JP3634665B2 - バンプ付きテープキャリアおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、バンプ付きテープキャリアおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子機器の小型化、軽量化、高速化、高機能化等の要求に答えるため、半導体パッケージには、種々の形態のものが開発されている。このような半導体パッケージ技術として、特に、半導体チップの高集積化による多ピン化の要請と、装置の小型化を両立させるため、絶縁フィルム上に形成した金属パターンに、半田バンプを介して半導体チップを接合する、いわゆるテープキャリア方式によるパッケージ技術が知られている。
【0003】
そのようなテープキャリア方式によるパッケージ技術の一例として、特開平8−64636号公報に開示されているものがある。このパッケージ技術では、図10に示すように、ポリイミドテープ1上に金属層2が形成され、この金属層2に、半田バンプ3が形成されている。この半田バンプ3と、半田バンプ3に対応して電子デバイス(半導体チップ)4の一主面に形成された金属パッド6とが熱的に接合される。このようにして電子デバイス4を実装したテープキャリアは、その後、個々に切り出される。
【0004】
このテープキャリア方式では、薄く透明なポリイミドテープを用いているため、熱サイクルにおいても半田接合部に加わる応力が緩和され、また裏面から半田バンプを観察出来るという利点がある。
【0005】
しかし、半田バンプは、一般にクリーム半田印刷や半田ボールを転写する方法により形成されるが、このような方法では、図10に示すように、半田バンプ3は球状にならざるを得ない。球状の半田バンプでは、半田バンプ同士のピッチが小さくなり、半田バンプ間の距離が短くなると、半導体チップを搭載した際に、半田ブリッジが形成されてしまうという問題がある。また、アンダーフィル樹脂の充填が困難となるという問題も生ずる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、半導体チップを搭載する際に、半田バンブのピッチが小さくなっても、半田バンプ間にブリッジが形成されることのない、バンプ付きテープキャリアを提供することを目的とする。
【0007】
本発明の他の目的は、そのようなバンプ付きテープキャリアの製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、半導体チップを回路基板に搭載するためのバンプ付きテープキャリアであって、絶縁フィルムと、この絶縁フィルム上に形成された導体パターンと、この導体パターン上に形成された半導体チップ接続用金属バンプとを備え、前記金属バンプが、前記導体パターン面に対し実質的に垂直な側面を有する柱状体からなることを特徴とするバンプ付きテープキャリアを提供する。
【0009】
このようなバンプ付きテープキャリアにおいて、前記導体パターンは、回路基板と接続するためのターミナルを有しており、前記ターミナルの下側の絶縁フィルムには、導体パターンのターミナルよりも小さい径の孔を形成することが出来る。この孔内に露出する金属箔上に、メッキにより金属層を形成し、接合用電極とする。この接合用電極を介して、テープキャリアと回路基板との接続を行うことが出来る。金属層としては、Cu、Ni、Sn、Sn合金(半田)等を用いることが出来る。
【0010】
前記金属バンプを構成する材料としては、Sn、Sn合金(半田)等が挙げられるが、特に半田が好ましい。
【0011】
金属バンプおよび接合用金属層は、いずれも多層構造を有するものとすることが出来る。この場合、金属バンプおよび接合用金属層は、半田からなる最上層と、半田よりも高い融点を有する金属、例えばCu、Niからなる下層とを含むものとすることが出来る。
【0012】
以上のように構成される本発明のバンプ付きテープキャリアでは、金属バンプが、導体パターン面に対し実質的に垂直な側面を有する柱状体により構成されているため、従来の球状の半田バンプのように、半導体チップを搭載した際に半田ブリッジが形成されるようなことがなく、また、アンダーフィル樹脂の充填も容易に行うことが出来る。
【0013】
