域
上に形成された半導体チップ接続用金属バンプとを備え
た、半導体チップを回路基板に搭載するためのバンプ付
き二層回路テープキャリアの製造方法であって、一方の
主面に金属箔が設けられた絶縁フィルムに前記ターミナ
ルよりも小さい径を有し且つ底面が前記金属箔で構成さ
れた孔を形成し、前記金属箔が設けられた面の裏面に第
１の電気メッキを施すことにより前記孔内に前記接合用
導体を形成する工程、前記絶縁フィルムの前記金属箔が
設けられた面の裏面に無電解メッキによりまたは無電解
メッキと電気メッキとによりメッキ金属箔層を形成し、
このメッキ金属箔層をパターニングすることにより前記
第１の導体パターンを形成する工程、前記絶縁フィルム
の一方の主面に設けられた金属箔上に第１の樹脂パター
ンを形成し、前記絶縁フィルムの前記第１の樹脂パター
ンが形成された面に第２の電気メッキを施すことによ
り、前記第１の樹脂パターンから露出する前記金属箔上
に金属パターンを形成する工程、前記第１の樹脂パター
ンを除去する工程、前記絶縁フィルムの前記金属パター
ンが形成された面に第２の樹脂パターンを形成し、前記
絶縁フィルムの前記第２の樹脂パターンが形成された面
に第３の電気メッキを施すことにより、前記第２の樹脂
パターンから露出する前記金属パターン上に前記金属バ
ンプを形成する工程、前記第２の樹脂パターンを除去す
る工程、および前記金属パターンをマスクとして用いて
前記金属箔の露出部を選択的に除去して金属箔パターン
を形成することにより、前記第２の導体パターンとして
前記金属パターンと前記金属箔パターンとの積層体を形
成する工程を具備することを特徴とするバンプ付き二層
回路テープキャリアの製造方法を提供する。
【００１９】第２の製造方法においては、片面に金属箔
が設けられた絶縁フィルムが用いられる。第２の製造方
法において、回路基板側導体パターンは、接合用導体を
形成した後に、上記金属箔が設けられた面の裏面にメッ
キにより形成した金属箔層を用いて形成される。一方、
半導体チップ搭載側導体パターンは、絶縁フィルムに予
め設けられた金属箔上に金属パターンを形成し、この金
属パターンをマスクとして用いて上記金属箔をパターニ
ングすることにより形成される。すなわち、第１の製造
方法と同様に、第２の製造方法においても金属箔パター
ンと金属パターンとの積層体が半導体チップ搭載側導体
パターンを構成する。
【００２０】更に、本発明は、バンプ付きテープキャリ
アの第３の製造方法として、貫通孔が設けられた絶縁フ
ィルムと、前記貫通孔内に形成された接合用導体と、前
記絶縁フィルムの一方の主面に形成され前記接合用導体
と接続された第１の導体パターンと、前記絶縁フィルム
の他方の主面に形成され前記接合用導体上に位置するタ
ーミナル及びこのターミナルに接続されたバンプ形成領
域を有する第２の導体パターンと、前記バンプ形成領域
上に形成された半導体チップ接続用金属バンプとを備え
た、半導体チップを回路基板に搭載するためのバンプ付
き二層回路テープキャリアの製造方法であって、一方の
主面に第１の金属箔が設けられ他方の主面に第２の金属
箔が設けられた絶縁フィルム絶縁フィルムの前記第１の
金属箔上に樹脂層を形成し、この樹脂層をパターニング
することにより得られる第１の樹脂パターンをマスクと
して前記第１の金属箔の露出部を選択的に除去すること
により前記第１の導体パターンを形成する工程、前記絶
縁フィルムに前記ターミナルよりも小さい径を有し且つ
底面が前記第２の金属箔で構成された孔を形成し、前記
第１の導体パターンを前記第１の樹脂パターンで被覆し
つつ前記絶縁フィルムの前記第１の導体パターンが形成
された面に第１の電気メッキを施すことにより前記孔内
に前記接合用導体を形成する工程、前記第１の樹脂パタ
ーンを除去する工程、前記第２の金属箔上に第２の樹脂
パターンを形成し、前記絶縁フィルムの前記第２の樹脂
パターンが形成された面に第２の電気メッキを施すこと
により、前記第２の樹脂パターンから露出する前記第２
の金属箔上に前記金属バンプを形成する工程、前記第２
の樹脂パターンを除去する工程、前記絶縁フィルムの前
記金属バンプが形成された面に電着法により感光性樹脂
層を形成し、この感光性樹脂層をパターニングすること
により得られる第３の樹脂パターンをマスクとして用い
て前記第２の金属箔の露出部を選択的に除去することに
より前記第２の導体パターンを形成する工程、および前
記第３の樹脂パターンを除去する工程を具備することを
特徴とするバンプ付き二層回路テープキャリアの製造方
法を提供する。
【００２１】第３の製造方法においては、両面に金属箔
が設けられた絶縁フィルムが用いられる。また、第３の
製造方法においては、第２の金属箔のパターニングには
電着フォトレジスト法を用いて形成した樹脂パターンが
マスクとして用いられ、したがって、半導体チップ搭載
側導体パターンは金属箔のみからなる単層構造を有して
いる。
【００２２】更に、本発明は、バンプ付きテープキャリ
アの第４の製造方法として、貫通孔が設けられた絶縁フ
ィルムと、前記貫通孔内に形成された接合用導体と、前
記絶縁フィルムの一方の主面に形成され前記接合用導体
と接続された第１の導体パターンと、前記絶縁フィルム
の他方の主面に形成され前記接合用導体上に位置するタ
ーミナル及びこのターミナルに接続されたバンプ形成領
域を有する第２の導体パターンと、前記バンプ形成領域
上に形成された半導体チップ接続用金属バンプとを備え
た、半導体チップを回路基板に搭載するためのバンプ付
き二層回路テープキャリアの製造方法であって、一方の
主面に金属箔が設けられた絶縁フィルムに前記ターミナ
ルよりも小さい径を有し且つ底面が前記金属箔で構成さ
れた孔を形成し、前記金属箔が設けられた面の裏面に第
１の電気メッキを施すことにより前記孔内に前記接合用
導体を形成する工程、前記絶縁フィルムの前記金属箔が
設けられた面の裏面に無電解メッキによりまたは無電解
メッキと電気メッキとによりメッキ金属箔層を形成し、
このメッキ金属箔層をパターニングすることにより前記
第１の導体パターンを形成する工程、前記絶縁フィルム
の一方の主面に設けられた金属箔上に第１の樹脂パター
ンを形成し、前記絶縁フィルムの前記第１の樹脂パター
ンが形成された面に第２の電気メッキを施すことによ
り、前記第１の樹脂パターンから露出する前記金属箔上
に前記金属バンプを形成する工程、前記第１の樹脂パタ
ーンを除去する工程、前記絶縁フィルムの前記金属バン
プが形成された面に電着法により感光性樹脂層を形成
し、この感光性樹脂層をパターニングすることにより得
られる第２の樹脂パターンをマスクとして用いて前記金
属箔の露出部を選択的に除去することにより前記第２の
導体パターンを形成する工程、及び前記第２の樹脂パタ
ーンを除去する工程を具備することを特徴とするバンプ
付き二層回路テープキャリアの製造方法を提供する。
【００２３】第４の製造方法においては、片面に金属箔
が設けられた絶縁フィルムが用いられる。また、第４の
製造方法においては、半導体チップ搭載側導体パターン
を形成するためのマスクとして用いられる樹脂パターン
は、電着フォトレジスト法によって形成され、半導体チ
ップ搭載側導体パターンは金属箔のみからなる単層構造
を有している。
【００２４】以上挙げた４つの製造方法によると、金属
バンプ形成に従来の方法のようにソルダーレジストを用
いないため、金属バンプを高く形成する必要がなく、従
って金属バンプの形成が容易であり、かつ形成のための
時間が短時間ですみ、その結果、製造コストを低減する
ことが可能である。また、既に完成した基板にバンプを
形成することは非常に困難であるが、本発明の方法によ
ると、基板の製造工程中にバンプを形成するので、バン
プの形成を容易に行うことが出来る。
【００２５】上述した第２および第４のバンプ付き二層
回路テープキャリアの製造方法において、回路基板側導
体パターンを形成する工程は、接合用導体を形成する工
程よりも後であれば、どの段階で行ってもよい。
【００２６】上記第１〜第４の製造方法によると、絶縁
フィルムに、半導体チップ搭載側導体パターンのターミ
ナルよりも小さい径の孔が形成され、電気メッキによ
り、孔内に露出する半導体チップ搭載側金属箔上に接合
用導体である金属層が形成される。この場合の金属層と
して、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｓｎ合金（半田）等を用いる
