JP2000108004A - 研磨装置 - Google Patents

研磨装置

Info

Publication number
JP2000108004A
JP2000108004A JP28533498A JP28533498A JP2000108004A JP 2000108004 A JP2000108004 A JP 2000108004A JP 28533498 A JP28533498 A JP 28533498A JP 28533498 A JP28533498 A JP 28533498A JP 2000108004 A JP2000108004 A JP 2000108004A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
polished
film
head
shaped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP28533498A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyoichi Miyazaki
恭一 宮▲崎▼
一雄 ▲高橋▼
Kazuo Takahashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP28533498A priority Critical patent/JP2000108004A/ja
Publication of JP2000108004A publication Critical patent/JP2000108004A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨能力の高い研磨フィルムを短時間で交換
して被研磨体の被研磨面を研磨する。 【解決手段】 帯状研磨フィルム8を研磨面へ供給する
帯状研磨フィルム供給手段9と、研磨面へ供給された帯
状研磨フィルム回収手段10とを、研磨ヘッド4の自転
軸20上に位置するように設けた研磨ヘッド4を被研磨
体1に当接して研磨する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハー等
の基板表面を高精度に研磨するための研磨装置及び方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの超微細化や高段
差化が進み、これに伴ってSOI基板、Si、GeAs、InP
等からなる半導体ウエハー、あるいは半導体集積回路形
成過程において表面に絶縁膜あるいは金属膜を有したウ
エハー、更にディスプレー用の基板等を高精度に研磨す
るための加工手段として化学機械研磨(Chemical Mecha
nical Polishing;CMP)装置が知られている。
【0003】ここでは従来のCMP装置について図9と
図10を用いて説明する。図9は被研磨体1(ウエハ
ー)が被研磨体保持手段3によってその被研磨面2を下
に向けた状態で保持され、被研磨体1の口径よりも大き
な口径の例えばポリウレタンからなる研磨パッド15を
用いて被研磨体1を研磨する形態である。この研磨パッ
ド15は、主として表面に凹凸、或いは溝を有している
か或いは多孔質である。図10では被研磨体1は不図示
の駆動手段によって矢印が示す方向に回転する。また、
研磨パッド15は不図示の駆動手段により矢印が示す方
向に回転する。これら被研磨体1と研磨パッド15の互
いの回転或いはいずれか一方の回転によって当接する被
研磨体1の被研磨面2が研磨される。このとき研磨量を
向上させる目的で研磨剤(スラリー)をスラリー供給手
段16から供給する。スラリーは例えばミクロンオーダ
ーからサブミクロンオーダーの砥粒として用いられるSi
O2の微粒子が安定に分散したアルカリ水溶液である。図
9においてスラリーは被研磨体1と研磨パッド15との
間へ外部から供給される。
【0004】図10は、被研磨体1の口径よりも小さい
口径の研磨パッド15が被研磨面2を上に向けて保持さ
れる被研磨体1を研磨する形態である。このときスラリ
ーは、研磨パッドに設けられた小孔17に連通するスラ
リー供給手段16から小孔17を介して被研磨体1と研
磨パッド15との間へ供給される。
【0005】しかしながら図9ないし図10において説
明した従来のCMP装置では、研磨パッド15の研磨性能
が劣化した時、その都度研磨パッド15を手作業で交換
しなければならない。研磨パッド15の交換は長時間を
要しスループットの低下を招く。
【0006】また、例えばスラリー或いは発生する研磨
屑が研磨パッド15の凹部に目詰まりすること、或いは
機械的摩耗等によって研磨性能が劣化した研磨パッド1
5を用いて研磨を続けると研磨性能が劣化する前と後で
得られる研磨量にばらつきが生じたり、あるいは被研磨
面に予期せぬ傷をつくり歩留まりを低下させる。
【0007】またさらに例えばスラリー或いは発生する
研磨屑が研磨パッド15の凹部に目詰まりした場合のよ
うな予期せぬ時に研磨パッド15の交換の必要が起こり
うることを考えると常に人が監視する必要があり、装置
の無人化は困難であり、また装置の監視をする人に負担
を与える。
【0008】特開平8−153692号公報には帯状研
磨布が被研磨体の全面を覆った状態で被研磨体を回転さ
せて研磨する装置が開示されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述した特開平8−1
53692号公報では、帯状研磨布が被研磨体の被研磨
面全面を覆うため部分研磨することが出来ない。なおこ
こでいう部分研磨とは、被研磨体の被研磨面の中の研磨
すべき部分を特定してその部分のみを研磨することを意
味する。
【0010】特に部分研磨においては研磨すべき部分以
外の被研磨面に研磨パッド乃至研磨布が接触することで
研磨屑等が付着することを避ける必要がある。
【0011】
【課題を解決するための手段】よって本発明は、上記課
題を解決するために研磨ヘッドと、被研磨体を保持する
ための被研磨体保持手段と、前記研磨ヘッドを自転させ
る駆動手段と、を有し、前記研磨ヘッドの面が前記被研
