TW200522786A - Flexible electroluminescent devices - Google Patents
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200522786 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大致係關於有機電致發光元件，及更特定言之， 係關於可撓性有機發光元件（0LED)。 【先前技術】 近來有機發光元件（OLED)作為顯示器元件係受到矚 目，其由於0LED可經由自發光產生高可見度而可取代液晶 顯示器（L C D )，因此，其不需要L C D所需的背光 (back-lighting)，且其可經製成為質輕、薄巧且可撓性的 顯示器。典型的0LED係經由將有機發光材料置於可注入電 子之陰極層與可注入電洞之陽極層之間而構成。當於陰極 與陽極之間施加適當極性之電壓時，自陽極注入之電洞與 自陰極注入之電子結合而將能量釋放為光，因而產生電致 發光。已將聚合電致發光材料使用於0LED，此種元件被稱 作 PLED 。 0LED之一習知結構係底部發射結構，其包括在透明基板 上之金屬或金屬合金陰極及透明陽極，藉此光可自結構之 底部發射。0LED亦可具有頂部發射結構，其係形成於不透 明基板或透明基板上。頂部發射0LED具有相對透明的上方 電極，以致光可自上方電極側發射。頂部發射0LED具有兩 典型結構。當0LED結構具有在有機層上方之透明陽極時， 將結構稱為反向（inverted)0LED。頂部發射0LED亦可經製 成為具有在有機層上方之透明陰極。將具有形成於透明基 板上之透明陽極及透明陰極之0LED稱為透明0LED。頂部 5 326\專利說明書(補件)\94-01 \93130721 200522786 發射0LED結構使元件整合及工程規劃的彈性增加。再者， 高解析度顯示器需要頂部發射0LED。 0 L E D傳統上係構造於硬質玻璃基板上。玻璃對氧及水蒸 氣具低滲透性。過去數年來，超薄玻璃板及透明塑膠基板 被視為係可撓性0LED及PLED的可能基板選擇。然而，超 薄玻璃板相當易碎，且形成於超薄玻璃板上之0LED作為可 撓性0 L E D顯示器的潛力有限。為製造較輕、較薄、更堅固 且高度可撓性的0LED，將塑膠基板，例如，聚對苯二甲酸 乙二酯（PET)及聚萘二甲酸乙二酯（PEN)，使用於可撓性 0LED。然而，由於塑膠對水及氧呈現低阻力，因而此等元 件之壽命相當短。因此，已嘗試保護形成於塑膠基板上之 0LED防止其暴露至氧及水蒸氣，以使元件之降解減至最 小。 已提出各種方法於在塑膠基板上形成障壁保護。參見， 例如，W 0 0 2 / 0 6 5 5 5 8、W 0 0 2 / 0 9 1 0 6 4、美國專利第 5，7 5 7，1 2 6 號、美國公告第2 0 0 2 / 0 0 2 2 1 5 6號。美國專利第5，7 5 7，1 2 6 號揭示一種包括有機及無機材料之多層障壁塗層。美國公 告第2002/0022156號提出一種形成於塑膠基板上之多層 障壁複合物，此複合物包括一薄的透明金屬氧化物或金屬 氮化物及一或多個選自薄透明金屬薄膜、有機聚合物、薄 透明介電質、及薄透明導電性氧化物之群之額外層。W 0 02/065558揭示一種在透明聚合基板上方之透明聚合有機 矽保護層。W 0 0 2 / 0 9 1 0 6 4揭示一種包括有機層及無機層之 多層障壁。然而，此等方法皆需要許多沈積步驟，且其可 6 326\專利說明書(補件)\94-01\93130721 200522786 能對0LED之光學及機械性能產生一些不利影響。因此，此 等方法無法以有效利用成本的方式解決滲透問題。 仍有需要一種可以有效利用成本的方式容易製造的可 撓性0LED 。 【發明.内容】 本發明係關於一種可撓性有機發光二極體（0LED)，及更 明確言之，係關於一種形成於不透明可撓性基板上之聚合 物發光二極體（P L E D )。不透明可撓性基板包括下列之一 者：（i)層合至或經塗布金屬層之塑膠層，（ii)夾於兩塑膠 層之間之一金屬層，或（iii)金屬箔。當0LED係形成於可 撓性基板之金屬表面上時，可將金屬表面塗布絕緣層。絕 緣層可為旋塗聚合物層或介電層。可撓性基板中之金屬提 供作為障壁，而使氧及濕氣之滲透至0 L E D減至最小。此 外，本發明之0LED具有透明或半透明上方電極，以致光可 發射通過上方電極。本發明之新穎設計產生具優良障壁性 質及高可撓性之0LED，其可經由大量生產而容易地製造。 當結合附圖作思考時，將可由以下之發明詳述而明白本 發明之優點及新穎特徵。 【實施方式】 參照圖1，本發明之代表性0LED包括可撓性不透明基板 1、在基板上方之下方電極2、在下方電極上方之有機堆疊 3，及在有機堆疊上方之半透明或透明上方電極4。在一具 體例中，可撓性不透明基板1包括層合至或經塗布金屬層 1 b之塑膠層1 a，如圖1所示。或者，亦可將0 L E D形成於 326\專利說明書(補件)\94-01\93130721 200522786 基板1之金屬側上，如圖2所示。在此一情況，可能需要 將絕緣層5形成於金屬層1 b與下方電極2之間。在圖3 所示之另一具體例中，可撓性基板1包括夾於兩塑膠層1 c 及1 e之間的金屬層1 d。