ことができる。また、接合用導体は多層構造を有するこ
とが可能である。
【００２７】また、金属パターンとして、Ｎｉ、Ｓｎ、
Ｓｎ合金（半田）等を用いることができる。
【００２８】金属バンプはＳｎ、半田（Ｓｎ合金等）等
を用いることが出来る。また、金属バンプは、多層構造
を有することが可能で、この場合、下層として融点が高
い金属であることが望ましい。前記電気メッキを２回以
上に分けて施すことにより、多層構造の金属バンプおよ
び接合用導体の金属層を形成することができる。この場
合の最上層は、溶融接合に適する半田、Ｓｎ等により構
成し、下層は最上層の金属より融点の高い金属（Ｃｕ、
Ｎｉ、Ｓｎ、半田等）により構成する。
【００２９】なお、絶縁フィルムへの孔の形成は、例え
ばレーザーにより行うことが出来る。
【００３０】また、絶縁フィルムに形成される孔は、半
導体チップ搭載側金属箔（導体パターンのターミナル）
とは反対側に向かって広がるように、１５°以上、好ま
しくは４５°以上のテーパ角の内壁を有することが望ま
しい。このようなテーパ角の内壁を有する孔は、絶縁フ
ィルムに小エネルギーの炭酸ガスレーザを、多いパルス
数で照射することにより、または絶縁フィルムに、炭酸
ガスレーザをディフォーカスして照射することにより、
形成することが可能である。
【００３１】炭酸ガスレーザによる孔あけのエネルギー
密度は、絶縁フィルムの材質、厚み、孔のサイズによっ
て異なることから、適宜設定することが出来る。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
一実施形態に係るバンプ付き二層回路テープキャリアに
ついて説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る金
属バンプ付き二層回路テープキャリアを概略的に示す断
面図である。図１において、絶縁フィルム１１の一方の
主面には半導体チップ搭載側銅パターン１２が形成され
ており、この半導体チップ搭載側銅パターン１２のバン
プ形成領域上に半田、Ａｕ、Ｓｎ、Ｓｎ合金等からなる
金属バンプ１３が形成されている。
【００３３】絶縁フィルム１１には、回路基板と接続す
る部分に、半導体チップ搭載側銅パターン１２のターミ
ナル（図２のターミナル５１）より小さい径の孔が形成
されていて、この孔に埋め込まれた金属が接合用電極１
４を形成している。この接合用電極１４は、銅、ニッケ
ル、半田等のメッキによって形成され、接合用電極上に
供給された半田ボールやクリーム半田を介して回路基板
の導体と接続される。
【００３４】更に、絶縁フィルム１１には、半導体チッ
プ搭載側銅パターン１２が形成された面の裏面に回路基
板側導体パターン１５が形成されている。絶縁フィルム
１１の回路基板側導体パターン１５と接続する部分に
は、半導体チップ搭載側導体パターン１２のターミナル
（図２のターミナル５１）より小さい孔が形成されてい
て、この孔に充填された金属が接合用導体１６を形成し
ている。
【００３５】このような構造を採用した場合、回路基板
側導体パターン１５の一部として任意の場所に回路基板
接続用パッド（図２のパッド１７）を形成し、そのパッ
ド上に供給された半田ボールやクリーム半田を介して回
路基板の導体と接続することができる。従って、半導体
チップ搭載側銅パターン１２や回路基板の回路設計の自
由度を高めることが可能となる。
【００３６】本実施形態に係るテープキャリアの斜視図
を図２に示す。図２の上方にはテープキャリアを表側か
ら見た図が描かれており、下方には裏側から見た図が描
かれている。図２において、半導体チップ搭載側銅パタ
ーン１２は、回路基板の導体と垂直方向において電気的
に接続する箇所にターミナル５１を有しており、これら
ターミナル５１の下の絶縁フィルム１１には、ターミナ
ル５１よりも径の小さい孔が形成されている。この孔に
形成した半田、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｓｎ合金等が接合用
電極１４及び接合用導体１６を形成している。
【００３７】接合用電極１４や接合用パッド１７或いは
接合用導体１６の上には、半田ボール（図示せず）が形
成されていて、この半田ボールを介して回路基板の導体
と接続される。
【００３８】このように構成される金属バンプ付きテー
プキャリアでは、金属バンプ１３は、側面がストレート
の円柱状である。なお、円柱に限らず、断面が多角形の
角柱状でもよい。このように、金属バンプ１３が、側面
がストレートの柱状形状を有しているため、図２３に示
す従来のテープキャリアの球状の金属バンプとは異な
り、金属バンプ同士のピッチが小さくなり、金属バンプ
間の距離が短くなったとしても、ブリッジが形成される
ようなことはなく、また、アンダーフィル樹脂の充填が
困難となることもない。
【００３９】また、金属バンプのブリッジを防ぐソルダ
ーレジストを設けずに半導体チップ搭載側銅パターン１
２上に直接金属バンプ１３を形成しているので、金属バ
ンプを高く形成する必要がないため、金属バンプの形成
が容易であり、かつ形成のための時間が短時間ですむと
いう利点がある。
【００４０】更に、一般に銅パターンを構成するＣｕ箔
の厚さは１０〜１８μｍと薄く、このように薄い銅パタ
ーンに半田を接続した構造では、銅パターンに応力が加
わり、銅パターンが破断してしまう。それに対し、絶縁
フィルム１１の回路基板と接続する部分に半導体チップ
搭載側銅パターン１２のターミナル（図２のターミナル
５１）より小さい径の孔を形成し、この孔にＣｕ、Ｎｉ
等のめっきによる金属層を形成した本実施形態の構造で
は、この金属層が補強となって、銅パターンの破断が防
止される。
【００４１】また、一般に、ＢＧＡ用ターミナル部に
は、実装用外部端子としての半田ボールが接続される。
この半田ボールは、ターミナル部にフラックスを塗布
し、その上に半田ボールを載置した後、半田ボールを加
熱溶融することにより形成される。
【００４２】しかし、ターミナルは、絶縁フィルムに形
成された孔の底部に存在するため、上述のように半田ボ
ールをターミナル部に形成する際、半田ボールとターミ
ナルとが接触不良となるオープン不良が生じたり、孔内
の空気が溶融した半田中にボイドとして残存するという
問題が生ずる。
【００４３】これに対し、絶縁フィルム１１の孔内に接
合用電極１４や接合用導体１６を形成した構造では、半
田ボールは、接合用電極１４及び接合用導体１６と確実
に接触し、接続されるため、オープン不良が生じること
はない。また、絶縁フィルム１１の孔内には既に接合用
電極１４や接合用導体１６が充填されているので、孔内
の空気が溶融した半田中にボイドとして残存するという
問題が生じることはない。
【００４４】絶縁フィルム１１に形成される孔は、銅パ
ターン１２とは反対側に向かって広がるように、１５°
以上、好ましくは４５°以上のテーパ角の内壁を有する
ものとすることが出来る。このように、絶縁フィルム１
１にテーパ状の内壁を有する孔を形成し、この孔に接合
用電極１４や接合用導体１６を埋め込み、更にこの接合
用電極１４や接合用導体１６の上に半田ボールを形成す
ることにより、次のような効果が得られる。
【００４５】すなわち、絶縁フィルム１１に銅パターン
１２とは反対側に向かって広がるテーパ状の内壁を有す
る孔を形成したテープキャリアと、絶縁フィルム１１に
垂直な内壁を有する孔を形成したテープキャリアとで
は、はんだボールとの接合部の開口径を同一の寸法とし
た場合、孔のターミナル５１の側の径は、後者に比べ、
前者においてより小さくなる。従って、ターミナル５１
のピッチが同一である場合、上記孔をテーパ状の内壁を
有するように形成することにより、ターミナル５１間の
配線を増やすことが出来、そのため、テープキャリア上
に配線スペースが足りないためにターミナル５１を配置
することが出来ず、無駄になっていたスペースを有効に
利用することが出来る。
【００４６】また、絶縁フィルム１１に垂直な内壁を有
する孔を形成した場合には、半田ボールは、絶縁フィル
ム１１の孔内に充填された接合用電極１４や接合用導体
１６との接合部においてくびれが生じ、このくびれ部分
に応力歪みが集中し、その結果、クラックの発生を招く
可能性がある。
【００４７】これに対し、絶縁フィルム１１にテーパ状
の内壁を有する孔を形成した場合には、半田ボールと接
合用電極１４或いは接合用導体１６との接合部にくびれ
