TW200428679A - Phosphor based light source component and method of making the same - Google Patents

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Andrew John Ouderkirk
John Allen Wheatley
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3M Innovative Properties Co
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Description

200428679 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於光源。更特定言之,本發明係關於發射自 發光二極體(LED)之光衝擊於磷光體材料上並將其激發,其 接著再發射可見光之光源。 【先前技術】 於構造中利用LED之白色光源可具有兩基本形態。在其 中一種於文中稱為直接發射LED之形態中,經由不同顏色 LED之直接發射而產生白光。其例子包括紅色led、綠色 LED、及藍色LED之組合,及藍色led及黃色LED之組合。 在於文中稱為LED激發以磷光體為主體之光源(pled)的另 一基本形態中,單一的LED於狹窄波長範圍内產生光束, 此光束衝擊於磷光體材料上並將其激發,而產生可見光。 雄光體可包括不同填光體材料之混合物或組合,且由罐光 體所發射之光可包括複數個分佈於可見波長範圍内之狹窄 發射線,以致發射光在人類肉眼看來實質上為白色。 PLED之一例子為照明將藍色轉變為紅色及綠色波長之 填光體的藍色LED。一部分的藍色激發光未被礙光體吸 收’及殘留的藍色激發光與由碌光體所發射之紅光及綠光 結合。PLED之另一例子為照明吸收UV光及將其轉變為紅 光、綠光、及藍光之磷光體的紫外(UV)LED。 白光PLED較諸直接發射白色LED之優點包括成裝置老 化及溫度函數之較佳的顏色穩定性,及較佳的批次間和裝 置間顏色均勻度/再現性。然而,pled部分由於在麟光體之 O:\90\90926.DOC -6- 200428679 光吸收及再發射過程中之無效率而可能較直接發射led之 效率低。 白光PLED可包括在反射性散熱器中之uv發射半導體晶 粒(晶片)。反射性散熱器亦可使uv光部分準直。uv光照明 含磷光體層之底側,其吸收至少一部分之uv光及在可見區 域中之多個波長下發射光,而提供對一般觀察者看來實質 上為白色的光源。圖1顯示此一 PLED 1〇之一形態。pLED 包括裝置於導電性散熱器14之井中的半導電性LED 12,此 導電性散熱器14亦將發射自LED 12之一些光朝磷光體-反 射器組件1 6反射。組件16可位於光學透明的鑄封材料j 8 内,此鑄封材料1 8之形狀可提供透鏡特徵2〇,以調整由 PLED 10所發射之光。填光體組件16更詳細示於圖2。構光 體係自一或多種構光體材料與黏合劑混合之組合形成為層 22。可將反射UV激發光但透射可見發射光之長通道(Lp ; long-pass)反射器24運用至磷光體層22之上表面。可將反射 可見光但透射UV光之短通道(SP)反射器26運用至層22之底 部。 疋❺光體;辰度之構光體層的最佳厚度係在有效率吸收 UV光(偏好光學上厚的磷光體層)與有效率發射可見光(偏 好光學上薄的構光體層)之間的折衷。此外,由於uv光之強 度在磷光體層22之底部為最大,且有用的光係自鱗光體層 22之頂部引出’因而將填光體層22之厚度提高至高於最金 厚度將會使整體PLED輸出及效率快速地降低。 LP反射器24及SP反射器26之存在可增進PLeD 10之效
O:\90\90926.DOC 200428679 率。LP反射器24將未被磷光體層22吸收,且在其他情況中 將被浪費的UV光往回反射於磷光體層22上。此使UV光通過 填光體層之有效路徑長度增加,而使對於一定磷光體層厚 度之被磷光體吸收之UV光的量增加。因此,最佳磷光體層 厚度可相較於沒有LP反射器24之構造降低,而提高光產生 效率。 PLED的另一顯著損耗係基於磷光體層中之光之方向不 受控制的產生所致,而導致於磷光體層22中產生之一半的 可見光朝LED往回導引。此光之部分可經由反射離開散熱 器之傾斜壁而被捕捉,但光之大部分經散射、吸收、或降 低品質。此損耗可經由如圖所示將SP反射器26置於LED 12 與磷光體層22之間而降低。 最好能再進一步增進PLED構造之效率。亦最好能簡化 PLED之製造及降低其成本。 【發明内容】 本申請案揭示將聚合物多層光學薄膜利用於濾光組份, 即LP及SP反射器之PLED。多層光學薄膜包括通過薄膜之厚 度設置於光學重複單元内之個別的光學層,其之至少部分 可為雙折射。鄰接的光學層具有維持反射性及避免在中至 南入射角下之p-偏振光之洩漏的折射率關係。§?反射器包 括具有一厚度梯度之光學重複單元,其產生經設置成將由 碟光體所發射之可見光反射及透射UV激發光之反射帶。lp 反射器包括具有一不同厚度梯度之光學重複單元,其產生 經5又置成將UV激發光反射及透射由碟光體所發射之可見
O:\90\90926.DOC 200428679 光的反射帶0作為P L E D之一 έ且冷夕取人, 、、且伤之聚合物多層光學薄膜可 具有平面形態’或其之至少一者可細 在』經屢化或以其他方式成 形成曲面,無論係為球體、拋物面、擴圓體之形狀、或其 他形狀。 揭示製造PLED之方法,此方法包. G括开v成包含至少一聚合 物多層光學薄膜及-磷光體層之片材材料。在—些情況 中,構光體可夾於兩聚合物多層光學薄膜_—sp反射器及一 LP反射器-之間。在其他情況中,可僅將鱗光體層塗布至一 聚合物多層光學薄膜。聚合物多層光學薄膜及磷光體層形 成%光體反射器組件。可自片材材料切割出個別件的構光 體-反射器組件’接著將其浸泡於透料封材料中或注塑形 成第光子、、且伤,然後再將其結合至個別製造的LED組 伤片材材料可包括以方便的捲筒形態收容及儲存鱗光體-反射器組件物件直至需要時為止的載體薄膜。PLED可經由 將包括LED之下部結合至包括磷光體_反射器組件之上部而 製得。在一些情況中,片材材料亦可經壓花。 本說明書揭示其中之曲面LP反射器與磷光體層,或至少 /、/、之中^明冗部分隔開,以致任何未被鱗光體層吸收之 uv激發光將在有限範圍的入射角内衝擊於反射器上,且 更有效率地往回反射於磷光體層上之PLED具體實施例。 本申清案揭示利用鄰近多層光學薄膜及磷光體層之至少 一者之空氣間隙於促進全内反射的pLED具體實施例。 本申請案揭示利用非成像集中器元件之組合於增進LP及 /或SP反射器之性能的Pled具體實施例。
O:\90\90926.DOC -9- 200428679 本申請案亦揭示將LED、LP反射器、及磷光體層設置成 使來自LED之激發光直接反射於磷光體層之主要正面上之 P L E D具體實施例。 揭示具體實施例之此等及其他態樣將可由以下之詳細說 明而明白。然而,絕不應將以上之概述解釋為對提出專利 申請之主題内容的限制,此主題内容僅可由如可於實行中 改進之隨附之申請專利範圍所定義。 【實施方式】 雖然如圖1-2所示使用LP反射器24及SP反射器26之一或 兩者可改良系統效率,但其之改良由於特定反射器在傾斜 入射角下之不良的光譜選擇性及不良反射性而受限。以散 射程序為基礎的LP反射鏡或濾光器可獲致相當恒定之性能 成入射角之函數,但其具有不良的光譜選擇性。由無機介 電材料堆疊所構成的LP及SP反射鏡可於狹窄的入射角範圍 内具有良好的光譜選擇性,但其會隨增加的入射角及在中 至高入射角下之p-偏振光之低反射性(高透射)而發生光譜 藍色位移。由於磷光體顆粒使Uv激發光散射,及在寬廣的 角度範圍内發射其個自之光,因而習知之Lp&sp&射鏡對 於管理磷光體-反射器組件内之光並非高度有效。
限於可見波長之反射帶。參見, 1内、、您返禪成4於期望的光 諸如限於UV波長之反射帶或 ’例如,美國專利5,882,774
O:\90\90926.DOC -10- T等人)。雖然由此等薄膜所產生之反射帶亦”生愈 角的藍色位移,可將…a色位移類似之隨入射 …… 多層光學薄膜加工,以致鄰接 、有相符或幾近相符、或故意不符之與正交於薄膜 之Z軸相關的折射率,以致在 、 光之反射性隨入射角评地威J曰^ 於p_偏振 B… ㈣又地減小’實質上與入射角無關, 編離正向之入射角而增加。因此,此種聚合多層光學 湾膜即使係在高度傾斜的人射角下亦可對ρ·偏振光維持: 反射性,,相較於習知之無機各向同性堆疊反射器降低由 反射性缚膜所透射之卜偏振光的量。為獲致此等性質,將 聚合物材料及加工條件選擇成對各對鄰接的光學層,沿Ζ軸 (平订於薄膜之厚度)之折射率的差異不多於沿X或y(面内) 軸之折射率差的-分數,此分數為G5、G25、或甚至01。 或者’沿Z軸之折射率差的符號可與面内折射率差相反。 使用永口夕層光學薄膜亦由於此種薄膜的可撓性及可形 錄而可有各種新穎的PLED具體實施例及構造方法,無論 其是否亦具有以上所指的折射率關係。舉例來說,聚合多 層光學薄膜可經由壓花、熱成形、或其他已知之方式,而 永久’欠形成具有二維形狀諸如拋物面、球體、或橢圓體之 口(5刀。大致參見公開申請案us 2002/0154406 (Merril@ 人)。關於額外的聚合多層薄膜具體實施例,亦參見美國專 利5,540,978 (Schrenk)。不同於一般係逐層蒸氣沈積於硬 貝跪丨生基材上之習知之無機各向同性堆疊,聚合多層光 干溥膜可以大體積的捲筒形態製得,且亦可層合至其他薄
O:\90\90926.DOC -11 - 200428679 膜及塗布,且可模切或以其他方式細分成小物件,以容易 地加入至光學系統諸如P L E D中,如進一步說明於下。細分 聚合多層光學薄膜之適當方法揭示於2002年10月10日提出 申請之申請中之美國申請案序號10/268,118。 有相當多樣的聚合物材料適用於供PLED用之多層光學 薄膜中。然而,尤其當PLED包括白光磷光體發射器與UV LED激發源結合時,多層光學薄膜包括交替的聚合物層, 其包含當暴露至UV光時可抵抗降解之材料較佳。在此方 面,特佳的聚合物對為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)/共-聚甲 基丙烯酸甲S旨(co-PMMA)。聚合反射器之UV安定性亦可經 由加入非UV吸收光安定劑諸如受阻胺光安定劑(HALS)而 提高。在一些情況中,聚合多層光學薄膜亦可包括透明金 屬或金屬氧化物層。參見,例如,PCT公告WO 97/01778 (Ouderkirk等人)。在使用即使係強勃之聚合物材料組合亦 將會令人無法接受地降解之特別高強度之UV光的應用 中,可有利地使用無機材料於形成多層堆疊。無機材料層 可為各向同性,或可經製成為呈現形態雙折射,如說明於 PCT公告W〇01/75490 (Weber),因此而具有產生如前所述 之增進P-偏振反射性之有利的折射率關係。然而,在大多 數的情況中,多層光學薄膜實質上完全為聚合性,沒有無 機材料最方便且成本有效。 圖3描繪片材材料30之捲筒,此材料包括至少一聚合多層 光學薄膜及利用塗布操作塗布至多層光學薄膜之實質上均 勻的磷光體層。片材材料亦可包括以將磷光體層夾於第一 O:\90\90926.DOC -12- 200428679 及第二聚合多層光學薄膜之間之方 光學薄膜,如图9挪目女 J弟一承口夕層 圖所見。亦可包括提供期望機械、化學、及 ^學,質之額外的層及塗層。參見美國專利 /⑺寺人^片材材料3〇亦包括載體薄膜較佳。片材材料 由機械裝置諸如刀片,精密模切,或經由如說明於以上 及之申請中之,11时請案中之掃描雷射輻射吻切。吻切線 ^定片材材料之個別物件32,但其不包括保持完整的載體 :膜物件32可具有類似於圖2所示之截面構造,且可為任 -的小尺寸。其係經由如圖4所示之下方的載體薄膜^而方 便地遞送。在PLED之製造過程中一且與咖源之構造無關— 可將物件32自載體薄膜移出及置於先前經加入,或之後再 加入鑄封材料之個別模具中,因此形成如圖丨所描繪之 PLED,但其中之反射器組份使用聚合多層光學薄膜。 圖5 7描繪利用内凹形狀之多層光學薄膜^^反射器之 pLED的另類構造。使Lp反射器與磷光體隔開及使其朝磷光 體及朝LED 12彎曲有助於降低衝擊於Lp反射器上之激發光 的入射角範圍,因而降低由論述於上之藍色位移效應所造 成之UV光洩漏通過LP反射器。多層光學薄膜在浸泡於透明 幻貝1 8中之前,經由壓花或其他適當方法永久變形成適當 形狀之内凹表面較佳。無論係^或Sp之多層光學薄膜在其 之各別反射帶内為鏡面反射器。來自多層光學薄膜之擴散 反射典型上可忽略。 在圖5中’ PLED 40包括設置於包含聚合多層光學薄膜之 非必需之SP反射器44上之相當小面積之磷光體層42。Lp反 O:\90\90926.DOC -13- 200428679
射杰46經壓花而得内凹形狀,且鄰接於磷光體_反射器組件 之其他組份(42,44)設置。LED 12及散熱器14係經設置成 將由LED所發射之uv激發光朝磷光體層42之中心部分導 引。UV光於磷光體層42之中心或接近中心處具最高光量 (fluence)較佳。於其之起始穿越磷光體層42中未被吸收之 UV光在被LP反射器46朝磷光體層往回反射之前,通過在LP 反射為46和磷光體層42之間的區域48。區域48可包括透明 禱封材料18,或者另一聚合材料,或空氣(或其他氣體),或 玻璃。LP反射器46經成形成使往回反射至磷光體之UV激發 光的量最大化較佳。 圖ό顯示類似於pled 40之PLED 50,除了將磷光體層 52、SP反射器54、及LP反射器56之尺寸增加。對於自LED 12
至鱗光體層之一定的距離,及相同的散熱器丨4形體,較大 的LP反射器56將於磷光體層之中心產生較高的光濃度。磷 光體層之較小的中心發射面積呈現磷光體發射光至LP反射 器表面之較小的入射角範圍,而改良整體的pled效率。如 前,區域58可包括鑄封材料18或另一聚合材料,或空氣(或 其他氣體),或玻璃。 圖7所示之PLED 60係類似於PLED 50,除了 LP反射器66 現形成光源之外表面。區域68可填充鑄封材料18或其他透 明介質。 圖5-7之墙光體層可為連續,或經圖案化以將碟光體限制 於其最有效處。此外’在圖1及5-7之具體實施例及其他將 磷光體-反射器組件設置於LED上方且與其隔開之具體實施 O:\90\90926 DOC -14- 200428679 例中’ PLED可分兩半製造:一半包含具有散熱器之_, 及另一半包含磷光體層及多層反射器。兩半可分開製造, 然後再結合或以其他方式固定在一起。此構造技術可有助 於簡化製造及提高總良率。 圖8展示可有利應用於此處之其他具體實施例的一概 念:在LED與磷光體層之間提供一空氣間隙,及/或鄰近磷 光體-反射器組件之一或多個元件提供一空氣間隙。為簡化 說明起見,在圖中僅顯示pled之一些元件。圖中顯示在 LED 12與4光體層72之間,鄰接於多層光學薄膜sp反射器 74之空氣間隙70。空氣間隙由於所牽涉之相當小的角度而 對自LED到達磷光體層之uV光具有最小的不利影響。但空 氣間隙使在高入射角下行進之光,諸如在sp反射器、鱗光 體層、及LP反射器中行進之光可全内反射(TIR)。在圖8之 具體實施例中,sp反射器之效率經由可在反射器74之下表 面TIR而增進。或者,可除去SP反射器74,及可將空氣間隙 直接形成於鱗光體層7 2下方。亦可將空氣間隙形成於鱗光 體層72之上側,或鄰接於LP反射器之上或下表面。提供空 氣間隙之一方法包括使用已知的微結構薄膜。此種薄膜相 對於Μ結構表面具有實質上平坦的表面。微結構表面之特 徵可在於單一組之線性ν字形溝槽或稜鏡,界定微小角錐之 陣列之多組相交的ν字形溝槽,一或多組狹窄脊狀物等等。 當將此一薄膜之微結構表面靠著另一平坦薄膜放置時,在 微結構表面的最上部之間會形成空氣間隙。 當磷光體將一波長(激發波長)之光轉變為其他波長(發射 O:\9O\90926.DOC -15- 200428679 波長)時,會產生熱。在靠近磷光體處存在空氣間隙可顯著 地降低熱之自磷光體傳送至周遭材料。可以其他方式補償 降低的熱傳,諸如經由在靠近磷光體層處提供一層可橫向 移除熱之玻璃或透明陶瓷。 改良PLED之效率的又另一方法係將led、鱗光體層、及 LP反射斋構造成使來自LED之至少一些UV光被LP反射器 直接反射於磷光體層之上(觀看)表面,而非將所有的uv光 導引於磷光體層之底表面上。圖9顯示此一 PLED 80。散熱 器14經自以上之具體貫施例作修改,以致可將led 12及填 光體層82大致共平面地裝置。將SP反射器示為在磷光體層 之下方,但其在許多情況中將不需要。此係由於經壓花成 内凹橢圓體或類似形狀之形態的LP反射器86將UV激發光 直接自LED導引於磷光體層82之上表面上,此表面係面對 PLED 80之正面。將LED及磷光體層設置於橢圓體之焦點較 佳。由磷光體層所發射之可見光被LP反射器86透射及被 PLED本體之圓形前端收集,而形成期望的圖案或可見(以 白色較佳)光。 將激發光直接導引於磷光體層之正面有許多好處。磷光 體層之最明亮的部分-激發光最強處-現暴露於裝置之正 面,而非被磷光體層之厚度遮蔽。可將磷光體層作得實質 上較厚,以致其實質上吸收所有的UV激發光,而無需擔憂 以上所提及的厚度/亮度交換。可將磷光體裝置於寬帶金屬 反射鏡,包括銀或經增強之铭之上。 圖10概略顯示另一PLED具體實施例,其中LED光衝擊於 O:\90\90926 DOC -16- 200428679 填光體層之正面上,但其中一些LED光亦衝擊於背面上。 在此具體實施例中,由LED 12所發射之一些光衝擊於攝光 體層92之背面上,但一些LED光亦反射離開内凹形狀的Lp 反射器96,衝擊於磷光體層92之正面上,而未穿過鱗光體。 由磷光體層92發射之可見光接著通過LP反射器96朝向觀看 者或待照明之物體。LED、磷光體層、及LP反射器皆可浸 泡於或附著至如先前具體實施例所示之透明鑄封介質。 圖11概略顯示另一 PLED具體實施例,其中設置非成像集 中器之組合,以增進多層光學薄膜之操作。明確言之,如 圖所示將集中器元件l〇〇a、l〇〇b、100c設置於LED 12、SP 反射器104、磷光體層i〇2、與LP反射器1〇6之間。集中器元 件有降低衝擊於多層反射器上之光之角度散佈,因而降低 關於圖5-7而論述於上之反射帶之藍色位移的效用。集申器 元件可為具有平坦側壁之簡單圓錐段的形態,或側壁可為 所知曉之更為複雜的曲線形狀,以視光之行進方向而增進 準直或聚焦作用。在任何情況中,集中器元件之側壁為反 射性,而兩端(一大一小)則否。在圖11中,將LED 12設置 於集中器1〇〇a之小端。集中器元件l〇〇a收集由LED所發射 之見廣角度範圍的光,此範圍當此光行進至裝置sp反射器 1〇4之集中器元件10(^之大端時降低。“反射器將激發 光透射至集中器元件1〇〇b,其將此光集中於磷光體層ι〇2上 (同時並提回光的角度散佈)。由磷光體層102向下發射之寬 角度範圍之可見光被集中器元件l〇〇b轉變為在SP反射器 104之更狹乍的角度範圍,在此其朝磷光體層1〇2向上往回