磨体保持手段に対向して配置される研磨装置において、
帯状研磨フィルムを前記面に供給する帯状研磨フィルム
供給手段の重心と、前記帯状研磨フィルムを前記面から
回収する帯状研磨フィルム回収手段の重心とが前記研磨
ヘッドの自転軸上に位置するように、前記帯状研磨フィ
ルム供給手段と、前記帯状研磨フィルム回収手段とを有
することを特徴とする研磨装置を提供する。
【0012】また本発明は、研磨ヘッドの自転軸上に重
心を位置する帯状研磨フィルム供給手段により前記研磨
ヘッドの面に帯状研磨フィルムを供給する工程と、前記
研磨ヘッドの自転軸上に重心を位置する帯状研磨フィル
ム回収手段により前記研磨ヘッドの前記面に供給された
前記帯状研磨フィルムを回収する工程とを含み、自転す
る前記研磨ヘッドの前記面に供給された帯状研磨フィル
ムにより被研磨体を研磨することを特徴とする研磨方法
を提供する。
【0013】(作用)本発明によれば、帯状研磨フィル
ム回収手段が研磨後研磨能力の低下した帯状研磨フィル
ムを被研磨体の被研磨面と接触する部分から回収し、帯
状研磨フィルム供給手段が次の研磨のために研磨能力の
高い帯状研磨フィルムを供給できる。その結果帯状研磨
フィルムを交換する際にかかる時間を大幅に短縮するこ
とが出来る。さらに帯状研磨フィルムに付着した研磨屑
や研磨液中の微粒子が被研磨体を汚染したり、或いは被
研磨体に傷を与えることが避けられる。また帯状研磨フ
ィルム供給手段と、帯状研磨フィルム回収手段のそれぞ
れの重心が研磨ヘッドの自転軸上に設けられているの
で、研磨ヘッドはぶれることなく安定に回転することが
できる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態による
研磨装置について述べる。
【0015】(第1の実施の形態)本発明の第1の実施
の形態による研磨装置は、図1に示すように円形の面を
下に向けた研磨ヘッド4の自転軸20上に研磨フィルム
供給手段9及び研磨フィルム回収手段10とを設け、第
1の駆動手段5によって矢印Aの方向に、又研磨フィル
ム供給手段9及び研磨フィルム回収手段10とともに自
転し、又第2の駆動手段によって矢印Bの方向に公転す
ることを特徴とする。研磨フィルム8は、ポリエステ
ル、ポリウレタン等の帯状の可撓性部材でありその研磨
面を下に向けて、且つ被研磨体1と対向するように研磨
ヘッド4に保持される。
【0016】研磨ヘッド4の内部には、帯状の研磨フィ
ルム8を研磨面へ送り出す研磨フィルム供給手段9と、
送り出された前記研磨フィルムを巻き取る研磨フィルム
回収手段10とが設けられている。研磨フィルム供給手
段9および研磨フィルム回収手段10は共に円筒形のロ
ーラーである。
【0017】研磨フィルム供給手段9は、研磨ヘッド4
の研磨面に脱着可能に設けられる弾性体パッド7に沿っ
て研磨フィルム8を送り出すことが出来る。そして研磨
フィルム回収手段10は、前記研磨フィルム供給手段9
が研磨ヘッド4の研磨面に供給した研磨フィルム8を巻
き取って回収することが出来る。
【0018】また研磨フィルム供給手段9も研磨フィル
ム回収手段10もそれぞれの重心21が研磨ヘッド4の
自転軸21上に位置するように配置されている。その結
果研磨ヘッド4が自転しても研磨ヘッド4は、ぶれるこ
となく安定に自転できる。また研磨パッド8を保持する
研磨フィルム供給手段9乃至研磨フィルム回収手段10
のそれぞれの自重、あるいは研磨フィルム8を収容した
状態の重量が同じでなくても研磨ヘッド4は、ぶれるこ
となく安定に自転できる。
【0019】また、研磨フィルム供給手段9は、研磨フ
ィルム回収手段10に対して上方に設けられている。こ
のような構成にすることで、使用済みの研磨フィルム8
に付着している塵や後述するスラリー等の液体が研磨フ
ィルム8の巻き取り中に下へ落ちても研磨フィルム供給
手段9に収容されている未使用の研磨フィルム8に汚染
することを防ぐことが出来る。
【0020】また、研磨ヘッド4は研磨ヘッド上下駆動
手段13によって上下方向に移動する。また研磨ヘッド
4は、研磨フィルム8を被研磨体1に接触させた状態
で、研磨フィルム8を介して圧力を被研磨体1に加えな
がら回転することで被研磨体を研磨することができる。
【0021】この圧力は加圧手段14によって任意の値
に設定できる。
【0022】研磨ヘッド4の下面には脱着可能な弾性体
パッド7が取り付けられている。これは加圧手段14に
よる加圧力を研磨フィルム8の研磨面全面に分散させる
ためである。
【0023】研磨フィルム供給手段9は帯状の研磨フィ
ルム8を弾性体パッド7の下に供給する。研磨フィルム
8のうち、この弾性体パッド7の下へ供給された部分が
被研磨体1を研磨する。研磨には供給手段11から研磨
液12(スラリー)が被研磨体1の被研磨面上に供給さ
れる。研磨終了後動作を終えると、弾性体パッド7の下
にある部分は研磨能力が低下しているので研磨フィルム
回収手段10によって回収される。同時に研磨フィルム
供給手段9が、前記研磨能力が低くなった部分に隣接し
ている未だ研磨に使用されていない研磨能力の高い部分
を弾性体パッド7の下に供給する。また、研磨フィルム
8は研磨フィルム供給手段9と研磨フィルム回収手段1
0によって張りが与えられる。
【0024】また、被研磨体が平坦に研磨されるよう
に、あるいは、研磨による傷が発生し難くなるように第
2の駆動手段6によって研磨ヘッド4の自転方向と逆方
向である矢印Bの方向に研磨ヘッド4を公転させること
が好ましい。
【0025】また、自転の回転数と公転の回転数は数rp
mから数千rpmの範囲から選択され、両者を同回転数とす
ることがより好ましい。
【0026】また、研磨ヘッド4の自転軸と公転軸との
距離Cは研磨ヘッド4の半径Dより小さくなるように設
定されるが、これは公転軸を中心に半径をD−Cとする
領域内において研磨ヘッド4に周転円運動をさせるため
である。研磨ヘッド4が周転円運動をすることで、前記
領域における研磨量は前記領域以外の部分に比べてより
多くなり、且つその領域内は均一に研磨される。
【0027】また、第3の駆動手段18は、研磨ヘッド