が生じることがないため、その部分における応力歪みの
集中が緩和され、接合強度が良好な、信頼性の高いはん
だ接合部を得ることが出来る。
【００４８】以上説明したテープキャリアに対し、半導
体チップ（図示せず）が接合され、半導体パッケージが
得られる。この半導体パッケージは、接合用電極１４や
接合用パッド１７或いは接合用電極を介して回路基板
（図示せず）上に実装される。その結果として得られた
実装構造では、回路基板の熱膨脹による応力がテープキ
ャリアの変形により緩和され、その結果、回路基板と半
導体チップとの接続を、高い信頼性および低コストで実
現することが出来た。
【００４９】次に、以上説明した金属バンプ付き二層回
路テープキャリアの製造方法について説明する。
【００５０】（第１の製造方法）最初に、半導体チップ
搭載側導体パターンを金属マスク法によって形成する金
属バンプ付き二層回路テープキャリアの第１の製造方法
並びにそれを用いた半導体パッケージの製造方法につい
て、図３〜図７を参照して、工程順に説明する。
【００５１】まず、図３（ａ）に示すように、例えば、
厚さ５０μｍのポリイミドフィルム１１の両面に厚さ１
８μｍの銅箔１２ａ，１５を有する材料を用意する。次
いで、図３（ｂ）に示すように、半導体チップを実装す
る面とは反対の面の銅箔１５上に、例えば厚さが２５μ
ｍのネガタイプ感光性ドライフィルム２０をラミネート
する。このとき、半導体チップを実装する面の銅箔１２
ａは保護フィルム２１で保護しておく。次いで、図３
（ｃ）に示すように、導体回路がネガパターンとなり、
さらに、半導体チップを実装する面の導体パターンと接
続する部分及び半田ボールやクリーム半田を介して回路
基板の導体と接続される接合用電極１４の部分がポジパ
ターンとなるマスク２２を通して感光性ドライフィルム
２０を露光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプ
を用い、照射量は８０ｍＪ／ｃｍ2とした。
【００５２】次に、図３（ｄ）に示すように、感光性ド
ライフィルム２０を液温を３０℃とした１重量％のＮａ
2ＣＯ3水溶液を用いて現像し、エッチングレジストパタ
ーンを形成した。そして、図３（ｅ）に示すように、感
光性ドライフィルム２０をエッチングレジストとして銅
箔１５をアルカリエッチングし、所望の導体パターンを
形成する。
【００５３】そして、図４（ｆ）に示すように、接合用
電極と接合用導体を形成する部分に、炭酸ガスレーザを
用いて、銅箔１２ａに達する１５０μｍ径の孔をポリイ
ミドフィルム１１に形成した。炭酸ガスレーザによる穴
明け時に孔およびその周辺に付着したカーボンは、ブラ
スト処理によって機械的に除去した。
【００５４】次に、図４（ｇ）に示すように、最初にＮ
ｉ電気メッキを行ったのち半田メッキ（ＡＳ５１３系
石原薬品社製）をして接合用電極１４および接合用導体
１６を形成した。
【００５５】そして、図４（ｈ）に示すように、感光性
ドライフィルム２０を剥離し、その後、保護フィルム２
５をラミネートした。剥離液としては、液温４５℃の３
重量％ＮａＯＨ水溶液を用いた。さらに、あらかじめ半
導体チップ実装面の銅箔１２ａを保護するために貼って
おいた保護フィルム２１を剥離した。
【００５６】次に、図５（ｉ）に示すように、半導体チ
ップを実装する面の銅箔１２ａ上に例えば厚さが２５μ
ｍのネガタイプ感光性ドライフィルムレジスト２６をラ
ミネートした後、図５（ｊ）に示すように、導体回路が
ポジパターンとなるマスク２７を通して感光性ドライフ
ィルム２６を露光した。露光光源としては、超高圧水銀
ランプを用い、照射量は８０ｍＪ／ｃｍ2とした。次
に、図５（ｋ）に示すように、感光性ドライフィルム２
６を液温を３０℃とした１重量％のＮａ2ＣＯ3水溶液を
用いて現像し、パターンメッキレジストパターンを形成
した。
【００５７】そして、図５（ｌ）に示すようにＮｉを電
気メッキし、銅箔１２ａの表面に、厚さ４μｍのＮｉパ
ターン１２ｂを形成した。メッキ浴としては、Ｓ−６０
０系（商品名：上村工業社製）を用いた。この際、半導
体チップを実装するのに必要な、自動アライメント用認
識マークを同時に形成することができ、画像処理の多値
化レベルが１００／２５６階調以上となる光沢ニッケル
めっきで認識マークを形成することで、自動アライメン
ト方式のチップ実装に対応出来る。
【００５８】次に、図６（ｍ）に示すように、感光性ド
ライフィルム２６を剥離した。剥離液としては、液温４
５℃の３重量％ＮａＯＨ水溶液を用いた。その後、図６
（ｎ）に示すように、Ｎｉパターン１２ｂ上に厚さ２５
μｍのネガタイプ感光性ドライフィルム３０をラミネー
トした。
【００５９】その後、図６（ｏ）に示すように、半導体
の電極パッドと接続するための金属バンプを電気メッキ
法で形成するために、金属バンプ部がポジパターンとな
るマスク３１を通して感光性ドライフィルム３０を露光
した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照
射量は９０ｍＪ／ｃｍ2とした。次に、図６（ｐ）に示
すように、感光性ドライフィルム３０を液温を３０℃と
した１重量％のＮａ2ＣＯ3水溶液を用いて現像した。
【００６０】次いで、図７（ｑ）に示すように、ＡＳ５
１３系（商品名：石原薬品社製）を用いて錫６鉛４の組
成の半田を電気メッキして、厚さ１５μｍの半田パンプ
１３を形成した。その後、図７（ｒ）に示すように、感
光性ドライフィルム３０を剥離した。剥離液としては、
液温４５℃の３重量％ＮａＯＨ水溶液を用いた。そし
て、図７（ｓ）に示すように、Ｎｉパターン１２ｂをエ
ッチングレジストとして銅箔１２ａをアルカリエッチン
グして、銅箔パターン１２ａとＮｉパターン１２ｂとの
積層構造からなる導体パターン１２を形成した。さら
に、保護フィルム２５を剥離することで、図１に示した
のと同様の構造を有するテープキャリアが得られた。
【００６１】そして、図７（ｔ）に示すように、別途準
備した半導体チップ３２を、以上説明した図７（ｓ）に
示すテープキャリアに搭載した。半導体チップ３２は、
周辺部にアルミニウムパッドを有し、このアルミニウム
パッドの表面にワイヤーボンディングを用いてＡｕバン
プが形成されている。
【００６２】さらに、図７（ｕ）に示すように、半導体
チップ３２とテープキャリアとの間隙に熱硬化性樹脂、
例えばエポキシ樹脂をアンダーフィル３３として充填し
て、テープキャリアと半導体チップ３２との接続構造を
得た。
【００６３】以上の製造工程では、Ｎｉパターン１２ｂ
上に半田バンプ１３を形成したテープキャリアを用いて
いるため、位置合わせ／半導体チップの搭載／リフロー
加熱といった一連の工程により、このテープキャリア上
に、アルミニウムパッドの表面に半田バンプ１３と合金
化するＡｕバンプを形成している半導体チップ３２を、
一括して実装することが可能である。
【００６４】なお、半導体チップ３２を実装したテープ
キャリアは、その後、個々に切り出される。
【００６５】以上説明した、半導体チップ搭載側導体パ
ターンを金属マスク法によって形成する金属バンプ付き
二層回路テープキャリアの第１の製造方法によると、導
体パターン面に対し実質的に垂直な側面を有する柱状体
からなる金属バンプを備えた金属バンプ付きテープキャ
リアを容易に得ることが可能である。また、既に完成し
た基板上にではなく、基板の製造過程中にバンプを形成
しているので、金属バンプの形成を容易に行うことが出
来る。
【００６６】（第２の製造方法）以上、両面に予め金属
箔が設けられた絶縁フィルムを用いたが、片面のみに金
属箔が設けられた絶縁フィルムを用いることもできる。
また、上述した第１の製造方法では、半導体チップ搭載
側導体パターンを金属マスク法により形成したが、他の
方法を用いることも可能である。以下に、片面のみに金
属箔が設けられた絶縁フィルムを用い、回路基板側導体
パターンを形成するための金属箔をメッキによって形成
する金属バンプ付き二層回路テープキャリアの第２の製
造方法について、図８〜図１２を参照して説明する。
【００６７】まず、図８（ａ）に示すように、ガラスク
ロスにエポキシを含浸させた厚さ５０μｍの絶縁層（ガ
ラスエポキシ層）１１の片面に厚さ１８μｍの銅箔１２
ａを有する材料を用意する。
【００６８】そして、図８（ｂ）に示すように、接合用
電極と接合用導体を形成する部分に、炭酸ガスレーザを
用いて、銅箔１２ａに達する１５０μｍ径の孔をガラエ
