TW200523340A - Hochefeizienter leuchtstoff - Google Patents
Hochefeizienter leuchtstoff Download PDFInfo
- Publication number
- TW200523340A TW200523340A TW093128663A TW93128663A TW200523340A TW 200523340 A TW200523340 A TW 200523340A TW 093128663 A TW093128663 A TW 093128663A TW 93128663 A TW93128663 A TW 93128663A TW 200523340 A TW200523340 A TW 200523340A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- patent application
- scope
- luminescent material
- item
- Prior art date
Links
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 25
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 90
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 23
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N plutonium atom Chemical compound [Pu] OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 nitrogen oxide silicates Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 33
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 11
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 206010001497 Agitation Diseases 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 5
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 2
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000269333 Caudata Species 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015811 MSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004412 SrSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDNXILQBKLFION-UHFFFAOYSA-N [K].[Cu] Chemical compound [K].[Cu] VDNXILQBKLFION-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000002258 gallium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- ODUCDPQEXGNKDN-UHFFFAOYSA-N nitroxyl Chemical compound O=N ODUCDPQEXGNKDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical group [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical group 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/55—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing beryllium, magnesium, alkali metals or alkaline earth metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
200523340 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明與下列申請案有緊密關聯:專利申請案第 2003P14656號、第 2003P14654 號及第 2003P14655 號。 本發明係依據申請專利範圍第1項前文之氮矽酸鹽類 的高效率發光材料爲基礎。這類發光材料特別是指選自含 緦之氮氧基矽酸鹽類的發光材料。 【先前技術】 氮氧基矽酸鹽類型發光材料指的是一種本質上已知縮 寫爲化學式MSiON的發光材料,可參見例如J. van Krevel 於TU Eindhoven 2000版(國際標準圖書編ISBN爲90-386-2711-4)—書的第六章「有關新的摻雜有稀土族之M-Si-Al-0-Ν 材料」。這類材料係摻雜有铽,且係在以波長爲3 6 5奈米 或254奈米之光的激發下達成放射作用。 歐洲專利申請案第02 02 1 1 1 7.8(登錄文號爲2002P 1 5 73 6) 號文件中提出了 一種尙未發表之新型發光材料係由化學式 MSi202N2(M = Ca,Sr,Ba)之經銪-活化或是經銪、錳-共活化 之氮氧基矽酸鹽類構成的。 該主晶格的基本結構可參見W.H. Zhii等人發表於j.