4が被研磨体1の被研磨面4の研磨すべき部分に対向す
るように、研磨ヘッド4を水平方向に移動させ位置決め
を行う。
【0028】以下に本実施の形態の研磨装置が被研磨体
を研磨する際の動作を説明する。
【0029】不図示の被研磨体搬送手段によって搬送さ
れた被研磨体1が、被研磨体保持手段3上に置かれて保
持される。研磨ヘッド4は被研磨体1の被研磨面2に対
向する面を有しており、前記面に帯状の研磨フィルム8
が前記研磨フィルム供給手段9によって供給されてい
る。ついで第3の駆動手段18が研磨ヘッド4を被研磨
体1の被研磨面2の中で研磨すべき箇所の直上に位置す
るように水平方向に移動させ位置決めする。また研磨ヘ
ッド4は第1の駆動手段5と第2の駆動手段6とによっ
て自転し且つ公転する。このとき研磨フィルム8も研磨
ヘッド4とともに自転し、公転する。位置決めされた研
磨ヘッド4は、研磨ヘッド上下駆動手段13によって研
磨フィルム8を被研磨体1に当接し、被研磨体を研磨す
る。このとき供給手段11が研磨液12を研磨が行われ
ている被研磨体1の被研磨面2に供給する。また、加圧
手段14が所望の加圧力を研磨ヘッド4に与え研磨量を
調節する。このとき研磨フィルム供給手段9と研磨フィ
ルム回収手段10とが研磨フィルム8に与える張力は、
研磨フィルム8が当接する被研磨体1の被研磨面2に密
着した状態で回転出来る程度に設定される。
【0030】研磨ヘッド4の前記周転円運動によって被
研磨体1の被研磨面2のうち研磨ヘッド4の公転軸を中
心として半径をD−Cとした領域内が均一に研磨され
る。
【0031】研磨が終了すると、研磨ヘッド4は研磨ヘ
ッド上下駆動手段13によって上方へ移動し、研磨ヘッ
ド4に設けられた研磨フィルム8も一緒に被研磨体1か
ら離れる。被研磨体1は、不図示の被研磨体搬送手段に
よって被研磨体保持手段3上から取り外される。研磨フ
ィルム回収手段10は、被研磨体1を研磨に用いられ研
磨能力が低くなった部分の研磨フィルムを研磨ヘッド4
の下面から巻き取って回収する。そして同時に研磨フィ
ルム供給手段9が、研磨フィルム8のうち研磨使用済み
の部分と隣接する未だ研磨に使用されていない部分を研
磨ヘッド4の下面に供給する。そして再び新たな被研磨
体1を研磨する。
【0032】また本実施の形態は、被研磨体1が下側で
研磨ヘッド4が上側に配置される形態に限定されること
はなく、被研磨体1が被研磨面2を下に向けて上側に設
けられ、研磨ヘッド4が下側に配置される形態であって
もよい。
【0033】また、本実施の形態は被研磨体保持手段3
と研磨ヘッド4のうち、少なくともいずれか一方に不図
示の駆動手段を設けて水平方向へ揺動運動をさせて研磨
を行うことも好ましい。
【0034】また、本実施の形態の研磨装置による研磨
フィルム8の供給方法としては、上記方法のように研磨
中に研磨フィルム8の搬送を止める他に、研磨フィルム
8を所望のスピードで送り出し、巻き取りながら回収し
続ける方法であってもよい。
【0035】また本実施の形態に係る研磨装置は、研磨
面から研磨フィルム回収手段10へ回収される使用済み
の研磨フィルム8の研磨面を不図示の観察手段を用いて
観察し、観察結果をもとに研磨フィルム8を研磨面へ送
り出し、且つ回収するタイミング或いはスピードを設定
してもよい。
【0036】また、本実施の形態において研磨ヘッド4
の口径が被研磨体1の口径よりも小さく部分研磨に適し
た形態を示したが、その他に被研磨体1の口径と同径或
いはそれ以上にして全面研磨が可能な形態にしてもよ
い。その場合、より好ましい被研磨体1の口径と研磨ヘ
ッド4の口径との比は、1以上2未満の範囲の中であ
る。
【0037】また、本実施の形態の研磨装置による研磨
ヘッド4の回転運動としては、例えば短時間で均一な研
磨量を得る必要がある場合には、自転、公転の回転方向
を互いに逆向きにすることがよい。また、前記周転円運
動では自転数と公転数を一致させることが好ましいが、
例えば研磨すべき部分をそれ以外の部分との境界付近の
研磨量が漸次変化するように研磨する場合は自転数と公
転数を自由に異ならせてもよい。
【0038】また、前述したように研磨すべき部分とそ
れ以外の部分との境界付近の研磨量が漸次変化するよう
に研磨する場合は距離Cを半径D以上にしてもよい。ま
た、必要に応じて研磨ヘッド4の自転のみで研磨を行っ
てもよい。
【0039】また、本実施の形態は、被研磨体1の口径
より小さい口径の面を有する研磨ヘッド4を用いている
が、これは被研磨体を予め大まかに粗研磨した後に被研
磨体1の被研磨面2の中で更に研磨する必要がある部分
のみを選択的に研磨する修正研磨工程に適した装置にす
るためである。
【0040】また、本実施の形態の研磨ヘッドを複数用
いて、一つの研磨面を同時に研磨することも好ましい。
【0041】また、研磨フィルム8の交換は、研磨フィ
ルム供給手段9及び研磨フィルム回収手段10を研磨ヘ
ッドからとりはずして交換してもよい。あるいは、研磨
ヘッド4を研磨装置と脱着可能にすることで研磨フィル
ム8を研磨ヘッド4ごと交換してもよい。
【0042】本実施の形態に用いられる研磨液12とし
ては、例えば粒径がミクロンオーダーからサブミクロン
オーダーの比較的均一な砥粒として用いられる微粒子が
安定して液体中に分散されている研磨剤(スラリー)が
好ましい。そして前記液体の例としては、pHが調整さ
れた水酸化カリウム(KOH)水溶液、或いは水酸化ナト
リウム(NaOH)水溶液、或いはイソプロピルアルコー
ル、純水、また或いは金属を酸化する化学成分を有する
溶液等がある。
【0043】また、上記液体をそれぞれ混合させること
も好ましいものである。
【0044】また、本実施の形態において用いられる微
粒子は、例えば酸化シリコン(SiO2等)、酸化アルミニ
ウム(Al2O3等)、酸化マンガン(MnO2, Mn2O3, Mn3O4
等)、酸化セリウム(CeO、CeO2等)、酸化イットリウ
ム(Y2O3等)、酸化モリブデン(MoO2等), 酸化カルシ
ウム(CaO2等),酸化マグネシウム(MgO等), 酸化錫
(SnO2等)等が具体例として挙げることが出来る。例え
ば被研磨対象物の構成元素がSiならばSiO2、CeO等の微