ポ層１１に形成した。炭酸ガスレーザによる穴明け時に
孔およびその周辺に付着したカーボンは、ブラスト処理
によって機械的に除去した。
【００６９】次に、図８（ｃ）に示すように、最初にＮ
ｉ電気メッキを行い接合用電極１４および接合用導体１
６を形成した。更に図８（ｄ）に示すように、半導体チ
ップ実装面の銅箔をフィルム２１で保護した後、接合用
電極１４と接合用導体１６を含むガラスエポキシ層１１
の全面に無電解銅メッキと電解銅メッキを施し、厚さ１
０μｍのメッキ金属箔層１５を形成する。
【００７０】次いで、図９（ｅ）に示すように、メッキ
金属箔１５上に厚さ２５μｍのネガタイプ感光性ドライ
フィルム２０をラミネートする。次いで、図９（ｆ）に
示すように、導体回路がネガパターンとなり、さらに、
半田ボールやクリーム半田を介して回路基板の導体と接
続される接合用電極１４の部分がポジパターンとなるマ
スク２２を通して感光性ドライフィルム２０を露光し
た。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射
量は８０ｍＪ／ｃｍ2とした。
【００７１】次に、図９（ｇ）に示すように、感光性ド
ライフィルム２０を液温を３０℃とした１重量％のＮａ
2ＣＯ3水溶液を用いて現像し、エッチングレジストパタ
ーンを形成した。そして、図９（ｈ）に示すように、感
光性ドライフィルム２０をエッチングレジストとして銅
箔１５をアルカリエッチングし、所望の導体パターンを
形成し、感光性ドライフィルム２０を剥離した。剥離液
としては、液温４５℃の３重量％ＮａＯＨ水溶液を用い
た。その後、あらかじめ半導体チップ実装面の銅箔１２
ａを保護するために貼っておいた保護フィルム２１を剥
離した。
【００７２】次に図１０（ｉ）に示すように、回路基板
側導体導体パターン１５をフィルム２５で保護し、半導
体チップを実装する面の銅箔１２ａ上に厚さ２５μｍの
ネガタイプ感光性ドライフィルムレジスト２６をラミネ
ートした後、図１０（ｊ）に示すように、導体回路がポ
ジパターンとなるマスク２７を通して感光性ドライフィ
ルム２６を露光した。露光光源としては、超高圧水銀ラ
ンプを用い、照射量は８０ｍＪ／ｃｍ2とした。次に、
図１０（ｋ）に示すように、感光性ドライフィルム２６
を液温を３０℃とした１重量％のＮａ2ＣＯ3水溶液を用
いて現像し、パターンメッキレジストパターンを形成し
た。
【００７３】そして、図１０（ｌ）に示すようにＮｉを
電気メッキし、銅箔１２ａの表面に、厚さ４μｍのＮｉ
パターン１２ｂを形成した。メッキ浴としては、Ｓ−６
００系（商品名：上村工業社製）を用いた。
【００７４】次に、図１１（ｍ）に示すように、感光性
ドライフィルム２６を剥離した。剥離液としては、液温
４５℃の３重量％ＮａＯＨ水溶液を用いた。その後、図
１１（ｎ）に示すように、Ｎｉパターン１２ｂ上に厚さ
２５μｍのネガタイプ感光性ドライフィルム３０をラミ
ネートした。
【００７５】その後、図１１（ｏ）に示すように、半導
体の電極パッドと接続するための金属バンプを電気メッ
キ法で形成するために、金属バンプ部がポジパターンと
なるマスク３１を通して感光性ドライフィルム３０を露
光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、
照射量は９０ｍＪ／ｃｍ2とした。次に、図１１（ｐ）
に示すように、感光性ドライフィルム３０を液温を３０
℃とした１重量％のＮａ2ＣＯ3水溶液を用いて現像し
た。
【００７６】次いで、図１２（ｑ）に示すように、錫９
７銀３の組成の半田を電気メッキして、厚さ１５μｍの
半田パンプ１３を形成した。その後、図１２（ｒ）に示
すように、感光性ドライフィルム３０を剥離した。剥離
液としては、液温４５℃の３重量％ＮａＯＨ水溶液を用
いた。そして、図１２（ｓ）に示すように、Ｎｉパター
ン１２ｂをエッチングレジストとして銅箔１２ａをアル
カリエッチングすることにより、銅箔パターン１２ａと
Ｎｉパターン１２ｂとの積層構造からなる導体パターン
１２を形成した。さらに、保護フィルム２５を剥離する
ことで、図１に示したのと同様の構造を有するテープキ
ャリアが得られた。
【００７７】（第３の製造方法）次に、両面に予め金属
箔が設けられた絶縁フィルムを用い、半導体チップ搭載
側導体パターンを電着フォトレジスト法によって形成す
る金属バンプ付きテープキャリアの第３の製造方法につ
いて、図１３〜図１７を参照して説明する。
【００７８】まず、図１３（ａ）に示すように、厚さ５
０μｍの芳香族系液晶ポリマーフィルム（商品名：クラ
レ社製ベクトラ）１１の両面に厚さ１８μｍの銅箔１
２，１５を有する材料を用意する。次いで、図１３
（ｂ）に示すように、半導体チップを実装する面とは反
対の面の銅箔１５上に厚さ２５μｍのネガタイプ感光性
ドライフィルム２０をラミネートする。このとき、半導
体チップを実装する面の銅箔１２は保護フィルム２１で
保護しておく。次いで、図１３（ｃ）に示すように、導
体回路がネガパターンとなり、さらに、半導体チップを
実装する面の導体パターンと接続する部分及び半田ボー
ルやクリーム半田を介して回路基板の導体と接続される
接合用電極１４の部分がポジパターンとなるマスク２２
を通して感光性ドライフィルム２０を露光した。露光光
源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は８０ｍ
Ｊ／ｃｍ2とした。
【００７９】次に、図１３（ｄ）に示すように、感光性
ドライフィルム２０を液温を３０℃とした１重量％のＮ
ａ2ＣＯ3水溶液を用いて現像し、エッチングレジストパ
ターンを形成した。そして、図１３（ｅ）に示すよう
に、感光性ドライフィルム２０をエッチングレジストと
して銅箔１５をアルカリエッチングし、所望の導体パタ
ーンを形成する。
【００８０】そして、図１４（ｆ）に示すように、接合
用電極と接合用導体を形成する部分に、炭酸ガスレーザ
を用いて、銅箔１２に達する１５０μｍ径の孔をフィル
ム１１に形成した。炭酸ガスレーザによる穴明け時に孔
およびその周辺に付着したカーボンは、ブラスト処理に
よって機械的に除去した。
【００８１】次に、図１４（ｇ）に示すように、最初に
Ｃｕ電気メッキを行ったのち半田メッキ（ＡＳ５１３系
石原薬品社製）をして接合用電極１４および接合用導
体１６を形成した。
【００８２】そして、図１４（ｈ）に示すように、感光
性ドライフィルム２０を剥離し、その後、保護フィルム
２５をラミネートした。剥離液としては、液温４５℃の
３％質量ＮａＯＨ水溶液を用いた。さらにあらかじめ半
導体チップ実装面の銅箔１２を保護するために貼ってお
いた保護フィルム２１を剥離した。
【００８３】次に図１５（ｉ）に示すように、半導体チ
ップを実装する面の銅箔１２上に厚さ２５μｍのネガタ
イプ感光性ドライフィルムレジスト３０をラミネートし
た後、図１５（ｊ）に示すように、半導体の電極パッド
と接続するための金属バンプを電気メッキ法で形成する
ために、金属バンプ部がポジパターンとなるマスク３１
を通して感光性ドライフィルム３０を露光した。露光光
源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は９０ｍ
Ｊ／ｃｍ2とした。次に、図１５（ｋ）に示すように、
感光性ドライフィルム３０を液温を３０℃とした１重量
％のＮａ2ＣＯ3水溶液を用いて現像した。
【００８４】次いで、図１５（ｌ）に示すように、Ｃｕ
の電気メッキを行って厚さ１５μｍのＣｕバンプ１３ａ
を形成した後、ＡＳ５１３系（商品名：石原薬品社製）
を用いて錫６鉛４の組成の半田を電気メッキして、厚さ
５μｍの半田バンプ１３ｂを形成した。すなわち、多層
構造の金属バンプ１３を形成した。その後、図１６
（ｍ）に示すように、感光性ドライフィルム３０を剥離
した。剥離液としては、液温４５℃の３％ＮａＯＨ水溶
液を用いた。
【００８５】図１６（ｎ）に示すように、半導体チップ
搭載側銅箔１２に導体パターンを形成するために、電着
フォトレジスト３５（プライムコートＡＮ−３００：関
西ペイント社製）を電着塗工し、８０℃で１０分間の乾
燥を行った。
【００８６】その後、図１６（ｏ）に示すように、導体
回路がネガパターンとなるマスク２７を通して電着フォ
トレジスト３５を露光した。露光光源としては、超高圧
水銀ランプを用い、照射量は１００ｍＪ／ｃｍ2とし
た。
【００８７】そして、電着フォトレジスト３５を現像
