TW200412600A - Photosensitive conduction paste and conductor pattern formed by using the same - Google Patents
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Description
200412600 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關感光性導電糊料及使用其形成之導電體 圖型,特別是,有關適於作爲由焙燒照像平版技術所形成 圖型塗膜之導電體材料之感光性糊料。 【先前技術】 向來,相關於電漿顯示面板(PDP )或CCD感應器, 影像感應器等的零件,無鹼玻璃或其他各種玻璃基板上之 電極係由蒸鍍法所形成。 但是,此蒸鍍法爲收容於真空容器內之電極形成材料 以金的黑鑛0吴形成’不僅裝置大金額局,還有材料的進出 麻煩,抽真空費時等作業性差的缺點。 對此作爲其他方法之於基板上形成導電體之圖型層, 係混合金屬粉末之非感光性有機粘劑糊料材料,例如乾燥 型或熱硬化型之導電糊料,以網版印刷等的印刷技術於基 板上圖型化之方法。 但,使用之相關印刷技術之圖型化方法,以低成本且 作業良好之安定工業化形成具1 0 0 // m以下線幅之導電II 圖型有困難。 因此最近有提案’利用使用感光性導電糊料之照相平 版技術之導電體圖型形成法(參閱日本特開平1〇_269 848 號公報)。 一方面’由於於玻璃基板形成電極時,必要性爲在玻 -4 - (2) 200412600 (800 〜900 璃不變形的6 2 0 °C以下焙燒,與使用以更高逾 °C )焙燒形成之陶瓷基板導電體比較,其導雙性有偏低的 問題。 【發明內容】 (發明所欲解決之課題) 所以’本發明係祈使解決向來技術擔負的上地課曰頁。 其主要目的係提供同時具優高精密圖型的形战性及於 °c以下溫度之焙燒性之感光性導電糊料。 又’本發明的其他目的爲提供以62(TC^T溫度培燒 亦具優導電性之導電體圖型。 (課題解決手段) 本發明者爲實現上述目的經深入硏究結果,發現作爲 用於感光性導電糊料之導電粉末,以使用低結晶度之銀粉 末之感先性導電糊料’不必經複雑的步驟,可容易得到同 時具優導電性與高精密圖型形成性的導電體圖型,而完成 本發明。 即’本發明之感光性導電糊料,係含(A )低結晶度 的銀粉末、(B)有機粘劑、(C)光聚合性單體、(D)光聚 合引發劑之糊料,上述低結晶度的銀粉末(A )爲X光線 解析圖型之 A g ( 11 1 )面脊峰之所示半寬度値爲〇 . 1 5。以 上者爲其特徵。 又,本發明之導電體圖型,係使用如上述之感光性導 (3) (3)200412600 電糊料所形成之焙燒物圖型爲其特徵。 又,此導電體圖型,係於基材上塗覆本發明之感光14 導電糊料,經乾燥形成乾燥塗膜,其次曝光、顯影後’得 到感光性糊料之乾燥塗膜圖型,理想爲以4 8 0〜6 2 〇 °C理 想的溫度焙燒將粘劑脫除有機分。 (發明之實施型態) 爲能於620 °C以下焙燒溫度得到優導電性,導電粉末 必要特別選擇。一般,於空氣環繞下焙燒時,可不受氧化 的影響進行焙燒。使用貴金屬之中比較價廉的銀粉末。 又,爲能於62(TC以下焙燒溫度得到導電性,導電粉 的焙燒性必要提昇,其手段係使用極小粒子徑的導電粉末 的方法或平片狀的導電粉末的方法。確實依該方法,可於 62 0 °C以下的焙燒溫度得到優導電性。但是該方法爲感光 性糊料時,反而,光的穿透性變差,難於形成高精密之導 電圖型。 因而本發明者爲不妨礙圖型形成時光的穿透性,焙燒 後得到優導電性的手段,著眼於銀粉末之結晶度,實施深 入的硏究。其結果,發現低結晶度銀粉末,即由使用X 線解析圖型所示之 Ag( 111)面脊峰之半寬度値爲〇.15。 以上粉末,銀粉末之粒子徑無需微細化即可提昇焙燒性。 