TW200404336A - Apparatus and method of polishing semiconductor wafer edge - Google Patents

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200404336 Α7 Β7 五、發明説明（1 ) 技術領域 本發明係關於在半導體晶圓製造工程，爲除去半^導 晶圓邊緣所形成凹坑而需之硏磨裝置及方法。 習知技術 半導體裝置晶圓乃是在其成爲基板之半導體晶圓表面 ’利用噴鍍、CVD、鈾刻等在半導體製造領域既知之成膜技 術，予以疊層氧化膜、氮化膜、金屬膜等所構成。 構成各膜之氧化物、氮化物、金屬等物質，卻在成膜時 ’附著於半導體晶圓邊緣而形成凹坑。該凹坑作爲半導體 晶圓上所形成配線則是不需要者，又形成於邊緣之凹坑易 剝落，成爲膜表面之污染源。因此，爲除去半導體晶圓邊 緣所形成凹坑需進行硏磨。 以往，該半導體晶圓邊緣所形成凹坑之除去，係使用 周圍側面粘貼硏磨帶之圓筒形桶體，與針對桶體側面將半 導體晶圓保持於傾斜之保持台所構成硏磨裝置進行（參照例 如專利文件1)。此種習知硏磨裝置對於半導體晶圓邊緣之 硏磨’即促使針對桶體側面以傾斜保持於保持台之半導體 晶圓轉動，將保持台移向轉動之桶體，復對半導體晶圓邊 緣附近供應硏磨液同時，將半導體晶圓邊緣壓制於轉動桶 體周圍之硏磨帶表面而進行。 【專利文件；1】 日本特開平10 — 70080號公報（第3頁第29行〜第4頁第9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 土 ϋ 200404336 A7 _B7__ 五、發明説明（2 ) 行，圖3) 發明欲解決之課題 但，使用此種習知硏磨裝置之硏磨，由於硏磨帶被粘 貼於桶體周圍，致在前次與此次硏磨，如半導體晶圓邊緣 所形成凹坑之構成物質種類相異且繼續使用同一硏磨帶時 ，前次硏磨附著於硏磨帶之物質即飛散於與該物質種類相 異之物質形成的膜表面，而污染膜表面。因此，隨著凹坑 構成物質之種類，非更換粘貼於桶體周圍之硏磨帶不可， 卻無法以同一硏磨帶繼續除去凹坑，故爲更換硏磨帶需費 時間與工夫。 又，以硏磨液如使用含磨粒之硏磨漿時，由於桶體轉 ^動起因之離心力，致供給半導體晶圓邊緣附近之硏磨漿自 硏磨帶表面飛散至半導體晶圓上之膜表面，並附著於膜表 面，而會發生膜表面污染之問題。 又，以硏磨液如使用含溶解凹坑之藥液的反應液時， 與上述硏磨漿同樣，由於桶體轉動起因之離心力，致供給 半導體晶圓邊緣附近之硏磨漿自硏磨帶表面飛散至半導體 晶圓上之膜表面，並附著於膜表面，而會發生膜表面污染 之問題。 於是，本發明之目的，即在提供一種不管半導體晶圓 邊所形成凹坑之構成物質種類，可由同一硏磨帶繼續予以 除去凹坑之裝置及方法。 又，本發明之其他目的，則在提供一種硏磨中不會污 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200404336 A7 B7 五、發明説明（3 ) 染或溶解膜表面，而可除去凹坑之裝置及方法。 解決課題之手段 本發明是，爲了除去半導體晶圓邊緣所形成凹坑，利 用表面形成有磨粒固定層之硏磨帶，以硏磨帶半導體晶圓 邊緣之硏磨裝置及方法。 可達成上述目的之本發明硏磨裝置，係由保持半導體 晶圓並使該半導體晶圓轉動之晶圓保持部，具有將硏磨帶 表面壓制於該晶圓保持部所保持半導體晶圓邊緣之襯墊的 頭部，向該襯墊表面上輸送硏磨帶且捲繞輸送至襯墊表面 上之硏磨帶所需的帶供應手段，將硏磨液供給輸送至襯墊 表面上之硏磨帶表面所需的硏磨液供應手段，及促使襯墊 表面沿半導體晶圓邊緣自半導體晶圓背面側向表面側或自 表面側向背面側之方向以描畫圓圏移動地而使頭部旋轉之 頭部旋轉手段所構成。 