し、図１６（ｐ）に示すように、電着フォトレジストパ
ターンを形成した。現像液としては、液温を３０℃とし
た１重量％のＮａ2ＣＯ3水溶液を用いた。次いで、図１
７（ｑ）に示すように、電着フォトレジストパターン３
５をマスクとして用いて、銅箔１２の露出した部分をア
ルカリエッチング溶液によりエッチングし、回路パター
ンを形成した。
【００８８】その後、図１７（ｒ）に示すように、電着
フォトレジストパターン３５を液温液温４５℃の３％Ｎ
ａＯＨ水溶液剥離液により剥離し、さらに保護フィルム
２５を剥離することで、図１に示したのと同様の構造を
有する金属バンプ付き二層回路テープキャリアが得られ
た。
【００８９】（第４の製造方法）次に、回路基板側導体
パターンを形成するための金属箔をメッキによって形成
して、半導体チップ搭載側の導体パターンを電着フォト
レジスト法によって形成する金属バンプ付きテープキャ
リアの第４の製造方法について、図１８〜図２２を参照
して説明する。
【００９０】まず、図１８（ａ）に示すように、ガラス
クロスにエポキシを含浸した厚さ５０μｍの絶縁層（ガ
ラスエポキシ層）１１の片面に厚さ１８μｍの銅箔１２
を有する材料を用意する。
【００９１】そして、図１８（ｂ）に示すように、接合
用電極と接合用導体を形成する部分に、炭酸ガスレーザ
を用いて、銅箔１２に達する１５０μｍ径の孔をガラエ
ポ層１１に形成した。炭酸ガスレーザによる穴明け時に
孔およびその周辺に付着したカーボンは、ブラスト処理
によって機械的に除去した。
【００９２】次に、図１８（ｃ）に示すように、最初に
Ｎｉ電気メッキを行い接合用電極１４および接合用導体
１６を形成した。更に図１８（ｄ）に示すように、半導
体チップ実装面の銅箔１２をフィルム２１で保護した
後、接合用電極１４と接合用導体１６を含むガラスエポ
キシ層１１の全面に無電解銅メッキと電解銅メッキを施
し、厚さ１０μｍのメッキ金属箔層１５を形成する。
【００９３】次いで、図１９（ｅ）に示すように、メッ
キ金属箔１５上に厚さ２５μｍのネガタイプ感光性ドラ
イフィルム２０をラミネートする。次いで、図１９
（ｆ）に示すように、導体回路がネガパターンとなり、
さらに半田ボールやクリーム半田を介して回路基板の導
体と接続される接合用電極１４の部分がポジパターンと
なるマスク２２を通して感光性ドライフィルム２０を露
光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、
照射量は８０ｍＪ／ｃｍ2とした。
【００９４】次に、図１９（ｇ）に示すように、感光性
ドライフィルム２０を液温を３０℃とした１重量％のＮ
ａ2ＣＯ3水溶液を用いて現像し、エッチングレジストパ
ターンを形成した。そして、図１９（ｈ）に示すよう
に、感光性ドライフィルム２０をエッチングレジストと
して銅箔１５をアルカリエッチングし、所望の導体パタ
ーンを形成し、感光性ドライフィルム２０を剥離した。
剥離液としては、液温４５℃の３％質量ＮａＯＨ水溶液
を用いた。さらにあらかじめ半導体チップ実装面の銅箔
１２を保護するために貼っておいた保護フィルム２１を
剥離した。
【００９５】次に、図２０（ｉ）に示すように、回路基
板側導体導体パターン１５をフィルム２５で保護し、半
導体チップを実装する面の銅箔１２上に厚さ２５μｍの
ネガタイプ感光性ドライフィルムレジスト３０をラミネ
ートした。その後、図２０（ｊ）に示すように、半導体
の電極パッドと接続するための金属バンプを電気メッキ
法で形成するために、金属バンプ部がポジパターンとな
るマスク３１を通して感光性ドライフィルム３０を露光
した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照
射量は９０ｍＪ／ｃｍ2とした。次に、図２０（ｋ）に
示すように、感光性ドライフィルム３０を液温を３０℃
とした１重量％のＮａ2ＣＯ3水溶液を用いて現像した。
【００９６】次いで、図２０（ｌ）に示すように、Ｎｉ
の電気メッキを行って厚さ１５μｍのＮｉバンプ１３ａ
を形成した後、錫９銅１の組成の半田を電気メッキし
て、厚さ５μｍの半田パンプ１３ｂを形成した。すなわ
ち、多層構造の金属バンプ１３を形成した。その後、図
２１（ｍ）に示すように、感光性ドライフィルム３０を
剥離した。剥離液としては、液温４５℃の３％ＮａＯＨ
水溶液を用いた。
【００９７】図２１（ｎ）に示すように、半導体チップ
搭載側銅箔１２に導体パターンを形成するために、電着
フォトレジスト３５（プライムコートＡＮ−３００：関
西ペイント社製）を電着塗工し、８０℃で１０分間の乾
燥を行った。
【００９８】その後、図２１（ｏ）に示すように、導体
回路がネガパターンとなるマスク２７を通して電着フォ
トレジスト３５を露光した。露光光源としては、超高圧
水銀ランプを用い、照射量は１００ｍＪ／ｃｍ2とし
た。
【００９９】そして、電着フォトレジスト３５を現像
し、図２１（ｐ）に示すように、電着フォトレジストパ
ターンを形成した。現像液としては、液温を３０℃とし
た１重量％のＮａ2ＣＯ3水溶液を用いた。次いで、図２
２（ｑ）に示すように、電着フォトレジストパターン３
５をマスクとして用いて、銅箔１２の露出した部分をア
ルカリエッチング溶液によりエッチングし、回路パター
ンを形成した。
【０１００】その後、図２２（ｒ）に示すように、電着
フォトレジストパターン３５を液温液温４５℃の３重量
％ＮａＯＨ水溶液剥離液により剥離し、さらに保護フィ
ルム２５を剥離して、図１に示したのと同様の構造を有
する金属バンプ付き二層回路テープキャリアが得られ
た。
【０１０１】以上のように半導体チップ搭載側導体パタ
ーン１２を電着フォトレジスト法で形成する第３および
第４の製造方法によると、図１に示す金属バンプ付き二
層回路テープキャリアを、金属マスク法を用いた第１の
製造方法に比べて、更に簡略化された製造工程で得るこ
とが出来る。
【０１０２】以上説明した本発明のバンプ付きテープキ
ャリアおよびその製造方法によると、以下のような優れ
た効果を得ることができる。
【０１０３】既に説明したように、金属バンプにおいて
バンプ形状が球状の場合、バンプ部の導体パッド幅より
もバンプ径は大きくなる。従って、バンプ同士のピッチ
が小さくなった場合、バンプ同士がブリッジを形成する
恐れがある。また、バンプ同士の間隔が小さくなると、
アンダーフィルの充填性が悪くなり、歩留まりの低下、
コスト増を招いてしまう。
【０１０４】これに対し、本発明のテープキャリアで
は、金属バンプが柱状体であるため、バンプ自体が幅方
向に広がらないことから、上述のような問題は発生せ
ず、バンプピッチを小さくすることが出来る。
【０１０５】また、接合電極部は、ヒートサイクル試験
時において回路基板と半導体装置との線膨脹係数の相違
に起因する応力が作用し、最終的には破断してしまう。
【０１０６】これに対し、本発明のテープキャリアにお
いて、特に金属バンプと接合電極部の金属層を多層構造
とし、最上層を半田とし、その下層を半田よりも高い融
点を有する金属により構成する場合、下層は回路基板上
に半導体装置を回路接続する際の熱で溶融することがな
いため、接合電極部の厚さが厚くなり、それによって機
械的な強度を改善することが出来る。その結果、接合電
極部の破断に至る寿命を延ばすことが出来る。
【０１０７】また、金属バンプ部においても、最上層を
半導体チップとの接合用半田により構成し、その下層を
半田接続時の熱によって溶融しない金属により構成する
場合には、この高融点金属層がスペーサ効果をなし、半
導体チップと導体パターン間の間隙を確保することが出
来る。これにより、アンダーフィル樹脂の充填性が改善
されて、バンプ接合部の信頼性を確保することが出来
る。
【０１０８】また、本発明のバンプ付きテープキャリア
の製造方法では、エッチングにより半導体チップ搭載側
導体パターンを形成する前に金属バンプを形成すること
を特徴とする。
【０１０９】既に導体パターンが形成されたテープキャ
リアに金属バンプを形成する方法としては、電気メッキ
用給電パターンを形成しておき、バンプを電気メッキ法
で形成した後、給電パターンを切断する方法がある。こ
の方法では、導体パターンの形状によっては給電パター
ンを形成することが困難な場合がある。また、後に給電
パターンを切断するための工程が必要となる。
【０１１０】また、他の方法として、クリーム半田や半
田ボールを導体パターンのバンプ形成位置に載置し、こ