使用於基板1之金屬材料包括鋁 及其他高度反射性金屬。鋁由於其係對抗水及氧之優異障 壁而為較佳。使用於可撓性基板1之塑膠材料包括聚對苯 二曱酸乙二酯（P E T )、聚萘二曱酸乙二酯（P E N )、聚醚砜 (PES)、及其他技藝中已知用於提供可撓性0LED之適當特 性的塑膠。絕緣層5可為旋塗聚合物層或介電層，例如， 無機氧化物或旋塗玻璃（S 0 G)。此絕緣層5亦提供作為平面 化層。 在圖4所示之又另一具體例中，可撓性基板1係經塗布 絕緣層5之金屬箔。金屬箔可由鋁、銅或不銹鋼所製成。 絕緣層5係如先前關於圖2所說明。此情況中之金屬箔作 為障壁層及將發射光往回反射至相對透明之上方電極4而 增進光輸出的似鏡表面。 上方電極4可為陰極或陽極。當上方電極4為陽極時， 下方電極2提供作為陰極，及將此0LED稱為反向0LED。 下方電極2可為透明或不透明，及反射性或吸光性。上方 電極4應為半透明或透明（以下稱為「相對透明」）。上方 電極4及下方t極2之適當材料包括導電性聚合材料、導 電性有機材料、·透明導電性氧化物（TC0 )、金屬或金屬合 金。T C 0之例子包括銦-錫氧化物（I T 0 )、鋅-銦氧化物 (ΖΙ0)、摻雜銘之 ZnO、 Ga-In-Sn-0(GIT0)、 Sn〇2、 326\專利說明書(補件)\94-01\93130721 8 200522786
Zn-In-Sn-O(ZITO)，及 Ga-In-O(GIO)。適當的金屬 (Au)、銀（Ag)、！呂（A1)、銀（Ir)、鎳（Ni)及鉻（Cr) 電極2或上方電極4可為由前述之其中一種材料所 單層結構或由此等材料之組合所製成的多層結構。 金屬作為電極材料時，金屬電極之界面（即在金屬電 機堆疊3之間的邊界表面）可經改質，以增進0 L E D 荷載體注入。經發現T C 0 (例如，I T 0 )可有效地將金 改質。然而，用於將電極之金屬表面改質的材料並 TC0，亦可將其他的無機材料以及有機材料使用於才ί 途。當金屬電極經改質時，將界面改質層設置於有 3與金屬電極之間。 相對透明之上方電極4可包括單一的相對透明導 或包含至少一相對透明導電層之多層結構。多層上 可包括經指數配合層（index-matching layer)覆蓋 透明導電層，以增進光輸出。指數配合層係由具可 進光輸出之折射率的有機或無機材料所製成。指數 之材料的例子為參-（8 _羥喹啉）鋁（A 1 q 3 )、N，N ’ -二 基）-N，N，-二苯基聯苯胺（NPB)、MgF2、Si〇2、MgO, Ζ η 0、T i 0 2。在一些情況中，T C 0層，例如I T 0，同1 作為相對透明之上方電極及用於增進光輸出之指數 層。指數配合層亦提供作為障壁或包封層。指數配 視使用材料之反射率而具有1至5 0 0奈米之厚度。 方電極可進一步包括至少一形成於相對透明導電層 堆疊3之間之薄的電荷載體注入層。當多層上方電 326\專利說明書(補件)\94-01\93130721 9 包括金 。下方 製成的 當使用 極與有 中之電 屬表面 不限於 目同用 機堆疊 電層， 方電極 之相對 有效增 配合層 (萘-1- 、ΙΤ0、 時提供 配合 合層可 多層上 與有機 極係陰 200522786 極時，電荷載體注入層係電子注入層。電子注入層之 的材料包括低功函數金屬諸如稀土金屬。當多層上方 係陽極時，電荷載體注入層係電洞注入層。電洞注入 由高功函數金屬，例如，Au或Ag或TC0製成。各種 材料、有機材料、或無機及有機材料之組合亦可作為 注入層之材料，只要此等材料可有效供電洞注入用即 電荷載體注入層可具有至多50奈米之厚度。單一相對 導電層之厚度可為1至1 5 0奈米。多層電極結構之總 可為3 0奈米或更厚。 熟悉技藝人士應明瞭可將各種材料及多層結構使用 上方電極4及下方電極2，只要其可提供有效率電荷 注入所需之橫向導電性及界面性質即可。 有機堆疊3可為單層或包括複數個適用於光發射之 次層的多層堆疊。有機堆疊3之有機材料包括技藝中 用於發光元件之電致發光及磷光有機材料。更明確言 有機堆疊3可由習知用於PLED之電致發光及/或磷光 材料所製成。有機堆疊可為單層發射材料或包括電洞 層及發光層之雙層。又另一種可能為包括電洞輸送層 子輸送層、及在電洞輸送層和電子輸送層之間之發射 三層有機堆疊。將具有此種三層有機堆疊之元件稱為 異質結構。由於電洞係自陽極注入，因而電洞輸送層 鄰於陽極。當使用電子輸送層時，其應緊鄰於陰極。 堆疊3之總厚度可自5 0至1 0 0 0奈米。 (實施例） 326\專利說明書(補件)\94-01 \93130721 10 適當 電極 層可 無機 電洞 "vj" 0 透明 厚度 於 載體 有機 習知 之， 聚合 輸送 、電 層的 雙重 應緊 有機 200522786 圖5顯示根據本發明之頂部發射PLED的一例子。1 性基板1包括層合至2 5微米厚鋁箔1 b之1 2 5微米厚 片材1 a。將1 2 0奈米厚之透明I T 0陽極2形成於可撓 板1之塑膠側上。於IT 0陽極2上形成包括由聚伸苯 乙烯基（Ph-PPV)製成之80奈米厚發射層3a、及由聚 基二氧噻吩（PE DOT)製成之30奈米厚電洞輸送層3b的 有機堆疊3。