Mat· Sci· Lett·,1 3 ( 1 994),pp.5 6 0 - 5 62 標題爲「Sr-Si-0-Ν 系統內的相關係」之論文,其中係結合陶瓷材料進行討論 。這個參考文獻中,證實這種結構會出現在兩種改質中, 亦即低溫相X 1及高溫相X2內。簡稱爲LT的低溫相主要 200523340 係在大槪1 3 0 0 °C下製成的,而簡稱爲Η T的高溫相主要保 在上達大槪1 600 °C的較高溫度下逐漸製成的。不過,這兩 種相基本上是很難分離的,由於它們具有相同之基本結擒 但是不同之晶格常數的緣故。這兩種的確切化學計量可偏 離化學式MSi202N2。 【發明內容】 本發明的目的是提供一種具有最高可能效率的如申請 專利範圍第1項前文之發光材料。本發明的另一目的是提 供一種使用這種發光材料的光源以及這種高效率發光材料 的製造方法。 這些目的分別是藉由如申請專利範圍第1、1 3和1 7項 之敘述特徵而達成。特別有利的結構可在申請專利範圍之 各附屬項中找到。 截至目前,不存在任何發出綠光之高效率發光材料同 時是對外界影響不敏感的,此外還能成功地以發出藍光或 發出紫外光之IED進行激發。 在 Μ-8ΐ·(ι_χ_γ)Β&γ〇3·χ (其中 〇$ x + y<〇.5)亦即以下稱作 Sr Sion之主要含緦的實施例中,很難控制歐洲專利申請案 第02 021 117.8號文件中已知的發光材料MSi202N2: Eu (M = Ca,Sr5 Ba)。雖則某些測試條件可給出絕佳的結果,然 而截至目前不存在任何有關如何以可靠方法獲致必要結果 的支配原理。額外的因素是存在有某種趨勢會在高溫負載 下減小發光材料的效率且過度地改變其色彩軌跡。特別較 佳的條件如下:y = 0而OSxSO.3以及χ = 〇而Ogy^O.i。 -6 - 200523340 令人驚訝的是,現在已發現兩個相的基礎差異爲其用 作發光材料的適合程度。其中LT相僅有限地用作摻雜有銪 的發光材料且僅能發射微弱的橘紅色的光,而Η T相則很 適合用作可發射綠光的發光材料。正常情況下有一種由兩 種改質構成的混合物以跨越寬廣的能帶顯示出兩種形式的 放射。因此,依儘可能純的形式製造該Η Τ相爲所冀望者 ,亦即使其比例至少爲5 0 %,較佳的是其比例至少爲7 0 % ,特別較佳的是其比例至少爲8 5 %。 這需要一種在至少爲1300 °C但是不超過1600 °C之溫 度下施行的退火程序。由於在較低溫度下所形成的LT相逐 漸增加且在較高溫度下愈來愈難處理各發光材料,超過約 1 6 00 °C時會形成硬性燒結型陶瓷或是熔化,故較佳的是其 溫度範圍是從約1 4 5 0到1 5 8 0 °C。最佳化的溫度範圍係取 決於各起始材料的精確組成及其性質。 爲了製造一種Sr Sion型的有效發光材料,特別重要的 是使用一批以Si02、SrC03及Si3N4之類基礎成分構成之 實質化學計量型起始產物。緦扮演著的是本發明中Μ的代 表性實例。特別是其與包含所添加之任何熔融附加物之理 想化學計量批式的偏離量額應該未超過1 〇 %且較佳爲5 %, 如同常見的慣例一般。特別較佳的是其最大偏離量額爲1 % 。除此之外,存在有一種以例如E u 2 Ο 3之類氧化物施行之 摻雜銪餾分用的先質。這個發現違反了以明顯之次化學計 量比例添加基礎成分Si02的習知程序。由於其他推荐用作 發光材料的Sions諸如根據歐洲專利申請案第0 2 0 2 1 1 1 7.8 200523340 號文件中所提出Ba Sion之事實,此發現亦特別令人驚訝 ,其的確以S i Ο 2之次化學計量數量產生。 因此,用於S r S i ο η型M S i 2 Ο 2 N 2的對應批式使用了 1 1 到13重量%的Si02、27到29重量%的Si3N4,其餘則爲 SrC03。Μ中則對應地添加有鋇和鈣餾分當作碳酸鹽。根據 必要的摻雜添加例如銪的氧化物或氟化物以取代Sr C03。 。同時應了解將該批MSi202N2理解爲涵蓋任何偏離確切化 學計量學的量,只要能夠補償電荷停留現象便成。 已證明特別方便的是使主晶格特別是氮化矽的各起始 成分具有最高可能的純度。因此,特別較佳的是以例如四 氯化矽爲起始成分之液相合成的氮化矽。特別是已證明含 鎢及鈷的污染物是關鍵的。應該使每一個這類組成的雜質 量儘可能愈低愈好,特別是以這類先質物質爲基礎使各例 中的雜質量小於1 0 〇 p p m,特別是使之小於5 0 p p m。此外’ 有利的是使之具有最高可能的反應性;這個參數可藉由反 應表面區域(BET)加以量化’其値應該至少爲6平方米/公 克,且有利的是至少爲8平方米/公克。 在偏離上述有關化學計量批式及溫度管理之程序的事 件中,假如將S i 0 2之的添加量設定得太低’則逐漸增加所 形成之不必要外來相亦即諸如M2Si5N8之類MxsiyNz的量 ,以致產生過量的氮氣。雖則相對於s r s i0 n的合成作用這 種化合物本身是一種有用的發光材料’然而由於這類外來 相會吸收Sr Sion的綠光輻射並將之轉換成由氮氧基矽酸 200523340 鹽類所提供的紅光輻射,故這種化合物正如其他氮氧基矽 酸鹽一般極易斷裂。反之,假如添加了太多的Si〇2則由於 產生了過量的氧氣故會形成諸如Sr2Si〇4之類的矽酸鋸。兩 種外來相都會吸收有用的綠光放射或者至少引致了諸如空 缺之類的晶格缺陷而對發光材料的效率產生相當的有害效 應。所用的起始點指的是其外來相的量應該儘可能小於 15%且較佳的是甚至使之小於5%的基礎原理。於所合成之 發光材料的X射線繞射(XRD)光譜中,這會對應到下列要 求:使其XRD繞射角2 Θ落在從25到32 °的範圍內,所有 外來相的峰値強度應該於HT改質在大槪31.8°所表現之主 峰値強度的1 /3,較佳的是使之小於主峰値強度的1 /4,特 別較佳的是使之小於主峰値強度的1 /5。這特別適用於 SrxSiyNz型特別是Sr2Si5N8之類的外來相。 有了最佳化的程序,吾人能夠可靠地達成從8 0到遠超 過9 0 °/。的量子效率。反之,假如其程序不明確,則其效率 通常會落在最多從5 0到6 0 %之量子效率的範圍內。 