粒子を分散させたスラリー、また被研磨対象物の構成元
素がAl、Cu、W等の金属であればAl2O3 、MnO2等の微粒
子を分散させたスラリーを用いることがより好ましい。
また、微粒子の粒径はおよそ8nm〜50nmで粒度分
布が比較的そろっていることがより好ましい。
【0045】また、特に酸化マンガンを研磨微粒子とし
て用いる場合には、酸化マンガン微粒子を液体に分散さ
せる必要はなく粉体のまま直接ウエハー1と研磨フィル
ム8との間に供給して研磨しても構わない。
【0046】また、本実施の形態により研磨される被研
磨体として、例えば 略円形であるSOI基板、Si、GaA
s、InP等からなる半導体ウエハー、半導体集積回路形成
過程において表面に絶縁膜あるいは金属膜を有したウエ
ハー等を例として挙げることが出来る。上記ウエハーの
口径はいずれもおよそ6インチ以上また更には12イン
チ以上である。また、本発明によって研磨される被研磨
体1は必ずしも円形である必要はなく、例えば四角形の
ディスプレー用の基板等も本発明の被研磨体の1例とし
て挙げることができる。
【0047】(第2の実施の形態)本発明の第2の実施
の形態に係る研磨装置は、研磨ヘッド4の外部に設けら
れて、且つ重心21が研磨ヘッド4の自転軸20上に位
置していることを特徴とする。またその他については第
1の実施の形態と同じである。
【0048】図2は、本実施の形態に係る研磨装置の別
の実施の形態を模式的に表した図である。
【0049】図2に示すように本実施の別の実施に係る
研磨装置は、研磨ヘッド4の自転軸20上に重心21が
位置するように配置された円筒状のロール形状の研磨フ
ィルム供給手段9の両端が保持部材22によって回転可
能に保持されており、研磨フィルム回収手段10の両端
も同様に保持部材22によって回転可能に保持されてい
ることを特徴とする。保持手段22は、研磨ヘッド4
と、第1の駆動手段5とにつながっており、第1の駆動
手段が与える回転力を研磨ヘッド4に伝えることが出来
る。
【0050】本実施の形態は、研磨フィルム供給手段9
及び研磨フィルム回収手段10を研磨ヘッド4の外に設
けているために研磨ヘッド4の内部に研磨フィルム供給
手段9乃至研磨フィルム回収手段10を収容するための
空間を設ける必要がなく、研磨ヘッド4の研磨面に保持
されている研磨フィルム8を全面均一な圧力で被研磨体
1の被研磨面2に当接することが出来る。また研磨フィ
ルム供給手段9乃至研磨フィルム回収手段10に巻かれ
ている研磨フィルム8の量を目視によって容易に知るこ
とが出来るので、研磨フィルムの交換時期等を容易に特
定することが出来るので作業効率が向上する。
【0051】(第3の実施の形態)本発明の第3の実施
の形態による研磨装置は、砥粒を有する研磨フィルムを
用いる研磨装置である。またその他の点については第1
および第2の実施の形態と同じである。本発明の第3の
実施の形態は、図3に示すように面を下に向けた研磨ヘ
ッド4に研磨フィルム供給手段9及び研磨フィルム回収
手段10とを設け、第1の駆動手段5によって矢印Aの
方向に、また第2の駆動手段6によって矢印Bの方向
に、研磨ヘッド4が研磨フィルム供給手段9及び研磨フ
ィルム回収手段10とともに自転、公転することを特徴
とする。研磨フィルム8は、ポリエステル、ポリウレタ
ン等の帯状の可撓性部材であり砥粒として粒径が8〜5
0nmの均一な粒径のアルミナ等が塗布されている。
【0052】本実施の形態によれば、帯状研磨フィルム
が砥粒を有しているので砥粒が帯状研磨フィルムと被研
磨体との間に均一に保持される。その結果前記研磨すべ
き部分を均一に研磨することが出来る。また、帯状研磨
フィルム回収手段が研磨後研磨能力の低下した帯状研磨
フィルムを被研磨体の被研磨面と接触する部分から回収
し、帯状研磨フィルム供給手段が次の研磨のために最適
な研磨能力を有する帯状研磨フィルムを供給できる。ま
た、帯状研磨フィルム供給手段も帯状回収手段もその重
心が研磨ヘッドの自転軸上に配置しているので、研磨ヘ
ッドはぶれることなく安定に回転できる。その結果帯状
研磨フィルムを交換する際にかかる時間を大幅に短縮す
ることが出来るのでスループットが向上する。さらに帯
状研磨フィルムに付着した研磨屑や研磨液中の微粒子が
被研磨体を汚染したり、或いは被研磨体に傷を与えるこ
とが避けられる。
【0053】図4及び図5は本実施の形態に用いられる
研磨フィルム8の別の例を模式的に表した図である。
【0054】図4は、研磨量がそれぞれ異なる砥粒を有
した3種の研磨フィルム8a、8b、8cの研磨面を模
式的に示しており、研磨フィルム8aは大きい粒径の砥
粒19aを有し、研磨フィルム8bは中程度の粒径の砥
粒19bを有し、研磨フィルム8cは小さい粒径の砥粒
19cを有している。
【0055】被研磨体を所定時間内に研磨する量、つま
り研磨量は、研磨フィルム8a、8b、8cの中で各研
磨フィルム8aを用いて研磨した場合が一番多く、次い
で8b、8cの順で少ない。また、表面粗さ、つまり被
研磨面の平坦度は研磨フィルム8cを用いて研磨した場
合が一番よく、次いで8b、8aの順でよい。
【0056】また、研磨フィルム8による研磨量は、粒
径ではなく砥粒の素材を変えることで変化させることも
できる。
【0057】また、図5は、一枚の基材上に異なる粒径
の砥粒がそれぞれ特定の領域に塗布された研磨フィルム
8dを示している。
【0058】研磨フィルム8dは、大きい粒径の砥粒1
9aを塗布した領域F、I、中程度の粒径の砥粒19b
を塗布した領域G、J、小さい粒径の砥粒19cを塗布
した領域H,Kを有する。また、各領域は研磨フィルム
8dの送り方向に対して順にF、G、H、I、J、Kの
順で配列される。また F、G、H、I、J、Kの各領
域は、その順序で研磨フィルム8dの長手方向に沿って
繰り返して設けられている。
【0059】各領域の長さはそれが用いられる研磨ヘッ
ド4の口径よりも大きくした方がよい。
【0060】また、図5に示した研磨フィルム8dは、
粒径が異なる3種類の砥粒がそれぞれの各領域に塗布さ
れているが、3種の砥粒として硬度の異なる材料の砥粒
を各領域に塗布したものであってもよい。