れをロウ付けする方法もある。しかし、この方法の場
合、導体パターン上に半田が濡れ広がってしまうことを
防止するため、ソルダーレジスト層を形成しなければな
らない。また、この方法で形成された半田バンプは、球
状をなし、上述のように、金属バンプ同士を小さい間隔
で形成することが困難となる。
【０１１１】これに対し、本発明の金属バンプ付き二層
回路テープキャリアの製造方法では、エッチングにより
半導体チップ搭載側導体パターンを形成する前に金属バ
ンプを形成するので、電気メッキ用給電パターンを設け
る必要がない。また、ロウ付け等によらず、電気メッキ
法により金属バンプを形成することから、導体パターン
上への半田バンプの濡れ広がりを防止するためのソルダ
ーレジスト層を形成する必要がなく、製造工程を簡略化
出来るとともに、柱状体の金属バンプを容易に形成する
ことが出来る。
【０１１２】また、特に絶縁フィルムにテーパ状の内壁
を有する孔を形成し、そこに接合用電極または接合用導
体を埋め込むことにより、接合用ターミナルと半田バン
プとの接合強度を向上させることが可能である。
【０１１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
金属バンプはその形状が導体パターン面に対し実質的に
垂直な側面を有する柱状体となるように形成される。す
なわち、バンプ形成領域のサイズと金属バンプの幅とを
ほぼ一致させることができる。そのため、本発明による
と、バンプが球状である場合に比べてバンプ間のピッチ
を狭めることができ、バンプ間のブリッジが形成される
おそれがなく、アンダーフィルの充填も容易である。
【０１１４】すなわち、本発明によると、半導体チップ
を搭載する際に、半田バンプのピッチが小さくなって
も、半田バンプ間にブリッジが形成されることがなく、
半導体チップの更なる高密度化や高周波化に対応するこ
とが可能な、バンプ付き二層回路テープキャリア及びそ
の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る金属バンプ付き二層
回路テープキャリアを概略的に示す断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る金属バンプ付き二層
回路テープキャリアを示す斜視図。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ、本発明の一実施
形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの第
１の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図４】（ｆ）〜（ｈ）は、それぞれ、本発明の一実施
形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの第
１の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図５】（ｉ）〜（ｌ）は、それぞれ、本発明の一実施
形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの第
１の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図６】（ｍ）〜（ｐ）は、それぞれ、本発明の一実施
形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの第
１の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図７】（ｑ）〜（ｕ）は、それぞれ、本発明の一実施
形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの第
１の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、本発明の一実施
形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの第
２の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図９】（ｅ）〜（ｈ）は、それぞれ、本発明の一実施
形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの第
２の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図１０】（ｉ）〜（ｌ）は、それぞれ、本発明の一実
施形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの
第２の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図１１】（ｍ）〜（ｐ）は、それぞれ、本発明の一実
施形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの
第２の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図１２】（ｑ）〜（ｓ）は、それぞれ、本発明の一実
施形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの
第２の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図１３】（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ、本発明の一実
施形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの
第３の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図１４】（ｆ）〜（ｈ）は、それぞれ、本発明の一実
施形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの
第３の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図１５】（ｉ）〜（ｌ）は、それぞれ、本発明の一実
施形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの
第３の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図１６】（ｍ）〜（ｐ）は、それぞれ、本発明の一実
施形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの
第３の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図１７】（ｑ）及び（ｒ）は、それぞれ、本発明の一
実施形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリア
の第３の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図１８】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、本発明の一実
施形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの
第４の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図１９】（ｅ）〜（ｈ）は、それぞれ、本発明の一実
施形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの
第４の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図２０】（ｉ）〜（ｌ）は、それぞれ、本発明の一実
施形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの
第４の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図２１】（ｍ）〜（ｐ）は、それぞれ、本発明の一実
施形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリアの
第４の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図２２】（ｑ）及び（ｒ）は、それぞれ、本発明の一
実施形態に係る金属バンプ付き二層回路テープキャリア
の第４の製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図２３】従来のテープキャリアを用いた半導体パッケ
ージを概略的に示す断面図。
【符号の説明】
１，１１…絶縁フィルム ２，１２，１２ａ，１２ｂ，１５…導体パターン ３，１３，１３ａ，１３ｂ…金属バンプ ４，３２…半導体チップ ６…電極パッド １７…接合用パッド １４…接合用電極 １６…接合用導体 ２０，２６，３０…感光性ドライフィルム ２１，２５…保護フィルム ２２，２７，３１…フォトマスク ３３…アンダーフィル ３５…電着フォトレジスト ５１…ターミナル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 児島 直之 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 菅原 賢一 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F044 MM04 MM16 MM35 MM48 NN04

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体チップを回路基板に搭載するための
    バンプ付き二層回路テープキャリアであって、貫通孔が
    設けられた絶縁フィルムと、前記貫通孔内に形成された
    接合用導体と、前記絶縁フィルムの一方の主面に形成さ
    れ前記接合用導体と接続された第１の導体パターンと、
    前記絶縁フィルムの他方の主面に形成され前記接合用導
    体上に位置するターミナル及びこのターミナルに接続さ
    れたバンプ形成領域を有する第２の導体パターンと、前
    記バンプ形成領域上に形成された半導体チップ接続用金
    属バンプとを備え、前記金属バンプは前記導体パターン
    面に対し実質的に垂直な側面を有する柱状体であること
    を特徴とするバンプ付き二層回路テープキャリア。
  2. 【請求項２】前記絶縁フィルムに前記接合用導体が形成
    された貫通孔とは別の貫通孔が設けられ、この貫通孔に
    前記第２の導体パターンと前記回路基板とを接続するた
    めの接合用電極が形成されたことを特徴とする請求項１
    に記載のバンプ付き二層回路テープキャリア。
  3. 【請求項３】貫通孔が設けられた絶縁フィルムと、前記
    貫通孔内に形成された接合用導体と、前記絶縁フィルム
    の一方の主面に形成され前記接合用導体と接続された第
    １の導体パターンと、前記絶縁フィルムの他方の主面に
    形成され前記接合用導体上に位置するターミナル及びこ
    のターミナルに接続されたバンプ形成領域を有する第２
    の導体パターンと、前記バンプ形成領域上に形成された
    半導体チップ接続用金属バンプとを備えた、半導体チッ
    プを回路基板に搭載するためのバンプ付き二層回路テー
    プキャリアの製造方法であって、 一方の主面に第１の金属箔が設けられ他方の主面に第２
    の金属箔が設けられた絶縁フィルムの前記第１の金属箔
    上に樹脂層を形成し、この樹脂層をパターニングするこ
    とにより得られる第１の樹脂パターンをマスクとして前
    記第１の金属箔の露出部を選択的に除去することにより
    前記第１の導体パターンを形成する工程、 前記絶縁フィルムに前記ターミナルよりも小さい径を有
    し且つ底面が前記第２の金属箔で構成された孔を形成
    し、前記第１の導体パターンを前記第１の樹脂パターン
    で被覆しつつ前記第１の導体パターンが形成された面に
    第１の電気メッキを施すことにより前記孔内に前記接続
    用導体を形成する工程、 前記第１の樹脂パターンを除去する工程、 前記第２の金属箔上に第２の樹脂パターンを形成し、前
    記絶縁フィルムの前記第２の樹脂パターンが形成された
    面に第２の電気メッキを施すことにより、前記第２の樹
    脂パターンから露出する前記第２の金属箔上に前記第２
    の金属箔とは異なる金属材料からなる金属パターンを形
    成する工程、 前記第２の樹脂パターンを除去する工程、 前記絶縁フィルムの前記金属パターンが形成された面に
    第３の樹脂パターンを形成し、前記絶縁フィルムの前記
    第３の樹脂パターンが形成された面に第３の電気メッキ
    を施すことにより、前記第３の樹脂パターンから露出す
    る前記金属パターン上に前記金属バンプを形成する工
    程、 前記第３の樹脂パターンを除去する工程、および前記金
    属パターンをマスクとして用いて前記金属箔をパターニ
    ングして金属箔パターンを形成することにより、前記第
    ２の導体パターンとして前記金属パターンと前記金属箔
    パターンとの積層体を形成する工程を具備することを特
    徴とするバンプ付き二層回路テープキャリアの製造方
    法。
  4. 【請求項４】貫通孔が設けられた絶縁フィルムと、前記
    貫通孔内に形成された接合用導体と、前記絶縁フィルム
    の一方の主面に形成され前記接合用導体と接続された第
    １の導体パターンと、前記絶縁フィルムの他方の主面に
    形成され前記接合用導体上に位置するターミナル及びこ
    のターミナルに接続されたバンプ形成領域を有する第２
    の導体パターンと、前記バンプ形成領域上に形成された
    半導体チップ接続用金属バンプとを備えた、半導体チッ
    プを回路基板に搭載するためのバンプ付き二層回路テー
    プキャリアの製造方法であって、 一方の主面に金属箔が設けられた絶縁フィルムに前記タ
    ーミナルよりも小さい径を有し且つ底面が前記金属箔で
    構成された孔を形成し、前記金属箔が設けられた面の裏
    面に第１の電気メッキを施すことにより前記孔内に前記
    接続用導体を形成する工程、 前記絶縁フィルムの前記金属箔が設けられた面の裏面に
    無電解メッキによりまたは無電解メッキと電気メッキと
    によりメッキ金属箔層を形成し、このメッキ金属箔層を
    パターニングすることにより前記第１の導体パターンを
    形成する工程、 前記絶縁フィルムの一方の主面に設けられた金属箔上に
    第１の樹脂パターンを形成し、前記絶縁フィルムの前記
    第１の樹脂パターンが形成された面に第２の電気メッキ
    を施すことにより、前記第１の樹脂パターンから露出す
    る前記金属箔上に金属パターンを形成する工程、 前記第１の樹脂パターンを除去する工程、 前記絶縁フィルムの前記金属パターンが形成された面に
    第２の樹脂パターンを形成し、前記絶縁フィルムの前記
    第２の樹脂パターンが形成された面に第３の電気メッキ
    を施すことにより、前記第２の樹脂パターンから露出す
    る前記金属パターン上に前記金属バンプを形成する工
    程、 前記第２の樹脂パターンを除去する工程、および前記金
    属パターンをマスクとして用いて前記金属箔の露出部を
    選択的に除去して金属箔パターンを形成することによ
    り、前記第２の導体パターンとして前記金属パターンと
    前記金属箔パターンとの積層体を形成する工程を具備す
    ることを特徴とするバンプ付き二層回路テープキャリア
    の製造方法。
  5. 【請求項５】貫通孔が設けられた絶縁フィルムと、前記
    貫通孔内に形成された接合用導体と、前記絶縁フィルム
    の一方の主面に形成され前記接合用導体と接続された第
    １の導体パターンと、前記絶縁フィルムの他方の主面に
    形成され前記接合用導体上に位置するターミナル及びこ
    のターミナルに接続されたバンプ形成領域を有する第２
    の導体パターンと、前記バンプ形成領域上に形成された
    半導体チップ接続用金属バンプとを備えた、半導体チッ
    プを回路基板に搭載するためのバンプ付き二層回路テー
    プキャリアの製造方法であって、 一方の主面に第１の金属箔が設けられ他方の主面に第２
    の金属箔が設けられた絶縁フィルム絶縁フィルムの前記