如果依本發明的感光性導電糊料,可於6 2 0 °C以下低 溫充分焙燒,提供具有優導電性之高精密導電體圖型。 以下說明有關本發明之感光性導電糊料。 -6- (4) (4)200412600 構成本發明感光性導電糊料之低結晶度銀粉末(A ) 係爲賦與糊料導電性者,使用X線解析圖型所示之 A g ( 1 1 1 )面脊峰之半寬度値爲0 . 1 5。以上粉末,理想之示値爲 〇 . 1 9 °者。此半寬度値低於〇 . i 5。之銀粉末,銀粉末之結晶 度高,粒子間由於容易引起燒結,6 2 0 °C以下的焙燒溫度 其電阻不降低故不理想。又,該半寬度値以1 . 0。以下者爲 理想。半寬度値超過1 .0。時銀粉的結晶度低,由於粒子間 不會進行結合,線條會有產生波汶或扭曲之不規則不理想 · 〇 此銀粉末(A),一般係使用原子法或化學還元法等的 方法製造。原子法係溶融之銀以氣體、水等之流體噴霧得 到銀粉末的方法,容易得到球形的粒子,量產性優。化學 還元法係使用水溶性銀鹽與還元劑化學反應得到銀粉末的 方法,具體的如使用硝酸銀爲水溶性銀鹽,還元劑使用荷 性鹼或銨鹽、肼等的鹼性基析出金屬銀,其次得到之銀淤 漿水洗、乾燥得到銀粉末的方法。 φ 上述銀粉末(A )可使用球狀、平片狀、松林石狀等 種種形狀,考慮光特性或分散性以使用球狀爲理想。 又,此使用之銀粉末(A)以1 0,000倍電子顯微鏡( SEM )觀察時,1 0個隨機銀粉末之平均粒徑以〇· 1〜5 // m ,理想爲0.4〜2.0 // m大小者爲理想。此平均粒徑低於 0 · 1 M m時,光的穿透性變差難以描繪高精密的圖型,一 方面,平均粒徑超過5 // m時,難以得到直線性的線邊沿 故不理想。又,使用以微軌道法測定之平均粒徑爲〇. 5〜 -7- (5) (5)200412600 3 . 5 v m大小者爲理想。 又,此使用之銀粉末(A )之比面積爲0 · 0 1〜2.0 m 2 / g,理想爲0.0 1〜1 · 〇 m2 / g者爲理想,此比面積低於 0.0 1 m2 / g時,保存時容易產生沈積,一方面比面積大 於2.0 m2 / g時,吸油量變大,有損糊料之流動性不理 想。 此銀粉末(A )之配合量,相對於1 〇 〇質量份感光性 導電糊料,以5 0〜9 0質量份爲適當。導電性粉末之配合 量低於上述範圍時,由該糊料所得之導電體圖型不能得到 充分的導電性’一方面’超過上述範圍時,與基材的密合 性變差不理想。 其次’成本發明之感光性導電糊料之有機粘劑(B ) ,係賦與焙燒前各成分之結合材料,或組成物之光硬化性 或顯影性之機能者。 此有機粘劑(B )可使用具羧基之樹脂,具體的如其 本身含有具有乙烯性不飽和雙鍵之羧基感光性樹脂及含有 不具乙烯性不飽和雙鍵羧基之樹脂之任一者。可適切使用 的樹脂(低聚物及聚合物之任一者均可)可列舉如以下所 示者。 (1 )由(a )不飽和羧酸與(b )具有不飽和雙鍵之化 合物共聚合所得之含羧基樹脂 (2)由(a)不飽和羧酸與(b)具有不飽和雙鍵之化 合物共聚合物以乙烯性不飽和基側枝加成而得之含羧基樹 脂 -8- (6) (6)200412600 (3 ) ( c )環氧基與具有不飽和雙鍵之化合物與(b ) 具有不飽和雙鍵化合物之共聚合物,以(a )不飽和羧酸 反應,所生成之羥基以(d )多價酸酐反應所得之含羧基 感光性樹脂 (5) ( e )具有不飽和雙鍵之酸酐與(b )具有不飽和 雙鍵化合物之共聚合物以(g )具有羥基及不飽和雙鍵之 化合物反應所得之含羧基感光性樹脂 (6) ( h )多官能環氧化合物與(h )不飽和單羧酸反 應,所生成之2級羥基以(i )多價酸酐反應之含羧基感 光性樹脂 (7) ( b )具有不飽和雙鍵之化合物與環氧丙基(甲基 )丙烯酸酯之共聚物之環氧基,以(j ) 1分子中具有羧基 ,不持有乙烯性不飽和鍵之有機酸反應,所生成之2級羥 基以d d )多價酸酐反應所得之含羧基樹脂 (8 ) ( k )含羧基聚合物以(d )多價酸酐反應所得之 含羧基樹脂 (9 ) ( k )含羧基聚合物以(d )多價酸酐反應所得之 含羧基樹脂以(c )環氧基與具有不飽和雙鍵之化合物反 應所得之含羧基感光性樹脂 此等之含羧基感光性樹脂與含羧基樹脂,可單獨或混 合使用,任一情形其合計量爲組成物全體之5〜5 〇質量°/〇 之比例配合爲理想。