【0061】また、図5では3種類の砥粒を用いたが、
本実施の形態に用いられる研磨フィルムとしては2種類
ないし4種類以上の研磨量の異なる砥粒をそれぞれの領
域に分けて研磨フィルム8dの同一面上に設けたものを
用いてもよい。
【0062】(第4の実施の形態)図6は、本発明の第
2の実施の形態による研磨装置を示す図である。本発明
の第4の実施の形態に係る研磨装置は、液体の供給手段
11が設けられており液体12を被研磨体1と研磨フィ
ルム8との間に供給する点であり、その他の構成は第3
の実施の形態と同じである。
【0063】本実施の形態で用いられる液体12として
は、例えばpHが調整された水酸化カリウム(KOH)水
溶液、或いは水酸化ナトリウム(NaOH)水溶液、或いは
イソプロピルアルコール、純水、また或いは金属を酸化
する化学成分を有する溶液等がある。
【0064】また、上記液体をそれぞれ混合させること
も好ましいものである。
【0065】液体12を被研磨体1と研磨パッド8との
間に供給しながら研磨することで、液体12の冷却作用
により研磨時に研磨フィルム8と被研磨体1との間に発
生する摩擦熱による温度上昇を抑えることが出来る。よ
って熱によって電気的劣化しやすい半導体素子等を有す
る基板等を研磨する際特に好ましい。
【0066】また、供給される液体12が、発生する研
磨屑の飛散を防ぐことができ、その結果研磨装置を清浄
な状態に保つことができる。
【0067】砥粒として酸化シリコンを用いて被研磨体
であるシリコンウエハーを研磨する場合、砥粒がシリコ
ンウエハーに強力に固着して除去することが困難になる
ことがある。この場合、例えば水酸化カリウム水溶液等
の液体12を研磨フィルム8とシリコンウエハーとの間
に供給することで酸化シリコンがシリコンウエハーに固
着することを防止できる以下に本発明の第3の実施の形
態に係る研磨装置を用いて被研磨面を研磨する数例を記
す。
【0068】(実施例1)実施例1は、図4に示した粒
径の異なる砥粒をそれぞれ有した3種の研磨フィルム8
a、8b、8cを用いて第1の実施の形態で示した研磨
装置を用いて被研磨体を部分研磨する方法である。図7
は、実施例1における被研磨体1を研磨する工程を表し
たフローチャートである。図7に示すように研磨工程は
全面研磨工程S0と部分研磨工程S2、S4、S6とに
分かれる。全面研磨工程S0に用いられる研磨装置とし
ては、図9、図10に示したような従来型の研磨装置、
または図1に示した研磨装置を改良して研磨ヘッドの口
径を被研磨体の口径よりも大きくした研磨装置を用いる
ことができる。
【0069】例えば100枚の被研磨体を用意する。そ
して全面研磨工程S0において被研磨体の全面を大まか
に研磨して膜厚を均一にする。
【0070】全面研磨工程(S0)を終了した膜厚が均
一な被研磨体は、公知の膜厚測定装置を用いて表面形状
を測定することで被研磨面全面において他の部分よりも
逸脱して表面が粗く、前記他の部分と略同程度の表面粗
さにする必要がある部分が特定される(S1)。
【0071】次に特定された前記部分を研磨する部分研
磨を説明する。
【0072】工程S2において工程S1で得た情報をも
とに100枚の被研磨体を研磨フィルム8aを用いて順
次部分研磨する。研磨フィルム8aは、被研磨体を1枚
研磨するごとに使用済みの部分を巻き取り、未使用の部
分を送り出すように供給且つ回収される。こうして各被
研磨体は、常に未使用の状態の研磨フィルム8aによっ
て研磨される。
【0073】こうして100枚の被研磨体を研磨フィル
ム8aを用いて順次研磨した後、被研磨面全面において
他の部分よりも逸脱して表面が粗く、且つ研磨フィルム
8aを用いて再研磨することで前記他の部分と略同程度
の表面粗さにしたい部分があるか否かを公知の膜厚測定
装置を用いて検出し、前記100枚の被研磨体の中から
該当する被研磨体を選び出す(S3)。そして選び出さ
れた被研磨体は再び工程S2において再研磨される。工
程S2において100枚の被研磨体がすべて研磨フィル
ム8aを用いて再研磨する必要が無くなった後、研磨フ
ィルム8aを研磨フィルム8bに取り替える。
【0074】前記100枚の被研磨体は、工程S1と工
程S3のうち少なくとも1つ以上から得られた情報をも
とに被研磨体の被研磨面の中で研磨フィルム8bにより
用いることで研磨する必要がある部分を特定し、研磨フ
ィルム8bが被研磨体の該部分を部分研磨する(S
4)。研磨の方法は工程S2と同様である。工程S4に
よる研磨が終了した後、工程S3と同様に公知の膜厚測
定装置を用いて再び研磨すべき部分を有した被研磨体を
選び出し(S5)、工程S4による再研磨を行う。
【0075】そして工程S4による再研磨が終了した
後、研磨フィルム8bを研磨フィルム8cに取り替え、
工程S1と工程S3と工程S5のうち少なくとも1つ以
上から得られた情報をもとに工程S4と同様に部分研磨
を行う(S6)。そして工程S5と同様に前記100枚
の被研磨体の中で研磨フィルム8cを用いることで再研
磨する必要がある被研磨体を選び出し(S7)、選んだ
被研磨体を工程S6において再研磨し、研磨を終了する
(S8)。
【0076】(実施例2)実施例2は、図5で示した粒
径が異なる3種の砥粒を研磨量が多い順にそれぞれ各領
域F、G,Hに分けて同一面上に塗布した研磨フィルム
8dを用いて被研磨体を1枚ずつ研磨する方法である。
【0077】図8は、実施例2により被研磨体1を研磨
する様子を表したフローチャートである。図8に示すよ
うに全面研磨(S0)された被研磨体は、公知の膜厚測
定装置を用いて被研磨体の被研磨面全面を観察し、他の
部分よりも逸脱して表面が粗い部分、すなわち部分研磨
すべき部分がある場合、研磨パッド8dの領域F、G、
Hのなかでどの領域を用いて研磨を始めれば良いか判別
し(S1、S3、S5)、領域F、G、Hのいずれか1
つから部分研磨を始める(S2、S4、S6)。
【0078】工程S6が終了した後、公知の膜厚測定装
置を用いて被研磨体の被研磨面全面を再び観察し、他の
部分よりも逸脱して表面が粗い部分、すなわち再研磨す
べき部分があれば領域F、G、Hに隣接する領域I、