O:\90\90926.DOC -17- 200428679 反射。同時,洩漏通過磷光體層102之UV光及由碟光體層 102向上發射之可見光一開始具有寬的角度散佈,但其被集 中器元件100c轉變為較小的角度散佈,以致lp反射器1〇6 將較佳地透射由磷光體所發射之可見光及將]JV光朝碟光 體層往回反射。 為捕捉儘可能多的LED激發光,集中器元件i〇〇a之小端 可具有一空腔,以捕捉至少一些由LED之側面所發射之 光,如圖12所示。 揭示於此之具體實施例係利用各式各樣的磷光體材料操 作。磷光體材料典型上為無機組成物,其具有在3〇〇_45〇奈 米範圍内之激發波長及在可見波長範圍内之發射波長。在 具有狹窄發射波長範圍之磷光體材料的情況中,可調配磷 光體材料之混合物,以獲致如由觀看者所察覺之期望的顏 色平衡,例如發射紅色、綠色及藍色之磷光體的混合物。 具有較寬廣發射帶之磷光體材料有用於具較高色彩校正 (color rendition)指數之鱗光體混合物。希望鱗光體應具有 快速的輻射衰變速率。磷光體摻混物可包括分散於黏合劑 諸如環氧、黏著劑、或聚合基質中之在丨_25微米大小範圍 内之磷光體顆粒,其接著可塗布至基材,諸如LED或薄膜。 技藝中熟知將在約300至470奈米範圍内之光轉變至較長波 長之鱗光體。參見,例如,由 Phosphor Technology Ltd.(Essex, England)所提供之磷光體之訊息。磷光體包括經摻雜稀土之 石權石、矽酸鹽、及其他陶瓷。此處所使用之術語「磷光 體」亦可包括有機螢光材料,包括螢光染料及顏料。在
O:\90\90926.DOC -18- 200428679 尤其係無機 300-470奈米輻射下具高安定性之材料為較佳 磷光體。 特定術語之彙編 LED:發射可為可見、紫外、或紅外,且可為相干或不相 干之光的二極體。此處所使用之術語包括以「led」 銷售之不相干(及通常為廉價)環氧包封的半導體裝 置,無論係為習知或超輻射種類。&處所使用之術 語亦包括半導體雷射二極體。 可見光:可由人類肉眼察覺之光’一般係在約彻至7〇〇奈 米之波長範圍内。 光學重複單元(「GRU」):在多層光學薄膜之厚度上重複之 至少兩個別層之堆疊,但相關的重複層不需具有相 同厚度。 光學厚度··指定本體之物理厚度乘以其之折射率。一般而 吕,其係波長及偏振作用之函數。 反射帶··在各側上由甚低反射率之區域限制之甚高反射率 之光譜區域。 紫外(UV):波長在約300至約400奈米範圍内之光。 白光·刺激人眼之紅、綠、及藍色感測器,而產生一般觀 察者將視為「白色」之外觀的光。此種光可偏向至 紅色(一般稱為暖白光)或至藍色(一般稱為冷白 光)。此種光可具有高至100之色彩校正指數。 進一步論述 此處說明之干擾反射器包括由有機、無機或有機及無機 O:\90\90926.DOC -19- 200428679 材料之組合所形成的反射器。干擾反射器可為多層干擾反 射器。干擾反射器可為可撓性干擾反射器。可撓性干擾反 射器可由聚合、非聚合材料、或聚合及非聚合材料形成。 包括聚合及非聚合材料之範例的薄膜揭示於美國專利第 6,010,751 及 6,172,810 號及 ep 733,919A2。 說明於此之干擾反射器可由可撓性、塑性、或可變形材 料形成,且其之本身可為可撓性、塑性或可變形。此等干 擾反射器可偏向或彎曲至可使用於習知之led的半徑,即 〇·5至5毫米。此等可撓性干擾反射器可經偏向或彎曲,且 仍保有其之偏向前的光學性質。 已知之自安裝的週期性結構,諸如膽固醇反射偏光鏡及 特定的嵌段共聚物,被視為係供本申請案之用途用之多層 干擾反射器。膽固醇反射鏡可使用左手及右手對掌節距元 件之組合製造。 在一說明具體實施例中,可將部分透射所有波長之藍光 的長通道濾光器與薄的黃色鱗光體層結合使用,以將來自 LED之一些藍光於第一次通過磷光體之後往回導引於磷光 體層上。 除了提供UV光之反射外,多層光學薄膜之一功用可為阻 擋UV光之透射,以防止後續在LED封裝内部或外部的元件 退化,包括防止損傷人眼。在一些具體實施例中,可能最 好在UV反射器之最遠離於led之側上加入UV吸收劑。此 UV吸收劑可為在多層光學薄膜中,在其之上,或與其鄰接。 雖然技藝中知曉各種製造干擾濾光器之方法,但全聚合 O:\90\90926.DOC -20- 200428679 物的構造可提供多項製造及成本的效益。如將具高光學透 射及大心數差之南溫聚合物利用於干擾濾光器中,則可製 造薄且相當可撓的環境安定濾光器,以滿足短通道(SP)及 (LP)濾光器的光學需求。尤其,於us 6,531,23〇 (Weber等人) 中所教不之共擠塑多層干擾濾光器可提供精確的波長選擇 - 以及大面積、有效利用成本的製造。使用具高指數差之聚 合物對可構造自支承,即沒有基材但仍可容易加工之非常 薄的南度反射性反射鏡。此種干擾結構當熱成形或當曲折 至小至1毫米之曲率半徑時將不會龜裂或損壞或以其他方 % 式退化。
可將全聚合性濾光器熱成形成各種31)形狀諸如,比方 說’半球形圓頂(說明於下)。然而,必需小心地在圓頂之整 個表面上將薄化控制至準確量,以產生期望的角度性能。 具有簡單二維曲率之濾光器較3D化合物成形濾光器容易製 作。尤其,可將任何薄且可撓的濾光器彎曲成2D形狀諸如, 比方說,圓柱形之一部分,在此情況中,不需要全聚合性 濾光器。在薄聚合基材上之多層無機濾光器以及在厚度低 於200微米之玻璃基材上之無機多層物可以此方式成形。後 者可能需經加熱至接近玻璃轉移點之溫度,以得到具低應 力之永久形狀。 供長及短通道濾光器用之最佳帶緣將視濾光器經設計於 其中操作之系統中之LED及磷光體的發射光譜而定。在一 說明具體實施例中,對於短通道濾光器,實質上所有的LED 發射通過濾光器而激發磷光體,及實質上所有的磷光體發 O:\90\90926.DOC -21 - 200428679 射被濾光器反射,因此其不會進入LED或其可被吸收之其 之基礎結構中。因此,將短通道界定帶緣置於在LED之平 均發射波長與磷光體之平均發射波長之間的區域中。在一 說明具體實施例中,將濾光器置於led與磷光體之間。然 而’如濾光器為平面,則來自典型LED之發射將在各種角 度下衝擊濾光器,及在一些入射角下被濾光器反射而無法 到達磷光體。除非將濾光器彎曲以維持接近恒定的入射 角’否則將可能需要將設計帶緣置於較磷光體及led發射 曲線之中點大之波長下,以使整體系統性能最佳化。尤其, 由於所包含的立體角相當小,因而極少磷光體發射在接近 零度的入射角下被導引至濾光器。 在另一說明具體實施例中,將長通道反射濾光器置於磷 光體層之與LED相對之側,以將LED激發光再循環回到鱗光 體’而改良系統效率。在此說明具體實施例中,如LED發 射係在可見光譜中,且需要大量以平衡磷光體顏色輸出, 則可將長通道濾光器省略。然而,可使用部分透射短波光, 諸如,比方說,藍光之長通道濾光器於經由將可使較多藍 光在較正入射高之角度下通過之光譜角度位移而將藍色 LED/黃色磷光體系統之角度性能最佳化。 在再一說明具體實施例中,LP濾光器為曲面,以維持LED 發射光於濾光器上之接近恒定的入射角。在此具體實施例 中,磷光體及LED皆面對LP濾光器之一側。在高入射角下, LP濾光器將不會反射短波光。因此,可將LP濾光器之長波 帶緣置於儘可能長的波長下,同時仍阻擔儘可能少的碗光 O:\90\90926.DOC -22- 200428679 體發射。同樣地,可改變帶緣位置,以使整體系統效率最 佳化。 在此將術語「鄰接」定義為指示兩物件彼此相近的相對 位置。鄰接的物件可相觸及,或彼此隔開,而有一或多個 材料設置於鄰接的物件之間。 LED激發光可為任何LED源可發射之光。led激發光可為 UV、或藍光。藍光亦包括紫色及靛色光。led包括自發發 射裝置以及使用刺激或超輻射發射之裝置,包括雷射二極 體及垂直空腔表面發射雷射二極體。 此處說明之磷光體層可為連續或不連續層。碟光體材料 之層可為均勻或不均勻圖案。碟光體材料之層可為複數個 具有小面積之區域,諸如,比方說,複數個各具有低於1〇〇〇〇 平方微米或自500至10000平方微米之平面圖中之面積之 「點」。在一說明具體實施例中,複數個點各可由在一或多 個不同波長下發射可見光之磷光體所形成,諸如,比方說, 發射紅色之點、發射藍色之點、及發射綠色之點。可視需 要將在複數個波長下發射可見光之點以任何均勻或不均勻 的方式設置及構造。舉例來說,磷光體材料之層可為複數 個沿表面或面積具有不均勻密度梯度之點。「點」可具有任 何規則或不規則形狀,且其之平面圖不需為圓形。磷光體 材料可為多層光學薄膜之共擠塑皮層。 如下所述,結構磷光體層可以數種方式構造,以提供性 能效益。當使用多種磷光體類型於提供較寬廣或較完全的 光譜輸出時’來自較短波長磷光體之光可被其他磷光體再
O:\90\90926.DOC -23- 200428679 吸收。包括各磷光體類型之隔離點、線條、或隔離區域之 圖案使再吸收之量降低。此對於使未經吸收之果光㈣师 light)往回反射至磷光體圖案之空腔型構造將特別有效。 多層結構亦可降低吸收。舉例來說,最好可依序形成各 填光體之層,#中最長波長之發射器最#近激發源。較靠 近發射器發射之光平均將較靠近輸出表面發射之光在全體 磷光體層内經歷較大程度的多重散射。由於最短的發射波 長最易再吸收,因而最好將最短波長磷光體設置於最靠近 輸出表面。此外,最好可對各層使用不同厚度,以當激發 光行進通過多層結構時,補償漸低的激發光強度。對於具 類似吸收及發射效率之磷光體層,自激發至輸出側之漸薄 的層將於各層中對減小的激發強度提供補償。亦最好可將 短通道濾光器置於不同磷光體層之間,以降低來自往回散 射及稱予依序被磷光體層再吸收之發射磷光體光。 形成具磷光體塗層之薄膜結構亦可製造適用於方粒切製 成供二極體用之個別單元之小結構的陣列。舉例來說,可 印刷小圓頂或半球體之陣列,其各將有用於降低PLED有時 會出現的「暈圈(halo)效應」(如下所述)。 非散射磷光體層可與多層光學薄膜結合而提供增進的光 輸出。非散射碟光體層可包括在指數相符黏合劑(例如,具 高指數惰性奈米顆粒之黏合劑)中之習知之磷光體,習知之 磷光體組成物之奈米尺寸顆粒(例如,其中之顆粒大小小且 散射光可忽略),或經由使用量子點磷光體。量子點磷光體 係以半導體諸如硫化鎘為基質之光發射器,其中顆粒夠 O:\90\90926DOC -24- 200428679 小’以致電子結構會受顆粒大小的影響及控制。因此,吸 收及發射光譜係經由顆粒大小而控制。量子點揭示於美國 專利第6,501,〇91號。 此處揭示一種具體實施例,其中包括磷光體/反射器組件 之第一光學組份稍後可安裝至LED基座;散熱器視需要可 包括可安裝磷光體層及干擾濾光器之透明散熱器。透明散 熱器可為設置於磷光體層/干擾濾光器與LED基座之間的一 層藍寶石。大多數的玻璃具較聚合物高之導熱性,且亦可 有用於此功能。許多其他結晶材料之導熱性較大多數的玻 璃高,且亦可使用於此。藍寶石層可於邊緣處與金屬散熱 器接觸。 在一說明具體實施例中,在塗布干擾濾光器(即具有磷光 體層之聚合干擾濾光器)之前,可處理濾光器之表面,以促 進塗層之黏著。最佳的處理係視濾光器之表面層及磷光體 塗層中之材料(明確言之係用於將磷光體顆粒固定於表面 上之黏合劑)而定。表面處理可為標準的電暈放電處理,或 在底塗層之後的電暈放電。底塗層典型上係低於丨微米厚。 有用的底塗材料為PVDC、續化聚g旨及其他非晶形聚醋諸如 Vite:l、順丁烯二酸酯化共聚物諸如Bynei⑺叩⑽^及Admer (MltSul Chemicals)、及 EVA諸如 EWax (Dup〇nt)。磷光體層 用之黏合劑可為熱塑性及/或可熱成形,且可為,例如,氟 聚合物、或矽基材料。 其他的底塗層包括’例如’真空塗布層,其以來自諸如 離子束或氣體電漿源之能源較佳,其中離子或電I成份爲
O:\90\90926.DOC -25- 200428679 擊聚合物表面’同時並沈積底塗層。此種底塗層典型上係 無機材料層諸如敛氧或碎氧層。 雖然將甚多注意力放在使用磷光體於將短波長光向下轉 變為可見光,但亦可將紅外輻射向上轉變為可見光。技藝 中熟知向上轉變磷光體,且典型上使用二或多個紅外光子 於產生1可見光子。亦經展示泵送此種磷光體所需之紅外 LED,且其非常有效率。使用此方法之可見光源可經由加 入長通道(LP)及短通道(SP)濾光器而變得更有效率,雖然各 長通道(LP)及短通道(SP)濾光器之功能在在此情況中係相 較於向下轉變磷光體系統而逆轉。可使用sp濾光器於將ir 光朝磷光體導引,同時並透射可見光,及可將Lp濾光器置 於磷光體與LED之間,以將發射可見光朝預期的系統或使 用者向外導引。 SP或LP濾光器之壽命大於或等於相同系統中之led之壽 命較佳。聚合干擾濾光器之退化可歸因於過熱,其會造成 改變層厚度值,及因此改變濾光器反射之波長的材料潛 變。在最糟的情:兄中,過熱會導致聚合物材料、溶融,導致 材料之快速流動’及波長選擇之改變以及引發濾光器之不 均勻。 聚合物材料之降解亦可視聚合物材料而由短波長(光似) 輻射諸如監色、i色或uv$|射所引發。降解速率係、視光似 光通量及聚合物之溫度而定。溫度及通量-般將隨距LED 之增加的距離而減小。目此,在高亮度㈣,尤其係肌仙 之情況中’最好視設計之容許而將聚合性渡光器設置在儘
O:\90\90926.DOC -26- 200428679 可能遠離於LED。將聚合物濾光器設置於如前所述之透明 散熱器上亦可改良濾光器之壽命。對於圓頂形濾光器,光 似輪射之通量係隨距led之距離的平方而減小。舉例來 說,於曲率中心放置單向丨瓦LED之半徑1公分之半球形 MOF反射器將受到ι/(2ττ)瓦/平方公分之平均強度(圓頂之 表面積=2π平方公分)。在〇·5公分之半徑下,圓頂上之平均 強度將係該值之四倍,或2/τγ瓦/平方公分。LED、磷光體、 及多層光學薄膜之系統可將光通量及溫度控制列入考慮而 設計。 可將一反射性偏光鏡設置於鄰接多層反射器及/或鄰接 磷光體材料。反射性偏光鏡可發射較佳偏振作用之光,同 曰守反射其他的偏振作用。技藝中已知之磷光體層及其他薄 膜組份可使被反射性偏光鏡反射之偏振光消偏振,及藉由 自鱗光體層,或磷光體層與多層反射器結合之反射,可使 光再循環及提高固態光裝置(LED)之偏振光亮度。適當的反 射性偏光鏡包括,例如,膽固醇反射性偏光鏡、具丨/4波延 遲器(retarder)之膽固醇反射性偏光鏡、購自3m公司之 DBEF反射性偏光鏡或亦購自3M公司之dRPF反射性偏光 鏡。反射性偏光鏡在由磷光體所發射之實質的波長及角度 範圍内偏振光較佳,及在LED發射藍光之情況中,其亦可 反射LED發射波長範圍。 適當的多層反射器薄膜係雙折射多層光學薄膜,其中在 兩鄰接層之厚度方向中之折射率實質上相符合,且具有非 常大或不存在的布魯斯特(Brewster)角度(p-偏振光之反射