因此,吾人能夠根據本發明產生一種代表化學式爲 MSi2 02N2(M = Ca,Sr,Ba)之銪活化或者適當時另外添加錳 當作共活化劑之氮氧基矽酸鹽的發光材料,其中以Η T相形 成了大部分或是全部的發光材料亦即多於5 0 %較佳的是多 於85%的發光材料。這個ΗΤ改質是因爲可在寬廣之能帶內 亦即從5 0到4 8 0奈米、特別是從1 5 0到4 8 0奈米且特別較佳的 是從2 5 0到4 7 0奈米之很寬範圍內受到激發的事實而顯得重要 ,也就是相對於外部影響呈極度安定亦即不致在1 5 0 °C的空氣 200523340 中顯現出任何可量測的降解現象,且在起伏條件下具有極 爲良好的色彩軌跡安定性。其他有利點包含其在紅光區的 低吸收率,這在使用發光材料混合物的例子裡顯得特別有 利。以下也經常稱這種發光材料爲s r S i ο n : E U。尤其是可 從下列事實辨認出大多數的ΗΤ改質,較之ΗΤ改質落在從 2 5到2 7 °之XRD光譜內的一組三個反射光中強度最高的峰 値,LT改質在大槪28.2 °之XRD光譜內的特徵峰値的強度 會小於1 : 1且較佳的是其強度會小於1 : 2。這裡在各例中所 列舉的X R D光譜係有關一種由已知的銅—鉀譜線產生的 激發作用。 在相同的活化劑濃度下,這種發光材料會顯露出不同 於具相同化學計量之LT變量的放射特徵。HT變量之全幅 半局寬(F W Η Μ)會明顯地小於已在含有各外來相及缺陷之 簡單混合物例子裡的最佳化Η Τ變量,且係落在從7 0到8 0 奈米的範圍內,其中該含有各外來相及缺陷之簡單混合物 的全幅半高寬係落在從1 1 0到1 2 0奈米的範圍內。一般而 言ΗΤ改質的主要波長會比較短,通常會比含明顯量之外 來相的樣本的波長要小1 0到20奈米。額外的因素爲高純 度ΗΤ改質的效率通常會比含主要爲-LT之混合物或是具有 高量之外來相的混合物高出至少2 0 %且在某些情況下會高 出更多。 由於外來相的量愈低則由富含外來相特別是諸如 SoShNrEii之類氮氧基矽酸鹽外來相Sr-Si_N_Eu的改質所 放射之特定橘紅光的比例就愈低的緣故,充分低量之ΝΊΓ -10- 200523340 改質及外來相有一種特徵特性是其放射之全幅半高寬會小 於9 0奈米。 除了已減小的全幅半寬高之外,前述XRD光譜內可顯 露出不同晶體結構的標準反射光是建立本發明之特徵的另 一個重要因子。 HT改質在XRD光譜內之主要峰値指的是在大槪3丨7。 的峰値。其他顯著的峰値有落在2 5與2 7。之間(2 5 · 3,2 6.0 及2 6.3 °)強度大槪相同的三個峰値,其中具有最小繞射之 峰値的強度最大。更遠的集中峰値則落在1 2 · 6。上。 這種發光材料主要會發射主要波長落在從550到570 奈米特別是從5 5 5到5 6 5奈米範圍內的綠光。 吾人也能夠於化學式MSi2〇2N2之氮氧基矽酸鹽的分 子內添加小量額的A10族群以取代SiN,特別是其添加量 額最多等於SiN含量的30%。
Sr Sion: Eu的兩種相都可類似地結晶成兩種結構不同 的主晶格改質,且係各以S r S i 2 Ο 2 N 2 : E u之批式化學計量 製成的。其中可能出現與這種化學計量的次要偏離。令人 驚訝的是,兩種摻雜有銪的主晶格都會在於藍光或紫外光 區受到激發時發光,但是各例中的主晶格改質具有不同的 發光色彩。LT改質會顯露出橘光放射,理論上HT改質則 以明顯較高的效率以約;I dem = 5 6 0奈米顯露出綠光放射。 可準確地將發光材料的必要性質設定爲摻雜爲含量及摻雜 物材料(銪或銪和錳)及LT與HT改質之相對比例的函數。 -11- 200523340 HT相之一益處是能跨越非常寬的光譜區以良好程度 的均勻度進行激發而只使量子效益產生次要改變的事實。 此外,Η Τ改質的發光作用會在很寬的溫度內只微弱地 取決於其溫度。因此,本發明第一次發現了一種綠光-發射 的發光材料,較佳的是用於LED應用的發光材料,而不需 要施行特殊策略進行穩定。特別是這可使之與先前被當作 此一目的之最有希望的候選材料的發光材料亦即氫硫基掊 (鎵)酸鹽或是氯化矽酸鹽類發光材料區分開。 一般而言,這種發光材料可有效地以全範圍之光源進 行激發:特別是藉由可發射波長落在從3 0 0到4 8 0奈米範 圍內之紫外光或藍光當作初階輻射的LED晶片(例如氮化 鎵銦(InGaN)型晶片);此外,可藉由所有型式的燈特別是 汞低壓及高壓燈,以及可發射波長至少爲5 0、較佳的是至 少爲1 5 0以及400奈米之紫外光和真空紫外光例如激態雙 原子分子輻射放射的輻射器。在1 60奈米時其量子效率仍 有大槪5 0 %。 這種發光材料特別適合用在全彩用發光轉換型LED以 及能以基本上可發射紫外光-藍光之LED爲基礎設定爲必 要色彩的發光轉換型LED。 具有M =(緦,鋇)較佳的是在沒有鋇或上達10%之鋇的 Sion化合物代表的是放射極大値之範圍很寬的有效發光材 料。一般而言這類極大値係落在比純的S r S i ο η更短且較佳 的是在5 2 0與5 6 5奈米之間的波長上。此外,可藉由添加 -12- 200523340 小量額(較佳的是上達30莫耳%)的鈣及/或鋅,並藉由將部 分(上達2 5莫耳%)的矽取代爲鍺及/或錫,以達成拓寬其色 彩空間的目的,較之純的S r S i ο n這會使放射極大値朝波長 更長的區平移。 另一實施例係將Μ特別是緦部分地取代爲諸如La3 —或 L i +之類的三價或單價離子。較佳的是這類離子所形成的分 率最多在Μ中佔了 20莫耳%。 較佳的是可將根據本發明的發光材料用於發光轉換型 LED以產生白光,即使使用的是藍光初階輻射時亦然,此 例中可使用S r S i ο η當作綠光成分連同以s r S : E u 2 +當作紅 光成分’同時可使用紫外光初階輻射,此例中可藉由已知 的藍光-和紅光-發射型發光材料及根據本發明的綠光-發射 型發光材料以產生白光。這裡藍光成分用的候選材料本身 是已知的,例如 B a M g A 1 i。0 丨 7: E u2 + (俗稱 B A Μ)、B a 5 S i Ο 4 (C 1, Br)6:Eu2+、CaLa2S4:Ce3 +或(Sr,Ba,Ca)5(P04)3Cl:Eu2 + (俗稱 S CAP)都是適合的。