J、Kのなかでどの領域を用いて研磨を始めれば良いか
判別し(S7、S9、S11)、領域I、J、Kのいず
れか1つから部分研磨を始め(S8、S10、S1
2)、研磨を終了させる(S13)。
【0079】
【発明の効果】本発明によれば、帯状研磨フィルム回収
手段が研磨後研磨能力の低下した帯状研磨フィルムを被
研磨体の被研磨面と接触する部分から回収し、帯状研磨
フィルム供給手段が次の研磨のために研磨能力の高い帯
状研磨フィルムを供給できる。その結果帯状研磨フィル
ムを交換する際にかかる時間を大幅に短縮することが出
来るのでスループットが向上する。さらに帯状研磨フィ
ルムに付着した研磨屑や研磨液中の微粒子が被研磨体を
汚染したり、或いは被研磨体に傷を与えることが避けら
れる。また帯状研磨フィルム供給手段と、帯状研磨フィ
ルム回収手段のそれぞれの重心が研磨ヘッドの自転軸上
に設けられているので、研磨ヘッドはぶれることなく安
定に回転できる。その結果複数の被研磨体を連続して研
磨し、高い歩留まりを実現することが出来る。また帯状
研磨フィルムが被研磨面の前記研磨すべき部分以外の部
分を汚染したり或いは傷を与えることを防ぐことが可能
となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態による研磨装置を説
明する模式図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態による研磨装置を説
明する模式図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態による研磨装置を説
明する模式図である。
【図4】本発明の第3の実施の形態に用いる研磨性能の
異なる3種の砥粒をそれぞれ有する3種の研磨フィルム
の研磨面を表した模式図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態による研磨性能の異
なる3種の砥粒を同一面に有した研磨フィルムの研磨面
を表した模式図である。
【図6】本発明の第4の実施の形態による化学機械研磨
装置を説明する模式図である。
【図7】本発明の第1の実施例を説明するフローチャー
トである。
【図8】本発明の第2の実施例を説明するフローチャー
トである。
【図9】従来の化学機械研磨装置の1形態を表す模式図
である。
【図10】従来の化学機械研磨装置の別の形態を表す模
式図である。
【符号の説明】
1 被研磨体 2 被研磨面 3 被研磨体保持手段 4 研磨ヘッド 5 第1の駆動手段 6 第2の駆動手段 7 弾性体パッド 8 研磨フィルム 9 研磨フィルム供給手段 10 研磨フィルム回収手段 11 供給手段 12 研磨液 13 研磨ヘッド上下駆動手段 14 加圧手段 16 スラリー供給手段 17 小孔 15 研磨パッド 18 第3の駆動手段 19 砥粒 20 自転軸 21 重心 22 保持手段

Claims (41)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 研磨ヘッドと、被研磨体を保持するため
    の被研磨体保持手段と、前記研磨ヘッドを自転させる駆
    動手段と、を有し、前記研磨ヘッドの面が前記被研磨体
    保持手段に対向して配置される研磨装置において、帯状
    研磨フィルムを前記面に供給する帯状研磨フィルム供給
    手段の重心と、前記帯状研磨フィルムを前記面から回収
    する帯状研磨フィルム回収手段の重心とが前記研磨ヘッ
    ドの自転軸上に位置するように、前記帯状研磨フィルム
    供給手段と、前記帯状研磨フィルム回収手段とを有する
    ことを特徴とする研磨装置。
  2. 【請求項2】 前記研磨ヘッドの面の口径は前記被研磨
    体の口径より小径であることを特徴とする請求項1記載
    の研磨装置。
  3. 【請求項3】 前記研磨ヘッドは公転軸を中心に公転す
    るための駆動手段を有することを特徴とする請求項1記
    載の研磨装置。
  4. 【請求項4】 前記研磨ヘッドの前記自転軸と前記公転
    軸との距離は前記研磨ヘッドの半径より小さいことを特
    徴とする請求項3記載の研磨装置。
  5. 【請求項5】 前記研磨ヘッドと前記研磨体保持手段の
    少なくともいずれか一方を揺動させるための揺動手段を
    有することを特徴とする請求項1記載の研磨装置。
  6. 【請求項6】 前記研磨ヘッドは前記被研磨体の被研磨
    面の一部のみを研磨することを特徴とする請求項1記載
    の研磨装置。
  7. 【請求項7】 前記研磨ヘッドは複数で前記被研磨体の
    被研磨面の全面を研磨することを特徴とする請求項1記
    載の研磨装置。
  8. 【請求項8】 前記研磨ヘッドは前記被研磨体の被研磨
    面を修正研磨することを特徴とする請求項1記載の研磨
    装置。
  9. 【請求項9】 前記研磨ヘッドの研磨面と前記帯状研磨
    フィルムとの間に弾性部材を有することを特徴とする請
    求項1記載の研磨装置。
  10. 【請求項10】 前記弾性部材はポリウレタンであるこ
    とを特徴とする請求項9記載の研磨装置。
  11. 【請求項11】 前記帯状研磨フィルムと前記被研磨体
    の被研磨面との間に液体を供給する手段を有することを
    特徴とする請求項1記載の研磨装置。
  12. 【請求項12】 前記帯状研磨フィルムと前記被研磨体
    の被研磨面の間に粉体を供給する手段を有することを特
    徴とする請求項1記載の研磨装置。
  13. 【請求項13】 前記研磨ヘッドは、前記駆動手段と脱
    着可能であることを特徴とする請求項1記載の研磨装
    置。
  14. 【請求項14】 前記帯状研磨フィルム供給手段は、前
    記帯状研磨フィルム回収手段よりも上に配置されている
    ことを特徴とする請求項1記載の研磨装置。
  15. 【請求項15】 前記帯状研磨フィルム供給手段と、前
    記帯状研磨フィルム回収手段とは、前記研磨ヘッド内部
    に配置されていることを特徴とする請求項1記載の研磨
