JPH11300588A - 基板端面研磨装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウェハのような基板の端面部分を研磨
する基板端面研磨装置を提供する。 【構成】 実質的に同径の複数の基板を端面が揃うよう
に上下に積み重ねて保持する基板保持手段30,32,40と、
この基板保持手段とともに複数の基板を軸まわりに一括
回転させる基板回転手段20と、複数の基板の端面部分に
一括に押し当てられるブラシ本体を有する主ブラシ50A,
50B と、ブラシ本体を支軸まわりに回転させるブラシ回
転手段53と、研磨液を基板の端面部分およびブラシ本体
の少なくとも一方に向けて供給するノズル90と、を具備
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ等の
基板の外周端面部分を研磨するための基板端面研磨装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近時、ＤＲＡＭ等の半導体デバイスはま
すます高集積化・高微細化する傾向にあり、これに伴い
クリーンルーム内雰囲気の清浄度を更に高めるという要
望がでてきている。そのため、クリーンルーム内では従
来よりも更にパーティクル対策が厳しくなってきてお
り、パーティクル発生源となりうるものはクリーンルー
ム内から徹底的に排除されるようになっている。半導体
デバイスの原材料となるシリコンウェハもその例外では
ない。

【０００３】図８乃至図１１に示すように、シリコンウ
ェハＷの外周端面部分はエッジの面取りのために砥石５
や７を用いてベベル加工される。このベベル加工面２，
３，６は表面が粗く（表面粗さは１０００オングストロ
ーム程度）、これに他の部材が接触すると表面の微小凹
凸部分が離脱してパーティクルが発生する。その結果、
クリーンルーム内雰囲気の清浄度が低下し、半導体デバ
イスの製品歩留まりを低下させてしまう。このため、シ
リコンウェハＷをクリーンルーム内に持ち込む前に、ベ
ベル加工面２，３，６を表面研磨する必要がある。

【０００４】従来の研磨装置は、図１２に示すように、
互いに向きの異なる３つの研磨部材８をベベル加工面２
及び３のそれぞれに押し当てて研磨する。研磨部材８と
しては固形工具、テープ状工具、バフ状工具が用いられ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
研磨装置においては、ウェハを１枚ずつ研磨するので、
取り付けや交換に時間がかかりすぎて非能率的である。
一方、生産性の向上を図るために研磨部材８にダイヤモ
ンド砥石などの硬い工具を用いると、シリコンウェハＷ
にダメージを与えるおそれがある。また、３つの研磨部
材８の向きがそれぞれ異なるので、構造が複雑であり、
保守点検のコストが増大する。

【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであって、多数枚の基板をダメージを与えるこ
となく短時間で研磨することができる高能率の基板端面
研磨装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係る基板端面研
磨装置は、実質的に同径の複数の基板を端面が揃うよう
に上下に積み重ねて保持する基板保持手段と、この基板
保持手段とともに複数の基板を軸まわりに一括回転させ
る基板回転手段と、前記複数の基板の端面部分に一括に
押し当てられるブラシ本体を有する主ブラシと、前記ブ
ラシ本体を支軸まわりに回転させるブラシ回転手段と、
研磨液を基板の端面部分および前記ブラシ本体の少なく
とも一方に向けて供給するノズル手段と、を具備するこ
とを特徴とする基板端面研磨装置。

【０００８】この場合に、基板と基板との相互間にスペ
ーサをそれぞれ挟み込み、回転ブラシが基板のベベル部
にも接触するようにすることが望ましい。また、基板保
持手段は、複数の基板が積み重ねられる支持部材と、こ
の支持部材により支持された複数の基板を上側から押さ
えつける押え機構と、前記支持部材に係合されて回転駆
動力を前記支持部材に伝達するテーブルと、を具備する
ことが好ましい。