相對透明之陰極4係一多層結構，其自 起依序包括52奈米厚之參-（8_羥喹啉）鋁（A1q3)層4 奈米厚之半透明Ag層4b、1.0奈米厚之鈣（Ca)層4c 0·6奈米厚之氟化鋰（LiF)層4d。在此情況，AU3提 為指數配合層，Ag提供作為提供橫向導電性之導電層 L i F / C a之組合提供作為電子注入器。多層陰極可經由 發形成，因而避免濺鍍沈積製程的損壞效應。鋁箔1 b 作為PET基板之優異障壁，因而改良元件之壽命。可 發明之此實施例視為製造頂部發射PLED之方便且有3 用成本的方法。 本發明提供一種可經彎曲至實質程度而不會斷裂之 不透明及可撓性基板上之可撓性0LED。因此，本發明 撓性0LED具有順應，彎曲或捲動成任何形狀的能力。 撓性將使其可利用連續捲動加工製造顯示器元件，因 供用於大量生產之有效利用成本的方法。亦可將本發 揭示之可撓性基板使用於有機光檢波器、有機薄膜電 體、有機光電伏打電池、有機記憶體、有機積體電路 其他需要具良好障壁性質及機械可撓性之可撓性基板 326\專利說明書(補件)\94-01\93130721 11 丁撓 PET 性基 基伸 伸乙 雙層 頂部 a、1 5 、及 ί共作 ，及 熱蒸 提供 將本 L利 在 之可 此可 而提 明所 晶 、及 的有 200522786 機或無機光電元件。 本發明之0LED具有各種用途，包括行動電話、PDA及其 他手持裝置、電腦監視器、數位音響裝置、攝影機、照明 裝置、裝飾性裝置，及廣告裝置。 雖然本發明已就較佳具體例作說明，但熟悉技藝人士當 明瞭可不脫離隨附申請專利範圍之精神及範圍而對本發明 進行修改。 【圖式簡單說明】 圖1顯示根據本發明之形成於塑膠/金屬基板上之一代 表性0LED的橫剖面圖。 圖2顯示根據本發明之形成於具有絕緣層之金屬/塑膠 基板上之0 L E D的橫剖面圖。 圖3顯示根據本發明之形成於塑膠/金屬/塑膠基板上 之0LED的橫剖面圖。 圖4顯示根據本發明之形成於金屬箔上之0LED的橫剖 面圖。 圖5顯示根據本發明之具有透明多層陰極之0LED的一 例子。 【主要元件符號說明】 1 基板 la 塑膠層 lb 金屬層 1 c 塑膠層 Id 金屬層 326\專利說明書(補件)\94-01\93130721 12 200522786
1 e 塑 膠層 2 下 方電極 3 有 機堆疊 3a 發 射層 3b 電 洞輸送層 4 上 方電極 4 a 參 -(8 -羥啥啉）1呂（A 1 q 3 )層 4b 半 透明Ag層 4 c 鈣 (Ca)層 4d 氟 化裡（LiF)層 5 絕 緣層 13 326\專利說明書(補件)\94-01\93130721
Claims (1)
- 200522786 十、申請專利範圍： 1 . 一種可撓性有機發光元件，包括： 可撓性基板； 在該可撓性基板上之下方電極層； 至少半透明之上方電極層； 在該下方電極層與該上方電極層之間之有機區域，其中 當於該下方電極層與該上方電極層之間施加電壓時，可產 生電致發光， 其中該可撓性基板包括下列之其中一者： (i)層合至或經塗布金屬層之塑膠層，（ii)夾於兩塑膠 層之間之一金屬層，及（iii)金屬结。 2.如申請專利範圍第1項之可撓性有機發光元件，其中 該可撓性基板包括層合至或經塗布鋁層之塑膠層，該塑膠 層係設置於下方電極層與鋁層之間。 3 .如申請專利範圍第1項之可撓性有機發光元件，其中 該可撓性基板包括鋼箔。 4.如申請專利範圍第1項之可撓性有機發光元件，其進 一步包括一在該可撓性基板與該下方電極層之間之絕緣 層。 5 .如申請專利範圍第4項之可撓性有機發光元件，其中 該絕緣層係為旋塗聚合層或介電層。 6 .如申請專利範圍第3項之可撓性有機發光元件，其進 一步包括一在該鋼箔與該下方電極層之間之絕緣層。 7 .如申請專利範圍第1項之可撓性有機發光元件，其中 14 326\專利說明書(補件)\94-01\93130721 200522786 該上方電極層係為透明。 8 .如申請專利範圍第1項之可撓性有機發光元 該上方電極層係為半透明或透明陽極。 9 .如申請專利範圍第1項之可撓性有機發光元 該上方電極層係為半透明或透明陰極。 1 ◦.如申請專利範圍第1項之可撓性有機發光； 中該上方電極層係包括至少一半透明或透明導電 多層結構。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之可撓性有機發光 中該多層結構包括指數配合層（index - matching 電荷載體注入層。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之可撓性有機發光 中該指數配合層包括具有可有效增進光輸出之折 機或無機材料。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項之可撓性有機發光 中該指數配合層包括可有效增進光輸出之有機及 的組合。 1 4.如申請專利範圍第1 1項之可撓性有機發光 中該多層結構係為陽極，及該電荷載體注入層係 入層 。 1 5.如申請專利範圍第1 4項之可撓性有機發光 中該電洞注入層包括高功函數金屬或透明導電性 (TC0) ° 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之可撓性有機發光 326\專利說明書(補件)\94-01\93130721 15 件，其中 件，其中 二件，其 性薄膜之 元件，其 1 ay e r )及 元件，其 射率的有 元件，其 無機材料 元件，其 為電洞注 元件，其 氧化物 元件，其 200522786 中該高功函數金屬係金或銀。 