O:\90\90926.DOC •27- 200428679 率達到零之角度)。如此可構造P-偏振光之反射性隨入射角 緩慢減小,與入射角無關,或隨遠離正向之入射角而增加 的多層反射鏡及偏光鏡。結果,可獲致於寬帶寬具高反射 性(在反射鏡之情況中對任何入射方向之兩偏振平面,及在 偏光鏡之情況中對選定的方向)之多層薄膜。此等聚合性多 層反射器包括第一及第二熱塑性聚合物之交替層。交替層 界定具平行於層延伸之互相正交之X及y軸及具正交於\及丫 軸之Z軸的局部座標系統,及其中至少一些層為雙折射。對 沿第一、第二、及第三互相正交轴偏振之光,在第一及第 二層之間之折射率差之絕對值分別為AX、Ay、及Δζ。第三 軸係正父於薄膜之平面,其中八又係大於約0 05,及其中 係低於約0·05。此等薄膜說明於,例如,美國專利第 5,882,774號中。 圖13係使用於,例如,圖丨之光源中之磷光體-反射器組 件11 6之另一具體實施例的剖面圖。圖中顯示一多層反射器 126鄰接於碟光體材料122之層,然而,僅需將多層反射器 126設置成使光可於磷光體材料ι22之層與多層反射器126 之間行進。多層反射器126反射至少一部分之可見光,及透 射LED激發光諸如,比方說,υν、或藍光。如前所述,可 將此多層反射器126稱為短通道(sp)反射器。 如文中所論述’可將多層反射器126設置成接受來自lEd 12之光。多層反射器126可為任何可使用的厚度。多層反射 器126可為5至200微米厚或1〇至1〇〇微米厚。多層反射器126 視需要可實質上不含無機材料。
O:\90\90926.DOC -28- 200428679 一夕層反射為126可由當暴露至諸如文中所論述之uv、藍 光、或紫光時抵抗降解的材料所形成。此處論述之多層反 :器可在高強度照明下長時間安定。一般可將高強度照明 定義為自1至刚瓦/平方公分之通量值。干擾反射器之操作 溫度可為10(TC以下,或65t以下。適當的說明性聚合材料 可包括由,例如,丙烯酸系材料、pET材料、pMMA材料、 聚苯乙烯材料、聚碳酸酯材料、購自(st· paul,MN)之 THV材料、及其組合形成之抗11乂材料。可將此等材料及 材料使用於藍色激發光。 如文中所說明,多層反射器126可與LED 12以任何可使用 的形恶設置。在一說明具體實施例中,多層反射器126係設 置於磷光體122之層與LED 12之間。在另一說明具體實施例 中’將填光體122之層設置於多層反射器126與1^〇 12之 間。可將多層反射器126構造成透射UV或藍光,及反射至 少一部分之可見光光譜諸如綠光、黃光、或紅光。在另一 說明具體實施例中,可將多層反射器126構造成透射UV、 藍光或綠光,及反射至少一部分之可見光光譜諸如黃光或 紅光。 碟光體材料122之層當經發射自LED 12之激發光照明時 可發射可見光。磷光體材料122之層可為任何可使用的厚 度。磷光體材料122之層可包括任何數目的黏合劑諸如,比 方說,聚酯材料。在另一說明具體實施例中,磷光體材料 1 22之層可包括黏著劑材料。在再一說明具體實施例中,可 將黏著劑材料設置於磷光體材料122之層與聚合多層反射 O\90\90926.DOC -29- 200428679 器126之間。黏著劑材料可為光學功能黏著劑,即其可包括 額外的光學材料諸如’比方說’染料、或散射顆粒。匕 磷光體-反射器組件116可以各種方式形成。舉例來說, 可將磷光體材料122之層設置或塗布於聚合多層反射器I% 上。可將磷光體材料122之層於聚合多層反射器126上塗布 為可流動材料。可將磷光體材料122之層以固體層鄰接於聚 合多層反射器126層合。此外,可將磷光體材料ι22之層及 聚合多層反射器126連續或同時熱成形。填光體之層可為可 壓縮、彈性體,且甚至可包含於發泡結構中。 鱗光體-反射器組件116可包括設置於如此處所說明之碟 光體材料122之層上,且示於圖2之第二干擾反射器。參照 圖2’圖中顯示此第二多層反射器26鄰接於填光體材料22之 層,然而如前所述,僅需將第二多層反射器26設置成使光 可於磷光體材料22之層與多層反射器26之間行進。第二干 擾反射器26可為長通道或短通道反射器。填光體材料22之 層及聚合多層反射器26可為任何期望的形態諸如,比方 說’平面、成形或曲面。 圖14係使用於圖1之光源中之磷光體-反射器組件216之 另一具體實施例的剖面圖。圖中顯示一多層反射器224鄰接 於鱗光體材料222之層,然而,僅需將多層反射器224設置 成使光可於碟光體材料222之層與多層反射器224之間行 進。多層反射器224係經設置成反射LED激發光諸如,比方 說,UV、或藍光,及透射可見光。如前所述,可將此多層 反射器224稱為長通道(LP)反射器。 O:\90\90926.DOC -30- 200428679 多層反射器224係經設置成將LED激發光反射至鱗光體 材料222之層。多層反射器224可為任何可使用的厚度。多 層反射器224可為5至200微米厚或10至100微米厚。多層反 射器224可由當暴露至諸如文中所論述之UV光時抵抗降解 的材料所形成。多層反射器224視需要可實質上不含無機材 料。 說明於此之多層干擾反射器可具有橫向厚度梯度,即具 有在反射器上之一點與在反射器上之另一點不同之厚度。 此等反射器可隨LED發射光入射角朝多層反射器之外部區 域的增加而較厚。由於反射波長係與厚度及入射角成正 比,因而提高在外部區域之反射器厚度可補償帶位移的問 題。 如文中所說明,多層反射器224可與LED 12以任何可使用 的形態設置。在一說明具體實施例中,多層反射器224係設 置於磷光體222之層與LED 12之間。在另一說明具體實施例 中,將磷光體222之層設置於多層反射器224與led 12之 間。可將多層反射器224構造成反射UV或藍光,及透射至 少一部分之可見光光譜諸如綠光、黃光、或紅光。在另一 說明具體實施例中,可將多層反射器224構造成反射UV、 藍光或綠光,及透射至少一部分之可見光光譜諸如黃光或 紅光。 磷光體材料222之層當經發射自LED 12之激發光照明時 可發射可見光。磷光體材料222之層可為任何可使用的厚 度。磷光體材料222之層可包括任何數目的黏合劑諸如,比 O:\90\90926.DOC -31 - 200428679 方說,聚酯材料。在另一說明具體實施例中,磷光體材料 222之層可包括黏著劑材料。在再一說明具體實施例中,可 將黏著劑材料設置於磷光體材料222之層與聚合多層反射 器224之間。黏著劑材料可為光學功能黏著劑。
磷光體-反射器組件2 16可以各種方式形成。舉例來說, 可將鱗光體材料222之層設置或塗布於多層反射器224上。 可將鱗光體材料222之層於多層反射器224上塗布為可流動 材料。可將磷光體材料222之層以固體層層合至多層反射器 224。此外,可將磷光體材料222之層及多層反射器224連續 或同時熱成形。填光體之層可為可壓縮、彈性體,且甚至 可包含於發泡結構中。 磷光體-反射器組件216可進一步包括如前所述且示於圖 2之短通道反射器。填光體材料222之層及多層反射器224可 為任何期望的形態諸如,比方說,平面、成形或曲面。
圖15係以磷光體為主體之光源310之雙份組份系統之概 略剖面圖。可將磷光體-反射器組份3 11形成為單一組份, 且可將LED組份309以單一組份提供。PLED 310可經由將第 一光學組份(磷光體-反射器組份3 11)設置成接受來自第二 光學組份(LED組份309)之發射光而形成。在一說明具體實 施例中,LED組份309可具有經設置及構造成與磷光體-反射 器組份311配合表面313相配合的配合表面308。磷光體-反 射器316係如前所述。可將磷光體-反射器316設置於光學透 明材料310内或光學透明材料表面320上。 實施例 O:\90\90926.DOC -32- 200428679 此處之磷光體亮度的測量係使用裝射積算球(由Optronic Laboratories指示為OL IS-670-LED)及高精密LED裝置具
(由 Optronic Lab oratories指示為 OL 700-80-20)的分光輻射 光通儀(由 Optronic Laboratories,Inc· (Orlando,Florida, USA)指示為OL 770-LED)進行。分光轄射光通儀經校準, 以報告在輸入口進入積算球之總輻射能量(單位瓦每奈 米)。使用慣用的穿孔機自經塗布磷光體之樣品製造1英吋 直徑之碟。此碟係配合經製造成裝置於高精密LED裝置具 上之慣用的薄膜接合器内。慣用的接合器將薄膜樣品固定 於經封裝LED之底座的上方大約1英吋。經由將LED裝置於 裝置具内,將具有磷光體塗層之薄膜置於接合器内,將接 合器固定至發光二極體支架,然後將二極體支架組件插入 至積算球之入口孔隙内,而進行測量。若需要,使用經校 準之中性密度濾光器於調整到達分光輻射光通儀之偵測器 的光量。
除非特別說明,否則使用於以下實施例中之多層光學薄 膜在正向入射下均等地反射兩偏振狀態(即各個別的光學 層具有沿正交面内軸之標稱相等的折射率)。 對於經給定磷光體層厚度之所有以下的實施例,厚度係 經由將磷光體層及基材薄膜之總厚度減去基材薄膜之厚度 而測得。厚度係使用具有裝置於針盤量規(dial gage)支架(目 錄編號 52-580-020 ’ 講自 Fred V. Fowler Co.,Inc. (Newton, Massachusetts,US A))上之平接觸點(目錄編號52-525-035,亦購 自Fowler)的針盤指示器(目錄編號52-520-140,亦購自 O:\90\90926.DOC -33 - 200428679
Fowler)測量。基材薄膜之厚度係在基材薄膜上之隨機位置 之三個測量的平均。構光體層及基材薄膜之厚度係在鱗光 體層上之隨機位置之六個測量的平均。 實施例1
利用以下步驟於單層透明聚(對苯二甲酸乙二酯)(PET)薄 膜上製造經摻雜鈽之釔鋁石榴石(YAG:Ce)磷光體之塗層。 將12.00克之氟聚合物樹脂(由Durel Company (Chandler, Arizona,USA)指示為「磷光體墨水零件A:樹脂溶液 (Phosphor Ink Park A: Resin Solution)」,零件編號: 1INR001,rev: AA,批號:KY4-035)置於40毫升之玻璃瓶 中。將 15.02 克之 YAG:Ce磷光體(由 Phosphor Technology,
Ltd. (Stevenage,England)指示為 QMK58/F-U1 Lot#13235) 測量至稱重碟中。經由先將一半的磷光體加至樹脂中,及 利用不銹鋼刮勺利用手將其混合,然後再加入另一半,及 利用手將其混合,而將磷光體混合至樹脂中。利用手將磷 光體及樹脂混合,直至混合物具有光滑質地及均勻外觀為 止。將含有生成之磷光體糊之瓶蓋上蓋子,及於轉瓶機 (bottle roller)上放置約30分鐘。 將6英忖寬乘10英对長乘1.5密爾(mil)厚之3M Company (St. Paul, MN)之單層透明PET薄膜之片材置於清潔的平坦 表面上。利用經曱醇潤濕之無棉絨的棉布擦拭PET薄膜之兩 表面。將含有磷光體糊之瓶自轉瓶機移出,及將約5克之糊 置於PET薄膜上之小坑内。使用方形多餘隙塗布機(由 BYK-Gardner USA (Columbia, Maryland,USA)指示為 O:\90\90926.DOC -34- 200428679 PAR-5357)之5密爾間隙將填光體糊以手牽伸成塗層。使濕 薄膜在重力對流烘箱(由VWR International,Inc. (West
Chester,Pennsylvania,USA)指示為 1350G型)中在約 U(TC 之溫度下固化30分鐘。於固化後,磷光體/樹脂塗層厚度為 1.6密爾。 製備YAG:Ce塗布薄膜之1英吋直徑的碟,及將其安裝至 如前所述之分光輻射光通儀中。碟係經定向成使磷光體塗 布面面對至積算球内。使用具約463奈米之最大波長的藍色 LED(由 Hosfelt Electronics,Inc. (Steubenville,OH)指示為
Part #25-365)於激發磷光體。經由將在藍色LED之標準5毫 米封裝頂端的圓頂形透鏡機械切除,而對藍光提供平坦離 開面。將大約0· 1 8英吋之封裝自封裝之頂部移除。利用恒 流電源在20毫安培及3·46伏特下對LED供電。使用分光輻射 光通儀記錄得之磷光體層的發射光譜於圖丨6中示為標示為 「實施例1」之曲線。使用分光輻射光通儀所提供的軟體, 計算得發射至積算球内之總光通量為〇 〇68流明。 實施例2 將一片具有PET及共-PMMA之交替層及具有自約6〇〇奈 米至約1070奈米之正向入射反射帶(在半最大值下測量)的 夕層光學薄膜(MOF)(根據美國專利第6,531,23〇號製造)置 於在實施例1之經塗布磷光體之PET薄膜與實施例丨之藍色 LED(在20毫安培下操作)之間的薄膜接合器中。記錄光譜, 且其於圖16中示為標示為「實施例2」之曲線。使用分光輕 射光通儀所提供的軟體,計算得發射至積算球内之總光通
O:\90\90926 DOC -35 - 200428679 量為0.118流明。此呈現73%之發光強度的增加。 實施例3 利用以下步驟於聚(對苯二甲酸乙二酯)(PET)薄膜上製造 硫化鋅(ZnS)磷光體之塗層: 將20.04克之氟聚合物樹脂(由Durel Company (Chandler, Arizona,US A)指示為「磷光體墨水零件A:樹脂溶液」,零件 編號:1INR001,rev: AA,批號:KY4-03 5)置於2盎司之玻
璃瓶中。將20.06克之ZnS填光體(由Phosphor Technology, Ltd· (Stevenage,England)指示為 GL29A/N-C1 Lot#1 1382)測 量至稱重碟中。經由先將一半的磷光體加至樹脂中,及利 用不銹鋼刮勺利用手將其混合,然後再加入另一半,及利 用手將其混合,而將磷光體混合至樹脂中。利用手將磷光 體及樹脂混合,直至混合物具有光滑質地及均勻外觀為 止。將含有生成之磷光體糊之瓶蓋上蓋子,及於轉瓶機上 放置約24小時。
將6英叶寬乘10英对長乘1.5密爾厚之3M Company (St· Paul,MN)之透明PET薄膜之片材置於透明的平坦表面上。 利用經甲醇潤濕之無棉絨的棉布擦拭PET薄膜之兩表面。將 含有磷光體糊之瓶自轉瓶機移出,及將約3克之糊置於PET 薄膜上。使用方形多餘隙塗布機(由BYK-Gardner USA (Columbia,Maryland,USA)指示為 PAR-5353)之 2密爾間隙 將磷光體糊以手牽伸成塗層。使濕薄膜在重力對流烘箱(由 VWR International,Inc. (West Chester,Pennsylvania,USA) 指示為1350G型)中在約130°C之溫度下固化30分鐘。於固化 0 \90\90926 DOC -36- 200428679 後,碟光體/樹脂塗層厚度為0 · 7密爾。 製備ZnS塗布薄膜之丨英吋直徑的碟,及將其安裝至如前 所述之分光輻射光通儀中。碟係經定向成使磷光體塗布面 面對至積异球内。使用具約395奈米之最大波長的uv LED(由 Hosfelt Electronics,Inc. (SteubenviUe,〇H)指示為
Part #25-495)於激發磷光體螢光。經由將在uv LED之標準5 毫米封裝的圓頂形頂端機械切除,而對^^光提供平坦離開 面。將大約0.180英吋之封裝自封裝之頂部移除。利用恒流 電源在20毫安培及3·7伏特下對LED供電。使用分光輻射光 通儀記錄得之磷光體層的發射光譜於圖17中示為標示為 「實施例3」之曲線。使用分光輻射光通儀所提供的軟體, 計异得發射至積算球内之總光通量為〇 〇52流明。 實施例4 將一片具有PET及共-PMMA之交替層及具有自約32〇奈 米至約490奈米之正向入射反射帶(在半最大值下測量)的多 層光學薄膜(MOF)(根據美國專利第6,531,23〇號製造)置於 在實施例3之磷光體層頂端的薄膜接合器中,及將實施例3 之UV LED(在20毫安培下操作)使用作為激發源。記錄光 "a且其於圖1 7中示為標示為「實施例4」之曲線。使用分 光輻射光通儀所提供的軟體,計算得發射至積算球内之總 光通!為0.062流明。當與實施例3比較時,此呈現約19%之 發光強度的增加。 實施例5 經由層合兩片多層光學薄膜(M〇F)而製得寬帶可見反射
O:\90\90926 1X)C -37- 200428679