根據本發明的發光材料適合用作綠光 成分。紅光(-發射型)發光材料可用於紅光放射,特別適合 的有(Y,La,Gd,Lu)2〇2S:Eu3 +或(Ca,Si,)2Si5N8:Eu2+。 【實施方式】 桌1圖顯不的是一種根據本發明之發光材料的明確實 例。這種實例係有關一種HT改質內之發光材料SrSi202N2: (5 %Ειι2 + )的放射作用,其中銪分率形成了爲緦所佔據之晶 格位置的5莫耳%。該放射極大値係落在5 4 〇奈米上,而 其平均波長(主要波長)則落在5 6 0奈米上。其色彩軌跡爲 200523340 χ = 0·357,y = 0.605°其激發作用係發生在“ο奈米上,而其 全幅半高寬(FWHM)則爲76奈米。 其製程涉及了首先以精確的化學計量混合各起始物質 Si*C〇3、SisN4及Si〇2,然後令其混合物在還原條件下於充 有氮氣及氫氣的1 5 0 0 °C烤爐中接受8小時的退火處理。結 果產生了含有12.05重量%之Si〇2、28.10重量%之Si3N4 及56.27重量%之81*(:03加上3.53重量%之£11203的化學計 量批式產物。因此,有當作活化劑的5莫耳%銪取代了陽 離子緦。 第2圖顯示的是這種發光材料的漫散性反射光譜。圖 中顯露了落在小於440奈米範圍內的明顯極小値以及在 4 7 0奈米上的充分吸收,因此證明了在這個範圍內具有良 好的可激發性。 第8圖顯示的是一種發出綠光之高效率發光材料的實 例。這是有關一種HT改質內之發光材料SrSi2〇2N2:(10% Eu2 + )的放射作用,其中銪分率形成了爲緦所佔據之晶格位 置的1 0莫耳%。該放射極大値係落在5 4 5奈米上,而其平 均波長U d〇m)則落在564奈米上。其色彩軌跡爲x = 〇.3 93, y = 0.577。其激發作用係發生在460奈米上,而其全幅半高 寬(FWHM)則爲84奈米。 第3圖係用以顯示含有10%之銪的Sr Sion呈激發波長 函數之可激發度的光譜圖。該可激發度係正比於所吸收能 量及量子效率的乘積。吾人可以看出根據本發明之Sr Sion 可跨越從2 5 0到4 7 0奈米的很寬波長範圍具有超過5 0 %的 200523340 可激發度。 第4圖顯示的是這種發光材料的溫度性質。其溫度驟 冷現象出奇的低,亦即在較之室溫呈非常高之熱負載的1 2 5。〇 下其量額最多只有12%。· 可藉由第5圖中所繪製之四種S r S i ο η型發光材料的 XRD光譜亦即X射線繞射光譜解釋依不同方式製造之發光 材料的不同結構。第5 a圖顯示的是一種具強烈優勢之L τ 改質的X R D光譜。其特徵性質是一落在大槪2 8 · 2。的很強 峰値。這種樣品達成了 Η T改質之量子效率的大槪1 〇 %且係 以非常不具反應性的起始材料在大槪1 3 0 0 °C的退火處理下 製成的。第5b圖顯示的是一種由較之LT改質之分率其HT 改質之分率多過50%構成之混合物的XRD光譜。此例中, HT改質之XRD反射譜線係出現在大槪31.7°上,且較之落 在大槪2 8.2 °的主要LT反射線落在從2 5到2 7 °範圍內的三 重反射譜線則向前逐漸增強。較之Η T改質其量子效率是 大槪7 〇 %。其製程係在大槪1 4 0 0 °C下施行的。第5 c圖顯示 的是一種尙未小心排除其外來相的樣品。特別是,可淸楚 地看到指定爲落在大槪3 1 · 2 °之氮氧基矽酸鹽的峰値,其量 額大槪等於HT相落在大槪3 1 · 7 °之特徵峰値之峰値高度最 大値的5 0%。雖則這裡已大幅地抑制LT改質,然而這種樣 品所達成之量子效率仍不及HT改質之量子效率的40%。最 後第5d圖顯示的是一種大槪是純HT改質的XRD光譜。其 量子效率扮演著其他樣品之標準値(100%)的角色。這裡已 在大槪1 5 0 0 °C的退火處理下以高純度的反應性起始物質藉 200523340 由符合準確化學計量學的製程大幅地抑制各外來相及LT 改質。 第6圖明確地顯示了 一種以RGB爲基礎之白光光源的 結構。該光源指的是一種含晶片1之半導體組件,其中晶 片1指的是一種峰値放射波長落在紫外光內例如4 0 5奈米 的氮化鎵銦(InGaN)型晶片,且係將該晶片1埋藏於一不透 明基礎外殻8上由凹陷9構成的區域內。該晶片1係經由 一接合線1 4連接於第一端子3上而直接連接於第二電氣端 子2上。該凹陷9係塡充有主要成分爲環氧鑄模樹脂(8 0 到90重量°/。)及由兩種發光材料之混合物構成之發光材料 顏料6(小於20重量%)的灌注化合物5。第一種發光材料指 的是如同第一解釋用實施例中所提出可發出綠光型的氮氧 基矽酸鹽,而第二種發光材料指的是一種藍光-發射的發光 材料此例中特別是指BAM以及一種包含純緦和變體鈣以 及鋸和鈣之混合物的紅光-發射氮基矽酸鹽(Ca, Sr)2Si5N8:Eu(10%)。凹陷9具有分別扮演著來自晶片1及 顏料6之初階及二階輻射之反射器角色的器壁1 7。 第9圖顯示的是一種混合型Sion MSi2O2N2:Eu(10%) 的實例,其中Μ = (1 0 %的鋇其餘的則爲緦)。其激發譜線係 落在460奈米上;其色彩軌跡x/y爲0.397/0.576。其主要 波長則落在5 6 0奈米上;其全幅半高寬(f W Η Μ )則爲8 7奈 米;而其量子效率約7 0 %。 第10圖顯示的是一種混合型Sion MSi2〇2N2:Eu(l〇%;) 的實例,其中M = ( 1 〇%的鋇其餘的則爲緦)。其激發譜線係 200523340 落在460奈米上;其色彩軌跡x/y爲0.4 1 1 /0.5 66。其主要 波長λ d〇m則落在5 6 6奈米上;其全幅半高寬(FWHM)則爲 84奈米;而其量子效率是大槪67%。 第11圖顯示的是另一種示例之具體實施例,其中再次 使用了 一種由R G B發光材料之混合物構成的發光材料顏料 。不過’將這類發光材料塗覆於一外殼上支持有複數個發 光轉換型LED的器壁9上。 令人訝異地,假如嚴格確保該材料含有非常低量的雜 質雖則可製造出特別有效率的發光材料,其中特別關鍵的 鲁 雜質有鎢、鈷、鋁和鈣,當然假如事實上並非主晶格 M S i 2 Ο 2N2之必要組成則這只適用於後兩面種元素。 