1 7 .如申請專利範圍第1 5項之可撓性有機發光元件，其 中該TC0係金屬氧化物。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之可撓性有機發光元件，其 中該TC0係選自由銦-錫氧化物（I T0)、鋅-銦氧化物、摻雜 I呂之氧化辞、Ga-In-Sn-0、Sn〇2、Zn-In-Sn-O，及 Ga-In-0 所組成之群。 1 9 .如申請專利範圍第1 4項之可撓性有機發光元件，其 中該電洞注入層包括可有效供電洞注入用之有機材料或可 有效供電洞注入用之無機及有機材料之組合。 2 0 .如申請專利範圍第1 4項之可撓性有機發光元件，其 中該電洞注入層包括可有效供電洞注入用之無機材料或可 有效供電洞注入用之無機及有機材料之組合。 2 1 .如申請專利範圍第1 1項之可撓性有機發光元件，其 中該多層結構係為陰極，及該電荷載體注入層係電子注入 層。 2 2.如申請專利範圍第2 1項之可撓性有機發光元件，其 中該電子注入層包括低功函數金屬。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之可撓性有機發光元件，其 中該低功函數金屬係稀土金屬。 2 4.如申請專利範圍第2 1項之可撓性有機發光元件，其 中該指數配合層包括參-(8 -羥喹啉）鋁（A 1 q 3 )或N，N ’ -二 (萘-卜基）-N，N’ -二苯基聯苯胺（NPB)。 2 5 .如申請專利範圍第2 1項之可撓性有機發光元件，其 16 326\專利說明書(補件)\94-01 \93130721 200522786 中該陰極包括銀層，及該電子注入層包括在氟化鋰次層上 方之鈣次層，該銀層係形成於該鈣層之上。 2 6 .如申請專利範圍第1項之可撓性有機發光元件，其 中將該下方電極層及該上方電極層之至少一者改質，以增 進電荷載體注入。 2 7 .如申請專利範圍第1項之可撓性有機發光元件，其 中該有機區域包括（i )電洞輸送層及（i i )發射層或電子輸 送層。 2 8 .如申請專利範圍第 1項之可撓性有機發光元件，其 中該有機區域包括（i )電洞輸送層，（i i )發射層，及（i i i ) 電子輸送層。 17 326\專利說明書(補件)\94-01\93130721
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| EP2251920A1 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-17 | Università Degli Studi Di Milano - Bicocca | Method of manufacturing electrical contacts on organic semiconductors |
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| KR101084263B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
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| US9301569B2 (en) | 2010-06-22 | 2016-04-05 | Nike, Inc. | Article of footwear with color change portion and method of changing color |
| US8474146B2 (en) | 2010-06-22 | 2013-07-02 | Nike, Inc. | Article of footwear with color change portion and method of changing color |
| US8769836B2 (en) | 2010-06-22 | 2014-07-08 | Nike, Inc. | Article of footwear with color change portion and method of changing color |
| KR101193197B1 (ko) * | 2010-07-07 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| JP5016712B2 (ja) | 2010-09-21 | 2012-09-05 | 三井金属鉱業株式会社 | 電極箔および有機デバイス |
| JP2012164630A (ja) * | 2011-01-18 | 2012-08-30 | Nitto Denko Corp | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製法 |