器。使用光學透明黏著劑將具有PET及共-PMMA之交替層 及自約490奈米至約610奈米之正向入射反射帶(在半最大 值下測量)之一層 MOF (3M Company (St· Paul,MN)製造)層 合至具有PET及共-PMMA之交替層及具有自約590奈米至 約7 1 0奈米之正向入射反射帶(在半最大值下測量)之一層 MOF (3M Company (St. Paul,MN)製造)。將層合物置於在 實施例3之經塗布磷光體之PET薄膜與實施例3之UV LED(在20毫安培下操作)之間的薄膜接合器中。將具有PET 及共-PMMA之交替層及具有自約320奈米至約490奈米之正 向入射反射帶(在半最大值下測量)之一片多層光學薄膜 (M〇F)(3M Company (St· Paul,MN)製造)置於在磷光體層頂
端的薄膜接合器中,以產生具有夾於LED側上之可見反射 鏡與另一側上之UV/藍色反射鏡之間之磷光體層的空腔。記 錄光譜,且其於圖17中示為標示為「實施例5」之曲線。使 用分光輻射光通儀所提供的軟體,計算得發射至積算球内 之總光通量為〇· 106流明。當與實施例3比較時,此呈現約 104%之發光強度的增加。 實施例6 利用以下步驟於聚(對苯二曱酸乙二酯)(PET)薄膜上製造 硫化鋅(ZnS)磷光體之塗層: 將說明於實施例3中之磷光體糊塗布於6英吋寬乘10英吋 長乘1.5密爾厚之透明PET薄膜之片材上。將PET置於乾淨平 坦表面的頂部上。利用經甲醇潤濕之無棉絨的棉布擦拭PET 薄膜之兩表面。將約3克之糊置於PET薄膜上。使用方形多 O:\90\90926.DOC -38- 200428679 餘隙塗布機(由 BYK-Gardner USA (Columbia,Maryland, US A)指示為PAR-5 3 53)之4密爾間隙將填光體糊以手牽伸 成塗層。使濕薄膜在重力對流烘箱(由VWR International,
Inc· (West Chester,Pennsylvania,USA)指示為 1350G型)中 在約130 C之溫度下固化30分鐘。於固化後,鱗光體/樹脂 塗層厚度為1.3密爾。 製備ZnS塗布薄膜之1英吋直徑的碟,及將其安裝至如前 所述之分光輻射光通儀中。碟係經定向成使磷光體塗布面 面對至積算球内。使用具約395奈米之最大波長的uv LED(由 Hosfelt Electronics,Inc. (Steubenville,OH)指示為 Part #25-495)於激發磷光體。經由將uv LED之標準5毫米封 裝的圓頂形頂端機械切除,而對UV光提供平坦離開面。將 大約0· 1 80英吋之封裝自封裝之頂部移除。利用恒流電源在 20毫安培及3.7伏特下對LED供電。使用分光輻射光通儀記 錄得之磷光體層的發射光譜於圖丨8中示為標示為「實施例 6」之曲線。使用分光輻射光通儀所提供的軟體,計算得發 射至積算球内之總光通量為〇·066流明。 實施例7 將一片具有PET及共-ΡΜΜΑ之交替層及具有自約490奈 米至約610奈米之正向入射反射帶(在半最大值下測量)的多 層光學薄膜(MOF)(3M Company (St· Paul,MN)製造)置於在 實施例6之經塗布磷光體之pet薄膜與實施例6之uv LED(在20毫安培下操作)之間的薄膜接合器中。記錄光譜, 且其於圖1 8中示為標示為「實施例7」之曲線。使用分光輕 O:\90\90926.DOC -39- 200428679 射光通儀所提供的軟體,計算得發射至積算球内之總光通 量為0.095流明。當與實施例6比較時,此呈現約44%之發光 強度的增加。 實施例8 利用以下步驟於多層光學薄膜(MOF)上製造硫化鋅(ZnS) 磷光體之塗層: 將說明於實施例3中之磷光體糊塗布於具有PET及共 -PMMA之交替層及具有自約490奈米至約610奈米之正向入 射反射帶(在半最大值下測量)之MOF的片材(3M Company (St. Paul,MN)製造)上。將MOF置於乾淨平坦表面的頂部 上。利用經甲醇潤濕之無棉絨的棉布擦拭MOF薄膜之兩表 面。將約3克之糊置於MOF薄膜上。使用方形多餘隙塗布機 (由 BYK-Gardner USA (Columbia,Maryland,USA)指示為 PAR-5 3 53)之4密爾間隙將磷光體糊以手牽伸成塗層。使濕 薄膜在重力對流烘箱(由VWR International,Inc· (West Chester,Pennsylvania,USA)指示為 1350G型)中在約 130°C 之溫度下固化30分鐘。於固化後,磷光體/樹脂塗層厚度為 1.3密爾。 製備ZnS塗布薄膜之1英吋直徑的碟,及將其安裝至如前 所述之分光輻射光通儀中。碟係經定向成使磷光體塗布面 面對至積算球内。使用具約395奈米之最大波長的UV LED(由 Hosfelt Electronics,Inc (Steubenville,OH)指示為 Part #25-495)於激發磷光體。經由將UV LED之標準5毫米封 裝的圓頂形頂端機械切除,而對UV光提供平坦離開面。將 O:\9O\90926.DOC -40- 200428679 大軌18G英奴封裝自封裝之頂部移除。利用恒流電源在 20¾安培及3.7伏特下對LED供電。使用分光輻射光通儀記 錄得之填光體層的發射光譜於圖18中示為標示I「實施例 8」之曲線。使用分光輻射光通儀所提供的軟體,計算得發 射至積算球内之總光通量為〇1〇7流明。當與實施例6比較 時’此呈現約62%之發光強度的增加。 實施例9 利用以下步驟將硫化鋅(ZnS)磷光體之塗層網印於實施 例5中說明的層合多層光學薄膜(m〇f)上: 將150克之氟聚合物樹脂(由Durei c〇nipany Arizona,USA)指示為「磷光體墨水零件A:樹脂溶液」,零件 編號:1INR0(H,rev: AA,批號:κγ心〇35)置於16盘司之 玻璃瓶中。將150克之ZnS石粦光體(由Phosphor Technology,
Ltd· (Stevenage,England)指示為 GL29A/N-C1 Lot#1 1382)測 里至稱重碟中。使用由空氣動力機所驅動的玻璃動葉輪將 麟光體緩慢混合至樹脂中。將磷光體及樹脂混合,直至混 合物具有光滑質地及均勻外觀為止。將含有生成之磷光體 糊之瓶蓋上蓋子,及於轉瓶機上放置約10分鐘。 使用在裝置於網印機(由Svecia Silkscreen Maskiner AB (Stockholm,Sweden)指示為Type SSM)上之每英吋280根線 PET網上具有每英吋28線條之解析度的半色調圖案進行印 刷。半色調圖案係由三個具有10%、50%及90%覆蓋率之區 域所組成。於一程中將圖案印刷於實施例5中說明之兩層合 MOF薄膜的片材上。 O:\90\90926.DOC -41 - 200428679 使印刷層於強制空氣烘箱中在約138。(:之溫度下固化15 分鐘。於固化後,磷光體/樹脂塗層厚度為〇·8密爾。 自具有50%覆蓋率之部分的圖案製備zns網印薄膜之 忖直徑的碟,及將其安裝至如前所述之分光輻射光通儀 中。碟係經定向成使磷光體塗布面面對至積算球内。使用 具約395奈米之最大波長的UV LED(由Hosfelt Electronics, Inc (Steubenville,OH)指示為 Part #25-495)於激發磷光體。 經由將UV LED之標準5毫米封裝的圓頂形頂端機械切除, 而對UV光提供平坦離開面。將大約〇. 1 英忖之封裝自封裝
之頂部移除。利用恒流電源在20毫安培及3 ·7伏特下對LED 供電。使用分光輻射光通儀記錄得之磷光體層的發射光譜 於圖19中示為標示為「實施例9」之曲線。使用分光輕射光 通儀所提供的軟體,計算得發射至積算球内之總光通量為 〇·〇52流明。 實施例10 將一片具有PET及共-ΡΜΜΑ之交替層及具有自約320奈 米至約490奈米之正向入射反射帶(在半最大值下測量)的多 層光學薄膜(MOF)(3M Company (St, Paul, MN)製造)置於在 貝知例9之磷光體層頂部的薄膜接合器中,及將實施例9之 UV LED(在20毫安培下操作)使用作為激發源。記錄光譜, 且其於圖1 9中示為標示為「實施例10」之曲線。使用分光 輪射光通儀所提供的軟體,計算得發射至積算球内之總光 通ϊ為0·078流明。當與實施例9比較時,此呈現約50%之發 光強度的增加。
O:\90\90926.DOC -42- 200428679 實施例11 利用以下步驟製造經塗布硫化辞(ZnS)磷光體之多層光 學薄膜(MOF)的熱成形圓頂。 將具有PET及共-PMMA之交替層及具有自約590奈米至 約710奈米之正向入射反射帶(在半最大值下測量)之一層 MOF(3M Company (St· Paul,Minnesota,USA)製造)黏合至 聚(氣乙烯)之片材,而形成可撓性複合物。將此複合物稱為 MOF-PVC。 將MOF-PVC置於乾淨平坦的表面上,使MOF側面向上。 利用經曱醇潤濕之無棉絨的棉布擦拭MOF-PVC之上表 面。將約3克之說明於實施例9中之ZnS磷光體糊置於 MOF-PVC上。使用方形多餘隙塗布機(由BYK-GardnerUSA (Columbia,Maryland,USA)指示為 PAR-5353)之 4密爾間隙 將磷光體糊以手牵伸成塗層。使濕薄膜在重力對流烘箱(由 VWR International, Inc. (West Chester, Pennsylvania, USA) 指示為1350G型)中在約130°C之溫度下固化30分鐘。 將經塗布磷光體之MOF-PVC複合物裝入至熱成形機器 中。將層在270°C之溫度下加熱23秒。使用具有圓形孔隙(約 1/2英吋直徑)之板,將經塗布磷光體之MOF-PVC形成為在 半球體之外凸側上具有磷光體之約1/2英吋之半球體。半球 體之視覺檢查顯示半球體在靠近半球體之外部區域具有較 大厚度及在半球體之内部區域較薄。磷光體層為平滑及連 續,且未呈現龜裂或脫層的徵象。 實施例12 O:\90\90926DOC -43- 200428679 利用以下步驟製造經塗布硫化鋅(ZnS)磷光體之多層光 學薄膜(MOF)的熱成形圓頂。
將實施例11中說明之MOF-PVC之片材置於乾淨平坦的 表面上,使MOF側面向上。利用經甲醇潤濕之無棉絨的棉 布擦拭MOF-PVC之上表面。將約3克之說明於實施例9中之 ZnS磷光體糊置於MOF-PVC上。使用方形多餘隙塗布機(由 BYK-Gardner USA (Columbia,Maryland,USA)指示為 PAR-53 5 3)之2密爾間隙將磷光體糊以手牽伸成塗層。使濕 薄膜在重力對流烘箱(由VWR International,Inc. (West Chester,Pennsylvania,USA)指示為 1350G型)中在約 130°C 之溫度下固化30分鐘。
將經塗布磷光體之MOF-PVC複合物裝入至熱成形機器 中。將層在270°C之溫度下加熱21秒。使用具有圓形孔隙(約 1/2英吋直徑)之板,將經塗布磷光體之MOF-PVC形成為在 半球體之外凸側上具有磷光體之約1/2英吋之半球體。半球 體之視覺檢查顯示半球體在靠近半球體之外部區域具有較 大厚度及在半球體之内部區域較薄。磷光體層為平滑及連 續,且未呈現龜裂或脫層的徵象。 實施例13 利用以下步驟製造經塗布經摻雜鈽之釔鋁石榴石 (YAG:Ce)磷光體之多層光學薄膜(MOF)的熱成形圓頂。 將20.01克之氟聚合物樹月旨(由Durel Corporation (Chandler,Arizona,USA)指示為「磷光體墨水零件A:樹脂 溶液」,零件編號:1INR001,rev: AA,批號·· KY4-035) 0 \90\90926.DOC -44 - 200428679 置於2盎司之玻璃瓶中。將19.98克之YAG:Ce磷光體(由
Phosphor Technology,Ltd· (Stevenage,England)指示為 (^]\41^58/?-1111^#13235)測量至稱重碟中。經由先將一半的 填光體加至樹脂中,及利用不錄鋼刮勺利用手將其混合, 然後再加入另一半,及利用手將其混合,而將填光體混合 至樹脂中。利用手將磷光體及樹脂混合,直至混合物具有 光滑質地及均勻外觀為止。將含有生成之磷光體糊之瓶蓋 上蓋子,及於轉瓶機上放置約30分鐘。
將實施例11中說明之M0F-PVC之片材置於乾淨平坦的 表面上’使MOF側面向上。利用經甲醇潤濕之無棉絨的棉 布擦拭M0F-PVC之上表面。將約3克之YAG:Ce磷光體糊置 於M0F-PVC上。使用方形多餘隙塗布機(由BYK-Gardner USA (Columbia,Maryland,USA)指示為 par_5353)之4密爾 間隙將磷光體糊以手牽伸成塗層。使濕薄膜在重力對流烘
箱(由 VWR International,Inc· (West Chester,Pennsylvania, US A)指示為1350G型)中在約130 °C之溫度下固化3〇分鐘。 將經塗布磷光體之MOF-PVC複合物裝入至熱成形機器 中。將層在2 7 0 °C之溫度下加熱2 3秒。使用具有圓形孔隙(約 1/2英吋直徑)之板,將經塗布磷光體之m〇F-PVC形成為在 半球體之外凸側上具有磷光體之約1/2英吋之半球體。半球 體之視覺檢查顯示半球體在靠近半球體之外部區域具有較 大厚度及在半球體之内部區域較薄。磷光體層為平滑及連 續,且未呈現龜裂或脫層的徵象。 實施例14 O:\90\90926.OOC -45 - 200428679 利用以下步驟製造經塗布經摻雜鈽之釔鋁石榴石 (YAG:Ce)磷光體之多層光學薄膜(MOF)的熱成形圓頂。 將實施例11中說明之MOF-PVC之片材置於乾淨平坦的 表面上,使MOF側面向上。利用經甲醇潤濕之無棉絨的棉 布擦拭MOF-PVC之上表面。將約3克實施例13中說明之 YAG:Ce磷光體糊置於MOF-PVC上。使用方形多餘隙塗布機 (由 BYK-Gardner USA (Columbia,Maryland, USA)指示為 PAR-5353)之2密爾間隙將磷光體糊以手牵伸成塗層。使濕 薄膜在重力對流烘箱(由VWR International, Inc· (West Chester,Pennsylvania,USA)指示為 1350G型)中在約 130°C 之溫度下固化30分鐘。 將經塗布磷光體之MOF-PVC複合物裝入至熱成形機器 中。將層在270°C之溫度下加熱21秒。使用具有圓形孔隙(約 1/2英吋直徑)之板,將經塗布磷光體之MOF-PVC形成為在 半球體之外凸側上具有磷光體之約1/2英吋之半球體。半球 體之視覺檢查顯示半球體在靠近半球體之外部區域具有較 大厚度及在半球體之内部區域較薄。磷光體層為平滑及連 續,且未呈現龜裂或脫層的徵象。 實施例15 將實施例11中說明之MOF-PVC之片材於前述之熱成形 裝置中加熱至約270 °C之溫度1 6秒。藉由真空辅助使此 MOF-PVC之經加熱片材覆蓋於市售5毫米LED封裝的半球 形透鏡上。MOF-PVC之最終形狀係對應於半球形透鏡形 狀0 O:\90\90926.DOC -46- 200428679 使用Perkin-Elmer Lambda 19光譜光度計測量形成的 ]^〇?冲¥0透射光譜。經顯示形成之]^0^?¥(:之中心部分的 光譜具有在400奈米下產生最高反射性之在360奈米及460 奈米下之帶緣。此形成之MOF-PVC具有在高於500奈米之 波長下大於75%之透射。MOF-PVC之此測得的光譜位移係 歸因於在成形操作中所發生之光學堆疊的薄化。 熟悉技藝人士當可明白本發明之各種修改及變化,而不 脫離本發明之範圍及精神,且應明瞭本發明並不受限於記 述於文中之說明具體實施例。 【圖式簡單說明】 在全篇說明書中參照附圖,其中類似的元件編號指示類 似的元件,及其中: 圖1係LED激發以磷光體為主體之光源(PLED)的概略剖 面圖; 圖2係使用於圖1之光源中之磷光體-反射器組件的剖面 圖; 圖3描繪包括呈片材形態之磷光體-反射器組件及細分成 個別物件之捲筒; 圖4係說明在載體薄膜上之磷光體-反射器組件之個別物 件的概略剖面圖; 圖5-7係另一 PLED構造之概略剖面圖; 圖8描繪又另一 PLED構造之一部分; 圖9係又另一PLED構造之概略剖面圖;
圖10係如同圖9之具體實施例利用正面照明之另一 PLED O:\90\90926.DOC -47 - 200428679 構造的概略側視圖; 裔之配置之PLED構造的概略側 圖Π係利用非成像集中 視圖; 圖1 2係圖11之一部分的特寫圖; 組件之 圖1 3 -14係使用於圖1之古、、店 圓1之先源中之磷光體-反射器 其他具體實施例的剖面圖; 圖15係以磷光體為主體之光源之雙份組份系、统之概略剖 面圖; 圖16係實施例1及2之光強度光譜之圖; 圖Π係實施例3、4、及5之光強度光譜之圖; 圖18係實施例6、7、及8之光強度光譜之圖;及 圖19係實施例9及10之光強度光譜之圖。 【圖式代表符號說明】 10 、 40 、 50 、 60 、 80 、 310 PLED 12 LED 14、14’ 散熱器 16 、 116 、 216 、316 磷光體-反射器組件 18 鑄封材料 20 透鏡特徵 22 、 42 、 52 、 72 、 82 、 92 、 磷光體層 102 、 122 、 222 24 、 46 、 56 、 66 、 86 、 96 、 長通道反射器 106 26 、 44 、 54 、 74 、 104 短通道反射器 O:\90\90926 DOC -48 200428679 30 片材材料 32 個別物件 34 載體薄膜 48 、 58 、 68 區域 70 空氣間隙 100a 、 100b 、 100c 集中器元件 126 、 224 多層反射器 308 、 313 配合表面 309 LED組份 311 磷光體-反射器組份 320 光學透明材料表面 O:\90\90926.DOC -49-