本發明硏磨裝置，更可由向晶圓保持部所保持半導體 晶圓之中心側表面上噴吹空氣，且自半導體晶圓中心側向 邊緣流通空氣所需之空氣供應手段加以構成。 半導體晶圓邊緣之硏磨，即使用上述本發明裝置而進 行。 首先，將半導體晶圓保持於晶圓保持部予以轉動。較 佳爲，晶圓保持部由連結於外部馬達之轉軸’與固定於該 轉軸頂端部之保持台所構成。保持台具有與外部真空栗連 通之多數孔洞。半導體晶圓，即將半導體晶圓裝載於保持 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2)0X297公釐） -7 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200404336 ΑΊ Β7 五、發明説明（4 ) 台上，驅動真空泵予以吸住於保持台上，而藉此保持於晶 圓保持部。又，晶圓保持部所保持之半導體晶圓，藉驅動 轉軸所連結外部馬達可加以轉動。晶圓保持部卻能連續性 或間歇性轉動。 其次，將硏磨帶輸送至襯墊表面，且捲繞輸送至襯墊 表面之將硏磨帶。較佳爲，帶供應手段具有可裝脫自如裝 設硏磨帶軸卷之帶送出部，與可捲繞硏磨帶之帶捲取部。 自該帶送出部所裝設軸卷拉出硏磨帶，透過襯墊表面上， 將該硏磨帶捲繞於帶捲取部之捲取滾筒。捲取滾筒乃連結 於馬達，藉驅動該馬達可將硏磨帶輸送至襯墊表面由帶捲 取部加以捲取。硏磨帶能連續性或間歇性地被輸送至襯墊 表面上。如是，由於適時能將硏磨帶之新表面輸送至襯墊 表面上，致不管半導體晶圓邊緣所形成凹坑之構成物質種 類，可由同一硏磨帶繼續予以除去凹坑。 接著，將硏磨液供給輸送至襯墊表面上之硏磨帶表面 。較佳爲，硏磨液供應手段由連結於硏磨液槽之噴嘴所構 成’該噴嘴排列於輸送至襯墊表面上之硏磨帶表面上方。 硏磨液即透過該噴嘴而供給硏磨帶表面。如此，將硏磨液 供給輸送至襯墊表面上之硏磨帶表面，致硏磨液不致飛散 且與硏磨帶一起被供給半導體晶圓邊緣。藉此，半導體晶 圓邊緣以外領域不會被供應硏磨液。又，半導體晶圓卻在 轉雲力’致該轉動所致離心力作用於供給半導體晶圓邊緣之 研1磨液°且藉此，能防止硏磨液侵入於半導體晶圓邊緣以 外之領域。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200404336 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 其次，介襯墊將硏磨帶表面壓制於半導體晶圓邊緣。 較佳爲，將襯墊背面裝設於活塞汽缸軸突端。襯墊藉驅動 活塞汽缸而可進退移動於汽缸軸之較長方向。對於半導體 晶圓邊緣之硏磨帶壓制壓力，則藉調節該進退移動量加以 控制。 如是，進行硏磨半導體晶圓邊緣。 依照本發明之半導體晶圓邊緣硏磨，係介襯墊將硏磨 帶表面壓制於半導體晶圓邊緣，同時使襯墊表面沿半導體 晶圓邊緣自半導體晶圓背面側向表面側或自表面側向背面 側之方向以描畫圓圈移動地而使頭部旋轉。在頭部旋轉期 間，輸送至襯墊表面上之硏磨帶表面即經常壓住於半導體 晶圓邊緣。較佳爲，頭部旋轉中心位於半導體晶圓邊緣與 輸送至襯墊表面上之硏磨帶的接觸點附近。頭部卻連結於 馬達，藉驅動該馬達，可對於旋轉中心以描畫圓圈地進行 旋轉。頭部之旋轉範圍與速度，則藉控制馬達之驅動時間 ’可適當地加以變化或變更。在使頭部旋轉之期間，由於 襯墊背面之活塞汽缸，致硏磨帶表面介襯墊被推向壓住於 半導體晶圓邊緣。亦即，頭部旋轉中，介襯墊將硏磨帶表 面壓住於半導體晶圓邊緣原樣之狀態，以硏磨半導體晶圓 邊緣。 