| JP2013122903A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-06-20 | Nitto Denko Corp | 有機ｅｌデバイス、および、有機ｅｌデバイスの製造方法 |
| CN103107291A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件的基底及其制备方法 |
| EP2810314B1 (en) * | 2012-02-03 | 2020-08-12 | Koninklijke Philips N.V. | Oled device and manufacture thereof |
| CN103378297B (zh) * | 2012-04-25 | 2017-01-25 | 群康科技(深圳)有限公司 | 有机发光二极管及包括其的显示装置 |
| TWI577238B (zh) | 2012-04-25 | 2017-04-01 | 群康科技(深圳)有限公司 | 有機發光二極體及包含其之顯示裝置 |
| KR20140010306A (ko) | 2012-07-16 | 2014-01-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| CN104471735B (zh) * | 2012-07-18 | 2017-03-01 | 乐金显示有限公司 | 有机发光器件 |
| US20140061610A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Hyo-Young MUN | Organic light emitting device and manufacturing method thereof |
| KR102104608B1 (ko) | 2013-05-16 | 2020-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US9178178B2 (en) | 2013-05-16 | 2015-11-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display having improved adhesion and damage resistance characteristics, an electronic device including the same, and method of manufacturing the organic light-emitting diode display |
| CN104183776A (zh) * | 2013-05-23 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 柔性导电电极及其制备方法 |
| CN104183772A (zh) * | 2013-05-23 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 柔性导电电极及其制备方法 |
| GB201310854D0 (en) * | 2013-06-18 | 2013-07-31 | Isis Innovation | Photoactive layer production process |
| KR102100763B1 (ko) | 2013-08-08 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 |
| CN106410027B (zh) * | 2013-09-24 | 2019-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 |
| CA2929558C (en) * | 2013-11-07 | 2021-06-29 | Dentsply International Inc. | Pled dental matrix system |
| KR101487961B1 (ko) | 2013-11-25 | 2015-01-30 | 율촌화학 주식회사 | 백색 발광소자 및 이를 포함하는 발광 장치 |
| JP6657091B2 (ja) | 2013-11-29 | 2020-03-04 | デンツプライ シロナ インコーポレーテッド | 歯科用ウェッジ |
| JP6300231B2 (ja) | 2014-06-25 | 2018-03-28 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| KR20170003997A (ko) * | 2014-07-18 | 2017-01-10 | 코니카 미놀타 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
| KR102303243B1 (ko) | 2015-01-14 | 2021-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| US20160366972A1 (en) | 2015-06-19 | 2016-12-22 | Nike, Inc. | Article Incorporating an Illumination Device |