Claims (1)

  1. 200428679 拾、申請專利範圍: 1. 一種製造光源之方法,包括下列步驟: 形成包括與第一多層干擾反射器成固定關係之磷光體 材料的第一光學組份; 提供包括可發射激發磷光體材料之光之LED的第二光 學組份;及 將第一光學組份設置成接受來自第二光學組份之發射 光。 2.如申請專利範圍第!項之方法,其中該形成步驟包括形成 包括與第一可撓性多層干擾反射器成固定關係之磷光體 材料的第一光學組份。 3. 4. 5. 6. 如申晴專利^圍第1項之方法,其中該形成步驟包括形成 包括與第-聚合多層干擾反射器成固定關係之璘光體材 料的第一光學組份。 如申請專利範圍第W之方法,其中該形成步驟包括形成 包括破光體材料的第_光學組份,該磷S體材料包括與 第一多層干擾反射器成固定關係之黏著劑材料。 如申請專利範圍第1項之方法,其中該形成步驟包括形成 包括與第_多層干擾反射器成固定關係之碟光體材料的 第光學組份’該第一多層干擾反射器包括第一及第二 熱塑性聚合物之交替芦 又督禮,及其中至少一些層為雙折射。 如申請專利範If)筮! 4 、之方法’其中該形成步驟包括將鱗 光體材料層合至莖一 ^ a 第一夕層干擾反射器,而形成磷光體_反 射器組件。 O:\90\90926.DOC 200428679 7.如申請專利範圍第工項之方法,其中該形成步驟包括將填 光體枯料塗布於第—多層干擾反射器上,而形成填光體-反射器組件。 8·如申請專利範圍第丨項之方法,其中該形成步驟進一步包 括將第二多層干擾反射器以對磷光體材料之固定關係設 置。 9. 如申請專利範圍第}項之方法,其中該形成步驟包括將構 光體材料及第一多層干擾反射器埋置於光學透明鑄封材 料中。 10. 如申請專利範圍第丨項之方法,其中該形成步驟包括形成 第一聚合多層短通道或長通道反射器。 11·如申請專利範圍第1項之方法,其中該形成步驟包括形成 第二聚合多層短通道或長通道反射器。 12.如申請專利範圍第丨項之方法,其中該形成步驟包括形成 第一聚合多層長通道反射器及第二聚合多層短通道反射 13·如申請專利範圍第1項之方法,其中該形成步驟包括形成 一層雄光體材料。 14·如申請專利範圍第1項之方法,其中該形成步驟包括形成 磷光體材料之不連續層。 15.如申請專利範圍第1項之方法,其中該形成步驟包括形成 磷光體材料之複數個點。 1 6 ·如申請專利範圍第15項之方法,其中該形成步驟包括米 成填光體材料之複數個點,各點具有低於丨〇〇〇〇平方微米 O:\90\90926.DOC 200428679 17. 18. 19. 20. 21. 22. 23. 24. 25. 之面積。 如申請專利範圍第丨5項 M您万法,兵Τ δ亥形成步驟包括形 成禝數個包括當經激發光照明時發射紅光、綠光及藍光 之磷光體材料的點。 如申明專利乾圍第i項之方法,纟中該結合步驟包括使第 一光學組份與第二光學組份緊密配合。 一種LED組份,包括: 光學透明本體; 設置於光學透明本體之上或之内之第-多層干擾反射 器;及 設置於光學透明本體之上或之内之磷光體材料。 如申請專利範圍第19項之LED組份,其中該第一多層干擾 反射器包括第一可撓性多層干擾反射器。 如申請專利範圍第19項之LED組份,其中該第一多層干擾 反射器包括第一聚合多層干擾反射器。 如申請專利範圍第19項之LED組份,其中該磷光體材料包 括黏著劑材料。 如申請專利範圍第19項之LED組份,其中該第一多層干擾 反射器包括第一及第二熱塑性聚合物之交替層,及其中 至少一些層為雙折射。 如申請專利範圍第19項之LED組份,其中該磷光體材料係 塗布於第一聚合多層干擾反射器上。 如申請專利範圍第19項之LED組份,其中該磷光體材料係 層合於第一聚合多層干擾反射器上。 O:\90\90926.DOC 200428679 26·如申請專利範圍第19項之LED組份,其進一步包括設置於 光學透明本體之上或之内之第二多層干擾反射器。 27·如申請專利範圍第%項之LED組份,其中該磷光體材料係 為層形怒,及其中該第二多層干擾反射器係鄰接於與第 一多層干擾反射器相對之磷光體材料之層。 28·如申請專利範圍第19項之[ED組份,其中該第一多層干擾 反射器係為短通道或長通道反射器。 29·如申請專利範圍第26項之LED組份,其中該第二多層干擾 反射器係為短通道或長通道反射器。 3〇·如申請專利範圍第26項之LED組份,其中該第一多層干擾 反射器係為長通道反射器,及該第二多層干擾反射器係 為短通道反射器。 31. 如申請專利範圍第19項之LED組份,其中該光學透明本體 具有可與發光二極體之發光表面結合之第一表面。 32. 如申請專利範圍第19項之LED組份,其中該光學透明本體 具有可與發光二極體之發光表面光學結合之第一表面。 33·如申請專利範圍第19項之LED組份,其中該磷光體材料係 為不連續層。 34·如申請專利範圍第33項之LED組份,其中該磷光體材料之 不連續層係磷光體材料之複數個線條或磷光體材料之圖 案。 35·如申請專利範圍第33項之LED組份,其中該碟光體材料之 不連續層係填光體材料之複數個點。 36·如申請專利範圍第35項之LED組份,其中該鱗光體材料之 \90\90926.DOC 200428679 37. 38. 39. 複數個點各具有低於1〇〇〇〇平方微米之面積。 如申明專利範圍第35項之LED組份,其中該複數個點包括 當經激發光照明時發射多於一種顏色之磷光體材料。 如申請專利範圍第35項之LED組份,其中該複數個點包括 當經激發光照明時發射紅光、綠光及藍光之磷光體材料。 如申請專利範圍第35項之LED,其中至少一第一磷光體點 發射在第一波長下之光,及一第二磷光體點發射在不同 於第一波長之第二波長下之光。 O:\90\90926.DOC
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Families Citing this family (246)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6819486B2 (en) * 2001-01-17 2004-11-16 3M Innovative Properties Company Projection screen having elongated structures
US7186005B2 (en) * 2001-10-18 2007-03-06 Ilight Technologies, Inc. Color-changing illumination device
EP1567894A2 (en) * 2002-12-02 2005-08-31 3M Innovative Properties Company Illumination system using a plurality of light sources
US20040145312A1 (en) * 2003-01-27 2004-07-29 3M Innovative Properties Company Phosphor based light source having a flexible short pass reflector
US20040145289A1 (en) * 2003-01-27 2004-07-29 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar short pass reflector and method of making
US20040159900A1 (en) 2003-01-27 2004-08-19 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having front illumination
JP2006516828A (ja) * 2003-01-27 2006-07-06 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 蛍燐光体系光源素子および作製方法
US7091661B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a reflective polarizer
US7118438B2 (en) * 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
US7091653B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
US7245072B2 (en) * 2003-01-27 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector
US7312560B2 (en) 2003-01-27 2007-12-25 3M Innovative Properties Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making
US7368179B2 (en) 2003-04-21 2008-05-06 Sarnoff Corporation Methods and devices using high efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US20070013057A1 (en) * 2003-05-05 2007-01-18 Joseph Mazzochette Multicolor LED assembly with improved color mixing
WO2005025933A2 (en) * 2003-09-08 2005-03-24 Schefenacker Vision Systems Usa Inc. Led light source
US20050099808A1 (en) * 2003-11-12 2005-05-12 Cheng Tzu C. Light-emitting device
JP4784966B2 (ja) * 2003-11-18 2011-10-05 シャープ株式会社 半導体レーザ装置および照明装置
US20050116635A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Walson James E. Multiple LED source and method for assembling same
US7329887B2 (en) 2003-12-02 2008-02-12 3M Innovative Properties Company Solid state light device
US7403680B2 (en) * 2003-12-02 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Reflective light coupler
US7456805B2 (en) * 2003-12-18 2008-11-25 3M Innovative Properties Company Display including a solid state light device and method using same
EP1735149A2 (de) * 2004-04-16 2006-12-27 Lucea AG Lichtemittierendes paneel und optisch wirksame folie
WO2005103562A2 (en) * 2004-04-23 2005-11-03 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical manifold for light-emitting diodes
US20060002108A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Ouderkirk Andrew J Phosphor based illumination system having a short pass reflector and method of making same
US7213958B2 (en) * 2004-06-30 2007-05-08 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having light guide and an interference reflector
US7204630B2 (en) * 2004-06-30 2007-04-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having a plurality of light guides and an interference reflector
US7255469B2 (en) * 2004-06-30 2007-08-14 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having a light guide and an interference reflector
US7204631B2 (en) * 2004-06-30 2007-04-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having a plurality of light guides and an interference reflector
US7182498B2 (en) 2004-06-30 2007-02-27 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having a plurality of light guides and an interference reflector
US7427366B2 (en) 2004-07-06 2008-09-23 Sarnoff Corporation Efficient, green-emitting phosphors, and combinations with red-emitting phosphors
US20080262316A1 (en) * 2004-07-28 2008-10-23 Kyocera Corporation Light Source Apparatus and Endoscope Provided with Light Source Apparatus
US7626179B2 (en) 2005-09-30 2009-12-01 Virgin Island Microsystems, Inc. Electron beam induced resonance
US7586097B2 (en) 2006-01-05 2009-09-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Switching micro-resonant structures using at least one director
US7791290B2 (en) 2005-09-30 2010-09-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Ultra-small resonating charged particle beam modulator
WO2006035388A2 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor-converted led with luminance enhancement through light recycling