此等樹脂之配合量低於上述範圍時, 形成之塗膜中上述之樹脂分佈容易不均勻’難以得到充分 的光硬化性及光硬化度,依選擇之曝光、顯影圖型化有困 -9 - (7) (7)200412600 難。一方面,超過上述範圍時,焙燒時之圖型容易產生扭 曲或線幅收縮,不理想。 又,上述含羧基感光性樹脂及含羧基樹脂’其重量平 均分子量爲1,〇〇〇〜100,000。理想爲5,000〜70,000,及 酸價爲30〜250 mg KOH / g,且,使用含羧基感光性樹 脂時,其雙鍵當量爲3 5 0〜2,000,理想爲400〜1,5 00者 爲適宜。 上述樹脂之分子量低於1,〇〇〇時,顯影時之皮膜之 密合性有不良影響,一方面,超過1 00,000時,容易產生 顯影不良,不理想。又,酸價低於3 0 m g Κ Ο H / g時,對 鹼性水溶液之溶解性不充分,容易產生顯影不良,一方面 ,超過2 5 0 mg KOH / g時皮膜之密合性惡化或光硬化部 (曝光部)產生溶解,不理想。更且,含羧基感光性樹脂 時,感光性樹脂之雙鍵當量低於3 5 0時,焙燒時容易殘 留殘渣,一方面,超過2,0 0 〇時,顯影之作業容許度狹小 ’又光硬化時需要高曝光量,不理想。 構成本發明之感光性導電性糊料之光聚合性單體(c) ’係爲賦與促進組成物之光硬化性及提昇顯影性而使用此 光聚合性單體(C )可列舉如2 -殘基乙基丙燒酸醋、2 -羧 基丙基丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙靖 酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、聚氨基甲酸二丙烯酸酯、二 羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇 四丙嫌酸醋、三羥甲基丙烷環氧乙烷變性三丙烯酸酯、三 經甲基丙fet環氧丙院變性三丙燦酸酯、二季戊四醇五丙燦 -10- (8) (8)200412600 酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯及對應上述丙烯酸之各甲基 丙烯酸酯;鄰苯二甲酸、己二酸、馬來酸、甲叉丁二酸、 ί扁苯三酸、對苯二甲酸等的多價酸及羧基烷基(甲基)丙 嫌酸醋及單、二、三或其上之聚酯等,並無特別限定者, 又此等可單獨或二種以上組合使用。此等光聚合性單體中 ’亦以1分子中具有2個以上之丙烯醯基或甲基丙烯醯基 之多官能單體爲理想。 該光聚合性單體之配合量,每1 00質量份上述有機粘 劑以2 0〜1 〇 〇質量份爲適當。光聚合性單體之配合量低 於上述範圍時,組成物難於得到充分的光硬化性,一方面 ’大量超過上述範圍時,表層部之光硬化比皮膜之深部快 ,容易產生硬化差異。 構成本發明之感光性導電性糊料之光聚合引發劑(D ),係爲引發光反應之成分,主要爲吸收紫外線產生自由 基,上述光聚合引發劑(D )之具體例可列舉如偶苯因、 偶苯因甲醚、偶苯因乙醚、偶苯因異丁醚等的偶苯因及偶 苯因烷基醚類;苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、 2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、1,1-二氯苯乙酮等的苯乙酮 類;2-甲基-1-[-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙酮-1、2-苄 基-2-二甲基胺基-1- ( 4_嗎啉代苯基)-丁酮-1等的胺基苯 