又’依照本發明之半導體晶圓邊緣硏磨，係將襯墊表 面沿半導體晶圓邊緣自半導體晶圓背面側向表面側或自表 面側向背面側之方向以描畫圓圈移動地使頭部旋轉，且使 頭部傾斜後，介襯墊將硏磨帶表面壓制於半導體晶圓邊緣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 9 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200404336 A7 ____ B7 五、發明説明（6 ) ’而能選擇性地硏磨半導體晶圓邊緣之所盼處所。較佳爲 ’該旋轉中心位於半導體晶圓邊緣與輸送至襯墊表面上之 硏磨帶的接觸點附近。頭部卻連結於馬達，藉驅動該馬達 ’可對於旋轉中心以描畫圓圏地進行旋轉。在頭部旋轉進 行傾斜期間，襯墊背側之活塞汽缸軸正在後退。當襯墊傾 斜呈所盼角度時，頭部所連結馬達即停止驅動，以停止頭 部之旋轉。且，驅動活塞汽缸使汽缸軸前進，介襯墊將硏 磨帶表面壓制於半導體晶圓邊緣。如是，可將硏磨帶表面 選擇性地壓制於半導體晶圓邊緣之所盼位置。亦即，能將 硏磨帶表面僅壓制於邊緣所附著不需要之凹坑。 又，依照本發明之半導體晶圓邊緣硏磨，能自半導體 晶圓中心側向邊緣鼓吹空氣流。供給輸送至襯墊表面上之 硏磨帶表面的硏磨液，如上述，乃與硏磨帶一起被供給半 導體晶圓邊緣。在此，如供給多量硏磨液，且半導體晶圓 之轉動數較少時，硏磨液可能侵入於半導體晶圓邊緣以外 p頁域。因此’藉自半導體晶圓中心側向邊緣鼓吹空氣流， 能使供給半導體晶圓邊緣之硏磨液產生空氣壓作用，以防 止硏磨液侵入於半導體晶圓邊緣以外領域。較佳爲，與外 部空氣源連結之噴嘴，排列於晶圓保持部所保持半導體晶 圓轉動中心上方，而透過該噴嘴將空氣噴吹於半導體晶圓 轉動中心上，促使該空氣自轉動中心以放射方向流至半導 體晶圓邊緣。藉此，在硏磨中，硏磨液不致飛散至半導體 晶圓邊緣以外領域之膜表面，以致污染或溶解膜表面。 本發明以硏磨液，係使用冷卻液、或含有可溶解凹坑 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 「10 . — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200404336 A7 __B7 五、發明説明（7 ) 之藥液的反應液。在此，以硏磨液能任意地使用冷卻液與 反應液之任一。以硏磨液使用冷卻液時，可機械性地硏磨 半導體晶圓邊緣，使用反應液時，可化學性機械性地硏磨 半導體晶圓邊緣。藥液可隨著凹坑構成物質適當地加以選 擇。 依據本發明之硏磨，則可最初以硏磨液使用冷卻液而 進行第一次硏磨，之後，以硏磨液使用反應液而進行第二 次硏磨，或與此相反，亦可最初以硏磨液使用反應液而進 行第一次硏磨，之後，使用反應液而進行第二次硏磨。 發明之實施形態 本發明是，爲了除去半導體晶圓邊緣所形成凹坑，利 用表面形成有磨粒固定層之硏磨帶，以硏磨帶半導體晶圓 邊緣之硏磨裝置及方法。 如圖2(a)所示，凹坑30係成膜時形成於半導體晶圓28邊 緣，以半導體晶圓28上所形成配線言之，卻是不需要者， 且形成於邊緣之凹坑30易剝落，成爲膜29表面之污染源頭 <硏磨裝置> 如圖1(a)及（b)所示，本發明硏磨裝置10乃由保持半導 體晶圓28並使該半導體晶圓28轉動之晶圓保持部24，與具 有將硏磨帶3 1表面壓制於該晶圓保持部24所保持半導體晶 圓28邊緣之襯墊12的頭部11，與向該襯墊12表面上輸送硏磨 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X；297公釐） -11 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