また、本発明は、絶縁フィルムと金属箔とからなる積層体の金属箔上に第1の感光性樹脂層を形成する工程、前記第1の感光性樹脂層をパターニングして、回路形成用の第1の樹脂パターンを形成する工程、第1の電気メッキを施し、前記第1の樹脂パターンから露出する前記金属箔上に金属パターンを形成する工程、前記第1の樹脂パターンを除去し、前記金属パターンを含む全面に第2の感光性樹脂層を形成する工程、前記第2の感光性樹脂層をパターニングして、金属バンプ形成用の第2の樹脂パターンを形成する工程、第2の電気メッキを施し、前記第2の樹脂パターンから露出する前記金属パターン上に金属バンプを形成する工程、前記第2の樹脂パターンを除去する工程、および前記金属パターンをマスクとして用いて、前記金属箔を選択的に除去して、金属箔パターンを形成する工程を具備する第1のバンプ付きテープキャリアの製造方法を提供する。
【0014】
このような第1のバンプ付きテープキャリアの製造方法において、前記第1の感光性樹脂層を形成する工程の前に、前記絶縁フィルムに、前記導体パターンのターミナルよりも小さい径の孔を形成することが出来る。この場合、第1の電気メッキにより、前記孔内に露出する前記金属箔上に第1の金属層が形成され、第2の電気メッキにより、前記孔内の前記第1の金属層上に第2の金属層が形成される。この第1の金属層および第2の金属層からなる積層構造の金属層が、接合用電極を構成する。
【0015】
この場合、金属パターンおよび第1の金属層として、Ni、Sn、半田(Sn合金等)等を、金属バンプおよび第2の金属層として、Sn、半田(Sn合金等)等を用いることが出来る。なお、金属パターンおよび第1の金属層を形成する金属の融点は、金属バンプおよび第2の金属層の融点よりも高いことが望ましい。
【0016】
また、前記孔は、前記金属パターンを形成する工程の後で、かつ前記金属バンプを形成する工程の前に形成することも可能である。この場合、第2の電気メッキにより、前記孔内に露出する前記金属箔上に接合用電極のための金属層が形成される。この場合の金属層は、金属バンプを構成する材料、即ち、Sn、半田(Sn合金等)等が用いられる。
【0017】
なお、絶縁フィルムへの孔の形成は、例えばレーザーにより行うことが出来る。
【0018】
また、絶縁フィルムに形成される孔は、金属箔側(導体パターンのターミナル)とは反対側に向かって広がるように、15°以上、好ましくは45°以上のテーパ角の内壁を有することが望ましい。このようなテーパ角の内壁を有する孔は、絶縁フィルムに小エネルギーの炭酸ガスレーザを、多いパルス数で照射することにより、または絶縁フィルムに、炭酸ガスレーザをディフォーカスして照射することにより、形成することが可能である。
【0019】
炭酸ガスレーザによる孔あけのエネルギー密度は、絶縁フィルムの材質、厚み、孔のサイズによって異なることから、適宜設定することが出来る。
【0020】
更に、本発明は、絶縁フィルムと金属箔とからなる積層体の金属箔上に第1の感光性樹脂層を形成する工程、この第1の感光性樹脂層をパターニングして、金属バンプ形成用の第1の樹脂パターンを形成する工程、電気メッキを施し、前記第1の樹脂パターンから露出する前記金属箔上に金属バンプを形成する工程、前記第1の樹脂パターンを除去し、前記金属バンプを含む全面に電着法により、第2の感光性樹脂層を形成する工程、前記第2の感光性樹脂層をパターニングして、回路形成用の第2の樹脂パターンを形成する工程、前記第2の樹脂パターンをマスクとして用いて、前記金属箔を選択的に除去して金属箔パターンを形成する工程を具備する第2のバンプ付きテープキャリアの製造方法を提供する。
【0021】
このような第2のバンプ付きテープキャリアの製造方法において、前記第1の感光性樹脂層を形成する工程の前に、前記絶縁フィルムに、前記導体パターンのターミナルよりも小さい径の孔を形成することが出来る。この場合、前記電気メッキにより、金属バンプ形成と同時に前記孔内に露出する前記金属箔上に接合用電極を構成する金属層が形成される。この場合の金属層は、金属バンプを構成する材料、即ち、Sn、半田(Sn合金等)等により構成される。
【0022】
また、前記電気メッキを2回以上に分けて施すことにより、多層構造の金属バンプおよび金属層を形成することができる。この場合の最上層は、溶融接合に適する半田、Sn等により構成し、下層は最上層の金属より融点の高い金属(Cu、Ni、Sn、半田等)により構成する。