乙酮類;2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-卜丁基蒽醌、卜氯 蒽醌等的蒽醌類;2,4_二甲硫基咕噸酮、2,4-二乙硫基咕 噸酮、2-氯咕噸酮、異丙硫基咕噸酮、2,4-二乙硫基咕噸 酮等的硫基咕噸酮類;乙苯酮二甲基酮縮醇、;基二甲基 -11 - (9) (9)200412600 酮縮醇等的酮縮醇;二苯甲酮等二苯甲酮類;或咕噸酮類 ;(2,6_二甲氧基偶苯因)_2,4,4-戊基氧化膦,雙(2,4,6_ = 甲基偶苯因)-苯基氧化膦、2,4,6-三甲基偶苯因二苯基氧 化膦、乙基-2,4,6 -三甲基偶苯因苯基氧化膦等氧化膦類; 各種過氧化物類等,並無特別的限定,又,此等可單獨$ 二種以上組合使用。 又’此等光聚合引發劑(D )於糊料中之配合比例, 每100質量份上述有機粘劑(B )以1〜3〇質量份爲適 當’理想爲5〜2 0質量份。低於上述範圍時,糊料難於 得到充分的光硬化性’一方面’大量超過上述範圍時,產 生光穿透障礙,底部難於得到光硬化性。 又’本發明感光性導電糊料,爲提高對玻璃基板的密 合性’焙燒膜的強度爲目的可配合低融點玻璃粉末。 上低融點玻璃粉末,以使用鉛系、鉍系、磷系、鋰系 等玻璃轉移點(Tg)爲300〜500 °C,軟化點(Ts)爲400 〜6 0 0 C之低融點玻璃粉末爲理想。τ g低於3 0 〇 °C、T s低 於40 0 °C時,比脫除粘劑更低的溫度產生溶融容易將有機 粘劑包藏’殘存之有機粘劑容易產生氣泡不理想。一方面 ’ Tg超過50(rC、Ts超過6〇(TC時,620〇c以下的焙燒條 件對基板的密合性不充分,不理想。 又’由解像性的觀點,低融點玻璃粉末,其粒徑以 1 0 A m以下者爲理想,結晶性或非結晶性之任一者均可。 該低融點玻璃粉末於糊料中之配合比例,以i 〇 〇質量 份本發明之銀粉末(A )以1〜3 0質量份爲理想,更理想 -12- (10) (10)200412600 爲2〜1 5質量份。此低融點玻璃粉末之配合比例低於1 質量份時’不能充分得到對基板的密合性,一方面,超過 3 〇質量份時,導電性變低不理想。又,要求深光硬化深 度時’依必要可使用引發可視範圍自由基聚合之ciba
Specialy Chemicals 公司製 IRUGA CURE 7 8 4 等的鈦烴系 光聚合引發劑’白染料等之硬化助劑組合。 依必要’爲確保本發明感光導電糊料之保存安定性, 可配合磷酸、磷酸酯、含羧酸化合物等的酸性化合物,聚 砂氧院系、丙烯基系等的消泡·調整劑,爲調整流動性之 搖溶性賦與劑,爲提高皮膜的密合性之矽烷偶合劑等的其 他添加劑。依必要,爲防止導電性金屬粉的氧化之公知慣 用之ί几氧化劑’爲提高保存時熱安定性之熱聚合抑止劑, 有關燒時與基板結合之金屬氧化物,矽氧化物、硼氧化 物,低融點玻璃等微粒子。 又’爲調整焙燒收縮目的,可添加氧化矽、氧化鉍、 氧化銘、氧化鈦等的無機粉末,有機金屬化合物,金屬有 機酸鹽,金屬烷氧化物等。 又’爲調整色調之目的,可添加1種或2種類以上 Fe、Co、Cn、Cr、Mn、A1、Ru、Ni爲主成分之含金屬氧 化物或複合金屬氧化物所成的黑色顏料,四氧化三鈷( Co 3 〇4 ),氧化釕、鑭複合氧化物等的黑色材料。 本發明感光性導電糊料,係如上述之必要成分以所定 比例之任意成分配合,以三輥輪或混合器等混練機均勻分 散而得。 -13- (11) (11)200412600 如此所得之本發明感光導電糊料,經如以下之步驟於 基板上形成導電體圖型。 (1 )首先,本發明感光性導電糊料,係由網版印刷法 、棒塗覆器等適宜的塗覆方法,塗覆於基材,例如電獎顯 示面板(PDP )面基板等的玻璃基板,其次爲得到指觸乾 燥性,以熱風循環式乾燥爐或紅外線乾燥爐等,於60〜 1 2 0 °C乾燥4〜5 0分鐘,蒸發溶劑,得到不沾手塗膜。 此處之基材,非特別限定者,例如可使用玻璃基板、 陶瓷基板等耐熱性基板。 又,糊料可預先成膜爲薄膜狀,此時將薄膜層合於基 板即可。 (2 )其次,基材上形成之乾燥塗膜以圖型曝光後顯影 〇 曝光步驟,係使用具曝光圖型之負片,以接觸曝光或 非接觸曝光均可。曝光用光源,使用鹵素燈、高壓水銀燈 、雷射光、金屬高熾燈、黑光燈、無極電燈等。曝光量以 50 〜1000mJ/cm2 爲理想。 顯影步驟使用噴霧法、浸漬法。顯影液如氫氧化鈉、 氫氧化紳、碳酸鈉、碳酸鉀' 矽酸鈉等的金屬鹼性水溶液 ,或單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等的胺基水溶液,特 別以1 . 5質量%以下濃度的稀鹼性水溶液爲合適,組成物 中之含羧基樹脂之羧®皂化’除去未硬化部份(未曝光部 份)即可,不限定於如上述之顯影液。又,顯影後爲脫除 不要之顯影液,以進行水洗或酸中和爲理想。 -14- (12) (12)200412600 (3 )焙燒由此所得之感光性導電糊料之圖型,糊料中 所含之有機分以脫粘劑方法,形成所定導電體圖型。 【實施方式】 以下以實施例爲基準具體的說明本發明,本發明不限 疋於以下貫施例’以下「份」如無特別指明時爲質量份。 有機粘劑、使用銀粉末及低融點玻璃粉末,配合含此 等之後述各成分以所定的組成比,以攪拌機攪拌後,再以 三輥輪機練合進行糊料化。製作成感光性導電糊料(組成 物例1)。 又,對該組成物例1,除了銀粉末變更如表1所示以 外,同樣製作成相關之感光性導電糊料組成物例2 (銀粉 末B )及比較組成物例1 (銀粉末C )。 (有機粘劑) 備有溫度計、攪拌機、滴定漏斗及迴流冷卻器之燒瓶 投入0·87 : 0.13莫耳比的甲基甲基丙烯酸酯及甲基丙 烯酸,以二丙二醇單甲基醚作爲溶劑,以偶氮二丁基晛作 爲催化劑,於氮氣環境下,以8(TC攪拌2〜6小時,得到 樹脂溶液。此樹脂溶液中之有機粘劑(共聚合樹脂)之重 量平均分子量爲10, 〇〇〇,酸價爲74 mg KOH/g。 又,所得之有機粘劑之重量平均分子量,係以日本島 津製作所泵浦LC-6AD及日本昭和電工製玻璃柱 Shodex (登記商標)KF- 8 04、KF- 8 0 3、KF- 8 0 2與三輥輪連接之 (13) (13)200412600 局速色譜儀測定。 (銀粉末) 具有如表1所示半寬度、平均粒徑及比表面積係使用 銀粉末A、B、及C。又,半寬度係使用X線分析裝置( 日本理學製,RINT- 1 5 0 0 )之銀粉末之線解析圖型相關Ag (111)面脊峰之半寬度,不過粒徑係由SEM觀察隨機 1 0個銀粉末之平均粒徑。 其製法如下所述。
銀粉末A 5 L 2 0 g / L之硝酸銀水溶液作爲銀離子,加入 3 5 0 m L工業用氨,得到銀的胺絡溶液。加入純水5 L稀 釋’加入作爲還原劑3 2 m L之8 0 % 肼溶液,隨即加 〇 · 4 3 g油酸。水洗如此所得之銀淤漿,乾燥得到銀粉末
銀粉末B 5 L 2 0 g / L之硝酸銀水溶液作爲銀離子,加入4 〇 mL之100 g / L度之氫氧化鈉調節pH,加入45〇 mL工業 用氨,得到銀的胺絡溶液。加入純水5 L稀釋,加入還元 劑工業用馬林5 00 mL ’隨即加0.43 g油酸。水洗如此所 得之銀漿,乾燥得到銀粉末B。 -16- (14) 200412600 銀粉末c 純水3 3 0 0 g攪拌邊添加硝酸銀水溶液(相當於3 8 g 銀),氨水溶液(相當於3 4 g氨),攪拌1 5分鐘後,添加 5 g硝酸銨、硬脂酸鈉溶液 5 0 mL (硬脂酸鈉添加比率: 5 00 ppm / Ag),其後,於240秒內同時各自以100 mL / 分)之速度添加過氧化氫水溶液(3·3 mol / L )及氫氧化 鈉水溶液(〇 · 8 mol / L)。水洗如此所得之銀漿,乾燥得 到銀粉末C。 表1 半寬度(°) 平均粒徑 比表面積 (β m) (m2 / g) 銀粉末A 0.446 1 1 · 1 0.45 銀粉末B 0.24 8 0 1 .2 0.43 銀粉末C 0.13 54 1.2 0.42 (低融點玻璃粉末) 低融點玻璃粉末’係粉碎成分組成爲B i 2 〇 3 : 4 9 %、 B 2 0 3 : 1 4 %、Ζ η 0 : 1 4 %、s i 0 2 ·· 6 %、B a 0 : 1 7 %,熱膨脹 係數α 30 0 = 8 5 X 1 〇」/t,玻璃轉移溫度460°C之低融 (15) 200412600 (組成物例1) 100.0 份 4 5.0 份 1 〇 . 〇 份 1.0份 90.0 份 550.0 份 2 5.0 份 2.0份 1.0份