【０００９】また、主ブラシは左右対象な１対のものと
することが好ましい。さらに、基板端面の切り欠き部分
を研磨するためのノッチブラシを有することが好まし
い。この場合に、さらに、ノッチブラシを基板の回転に
応じて基板端面の切り欠き部分に追従させる追従機構
と、上記ノッチブラシを基板の回転方向とは逆向きに移
動させて元の位置に戻す戻し機構と、を有することが好
ましい。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しながら
本発明の種々の好ましい実施の形態について説明する。
図１は本発明の実施形態に係る基板端面研磨装置を示す
全体概要図である。基板端面研磨装置１０は四周を壁で
取り囲まれた部屋のなかに設けられている。部屋の内部
は水受け傾斜板１１と仕切り板１２とで上下に３つの空
間１３，１４，１５に仕切られている。水受け傾斜板１
１は、部屋を下空間１３と中空間１４とに仕切るもので
あり、一側壁側から他側壁側に向けて緩やかに傾斜し、
その最下部は排水口１６に連続している。仕切り板１２
は、部屋を中空間１４と上空間１５とに仕切るものであ
り、ほぼ水平に取り付けられている。

【００１１】図示しない扉が部屋の一側面に取り付けら
れ、この扉を開けてウェハアッセンブリＷＡが部屋の中
空間１４に搬入され、ターンテーブル３０上にセッテイ
ングされるようになっている。ウェハアッセンブリＷＡ
は、図２の（ｂ）に示すように、半導体ウェハＷの相互
間にスペーサＳがそれぞれ挿入され、１２０〜２４０枚
のウェハＷが１つに束ねられ積み重ねられたものであ
る。なお、ウェハアッセンブリＷＡの上端にはダミー板
Ｐが重ねられ、このダミー板Ｐに押え機構４０の軸受部
材４２が当接し、ウェハアッセンブリＷＡを押さえつけ
るようになっている。このウェハアッセンブリＷＡは後
述する端面揃え治具７０とクランプ治具８０（図２及び
図３参照）を用いて組み立てられる。

【００１２】下空間１３には基板回転手段としての基板
回転機構２０が設けられている。この基板回転機構２０
は、床部の台座１８上に固定されたモータ２１と、ター
ンテーブル３０に連結された回転駆動軸（支軸）２５
と、この回転駆動軸（支軸）２５の下端プーリー２４と
モータ駆動軸２１ａのプーリー２２との間に巻き掛けら
れたベルト２３と、を備えている。

【００１３】回転駆動軸２５は、軸受２５ａを介してブ
ラケット２７で支持された外筒２６のなかに挿入されて
いる。ブラケット２７は水受け傾斜板１１の下面に固定
されている。なお、外筒２６が水受け傾斜板１１を貫通
する箇所にはシールリング２９が介挿され、中空間１４
から下空間１３への水漏れが防止されている。

【００１４】左右１対の主ブラシ５０Ａ，５０Ｂが中空
間１４のなかに設けられている。主ブラシ５０Ａ，５０
Ｂは、それぞれブラシ本体５１と、このブラシ本体５１
を保持するブラシホルダ５２と、このブラシホルダ５２
に連結された回転駆動軸５３ａをもつモータ５３と、を
備えている。なお、主ブラシ５０Ａ，５０Ｂはガイドレ
ール１９に沿って水平移動可能にそれぞれ支持されてい
る。すなわち、主ブラシ５０Ａ，５０Ｂは、図７に示す
ように、ホーム位置と使用位置との間を案内移動される
ようになっており、使用時にはホーム位置から使用位置
に移動されてウェハアッセンブリＷＡに押し当てられ、
非使用時には使用位置からホーム位置まで退避するよう
になっている。