    装置。
  16. 【請求項16】 前記帯状研磨フィルム供給手段と、前
    記帯状研磨フィルム回収手段とは、前記研磨ヘッド外部
    に配置されていることを特徴とする請求項1記載の研磨
    装置。
  17. 【請求項17】 研磨ヘッドの自転軸上に重心を位置す
    る帯状研磨フィルム供給手段により前記研磨ヘッドの面
    に帯状研磨フィルムを供給する工程と、前記研磨ヘッド
    の自転軸上に重心を位置する帯状研磨フィルム回収手段
    により前記研磨ヘッドの前記面に供給された前記帯状研
    磨フィルムを回収する工程とを含み、自転する前記研磨
    ヘッドの前記面に供給された帯状研磨フィルムにより被
    研磨体を研磨することを特徴とする研磨方法。
  18. 【請求項18】 前記研磨ヘッドの面の口径は前記被研
    磨体の口径より小径であることを特徴とする請求項17
    記載の研磨方法。
  19. 【請求項19】 半導体基板、半導体素子を構成する材
    料を表面に有する半導体基板、半導体素子を構成する材
    料を表面に有する絶縁性基板、のうちいずれか1つを前
    記被研磨体とすることを特徴とする請求項17記載の研
    磨方法。
  20. 【請求項20】 四角形、円形のいずれか1つの基板を
    前記被研磨体とすることを特徴とする請求項17記載の
    研磨方法。
  21. 【請求項21】 金属からなる被研磨面を有する前記被
    研磨体を研磨することを特徴とする請求項17記載の研
    磨方法。
  22. 【請求項22】 公転軸を中心に前記研磨ヘッドを公転
    させることを特徴とする請求項17記載の研磨方法。
  23. 【請求項23】 前記自転と前記公転の方向を逆方向と
    することを特徴とする請求項22記載の研磨方法。
  24. 【請求項24】 前記自転と前記公転の回転数を同回転
    数とすることを特徴とする請求項22記載の研磨方法。
  25. 【請求項25】 前記研磨ヘッドの前記自転軸と前記公
    転軸との距離を前記研磨ヘッドの半径より小さくするこ
    とを特徴とする請求項17記載の研磨方法。
  26. 【請求項26】 前記研磨ヘッドと前記研磨体保持手段
    の少なくともいずれか一方を揺動させることを特徴とす
    る請求項17記載の研磨方法。
  27. 【請求項27】 前記被研磨体の被研磨面の一部を研磨
    することを特徴とする請求項17記載の研磨方法。
  28. 【請求項28】 複数の前記研磨ヘッドで前記被研磨体
    の被研磨面の全面を研磨することを特徴とする請求項1
    7記載の研磨方法。
  29. 【請求項29】 前記被研磨体の被研磨面を修正研磨す
    ることを特徴とする請求項17記載の研磨方法。
  30. 【請求項30】 前記研磨ヘッドの研磨面と前記帯状研
    磨パッドとの間に弾性部材を有することを特徴とする請
    求項17記載の研磨方法。
  31. 【請求項31】 ポリウレタンを前記弾性部材として用
    いることを特徴とする請求項17記載の研磨装置。
  32. 【請求項32】 前記帯状研磨フィルムと前記被研磨体
    の被研磨面との間に微粒子を含む液体を供給して研磨す
    ることを特徴とする請求項17記載の研磨方法。
  33. 【請求項33】 前記液体はアルカリ性水溶液、酸性水
    溶液、有機溶媒、純水の少なくともいずれか1つをふく
    むことを特徴とする請求項32記載の研磨方法。
  34. 【請求項34】 酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸
    化マンガン、酸化セリウム、酸化イットリウム、酸化モ
    リブデン、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化錫
    のうち少なくとも1種を前記微粒子として用いることを
    特徴とする請求項32記載の研磨方法。
  35. 【請求項35】 前記帯状研磨フィルムと前記被研磨体
    の被研磨面との間に粉体を供給して研磨することを特徴
    とする請求項17記載の研磨方法。
  36. 【請求項36】 酸化マンガンを前記粉体として用いる
    ことを特徴とする請求項17記載の研磨方法。
  37. 【請求項37】 前記被研磨体保持手段を自転させるこ
    とを特徴とする請求項17記載の研磨方法。
  38. 【請求項38】 第1の粒径を有した砥粒を有する前記
    帯状研磨フィルムを用いて前記被研磨体を研磨する第1
    の工程と、前記第1の工程に続いて前記第1の粒径より
    も小さい第2の粒径を有した砥粒を有する第2の前記帯
    状研磨フィルムを用いて前記被研磨体を研磨する第2の
    工程と、によって前記被研磨体を研磨することを特徴と
    する請求項17記載の研磨方法。
  39. 【請求項39】 第1の材料からなる砥粒を有する前記
    帯状研磨フィルムを用いて前記被研磨体を研磨する第1
    の工程と、前記第1の材料と異なる第2の材料からなる
    砥粒を有する第2の前記帯状研磨フィルムを用いて前記
    被研磨体を研磨する第2の工程と、によって前記被研磨
    体を研磨することを特徴とする請求項17記載の研磨方
    法。
  40. 【請求項40】 第1の粒径を有した第1の砥粒を第1
    の部分に有し、前記第1の粒径と異なる第2の粒径を有
    した第2の砥粒を前記第1の部分と異なる第2の部分に
    有する前記帯状研磨フィルムを用いることを特徴とする
    請求項17記載の研磨方法。
  41. 【請求項41】 第1の材料からなる第1の砥粒を第1
    の部分に有し、前記第1の粒径と異なる第2の材料から
    なる第2の砥粒を前記第1の部分と異なる第2の部分に
    有する前記帯状研磨フィルムを用いることを特徴とする
    請求項17記載の研磨方法。