【0023】
以上挙げた2つのバンプ付きテープキャリアの製造方法によると、従来の方法のようにソルダーレジストを用いないため、金属バンプを高く形成する必要がなく、従って金属バンプの形成が容易であり、かつ形成のための時間が短時間ですみ、その結果、製造コストを低減することが可能である。また、既に完成した基板にバンプを形成することは、非常に困難であるが、本発明の方法によると、基板の製造工程中にバンプを形成するので、バンプの形成を容易に行うことが出来る。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態に係るバンプ付きテープキャリアについて説明する。
【0025】
図1は、本発明の一実施形態に係る金属バンプ付きテープキャリアを示す断面図である。図1において、絶縁フィルム11上に銅パターン12が形成されており、この銅パターン12上に半田、Au、Sn、Sn合金等からなる金属バンプ13が形成されている。絶縁フィルム11には、回路基板と接続する部分に、銅パターン12(図11のターミナル51)より小さい径の孔が形成されていて、この孔に埋め込まれた金属が接合用電極14を形成している。この接合用電極14は、銅、ニッケル、半田等のメッキによって形成され、接合用電極上に供給された半田ボールやクリーム半田を介して回路基板の導体と接続される。
【0026】
テープキャリアの斜視図を図11に示す。図11の上部に表側から見た図を、下部に裏側から見た図をそれぞれ示す。図11において、銅パターン12は、回路基板の導体と垂直方向において電気的に接続する箇所にターミナル51を有しており、これらターミナル51の下の絶縁フィルム11には、ターミナル51よりも径の小さい孔が形成されている。この孔に形成した半田、Cu、Ni、Au、Sn合金等が接合用電極14を形成する。接合用電極14上には、半田ボール(図示せず)が形成されていて、この半田ボールを介して回路基板の導体と接続される。
【0027】
このように構成される金属バンプ付きテープキャリアでは、金属バンプ13は、側面がストレートの円柱状である。なお、円柱に限らず、断面が多角形の角柱状でもよい。このように、金属バンプ13が、側面がストレートの柱状形状を有しているため、図10に示す従来のテープキャリアの球状の金属バンプとは異なり、金属バンプ同士のピッチが小さくなり、金属バンプ間の距離が短くなったとしても、ブリッジが形成されるようなことはなく、また、アンダーフィル樹脂の充填が困難となることもない。
【0028】
また、金属バンプのブリッジを防ぐソルダーレジストを設けずに銅パターン上に直接金属バンプを形成しているので、金属バンプを高く形成する必要がないため、金属バンプの形成が容易であり、かつ形成のための時間が短時間ですむという利点がある。
【0029】
更に、銅パターンを構成するCu箔の厚さは10〜18μmと薄く、このように薄い銅パターンに半田を接続した構造では、銅パターンに応力が加わり、銅パターンが破断してしまうが、絶縁フィルム11の回路基板と接続する部分に銅パターン12(図11のターミナル51)より小さい径の孔を形成し、この孔にCu、Ni等のめっきによる金属層を形成した構造では、この金属層が補強となって、銅パターンの破断が防止される。
【0030】
また、一般に、BGA用ターミナル部には、実装用外部端子としての半田ボールが接続される。この半田ボールは、ターミナル部にフラックスを塗布し、その上に半田ボールを載置した後、半田ボールを加熱溶融することにより形成される。
【0031】
しかし、ターミナルは、絶縁フィルムに形成された孔の底部に存在するため、上述のように半田ボールをターミナル部に形成する際、半田ボールとターミナルとが接触不良となるオープン不良が生じたり、孔内の空気が溶融した半田中にボイドとして残存するという問題が生ずる。
【0032】
これに対し、絶縁フィルム11の孔内に接合用電極14を形成した構造では、半田ボールは、接合用電極14と確実に接触し、接続されるため、オープン不良が生じることはない。また、絶縁フィルム11の孔内には既に接合用電極14が充填されているので、孔内の空気が溶融した半田中にボイドとして残存するという問題が生じることはない。
【0033】