| US10306726B2 (en) | 2015-06-19 | 2019-05-28 | Nike, Inc. | Method of illuminating an article |
| CN105552247B (zh) * | 2015-12-08 | 2018-10-26 | 上海天马微电子有限公司 | 复合基板、柔性显示装置及其制备方法 |
| CN105655494B (zh) * | 2016-03-18 | 2018-08-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管的基底及其制作方法、有机发光二极管 |
| CN106129084A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-11-16 | 信利半导体有限公司 | 一种柔性基板、柔性电子器件及其制造方法 |
| KR102620962B1 (ko) * | 2016-12-07 | 2024-01-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 |
| US10381425B2 (en) * | 2016-12-08 | 2019-08-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| CN106711348B (zh) * | 2016-12-29 | 2020-05-12 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性有机发光显示面板的制备方法及显示装置 |
| TWI759289B (zh) * | 2017-03-21 | 2022-04-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
| JP6907032B2 (ja) * | 2017-06-06 | 2021-07-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| CN109300944B (zh) * | 2018-09-26 | 2020-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| TWI706205B (zh) * | 2019-02-19 | 2020-10-01 | 陳冠宇 | 有機發光顯示裝置 |
| US20220209166A1 (en) * | 2019-04-11 | 2022-06-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting element and display device |
| CN111180500B (zh) * | 2020-02-26 | 2023-10-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示用基板及电致发光显示装置 |
| WO2022157533A1 (ko) * | 2021-01-20 | 2022-07-28 | 퀀텀 마이크로머티리얼즈, 인크. | 아민 화합물의 중합반응을 통한 기질의 코팅과 폴리머 코팅된 기질을 갖는 장치 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE503039C2 (sv) * | 1994-07-19 | 1996-03-11 | Forskarpatent I Linkoeping Ab | Elektroluminescerande anordning samt sätt att framställa denna |
| CA2353506A1 (en) * | 1998-11-02 | 2000-05-11 | 3M Innovative Properties Company | Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays |
| US6208077B1 (en) * | 1998-11-05 | 2001-03-27 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with a non-conductive fluorocarbon polymer layer |
| US6208075B1 (en) * | 1998-11-05 | 2001-03-27 | Eastman Kodak Company | Conductive fluorocarbon polymer and method of making same |
| US6483236B1 (en) * | 2000-05-24 | 2002-11-19 | Eastman Kodak Company | Low-voltage organic light-emitting device |