【００１５】ノッチブラシ６０は回転機構、追従機構、
戻し機構の３つの機構を備えている。ブラシ回転機構
は、モータ６８と、ブラシ本体６１が取り付けられた垂
直シャフト６２と、この垂直シャフト６２の上端プーリ
ー６５とモータ駆動軸６８ａとの間に掛けわたされたベ
ルト６７と有する。ブラシ追従機構は、一端側が垂直シ
ャフト６２の下部に軸受６３ａを介して連結され、他端
側が外筒２６に軸受２８を介して連結された水平揺動ア
ーム６３と、ターンテーブル下部の凹所３０ｂに嵌まり
込むように水平揺動アーム６３に突没可能に取り付けら
れた連動回転ピン６３ｂとを有する。ブラシ戻し機構
は、揺動アクチュエータ６９と、一端側が垂直シャフト
６２の上部に軸受６４ａを介して連結され、他端側が揺
動アクチュエータ６９に連結された水平揺動アーム６４
と、連動回転ピン６３ｂを凹所３０ｂから外すために水
受け傾斜板１１の上面に固定されたピン外し部材１７と
を有する。このようなノッチブラシ６０は、図７に示す
ように、上記の追従機構および戻し機構により０°位置
から１８０°位置までの間を往復移動される。すなわ
ち、０°位置でノッチブラシ６０がウェハアッセンブリ
ＷＡのノッチＮに嵌まり込むとほぼ同時に連動回転ピン
６３ｂがターンテーブル下部の凹所３０ｂに嵌まり込
み、ノッチブラシ６０はターンテーブル３０に係合し、
これに連れ回わされるようになる。ノッチブラシ６０が
１８０°位置にくると、連動回転ピン６３ｂがピン外し
部材１７に衝突して、ピン６３ｂが凹所３０ｂから外
れ、ノッチブラシ６０はターンテーブル３０から離脱す
る。これとほぼ同時に揺動アクチュエータ６９が作動
し、ノッチブラシ６０は１８０°位置から０°位置まで
反時計まわりに戻される。この０°位置から１８０°位
置までの追従区間においてノッチＮはノッチブラシ６０
により研磨される。なお、連動回転ピン６３ｂはスプリ
ング６３ｃによって付勢されているので、ターンテーブ
ル下面に摺接した状態から凹所３０ｂに円滑に嵌まり込
むようになっている。

【００１６】なお、主ブラシ５０Ａ，５０Ｂやノッチブ
ラシ６０は研磨対象のサイズに応じてそれぞれ最適の大
きさのものに交換できるようになっている。例えば、ウ
ェハＷの径が８インチのときは主ブラシ５０Ａ，５０Ｂ
の直径を１５０ｍｍ、ノッチブラシ６０の直径を６０ｍ
ｍとすることが望ましい。ウェハＷの径が１０インチ又
は１２インチと大きくなる場合にはこれと同等か又はそ
れ以上のサイズのものを用いる。また、主ブラシ５０
Ａ，５０Ｂ及びノッチブラシ６０の長さはそれぞれ２５
０〜３００ｍｍとすることが望ましい。最大２４０枚ま
でのウェハＷを一括に研磨するためである。また、主ブ
ラシ５０Ａ，５０Ｂ及びノッチブラシ６０におけるブラ
シ繊維の長さは１０〜４０ｍｍの範囲とし、ブラシ繊維
の線径は０．２〜０．５ｍｍの範囲とし、ブラシ繊維材
料は軟質のポリプロピレンや６−６ナイロン等を用い
る。

【００１７】このような主ブラシ５０Ａ，５０Ｂ及びノ
ッチブラシ６０は次のようにしてつくられる。先ず、樹
脂ペレットを溶解し、これを漏斗状の溶解炉から取り出
しながら冷却し、モノフィラメントを形成する。シリコ
ン酸化膜４を研磨するための特殊ブラシを製造する場合
は、溶解炉中に樹脂ペレットとともに研磨砥粒を投入す
る。研磨砥粒がダイヤモンド砥粒である場合は、その平
均粒径を＃１５００〜＃５０００の範囲とする。次い
で、所定長に裁断したモノフィラメントを帯状の留金に
挟み込み、留金を圧接して刷毛状とする。そして、この
刷毛状のものをブラシホルダ５２の外周に螺旋状に密に
巻き付け、接着すると、ブラシ本体部が完成する。

【００１８】研磨液ノズル９０は図１には示していない
が、その吐出口９０ａは主ブラシ５０Ａ，５０Ｂの各々
に均等に向けられている（図７参照）。すなわち、吐出
口９０ａは全部で４つ存在するが、そのうちの２つは上
下に適当な間隔を設けて一方の主ブラシ５０Ａに向けら
れ、残りの２つは上下に適当な間隔を設けて他方の主ブ
ラシ５０Ｂに向けられている。なお、使用済みの研磨液
は水受け傾斜板１１の上に落下し、水受け傾斜板１１に
沿って流下し、排水口１６を介して部屋の外部に排出さ
れるようになっている。