US20060091412A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Wheatley John A Polarized LED
US7304425B2 (en) * 2004-10-29 2007-12-04 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with compound optical element(s)
US20060091411A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J High brightness LED package
US7330319B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with multiple optical elements
US7329982B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company LED package with non-bonded optical element
US20060091414A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J LED package with front surface heat extractor
US7314770B2 (en) * 2004-11-18 2008-01-01 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US7481562B2 (en) * 2004-11-18 2009-01-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for providing illuminating light using quantum dots
US7192795B2 (en) * 2004-11-18 2007-03-20 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
TWI433344B (zh) 2004-12-24 2014-04-01 Kyocera Corp 發光裝置及照明裝置
JP3872490B2 (ja) * 2004-12-24 2007-01-24 京セラ株式会社 発光素子収納パッケージ、発光装置および照明装置
CN100438095C (zh) * 2005-01-14 2008-11-26 财团法人工业技术研究院 一种具准全方位反射器的发光二极管
KR100668328B1 (ko) * 2005-02-15 2007-01-12 삼성전자주식회사 양자점 수직공진형 표면방출 레이저 및 그 제조방법
JP5373244B2 (ja) 2005-02-24 2013-12-18 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード用レンズ部品及び発光ダイオード光源装置
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
US7358543B2 (en) * 2005-05-27 2008-04-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device having a layer of photonic crystals and a region of diffusing material and method for fabricating the device
US20070001182A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Structured phosphor tape article
US7294861B2 (en) * 2005-06-30 2007-11-13 3M Innovative Properties Company Phosphor tape article
EP1905272B1 (en) * 2005-07-14 2012-10-17 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Electroluminescent device
DE102005034793B3 (de) * 2005-07-21 2007-04-19 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Lichtemittierende Halbleiterdiode hoher Lichtleistung
JP2007116131A (ja) * 2005-09-21 2007-05-10 Sanyo Electric Co Ltd Led発光装置
DE102005062514A1 (de) * 2005-09-28 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
WO2007064358A2 (en) * 2005-09-30 2007-06-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Structures and methods for coupling energy from an electromagnetic wave
US7543959B2 (en) * 2005-10-11 2009-06-09 Philips Lumiled Lighting Company, Llc Illumination system with optical concentrator and wavelength converting element
US20070092736A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US20070092737A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US7401948B2 (en) * 2005-10-17 2008-07-22 Visteon Global Technologies, Inc. Near field lens having reduced size
US20070092636A1 (en) * 2005-10-24 2007-04-26 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device having a molded encapsulant
US7595515B2 (en) 2005-10-24 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device having a molded encapsulant
US7344952B2 (en) * 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
US7489453B2 (en) * 2005-11-15 2009-02-10 Visteon Global Technologies, Inc. Side emitting near field lens
US7438454B2 (en) * 2005-11-29 2008-10-21 Visteon Global Technologies, Inc. Light assembly for automotive lighting applications
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
US7798678B2 (en) 2005-12-30 2010-09-21 3M Innovative Properties Company LED with compound encapsulant lens
US7717343B2 (en) * 2006-01-12 2010-05-18 Hand Held Products, Inc. High-efficiency illumination in data collection devices
CN101473453B (zh) 2006-01-20 2014-08-27 科锐公司 通过在空间上隔开荧光片转换固态光发射器内的光谱内容
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US7282776B2 (en) 2006-02-09 2007-10-16 Virgin Islands Microsystems, Inc. Method and structure for coupling two microcircuits
US7443358B2 (en) * 2006-02-28 2008-10-28 Virgin Island Microsystems, Inc. Integrated filter in antenna-based detector
US20070200071A1 (en) * 2006-02-28 2007-08-30 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling output from a micro resonator to a plasmon transmission line
US20080037127A1 (en) * 2006-03-31 2008-02-14 3M Innovative Properties Company Wide angle mirror system
US7876793B2 (en) 2006-04-26 2011-01-25 Virgin Islands Microsystems, Inc. Micro free electron laser (FEL)
US7646991B2 (en) 2006-04-26 2010-01-12 Virgin Island Microsystems, Inc. Selectable frequency EMR emitter
US7525126B2 (en) 2006-05-02 2009-04-28 3M Innovative Properties Company LED package with converging optical element
US7953293B2 (en) * 2006-05-02 2011-05-31 Ati Technologies Ulc Field sequence detector, method and video device
US20070257271A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with encapsulated converging optical element
US7390117B2 (en) * 2006-05-02 2008-06-24 3M Innovative Properties Company LED package with compound converging optical element
US20070257270A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with wedge-shaped optical element
US7728702B2 (en) 2006-05-05 2010-06-01 Virgin Islands Microsystems, Inc. Shielding of integrated circuit package with high-permeability magnetic material
US7656094B2 (en) 2006-05-05 2010-02-02 Virgin Islands Microsystems, Inc. Electron accelerator for ultra-small resonant structures
US7986113B2 (en) 2006-05-05 2011-07-26 Virgin Islands Microsystems, Inc. Selectable frequency light emitter
US7342441B2 (en) * 2006-05-05 2008-03-11 Virgin Islands Microsystems, Inc. Heterodyne receiver array using resonant structures
US7732786B2 (en) 2006-05-05 2010-06-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling energy in a plasmon wave to an electron beam
US7710040B2 (en) 2006-05-05 2010-05-04 Virgin Islands Microsystems, Inc. Single layer construction for ultra small devices
US7728397B2 (en) 2006-05-05 2010-06-01 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupled nano-resonating energy emitting structures
US7746532B2 (en) 2006-05-05 2010-06-29 Virgin Island Microsystems, Inc. Electro-optical switching system and method
US7443577B2 (en) * 2006-05-05 2008-10-28 Virgin Islands Microsystems, Inc. Reflecting filtering cover
US8188431B2 (en) 2006-05-05 2012-05-29 Jonathan Gorrell Integration of vacuum microelectronic device with integrated circuit
US7741934B2 (en) 2006-05-05 2010-06-22 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling a signal through a window
US7436177B2 (en) * 2006-05-05 2008-10-14 Virgin Islands Microsystems, Inc. SEM test apparatus
US7718977B2 (en) 2006-05-05 2010-05-18 Virgin Island Microsystems, Inc. Stray charged particle removal device
US20070258492A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Light-emitting resonant structure driving raman laser
US7723698B2 (en) 2006-05-05 2010-05-25 Virgin Islands Microsystems, Inc. Top metal layer shield for ultra-small resonant structures
US7359589B2 (en) * 2006-05-05 2008-04-15 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling electromagnetic wave through microcircuit
US20070269586A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
US7679067B2 (en) 2006-05-26 2010-03-16 Virgin Island Microsystems, Inc. Receiver array using shared electron beam