200404336 A7 _B7_ 五、發明説明（8 ) 帶31所需之帶送出部（未圖示），與捲繞輸送至襯墊12表面上 之硏磨帶3 1所需的帶捲取部（未圖示），與將硏磨液供給輸送 至襯墊12表面上之硏磨帶31表面所需的硏磨液供應手段（符 號23表示之噴嘴），及促使襯墊12表面沿半導體晶圓28邊緣 自半導體晶圓28背面側向表面側或自表面側向背面側之方 向（箭頭R2之方向）以描畫圓圈移動地而使頭部11旋轉所需之 頭部旋轉手段（符號21所示軸體，及符號22所示馬達）所構成 c 晶圓保持部24由連結於外部馬達（未圖示）之轉軸26，與 固定於該轉軸26頂端部之保持台25予以構成。保持台25具 有連通於外部真空泵（未圖示）之多數孔洞。半導體晶圓28， 即將半導體晶圓28裝載於保持台25，並驅動真空泵予以吸 住於保持台25，而保持於晶圓保持部24。又，晶圓保持部 24所保持之半導體晶圓28，藉驅動上述外部馬達（未圖示）促 使轉軸26轉動，而可轉動於箭頭R1之方向。轉軸26卻能適 當地以連續性或間歇性進行轉動。 頭部11，則由互相對向之第一及第二支持板1 5，1 6， 與分別平行地排列於該等第一及第二支持板1 5，1 6間之第 一、第二、第三及第四滾筒17，18，19，20，與固定於該等 第一及第二支持板15，16間之活塞汽缸13所構成。 襯墊12，係被固定於活塞汽缸13之軸體14突端。藉驅 動活塞汽缸13，可進退移動於箭頭T所示之軸體14較長方向（ 向圖示之左方爲前進方向，右方爲後退方向）。 襯墊1 2表面，卻與第一支持板1 5所固定之軸體2 1軸線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 12- 200404336 A7 B7 五、發明説明（9 ) 呈平行排列。該軸體2 1位於半導體晶圓2 8邊緣與輸送至襯 墊1 2表面之硏磨帶3 1的接觸點附近（比接觸點稍爲靠近半導 體晶圓28中心側）。軸體21乃連結於馬達22，當驅動馬達22 時，頭部11即與活塞汽缸13及襯墊12—起，以軸體21爲旋轉 中心，如描繪圓圈地旋轉於箭頭R2之方向。 頭部11藉驅動馬達22可適當地旋轉，亦可使頭部11沿 箭頭R2方向連續旋轉，更可使頭部11旋轉於箭頭R2方向而 保持傾斜所盼角度之狀態。 在此，半導體晶圓28邊緣之硏磨，可組合頭部11之旋 轉與襯墊12之進退移動加以進行。即如圖2(b)及（c)所示，在 襯墊12表面上，將沿箭頭t方向輸送之硏磨帶31表面壓制於 半導體晶圓28邊緣之狀態原樣，促使頭部11連續地旋轉於 箭頭R2方向而能除去半導體晶圓28邊緣所形成之凹坑30。 又，以頭部11離開半導體晶圓28邊緣之狀態（未圖示），使頭 部11旋轉於圖示之箭頭R2方向，將頭部11傾斜所盼角度後 ，再驅動活塞汽缸13令襯墊12前進，在襯墊12表面上，將 沿箭頭t方向輸送之硏磨帶31表面壓制於半導體晶圓28邊緣 ，而可選擇應硏磨邊緣部位，以除去半導體晶圓28邊緣所 形成之凹坑30。對於半導體晶圓28邊緣之壓制壓力，卻藉 調節箭頭T方向之軸體14進退移動量予以進行。 在圖1所示例子，帶送出部及捲取部（未圖示）係被設於 外部。該帶送出部則裝脫自如地裝設硏磨帶3 1之軸卷（未圖 示）。且，自該軸卷可拉出硏磨帶31，透過第一及第二滾筒 17，18，以及襯墊12表面上，再介第三及第四滾筒19，20, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200404336 A7 B7 五、發明説明（ίο ) 而將該硏磨帶3 1捲繞於帶捲取部之捲取滾筒（未圖示）。該捲 取滾筒連結於馬達（未圖示），藉驅動該馬達，硏磨帶3 1介由 第一及第二滾筒17，18自外部帶送出部沿箭頭t方向被輸送 至襯墊12表面上，該被輸送至襯墊12表面上之硏磨帶31， 復介第三及第四滾筒19，20沿箭頭t方向被予以送出，而捲 繞於外部帶捲取部。硏磨帶3 1可連續性或間歇性地輸送至 襯墊1 2表面上。 在此，如上述帶送出部及捲取部，可裝設於頭部11之 第一及第二支持板1 5，1 6間。