次に、絶縁フィルム11に形成される孔は、銅パターン12とは反対側に向かって広がるように、15°以上、好ましくは45°以上のテーパ角の内壁を有するものとすることが出来る。このように、絶縁フィルム11にテーパ状の内壁を有する孔を形成し、この孔に接合用電極14を埋め込み、更にこの接合用電極14上に半田ボール61を形成することにより、次のような効果が得られる。
【0034】
図12(a)に、絶縁フィルム11に垂直な内壁を有する孔を形成した場合を、図12(b)に、絶縁フィルム11にテーパ状の内壁を有する孔を形成した場合をそれぞれ示す。図12(b)に示すように、絶縁フィルム11にテーパ状の内壁を有する孔を形成した場合には、はんだボール61とテープキャリアの接合部の孔の開口径が、図12(a)に示すように絶縁フィルム11に垂直な内壁を有する孔を形成した場合と同一であっても、ターミナル51の側の径を小さくすることが出来る。
【0035】
従って、ターミナル51のピッチが同一である場合、ターミナル51間の配線を増やすことが出来、そのため、テープキャリア上に配線スペースが足りないためにターミナル51を配置することが出来ず、無駄になっていたスペースを有効に利用することが出来る。
【0036】
即ち、厚さ40μmの絶縁フィルム11に垂直な内壁を有する0.25mmφの孔を形成した場合には、図13(a)に示すように、0.5mmのターミナル51のピッチから、0.35mmのターミナル部の寸法を除くと、配線スペースは0.15mmしかなく、L/S=30/30μmでは2本の配線71しか形成することが出来ない。
【0037】
これに対し、絶縁フィルム11にテーパ角45°の内壁を有する孔を形成した場合では、ターミナル部の寸法を0.29mmに出来るため、配線スペースは0.21mmとなり、従って3本の配線81を形成することが出来る。
【0038】
また、図12(a)に示すように、絶縁フィルム11に垂直な内壁を有する孔を形成した場合には、半田ボール61は、絶縁フィルム11の孔内に充填された接合用電極14との接合部においてくびれが生じ、このくびれ部分に応力歪みが集中し、その結果、クラックの発生を招く可能性がある。
【0039】
これに対し、図12(b)に示すように、絶縁フィルム11にテーパ状の内壁を有する孔を形成した場合には、半田ボール61と接合用電極14との接合部にくびれが生じることがないため、その部分における応力歪みの集中が緩和され、接合強度が良好な、信頼性の高いはんだ接合部を得ることが出来る。
【0040】
以上説明したテープキャリアに対し、半導体チップ(図示せず)が接合され、半導体パッケージが得られる。これは、接合用電極14を介して回路基板(図示せず)上に実装される。その結果得られた実装構造では、回路基板の熱膨脹による応力がテープキャリアの変形により緩和され、その結果、回路基板と半導体チップとの接続を、高い信頼性および低コストで実現することが出来た。
【0041】
次に、以上説明した金属バンプ付きテープキャリアの製造方法について説明する。最初に、半田マスク法による第1の金属バンプ付きテープキャリアの製造方法並びにそれを用いた半導体パッケージの製造方法について、図2〜図5を参照して、工程順に説明する。
【0042】
まず、図2(a)に示すように、厚さ18μmの銅箔21の片面に、厚さ40μmのポリイミド層22を有する材料を用意する。次いで、図2(b)に示すように、接合用電極を形成する部分に、炭酸ガスレーザを用いて、銅箔面に達する300μm径の孔23をポリイミド層22に形成した。炭酸ガスレーザによる穴明け時に孔23およびその周辺に付着したカーボンは、ブラスト処理によって機械的に除去した。
【0043】
なお、孔23は、テーパ状の内壁を有することが望ましい。そのようなテーパ状の内壁を有する孔23は、小エネルギの炭酸ガスレーザを多パルス数、照射することにより形成することが出来る。或いは、炭酸ガスレーザをディフォーカスして照射することにより形成することが出来る。
【0044】
なお、炭酸ガスレーザのエネルギ、パルス数、ディフォーカスの程度を適宜調整することにより、任意のテーパ角の内壁を有する孔を形成することが可能であある。
【0045】
次に、図2(c)に示すように、銅箔面上に厚さ25μmのネガタイプ感光性ドライフィルム24をラミネートした後、図2(d)に示すように、導体回路がポジパターンとなるマスク25を通して感光性ドライフィルム24を露光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は80mJ/cm2とした。