有機粘劑A 三羥甲基丙烷三丙烯酸酉旨 2 -苄基-2 - 2二甲基胺基_丨_ (4 _嗎啉代苯基卜 丁酮-1 2,4 -二乙硫基咕噸酮 二丙二醇單甲基醚 銀粉 A 玻璃粉末 磷酸酯 消泡劑·( B YK-3 5 4 :臼本 BIKKU - CHEMI • JAPAN 製) 如此所得之組成物例1,2,比較組成物例1之各感 光性導電糊料評價其解像性、比電阻、密合性、焙燒收縮 。其評價方法如以下所述。 製作試驗片: 玻璃基板上’以180 mesh之聚酯網版全面塗覆評價 用之各感光性導電糊料,其次,以90 °C熱風循環式乾燥 爐乾燥20分鐘形成指觸感乾燥性良好之塗膜。續之,使 用金屬高熾燈爲光源,介以負片圖型膜,使乾燥塗膜上之 積分光量爲3 0 0 mJ / cm2進行圖型曝光後,使用液溫30 °C之〇·5質量% Na2C03水溶液進行顯影,水洗。由此形 -18- (16) (16)200412600 成塗膜圖型之基板,於空氣環境下以5t/分昇溫至5 5 0 °C ,以5 7 0 °C焙燒3 0 °C,製作成形成導電體圖型之試驗片。 (解像性): 評價依上述製作之試驗片之最細的線寬。 (比電阻): 依上述方法製成4 mm X 1 0 mm具圖型之試驗片, · 測定圖型之電阻及厚度,計算比電阻。 (密合性): 依上述方法製作之試驗片,進行膠帶剝落試驗,評價 圖型有否剝落。評價基準如下。 〇:圖型無剝落 X :圖型有剝落 (焙燒收縮率(寬、厚)): φ 依上述方法形成之導電體圖型,膜幅1 〇〇 # m之線條 測定顯影後及顯像後之線幅、膜厚,計算收縮率(% )。 其評價結果如表2所示。 -19- (17)200412600 表2 實施例 組成物 組成物 比較組成 例1 例2 物例1 解像性 // m 10 10 10 比電阻 2.2 2.3 3.9 X 1 0'3 Ω · cm 密合性 〇 〇 〇 焙燒收縮率(幅)% 16 17 17 焙燒收縮率(厚)% 7 1 72 62
由此表所示結果可淸楚,依本發明感光性導電糊料, 確認可容易形成導電性及解像性均優之導電體圖型。 (發明的功效) 如以上所說明,依本發明可提供高精密圖型之成形性 及6 2 0 °C以下溫度之焙燒性均優之感光性導電糊料。其結 果,由於可在620 °C以下溫度焙燒,可不必經複雜的步驟 可容易形成導電性及解像性均優之導電體圖型。 -20-
Claims (1)
- (1) (1)200412600 拾、申請專利範圍 1 . 一種感光性導電糊料,其特徵爲含(A )低結晶度 的銀粉末、(B )有機粘劑、(C )光聚合性單體、(D )光聚 合引發劑之糊料,上述低結晶度的銀粉末(A )爲X光線 解析圖型之 A g ( 1 1 1 )面脊峰所示半寬度値爲0 . 1 5 °以上 者。 2 . —種導電體圖型,其特徵係由使用如上述專利申請 範圍第1項之感光性導電糊料所形成之焙燒物圖型。 ®-21 - 200412600 柒、(一)、本案指定代表圖為:無 (二)、本代表圖之元件代表符號簡單說明: 並 j\w捌、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學 式: / i NN
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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