即，在第一及第二支持板1 5 ，1 6間架設爲裝脫自如裝設硏磨帶3 1軸卷所需之軸卷裝設 部（未圖示），更能排設捲取硏磨帶3 1所需之捲取滾筒（未圖 示）。藉如此加以構成，帶送出部及捲取部則與頭部11 一起 對於軸體21進行旋轉。 噴嘴23卻固定於第一支持板15，其一端被配置呈可將 硏磨液供給第二滾筒18上之硏磨帶31表面略中央，另一端 介撓性軟管而連結於外部硏磨液槽（未圖示）。該噴嘴23由於 與頭部11 一起旋轉於軸體2 1，致噴嘴一端位置經常對於第 二滾筒1 8呈固定著，雖使頭部11旋轉，對於第二滾筒1 8之 噴嘴一端位置乃不會變化。藉此，供給硏磨帶3 1表面之硏 磨液與硏磨帶31—起被供給半導體晶圓28邊緣，而不會被 供給半導體晶圓28邊緣以外領域（在圖2以符號29表示之膜表 面）。 圖示之硏磨裝置10，更由向晶圓保持部24所保持半導 體晶圓28之轉動中心噴吹空氣所需的噴嘴加以構成。藉此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200404336 A7 B7 五、發明説明（11 ) ，可使空氣自半導體晶圓28內側向外側之邊緣噴吹流通。 以硏磨液，係使用冷卻液、或含有可溶解凹坑30之藥 液的反應液。在此，以硏磨液，能任意地使用冷卻液與反 應液之任一。如使用冷卻液時，可機械性地硏磨半導體晶 圓邊緣，如使用反應液時，可化學性機械性地硏磨半導體 晶圓邊緣。 藥液，隨著凹坑構成物質可適當地加以選擇。例如， 凹坑30之構成物質爲二氧化硅時，乃使用氫氧化鉀、氫氧化 四甲銨、氟酸、氟化物等。凹坑30之構成物質爲鎢時，即使 用硝酸鐵、碘酸鉀等。凹坑30之構成物質爲銅時，則使用乙 氨酸、喟哪啶酸、過氧化氫、苯幷三唑等。 以硏磨帶3 1，可使用底帶表面形成磨粒固定層之既知 者。以底帶，乃使用聚酯等合成樹脂、織布、不織布或發泡 體所成之帶子、或植毛帶子。磨粒固定層則將聚氨酯、聚酯 、丙烯基等所成樹脂溶液中分散有鋁氧、二氧化硅、二氧化 鈽等磨粒之塗料，塗布於底帶表面，復將其加以乾燥，而 形成於底帶表面。 <硏磨方法> 使用圖1(a)及（b)所示硏磨裝置1〇，如圖 2(a)所示，將形成於半導體晶圓28邊緣之凹坑30予以除去。 首先，將半導體晶圓28裝載於晶圓保持部24頂端部之 保持台25，而驅動真空泵（未圖示），由保持台25吸住半導體 晶圓28，保持於晶圓保持部24。之後，驅動晶圓保持部24 所連結外部馬達（未圖示），促使轉軸2 6轉動，使保持於晶圓 保持部24之半導體晶圓28轉動。轉軸26可藉調節馬達之驅 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 「15 - ' " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200404336 A7 B7 五、發明説明（12 ) 動，而適當地連續性或間歇性的轉動。 接著，在外部帶送出部（未圖示）裝配硏磨帶31之軸卷。 且自該軸卷拉出硏磨帶31，透過第一及第二滾筒17，18, 以及襯墊12表面上，再介第三及第四滾筒19，20，而將該 硏磨帶31捲繞於帶捲取部之捲取滾筒（未圖示）。又，驅動連 結於該捲取滾筒之馬達，將硏磨帶3 1介由第一及第二滾筒 17，18自帶送出部沿箭頭t方向予以輸送至襯墊12表面上， 再將被輸送至襯墊12表面上之硏磨帶31，介第三及第四滾 筒19，20沿箭頭t方向送出，而捲繞於帶捲取部。硏磨帶31 可適當地連續性或間歇性輸送至襯墊12表面上。 繼之，透過噴嘴23將硏磨液供給通過第二滾筒18上之 硏磨帶3 1表面略中央，與硏磨帶3 1 —起沿箭頭t方向予以送 出。 其次，驅動活塞汽缸13，使其軸體14沿箭頭T方向前進 ，並介襯墊12將硏磨帶31表面壓制於半導體晶圓28邊緣。 