吾人夠在考;S銘和砂在S i N和A1 Ο兩種基內具有 相當性質且兩種基之鍵長相當的事實下將MSi202N2內的 SiN基取代爲A10基。 【圖式簡單說明】 以下將參照各附圖以兩個解釋用實施例爲基礎的說明 更詳細地解釋本發明。 · 第1圖顯示的是第一種氮氧基矽酸鹽的放射光譜。 第2圖顯示的是這種氮氧基矽酸鹽的反射光譜。 第3圖係用以顯示Sr Sion呈激發波長函數之可激發度 的光譜圖。 第4圖顯不的是S r S i 〇 η的溫度剖面圖。 第5圖顯示的是各種Sr Sion型發光材料的xrd光譜。 第6圖和第1 1圖顯示的是一種扮演著白光光源角色的 -17- 200523340 半導體組件。 及不含外來相之發光材 第7圖顯示的是兩種分別含有 ^的放射光譜。 弟8圖到第1〇圖顯示的曰 〜7^ W疋另一種氮氧基矽酸鹽的放射 光譜。 【主要元件符號說明】
1 晶 片 2 第 二 電 氣 端 子 3 第 一 端 子 5 灌 注 化 合 物 6 發 光 材 料 顏 料 7 控 制 用 電 子 元件 8 不 透 明 基 礎 外殻 9 凹 陷 14 接 合 電 線 17 凹 陷 之 器 壁
-18-
Claims (1)
- 200523340 十、申請專利範圍: 1 . 一種高效率發光材料,係選自具有陽離子Μ及經驗化 學式爲M(u0Si2〇2N2:De之氮氧基矽酸鹽類,其陽離子μ 含S r作爲組成且D爲含銪之二價摻雜物,其中s r單獨或 Si-^mBayCax(其中x + y<0.5)用於M,該氮氧基矽酸鹽類 係完全或主要地包含高溫安定性改質HT。 2 ·如申請專利範圍第1項之發光材料,其特徵爲其中銪在 Μ中的分率落在0 · 1與2 0莫耳%之間。 3 ·如申請專利範圍第1項之發光材料,其特徵爲其中s r代 參 表了 Μ的主要成分而將某一比例特別是上達3 〇莫耳%之 Μ經Ba及/或Ca取代。 4 ·如申請專利範圍第1項之發光材料,其特徵爲其中s r代 表了 Μ的主要成分而將某一比例特別是上達3 〇莫耳%之 Μ經Li及/或La及/或Ζη取代。 5 ·如申請專利範圍第1項之發光材料,其特徵爲將化學式 爲MSh〇2N2之氮氧基矽酸鹽內的SiN部分,特別是上達 30莫耳%2SiN基取代爲A10基。 籲 6 .如申請專利範圍第1項之發光材料,其特徵爲將Eu之比 例特別是上達30莫耳。/〇之Eu取代爲Mn。 7 ·如申請專利範圍第1項之發光材料,其特徵爲使各例中 W、Co、Al和Ca之雜質量低於10〇ppm,較佳爲少於 ,惟只要不是在鋁和釣之情形下添加這類雜質當作主晶 格M S i 2 0 2 N 2之組成便可。 8 .如申請專利範圍第1項之發光材料,其特徵爲該氮氧基 -19- 200523340 矽酸鹽中有多於7 〇 %且特別是多於8 5 %係由Η T改質構成 〇 9 .如申請專利範圍第1項之發光材料,其特徵爲該氮氧基 矽酸鹽主要包含ΗΤ改質,且其外來相的比例會少於1 5% 〇 1 〇.如申請專利範圍第1項之發光材料,其特徵爲該發光材 料在源自波長落在從5 0到4 8 0奈米範圍內之光子激發下 所產生放射的全幅半高寬(FWHM)係小於90奈米。 1 1 .如申請專利範圍第1項之發光材料,其特徵爲該XRD光 譜中其外來相的量會在遵循XRD繞射角2Θ會落在從25 到3 2 °的範圍內的規則下呈最小化,而所有外來相的峰値 強度應該小於ΗΤ改質在約3 1 · 8 °所表現之主峰値強度的 1 / 3,較佳的是使之小於主峰値強度的1 /4,特別較佳的 是使之小於主峰値強度的1 / 5。 12 .如申請專利範圍第1項之發光材料,其特徵爲該XRD光 譜中其LT相的比例會在遵循LT改質於約28.2°之XRD 光譜特徵峰値的規則下呈最小化,具有小於1 : 1之強度 且較佳的是小於1 :2,當與ΗΤ改値位於XRD光譜25至 2 7 °之3組反射光中最高強度之峰値比較時。 1 3 . —種光源含有可發射光學波譜區中波長落在從5 0到4 8 0 奈米範圍內之短波區內的輻射,其中可藉由如申請專利 範圍第1至1 2項中任一項之至少一種第一發光材料將這 個輻射完全或部分地轉換成波長較長特別是落在可見光 波譜區內的二階輻射。 -20- 200523340 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之光源,其特徵爲所用之初階輻 射光源指的是一種以In GaN爲基礎的發光二極體。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之光源,其特徵爲可進一步藉由 第二發光材料特別是由兩種發光材料亦即第一發光材料 和第二發光材料依適當方式選取並混合以產生白光的發 光材料將某些初階輻射轉換成波長較長的輻射。 1 6 .如申|靑專利範圍第1 3項之光源,其特徵爲另外可藉由第 二發光材料將某些初階$g射轉換成波長較長的輻射,其 中這種第三發光材料可發射光學波譜區中波長峰値落在 從5 8 0到6 7 0奈米範圍內之紅光波譜區內的輻射。 1 7 . —種用於製造如申請專利範圍第1項之高效率發光材料 之方法,其特徵爲遵循下列步驟: (a) 以實質的化學計量比例提供Si02、Si3N4及剩餘的 MC03,以及銪先質,並混合各產物; (b) 在約1300至1600 °C且較佳爲1450至到1580 °C下退 火混合物。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之製造方法,其特徵爲各起始產 物具有高純度,相對於量額各少於l〇〇ppm之W、Co、 A1 和 Ca。 1 9 ·如申請專利範圍第1 7項之製造方法,其特徵爲各起始產 物都具有至少爲6平方米/公克之BET表面積的高反應度 〇 20 ·如申請專利範圍第1 7項之製造方法,其特徵爲可將所有 成分之化學計量批次準確地維持在至少1 0%以內。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10344330 | 2003-09-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200523340A true TW200523340A (en) | 2005-07-16 |