US7863634B2 (en) * 2006-06-12 2011-01-04 3M Innovative Properties Company LED device with re-emitting semiconductor construction and reflector
CN101467270B (zh) * 2006-06-14 2013-03-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光装置
US7661840B1 (en) 2006-06-21 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Lighting device with illuminated front panel
US20070299162A1 (en) * 2006-06-27 2007-12-27 Gelcore Llc Optoelectronic device
US7655934B2 (en) * 2006-06-28 2010-02-02 Virgin Island Microsystems, Inc. Data on light bulb
WO2008011377A2 (en) * 2006-07-17 2008-01-24 3M Innovative Properties Company Led package with converging extractor
JP5330993B2 (ja) 2006-07-31 2013-10-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光学投影サブシステム
WO2008016895A2 (en) 2006-07-31 2008-02-07 3M Innovative Properties Company Integrating light source module
US8092735B2 (en) * 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
US20080054793A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Everlight Electronics Co., Ltd. White light-emitting apparatus
US7450794B2 (en) * 2006-09-19 2008-11-11 Virgin Islands Microsystems, Inc. Microcircuit using electromagnetic wave routing
TW200815787A (en) * 2006-09-20 2008-04-01 Ind Tech Res Inst Polarization light source
US7713442B2 (en) 2006-10-03 2010-05-11 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
JP5351034B2 (ja) * 2006-10-12 2013-11-27 クリー インコーポレイテッド 照明装置、および、その製造方法
WO2008067441A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
JP2010514151A (ja) * 2006-12-15 2010-04-30 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 二色性の表面を備えた照明系
US7659513B2 (en) 2006-12-20 2010-02-09 Virgin Islands Microsystems, Inc. Low terahertz source and detector
US20080169746A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode
US8109656B1 (en) 2007-01-12 2012-02-07 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with modified inner cavity
US7686478B1 (en) 2007-01-12 2010-03-30 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with color-converting insert
DE102007010244A1 (de) 2007-02-02 2008-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung und Verfahren zur Erzeugung von Mischlicht
US9944031B2 (en) * 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
US7972030B2 (en) 2007-03-05 2011-07-05 Intematix Corporation Light emitting diode (LED) based lighting systems
JP4976895B2 (ja) * 2007-03-26 2012-07-18 パナソニック株式会社 発光装置
US7554742B2 (en) * 2007-04-17 2009-06-30 Visteon Global Technologies, Inc. Lens assembly
US7990336B2 (en) 2007-06-19 2011-08-02 Virgin Islands Microsystems, Inc. Microwave coupled excitation of solid state resonant arrays
WO2009003176A1 (en) * 2007-06-27 2008-12-31 The Regents Of The University Of California Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes
US8791631B2 (en) 2007-07-19 2014-07-29 Quarkstar Llc Light emitting device
US7663315B1 (en) 2007-07-24 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Spherical bulb for light-emitting diode with spherical inner cavity
DE102007039291A1 (de) * 2007-08-20 2009-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen
US7810956B2 (en) * 2007-08-23 2010-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including reflective wavelength-converting layer
US8704265B2 (en) * 2007-08-27 2014-04-22 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and lighting apparatus using the same
WO2009037645A2 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Led package
DE102007049799A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US7791053B2 (en) 2007-10-10 2010-09-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Depressed anode with plasmon-enabled devices such as ultra-small resonant structures
WO2009064472A1 (en) * 2007-11-14 2009-05-22 Light Prescriptions Innovators, Llc Neon-tube substitute using light-emitting diodes
DE102007055003A1 (de) * 2007-11-14 2009-05-20 Carl Zeiss Surgical Gmbh Medizinische Beleuchtungseinheit
DE102007056562A1 (de) * 2007-11-23 2009-05-28 Oerlikon Textile Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur optischen Detektion von Verunreinigungen in längsbewegtem Garn
US20090159915A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Shaul Branchevsky Led insert module and multi-layer lens
CN101463975A (zh) * 2007-12-19 2009-06-24 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 固态光源装置
US20090218582A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-03 Kang Wei-Hung Optical device and method of fabricating the same
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
US20100033077A1 (en) * 2008-08-08 2010-02-11 Glory Science Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
KR100982990B1 (ko) * 2008-09-03 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 파장변환플레이트 및 이를 이용한 발광장치
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
TWI481069B (zh) * 2008-11-27 2015-04-11 Lextar Electronics Corp 光學薄膜
CA2749897A1 (en) * 2009-01-21 2010-07-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source comprising a light recycling device and corresponding light recycling device
TW201034258A (en) * 2009-03-11 2010-09-16 Forward Electronics Co Ltd LED packaging structure
CN101894901B (zh) 2009-04-08 2013-11-20 硅谷光擎 用于多个发光二极管的封装
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US8891038B2 (en) 2009-04-15 2014-11-18 3M Innovative Properties Company Lightguide with optical film containing voids and blacklight for display system
CN102458819B (zh) 2009-04-15 2014-09-03 3M创新有限公司 回射光学构造
TWI605276B (zh) 2009-04-15 2017-11-11 3M新設資產公司 光學結構及包含該光學結構之顯示系統
US9291752B2 (en) 2013-08-19 2016-03-22 3M Innovative Properties Company Retroreflecting optical construction
CN102460125B (zh) 2009-04-15 2015-11-25 3M创新有限公司 防止光学耦合的光学膜
US8337030B2 (en) 2009-05-13 2012-12-25 Cree, Inc. Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods
US8350223B2 (en) 2009-07-31 2013-01-08 Raytheon Company Quantum dot based radiation source and radiometric calibrator using the same
WO2011033394A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitter with predefined angular color point distribution
EP2480816A1 (en) 2009-09-25 2012-08-01 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
KR101769171B1 (ko) 2009-10-24 2017-08-17 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 광원 및 이를 포함하는 디스플레이 시스템
US8950924B2 (en) 2009-12-08 2015-02-10 3M Innovative Properties Company Optical constructions incorporating a light guide and low refractive index films
KR101181000B1 (ko) 2009-12-29 2012-09-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR20110080318A (ko) * 2010-01-05 2011-07-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
GB2477569A (en) 2010-02-09 2011-08-10 Sharp Kk Lamp having a phosphor.
US8646949B2 (en) * 2010-03-03 2014-02-11 LumenFlow Corp. Constrained folded path resonant white light scintillator
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US9080729B2 (en) 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
EP2558290B1 (en) 2010-04-15 2019-01-23 3M Innovative Properties Company Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas
MX341955B (es) 2010-04-15 2016-09-08 3M Innovative Properties Co Articulos retrorreflectantes que incluyen areas opticamente activas y areas opticamente inactivas.