【００１９】研磨液としては、通常のシリコンウェハの
端面部分を研磨する場合はコロイダルシリカ懸濁液のよ
うな研磨砥粒水溶液を使用する。このときの主ブラシ５
０Ａ，５０Ｂのブラシ本体５１はナイロンやポリプロピ
レン等の樹脂製のモノフィラメントからなる単繊維束構
造のものである。一方、裏面Ｗｂに酸化シリコン膜４を
有するシリコンウェハの端面部分を研磨する場合は、主
ブラシ５０Ａ，５０Ｂのブラシ本体５１にダイヤモンド
砥粒等を樹脂中に混入させたモノフィラメントからなる
単繊維束を用いるために、研磨中にウェハ端面が過熱す
るのを防止するため冷却水をかけるだけとする。なお、
使用済みの研磨液は水受け傾斜板１１に沿って流下し、
排水口１６を介して部屋の外部に排出されるようになっ
ている。

【００２０】図７に示すように、ウェハアッセンブリＷ
Ａをターンテーブル３０に取り付けたときのノッチＮの
初期位置は９０°のところである。一方の主ブラシ５０
Ａの使用位置は約２４０°のところである。他方の主ブ
ラシ５０Ｂの使用位置は約３００°のところである。研
磨液ノズル９０は２７０°位置に設けられている。この
研磨液ノズル９０は上下２対の吐出口９０ａを有してい
る。各対の吐出口９０ａは主ブラシ５０Ａ，５０Ｂに均
等に配置されている。ノッチブラシ６０は０°位置から
１８０°位置までの間を往復移動する。なお、ノッチブ
ラシ６０用に研磨液ノズルを追加するようにしてもよ
い。

【００２１】次に、図２〜図６を参照しながらウェハア
ッセンブリＷＡの組み立てについて説明する。図２の
（ａ）及び（ｂ）に示すように、端面揃え治具７０は、
基台７１と、ノッチ揃え部材７２と、端面揃え部材７３
とを備えている。先ず、基台７１の凸部（位置決めボ
ス）７１ａに支持部材３２の凹所３２ａを嵌め込む。次
に、支持部材３２の上にウェハＷとスペーサＳとを交互
に積み重ね、最上段にダミー板Ｐを積む。このときノッ
チ揃え部材７２と端面揃え部材７３とでノッチＮとウェ
ハ端面の位置を規定するので、ウェハＷのノッチＮとウ
ェハ端面はきれいに揃う。なお、ウェハＷの厚さは０．
７ｍｍ、スペーサＳの厚さは０．３５ｍｍである。

【００２２】次に、図３の（ａ）及び（ｂ）に示すクラ
ンプ治具８０をこれに取り付け、ウェハアッセンブリＷ
Ａを支持部材３２にしっかり固定する。クランプ治具８
０は、上板８１と、下板８２と、これら上下板８１，８
２を貫通する１対の長ボルト８３と、蝶ナット８４とを
有する。

【００２３】このようにしてクランプ治具８０でウェハ
アッセンブリＷＡを支持部材３２にしっかり固定する
と、これを基台７１から取外し、基板端面研磨装置１０
の部屋に搬入する。そして、図４に示すように、ターン
テーブル３０の凸部３０ａに支持部材３２の凹所３２ａ
を嵌め込む。さらに、図５に示すように押え機構４０の
軸受部材４２を下降させ、図６に示すようにウェハアッ
センブリＷＡを上方からしっかり押さえつける。そし
て、ウェハアッセンブリＷＡからクランプ治具８０を取
外し、扉を閉め、研磨を開始する。

【００２４】次に、２４０枚の８インチ径シリコンウェ
ハＷの端面部分を一括に研磨する動作について説明す
る。ウェハアッセンブリＷＡのセッティングが完了し、
扉を閉め、起動ボタンを押すと、先ずノズル９０からウ
ェハアッセンブリＷＡに向けて研磨液が吐出される。次
いで、それぞれの待機位置で主ブラシ５０Ａ，５０Ｂお
よびノッチブラシ６０がそれぞれ時計回りに回転を開始
する。主ブラシ５０Ａ，５０Ｂの回転数はそれぞれ２０
０〜７００ｒｐｍ、ノッチブラシ６０の回転数は２００
〜７００ｒｐｍである。