【0046】
次に、図3(a)に示すように、感光性ドライフィルム24を液温30℃の1wt%Na2CO3水溶液を用いて現像し、パターンメッキレジスト24を形成した。
【0047】
そして、図3(b)に示すように、錫9鉛1の組成の半田を電気メッキし、銅箔21の両面に、それぞれ厚さ4μmの半田パターン26a,半田金属層26bを形成した。メッキ浴としては、AS513系浴(商品名:石原薬品社製)を用いた。
【0048】
そして、図3(c)に示すように、感光性ドライフィルム24を剥離した。剥離液としては、液温45℃の3%NaOH水溶液を用いた。その後、図3(d)に示すように、半田パターン26a上に厚さ50μmのネガタイプ感光性ドライフィルム27をラミネートした。
【0049】
その後、図4(a)に示すように、半導体の電極パッドと接続するための金属バンプ29aを電気メッキ法で形成するため、金属バンプ部がポジパターンとなるマスク28を通して感光性ドライフィルム27を露光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は160mJ/cm2とした。そして、図4(b)に示すように、感光性ドライフィルム27を現像した。現像液としては、液温30℃の1wt%Na2CO3水溶液を用いた。
【0050】
次いで、図4(c)に示すように、AS513系浴(商品名:石原薬品社製)を用いて錫6鉛4の組成の半田を電気メッキして、厚さ50μmの半田バンプ29aと厚さ40μmの半田金属層29bを形成した。その後、図4(d)に示すように、感光性ドライフィルム27を剥離した。剥離液としては、液温45℃の3%NaOH水溶液を用いた。そして、図5(a)に示すように、半田パターン26aをエッチングレジストとして銅箔21をアルカリエッチングし、所望のテープキャリアが得られた。
【0051】
そして、図5(b)に示すように、別途準備した半導体チップ30を、以上説明した図5(a)に示すテープキャリアに搭載した。半導体チップ30は、周辺部にアルミニウムパッドを有し、このアルミニウムパッドの表面は、無電界Ni/Auメッキが施されている。
【0052】
また、半導体チップ30とテープキャリアとの間隙に熱硬化性樹脂、例えばエポキシ樹脂31を充填し、テープキャリアと半導体チップ30との接続構造を得た。
【0053】
以上の製造工程では、銅パターンの側には半田バンプ29aを形成したテープキャリアを用い、アルミニウムパッドの表面に半田バンプと合金化するNi/Auを形成している半導体チップを、位置合わせ/半導体チップの搭載/リフロー加熱といった一連の工程により、一括して実装することが可能である。
【0054】
なお、半導体チップを実装したテープキャリアは、その後、個々に切り出される。
【0055】
以上説明した、半田マスク法による第1の金属バンプ付きテープキャリアの製造方法によると、導体パターン面に対し実質的に垂直な側面を有する柱状体からなる金属バンプを備えた金属バンプ付きテープキャリアを、容易に得ることが可能である。また、既に完成した基板上にではなく、基板の製造過程中にバンプを形成しているので、金属バンプの形成を容易に行うことが出来る。
【0056】
以上、半田マスク法により形成された金属バンプ付きテープキャリアを用いた例について説明したが、次に、電着フォトレジスト法による第2の金属バンプ付きテープキャリアの製造方法について、図6〜図9を参照して示す。
【0057】
まず、図6(a)に示すように、厚さ18μmの銅箔41の片面に、厚さ40μmのポリイミド層42を有する材料を用意する。そして、接合用電極を形成する部分に、炭酸ガスレーザを用いて、銅箔面に達する300μm径の孔43をポリイミド層42に形成した。炭酸ガスレーザによる穴明け時に孔43およびその周辺に付着したカーボンは、ブラスト処理によって機械的に除去した。
【0058】
次に、図6(b)に示すように、銅箔面上に厚さ50μmのネガタイプ感光性ドライフィルム44をラミネートした後、図6(c)に示すように、金属バンプ部がポジパターンとなるマスク45を通して感光性ドライフィルム44を露光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は160mJ/cm2とした。
【0059】