Family
ID=34384253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW093128663A TW200523340A (en) | 2003-09-24 | 2004-09-22 | Hochefeizienter leuchtstoff |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7550095B2 (zh) |
EP (1) | EP1670876B1 (zh) |
JP (1) | JP4718466B2 (zh) |
KR (1) | KR20060094528A (zh) |
CN (1) | CN1886482A (zh) |
TW (1) | TW200523340A (zh) |
WO (1) | WO2005030905A1 (zh) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7258816B2 (en) * | 2002-03-22 | 2007-08-21 | Nichia Corporation | Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device |
JP4805829B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2011-11-02 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 定義された色温度を有する白色発光led |
EP2275512B1 (de) * | 2003-09-24 | 2012-07-25 | Osram AG | Grün emittierende LED |
JP2005298721A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 酸窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置 |
JP2006257385A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-09-28 | Showa Denko Kk | 酸窒化物系蛍光体及びその製造法 |
DE102004051395A1 (de) | 2004-10-21 | 2006-04-27 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Hocheffizienter stabiler Oxinitrid-Leuchtstoff |
EP1854339B1 (en) | 2005-02-17 | 2013-04-24 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Illumination system comprising a green-emitting ceramic luminescence converter |
US20090033201A1 (en) * | 2006-02-02 | 2009-02-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Complex oxynitride phosphor, light-emitting device using same, image display, illuminating device, phosphor-containing composition and complex oxynitride |
DE102006008300A1 (de) | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff sowie Herstellverfahren für den Leuchtstoff |
US20100213822A1 (en) * | 2007-08-01 | 2010-08-26 | Satoshi Shimooka | Phosphor and production method thereof, crystalline silicon nitride and production method thereof, phosphor-containing composition, and light emitting device, display and illuminating device using the phosphor |
WO2009050611A1 (en) * | 2007-10-15 | 2009-04-23 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Light emitting device comprising a multiphase sialon-based ceramic material |
KR100891554B1 (ko) * | 2007-10-24 | 2009-04-03 | 유재수 | 백색 led 소자용 산화질화물계 형광체, 그의 제조방법및 이를 이용한 백색 led 소자 |
KR20100107001A (ko) * | 2007-12-03 | 2010-10-04 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 산란이 감소된 led를 위한 세라믹 재료 및 그것을 제조하는 방법 |