【００２５】次いで、主ブラシ５０Ａ，５０Ｂをウェハ
アッセンブリＷＡに押し当て、さらにターンテーブル３
０によりウェハアッセンブリＷＡの回転を開始する。ウ
ェハアッセンブリＷＡの回転速度は１〜１５ｒｐｍの範
囲とし、時計回りに回転させる。

【００２６】ウェハアッセンブリＷＡのノッチＮが初期
位置（装置正面側；９０°位置）から０°位置に移動し
てくると、ノッチブラシ６０がノッチＮに押し当てられ
る。このときノッチブラシ６０がウェハアッセンブリＷ
ＡのノッチＮに嵌まり込むとほぼ同時に、連動回転ピン
６３ｂがターンテーブル下部の凹所３０ｂに嵌まり込む
ので、ノッチブラシ６０はターンテーブル３０に係合
し、これに連れ回わされるようになる。ノッチブラシ６
０が１８０°位置にくると、連動回転ピン６３ｂがピン
外し部材１７に衝突して、ピン６３ｂが凹所３０ｂから
外れ、ノッチブラシ６０はターンテーブル３０から離脱
する。これとほぼ同時に揺動アクチュエータ６９が作動
し、ノッチブラシ６０は１８０°位置から０°位置まで
反時計まわりに戻される。このようにしてノッチブラシ
６０は０°位置から１８０°位置までの間を往復移動さ
れる。この０°位置から１８０°位置までの追従区間に
おいてノッチＮはノッチブラシ６０により研磨される。
なお、連動回転ピン６３ｂはスプリング６３ｃによって
付勢されているので、ターンテーブル下面に摺接した状
態から凹所３０ｂに円滑に嵌まり込むようになってい
る。

【００２７】このようにして約６０分間にわたり端面研
磨を実施すると、ウェハ端面部分の表面粗さが初期の１
０００オングストローム（１００ｎｍ）から１００オン
グストローム（１０ｎｍ）以下に仕上がる。これはウェ
ハ表面Ｗａの鏡面仕上げと比べても遜色ないものであ
る。

【００２８】端面研磨を終了するときは、ノッチＮが２
７０°位置（背面側）にきたところでターンテーブル３
０の回転を停止する。端面研磨が終了すると、扉を開
け、クランプ治具８０を再び取り付け、押え機構４０の
軸受部材４２を上昇させ、ターンテーブル３０からウェ
ハアッセンブリＷＡを取り外す。そして、これを別の部
屋で全体を水槽に浸漬させて洗浄しながら、クランプ治
具８０を取り外し、ウェハＷとスペーサＳとをそれぞれ
のカセットに収納する。

【００２９】なお、上記実施形態では半導体ウェハ（シ
リコンウェハ）の外周端面及びノッチ部を研磨する場合
について説明したが、本発明はこれのみに限られること
なく、オリエンテーションフラットを有する半導体ウェ
ハ、光ディスク、コンパクトディスク等の他の基板を研
磨対象とすることもできる。

【００３０】また、上記実施形態では２つの主ブラシを
設けた場合について説明したが、主ブラシは１つだけで
もよく、３つ以上設けてもよい。さらに、上記実施形態
ではノッチブラシを１つだけ設けた場合について説明し
たが、第２のノッチブラシを反対側に設けるようにして
もよい。

【００３１】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、多数の基
板を比較的短時間で一括に研磨することができる。例え
ば、従来の枚葉式研磨装置ではウェハ１枚あたり約３分
間を要していたが、本発明の装置によれば１２０枚乃至
２４０枚のウェハを約６０分間で研磨することができ、
本発明装置は従来装置の６倍から１２倍の高い生産性を
有することになる。

【００３２】また、本発明装置ではブラシ繊維に軟質の
樹脂材料を用いているので、基板にダメージを与えるこ
となく軟接触研磨により鏡面程度まで仕上げることがで
きる。

【００３３】また、本発明の装置によれば、ブラシが基
板端面の形状に倣い、ブラシ繊維の先端がベベル部やノ
ッチ部まで届くようになっているので、基板端面部分の
すべてを基板の主面と同等程度まで研磨仕上げすること
ができ、基板端面部分からのパーティクルの発生が実質
的になくなる。このため、クリーンルームの清浄度を低
下させることなく、基板を取扱うことができ、結果とし
て半導体デバイス等の製品の歩留り向上に寄与すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る基板端面研磨装置を示
す全体概要図。