次に、図6(d)に示すように、感光性ドライフィルム44を液温30℃の1wt%Na2CO3水溶液を用いて現像し、パターンメッキレジスト44を形成した。
【0060】
そして、図7(a)に示すように、錫6鉛4の組成の半田を電気メッキし、高さ50μmの半田金属バンプ46aと厚さ40μmの半田金属層46bを形成した。メッキ浴としては、AS513系浴(商品名:石原薬品社製)を用いた。
【0061】
そして、図7(b)に示すように、感光性ドライフィルム44を剥離した。剥離液としては、液温45℃の3%NaOH水溶液を用いた。その後、図7(c)に示すように、銅箔41に回路を形成するために、電着フォトレジスト(プライムコートAN−300:関西ペイント社製)47を電着塗工し、80℃で10分間の乾燥を行った。
【0062】
その後、図7(d)に示すように、導体回路がネガパターンとなるマスク48を通して電着フォトレジスト47を露光した。露光光源としては、超高圧水銀ランプを用い、照射量は100mJ/cm2とした。
【0063】
そして、電着フォトレジスト47を現像し、図8(a)に示すように、電着フォトレジストパターンを形成した。現像液としては、液温30℃の1wt%Na2CO3水溶液を用いた。次いで、図8(b)に示すように、電着フォトレジストパターンをマスクとして用いて、露出した銅箔41の部分をアルカリエッチング溶液によりエッチングし、回路パターンを形成した。
【0064】
その後、電着フォトレジストパターンを液温45℃の3%NaOH水溶液剥離液により剥離して、図8(c)に示すように、金属バンプ付きテープキャリアが得られた。
【0065】
なお、図6〜図8の工程において、図7(a)の工程における電気メッキを2回に分けて、最初にCuメッキをしたのち半田メッキをして、下層がCu、上層が半田からなる金属バンプおよび金属層を形成した以外は、全く同じ方法で作成したバンプ付きテープキャリアの例を図9に示した。図9において、46a−1および46b−1はCuからなり、46a−2および46b−2は鉛60錫40の半田からなる。
【0066】
以上のような電着フォトレジスト法によるバンプ付きテープキャリアの製造方法によると、導体パターン面に対し実質的に垂直な側面を有する柱状体からなる金属バンプを備えた金属バンプ付きテープキャリアを、上述の半田マスク法による金属バンプ付きテープキャリアの製造方法よりも、更に簡略化された製造工程で得ることが出来る。
【0067】
【発明の効果】
本発明のバンプ付きテープキャリアおよびその製造方法によると、以下のような優れた効果を奏する。
【0068】
既に説明したように、金属バンプにおいてバンプ形状が球状の場合、バンプ部の導体パッド幅よりもバンプ径は大きくなる。従って、バンプ同士のピッチが小さくなった場合、バンプ同士がブリッジを形成する恐れがある。また、バンプ同士の間隔が小さくなると、アンダーフィルの充填性が悪くなり、歩留まりの低下、コスト増を招いてしまう。
【0069】
これに対し、本発明のテープキャリアでは、金属バンプが柱状体であるため、バンプ自体が幅方向に広がらないことから、上述のような問題は発生せず、バンプピッチを小さくすることが出来る。
【0070】
また、接合電極部は、ヒートサイクル試験時において回路基板と半導体装置との線膨脹係数の相違に起因する応力が作用し、最終的には破断してしまう。
【0071】
これに対し、本発明のテープキャリアにおいて、特に金属バンプと接合電極部の金属層を多層構造とし、最上層を半田とし、その下層を半田よりも高い融点を有する金属により構成する場合、下層は回路基板上に半導体装置を回路接続する際の熱で溶融することがないため、接合電極部の厚さが厚くなり、それによって機械的な強度を改善することが出来る。その結果、接合電極部の破断に至る寿命を延ばすことが出来る。
【0072】
また、金属バンプ部においても、最上層を半導体チップとの接合用半田により構成し、その下層を半田接続時の熱によって溶融しない金属により構成する場合には、この高融点金属層がスペーサ効果をなし、半導体チップと導体パターン間の間隙を確保することが出来る。これにより、アンダーフィル樹脂の充填性が改善されて、バンプ接合部の信頼性を確保することが出来る。
【0073】
更に、本発明のバンプ付きテープキャリアの製造方法では、電気メッキ法を用いることにより、金属バンプと接合電極上の金属層とが同一構成のものを、同時に形成することが出来る。