EP2558288B1 (en) 2010-04-15 2019-01-02 3M Innovative Properties Company Retroreflective articles including optically active areas and optically inactive areas
US8450756B2 (en) * 2010-06-14 2013-05-28 Micron Technology, Inc. Multi-dimensional LED array system and associated methods and structures
KR20110136676A (ko) * 2010-06-14 2011-12-21 삼성엘이디 주식회사 양자점을 이용한 발광소자 패키지, 조광 장치 및 디스플레이 장치
JP5459092B2 (ja) * 2010-06-17 2014-04-02 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
WO2012006123A2 (en) * 2010-06-28 2012-01-12 Axlen Technologies, Inc. Optical beam shaping and polarization selection on led with wavelength conversion
SG10201506464VA (en) * 2010-07-19 2015-10-29 Huizhou Light Engine Ltd Phosphor coating films and lighting apparatuses using the same
TWI557875B (zh) * 2010-07-19 2016-11-11 晶元光電股份有限公司 多維度發光裝置
US8501509B2 (en) 2010-08-25 2013-08-06 Micron Technology, Inc. Multi-dimensional solid state lighting device array system and associated methods and structures
EP2630527A1 (en) 2010-10-20 2013-08-28 3M Innovative Properties Company Wide band semi-specular mirror film incorporating nanovoided polymeric layer
WO2012052063A1 (de) * 2010-10-22 2012-04-26 Osram Ag Led-lichtquelle und zugehörige baueinheit
TWI421620B (zh) * 2010-11-03 2014-01-01 Delta Electronics Inc 光源調整裝置及包含該光源調整裝置之投影系統
US9648673B2 (en) 2010-11-05 2017-05-09 Cree, Inc. Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters
JP5695887B2 (ja) * 2010-11-18 2015-04-08 スタンレー電気株式会社 光源装置および照明装置
KR101710212B1 (ko) * 2010-12-28 2017-02-24 엘지전자 주식회사 광소자 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지, 백라이트 장치
WO2012091971A1 (en) * 2010-12-29 2012-07-05 3M Innovative Properties Company Remote phosphor led constructions
DE102011004574B4 (de) * 2011-02-23 2012-10-31 Osram Ag Leuchtvorrichtung
EP2684224B1 (en) * 2011-03-07 2019-05-08 Lumileds Holding B.V. A light emitting module, a lamp, a luminaire and a display device
JP5951190B2 (ja) 2011-04-22 2016-07-13 富士フイルム株式会社 円偏光照明装置及び植物の成長制御方法
JP2012243701A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Stanley Electric Co Ltd 光源装置および照明装置
US8421037B2 (en) * 2011-06-10 2013-04-16 Rockwell Automation Technologies, Inc. System and method for reduction of optical noise
US9599292B2 (en) 2011-09-20 2017-03-21 Koninklijke Philips N.V. Light emitting module, a lamp, a luminaire and a display device
IN2014CN02633A (zh) * 2011-10-14 2015-06-26 3M Innovative Properties Co
CN106931333B (zh) 2011-11-23 2020-11-27 夸克星有限责任公司 发光装置
JP5885499B2 (ja) * 2011-12-27 2016-03-15 株式会社ディスコ バイト切削方法
RU2502917C2 (ru) * 2011-12-30 2013-12-27 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с комбинированным удаленным фотолюминесцентным конвертером
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
JP2013207049A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Nec Corp 波長変換体を用いた発光装置
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
JP2015516691A (ja) * 2012-05-14 2015-06-11 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ ナノ構造蛍光体を有する発光装置
KR20150022918A (ko) * 2012-06-01 2015-03-04 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 원격 인광체 led와 직접 방출 led의 조합을 사용한 하이브리드 전구
CN104756264B (zh) 2012-09-13 2019-06-18 夸克星有限责任公司 具有远程散射元件和全内反射提取器元件的发光设备
US9915410B2 (en) 2012-09-13 2018-03-13 Quarkstar Llc Light-emitting devices with reflective elements
DE102012111123A1 (de) 2012-09-26 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauelement
JP6535598B2 (ja) * 2012-11-07 2019-06-26 ルミレッズ ホールディング ベーフェー フィルタ及び保護層を含む発光デバイス
JP2014096419A (ja) * 2012-11-07 2014-05-22 Stanley Electric Co Ltd 光電子デバイス
AU2014219024B2 (en) * 2013-02-20 2018-04-05 KALA BIO, Inc. Therapeutic compounds and uses thereof
US9752757B2 (en) 2013-03-07 2017-09-05 Quarkstar Llc Light-emitting device with light guide for two way illumination
US9683710B2 (en) 2013-03-07 2017-06-20 Quarkstar Llc Illumination device with multi-color light-emitting elements
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
WO2014144706A2 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Quarkstar Llc Color tuning of light-emitting devices
KR101466477B1 (ko) * 2013-04-04 2014-12-02 한국광기술원 발광 디바이스 제조방법
JP6217210B2 (ja) * 2013-07-23 2017-10-25 セイコーエプソン株式会社 光源装置、およびプロジェクター
JP6354288B2 (ja) * 2013-12-20 2018-07-11 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクター
WO2015062894A1 (en) * 2013-10-29 2015-05-07 Koninklijke Philips N.V. Phosphor based lighting devices and method of generating a light output
WO2015074934A1 (en) * 2013-11-25 2015-05-28 Koninklijke Philips N.V. Lighting arrangement with improved illumination uniformity
US9335023B2 (en) * 2013-12-11 2016-05-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Quantum dot lens and manufacturing method thereof
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US9696424B2 (en) 2014-05-19 2017-07-04 Rockwell Automation Technologies, Inc. Optical area monitoring with spot matrix illumination
US11243294B2 (en) 2014-05-19 2022-02-08 Rockwell Automation Technologies, Inc. Waveform reconstruction in a time-of-flight sensor
US9921300B2 (en) 2014-05-19 2018-03-20 Rockwell Automation Technologies, Inc. Waveform reconstruction in a time-of-flight sensor
US9256944B2 (en) 2014-05-19 2016-02-09 Rockwell Automation Technologies, Inc. Integration of optical area monitoring with industrial machine control
TWI641285B (zh) 2014-07-14 2018-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光模組與發光單元的製作方法
US9625108B2 (en) * 2014-10-08 2017-04-18 Rockwell Automation Technologies, Inc. Auxiliary light source associated with an industrial application
DE102014116737A1 (de) 2014-11-17 2016-05-19 Karl Storz Gmbh & Co. Kg Lichtquelleneinrichtung für endoskopische oder exoskopische Anwendungen
US9642206B2 (en) 2014-11-26 2017-05-02 Ledengin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
EP3273850B1 (en) * 2015-03-23 2021-11-24 Koninklijke Philips N.V. Optical vital signs sensor
DE102015106635A1 (de) 2015-04-29 2016-11-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung
JP6092446B1 (ja) * 2015-10-23 2017-03-08 デクセリアルズ株式会社 部分駆動型光源装置及びそれを用いた画像表示装置
TWI624085B (zh) * 2016-03-30 2018-05-11 開發晶照明(廈門)有限公司 Led封裝結構和led發光裝置
JP6382906B2 (ja) * 2016-10-17 2018-08-29 ファナック株式会社 ロボット及びロボットにおける表示灯の設置方法
DE102017108573A1 (de) * 2017-04-21 2018-10-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP7048873B2 (ja) 2017-07-25 2022-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US20190064595A1 (en) * 2017-08-28 2019-02-28 Radiant Choice Limited Display system
KR101977261B1 (ko) * 2017-11-03 2019-05-13 엘지전자 주식회사 형광체 모듈
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
US11342311B2 (en) * 2019-03-18 2022-05-24 Intematix Corporation LED-filaments and LED-filament lamps utilizing manganese-activated fluoride red photoluminescence material
JP7293003B2 (ja) * 2019-06-27 2023-06-19 コイト電工株式会社 照明装置
WO2021166785A1 (ja) * 2020-02-19 2021-08-26 ソニーグループ株式会社 発光素子、発光素子アレイ及び表示装置
US11965650B2 (en) * 2020-03-31 2024-04-23 Kyocera Corporation Photoconversion device and illumination system
KR20230092924A (ko) * 2020-10-20 2023-06-26 캠텍 리미티드 레이저 조명된 형광체에 기반한 암시야 조명
KR20230034562A (ko) * 2021-09-03 2023-03-10 현대자동차주식회사 색변환 물질을 활용한 히든 라이팅 램프 및 차량
WO2024091679A1 (en) * 2022-10-29 2024-05-02 Meta Platforms Technologies, Llc Light-emitting array with reflective polarizer for photon recycling

Family Cites Families (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4843575A (en) * 1982-10-21 1989-06-27 Crane Harold E Interactive dynamic real-time management system
AU3224293A (en) 1992-02-25 1993-09-13 Dow Chemical Company, The All-polymeric ultraviolet reflecting film
US5339198A (en) * 1992-10-16 1994-08-16 The Dow Chemical Company All-polymeric cold mirror
KR950704701A (ko) * 1992-10-29 1995-11-20 스티븐 에스. 그레이스 성형가능한 반사 다층제(Formable reflective multilayer body)
DE69321068T2 (de) 1992-11-04 1999-03-25 Nat Starch Chem Invest Emulsionsbindemittel mit niedrigem Restformaldehyd und mit verbesserter Reissfestigkeit
US5882774A (en) 1993-12-21 1999-03-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Optical film
US6101032A (en) * 1994-04-06 2000-08-08 3M Innovative Properties Company Light fixture having a multilayer polymeric film
US5877895A (en) 1995-03-20 1999-03-02 Catalina Coatings, Inc. Multicolor interference coating
US5598053A (en) * 1995-03-20 1997-01-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army LCD-CRT hybrid image tube
CN1119674C (zh) 1995-06-26 2003-08-27 美国3M公司 透明的多层装置及包含该装置的制品
BR9609314A (pt) * 1995-06-26 1999-07-06 Minnesota Mining & Mfg Película de multicamadas
US5785404A (en) * 1995-06-29 1998-07-28 Siemens Microelectronics, Inc. Localized illumination device
WO1997007653A1 (en) 1995-08-11 1997-02-27 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electroluminescent lamp using multilayer optical film
DE19534163A1 (de) 1995-09-15 1997-03-20 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von kompakten oder zelligen Polyurethan-Elastomeren und hierfür geeignete Isocyanatpräpolymere
GB2311166A (en) * 1996-03-13 1997-09-17 Sharp Kk An optoelectronic semiconductor device
WO1997048138A2 (en) 1996-06-11 1997-12-18 Philips Electronics N.V. Visible light emitting devices including uv-light emitting diode and uv-excitable, visible light emitting phosphor, and method of producing such devices
US6608332B2 (en) * 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
US5813752A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
JP3744195B2 (ja) * 1997-07-28 2006-02-08 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、電子機器及び時計
US6340824B1 (en) 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
US5982092A (en) * 1997-10-06 1999-11-09 Chen; Hsing Light Emitting Diode planar light source with blue light or ultraviolet ray-emitting luminescent crystal with optional UV filter
US6486997B1 (en) * 1997-10-28 2002-11-26 3M Innovative Properties Company Reflective LCD projection system using wide-angle Cartesian polarizing beam splitter
US6808658B2 (en) * 1998-01-13 2004-10-26 3M Innovative Properties Company Method for making texture multilayer optical films
EP2147771B1 (en) 1998-01-13 2018-07-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for making multilayer optical films
US6531230B1 (en) * 1998-01-13 2003-03-11 3M Innovative Properties Company Color shifting film
US6788463B2 (en) 1998-01-13 2004-09-07 3M Innovative Properties Company Post-formable multilayer optical films and methods of forming
JPH11274572A (ja) 1998-03-23 1999-10-08 Nec Corp Led表示素子および表示装置
US6501091B1 (en) 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6186649B1 (en) * 1998-04-16 2001-02-13 Honeywell International Inc. Linear illumination sources and systems
JP4172843B2 (ja) 1998-05-18 2008-10-29 スリーエム カンパニー 反射フィルム及び発光装置
JP3585097B2 (ja) 1998-06-04 2004-11-04 セイコーエプソン株式会社 光源装置,光学装置および液晶表示装置
JP2907286B1 (ja) 1998-06-26 1999-06-21 サンケン電気株式会社 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6366018B1 (en) 1998-10-21 2002-04-02 Sarnoff Corporation Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6404125B1 (en) * 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6373188B1 (en) * 1998-12-22 2002-04-16 Honeywell International Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output
US6172810B1 (en) 1999-02-26 2001-01-09 3M Innovative Properties Company Retroreflective articles having polymer multilayer reflective coatings
US6155699A (en) 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
US6515785B1 (en) * 1999-04-22 2003-02-04 3M Innovative Properties Company Optical devices using reflecting polarizing materials
JP3458823B2 (ja) 1999-05-11 2003-10-20 日亜化学工業株式会社 面発光装置
EP1119058A4 (en) 1999-07-29 2006-08-23 Citizen Electronics LIGHT-EMITTING DIODE
US6504301B1 (en) 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
DE19951656A1 (de) 1999-10-27 2000-08-31 Bayerische Motoren Werke Ag Leuchtdiode und Verfahren zu deren Herstellung
GB2356713A (en) 1999-11-26 2001-05-30 Seiko Epson Corp Distributed Bragg reflector
US6717348B2 (en) * 1999-12-09 2004-04-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Display apparatus
JP2001349900A (ja) * 1999-12-28 2001-12-21 Fujitsu Ltd 加速度センサ及び加速度センサ装置
US6590707B1 (en) 2000-03-31 2003-07-08 3M Innovative Properties Company Birefringent reflectors using isotropic materials and form birefringence
US6653765B1 (en) * 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
US6543911B1 (en) * 2000-05-08 2003-04-08 Farlight Llc Highly efficient luminaire having optical transformer providing precalculated angular intensity distribution and method therefore
JP2002043633A (ja) * 2000-07-25 2002-02-08 Stanley Electric Co Ltd 白色発光ダイオ−ド
US6464366B1 (en) * 2000-08-03 2002-10-15 Bright View Electronics Co., Ltd Illumination device providing longitudinal illumination
JP2002076434A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2004513483A (ja) 2000-11-02 2004-04-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 明るさおよびコントラスト増強直視型発光型ディスプレイ
US20020054406A1 (en) 2000-11-03 2002-05-09 Gary Duerksen Bidirectional WDM optical communication network with optical bridge between bidirectional optical waveguides
US20020063520A1 (en) * 2000-11-29 2002-05-30 Huei-Che Yu Pre-formed fluorescent plate - LED device
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ledとその製造方法
US20020084748A1 (en) * 2000-12-28 2002-07-04 Ayala Raul E. UV Reflecting materials for LED lamps using UV-emitting diodes
US20020084749A1 (en) 2000-12-28 2002-07-04 Ayala Raul E. UV reflecting materials for LED lamps using UV-emitting diodes
US20020084745A1 (en) 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder
US6930737B2 (en) * 2001-01-16 2005-08-16 Visteon Global Technologies, Inc. LED backlighting system
US6801841B2 (en) * 2001-02-15 2004-10-05 Joseph A. Tabe Standard transportation excellent maintenance solutions
US6534158B2 (en) * 2001-02-16 2003-03-18 3M Innovative Properties Company Color shifting film with patterned fluorescent and non-fluorescent colorants
US6506480B2 (en) * 2001-02-16 2003-01-14 3M Innovative Properties Company Color shifting film with a plurality of fluorescent colorants
JP2002261333A (ja) 2001-03-05 2002-09-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
GB2373368B (en) 2001-03-12 2004-10-27 Arima Optoelectronics Corp Light emitting devices
US6686676B2 (en) * 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
US6521329B2 (en) * 2001-06-18 2003-02-18 Eastman Kodak Company Radiographic phosphor panel having reflective polymeric supports
JP2003007114A (ja) * 2001-06-26 2003-01-10 Sharp Corp フロントライトおよびそれを用いた反射型表示装置
JP2003017751A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
US6737681B2 (en) * 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
GB0123815D0 (en) 2001-10-03 2001-11-21 3M Innovative Properties Co Light-guide lights providing a substantially monochromatic beam
US6652996B2 (en) * 2002-01-31 2003-11-25 Eastman Kodak Company Radiographic phosphor panel having improved speed and sharpness
US6991695B2 (en) 2002-05-21 2006-01-31 3M Innovative Properties Company Method for subdividing multilayer optical film cleanly and rapidly
JP2004031843A (ja) 2002-06-28 2004-01-29 Kyocera Corp 発光ダイオ−ド
DE60330023D1 (de) 2002-08-30 2009-12-24 Lumination Llc Geschichtete led mit verbessertem wirkungsgrad
US6744077B2 (en) 2002-09-27 2004-06-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
TW561636B (en) * 2002-10-11 2003-11-11 Highlink Technology Corp Optoelectronic device
EP1567894A2 (en) 2002-12-02 2005-08-31 3M Innovative Properties Company Illumination system using a plurality of light sources
US7091661B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a reflective polarizer
US20040159900A1 (en) 2003-01-27 2004-08-19 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having front illumination
US7118438B2 (en) 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
US7312560B2 (en) 2003-01-27 2007-12-25 3M Innovative Properties Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making
US7091653B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
US20040145289A1 (en) 2003-01-27 2004-07-29 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar short pass reflector and method of making
US20040145312A1 (en) 2003-01-27 2004-07-29 3M Innovative Properties Company Phosphor based light source having a flexible short pass reflector
US7245072B2 (en) 2003-01-27 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector
JP4232585B2 (ja) * 2003-09-17 2009-03-04 豊田合成株式会社 発光装置
JP5216028B2 (ja) 2010-01-18 2013-06-19 住友ゴム工業株式会社 インナーライナー用ゴム組成物及び空気入りタイヤ

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