TW201202391A (en) * | 2010-07-14 | 2012-01-16 | Forward Electronics Co Ltd | Phosphor composition for AC LED and AC LED manufactured by using the same |
KR101196845B1 (ko) * | 2010-10-11 | 2012-11-01 | 한국화학연구원 | (할로)금속실리콘산질화물 형광체 및 이의 제조방법 |
CN102796517B (zh) * | 2011-05-23 | 2015-02-04 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种含氮硅酸镁薄膜及其制备方法和应用 |
KR101970774B1 (ko) * | 2012-07-17 | 2019-04-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 형광체 및 발광 장치 |
KR102362784B1 (ko) * | 2014-04-25 | 2022-02-15 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 포화 담금질을 감소시킨 양자점들 |
CN105273713A (zh) * | 2014-07-18 | 2016-01-27 | 三星电子株式会社 | 磷光体及其制备方法 |
KR20190101787A (ko) * | 2018-02-23 | 2019-09-02 | 서울반도체 주식회사 | 개선된 연색성을 갖는 led 조명 장치 및 led 필라멘트 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4879319A (en) * | 1987-02-24 | 1989-11-07 | Dresser Industries, Inc. | Anhydrous refractory plastic |
US4897319A (en) | 1988-07-19 | 1990-01-30 | Planar Systems, Inc. | TFEL device having multiple layer insulators |
EP1143618B1 (en) | 1999-09-20 | 2006-11-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Overcurrent control circuit of power semiconductor device |
EP1104799A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Red emitting luminescent material |
US6632379B2 (en) | 2001-06-07 | 2003-10-14 | National Institute For Materials Science | Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor |
DE10146719A1 (de) * | 2001-09-20 | 2003-04-17 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
DE10147040A1 (de) * | 2001-09-25 | 2003-04-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
DE20115914U1 (de) * | 2001-09-27 | 2003-02-13 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH, 81543 München | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
EP1413618A1 (en) * | 2002-09-24 | 2004-04-28 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Luminescent material, especially for LED application |
US6717353B1 (en) * | 2002-10-14 | 2004-04-06 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Phosphor converted light emitting device |
EP1554914B1 (en) * | 2002-10-14 | 2006-06-07 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Light-emitting device comprising an eu(ii)-activated phosphor |
JP4415547B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2010-02-17 | 日亜化学工業株式会社 | オキシ窒化物蛍光体及びその製造方法 |
JP4415548B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2010-02-17 | 日亜化学工業株式会社 | オキシ窒化物蛍光体を用いた発光装置 |
MY149573A (en) * | 2002-10-16 | 2013-09-13 | Nichia Corp | Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor |
US7723740B2 (en) * | 2003-09-18 | 2010-05-25 | Nichia Corporation | Light emitting device |