而對於半導體晶圓2 8邊緣之壓制壓力，即藉調節該進退之 移動量加以控制。 依照本發明半導體晶圓2 8邊緣硏磨之一形態，係介襯 墊12將硏磨帶31表面壓制於半導體晶圓28邊緣，同時驅動 馬達22，使頭部11沿箭頭R2方向旋轉於軸體21。在如此頭 部11沿箭頭R 2方向旋轉期間，襯墊1 2背側之軸體14則沿箭 頭T方向前進，而硏磨帶3 1表面介襯墊1 2壓制於半導體晶圓 28邊緣（圖2(b)及圖2(c))。 又，依照本發明半導體晶圓28邊緣硏磨之另一形態， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） 16 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200404336 A7 B7 _ 五、發明説明（13 ) 乃驅動馬達22促使頭部11沿半導體晶H28邊緣以箭頭R2方 向旋轉於軸體21，復使頭部11傾斜’再驅動襯墊12背側之 活塞汽缸13，令軸體14沿箭頭T方向前進’並介襯墊12將硏 磨帶3 1表面壓制於半導體晶圓28邊緣’選擇性的硏磨半導 體晶圓28邊緣之所盼部位。 且，依照本發明半導體晶圓28邊緣硏磨之其他形態， 卻透過晶圓保持部24所保持半導體晶圓28轉動中心上方排 列之噴嘴23，將空氣噴吹於半導體晶圓28轉動中心上，使 空氣自半導體晶圓28中心側向邊緣噴吹流動，以進行硏磨 。藉此，由輸送至襯墊12表面上之硏磨帶31將空氣壓作用 於供給半導體晶圓28邊緣之硏磨液，而防止硏磨液侵入於 半導體晶圓28邊緣以外領域（圖2以符號29所示膜表面）。 半導體晶圓28邊緣，則如上述予以硏磨，並如圖2(d)所 示，自半導體晶圓28邊緣除去凹坑30。 依據本發明半導體晶圓28邊緣之硏磨，係可起初以硏 磨液使用冷卻液進行第一次硏磨，然後，以硏磨液使用反 應液進行第二次硏磨，反之，亦可起初以硏磨液使用反應 液進行第一次硏磨，然後使用冷卻液進行第二次硏磨。 發明之效果 由於本發明如上述所構成，故能奏出：不管半導體晶 圓邊緣所形成凹坑之構成物質種類，可由同一硏磨帶繼續 予以除去凹坑，且在硏磨中不會污染或溶解膜表面，而可 除去凹坑之效果。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17 - '~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200404336 A7 _____B7_ 五、發明説明（14 ) 圖不之簡單說明 圖1(a)爲依據本發明之裝置平面圖，圖1(b)爲圖1(a)之 A A線剖面圖。 圖2(a)爲硏磨前之半導體晶圓邊緣剖面圖，圖2(b)及（c) 分別爲顯示介襯墊將硏磨帶表面壓制於半導體晶圓邊緣之 情形，圖2(d)爲硏磨後之半導體晶圓邊緣剖面圖。 符號說明 10 · * •硏磨裝置 11 · · •頭部 12 · · •襯墊 13 · · •活塞汽缸 14 · · •軸體 15 · · •第一支持板 16· · •第二支持板 17 · · •第一滾筒 18 · · •第二滾筒 19 · · •第三滾筒 20 · · •第四滾筒 21 · · •軸體 22 · · •馬達 23 · · •噴嘴 24 · · •晶圓保持部 25 · · •保持台 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2i〇x297公釐） -18 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

200404336 A7 B7 五、發明説明（15 ) j 26 · · ·轉軸 ί

I 27 · · ·噴嘴 8 2 圓晶 9 2 ο 3

T