【0074】
また、本発明のバンプ付きテープキャリアの製造方法では、エッチングにより導体パターンを形成する前に金属バンプを形成することを特徴とする。
【0075】
既に導体パターンが形成されたテープキャリアに金属バンプを形成する方法としては、電気メッキ用給電パターンを形成しておき、バンプを電気メッキ法で形成した後、給電パターンを切断する方法がある。この方法では、導体パターンの形状によっては給電パターンを形成することが困難な場合がある。また、後に給電パターンを切断するための工程が必要となる。
【0076】
また、他の方法として、クリーム半田や半田ボールを導体パターンのバンプ形成位置に載置し、これをロウ付けする方法もある。しかし、この方法の場合、導体パターン上に半田が濡れ広がってしまうことを防止するため、ソルダーレジスト層を形成しなければならない。また、この方法で形成された半田バンプは、球状をなし、上述のように、金属バンプ同士を小さい間隔で形成することが困難となる。
【0077】
これに対し、本発明の金属バンプ付きテープキャリアの製造方法では、エッチングにより導体パターンを形成する前に金属バンプを形成するので、電気メッキ用給電パターンを設ける必要がない。また、ロウ付け等によらず、電気メッキ法により金属バンプを形成することから、導体パターン上への半田バンプの濡れ広がりを防止するためのソルダーレジスト層を形成する必要がなく、製造工程を簡略化出来るとともに、柱状体の金属バンプを容易に形成することが出来る。
【0078】
また、特に絶縁フィルムにテーパ状の内壁を有する孔を形成し、そこに接合用電極を埋め込むことにより、接合用電極と半田バンプとの接合強度を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る金属バンプ付きテープキャリアを示す断面図。
【図2】本発明の金属バンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図3】本発明の金属バンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図4】本発明の金属バンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図5】本発明の金属バンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図6】本発明の他の実施形態に係る金属バンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図7】本発明の他の実施形態に係る金属バンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図8】本発明の他の実施形態に係る金属バンプ付きテープキャリアの製造プロセスを工程順に示す断面図。
【図9】本発明の他の実施形態に係る金属バンプ付きテープキャリアを示す断面図。
【図10】従来のテープキャリアを用いた半導体パッケージを示す断面図。
【図11】本発明のテープキャリアの斜視図。
【図12】本発明の金属バンプ付きテープキャリアにおける、絶縁フィルムに形成された孔の形状を示す断面図。
【図13】本発明の金属バンプ付きテープキャリアにおける、絶縁フィルムに形成された孔のテーパの有無による、配置し得る配線数を示す断面図。
【符号の説明】
1…ポリイミドテープ
2…金属層
3,29a,46a…金属バンプ
4…電子デバイス
6…金属パッド
11…絶縁フィルム
12…銅パターン
13…金属バンプ
14…接合用電極
21,41…銅箔
22,42…ポリイミド層
23, 43…孔
24,27,44…感光性ドライフィルム
25,28,45,48…マスク
26a…半田パターン
26b,29b,46b…金属層
30…半導体チップ
31…アンダーフィル樹脂(エポキシ樹脂)
47…電着フォトレジスト
51…ターミナル
61…半田バンプ
71,81…配線
Claims (9)