EP2275512B1 (de) * | 2003-09-24 | 2012-07-25 | Osram AG | Grün emittierende LED |
JP4805829B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2011-11-02 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 定義された色温度を有する白色発光led |
EP1670875B1 (de) * | 2003-09-24 | 2019-08-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Hocheffizientes beleuchtungssystem auf led-basis mit verbesserter farbwiedergabe |
-
2004
- 2004-09-22 TW TW093128663A patent/TW200523340A/zh unknown
- 2004-09-24 EP EP04786853.4A patent/EP1670876B1/de active Active
- 2004-09-24 US US10/573,398 patent/US7550095B2/en active Active
- 2004-09-24 CN CNA2004800347168A patent/CN1886482A/zh active Pending
- 2004-09-24 JP JP2006527272A patent/JP4718466B2/ja active Active
- 2004-09-24 WO PCT/DE2004/002137 patent/WO2005030905A1/de active Application Filing
- 2004-09-24 KR KR1020067007850A patent/KR20060094528A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1670876B1 (de) | 2020-04-29 |
US7550095B2 (en) | 2009-06-23 |
CN1886482A (zh) | 2006-12-27 |
JP4718466B2 (ja) | 2011-07-06 |
WO2005030905A1 (de) | 2005-04-07 |
US20070080326A1 (en) | 2007-04-12 |
EP1670876A1 (de) | 2006-06-21 |
KR20060094528A (ko) | 2006-08-29 |
JP2007506815A (ja) | 2007-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5270082B2 (ja) | 二相シリケート系黄色蛍光体 | |
US8163203B2 (en) | Yellow emitting phosphors based on Ce3+-doped aluminate and via solid solution for solid-state lighting applications | |
US8808577B2 (en) | Thermally stable oxynitride phosphor and light source comprising such a phosphor | |
US7965031B2 (en) | White-emitting LED having a defined color temperature | |
US8093798B2 (en) | Luminescent substance of the class of nitride silicates and light source having such a luminescent substance | |
US9109161B2 (en) | Illuminant and light source containing the same, and method for producing said illuminant | |
TWI443854B (zh) | 包含黃綠冷光材料的照明系統 | |
TW200523340A (en) | Hochefeizienter leuchtstoff | |
JP4618330B2 (ja) | 蛍光体とその製造方法、及び、蛍光体を用いた発光デバイス並びに表示デバイス | |
JP2010509458A (ja) | 二価および三価カチオンを混合したアルミニウムシリケート系橙色−赤色蛍光体 | |
JP2013543016A (ja) | ケイ素カルビドニトリドベースの蛍光体およびこれを使用する発光素子 | |
US7851988B2 (en) | Green-emitting LED | |
JP5355613B2 (ja) | オキシアパタイト構造を有する黄色蛍光体、製造方法並びにその白色発光ダイオード装置 | |
JP2014194019A (ja) | 照明システム | |
EP2009078A1 (en) | Ce3+, Eu2+ -activated alkaline earth silicon nitride phosphors | |
KR20180081560A (ko) | 적색 방출 발광 재료 | |
Hsu et al. | CaScAlSiO6: Eu2+: A novel near-ultraviolet converting blue-emitting phosphor for white light-emitting diodes | |
Hsu et al. | Materials Express |