    第１の金属箔上に樹脂層を形成し、この樹脂層をパター
    ニングすることにより得られる第１の樹脂パターンをマ
    スクとして前記第１の金属箔の露出部を選択的に除去す
    ることにより前記第１の導体パターンを形成する工程、 前記絶縁フィルムに前記ターミナルよりも小さい径を有
    し且つ底面が前記第２の金属箔で構成された孔を形成
    し、前記第１の導体パターンを前記第１の樹脂パターン
    で被覆しつつ前記絶縁フィルムの前記第１の導体パター
    ンが形成された面に第１の電気メッキを施すことにより
    前記孔内に前記接続用導体を形成する工程、 前記第１の樹脂パターンを除去する工程、 前記第２の金属箔上に第２の樹脂パターンを形成し、前
    記絶縁フィルムの前記第２の樹脂パターンが形成された
    面に第２の電気メッキを施すことにより、前記第２の樹
    脂パターンから露出する前記第２の金属箔上に前記金属
    バンプを形成する工程、 前記第２の樹脂パターンを除去する工程、 前記絶縁フィルムの前記金属バンプが形成された面に電
    着法により感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層を
    パターニングすることにより得られる第３の樹脂パター
    ンをマスクとして用いて前記第２の金属箔の露出部を選
    択的に除去することにより前記第２の導体パターンを形
    成する工程、および前記第３の樹脂パターンを除去する
    工程を具備することを特徴とするバンプ付き二層回路テ
    ープキャリアの製造方法。
  6. 【請求項６】貫通孔が設けられた絶縁フィルムと、前記
    貫通孔内に形成された接合用導体と、前記絶縁フィルム
    の一方の主面に形成され前記接合用導体と接続された第
    １の導体パターンと、前記絶縁フィルムの他方の主面に
    形成され前記接合用導体上に位置するターミナル及びこ
    のターミナルに接続されたバンプ形成領域を有する第２
    の導体パターンと、前記バンプ形成領域上に形成された
    半導体チップ接続用金属バンプとを備えた、半導体チッ
    プを回路基板に搭載するためのバンプ付き二層回路テー
    プキャリアの製造方法であって、 一方の主面に金属箔が設けられた絶縁フィルムに前記タ
    ーミナルよりも小さい径を有し且つ底面が前記金属箔で
    構成された孔を形成し、前記金属箔が設けられた面の裏
    面に第１の電気メッキを施すことにより前記孔内に前記
    接続用導体を形成する工程、 前記絶縁フィルムの前記金属箔が設けられた面の裏面に
    無電解メッキによりまたは無電解メッキと電気メッキと
    によりメッキ金属箔層を形成し、このメッキ金属箔層を
    パターニングすることにより前記第１の導体パターンを
    形成する工程、前記絶縁フィルムの一方の主面に設けら
    れた金属箔上に第１の樹脂パターンを形成し、前記絶縁
    フィルムの前記第１の樹脂パターンが形成された面に第
    ２の電気メッキを施すことにより、前記第１の樹脂パタ
    ーンから露出する前記金属箔上に前記金属バンプを形成
    する工程、 前記第１の樹脂パターンを除去する工程、 前記絶縁フィルムの前記金属バンプが形成された面に電
    着法により感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層を
    パターニングすることにより得られる第２の樹脂パター
    ンをマスクとして用いて前記金属箔の露出部を選択的に
    除去することにより前記第２の導体パターンを形成する
    工程、および前記第２の樹脂パターンを除去する工程を
    具備することを特徴とするバンプ付き二層回路テープキ
    ャリアの製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6867121B2 (en) 2003-01-16 2005-03-15 International Business Machines Corporation Method of apparatus for interconnecting a relatively fine pitch circuit layer and adjacent power plane(s) in a laminated construction
US6876088B2 (en) 2003-01-16 2005-04-05 International Business Machines Corporation Flex-based IC package construction employing a balanced lamination
US7253510B2 (en) 2003-01-16 2007-08-07 International Business Machines Corporation Ball grid array package construction with raised solder ball pads
JP2008072144A (ja) * 2007-11-30 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板
JP2010258311A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Furukawa Electric Co Ltd:The プリント配線基板の製造方法
WO2022262616A1 (zh) * 2021-06-15 2022-12-22 矽磐微电子(重庆)有限公司 半导体封装方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6867121B2 (en) 2003-01-16 2005-03-15 International Business Machines Corporation Method of apparatus for interconnecting a relatively fine pitch circuit layer and adjacent power plane(s) in a laminated construction
US6876088B2 (en) 2003-01-16 2005-04-05 International Business Machines Corporation Flex-based IC package construction employing a balanced lamination
US7253510B2 (en) 2003-01-16 2007-08-07 International Business Machines Corporation Ball grid array package construction with raised solder ball pads
US7816754B2 (en) 2003-01-16 2010-10-19 International Business Machines Corporation Ball grid array package construction with raised solder ball pads
US8153516B2 (en) 2003-01-16 2012-04-10 International Business Machines Corporation Method of ball grid array package construction with raised solder ball pads
JP2008072144A (ja) * 2007-11-30 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板
JP2010258311A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Furukawa Electric Co Ltd:The プリント配線基板の製造方法
WO2022262616A1 (zh) * 2021-06-15 2022-12-22 矽磐微电子(重庆)有限公司 半导体封装方法

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