【図２】（ａ）は複数枚の基板の端面を揃えるときに用
いられる端面揃え治具を示す平面図、（ｂ）は端面揃え
治具及び基板アッセンブリの正面図。

【図３】（ａ）は複数枚の基板を基板アッセンブリとし
て保持固定するときに用いられるクランプ治具を示す平
面図、（ｂ）はクランプ治具及び基板アッセンブリの正
面図。

【図４】クランプ治具で保持された基板アッセンブリお
よび研磨テーブルを示す分解図。

【図５】基板アッセンブリが組み込まれた基板端面研磨
装置を示す概要図。

【図６】基板アッセンブリが組み込まれた基板端面研磨
装置を示す部分概要図。

【図７】主ブラシ及びノッチブラシの動作を説明するた
めの概要平面図。

【図８】基板端面部をベベル加工するベベル加工機の一
部を示す部分拡大図。

【図９】ベベル加工された基板端面部を示す部分拡大
図。

【図１０】基板端面部をベベル加工する他のベベル加工
機の一部を示す部分拡大図。

【図１１】ベベル加工された他の基板端面部を示す部分
拡大図。

【図１２】従来の装置による基板端面研磨動作を説明す
るための概要図。

【符号の説明】

Ｗ…半導体ウェハ（基板）、Ｎ…ノッチ、Ｓ…スペー
サ、Ｐ…ダミー板、ＷＡ…ウェハアッセンブリ、１０…
基板端面研磨装置、１１…水受け傾斜板、１２…仕切り
板、１６…排水口、１７…ピン外し、２０…基板回転機
構、２１，５３，６８…モータ、２５，５３ａ，６２，
６８ａ…回転駆動軸（支軸）、２５ａ，２８，４２，６
３ａ，６４ａ…軸受、２６…外筒、３０…テーブル、３
２…支持部材、４０…押え機構、５０Ａ，５０Ｂ…主ブ
ラシ、５１，６１…ブラシ本体、６０…ノッチブラシ、
６３，６４…揺動アーム、６３ｂ…連動回転ピン、６９
…揺動アクチュエータ、７０…端面揃え治具、８０…ク
ランプ治具、９０…ノズル。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 実質的に同径の複数の基板を端面が揃う
   ように上下に積み重ねて保持する基板保持手段と、 この基板保持手段とともに複数の基板を軸まわりに一括
   回転させる基板回転手段と、 前記複数の基板の端面部分に一括に押し当てられるブラ
   シ本体を有する主ブラシと、 前記ブラシ本体を支軸まわりに回転させるブラシ回転手
   段と、 研磨液を基板の端面部分および前記ブラシ本体の少なく
   とも一方に向けて供給するノズル手段と、を具備するこ
   とを特徴とする基板端面研磨装置。
2. 【請求項２】 基板と基板との相互間にスペーサをそれ
   ぞれ挟み込み、上記回転ブラシが基板のベベル部にも接
   触するようにしたことを特徴とする請求項１記載の基板
   端面研磨装置。
3. 【請求項３】 上記基板保持手段は、複数の基板が積み
   重ねられる支持部材と、この支持部材により支持された
   複数の基板を上側から押さえつける押え機構と、前記支
   持部材に係合されて回転駆動力を前記支持部材に伝達す
   るテーブルと、を具備することを特徴とする請求項１記
   載の基板端面研磨装置。
4. 【請求項４】 ２つの主ブラシを有することを特徴とす
   る請求項１記載の基板端面研磨装置。
5. 【請求項５】 さらに、基板端面の切り欠き部分を研磨
   するためのノッチブラシを有することを特徴とする請求
   項１記載の基板端面研磨装置。
6. 【請求項６】 さらに、上記ノッチブラシを基板の回転
   に応じて基板端面の切り欠き部分に追従させる追従機構
   と、上記ノッチブラシを基板の回転方向とは逆向きに移
   動させて元の位置に戻す戻し機構と、を有することを特
   徴とする請求項５記載の基板端面研磨装置。