- 半導体チップを回路基板に搭載するためのバンプ付きテープキャリアであって、絶縁フィルムと、この絶縁フィルム上に形成され、回路基板と接続するためのターミナルを有する導体パターンと、この導体パターン上に形成された半導体チップ接続用金属バンプとを備え、前記金属バンプが、前記導体パターン面に対し実質的に垂直な側面を有する柱状体からなり、前記ターミナルの下側の前記絶縁フィルムに、前記ターミナル側とは反対側に向かって広がるように、45°以上のテーパ角の内壁を有する孔が設けられ、この孔に接合用電極が形成されており、この接合用電極を介して、前記導体パターンと回路基板とが接続されていることを特徴とするバンプ付きテープキャリア。
- 前記金属バンプは、半田からなることを特徴とする請求項1に記載のバンプ付きテープキャリア。
- 前記金属バンプおよび前記接合用電極は、いずれも多層構造を有することを特徴とする請求項1に記載のバンプ付きテープキャリア。
- 前記金属バンプは、半田からなる最上層と、半田よりも高い融点を有する金属からなる下層とを含むことを特徴とする請求項3に記載のバンプ付きテープキャリア。
- 絶縁フィルムと、この絶縁フィルム上に形成された導体パターンと、この導体パターン上に形成された半導体チップ接続用金属バンプとを備えたバンプ付きテープキャリアの製造方法であって、
絶縁フィルムと金属箔とからなる積層体の金属箔上に第1の感光性樹脂層を形成する工程、
前記第1の感光性樹脂層をパターニングして、回路形成用の第1の樹脂パターンを形成する工程、
第1の電気メッキを施し、前記第1の樹脂パターンから露出する前記金属箔上に金属パターンを形成する工程、
前記第1の樹脂パターンを除去し、前記金属パターンを含む全面に第2の感光性樹脂層を形成する工程、
前記第2の感光性樹脂層をパターニングして、金属バンプ形成部のみが露出するように第2の樹脂パターンを形成する工程、
第2の電気メッキを施し、前記第2の樹脂パターンから露出する前記金属パターン上に金属バンプを形成する工程、
前記第2の樹脂パターンを除去する工程、および
前記金属パターンをマスクとして用いて、前記金属箔を選択的に除去して、金属箔パターンを形成し、金属パターンと金属箔パターンが積層された導体パターンを設ける工程
を具備し、前記第1の感光性樹脂層を形成する工程の前に、或いは前記金属パターンを形成する工程の後で、かつ前記金属バンプを形成する工程の前のいずれかの時に、前記絶縁フィルムの所定位置に、前記導体パターンのターミナルよりも小さい径の孔を形成する工程を更に具備し、前記絶縁フィルムの孔は、前記絶縁フィルムの金属箔側とは反対側に向かって広がるように、45°以上のテーパ角の内壁を有するように形成することを特徴とするバンプ付きテープキャリアの製造方法。 - 前記第1の電気メッキにより、前記孔内に露出する前記金属箔上に第1の金属層が形成され、前記第2の電気メッキにより、前記孔内の前記第1の金属層上に第2の金属層が形成されることを特徴とする請求項5に記載のバンプ付きテープキャリアの製造方法。
- 前記金属バンプは、半田からなることを特徴とする請求項5に記載のバンプ付きテープキャリアの製造方法。
- 絶縁フィルムと、この絶縁フィルム上に形成された導体パターンと、この導体パターン上に形成された半導体チップ接続用金属バンプとを備えたバンプ付きテープキャリアの製造方法であって、
絶縁フィルムと金属箔とからなる積層体の絶縁フィルムの所定の位置に、前記導体パターンのターミナルよりも小さい径の孔を形成する工程、
前記積層体の金属箔上に第1の感光性樹脂層を形成する工程、
この第1の感光性樹脂層をパターニングして、金属バンプ形成部のみが露出するように第1の樹脂パターンを形成する工程、
電気メッキを施し、前記第1の樹脂パターンから露出する前記金属箔上に金属バンプを形成する工程、
前記第1の樹脂パターンを除去し、前記金属バンプを含む全面に電着法により、第2の感光性樹脂層を形成する工程、
前記第2の感光性樹脂層をパターニングして、回路形成用の第2の樹脂パターンを形成する工程、
前記第2の樹脂パターンをマスクとして用いて、前記金属箔を選択的に除去して金属箔パターンを形成する工程
を具備し、
前記絶縁フィルムの孔は、前記絶縁フィルムの金属箔側とは反対側に向かって広がるように、45°以上のテーパ角の内壁を有するように形成することを特徴とするバンプ付きテープキャリアの製造方法。 - 前記金属バンプは、半田からなることを特徴とする請求項8に記載のバンプ付きテープキャリアの製造方法。
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