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2 R 向 向方 U送向向 帶㈣f方方 導 坑磨M f 動轉 半膜凹硏P磨轉旋 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1#

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19 -

Claims (1)

1. 200404336 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ， 1 . 一種半導體晶圓邊硏磨裝置，係爲除去半導體晶圓 邊緣所形成凹坑，而利用表面形成有磨粒固定層之硏磨帶 以硏磨半導體晶圓邊緣，其特徵爲：由 (1) 保持半導體晶圓並使該半導體晶圓轉動之晶圓保 持部5 (2) 具有將上述硏磨帶表面壓制於上述晶圓保持部所 保持半導體晶圓邊緣之襯墊的頭部， (3) 向上述襯墊表面上輸送上述硏磨帶且捲繞輸送至 上述襯墊表面上之硏磨帶所需的帶供應手段， (4) 將硏磨液供給輸送至上述襯墊表面上之上述硏磨 帶表面所需的硏磨液供應手段，及 (5) 促使襯墊表面沿半導體晶圓邊緣自半導體晶圓背 面側向表面側或自表面側向背面側之方向以描畫圓圈移動 地而使頭部旋轉之頭部旋轉手段，所成。 2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，更具有向上 述晶圓保持部所保持半導體晶圓中心側之表面上噴吹空氣 ，而自上述半導體晶圓中心側向邊緣流通上述空氣所需之 空氣供應手段所成。 3. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，係以上述硏 磨液，而使用冷卻液。 4. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，係以上述硏 磨液，而使用含可溶解上述凹坑之藥液的反應液。 5. —種半導體晶圓邊硏磨方法，係使用申請專利範圍 第1〜4項之裝置以硏磨上述半導體晶圓邊緣，其特徵爲： ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   200404336 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 由 (1) 將半導體晶圓保持於上述晶圓保持部予以轉動之 工程， (2) 將上述硏磨帶輸送至上述襯墊表面，且捲繞輸送 •至上述襯墊表面之硏磨帶的工程， (3) 將硏磨液供給輸送至上述襯墊表面上之上述硏磨 帶表面的工程，及 (4) 介上述襯墊，將上述硏磨帶表面壓制於上述半導 體晶圓邊緣之工程，所成。 6 ·如申請專利範圍第5項之方法，其中，更具有介上 述襯墊將上述硏磨帶表面壓制於上述半導體晶圓邊緣，同 時使上述襯墊表面沿上述半導體晶圓邊緣自上述半導體晶 圓背面側至表面側或自表面側至背面側之方向以描畫圓圈 移動地促使上述頭部旋轉之工程所成。 7 ·如申請專利範圍第5項之方法，其中，更具有上述 襯墊表面沿上述半導體晶圓邊緣自上述半導體晶圓背面側 至表面側或自表面側至背面側之方向以描畫圓圈移動地促 使上述頭部旋轉，令上述頭部傾斜之工程所成，且令上述 頭部傾斜後，介上述襯墊將上述硏磨帶表面壓制於上述半 導體晶圓邊緣。 8·如申請專利範圍第5項之方法，其中，更具有向上 述半導體晶圓中心側表面噴吹空氣，促使自上述半導體晶 圓中心側向邊緣流通上述空氣之工程所成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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