| US6429451B1 (en) * | 2000-05-24 | 2002-08-06 | Eastman Kodak Company | Reduction of ambient-light-reflection in organic light-emitting devices |
| EP1395963A2 (en) * | 2001-05-04 | 2004-03-10 | Igt | Light emitting interface displays for a gaming machine |
| US6856086B2 (en) * | 2001-06-25 | 2005-02-15 | Avery Dennison Corporation | Hybrid display device |
| US6613458B2 (en) * | 2001-09-13 | 2003-09-02 | Cityu Research Ltd. | Organic electroluminescent elements |
| US7026758B2 (en) * | 2001-09-28 | 2006-04-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Reinforcement of glass substrates in flexible devices |
| US20030099861A1 (en) * | 2001-11-01 | 2003-05-29 | Shuit -Tong Lee | Efficient red organic electroluminescent devices |
| JP3942017B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2007-07-11 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子 |
| JP4010845B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2007-11-21 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子 |
| JP2003297561A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機薄膜素子の製造方法及び有機薄膜素子 |
| EP1351321B1 (en) * | 2002-04-01 | 2013-12-25 | Konica Corporation | Support and organic electroluminescence element comprising the support |
| KR100475849B1 (ko) * | 2002-04-17 | 2005-03-10 | 한국전자통신연구원 | 습식 공정에 의하여 형성된 엔캡슐레이션 박막을 갖춘유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR100477746B1 (ko) * | 2002-06-22 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 전계 발광 소자 |
| US6687266B1 (en) * | 2002-11-08 | 2004-02-03 | Universal Display Corporation | Organic light emitting materials and devices |
| US20040149984A1 (en) * | 2003-01-31 | 2004-08-05 | Eastman Kodak Company | Color OLED display with improved emission |
| US6963081B2 (en) * | 2003-09-30 | 2005-11-08 | Osram Otpo Semiconductors Gmbh | Interfacial trap layer to improve carrier injection |
| US6972431B2 (en) * | 2003-11-26 | 2005-12-06 | Trustees Of Princeton University | Multilayer organic photodetectors with improved performance |
-
2003
- 2003-12-30 US US10/583,236 patent/US20070222370A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-30 JP JP2005512830A patent/JP2007536697A/ja active Pending
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