JP28533498A 1998-10-07 1998-10-07 研磨装置 Withdrawn JP2000108004A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28533498A JP2000108004A (ja) 1998-10-07 1998-10-07 研磨装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28533498A JP2000108004A (ja) 1998-10-07 1998-10-07 研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000108004A true JP2000108004A (ja) 2000-04-18

Family

ID=17690215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28533498A Withdrawn JP2000108004A (ja) 1998-10-07 1998-10-07 研磨装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000108004A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001347446A (ja) * 2000-06-08 2001-12-18 Fujikoshi Mach Corp テープ研磨装置
JP2001347445A (ja) * 2000-06-08 2001-12-18 Fujikoshi Mach Corp テープ研磨装置
JP2001347444A (ja) * 2000-06-08 2001-12-18 Fujikoshi Mach Corp テープ研磨装置
JP2003234314A (ja) * 2002-02-12 2003-08-22 Ebara Corp 基板処理装置
JP2007500943A (ja) * 2003-07-30 2007-01-18 クライマックス・エンジニアード・マテリアルズ・エルエルシー 銅を化学的機械的に平滑化するためのスラリーおよび方法
CN102240964A (zh) * 2011-06-20 2011-11-16 无锡科博增压器有限公司 一种涡轮轴精研磨夹具

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001347446A (ja) * 2000-06-08 2001-12-18 Fujikoshi Mach Corp テープ研磨装置
JP2001347445A (ja) * 2000-06-08 2001-12-18 Fujikoshi Mach Corp テープ研磨装置
JP2001347444A (ja) * 2000-06-08 2001-12-18 Fujikoshi Mach Corp テープ研磨装置
JP2003234314A (ja) * 2002-02-12 2003-08-22 Ebara Corp 基板処理装置
JP2007500943A (ja) * 2003-07-30 2007-01-18 クライマックス・エンジニアード・マテリアルズ・エルエルシー 銅を化学的機械的に平滑化するためのスラリーおよび方法
CN102240964A (zh) * 2011-06-20 2011-11-16 无锡科博增压器有限公司 一种涡轮轴精研磨夹具

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7575503B2 (en) Vacuum-assisted pad conditioning system
EP0999012B1 (en) Method and apparatus for polishing substrate
EP1250215B1 (en) System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers
EP0764478A1 (en) Method of and apparatus for cleaning workpiece
JP2001291687A (ja) 研磨装置の領域にスラリを制御して送出する装置および方法
JP2002208572A (ja) 研磨装置
JP2004517479A (ja) 表面積を減じた研磨パッドと可変式部分的パッド−ウェーハ・オーバラップ技法を用いて半導体ウェーハを研磨し平坦化するためのシステム及び方法
US20030134580A1 (en) Polishing apparatus
JP2000079551A (ja) コンディショニング装置及びコンディショニング方法
EP0842738B1 (en) Method of and apparatus for polishing and cleaning planar workpiece
JP2525892B2 (ja) ポリッシング方法およびポリッシング装置
JP2000108004A (ja) 研磨装置
JP2002016025A (ja) 半導体ウェーハの製造方法及び製造装置
JP2001009697A (ja) ガラス基板の鏡面仕上げ方法
JP2003188125A (ja) ポリッシング装置
JP6887016B2 (ja) ゲッタリング層形成装置、ゲッタリング層形成方法及びコンピュータ記憶媒体
JPH11114792A (ja) 研磨装置
US20030124960A1 (en) Polishing method
JP2001138233A (ja) 研磨装置、研磨方法および研磨工具の洗浄方法
JP2004031674A (ja) コンタミネーション除去装置
JPH10264011A (ja) 精密研磨装置及び方法
US20030190873A1 (en) Chemical-mechanical polishing platform
JPH11156700A (ja) 研磨装置
JPH11191542A (ja) 研磨装置
JPH1126404A (ja) 研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060110